KR20180124955A - The substrate feeding unit and the bonding apparatus - Google Patents

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가부시키가이샤 신가와
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Abstract

기판 공급 유닛은 높이 방향의 각각 상이한 위치에 설치된 3계층 이상의 복수의 데크(42, 44, 46)로 구성되고, 각 데크가 높이 방향에 직교하는 안길이 방향으로 배열되는 복수의 기판 수용체(90)를 수용하는, 본체부(110)와, 본체부(110)에 있어서의 안길이 방향의 일방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크에 기판 수용체 (90)를 공급하도록 기판 수용체(90)를 높이 방향으로 상하로 이동시키는 엘리베이터부(120)와, 본체부(110)에서의 안길이 방향의 타방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크로부터 기판 수용체를 꺼내고, 또한, 기판 수용체에 수용되는 기판을 본딩용 반송 레인(30)에 반송하는 기판 반송부(130)를 구비한다. 이것에 의해, 콤팩트한 구성을 구비함과 아울러 처리 태양의 자유도를 향상시킬 수 있다.The substrate supply unit is composed of a plurality of decks (42, 44, 46) of three or more layers provided at different positions in the height direction, and a plurality of substrate receivers (90) arranged in the direction in which the decks are orthogonal to the height direction, And a substrate receiver 90 disposed adjacent to one side of the direction of the seat in the main body 110 and adapted to supply the substrate receiver 90 to either of the decks. An elevator part (120) for vertically moving the elevator part in the vertical direction, and an elevator part (120) arranged adjacent to the other side in the direction of the elevation in the main part (110) and taking out the substrate receiver from one of the decks, And a substrate transfer section (130) for transferring the substrate to the bonding conveyance lane (30). As a result, it is possible to provide a compact structure and improve the degree of freedom of the processing.

Description

기판 공급 유닛 및 본딩 장치The substrate feeding unit and the bonding apparatus

본 발명은 기판 공급 유닛 및 본딩 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate feeding unit and a bonding apparatus.

다이를 본딩하기 위한 기판을 공급하는 기판 공급 유닛의 1 태양으로서, 특허문헌 1에는, 본체 장치(예를 들면, 다이본더)에 리드프레임을 공급하는 리드프레임 공급 장치가 개시되어 있다. 이것에 의하면, 매거진 로더식 및 리드프레임 스태커 로더식의 각 공급 태양에 대응함과 아울러 점유 면적을 억제할 수 있는 리드프레임 공급 장치를 제공할 수 있다.As one aspect of a substrate supply unit for supplying a substrate for bonding a die, Patent Document 1 discloses a lead frame supply apparatus for supplying a lead frame to a main body apparatus (for example, a die bonder). According to this, it is possible to provide a lead frame feeding apparatus that can cope with each feeding aspect of the magazine loader type and the lead frame stacker loader type, and can reduce the occupied area.

일본 특개 2008-153557호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-153557

그러나, 특허문헌 1에 개시된 구성에 의하면, 예를 들면, OHT(Overhead Hoist Transfer)를 사용한 처리나, 복수의 그레이드마다 분류된 다이를 각각 대응하는 기판에 본딩하는 처리 등에의 적용은 고려되어 있지 않다.However, according to the structure disclosed in Patent Document 1, for example, the application to the process using the OHT (Overhead Hoist Transfer), the process for bonding the dies classified for each of a plurality of grades to the corresponding substrates, etc. are not considered .

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 콤팩트한 구성을 구비함과 아울러 처리 태양의 자유도가 높은 기판 공급 유닛 및 본딩 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate supply unit and a bonding apparatus having a compact structure and a high degree of freedom in processing.

본 발명의 1 태양에 따른 기판 공급 유닛은 높이 방향의 각각 상이한 위치에 설치된 3계층 이상의 복수의 데크로 구성되고, 각 데크가 높이 방향에 직교하는 안길이 방향으로 배열되는 복수의 기판 수용체를 수용하는 본체부와, 본체부에 있어서의 안길이 방향의 일방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크에 기판 수용체를 공급하도록 기판 수용체를 높이 방향으로 상하로 이동시키는 엘리베이터부와, 본체부에서의 안길이 방향의 타방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크로부터 기판 수용체를 꺼내고, 또한, 기판 수용체에 수용되는 기판을 본딩용 반송 레인으로 반송하는 기판 반송부를 구비한다.The substrate supply unit according to one aspect of the present invention comprises a plurality of decks of three or more layers provided at different positions in the height direction, and each of the decks accommodates a plurality of substrate receivers arranged in the longitudinal direction orthogonal to the height direction An elevator portion disposed adjacent to one side of the direction of the seat in the main body portion and moving the substrate receiver upward and downward in the height direction so as to supply the substrate receiver to one of the decks; And a substrate carrying section which is arranged adjacent to the other side in this direction and which takes the substrate receiver out of one of the decks and conveys the substrate accommodated in the substrate receiver to the bonding conveyance lane.

상기 구성에 의하면, 기판 공급 유닛의 본체부가 3계층 이상의 복수의 데크로 구성되고, 본체부에 인접하여 설치된 엘리베이터부 및 기판 반송부에 의해 각 데크에 대한 기판 수용체의 공급 및 반송이 마련되어 있다. 이것에 의해 장치 전체를 비교적 콤팩트한 구성으로 할 수 있다. 또한, 예를 들면, OHT를 사용한 처리나, 복수의 그레이드마다 분류된 다이를 각각 대응하는 기판에 본딩하는 처리 등에도 적용할 수 있기 때문에, 처리 태양의 자유도의 향상을 도모할 수 있다.According to the above configuration, the main body of the substrate supply unit is constituted by a plurality of decks of three or more layers, and the elevator unit and the substrate conveyance unit provided adjacent to the main body unit are provided for supplying and conveying the substrate receiver to each deck. As a result, the entire device can be made relatively compact. Further, the present invention can be applied to, for example, a process using an OHT or a process for bonding a die classified for each of a plurality of grades to a corresponding substrate, thereby improving the degree of freedom of the process.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 엘리베이터부가 제조 설비에서의 소정의 레인을 따라 주행하는 자동 반송 기구를 통하여, 외부로부터 기판 수용체를 받아도 된다.In the substrate supply unit, the elevator may receive a substrate receiver from the outside through an automatic transport mechanism that travels along a predetermined lane in a manufacturing facility.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 엘리베이터부가 제조 설비에 있어서의 소정의 레인을 따라 주행하는 자동 반송 기구를 통하여, 외부에 상기 기판 수용체를 배출해도 된다.In the above substrate supply unit, the elevator part may discharge the substrate receiver to the outside through an automatic transport mechanism that travels along a predetermined lane in the manufacturing facility.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 엘리베이터부가 기판 수용체의 위치 결정을 행하는 옵셋 수단을 가져도 된다.In the substrate supply unit, the elevator unit may have offset means for positioning the substrate receiver.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 복수의 데크 중 높이 방향의 최상계층에 위치하는 데크가 자동 반송 기구를 통하여, 외부에 상기 기판 수용체를 배출해도 된다.In the above substrate supply unit, the deck located at the uppermost layer in the height direction among the plurality of decks may discharge the substrate receiver to the outside via an automatic transport mechanism.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 자동 반송 기구는 OHT(Overhead Hoist Transfer)를 포함해도 된다.In the above substrate supply unit, the automatic transport mechanism may include OHT (Overhead Hoist Transfer).

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 기판은 복수의 그레이드마다 분류된 다이 중, 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것이며, 각 기판 수용체는, 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용해도 된다.In the above substrate supply unit, the substrate is a plurality of dies belonging to the same grade among dies classified into a plurality of grades, and each substrate receiver may accommodate a plurality of substrates belonging to the same grade.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 그레이드는 적어도 제1 그레이드 및 제2 그레이드를 포함하고, 본체부의 복수의 데크는 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제1 그레이드 전용 데크와, 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제2 그레이드 전용 데크와, 제1 그레이드 또는 상기 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 공용 데크를 포함해도 된다.Wherein the decks of the main body portion include a first grade dedicated deck for receiving a substrate receiver belonging to the first grade and a second grade dedicated deck for holding the substrate belonging to the second grade, A second grade dedicated deck for receiving the receptacle and a common deck for receiving the first grade or the substrate receiver belonging to the second grade.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 공용 데크는 높이 방향의 최상계층에 위치해도 된다.In the substrate supply unit, the common deck may be located at the uppermost layer in the height direction.

상기 기판 공급 유닛에 있어서, 본딩용 반송 레인은 높이 방향 및 안길이 방향의 각각에 직교하는 폭 방향으로 연장되어도 된다.In the substrate supply unit, the bonding conveyance lanes for bonding may extend in the width direction orthogonal to each of the height direction and the depth direction.

본 발명의 1 태양에 따른 본딩 장치는 복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 갖는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와, 웨이퍼 유지부로부터 반송된 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와, 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해 기판을 반송하는 반송 레인과, 반송 레인의 일방 끝에 설치된 로더부와, 반송 레인의 타방 끝에 설치된 언로더부와, 웨이퍼에 있어서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여, 웨이퍼의 각 다이를 당해 다이에 대응하는 기판에 본딩하는 본딩 제어부를 구비하고, 로더부 및 언로더부의 적어도 일방이 상기 기판 공급 유닛으로 구성되어 있다.According to one aspect of the present invention, there is provided a bonding apparatus comprising: a wafer holding section for holding a wafer having a plurality of dies divided into a plurality of grades; a bonding head for bonding the die carried from the wafer holding section to the substrate; A loader section provided at one end of the conveyance lane; an unloader section provided at the other end of the conveyance lane; and a control section for controlling, based on the mapping information for classifying the die for each of a plurality of grades in the wafer, And a bonding control unit for bonding each die of the wafer to the substrate corresponding to the die. At least one of the loader unit and the unloader unit is constituted by the substrate supply unit.

상기 구성에 의하면, 로더부 및 언로더부의 적어도 일방이 상기 기판 공급 유닛으로 구성되어 있기 때문에, 콤팩트한 구성을 구비함과 아울러 처리 태양의 자유도가 높은 본딩 장치를 제공할 수 있다.According to the above configuration, since at least one of the loader section and the unloader section is constituted by the substrate supply unit, it is possible to provide a bonding apparatus having a compact configuration and a high degree of freedom in processing.

본 발명에 의하면, 콤팩트한 구성을 구비함과 아울러 처리 태양의 자유도가 높은 기판 공급 유닛 및 본딩 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a substrate feeding unit and a bonding apparatus having a compact structure and high degree of freedom in processing.

도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치를 Y축 방향에서 보았을 때의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 장치의 X축 방향에서 보았을 때의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 실시형태에 따른 본딩 방법을 나타내는 플로우차트이다.
도 6은 본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 본딩 장치를 Y축 방향에서 보았을 때의 개략도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 본딩 장치의 X축 방향에서 보았을 때의 개략도이다.
1 is a plan view of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view of the bonding apparatus according to the embodiment of the present invention when viewed in the Y-axis direction.
4 is a schematic view of the bonding apparatus according to the embodiment of the present invention when viewed in the X-axis direction.
5 is a flowchart showing a bonding method according to an embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a schematic view of a bonding apparatus according to a modification of the embodiment of the present invention when viewed in the Y-axis direction. Fig.
7 is a schematic view of a bonding apparatus according to a modification of the embodiment of the present invention when viewed in the X-axis direction.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Mode for carrying out the invention)

이하에 본 발명의 실시형태를 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사의 구성요소는 동일 또는 유사의 부호로 나타내고 있다. 도면은 예시이며, 각 부의 치수나 형상은 모식적인 것이며, 본원발명의 기술적 범위를 당해 실시형태에 한정하여 해석해서는 안된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the following description of the drawings, the same or similar components are denoted by the same or similar reference numerals. The drawings are illustrative, and the dimensions and shapes of the respective parts are schematic, and the technical scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments.

도 1∼도 4를 참조하면서 본 실시형태에 따른 본딩 장치를 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)의 평면도를 모식적으로 나타낸 것이다. 도 2는 웨이퍼의 다이의 반송 경로에 주목한 본딩 장치(1)의 단면도를 나타낸 것이다. 도 3 및 도 4는 본 실시형태에 따른 본딩 장치의 일부(기판 공급 유닛)를 도시하는 도면이다.A bonding apparatus according to this embodiment will be described with reference to Figs. 1 schematically shows a plan view of a bonding apparatus 1 according to the present embodiment. Fig. 2 shows a cross-sectional view of the bonding apparatus 1 paying attention to the transfer path of the die of the wafer. 3 and 4 are views showing a part (substrate supply unit) of the bonding apparatus according to the present embodiment.

도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)는 웨이퍼 로더부(10)와, 웨이퍼 유지부(12)와, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)와, 반송 레인(30)과, 반송 레인(30)의 일방 끝에 설치된 로더부(40)와, 반송 레인(30)의 타방 끝에 설치된 언로더부(50)와, 본딩 동작을 제어하는 본딩 제어부(60)(도 2 참조)를 구비한다. 이하의 설명에서는, 본딩 대상면에 평행한 방향을 XY축 방향으로 하고, 본딩 대상면에 수직한 방향을 Z축 방향으로 하여 설명한다.1, the bonding apparatus 1 according to the present embodiment includes a wafer loader section 10, a wafer holding section 12, first and second bonding heads 20a and 20b, A loader section 40 provided at one end of the conveyance lane 30 and an unloader section 50 provided at the other end of the conveyance lane 30 and a bonding control section 60 2). In the following description, the direction parallel to the bonding target surface is defined as the XY axis direction, and the direction perpendicular to the bonding target surface is defined as the Z axis direction.

본딩 장치(1)는 웨이퍼(70)의 다이(72)를 기판(80)에 본딩하기 위한 반도체 제조 장치이다. 다이(72)는 집적 회로 패턴이 형성된 표면과, 당해 표면과는 반대인 이면을 가지고 있고, 이하에 설명하는 본딩 장치(1)는 다이(72)의 이면이 기판(80)에 대향하도록 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 이러한 본딩 장치(1)는 다이본딩 장치라고 불린다.The bonding apparatus 1 is a semiconductor manufacturing apparatus for bonding the die 72 of the wafer 70 to the substrate 80. The die 72 has a surface on which an integrated circuit pattern is formed and a back surface opposite to the surface and the bonding apparatus 1 described below is used to mount the die 72 such that the back surface of the die 72 faces the substrate 80 72) to the substrate (80). Such a bonding apparatus 1 is called a die bonding apparatus.

웨이퍼(70)에 포함되는 복수의 다이(72)는, 통상, 복수의 그레이드마다 분류되어 있고, 그레이드 단위로 다이(72)가 기판(80)에 본딩된다. 기판(80)에는 복수의 다이(72)가 본딩된다. 구체적으로는 기판(80)은 복수의 다이(72)가 본딩되는 복수의 다이본딩 영역을 구비하고 있다. 각 다이본딩 영역에서는, 적어도 1개 이상의 다이(72)가 본딩 가능하여도 된다. 즉, 기판(80)의 하나의 다이본딩 영역의 본딩된 다이(72) 위에 다른 다이(72)가 본딩되어도 된다. 하나의 기판(80)에는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이(72)가 본딩된다.A plurality of dies 72 included in the wafer 70 are usually classified into a plurality of grades and the dies 72 are bonded to the substrate 80 in units of grades. A plurality of dies (72) are bonded to the substrate (80). Specifically, the substrate 80 has a plurality of die bonding areas to which a plurality of dies 72 are bonded. In each die bonding region, at least one die 72 may be bonded. That is, another die 72 may be bonded onto the bonded die 72 of one die bonding region of the substrate 80. [ A plurality of dies (72) belonging to the same grade are bonded to one substrate (80).

본 실시형태에서는, 웨이퍼(70)는 제1 그레이드에 속하는 적어도 1개의 다이(74)와, 제2 그레이드(예를 들면, 제1 그레이드보다도 특성이 뒤떨어지는 그레이드)에 속하는 적어도 1개의 다이(76)를 포함한다. 웨이퍼(70) 내에서의 제1 및 제2 그레이드의 각 다이의 비율은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 제1 그레이드가 제2 그레이드보다도 과반수를 차지하는 것과 같은 비율이어도 된다. 도 1에 도시하는 예에서는, 제1 그레이드에 속하는 다이(74)와 제2 그레이드에 속하는 다이(76)의 비율을 3:1로 하고 있다. 또한, 그레이드의 분류는 전기적 특성 등의 소정의 특성 조건을 충족시키는지 아닌지에 따라 정할 수 있다.In this embodiment, the wafer 70 comprises at least one die 74 belonging to a first grade and at least one die 76 belonging to a second grade (e.g. a grade less than the first grade) ). Although the ratio of each die of the first and second grades in the wafer 70 is not particularly limited, for example, the ratio may be such that the first grade occupies more than half of the second grade. In the example shown in Fig. 1, the ratio of the die 74 belonging to the first grade to the die 76 belonging to the second grade is 3: 1. Further, classification of the grades can be determined depending on whether or not predetermined characteristic conditions such as electrical characteristics are satisfied.

웨이퍼 로더부(10)(예를 들면, 웨이퍼 매거진)는 복수의 웨이퍼(70)를 수용하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 로더부(10)는, 예를 들면, 각 웨이퍼(70)를 XY축 방향으로 평행하게 지지하면서, Z축 방향에 복수의 웨이퍼(70)를 적층하여 수용한다. 또한, 웨이퍼 로더부(10)에는, 이미 다이싱 공정이 종료되어, 각각 복수의 개체로 분리된 복수의 다이를 갖는 웨이퍼(70)가 수용된다.The wafer loader section 10 (for example, a wafer magazine) is configured to accommodate a plurality of wafers 70. The wafer loader section 10 stacks and accommodates a plurality of wafers 70 in the Z-axis direction while supporting the wafers 70 in parallel in the XY-axis direction, for example. Further, in the wafer loader section 10, the dicing process has already been completed, and the wafer 70 having a plurality of dies, each of which is divided into a plurality of objects, is accommodated.

웨이퍼 유지부(12)는 웨이퍼 반송 툴(도시하지 않음)에 의해 웨이퍼 로더부(10)로부터 반송된 웨이퍼(70)를 유지하도록 구성되어 있다. 웨이퍼 유지부(12)는, 예를 들면, 웨이퍼(70)를 진공 흡착하는 것 또는 필름 위에 웨이퍼(70)를 첩부함으로써, 복수의 다이(72)를 유지한다. 웨이퍼 유지부(12)에 유지된 웨이퍼(70)의 각 다이(72)는 기판(80)에 본딩되기 때문에, 픽업 툴(14)에 의해 일단 중간 스테이지(16)로 반송되어도 된다(도 2 참조).The wafer holding section 12 is configured to hold the wafer 70 conveyed from the wafer loader section 10 by a wafer conveying tool (not shown). The wafer holding portion 12 holds a plurality of dies 72 by, for example, vacuum-adsorbing the wafer 70 or pasting the wafer 70 onto the film. Each die 72 of the wafer 70 held by the wafer holding portion 12 is bonded to the substrate 80 and may be once transported to the intermediate stage 16 by the pickup tool 14 ).

이 경우, 예를 들면, 웨이퍼 유지부(12)의 하방으로부터 필름 너머로 다이(72)를 밀어올림과 아울러, 픽업 툴(14)에 의해 상방으로부터 필름 위의 다이(72)를 흡착하고, 다이(72)를 중간 스테이지(16)로 반송한다. 또는, 다이(72)를 밀어올리는 대신에, 웨이퍼 유지부(12)에서의 반송해야 할 다이(72)의 주변 영역을 하방으로 이동시켜도 된다. 중간 스테이지(14)는 웨이퍼 유지부(12)와 동일한 유지 수단에 의해 다이(72)를 유지할 수 있다. 또한, 웨이퍼 유지부(12), 픽업 툴(14) 및 중간 스테이지(16)는 도시하지 않은 리니어 모터 등의 구동 기구에 의해 적어도 XY축 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어도 된다.In this case, for example, the die 72 is pushed up from the lower side of the wafer holding portion 12 to the film 72, the die 72 on the film is sucked from above by the pickup tool 14, 72) to the intermediate stage (16). Alternatively, instead of pushing up the die 72, the peripheral area of the die 72 to be conveyed in the wafer holding portion 12 may be moved downward. The intermediate stage 14 can hold the die 72 by the same holding means as the wafer holding section 12. [ The wafer holding section 12, the pickup tool 14 and the intermediate stage 16 may be configured to be movable at least in the XY-axis direction by a drive mechanism such as a linear motor (not shown).

본 실시형태에 따른 본딩 장치(1)는 복수의 본딩 헤드로서, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)를 구비하고 있다. 복수의 본딩 헤드를 설치함으로써 복수의 기판에 대한 본딩을 병행하여 행할 수 있다.The bonding apparatus 1 according to the present embodiment includes a plurality of bonding heads, and first and second bonding heads 20a and 20b. Bonding to a plurality of substrates can be performed in parallel by providing a plurality of bonding heads.

제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 웨이퍼 유지부(12)로부터 픽업되어 중간 스테이지(14)로 반송된 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 본딩 헤드(20a)는 반송 레인(30)의 방향에서 로더부(40)측에 배치되고, 제2 본딩 헤드(20b)는 반송 레인(30)의 방향에서 언로더부(50)측에 배치되어 있다. 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 서로 동일한 구성을 구비하고 있어도 된다.The first and second bonding heads 20a and 20b are picked up from the wafer holding portion 12 and bond the die 72 conveyed to the intermediate stage 14 to the substrate 80. [ The first bonding head 20a is disposed on the side of the loader section 40 in the direction of the conveyance lane 30 and the second bonding head 20b is disposed on the side of the loader section 40 in the direction of the conveyance lane 30, And is disposed on the unloader section 50 side. The first and second bonding heads 20a and 20b may have the same configuration.

도 2를 참조하면서 제1 본딩 헤드(20a)를 예로 들어 설명하면, 제1 본딩 헤드(20a)에는, Z축 구동 기구(21)를 통하여 본딩 툴(22)이 부착되고, 또한 본딩 툴(22)로부터 소정의 거리만큼 떨어진 위치에 촬상부(24)가 부착되어 있다. 제1 본딩 헤드(20a)는 XY 테이블(26)에 의해 XY축 방향으로 이동 가능하게 되어 있고, 이것에 의해 본딩 툴(22) 및 촬상부(24)는 서로 소정의 거리를 유지하면서 함께 XY축 방향으로 이동한다. 또한, 도 2에 도시하는 예에서는, 본딩 툴(22)과 촬상부(24)가 양쪽 모두 본딩 헤드(20a)에 고정된 태양을 나타내고 있지만, 촬상부(24)는 반드시 본딩 헤드(20a)에 고정되어 있지 않아도 되고, 본딩 툴(22)과는 독립하여 이동 가능하여도 된다.A bonding tool 22 is attached to the first bonding head 20a through a Z axis driving mechanism 21 and a bonding tool 22 is attached to the first bonding head 20a, An image pickup section 24 is attached at a position spaced apart by a predetermined distance. The first bonding head 20a is movable in the XY axis direction by the XY table 26 so that the bonding tool 22 and the image sensing unit 24 are moved together with the XY axis Direction. 2, the bonding tool 22 and the imaging section 24 are both fixed to the bonding head 20a. However, the imaging section 24 is not necessarily provided with the bonding head 20a It may not be fixed, and may be movable independently of the bonding tool 22.

본딩 툴(22)은, 예를 들면, 다이(72)를 흡착 지지하는 콜릿이다. 이러한 콜릿은 직방체 형상 또는 원추대 형상으로 구성되어 다이(72)의 집적 회로 패턴이 형성된 표면측에서 다이(72)의 외측 가장자리에 접촉 유지하도록 구성되어 있다. 본딩 툴(22)인 콜릿은 Z축 방향과 평행한 중심축을 가지고 있고, Z축 구동 기구(21) 및 XY 테이블(26)에 의해 Z축 방향 및 XY축 방향으로 각각 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 본딩 툴(22)은 도시하지 않은 θ축 구동 기구 및 틸트 구동 기구를 통하여 본딩 헤드(22a)에 부착되어 있고, 이들 구동 기구에 의해 Z축 둘레의 회전 및 틸트 방향(경사 방향)으로 움직일 수 있도록 되어 있다. 이들 구성에 의해, 본딩 툴(22)은 중간 스테이지(16)에 배치되는 다이(72)를 상방에 픽업하고, 당해 픽업한 다이(72)를 중간 스테이지(14)로부터 반송 툴(30)로 반송하고, 다이(72)를 당해 표면과는 반대인 이면이 기판(80)에 대향하는 방향으로 기판(80)에 본딩할 수 있다.The bonding tool 22 is, for example, a collet that supports and supports the die 72. The collet is configured to have a rectangular parallelepiped shape or a truncated conical shape and is configured to be held in contact with the outer edge of the die 72 on the surface side of the die 72 on which the integrated circuit pattern is formed. The collet, which is the bonding tool 22, has a central axis parallel to the Z-axis direction, and is movable in the Z-axis direction and the XY-axis direction by the Z-axis driving mechanism 21 and the XY table 26, respectively. The bonding tool 22 is attached to the bonding head 22a through a not-shown? -Axis driving mechanism and a tilt driving mechanism, and the bonding tool 22 is moved in the rotation and tilt directions (oblique directions) about the Z- . The bonding tool 22 picks up the die 72 disposed on the intermediate stage 16 and transfers the picked up die 72 from the intermediate stage 14 to the conveying tool 30 And the die 72 may be bonded to the substrate 80 in a direction opposite to the substrate 80 opposite to the surface.

본딩 툴(22)에 의한 중간 스테이지(16)로부터의 다이(72)의 픽업 수단은 웨이퍼 유지부(12)로부터의 다이(72)의 픽업 수단과 동일하여도 된다.The pickup means of the die 72 from the intermediate stage 16 by the bonding tool 22 may be the same as the pickup means of the die 72 from the wafer holding section 12. [

촬상부(24)는 중간 스테이지(16)에 배치된 다이(72)의 화상 정보를 취득한다. 촬상부(24)는 Z축 방향에 평행한 광축을 가지고 있고, 중간 스테이지(16)의 작업면을 촬상할 수 있도록 구성되어 있다. 촬상부(24)는 XY축 방향으로 이동 가능하며, 예를 들면, 본딩 툴(22)에 의해 다이(72)를 픽업하기 직전에, 중간 스테이지(16)의 상방으로 이동하여 중간 스테이지(16) 위의 다이(72)(집적 회로 패턴이 형성된 표면)의 화상 정보를 취득한다. 촬상부(24)에 의해 취득한 화상 정보에 기초하여 본딩 툴(22)에 의해 다이(72)를 정확하게 픽업 및 반송할 수 있다.The image pickup section 24 obtains image information of the die 72 disposed on the intermediate stage 16. [ The imaging section 24 has an optical axis parallel to the Z-axis direction, and is configured to be capable of picking up a working surface of the intermediate stage 16. Imaging section 24 is movable in the XY-axis direction and moves to the upper side of intermediate stage 16 immediately before picking up die 72 by bonding tool 22, for example, The image information of the die 72 (the surface on which the integrated circuit pattern is formed) is obtained. The die 72 can be accurately picked up and transported by the bonding tool 22 based on the image information acquired by the image pickup section 24. [

이상에서 설명한 제1 본딩 헤드(20a)의 구성은 제2 본딩 헤드(20b)에 대해서도 동일하여도 된다.The configuration of the first bonding head 20a described above may be the same as that of the second bonding head 20b.

도 1로 되돌아와, 반송 레인(30)은 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 본딩하기 위해 기판(80)을 반송하도록 구성되어 있다. 반송 레인(30)은 단일 방향에 1개씩의 기판(80)을 반송하는 단일 레인이어도 된다. 도 1에 도시하는 예에서는 반송 레인(30)은 X축 방향으로 연장되어 있고, 기판(80)을 X축 방향으로 반송한다. 또 반송 레인(30)은 제1 본딩 헤드(20a)가 본딩하기 위한 영역(30a)과, 제2 본딩 헤드(20b)가 본딩하기 위한 영역(30b)을 갖는다. 각 영역에는 적어도 1개의 기판(80)이 반송된다(도 1에 도시하는 예에서는 각 영역에 하나의 기판(80)이 반송되고 있음).Returning to Fig. 1, the conveyance lane 30 is configured to convey the substrate 80 for bonding by the first and second bonding heads 20a and 20b. The conveyance lane 30 may be a single lane that conveys one substrate 80 in a single direction. In the example shown in Fig. 1, the conveyance lane 30 extends in the X-axis direction, and conveys the substrate 80 in the X-axis direction. The conveyance lane 30 has an area 30a for bonding the first bonding head 20a and an area 30b for bonding the second bonding head 20b. At least one substrate 80 is transported to each region (one substrate 80 is transported in each region in the example shown in Fig. 1).

로더부(40) 및 언로더부(50)의 각각은 복수의 기판 수용체(90)(예를 들면, 기판 매거진)를 수용하도록 구성되어 있다. 각 기판 수용체(90)는 복수의 기판(80)을 수용하도록 구성되어 있다. 기판 수용체(90)는, 예를 들면, 각 기판(80)을 XY축 방향에 평행하게 지지하면서, Z축 방향으로 복수의 기판(80)을 적층하여 수용한다. 하나의 기판 수용체(90)에는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판(80)이 수용된다. 로더부(40)에는, 이제부터 본딩될 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체(90)가 로드되고, 언로더부(50)에는 이미 본딩이 끝난 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체가 언로드된다. 본 실시형태에 따른 본딩 장치에서는 로더부(40) 및 언로더부(50)를 실질적으로 동일한 구성으로 할 수 있다.Each of the loader section 40 and the unloader section 50 is configured to receive a plurality of substrate holders 90 (e.g., a substrate magazine). Each substrate receiver 90 is configured to receive a plurality of substrates 80. The substrate receiver 90 stacks and accommodates a plurality of substrates 80 in the Z-axis direction while supporting the substrates 80 in parallel to the XY-axis direction, for example. One substrate receiver 90 receives a plurality of substrates 80 belonging to the same grade. A substrate receiver 90 containing a plurality of substrates 80 to be bonded from now on is loaded in the loader section 40 and the unloader section 50 is loaded with a plurality of substrates 80 already bonded The receptor is unloaded. In the bonding apparatus according to the present embodiment, the loader section 40 and the unloader section 50 can have substantially the same configuration.

이하에서는 설명의 편의상, 제1 그레이드에 속하는 다이(74)가 본딩되는 기판 및 그것이 수용되는 기판 수용체를 기판(84) 및 기판 수용체(94)로 하고, 제2 그레이드에 속하는 다이(76)가 본딩되는 기판 및 그것이 수용되는 기판 수용체를 기판(86) 및 기판 수용체(96)로 한다. 또한, 다이, 기판 및 기판 수용체에 대하여, 그레이드를 막론하고 총칭한 것을 다이(72), 기판(80) 및 기판 수용체(90)로 한다.For convenience of explanation, the substrate to which the die 74 belonging to the first grade is to be bonded and the substrate receiver to receive it are referred to as the substrate 84 and the substrate receiver 94, and the die 76 belonging to the second grade is bonded And the substrate receiver in which the substrate is received are referred to as a substrate 86 and a substrate receiver 96. In addition, for die, substrate, and substrate receiver, the term generally refers to die 72, substrate 80, and substrate receiver 90.

도 3 및 도 4도 참조하면서, 로더부(40) 및 언로더부(50)에 대해 더욱 설명한다. 로더부(40) 및 언로더부(50)는 본딩을 위해 기판을 공급하기 위한 기판 공급 유닛이다. 도 3은 본딩 장치(1)를 Y축 방향에서 보았을 때의 개략도이며, 도 4는 본딩 장치(1)를 X축 방향에서 보았을 때의 개략도이다.3 and 4, the loader unit 40 and the unloader unit 50 will be further described. The loader unit 40 and the unloader unit 50 are substrate supply units for supplying substrates for bonding. Fig. 3 is a schematic view of the bonding apparatus 1 when viewed in the Y-axis direction, and Fig. 4 is a schematic view of the bonding apparatus 1 when viewed in the X-axis direction.

도 3에 도시하는 바와 같이, 로더부(40) 또는 언로더부(50)는 제조 설비에 있어서의 소정의 레인(17)을 따라 주행하는 자동 반송 기구(18)에 액세스하여 기판 수용체(90)를 로드 또는 언로드하도록 구성되어 있다. 자동 반송 기구(18)는, 예를 들면, OHT(OverheadHoist Transfer)를 포함한다. OHT는 제조 설비의 천장에 설치한 궤도(레인(17))를 주행하고, 벨트 구동으로 오르내리는 호이스트 기구를 구비하고 있고, 이것에 의해 남의 도움을 통하지 않고 직접적으로 로더부(40) 또는 언로더부(50)에 액세스하여, 기판 수용체(90)를 로드 또는 언로드할 수 있다.3, the loader unit 40 or the unloader unit 50 accesses the automatic conveying mechanism 18 running along the predetermined lane 17 in the manufacturing facility, To be loaded or unloaded. The automatic transport mechanism 18 includes, for example, OHT (Overhead Transfer). The OHT is provided with a hoist mechanism that travels on a track (lane 17) installed on a ceiling of a manufacturing facility and moves up and down by belt driving, thereby directly driving the loader section 40 or the unloader The portion 50 can be accessed to load or unload the substrate receiver 90. [

도 4에 도시하는 바와 같이 로더부(기판 공급 유닛)(40)는 폭 방향(X축 방향), 안길이 방향(Y축 방향) 및 높이 방향(Z축 방향)을 가지고, 도 3 및 도 4에 도시하는 예에서는, 로더부(40)의 안길이는 그 폭보다도 크다. 로더부(40)는 Z축 방향에 각각 상이한 위치에 설치된 3계층 이상의 복수의 데크(42, 44, 46)로 구성된 본체부(110)와, 본체부(110)의 Y축 방향의 일방측에 인접하여 배치된 엘리베이터부(120)와, 본체부(110)의 Y축 방향의 타방측에 인접하여 배치된 기판 반송부(130)를 구비한다.As shown in Fig. 4, the loader unit (substrate supply unit) 40 has a width direction (X axis direction), a seat back direction (Y axis direction) and a height direction The depth of the loader portion 40 is larger than the width of the loader portion 40. [ The loader unit 40 includes a main body 110 composed of a plurality of decks 42, 44 and 46 of three or more layers provided at different positions in the Z axis direction, And a substrate transfer section 130 disposed adjacent to the other side in the Y axis direction of the main body section 110. The elevator section 120 includes:

본체부(110)의 각 데크(42, 44, 46)에는, X축 방향으로 적어도 일렬이며, Y축 방향으로 복수개가 배열되도록 복수의 기판 수용체(90)가 설치된다. 본 실시형태에서는, 최상계층의 데크(42)가 제1 그레이드 또는 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(90)를 수용하는 공용 데크로서 구성되고, 중간계층의 데크(44)가 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체(94)를 수용하는 제1 그레이드 전용 데크로서 구성되고, 최하계층의 데크(46)가 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체(96)를 수용하는 제2 그레이드 전용 데크로서 구성되어 있다.A plurality of substrate receivers 90 are provided in each of the decks 42, 44 and 46 of the main body 110 so as to be aligned in at least a row in the X-axis direction and a plurality in the Y-axis direction. In this embodiment, the deck 42 of the uppermost layer is configured as a common deck for receiving the substrate receiver 90 belonging to the first grade or the second grade, and the deck 44 of the middle layer is constituted as the deck 42 belonging to the first grade The deck 46 of the lowest hierarchy is configured as a second grade exclusive deck for receiving the substrate receiver 96 belonging to the second grade.

도 4에 도시하는 바와 같이, 최상계층의 데크(42)는 로더부(40)로부터 기판 수용체(90)를 배출하기 위한 데크이어도 된다. 최상계층에 위치하는 데크(42)는, 자동 반송 기구(18)를 통하여, 외부에 기판 수용체(90)를 배출해도 된다. 이 경우, 본체부(110)는 기판 수용체(90)의 위치 결정을 행하는 옵셋 수단(116)을 가지고 있어도 된다. 옵셋 수단(116)은, 데크(42) 상의 기판 수용체(90)가 자동 반송 기구(18)에 배출될 때, 자동 반송 기구(18)의 주행 방향(즉 레인(17)의 X축 방향)의 전후의 어느 하나의 방향에, 데크(42) 상의 기판 수용체(90)를 위치 결정한다. 이 경우, 옵셋 수단(116)은 X축 방향의 일방향 또는 쌍방향으로 기판 수용체(90)를 압출함으로써 이동시키는 X축 방향 압출 기구를 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 옵셋 수단(116)은 X축 방향 및 X축 방향의 양측으로부터 기판 수용체(90)를 압출함으로써, 데크(42) 상의 소정의 X 위치에 기판 수용체(90)를 위치 결정한다. 이러한 옵셋 수단(116)이 설치됨으로써 기판 수용체(90)를 자동 반송 기구(18)에 대하여 정확하게 위치 결정하고, 이것에 의해 기판 수용체(90)를 원활하고 또한 확실하게 자동 반송 기구(18)에 배출할 수 있다.4, the deck 42 of the uppermost layer may be a deck for discharging the substrate receiver 90 from the loader section 40. [ The deck 42 positioned at the uppermost layer may discharge the substrate receiver 90 to the outside via the automatic transport mechanism 18. [ In this case, the main body 110 may have offset means 116 for positioning the substrate receiver 90. The offsetting means 116 is a means for moving the substrate transporting mechanism 18 in the running direction (i.e., the X-axis direction of the lane 17) of the automatic transport mechanism 18 when the substrate receiver 90 on the deck 42 is discharged to the automatic transport mechanism 18. [ The substrate receiver 90 on the deck 42 is positioned in either the front or rear direction. In this case, the offset means 116 may have an X-axis direction extrusion mechanism for moving the substrate receiver 90 by pushing the substrate receiver 90 in one direction or two directions in the X-axis direction. For example, the offset means 116 positions the substrate receiver 90 at a predetermined X position on the deck 42 by pushing the substrate receiver 90 from both sides in the X-axis direction and the X-axis direction. By providing such an offset means 116, the substrate receiver 90 can be precisely positioned relative to the automatic transport mechanism 18, and the substrate receiver 90 can be smoothly and reliably discharged to the automatic transport mechanism 18 can do.

엘리베이터부(120)는 기판 수용체(90)를 Z축 방향으로 상하로 이동시키는 엘리베이터 기구(122)를 가지고 있다. 엘리베이터 기구(122)에는, 자동 반송 기구(18)를 통하여, 외부로부터 기판 수용체(90)를 받기 위한 데크(124)가 설치되어 있다. 데크(124)는 Z축 방향으로 상하로 이동 가능하게 구성되고, 이것에 의해, 엘리베이터부(120)로부터 본체부(110)로 기판 수용체(90)를 공급할 수 있다. 구체적으로는, 데크(124)가 본체부(110)의 각 데크(42∼46)의 어느 하나의 Z 위치로 이동한 후, Y축 방향 압출 기구(도시하지 않음)에 의해 기판 수용체(90)가 압출되고, 이것에 의해 기판 수용체(90)가 엘리베이터부(120)로부터 본체부(110)에 공급된다. 이렇게 하여, 기판 수용체(90)가 대응하는 그레이드의 데크(44, 46)에 분배된다.The elevator unit 120 has an elevator mechanism 122 for moving the substrate receiver 90 up and down in the Z-axis direction. The elevator mechanism 122 is provided with a deck 124 for receiving the substrate receiver 90 from the outside through the automatic transport mechanism 18. [ The deck 124 is configured to be vertically movable in the Z-axis direction so that the substrate receiver 90 can be supplied from the elevator unit 120 to the main body 110. Specifically, after the deck 124 is moved to the Z position of one of the decks 42 to 46 of the main body 110, the substrate receiver 90 is moved by the Y axis direction extrusion mechanism (not shown) Whereby the substrate receiver 90 is supplied from the elevator unit 120 to the main body unit 110. [ In this way, the substrate receiver 90 is distributed to the decks 44, 46 of the corresponding grade.

엘리베이터부(120)는 기판 수용체(90)의 위치 결정을 행하는 옵셋 수단(126)을 가지고 있어도 된다. 옵셋 수단(126)은, 도 3에 도시하는 바와 같이, 엘리베이터부(120)가 자동 반송 기구(18)를 통하여 기판 수용체(90)를 받을 때, 자동 반송 기구(18)의 주행 방향(즉 레인(17)의 X축 방향)의 전후의 어느 하나의 방향에 기판 수용체(90)를 위치 결정한다. 이 경우, 옵셋 수단(126)은 X축 방향의 일방향 또는 쌍방향으로 기판 수용체(90)를 압출함으로써 이동시키는 X축 방향 압출 기구를 가지고 있어도 된다. 예를 들면, 옵셋 수단(126)은 X축 정방향으로 기판 수용체(90)를 압출하고, 본딩 장치(1)의 YZ면에 접촉시키고, 그 후, 상기 Y축 방향 압출 기구에 의해 기판 수용체(90)를 본체부(110)에 공급한다. 이러한 옵셋 수단(126)이 설치됨으로써 자동 반송 기구(18)로부터 받은 기판 수용체(90)의 그 후의 이동을 원활하고 또한 확실하게 행할 수 있다.The elevator unit 120 may have offset means 126 for positioning the substrate receiver 90. 3, when the elevator unit 120 receives the substrate receiver 90 through the automatic transport mechanism 18, the offsetting means 126 controls the moving direction of the automatic transport mechanism 18 (The X-axis direction of the substrate 17). In this case, the offset means 126 may have an X-axis direction extrusion mechanism for moving the substrate receiver 90 by pushing the substrate receiver 90 in one direction or two directions in the X-axis direction. For example, the offset means 126 pushes the substrate receiver 90 in the X-axis positive direction and contacts the YZ surface of the bonding apparatus 1, and thereafter, the substrate receiver 90 To the main body part 110. [ By providing such an offset means 126, subsequent movement of the substrate receiver 90 received from the automatic transport mechanism 18 can be performed smoothly and reliably.

기판 반송부(130)는 어느 하나의 데크(42∼46)로부터 기판 수용체(90)를 꺼내고, 기판 수용체(90)에 수용되는 기판(80)을 반송 레인(30)으로 반송한다. 반송 레인(30)이 X축 방향으로 연장되어 있는 경우, X축 방향의 반송 레인(30)에 대하여, 엘리베이터부(120), 본체부(110) 및 기판 반송부(130)가 Y축 방향으로 배열되기 때문에, 본딩 장치(1)를 콤팩트한 구성으로 할 수 있다.The substrate conveyance section 130 takes out the substrate receptacle 90 from one of the decks 42 to 46 and conveys the substrate 80 accommodated in the substrate receptacle 90 to the conveyance lane 30. The elevator section 120, the main body section 110 and the substrate conveyance section 130 are moved in the Y-axis direction with respect to the X-axis direction conveyance lane 30 when the conveyance lane 30 extends in the X- The bonding apparatus 1 can be constructed in a compact configuration.

기판 반송부(130)는 기판 수용체(90)를 Z축 방향으로 상하로 이동시키는 엘리베이터 기구(132)를 가지고 있다. 엘리베이터 기구(132)에는, Y축 구동 기구(136)에 의해 Y축 방향으로 이동하는 클램프(134)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 기판 수용체(90)를 본체부(110)로부터 기판 반송부(130)로 이동시킬 수 있다. 구체적으로는, 본체부(110)의 각 데크(42∼46)의 어느 하나의 Z 위치에서 클램프(134)에 의해 기판 수용체(90)를 클램프 하여 기판 반송부(130)에 이동시킨다. 본 실시형태에서는, 반송 레인(30)은 Z축 방향에서 중간계층의 데크(42)와 같은 높이에 위치하고 있어, 클램프(134)에 의해 클램프된 기판 수용체(90)를 당해 높이로 이동시킴으로써 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 인도를 행할 수 있다. 또한, 기판 반송부(130)의 클램프(134)는, 필요에 따라, 기판 수용체(90)를 기판 반송부(130)로부터 본체부(110)의 어느 하나의 데크(42∼46)로 이동시킨다.The substrate carrying section 130 has an elevator mechanism 132 for moving the substrate holder 90 upward and downward in the Z-axis direction. The elevator mechanism 132 is provided with a clamp 134 which moves in the Y-axis direction by the Y-axis driving mechanism 136. Thereby, the substrate receiver 90 can be moved from the main body 110 to the substrate transfer portion 130. Concretely, the substrate receiver 90 is clamped by the clamp 134 at any Z position of each of the decks 42 to 46 of the main body 110 and moved to the substrate transferring part 130. In the present embodiment, the conveyance lane 30 is located at the same height as the deck 42 in the middle layer in the Z-axis direction, and the substrate receiver 90 clamped by the clamp 134 is moved to the height, The substrate 80 can be delivered to the substrate 30. The clamp 134 of the substrate transfer section 130 moves the substrate receiver 90 from the substrate transfer section 130 to one of the decks 42 to 46 of the main body section 110 .

여기에서, 로더부(40) 내에서의 기판 수용체(90)의 이동의 흐름에 대해 도 1의 모식도를 사용하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 1에 도시하는 예에서는, 최상계층의 데크(42)는 영역(42b, 42c)을 갖고, 중간계층의 데크(44)는 영역(44b, 44c)을 갖고, 최하계층의 데크(46)는 영역(46b, 46c)을 갖는다. 또한, 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40)에 공급되는 기판 수용체(90)는, Z축 방향에 다른 계층에 위치하는 영역(44a) 또는 영역(46a)을 경유하여, 데크(44) 또는 데크(46)에 분배된다. 또한, 각 데크의 기판 수용체(90)는 Z축 방향에 다른 계층에 위치하는 영역(42d, 44d, 46d)으로 이동 가능하게 되어 있고, 중간계층의 데크(44)와 동일한 계층인 영역(44d)을 경유하여 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 인도를 행할 수 있다.Here, the flow of the movement of the substrate receiver 90 in the loader section 40 will be described in more detail with reference to the schematic diagram of Fig. 1, the uppermost deck 42 has areas 42b and 42c, the middle deck 44 has areas 44b and 44c, and the lowermost deck 46 has Regions 46b and 46c. The substrate receiver 90 to be supplied to the loader section 40 by the automatic transport mechanism 18 is connected to the deck 44 via the region 44a or region 46a located in another layer in the Z- Or deck 46, as shown in FIG. The substrate receiver 90 of each deck is movable in regions 42d, 44d, and 46d located in different layers in the Z-axis direction. An area 44d, which is the same layer as the deck 44 in the middle layer, The delivery of the substrate 80 to the conveyance lane 30 can be performed.

또한, 도 1의 복수의 영역 중, 영역(42b∼46b 및 42c∼46c)은 도 4의 본체부(110)에 설치되고, 영역(44a 및 46a)은 도 4의 엘리베이터부(120)에 설치되고, 영역(42d∼46d)은 도 4의 기판 반송부(130)에 설치된다. 상기 각 영역에는 하나의 기판 수용체(90)가 수용된다.The areas 42b to 46b and 42c to 46c are provided in the main body 110 of Fig. 4 and the areas 44a and 46a are installed in the elevator part 120 of Fig. And the regions 42d to 46d are provided in the substrate transfer section 130 of Fig. One substrate receiver 90 is accommodated in each of the regions.

언로더부(50)는 로더부(40)와 동일한 기판 공급 유닛의 구성을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 자동 반송 기구(18)가 반송한 기판 수용체(90)의 분배, 각 데크 간에 있어서의 기판 수용체(90)의 반송, 및 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 인도는 상기 로더부(40)에 대한 설명이 적합하다.The unloader section 50 may have the same configuration of the substrate supply unit as the loader section 40. [ In this case, the distribution of the substrate receiver 90 carried by the automatic transport mechanism 18, the transport of the substrate receiver 90 between the decks, and the delivery of the substrate 80 to the transport lane 30, The description of the portion 40 is appropriate.

언로더부(50) 내에 있어서의 기판 수용체(90)의 이동의 흐름에 대하여 도 1의 모식도를 사용하여 더욱 상세하게 설명하면, 도 1에 도시하는 예에서는, 최상계층의 데크(52)는 영역(52b, 52c)을 갖고, 중간계층의 데크(54)는 영역(54b, 54c)을 갖고, 최하계층의 데크(56)는 영역(56b, 56c)을 갖는다. 또한, 자동 반송 기구(18)에 의해 언로더부(50)에 공급되는 기판 수용체(90)는 Z축 방향에 다른 계층에 위치하는 영역(54a) 또는 영역(56a)을 경유하여, 데크(54) 또는 데크(56)에 분배된다. 또한, 각 데크의 기판 수용체(90)는 Z축 방향에 다른 계층에 위치하는 영역(52d, 54d, 56d)으로 이동 가능하게 되어 있고, 중간계층의 데크(54)와 동일한 계층인 영역(54d)을 경유하여 반송 레인(30)에 대한 기판(80)의 인도를 행할 수 있다.1, the flow of the movement of the substrate receiver 90 in the unloader section 50 will be described in more detail. In the example shown in Fig. 1, The middle deck 54 has areas 54b and 54c and the lowest deck 56 has areas 56b and 56c. The substrate receiver 90 to be supplied to the unloader section 50 by the automatic transport mechanism 18 passes through the area 54a or the area 56a located in the other layer in the Z axis direction and is transported to the deck 54 Or deck 56, as shown in FIG. The substrate receiver 90 of each deck is movable in regions 52d, 54d, and 56d located in different layers in the Z-axis direction. An area 54d, which is the same layer as the deck 54, The delivery of the substrate 80 to the conveyance lane 30 can be performed.

다음에 도 2로 되돌아와 본딩 제어부(60)에 대하여 설명한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 본딩 제어부(60)는 본딩 장치(1)에 의한 본딩을 위한 필요한 처리를 제어한다. 본딩 제어부(60)는 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의한 본딩 처리, 웨이퍼 유지부(12)에 유지되는 웨이퍼(70)의 교환 처리, 및 다이(72), 기판(80) 및 기판 수용체(90)의 반송 처리를 제어하는 것을 포함한다. 본딩 제어부(60)는 그것들의 처리에 필요한 범위에서 본딩 장치(1)의 각 구성과의 사이에서 신호의 송수신이 가능하게 접속되어 당해 각 구성의 동작을 제어한다.Next, returning to Fig. 2, the bonding control unit 60 will be described. As shown in Fig. 2, the bonding control unit 60 controls the necessary processing for bonding by the bonding apparatus 1. Fig. The bonding control unit 60 controls the bonding process by the first and second bonding heads 20a and 20b, the process of exchanging the wafer 70 held by the wafer holding unit 12, And the substrate transferring process of the substrate receiver 90. The bonding control unit 60 is connected so as to be able to transmit and receive signals to and from the respective components of the bonding apparatus 1 within a range necessary for their processing, and controls the operations of the respective components.

본 실시형태에서는, 본딩 제어부(60)는 기억부(62)에 저장된 매핑 정보에 기초하여 본딩을 위한 필요한 처리를 제어한다. 매핑 정보는 이미 설명한 웨이퍼(70)의 각 다이(72)에 있어서의 그레이드에 관한 정보이다. 본딩 제어부(60)는 반송 레인에 반송된 적어도 1개의 기판(80)에 대하여, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해, 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료된 경우, 당해 기판(80)을 다이 실장된 기판으로서 언로더부(50)의 기판 수용체(90)에 보내고, 다른 한편 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해, 기판(80)의 모든 다이(72)가 본딩 완료되지 않은 경우, 당해 기판(80)을 다이 미실장 기판으로서 로더부(40)의 기판 수용체(80)로 되돌리도록 구성되어 있다. 또한, 이러한 제어의 상세는 후술의 본딩 방법에서 설명한다.In the present embodiment, the bonding control unit 60 controls the necessary processing for bonding based on the mapping information stored in the storage unit 62. The mapping information is information about the grades of the dies 72 of the wafer 70 already described. The bonding control unit 60 controls the first bonding head 20a and the second bonding head 20b so that all the dies 72 of the substrate 80 are bonded to at least one substrate 80 conveyed to the conveyance lane The substrate 80 is transferred to the substrate receiver 90 of the unloader unit 50 as a die mounted substrate while the first and second bonding heads 20a and 20b The substrate 80 is returned to the substrate receiver 80 of the loader unit 40 as a dummy mounting substrate when the bonding of the die 72 is not completed. The details of such control will be described later in the bonding method.

또한, 본딩 제어부(60)에는, 제어 정보를 입력하기 위한 조작부(도시하지 않음)와, 제어 정보를 출력하기 위한 표시부(도시하지 않음)가 접속되어 있고, 이것에 의해 작업자가 표시부에 의해 화면을 인식하면서 조작부에 의해 필요한 제어 정보를 입력할 수 있도록 되어 있다. 또한, 본딩 제어부(60)는 CPU 및 메모리 등을 구비하는 컴퓨터 장치이며, 메모리(기억부(62))에는 미리 본딩에 필요한 처리를 행하기 위한 본딩 프로그램이나 그 밖의 필요한 정보(상기 매핑 정보를 포함함)가 저장된다. 본딩 제어부(60)는 후술하는 본딩 방법에 관계되는 각 공정을 실행 가능하게 구성되어 있다(예를 들면, 각 공정을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 구비함).The bonding control unit 60 is connected to an operation unit (not shown) for inputting control information and a display unit (not shown) for outputting control information. Thus, So that it is possible to input necessary control information by the operation unit. The bonding control unit 60 is a computer device having a CPU, a memory, and the like. The memory (storage unit 62) is provided with a bonding program for performing processing necessary for bonding in advance and other necessary information Is stored. The bonding control unit 60 is configured to be able to execute each process related to a bonding method described later (for example, a program for causing each step to be executed by a computer).

다음에, 도 5를 참조하면서 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 설명한다. 도 5는 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다. 본 실시형태에 따른 본딩 방법은 상기 본딩 장치(1)를 사용하여 행할 수 있다.Next, a bonding method according to the present embodiment will be described with reference to Fig. 5 is a flowchart for explaining the bonding method according to the present embodiment. The bonding method according to the present embodiment can be performed using the bonding apparatus 1 described above.

우선, 로더부(40) 및 언로더부(50)에 기판 수용체(90)를 공급한다(S10). 구체적으로는, 로더부(40)에는, 본딩하기 위해 복수의 기판(80)을 수용한 기판 수용체(90)를 로드하고, 언로더부(50)에는, 본딩을 끝낸 복수의 기판(80)을 언로드하기 위해 빈 기판 수용체(90)를 공급한다. 기판 수용체(90)는 자동 반송 기구(18)에 의해 로더부(40) 및 언로더부(50)에 공급할 수 있다.First, the substrate receiver 90 is supplied to the loader section 40 and the unloader section 50 (S10). More specifically, the loader unit 40 is loaded with a substrate receiver 90 containing a plurality of substrates 80 for bonding, and the unloader unit 50 is loaded with a plurality of bonded substrates 80 The empty substrate receiver 90 is supplied for unloading. The substrate receiver 90 can be supplied to the loader section 40 and the unloader section 50 by the automatic transport mechanism 18. [

다음에, 로더부(40)의 기판 수용체(90)로부터 기판(80)을 반송 레인(30)에 반송한다(S11). 구체적으로는, 기판 수용체(90)를 영역(44d)으로 이동시키고, 영역(44d)에 배치한 기판 수용체(90)로부터 적어도 1개의 기판(80)을 반송 레인(30)에 반송한다. 또한, 로더부(40)(또는, 언로더부(50))에의 기판 수용체(90)의 공급 방법(S10), 반송 레인(30)에의 기판(80)의 반송 방법(S11)은 상기 본딩 장치의 구성에서 이미 설명한 내용을 적용할 수 있다.Next, the substrate 80 is transferred from the substrate receiver 90 of the loader section 40 to the conveyance lane 30 (S11). Specifically, the substrate receiver 90 is moved to the region 44d, and at least one substrate 80 is transported from the substrate receiver 90 disposed in the region 44d to the conveyance lane 30. [ The feeding method S10 of the substrate receiver 90 to the loader unit 40 (or the unloader unit 50) and the feeding method S11 of the substrate 80 to the feeding lane 30 are performed by the above- The contents already described in the configuration of the second embodiment can be applied.

이 동안, 웨이퍼 로더부(10)에 수용된 복수의 웨이퍼(70) 중 어느 하나의 웨이퍼(70)를 꺼내고, 웨이퍼 유지부(12)에 유지시킨다. 이미 설명한 바와 같이, 웨이퍼(70)에 포함되는 복수의 다이(72)는 복수의 그레이드마다 분류되어 있고, 이러한 그레이드마다의 분류는 매핑 정보로서 본딩 제어부(60)의 기억부(62)에 저장되어 있다. 따라서, 본딩 제어부(60)는 웨이퍼 유지부(12)에 유지되는 웨이퍼(70)마다, 당해 웨이퍼(70)의 매핑 정보를 기억부(62)로부터 읽어내고, 매핑 정보에 기초하여 본딩 제어를 행한다.During this time, any one of the plurality of wafers 70 housed in the wafer loader section 10 is taken out and held in the wafer holding section 12. [ As described above, the plurality of dies 72 included in the wafer 70 are classified into a plurality of grades. The classification for each grade is stored in the storage section 62 of the bonding control section 60 as mapping information have. The bonding control unit 60 reads the mapping information of the wafer 70 from the storage unit 62 for each wafer 70 held in the wafer holding unit 12 and performs bonding control based on the mapping information .

다음에 기판(80)에 복수의 다이(72)를 본딩한다(S12). 본딩 제어부(60)가 매핑 정보에 기초하여, 반송 레인(30)에 반송된 기판(80)의 그레이드마다, 대응하는 그레이드의 복수의 다이(72)를 기판(80)에 본딩한다. 이 경우, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해, 반송 레인(30)에 반송된 복수의 기판(80)을 병행하여 본딩 처리해도 된다. 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 각각 동시에 또는 차례로 본딩해도 된다. 또한 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)는 각각 동일한 그레이드를 병행하여 본딩해도 되고, 또는 다른 그레이드를 병행하여 본딩해도 된다. 구체적으로는, 반송 레인(30)에 제1 그레이드에 속하는 2개의 기판(84)을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해, 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 각 기판(84)의 복수의 다이본딩 영역에 본딩해도 된다. 또는, 반송 레인(30)에 제1 및 제2 그레이드에 속하는 각 기판(84, 86)을 반송하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)의 일방에 의해, 제1 그레이드에 속하는 복수의 다이(74)를 기판(84)의 복수의 다이본딩 영역에 본딩하고, 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)의 타방에 의해, 제2 그레이드에 속하는 복수의 다이(76)를 기판(86)의 복수의 다이본딩 영역에 본딩해도 된다. 또한, 이미 기술한 바와 같이, 하나의 다이본딩 영역에는 복수의 다이(74)를 적층시켜 본딩해도 된다.Next, a plurality of dies 72 are bonded to the substrate 80 (S12). The bonding control unit 60 bonds the plurality of dies 72 of the corresponding grade to the substrate 80 for each grade of the substrate 80 conveyed to the conveyance lane 30 based on the mapping information. In this case, the plurality of substrates 80 conveyed to the conveyance lane 30 may be bonded together by the first and second bonding heads 20a and 20b. The first and second bonding heads 20a and 20b may be bonded simultaneously or sequentially. Further, the first and second bonding heads 20a and 20b may be bonded with the same grade in parallel, or may be bonded with other grades in parallel. Specifically, the two substrates 84 belonging to the first grade are conveyed to the conveyance lane 30, and the first and second bonding heads 20a and 20b convey the plurality of dies 74 belonging to the first grade ) May be bonded to a plurality of die bonding regions of the respective substrates 84. [ Alternatively, each of the substrates 84 and 86 belonging to the first and second grades is carried to the conveyance lane 30, and a plurality of the first and second bonding heads 20a and 20b Bonding the plurality of dies 76 belonging to the second grade to the plurality of die bonding areas of the substrate 84 by the other of the first and second bonding heads 20a and 20b, Bonding regions of the semiconductor chip 86. Further, as already described, a plurality of dies 74 may be laminated and bonded to one die bonding region.

그리고, 기판(80)에 본딩되어야 할 모든 다이(72)가 본딩된 경우, 당해 기판(80)을 언로더부(50)에 보낸다(S13 YES 및 S14). 즉, 기판(80)의 복수의 다이본딩 영역의 모두가 다이(74)로 채워지고, 기판(80)이 다이 실장된 기판으로 판단되는 경우, 당해 기판(80)을 언로더부(50)의 영역(54d)에 배치한 기판 수용체(90)에 수용한다. 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 복수의 기판(80)을 병행 처리하는 경우, 예를 들면, 언로더부(50)측에 배치된 제2 본딩 헤드(20b)에 대하여 다이 실장된 기판의 생성을 우선적으로 행해도 된다.When all the dies 72 to be bonded to the substrate 80 are bonded, the substrate 80 is sent to the unloader unit 50 (S13 YES and S14). That is, when all of the plurality of die bonding areas of the substrate 80 are filled with the die 74 and the substrate 80 is judged as a die-mounted substrate, the substrate 80 is transferred to the unloader section 50 And is accommodated in the substrate receiver 90 disposed in the region 54d. When a plurality of substrates 80 are processed in parallel by the first and second bonding heads 20a and 20b, the second bonding head 20b disposed on the unloader portion 50 side, for example, Generation of the mounted substrate may be preferentially performed.

다른 한편, 기판(80)에 본딩되어야 할 모든 다이(72)가 본딩되어 있지 않은 경우, 당해 기판(80)을 로더부(40)에 되돌린다(S13 NO 및 S15). 즉, 기판(80)의 복수의 다이본딩 영역에 다이(74)가 전혀 본딩되어 있지 않거나 또는 복수의 다이본딩 영역의 일부에만 다이(74)가 본딩되어 있어, 다이(74)의 본딩의 여지가 있다고 가정하여, 기판(80)이 다이 미실장 기판으로 판단되는 경우, 당해 기판(80)을 로더부(40)의 영역(44d)에 배치한 기판 수용체(90)에 수용한다.On the other hand, if all the dies 72 to be bonded to the substrate 80 are not bonded, the substrate 80 is returned to the loader portion 40 (S13 NO and S15). That is, the dies 74 are not bonded at all to the plurality of die bonding areas of the substrate 80, or the dies 74 are bonded only to a part of the plurality of die bonding areas, The substrate 80 is accommodated in the substrate receiver 90 disposed in the area 44d of the loader section 40. The substrate 80 is mounted on the substrate receiver 90 in the region 44d of the loader section 40. [

최후에, 본딩할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재하는지 아닌지를 판단하고(S16), 본딩할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재한다고 판단한 경우, 스텝 S11로 돌아간다(S16 YES). 이때 본딩 제어부(60)는, 웨이퍼 유지부(12)에 유지된 웨이퍼(70)에 포함되는 모든 다이(74)의 본딩을 끝낸 경우, 당해 웨이퍼(70)를 처리 완료 웨이퍼로서 웨이퍼 로더부(10)에 되돌리고, 웨이퍼 로더부(10)로부터 다른 웨이퍼(70)를 웨이퍼 유지부(12)에 보낸다. 이렇게 하여, 웨이퍼 로더부(10)에 수용된 복수의 웨이퍼(70)의 모든 다이(72)의 본딩이 종료되고, 본딩할 다른 다이(72) 및 기판(80)이 존재하지 않는다고 판단한 경우, 본 실시형태에 따른 본딩 방법을 종료한다(S16 NO).Finally, it is judged whether or not another die 72 to be bonded and the substrate 80 are present (S16), and when it is determined that there is another die 72 and a substrate 80 to be bonded, the process returns to the step S11 S16 YES). At this time, when bonding of all the dies 74 included in the wafer 70 held in the wafer holding section 12 is completed, the bonding control section 60 controls the wafer 70 to be the processed wafer as the wafer loader section 10 And sends another wafer 70 from the wafer loader section 10 to the wafer holding section 12. [ In this manner, when it is determined that the bonding of all the dies 72 of the plurality of wafers 70 received in the wafer loader section 10 is completed and no other die 72 and substrate 80 to be bonded exist, The bonding method according to the type is ended (NO in S16).

이상과 같이, 본 실시형태에 의하면, 기판 공급 유닛(로더부(40) 또는 언로더부(50))의 본체부(110)가 3계층 이상의 복수의 데크(42∼46)로 구성되고, 본체부(110)에 인접하여 설치된 엘리베이터부(120) 및 기판 반송부(130)에 의해 각 데크(42∼46)에 대한 기판 수용체(90)의 공급 및 반송이 마련되어 있다. 이것에 의해 장치 전체를 비교적 콤팩트한 구성으로 할 수 있다. 또한, 예를 들면, OHT를 사용한 처리나, 복수의 그레이드마다 분류된 다이를 각각 대응하는 기판에 본딩하는 처리 등에도 적용할 수 있기 때문에, 처리 태양의 자유도가 높은 기판 공급 유닛 및 본딩 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the present embodiment, the main body portion 110 of the substrate supply unit (the loader portion 40 or the unloader portion 50) is composed of a plurality of decks 42 to 46 of three or more layers, The elevator unit 120 and the substrate conveyance unit 130 provided adjacent to the unit 110 are provided to supply and convey the substrate receiver 90 to the respective decks 42 to 46. As a result, the entire device can be made relatively compact. Further, the present invention can also be applied to, for example, a process using an OHT, a process for bonding a die classified for each of a plurality of grades to a corresponding substrate, and the like, thereby providing a substrate supply unit and a bonding apparatus can do.

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시형태의 변형예에 따른 기판 공급 유닛을 설명하기 위한 도면이다. 상기 실시형태에서는, 엘리베이터부에서 외부로부터 기판 수용체를 받고, 본체부의 최상계층에 위치하는 데크에서 외부에 기판 수용체를 배출하는 구성을 설명했지만, 본 변형예에서는, 엘리베이터부에서, 기판 수용체를 받고, 또한, 기판 수용체를 배출한다. 본 변형예에 따른 기판 공급 유닛은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 로더부(140) 및 언로더부(150)의 양자에 적용해도 되고, 또는 어느 일방에 적용해도 된다. 이하, 로더부(140)를 예로 하여 상기 실시형태와 상이한 점을 설명한다.6 and 7 are views for explaining a substrate supply unit according to a modification of the embodiment of the present invention. In the above embodiment, the substrate receiver is received from the outside in the elevator unit, and the substrate receiver is discharged to the outside from the deck located at the uppermost layer of the main body. In the eleventh embodiment, Further, the substrate receiver is discharged. The substrate supply unit according to the present modification may be applied to both the loader unit 140 and the unloader unit 150 as shown in Fig. 6, or may be applied to either one of them. Hereinafter, the loader unit 140 will be described as an example different from the above embodiment.

도 7에 도시하는 바와 같이 로더부(기판 공급 유닛)(140)는 Z축 방향에 각각 상이한 위치에 설치된 3계층 이상의 복수의 데크(42, 44, 46)로 구성된 본체부(210)와, 본체부(210)의 Y축 방향의 일방측에 인접하여 배치된 엘리베이터부(220)와, 본체부(210)의 Y축 방향의 타방측에 인접하여 배치된 기판 반송부(230)를 구비한다. 본 변형예에서는, 최상계층의 데크(42)가 기판 수용체(90)를 외부로 배출하기 위한 데크로서 사용되는 것이 아닌 점을 제외하고, 본체부(210)의 각 데크(42∼46)는 이미 설명한 내용을 적용할 수 있다. 또한, 엘리베이터부(220)가 엘리베이터 기구(222) 및 데크(224)를 갖고, 또한 기판 반송부(230)가 엘리베이터 기구(232), 클램프(234) 및 Y축 구동 기구(236)를 갖는 점은 이미 설명한 엘리베이터부(120) 및 기판 반송부(130)와 동일하다.As shown in Fig. 7, the loader unit (substrate supply unit) 140 includes a body portion 210 composed of a plurality of decks 42, 44, and 46 of three or more layers provided at different positions in the Z- An elevator part 220 disposed adjacent to one side in the Y axis direction of the part 210 and a substrate transfer part 230 arranged adjacent to the other side in the Y axis direction of the body part 210. [ In this modification, each deck 42 to 46 of the main body 210 has already been removed, except that the deck 42 of the uppermost layer is not used as a deck for discharging the substrate receiver 90 to the outside The description can be applied. It should be noted that the elevator section 220 has the elevator mechanism 222 and the deck 224 and the substrate conveyance section 230 has the elevator mechanism 232, the clamp 234, and the Y axis driving mechanism 236 Are the same as the elevator unit 120 and the substrate conveyance unit 130 already described.

본 변형예에서는, 엘리베이터부(220)가 외부로부터 기판 수용체(90)를 받는 기능 및 외부에 기판 수용체(90)를 배출하는 기능을 겸용한다. 그 때문에 자동 반송 기구(18)에 대하여 위치 결정을 행하기 위한 옵셋 수단(226)을 엘리베이터부(220)의 데크(224)에 집약할 수 있다. 옵셋 수단(226)은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 자동 반송 기구(18)의 주행 방향(즉 레인(17)의 X축 방향)의 전후의 양방향에 기판 수용체(90)를 위치 결정한다. 구체적으로는, 옵셋 수단(226)은 X축 정방향 및 X축 부방향의 양측으로부터 기판 수용체(90)를 압출 가능한 X축 방향 압출 기구를 갖는다. 이것에 의하면, 옵셋 수단(226)을 엘리베이터부(220)에 설치함으로써, 자동 반송 기구(18)에 대한 원활하고 또한 정확한 공급 및 배출을 행할 수 있기 때문에, 장치 전체를 간이하고 또한 콤팩트하게 할 수 있다.In this modified example, the elevator unit 220 also has a function of receiving the substrate receiver 90 from the outside and a function of discharging the substrate receiver 90 to the outside. Therefore, the offset means 226 for positioning the automatic transport mechanism 18 can be collected on the deck 224 of the elevator section 220. The offsetting means 226 positions the substrate receiver 90 in both the forward and backward directions in the running direction of the automatic transport mechanism 18 (i.e., the X axis direction of the lane 17), as shown in Fig. More specifically, the offset means 226 has an X-axis direction extrusion mechanism capable of pushing the substrate receiver 90 from both sides in the X-axis normal direction and the X-axis direction. According to this configuration, since the offsetting means 226 is provided in the elevator unit 220, smooth and accurate feeding and discharging of the automatic conveying mechanism 18 can be performed, so that the entire apparatus can be made simple and compact have.

또한, 본 변형예에 따른 기판 공급 유닛을 사용한 본딩 방법에서는, 기판 수용체(90)를 자동 반송 기구(18)에 배출할 때에 본체부(210)의 최상계층의 데크(42)의 기판 수용체(90)를 엘리베이터부(220)에 이동시키는 것을 추가하여 행하면 좋다.In the bonding method using the substrate supply unit according to the present modified example, when the substrate receiver 90 is discharged to the automatic transport mechanism 18, the substrate receiver 90 of the deck 42 at the uppermost layer of the body portion 210 To the elevator unit 220 may be added.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 변형예에서는 또한 장치 전체를 간이하고 또한 콤팩트하게 할 수 있다.As described above, in the present modification, the entire apparatus can be simplified and made compact.

본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고 다양하게 변형하여 적용하는 것이 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be modified in various ways.

상기 실시형태에서는, 다이(72)의 이면이 기판(80)에 대향하도록 다이(72)를 기판(80)에 다이본딩하는 태양을 설명했지만, 본 발명에서는 다이의 집적 회로 패턴이 형성된 표면을 기판에 대향하는 방향으로 본딩해도 된다. 즉, 다이를 기판에 페이스 다운 본딩해도 된다.The die 72 is die-bonded to the substrate 80 so that the back surface of the die 72 faces the substrate 80. In the present invention, the surface of the die, on which the integrated circuit pattern is formed, As shown in Fig. That is, the die may be facedown bonded to the substrate.

또한, 상기 실시형태에서는 제1 및 제2 본딩 헤드(20a, 20b)에 의해 본딩하는 태양을 설명했지만, 본 발명에서는 본딩 헤드는 1개이어도 되고, 또는, 3개 이상의 본딩 헤드를 적용해도 된다.In the above embodiment, the bonding is performed by the first and second bonding heads 20a and 20b. However, in the present invention, one bonding head may be used, or three or more bonding heads may be used.

또한, 상기 실시형태에서는 단일의 반송 레인을 사용하는 태양을 설명했지만, 본 발명에서는 복수의 반송 레인의 적용을 방해하는 것이 아니고, 예를 들면, 웨이퍼의 그레이드의 수가 3 이상이면 2개의 반송 레인을 적용해도 된다. 이것에 의하면, 그레이드의 수의 분할은 본딩 장치의 대형화를 억제할 수 있다.In the above embodiment, a single conveyance lane is used. However, the present invention does not hinder the application of a plurality of conveyance lanes. For example, when the number of wafers is three or more, . According to this, division of the number of grades can suppress the size increase of the bonding apparatus.

또한, 상기 실시형태에서는 웨이퍼의 다이의 그레이드의 수가 2개인 태양을 설명했지만, 예를 들면, 3 이상이어도 된다.In the above embodiment, the number of the dies of the wafer is two. However, the number of the dies may be three or more.

또한, 기판은 복수의 다이가 본딩된 후에 각각 객체로 절단되는 것을 사용해도 되고, 또는, 기판에 있어서의 복수의 다이가 본딩되는 영역은 본딩 전에 미리 개개의 부재로 분리되어 있어도 된다.Further, the substrate may be cut into an object after each of the plurality of dies is bonded, or an area where a plurality of dies in the substrate are bonded may be separated into individual members in advance before bonding.

상기 발명의 실시형태를 통하여 설명된 실시의 태양은 용도에 따라 적당히 조합하여, 또는 변경 혹은 개량을 가하여 사용할 수 있고, 본 발명은 상술한 실시형태의 기재에 한정되는 것은 아니다. 그러한 조합 또는 변경 혹은 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이 특허청구범위의 기재로부터 명확하다.The embodiments described through the above-described embodiments of the present invention can be suitably combined or modified or modified in accordance with the use, and the present invention is not limited to the description of the above embodiments. It is clear from the description of the claims that such combinations, alterations, or improvements are included in the technical scope of the present invention.

1…본딩 장치
10…웨이퍼 로더부
12…웨이퍼 유지부
14…픽업 툴
16…중간 스테이지
17…레인
18…자동 반송 기구
20a…제1 본딩 헤드
20b…제2 본딩 헤드
21…Z축 구동 기구
22…본딩 툴
24…촬상부
26…XY 테이블
30…반송 레인
40…로더부
42…데크
44…데크
46…데크
50…언로더부
52…데크
54…데크
56…데크
60…본딩 제어부
70…웨이퍼
72…다이
74…다이(제1 그레이드)
76…다이(제2 그레이드)
80…기판
84…기판(제1 그레이드)
86…기판(제2 그레이드)
90…기판 수용체
94…기판 수용체(제1 그레이드)
96…기판 수용체(제2 그레이드)
One… Bonding device
10 ... Wafer loader section
12 ... The wafer-
14 ... Pickup tool
16 ... Intermediate stage
17 ... lane
18 ... Automatic conveying mechanism
20a ... The first bonding head
20b ... The second bonding head
21 ... Z-axis driving mechanism
22 ... Bonding tool
24 ... The image-
26 ... XY table
30 ... Bounce lane
40 ... The loader section
42 ... Deck
44 ... Deck
46 ... Deck
50 ... Unloader portion
52 ... Deck
54 ... Deck
56 ... Deck
60 ... The bonding controller
70 ... wafer
72 ... die
74 ... Die (first grade)
76 ... Die (second grade)
80 ... Board
84 ... The substrate (first grade)
86 ... Substrate (second grade)
90 ... Substrate receptor
94 ... The substrate receiver (first grade)
96 ... The substrate receiver (second grade)

Claims (11)

높이 방향의 각각 상이한 위치에 설치된 3계층 이상의 복수의 데크로 구성되고, 각 데크가 상기 높이 방향에 직교하는 안길이 방향으로 배열되는 복수의 기판 수용체를 수용하는 본체부와,
상기 본체부에서의 상기 안길이 방향의 일방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크에 상기 기판 수용체를 공급하도록 상기 기판 수용체를 상기 높이 방향으로 상하로 이동시키는 엘리베이터부와,
상기 본체부에서의 상기 안길이 방향의 타방측에 인접하여 배치되고, 어느 하나의 데크로부터 상기 기판 수용체를 꺼내고, 또한, 당해 기판 수용체에 수용되는 기판을 본딩용 반송 레인에 반송하는 기판 반송부
를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
A plurality of decks each having a plurality of decks arranged at different positions in a height direction, each of the decks having a plurality of decks arranged in different heights,
An elevator portion disposed adjacent to one side of the direction of the seat in the body portion and moving the substrate receiver upward and downward in the height direction to supply the substrate receiver to one of the decks;
A substrate carrying section for taking out the substrate receiver from one of the decks and for transferring the substrate accommodated in the substrate receiver to the bonding lane for bonding,
And the substrate supply unit.
제1항에 있어서,
상기 엘리베이터부가, 제조 설비에서의 소정의 레인을 따라 주행하는 자동 반송 기구를 통하여, 외부로부터 상기 기판 수용체를 받는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the elevator unit receives the substrate receiver from the outside through an automatic transport mechanism that travels along a predetermined lane in a manufacturing facility.
제1항에 있어서,
상기 엘리베이터부가, 제조 설비에서의 소정의 레인을 따라 주행하는 자동 반송 기구를 통하여, 외부로 상기 기판 수용체를 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the elevator unit discharges the substrate receiver to the outside through an automatic transport mechanism that travels along a predetermined lane in the manufacturing facility.
제2항에 있어서,
상기 엘리베이터부가 상기 기판 수용체의 위치 결정을 행하는 옵셋 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the elevator section has offset means for positioning the substrate receiver.
제2항에 있어서,
상기 복수의 데크 중 상기 높이 방향의 최상계층에 위치하는 데크가, 상기 자동 반송 기구를 통하여, 외부에 상기 기판 수용체를 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the deck located at the uppermost layer in the height direction among the plurality of decks discharges the substrate receiver to the outside via the automatic transport mechanism.
제2항에 있어서,
상기 자동 반송 기구는 OHT(Overhead Hoist Transfer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the automatic transport mechanism includes an OHT (Overhead Hoist Transfer).
제1항에 있어서,
상기 기판은 복수의 그레이드마다 분류된 다이 중, 동일한 그레이드에 속하는 복수의 다이가 본딩되는 것으로,
상기 각 기판 수용체는 동일한 그레이드에 속하는 복수의 기판을 수용하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate is bonded to a plurality of dies belonging to the same grade among the dies divided for each of a plurality of grades,
Wherein each of the substrate receivers accommodates a plurality of substrates belonging to the same grade.
제7항에 있어서,
상기 그레이드는 적어도 제1 그레이드 및 제2 그레이드를 포함하고,
상기 본체부의 상기 복수의 데크는
상기 제1 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제1 그레이드 전용 데크와,
상기 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 제2 그레이드 전용 데크와,
상기 제1 그레이드 또는 상기 제2 그레이드에 속하는 기판 수용체를 수용하는 공용 데크
를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
8. The method of claim 7,
Wherein the grade comprises at least a first grade and a second grade,
The plurality of decks of the main body portion
A first grade exclusive deck for receiving a substrate receiver belonging to the first grade,
A second grade dedicated deck for receiving a substrate receiver belonging to the second grade,
And a common deck for receiving a substrate receptor belonging to the first grade or the second grade,
Wherein the substrate supply unit comprises:
제8항에 있어서,
상기 공용 데크는 상기 높이 방향의 최상계층에 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
9. The method of claim 8,
And the common deck is located at the topmost layer in the height direction.
제1항에 있어서,
상기 본딩용 반송 레인은 상기 높이 방향 및 상기 안길이 방향의 각각에 직교하는 폭 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판 공급 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the bonding lane for bonding extends in a width direction orthogonal to each of the height direction and the depth direction.
복수의 그레이드로 구분되는 복수의 다이를 갖는 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유지부와,
상기 웨이퍼 유지부로부터 반송된 상기 다이를 기판에 본딩하는 본딩 헤드와,
상기 본딩 헤드에 의해 본딩하기 위해 상기 기판을 반송하는 반송 레인과,
상기 반송 레인의 일방 끝에 설치된 로더부와,
상기 반송 레인의 타방 끝에 설치된 언로더부와,
상기 웨이퍼에서의 복수의 그레이드마다 다이를 분류한 매핑 정보에 기초하여, 상기 웨이퍼의 상기 각 다이를 당해 다이의 그레이드에 대응하는 상기 기판에 본딩하는 본딩 제어부
를 구비하고,
상기 로더부 및 상기 언로더부의 적어도 일방이 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 기판 공급 유닛으로 구성된 본딩 장치.
A wafer holding section for holding a wafer having a plurality of dies divided into a plurality of grades;
A bonding head for bonding the die transferred from the wafer holding section to the substrate,
A conveyance lane for conveying the substrate for bonding by the bonding head;
A loader section provided at one end of the conveyance lane,
An unloader portion provided at the other end of the conveyance lane,
A bonding controller for bonding each of the dies of the wafer to the substrate corresponding to the grade of the die based on the mapping information for classifying the die for each of a plurality of grades in the wafer,
And,
Wherein at least one of the loader section and the unloader section comprises the substrate supply unit according to any one of claims 1 to 10.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112772014B (en) * 2018-10-09 2022-10-14 雅马哈发动机株式会社 Part mounting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60145000A (en) * 1983-12-06 1985-07-31 ジーメンス・アクチエンゲゼルシヤフト Device for receiving and delivering conductor board for conductor board machining apparatus
JP2008153557A (en) 2006-12-20 2008-07-03 Nidec Tosok Corp Lead frame feeder
KR20090008630A (en) * 2007-07-18 2009-01-22 한미반도체 주식회사 Apparatus for extracting or inserting substrate plate for manufacturing semiconductor packages
JP2010192855A (en) * 2009-02-20 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
WO2014207803A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-31 富士機械製造株式会社 Component mounting system and component mounting method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3258748B2 (en) * 1993-02-08 2002-02-18 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment equipment
FR2844258B1 (en) * 2002-09-06 2005-06-03 Recif Sa SYSTEM FOR TRANSPORTING AND STORING SEMICONDUCTOR PLATE CONTAINERS, AND TRANSFER MECHANISM
JP5152700B2 (en) * 2005-05-16 2013-02-27 村田機械株式会社 Modular terminal for high throughput AMHS
JP2007227972A (en) * 2007-05-28 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Carrier stocker
JP4887332B2 (en) * 2007-09-20 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing equipment
JP2013035711A (en) * 2011-08-05 2013-02-21 Mitsubishi Chemicals Corp HEXAGONAL ROD-LIKE GaN-BASED SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP5815345B2 (en) * 2011-09-16 2015-11-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonder and bonding method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60145000A (en) * 1983-12-06 1985-07-31 ジーメンス・アクチエンゲゼルシヤフト Device for receiving and delivering conductor board for conductor board machining apparatus
JP2008153557A (en) 2006-12-20 2008-07-03 Nidec Tosok Corp Lead frame feeder
KR20090008630A (en) * 2007-07-18 2009-01-22 한미반도체 주식회사 Apparatus for extracting or inserting substrate plate for manufacturing semiconductor packages
JP2010192855A (en) * 2009-02-20 2010-09-02 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
WO2014207803A1 (en) * 2013-06-24 2014-12-31 富士機械製造株式会社 Component mounting system and component mounting method

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