KR20180129820A - 잠열 축열기의 제조방법 및 잠열 축열기 - Google Patents

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KR20180129820A
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귄터 린
클라우스 라이저
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슝크 카르본 테히놀로기 게엠베하
슝크 코렌슈토프테크닉 게엠베하
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Abstract

본 발명은, 그래파이트계 출발 물질의 팽창에 의한, 팽창된 그래파이트의 잠열 축열기의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 상기 그래파이트계 출발 물질이, 상기 잠열 축열기의 네거티브 금형에 적어도 구역별로(in sections) 상응하는 금형 내로 도입되고, 상기 그래파이트계 출발 물질이 폐쇄된 금형 내에서 후속적으로 팽창됨을 특징으로 한다.

Description

잠열 축열기의 제조방법 및 잠열 축열기
본 발명은, 그래파이트계 출발 물질을 팽창시켜 제조되는 성형체 내로 상 변화 물질이 도입되는, 잠열 축열기의 제조방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 잠열 축열기에 관한 것이다.
잠열 축열기는, 주로 고체/액체 상 변화 또는 그 반대가 사용되는 저장 매체의 열역학적 상태 변화를 사용한다.
EP 1 837 617 B1은, 상 변화 물질과 박리된 그래파이트 물질과의 혼합물을 등압 프레싱하여 제조된 성형체를 갖는 잠열 축열기를 개시한다.
최적의 효과를 달성하기 위해, 상 변화 물질과 박리된 그래파이트와의 다양한 혼합물이, 예를 들어 DE 102 50 249 A1 또는 EP 1 416 027 B1에 개시된 바와 같이 공지되어 있다.
EP 1 416 027 B1에 따르면, 성형체 내로 프레싱되는, 상 변화 물질과 미립자 팽창된 그래파이트와의 혼합물을 사용하여 잠열 축열기를 제조한다.
WO 2013/153067 A1에 따르면, 상 변화 물질이 함침된 프레싱된 그래파이트 플레이트를 사용하여 잠열 축열기를 제조한다.
팽창된 그래파이트는 통상적으로, 먼저 프레싱되어 성형체를 형성한 뒤, 상 변화 물질이 침투된다. 그러나, 먼저, 팽창된 그래파이트와 상 변화 물질을 혼합하고, 후속적으로, 생성되는 혼합물을 가압하에 성형하여 성형체를 형성하는 것도 가능하다(예를 들어, EP 1 416 027 B1 참조).
이러한 복합 기하 구조의 팽창된 성형체의 제조는 빈번하게 문제를 일으킨다.
상기 팽창된 그래파이트 물질의 프레싱은 팽창된 그래파이트 물질의 공극 용적 및 채널 경로를 변화시키며, 이는 성형 후, 상 변화 물질의 침투가 필요한 정도 또는 원하는 정도로 발생하지 않는다는 단점을 가질 수 있다.
본 발명은, 상기 언급된 유형의 방법 및 잠열 축열기를, 제조될 원하는 기하 구조의 성형체를 쉽게 제공할 수 있는 방식으로 개선하고자 하는 과제에 기초한다. 또 다른 측면에 따라, 상기 침투는 상기 성형에 의해 부정적으로 영향을 받지 않아야 한다.
이러한 과제를 해결하기 위해, 주로 다음이 제안된다:
- 그래파이트계 출발 물질을 금형에 도입하는 것,
- 상기 금형을 폐쇄하는 것,
- 열 도입에 의해 상기 그래파이트계 출발 물질을 팽창시키는 것으로서, 여기서, 상기 그래파이트계 출발 물질이 도입되기 전 또는 후에, 상기 금형을 가열하거나, 팽창에 필요한 에너지를 상기 그래파이트계 출발 물질 내로 직접 도입하는, 열 도입에 의해 상기 그래파이트계 출발 물질을 팽창시키는 것,
- 상기 성형체가 형성된 후에 상기 상 변화 물질을 도입하는 것.
최신 기술을 무시하고, 팽창될 그래파이트계 출발 물질을 성형체의 형상을 사전결정하는 금형 내에서 팽창시킨다. 따라서, 그래파이트계 출발 물질, 특히 그래파이트 염을 팽창시킨 후의 가압 성형이 요구되지 않으며, 공극률 및/또는 상기 팽창된 물질 내에서 뻗어가는(running) 채널에 대해 변화를 일으키지 않는 효과를 갖는다. 이는 잠열 축열기의 제조시 상 변화 물질의 침투와 관련하여 이점을 갖는다.
이는 최신 기술에 비해 보다 균일한 압축 및 균질한 공극 구조를 생성시키기 때문에, 단면의 현저한 변화를 갖는 콤포넌트들에 대하여 특히 유리하다.
팽창될 그래파이트계 출발 물질 내로 필요한 열을 도입하기 위해, 상기 그래파이트계 출발 물질이 도입되기 전에 금형이 가열될 수 있다.
또 다른 가능성은, 그래파이트계 출발 물질을 금형 내로 도입하고, 후속적으로, 상기 그래파이트계 출발 물질을 팽창시키는데 필요한 온도로 상기 금형을 가열하는 것이다.
다르게는 또는 추가로, 그래파이트계 출발 물질의 팽창에 필요한 에너지가 이러한 물질에 직접 도입될 수 있다.
특히, 상기 금형을 전기 가열로, 가스 가열로 또는 오일 가열로에 배치할 수 있다. 유도 전원에 의한 가열도 가능하다.
팽창에 필요한 에너지가 그래파이트계 출발 물질 내로 직접 도입되는 경우, 이러한 가열은 마이크로파를 사용하여 실시될 수 있다.
본 발명의 추가의 변형은, 사용되는 금형이, 다공성 금형으로서, 특히 탄화규소, 그래파이트, 세라믹, 소결된 금속으로 구성되거나 이들을 포함하는 다공성 금형이다. 환기 개구부를 갖고/갖거나 다공성 물질 또는 천공된 물질, 예를 들어 금속, 예를 들어 구리로 이루어진 금형이 사용될 수도 있다.
따라서, 그래파이트계 출발 물질이 가열되는 온도에 대해 내성인 모든 물질이 적합하다. 1,000℃까지의 온도는 쉽게 사용가능하다.
독립 기포 재료(closed-cell material)가 상기 금형에 사용되면, 관통 통로(through-passage)가 도입되어 팽창 동안 생성된 기체가 방출되게 한다. 이러한 개구부의 단면은 출발 물질의 입자의 결정립 크기보다 작다.
성형체가 형성된 후에, 상 변화 물질이 도입될 수 있다. 바람직하게는, 무 가압 모세관-유도 침투로 제공되며, 이는, 상 변화 물질이 어떠한 잔류물도 남기지 않고 성형체를 투과할 수 있는 최신 진공 가압 방법보다 유리하다. 한편, 진공 가압 방법을 사용하는 경우, 성형체의 표면 상에 제거되어야 하는 잔류물이 남아있는 것을 확인된다.
무가압 침투(모세관-유도 침투)에 있어서는, 액상 함침제가 저절로 다공체(porous body) 내로 투과하도록 부착력 및 모세관력이 사용된다.
예를 들어, 함침제를 함침시킬 성형체에 고체 형태로 배치하여 가열할 수 있다. 상기 함침제는 용융되어 상기 성형체 내로 투과한다.
강조될 추가의 변형은, 상 변화 물질이 도입되어 상기 성형체 내로 침투하도록 리세스를 갖는 성형체를 제조하는 것이다.
성형체를 액체 상 변화 물질에 배치하고/배치하거나 성형체를 상기 상 변화 물질과 부유식으로(floatingly) 접촉시켜, 상기 상 변화 물질을 도입할 수도 있다.
특히, 왁스와 같은 상 변화 물질이 성형체의 리세스 내에 충전되는 경우, 정밀한 투입(dosing)이 가능하다.
또한, 성형체의 침투 또는 함침은 높은 처리량이 달성될 수 있도록 연속로(continuous furnace)에서 실시될 수 있다.
이러한 연속 공정, 즉 연속로를 사용하는 동안에도 성형체가 제조될 수 있다.
성형체가 금형에서 제거된 후 여과가 실시된다.
바람직하게는, 0.1 내지 0.9g/ml, 특히 0.3 내지 0.8g/ml의 벌크 밀도를 갖는 그래파이트 염 형태의 그래파이트계 출발 물질이 사용되며, 0.7g/ml 범위의 벌크 밀도가 바람직하다.
출발 물질의 결정립 크기는 예를 들어, D10 = 130㎛, D50 = 240㎛, D90 = 360㎛의 분포를 가질 수 있다.
결정립의 80%가 150㎛ 미만의 치수를 갖는 경우에 우수한 결과가 달성될 수도 있다.
특히, 그래파이트 염의 결정립 크기는 D50 = 50 내지 400㎛이다.
본 발명의 교시에 따르면, 원하는 기하 구조의 성형체는, 금형 자체가 성형체의 원하는 기하 구조를 한정하기 때문에, 팽창 후, 통상적인 가공을 필요로 하지 않고 용이하게 제조될 수 있다. 따라서, 기하학적으로 복잡한 성형체가 제조될 수 있으며, 이는 최신 기술에 의해서는 가능하지 않았다.
또한, 본 발명은 성형체의 무가압 침투(모세관-유도 침투)를 제안하며, 따라서 성형체의 제조와는 독립적으로, 성형체의 리세스 내로 투입되어 도입되는 것 또는 상 변화 물질과의 부유식 접촉이 특히 강조될 것이다.
본 발명은 또한, 특히, 상기 설명된 공정 단계에 따라 제조된, 상 변화 물질이 침투된 성형체로 구성되는 잠열 저장 디바이스에 관한 것이다. 이와 관련하여, 내부에서 그래파이트계 출발 물질이 팽창되는 금형에 의한 성형, 및 무가압 모세관-유도 침투가 특히 강조된다.
특히, 상 변화 물질을 포함하지 않는 성형체는 64 내지 99.4%의 공극률을 갖는다.
또한, 성형체의 총 밀도(gross density)는 0.014 내지 0.79g/cm3이어야 한다.
성형체 중의, 팽창된 그래파이트계 출발 물질의 용적 분율 대 상 변화 물질의 용적 분율은 1:2 내지 1:10이어야 한다.
본 발명의 추가의 상세한 설명, 이점 및 특징적 구성은, 청구범위, 그 안에 개별적으로 그리고/또는 조합되어 개시된 특징적 구성들뿐만 아니라, 도면에 정의된 바람직한 양태에 대한 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도면에서,
도 1은 성형체를 제조하기 위한 금형의 개략도이고,
도 2는 성형체를 제조하기 위한 또 다른 금형의 개략도이다.
도 1은 잠열 축열기용 팽창 그래파이트 염 성형체를 생성하는 금형(10)의 개략도를 도시하며, 상기 금형(10)의 안쪽 부분(interior)(12)은 성형체의 외부 기하 구조를 한정한다.
예시적인 양태에서, 금형(12)은 하부 파트(14), 커버 파트(16), 및 이들 사이에서 연장되는, 예를 들어 중공 실린더 섹션일 수 있는, 주변 벽(18)으로 구성된다. 이와 독립적으로, 하부 파트(14), 커버 파트(16) 및 주변 벽(18)은, 생성될 성형품(molded part)의 형상에 따라 설계되는 바람직한 내부 기하 구조를 가질 수 있다.
정해진 양의 그래파이트 염이 안쪽 부분(12) 내로 도입된다.
통상적으로는, 매우 규칙적인 고도로 결정성인 천연 플레이크 그래파이트가 그래파이트 염을 생성하기 위해 사용된다. 이는 층간 삽입제(intercalation agent)에 의해 그래파이트 염으로 전환된다. 그래파이트 염은 열 충격 처리에 의해 팽창되거나 부풀어오른다. 이 과정 동안, 층간 삽입제가 빠져나온다. 그래파이트 플레이크는 팩터(factor) 400까지 이의 용적이 증가된다.
상기 처리는, 산을 사용하여, 그래파이트 층들 사이에 산성 라디칼, 예를 들어, 황산염 또는 질산염이 층간 삽입되도록 실시된다.
안쪽 부분(12)을 폐쇄한 후에, 금형(10)은, 그래파이트 염이 팽창될 수 있도록 그래파이트 염 내에 필요한 열을 도입하기 위해 로(furnace) 내에 배치되고, 팽창된 그래파이트 염은 금형(10)의 전체 안쪽 부분(12)을 충전한다.
도 2는, 팟(pot) 형상의, 하부 파트(102) 및 상부 파트(104)로 구성되는 금형(100)의 또 다른 개략도를 도시한다. 상기 단면도가 도시하는 바와 같이, 하부 파트(102) 및 상부 파트(104)는, U-형상의 단면을 가지며 생성될 팽창 그래파이트의 형상을 한정하는 안쪽 부분(112)을 한정한다. 성형품의 단면이 하부 면적에 비해 상부 엣지 영역에서 상당히 감소된다는 사실과는 무관하게, 팽창된 성형체의 균일한 압축 및 균질한 공극 구조가 본 발명의 교시에 기초하여 달성되며, 이에 따라 금형(100)으로 도입되는 그래파이트 염의 팽창 동안 성형이 실시되고, 또한 이에 따르면, 선행기술에서와 같이 가압하에서의 팽창 후에 조형이 달성되는 것이 아니다.
팽창된 성형체는, 팽창된 입자들이 부착력 및 기계적 앵커링(anchoring)(연동: interlocking)으로 인해 서로 부착되기 때문에 치수 안정성이 유지된다.
금형이 도 2에 도시된 것과 상응하는 최신 기술에 따라 생성되는 경우, 하부 영역에 비한 단면의 감소 및 그 결과 발휘되는 상이한 압력으로 인해, 상부 영역의 공극 구조 및 채널 단면에 대한 단점이 발생하며, 이는 성형체에 상 변화 물질이 침투될 때 해로운 영향을 갖는다.
전기 가열로, 가스 가열로 또는 오일 가열로를 사용하여 금형(10 또는 100) 내에 열을 도입할 수 있다. 유도 로(induction furnace)는 옵션이다. 그래파이트 염이 마이크로파에 의해 가열된다는 또 다른 가능성이 있다.
안쪽 부분(12, 112) 내로 도입될 그래파이트 염의 양은, 한편으로는 달성될 원하는 공극률에 따르며, 다른 한편으로 부풀음(bloating)으로도 알려진 팽창이 일어나는 온도에 따른다.
금형(10, 100)의 재료는 투과도(permeability)가, 인플레이션(inflation) 동안 추진 기체가 빠져나가는 것을 보장하도록 선택되어야 한다. 적합한 재료는 예를 들어, 탄화규소, 그래파이트, 세라믹 또는 소결된 금속과 같은 고유하게 다공성인 재료이다. 그러나, 천공된 금속도 옵션이다. 관통 통로가 그래파이트 염의 결정립 크기보다 작은 것이 필수적이다.
사용되는 그래파이트 염은 예를 들어, 0.1 내지 0.9g/ml 범위의 벌크 밀도를 갖는 그래파이트 염일 수 있다. 그래파이트 염의 결정립 크기 분포는, 예를 들어 D10 = 130㎛, D50 = 240㎛ 및 D90 = 360㎛일 수 있다. 그러나, 이 값들은 보호의 관점에서 제한하는 것으로 이해되어서는 안된다.
결정립의 80%가 150㎛ 미만의 치수를 갖는 경우 우수한 결과를 얻을 수 있다.
특히 산업적 제조에서, 성형체는 연속 공정으로 생산되어야 한다. 이러한 목적을 위해, 상응하는 금형들을 연속 로를 통해 공급할 수 있다.
그래파이트 염을 팽창시키고 금형(10, 100)을 냉각시킨 후, 상기한 바와 같이 안쪽 부분(12, 112)의 내부 기하 구조에 의해 한정된 소정의 기하학적 구조를 갖는 성형체가 제거된다. 후속적으로, 상기 성형체는 무가압 모세관-유도 침투에 의해 상 변화 물질(PCM: Phase Change Material)로 함침되거나 상기 물질이 침투되는 것이 바람직하다. 고체 상 변화 물질이 성형품에 도포되고, 이후에 예를 들어 최대 150℃의 온도 범위에서 용융되어 침투가 가능해질 수 있다. 또는, 성형체를 액체 상 변화 물질 욕에 액침시키거나, 성형체를 액체 상 변화 물질 내에 부유식으로 배치하여 무가압 모세관-유도 침투가 가능하게 할 수도 있다.
적절한 상 변화 물질은 특히, 60 내지 300℃, 특히 80 내지 150℃의 온도 범위에서 상 변화를 가능하게 하는 물질을 포함한다. 바람직한 물질은 왁스, 예를 들어 파라핀, 슈가, 알코올, 무기 염 또는 염 수화물이다.
상 변화 물질 대 팽창된 그래파이트 비는 10:1 내지 2:1이어야 한다.
팽창된 그래파이트의 총 밀도는 0.014 내지 0.79g/cm3이어야 한다. 총 밀도는 온도 의존성이다. 예를 들어, 600℃의 온도에서, 그래파이트 염의 결정립 또는 플레이크는 팩터 100까지로, 그리고 1000℃의 온도에서는 팩터 400까지로 용적이 증가할 수 있다.
빠져나가는 기체로 인해, 그래파이트 물질의 질량 손실이 20 내지 22%로 발생할 수 있으며, 10%와 같은 보다 낮은 값도 가능하다.
하기의 실시예는 성형체의 최종 공극률이 그래파이트 염의 양에 어떻게 의존하는지를 예시하기 위한 것이다.
내용적이 50㎖인 금형에 5g의 그래파이트 염을 충전한다. 이를 600℃의 온도에서 15분간 유지시킨 다음, 냉각시킨 후 이형시킨다. 측정 결과는, 상기 성형체의 밀도가 0.08g/cm3이고 공극률이 96.5%임을 보였다.
제2 실험에서, 내용적이 50㎖인 동일한 금형에 12g의 그래파이트 염을 충전한다. 이 또한 600℃에서 15분간 가열한다. 냉각 및 이형 후에, 상기 성형체는 0.19g/cm3의 밀도 및 91.5%의 공극률을 갖는다. 대응하는 성형체에서 압축 강도를 시험하였다. 그 결과, 0.97N/mm2의 값이 얻어졌다.

Claims (9)

  1. 그래파이트계 출발 물질의 팽창에 의해 제조되는 성형체 내로 상 변화 물질을 도입함을 포함하는 잠열 축열기의 제조방법으로서,
    - 상기 그래파이트계 출발 물질을 금형에 도입하는 단계,
    - 상기 금형을 폐쇄하는 단계,
    - 열 도입에 의해 상기 그래파이트계 출발 물질을 팽창시키는 단계로서, 상기 그래파이트계 출발 물질이 도입되기 전 또는 후에, 상기 금형이 가열되거나, 팽창에 필요한 에너지가 상기 그래파이트계 출발 물질 내로 직접 도입되는, 상기 열 도입에 의해 상기 그래파이트계 출발 물질을 팽창시키는 단계,
    - 상기 성형체가 형성된 후에, 상기 상 변화 물질을 도입하는 단계를 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 사용된 금형이, 다공성 금형으로서, 특히 탄화규소, 그래파이트, 세라믹, 소결된 금속으로 구성되거나 이들을 포함하는 다공성 금형임을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 환기 개구부를 갖고/갖거나 다공성 물질 또는 천공된 물질, 예를 들어, 천공된 금속, 예를 들어 구리로 이루어진 금형이 금형으로서 사용됨을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 그래파이트계 출발 물질을 수용하는 폐쇄된 금형 안쪽 부분은 제조될 상기 성형체의 네거티브 금형에 상응하는 금형이 사용됨을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상 변화 물질이 무가압 침투(pressureless infiltration), 특히 모세관-유도 침투에 의해 상기 성형체 내로 도입됨을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 성형체가, 상 변화 물질이 도입될 리세스(recess)를 가지도록 생성됨을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상 변화 물질을 도입하기 위해, 상기 성형체를 액체 상 변화 물질 내에 저장하고/저장하거나, 상기 성형체를 상기 상 변화 물질과 부유식으로(floatingly) 접촉시킴을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 0.1 내지 0.9g/ml, 특히 0.3 내지 0.8g/ml의 벌크 밀도를 갖는 그래파이트 염이, 상기 그래파이트계 출발 분말로서 상기 금형 내로 도입됨을 특징으로 하는, 잠열 축열기의 제조방법.
  9. 상 변화 물질이 침투된 성형체로 구성되는 잠열 축열기, 특히 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조된 잠열 축열기로서, 상 변화 물질을 포함하지 않는 상기 성형체는 64 내지 99.4%의 공극률을 가지며, 상기 성형체 중의, 상기 팽창된 그래파이트계 출발 물질의 용적 분율 대 상기 상 변화 물질의 용적 분율이 1:2 내지 1:10인, 잠열 축열기.
KR1020187029619A 2016-03-14 2017-03-07 잠열 축열기의 제조방법 및 잠열 축열기 KR20180129820A (ko)

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