KR20180129297A - 산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치 - Google Patents

산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치 Download PDF

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산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법은 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 단계; 상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계; 및 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.

Description

산포 개선을 위한 프리 센싱을 이용한 상변화 메모리 읽기 방법 및 그 장치 {Method for Reading PRAM to Improve Dispersion Using Pre-Sensing and Apparatus Therefor}
본 발명은 상변화 메모리를 읽기(read)위한 기술에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 관계없이 상변화 메모리에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있는 상변화 메모리 읽기 방법 및 장치에 관한 것이다.
MLC(Multi-Level Cell) PRAM은 고집적도, 비휘발성, 높은 내구성, 낮은 읽기/쓰기 지연속도 등 다양한 이점들을 보이면서 차세대 메모리 중 가장 유력한 후보로 각광 받고 있다.
현재 삼성전자를 비롯하여 타 경쟁업체들은 PRAM의 상용화를 및 양산화를 위해 크로스 바 어레이(Cross-bar array) 구조를 기반으로 한 연구 및 제품 개발을 진행하고 있다. Cross-bar Array PRAM은 상단의 비트 라인(Bit Line)과 하단의 소스 라인(Source Line) 사이에 선택 소자인 오보닉 임계 스위칭(OTS; Ovonic Threshold Switching) 소자와 상변화 물질인 Charcogenide 물질이 콘택(contact) 물질을 이용하여 수직으로 연결된 구조를 가지고 있다.
OTS는 바이어스가 임계 전압(Vth)을 넘어 서는 경우 전류가 흐르는 특성을 가지고 있으며, 이러한 특성을 사용하여 PRAM의 선택 소자로써 역할을 수행한다.
하지만, OTS의 임계 전압은 기준 임계 전압에서 약 ± 0.5[V]의 산포를 가지며, 이러한 임계 전압 산포는 PRAM의 동작에 있어서 전류 및 전압 감지 마진에 미치기 때문에 PRAM 읽기 동작에 의해 읽혀진 데이터의 정확성에 문제가 발생할 수 있다.
따라서, 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포를 개선하여 PRAM에 저장된 데이터를 정확하게 읽을 수 있는 읽기 방법 및 장치에 대한 필요성이 대두된다.
본 발명의 실시예들은, 상변화 메모리(PCM, PRAM)를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 관계없어 상변화 메모리에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있는 상변화 메모리 읽기 방법 및 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법은 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 단계; 상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계; 및 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는 상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱할 수 있다.
상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱할 수 있다.
상기 프리 센싱 전압을 인가하는 단계는 선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고, 상기 읽기 동작을 수행하는 단계는 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 장치는 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 제어부; 상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 센싱부; 및 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 읽기부를 포함한다.
상기 센싱부는 상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱할 수 있다.
상기 센싱부는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱할 수 있다.
상기 제어부는 선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고, 상기 읽기부는 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 관계없이 상변화 메모리에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 읽기 동작을 수행하기 전에 프리 센싱 전압을 이용하여 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱한 후 턴온된 것으로 센싱되면 읽기 동작을 수행함으로써, 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포와 무관하게 상변화 메모리에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있다.
도 1은 기존의 읽기 동작과 본 발명의 읽기 동작을 설명하기 위한 예시도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법에 대한 동작 흐름도를 나타낸 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 단계 S220에 대한 일 실시예 동작 흐름도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 장치에 대한 구성을 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
본 발명의 실시예들은, 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하고, 프리 센싱 전압을 통한 턴온 전류가 센싱되는 경우 읽기 동작을 수행함으로써, 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포와 관계없이 상변화 메모리에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 그 요지로 한다.
여기서, 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하기 위한 방법은 프리 센싱 전압에 의해 출력되는 저항성 스위칭 소자의 미세한 출력 전류를 높은 이득과 큰 다이나믹 레인지를 가지는 증폭기를 이용하여 증폭한 후 증폭된 출력 전류를 이용하여 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 판단할 수 있으며, 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 판단되면 읽기 동작을 수행하기 위한 읽기 전압을 인가함으로써, 상변화 메모리의 읽기 동작을 정상적으로 수행할 수 있다.
도 1은 기존의 읽기 동작과 본 발명의 읽기 동작을 설명하기 위한 예시도를 나타낸 것으로, 도 1a에 도시된 바와 같이 기존 PRAM 또는 PCM에서 데이터를 읽기 위한 읽기 동작은 일정 읽기 전압을 인가하고 이 때 감지되는 전류를 센싱하여 메모리 셀에 저장된 셀의 정보를 출력한다. 하지만, 저항성 스위칭 소자 예를 들어, OTS 소자의 임계 전압 산포에 의해 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 따른 오류를 보정하기 위하여 임계 전압 산포를 센싱하기 위한 동작이 필요로 하며, 본 발명은 도 1b에 도시된 바와 같이, 읽기 동작을 수행하기 전에 저항성 스위칭 소자 예를 들어, OTS 소자의 턴온 여부를 감지하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 과정을 수행한 후 읽기 동작을 수행할 수 있다. 이러한 본 발명에 대해 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 방법에 대한 동작 흐름도를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 방법은 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하기 전, 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 미리 정해진 프리 센싱 전압을 인가한다(S210).
여기서, 프리 센싱 전압은 도 1b에 도시된 바와 같이, 선형적으로 증가하는 전압일 수 있으며, 저항성 스위칭 소자를 턴온시킬 수 있을 정도의 전압까지 인가할 수 있다. 물론, 프리 센싱 전압의 크기는 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자 예를 들어, OTS 소자들의 임계 전압 범위에 기초하여 설정될 수 있다.
이 때, 프리 센싱 전압은 상변화 메모리의 비트 라인을 통해 저항성 스위칭 소자로 인가될 수 있으며, 상변화 메모리 셀의 상태에 변화가 없는 범위 내에서 저항성 스위칭 소자를 턴온시킬 수 있는 전압까지 인가될 수 있다.
단계 S210에서 프리 센싱 전압이 인가되면 프리 센싱 전압 인가에 의한 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱한다(S220).
여기서, 단계 S220은 저항성 스위칭 소자의 출력으로부터 출력되는 전류를 증폭하여 턴온 전류를 센싱할 수 있으며, 이에 대해 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 단계 S220에 대한 일 실시예 동작 흐름도를 나타낸 것으로, 도 3에 도시된 바와 같이 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계(S220)는 프리 센싱 전압에 의한 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 수신하고, 수신된 출력 전류를 일정 이득과 다이나믹 레인지를 가지는 증폭기를 이용하여 증폭한다(S310, S320).
여기서, 단계 S320은 저항성 스위칭 소자로부터 출력되는 출력 전류가 미세하기 때문에 미세한 출력 전류를 증폭하기 위한 증폭기를 이용하여 증폭함으로써, 리드 라인 즉, 상변화 메모리의 소스 라인(source line)으로 출력되는 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭할 수 있다.
상황에 따라 단계 S320은 출력 전류를 증폭하는 것 뿐만 아니라 증폭된 출력 전류에 포함된 노이즈를 제거하기 위한 노이즈 필터를 이용하여 노이즈가 제거된 출력 전류를 제공할 수도 있다.
단계 S320에 의해 출력 전류가 증폭되면 증폭된 출력 전류가 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는지 판단하고, 증폭된 출력 전류가 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱한다(S330).
여기서, 센싱 전류 범위는 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자들에 대해 미리 측정된 임계 전압 범위에 기초하여 미리 설정될 수 있으며, 이러한 센싱 전류 범위는 저항성 스위칭 소자가 턴온되었는지 여부를 판단하기 위한 기준으로 사용될 수 있다.
이와 같이, 단계 S220은 프리 센싱 전압에 의해 출력되는 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭한 후 증폭된 출력 전류가 임계 전압 산포에 의해 미리 설정되는 센싱 전류 범위 내에 존재하는지의 판단을 통해 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 판단할 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 단계 S220에 의해 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류의 센싱에 의해 턴온 전류가 센싱되면 즉, 출력 전류가 센싱 전류 범위 내에 존재하면 읽기 전압을 상변화 메모리에 인가함으로써, 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행한다(S230).
즉, 단계 S230은 저항성 스위칭 소자가 턴온되는 시점에 상변화 메모리 셀에 읽기 전압을 인가함으로써, 해당 메모리 셀에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 방법은 읽기 동작을 수행하기 전에 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가함으로써, 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것을 확인한 후에 읽기 전압을 인가하여 메모리 셀에 저장된 데이터를 정상적으로 읽을 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 방법은 저항성 스위칭 소자의 턴온을 확인한 다음에 정상적인 읽기 동작을 수행하기 때문에 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 관계없이 메모리 셀에 저장된 데이터를 정확하게 읽을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 읽기 장치에 대한 구성을 나타낸 것으로, 상술한 도 1 내지 도 3에서 설명한 상변화 메모리 읽기 방법을 수행하는 장치에 대한 구성을 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 상변화 메모리 읽기 장치(400)는 제어부(410), 센싱부(420) 및 읽기부(430)를 포함한다.
제어부(410)는 상변화 메모리(440)의 읽기 동작을 수행하기 전, 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 미리 정해진 프리 센싱 전압을 인가한다.
이 때, 제어부(410)는 선형적으로 증가하는 프리 센싱 전압을 저항성 스위칭 소자에 인가할 수 있으며, 상변화 메모리 셀의 상태에 변화가 없는 범위 내에서 저항성 스위칭 소자를 턴온시킬 수 있는 전압까지 프리 센싱 전압을 인가할 수 있다.
나아가, 제어부(410)는 센싱부(420)에 의해 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱되면 메모리 셀에 읽기 전압을 인가함으로써, 읽기부(430)에서 메모리 셀에 저장된 데이터를 읽을 수 있도록 한다.
센싱부(420)는 프리 센싱 전압이 인가되면 프리 센싱 전압 인가에 의한 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱한다.
여기서, 센싱부(420)는 프리 센싱 전압에 의한 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 수신하고, 수신된 출력 전류를 일정 이득과 다이나믹 레인지를 가지는 증폭기를 이용하여 증폭하며, 증폭된 출력 전류가 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는지 판단하고, 증폭된 출력 전류가 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱할 수 있다.
이 때, 센싱부(420)는 센싱 전류 범위를 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 결정하기 위한 기준으로 사용하며, 이러한 센싱 전류 범위는 상변화 메모리를 구성하는 저항성 스위칭 소자들에 대해 미리 측정된 임계 전압 범위에 기초하여 미리 설정될 수 있다.
읽기부(430)는 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류의 센싱에 의해 턴온 전류가 센싱되면 즉, 출력 전류가 센싱 전류 범위 내에 존재하면 읽기 전압을 상변화 메모리에 인가함으로써, 상변화 메모리(440)의 읽기 동작을 수행하여 그 결과 값(Dout)을 출력한다.
비록, 도 4의 상변화 메모리 읽기 장치에서 그 설명이 생략되었더라도, 도 1 내지 도 3의 상변화 메모리 읽기 방법에 기재된 모든 내용을 포함할 수 있다는 것은 이 기술 분야에 종사하는 당업자에게 있어서 자명하다.
이상에서 설명된 시스템 또는 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 시스템, 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPA(field programmable array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.
실시예들에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (8)

  1. 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 단계;
    상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 단계; 및
    상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 단계
    를 포함하는 상변화 메모리 읽기 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는
    상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 턴온 전류를 센싱하는 단계는
    상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프리 센싱 전압을 인가하는 단계는
    선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고,
    상기 읽기 동작을 수행하는 단계는
    상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 방법.
  5. 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 미리 센싱하기 위한 프리 센싱 전압을 인가하는 제어부;
    상기 프리 센싱 전압의 인가에 의한 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류를 센싱하는 센싱부; 및
    상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되면 읽기 전압을 인가하여 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 읽기부
    를 포함하는 상변화 메모리 읽기 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 센싱부는
    상기 상변화 메모리의 리드 라인을 통해 출력되는 상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류를 증폭시킨 후 상기 증폭된 출력 전류를 이용하여 상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 여부를 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 센싱부는
    상기 저항성 스위칭 소자의 출력 전류가 상기 저항성 스위칭 소자의 임계 전압 산포에 의해 미리 설정된 센싱 전류 범위 내에 존재하는 경우 상기 저항성 스위칭 소자가 턴온된 것으로 센싱하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제어부는
    선형적으로 증가하는 상기 프리 센싱 전압을 상기 저항성 스위칭 소자에 인가하고,
    상기 읽기부는
    상기 저항성 스위칭 소자의 턴온 전류가 센싱되는 시점에 상기 읽기 전압을 인가하여 상기 상변화 메모리의 읽기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 읽기 장치.
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