KR20190011209A

KR20190011209A - Processing method of a wafer

Info

Publication number: KR20190011209A
Application number: KR1020180084173A
Authority: KR
Inventors: 마사히로 다케카와; 도모히로 시라하마
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2017-07-24
Filing date: 2018-07-19
Publication date: 2019-02-01
Also published as: KR102506342B1; TW201908060A; CN109290941A; TWI762680B; JP2019022920A; CN109290941B; JP6938262B2

Abstract

Provided is a wafer processing method capable of suppressing a deviation between a polishing rate during processing of a first wafer after an idling operation and a polishing rate during continuous processing. The wafer processing method comprises: an idling step (ST1) for driving a polishing unit of a grinding and polishing apparatus; and a grinding and polishing step (ST2) for polishing a wafer maintained on a chuck table of a grinding and polishing apparatus with a polishing pad after the idling step (ST1). A polishing condition in the grinding and polishing step (ST2) is set with two types: a slope of a rotation axis at the time of initial processing of polishing a first wafer; and a slope of a rotation axis during continuous processing of polishing a second wafer. The slope of the rotation axis at the time of initial processing is set such that a polishing rate when the first wafer is polished at the slope of the rotation axis during initial processing becomes the same as a polishing rate when the second wafer is polished at the slope of the rotation axis during continuous processing.

Description

[0001] PROCESSING METHOD OF A WAFER [0002]

본 발명은, 웨이퍼를 가공하는 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of processing a wafer for processing a wafer.

반도체 디바이스가 표면에 형성된 실리콘 등으로 이루어지는 반도체 웨이퍼나, 광 디바이스가 형성된 사파이어, SiC (탄화 규소) 등으로 이루어지는 광 디바이스 웨이퍼 등의 각종 웨이퍼는, 이면측이 연삭 지석으로 연삭되어 박화 (薄化) 된 후 (예를 들어, 특허문헌 1 참조), 이면이 연마된다.Various wafers such as semiconductor wafers made of silicon or the like on which semiconductor devices are formed on the surface or optical device wafers made of sapphire, SiC (silicon carbide) or the like on which optical devices are formed are thinned by grinding with a grinding wheel, (See, for example, Patent Document 1), the back surface is polished.

일본 공개특허공보 2013-119123호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-119123

웨이퍼의 이면을 연마하는 연마 장치는, 풀 오토로 연속 가공한 웨이퍼와, 가공을 일시 중단하고 아이들링 운전 후의 1 장째로 가공한 웨이퍼에서는, 연마에 의한 제거량의 분포가 상이하다. 예를 들어, 연마 장치는, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼를 가공했을 때가 연속 가공했을 때와 비교하여, 중심 부분의 제거량 (연마 레이트라고도 한다) 이 감소하고 외주부의 제거량이 증가한다는 문제가 있다. 이 현상의 한 요인은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼의 가공시에 발생하는 열이 연속 가공시와 비교하여 적기 때문이라고 생각된다.The polishing apparatus for polishing the back side of the wafer differs in the distribution of the amount of removal by polishing in the wafer continuously processed in full auto and the wafer processed for the first time after the idling operation. For example, the polishing apparatus has a problem that the removal amount (also referred to as polishing rate) of the center portion is decreased and the removal amount of the outer peripheral portion is increased as compared with the case where the first wafer after the idling operation is continuously machined. One reason for this phenomenon is thought to be that the heat generated at the time of processing the first wafer after the idling operation is smaller than that at the time of continuous processing.

본 발명은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of suppressing deviation of the polishing rate at the first wafer processing after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous machining.

상기 서술한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 웨이퍼를 유지하는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼를 연마하는 연마 패드와, 그 연마 패드가 장착되는 스핀들 및 그 스핀들을 회전 구동하는 모터를 포함하는 연마 수단과, 그 연마 수단을 가공 이송하는 가공 이송 수단을 구비한 연마 장치를 사용하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 그 연마 수단을 구동시키는 아이들링 스텝과, 그 아이들링 스텝의 실시 후에, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 그 연마 패드로 연마하는 연마 스텝을 적어도 구비하고, 그 연마 스텝에 있어서의 연마 조건은, 1 장째의 웨이퍼를 연마하는 초기 가공 조건과, 2 장째 이후의 웨이퍼를 연마하는 연속 가공 조건의 2 종류가 설정되고, 그 초기 가공 조건은, 그 초기 가공 조건으로 1 장째의 웨이퍼를 연마했을 때의 연마 레이트와, 그 연속 가공 조건으로 2 장째 이후의 웨이퍼를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above-described problems and to achieve the object, the present invention provides a method of processing a wafer comprising a chuck table for holding a wafer, a polishing pad for polishing the wafer held on the chuck table, There is provided a method of processing a wafer using a polishing apparatus having a polishing apparatus including a spindle to be mounted and a motor for rotationally driving the spindle and a processing and transferring means for transferring the polishing apparatus, And a polishing step of polishing the wafer held on the chuck table with the polishing pad after performing the idling step. The polishing conditions in the polishing step include an initial processing condition for polishing the first wafer And a continuous machining condition for polishing the second and subsequent wafers are set, and the initial machining conditions are set so that the initial machining conditions And the polishing rate when polishing a wafer of the first-th, the polishing rate when polishing the wafer after the second th to the continuous working conditions is characterized in that so that the same set.

상기 웨이퍼의 가공 방법에 있어서, 그 척 테이블은, 외주부가 중심에 비해 약간 낮은 원뿔상의 유지면과, 그 유지면의 중심을 통과하는 회전축과, 그 회전축의 기울기를 조정하는 기울기 조정 수단을 적어도 구비하고, 그 초기 가공 조건은, 가공점에 있어서 그 연마 패드와 그 척 테이블이 이루는 각도가 그 연속 가공 조건보다 커지도록 그 회전축의 기울기가 설정되어도 된다.Wherein the chuck table has at least a conical holding surface whose outer peripheral portion is slightly lower than the center, a rotating shaft passing through the center of the holding surface, and a tilt adjusting means for adjusting the tilt of the rotating shaft And the initial machining conditions may be set such that the angle formed between the polishing pad and the chuck table at the machining point is larger than the continuous machining condition.

본원 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.The method of processing a wafer of the present invention has the effect of suppressing the deviation of the polishing rate at the time of first wafer processing after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous processing.

도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 웨이퍼의 표면에 보호 부재가 첩착 (貼着) 된 상태의 사시도이다.
도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다.
도 4 는, 도 3 에 나타낸 연삭 연마 장치의 척 테이블과 연마 유닛 등을 나타내는 측면도이다.
도 5 는, 도 3 에 나타낸 연삭 연마 장치의 기울기 조정 기구를 나타내는 측면도이다.
도 6 은, 초기 가공시 및 연속 가공시의 웨이퍼의 단위 시간당의 제거량을 측정한 측정 포인트를 설명하는 평면도이다.
도 7 은, 도 6 에 나타낸 각 측정 포인트의 초기 가공시의 단위 시간당의 제거량의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 8 은, 도 6 에 나타낸 각 측정 포인트의 연속 가공시의 단위 시간당의 제거량의 측정 결과를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 10 은, 도 9 에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 연삭 연마 스텝의 초기 가공시를 나타내는 측단면도이다.
도 11 은, 도 9 에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 연삭 연마 스텝의 연속 가공시를 나타내는 측단면도이다.
도 12 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 초기 가공시의 회전축의 기울기를 설명하는 도면이다.
도 13 은, 실시형태 1 및 실시형태 2 의 변형예에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 연마 장치의 구성예의 사시도이다.1 is a perspective view of a wafer to be processed in the method of processing a wafer according to the first embodiment.
Fig. 2 is a perspective view of the wafer shown in Fig. 1 in a state in which a protective member is attached to the wafer.
3 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in a method of processing a wafer according to the first embodiment.
Fig. 4 is a side view showing a chuck table, a polishing unit, and the like of the grinding and polishing apparatus shown in Fig. 3;
5 is a side view showing a tilt adjusting mechanism of the grinding and polishing apparatus shown in Fig.
Fig. 6 is a plan view for explaining measurement points where the removal amount per unit time of the wafer at the time of initial processing and continuous processing is measured. Fig.
Fig. 7 is a diagram showing the measurement results of the removal amount per unit time at the initial processing of each measurement point shown in Fig. 6. Fig.
Fig. 8 is a diagram showing measurement results of the removal amount per unit time at the time of continuous processing of each measurement point shown in Fig. 6. Fig.
Fig. 9 is a flow chart showing the flow of a method of processing a wafer according to the first embodiment.
Fig. 10 is a side sectional view showing the initial machining time of the grinding and polishing step of the wafer machining method shown in Fig. 9; Fig.
Fig. 11 is a side sectional view showing the continuous machining of the grinding and polishing step of the wafer machining method shown in Fig. 9; Fig.
Fig. 12 is a view for explaining the inclination of the rotating shaft at the time of initial processing of the wafer processing method according to the second embodiment. Fig.
13 is a perspective view of a configuration example of a polishing apparatus used in a method of processing a wafer according to a modification of the first embodiment and the second embodiment.

본 발명을 실시하기 위한 형태 (실시형태) 에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러 가지 생략, 치환 또는 변경을 실시할 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the following embodiments. Incidentally, the constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art, and substantially the same ones. Further, the structures described below can be appropriately combined. In addition, various omissions, substitutions or alterations can be made without departing from the gist of the present invention.

[실시형태 1][Embodiment 1]

본 발명의 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼의 사시도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타내는 웨이퍼의 표면에 보호 부재가 첩착된 상태의 사시도이다.A method of processing a wafer according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a perspective view of a wafer to be processed in the method of processing a wafer according to the first embodiment. Fig. 2 is a perspective view of the wafer shown in Fig. 1 with a protective member attached to the surface thereof. Fig.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 연삭 및 연마하는 가공 방법으로서, 웨이퍼 (200) 의 소정의 마무리 두께로 박화되는 방법이다. 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 가공 대상인 웨이퍼 (200) 는, 실리콘을 모재로 하는 원판상의 반도체 웨이퍼나 사파이어, SiC (탄화 규소) 등을 모재로 하는 광 디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼 (200) 는, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 표면 (202) 에 형성된 격자상의 분할 예정 라인 (203) 으로 구획된 복수의 영역에 디바이스 (204) 가 형성되어 있다. 웨이퍼 (200) 는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 표면 (202) 에 보호 부재 (205) 가 첩착된 상태에서 이면 (201) 에 연삭 등이 실시되어, 소정의 두께까지 박화된 후에, 이면 (201) 에 연마가 실시된다. 보호 부재 (205) 는, 웨이퍼 (200) 와 동일한 크기의 원판상으로 형성되고, 가요성을 갖는 합성 수지에 의해 구성되어 있다.The method of processing a wafer according to Embodiment 1 is a method of grinding and polishing the back surface 201 of the wafer 200 shown in Fig. 1, which is a method of reducing the wafer 200 to a predetermined finishing thickness. The wafer 200 to be processed in the method of processing a wafer according to Embodiment 1 is a semiconductor wafer in the form of a disk using silicon as a base material or an optical device wafer having sapphire or SiC (silicon carbide) as a base material. As shown in Fig. 1, a wafer 204 is formed in a plurality of regions partitioned by a lattice-division scheduled line 203 formed on a surface 202. In Fig. 2, the wafer 200 is subjected to grinding or the like on the back surface 201 in a state where the protective member 205 is adhered to the front surface 202. After the back surface 201 is thinned to a predetermined thickness, Is polished. The protective member 205 is formed of a synthetic resin having flexibility and is formed in a disc shape having the same size as the wafer 200.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법은, 도 3 에 나타내는 연마 장치인 연삭 연마 장치 (1) 를 사용하여 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 연삭한다. 도 3 은, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 연삭 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 도 4 는, 도 3 에 나타낸 연삭 연마 장치의 척 테이블과 연마 유닛 등을 나타내는 측면도이다. 도 5 는, 도 3 에 나타낸 연삭 연마 장치의 기울기 조정 기구를 나타내는 측면도이다.The method for processing a wafer according to the first embodiment grinds the back surface 201 of the wafer 200 by using the grinding and polishing apparatus 1 as the polishing apparatus shown in Fig. 3 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in a method of processing a wafer according to the first embodiment. Fig. 4 is a side view showing a chuck table, a polishing unit, and the like of the grinding and polishing apparatus shown in Fig. 3; 5 is a side view showing a tilt adjusting mechanism of the grinding and polishing apparatus shown in Fig.

연삭 연마 장치 (1) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 장치 본체 (2) 와, 제 1 연삭 유닛 (3) 과, 제 2 연삭 유닛 (4) 과, 연마 수단인 연마 유닛 (5) 과, 가공 이송 수단인 가공 이송 유닛 (12) 과, 턴테이블 (6) 상에 설치되고 또한 웨이퍼 (200) 를 유지하는 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 과, 카세트 (8, 9) 와, 위치 맞춤 유닛 (10) 과, 반입 유닛 (11) 과, 세정 유닛 (13) 과, 반출입 유닛 (14) 과, 제어 장치 (100) 를 주로 구비하고 있다.3, the grinding and polishing apparatus 1 includes a main body 2, a first grinding unit 3, a second grinding unit 4, a grinding unit 5 as a grinding unit, A processing transfer unit 12 serving as a processing and transferring means, four chuck tables 7 provided on the turntable 6 for holding the wafer 200, cassettes 8 and 9, A transfer unit 11, a cleaning unit 13, a carry-in / out unit 14, and a control device 100 are mainly provided.

제 1 연삭 유닛 (3) 은, 스핀들 (31) 의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭휠 (32) 이 연삭수가 공급되면서 모터 (33) 에 의해 회전되면서 조 (粗) 연삭 위치 (102) 의 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 에 연직 방향 (Z) 을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 조연삭하기 위한 것이다. 동일하게, 제 2 연삭 유닛 (4) 은, 스핀들 (41) 의 하단에 장착된 연삭 지석을 갖는 연삭휠 (42) 이 연삭수가 공급되면서 모터 (43) 에 의해 회전되면서 마무리 연삭 위치 (103) 에 위치하는 척 테이블 (7) 에 유지된 조연삭이 끝난 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 마무리 연삭하기 위한 것이다. 또한, 실시형태 1 에 있어서, 제 1 연삭 유닛 (3) 및 제 2 연삭 유닛 (4) 의 연삭휠 (32, 42) 의 회전 중심인 축심과, 척 테이블 (7) 의 도 4 에 나타내는 회전축 (72) 은, 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다.The first grinding unit 3 is rotated by the motor 33 while the grinding wheel 32 having the grinding wheel mounted on the lower end of the spindle 31 is supplied with grinding water, And is for roughing the back surface 201 of the wafer 200 by being pressed against the back surface 201 of the wafer 200 held on the chuck table 7 along the vertical direction Z. Similarly, the second grinding unit 4 rotates the grinding wheel 42 having the grinding wheel mounted on the lower end of the spindle 41 to the finish grinding position 103 while being rotated by the motor 43 while supplying grinding water The back surface 201 of the wafer 200 is finely grinded by pressing the back surface 201 of the roughly ground wafer 200 held on the chuck table 7 located along the Z axis direction. 4 of the chuck table 7 and the center of rotation of the chuck table 7 as shown in Fig. 4 (the center of rotation of the grinding wheel 32, 42 of the first grinding unit 3 and the second grinding unit 4) 72 are arranged with an interval in the horizontal direction.

연마 유닛 (5) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 연마 패드 (51) 와, 스핀들 (52) 과, 도 3 에 나타내는 모터 (53) 를 포함한다. 연마 패드 (51) 는, 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 연마하는 것이고, 연마 공구 (54) 의 원반상의 지지 기대 (55) 의 하면에 장착되어 있음과 함께 웨이퍼 (200) 와 대향하는 연마면 (56) 이 수평 방향과 평행이다. 스핀들 (52) 은, 하단에 연마 공구 (54) 의 지지 기대 (55) 가 장착되는 공구 장착 부재 (57) 가 장착되어, 지지 기대 (55)를 개재하여 하단에 연마 패드 (51) 가 장착된다. 모터 (53) 는, 스핀들 (52) 을 회전 구동하여, 연마 패드 (51) 를 축심 (58) 둘레로 회전시킨다. 가공 이송 유닛 (12) 은, 연마 유닛 (5) 을 연직 방향 (Z) 을 따라 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 향하여 가공 이송하는 것이다. 연마 유닛 (5) 은, 연마 공구 (54) 가 회전되면서, 연마 위치 (104) 에 위치하는 척 테이블 (7) 의 유지면 (71) 에서 유지된 마무리 연삭이 끝난 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 에 연직 방향 (Z) 을 따라 가공 이송 유닛 (12) 에 의해 가압된다. 연마 유닛 (5) 은, 연마 공구 (54) 의 연마 패드 (51) 가 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 에 Z 축 방향을 따라 가압됨으로써, 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 연마하기 위한 것이다.The polishing unit 5 includes a polishing pad 51, a spindle 52, and a motor 53 shown in Fig. 3, as shown in Fig. The polishing pad 51 polishes the wafer 200 held on the chuck table 7 and is attached to the lower surface of the support base 55 on the disk of the polishing tool 54, The opposite polishing surface 56 is parallel to the horizontal direction. The spindle 52 is equipped with a tool mounting member 57 to which the support base 55 of the grinding tool 54 is mounted at the lower end and the polishing pad 51 is mounted at the lower end via the support base 55 . The motor 53 rotatively drives the spindle 52 to rotate the polishing pad 51 around the axis 58. The processing transfer unit 12 transfers the polishing unit 5 along the vertical direction Z toward the wafer 200 held on the chuck table 7. [ The polishing unit 5 is provided on the back surface 201 of the finishing ground wafer 200 held on the holding surface 71 of the chuck table 7 located at the polishing position 104 while the polishing tool 54 is rotated ) Along the vertical direction (Z). The polishing unit 5 is used for polishing the back surface 201 of the wafer 200 by pressing the polishing pad 51 of the polishing tool 54 against the back surface 201 of the wafer 200 along the Z- will be.

또한, 실시형태 1 에 있어서, 연마 유닛 (5) 의 스핀들 (52) 및 연마 패드 (51) 의 회전 중심인 축심 (58) 은 연직 방향 (Z) 과 평행하게 배치되어 있다. 연마 유닛 (5) 의 스핀들 (52) 및 연마 패드 (51) 의 회전 중심인 축심 (58) 과, 척 테이블 (7) 의 도 4 에 나타내는 회전축 (72) 은, 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 실시형태 1 에 있어서, 연마 유닛 (5) 은, 연마시에 가공액 공급 유닛 (15) 으로부터 연마액과 세정액이 선택적으로 공급된다. 가공액 공급 유닛 (15) 은, 가공액 공급 경로 (16) 를 통하여, 연마 유닛 (5) 의 상단부와 연결되고, 연마 유닛 (5) 에 연마액 또는 세정액을 공급한다.The spindle 52 of the polishing unit 5 and the axis 58 serving as the rotation center of the polishing pad 51 are arranged in parallel with the vertical direction Z in Embodiment 1. The spindle 52 of the polishing unit 5 and the axis 58 serving as the rotation center of the polishing pad 51 and the rotary shaft 72 shown in Fig.4 of the chuck table 7 are spaced apart in the horizontal direction have. In Embodiment 1, the polishing unit 5 is selectively supplied with the polishing liquid and the cleaning liquid from the processing liquid supply unit 15 at the time of polishing. The machining liquid supply unit 15 is connected to the upper end of the polishing unit 5 through the machining liquid supply path 16 and supplies the polishing liquid or the cleaning liquid to the polishing unit 5. [

턴테이블 (6) 은, 장치 본체 (2) 의 상면에 형성된 원반상의 테이블이고, 수평면 내에서 회전 가능하게 형성되고, 소정의 타이밍으로 회전 구동된다. 이 턴테이블 (6) 상에는, 예를 들어 4 개의 척 테이블 (7) 이, 예를 들어 90 도의 위상각으로 등간격으로 배치 형성되어 있다.The turntable 6 is a disk-shaped table formed on the upper surface of the apparatus main body 2, and is rotatably driven in a horizontal plane, and is rotationally driven at a predetermined timing. On the turntable 6, for example, four chuck tables 7 are arranged at regular intervals with a phase angle of, for example, 90 degrees.

척 테이블 (7) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (200) 의 표면 (202) 측을 보호 부재 (205) 를 개재하여 유지하는 유지면 (71) 과, 유지면 (71) 의 중심 (711) 을 통과하는 도 4 중에 일점쇄선으로 나타내는 회전축 (72) 과, 도 3 에 나타내는 기울기 조정 수단인 기울기 조정 기구 (73) 를 구비한다. 척 테이블 (7) 은, 유지면 (71) 에 진공 척을 구비한 척 테이블 구조의 것이며, 유지면 (71) 에 재치 (載置) 된 웨이퍼 (200) 를 진공 흡착하여 유지한다.2, the chuck table 7 includes a holding surface 71 for holding the surface 202 side of the wafer 200 via the protective member 205 and a holding surface 71 for holding the center of the holding surface 71 4 that passes through the tilt adjusting mechanism 73 and the tilt adjusting mechanism 73 shown in Fig. The chuck table 7 is a chuck table structure having a vacuum chuck on the holding surface 71 and holds the wafer 200 placed on the holding surface 71 by vacuum suction.

유지면 (71) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 외주부 (712) 가 중심 (711) 에 비해 약간 낮은 원뿔상으로 형성되어 있다. 즉, 유지면 (71) 은, 중심 (711) 을 정점으로 한 원뿔면으로 형성되어, 중심 (711) 으로부터 외주부 (712) 를 향하여 하강하는 경사를 갖는 사면 (斜面) 으로 형성되어 있다. 척 테이블 (7) 은, 가공 대상인 웨이퍼 (200) 를 유지면 (71) 의 원뿔면을 따라 유지한다. 또한, 도 4 는, 유지면 (71) 의 원뿔면의 경사를 과장하여 나타내고 있지만, 유지면 (71) 의 원뿔면의 경사는, 실제로는 육안으로는 인식할 수 없을 만큼의 근소한 경사이다.As shown in Fig. 4, the holding surface 71 has a conical outer peripheral portion 712 slightly lower than the center 711. As shown in Fig. That is, the holding surface 71 is formed as a conical surface having a vertex at the center 711, and is formed as a slope having a slope descending from the center 711 toward the outer peripheral portion 712. The chuck table 7 holds the wafer 200 to be processed along the conical surface of the holding surface 71. 4 shows the inclination of the conical surface of the holding surface 71 in an exaggerated manner. However, the inclination of the conical surface of the holding surface 71 is a slight inclination that is practically invisible to the naked eye.

회전축 (72) 은, 척 테이블 (7) 의 회전 중심이다. 회전축 (72) 은, 연직 방향 (Z) 에 대해 약간 기울어 배치된다. 이 때문에, 유지면 (71) 의 원뿔면의 일부분 (713) 은, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 수평 방향을 따라 배치된다. 또한, 유지면 (71) 의 원뿔면의 수평 방향을 따른 일부분 (713) 과, 연마면 (56) 의 일부분 (713) 과 연직 방향 (Z) 에 대향하는 일부분 (561) 은, 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 연마 패드 (51) 가 연마하는 가공점이다. 또한, 도 4 는, 회전축 (72) 의 연직 방향 (Z) 에 대한 기울기 (θ) 를 과장하여 나타내고 있지만, 이 기울기 (θ) 는, 실제로는 육안으로는 인식할 수 없을 만큼의 근소한 각도이다.The rotary shaft 72 is a rotation center of the chuck table 7. The rotary shaft 72 is disposed slightly inclined with respect to the vertical direction Z. Therefore, a portion 713 of the conical surface of the holding surface 71 is arranged along the horizontal direction as shown in Fig. A part 713 along the horizontal direction of the conical surface of the holding surface 71 and a part 561 opposite to the part 713 and the vertical direction Z of the polishing surface 56 are formed on the surface of the wafer 200 The back surface 201 is a processing point for polishing the polishing pad 51. 4 shows an exaggeration of the inclination? Of the rotary shaft 72 with respect to the vertical direction Z. However, this inclination? Is a slight angle which is practically invisible to the naked eye.

기울기 조정 기구 (73) 는, 각 척 테이블 (7) 에 장착되어 있다. 기울기 조정 기구 (73) 는, 회전축 (72) 의 연직 방향 (Z) 에 대한 기울기 (θ) 를 변경 (조정) 하기 위한 것이다. 기울기 조정 기구 (73) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 지지대 (74) 와, 지지대 (74) 에 연결된 위치 조정 유닛 (75) 을 구비한다. 지지대 (74) 는, 도시되지 않은 베어링을 개재하여 척 테이블 (7) 을 자유롭게 회전할 수 있도록 지지하는 원통상으로 형성된 지지 통부 (741) 와, 지지 통부 (741) 로부터 확경된 플랜지부 (742) 를 구비한다. 기울기 조정 기구 (73) 는, 플랜지부 (742) 의 기울기를 조정함으로써, 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 조정한다.The tilt adjusting mechanism 73 is mounted on each chuck table 7. The tilt adjusting mechanism 73 is for changing (adjusting) the inclination [theta] with respect to the vertical direction Z of the rotation shaft 72. [ 5, the tilt adjustment mechanism 73 includes a support table 74 and a position adjustment unit 75 connected to the support table 74. [ The support table 74 is provided with a cylindrical support tube portion 741 for supporting the chuck table 7 freely rotatably through a bearing which is not shown and a flange portion 742 formed from the support tube portion 741, Respectively. The tilt adjusting mechanism 73 adjusts the inclination [theta] of the rotation shaft 72 by adjusting the inclination of the flange portion 742. [

도 5 에 나타낸 위치 조정 유닛 (75) 은, 플랜지부 (742) 의 원호를 따라, 등간격으로 2 개 이상 형성되어 있다. 실시형태 1 에 있어서, 기울기 조정 기구 (73) 는, 120 도 간격으로 2 개의 위치 조정 유닛 (75) 과, 플랜지부 (742) 를 고정시키는 도시되지 않은 고정부를 배치하고 있는데, 본 발명에서는, 위치 조정 유닛 (75) 을 3 개 이상 배치해도 된다.More than two position adjustment units 75 shown in Fig. 5 are formed at equal intervals along the arc of the flange portion 742. Fig. In Embodiment 1, the tilt adjusting mechanism 73 is provided with two position adjusting units 75 at an interval of 120 degrees and a not-shown fixed portion for fixing the flange portion 742. In the present invention, Three or more position adjusting units 75 may be disposed.

위치 조정 유닛 (75) 은, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 턴테이블 (6) 에 고정된 통부 (751) 와, 통부 (751) 를 관통하는 샤프트 (752) 와, 샤프트 (752) 의 하단에 연결된 구동부 (753) 와, 샤프트 (752) 의 상단에 있어서 플랜지부 (742) 에 고정된 고정부 (754) 를 구비한다. 구동부 (753) 는, 샤프트 (752) 를 회전시키는 모터 (755) 와, 샤프트 (752) 의 회전 속도를 약하게 함과 함께 턴테이블 (6) 에 고정된 감속기 (756) 를 구비한다.5, the position adjusting unit 75 includes a cylinder portion 751 fixed to the turntable 6, a shaft 752 passing through the cylinder portion 751, a drive portion 752 connected to the lower end of the shaft 752, And a fixing portion 754 fixed to the flange portion 742 at the upper end of the shaft 752. [ The driving unit 753 includes a motor 755 for rotating the shaft 752 and a speed reducer 756 fixed to the turntable 6 while weakening the rotation speed of the shaft 752.

고정부 (754) 는, 샤프트 (752) 의 상단부에 형성된 도시되지 않은 수나사가 나사 결합된다. 위치 조정 유닛 (75) 은, 모터 (755) 가 감속기 (756) 를 개재하여 샤프트 (752) 를 축심 둘레로 회전시킴으로써, 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 조정한다. 또, 턴테이블 (6) 에는, 척 테이블 (7) 을 회전축 (72) 을 중심으로 회전시키는 모터 (76) 가 장착되어 있다.The fixed portion 754 is screwed to a not-shown male screw formed on the upper end portion of the shaft 752. [ The position adjusting unit 75 adjusts the inclination [theta] of the rotating shaft 72 by rotating the shaft 752 around the axis via the speed reducer 756 by the motor 755. [ The turntable 6 is provided with a motor 76 for rotating the chuck table 7 around the rotary shaft 72. [

척 테이블 (7) 은, 연삭시 및 연마시에는, 회전축 (72) 을 중심으로 하여, 모터 (76) 에 의해 회전 구동된다. 이와 같은 척 테이블 (7) 은, 턴테이블 (6) 의 회전에 의해, 반입 반출 위치 (101), 조연삭 위치 (102), 마무리 연삭 위치 (103), 연마 위치 (104), 반입 반출 위치 (101) 로 순차 이동된다.The chuck table 7 is rotationally driven by the motor 76 around the rotary shaft 72 at the time of grinding and polishing. The chuck table 7 is supported by the turntable 6 so that the carry-in / carry-out position 101, the rough grinding position 102, the finish grinding position 103, the polishing position 104, ).

카세트 (8, 9) 는, 복수의 슬롯을 갖는 웨이퍼 (200) 를 수용하기 위한 수용기이다. 일방의 카세트 (8) 는, 연삭 연마 전의 표면 (202) 에 보호 부재 (205) 가 첩착된 웨이퍼 (200) 를 수용하고, 타방의 카세트 (9) 는, 연삭 연마 후의 웨이퍼 (200) 를 수용한다. 또, 위치 맞춤 유닛 (10) 은, 카세트 (8) 로부터 취출된 웨이퍼 (200) 가 임시로 놓여져, 그 중심 위치 맞춤을 실시하기 위한 테이블이다.The cassettes 8 and 9 are receptacles for accommodating a wafer 200 having a plurality of slots. One of the cassettes 8 accommodates the wafer 200 to which the protective member 205 is adhered to the surface 202 before grinding and the other cassette 9 accommodates the wafer 200 after grinding and polishing . The positioning unit 10 is a table for temporarily placing the wafer 200 taken out from the cassette 8 and performing center alignment of the wafer.

반입 유닛 (11) 은, 흡착 패드를 갖고, 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 위치 맞춰진 연삭 연마 전의 웨이퍼 (200) 를 흡착 유지하여 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다. 반입 유닛 (11) 은, 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 유지된 연삭 연마 후의 웨이퍼 (200) 를 흡착 유지하여 세정 유닛 (13) 에 반출한다.The carry-in unit 11 has a suction pad and sucks and holds the wafer 200 before grinding, which is positioned by the positioning unit 10, and carries it on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101 . The carry-in unit 11 picks up and holds the wafer 200 after the grinding polishing held on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101, and takes it out to the cleaning unit 13.

반출입 유닛 (14) 은, 예를 들어 U 자형 핸드 (141) 를 구비하는 로봇 픽이며, U 자형 핸드 (141) 에 의해 웨이퍼 (200) 를 흡착 유지하여 반송한다. 구체적으로는, 반출입 유닛 (14) 은, 연삭 연마 전의 웨이퍼 (200) 를 카세트 (8) 로부터 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출함과 함께, 연삭 연마 후의 웨이퍼 (200) 를 세정 유닛 (13) 으로부터 카세트 (9) 로 반입한다. 세정 유닛 (13) 은, 연삭 연마 후의 웨이퍼 (200) 를 세정하고, 연삭 및 연마된 가공면에 부착되어 있는 연삭 찌꺼기 및 연마 찌꺼기 등의 콘타미네이션을 제거한다.The carry-in / out unit 14 is a robot pick having, for example, a U-shaped hand 141, and the wafer 200 is attracted and held by the U- Specifically, the carry-in / out unit 14 takes out the wafer 200 before grinding and polishing from the cassette 8 to the positioning unit 10, and transfers the wafer 200 after the grinding and polishing from the cleaning unit 13 Into the cassette 9. The cleaning unit 13 cleans the wafer 200 after grinding and polishing, and removes contaminants such as grinding residue and abrasive residue attached to the grinding and polishing surface.

제어 장치 (100) 는, 연삭 연마 장치 (1) 를 구성하는 상기 서술한 각 구성 요소를 각각 제어하는 것이다. 즉, 제어 장치 (100) 는, 웨이퍼 (200) 에 대한 연삭 연마 동작을 연삭 연마 장치 (1) 에 실행시키는 것이다. 제어 장치 (100) 는, 컴퓨터 프로그램을 실행 가능한 컴퓨터이다. 제어 장치 (100) 는, CPU (central processing unit) 와 같은 마이크로 프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM (read only memory) 또는 RAM (random access memory) 과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는다. 제어 장치 (100) 의 CPU 는, ROM 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램을 RAM 상에서 실행하여, 연삭 연마 장치 (1) 를 제어하기 위한 제어 신호를 생성한다. 제어 장치 (100) 의 CPU 는, 생성된 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통하여 연삭 연마 장치 (1) 의 각 구성 요소에 출력한다. 또, 제어 장치 (100) 는, 가공 동작 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 도시되지 않은 표시 유닛이나, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 사용하는 입력 유닛과 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛에 형성된 터치 패널과, 키보드 등 중 적어도 하나에 의해 구성된다.The control device 100 controls each of the above-described components constituting the grinding and polishing apparatus 1, respectively. That is, the control apparatus 100 causes the grinding and polishing apparatus 1 to perform the grinding and polishing operation for the wafer 200. [ The control device 100 is a computer capable of executing a computer program. The control device 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a central processing unit (CPU), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory) . The CPU of the control apparatus 100 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the grinding and polishing apparatus 1. [ The CPU of the control apparatus 100 outputs the generated control signal to each component of the grinding and polishing apparatus 1 through the input / output interface apparatus. The control device 100 is connected to an unillustrated display unit constituted by a liquid crystal display or the like for displaying a machining operation state and an image or the like and an input unit used by the operator when registering the machining content information or the like . The input unit is constituted by at least one of a touch panel formed on the display unit, a keyboard, and the like.

제어 장치 (100) 는, 이하의 표 1 에 나타내는 연마 조건을 기억하고 있다. 표 1 에 나타내는 연마 조건은, 초기 가공 조건인 초기 가공시의 연마 위치 (104) 에 있어서의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 와, 연속 가공 조건인 연속 가공 조건시의 연마 위치 (104) 에 있어서의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 의 2 종류가 설정되어 있다.The control apparatus 100 stores the polishing conditions shown in Table 1 below. The polishing conditions shown in Table 1 are set so that the inclination? 1 of the rotating shaft 72 at the polishing position 104 at the initial processing, which is an initial processing condition, and the inclination? 1 at the polishing position 104 2 of the rotating shaft 72 in the rotating shaft 72 are set.

제어 장치 (100) 는, 가공의 1 차 중단 등의 웨이퍼 (200) 의 연삭 연마를 실시하지 않은 상태로부터 연삭 연마 가공을 개시하는 연삭 연마 장치 (1) 의 가동시에 아이들링 운전 (난기 운전) 을 실시한다. 제어 장치 (100) 는, 아이들링 운전에서는, 웨이퍼 (200) 를 연삭 연마하지 않고, 척 테이블 (7) 을 연삭 연마 가공시 동일한 회전 속도로 회전시키고, 소정의 온도로 조온된 연삭수를 공급하면서 연삭 유닛 (3, 4) 의 연삭휠 (32, 42) 을 연삭 가공시와 동일한 회전 속도로 회전시킴과 함께, 연마 유닛 (5) 의 연마 공구 (54) 를 연마 가공시와 동일한 회전 속도로 회전시키는 공운전을 실시한다. 아이들링 운전은, 연삭 연마 장치 (1) 의 각 부위를 웨이퍼 (200) 를 연삭 연마할 때와 동일한 온도로 조절하고, 소정의 정밀도로 연삭 연마를 실시할 수 있도록 준비하기 위한 운전이다. 제어 장치 (100) 는, 소정 시간 (예를 들어, 30 분) 아이들링 운전을 실시한 후, 실제로 웨이퍼 (200) 의 연삭 연마를 실시한다.The control device 100 performs idling operation (warm-up operation) during operation of the grinding and polishing machine 1 in which grinding and polishing processing is started from a state in which the grinding and polishing of the wafer 200 is not performed Conduct. In the idling operation, the control device 100 rotates the chuck table 7 at the same rotational speed in the grinding and polishing process without grinding the wafer 200, and while grinding water heated at a predetermined temperature is supplied, The grinding wheel 54 of the polishing unit 5 is rotated at the same rotational speed as that of the grinding process while the grinding wheels 32 and 42 of the units 3 and 4 are rotated at the same rotational speed as that at the time of grinding The ball is operated. The idling operation is an operation for preparing each part of the grinding and polishing apparatus 1 at the same temperature as that at the time of grinding and polishing the wafer 200 so that grinding can be performed with a predetermined precision. The controller 100 performs the idling operation for a predetermined time (for example, 30 minutes), and then actually grinds the wafer 200.

표 1 에 나타낸 초기 가공은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 가공이다. 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 는, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 이며, 웨이퍼 (200) 를 소정의 정밀도로 형성하기 위한 기울기 (θ) 이다. 즉, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 는, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 두께의 편차 등을 소정의 정밀도 이하로 억제하기 위한 기울기 (θ) 이다.The initial processing shown in Table 1 is a process for polishing the first wafer 200 after the idling operation. The inclination? 1 of the rotating shaft 72 in the initial processing is the inclination? Of the rotating shaft 72 when the first wafer 200 after the idling operation is polished and the wafer 200 is rotated at a predetermined precision (&Amp;thetas;). That is, the inclination [theta] 1 of the rotary shaft 72 at the time of the initial machining is the inclination [theta] for suppressing the variation in the thickness of the first wafer 200 after the idling operation to a predetermined accuracy or less.

표 1 에 나타낸 연속 가공은, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 가공이다. 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 는, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 이며, 웨이퍼 (200) 를 소정의 정밀도로 형성하기 위한 기울기 (θ) 이다. 즉, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 는, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 두께의 편차 등을 소정의 정밀도 이하로 억제하기 위한 기울기 (θ) 이다.The continuous machining shown in Table 1 is a process for grinding the second and subsequent wafers 200 after the idling operation. 2 of the rotary shaft 72 at the time of continuous machining is the inclination? Of the rotary shaft 72 at the time of polishing the wafer 200 after the second idling operation and the wafer 200 is rotated at a predetermined accuracy (&Amp;thetas;). That is, the inclination [theta] 2 of the rotary shaft 72 at the time of continuous machining is the inclination [theta] for suppressing the deviation of the thickness of the wafer 200 after the second idling operation, etc. to a predetermined accuracy or less.

이와 같이, 표 1 에 나타낸 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법의 연마 조건은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 초기 가공 조건과, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 연속 가공 조건의 2 종류가 설정되어 있다.As described above, the polishing conditions of the wafer processing method of the present invention shown in Table 1 are as follows. The initial processing conditions for polishing the first wafer 200 after the idling operation and the initial processing conditions for polishing the second and subsequent wafers 200 after the idling operation And a continuous machining condition in which the machining surface is machined.

초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 는, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 보다 작고, 예를 들어 이하와 같이 설정된다. 도 6 은, 초기 가공시 및 연속 가공시의 웨이퍼의 단위 시간당의 제거량을 측정한 측정 포인트를 설명하는 평면도이다. 도 7 은, 도 6 에 나타낸 각 측정 포인트의 초기 가공시의 단위 시간당의 제거량의 측정 결과를 나타내는 도면이다. 도 8 은, 도 6 에 나타낸 각 측정 포인트의 연속 가공시의 단위 시간당의 제거량의 측정 결과를 나타내는 도면이다.The inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the time of initial processing is smaller than the inclination [theta] 2 of the rotating shaft 72 at the time of continuous machining and is set, for example, as follows. Fig. 6 is a plan view for explaining measurement points where the removal amount per unit time of the wafer at the time of initial processing and continuous processing is measured. Fig. Fig. 7 is a diagram showing the measurement results of the removal amount per unit time at the initial processing of each measurement point shown in Fig. 6. Fig. Fig. 8 is a diagram showing measurement results of the removal amount per unit time at the time of continuous processing of each measurement point shown in Fig. 6. Fig.

또한, 단위 시간당의 제거량은, 단위 시간당 감소 (박화) 되는 웨이퍼 (200) 의 두께를 나타내고 있다. 도 6 에 나타내는 측정 포인트 중 측정 포인트 「1」 및 「9」는, 웨이퍼 (200) 의 외연부에 배치하고, 측정 포인트 「5」는, 웨이퍼 (200) 의 중심에 배치하였다. 도 6 에 나타내는 측정 포인트는, 측정 포인트 「5」로부터 측정 포인트 「1」을 향하여 등간격으로 측정 포인트 「4」, 「3」 및 「2」를 배치하고, 측정 포인트 「5」로부터 측정 포인트 「9」를 향하여 등간격으로 측정 포인트 「6」, 「7」 및 「8」을 배치하였다. 또, 도 7 은, 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 표 1 에 나타낸 연속 가공 조건의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 했을 때의 초기 가공시의 각 측정 포인트의 단위 시간당의 제거량을 나타내고, 도 8 은, 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 표 1 에 나타낸 연속 가공 조건의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 했을 때의 연속 가공시의 각 측정 포인트의 단위 시간당의 제거량을 나타내고 있다.The removal amount per unit time represents the thickness of the wafer 200 which is decreased (thinned) per unit time. Measurement points " 1 " and " 9 " in the measurement points shown in Fig. 6 are arranged at the outer edge of the wafer 200, and measurement points " 5 " The measurement points shown in Fig. 6 are obtained by arranging measurement points "4", "3" and "2" at equal intervals from measurement point "5" to measurement point " 6 ", " 7 ", and " 8 " 7 shows the removal amount per unit time of each measurement point at the time of initial processing when the inclination [theta] of the rotation axis 72 is taken as the inclination [theta] 2 of the rotation axis 72 of the continuous processing condition shown in Table 1 8 shows the removal amount per unit time of each measurement point at the time of continuous processing when the inclination [theta] of the rotary shaft 72 is taken as the inclination [theta] 2 of the rotary shaft 72 under the continuous processing condition shown in Table 1 Respectively.

도 7 및 도 8 에 의하면, 초기 가공시의 측정 포인트 「5」의 단위 시간당의 제거량은, 연속 가공시의 측정 포인트 「5」의 단위 시간당의 제거량보다 적다. 이 때문에, 초기 가공시의 측정 포인트 「5」의 단위 시간당의 제거량을 연속 가공시의 측정 포인트 「5」의 단위 시간당의 제거량에 가깝게 하기 위해서는, 초기 가공시의 측정 포인트 「5」의 연마 패드 (51) 에 접촉하는 압력을 연속 가공시의 측정 포인트 「5」의 연마 패드 (51) 에 접촉하는 압력보다 높게 할 필요가 발생하고, 초기 가공시의 기울기 (θ1) 를 연속 가공시의 기울기 (θ2) 보다 작게 할 필요가 발생한다. 또한, 측정 포인트 「5」 즉 웨이퍼 (200) 의 중심의 단위 시간당의 제거량은, 청구항 1 에 기재된 연마 레이트에 상당한다.According to Fig. 7 and Fig. 8, the removal amount per unit time of the measurement point " 5 " at the initial processing is smaller than the removal amount per unit time of the measurement point " 5 " Therefore, in order to bring the removal amount per unit time of the measurement point " 5 " at the initial processing close to the removal amount per unit time at the measurement point " 5 " 51 must be made higher than the pressure of contact with the polishing pad 51 at the measuring point "5" in the continuous machining, and the tilt? 1 at the initial machining must be made equal to the tilt? 2 ). &Lt; / RTI > The measurement point " 5 ", that is, the removal amount per unit time of the center of the wafer 200 corresponds to the polishing rate described in claim 1.

이와 같이, 표 1 에 나타낸 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법의 연마 조건의 초기 가공 조건은, 초기 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있다. 즉, 초기 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있다는 것은, 도 7 에 나타낸 측정 포인트 「5」의 제거량을 도 8 에 나타낸 측정 포인트 「5」의 제거량에 가깝게 하는 것을 말한다. 초기 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있다는 것은, 초기 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 각 측정 포인트의 제거량과 연속 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 각 측정 포인트의 제거량이 완전하게 일치하는 것에 한정되지 않는다.As described above, the initial processing conditions of the polishing conditions of the wafer processing method of the present invention shown in Table 1 are as follows: the polishing rate when the first wafer 200 after the idling operation is polished with the initial processing conditions, The polishing rate is set to be the same when polishing the wafer 200 after the second idling operation. That is, the polishing rate when the first wafer 200 after the idling operation is polished with the initial machining conditions and the polishing rate when the wafer 200 after the idling operation is polished with the continuous machining conditions are the same Means that the removal amount of the measurement point "5" shown in FIG. 7 is made close to the removal amount of the measurement point "5" shown in FIG. The polishing rate when the first wafer 200 after the idling operation is polished is set to be equal to the polishing rate when the wafer 200 after the idling operation is polished with the continuous processing conditions Means that the amount of removal of each measurement point when the first wafer 200 after the idling operation is polished under the initial processing conditions and the amount of removal of each of the measurement points at the time of polishing the second and subsequent wafers 200 after the idling operation It is not limited that the amount of removal of the measurement point is completely matched.

다음으로, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에 대해 설명한다. 도 9 는, 실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 도 10 은, 도 9 에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 연삭 연마 스텝의 초기 가공시를 나타내는 측단면도이다. 도 11 은, 도 9 에 나타낸 웨이퍼의 가공 방법의 연삭 연마 스텝의 연속 가공시를 나타내는 측단면도이다.Next, a method of processing a wafer according to Embodiment 1 will be described. Fig. 9 is a flow chart showing the flow of a method of processing a wafer according to the first embodiment. Fig. 10 is a side sectional view showing the initial machining time of the grinding and polishing step of the wafer machining method shown in Fig. 9; Fig. Fig. 11 is a side sectional view showing the continuous machining of the grinding and polishing step of the wafer machining method shown in Fig. 9; Fig.

실시형태 1 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 연삭 연마 장치 (1) 가 웨이퍼 (200) 에 조연삭, 마무리 연삭, 및 연마를 순서대로 실시하는 방법이다. 가공 방법은, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 아이들링 스텝 (ST1) 과, 연마 스텝인 연삭 연마 스텝 (ST2) 을 적어도 구비한다. 가공 방법은, 오퍼레이터가 연삭 연마 전의 보호 부재 (205) 가 표면 (202) 에 첩착된 웨이퍼 (200) 를 수용한 카세트 (8) 와, 웨이퍼 (200) 를 수용하고 있지 않은 카세트 (9) 를 장치 본체 (2) 에 장착한다. 가공 방법은, 오퍼레이터가 가공 정보를 제어 장치 (100) 에 등록하고, 오퍼레이터로부터 연삭 연마 장치 (1) 에 가공 동작의 개시 지시가 입력되면, 아이들링 스텝 (ST1) 과, 연삭 연마 스텝 (ST2) 이 순서대로 실시된다.A method of processing a wafer according to Embodiment 1 (hereinafter simply referred to as a processing method) is a method in which the grinding and polishing apparatus 1 performs rough grinding, finish grinding, and grinding on a wafer 200 in this order. As shown in Fig. 9, the machining method includes at least an idling step ST1 and a grinding step ST2 as a polishing step. The machining method is the same as that of the first embodiment except that the operator inserts the cassette 8 accommodating the wafer 200 on which the protective member 205 before grinding and polishing is adhered to the surface 202 and the cassette 9 not containing the wafer 200, And is mounted on the main body 2. The machining method is such that the operator registers the machining information in the control device 100 and an instruction for starting machining operation is input to the grinding and polishing machine 1 from the operator. The idling step ST1 and the grinding and polishing step ST2 .

아이들링 스텝 (ST1) 은, 연마 유닛 (5) 등을 구동 (공운전) 시키는, 즉 아이들링 운전을 소정 시간 실시하는 스텝이다. 아이들링 스텝 (ST1) 에서는, 제어 장치 (100) 는, 연삭 연마 장치 (1) 의 각 구성 요소를 소정 시간 아이들링 운전한다. 가공 방법은, 각 구성 요소를 소정 시간 아이들링 운전하면, 연삭 연마 스텝 (ST2) 으로 진행된다.The idling step ST1 is a step of driving the polishing unit 5 or the like (idle operation), that is, performing the idling operation for a predetermined time. In the idling step ST1, the control device 100 idles each component of the grinding and polishing apparatus 1 for a predetermined time. The machining method proceeds to the grinding polishing step (ST2) when the respective components are idling-operated for a predetermined time.

연삭 연마 스텝 (ST2) 은, 아이들링 스텝 (ST1) 의 실시 후에, 척 테이블 (7) 에 유지된 웨이퍼 (200) 를 연마 패드 (51) 로 연마하는 스텝이다. 연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 의 제어 장치 (100) 는, 반출입 유닛 (14) 에 카세트 (8) 로부터 웨이퍼 (200) 를 취출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 으로 반출시키고, 위치 맞춤 유닛 (10) 에 웨이퍼 (200) 의 중심 위치 맞춤을 실시시키고, 반입 유닛 (11) 에 위치 맞춰진 웨이퍼 (200) 의 표면 (202) 측을 반입 반출 위치 (101) 에 위치하는 척 테이블 (7) 상에 반입한다.The grinding polishing step ST2 is a step of polishing the wafer 200 held on the chuck table 7 with the polishing pad 51 after the idling step ST1 is performed. In the grinding and polishing step ST2, the control device 100 of the grinding and polishing machine 1 takes out the wafer 200 from the cassette 8 to the carrying-in / out unit 14 and takes it out to the positioning unit 10 , The center position of the wafer 200 is aligned with the positioning unit 10 and the surface 202 side of the wafer 200 aligned with the carry-in unit 11 is moved to the chuck table (7).

연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 의 제어 장치 (100) 는, 웨이퍼 (200) 의 표면 (202) 측을 보호 부재 (205) 를 개재하여 척 테이블 (7) 에 유지하고, 이면 (201) 을 노출시켜, 턴테이블 (6) 에서 웨이퍼 (200) 를 조연삭 위치 (102), 마무리 연삭 위치 (103), 연마 위치 (104) 및 반입 반출 위치 (101) 에 순서대로 반송하고, 조연삭, 마무리 연삭, 연마를 순서대로 실시하여, 웨이퍼 (200) 의 이면 (201) 을 고정밀도로 평탄화한다. 또한, 연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 연삭 연마 장치 (1) 는, 턴테이블 (6) 이 90 도 회전할 때마다, 연삭 연마 전의 웨이퍼 (200) 가 반입 반출 위치 (101) 의 척 테이블 (7) 에 반입된다.In the grinding and polishing step ST2, the control device 100 of the grinding and polishing apparatus 1 holds the surface 202 side of the wafer 200 on the chuck table 7 via the protective member 205, The back surface 201 is exposed and the wafer 200 is successively transferred from the turntable 6 to the rough grinding position 102, the finish grinding position 103, the polishing position 104 and the carry-in / out position 101, The back surface 201 of the wafer 200 is planarized with high accuracy by performing rough grinding, finish grinding and polishing in this order. In the grinding and polishing step ST2, the grinding and polishing apparatus 1 is configured such that the wafer 200 before the grinding and polishing is transferred to the chuck table 7 at the loading / unloading position 101 every time the turntable 6 is rotated by 90 degrees, .

제어 장치 (100) 는, 연삭 연마 스텝 (ST2) 에 있어서의 연마 조건을 표 1 에 나타낸 연마 조건으로 설정한다. 즉, 연삭 연마 스텝 (ST2) 에 있어서의 연마 조건은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 초기 가공 조건인 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 와, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마하는 연속 가공 조건인 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 의 2 종류가 설정되어 있다. 또, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가, 전술한 바와 같이 설정되어 있으므로, 초기 가공 조건인 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 는, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있다.The control apparatus 100 sets the polishing conditions in the grinding and polishing step ST2 to the polishing conditions shown in Table 1. That is, the polishing conditions in the grinding and polishing step ST2 are the same as those in the case where the inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the initial processing, which is an initial processing condition for polishing the first wafer 200 after the idling operation, And the inclination [theta] 2 of the rotary shaft 72 at the time of continuous processing, which is a continuous processing condition for polishing the wafer 200 after the second wafer. Since the inclination? 1 of the rotating shaft 72 at the time of initial machining is set as described above, the inclination? 1 of the rotating shaft 72 at the initial machining condition, which is the initial machining condition, The polishing rate when the first wafer 200 after the idling operation is polished with the inclination? 1 of the second wafer 72 after the idling operation with the inclination? 2 of the rotation axis 72 at the time of continuous machining 200 are polished to have the same polishing rate.

연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 제어 장치 (100) 는, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 조정하는 기울기 조정 기구 (73) 를 제어하여, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때에는, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 기울기 (θ1) 로 조정하여 연마를 실시한다. 연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 제어 장치 (100) 는, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 조정하는 기울기 조정 기구 (73) 를 제어하여, 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때에는, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 연마 위치 (104) 의 척 테이블 (7) 의 회전축 (72) 의 기울기 (θ) 를 기울기 (θ2) 로 조정하여 연마를 실시한다.In the grinding and polishing step ST2, the control device 100 controls the tilt adjusting mechanism 73 for adjusting the tilt? Of the rotary shaft 72 of the chuck table 7 at the polishing position 104, 10, the inclination [theta] of the rotation axis 72 of the chuck table 7 at the polishing position 104 is adjusted to the inclination [theta] 1 Polishing is performed. In the grinding and polishing step ST2, the control device 100 controls the tilt adjusting mechanism 73 for adjusting the tilt? Of the rotary shaft 72 of the chuck table 7 at the polishing position 104, 11, the inclination [theta] of the rotation axis 72 of the chuck table 7 at the polishing position 104 is adjusted to the inclination [theta] 2, And polishing is carried out.

이와 같이, 연삭 연마 스텝 (ST2) 에서는, 제어 장치 (100) 는, 아이들링 스텝 (ST1) 의 실시 후에 연삭 연마 스텝 (ST2) 의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 기울기 (θ1) 를 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때에 기울기 (θ2) 보다 작게 한다. 이렇게 하여, 초기 가공 조건은, 연마 패드 (51) 의 연마면 (56) 의 가공점인 일부분 (561) 과 유지면 (71) 의 일부분 (713) 에 있어서, 도 10 에 나타내는 연마 패드 (51) 와 척 테이블 (7) 이 이루는 각도 (θ3) 가 도 11 에 나타내는 연속 가공 조건보다 커지도록, 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가 설정되어 있다. 또한, 도 10 및 도 11 은, 도 4 와 동일하게, 유지면 (71) 의 원뿔면의 경사, 기울기 (θ1, θ2) 및 각도 (θ3) 를 과장하여 나타내고 있지만, 이것들은 실제로는 육안으로는 인식할 수 없을 만큼의 근소한 경사, 기울기 및 각도이다.As described above, in the grinding and polishing step ST2, the control device 100 determines the inclination? 1 when grinding the first wafer 200 of the grinding polishing step ST2 after the idling step ST1 2 is made smaller than the inclination [theta] 2 when the wafer 200 is polished. In this way, the initial processing conditions are the same as those of the polishing pad 51 shown in Fig. 10 in the portion 561 of the polishing surface 56 of the polishing pad 51 and the portion 713 of the holding surface 71, The inclination? 1 of the rotary shaft 72 is set so that the angle? 3 formed by the chuck table 7 and the chuck table 7 becomes larger than the continuous processing condition shown in FIG. 10 and 11 illustrate the inclination, the inclination (? 1,? 2) and the angle? 3 of the conical surface of the holding surface 71 in an exaggerated manner as in Fig. 4, but these are actually recognized It is a slight slope, slope and angle that can not be done.

연삭 연마 장치 (1) 는, 연마 유닛 (5) 에 의해 연마된 웨이퍼 (200) 를 반입 반출 위치 (101) 에 위치 부여하고, 반입 유닛 (11) 에 의해 세정 유닛 (13) 에 반입하고, 세정 유닛 (13) 으로 세정하고, 세정 후의 웨이퍼 (200) 를 반출입 유닛 (14) 으로 카세트 (9) 로 반입한다. 연삭 연마 장치 (1) 는, 카세트 (8) 내의 모든 웨이퍼 (200) 에 연삭 연마를 실시하면, 가공 방법을 종료한다.The grinding and polishing apparatus 1 grasps the wafer 200 polished by the polishing unit 5 at a loading and unloading position 101 and brings it into the cleaning unit 13 by the loading unit 11, Unit 13 and the wafer 200 after the cleaning is carried into the cassette 9 by the carrying-in / out unit 14. [ The grinding and polishing apparatus 1 finishes the machining method by grinding all the wafers 200 in the cassette 8.

이상과 같이, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있으므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.As described above, in the processing method according to Embodiment 1, the inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the time of the initial machining is set to the inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the time of the initial machining, 200 is set to be equal to the polishing rate when polishing the wafer 200 after the idling operation with the inclination? 2 of the rotary shaft 72 at the time of continuous machining is equal to the polishing rate at the time of polishing the wafer 200 after the idling operation The difference between the polishing rate of the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate of the wafer 200 after the second wafer can be suppressed. As a result, the machining method according to the first embodiment exerts the effect of suppressing the deviation of the polishing rate at the time of machining the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous machining.

또, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법은, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가, 연마 패드 (51) 의 연마면 (56) 의 가공점인 일부분 (561) 과 유지면 (71) 의 일부분 (713) 에 있어서, 연마 패드 (51) 와 척 테이블 (7) 이 이루는 각도 (θ3) 가 연속 가공 조건보다 커지도록 설정되어 있으므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다.The machining method according to Embodiment 1 is characterized in that the inclination? 1 of the rotary shaft 72 at the time of the initial machining is smaller than the inclination? 1 of the portion 561, which is the machining point of the polishing surface 56 of the polishing pad 51, The angle? 3 formed by the polishing pad 51 and the chuck table 7 in the portion 713 of the first wafer 200 after the idling operation is set to be larger than the continuous processing condition, And the difference in polishing rate between the second and subsequent wafers 200 can be suppressed.

[실시형태 2][Embodiment 2]

본 발명의 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 12 는, 실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법의 초기 가공시의 회전축의 기울기를 설명하는 도면이다.A method of processing a wafer according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 12 is a view for explaining the inclination of the rotating shaft at the time of initial processing of the wafer processing method according to the second embodiment. Fig.

실시형태 2 에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 제어 장치 (100) 가 도 12 에 나타내는 직전의 가공으로부터의 대기 시간과 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 의 관계 (300) 를 기억해 두고, 아이들링 스텝 (ST1) 의 실시 후에 연삭 연마 스텝 (ST2) 의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 기울기 (θ1) 를 직전의 가공으로부터의 대기 시간에 따라 변경한다. 실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 아이들링 스텝 (ST1) 의 실시 후에 연삭 연마 스텝 (ST2) 의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 기울기 (θ1) 를 직전의 가공으로부터의 대기 시간이 길어짐에 따라 작게 한다. 또한, 직전의 가공이란, 직전의 가공의 개시시이어도 되고, 직전의 가공의 종료시이어도 된다. 또, 대기 시간이란, 대기 상태를 유지한 시간을 말하고, 대기 상태는, 가공하고 있지 않은 모든 상태 (아이들링 운전하고 있는 상태, 및 아이들링 운전을 정지하고 있는 상태의 쌍방을 포함한다) 를 말한다.The method of processing a wafer (hereinafter simply referred to as a processing method) according to the second embodiment is a method in which the control device 100 calculates the waiting time from the immediately preceding processing and the slope of the rotation axis 72 1) is stored and the slope? 1 at the time of polishing the first wafer 200 of the grinding polishing step ST2 after the execution of the idling step ST1 is stored as a waiting time . The machining method according to the second embodiment is characterized in that after the execution of the idling step ST1, the inclination? 1 of polishing the first wafer 200 of the grinding polishing step ST2 is increased as the waiting time from immediately preceding machining . The immediately preceding machining may be the start of immediately preceding machining or the end of immediately preceding machining. The waiting time refers to the time in which the standby state is maintained, and the standby state refers to all the states that are not processed (including both the idling operation state and the idling operation stop state).

이상과 같이, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있으므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다. 그 결과, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.As described above, in the processing method according to the second embodiment, the inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the time of initial processing is equal to the inclination [theta] 1 of the rotating shaft 72 at the time of initial processing, The polishing rate when the first wafer 200 after the operation is polished and the polishing rate when the wafer 200 after the second operation after the idling operation is polished with the inclination? 2 of the rotary shaft 72 at the time of continuous machining The difference between the polishing rate of the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate of the second and subsequent wafers 200 can be suppressed. As a result, the machining method according to the second embodiment has the effect of suppressing the deviation of the polishing rate at the time of machining the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous machining.

또, 실시형태 2 에 관련된 가공 방법은, 아이들링 스텝 (ST1) 의 실시 후에 연삭 연마 스텝 (ST2) 의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마할 때의 기울기 (θ1) 를 직전의 가공으로부터의 대기 시간이 길어짐에 따라 작게 하므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다.The machining method according to the second embodiment is characterized in that after the idling step ST1 is performed, the inclination? 1 when polishing the first wafer 200 of the grinding polishing step ST2 is the waiting time The difference between the polishing rate of the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate of the wafer 200 after the second wafer can be suppressed.

[변형예][Modifications]

본 발명의 실시형태 1 및 실시형태 2 의 변형예에 관련된 웨이퍼의 가공 방법을 도면에 기초하여 설명한다. 도 13 은, 실시형태 1 및 실시형태 2 의 변형예에 관련된 웨이퍼의 가공 방법에서 사용되는 연마 장치의 구성예의 사시도이다. 또한, 도 13 은, 실시형태 1 과 동일 부분에 동일 부호를 붙여 설명을 생략한다.A method of processing a wafer according to Modification 1 of Embodiment 1 and Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. 13 is a perspective view of a configuration example of a polishing apparatus used in a method of processing a wafer according to a modification of the first embodiment and the second embodiment. In Fig. 13, the same reference numerals are given to the same parts as in the first embodiment, and a description thereof is omitted.

실시형태 1 및 실시형태 2 의 변형예에 관련된 웨이퍼의 가공 방법 (이하, 간단히 가공 방법이라고 기재한다) 은, 도 13 에 나타내는 연마 장치를 사용한다. 도 13 에 나타내는 연마 장치 (1-1) 는, 제 1 연삭 유닛 (3) 및 제 2 연삭 유닛 (4) 을 구비하지 않고, 연마 유닛 (5) 만을 구비하고 있는 점을 제외하고, 연삭 연마 장치 (1) 와 구성이 동등하다.The polishing apparatus shown in Fig. 13 is used for a wafer processing method (hereinafter simply referred to as a processing method) according to Modifications of Embodiment 1 and Embodiment 2. The polishing apparatus 1-1 shown in Fig. 13 is different from the grinding apparatus 1 except that it does not have the first grinding unit 3 and the second grinding unit 4, (1).

변형예에 관련된 가공 방법은, 실시형태 1 과 동일하게, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 가, 초기 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ1) 로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공시의 회전축 (72) 의 기울기 (θ2) 로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있으므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼 (200) 의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다. 그 결과, 변형예에 관련된 가공 방법은, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 (200) 의 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.The processing method related to the modified example is the same as the first embodiment except that the inclination? 1 of the rotating shaft 72 at the time of the initial machining is changed from the inclination? 1 of the rotating shaft 72 at the initial machining to the first The polishing rate when the wafer 200 is polished and the polishing rate when polishing the wafer 200 after the idling operation with the inclination? 2 of the rotating shaft 72 at the time of continuous machining are set to be the same The difference between the polishing rate of the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate of the second and subsequent wafers 200 can be suppressed. As a result, the processing method related to the modified example has the effect of suppressing the deviation of the polishing rate at the time of processing the first wafer 200 after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous machining.

또한, 전술한 실시형태 1 에 관련된 가공 방법에 의하면, 이하의 연마 장치가 얻어진다.Further, according to the processing method related to the first embodiment described above, the following polishing apparatus is obtained.

(부기 1)(Annex 1)

웨이퍼를 유지하는 척 테이블과,A chuck table for holding a wafer,

그 척 테이블에 유지된 그 웨이퍼를 연마하는 연마 패드와, 그 연마 패드가 장착되는 스핀들 및 그 스핀들을 회전 구동하는 모터를 포함하는 연마 수단과,A polishing pad for polishing the wafer held on the chuck table, a spindle on which the polishing pad is mounted, and a motor for rotating the spindle,

그 연마 수단을 가공 이송하는 가공 이송 수단과,A processing transfer means for transferring the polishing means,

각 구성 요소를 제어하는 제어 장치를 구비한 연마 장치로서,A polishing apparatus comprising a control device for controlling each component,

그 척 테이블은, 그 웨이퍼를 유지하는 유지면의 중심을 통과하는 회전축의 기울기를 조정하는 기울기 조정 수단을 구비하고,The chuck table is provided with tilt adjusting means for adjusting the tilt of the rotating shaft passing through the center of the holding surface for holding the wafer,

그 제어 장치는, 연마 수단을 구동시키는 아이들링 스텝의 실시 후에, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼를 그 연마 패드로 연마하는 연마 스텝의 1 장째의 웨이퍼를 연마할 때의 그 회전축의 연직 방향에 대한 기울기를, 2 장째 이후의 웨이퍼를 연마할 때의 그 회전축의 연직 방향에 대한 기울기보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 연마 장치.The control device is configured to perform a polishing step of polishing the wafer held on the chuck table with the polishing pad after performing the idling step for driving the polishing means, Is made smaller than the inclination of the second and subsequent wafers relative to the vertical direction of the rotation axis when polishing the wafer.

상기 연마 장치는, 실시형태 1 에 관련된 가공 방법과 동일하게, 초기 가공 조건이, 초기 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼를 연마했을 때의 연마 레이트와, 연속 가공 조건으로 아이들링 운전 후의 2 장째 이후의 웨이퍼를 연마했을 때의 연마 레이트가 동일해지도록 설정되어 있으므로, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼의 연마 레이트와 2 장째 이후의 웨이퍼의 연마 레이트의 차를 억제할 수 있다. 그 결과, 상기 연마 장치는, 아이들링 운전 후의 1 장째의 웨이퍼 가공시의 연마 레이트와 연속 가공시의 연마 레이트의 편차를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.As in the processing method related to the first embodiment, the polishing apparatus is characterized in that the initial processing conditions include a polishing rate when the first wafer after the idling operation is polished with the initial processing conditions and a polishing rate when the second wafer after the idling operation It is possible to suppress the difference between the polishing rate of the first wafer after the idling operation and the polishing rate of the wafer after the second wafer because the polishing rate when the subsequent wafer is polished is made equal. As a result, the polishing apparatus exhibits the effect of suppressing the deviation of the polishing rate at the time of first wafer processing after the idling operation and the polishing rate at the time of continuous processing.

또한, 본 발명은 상기 실시형태 및 변형예로 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형하여 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiment and modifications. In other words, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

1 : 연삭 연마 장치 (연마 장치)
1-1 : 연마 장치
7 : 척 테이블
5 : 연마 유닛 (연마 수단)
12 : 가공 이송 유닛 (가공 이송 수단)
51 : 연마 패드
52 : 스핀들
53 : 모터
561 : 일부분 (가공점)
71 : 유지면
72 : 회전축
73 : 기울기 조정 기구 (기울기 조정 수단)
711 : 중심
712 : 외주부
713 : 일부분 (가공점)
200 : 웨이퍼
θ : 회전축의 기울기
θ1 : 초기 가공시의 회전축의 기울기 (초기 가공 조건)
θ2 : 연속 가공시의 회전축의 기울기 (연속 가공 조건)
θ3 : 각도
ST1 : 아이들링 스텝
ST2 : 연삭 연마 스텝 (연마 스텝)1: Grinding and polishing apparatus (polishing apparatus)
1-1: Polishing apparatus
7: chuck table
5: Polishing unit (polishing means)
12: machining transfer unit (machining transfer means)
51: Polishing pad
52: spindle
53: Motor
561: part (machining point)
71:
72:
73: tilt adjusting mechanism (tilt adjusting means)
711: Center
712:
713: Part (machining point)
200: wafer
θ: Slope of the rotating shaft
&thetas; 1: inclination of the rotating shaft at the initial machining (initial machining condition)
&thetas; 2: inclination of the rotating shaft during continuous machining (continuous machining condition)
θ3: angle
ST1: Idling step
ST2: Grinding polishing step (polishing step)

Claims

A chuck table for holding a wafer,
A polishing pad for polishing the wafer held on the chuck table, a spindle on which the polishing pad is mounted, and a motor for rotating the spindle,
And a polishing apparatus having a polishing means provided with processing means for processing and transferring the polishing means,
An idling step for driving the grinding means,
And a polishing step for polishing the wafer held on the chuck table with the polishing pad after the execution of the idling step,
The polishing conditions in the polishing step are,
An initial processing condition for polishing the first wafer,
Two types of continuous machining conditions for polishing the wafer after the second wafer are set,
The initial processing conditions are,
The polishing rate when the first wafer was polished under the initial processing conditions,
And the polishing rate when the second and subsequent wafers are polished under the continuous processing conditions is set to be the same.

The method according to claim 1,
The chuck table,
A conical retaining surface whose outer periphery is slightly lower than the center,
A rotating shaft passing through the center of the holding surface,
And a tilt adjusting means for adjusting the tilt of the rotating shaft,
The initial processing conditions are,
Wherein a tilt of a rotation axis of the polishing pad is set so that an angle between the polishing pad and the chuck table at the machining point becomes larger than the continuous machining condition.