KR20180113079A - 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 이의 형성방법 - Google Patents

기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 이의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자와 이의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 파우더 형태의 황화주석 전구체를 준비하는 단계; 상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계; 증발된 상기 황화주석 전구체를 준비된 기판상에 증착하는 단계; 및 상기 황화주석 전구체가 증착된 기판을 상온까지 공랭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 이의 형성방법{Tin Sulfide Thin Films and Nano particles Using Vapor Deposition Method and Their Formation Method}
본 발명은 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자와 이의 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 고가의 고진공 장비, 추가적인 열처리 공정 및 인체에 유해한 시약을 필요로 하지 않으면서 이차 상이 혼합되지 않은 단일상의 고품질 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3) 박막 및 나노 입자를 형성할 수 있는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자와 이의 형성방법에 관한 것이다.
최근 환경오염 문제와 화석 에너지 고갈로 인한 청정에너지 개발에 대한 중요성이 증대되고 있다.
이 중 무한한 자원인 태양을 이용한 태양전지는 에너지 문제를 해결할 수 있는 차세대 에너지원으로 각광받고 있다.
그 중 박막형 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지와 비교하여 얇은 두께로 제작되어 재료의 소모량이 적고, 무게가 가볍기 때문에 실리콘 공급 부족 등의 영향을 받지 않아 생산단가를 낮출 수 있고 그 활용 범위가 넓다.
이러한 저가 고효율의 태양전지 개발을 통해 경제성을 확보하고자 박막형 태양전지에 대한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
최근 Cu(In,Ga)Se2 광흡수층 박막 소재를 활용한 태양전지로, 약 20%의 높은 변환효율을 나타내어 향후 산업화의 가능성이 높은 것으로 평가받고 있다.
하지만, Cu(In,Ga)Se2 박막은 상대적으로 매장량이 적어 고가인 In, Ga을 사용하고 있어 생산단가가 높다.
그러므로 이를 대체할 수 있는 저가 소재, 공정 개발을 통한 단가 절감이 필요한 실정이었다.
이와 더불어 환경 규제에 부합되는 저독성 물질사용, 사용 수명 보장을 위해 안정성 확보 등이 담보되는 소재가 필요하다.
이러한 관점에서 기존의 Cu(In,Ga)Se2, CdTe를 대체할 수 있는 소재로 전기, 광학적 특성이 기존의 광흡수층 물질과 비교하여 경쟁력을 갖고, 저가의 범용 원소 활용에 의한 저가화 가능성, 독성 물질 배제 및 적은 원소수로 이루어진 소재 개발이 필요한 실정이다.
이에 부합된 소재의 광흡수층으로써 적절한 직접 천이 밴드갭(Eg ~ 1.3eV)과 높은 광 흡수계(a>104cm- 1)와 이론적으로 높은 광변환효율(~30%)를 갖는 황화주석이 이에 부합한다고 볼 수 있다.
그러나 황화주석은 이차상 제어가 어려워 단일상의 박막 및 나노 입자를 얻기 힘든 문제점이 있어 이에 대한 연구개발이 필요한 실정이었다.
본 발명은 상술한 문제점 해결 및 필요성에 의해 창안된 것으로 먼저, 기상 증착법을 이용하여 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3) 박막 및 나노 입자를 형성할 수 있고, 상기 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 태양전지의 광흡수층 소재로 적용할 수 있어 이를 통한 발전단가 절감 및 높은 태양전지 효율을 기대할 수 있는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자와 이의 형성방법 제공을 일 목적으로 한다.
아울러, 본 발명은 공정이 단순하고, 고가의 독성 화학물질 및 유해한 가스 사용 없어 안전한 조건하에서 상기 황화주석 박막 및 나노 입자를 형성할 수 있는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자와 이의 형성방법 제공을 다른 목적으로 한다.
한편, 본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상술한 목적들을 달성하기 위하여, 파우더 형태의 황화주석 전구체를 준비하는 단계, 상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계, 증발된 상기 황화주석 전구체를 준비된 기판상에 증착하는 단계 및 상기 황화주석 전구체가 증착된 기판을 상온까지 공랭하는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는 상기 황화주석 전구체를 준비하는 단계는, 직경 3 ~ 12mm의 황화주석 파우더를 준비된 석영보트에 0.3 ~ 1g 담아 준비할 수 있다.
바람직하게는 상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계는, 상기 챔버의 내부에 구비되는 튜브형태의 열처리 로에 상기 석영보트를 삽입하고, 상기 열처리 로를 가열하여 상기 황화주석 전구체를 증발시킬 수 있다.
바람직하게는 상기 챔버의 내부 공정압력은 2mTorr ~ 1.4Torr 일 수 있다.
바람직하게는 상기 챔버의 내부로는 아르곤 또는 질소 가스가 주입되며, 상기 아르곤 또는 질소 가스의 주입량에 따라 상기 공정압력 및 황화주석 박막의 모폴로지가 제어될 수 있다.
바람직하게는 상기 열처리 로의 가열온도는 400 ~ 700℃일 수 있으며, 상기 열처리 로는 선택된 시간 동안 가열되며, 상기 열처리 로의 가열시간을 통해 황화주석 나노 입자의 결정상과 증착속도가 제어될 수 있다.
바람직하게는 상기 기판은 상기 열처리 로의 내부에 동일한 간격으로 3개가 구비되며, 상기 기판은 Si, Mo 및 Glass로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명은 다음과 같은 우수한 효과가 있다.
먼저, 기상 증착법을 이용하여 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3) 박막 및 나노 입자를 형성할 수 있고, 상기 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 태양전지의 광흡수층 소재로 적용할 수 있어 이를 통한 발전단가 절감 및 높은 태양전지 효율을 기대할 수 있다.
아울러, 본 발명은 공정이 단순하고, 고가의 독성 화학물질 및 유해한 가스 사용 없어 안전한 조건하에서 상기 황화주석 박막 및 나노 입자를 형성할 수 있는 우수한 효과가 있다.
도 1 및 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법에 대한 전체 공정도 및 개략도다.
도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 이미지다.
도 4 내지 6은 본 발명의 제1실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3)의 SEM 이미지다.
도 7 및 8은 본 발명의 제2실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지다.
도 9 및 10은 본 발명의 제3실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지다.
도 11 및 12는 본 발명의 제4실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지다.
도 13은 본 발명의 제4실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 이용하여 만들어진 박막 태양전지의 SEM 이미지이며, 도 14 및 15는 본 발명의 제4실시 예 에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 이용하여 만들어진 박막 태양전지의 J-V characteristic 그래프, 빛 조사 여부에 따른 박막 태양전지의 Dark & Light J-V 그래프다.
본 발명에서 사용되는 용어는 가능한 현재 널리 사용되는 일반적인 용어를 선택하였으나, 특정한 경우는 출원인이 임의로 선정한 용어도 있는데 이 경우에는 단순한 용어의 명칭이 아닌 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 기재되거나 사용된 의미를 고려하여 그 의미가 파악되어야 할 것이다.
이하, 첨부한 도면에 도시된 바람직한 실시 예들을 참조하여 본 발명의 기술적 구성을 상세하게 설명한다.
이와 관련하여 먼저, 도 1 및 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법에 대한 전체 공정도 및 개략도다.
상기 도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 제1실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 파우더 형태의 황화주석 전구체를 준비하는 단계(S100)를 포함한다.
이때, 상기 황화주석 전구체를 준비하는 단계(S100)는, 직경(입자크기) 3 ~ 12mm의 황화주석 파우더를 준비된 석영보트에 0.3 ~ 1g 담아 준비하며 상기 황화주석은 별도의 열처리가 수행되지 않은 순도 99.99%의 황화주석 파우더이다.
한편, 본 발명의 제1실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계(S200)를 포함한다.
이때, 상기 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계(S200)는, 상기 챔버의 내부에 구비되는 튜브형태의 열처리 로에 상기 석영보트를 삽입하고, 상기 열처리 로를 가열하여 상기 황화주석 전구체를 증발시킨다.
이때, 상기 석영보트는 상기 열처리 로의 중앙에 위치하며, 상기 열처리 로의 말단에는 후술할 기판이 석영판 위에 안치된 상태로 위치한다.
한편, 상기 챔버의 내부는 별도로 구비되는 진공펌프에 의해 공정압력 2mTorr ~ 1.4Torr의 저 진공상태로 유지되는데, 본 발명의 제1실시 예에 있어서는 상기 공정압력이 2mTorr로 유지된다.
한편, 상기 열처리 로의 가열온도는 400 ~ 700℃로 가열되는데, 본 발명의 제1실시 예에 있어서는 700℃로 1시간 동안 상기 열처리 로를 가열하여 상기 황화주석 파우더를 증발시킨다.
이후, 본 발명의 제1실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 증발된 상기 황화주석 전구체를 준비된 기판상에 증착하는 단계(S300)를 포함한다.
이때, 본 발명의 실시 예들에 따른 상기 기판은 상기 열처리 로의 내부, 보다 구체적으로는 상기 열처리 로의 말단에 동일한 간격으로 3개가 구비되며, 상기 기판은 Si, Mo 및 Glass로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.
이에 대해 보다 상세하게 설명하면, 본 발명의 제1실시 예에 있어서, 상기 기판은 상기 열처리 로의 중앙에서 7.5cm 떨어진 지점에 첫 번째 기판이 위치하며, 2.5cm의 간격으로 각각 두번째 및 세번째 기판이 위치한다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 황화주석 전구체가 증착된 기판을 상온까지 공랭하는 단계(S400)를 포함한다.
즉, 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 종래 기술과 같은 고가의 냉각장치가 필요 없어 제조단가를 절감할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 도 2에 도시된 바와 같이 상기 챔버의 내부로는 아르곤 또는 질소 가스가 주입될 수 있다.
이때, 상기 아르곤 또는 질소 가스를 주입하는 이유는 주입되는 상기 아르곤 또는 질소 가스의 주입량에 따라 상기 공정압력 및 황화주석 박막의 모폴로지(morphology)를 제어하기 위함이다.
아울러, 본 발명의 실시 예들에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 열처리 로의 가열시간을 통해 황화주석 나노 입자의 결정상과 증착속도가 제어된다.
한편, 본 발명의 제2실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 열처리 로를 1.25시간 동안 가열함을 제외하고는 상술한 제1실시 예와 모두 동일하며, 제2실시 예를 통해 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자를 형성할 수 있다.
한편, 본 발명의 제3실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 열처리 로를 600℃로 1시간 동안 가열함을 제외하고는 상술한 제1실시 예와 모두 동일하며, 제3실시 예를 통해 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자를 형성할 수 있다.
아울러, 본 발명의 제4실시 예에 따른 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 형성방법은 상기 챔버의 내부로 아르곤 가스(100sccm) 주입하고, 공정압력을 1.4Torr로 유지하며 상기 열처리 로를 1시간 또는 1.25시간 동안 가열함을 제외하고는 모두 제1실시 예와 동일하며 제4실 예를 통해 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자를 형성할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시 예들을 통해 형성된 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자의 실험결과에 대해 상세히 설명한다.
이와 관련하여 도 3은 본 발명의 제1실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 이미지, 도 4 내지 6은 본 발명의 제1실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS), 황화주석(Ⅳ)(SnS2) 및 삼황화이주석(Sn2S3)의 SEM 이미지, 도 7 및 8은 본 발명의 제2실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지, 도 9 및 10은 본 발명의 제3실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지, 도 11 및 12는 본 발명의 제4실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자의 X-ray 회절 패턴 및 SEM 이미지이며, 도 13은 본 발명의 제4실시 예에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 이용하여 만들어진 박막 태양전지의 SEM 이미지이며, 도 14 및 15는 본 발명의 제4실시 예 에 따라 형성된 황화주석(Ⅱ)(SnS) 박막을 이용하여 만들어진 박막 태양전지의 J-V characteristic 그래프, 빛 조사 여부에 따른 박막 태양전지의 Dark & Light J-V 그래프다.
상기 도 3을 참조하면, 열처리 로를 이용하여 700℃, 진공상태에서 형성한 황화주석은 말단부의 기판 위치에 따라 각각 SnS, Sn2S3. SnS2로 증착되었음을 확인하였다.
이는 말단부에서 온도가 더 높은 위치의 기판에서는 SnS 나노입자가 형성되었고, 온도가 더 낮은 위치의 기판에서는 Sn2S3, SnS2 순서로 나노입자가 형성되었음을 확인하였다.
이후의 실험에서는 고품질의 SnS 나노입자를 형성시키기 위해 공정 온도, 압력, 시간, 황화주석 전구체의 양을 변화시켜가며 실험해본 결과, 도 7 및 도 9로부터 알 수 있듯이, 저 진공상태(2mTorr)에서 700℃ 또는 600℃에서 열처리하여 얻은 SnS 나노입자는 (101), (111) 방향에서 큰 강도의 회절 패턴이 나타남을 보였으며, 다양한 각도에서도 여러 회절 패턴 피크가 관찰 되었다.
하지만, 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 진공도를 1.4Torr로 바꾸고 600℃에서 1시간 동안 열처리하였을 때는 (101), (111) 방향에서도 회절 피크가 겹쳐진 형태로 나타났지만, (120), (040) 방향에서 큰 강도의 회절 패턴이 관찰되었다.
상기 회절 패턴들은 다음과 같은 JCPDS card와 비교 분석하였다.
SnS : [JCPDS card No. : 00-039-0354], Sn2S3 : [JCPDS card No. : 00-014-0619], SnS2 : [JCPDS card No. : 00-023-0677]
한편, 황화주석 나노입자들의 결정상을 확인하기 위해 제1실시 예 내지 제4실시 예에서 얻어진 나노입자들을 field emission scanning electron microscope (FE-SEM, JSM-7500F)으로 분석하였다.
이와 관련하여 도4 내지 6을 참조하면, 각각 SnS, Sn2S3. SnS2는 다른 결정상을 가지고 있음을 확인할 수 있다.
또한, 도 4 내지 6, 도 8 및 도 10에서 보여주는 SnS 박막은 다공성이므로 박막 태양전지의 흡수층으로서 적절치 않다고 판단되었다.
그리고 고품질의 SnS 박막을 제조하기 위하여 공정 온도, 압력, 시간, 황화주석 전구체의 양을 변화시켜가며 실험한 결과, 공정 시간이 증가함에 따라 박막의 두께가 증가함을 확인하였다.
또한, 2mTorr에서 1.4Torr (Ar gas: 100 sccm)까지 압력을 변화시켜 실험해본 결과, 공정 압력이 증가할수록 증착 속도가 낮아지는 경향을 보였으며 1.4Torr에서 약 1μm 정도의 조밀한 박막을 얻을 수 있음을 확인하였다.
이는 SnS의 결정구조인 orthorhombic 구조를 따라 plate형태로 자라던 박막이 속도적인 한계로 인해 정방형태의 결정으로 자라는 것으로 판단된다.
상기와 같은 적절한 압력 변화를 통해 SnS 결정상의 형태(morphology) 제어가 가능함을 알 수 있다.
한편, 도 12로부터 알 수 있듯이, 제4실시 예를 통해 만들어진 황화주석(Ⅱ)(SnS) 나노 입자 박막이 가장 조밀하게 형성되었음을 SEM 이미지를 통해 확인할 수 있으며, 이렇게 얻어진 SnS 박막은 태양전지의 흡수층으로서 제 역할을 할 수 있을 것으로 판단된다.
한편, 본 발명의 제4실시 예를 통해 형성된 SnS 박막이 박막 태양전지의 흡수층으로서 광전류를 제대로 형성시키는지 확인하기 위하여 SnS/CdS/i-ZnO/AZO/Al 구조로 박막 태양전지를 제조하여 광전류측정장치(Solar simulator, Entertec, ES-2000, Xenon lamp, XEC-301S)로 분석하였다.
이와 관련하여, 도 13은 상기 SnS 흡수층을 이용하여 만들어진 태양전지의 단면 SEM 이미지이다. 또한, 도 14 및 15로부터 알 수 있듯이, 빛이 조사됨에 따라 생성되는 광전류를 측정하여 분석한 결과 최고효율 2.984 %를 보였다.
한편, 인도의 Sri Venkateswara 대학 K.T R. Reddy의 연구에 의하면 spray pyrolysis 공법으로 만든 SnS 흡수층와 CdS 버퍼층을 이용하여 상기 박막 태양전지 구조와 같게 만들었을 때, 1.3%의 효율을 달성하였다는 논문이 보고된 바 있다. [Sol. Energy Mater. Sol. Cells 90 (2006) 3041-3046]. 상기 제조방법을 이용하여 만들어진 SnS 흡수층을 이용하여 이와 비슷한 태양전지 구조로 CdS 버퍼층을 이용하여 태양전지 셀을 제작하였고, 분석결과 K.T R. Reddy 그룹의 결과보다 약 1.7%p 높은 고효율을 달성하였다.
이상의 결과들은 본 발명의 SnS 박막 및 나노입자 제조방법에 의해 저 진공상태에서 별도의 시약을 사용하지 않고 친환경적으로 제조된 SnS 박막이 저가형 박막 태양전지의 흡수층으로서 활용될 수 있는 우수한 특성을 가지고 있음을 보여준다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명은 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능하다 할 것이다.

Claims (9)

  1. 파우더 형태의 황화주석 전구체를 준비하는 단계;
    상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계;
    증발된 상기 황화주석 전구체를 준비된 기판상에 증착하는 단계; 및
    상기 황화주석 전구체가 증착된 기판을 상온까지 공랭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 황화주석 전구체를 준비하는 단계는,
    직경 3 ~ 12mm의 황화주석 파우더를 준비된 석영보트에 0.3 ~ 1g 담아 준비하는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 황화주석 전구체를 기상 증착을 위한 챔버 내부에서 열처리하여 증발시키는 단계는,
    상기 챔버의 내부에 구비되는 튜브형태의 열처리 로에 상기 석영보트를 삽입하고, 상기 열처리 로를 가열하여 상기 황화주석 전구체를 증발시키는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부 공정압력은 2mTorr ~ 1.4Torr 인 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 챔버의 내부로는 아르곤 또는 질소 가스가 주입되며, 상기 아르곤 또는 질소 가스의 주입량에 따라 상기 공정압력 및 황화주석 박막의 모폴로지가 제어되는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 열처리 로의 가열온도는 400 ~ 700℃인 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 열처리 로는 선택된 시간 동안 가열되며, 상기 열처리 로의 가열시간을 통해 황화주석 나노 입자의 결정상과 증착속도가 제어되는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 열처리 로의 내부에 동일한 간격으로 3개가 구비되며, 상기 기판은 Si, Mo 및 Glass로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자 형성방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중, 어느 한 항으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 증착법을 이용한 황화주석 박막 및 나노 입자.
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