KR20190002949A - Electroluminescent Display Device - Google Patents

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KR20190002949A
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유세종
최낙봉
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Abstract

The present invention relates to an electroluminescent display device. According to the present invention, a plurality of pixels (PXL) are provided with a display panel (10) connected to a data line (14) to which a data voltage (Vdata) is supplied and a first power line (17) to which a high-level power voltage (EVDD) is supplied. Each pixel (PXL) disposed in an n^th horizontal pixel line (Ln) comprises a driving TFT (DT) in which a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode are respectively connected to a node (N2), the first power line (17), and a node (N3); a first switch TFT (T1) switched according to an n^th scan signal (SC(n)), a second switch TFT (T2) switched according to the n^th scan signal (SC(n)), a third switch TFT (T3) switched according to an n^th emission signal (EM(n)), an organic light emitting diode connected between a node (N4) and a low potential power voltage (EVSS), and a storage capacitor (Cst) connected between the node N1 and the node N2.

Description

전계 발광 표시장치{Electroluminescent Display Device}[0001] Electroluminescent Display Device [0002]

본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device.

전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이 중에서, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.An electroluminescent display device is classified into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device depending on the material of the light emitting layer. Among them, an active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, has a high response speed, There is an advantage of a large viewing angle.

유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 화소들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 화소들의 휘도를 조절한다. 화소들 각각은 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)와, 구동 TFT의 게이트-소트 간 전압을 프로그래밍하기 위한 하나 이상의 스위치 TFT를 포함하며, 구동전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다.The organic light emitting display device arranges pixels each including an OLED in a matrix form and adjusts the brightness of the pixels according to the gradation of the image data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) for controlling the driving current flowing in the OLED according to the gate-source voltage, and at least one switch TFT for programming the gate-to-source voltage of the driving TFT, The display gradation (luminance) is adjusted by the amount of light emitted by the OLED.

화소들 간 휘도, 색감 차이 없는 균일한 화질을 구현하기 위해서는 구동 TFT의 문턱 전압(Vth)과 같은 화소의 구동 특성이 모든 화소들에서 동일해야 한다. 하지만, 공정 편차 등을 포함한 다양한 원인에 의해 화소들 간 구동 특성에 편차가 있을 수 있다. 또한, 표시장치의 구동 시간에 따라 화소들 간의 열화 진행 속도가 다르게 되어 화소들 간에 구동 특성에서 차이가 커질 수 있다. 따라서, 화소들 간에 구동 특성 편차에 따라 OLED로 흐르는 구동 전류량이 변화되고, 이에 의해 화질의 불균일이 초래되게 된다.In order to realize a uniform image quality without luminance and color difference between pixels, the driving characteristic of a pixel equal to the threshold voltage (Vth) of the driving TFT must be the same in all the pixels. However, there may be variations in driving characteristics between pixels due to various causes including process variations. In addition, the deterioration progress speed between the pixels may be different according to the driving time of the display device, so that the difference in driving characteristics between the pixels may be large. Therefore, the amount of driving current flowing to the OLED varies depending on the driving characteristic deviation between the pixels, thereby causing unevenness in image quality.

이에 표시장치의 화질과 수명을 개선하기 위하여 화소들 간의 구동 특성 차이를 보상하기 위한 내부 보상 회로가 유기 발광 표시장치에 적용되고 있다. 내부 보상 회로는 화소 내에 적용될 수 있다. 유기 발광 표시장치는 화소 내의 보상 회로를 이용하여 구동 TFT의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압을 샘플링하고 샘플링된 전압으로 데이터 전압을 보상한다. Accordingly, an internal compensation circuit for compensating a driving characteristic difference between pixels is applied to the OLED display in order to improve image quality and lifetime of the display device. The internal compensation circuit can be applied within the pixel. The organic light emitting display uses a compensating circuit in a pixel to sample the gate-source voltage of the driving TFT which varies depending on the electrical characteristics of the driving TFT, and compensates the data voltage with the sampled voltage.

내부 보상 회로에서 OLED의 구동 전류가 화소의 고전위 전원 전압(이하, “EVDD”라 함)에 영향을 받을 수 있다. 이 경우, EVDD의 전압 강하(IR drop)에 의해 패널 내에서 화소의 위치에 따라 EVDD가 다르면 OLED의 구동 전류가 화소의 요구 전류와 차이가 발생하여 균일한 화질을 얻을 수 없다. EVDD의 전압 강하를 줄이기 위하여 EVDD 배선의 선 폭을 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나, 고해상도 패널의 경우 화소 면적이 작으므로 선 폭 증가를 위한 보강 설계에 어려움이 존재한다. The drive current of the OLED in the internal compensation circuit can be influenced by the high potential supply voltage (hereinafter referred to as " EVDD ") of the pixel. In this case, if the EVDD differs according to the position of the pixel in the panel due to the voltage drop of the EVDD (IR drop), the driving current of the OLED differs from the required current of the pixel, and uniform image quality can not be obtained. In order to reduce the voltage drop of the EVDD, it is possible to consider increasing the line width of the EVDD wiring. However, since the pixel area of the high-resolution panel is small, it is difficult to design the reinforcement for increasing the line width.

현재 유기발광 표시장치는 고해상도, 대면적, 고휘도의 추세로 기술 개발이 진행되고 있으므로 EVDD 배선의 폭이 감소될 수 밖에 없고 EVDD 배선이 길어지기 때문에 EVDD 저항 감소 방법으로 EVDD 전압 강하를 개선하는데 한계가 있다.Currently, OLED display devices are being developed with high resolution, large area, and high brightness trend. Therefore, the width of EVDD wiring is inevitably reduced and the EVDD wiring becomes long. Therefore, there is a limit to improve the EVDD voltage drop by the EVDD resistance reduction method have.

한편, 각 화소 내에 구비된 내부 보상 회로는 보상의 정확도를 높이기 위해 다수의 스위치 TFT들을 필요로 한다. 이 스위치 TFT들의 게이트전극은 게이트라인들을 통해 게이트 드라이버에 연결된다. 게이트 드라이버는 스위치 TFT들의 스위칭 동작을 제어하기 위한 게이트신호를 생성하여 게이트라인들에 공급한다. 스위치 TFT들의 개수가 많을수록 게이트 드라이버의 구성이 복잡해진다. On the other hand, the internal compensation circuit provided in each pixel requires a plurality of switch TFTs in order to increase the accuracy of compensation. The gate electrodes of these switch TFTs are connected to the gate driver through gate lines. The gate driver generates a gate signal for controlling the switching operation of the switch TFTs and supplies the gate signal to the gate lines. The larger the number of switch TFTs, the more complicated the configuration of the gate driver.

따라서, 본 발명의 목적은 EVDD 전압 강하와 무관하게 화소의 구동 특성 변화를 실시간 보상할 수 있는 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an electroluminescent display device capable of real-time compensation of a change in driving characteristics of a pixel regardless of an EVDD voltage drop.

본 발명의 다른 목적은 EVDD 전압 강하와 무관하게 화소의 구동 특성 변화를 실시간 보상하되, 게이트 드라이버의 구성을 간소화할 수 있도록 한 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide an electroluminescent display device which realizes a real time compensation of a driving characteristic change of a pixel regardless of an EVDD voltage drop, and simplifies the configuration of a gate driver.

상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 전계 발광 표시장치는 다수의 화소들(PXL)이 데이터전압(Vdata)이 공급되는 데이터라인(14) 및 고전위 전원전압(EVDD)이 공급되는 제1 전원라인(17)에 연결된 표시패널(10)을 구비한다. 제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는, 노드 N2, 상기 제1 전원라인(17) 및 노드 N3에 각각 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 접속된 구동 TFT(DT); 상기 노드 N2와 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제1 스위치 TFT(T1); 상기 데이터라인(14)과 노드 N1 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제2 스위치 TFT(T2); 상기 노드 N3과 노드 N4 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제3 스위치 TFT(T3); 상기 노드 N4와 저전위 전원전압(EVSS) 사이에 접속된 유기발광 다이오드; 및 상기 노드 N1과 상기 노드 N2 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 여기서, 상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하기 위한 보상 기간(B)에서, 상기 제1 및 제2 스위치 TFT(T1,T2)는 온 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 온 되고, 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 된다.To achieve the above object, an electroluminescent display device according to the present invention includes a plurality of pixels PXL, a data line 14 to which a data voltage Vdata is supplied, and a data line 14 to which a high potential power supply voltage EVDD is supplied. And a display panel (10) connected to the power line (17). Each pixel PXL disposed in the nth horizontal pixel line Ln is connected to the driving TFT DT connected to the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode at the node N2, the first power source line 17 and the node N3, ; A first switch TFT (T1) connected between the node N2 and the node N3 and switched in accordance with the n-th scan signal SC (n); A second switch TFT (T2) connected between the data line (14) and a node (N1) and switched according to the nth scan signal (SC (n)); A third switch TFT (T3) connected between the node N3 and the node N4 and switched in accordance with the nth emission signal EM (n); An organic light emitting diode connected between the node N4 and a low potential power supply voltage (EVSS); And a storage capacitor Cst connected between the node N1 and the node N2. Here, in the compensation period B for sampling the threshold voltage Vth of the driving TFT DT, the first and second switch TFTs T1 and T2 are turned on by the nth scan signal SC ( n), and the third switch TFT T3 is turned off according to the nth emission signal EM (n) at the off level.

본 발명은 화소의 OLED 전류가 EVDD에 영향을 받지 않으므로 EVDD 배선의 저저항 설계 없이 화면 전체에서 균일한 화질을 구현할 수 있고 고해상도 및 대화면의 전계 발광 표시장치를 구현할 수 있다. Since the OLED current of a pixel is not affected by EVDD, the present invention can realize a uniform image quality on the entire screen without a low resistance design of the EVDD wiring, and realize a high resolution and large-screen electroluminescent display device.

또한, 본 발명은 전단 게이트신호를 이용하여 화소를 구동시키기 때문에 게이트 드라이버의 구성을 간소화할 수 있고, 협 베젤(narrow bezel) 구현이 용이한 효과가 있다. Further, since the present invention drives a pixel using a front-end gate signal, the structure of the gate driver can be simplified, and a narrow bezel can be easily implemented.

또한, 본 발명은 화소의 구조 면에서 작은 데이터전압 범위를 갖는 소스 드라이버에 충분히 대응될 수 있어 소비 전력 측면에서 유리하다.Further, the present invention can sufficiently cope with a source driver having a small data voltage range in terms of the structure of a pixel, which is advantageous in power consumption.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 유기발광 표시장치의 각 화소에 포함된 OLED 구조를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 어레이를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 화소 어레이를 구동하기 위한 게이트 드라이버의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 화소의 일 등가회로를 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 5의 화소에 입력되는 구동 신호들과 그에 따른 특정 화소 노드들의 전위 변화를 보여주는 파형도이다.
도 7a는 도 6의 초기화 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 7b는 도 6의 보상 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 7c는 도 6의 발광 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 8은 도 5와 같은 화소를 대상으로 EVDD에 따른 OLED 구동 전류 변화를 시뮬레이션 한 결과를 보여주는 도면이다.
1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an OLED structure included in each pixel of an OLED display.
3 is a view showing a pixel array of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing an example of a gate driver for driving the pixel array of FIG. 3. FIG.
5 is a diagram showing one equivalent circuit of the pixel shown in Fig.
FIG. 6 is a waveform diagram showing driving signals input to the pixel of FIG. 5 and the potential changes of the specific pixel nodes according to the driving signals.
7A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the initialization period of FIG.
7B is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the compensation period of FIG.
7C is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period of FIG.
8 is a graph showing a result of simulating the OLED driving current change according to EVDD with respect to the pixel as shown in FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or wholly and technically various interlocking and driving are possible and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 유기발광 표시장치를 중심으로 기술한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. The component names used in the following description are selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products. In the embodiments of the present invention, an organic light emitting display is mainly described.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2는 유기발광 표시장치의 각 화소에 포함된 OLED 구조를 보여주는 도면이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 어레이를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4는 도 3의 화소 어레이를 구동하기 위한 게이트 드라이버의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a view showing an OLED structure included in each pixel of an OLED display. 3 is a view showing a pixel array of an OLED display according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view showing an example of a gate driver for driving the pixel array of FIG. 3. Referring to FIG.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 화소들(PXL)이 구비된 표시패널(10), 화소들(PXL)에 연결된 신호라인들을 구동하는 표시패널 구동회로(12,13), 및 표시패널 구동회로(12,13)를 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 포함한다.1 to 4, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10 having pixels PXL, a display panel driving circuit 12 for driving signal lines connected to the pixels PXL, , 13), and a timing controller (11) for controlling the display panel drive circuits (12, 13).

표시패널 구동회로(12,13)는 표시패널(10)의 화소들(PXL)에 입력 영상 데이터(DATA)를 기입한다. 표시패널 구동회로(12,13)는 화소들(PXL)에 연결된 데이터라인들(14)을 구동하는 소스 드라이버(12)와, 화소들(PXL)에 연결된 게이트라인들(15)을 구동하는 게이트 드라이버(13)를 포함한다. The display panel drive circuits 12 and 13 write the input image data (DATA) to the pixels PXL of the display panel 10. [ The display panel driving circuits 12 and 13 include a source driver 12 for driving the data lines 14 connected to the pixels PXL and a gate driver 15 for driving the gate lines 15 connected to the pixels PXL. And a driver 13.

표시패널(10)에는 다수의 데이터 라인들(14)과 다수의 게이트 라인들(15)이 교차되고, 화소들(PXL)이 매트릭스 형태로 배치된다. 화소들(PXL)은 도 2와 같은 OLED를 포함한다. 자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL), 발광층(Emission Layer, EML), 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 전원전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.In the display panel 10, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 15 are crossed, and the pixels PXL are arranged in a matrix form. The pixels PXL include the OLED as shown in Fig. The OLED, which is a self-luminous element, includes an anode electrode, a cathode electrode, and an organic compound layer formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). When a power source voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the HTL and electrons passing through the ETL are transferred to the EML to form excitons. As a result, the light emitting layer (EML) Thereby generating visible light.

표시패널(10)의 화소 어레이(Pixel array)에는 도 3과 같이 다수의 수평 화소 라인들(HL1~HL4)이 구비되며, 각 수평 화소 라인(L1~L4) 상에는 수평으로 이웃하며 게이트 라인들(15a,15b)에 공통으로 연결된 다수의 화소들(PXL)이 배치된다. 여기서, 수평 화소 라인들(L1~L4) 각각은 물리적인 신호 라인이 아니라, 수평으로 이웃한 화소들(PXL)에 의해 구현되는 1라인 분량의 화소 블록을 의미한다. 화소 어레이에는 고전위 전원 전압(EVDD)을 화소들(PXL)에 공급하는 제1 전원라인(17), 초기화 전압(Vinit)을 화소들(PXL)에 공급하는 제2 전원라인(16)이 포함될 수 있다. 또한, 화소들(PXL)은 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결될 수 있다. The pixel array of the display panel 10 includes a plurality of horizontal pixel lines HL1 to HL4 as shown in FIG. 3, horizontally neighboring gate lines A plurality of pixels PXL connected in common to the pixels 15a and 15b are arranged. Here, each of the horizontal pixel lines L1 to L4 is not a physical signal line but a pixel block of one line amount which is implemented by horizontally neighboring pixels PXL. The pixel array includes a first power supply line 17 for supplying a high potential supply voltage EVDD to the pixels PXL and a second power supply line 16 for supplying the initialization voltage Vinit to the pixels PXL . Further, the pixels PXL may be connected to the low potential power supply voltage EVSS.

게이트 라인들(15) 각각은 스캔 신호(SC)가 공급되는 제1 게이트 라인(15a), 및 에미션 신호(EM)가 공급되는 제2 게이트 라인(15b)을 포함한다. 제n 수평 화소 라인(L(n))에 배치된 각 화소(PXL)에는 제n 수평 화소 라인(L(n))에 할당된 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n 에미션 신호(EM(n)) 이외에 제n-1 수평 화소 라인(L(n-1))에 할당된 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 더 공급된다. Each of the gate lines 15 includes a first gate line 15a to which a scan signal SC is supplied and a second gate line 15b to which an emission signal EM is supplied. Each of the pixels PXL disposed in the nth horizontal pixel line L (n) is supplied with an nth scan signal SC (n) and an nth emission signal SC (n) 1 scan signal SC (n-1) allocated to the (n-1) th horizontal pixel line L (n-1) other than the scan signal EM (n).

화소들(PXL) 각각은 다양한 컬러 구현을 위하여 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소는 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 단위 화소에서 구현되는 컬러는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소의 발광 비율에 따라 결정될 수 있다. 화소들(PXL) 각각에는 하나의 데이터 라인(14), 하나의 제1 게이트 라인(15a), 하나의 제2 게이트 라인(15b), 제1 전원라인(17), 제2 전원 라인(16) 등이 연결될 수 있다. 화소들(PXL) 각각은 전단 수평 화소 라인에 배치된 제1 게이트 라인(15a)에 더 연결될 수 있다.Each of the pixels PXL may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel for various color implementations. The red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel may constitute one unit pixel. The color implemented in the unit pixel may be determined according to the emission ratio of the red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel. Each of the pixels PXL includes one data line 14, one first gate line 15a, one second gate line 15b, a first power source line 17, a second power source line 16, Can be connected. Each of the pixels PXL may be further connected to the first gate line 15a disposed in the front-end horizontal pixel line.

소스 드라이버(12)는 매 프레임 마다 타이밍 콘트롤러(11)로부터 수신되는 입력 영상 데이터(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환한 후, 그 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인들(14)에 공급한다. 소스 드라이버(12)는 입력 영상 데이터(DATA)를 감마 보상 전압으로 변환하는 디지털 아날로그 컨버터(Digital to Analog Converter)를 이용하여 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. The source driver 12 converts the input video data DATA received from the timing controller 11 every frame into a data voltage Vdata and supplies the data voltage Vdata to the data lines 14 . The source driver 12 outputs the data voltage Vdata using a digital to analog converter that converts the input image data DATA to a gamma compensation voltage.

소스 드라이버(12)와 표시패널(10)의 데이터 라인들(14) 사이에는 멀티플렉서(미도시)가 더 배치될 수 있다. 멀티플렉서는 소스 드라이버(12)에서 하나의 출력 채널을 통해 출력되는 데이터 전압을 복수개의 데이터라인들로 분배함으로써, 데이터라인의 개수 대비 소스 드라이버(12)의 출력 채널 개수를 줄일 수 있다. 멀티플렉서는 표시장치의 해상도, 용도에 따라 생략 가능하다.A multiplexer (not shown) may be further disposed between the source driver 12 and the data lines 14 of the display panel 10. [ The multiplexer can reduce the number of output channels of the source driver 12 to the number of data lines by distributing the data voltages output through one output channel from the source driver 12 to the plurality of data lines. The multiplexer can be omitted depending on the resolution and usage of the display device.

소스 드라이버(12)는 초기화 전압(Vinit)을 생성하여 제2 전원 라인(16)에 공급하고, 고전위 전원 전압(EVDD)을 생성하여 제1 전원 라인(17)에 공급할 수 있다. 이를 위해, 소스 드라이버(12)는 전원 생성부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 전원 생성부는 저전위 전원 전압(EVSS)을 더 생성할 수 있다. 전원 생성부는 소스 드라이버(12) 외부에 장착된 후에 도전성 필름 등을 통해 소스 드라이버에 전기적으로 연결될 수도 있다. 초기화 기간 동안에 불필요한 OLED의 발광이 방지되도록, 초기화 전압(Vinit)은 저전위 전원 전압(EVSS)과 같거나 또는 그보다 낮은 전압으로 선택될 수 있다.The source driver 12 generates the initialization voltage Vinit and supplies it to the second power supply line 16 to generate and supply the high potential supply voltage EVDD to the first power supply line 17. [ To this end, the source driver 12 may further include a power generator (not shown). The power generation section may further generate the low potential power supply voltage EVSS. The power generator may be electrically connected to the source driver via a conductive film or the like after being mounted outside the source driver 12. The initialization voltage Vinit may be selected to be equal to or lower than the low potential power supply voltage EVSS so that unnecessary light emission of the OLED is prevented during the initialization period.

게이트 드라이버(13)는, 도 4와 같이 제1 게이트 구동부(13A)와 제2 게이트 구동부(13B)를 포함한다.The gate driver 13 includes a first gate driver 13A and a second gate driver 13B as shown in FIG.

제1 게이트 구동부(13A)는 수평 화소 라인(L1~Ln)만큼의 제1 스테이지들(GSTG1~GSTGn)를 가지며, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 스캔 신호들(SC(1)~SC(n))을 출력하여 데이터 전압(Vdata)이 충전되는 수평 화소 라인(L1~Ln)을 선택한다. 제1 게이트 구동부(13A)는 쉬프트 레지스터(Shift register)로 구현되고 제1 출력 노드들을 통해 스캔 신호들(SC(1)~SC(n))을 제1 게이트 라인들(15a(1)~15a(n))에 순차적으로 공급할 수 있다.The first gate driver 13A has first stages GSTG1 to GSTGn as many as the horizontal pixel lines L1 to Ln and generates scan signals SC (1) to SC (n) under the control of the timing controller 11 ) To select the horizontal pixel lines L1 to Ln to which the data voltage Vdata is to be charged. The first gate driver 13A is implemented as a shift register and supplies the scan signals SC (1) to SC (n) through the first output nodes to the first gate lines 15a (1) to 15a (n)).

제2 게이트 구동부(13B)는 수평 화소 라인(L1~Ln)만큼의 제2 스테이지들(ESTG1~ESTGn)를 가지며, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 에미션 신호들(EM(1)~EM(n))을 출력하여 데이터 전압(Vdata)이 충전되는 수평 화소 라인(L1~Ln)의 발광 타이밍을 제어한다. 제2 게이트 구동부(13B)는 쉬프트 레지스터와 인버터를 포함하고 제2 출력 노드들을 통해 에미션 신호들(EM(1)~EM(n))을 제2 게이트 라인들(15b(1)~15b(n))에 순차적으로 공급할 수 있다.The second gate driver 13B has second stages ESTG1 to ESTGn as many as the horizontal pixel lines L1 to Ln and outputs the emission signals EM (1) to EM (1) under the control of the timing controller 11. [ n) to control the emission timing of the horizontal pixel lines L1 to Ln to which the data voltage Vdata is charged. The second gate driver 13B includes a shift register and an inverter and outputs the emission signals EM (1) to EM (n) through the second output nodes to the second gate lines 15b (1) to 15b n)).

도 4에서, GDUM, EDUM, G-MNT, 및 E- MNT 은 더미 스테이지를 의미한다. L Dummy는 더미 화소라인을 지시한다. 그리고, 스테이지들에 인가되는 VGH 및 VGL은 구동 전원을 의미하며, VGH는 게이트 하이전압을, 그리고 VGL은 게이트 로우전압을 지시한다. 더미 스테이지와 더미 화소라인은 선택적으로 포함하거나 제외될 수 있다. 더미 화소라인의 화소는 수평 화소라인의 화소(PXL)와 유사하나, 발광하지 않도록 구성될 수 있다. 즉, 더미 화소라인은 적어도 OLED를 포함하지 않거나 또는, 데이터전압을 인가받지 않도록 구성되거나 또는, 스캔신호와 에미션신호를 인가받지 않도록 구성될 수 있다.In Fig. 4, GDUM, EDUM, G-MNT, and E-MNT mean a dummy stage. L Dummy indicates a dummy pixel line. And, VGH and VGL applied to the stages indicate driving power, VGH indicates a gate high voltage, and VGL indicates a gate low voltage. The dummy stage and the dummy pixel line may be optionally included or excluded. The pixel of the dummy pixel line is similar to the pixel PXL of the horizontal pixel line, but can be configured not to emit light. That is, the dummy pixel line may be configured not to include at least the OLED, or configured to not receive the data voltage, or may be configured not to receive the scan signal and the emission signal.

게이트 드라이버(13)의 제1 출력 노드들 중 어느 하나와 제2 출력 노드들 중 어느 하나를 포함한 2개의 출력 노드들이 매 수평 화소 라인(L1~Ln)에 연결될 수 있다. 특히 게이트 드라이버(13)의 구성이 간소해지도록, 제1 출력 노드들 각각은 이웃한 2개의 수평 화소 라인들에 공통으로 연결될 수 있다. 각 수평 화소라인(L1~Ln)의 화소들(PXL)은 서로 다른 온 타이밍을 갖는 3개의 게이트신호들이 필요하다. 예를 들어, 제n 수평 화소라인(Ln)의 화소들(PXL)은 2개의 스캔신호들과 1개의 에미션 신호가 필요하다. 여기서, 2개의 스캔신호들을 제n-1 스캔신호(SC(n-1))와 제n 스캔신호(SC(n))로 구성하고, 1개의 에미션 신호를 제n 에미션신호(EM(n))로 구성하면, 2개의 스테이지들로 제n 수평 화소라인(Ln)의 화소들(PXL)을 구동시킬 수 있으므로, 게이트 드라이버(13)의 구성을 간소화할 수 있는 이점이 있다. 이 경우, 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 펄스 폭이 동일하고 위상이 서로 다르다. Two output nodes including any one of the first output nodes and the second output nodes of the gate driver 13 may be connected to each horizontal pixel line L1 to Ln. In particular, each of the first output nodes may be connected in common to two neighboring horizontal pixel lines so that the configuration of the gate driver 13 is simplified. The pixels PXL of the respective horizontal pixel lines L1 to Ln need three gate signals having different ON timings. For example, the pixels PXL of the nth horizontal pixel line Ln require two scan signals and one emission signal. Here, the two scan signals are composed of the n-1 scan signal SC (n-1) and the nth scan signal SC (n), and one emission signal is converted into the nth emission signal EM n), it is possible to drive the pixels PXL of the nth horizontal pixel line Ln with two stages, which is advantageous in that the configuration of the gate driver 13 can be simplified. In this case, the n-th scan signal SC (n) and the (n-1) th scan signal SC (n-1) have the same pulse width and different phases.

게이트 드라이버(13)는 GIP(Gate-driver In Panel) 공정으로 화소 어레이와 함께 표시패널(10)의 기판 상에 직접 형성될 수 있으나 그에 한정되지 않는다. 게이트 드라이버(13)는 IC 타입으로 제작된 후 도전성 필름을 통해 표시패널(10)에 접합될 수도 있다. The gate driver 13 may be formed directly on the substrate of the display panel 10 together with the pixel array in a gate-driver In Panel (GIP) process, but is not limited thereto. The gate driver 13 may be manufactured in an IC type and then bonded to the display panel 10 through a conductive film.

타이밍 콘트롤러(11)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 입력 영상의 디지털 데이터(DATA)와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트 클럭 신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함한다. 호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나일 수 있다.The timing controller 11 receives digital data (DATA) of an input image from a host system (not shown) and a timing signal synchronized with the digital data (DATA). The timing signal includes a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a dot clock signal DCLK, and a data enable signal DE. The host system may be any one of a TV system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system.

타이밍 콘트롤러(11)는 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 입력 프레임 주파수*i(i는 0 보다 큰 양의 정수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동회로(12,13)의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 입력 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다. The timing controller 11 multiplies the input frame frequency by i times to control the operation timing of the display panel driving circuits 12 and 13 at a frame frequency of the input frame frequency * i (i is a positive integer larger than 0) Hz have. The input frame frequency is 60 Hz in the National Television Standards Committee (NTSC) system and 50 Hz in the PAL (Phase-Alternating Line) system.

타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 수신된 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE)를 바탕으로서 소스 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)와, 게이트 드라이버(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)를 생성한다. The timing controller 11 generates a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the source driver 12 based on the timing signals Vsync, Hsync and DE received from the host system, And generates a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing.

데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이버(12)의 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 데이터 샘플링 타이밍을 쉬프트시키는 클럭이다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이버(12)사이의 신호 전송 인터페이스가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스와 소스 샘플링 클럭은 생략될 수 있다.The data timing control signal DDC includes a source start pulse, a source sampling clock, and a source output enable signal. The source start pulse controls the sampling start timing of the source driver 12. [ The source sampling clock is a clock for shifting the data sampling timing. If the signal transfer interface between the timing controller 11 and the source driver 12 is a mini LVDS (Low Voltage Differential Signaling) interface, the source start pulse and the source sampling clock may be omitted.

게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock), 에미션 쉬프트 클럭(Emission Shift Clock), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable) 등을 포함한다. GIP 회로의 경우에, 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable)는 생략될 수 있다. 게이트 스타트 펄스는 매 프레임 기간마다 프레임 기간의 초기에 발생되어 게이트 드라이버(13) 각각의 쉬프트 레지스터에 입력된다. 게이트 스타트 펄스는 매 프레임 기간 마다 스캔 신호(SC(1)~SC(n))와 에미션 신호(EM(1)~EM(n))가 출력되는 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 게이트 드라이버(13)의 쉬프트 레지스터에 입력되어 쉬프트 레지스트의 쉬프트 타이밍(shift timing)을 제어한다. 에미션 쉬프트 클럭은 게이트 드라이버(13)의 인버터에 입력되어 인버터의 쉬프트 타이밍(shift timing)을 제어한다. The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse, a gate shift clock, an emission shift clock, a gate output enable signal, and the like . In the case of the GIP circuit, the gate output enable signal (Gate Output Enable) may be omitted. The gate start pulse is generated at the beginning of the frame period every frame period and is input to the shift register of each gate driver 13. [ The gate start pulse controls the start timing at which the scan signals SC (1) to SC (n) and the emission signals EM (1) to EM (n) are output every frame period. The gate shift clock is input to the shift register of the gate driver 13 to control the shift timing of the shift register. The emission-shift clock is input to the inverter of the gate driver 13 to control the shift timing of the inverter.

도 5는 도 3에 도시된 화소의 일 등가회로를 보여 주는 도면이다. 5 is a diagram showing one equivalent circuit of the pixel shown in Fig.

도 5를 참조하면, 본 발명의 화소(PXL)는, OLED, 다수의 TFT들(Thin Film Transistor)(ST1~ST6, DT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. TFT들(ST1~ST6, DT)은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수 있고, 이를 통해 원한는 응답 특성을 확보할 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스위치 TFT들(ST1~ST6) 중에서 적어도 하나의 TFT는 오프 커런트 특성이 좋은 NMOS형 옥사이드 TFT로 구현되고, 나머지 TFT들은 응답 특성이 좋은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수도 있다. Referring to FIG. 5, the pixel PXL of the present invention includes an OLED, a plurality of thin film transistors (ST1 to ST6, DT), and a storage capacitor Cst. The TFTs (ST1 to ST6, DT) can be implemented as a PMOS type LTPS TFT, and the desired response characteristic can be secured through this. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto. For example, at least one TFT among the switch TFTs ST1 to ST6 may be implemented as an NMOS type oxide TFT having good off-current characteristics, and the remaining TFTs may be implemented as a PMOS type LTPS TFT having good response characteristics.

이하, 제n 수평 화소 라인 상에 배치된 일 화소(PXL)의 접속 구성을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a connection configuration of one pixel PXL arranged on the nth horizontal pixel line will be described in detail.

OLED는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압에 따라 조절되는 전류량으로 발광한다. OLED는 애노드 전극은 노드 N4에 연결되고, OLED의 캐소드 전극은 저전위 전원전압(EVSS)에 연결된다. 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에는 유기 화합물층이 구비된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The OLED emits light with an amount of current adjusted in accordance with the gate-source voltage of the driving TFT DT. The anode electrode of the OLED is connected to the node N4, and the cathode electrode of the OLED is connected to the low potential power supply voltage EVSS. An organic compound layer is provided between the anode electrode and the cathode electrode. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). ≪ / RTI >

구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자이다. 구동 TFT(DT)는 노드 N2에 접속된 게이트 전극, 제1 전원라인(17)에 접속된 소스 전극, 및 노드 N3에 접속된 드레인 전극을 포함한다. The driving TFT DT is a driving element for adjusting the current flowing in the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the node N2, a source electrode connected to the first power supply line 17, and a drain electrode connected to the node N3.

제1 스위치 TFT(ST1)는 노드 N2와 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭된다. 제1 스위치 TFT(ST1)의 게이트 전극은 제n 스캔 신호(SC(n))가 인가되는 n번째 제1 게이트라인(15a(n))에 접속되고, 제1 스위치 TFT(ST1)의 소스 전극은 노드 N3에 접속되며, 제1 스위치 TFT(ST1)의 드레인 전극은 노드 N2에 접속된다.The first switch TFT (ST1) is connected between the node N2 and the node N3 and is switched according to the n-th scan signal SC (n). The gate electrode of the first switch TFT ST1 is connected to the nth first gate line 15a (n) to which the nth scan signal SC (n) is applied, and the source electrode of the first switch TFT (ST1) Is connected to the node N3, and the drain electrode of the first switch TFT (ST1) is connected to the node N2.

제2 스위치 TFT(T2)는 데이터라인(14)과 노드 N1 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭된다. 제2 스위치 TFT(ST2)의 게이트 전극은 제n 스캔 신호(SC(n))가 인가되는 n번째 제1 게이트라인(15a(n))에 접속되고, 제2 스위치 TFT(ST2)의 소스 전극은 데이터라인(14)에 접속되며, 제2 스위치 TFT(ST2)의 드레인 전극은 노드 N1에 접속된다.The second switch TFT T2 is connected between the data line 14 and the node N1 and is switched in accordance with the n-th scan signal SC (n). The gate electrode of the second switch TFT ST2 is connected to the nth first gate line 15a (n) to which the nth scan signal SC (n) is applied, and the source electrode of the second switch TFT ST2 Is connected to the data line 14, and the drain electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the node N1.

제3 스위치 TFT(T3)는 노드 N3과 노드 N4 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭된다. 제3 스위치 TFT(T3)의 게이트 전극은 제n 에미션 신호(EM(n))가 인가되는 n번째 제2 게이트라인(15b(n))에 접속되고, 제3 스위치 TFT(T3)의 소스 전극은 노드 N3에 접속되며, 제3 스위치 TFT(T3)의 드레인 전극은 노드 N4에 접속된다.The third switch TFT T3 is connected between the node N3 and the node N4 and is switched in accordance with the nth emission signal EM (n). The gate electrode of the third switch TFT T3 is connected to the nth second gate line 15b (n) to which the nth emission signal EM (n) is applied, and the source of the third switch TFT T3 The electrode is connected to the node N3, and the drain electrode of the third switch TFT (T3) is connected to the node N4.

제4 스위치 TFT(T4)는 노드 N1과 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭된다. 제4 스위치 TFT(T4)의 게이트 전극은 제n 에미션 신호(EM(n))가 인가되는 n번째 제2 게이트라인(15b(n))에 접속되고, 제4 스위치 TFT(T4)의 소스 전극은 노드 N1에 접속되며, 제3 스위치 TFT(T3)의 드레인 전극은 제2 전원라인(16)에 접속된다.The fourth switch TFT T4 is connected between the node N1 and the second power supply line 16 and is switched in accordance with the nth emission signal EM (n). The gate electrode of the fourth switch TFT T4 is connected to the nth second gate line 15b (n) to which the nth emission signal EM (n) is applied, and the source of the fourth switch TFT T4 The electrode is connected to the node N1, and the drain electrode of the third switch TFT (T3) is connected to the second power supply line 16. [

제5 스위치 TFT(T5)는 노드 N2와 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭된다. 제5 스위치 TFT(T5)의 게이트 전극은 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 인가되는 n-1번째 제1 게이트라인(15a(n-1))에 접속되고, 제5 스위치 TFT(ST5)의 소스 전극은 노드 N2에 접속되며, 제5 스위치 TFT(ST5)의 드레인 전극은 제2 전원라인(16)에 접속된다.The fifth switch TFT T5 is connected between the node N2 and the second power supply line 16 and is switched in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1). The gate electrode of the fifth switch TFT T5 is connected to the (n-1) th first gate line 15a (n-1) to which the (n-1) th scan signal SC The source electrode of the switch TFT (ST5) is connected to the node N2, and the drain electrode of the fifth switch TFT (ST5) is connected to the second power supply line (16).

제6 스위치 TFT(T6)는 노드 N4와 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭된다. 제6 스위치 TFT(T6)의 게이트 전극은 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 인가되는 n-1번째 제1 게이트라인(15a(n-1))에 접속되고, 제6 스위치 TFT(ST6)의 소스 전극은 노드 N4에 접속되며, 제6 스위치 TFT(ST6)의 드레인 전극은 제2 전원라인(16)에 접속된다.The sixth switch TFT T6 is connected between the node N4 and the second power supply line 16 and is switched in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1). The gate electrode of the sixth switch TFT T6 is connected to the (n-1) th first gate line 15a (n-1) to which the (n-1) The source electrode of the switch TFT (ST6) is connected to the node N4, and the drain electrode of the sixth switch TFT (ST6) is connected to the second power supply line (16).

스토리지 커패시터(Cst)는 노드 N1과 노드 N2 사이에 접속된다.The storage capacitor Cst is connected between the node N1 and the node N2.

도 6은 도 5의 화소에 입력되는 구동 신호들과 그에 따른 특정 화소 노드들의 전위 변화를 보여주는 파형도이다. 도 7a는 도 6의 초기화 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다. 도 7b는 도 6의 보상 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다. 그리고, 도 7c는 도 6의 발광 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.FIG. 6 is a waveform diagram showing driving signals input to the pixel of FIG. 5 and the potential changes of the specific pixel nodes according to the driving signals. 7A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the initialization period of FIG. 7B is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the compensation period of FIG. 7C is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period of FIG.

도 6을 참조하면, 제n 수평 화소 라인(Ln) 상에 배치된 각 화소(PXL)는, 초기화 기간(A), 상기 초기화 기간(A)에 이은 보상 기간(B), 및 상기 보상 기간(B)에 이은 발광 기간(C)을 통해 구동될 수 있다.6, each pixel PXL disposed on the nth horizontal pixel line Ln is divided into an initializing period A, a compensation period B subsequent to the initializing period A, B) and the light emission period (C).

도 6을 참조하면, 초기화 기간(A)에서, 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 온 레벨(ON)로 입력되고, 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n 에미션 신호(EM(n))는 오프 레벨(OFF)로 입력된다. Referring to FIG. 6, in the initialization period A, the n-1 scan signal SC (n-1) is input to the ON level and the nth scan signal SC (n) The emission signal EM (n) is input to the off level (OFF).

도 7a를 참조하면, 초기화 기간(A) 동안 온 레벨(ON)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 응답하여 제5 스위치 TFT(T5)와 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 온 된다. 제5 스위치 TFT(T5)의 턴 온에 의해 노드 N2에 초기화 전압(Vinit)이 인가되고, 제6 스위치 TFT(T6)의 턴 온에 의해 노드 N4에 초기화 전압(Vinit)이 인가된다. 초기화 전압(Vinit)은 고전위 전원전압(EVDD)보다 낮은 전압이고, 저전위 전원전압(EVSS)와 같거나 또는 저전위 전원전압(EVSS)보다 낮은 전압이다. 초기화 기간(A) 동안 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs) 즉, "EVDD-Vinit"은 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)보다 크므로 구동 TFT(DT)는 턴 온 조건을 만족한다. 따라서, 초기화 기간(A) 동안 노드 N3에는 고전위 전원전압(EVDD)이 인가된다. 반면, 초기화 기간(A) 동안 노드 N2에 인가된 초기화 전압(Vinit)은 OLED의 동작점 전압보다 낮으므로 OLED는 발광되지 않는다.7A, the fifth switch TFT T5 and the sixth switch TFT T6 are turned on in response to the n-1 scan signal SC (n-1) of the ON level ON during the initialization period A, Is turned on. The initializing voltage Vinit is applied to the node N2 by turning on the fifth switch TFT T5 and the initializing voltage Vinit is applied to the node N4 by turning on the sixth switch TFT T6. The initialization voltage Vinit is a voltage lower than the high potential power supply voltage EVDD and a voltage equal to or lower than the low potential power supply voltage EVSS or the low potential power supply voltage EVSS. Since the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT, that is, "EVDD-Vinit" during the initialization period A is larger than the threshold voltage Vth of the driving TFT DT, Condition. Therefore, during the initialization period A, the node N3 is supplied with the high potential power supply voltage EVDD. On the other hand, since the initialization voltage Vinit applied to the node N2 during the initialization period A is lower than the operating point voltage of the OLED, the OLED does not emit light.

도 7a를 참조하면, 초기화 기간(A) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 응답하여 제1 스위치 TFT(T1)와 제2 스위치 TFT(T2)가 턴 오프 된다. 초기화 기간(A) 동안 노드 N1은 이전 프레임의 발광 기간에서 충전한 초기화 전압(Vinit)을 유지한다. 또한, 초기화 기간(A) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 응답하여 제3 스위치 TFT(T3)와 제4 스위치 TFT(T4)가 턴 오프 된다.7A, the first switch TFT T1 and the second switch TFT T2 are turned off in response to the n-th scan signal SC (n) of OFF level (OFF) during the setup period (A) . During the initialization period A, the node N1 maintains the initialization voltage Vinit charged in the light emission period of the previous frame. In addition, the third switch TFT T3 and the fourth switch TFT T4 are turned off in response to the n-th emission signal EM (n) of OFF level (OFF) during the initialization period (A).

결과적으로, 표 1과 같이 초기화 기간(A) 동안 노드 N1, 노드 N2, 및 노드 N4의 전위는 초기화 전압(Vinit)이 되고, 노드 N3의 전위는 고전위 전원전압(EVDD)이 된다.As a result, the potentials of the nodes N1, N2, and N4 become the initializing voltage (Vinit) and the potential of the node N3 becomes the high potential power supply voltage (EVDD) during the initialization period (A)

도 7b를 참조하면, 보상 기간(B) 동안 온 레벨(ON)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 응답하여 제1 스위치 TFT(T1)와 제2 스위치 TFT(T2)가 턴 온 된다. 제1 스위치 TFT(T1)의 턴 온에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트되어 구동 TFT(DT)가 다이오드 결선(Diode-connection)된다. 구동 TFT(DT)의 다이오드 결선에 의해 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)이 샘플링되어 노드 N2 및 노드 N3에 저장된다. 제2 스위치 TFT(T2)의 턴 온에 의해 데이터라인(14)에 인가되어 있던 데이터전압(Vdata)이 노드 N1에 인가된다. Referring to Fig. 7B, the first switch TFT T1 and the second switch TFT T2 are turned on in response to the n-th scan signal SC (n) of the on level ON during the compensation period B . The gate electrode and the drain electrode of the drive TFT DT are short-circuited by the turn-on of the first switch TFT (T1), and the drive TFT DT is diode-connected. The threshold voltage Vth of the driving TFT DT is sampled by the diode connection of the driving TFT DT and stored in the node N2 and the node N3. The data voltage Vdata applied to the data line 14 by the turn-on of the second switch TFT T2 is applied to the node N1.

도 7b를 참조하면, 보상 기간(B) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 응답하여 제3 스위치 TFT(T3)와 제4 스위치 TFT(T4)가 턴 오프 된다. 그리고, 보상 기간(B) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 응답하여 제5 스위치 TFT(T5)와 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 오프 된다. 7B, the third switch TFT T3 and the fourth switch TFT T4 are turned off in response to the n-th emission signal EM (n) of OFF level (OFF) during the compensation period (B) do. Then, the fifth switch TFT T5 and the sixth switch TFT T6 are turned off in response to the n-1th scan signal SC (n-1) of off level (OFF) during the compensation period (B) .

결과적으로, 표 1과 같이 보상 기간(B) 동안 노드 N1의 전위는 데이터전압(Vdata)이 되고, 노드 N2 및 노드 N3의 전위는 "EVDD-Vth"이 되고, 노드 N4의 전위는 초기화 전압(Vinit)이 된다.As a result, the potential of the node N1 becomes the data voltage (Vdata) during the compensation period (B), the potentials of the nodes N2 and N3 become "EVDD-Vth ", and the potential of the node N4 becomes the initialization voltage Vinit).

도 7c를 참조하면, 발광 기간(C) 동안 온 레벨(ON)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 응답하여 제3 스위치 TFT(T3)와 제4 스위치 TFT(T4)가 턴 온 된다. 발광 기간(C) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 응답하여 제1 스위치 TFT(T1)와 제2 스위치 TFT(T2)가 턴 오프 된다. 그리고, 발광 기간(C)동안 오프 레벨(OFF)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 응답하여 제5 스위치 TFT(T5)와 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 오프 된다. 7C, when the third switch TFT T3 and the fourth switch TFT T4 are turned on in response to the n-th emission signal EM (n) of the ON level ON during the light emission period C, do. The first switch TFT T1 and the second switch TFT T2 are turned off in response to the n-th scan signal SC (n) of OFF level (OFF) during the light emission period (C). The fifth switch TFT T5 and the sixth switch TFT T6 are turned off in response to the (n-1) th scan signal SC (n-1) of off level (OFF) during the light emission period C .

발광 기간(C) 동안 제4 스위치 TFT(T4)의 턴 온에 의해 노드 N1에는 초기화 전압(Vinit)이 인가되어, 노드 N1의 전위가 직전 보상 기간(B)에서의 데이터전압(Vdata)에서 초기화 전압(Vinit)으로 낮아진다. The initialization voltage Vinit is applied to the node N1 by the turn-on of the fourth switch TFT T4 during the light emission period C and the potential of the node N1 is initialized from the data voltage Vdata in the immediately preceding compensation period B And is lowered to a voltage (Vinit).

발광 기간(C) 동안 노드 N2는 플로팅(Floating)되고 스토리지 커패시터(Cst)를 통해 노드 N1에 커플링된다. 따라서, 발광 기간(C) 동안 노드 N1의 전위 변화분 "Vdata-Vinit"는 노드 N2에 반영된다. 그 결과 발광 기간(C) 동안 노드 N2의 전위가 직전 보상 기간(B)의 "EVDD-Vth"에 비해 "Vdata-Vinit"만큼 낮아진다. 다시 말해, 발광 기간(C) 동안 노드 N2의 전위는 표 1과 같이 "EVDD-Vth-Vdata+Vinit"이 된다. 한편, 발광 기간(C) 동안 노드 N3와 노드 N4의 전위는 표 1과 같이 "EVDD-Vth"이 된다.During the light emission period C, the node N2 floats and is coupled to the node N1 through the storage capacitor Cst. Therefore, during the light emission period C, the potential change "Vdata-Vinit" of the node N1 is reflected to the node N2. As a result, the potential of the node N2 becomes lower by "Vdata-Vinit" than the "EVDD-Vth" of the immediately preceding compensation period B during the light emission period C. In other words, the potential of the node N2 during the light emission period C becomes "EVDD-Vth-Vdata + Vinit" as shown in Table 1. On the other hand, during the light emission period C, the potentials of the nodes N3 and N4 become "EVDD-Vth"

이를 통해, OLED의 구동 전류량을 결정하는 구동 TFT(DT)의 Vgs 전압이 설정된다. 이 때, OLED에는 아래의 수학식 1과 같은 구동 전류(Ioled)가 흐르게 된다. Thus, the Vgs voltage of the driving TFT DT for determining the driving current amount of the OLED is set. At this time, the driving current Ioled as shown in the following Equation 1 flows in the OLED.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

Figure pat00003
Figure pat00003

여기서, K는 구동 TFT(DT)의 이동도, 채널비, 기생 용량 등에 의해 결정되는 상수값이고, Vth는 구동 TFT(DT)의 문턱 전압이다. Here, K is a constant value determined by the mobility of the driving TFT DT, the channel ratio, the parasitic capacitance, and the like, and Vth is the threshold voltage of the driving TFT DT.

수학식 1에서 알 수 있는 바와 같이, OLED의 구동 전류(Ioled)가 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)뿐만 아니라 고전위 전원전압(EVDD)에 영향을 받지 않게 된다. 본 발명의 실시예는 OLED의 구동 전류(Ioled)가 고전위 전원전압(EVDD)에 영향을 받지 않으므로, 제1 전원 라인(17)의 저저항 설계 없이 또는 제1 전원 라인(17)을 메쉬(mesh) 형태로 구성하지 않고 화면 전체에서 화소들의 휘도와 색감을 균일하게 할 수 있다. 이에 의해, 본 발명은 화소 크기가 작은 고해상도 패널에서 균일한 화질을 구현하는데 매우 유리하다. 그리고, 본 발명은 휘도 및 화질이 향상된 대화면의 패널을 제공할 수 있는 효과가 있다. The driving current Ioled of the OLED is not influenced by not only the threshold voltage Vth of the driving TFT DT but also the high potential power supply voltage EVDD. Since the driving current Ioled of the OLED is not influenced by the high potential power supply voltage EVDD, the embodiment of the present invention can be applied to the first power supply line 17 without designing a low resistance of the first power supply line 17, it is possible to uniformize the brightness and hue of the pixels on the entire screen without forming them in the form of a mesh. Thus, the present invention is very advantageous for realizing a uniform image quality in a high-resolution panel having a small pixel size. Further, the present invention is effective in providing a large-sized panel having improved luminance and image quality.

AA BB CC N1N1 VinitVinit VdataVdata VinitVinit N2N2 VinitVinit EVDD-VthEVDD-Vth EVDD-Vth-Vdata+VinitEVDD-Vth-Vdata + Vinit N3N3 EVDDEVDD EVDD-VthEVDD-Vth EVDD-VthEVDD-Vth N4N4 VinitVinit VinitVinit EVDD-VthEVDD-Vth

도 8은 도 5와 같은 화소를 대상으로 고전위 전원전압(EVDD)에 따른 OLED 구동 전류 변화를 시뮬레이션 한 결과를 보여주는 도면이다.FIG. 8 is a graph showing a result of simulating the OLED driving current change according to the high-potential power supply voltage EVDD with respect to the pixel shown in FIG.

도 8의 시뮬레이션 결과는 EVDD-EVSS를 7.5V로 설정하고 OLED 구동전류 50nA를 기준으로 고전위 전원전압(EVDD)을 0.1V 및 0.2V만큼씩 변경할 때의 전류 변화를 도시한 것이다. 도 8을 참조하면, 고전위 전원전압(EVDD)을 0.1V 및 0.2V만큼씩 감소시키더라도 OLED 구동전류(Ioled)는 50nA 대비 1~2% 정도로 무시할 수 있을 정도로 적게 변하고 있음을 알 수 있다.The simulation results in FIG. 8 show current changes when the EVDD-EVSS is set to 7.5V and the high-potential power supply voltage EVDD is changed by 0.1V and 0.2V based on the OLED driving current 50nA. Referring to FIG. 8, it can be seen that the OLED driving current Ioled is negligible to 1 to 2% of the 50 nA even when the high-potential power supply voltage EVDD is reduced by 0.1 V and 0.2 V, respectively.

전술한 바와 같이, 본 발명은 화소의 OLED 전류가 EVDD에 영향을 받지 않으므로 EVDD 배선의 저저항 설계 없이 화면 전체에서 균일한 화질을 구현할 수 있고 고해상도 및 대화면의 전계 발광 표시장치를 구현할 수 있다. As described above, since the OLED current of a pixel is not affected by EVDD, a uniform image quality can be realized in the entire screen without a low-resistance design of the EVDD wiring, and a high-resolution and large-area electroluminescent display device can be realized.

또한, 본 발명은 전단 게이트신호를 이용하여 화소를 구동시키기 때문에 게이트 드라이버의 구성을 간소화할 수 있고, 협 베젤(narrow bezel) 구현이 용이한 효과가 있다. Further, since the present invention drives a pixel using a front-end gate signal, the structure of the gate driver can be simplified, and a narrow bezel can be easily implemented.

또한, 본 발명은 화소의 구조 면에서 작은 데이터전압 범위를 갖는 소스 드라이버에 충분히 대응될 수 있어 소비 전력 측면에서 유리하다. 구체적으로, 본 발명에서 제안하는 화소구조는 OLED의 구동 전류가 (Vdata - Vinit)2에 비례하여 구현된다. 이는 데이터전압(Vdata)을 변수로 볼 때, 초기화 전압(Vinit)을 x 절편으로 하는 2차 함수 그래프의 형태를 가지게 된다. 그러므로 초기화 전압(Vinit)의 절대값을 작게 할 수 있다면 전체 계조 구간(예컨대, 8비트 기준으로 0계조부터 255계조)에 대한 데이터전압(Vdata)의 범위(range)를 줄일 수 있다. 데이터전압(Vdata)의 범위가 적을수록 소스 드라이버에서 소모되는 소비 전력이 줄어든다. Further, the present invention can sufficiently cope with a source driver having a small data voltage range in terms of the structure of a pixel, which is advantageous in power consumption. Specifically, the pixel structure proposed in the present invention is implemented in proportion to the driving current of the OLED (Vdata - Vinit) 2. When the data voltage (Vdata) is regarded as a variable, it has a form of a quadratic function graph having an initialization voltage (Vinit) as an x-intercept. Therefore, if the absolute value of the initialization voltage Vinit can be reduced, the range of the data voltage Vdata for the entire gradation period (for example, 0 gradation to 255 gradation on an 8-bit basis) can be reduced. The smaller the range of the data voltage (Vdata), the lower the power consumption consumed by the source driver.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 소스 드라이버 13 : 게이트 드라이버
10: Display panel 11: Timing controller
12: Source driver 13: Gate driver

Claims (10)

다수의 화소들(PXL)이 데이터전압(Vdata)이 공급되는 데이터라인(14) 및 고전위 전원전압(EVDD)이 공급되는 제1 전원라인(17)에 연결된 표시패널(10)을 구비하고,
제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는,
노드 N2, 상기 제1 전원라인(17) 및 노드 N3에 각각 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 접속된 구동 TFT(DT);
상기 노드 N2와 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제1 스위치 TFT(T1);
상기 데이터라인(14)과 노드 N1 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제2 스위치 TFT(T2);
상기 노드 N3과 노드 N4 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제3 스위치 TFT(T3);
상기 노드 N4와 저전위 전원전압(EVSS) 사이에 접속된 유기발광 다이오드; 및
상기 노드 N1과 상기 노드 N2 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하고,
상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하기 위한 보상 기간(B)에서, 상기 제1 및 제2 스위치 TFT(T1,T2)는 온 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 온 되고, 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되는 전계 발광 표시장치.
The display panel 10 has a plurality of pixels PXL connected to the data line 14 to which the data voltage Vdata is supplied and the first power supply line 17 to which the high potential power supply voltage EVDD is supplied,
Each pixel PXL arranged in the nth horizontal pixel line Ln is connected to the n-
A driver TFT (DT) having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode connected to the node N2, the first power supply line (17), and the node N3;
A first switch TFT (T1) connected between the node N2 and the node N3 and switched in accordance with the n-th scan signal SC (n);
A second switch TFT (T2) connected between the data line (14) and a node (N1) and switched according to the nth scan signal (SC (n));
A third switch TFT (T3) connected between the node N3 and the node N4 and switched in accordance with the nth emission signal EM (n);
An organic light emitting diode connected between the node N4 and a low potential power supply voltage (EVSS); And
And a storage capacitor (Cst) connected between the node (N1) and the node (N2)
The first and second switch TFTs T1 and T2 are turned on during the compensation period B for sampling the threshold voltage Vth of the drive TFT DT. , And the third switch TFT (T3) is turned off in accordance with the nth emission signal EM (n) at the off level.
제 1 항에 있어서,
상기 표시패널(10)에는, 상기 제n 수평 화소 라인(Ln)에 이웃하며 상기 제n 스캔 신호(SC(n))보다 위상이 앞선 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 입력되는 제n-1 수평 화소 라인(Ln)이 배치되고,
상기 제n 수평 화소 라인(Ln)에는 초기화 전압(Vinit)이 공급되는 제2 전원라인(16)에 더 연결되고,
상기 제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는,
상기 노드 N1과 상기 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제4 스위치 TFT(T4);
상기 노드 N2와 상기 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭되는 제5 스위치 TFT(T5); 및
상기 노드 N4와 상기 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭되는 제6 스위치 TFT(T6)를 더 포함하는 전계 발광 표시장치.
The method according to claim 1,
1) th scan signal SC (n-1) neighboring the nth horizontal pixel line Ln and having a phase earlier than the nth scan signal SC (n) is supplied to the display panel 10 The (n-1) th horizontal pixel line Ln to be input is arranged,
The nth horizontal pixel line Ln is further connected to a second power line 16 to which an initialization voltage Vinit is supplied,
Each pixel PXL arranged in the nth horizontal pixel line Ln is connected to the n-
A fourth switch TFT (T4) connected between the node N1 and the second power supply line (16) and switched according to the nth emission signal EM (n);
A fifth switch TFT T5 which is connected between the node N2 and the second power supply line 16 and is switched in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1); And
And a sixth switch TFT (T6) connected between the node N4 and the second power supply line (16) and being switched in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1) Device.
제 2 항에 있어서,
상기 보상 기간에서,
상기 제4 스위치 TFT(T4)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제5 및 제6 스위치 TFT(T5,T6)는 오프 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 오프 되는 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
In the compensation period,
, The fourth switch TFT (T4) is turned off in accordance with the nth emission signal EM (n) at the off level, and the fifth and sixth switch TFTs (T5, T6) -1 scan signal SC (n-1).
제 2 항에 있어서,
상기 보상 기간(B)에 앞서 상기 노드 N2 및 상기 노드 N4를 초기화하기 위한 초기화 기간(A)에서,
상기 제1 및 제2 스위치 TFT(T1,T2)는 오프 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제3 및 제4 스위치 TFT(T3,T4)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되며, 상기 제5 및 제6 스위치 TFT(T5,T6)는 온 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 온 되는 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
In the initialization period (A) for initializing the node N2 and the node N4 prior to the compensation period (B)
The first and second switch TFTs Tl and T2 are turned off according to the nth scan signal SC (n) at an off level, and the third and fourth switch TFTs T3 and T4 are turned off Th scan signal SC (n-1) of the on level, and the fifth and sixth switch TFTs T5 and T6 are turned off according to the n-th emission signal EM (n) ) According to the second embodiment of the present invention.
제 2 항에 있어서,
상기 보상 기간(B)에 이어 상기 유기발광 다이오드를 발광시키기 위한 발광 기간(C)에서,
상기 제1 및 제2 스위치 TFT(T1,T2)는 오프 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제3 및 제4 스위치 TFT(T3,T4)는 온 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 온 되며, 상기 제5 및 제6 스위치 TFT(T5,T6)는 오프 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 오프 되는 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
In the light emission period (C) for causing the organic light emitting diode to emit light following the compensation period (B)
The first and second switch TFTs Tl and T2 are turned off according to the n-th scan signal SC (n) at an off level, and the third and fourth switch TFTs T3 and T4 are turned off Th scan signal SC (n-1) of the off level, and the fifth and sixth switch TFTs T5 and T6 are turned on according to the n-th emission signal EM (n) ) Is turned off.
제 5 항에 있어서,
상기 발광 기간에서 상기 유기발광 다이오드에 흐르는 전류는,
상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화와 상기 고전위 전원전압(EVDD)의 변화에 무관한 전계 발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
The current flowing in the organic light emitting diode in the light emitting period is,
And is independent of a change in threshold voltage of the driving TFT (DT) and a change in the high-potential power supply voltage (EVDD).
제 5 항에 있어서,
상기 발광 기간에서 상기 유기발광 다이오드에 흐르는 전류는,
상기 데이터전압(Vdata)과 상기 초기화전압(Vinit) 간의 차 값의 제곱근에 비례하는 전계 발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
The current flowing in the organic light emitting diode in the light emitting period is,
(Vdata) and the initialization voltage (Vinit).
제 2 항에 있어서,
상기 제n 스캔 신호(SC(n))와 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 펄스 폭이 동일한 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the nth scan signal SC (n) and the nth scan signal SC (n-1) have the same pulse width.
제 2 항에 있어서,
다수의 제1 출력 노드들을 통해 다수의 스캔 신호들을 출력하고, 다수의 제2 출력 노드들을 통해 다수의 에미션 신호들을 출력하는 게이트 드라이버를 더 구비하고,
상기 제1 출력 노드들 중 어느 하나와 상기 제2 출력 노드들 중 어느 하나를 포함한 2개의 출력 노드들이 매 수평 화소 라인에 연결되는 전계 발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Further comprising a gate driver for outputting a plurality of scan signals through a plurality of first output nodes and outputting a plurality of emission signals through a plurality of second output nodes,
Wherein two output nodes including any one of the first output nodes and the second output nodes are connected to each horizontal pixel line.
제 9 항에 있어서,
상기 제1 출력 노드들 각각은 이웃한 2개의 수평 화소 라인들에 공통으로 연결되는 전계 발광 표시장치.
10. The method of claim 9,
And each of the first output nodes is commonly connected to two neighboring horizontal pixel lines.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2021226807A1 (en) * 2020-05-11 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display apparatus

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