KR20190062127A - Electroluminescent Display Device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전계 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an electroluminescent display device.
전계 발광 표시장치는 발광층의 재료에 따라 무기 발광 표시장치와 유기 발광 표시장치로 대별된다. 이 중에서, 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "OLED"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.An electroluminescent display device is classified into an inorganic light emitting display device and an organic light emitting display device depending on the material of the light emitting layer. Among them, an active matrix type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light by itself, has a high response speed, There is an advantage of a large viewing angle.
유기발광 표시장치는 OLED를 각각 포함한 화소들을 매트릭스 형태로 배열하고 영상 데이터의 계조에 따라 화소들의 휘도를 조절한다. 화소들 각각은 게이트-소스 간 전압에 따라 OLED에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)와, 구동 TFT의 게이트-소트 간 전압을 프로그래밍하기 위한 하나 이상의 스위치 TFT를 포함하며, 구동전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다.The organic light emitting display device arranges pixels each including an OLED in a matrix form and adjusts the brightness of the pixels according to the gradation of the image data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) for controlling the driving current flowing in the OLED according to the gate-source voltage, and at least one switch TFT for programming the gate-to-source voltage of the driving TFT, The display gradation (luminance) is adjusted by the amount of light emitted by the OLED.
화소들 간 휘도, 색감 차이 없는 균일한 화질을 구현하기 위해서는 구동 TFT의 문턱 전압(Vth)과 같은 화소의 구동 특성이 모든 화소들에서 동일해야 한다. 하지만, 공정 편차 등을 포함한 다양한 원인에 의해 화소들 간 구동 특성에 편차가 있을 수 있다. 또한, 표시장치의 구동 시간에 따라 화소들 간의 열화 진행 속도가 다르게 되어 화소들 간에 구동 특성에서 차이가 커질 수 있다. 따라서, 화소들 간에 구동 특성 편차에 따라 OLED로 흐르는 구동 전류량이 변화되고, 이에 의해 화질의 불균일이 초래되게 된다.In order to realize a uniform image quality without luminance and color difference between pixels, the driving characteristic of a pixel equal to the threshold voltage (Vth) of the driving TFT must be the same in all the pixels. However, there may be variations in driving characteristics between pixels due to various causes including process variations. In addition, the deterioration progress speed between the pixels may be different according to the driving time of the display device, so that the difference in driving characteristics between the pixels may be large. Therefore, the amount of driving current flowing to the OLED varies depending on the driving characteristic deviation between the pixels, thereby causing unevenness in image quality.
이에 표시장치의 화질과 수명을 개선하기 위하여 화소들 간의 구동 특성 차이를 보상하기 위한 내부 보상 회로가 유기 발광 표시장치에 적용되고 있다. 내부 보상 회로는 화소 내에 적용될 수 있다. 유기 발광 표시장치는 화소 내의 보상 회로를 이용하여 구동 TFT의 전기적 특성에 따라 변하는 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압을 샘플링하고 샘플링된 전압으로 데이터 전압을 보상한다. Accordingly, an internal compensation circuit for compensating a driving characteristic difference between pixels is applied to the OLED display in order to improve image quality and lifetime of the display device. The internal compensation circuit can be applied within the pixel. The organic light emitting display uses a compensating circuit in a pixel to sample the gate-source voltage of the driving TFT which varies depending on the electrical characteristics of the driving TFT, and compensates the data voltage with the sampled voltage.
내부 보상 회로에서 OLED의 구동 전류가 화소의 고전위 전원 전압(이하, “EVDD”라 함)에 영향을 받을 수 있다. 이 경우, EVDD의 전압 강하(IR drop)에 의해 패널 내에서 화소의 위치에 따라 EVDD의 값이 달라지게 되면, OLED의 구동 전류가 화소에서 요구되는 전류와 차이가 발생하여 균일한 화질을 얻을 수 없다. EVDD의 전압 강하를 줄이기 위하여 EVDD 배선의 너비를 증가시키는 방안을 고려할 수 있으나, 고해상도 패널의 경우 화소 면적이 작으므로 상기와 같은 설계에 어려움이 존재한다. The drive current of the OLED in the internal compensation circuit can be influenced by the high potential supply voltage (hereinafter referred to as " EVDD ") of the pixel. In this case, if the value of EVDD changes according to the position of the pixel in the panel due to the voltage drop of the EVDD (IR drop), the driving current of the OLED is different from the current required in the pixel, none. In order to reduce the voltage drop of the EVDD, a method of increasing the width of the EVDD wiring can be considered. However, since the pixel area of the high-resolution panel is small, there is a difficulty in the design as described above.
현재 유기발광 표시장치는 고해상도, 대면적, 고휘도의 추세로 기술 개발이 진행되고 있으므로 EVDD 배선의 폭이 감소되고 EVDD 배선이 길어지기 때문에 EVDD 배선과 관련한 저항을 감소시키는 방법만으로는 EVDD 전압 강하 문제를 해결하는데 한계가 있다.Currently, organic light emitting display devices are being developed with high resolution, large area and high brightness trend, so EVDD wiring width is reduced and EVDD wiring is longer. Therefore, reducing the resistance related to EVDD wiring solves EVDD voltage drop problem There is a limit.
한편, 각 화소 내에 구비된 내부 보상 회로는 보상의 정확도를 높이기 위해 다수의 스위치 TFT들을 필요로 한다. 이 스위치 TFT들의 게이트전극은 게이트라인들을 통해 게이트 드라이버에 연결된다. 게이트 드라이버는 스위치 TFT들의 스위칭 동작을 제어하기 위한 게이트신호를 생성하여 게이트라인들에 공급한다. 스위치 TFT들의 개수가 많을수록 게이트 드라이버의 구성이 복잡해진다. On the other hand, the internal compensation circuit provided in each pixel requires a plurality of switch TFTs in order to increase the accuracy of compensation. The gate electrodes of these switch TFTs are connected to the gate driver through gate lines. The gate driver generates a gate signal for controlling the switching operation of the switch TFTs and supplies the gate signal to the gate lines. The larger the number of switch TFTs, the more complicated the configuration of the gate driver.
따라서, 본 발명의 목적은 EVDD 전압 강하와 무관하게 화소의 구동 특성 변화를 실시간으로 보상할 수 있는 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide an electroluminescent display device capable of compensating for a change in driving characteristics of a pixel in real time regardless of an EVDD voltage drop.
본 발명의 다른 목적은 EVDD 전압 강하와 무관하게 화소의 구동 특성 변화를 실시간으로 보상하되, 게이트 드라이버의 구성이 간소화된 전계 발광 표시장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide an electroluminescent display device in which the configuration of a gate driver is simplified while compensating for a change in driving characteristics of a pixel in real time regardless of an EVDD voltage drop.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 표시장치는 다수의 화소들(PXL)이 제1 전압이 공급되는 제1 라인(17), 제2 전압이 공급되는 제2 라인(16), 및 데이터전압(Vdata)이 공급되는 제3 라인(14)에 연결된 표시패널(10)을 구비한다. 제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는, 노드 N1, 노드 N2, 및 노드 N3에 각각 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 접속된 구동 TFT(DT); 상기 노드 N1과 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제1 스위치 TFT(T1); 상기 제3 라인(14)과 상기 노드 N1 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제2 스위치 TFT(T2); 노드 N4와 상기 제2 라인 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제3 스위치 TFT(T3); 상기 노드 N3과 발광 다이오드 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제4 스위치 TFT(T4); 및 상기 노드 N2와 상기 노드 N4 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 여기서, 상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하기 위한 보상 기간(B)에서, 상기 제1 스위치 TFT(T1), 상기 제2 스위치 TFT(T2), 및 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 온 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 온 되고, 상기 제4 스위치 TFT(T4)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 된다.In order to achieve the above object, a display device according to the present invention is characterized in that a plurality of pixels PXL includes a
본 발명은 화소의 OLED 전류가 EVDD에 영향을 받지 않으므로 EVDD의 전압강하가 발생하더라도 화면 전체에서 균일한 화질을 구현할 수 있다.Since the OLED current of the pixel is not affected by the EVDD, even if the voltage drop of the EVDD occurs, a uniform image quality can be achieved over the entire screen.
본 발명은 EVDD의 전압강하와 관계없이 화면 전체에서 균일한 화질을 구현할 수 있으므로, 고해상도 및 대화면의 전계 발광 표시장치를 안정적으로 구현할 수 있다. The present invention can realize a uniform image quality over the whole screen regardless of the voltage drop of the EVDD, so that a high-resolution and large-sized electroluminescent display device can be stably realized.
또한, 본 발명은 전단 게이트신호를 이용하여 화소를 구동시키기 때문에 게이트 드라이버의 구성을 간소화할 수 있고, 협 베젤(narrow bezel) 구현이 용이한 효과가 있다. Further, since the present invention drives a pixel using a front-end gate signal, the structure of the gate driver can be simplified, and a narrow bezel can be easily implemented.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects according to the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 유기발광 표시장치의 각 화소에 포함된 OLED 구조를 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 어레이를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 화소 어레이를 구동하기 위한 게이트 드라이버의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 화소의 일 등가회로를 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 5의 화소에 입력되는 구동 신호들의 전위 변화를 보여주는 파형도이다.
도 7a는 도 6의 초기화 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 7b는 도 6의 보상 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.
도 7c는 도 6의 발광 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing an OLED structure included in each pixel of an OLED display.
3 is a view showing a pixel array of an OLED display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a view showing an example of a gate driver for driving the pixel array of FIG. 3. FIG.
5 is a diagram showing one equivalent circuit of the pixel shown in Fig.
6 is a waveform diagram showing a potential change of drive signals input to the pixel of FIG.
7A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the initialization period of FIG.
7B is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the compensation period of FIG.
7C is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period of FIG.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 ' ~ 만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, ' ~ 상에', ' ~ 상부에', ' ~ 하부에', ' ~ 옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다. In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other partially or wholly and technically various interlocking and driving are possible and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다. 본 발명의 실시예에서는 유기발광 표시장치를 중심으로 기술한다.Various embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. The component names used in the following description are selected in consideration of easiness of specification, and may be different from the parts names of actual products. In the embodiments of the present invention, an organic light emitting display is mainly described.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 블록도이다. 도 2는 유기발광 표시장치의 각 화소에 포함된 OLED 구조를 보여주는 도면이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 화소 어레이를 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4는 도 3의 화소 어레이를 구동하기 위한 게이트 드라이버의 일 예를 보여주는 도면이다.1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. 2 is a view showing an OLED structure included in each pixel of an OLED display. 3 is a view showing a pixel array of an OLED display according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a view showing an example of a gate driver for driving the pixel array of FIG. 3. Referring to FIG.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는 화소들(PXL)이 구비된 표시패널(10), 화소들(PXL)에 연결된 신호라인들을 구동하는 표시패널 구동회로(12,13), 및 표시패널 구동회로(12,13)를 제어하는 타이밍 콘트롤러(11)를 포함한다.1 to 4, an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
표시패널 구동회로(12,13)는 표시패널(10)의 화소들(PXL)에 입력 영상 데이터(DATA)를 기입한다. 표시패널 구동회로(12,13)는 화소들(PXL)에 연결된 데이터라인들(14)을 구동하는 소스 드라이버(12)와, 화소들(PXL)에 연결된 게이트라인들(15)을 구동하는 게이트 드라이버(13)를 포함한다. The display
표시패널(10)에는 다수의 데이터 라인들(14)과 다수의 게이트 라인들(15)이 교차되고, 화소들(PXL)이 매트릭스 형태로 배치된다. 화소들(PXL)은 도 2와 같은 OLED를 포함한다. 자발광 소자인 OLED는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL), 발광층(Emission Layer, EML), 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 전원전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.In the
표시패널(10)의 화소 어레이(Pixel array)에는 도 3과 같이 다수의 수평 화소 라인들(HL1~HL4)이 구비되며, 각 수평 화소 라인(L1~L4) 상에는 수평으로 이웃하며 게이트 라인들(15a,15b)에 공통으로 연결된 다수의 화소들(PXL)이 배치된다. 여기서, 수평 화소 라인들(L1~L4) 각각은 물리적인 신호 라인이 아니라, 수평으로 이웃한 화소들(PXL)에 의해 구현되는 1라인 분량의 화소 블록을 의미한다. 화소 어레이에는 고전위 전원 전압(EVDD)을 화소들(PXL)에 공급하는 제1 전원라인(17), 초기화 전압(Vinit)을 화소들(PXL)에 공급하는 제2 전원라인(16)이 포함될 수 있다. 또한, 화소들(PXL)은 저전위 전원 전압(EVSS)에 연결될 수 있다. The pixel array of the
게이트 라인들(15) 각각은 스캔 신호(SC)가 공급되는 제1 게이트 라인(15a), 및 에미션 신호(EM)가 공급되는 제2 게이트 라인(15b)을 포함한다. 제n 수평 화소 라인(L(n))에 배치된 각 화소(PXL)에는 제n 수평 화소 라인(L(n))에 할당된 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n 에미션 신호(EM(n)) 이외에 제n-1 수평 화소 라인(L(n-1))에 할당된 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 더 공급된다. Each of the gate lines 15 includes a
화소들(PXL) 각각은 다양한 컬러 구현을 위하여 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소 중 어느 하나일 수 있다. 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소는 하나의 단위 화소를 구성할 수 있다. 단위 화소에서 구현되는 컬러는 적색 화소, 녹색 화소, 청색 화소, 및 백색 화소의 발광 비율에 따라 결정될 수 있다. 화소들(PXL) 각각에는 하나의 데이터 라인(14), 하나의 제1 게이트 라인(15a), 하나의 제2 게이트 라인(15b), 제1 전원라인(17), 제2 전원 라인(16) 등이 연결될 수 있다. 화소들(PXL) 각각은 전단 수평 화소 라인에 배치된 제1 게이트 라인(15a)에 더 연결될 수 있다.Each of the pixels PXL may be any one of a red pixel, a green pixel, a blue pixel, and a white pixel for various color implementations. The red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel may constitute one unit pixel. The color implemented in the unit pixel may be determined according to the emission ratio of the red pixel, the green pixel, the blue pixel, and the white pixel. Each of the pixels PXL includes one
소스 드라이버(12)는 매 프레임 마다 타이밍 콘트롤러(11)로부터 수신되는 입력 영상 데이터(DATA)를 데이터 전압(Vdata)으로 변환한 후, 그 데이터 전압(Vdata)을 데이터 라인들(14)에 공급한다. 소스 드라이버(12)는 입력 영상 데이터(DATA)를 감마 보상 전압으로 변환하는 디지털 아날로그 컨버터(Digital to Analog Converter)를 이용하여 데이터 전압(Vdata)을 출력한다. The
소스 드라이버(12)와 표시패널(10)의 데이터 라인들(14) 사이에는 멀티플렉서(미도시)가 더 배치될 수 있다. 멀티플렉서는 소스 드라이버(12)에서 하나의 출력 채널을 통해 출력되는 데이터 전압을 복수개의 데이터라인들로 분배함으로써, 데이터라인의 개수 대비 소스 드라이버(12)의 출력 채널 개수를 줄일 수 있다. 멀티플렉서는 표시장치의 해상도, 용도에 따라 생략 가능하다.A multiplexer (not shown) may be further disposed between the
소스 드라이버(12)는 초기화 전압(Vinit)을 생성하여 제2 전원 라인(16)에 공급하고, 고전위 전원 전압(EVDD)을 생성하여 제1 전원 라인(17)에 공급할 수 있다. 이를 위해, 소스 드라이버(12)는 전원 생성부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 전원 생성부는 저전위 전원 전압(EVSS)을 더 생성할 수 있다. 전원 생성부는 소스 드라이버(12) 외부에 장착된 후에 도전성 필름 등을 통해 소스 드라이버에 전기적으로 연결될 수도 있다. 초기화 기간 동안에 불필요한 OLED의 발광이 방지되도록, 초기화 전압(Vinit)은 저전위 전원 전압(EVSS)과 같거나 또는 그보다 낮은 전압으로 선택될 수 있다.The
게이트 드라이버(13)는, 도 4와 같이 제1 게이트 구동부(13A)와 제2 게이트 구동부(13B)를 포함한다.The
제1 게이트 구동부(13A)는 수평 화소 라인(L1~Ln)만큼의 제1 스테이지들(GSTG1~GSTGn)를 가지며, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 스캔 신호들(SC(1)~SC(n))을 출력하여 데이터 전압(Vdata)이 충전되는 수평 화소 라인(L1~Ln)을 선택한다. 제1 게이트 구동부(13A)는 쉬프트 레지스터(Shift register)로 구현되고 제1 출력 노드들을 통해 스캔 신호들(SC(1)~SC(n))을 제1 게이트 라인들(15a(1)~15a(n))에 순차적으로 공급할 수 있다.The
제2 게이트 구동부(13B)는 수평 화소 라인(L1~Ln)만큼의 제2 스테이지들(ESTG1~ESTGn)를 가지며, 타이밍 콘트롤러(11)의 제어 하에 에미션 신호들(EM(1)~EM(n))을 출력하여 데이터 전압(Vdata)이 충전되는 수평 화소 라인(L1~Ln)의 발광 타이밍을 제어한다. 제2 게이트 구동부(13B)는 쉬프트 레지스터와 인버터를 포함하고 제2 출력 노드들을 통해 에미션 신호들(EM(1)~EM(n))을 제2 게이트 라인들(15b(1)~15b(n))에 순차적으로 공급할 수 있다.The
도 4에서, GDUM, EDUM, G-MNT, 및 E- MNT 은 더미 스테이지를 의미한다. L Dummy는 더미 화소라인을 지시한다. 그리고, 스테이지들에 인가되는 VGH 및 VGL은 구동 전원을 의미하며, VGH는 게이트 하이전압을, 그리고 VGL은 게이트 로우전압을 지시한다. 더미 스테이지와 더미 화소라인은 선택적으로 포함하거나 제외될 수 있다. 더미 화소라인의 화소는 수평 화소라인의 화소(PXL)와 유사하나, 발광하지 않도록 구성될 수 있다. 즉, 더미 화소라인은 적어도 OLED를 포함하지 않거나 또는, 데이터전압을 인가받지 않도록 구성되거나 또는, 스캔신호와 에미션신호를 인가받지 않도록 구성될 수 있다.In Fig. 4, GDUM, EDUM, G-MNT, and E-MNT mean a dummy stage. L Dummy indicates a dummy pixel line. And, VGH and VGL applied to the stages indicate driving power, VGH indicates a gate high voltage, and VGL indicates a gate low voltage. The dummy stage and the dummy pixel line may be optionally included or excluded. The pixel of the dummy pixel line is similar to the pixel PXL of the horizontal pixel line, but can be configured not to emit light. That is, the dummy pixel line may be configured not to include at least the OLED, or configured to not receive the data voltage, or may be configured not to receive the scan signal and the emission signal.
게이트 드라이버(13)의 제1 출력 노드들 중 어느 하나와 제2 출력 노드들 중 어느 하나를 포함한 2개의 출력 노드들이 매 수평 화소 라인(L1~Ln)에 연결될 수 있다. 특히 게이트 드라이버(13)의 구성이 간소해지도록, 제1 출력 노드들 각각은 이웃한 2개의 수평 화소 라인들에 공통으로 연결될 수 있다. 각 수평 화소라인(L1~Ln)의 화소들(PXL)은 서로 다른 온 타이밍을 갖는 3개의 게이트신호들이 필요하다. 예를 들어, 제n 수평 화소라인(Ln)의 화소들(PXL)은 2개의 스캔신호들과 1개의 에미션 신호가 필요하다. 여기서, 2개의 스캔신호들을 제n-1 스캔신호(SC(n-1))와 제n 스캔신호(SC(n))로 구성하고, 1개의 에미션 신호를 제n 에미션신호(EM(n))로 구성하면, 2개의 스테이지들로 제n 수평 화소라인(Ln)의 화소들(PXL)을 구동시킬 수 있으므로, 게이트 드라이버(13)의 구성을 간소화할 수 있는 이점이 있다. 이 경우, 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 펄스 폭이 동일하고 위상이 서로 다르다. Two output nodes including any one of the first output nodes and the second output nodes of the
게이트 드라이버(13)는 GIP(Gate-driver In Panel) 공정으로 화소 어레이와 함께 표시패널(10)의 기판 상에 직접 형성될 수 있으나 그에 한정되지 않는다. 게이트 드라이버(13)는 IC 타입으로 제작된 후 도전성 필름을 통해 표시패널(10)에 접합될 수도 있다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 입력 영상의 디지털 데이터(DATA)와, 그와 동기되는 타이밍 신호를 수신한다. 타이밍 신호는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트 클럭 신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등을 포함한다. 호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 셋톱박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나일 수 있다.The
타이밍 콘트롤러(11)는 입력 프레임 주파수를 i 배 체배하여 입력 프레임 주파수Хi(i는 0 보다 큰 양의 정수) Hz의 프레임 주파수로 표시패널 구동회로(12,13)의 동작 타이밍을 제어할 수 있다. 입력 프레임 주파수는 NTSC(National Television Standards Committee) 방식에서 60Hz이며, PAL(Phase-Alternating Line) 방식에서 50Hz이다. The
타이밍 콘트롤러(11)는 호스트 시스템으로부터 수신된 타이밍 신호(Vsync, Hsync, DE)를 바탕으로서 소스 드라이버(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)와, 게이트 드라이버(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어 신호(GDC)를 생성한다. The
데이터 타이밍 제어신호(DDC)는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스는 소스 드라이버(12)의 샘플링 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭은 데이터 샘플링 타이밍을 쉬프트시키는 클럭이다. 타이밍 콘트롤러(11)와 소스 드라이버(12)사이의 신호 전송 인터페이스가 mini LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스와 소스 샘플링 클럭은 생략될 수 있다.The data timing control signal DDC includes a source start pulse, a source sampling clock, and a source output enable signal. The source start pulse controls the sampling start timing of the
게이트 타이밍 제어신호(GDC)는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse), 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock), 에미션 쉬프트 클럭(Emission Shift Clock), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable) 등을 포함한다. GIP 회로의 경우에, 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable)는 생략될 수 있다. 게이트 스타트 펄스는 매 프레임 기간마다 프레임 기간의 초기에 발생되어 게이트 드라이버(13) 각각의 쉬프트 레지스터에 입력된다. 게이트 스타트 펄스는 매 프레임 기간 마다 스캔 신호(SC(1)~SC(n))와 에미션 신호(EM(1)~EM(n))가 출력되는 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 게이트 드라이버(13)의 쉬프트 레지스터에 입력되어 쉬프트 레지스트의 쉬프트 타이밍(shift timing)을 제어한다. 에미션 쉬프트 클럭은 게이트 드라이버(13)의 인버터에 입력되어 인버터의 쉬프트 타이밍(shift timing)을 제어한다. The gate timing control signal GDC includes a gate start pulse, a gate shift clock, an emission shift clock, a gate output enable signal, and the like . In the case of the GIP circuit, the gate output enable signal (Gate Output Enable) may be omitted. The gate start pulse is generated at the beginning of the frame period every frame period and is input to the shift register of each
도 5는 도 3에 도시된 화소의 일 등가회로를 보여 주는 도면이다. 5 is a diagram showing one equivalent circuit of the pixel shown in Fig.
도 5를 참조하면, 본 발명의 화소(PXL)는, OLED, 다수의 TFT들(Thin Film Transistor)(T1~T7, DT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. TFT들(T1~T7, DT)은 PMOS형 LTPS TFT로 구현될 수 있고, 이를 통해 원하는 응답 특성을 확보할 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스위치 기능을 하는 TFT들(T1~T7) 중에서 적어도 하나의 TFT는 오프 커런트 특성이 좋은 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)형 옥사이드 TFT로 구현되고, 나머지 TFT들은 응답 특성이 좋은 PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor)형 LTPS(Low Temperature Poly-Silicon) TFT로 구현될 수도 있다. Referring to FIG. 5, the pixel PXL of the present invention includes an OLED, a plurality of thin film transistors (TFTs) T1 through T7, and a storage capacitor Cst. The TFTs (T1 to T7, DT) can be implemented as a PMOS type LTPS TFT, thereby achieving desired response characteristics. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto. For example, at least one of the TFTs (T1 to T7) serving as a switching TFT is implemented as an NMOS (N-channel Metal Oxide Semiconductor) type oxide TFT having good off-current characteristics, and the remaining TFTs are PMOS (P-channel Metal Oxide Semiconductor) type LTPS (Low Temperature Poly-Silicon) TFT.
이하, 제n 수평 화소 라인(L(n)) 상에 배치된 일 화소(PXL)의 접속 구성을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the connection configuration of one pixel PXL disposed on the nth horizontal pixel line L (n) will be described in detail.
OLED는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압에 따라 조절되는 전류량으로 발광한다. OLED의 애노드 전극은 제4 스위치 TFT(ST4)의 드레인 전극에 연결되고, OLED의 캐소드 전극은 저전위 전원전압(EVSS)에 연결된다. 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에는 유기 화합물층이 구비된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL), 발광층(Emission Layer, EML), 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. The OLED emits light with an amount of current adjusted in accordance with the gate-source voltage of the driving TFT DT. The anode electrode of the OLED is connected to the drain electrode of the fourth switch TFT (ST4), and the cathode electrode of the OLED is connected to the low potential supply voltage EVSS. An organic compound layer is provided between the anode electrode and the cathode electrode. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). ≪ / RTI >
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 흐르는 전류를 조절하는 구동 소자이다. 구동 TFT(DT)는 노드 N2에 접속된 게이트 전극, 노드 N1에 접속된 소스 전극, 및 노드 N3에 접속된 드레인 전극을 포함한다. The driving TFT DT is a driving element for adjusting the current flowing in the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the node N2, a source electrode connected to the node N1, and a drain electrode connected to the node N3.
제1 스위치 TFT(T1)는 노드 N2와 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭된다. 제1 스위치 TFT(T1)의 게이트 전극은 제n 스캔 신호(SC(n))가 인가되는 n번째 제1 게이트라인(15a(n))에 접속되고, 제1 스위치 TFT(T1)의 소스 전극은 노드 N3에 접속되며, 제1 스위치 TFT(T1)의 드레인 전극은 노드 N2에 접속된다.The first switch TFT (T1) is connected between the node N2 and the node N3, and is switched according to the n-th scan signal SC (n). The gate electrode of the first switch TFT T1 is connected to the nth
제2 스위치 TFT(T2)는 데이터라인(14)과 노드 N1 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭된다. 제2 스위치 TFT(T2)의 게이트 전극은 제n 스캔 신호(SC(n))가 인가되는 n번째 제1 게이트라인(15a(n))에 접속되고, 제2 스위치 TFT(T2)의 소스 전극은 데이터라인(14)에 접속되며, 제2 스위치 TFT(T2)의 드레인 전극은 노드 N1에 접속된다.The second switch TFT T2 is connected between the
제3 스위치 TFT(T3)는 제2 전원라인(16)과 노드 N4 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭된다. 제3 스위치 TFT(T3)의 게이트 전극은 제n 스캔 신호(SC(n))가 인가되는 n번째 제1 게이트라인(15a(n))에 접속되고, 제3 스위치 TFT(T3)의 소스 전극은 제2 전원라인(16)에 접속되며, 제3 스위치 TFT(T3)의 드레인 전극은 노드 N4에 접속된다.The third switch TFT T3 is connected between the second
제4 스위치 TFT(T4)는 OLED의 애노드 전극과 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭된다. 제4 스위치 TFT(T4)의 게이트 전극은 제n 에미션 신호(EM(n))가 인가되는 n번째 제2 게이트라인(15b(n))에 접속되고, 제4 스위치 TFT(T4)의 소스 전극은 노드 N3에 접속되며, 제4 스위치 TFT(T4)의 드레인 전극은 OLED의 애노드 전극에 접속된다.The fourth switch TFT (T4) is connected between the anode electrode of the OLED and the node N3, and is switched according to the nth emission signal EM (n). The gate electrode of the fourth switch TFT T4 is connected to the nth
제5 스위치 TFT(T5)는 노드 N1과 제1 전원라인(17) 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭된다. 제5 스위치 TFT(T5)의 게이트 전극은 제n 에미션 신호(EM(n))가 인가되는 n번째 제2 게이트라인(15b(n))에 접속되고, 제5 스위치 TFT(T5)의 소스 전극은 제1 전원라인(17)에 접속되며, 제5 스위치 TFT(T5)의 드레인 전극은 노드 N1에 접속된다.The fifth switch TFT T5 is connected between the node N1 and the first
제6 스위치 TFT(T6)는 노드 N2와 제2 전원라인(16) 사이에 접속되며, 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭된다. 제6 스위치 TFT(T6)의 게이트 전극은 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 인가되는 n-1번째 제1 게이트라인(15a(n-1))에 접속되고, 제6 스위치 TFT(ST6)의 소스 전극은 제2 전원라인(16)에 접속되며, 제6 스위치 TFT(ST6)의 드레인 전극은 노드 N2에 접속된다.The sixth switch TFT T6 is connected between the node N2 and the second
제7 스위치 TFT(T7)는 노드 N1과 노드 N4 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭된다. 제7 스위치 TFT(T7)의 게이트 전극은 제n 에미션 신호(EM(n))가 인가되는 n번째 제2 게이트라인(15b(n))에 접속되고, 제7 스위치 TFT(T7)의 소스 전극은 노드 N1에 접속되고, 제7 스위치 TFT(T7)의 드레인 전극은 노드 N4에 접속된다. The seventh switch TFT (T7) is connected between the node N1 and the node N4 and is switched in accordance with the nth emission signal EM (n). The gate electrode of the seventh switch TFT T7 is connected to the nth
스토리지 커패시터(Cst)는 노드 N2과 노드 N4 사이에 접속된다.The storage capacitor Cst is connected between the node N2 and the node N4.
도 6은 도 5의 화소에 입력되는 구동 신호들의 전위 변화를 보여주는 파형도이다. 도 7a는 도 6의 초기화 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다. 도 7b는 도 6의 보상 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다. 그리고, 도 7c는 도 6의 발광 기간에 대응되는 화소의 등가 회로도이다.6 is a waveform diagram showing a potential change of drive signals input to the pixel of FIG. 7A is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the initialization period of FIG. 7B is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the compensation period of FIG. 7C is an equivalent circuit diagram of a pixel corresponding to the light emission period of FIG.
도 6을 참조하면, 제n 수평 화소 라인(Ln) 상에 배치된 각 화소(PXL)는, 초기화 기간(A), 상기 초기화 기간(A)에 이은 보상 기간(B), 및 상기 보상 기간(B)에 이은 발광 기간(C)을 통해 구동될 수 있다.6, each pixel PXL disposed on the nth horizontal pixel line Ln is divided into an initializing period A, a compensation period B subsequent to the initializing period A, B) and the light emission period (C).
도 6을 참조하면, 초기화 기간(A)에서, 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 온 레벨(ON)로 입력되고, 제n 스캔 신호(SC(n))와 제n 에미션 신호(EM(n))는 오프 레벨(OFF)로 입력된다. Referring to FIG. 6, in the initialization period A, the n-1 scan signal SC (n-1) is input to the ON level and the nth scan signal SC (n) The emission signal EM (n) is input to the off level (OFF).
도 7a를 참조하면, 초기화 기간(A) 동안 온 레벨(ON)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 응답하여 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 온 된다. 제6 스위치 TFT(T6)의 턴 온에 의해 노드 N2에 초기화 전압(Vinit)이 인가된다. 즉, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 초기화 전압(Vinit)으로 리셋된다. 초기화 전압(Vinit)은 고전위 전원전압(EVDD)보다 낮은 전압이고, 저전위 전원전압(EVSS)과 같거나 또는 저전위 전원전압(EVSS)보다 낮은 전압이다. 초기화 기간(A) 이전의 발광 기간(C) 동안 노드 N1에는 고전위 전원전압(EVDD)이 인가되고, 발광 기간(C) 이후의 초기화 기간(A) 동안의 노드 N1은 플로팅 된다. 따라서, 초기화 기간(A)의 초기에는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs) 즉, "Vinit-EVDD" 값은 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)보다 작을 수 있고, 이에 따라 구동 TFT(DT)는 턴 온 조건을 만족할 수 있다. 따라서, 초기화 기간(A)의 적어도 일부 동안에는 구동 TFT(DT)에 전류가 흐를 수 있다. 하지만 초기화 기간(A) 동안 제4 스위치 TFT(T4)는 턴 오프 상태이므로 OLED는 발광되지 않는다.Referring to Fig. 7A, the sixth switch TFT T6 is turned on in response to the (n-1) th scan signal SC (n-1) of the on level (ON) during the setup period (A). The initializing voltage Vinit is applied to the node N2 by turning on the sixth switch TFT T6. That is, the gate electrode of the driving TFT DT is reset to the initializing voltage (Vinit). The initialization voltage Vinit is a voltage lower than the high potential power supply voltage EVDD and a voltage equal to or lower than the low potential power supply voltage EVSS or the low potential power supply voltage EVSS. The node N1 is supplied with the high potential power supply voltage EVDD during the light emitting period C before the initializing period A and the node N1 during the initializing period A after the light emitting period C is floated. Therefore, the value of the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT, that is, the value of "Vinit-EVDD" may be smaller than the threshold voltage Vth of the driving TFT DT at the beginning of the initialization period A, The drive TFT DT can satisfy the turn-on condition. Therefore, a current can flow through the driving TFT DT during at least part of the initialization period A. [ However, the OLED does not emit light because the fourth switch TFT (T4) is turned off during the initialization period (A).
도 7a를 참조하면, 초기화 기간(A) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 제1 스위치 TFT(T1), 제2 스위치 TFT(T2), 및 제3 스위치 TFT(T3)가 턴 오프 된다. 또한, 오프 레벨(OFF)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 제4 스위치 TFT(T4), 제5 스위치 TFT(T5), 및 제7 스위치 TFT(T7)는 턴 오프 된다.Referring to FIG. 7A, the first switch TFT T1, the second switch TFT T2, and the third switch SW3 are turned on in accordance with the n-th scan signal SC (n) The TFT T3 is turned off. The fourth switch TFT T4, the fifth switch TFT T5 and the seventh switch TFT T7 are turned off in accordance with the nth emission signal EM (n) at the off level (OFF).
결과적으로, 표 1과 같이 초기화 기간(A) 동안 노드 N2의 전위는 초기화 전압(Vinit)이 되고, 노드 N1, 노드 N3, 및 노드 N4의 전위는 초기화 기간(A) 직전 구간인 발광 기간(C)의 전위로 유지되거나 발광 기간(C)의 전위로부터 점차 낮아지게 된다. 표 1은 계산을 용이하게 하기 위해 이상적인 경우의 값을 정리한 것으로써, 실제 측정값은 표 1과 다소 차이가 날 수 있음은 당업자로부터 쉽게 이해될 수 있을 것이다.As a result, the potential of the node N2 becomes the initializing voltage (Vinit) during the initializing period A and the potentials of the nodes N1, N3, and N4 are set to the light emitting period C ) Or gradually decreases from the potential of the light emission period (C). Table 1 summarizes the ideal case values in order to facilitate the calculation, and it will be easily understood by those skilled in the art that the actual measured values may be slightly different from those in Table 1.
도 7b를 참조하면, 보상 기간(B) 동안 온 레벨(ON)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 응답하여 제1 스위치 TFT(T1), 제2 스위치 TFT(T2) 및 제3 스위치 TFT(T3)가 턴 온 된다. 7B, in response to the n-th scan signal SC (n) of the ON level ON during the compensation period B, the first switch TFT T1, the second switch TFT T2, The TFT T3 is turned on.
제2 스위치 TFT(T2)의 턴 온에 의해 노드 N1의 전위는 데이터 전압(Vdata)이 된다. 한편, 제1 스위치 TFT(T1)의 턴 온에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트전극과 드레인전극이 쇼트되어 구동 TFT(DT)가 다이오드 결선(Diode-connection)된다. 구동 TFT(DT)의 다이오드 결선에 의해 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)이 샘플링되어 노드 N2 및 노드 N3에 저장된다. 다르게 표현하면, 다이오드 결선 상태가 된 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 문턱 전압(Vth)에 도달한다. 따라서, 구동 TFT(DT)의 게이트 전압(Vg)은 "Vdata + Vth"이 된다. The potential of the node N1 becomes the data voltage (Vdata) by the turn-on of the second switch TFT (T2). On the other hand, the gate electrode and the drain electrode of the driving TFT DT are short-circuited by the turn-on of the first switch TFT T1, and the driving TFT DT is diode-connected. The threshold voltage Vth of the driving TFT DT is sampled by the diode connection of the driving TFT DT and stored in the node N2 and the node N3. In other words, the gate-source voltage Vgs of the driver TFT DT that is in the diode-connected state reaches the threshold voltage Vth. Therefore, the gate voltage Vg of the driving TFT DT becomes " Vdata + Vth ".
한편, 제3 스위치 TFT(T3)의 턴 온에 의해 노드 N4의 전위는 초기화 전압(Vinit)이 된다. 이에 따라, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장되는 전위값은 "Vdata + Vth - Vinit"가 된다.On the other hand, the potential of the node N4 becomes the initializing voltage (Vinit) by turning on the third switch TFT (T3). Accordingly, the potential value stored in the storage capacitor Cst becomes " Vdata + Vth - Vinit ".
도 7b를 참조하면, 보상 기간(B) 동안 오프 레벨(OFF)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 제4 스위치 TFT(T4), 제5 스위치 TFT(T5), 및 제7 스위치 TFT(T7)가 턴 오프 된다. 그리고, 오프 레벨(OFF)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 오프 된다. 7B, the fourth switch TFT T4, the fifth switch TFT T5, and the seventh switch TFT T5 are turned ON and OFF according to the nth emission signal EM (n) at the off level (OFF) during the compensation period (B) The switch TFT T7 is turned off. Then, the sixth switch TFT T6 is turned off in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1) of the off level (OFF).
결과적으로, 표 1과 같이 보상 기간(B) 동안 노드 N1의 전위는 데이터 전압(Vdata)이 되고, 노드 N2 및 노드 N3의 전위는 "Vdata + Vth"가 되고, 노드 N4의 전위는 초기화 전압(Vinit)이 된다.As a result, the potential of the node N1 becomes the data voltage (Vdata) during the compensation period (B), the potentials of the nodes N2 and N3 become " Vdata + Vth ", and the potential of the node N4 becomes the initialization voltage Vinit).
도 7c를 참조하면, 발광 기간(C) 동안 온 레벨(ON)의 제n 에미션 신호(EM(n))에 응답하여 제4 스위치 TFT(T4), 제5 스위치 TFT(T5), 및 제7 스위치 TFT(T7)가 턴 온 된다. 또한, 오프 레벨(OFF)의 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 제1 스위치 TFT(T1), 제2 스위치 TFT(T2), 및 제3 스위치 TFT(T3)가 턴 오프 되고, 오프 레벨(OFF)의 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 제6 스위치 TFT(T6)가 턴 오프 된다. 7C, the fourth switch TFT T4, the fifth switch TFT T5, and the fifth switch TFT T5 are turned on in response to the nth emission signal EM (n) of the ON level ON during the light emission period C, 7 switch TFT (T7) is turned on. The first switch TFT T1, the second switch TFT T2 and the third switch TFT T3 are turned off in accordance with the n-th scan signal SC (n) at the off level (OFF) The sixth switch TFT T6 is turned off according to the (n-1) th scan signal SC (n-1) of the level (OFF).
도 7c를 참조하면, 제5 스위치 TFT(T5) 및 제7 스위치 TFT(T7)의 턴 온에 의해 노드 N1 및 노드 N4에는 고전위 전원 전압(EVDD)이 인가된다. 한편, 발광 기간(C) 동안 노드 N2는 플로팅(Floating) 되고, 이에 따라 스토리지 커패시터(Cst)를 통해 노드 N4의 전위 변화분이 노드 N2에 커플링된다. 다르게 설명하면, 발광 기간(C) 동안의 노드 N2 및 노드 N4 전위의 차이값은 보상 기간(B) 동안 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전위값과 동일하다. 즉, 발광 기간(C) 동안의 스토리지 커패시터(Cst) 양단의 전압차는 보상 기간(B) 동안의 스토리지 커패시터(Cst) 양단의 전압차와 동일하도록 유지된다. 따라서, 발광 기간(C) 동안 구동 TFT(DT)의 게이트 전압(Vg)은 "Vdata + Vth - Vinit + EVDD"이 된다. Referring to Fig. 7C, the node N1 and the node N4 are supplied with the high potential power supply voltage EVDD by the turn-on of the fifth switch TFT T5 and the seventh switch TFT T7. On the other hand, during the light emission period C, the node N2 floats, so that the potential change of the node N4 through the storage capacitor Cst is coupled to the node N2. In other words, the difference value between the node N2 and the node N4 potential during the light emission period (C) is equal to the potential value stored in the storage capacitor (Cst) during the compensation period (B). That is, the voltage difference across the storage capacitor Cst during the light emission period C is maintained to be equal to the voltage difference across the storage capacitor Cst during the compensation period B. [ Therefore, the gate voltage Vg of the driving TFT DT during the light emission period C becomes " Vdata + Vth - Vinit + EVDD ".
이를 통해, OLED의 구동 전류량을 결정하는 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압(Vgs)이 설정된다. 이 때, OLED에는 아래의 수학식 1과 같은 구동 전류(Ioled)가 흐르게 된다. Through this, the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT) for determining the driving current amount of the OLED is set. At this time, the driving current Ioled as shown in the following
[수학식 1][Equation 1]
여기서, K는 구동 TFT(DT)의 이동도, 채널비, 기생 용량 등에 의해 결정되는 상수값이고, Vth는 구동 TFT(DT)의 문턱 전압이다. Here, K is a constant value determined by the mobility of the driving TFT DT, the channel ratio, the parasitic capacitance, and the like, and Vth is the threshold voltage of the driving TFT DT.
수학식 1에서 알 수 있는 바와 같이, OLED의 구동 전류(Ioled)가 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)에 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예는 구동 시간의 증가에 따라 문턱 전압(Vth)이 달라지더라도 화면 전체에서 화소들의 휘도와 색감을 균일하게 할 수 있다. As can be seen from the expression (1), the driving current Ioled of the OLED is not influenced by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT. Therefore, in the embodiment of the present invention, even if the threshold voltage (Vth) is changed according to the increase of the driving time, the brightness and color of the pixels can be made uniform throughout the screen.
또한, 수학식 1에서 알 수 있는 바와 같이, OLED의 구동 전류(Ioled)는 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)뿐만 아니라 고전위 전원전압(EVDD)에도 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 본 발명의 실시예는 구동 시간의 증가에 따른 고전위 전원전압(EVDD)의 변화 또는 위치에 따라 고전위 전원전압(EVDD)의 편차가 발생하더라도 화면 전체에서 화소들의 휘도와 색감을 균일하게 할 수 있다. 아울러, 제1 전원 라인(17)의 저저항 설계 없이나 제1 전원 라인(17)을 메쉬(mesh) 형태로 구성하지 않고도 화면 전체에서 화소들의 휘도와 색감을 균일하게 할 수 있다.Further, as can be seen from the equation (1), the driving current Ioled of the OLED is not affected by not only the threshold voltage Vth of the driving TFT DT but also the high potential power supply voltage EVDD. Therefore, even if a variation in the high-potential power supply voltage EVDD occurs according to the change or position of the high-potential power supply voltage EVDD as the driving time increases, the brightness and color of the pixels are uniformly distributed over the entire screen can do. In addition, the brightness and color tone of the pixels can be uniformed over the entire screen without the need of a low-resistance design of the
이에 의해, 본 발명은 화소 크기가 작은 고해상도 패널에서 균일한 화질을 구현하는데 매우 유리하다. 그리고, 본 발명은 휘도 및 화질이 향상된 대화면의 패널을 제공할 수 있는 효과가 있다. Thus, the present invention is very advantageous for realizing a uniform image quality in a high-resolution panel having a small pixel size. Further, the present invention is effective in providing a large-sized panel having improved luminance and image quality.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.
10 : 표시패널
11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 소스 드라이버
13 : 게이트 드라이버10: Display panel 11: Timing controller
12: Source driver 13: Gate driver
Claims (12)
제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는,
노드 N1, 노드 N2, 및 노드 N3에 각각 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극이 접속된 구동 TFT(DT);
상기 노드 N1과 상기 노드 N3 사이에 접속되며, 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제1 스위치 TFT(T1);
상기 제3 라인(14)과 상기 노드 N1 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제2 스위치 TFT(T2);
노드 N4와 상기 제2 라인(16) 사이에 접속되며, 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 스위칭되는 제3 스위치 TFT(T3);
상기 노드 N3과 발광 다이오드 사이에 접속되며, 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제4 스위치 TFT(T4); 및
상기 노드 N2와 상기 노드 N4 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하고,
상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 샘플링하기 위한 보상 기간(B)에서, 상기 제1 스위치 TFT(T1), 상기 제2 스위치 TFT(T2), 및 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 온 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 온 되고, 상기 제4 스위치 TFT(T4)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되는 표시장치.A plurality of pixels PXL are connected to the first line 17 to which the first voltage is supplied, the second line 16 to which the second voltage is supplied, and the third line 14 to which the data voltage Vdata is supplied And a display panel (10) connected thereto,
Each pixel PXL arranged in the nth horizontal pixel line Ln is connected to the n-
A driver TFT (DT) having a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode connected to the node N1, the node N2, and the node N3, respectively;
A first switch TFT (T1) connected between the node N1 and the node N3 and switched according to an n-th scan signal SC (n);
A second switch TFT (T2) connected between the third line (14) and the node N1 and switched in accordance with the n-th scan signal SC (n);
A third switch TFT (T3) connected between the node N4 and the second line (16) and switched in accordance with the n-th scan signal (SC (n));
A fourth switch TFT (T4) connected between the node N3 and the light emitting diode and switched according to the nth emission signal EM (n); And
And a storage capacitor (Cst) connected between the node (N2) and the node (N4)
The first switch TFT T1, the second switch TFT T2 and the third switch TFT T3 in the compensation period B for sampling the threshold voltage Vth of the drive TFT DT. Is turned on in response to the n-th scan signal SC (n) of the on level and the fourth switch TFT T4 is turned off in accordance with the n-th emission signal EM (n) of the off level Display device.
상기 표시패널(10)에는, 상기 제n 수평 화소 라인(Ln)에 이웃하며 상기 제n 스캔 신호(SC(n))보다 위상이 앞선 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))가 입력되는 제n-1 수평 화소 라인(Ln)이 배치되고,
상기 제n 수평 화소 라인(Ln)에 배치된 각 화소(PXL)는,
상기 노드 N1과 상기 제1 라인(17) 사이에 접속되며, 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제5 스위치 TFT(T5);
상기 노드 N2와 상기 제2 라인(16) 사이에 접속되며, 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 스위칭되는 제6 스위치 TFT(T6); 및
상기 노드 N1과 상기 노드 N4 사이에 접속되며, 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 스위칭되는 제7 스위치 TFT(T7)를 더 포함하는 표시장치.The method according to claim 1,
1) th scan signal SC (n-1) neighboring the nth horizontal pixel line Ln and having a phase earlier than the nth scan signal SC (n) is supplied to the display panel 10 The (n-1) th horizontal pixel line Ln to be input is arranged,
Each pixel PXL arranged in the nth horizontal pixel line Ln is connected to the n-
A fifth switch TFT (T5) connected between the node N1 and the first line (17) and switched according to the nth emission signal EM (n);
A sixth switch TFT (T6) connected between the node N2 and the second line (16) and switched in accordance with the (n-1) th scan signal (SC (n-1)); And
And a seventh switch TFT (T7) connected between the node N1 and the node N4 and switched in accordance with the nth emission signal EM (n).
상기 보상 기간(B)에서,
상기 제5 스위치 TFT(T5) 및 상기 제7 스위치 TFT(T7)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제6 스위치 TFT(T6)는 오프 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 오프 되는 표시장치.3. The method of claim 2,
In the compensation period (B)
The fifth switch TFT T5 and the seventh switch TFT T7 are turned off according to the nth emission signal EM (n) at the off level, and the sixth switch TFT T6 is turned off (N-1) th scan signal SC (n-1) of the first scan signal.
상기 보상 기간(B)에 앞서 상기 노드 N2를 초기화하기 위한 초기화 기간(A)에서,
상기 제1 스위치 TFT(T1), 상기 제2 스위치 TFT(T2), 및 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 오프 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제4 스위치 TFT(T4), 상기 제5 스위치 TFT(T5), 및 상기 제7 스위치 TFT(T7)는 오프 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 오프 되며, 상기 제6 스위치 TFT(T6)는 온 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 온 되는 표시장치.3. The method of claim 2,
In the initialization period (A) for initializing the node N2 prior to the compensation period (B)
The first switch TFT (T1), the second switch TFT (T2), and the third switch TFT (T3) are turned off according to the n-th scan signal SC (n) The fourth switch TFT T4, the fifth switch TFT T5 and the seventh switch TFT T7 are turned off according to the nth emission signal EM (n) at the off level, And the switch TFT T6 is turned on in accordance with the (n-1) th scan signal SC (n-1) of the on level.
상기 보상 기간(B)에 이어 상기 발광 다이오드를 발광시키기 위한 발광 기간(C)에서,
상기 제1 스위치 TFT(T1), 상기 제2 스위치 TFT(T2), 및 상기 제3 스위치 TFT(T3)는 오프 레벨의 상기 제n 스캔 신호(SC(n))에 따라 턴 오프 되고, 상기 제4 스위치 TFT(T4), 상기 제5 스위치 TFT(T5), 및 상기 제7 스위치 TFT(T7)는 온 레벨의 상기 제n 에미션 신호(EM(n))에 따라 턴 온 되며, 상기 제6 스위치 TFT(T6)는 오프 레벨의 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))에 따라 턴 오프 되는 표시장치.3. The method of claim 2,
In the light emission period (C) for causing the light emitting diode to emit light following the compensation period (B)
The first switch TFT (T1), the second switch TFT (T2), and the third switch TFT (T3) are turned off according to the n-th scan signal SC (n) The fourth switch TFT T4, the fifth switch TFT T5 and the seventh switch TFT T7 are turned on in accordance with the nth emission signal EM (n) of the on level, And the switch TFT T6 is turned off according to the (n-1) th scan signal SC (n-1) of the off level.
상기 발광 기간(C)에서 상기 발광 다이오드에 흐르는 전류는,
상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화와 상기 제1 전압의 변화에 무관한 표시장치.6. The method of claim 5,
The current flowing in the light emitting diode in the light emission period (C)
And is independent of a change in a threshold voltage of the driving TFT (DT) and a change in the first voltage.
상기 발광 기간(C)에서 상기 발광 다이오드에 흐르는 전류는,
상기 구동 TFT(DT)의 문턱전압 변화와 상기 제2 전압의 변화에 무관한 표시장치.6. The method of claim 5,
The current flowing in the light emitting diode in the light emission period (C)
And is independent of a change in a threshold voltage of the drive TFT (DT) and a change in the second voltage.
상기 발광 기간(C)에서 상기 발광 다이오드에 흐르는 전류는,
상기 데이터전압(Vdata)과 상기 제2 전압과의 차이의 제곱근에 비례하는 표시장치.6. The method of claim 5,
The current flowing in the light emitting diode in the light emission period (C)
And is proportional to a square root of a difference between the data voltage (Vdata) and the second voltage.
상기 제n 스캔 신호(SC(n))와 상기 제n-1 스캔 신호(SC(n-1))는 펄스 폭이 동일한 표시장치.3. The method of claim 2,
Wherein the nth scan signal SC (n) and the (n-1) th scan signal SC (n-1) have the same pulse width.
다수의 제1 출력 노드들을 통해 다수의 스캔 신호들을 출력하고, 다수의 제2 출력 노드들을 통해 다수의 에미션 신호들을 출력하는 게이트 드라이버를 더 구비하고,
상기 제1 출력 노드들 중 어느 하나와 상기 제2 출력 노드들 중 어느 하나를 포함한 2개의 출력 노드들이 매 수평 화소 라인에 연결되는 표시장치.3. The method of claim 2,
Further comprising a gate driver for outputting a plurality of scan signals through a plurality of first output nodes and outputting a plurality of emission signals through a plurality of second output nodes,
Wherein two output nodes including any one of the first output nodes and the second output nodes are connected to each horizontal pixel line.
상기 제1 출력 노드들 각각은 이웃한 2개의 수평 화소 라인들에 공통으로 연결되는 표시장치.11. The method of claim 10,
Wherein each of the first output nodes is connected in common to two neighboring horizontal pixel lines.
상기 제1 전압은 고전위 전원전압(EVDD)이며, 상기 제2 전압은 초기화 전압(Vinit)인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first voltage is a high potential power supply voltage (EVDD) and the second voltage is an initialization voltage (Vinit).
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2018
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