KR20180119709A - 증착-후 가스 라인들 내측의 잔류 전구체를 제거하기 위한 장치 및 방법들 - Google Patents

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Abstract

프로세싱 챔버에 가스를 공급하기 위한 장치 및 방법들이 설명된다. 장치는, 앰풀과 유체 연통하는, 2개의 밸브들을 각각 갖는, 유입구 라인 및 배출구 라인을 포함한다. 바이패스 라인은 앰풀에 가장 가까운 유입구 밸브와 배출구 밸브를 연결한다. 장치 및 사용 방법들은 전구체 잔류물이 프로세싱 챔버의 전달 라인들로부터 제거되는 것을 가능하게 한다.

Description

증착-후 가스 라인들 내측의 잔류 전구체를 제거하기 위한 장치 및 방법들
[0001] 본 개시내용은 프로세싱 챔버를 위한 전구체 앰풀(precursor ampoule) 및 가스 전달 시스템에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은, 증착-후 잔류 전구체의 제거가 개선된 전구체 앰풀들 및 가스 전달 시스템들에 관한 것이다.
[0002] 금속-유기(MO; metal-organic) 전구체 증기는 일반적으로, 잘-제어된 프로세싱 챔버 내측의 금속 막들의 열적 증착을 위해 사용된다. 금속-유기 전구체들은 일반적으로 액체 또는 고체 형태이다. 금속-유기 증기는 일반적으로, 폐쇄형 베셀 또는 앰풀 내측에서 열적으로 생성된다. 이어서, MO 전구체의 분자들이 전달 가스라인을 통해 프로세싱 챔버 내측의 웨이퍼 표면으로 전달된다. 증기가 자신의 벌크 형태로 다시 되돌아가는 것을 방지하기 위해, 전달 가스라인은 일반적으로, 특정 MO 전구체의 이슬점(dew point)보다 훨씬 높도록 열적으로 제어된다.
[0003] 효율적인 전달을 하기 위해, 불활성 가스가 일반적으로, 전달 라인을 따라 전구체 증기를 운반(carry)하는 데 사용된다. 이러한 캐리어(carrier) 가스의 목적은 주로 2가지인데, 즉, (1) 베셀 내로의 가스 유동의 교반(agitation)에 기인하여 전구체의 증기 압력을 증가시키는 것; 및 (2) 전구체의 열분해 온도를 높이기 위해 전달 라인 내측의 전구체를 희석하는 것이다.
[0004] 증착 프로세스가 미리 결정된 두께에 도달한 후에, 앰풀 배출구 공압 밸브가 폐쇄되고; 전달 라인에는 상당한 양의 사용되지 않은 전구체 증기가 남는다. 이러한 사용되지 않은 증기는, 잘-제어된 프로세스 성능을 보존하기 위해서는 신속하게 제거되어야 한다. 신속하게 제거되지 않는다면, 잔류 전구체는 축적되어 다양한 미립자들을 형성할 수 있는데, 그러한 다양한 미립자들은 증착된 막을 오염시킬 수 있다.
[0005] 대부분의 금속-유기 화학 기상 증착(MOCVD; metal-organic chemical vapor deposition) 프로세스들의 금속 막들은 합성 준안정 화학물질(synthesized metastable chemical)들을 전구체들로서 사용하여 증착된다. 금속-유기 전구체들 중 일부는 매우 낮은 온도에서 쉽게 분해된다. 잘-제어된 프로세스 성능 ― 이를테면, 정확한 두께 및 낮은 입자 오염 ― 을 달성하기 위해, 증착-후 전달 라인 내의 잔류 전구체 증기의 관리가 중요할 수 있다. 잔류 전구체가 즉각적으로 제거되지 않는다면, 이는 후속 증착 프로세스에 부가될 것이다. 잔류물은 축적되어 입자들을 형성할 수 있으며, 그러한 입자들은 웨이퍼 표면 상으로 푸시될 것이다. 따라서, 당해 기술분야에는 잔류 전구체의 개선된 제거를 제공하기 위한 장치 및 방법들에 대한 필요성이 존재한다.
[0006] 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 실시예들은, 외측 표면 및 내측 표면을 갖는 앰풀 리드(ampoule lid), 및 앰풀 리드의 외측 표면에 연결된 밸브 클러스터를 포함하는 장치에 관한 것이다. 밸브 클러스터는 유입구 라인 및 배출구 라인을 포함한다. 유입구 라인은 앰풀 리드를 통한 유체 연통을 가능하게 하도록 앰풀 리드에 연결된다. 배출구 라인은 앰풀 리드를 통한 유체 연통을 가능하게 하도록 앰풀 리드에 연결된다. 제1 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통한다. 제2 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통하고 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있다. 제1 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통한다. 제2 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통하고 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있다. 바이패스 라인은 제1 유입구 밸브 및 제1 배출구 밸브와 유체 연통한다. 바이패스 밸브는 바이패스 라인과 유체 연통한다.
[0007] 본 개시내용의 추가의 실시예들은, 앰풀 베이스, 앰풀 리드, 유입구 라인, 배출구 라인 및 밸브 클러스터를 포함하는 앰풀들에 관한 것이다. 앰풀 베이스는 최하부 및 최하부로부터 연장되는 측벽을 갖고, 최하부 및 측벽은 앰풀의 내부를 형성한다. 앰풀 리드는 외측 표면 및 내측 표면을 갖는다. 앰풀 리드는 앰풀 베이스의 측벽의 최상부 단부에 연결되어 앰풀의 내부를 인클로징한다. 유입구 라인은 외측 단부 및 내측 단부를 갖는다. 유입구 라인은 앰풀의 내부와 유체 연통한다. 배출구 라인은 외측 단부 및 내측 단부를 갖는다. 배출구 라인은 앰풀의 내부와 유체 연통한다. 제1 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통한다. 제1 유입구 밸브는 앰풀 리드의 업스트림에 있고 공압 밸브이다. 제2 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통하고, 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있고, 제1 유입구 밸브로부터 이격된다. 제2 유입구 밸브는 수동 밸브이다. 제1 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통한다. 제1 배출구 밸브는 앰풀 리드의 다운스트림에 있고 공압 밸브이다. 제2 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통하고, 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있고, 제1 배출구 밸브로부터 이격된다. 제2 배출구 밸브는 수동 밸브이다. 바이패스 라인은 제1 유입구 밸브 및 제1 배출구 밸브와 유체 연통한다. 바이패스 밸브는 바이패스 라인과 유체 연통한다.
[0008] 본 개시내용의 추가의 실시예들은, 앰풀 베이스, 앰풀 리드, 유입구 라인, 배출구 라인 및 밸브 클러스터를 포함하는 앰풀들에 관한 것이다. 앰풀 베이스는 최하부 및 최하부로부터 연장되는 측벽을 갖고, 최하부 및 측벽은 앰풀의 내부를 형성한다. 앰풀 리드는 외측 표면 및 내측 표면을 갖고, 앰풀 베이스의 측벽의 최상부 단부에 연결되어 앰풀의 내부를 인클로징한다. 유입구 라인은 유입구 차단부(inlet disconnect)를 갖는 외측 단부, 및 앰풀의 내부 내에 있고 앰풀 리드의 내측 표면으로부터 일정 거리로 이격된 내측 단부를 갖는다. 유입구 라인은 앰풀의 내부와 유체 연통하며, 내측 단부에 연결되고 그리고 내측 단부와 유체 연통하는 스파저(sparger)를 갖는다. 배출구 라인은 배출구 차단부(outlet disconnect)를 갖는 외측 단부, 및 내측 단부를 갖는다. 배출구 라인은 앰풀의 내부와 유체 연통한다. 제1 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통하고 앰풀 리드의 업스트림에 있다. 제1 유입구 밸브는 공압 밸브이다. 제2 유입구 밸브는 유입구 라인과 유체 연통하고, 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있고, 제1 유입구 밸브로부터 이격된다. 제2 유입구 밸브는 수동 밸브이다. 제1 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통한다. 제1 배출구 밸브는 앰풀 리드의 다운스트림에 있고 공압 밸브이다. 제2 배출구 밸브는 배출구 라인과 유체 연통하고, 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있고, 제1 배출구 밸브로부터 이격된다. 제2 배출구 밸브는 수동 밸브이다. 바이패스 라인은 제1 유입구 밸브 및 제1 배출구 밸브와 유체 연통한다. 바이패스 밸브는 바이패스 라인과 유체 연통하고 공압 밸브이다.
[0009] 본 발명의 예시적인 실시예들이 획득되고 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 본 개시내용의 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 본 발명을 모호하게 하지 않기 위해, 특정한 잘 알려진 프로세스들은 본원에서 논의되지 않는다는 점이 인지되어야 한다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 앰풀의 개략도를 도시하고; 그리고
[0011] 도 2는 시간의 함수로써, 밸브들을 폐쇄한 후의 전달 경로 내의 전구체 농도의 그래프를 도시한다.
[0012] 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 실시예들은, 실질적으로 모든 잔류 전구체 증기들의 완전한 제거를 가능하게 하도록 구성된 밸브 구성들을 갖는 장치를 제공한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 덜 비싼 컴포넌트들의 사용을 가능하게 한다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 배관 길이(tubing length)에 대한 허용오차를 감소시킴으로써 전구체 앰풀들의 더 용이한 제조를 가능하게 한다.
[0013] 일부 실시예들에 따르면, 유입구 및 배출구 공압 밸브들 사이에 밸브를 연결하는 것은, 앰풀을, 2개의 수동 밸브들 사이의 종래의 연결보다는 앰풀의 배출구 튜브로 바이패스시킨다. 일부 실시예들은, MOCVD 증착 프로세스 캐리어 가스가 바이패스 밸브를 통해 배출구 공압 밸브로 유동되는 것을 가능하게 한다. 밸브 구성은, 튜브들을 통한 퍼지 가스의 유동에 의해, 이전의 증착으로부터 남은 잔류 전구체 증기를 완전히 제거하는 것을 가능하게 할 수 있다.
[0014] 배출구 가스는, 압력 강하가 있는 한 직접적으로 또는 프로세스 챔버를 통해 포어 라인(fore line)으로 방향전환될(diverted) 수 있다. 압력 강하들이 더 클수록, 라인들로부터의 잔류 전구체의 제거 레이트가 더 빠르다. MOCVD 코발트 증착을 위해 준안정 전구체들, 이를테면, 디코발트 헥사카르보닐 터트-부틸아세틸렌(CCTBA)을 사용하는 프로세스들은 청구된 앰풀 구성으로부터 이익을 얻을 수 있다. 충분한 시간이 주어지면, 준안정 전구체들은 가스라인 내측에서 분해되어 오염물들 및 미립자들을 형성할 것이다.
[0015] 도 1은 본 개시내용의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따른 앰풀(100)을 도시한다. 도시된 앰풀(100)이 앰풀 베이스(110), 앰풀 리드(120) 및 밸브 클러스터(130)를 포함하지만; 당업자들은 본 개시내용이 도시된 구성으로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 본 개시내용의 일부 실시예들은 기존의 앰풀 베이스(110) 상에 레트로피팅(retrofit)될 수 있는, 밸브 클러스터(130)가 부착된 앰풀 리드(120)에 관한 것이다. 일부 실시예들은 기존의 앰풀 리드(120) 상에 레트로피팅될 수 있는 밸브 클러스터(130)에 관한 것이다.
[0016] 앰풀 베이스(110)는 최하부(112)를 갖고, 측벽(114)이 최하부(112)로부터 연장된다. 최하부(112) 및 측벽(114)은 단일 컴포넌트로서 일체로 형성될 수 있거나 또는 함께 접합되는 다수의 컴포넌트들일 수 있다. 일부 실시예들에서, 앰풀 베이스(110)는, 측벽(114)과 최하부(112)가 앰풀(100)의 내부(116)를 형성하도록, 컵형의 형상으로 형성되는 단일 컴포넌트이다.
[0017] 앰풀 리드(120)는 앰풀 베이스(110)의 측벽(114)의 최상부 단부(115)에 포지셔닝된다. 앰풀 리드(120)는, 리드(120)와 베이스(110) 각각 상의 플랜지(도시되지 않음) 사이의 볼트들, 마찰 피팅(friction fit), 용접을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 임의의 적절한 연결들에 의해 앰풀 베이스(110)에 부착될 수 있다.
[0018] 앰풀 리드(120)는 외측 표면(122) 및 내측 표면(124)을 갖는다. 측벽(114)의 최상부 단부(115)에 연결될 때, 앰풀 리드(120)는 앰풀(100)의 내부(116)를 인클로징한다.
[0019] 유입구 라인(140)은 앰풀(100)의 내부(116)와 유체 연통한다. 유입구 라인(140)은 앰풀(100)의 외측 상에 로케이팅된 외측 단부(141)를 갖는다. 달리 말하면, 외측 단부(141)는 외측 표면(122)을 갖는 앰풀 리드(120)의 측부 상에 있다. 유입구 라인(140)은 앰풀(100)의 내부(116) 내에 로케이팅된 내측 단부(142)를 갖는다. 앰풀 베이스(110)가 없는 실시예에서, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)는 내측 표면(124)을 갖는 앰풀 리드(120)의 측부 상에 있다.
[0020] 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)과 동일한 높이일 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)으로부터 일정 거리로 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 유입구 라인(140)이 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)으로부터 연장되는 거리는, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)가, 앰풀 베이스(110)의 최하부(112)로부터 대략 10 mm 내지 대략 100 mm의 범위의 거리에 있게 하기에 충분하다.
[0021] 일부 실시예들에서, 유입구 차단부(145)가 유입구 라인(140)의 외측 단부(141)에 로케이팅된다. 유입구 차단부(145)는, 유입구 라인(140)이 연결되는 것 및 차단되는 것을 가능하게 하는 임의의 컴포넌트일 수 있다. 예컨대, 유입구 차단부(145)는, 차단부(145)가 수용 너트(receiving nut)(도시되지 않음) 내로 스크루되는 것을 가능하게 하기 위해 스크루 스레드들과 커플링될 수 있다. 유입구 차단부(145)는, 유체가 유입구 라인(140)의 외측 단부(141)를 통해 유동할 수 있도록, 유입구 라인(140)과 유체 연통한다.
[0022] 일부 실시예들에서, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)는 유입구 라인(140)을 통한 가스의 유동을 재지향시키거나 또는 확산시키기 위한 컴포넌트를 갖는다. 일부 실시예들에서, 스파저(sparger)(147)가 유입구 라인(140)의 내측 단부(142) 상에 포지셔닝된다. 스파저(147)는 유입구 라인(140)과 유체 연통하여, 유입구 라인(140)을 통해 유동하는 가스가 스파저(147)를 통과하여 전구체(118)를 통해 버블링(bubble)되는 것을 가능하게 한다.
[0023] 일부 실시예들에서, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142)는 전구체(118)의 레벨 위에 있다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 유입구 라인(140)의 내측 단부(142) 및 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는 전구체(118)와 접촉하지 않는다. 이러한 종류의 실시예에서, 전구체(118) 위의 헤드스페이스(headspace) 내의 전구체 증기는 배출구 라인(150)을 통해 프로세싱 챔버로 운반된다.
[0024] 배출구 라인(150)은 앰풀(100)의 내부(116)와 유체 연통한다. 배출구 라인(150)은 앰풀(100)의 외측 상에 로케이팅된 외측 단부(151)를 갖는다. 앰풀 베이스(110)가 없는 실시예에서, 외측 단부(151)는 앰풀 리드(120)의 외측 표면(122) 측부 상에 로케이팅된다. 배출구 라인(150)은 내측 단부(152)를 가지며, 내측 단부(152)는, 도 1에 도시된 실시예에서, 앰풀(100)의 내부(116) 내에 로케이팅될 수 있다. 앰풀 베이스(110)가 없는 실시예에서, 배출구 라인의 내측 단부(152)는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124) 측부 상에 있다.
[0025] 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)과 동일한 높이일 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 내측 단부(152)는 내측 표면(124)으로부터 일정 거리로 연장된다. 달리 말하면, 배출구 라인(150)은, 내측 단부(152)가 앰풀(100)의 내부(116) 내에서 일정 거리에 있도록, 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)으로부터 일정 거리로 연장된다. 내측 단부(152)가 내측 표면(124)으로부터 연장되는 거리는, 대략 내측 표면(124)과 동일한 높이에 있는 것 내지 50 mm의 범위에서 변화할 수 있다. 일부 실시예들에서, 내측 단부(152)는 대략 40 mm, 30 mm, 20 mm 또는 10 mm와 동일한 또는 그 미만의 양만큼 내측 표면(124)으로부터 연장된다. 일부 실시예들에서, 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는, 내측 단부(152)가 내측 표면(124)과 동일한 높이에 있지 않도록, 내측 표면(124)으로부터 적어도 대략 1 mm에 있다. 일부 실시예들에서, 내측 단부(152)는, 대략 1 mm 내지 대략 40 mm, 또는 대략 2 mm 내지 대략 35 mm, 또는 대략 3 mm 내지 대략 30 mm, 또는 대략 4 mm 내지 대략 25 mm, 또는 대략 5 mm 내지 대략 20 mm의 범위의 양만큼 내측 표면(124)으로부터 연장된다.
[0026] 전구체가 액체인 실시예에서, 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는, 액체와 접촉하도록 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)으로부터 충분히 멀리 연장되지 않는다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124)으로부터 전구체(118)를 향해 소량으로 돌출된다(stick out). 내측 단부(152)의 에지는 응축된 액체 또는 스플래시된(splashed) 액체가 배출구 라인(150)에 진입하는 것을 감소시킬 수 있다. 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)는, 전달되는 전구체의 양을 감소시키기 위해, 내부(116) 내로 충분히 멀리 연장되지 않는다.
[0027] 일부 실시예들에서, 배출구 라인(150)은 외측 단부(151)에서 배출구 차단부(155)를 포함한다. 배출구 차단부(155)는, 배출구 라인(150)을 통해 유동하는 유체가 배출구 차단부(155)를 통과할 수 있도록, 배출구 라인(150)과 유체 연통한다. 배출구 차단부(155)는, 배출구 라인(150)이 연결되는 것 및 차단되는 것을 가능하게 하는 임의의 컴포넌트일 수 있다. 예컨대, 배출구 차단부(155)는, 배출구 차단부(155)가 수용 너트(도시되지 않음) 내로 스크루되는 것을 가능하게 하기 위해 스크루 스레드들과 커플링될 수 있다. 배출구 차단부(155)는 유입구 차단부(145)와 동일한 스타일 또는 크기일 수 있다. 일부 실시예들에서, 유입구 차단부(145)와 배출구 차단부(155)는 상이한 크기들이어서, 유입구 라인(140)과 배출구 라인(150)은 용이하게 구별될 수 있다.
[0028] 일부 실시예들은 스플래시 가드(splash guard)(도시되지 않음)를 포함한다. 스플래시 가드는 앰풀 리드(120)의 내측 표면(124) 또는 앰풀 베이스(110)의 측벽(114)에 연결될 수 있다. 배출구 튜브(150)의 내측 단부(152)는 스플래시 가드로서의 역할을 하기 위한 양만큼 전구체(118) 위의 헤드스페이스 내로 연장될 수 있다. 전구체(118) 위의 헤드스페이스 내로 연장되는 배출구 튜브(150)의 내측 단부(152) 및 스플래시 가드(도시되지 않음) 둘 모두의 사용은, 전구체 포착(precursor entrapment) 및 액체 플러시(liquid flush)를 감소시키는 것으로 밝혀졌다.
[0029] 밸브 클러스터(130)는 유입구 라인(140)과 유체 연통하는 제1 유입구 밸브(161)를 포함한다. 제1 유입구 밸브(161)는 앰풀 리드(120)의 업스트림에서 외측 표면(122)에 인접하게 로케이팅된다. 제1 유입구 밸브(161)는 앰풀 리드(120)의 외측 표면(122)에 가능한 한 가깝게 위치될 수 있거나 또는 외측 표면(122)으로부터 일정 거리로 이격될 수 있다.
[0030] 제1 유입구 밸브(161)는, 밸브의 업스트림 측과 밸브의 다운스트림 측 사이의 유체 연통을 가능하게 하는 임의의 적절한 밸브일 수 있다. 일부 실시예들의 제1 유입구 밸브(161)는, 가스의 유동이 밸브의 업스트림 측으로부터 하나 또는 두 개의 다운스트림의 레그(leg)들로 통과하는 것을 가능하게 하는 3방향 밸브(three-way valve)이다. 예컨대, 도 1에 도시된 실시예의 제1 유입구 밸브(161)는, 가스의 유동이 밸브(161)를 통과하여 앰풀(100)의 내부(116) 내로 유동하거나 또는 바이패스 라인(180) 내로 유동하는 것을 가능하게 하는 3방향 밸브이다.
[0031] 제1 유입구 밸브(161)는, 손으로 동작되는 수동 밸브일 수 있거나 또는 전자적으로 제어될 수 있는 공압 밸브일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 유입구 밸브(161)는 공압 밸브이다.
[0032] 제2 유입구 밸브(166)는 유입구 라인(140)과 유체 연통한다. 제2 유입구 밸브(166)는 제1 유입구 밸브(161)의 업스트림에 로케이팅된다. 제2 유입구 밸브(166)는 유입구 라인(140)의 길이를 따라 제1 유입구 밸브(161)로부터 이격된다. 제1 유입구 밸브(161)와 제2 유입구 밸브(166) 사이의 공간은 임의의 공간일 수 있으며, 짧은 거리들로 제한되지 않는다.
[0033] 제2 유입구 밸브(166)는, 손으로 동작되는 수동 밸브 또는 전자적으로 제어될 수 있는 공압 밸브일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 유입구 밸브(166)는 수동 밸브이고, 제1 유입구 밸브(161)는 공압 밸브이다.
[0034] 제1 배출구 밸브(171)는 배출구 라인(150)과 유체 연통한다. 제1 배출구 밸브(171)는 앰풀 리드(120)의 다운스트림에 로케이팅된다. 제1 배출구 밸브(171)는 앰풀 리드(120)의 다운스트림에서 앰풀 리드(120)의 외측 표면(122)에 인접하게 로케이팅된다. 제1 배출구 밸브(171)는 앰풀 리드(120)의 외측 표면(122)에 가능한 한 가깝게 위치될 수 있거나 또는 외측 표면(122)으로부터 일정 거리로 이격될 수 있다.
[0035] 제1 배출구 밸브(171)는, 밸브의 업스트림 측(즉, 앰풀에 더 가까운 측)과 밸브(171)의 다운스트림 측(즉, 앰풀로부터 더 멀리 있는 측) 사이의 유체 연통을 가능하게 하는 임의의 적절할 밸브일 수 있다. 일부 실시예들의 제1 배출구 밸브(171)는, 유체의 유동이 밸브의 업스트림 측으로부터, 하나 또는 두 개의 레그들로부터 밸브의 다운스트림 측으로 통과하는 것을 가능하게 하는 3방향 밸브이다. 예컨대, 도 1에 도시된 실시예의 제1 배출구 밸브(171)는, 유체의 유동이 앰풀(100)의 내부(116)로부터 또는 바이패스 라인(180)으로부터, 또는 둘 모두로부터 밸브(171)를 통과하는 것을 가능하게 하는 3방향 밸브이다.
[0036] 제1 배출구 밸브(171)는, 손으로 동작되는 수동 밸브일 수 있거나 또는 전자적으로 제어될 수 있는 공압 밸브일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 배출구 밸브(171)는 공압 밸브이다.
[0037] 제2 배출구 밸브(176)는 배출구 라인(150)과 유체 연통한다. 제2 배출구 밸브(176)는 제1 배출구 밸브(171)의 다운스트림에 로케이팅된다. 제2 배출구 밸브(176)는 배출구 라인(150)의 길이를 따라 제1 배출구 밸브(171)로부터 이격된다. 제1 배출구 밸브(171)와 제2 배출구 밸브(176) 사이의 공간은 임의의 공간일 수 있으며, 짧은 거리들로 제한되지 않는다.
[0038] 제2 배출구 밸브(176)는, 손으로 동작되는 수동 밸브 또는 전자적으로 제어될 수 있는 공압 밸브일 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 배출구 밸브(176)는 수동 밸브이고, 제1 배출구 밸브(171)는 공압 밸브이다.
[0039] 바이패스 라인(180)은 제1 유입구 밸브(161) 및 제1 배출구 밸브(171)와 유체 연통한다. 유동 경로에서, 제1 유입구 밸브(161)는, 밸브(161)를 통과하여 업스트림 측(즉, 내부(116)로부터 더 멀리 있는 측)으로부터 내부(116)로의 또는 바이패스 라인(180)으로의, 또는 둘 모두의 조합으로의 유체의 유동을 가능하게 하는 3방향 밸브일 수 있다. 바이패스 라인(180)을 통해 유동하는 유체는 제1 배출구 밸브(171)를 통과할 수 있으며, 제1 배출구 밸브(171)는, 바이패스 라인(180), 앰풀(100)의 내부(116), 또는 둘 모두로부터의 유체가 통과하는 것을 가능하게 하는 3방향 밸브이다.
[0040] 일부 실시예들에서, 바이패스 라인(180)은 바이패스 라인(180)과 유체 연통하는 바이패스 밸브(181)를 포함한다. 바이패스 밸브(181)는, 손으로 동작되는 수동 밸브 또는 전자적으로 제어될 수 있는 공압 밸브일 수 있다. 일부 실시예들에서, 바이패스 밸브(181)는 공압 밸브이다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 제1 유입구 밸브(161), 제1 배출구 밸브(171) 및 바이패스 밸브(181)는 공압 밸브들이다.
[0041] 사용 시에, 캐리어 가스(예컨대, Ar)가 외측 단부(141)를 통해 유입구 라인(140) 내로 유동한다. 가스는 밸브의 업스트림 측으로부터 밸브의 다운스트림 측으로 제2 유입구 밸브(166)를 통과한다. 가스는 밸브의 업스트림 측으로부터 밸브의 다운스트림 측으로 제1 유입구 밸브(161)를 통과한다. 이어서, 가스는 스파저(147)를 통해 앰풀의 내부(116)로 통과한다. 내부(116)에서, 가스는 전구체(118)를 흐트러뜨리고(disturb), 전구체 분자들을 배출구 라인(150)의 내측 단부(152)로 운반한다. 전구체를 포함하는 가스는 제1 배출구 밸브(171) 및 제2 배출구 밸브(176)를 통해, 예컨대 프로세싱 챔버 쪽으로 유동한다. 일단 프로세스가 완료되면, 제1 유입구 밸브(161) 및 제1 배출구 밸브(171)는 폐쇄되거나, 또는 바이패스 라인(180)을 통한 유동을 가능하게 하기 위해 방향전환될 수 있다. 바이패스 밸브(181)는 개방되어, 캐리어 가스 또는 퍼지 가스가, 바이패스 밸브(181) 및 바이패스 라인(180)을 통과하기 전에, 제2 유입구 밸브(166) 및 제1 유입구 밸브(161)를 통해 유동하는 것을 가능하게 할 수 있다. 이어서, 퍼지 가스는, 배출구 라인(150)의 제1 배출구 밸브(171) 및 제2 배출구 밸브(176)를 통해 유동하여, 배출구 라인(150) 내에 남아 있을 수 있는 전구체의 모든 잔류물들을 제거한다.
[0042] 제1 배출구 밸브(171) 이후의 포인트에서의 전구체 몰 농도는 2가지 구성들에 대해 계산되었다. 제1 구성은, 바이패스 밸브(180)가 제1 유입구 밸브(161)와 제1 배출구 밸브(171) 사이에 있는, 도 1에 도시된 구성과 유사하다. 제2 구성은, 바이패스 라인이 제2 유입구 밸브(166)와 제2 배출구 밸브(176) 사이에 있는 종래의 컴포넌트와 매칭된다. 도 2는 시간의 함수로써, 밸브들을 폐쇄한 후에 제1 배출구 밸브(171)와 제2 배출구 밸브(176) 사이의 전구체 농도의 그래프를 도시한다. 배출구 라인(150)은 1 Torr의 저압 영역에 연결되어 있는 것으로 계산된다. 제1 배출구 밸브(171)와 제2 배출구 밸브(176) 사이의 전구체 농도는 청구된 구성에 대한 퍼지의 처음의 0.1초 내에 현저하게 저하되는 반면, 배출구 밸브들 사이의 전구체 농도는 3초 초과 동안 실질적으로 동일하게 유지된다는 것이 확인될 수 있다.
[0043] 바이패스 라인(180) 및 바이패스 밸브(181)가 제1 유입구 밸브(161)와 제1 배출구 밸브(171) 사이에 연결될 때, 제1 배출구 밸브(171)로부터 제2 배출구 밸브(176)로의 전구체 전달 경로 내측의 잔류 전구체는 신속하게 퍼지될 수 있다. 전달 라인으로부터의 잔류 전구체의 신속한 제거는 입자 형성을 감소시키는 것으로 밝혀졌다.
[0044] 일부 실시예들은, 잔류물이 잔류 라인으로부터 신속하게 제거됨으로 인해, 증착 조건들 및 다른 처리들 사이의 신속한 전이(transition)들을 가능하게 한다. 제1 배출구 라인(171)을 통한 가스 유동은 밸브 밀봉부 상의 전구체 정체(precursor stagnating)를 방지하여, 밸브 밀봉부의 수명을 연장시킨다.
[0045] 전술한 바가 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 장치로서,
    외측 표면 및 내측 표면을 갖는 앰풀 리드(ampoule lid); 및
    상기 앰풀 리드의 외측 표면에 연결된 밸브 클러스터(valve cluster)를 포함하며,
    상기 밸브 클러스터는,
    상기 앰풀 리드를 통한 유체 연통을 가능하게 하도록 상기 앰풀 리드에 연결된 유입구 라인(inlet line);
    상기 앰풀 리드를 통한 유체 연통을 가능하게 하도록 상기 앰풀 리드에 연결된 배출구 라인(outlet line);
    상기 유입구 라인과 유체 연통하는 제1 유입구 밸브;
    상기 유입구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있는 제2 유입구 밸브;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하는 제1 배출구 밸브;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있는 제2 배출구 밸브;
    상기 제1 유입구 밸브 및 상기 제1 배출구 밸브와 유체 연통하는 바이패스 라인(bypass line); 및
    상기 바이패스 라인과 유체 연통하는 바이패스 밸브를 포함하는,
    장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 유입구 밸브는 공압 밸브인,
    장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 배출구 밸브는 공압 밸브인,
    장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 유입구 밸브는 수동 밸브인,
    장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 배출구 밸브는 수동 밸브인,
    장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 밸브 클러스터는 상기 앰풀 리드의 외측 표면에 용접되는,
    장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 밸브 클러스터는 상기 앰풀 리드의 외측 표면에 볼팅되는,
    장치.
  8. 앰풀로서,
    최하부 및 상기 최하부로부터 연장되는 측벽을 갖는 앰풀 베이스 ― 상기 최하부 및 측벽은 상기 앰풀의 내부를 형성함 ―;
    외측 표면 및 내측 표면을 갖는 앰풀 리드(ampoule lid) ― 상기 앰풀 리드는 상기 앰풀 베이스의 측벽의 최상부 단부에 연결되어 상기 앰풀의 내부를 인클로징함 ―;
    외측 단부 및 내측 단부를 갖는 유입구 라인 ― 상기 유입구 라인은 상기 앰풀의 내부와 유체 연통함 ―;
    외측 단부 및 내측 단부를 갖는 배출구 라인 ― 상기 배출구 라인은 상기 앰풀의 내부와 유체 연통함 ―;
    상기 유입구 라인과 유체 연통하는 제1 유입구 밸브 ― 상기 제1 유입구 밸브는 상기 앰풀 리드의 업스트림에 있고, 상기 제1 유입구 밸브는 공압 밸브임 ―;
    상기 유입구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있고 그리고 상기 제1 유입구 밸브로부터 이격된 제2 유입구 밸브 ― 상기 제2 유입구 밸브는 수동 밸브임 ―;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하는 제1 배출구 밸브 ― 상기 제1 배출구 밸브는 상기 앰풀 리드의 다운스트림에 있고, 상기 제1 배출구 밸브는 공압 밸브임 ―;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있고 그리고 상기 제1 배출구 밸브로부터 이격된 제2 배출구 밸브 ― 상기 제2 배출구 밸브는 수동 밸브임 ―;
    상기 제1 유입구 밸브 및 상기 제1 배출구 밸브와 유체 연통하는 바이패스 라인; 및
    상기 바이패스 라인과 유체 연통하는 바이패스 밸브를 포함하는,
    앰풀.
  9. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 바이패스 밸브는 공압 밸브인,
    장치 또는 앰풀.
  10. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 유입구 라인의 외측 단부에 있는 유입구 차단부(inlet disconnect)를 더 포함하며,
    상기 유입구 차단부는 상기 유입구 라인과 유체 연통하는,
    장치 또는 앰풀.
  11. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 배출구 라인의 외측 단부에 있는 배출구 차단부(outlet disconnect)를 더 포함하며,
    상기 배출구 차단부는 상기 배출구 라인과 유체 연통하는,
    장치 또는 앰풀.
  12. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 유입구 라인 및 배출구 라인은 용접 또는 볼트들 중 하나 또는 그 초과에 의해 상기 앰풀 리드에 연결되는,
    장치 또는 앰풀.
  13. 제1 항 또는 제8 항에 있어서,
    상기 유입구 라인은 상기 앰풀 리드를 통해 상기 앰풀 리드의 내측 표면으로부터 일정 거리로 연장되는,
    장치 또는 앰풀.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 앰풀 리드의 내측 표면 상의 상기 유입구 라인의 단부 상의 스파저(sparger)를 더 포함하는,
    장치 또는 앰풀.
  15. 앰풀로서,
    최하부 및 상기 최하부로부터 연장되는 측벽을 갖는 앰풀 베이스 ― 상기 최하부 및 측벽은 상기 앰풀의 내부를 형성함 ―;
    외측 표면 및 내측 표면을 갖는 앰풀 리드 ― 상기 앰풀 리드는 상기 앰풀 베이스의 측벽의 최상부 단부에 연결되어 상기 앰풀의 내부를 인클로징함 ―;
    유입구 라인 ― 상기 유입구 라인은, 유입구 차단부를 갖는 외측 단부, 및 상기 앰풀 리드의 내측 표면으로부터 일정 거리로 이격된, 상기 앰풀의 내부 내에 있는 내측 단부를 갖고, 상기 유입구 라인은 상기 앰풀의 내부와 유체 연통하고, 상기 유입구 라인은 스파저를 갖고, 상기 스파저는 상기 내측 단부에 연결되고 그리고 상기 내측 단부와 유체 연통함 ―;
    배출구 라인 ― 상기 배출구 라인은, 배출구 차단부를 갖는 외측 단부, 및 내측 단부를 갖고, 상기 배출구 라인은 상기 앰풀의 내부와 유체 연통함 ―;
    상기 유입구 라인과 유체 연통하는 제1 유입구 밸브 ― 상기 제1 유입구 밸브는 상기 앰풀 리드의 업스트림에 있고, 상기 제1 유입구 밸브는 공압 밸브임 ―;
    상기 유입구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 유입구 밸브의 업스트림에 있고 그리고 상기 제1 유입구 밸브로부터 이격된 제2 유입구 밸브 ― 상기 제2 유입구 밸브는 수동 밸브임 ―;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하는 제1 배출구 밸브 ― 상기 제1 배출구 밸브는 상기 앰풀 리드의 다운스트림에 있고, 상기 제1 배출구 밸브는 공압 밸브임 ―;
    상기 배출구 라인과 유체 연통하고 그리고 상기 제1 배출구 밸브의 다운스트림에 있고 그리고 상기 제1 배출구 밸브로부터 이격된 제2 배출구 밸브 ― 상기 제2 배출구 밸브는 수동 밸브임 ―;
    상기 제1 유입구 밸브 및 상기 제1 배출구 밸브와 유체 연통하는 바이패스 라인; 및
    상기 바이패스 라인과 유체 연통하는 바이패스 밸브를 포함하며,
    상기 바이패스 밸브는 공압 밸브인,
    앰풀.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021080726A1 (en) 2019-10-21 2021-04-29 Applied Materials, Inc. Method of depositing layers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6033479A (en) * 1998-04-22 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Process gas delivery system for CVD having a cleaning subsystem
KR20090006150A (ko) * 2006-03-30 2009-01-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 증착 또는 원자 층 증착용 화학물 전달 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4206660A1 (de) * 1992-03-03 1993-09-09 Siemens Ag Sicherheitseinrichtung gegen ueberdruckversagen eines kernreaktor-druckbehaelters
US5413671A (en) * 1993-08-09 1995-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for removing deposits from an APCVD system
US7334708B2 (en) 2001-07-16 2008-02-26 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Integral blocks, chemical delivery systems and methods for delivering an ultrapure chemical
JP4021721B2 (ja) * 2002-07-30 2007-12-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 液体供給構造
JP2005322668A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Renesas Technology Corp 成膜装置および成膜方法
US8951478B2 (en) 2006-03-30 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Ampoule with a thermally conductive coating
JP5074073B2 (ja) * 2007-03-30 2012-11-14 東京エレクトロン株式会社 粉体状ソース供給系の洗浄方法、記憶媒体、基板処理システム及び基板処理方法
US20090214777A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
CN101960564B (zh) 2008-03-17 2012-11-21 应用材料公司 用于安瓿的加热阀歧管
JP5720406B2 (ja) 2011-05-10 2015-05-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、熱処理装置、ガス供給方法及び熱処理方法
KR20140050681A (ko) 2011-07-22 2014-04-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Ald/cvd 프로세스들을 위한 반응물 전달 시스템

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6033479A (en) * 1998-04-22 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Process gas delivery system for CVD having a cleaning subsystem
KR20090006150A (ko) * 2006-03-30 2009-01-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 화학적 증착 또는 원자 층 증착용 화학물 전달 장치

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