KR20180125763A - Substrate processing chamber - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리용 챔버에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판처리공간을 밀폐하기 위한 실링부재에 부착된 이물질을 효과적으로 분리시켜 제거할 수 있는 기판 처리용 챔버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing chamber, and more particularly, to a substrate processing chamber capable of effectively separating and removing foreign matter adhering to a sealing member for sealing a substrate processing space.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.In general, cleaning is classified into wet cleaning and dry cleaning, among which wet cleaning is widely used in the field of semiconductor manufacturing. Wet scrubbing is a continuous way to remove contaminants using chemicals that match the contaminants at each stage, and a large amount of acid and alkali solutions are used to remove contaminants that remain on the substrate.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.However, the chemicals used for the wet cleaning not only adversely affect the environment but also cause a significant increase in the production cost of the product due to complicated processes, and when used for cleaning a precise part such as a highly integrated circuit, There is a problem in that the contaminant removal can not be effectively performed due to the collapse of the microstructured pattern due to the tensile force.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.Recently, a dry cleaning method using carbon dioxide, which is a non-toxic, non-combustible material and a cheap and environmentally friendly substance, as a solvent has been developed as a solution to solve such a problem. Since carbon dioxide has a low critical temperature and a critical pressure, it can easily reach the supercritical state, the interfacial tension is close to zero, and the density or the solvent strength is changed according to the pressure change due to the high compressibility in the supercritical state And it is easy to separate the solvent from the solute because the gas state is changed by the decompression.
이와 같이 초임계유체를 사용한 기판 처리 장치와 관련된 선행기술의 일례로서, 도 1은 등록특허 제10-1623411호에 개시된 기판 처리용 챔버를 나타낸 것이다.As an example of the prior art relating to a substrate processing apparatus using such a supercritical fluid, FIG. 1 shows a chamber for processing a substrate disclosed in Japanese Patent No. 10-1623411.
종래의 기판 처리용 챔버(400)는, 상체(4110)와 하체(4120)로 이루어진 하우징(4100), 하체(4120)를 승강 구동하기 위한 승강 실린더(4210), 기판(S)을 지지하는 지지 유닛(4300), 초임계유체를 공급하기 위한 공급라인(4550)과 유체 공급 유닛(4510,4520;4500), 초임계유체가 기판(S)에 직접 분사되는 것을 차단하기 위한 블로킹 부재(4610,4620;4600), 공정완료 후 잔류 유체를 배출하기 위한 배기 부재(4700)와 배기 라인(4750), 실링부재(4800) 및 차단 플레이트(4900)를 포함하여 구성된다. 상기 실링부재(4800)는 상체(4110)와 하체(4120) 사이의 연결부에 개재되어 공정 수행 중에 챔버(4000)의 내부가 밀폐된 상태를 유지하도록 한다.The conventional substrate processing chamber 400 includes a
상기 챔버(4000)의 내부로 반입되는 기판(S)은 유기용제 공정을 거쳐 유기용제, 예컨대 이소프로필알코올(IPA)이 잔류하는 상태일 수 있으며, 상기 유체 공급 유닛(4500)에는 초임계 유체, 예컨대 초임계 이산화탄소가 공급될 수 있다.The substrate S transferred into the
상기 챔버(4000)에서는 기판의 건조 공정이 수행될 수 있으며, 공정 진행 중 기판(S)으로부터 분리된 유기용제 등의 이물질은 실링부재(4800)에 부착될 수 있다. 공정의 완료 후, 상체(4110)와 하체(4120)가 분리되면 하우징(4100)의 내부공간이 외부와 개방된 상태가 되어 압력이 떨어지게 되는데, 이 경우 압력차에 의해 실링부재(4800)에 부착되어 있던 이물질이 기판(S)으로 유입되어 오염을 유발할 수 있다. 이를 방지하기 위한 구성으로, 상기 실링부재(4800)와 대향되는 위치에는 실링부재(4800)로부터 분리된 이물질이 기판(S)으로 유입되는 것을 차단하기 위한 차단플레이트(4900)가 구비된다.In the
그러나, 이와 같은 종래의 기판 처리용 챔버(4000)의 구성에 의하면, 공정 완료 후 챔버(4000)의 내부에 잔류하는 유체를 배기부재(4700)를 통해 흡입하여 배출하는 경우에 실링부재(4800)에 부착되어 있는 이물질이 완전하게 분리되지 않고 이물질의 일부가 실링부재(4800)에 부착된 채로 잔류하게 되는 문제점이 있다. However, according to the structure of the conventional
그리고, 이와 같이 실링부재(4800)에 이물질이 잔류함에 따라서 공정 완료 후 기판(S)의 반출을 위해 챔버(4000)를 개방하는 경우에 이물질이 기판(S) 측으로 유입되는 것을 방지하기 위한 구성으로 차단플레이트(4900)를 추가로 설치하게 되므로 장치의 전체적인 구조가 복잡해지는 문제점이 있다.When the
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판처리공간을 밀폐하기 위한 실링부재에 부착된 이물질을 기판에 재유입되는 것을 방지하면서 실링부재로부터 효과적으로 분리시켜 제거할 수 있는 기판 처리용 챔버를 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively separating and removing foreign materials attached to a sealing member for sealing a substrate processing space from a sealing member while preventing re- The purpose of the chamber is to provide.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 처리용 챔버는, 제1하우징; 상기 제1하우징에 결합되는 제2하우징; 상기 제1하우징과 제2하우징의 연결부에 개재되는 실링부재; 상기 제2하우징에 형성되고, 상기 챔버 내의 유체가 배출되는 벤트라인; 및 상기 실링부재와 상기 벤트라인을 연통하는 틈새를 포함하여 구성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing chamber including: a first housing; A second housing coupled to the first housing; A sealing member interposed in a connecting portion between the first housing and the second housing; A vent line formed in the second housing and through which fluid in the chamber is discharged; And a gap communicating the sealing member and the vent line.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고, 상기 제1하우징의 상면은, 상기 중공부를 향하여 돌출된 돌출부와, 상기 돌출부의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 안착부가 형성되며, 상기 틈새는 상기 돌출부의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 형성될 수 있다.Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at the bottom and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing, and an outer wall formed around the hollow portion, wherein an upper surface of the first housing is hollow And a clearance formed between the outer surface of the protrusion and the inner surface of the outer wall, wherein the clearance is formed between the outer surface of the protrusion and the inner surface of the outer wall, .
상기 제1하우징에는 상기 틈새를 형성하기 위한 가이드부재가 결합될 수 있다.A guide member for forming the gap may be coupled to the first housing.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고, 상기 제1하우징의 상면은, 상기 중공부를 향하여 돌출된 돌출부와, 상기 돌출부의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 안착부가 형성될 수 있다.Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at the bottom and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing, and an outer wall formed around the hollow portion, wherein an upper surface of the first housing is hollow And a seating portion formed with a step on an outer circumference of the protrusion and on which the outer wall is seated with a predetermined gap can be formed.
상기 가이드부재는 상기 돌출부의 외측면과 상기 안착부의 상면에 밀착되도록 상기 돌출부의 둘레에 결합될 수 있다.The guide member may be coupled to the periphery of the projection so as to be in close contact with the outer surface of the projection and the upper surface of the seating portion.
상기 가이드부재는 상기 가이드부재의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 상기 틈새가 형성되도록 배치될 수 있다.The guide member may be disposed such that the gap is formed between an outer surface of the guide member and an inner surface of the outer wall.
상기 제2하우징에는 상기 틈새를 형성하기 위한 가이드부재가 결합될 수 있다.A guide member for forming the clearance may be coupled to the second housing.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고, 상기 제1하우징의 상면은, 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 평면부로 이루어질 수 있다.Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at the bottom and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing and an outer wall formed around the hollow portion, And a flat portion that is seated with a predetermined clearance therebetween.
상기 가이드부재는 상기 가이드부재의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 상기 틈새가 형성되도록 배치되어 상기 제2하우징에 체결부재에 의해 결합될 수 있다.The guide member may be disposed between the outer surface of the guide member and the inner surface of the outer wall so that the gap is formed and coupled to the second housing by a fastening member.
상기 가이드부재는 상기 실링부재와 대향하는 위치에 구비될 수 있다.The guide member may be provided at a position facing the sealing member.
상기 벤트라인을 통하여 상기 챔버 내의 유체가 배출되는 경우, 상기 실링부재에 부착된 이물질은 상기 틈새를 통하여 상기 벤트라인 측으로 흡입되어 배출될 수 있다.When the fluid in the chamber is discharged through the vent line, the foreign matter adhering to the sealing member may be sucked to the vent line side through the gap and discharged.
상기 제2하우징에는, 상기 챔버의 내부공간과 연통되며 상기 제2하우징의 둘레방향을 따라 이격된 위치에 형성된 복수의 벤트홀과, 상기 복수의 벤트홀과 상기 벤트라인을 연결하는 연통부가 형성될 수 있다.The second housing is provided with a plurality of vent holes communicating with the inner space of the chamber and spaced apart from each other along the circumferential direction of the second housing and a communicating portion connecting the plurality of vent holes and the vent line .
상기 벤트라인은 상기 제1하우징과 제2하우징의 연결부에 근접한 위치에 형성될 수 있다.The vent line may be formed at a position adjacent to the connection portion of the first housing and the second housing.
상기 틈새는 상기 연결부의 간극보다 작은 크기로 형성될 수 있다.The gap may be smaller than the gap of the connection portion.
상기 틈새는 2mm 이하의 크기로 형성될 수 있다.The clearance may be formed to a size of 2 mm or less.
본 발명에 따른 기판 처리용 챔버에 의하면, 제1하우징과 제2하우징의 연결부에 개재되는 실링부재와 벤트라인 사이에 연통되는 틈새를 형성함으로써 기판처리공정의 완료 후 챔버 내부에 잔류하는 유체의 배출 시에 실링부재에 부착되어 있는 이물질을 벤츄리 현상을 이용하여 실링부재로부터 효과적으로 분리시켜 제거함과 동시에 이물질이 기판으로 재유입되어 기판이 오염되는 것을 방지할 수 있다.According to the substrate processing chamber of the present invention, a gap communicating between the sealing member and the vent line is formed at the connection portion between the first housing and the second housing, thereby discharging the fluid remaining in the chamber after completion of the substrate processing process The foreign matter attached to the sealing member can be effectively separated and removed from the sealing member by using the venturi phenomenon and the foreign matter can be prevented from being re-introduced into the substrate and contaminated with the substrate.
또한 제1하우징 또는 제2하우징에 가이드부재를 결합하여 틈새를 형성함으로써, 틈새의 형성을 위한 부품 간의 조립구조를 단순화 할 수 있다. Further, by forming a clearance by joining the guide member to the first housing or the second housing, it is possible to simplify the assembling structure between parts for forming a gap.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 3은 도 1의‘A’부분의 확대도,
도 4는 벤트라인의 구성을 보여주는 평면도,
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 6은 도 5의‘B’부분의 확대도,
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리용 챔버의 구성도,
도 8은 도 7의‘C’부분의 확대도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a configuration diagram of a substrate processing chamber according to the prior art,
2 is a configuration diagram of a substrate processing chamber according to the first embodiment of the present invention,
3 is an enlarged view of a portion 'A' in FIG. 1,
4 is a plan view showing the configuration of the vent line,
5 is a configuration diagram of a substrate processing chamber according to a second embodiment of the present invention;
6 is an enlarged view of a portion 'B' in FIG. 5,
7 is a configuration diagram of a substrate processing chamber according to a third embodiment of the present invention,
8 is an enlarged view of a portion 'C' in FIG. 7;
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-1;100)는, 제1하우징(110-1;110), 상기 제1하우징(110-1;110)에 결합되는 제2하우징(120-1;120), 상기 제1하우징(110-1;110)과 제2하우징(120-1;120)의 연결부에 개재되는 실링부재(130), 상기 제2하우징(120-1;120)에 형성되고, 상기 챔버(100-1;100) 내의 유체가 배출되는 벤트라인(140), 및 상기 실링부재(130)와 상기 벤트라인(140)을 연통하는 틈새(150)를 포함하여 구성된다.Referring to FIGS. 2 and 3, a substrate processing chamber 100-1 100 according to a first embodiment of the present invention includes a first housing 110-1 (110), a first housing 110-1 A
상기 제1하우징(110-1;110)은 챔버(100-1;100)의 하부를 구성하는 것으로서, 승강구동부(170)의 구동에 의해 승강 가능하게 구비될 수 있다. 상기 승강구동부(170)는 기판(S)을 챔버(100-1;100)의 내부로 반입하거나 챔버(100-1;100)의 외부로 반출하는 경우에는 하강 이동되어 기판(S)의 출입 통로가 마련되도록 하고, 기판(S)의 처리가 수행되는 동안에는 챔버(100-1;100)의 내부가 밀폐되도록 상승 이동된 상태가 유지되도록 한다.The first housing 110-1 and the
상기 제2하우징(120-1;120)은 챔버(100-1;100)의 상부를 구성하는 것으로서, 제2하우징(120-1;120)의 상부에는 초임계유체와 세정유체가 혼합된 혼합유체가 공급되는 혼합유체 공급관(160)이 연결될 수 있다. 일실시예로, 상기 초임계유체는 초임계 이산화탄소(SCCO2)가 사용될 수 있고, 상기 세정유체는 이소프로필알코올(IPA)이 사용될 수 있다. 다만, 초임계유체와 세정유체의 종류는 이에 한정되는 것은 아니며, 공지된 다른 종류의 유체로 대체될 수 있다.The second housing 120-1 (120) constitutes the upper part of the chambers 100-1 (100-100), and the upper part of the second housing 120-1 (120) is provided with a mixture of supercritical fluid and cleaning fluid A mixed
상기 제2하우징(120-1;120)은 하부가 개방되고 내부에는 제1하우징(110-1;110)과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부(121)와, 상기 중공부(121)의 둘레에 형성된 외벽(122)으로 구성된다.The second housing 120-1 has a
상기 제1하우징(110-1;110)의 상면은, 상기 중공부(121)를 향하여 돌출된 돌출부(111)와, 상기 돌출부(111)의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽(122)의 하단부가 소정의 간극(g)을 두고 안착되는 안착부(112)로 구성된다.The upper surface of the first housing 110-1 may include a
상기 제1하우징(110-1;110)과 제2하우징(120-1;120) 사이의 내부에 마련된 기판처리공간에는 지지핀(113)의 의해 지지된 처리대상 기판(S)이 놓여지게 된다.A substrate S supported by a
본 실시예에서, 상기 틈새(150)는 상기 돌출부(111)의 외측면(111a)과 상기 외벽(122)의 내측면(122a) 사이에 형성된다.The
상기 벤트라인(140)은 제1하우징(110-1;110)과 제2하우징(120-1;120)의 연결부에 근접한 위치에서 제2하우징(120-1;120)의 외벽(122)을 관통하도록 형성된다. The
여기서, 상기 제1하우징(110-1;110)과 제2하우징(120-1;120)의 연결부는, 제1하우징(110-1;110)의 안착부(112)와, 제2하우징(120-1;120)의 외벽(122)의 하단부가 대면하는 부분을 지칭한다.The connection portion between the first housing 110-1 and the second housing 120-1 is connected to the
상기 틈새(150)는 연결부의 간극(g)보다 작은 크기로 형성될 수 있다. 일실시예로, 상기 틈새(150)는 2mm 이하의 크기로 형성될 수 있다.The
도 3을 참조하면, 상기 틈새(150)를 연결부의 간극(g)보다 작은 크기를 갖도록 형성하고, 틈새(150)의 상측에서 벤트라인(140)이 일측으로 연통되도록 구성할 경우, 기판의 처리가 완료된 후에 벤트라인(140)을 통한 유체의 배출 시, 실링부재(130)에 부착되어 있던 세정유체의 잔류물 등의 이물질(P)은 벤츄리 현상에 의해 연결부의 간극(g)보다 작은 단면적을 갖는 틈새(150)로 압력차에 의해 빨려들어간 후에 벤트라인(140)을 통과하여 외부로 배출된다.3, when the
특히, 챔버(100-1;100) 내부에 잔류하는 유체가 고압상태인 초임계 유체와 세정 유체의 혼합 유체인 경우에는 벤트라인(140)을 통한 배출 시에 벤트라인(140)을 통하여 고속으로 유동하게 되며, 이와 동시에 도 3에서 화살표로 나타낸 바와 같이 실링부재(130)에서 분리되어 틈새(150)을 통해 빨려나온 이물질(P)은 혼합 유체에 혼입되어 벤트라인(140)을 통하여 원활하게 배출될 수 있다.Particularly, when the fluid remaining in the chamber 100-1 (100) is a mixed fluid of a supercritical fluid and a cleaning fluid in a high pressure state, the fluid flows through the
따라서, 실링부재(130)에 부착되어 있던 이물질(P)이 기판(S)에 재유입되어 기판(S)이 오염되는 문제를 방지할 수 있다. 종래기술에서는 이물질(P)이 기판(S) 측으로 유입되는 것을 방지하기 위한 구성으로 실링부재(4800)의 일측에 차단판(4900)을 추가로 설치하였으나, 본 발명에서는 상기 차단판(4900)을 별도로 구비하지 않더라도 틈새(150)의 형성만으로도 실링부재(130)에 부착되어 있던 이물질(P)을 효과적으로 분리시켜 기판(S)으로의 재유입 없이 챔버(100-1;100)의 외부로 배출시킬 수 있어 장치의 구성을 보다 간소화 할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the foreign matter P adhering to the sealing
한편, 도 4를 참조하면, 상기 제2하우징(120)에는, 챔버(100) 내부와 연통되며 제2하우징(120)의 둘레방향을 따라 이격된 위치에 형성된 복수의 벤트홀(141)과, 상기 복수의 벤트홀(141)과 벤트라인(140)을 연결하는 연통부(142)가 형성된다. 따라서, 벤트라인(140)을 통한 혼합 유체의 배출 시, 챔버(100)의 내부에 잔류하고 있던 혼합 유체는 제2하우징(120)의 외벽(122)에 방사상으로 형성된 복수의 벤트홀(141)을 통하여 균일하게 분배되어 흡입된 후에 상기 연통부(142)를 통하여 취합되어 벤트라인(140) 측으로 배출되므로, 혼합 유체를 신속하게 원활하게 배출시킬 수 있다. 4, the
이와 같이 제2하우징(120)에 형성된 벤트홀(141)과 연통부(142)의 구성은 후술되는 실시예들에서도 동일하게 적용될 수 있다.The configuration of the
이하, 도 5와 도 6을 참조하여 본 발명의 제2실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-2;100)의 구성 및 작용을 설명하되, 전술한 제1실시예와 동일한 부재에는 동일한 도면부호를 부여하고, 그에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing chamber 100-2 (100) according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 and FIG. 6. In the same members as the first embodiment, And a detailed description thereof will be omitted.
본 실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-2;100)는, 전술한 제1실시예와 비교하여, 제1하우징(110-2;110)에는 상기 틈새(150)를 형성하기 위한 가이드부재(180)가 결합된 점에서 차이가 있으며, 기타의 구성은 제1실시예와 동일하게 구성된다.The substrate processing chamber 100-2 and 100 according to the present embodiment are different from the first embodiment in that the first housing 110-2 and the first housing 110-2 are provided with guide members (180) are combined, and the other structures are the same as those of the first embodiment.
상기 기판 처리용 챔버(100-2;100)는, 제1하우징(110-2;110)과 그 상부에 안착되는 제2하우징(120-2;120)으로 구성되고, 제1하우징(110-2;110)과 제2하우징(120-2;120)의 연결부에는 실링부재(130)가 개재되며, 제2하우징(120-2;120)의 외벽(122)에는 일측으로 벤트라인(140)이 연결된다.The substrate processing chamber 100-2 includes a first housing 110-2 and a second housing 120-2 which is seated on the first housing 110-2 and the first housing 110-
상기 제2하우징(120-2;120)은, 하부가 개방되고 내부에는 제1하우징(110-2;110)과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부(121)와, 상기 중공부(121)의 둘레에 형성된 외벽(122)으로 구성된다.The second housing 120-2 (120) has a
상기 제1하우징(110-2;110)의 상면은, 상기 중공부(121)를 향하여 돌출된 돌출부(111)와, 상기 돌출부(111)의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽(122)의 하단부가 소정의 간극(g)을 두고 안착되는 안착부(112)가 형성된다.The upper surface of the first housing 110-2 is formed with a
상기 가이드부재(180)는 돌출부(111)의 외측면(111a)과 안착부(112)의 상면(112a)에 밀착되도록 상기 돌출부(111)의 둘레에 결합되는 링 형태로 구성되고, 실링부재(130)와 대향하는 위치에 구비된다.The
상기 틈새(150)는 가이드부재(180)의 외측면(180a)과 외벽(122)의 내측면(122a) 사이에 형성된다.The
상기 틈새(150)를 통한 이물질(P)의 배출 작용은 전술한 실시예와 동일하다.The discharging action of the foreign matter P through the
본 실시예의 구성에 의하면, 제1하우징(110-2;110)의 돌출부(111)의 둘레에 가이드부재(180)를 결합하여 틈새(150)를 형성하도록 구성함으로써, 가이드부재(180)의 두께 선정에 의해 틈새(150)를 원하는 크기로 용이하게 조정할 수 있는 이점이 있다.According to the configuration of this embodiment, the
이하, 도 7과 도 8을 참조하여 본 발명의 제3실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-3;100)의 구성 및 작용을 설명하되, 전술한 제2실시예와 동일한 부재에는 동일한 도면부호를 부여하고, 그에 대한 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the substrate processing chamber 100-3 (100) according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8, and the same members as those of the above- And a detailed description thereof will be omitted.
본 실시예에 따른 기판 처리용 챔버(100-3;100)는, 전술한 제2실시예와 비교하여, 제1하우징(110-3;110)의 형태와, 가이드부재(180)가 제2하우징(120-3;120)에 결합된 점에서 차이가 있으며, 기타의 구성은 제2실시예와 동일하게 구성된다.The shape of the first housing 110-3 (110) and the shape of the
본 실시예에서, 상기 제2하우징(120-3;120)은, 하부가 개방되고 내부에는 제1하우징(110-3;110)과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부(121)와, 상기 중공부(121)의 둘레에 형성된 외벽(122)을 포함하고, 상기 제1하우징(110-3;110)의 상면은 평면부(114)로 이루어져 있으며, 상기 평면부(114) 상에 제2하우징(120-3;120)의 외벽(122)의 하단부가 소정의 간극(g)을 두고 안착된다.In the present embodiment, the second housing 120-3 (120) has a
상기 가이드부재(180)는 상기 가이드부재(180)의 외측면(180a)과 상기 외벽(122)의 내측면(122a) 사이에 상기 틈새(150)가 형성되도록 배치되어 상기 제2하우징(120-3;120)의 외벽(122)에 체결부재(190)에 의해 결합될 수 있다. The
그리고, 상기 가이드부재(180)는 제1하우징(110-3,110)의 상면에 안착된다.The
상기 틈새(150)를 통한 이물질(P)의 배출 작용은 전술한 실시예와 동일하다.The discharging action of the foreign matter P through the
본 실시예의 구성에 의하면, 제1하우징(110-3,110)의 상면 전체가 평면부(114)로 이루어져 있는 경우에도 가이드부재(180)를 체결부재(190)에 의해 제2하우징(120-3;120)에 결합하여 가이드부재(180)와 제2하우징(120-3;120) 사이에 틈새(150)를 형성할 수 있게 되므로, 제1하우징(110-3,110)의 형태과 관계없이 틈새(150)의 형성을 위한 가이드부재(180)의 결합구조를 간소화 할 수 있다.According to the configuration of this embodiment, even when the entire upper surface of the first housings 110-3 and 110 is formed as the
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention as defined in the appended claims. And such modifications are within the scope of the present invention.
100,100-1,100-2,100-3 : 기판 처리용 챔버
110,110-1,110-2,110-3 : 제1하우징
111 : 돌출부
112 : 안착부
113 : 지지핀
114 : 평면부
120,120-1,120-2,120-3 : 제2하우징
121 : 중공부
122 : 외벽
130 : 실링부재
140 : 벤트라인
141 : 벤트홀
142 : 연통부
150 : 틈새
160 : 혼합유체 공급관
170 : 승강구동부
180 : 가이드부재
190 : 체결부재
g : 연결부의 간극
P : 이물질100, 100-1, 100-2, 100-3: substrate processing chamber
110, 110 - 1, 110 - 2, 110 - 3: first housing 111:
112: seat part 113: support pin
114:
121: hollow part 122: outer wall
130: sealing member 140: vent line
141: vent hole 142:
150: Clearance 160: Mixed fluid supply pipe
170: lifting opening portion 180: guide member
190: fastening member g: clearance of connecting portion
P: Foreign matter
Claims (15)
제1하우징;
상기 제1하우징에 결합되는 제2하우징;
상기 제1하우징과 제2하우징의 연결부에 개재되는 실링부재;
상기 제2하우징에 형성되고, 상기 챔버 내의 유체가 배출되는 벤트라인; 및
상기 실링부재와 상기 벤트라인을 연통하는 틈새;
를 포함하는 기판 처리용 챔버.In the substrate processing chamber,
A first housing;
A second housing coupled to the first housing;
A sealing member interposed in a connecting portion between the first housing and the second housing;
A vent line formed in the second housing and through which fluid in the chamber is discharged; And
A gap communicating the sealing member and the vent line;
And a substrate processing chamber.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고,
상기 제1하우징의 상면은, 상기 중공부를 향하여 돌출된 돌출부와, 상기 돌출부의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 안착부가 형성되며,
상기 틈새는 상기 돌출부의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at a lower portion and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing, and an outer wall formed around the hollow portion,
Wherein the upper surface of the first housing has a protrusion protruding toward the hollow portion and a seating portion formed with a step on an outer circumference of the protrusion and on which the outer wall is seated with a predetermined gap,
Wherein the clearance is formed between an outer surface of the protrusion and an inner surface of the outer wall.
상기 제1하우징에는 상기 틈새를 형성하기 위한 가이드부재가 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
And a guide member for forming the gap is coupled to the first housing.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고,
상기 제1하우징의 상면은, 상기 중공부를 향하여 돌출된 돌출부와, 상기 돌출부의 외측 둘레에 단차를 두고 형성되어 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 안착부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버. The method of claim 3,
Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at a lower portion and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing, and an outer wall formed around the hollow portion,
Wherein the upper surface of the first housing is formed with a protrusion protruding toward the hollow portion and a seating portion formed with a step on an outer circumference of the protrusion and on which the outer wall is seated with a predetermined clearance.
상기 가이드부재는 상기 돌출부의 외측면과 상기 안착부의 상면에 밀착되도록 상기 돌출부의 둘레에 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버. 5. The method of claim 4,
Wherein the guide member is coupled to the periphery of the protrusion so as to be in close contact with the outer surface of the protrusion and the upper surface of the seating portion.
상기 가이드부재는 상기 가이드부재의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 상기 틈새가 형성되도록 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.6. The method of claim 5,
Wherein the guide member is disposed between the outer surface of the guide member and the inner surface of the outer wall so that the gap is formed.
상기 제2하우징에는 상기 틈새를 형성하기 위한 가이드부재가 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
And a guide member for forming the gap is coupled to the second housing.
상기 제2하우징은, 하부가 개방되고 내부에는 상기 제1하우징과 사이에 기판처리공간을 형성하는 중공부와, 상기 중공부의 둘레에 형성된 외벽을 포함하고,
상기 제1하우징의 상면은, 상기 외벽이 소정의 간극을 두고 안착되는 평면부로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버. 8. The method of claim 7,
Wherein the second housing includes a hollow portion that is opened at a lower portion and forms a substrate processing space between the first housing and the first housing, and an outer wall formed around the hollow portion,
Wherein the upper surface of the first housing comprises a flat portion on which the outer wall is seated with a predetermined gap therebetween.
상기 가이드부재는 상기 가이드부재의 외측면과 상기 외벽의 내측면 사이에 상기 틈새가 형성되도록 배치되어 상기 제2하우징에 체결부재에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.9. The method of claim 8,
Wherein the guide member is disposed between the outer surface of the guide member and the inner surface of the outer wall so that the gap is formed and coupled to the second housing by the fastening member.
상기 가이드부재는 상기 실링부재와 대향하는 위치에 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.8. The method according to claim 3 or 7,
Wherein the guide member is provided at a position facing the sealing member.
상기 벤트라인을 통하여 상기 챔버 내의 유체가 배출되는 경우, 상기 실링부재에 부착된 이물질은 상기 틈새를 통하여 상기 벤트라인 측으로 흡입되어 배출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein when the fluid in the chamber is discharged through the vent line, the foreign matter attached to the sealing member is sucked to the vent line side through the gap and discharged.
상기 제2하우징에는, 상기 챔버의 내부공간과 연통되며 상기 제2하우징의 둘레방향을 따라 이격된 위치에 형성된 복수의 벤트홀과, 상기 복수의 벤트홀과 상기 벤트라인을 연결하는 연통부가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
The second housing is provided with a plurality of vent holes communicating with the inner space of the chamber and spaced along the circumferential direction of the second housing and a communicating portion connecting the plurality of vent holes and the vent line Wherein the substrate processing chamber is a substrate processing chamber.
상기 벤트라인은 상기 제1하우징과 제2하우징의 연결부에 근접한 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the vent line is formed at a position close to a connection portion of the first housing and the second housing.
상기 틈새는 상기 연결부의 간극보다 작은 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the gap is smaller than the gap of the connection portion.
상기 틈새는 2mm 이하의 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.15. The method of claim 14,
Wherein the gap is formed to have a size of 2 mm or less.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170060466A KR102375985B1 (en) | 2017-05-16 | 2017-05-16 | Substrate processing chamber |
CN201820726304.XU CN208422868U (en) | 2017-05-16 | 2018-05-16 | For handling the chamber of substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170060466A KR102375985B1 (en) | 2017-05-16 | 2017-05-16 | Substrate processing chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180125763A true KR20180125763A (en) | 2018-11-26 |
KR102375985B1 KR102375985B1 (en) | 2022-03-21 |
Family
ID=64603128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170060466A KR102375985B1 (en) | 2017-05-16 | 2017-05-16 | Substrate processing chamber |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102375985B1 (en) |
CN (1) | CN208422868U (en) |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20170048787A (en) * | 2015-10-27 | 2017-05-10 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating a substrate |
-
2017
- 2017-05-16 KR KR1020170060466A patent/KR102375985B1/en active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-16 CN CN201820726304.XU patent/CN208422868U/en active Active
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US11715649B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-08-01 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US11955350B2 (en) | 2020-04-02 | 2024-04-09 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102375985B1 (en) | 2022-03-21 |
CN208422868U (en) | 2019-01-22 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
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