KR20180131127A - 황색 형광체 필름 제조방법 - Google Patents

황색 형광체 필름 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시 예는, 알루미늄을 포함하는 기판의 일면을 가공하는 단계; 상기 일면이 가공된 기판상에 세슘(Ce)이 혼합된 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 단계; 및 상기 기판을 가열하여 상기 용액을 건조시켜 필름을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 필름은 상기 기판의 알루미늄이 확산되어 Y3Al5O12:Ce의 조성을 갖는 황색 형광체 필름 제조방법을 개시한다.

Description

황색 형광체 필름 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING YELLOW PHOSPHOR FILM}
실시 예는 황색 형광체 필름 제조방법에 관한 것이다.
일반적인 백색 발광장치는 고휘도의 청색 단파장 발광 다이오드에서 방출되는 높은 여기 에너지를 갖는 빛이 황색 형광체를 여기시켜 황색 영역의 빛을 방출시킴으로서 전체적으로 백색 발광을 유도하는 방법이다. 이때 형광체를 도포하는 방식은 에폭시와 형광체의 혼합 비율의 균일성 및 재현성 등의 어려움을 겪고 있다.
종래의 백색 발광장치는 수지를 많이 사용하고 있기 때문에, 고출력이나 파장이 짧은 발광소자를 사용하면 수지가 열화되는 문제가 있었다. 이러한 열화에 의해 변색 및 발광효율의 감소가 발생한다. 이러한 이유로 최근 개발되는 고출력의 발광소자를 이용한 발광장치에 적용이 어려운 문제가 있다.
실시 예는 열에 대한 발광 안정성을 확보할 수 있는 형광체 필름 제조방법을 제공한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급된 과제에 국한되지 않으며 여기서 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 황색 형광체 필름 제조방법은, 알루미늄을 포함하는 기판의 일면을 가공하는 단계; 상기 일면이 가공된 기판상에 세슘(Ce)이 혼합된 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 단계; 및 상기 기판을 가열하여 상기 용액을 건조시켜 필름을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 필름은 상기 기판의 알루미늄이 확산되어 Y3Al5O12:Ce의 조성을 갖는다.
상기 필름을 형성하는 단계는, 상기 기판을 1650℃ 내지 1900℃의 온도로 가열할 수 있다.
상기 기판의 일면을 가공하는 단계는, 상기 기판을 300℃의 표면처리용액에 10분간 침지하여 일면을 식각하고, 상기 표면처리용액은 H2SO4와 H3PO4을 혼합할 수 있다.
상기 표면처리용액은 H2SO4와 H3PO4가 3:1 비율로 혼합될 수 있다.
상기 필름을 형성하는 단계는, 상기 기판을 가압 소결로에 장입하여 진공을 형성하고, 소결로에 질소 가스를 주입하여 5bar 내지 10bar의 압력하에서 1650℃ 내지 1900℃의 온도로 열처리할 수 있다.
상기 일면을 가공하는 단계는, 상기 기판의 일면에 200nm 내지 400nm의 직경과 500nm 내지 1000nm의 깊이를 갖는 홀을 복수 개 형성하고, 상기 필름은 상기 홀에 삽입되는 복수 개의 돌기를 포함할 수 있다.
실시 예에 따르면, 고출력의 발광소자에 의해 발생되는 열에 대한 내구성을 향상시키고, 고출력시 발생하는 열화에 의한 변색 및 발광효율 감소를 방지할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 형광체 필름 제조방법의 순서도이고,
도 2a는 기판의 일면을 가공하는 방법을 보여주는 도면이고,
도 2b는 기판의 표면처리한 경우와 하지 않은 경우 발광 강도를 측정한 그래프이고,
도 3은 도 2의 변형예이고,
도 4는 기판의 일면에 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 5는 기판을 가열시 알루미늄이 확산되는 과정을 보여주는 도면이고,
도 6은 필름 합성 온도에 따른 발광 스펙트럼이고,
도 7은 필름 합성 온도에 따른 여기 스펙트럼이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 형광체 필름이 백색광을 구현하는 과정을 보여주는 도면이고,
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 형광체 필름 제조방법의 순서도이고, 도 2a는 기판(11)의 일면(11a)을 가공하는 방법을 보여주는 도면이고, 도 2b는 기판(11)의 표면처리한 경우와 하지 않은 경우 발광 강도를 측정한 그래프이고, 도 3은 도 2의 변형예이다.
도 1을 참조하면, 실시 예에 따른 형광체 필름 제조방법은 알루미늄을 포함하는 기판(11)의 일면(11a)을 가공하는 단계(S11), 상기 일면(11a)이 가공된 기판(11)상에 세슘(Ce)이 혼합된 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 단계(S12), 및 상기 기판(11)을 가열하여 상기 용액을 건조시켜 필름을 형성하는 단계(S13)를 포함한다.
도 2a를 참조하면, 기판(11)의 일면(11a)을 가공하는 단계는 기판(11)의 일면(11a)을 불규칙하게 가공함으로써 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
기판(11)은 알루미늄을 포함하는 다양한 종류의 기판(11)이 적용될 수 있다. 예시적으로 기판(11)은 사파이어(Al2O3)기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 기판(11)은 AlN, AlGaN 기판 등이 모두 사용될 수도 있다.
기판(11)의 두께는 300㎛ 내지 900㎛일 수 있다. 기판(11)의 두께가 900㎛보다 두꺼운 경우, 기판(11)이 충분히 가열되지 않아 알루미늄의 확산이 저하되는 문제가 있으며, 두께가 300㎛보다 작은 경우 쉽게 크랙이 발생하는 문제가 있다.
실시 예에 따르면 표면처리용액을 이용하여 기판(11)의 일면(11a)을 가공할 수 있다. 사파이어 기판(11)은 화학적으로 안정하여 일반적인 산이나 염기에는 식각이 되지 않는 특성을 갖기 때문에 소수의 특정한 식각액을 사용할 수 있다.
예시적으로 표면처리용액은 인산(H3PO4), 인산과 수산화칼륨(KOH) 혼합액, 오산화바나듐(V2O5), 무수염(Na2B4O7), 황산(H2SO4), 황산인산 혼합액을 포함할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 이하에서는 인산(H3PO4)과 황산(H2SO4)을 3:1로 혼합한 용액으로 설명한다.
구체적으로, H2SO4와 H3PO4을 혼합한 표면처리용액에 기판(11)을 10분간 침지하여 식각할 수 있다. 일면(11a)의 거칠기가 증가하는 경우 기판(11)의 알루미늄의 확산이 촉진되어 알루미늄이 용이하게 확산될 수 있다.
또한, 일면(11a)의 거칠기가 증가하여 필름의 광 손실이 감소할 수 있다. 예시적으로 기판에 필름을 형성시 내부 전반사로 인해 발광이 측면으로 빠져나가 광 손실이 발생할 수 있다. 그러나, 실시 예에 따르면, 표면처리를 통해 형광체 필름에 요철이 형성되므로 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 따라서, 발광강도가 향상될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 기판(11)의 일면(11a)을 식각 후 필름을 형성한 경우 식각을 하지 않은 필름보다 발광 강도가 2배 이상 우수한 것을 확인할 수 있다. 이는 기판(11)의 요철에 의해 광 추출 효율이 향상되었기 때문이다.
도 3을 참조하면, 기판(11)의 일면에 복수 개의 홀(11b)을 형성할 수도 있다. 복수 개의 홀(11b)은 직경이 200nm 내지 400nm일 수 있고, 깊이가 500nm 내지 1000nm일 수 있다. 복수 개의 홀(11b) 사이의 거리는 400nm 내지 500nm일 수 있다.
복수 개의 홀(11b)을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않는다. 예시적으로 마스크를 이용하여 노출된 부분에 식각 용액이 접촉하여 홀(11b)을 형성할 수도 있고, 레이저를 이용하여 홀(11b)을 형성할 수도 있다. 홀(11b)의 간격은 불규칙할 수도 있고 규칙적일 수도 있다. 형광체 필름은 홀(11b)의 내부에 충진된 후 경화된 돌기가 형성될 수 있다.
예시적으로 인산(phosphoric acid)을 전해질로 사용해서 150V 내지 200V 전압을 1시간 내지 2시간동안 인가하여 양극산화 공정을 수행할 수 있다. 이러한 양극산화 공정을 통해 복수 개의 홀(11b)을 형성할 수 있다 (Anodic aluminum oxide, AAO).
그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 기판(11)의 가공 방법은 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 패턴화된 기판(PSS)를 이용하여 필름을 제작할 수도 있다. 또한, RF 플라즈마를 이용하여 10-2 내지 10-3 torr의 진공에서 약 30분에서 60분간 산소 플라즈마 처리를 수행할 수도 있다.
도 4는 기판의 일면에 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 5는 기판을 가열시 알루미늄이 확산되는 과정을 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 용액을 도포하는 단계는, 일면(11a)이 가공된 기판(11)상에 세슘(Ce)이 혼합된 이트리아(Y2O3) 용액을 도포할 수 있다. 코팅층(12)은 이트리아(Y2O3) 분말에 세슘 분말(CeO2)을 혼합하여 제조할 수 있다. 용매는 이트리아(Y2O3) 분말, 세슘 분말(CeO2)이 용해될 수 있는 다양한 종류의 용매가 선택될 수 있다. 예시적으로 용매는 톨루엔일 수 있다.
이때, 세슘의 함량을 조절함으로써 최종 형광체 필름의 세슘의 도핑량을 조절할 수 있다. 또한, 용액의 도포량을 조절함으로써 최종 필름의 두께를 자유롭게 조절할 수 있는 장점이 있다.
도 5를 참조하면, 필름을 형성하는 단계는 기판(11)을 가열하여 형광체 필름(13)을 제작할 수 있다. 기판(11) 가열시 기판(11)의 함유된 알루미늄이 확산되어 필름은 Y3Al5O12:Ce의 조성을 가질 수 있다.
종래에는 Y2O3 분말, Al2O3 분말, 및 CeO2 분말을 합성하여 Y3Al5O12:Ce의 조성을 갖는 황색 형광체를 제조하고, 에폭시에 형광체를 혼합하여 형광체 수지를 형성하였다. 그러나, 이러한 형광체 수지는 열에 쉽게 열화되는 문제가 있다. 또한, 형광체 필름을 제작하기 위해서는 합성된 형광체를 이용하여 다시 필름 제조 공정을 수반해야 하는 번거로움이 있다.
그러나, 실시 예에 따르면, 기판(11)에 일부 형광 물질을 포함하는 용액을 도포하고 건조시킴으로써 손쉽게 필름을 제작할 수 있다.
기판의 가열 방법은 기판(11)을 가압 소결로에 장입하여 진공을 형성하고, 소결로에 질소 가스를 주입하여 10-4 내지 10-5 torr의 압력을 유지한 후, 1650℃ 내지 1900℃의 온도로 열처리할 수 있다. 이 경우 기판(11) 내부의 온도가 상승하여 기판(11)의 알루미늄이 필름(13) 내부로 확산될 수 있다.
이 경우 코팅층은 열 확산에 의해 형광체 필름(13)으로 합성되고, 코팅되지 않은 기판(11)의 타면은 AlN층(11c)이 형성될 수 있다. AlN층(11c)은 사파이어에 비해 열 전도도가 높다. 예시적으로 사파이어의 열전도도는 40W/mK인 반면, AlN의 열전도도는 150 W/mㆍK 이상이다. 따라서, 형광체 필름에 인가되는 열은 AlN층(11c)을 통해 용이하게 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 필름의 내열성이 향상될 수 있다.
도 6은 필름 합성 온도에 따른 발광 스펙트럼이고, 도 7은 필름 합성 온도에 따른 여기 스펙트럼이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 기판(11)의 가열 온도가 1600℃보다 낮은 경우에 비해 가열 온도가 1800℃인 경우 발광 강도가 크게 향상되었음을 알 수 있다. 즉, 기판(11)의 가열온도가 1600℃보다 낮은 경우 기판(11)의 알루미늄이 필름에 잘 확산되지 않았음을 확인할 수 있다. 최대 가열 온도는 1900℃보다 작은 것이 바람직하다. YAG 형광체의 융점이 약 1950℃도 이므로 가열 온도가 1900℃보다 큰 경우 형광체가 용융될 수 있다. 따라서, 가열온도는 1650℃ 내지 1900℃가 바람직할 수 있다. 가열 온도가 1750℃ 내지 1900℃인 경우 알루미늄의 확산이 더욱 용이해질 수 있다.
실시 예에 따른 형광체 필름(13)은 기판(11)상에 제작 후 박리하지 않을 수 있다. 즉, 기판(11)이 형광체 필름(13)의 지지부재 역할을 수행할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 형광체 필름이 백색광을 구현하는 과정을 보여주는 도면이고, 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개념도이다.
도 8을 참조하면, 실시 예에 따른 형광 구조체(10)는 발광소자(100)에서 출사되는 청색 파장대의 광(L1)을 일부 흡수하여 황색 파장대의 광으로 변환할 수 있다. 형광 구조체가 발광하는 황색 파장대의 광과 발광소자(100)의 청색 파장대의 광이 혼합하여 백색광(L2)이 출력될 수 있다.
실시 예에 따른 형광 구조체(10)는 형광체 필름(13)과 기판(11)을 포함할 수 있다.
기판(11)은 알루미늄을 포함하는 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있다. 예시적으로 기판(11)은 사파이어(Al2O3)기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 기판(11)은 AlN, AlGaN 기판 등이 사용될 수도 있다.
형광체 필름(13)은 Y3Al5O12:Ce의 조성을 가질 수 있다. 형광체 필름(13)의 두께는 특별히 한정하지 않는다. 형광체 필름(13)은 청색광을 흡수하여 황색광을 발광할 수 있는 정도의 두께를 가질 수 있다.
형광체 필름(13)과 기판(11)사이의 계면에는 요철(13a)이 형성될 수 있다. 따라서, 발광소자(100)에서 입사된 광은 내부 전반사 없이 기판(11)의 외부로 출사될 수 있다. 즉, 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
발광소자(100)는 제1 도전형 반도체층(124), 활성층(126), 및 제2 도전형 반도체층(127)을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(124)은 제1 도전형 반도체층(124)은 Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(124)에 제1도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(124)은 Inx1Aly1Ga1 -x1- y1N(0≤x1≤1, 0≤y1≤1, 0≤x1+y1≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlGaN, InGaN, InAlGaN 등에서 선택될 수 있다. 그리고, 제1도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te와 같은 n형 도펀트일 수 있다. 제1도펀트가 n형 도펀트인 경우, 제1도펀트가 도핑된 제1 도전형 반도체층(124)은 n형 반도체층일 수 있다.
활성층(126)은 제1 도전형 반도체층(124)을 통해서 주입되는 전자(또는 정공)와 제2 도전형 반도체층(127)을 통해서 주입되는 정공(또는 전자)이 만나는 층이다. 활성층(126)은 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.
활성층(126)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물(Multi Quantum Well; MQW) 구조, 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나의 구조를 가질 수 있으며, 활성층(126)의 구조는 이에 한정하지 않는다.
제2 도전형 반도체층(127)은 활성층(126) 상에 형성되며, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(127)에 제2도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(127)은 Inx5Aly2Ga1 -x5- y2N (0≤x5≤1, 0≤y2≤1, 0≤x5+y2≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질 또는 AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 중 선택된 물질로 형성될 수 있다. 제2도펀트가 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등과 같은 p형 도펀트인 경우, 제2도펀트가 도핑된 제2 도전형 반도체층(127)은 p형 반도체층일 수 있다.
도 9를 참조하면, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티(1a)를 갖는 몸체(1), 몸체(1)에 배치되는 리드 프레임(2a, 2b), 리드 프레임(2a, 2b)에 전기적으로 연결되는 발광소자(100), 및 발광소자(100)의 상부에 배치되는 형광 구조체(10)를 포함할 수 있다.
몸체(1)는 수지 재질로 제작될 수 있으며, 내부에 리드 프레임(2a, 2b)을 일부 노출시키는 캐비티(1a)를 포함할 수 있다.
발광소자(100)는 리드 플레임(2a, 2b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 발광소자(100)는 제1전극(142)과 제2전극(146)이 와이어로 연결되는 수평형 구조를 예시하였으나 발광소자(100)의 구조는 다양하게 변형될 수 있다. 예시적으로 발광소자(100)는 플립칩일 수도 있다.
제1전극(142)과 제2전극(146)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
형광 구조체(10)는 형광체 필름(13)과 기판(11)을 포함할 수 있다.
형광체 필름(13)은 Y3Al5O12:Ce의 조성을 가질 수 있다. 형광체 필름(13)은 발광소자(100)에서 출사된 광을 백색광으로 변환할 수 있다.
기판(11)은 알루미늄을 포함하는 다양한 종류의 기판(11)이 적용될 수 있다. 예시적으로 기판(11)은 사파이어(Al2O3)기판일 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 기판(11)은 AlN, AlGaN 기판 등이 사용될 수도 있다. 기판(11)은 발광소자(100) 패키지의 투명 커버로 기능할 수 있다. 따라서, 기판(11)은 충분한 투광성을 갖기 위해 두께는 300㎛ 내지 900㎛가 바람직할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (6)

  1. 알루미늄을 포함하는 기판의 일면을 가공하는 단계;
    상기 일면이 가공된 기판상에 세슘(Ce)이 혼합된 이트리아(Y2O3) 용액을 도포하는 단계; 및
    상기 기판을 가열하여 상기 용액을 건조시켜 필름을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 필름은 상기 기판의 알루미늄이 확산되어 Y3Al5O12:Ce의 조성을 갖는 황색 형광체 필름 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 필름을 형성하는 단계는,
    상기 기판을 1650℃ 내지 1900℃의 온도로 가열하는 황색 형광체 필름 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 일면을 가공하는 단계는,
    상기 기판을 300℃의 표면처리용액에 10분간 침지하여 일면을 식각하고,
    상기 표면처리용액은 H2SO4와 H3PO4을 혼합한 황색 형광체 필름 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 표면처리용액은 H2SO4와 H3PO4가 3:1 비율로 혼합된 황색 형광체 필름 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 필름을 형성하는 단계는,
    상기 기판을 가압 소결로에 장입하여 진공을 형성하고,
    상기 소결로에 질소 가스를 주입하여 10-4 내지 10-5 torr의 압력하에서 1650℃ 내지 1900℃의 온도로 열처리하는 황색 형광체 필름 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 일면을 가공하는 단계는,
    상기 기판의 일면에 200nm 내지 400nm의 직경과 500nm 내지 1000nm의 깊이를 갖는 홀을 복수 개 형성하고,
    상기 필름은 상기 홀에 삽입되는 복수 개의 돌기를 포함하는 황색 형광체 필름 제조방법.
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