KR20180112490A - Bonding stage and apparatus for bonding dies - Google Patents

Bonding stage and apparatus for bonding dies Download PDF

Info

Publication number
KR20180112490A
KR20180112490A KR1020170043632A KR20170043632A KR20180112490A KR 20180112490 A KR20180112490 A KR 20180112490A KR 1020170043632 A KR1020170043632 A KR 1020170043632A KR 20170043632 A KR20170043632 A KR 20170043632A KR 20180112490 A KR20180112490 A KR 20180112490A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
stage
alignment
holes
wafer
Prior art date
Application number
KR1020170043632A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102344109B1 (en
Inventor
임석택
이원배
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020170043632A priority Critical patent/KR102344109B1/en
Publication of KR20180112490A publication Critical patent/KR20180112490A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102344109B1 publication Critical patent/KR102344109B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

Disclosed is a bonding stage supporting a bonding object in a die bonding process. The bonding stage includes a first upper plate having an upper surface on which a circuit board can be seated and having a first alignment member, a second upper plate having an upper surface on which a wafer can be seated and having a second alignment member, and a stage main body having an upper surface to which selected one of the first and second upper plates is coupled, having a plurality of plate vacuum holes for vacuum-adsorbing and fixing the first or second upper plate, heating the first or second upper plate coupled to the upper surface, and having a third alignment member corresponding to the first and second alignment members for alignment with the first and second upper plates. As described above, the bonding stage can be compatibly used for a wafer and a circuit board through simple upper plate replacement, and thus manufacturing facility simplification can be achieved along with manufacturing cost reduction and manufacturing facility utilization efficiency improvement.

Description

본딩 스테이지 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치{Bonding stage and apparatus for bonding dies}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bonding stage,

본 발명의 실시예들은 본딩 스테이지 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 다이싱 공정을 통해 개별화된 다이들을 본딩 대상물에 본딩하기 위해 본딩 대상물을 지지하는 본딩 스테이지 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to a bonding stage and a die bonding apparatus having the same. And more particularly, to a bonding stage for supporting a bonding object for bonding individualized dies to a bonding object through a dicing process and a die bonding apparatus having the bonding stage.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있다. 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼는 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들로 분할될 수 있으며, 다이들은 본딩 공정을 통해 웨이퍼나 회로기판과 같은 기판 상에 본딩될 수 있다. 웨이퍼는 다이싱 공정 전에 분할된 다이들을 고정하기 위하여 링 형상의 마운트 프레임에 장착된 다이싱 테이프에 부착되며, 이를 웨이퍼 링이라 한다.Generally, semiconductor devices can be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes. A wafer on which semiconductor elements are formed can be divided into a plurality of dies through a dicing process, and the dies can be bonded onto a substrate such as a wafer or circuit board through a bonding process. The wafer is attached to a dicing tape mounted on a ring-shaped mount frame to fix the divided dies before the dicing process, which is referred to as wafer ring.

상기 다이 본딩 공정을 수행하기 위한 다이 본딩 장치는, 웨이퍼링과, 웨이퍼링으로부터 다이들을 픽업하여 분리시키기 위한 픽업 모듈과, 다이들이 본딩될 본딩 대상물인 웨이퍼 또는 회로기판을 지지하는 본딩 스테이지와, 픽업 모듈이 픽업한 다이들을 본딩 스테이지 상의 웨이퍼 또는 회로기판에 본딩하는 본딩 유닛을 포함할 수 있다.The die bonding apparatus for performing the die bonding process includes a wafer ring, a pick-up module for picking up and separating the dies from the wafer ring, a bonding stage for supporting a wafer or a circuit board as a bonding object to be bonded with the dies, And a bonding unit for bonding the dies picked up by the module to a wafer or circuit board on the bonding stage.

이렇게 다이 본딩 공정은 웨이퍼와 회로기판 중 어느 하나를 본딩 대상물로 선택할 수 있기 때문에, 본딩 대상물을 지지하는 본딩 스테이지 또한 본딩 대상물에 따라 달라진다. 즉, 웨이퍼용 본딩 스테이지와 회로기판용 본딩 스테이지가 서로 별개로 구성되며, 다이 본딩 장치는 본딩 대상물이 변경될 때마다 본딩 스테이지를 변경된 본딩 대상물에 대응하는 본딩 스테이지로 교체해야 한다. 예컨대, 본딩 대상물이 회로기판에서 웨이퍼로 변경될 경우, 현재 설치된 회로기판용 본딩 스테이지를 웨이퍼용 본딩 스테이지로 교체해야 한다.Since the die bonding process can select either the wafer or the circuit board as the bonding object, the bonding stage for supporting the bonding object also depends on the bonding object. That is, the bonding stage for the wafer and the bonding stage for the circuit board are configured separately from each other, and the die bonding apparatus must replace the bonding stage with the bonding stage corresponding to the changed bonding object each time the bonding object is changed. For example, when the object to be bonded is changed from a circuit board to a wafer, the currently installed bonding stage for a circuit board needs to be replaced with a bonding stage for a wafer.

이와 같이, 다이 본딩 장치는 본딩 대상물이 변경될 때마다 본딩 스테이지를 교체해야 하므로, 본딩 스테이지 교체로 인한 대기 시간이 증가하고 교체 과정 또한 번거로워 작업 효율이 저하되는 문제점이 있다.As such, the die bonding apparatus has to change the bonding stage every time the bonding object is changed, so that the waiting time due to the replacement of the bonding stage is increased and the replacing process is also troublesome.

한국등록특허 제10-1573274호 (2015.12.01.)Korean Patent No. 10-1573274 (December 1, 2015)

본 발명의 실시예들은 회로기판용과 웨이퍼용으로 호환하여 사용할 수 있는 본딩 스테이지 및 이를 구비하는 다이 본딩 장치를 제공하는 것이다.Embodiments of the present invention provide a bonding stage that can be used interchangeably for a circuit board and a wafer, and a die bonding apparatus having the bonding stage.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예들에 따르면, 본딩 스테이지는, 상면에 회로기판이 안착될 수 있으며 제1 정렬 부재를 구비하는 제1 상부 플레이트와, 상면에 웨이퍼가 안착될 수 있으며 제2 정렬 부재를 구비하는 제2 상부 플레이트와, 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되되며 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀을 구비하고 상기 상부면에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하며 상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬 부재들에 대응하는 제3 정렬 부재를 구비하는 스테이지 본체를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a bonding stage includes a first upper plate having a first alignment member on which a circuit board can be mounted, and a wafer on which a wafer is mounted, A second upper plate having a second aligning member, and a second upper plate having a plurality of first and second upper plates coupled to the upper surface by selecting one of the first and second upper plates and fixing the first or second upper plate by vacuum- A plate vacuum hole for heating the first or second top plate coupled to the top surface and corresponding to the first and second alignment members for alignment with the first and second top plates, And a third alignment member which is provided with a second alignment member.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 내지 제3 정렬 부재들 각각은 홀 형상을 가지며, 상기 제1 및 제2 정렬 부재들은 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들과 상기 스테이지 본체 간의 정렬을 위해 상기 제3 정렬 부재와 대응하는 위치에 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, each of the first to third alignment members has a hole shape, and the first and second alignment members are aligned with each other between the first and second top plates and the stage body The third alignment member may be disposed at a position corresponding to the third alignment member.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 내지 제3 정렬 부재들은 각각 복수로 구비될 수 있다. 또한, 상기 스테이지 본체는, 상기 스테이지 본체 내부에 매설되며 수직 이동이 가능하고 상기 제3 정렬 부재들에 대응하여 위치하며 상기 웨이퍼를 상기 제2 상부 플레이트의 상면으로부터 상승 및 하강시키기 위한 복수의 리프트 핀을 구비할 수 있다. 더불어, 상기 제2 정렬 부재들과 상기 제3 정렬 부재들은 상기 리프트 핀들의 이동 통로로 제공될 수 있다.According to embodiments of the present invention, each of the first to third alignment members may be provided in plurality. The stage main body is embedded in the stage main body and is vertically movable and is positioned corresponding to the third alignment members and includes a plurality of lift pins for raising and lowering the wafer from the upper surface of the second upper plate, . In addition, the second alignment members and the third alignment members may be provided as a movement path of the lift pins.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 상부 플레이트는 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하고, 상기 제2 상부 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비할 수 있다. 또한, 상기 스테이지 본체는, 상기 제1 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제1 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제1 메인 진공홀과, 상기 제2 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제2 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제2 메인 진공홀을 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first upper plate has a plurality of first sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the circuit board, and the second upper plate includes a plurality of first vacuum holes for vacuum- Two sub-vacuum holes may be provided. The stage main body may further include a plurality of first main vacuum holes communicating with the first sub vacuum holes and providing a vacuum to the first sub vacuum holes and a second main vacuum hole communicating with the second sub vacuum holes, And a plurality of second main vacuum holes for providing a vacuum to the second sub-vacuum holes.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 스테이지 본체는, 상기 플레이트 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 메인 진공챔버와, 상기 제1 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제1 서브 진공챔버와, 상기 제2 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제2 서브 진공챔버를 포함할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the stage main body includes a main vacuum chamber communicating with the plate vacuum holes and providing a space for forming a vacuum, a space communicating with the first main vacuum holes and formed with a vacuum And a second sub-vacuum chamber communicating with the second main vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 상부 플레이트는 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하고, 상기 제2 상부 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비할 수 있다. 또한, 상기 스테이지 본체는 상기 제1 및 제2 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제1 및 제2 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제3 메인 진공홀을 구비할 수 있다.According to embodiments of the present invention, the first upper plate has a plurality of first sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the circuit board, and the second upper plate includes a plurality of first vacuum holes for vacuum- Two sub-vacuum holes may be provided. The stage main body may have a plurality of third main vacuum holes communicating with the first and second sub vacuum holes and providing a vacuum to the first and second sub vacuum holes.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 스테이지 본체는, 상기 플레이트 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 메인 진공 챔버와, 상기 제1 및 제2 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제3 서브 진공 챔버를 포함할 수도 있다.According to embodiments of the present invention, the stage main body includes a main vacuum chamber communicating with the plate vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed, a vacuum chamber communicating with the first and second main vacuum holes, And a third sub-vacuum chamber providing a space to be formed.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 본딩 스테이지는, 상면에 회로기판이 안착될 수 있으며 복수의 제1 정렬홀과 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하는 제1 상부 플레이트와, 상면에 웨이퍼가 안착될 수 있으며 복수의 제2 정렬홀과 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비하는 제2 상부 플레이트와, 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되는 스테이지 본체를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 스테이지 본체는, 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀과, 상기 스테이지 본체에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하기 위한 히터부와, 상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬홀들에 대응하여 위치하는 복수의 제3 정렬홀과, 상기 제3 정렬홀들 안에 삽입되어 상기 스테이지 본체 내부에 매설되게 배치될 수 있으며 상기 제2 및 제3 정렬홀들을 관통하여 수직 이동이 가능하고 상기 웨이퍼의 하면을 지지하여 상기 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 복수의 리프트 핀을 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a bonding stage including: a circuit board on which a circuit board can be mounted; a plurality of first alignment holes; A second upper plate having a plurality of second alignment holes and a plurality of second sub-vacuum holes for vacuum-sucking the wafer, the second upper plate having a plurality of second alignment holes and a plurality of second sub- And a stage main body in which any one of the first and second top plates is selected and coupled to the upper surface. Specifically, the stage main body includes a plurality of plate vacuum holes for fixing the first or second top plate by vacuum suction, a heater unit for heating the first or second top plate coupled to the stage main body, A plurality of third alignment holes corresponding to the first and second alignment holes for alignment with the first and second upper plates, And a plurality of lift pins that can be embedded in the body and vertically move through the second and third alignment holes and support the lower surface of the wafer to move the wafer up and down.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예들에 따르면, 다이 본딩 장치는, 회로기판 또는 웨이퍼를 지지하는 본딩 스테이지와, 상기 본딩 스테이지에 안착된 상기 회로기판 또는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하는 본딩 유닛을 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 본딩 스테이지는, 상면에 상기 회로기판이 안착될 수 있으며 제1 정렬 부재를 구비하는 제1 상부 플레이트와, 상면에 상기 웨이퍼가 안착될 수 있으며 제2 정렬 부재를 구비하는 제2 상부 플레이트와, 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되되며 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀을 구비하고 상기 상부면에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하며 상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬 부재들에 대응하는 제3 정렬 부재를 구비하는 스테이지 본체를 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a die bonding apparatus comprising: a bonding stage for supporting a circuit board or a wafer; and a plurality of dies formed on the circuit board or wafer mounted on the bonding stage, And may include a bonding unit for bonding. Further, the bonding stage may include a first upper plate having an upper surface on which the circuit board can be seated and having a first alignment member, a second upper plate having a second alignment member on which the wafer can be seated, And a plurality of plate vacuum holes for selecting one of the first and second top plates to be coupled to the top surface and fixing the first or second top plate by vacuum suction, And a third alignment member corresponding to the first and second alignment members for alignment with the first and second upper plates, heating the combined first or second top plate, .

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제1 내지 제3 정렬 부재들 각각은 홀 형상을 가지며, 상기 제1 및 제2 정렬 부재들은 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들과 상기 스테이지 본체 간의 정렬을 위해 상기 제3 정렬 부재와 대응하는 위치에 배치될 수 있다.According to the embodiments of the present invention, each of the first to third alignment members has a hole shape, and the first and second alignment members are aligned with each other between the first and second top plates and the stage body The third alignment member may be disposed at a position corresponding to the third alignment member.

상술한 바와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 본딩 스테이지는, 서로 다른 본딩 대상물을 지지하는 제1 및 제2 상부 플레이트들과, 제1 및 제2 상부 플레이트들 모두와 호환될 수 있는 스테이지 본체를 구비함으로써, 본딩 대상물에 따라 본딩 스테이지 전체를 교체할 필요없이 스테이지 본체에 결합될 상부 플레이트만 간단히 교체하여 사용할 수 있다. 이에 따라, 다이 본딩 장치는 본딩 스테이지를 이용하여 회로기판과 웨이퍼에 다이 본딩 공정을 실시할 수 있으므로, 하나의 스테이지 본체를 이용하여 다양한 본딩 대상물을 지지할 수 있고 제조 설비를 간소화하며 제조 원가를 감소시키고 제조 설비의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.According to the embodiments of the present invention as described above, the bonding stage includes first and second upper plates for supporting different bonding objects, and a stage body which is compatible with both the first and second upper plates. The upper plate to be coupled to the stage main body can be simply replaced and used without having to replace the entire bonding stage depending on the object to be bonded. Accordingly, the die bonding apparatus can perform the die bonding process on the circuit board and the wafer using the bonding stage, so that it is possible to support various bonding objects using one stage body, simplify the manufacturing facility and reduce the manufacturing cost And the utilization efficiency of the manufacturing facility can be improved.

특히, 스테이지 본체는 진공을 이용하여 제1 또는 상기 제2 상부 플레이트와 결합되므로, 상부 플레이트의 교체가 용이하고 교체 시간을 단축할 수 있으며 생산성을 향상시킬 수 있다. 더불어, 스테이지 본체와 그 상부에 결합된 제1 또는 제2 상부 플레이트의 결합 구조가 열팽창에 영향을 받지 않으므로, 스테이지 본체에 결합된 제1 또는 제2 상부 플레이트가 스테이지 본체의 열에 의해 팽창하더라도 휨 등과 같은 변형을 방지할 수 있다.In particular, since the stage body is coupled to the first or the second upper plate using vacuum, the upper plate can be easily replaced, the replacement time can be shortened, and the productivity can be improved. In addition, since the coupling structure of the stage body and the first or second upper plate coupled to the upper portion of the stage body is not affected by the thermal expansion, even if the first or second upper plate coupled to the stage body is inflated by the heat of the stage body, The same deformation can be prevented.

또한, 스테이지 본체와 제1 및 제2 상부 플레이트들은 홀 형상의 제1 내지 제3 정렬 부재들을 이용하여 정렬되므로, 스테이지 본체와 그 상부에 결합된 제1 또는 제2 상부 플레이트의 정렬 구조가 열팽창에 영향을 받지 않는다. 따라서, 스테이지 본체에 결합된 제1 또는 제2 상부 플레이트가 히터부의 열에 의해 팽창하더라도 휨 등과 같은 변형을 방지할 수 있다.Also, since the stage main body and the first and second top plates are aligned by using the first to third alignment members in the form of holes, the alignment structure of the stage main body and the first or second top plate coupled to the top of the stage main body, It is not affected. Therefore, even if the first or second top plate coupled to the stage main body expands due to the heat of the heater, deformation such as warpage can be prevented.

더불어, 제2 및 제2 정렬 부재들은 리프트 핀들이 승강하는 통로로도 제공될 수 있으므로, 스테이지 본체와 제2 상부 플레이트에 리프트 핀들의 승강을 위한 별도의 홀들을 형성할 필요가 없다.In addition, since the second and second alignment members can also be provided as passages for lifting the lift pins, it is not necessary to form separate holes for lifting the lift pins to the stage main body and the second top plate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 본딩 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 스테이지 본체를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 스테이지 본체에 제1 상부 플레이트가 결합된 본딩 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 스테이지 본체에 제2 상부 플레이트가 결합된 본딩 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 6은 도 2에 도시된 스테이지 본체의 다른 일례를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic plan view illustrating a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a schematic exploded perspective view for explaining the bonding stage shown in FIG.
3 is a schematic cross-sectional view for explaining the stage main body shown in Fig.
4 is a schematic sectional view for explaining a bonding stage in which the first upper plate is coupled to the stage body shown in FIG.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a bonding stage in which a second top plate is coupled to the stage body shown in FIG. 2. FIG.
6 is a schematic cross-sectional view for explaining another example of the stage main body shown in Fig.

이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below, but may be embodied in various other forms. The following examples are provided so that those skilled in the art can fully understand the scope of the present invention, rather than being provided so as to enable the present invention to be fully completed.

본 발명의 실시예들에서 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 배치되는 또는 연결되는 것으로 설명되는 경우 상기 요소는 상기 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결될 수도 있으며, 다른 요소들이 이들 사이에 개재될 수도 있다. 이와 다르게, 하나의 요소가 다른 하나의 요소 상에 직접 배치되거나 연결되는 것으로 설명되는 경우 그들 사이에는 또 다른 요소가 있을 수 없다. 다양한 요소들, 조성들, 영역들, 층들 및/또는 부분들과 같은 다양한 항목들을 설명하기 위하여 제1, 제2, 제3 등의 용어들이 사용될 수 있으나, 상기 항목들은 이들 용어들에 의하여 한정되지는 않을 것이다.In the embodiments of the present invention, when one element is described as being placed on or connected to another element, the element may be disposed or connected directly to the other element, . Alternatively, if one element is described as being placed directly on another element or connected, there can be no other element between them. The terms first, second, third, etc. may be used to describe various items such as various elements, compositions, regions, layers and / or portions, but the items are not limited by these terms .

본 발명의 실시예들에서 사용된 전문 용어는 단지 특정 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 사용되는 것이며, 본 발명을 한정하기 위한 것은 아니다. 또한, 달리 한정되지 않는 이상, 기술 및 과학 용어들을 포함하는 모든 용어들은 본 발명의 기술 분야에서 통상적인 지식을 갖는 당업자에게 이해될 수 있는 동일한 의미를 갖는다. 통상적인 사전들에서 한정되는 것들과 같은 상기 용어들은 관련 기술과 본 발명의 설명의 문맥에서 그들의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석될 것이며, 명확히 한정되지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 외형적인 직감으로 해석되지는 않을 것이다.The terminology used in the embodiments of the present invention is used for the purpose of describing specific embodiments only, and is not intended to be limiting of the present invention. Furthermore, all terms including technical and scientific terms have the same meaning as will be understood by those skilled in the art having ordinary skill in the art, unless otherwise specified. These terms, such as those defined in conventional dictionaries, shall be construed to have meanings consistent with their meanings in the context of the related art and the description of the present invention, and are to be interpreted as being ideally or externally grossly intuitive It will not be interpreted.

본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들의 개략적인 도해들을 참조하여 설명된다. 이에 따라, 상기 도해들의 형상들로부터의 변화들, 예를 들면, 제조 방법들 및/또는 허용 오차들의 변화는 충분히 예상될 수 있는 것들이다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도해로서 설명된 영역들의 특정 형상들에 한정된 바대로 설명되어지는 것은 아니라 형상들에서의 편차를 포함하는 것이며, 도면들에 설명된 요소들은 전적으로 개략적인 것이며 이들의 형상은 요소들의 정확한 형상을 설명하기 위한 것이 아니며 또한 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것도 아니다.Embodiments of the present invention are described with reference to schematic illustrations of ideal embodiments of the present invention. Accordingly, changes from the shapes of the illustrations, e.g., changes in manufacturing methods and / or tolerances, are those that can be reasonably expected. Accordingly, the embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shapes of the regions described in the drawings, but include deviations in the shapes, and the elements described in the drawings are entirely schematic and their shapes Is not intended to describe the exact shape of the elements and is not intended to limit the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치를 설명하기 위한 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view illustrating a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다이 본딩 장치(100)는 다이싱 공정에 의해 개별화된 다이(12)를 본딩 대상물, 즉, 회로기판이나 웨이퍼 상에 본딩할 수 있다.Referring to FIG. 1, a die bonding apparatus 100 according to an embodiment of the present invention can bond the individual die 12 by a dicing process to a bonding object, that is, a circuit board or a wafer.

상기 다이 본딩 장치(100)는, 복수의 웨이퍼링(10)이 수납될 수 있는 수납 유닛(110)과, 상기 수납 유닛(110)을 지지하는 로드 포트(120)와, 상기 수납 유닛(110)으로부터 상기 웨이퍼링(10)을 인출하거나 다이 본딩 공정에서 사용 완료된 웨이퍼링을 상기 수납 유닛(110)에 다시 수납할 수 있는 웨이퍼링 이송 유닛(130)과, 상기 본딩 대상물을 지지하기 위한 본딩 스테이지(200)와 상기 본딩 스테이지(200)에 안착된 본딩 대상물에 상기 다이들(12)을 본딩하기 위한 본딩 유닛(150)을 포함할 수 있다.The die bonding apparatus 100 includes a housing unit 110 in which a plurality of wafer rings 10 can be housed, a load port 120 for supporting the housing unit 110, A wafer ring transfer unit 130 capable of withdrawing the wafer ring 10 from the wafer holding unit 110 or storing the used wafer ring in the storage unit 110 again in the die bonding process, 200 and a bonding unit 150 for bonding the dies 12 to a bonding object placed on the bonding stage 200.

구체적으로, 상기 수납 유닛(110)은 상기 웨이퍼링들(10)을 다단 구조로 적층하여 수납할 수 있다.Specifically, the housing unit 110 can stack the wafer rings 10 in a multi-layered structure.

여기서, 상기 웨이퍼링(10)은 웨이퍼가 부착된 다이싱 테이프가 링 형태의 마운트 프레임에 장착된 것으로서, 상기 웨이퍼의 다이들(12)은 상기 다이싱 공정에 의해 개별화된 상태이다. 상기 웨이퍼링들(10)은 상기 수납 유닛(110)에 수납되어 상기 다이 본딩 장치(100)로 이송될 수 있다.Here, the wafer ring 10 is a wafer-mounted dicing tape mounted on a ring-shaped mount frame, and the dies 12 of the wafer are individualized by the dicing process. The wafer rings 10 may be housed in the housing unit 110 and transferred to the die bonding apparatus 100.

상기 수납 유닛(110)은 상기 로드 포트(120) 상에 로딩될 수 있다. 상기 로드 포트(120)는 수직 방향으로 이동 가능하게 구비될 수 있으며, 상기 웨이퍼링 이송 유닛(130)이 상기 수납 유닛(110) 안에 상기 웨이퍼링(10)을 로딩 또는 언로딩할 위치에 따라 상기 수납 유닛(110)을 수직 이동시킨다.The storage unit 110 may be loaded on the load port 120. The load port 120 may be vertically movable and the wafer ring transfer unit 130 may be provided in the housing unit 110 to move the wafer ring 10 in the vertical direction, The housing unit 110 is vertically moved.

상기 웨이퍼링 이송 유닛(130)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구비되며, 상기 웨이퍼링(10)을 상기 수납 유닛(110)에 로딩 또는 언로딩할 수 있다. 상기 웨이퍼링 이송 유닛(130)의 하측에는 가이드 레일(140)이 설치될 수 있다. 상기 웨이퍼링 이송 유닛(130)에 파지된 웨이퍼링(10)은 상기 가이드 레일(140)에 지지될 수 있으며, 상기 웨이퍼링 이송 유닛(130)에 의해 상기 가이드 레일(140)을 따라 수평 이동할 수 있다.The wafer ring transfer unit 130 is provided movably in the horizontal direction and can load or unload the wafer ring 10 to the storage unit 110. [ A guide rail 140 may be installed below the wafer ring transfer unit 130. The wafer ring 10 held by the wafer ring transfer unit 130 can be supported by the guide rail 140 and can be horizontally moved along the guide rail 140 by the wafer ring transfer unit 130. [ have.

한편, 상기 다이들(12)이 본딩될 본딩 대상물은 상기 본딩 스테이지(200)에 의해 지지될 수 있으며, 상기 본딩 유닛(150)은 상기 다이들(12)을 상기 본딩 대상물에 본딩한다. 여기서, 상기 본딩 대상물은 회로기판이거나 웨이퍼일 수 있다.Meanwhile, a bonding object to which the dies 12 are to be bonded can be supported by the bonding stage 200, and the bonding unit 150 bonds the dies 12 to the bonding object. Here, the bonding object may be a circuit board or a wafer.

도면에는 도시하지 않았으나, 상기 다이 본딩 공정에 투입되기 위해 공정 대기중인 본딩 대상물은 이송 로봇(미도시)에 의해 상기 다이 본딩 장치(100)에 투입될 수 있다. 또한, 상기 이송 로봇은 상기 다이들(12)이 본딩되어 공정 완료된 본딩 대상물을 상기 다이 본딩 장치(100)로부터 외부로 이송할 수 있다.Although not shown in the drawing, a bonding object waiting for a process to be inputted to the die bonding process may be input to the die bonding apparatus 100 by a transfer robot (not shown). In addition, the transfer robot can transfer the bonding object, which is completed by bonding the dies 12, from the die bonding apparatus 100 to the outside.

이하, 도면을 참조하여 상기 본딩 스테이지(200)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the configuration of the bonding stage 200 will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 도 1에 도시된 본딩 스테이지(200)를 설명하기 위한 개략적인 분해 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 스테이지 본체를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.Fig. 2 is a schematic exploded perspective view for explaining the bonding stage 200 shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a schematic sectional view for explaining the stage main body shown in Fig.

도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 본딩 스테이지(200)는 회로기판용과 웨이퍼용으로 호환하여 사용 가능한 스테이지로서, 서로 다른 본딩 대상물을 지지하는 복수의 상부 플레이트(220, 230) 및 서로 다른 상부 플레이트(220, 230)와 호환 가능한 스테이지 본체(210)를 구비하며, 상기 상부 플레이트(220, 230)의 교체를 통해 다양한 본딩 대상물, 즉, 회로기판과 웨이퍼 모두 지지할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the bonding stage 200 is a stage that can be used interchangeably for a circuit board and a wafer. The stage includes a plurality of upper plates 220 and 230 for supporting different bonding objects, And a stage main body 210 compatible with the first and second substrates 220 and 230. The first and second substrates 220 and 230 can support various bonding objects such as a circuit board and a wafer.

구체적으로, 상기 본딩 스테이지(200)는, 상기 회로기판용과 상기 웨이퍼용으로 둘 다 사용 가능한 스테이지 본체(210)와, 상기 회로기판을 지지할 수 있으며 상기 스테이지 본체(210)에 결합될 수 있는 제1 상부 플레이트(220)와, 상기 웨이퍼를 지지할 수 있으며 상기 스테이지 본체(210)에 결합될 수 있는 제2 상부 플레이트(230)를 포함할 수 있다.Specifically, the bonding stage 200 includes a stage main body 210 that can be used both for the circuit board and the wafer, a substrate support 210 capable of supporting the circuit board and capable of being coupled to the stage main body 210 1 upper plate 220 and a second upper plate 230 capable of supporting the wafer and being coupled to the stage body 210.

상기 스테이지 본체(210)는 상기 제1 상부 플레이트(220)와 상기 제2 상부 플레이트(230) 모두와 결합할 수 있도록 호환 가능하게 구비되며, 상기 본딩 대상물에 따라 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230) 중 어느 하나와 결합할 수 있다. 즉, 상기 본딩 대상물이 상기 회로기판일 경우 상기 제1 상부 플레이트(220)가 상기 스테이지 본체(210)의 상부면에 결합될 수 있으며, 상기 본딩 대상물이 상기 웨이퍼일 경우 상기 제2 상부 플레이트(230)가 상기 스테이지 본체(210)의 상부면에 결합될 수 있다.The stage main body 210 is provided to be compatible with both the first upper plate 220 and the second upper plate 230, and the first and second upper plates 220 and 230, (220, 230). That is, when the bonding object is the circuit board, the first upper plate 220 can be coupled to the upper surface of the stage body 210. When the bonding object is the wafer, the second upper plate 230 May be coupled to the upper surface of the stage body 210.

구체적으로, 상기 스테이지 본체(210)는 도 2에 도시된 것처럼 대체로 사각 기둥 형상을 가질 수 있다.Specifically, the stage main body 210 may have a substantially rectangular pillar shape as shown in FIG.

상기 스테이지 본체(210)의 상면에는 상기 제1 상부 플레이트(220) 또는 상기 제2 상부 플레이트(230)를 진공 흡착하여 상기 스테이지 본체(210)에 고정시키기 위한 복수의 플레이트 진공홀(211)이 구비된다. 상기 플레이트 진공홀들(211)에 제공된 진공은 상기 제1 상부 플레이트(220) 또는 상기 제2 상부 플레이트(230)의 하부면을 흡착하여 상기 스테이지 본체(210)의 상부면에 고정한다. 이와 같이, 상기 스테이지 본체(200)는 진공을 이용하여 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230)과 결합될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230)의 탈착이 용이하다.A plurality of plate vacuum holes 211 for fixing the first upper plate 220 or the second upper plate 230 to the stage main body 210 by vacuum suction is provided on the upper surface of the stage body 210 do. Vacuum provided in the plate vacuum holes 211 sucks the lower surface of the first upper plate 220 or the second upper plate 230 to fix the upper surface of the stage body 210. Since the stage main body 200 can be coupled to the first and second top plates 220 and 230 using vacuum, the first and second top plates 220 and 230 can be detached This is easy.

상기 스테이지 본체(210)와 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230)은 결합 위치를 정확하게 조정하기 위해 정렬 부재들을 구비할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 상부 플레이트(220)는 상기 스테이지 본체(210)와의 정렬을 위해 홀 형상의 제1 정렬 부재(222)를 구비하고, 상기 제2 상부 플레이트(230)는 상기 스테이지 본체(210)와의 정렬을 위해 홀 형상의 제2 정렬 부재(232)를 구비하며, 상기 스테이지 본체(210)는 상기 제1 및 제2 정렬 부재들(222, 232)과 대응하는 홀 형상의 제3 정렬 부재(212)를 구비할 수 있다.The stage main body 210 and the first and second top plates 220 and 230 may include alignment members for precisely adjusting the engagement position. Specifically, the first upper plate 220 includes a first alignment member 222 having a hole shape for alignment with the stage body 210, and the second upper plate 230 supports the stage body 210 Shaped second alignment member 232 for alignment with the first alignment member 222 and the second alignment member 232. The stage body 210 includes a hole-shaped third alignment member 232 corresponding to the first alignment member 222 and the second alignment member 232, (Not shown).

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 정렬 부재(222, 232, 212)는 각각 복수로 구비될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first to third alignment members 222, 232, and 212 may be provided in plurality.

또한, 상기 스테이지 본체(210)는 상기 웨이퍼를 상기 제2 상부 플레이트(230)로부터 들어올리거나 내려놓기 위한 복수의 리프트 핀(213)을 더 구비할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 리프트 핀들(213)은 상기 제3 정렬 부재(212) 안에 삽입되어 상기 스테이지 본체(210) 내부에 매설되게 구비될 수 있으며, 구동 부재들(240)에 결합되어 수직 방향으로 이동 가능하다.The stage main body 210 may further include a plurality of lift pins 213 for lifting or lowering the wafer from the second upper plate 230. 3, the lift pins 213 may be inserted into the third alignment member 212 to be embedded in the stage body 210, and may be coupled to the driving members 240 And is movable in the vertical direction.

또한, 상기 스테이지 본체(210)는 상기 스테이지 본체(210)에 결합된 상기 제1 상부 플레이트(220) 또는 상기 제2 상부 플레이트(230)을 가열하기 위한 히터부(214)를 더 포함할 수 있다. 상기 히터부(214)는 열을 발생시켜 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트(220, 230)를 가열한다.The stage main body 210 may further include a heater unit 214 for heating the first upper plate 220 or the second upper plate 230 coupled to the stage body 210 . The heater 214 generates heat to heat the first and second upper plates 220 and 230.

도 4는 도 2에 도시된 스테이지 본체에 제1 상부 플레이트가 결합된 본딩 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.4 is a schematic sectional view for explaining a bonding stage in which the first upper plate is coupled to the stage body shown in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 상기 본딩 대상물이 상기 회로기판(20)일 경우 상기 스테이지 본체(210)의 상부면에는 도 4에 도시된 것처럼 상기 회로기판(20)을 지지하기 위한 상기 제1 상부 플레이트(220)가 결합되며, 상기 제1 상부 플레이트(220)는 도 2에 도시된 것처럼 사각 형상을 가질 수 있다.Referring to FIGS. 2 to 4, when the bonding object is the circuit board 20, the upper surface of the stage body 210 is provided with the first The upper plate 220 is coupled and the first upper plate 220 may have a rectangular shape as shown in FIG.

상기 제1 상부 플레이트(220)는 상기 제3 정렬 부재들(212)에 대응하여 형성된 상기 제1 정렬 부재들(222)을 구비할 수 있으며, 상기 제1 정렬 부재들(222)을 이용하여 상기 스테이지 본체(210)와 정렬될 수 있다. 즉, 상기 제1 상부 플레이트(220)의 상기 제1 정렬 부재들(222)을 상기 스테이지 본체(210)의 제3 정렬 부재들(212)과 대응하는 위치에 배치하여 상기 제1 상부 플레이트(220)를 정렬한다. 이때, 상기 제1 정렬 부재들(222)과 상기 제3 정렬 부재들(212)의 정렬은 별도의 정렬 핀을 이용하여 이루어질 수도 있다.The first upper plate 220 may include the first aligning members 222 formed corresponding to the third aligning members 212 and may include the first aligning members 222, And may be aligned with the stage body 210. That is, the first alignment members 222 of the first upper plate 220 are disposed at positions corresponding to the third alignment members 212 of the stage body 210, and the first upper plate 220 ). At this time, the alignment of the first alignment members 222 and the third alignment members 212 may be performed using separate alignment pins.

상기 제1 상부 플레이트(220)는 진공에 의해 상기 스테이지 본체(210)에 결합될 수 있다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 스테이지 본체(210)의 플레이트 진공홀들(211)에 제공된 진공이 상기 제1 상부 플레이트(220)의 하부면을 흡착하여 상기 스테이지 본체(210)에 상기 제1 상부 플레이트(220)를 고정할 수 있다. 상기 스테이지 본체(210)와 상기 제1 상부 플레이트(220) 간의 결합 해제는 상기 플레이트 진공홀들(211)에 제공되는 진공을 해제함으로써 이루어질 수 있다.The first upper plate 220 may be coupled to the stage body 210 by vacuum. 4, the vacuum provided to the plate vacuum holes 211 of the stage main body 210 sucks the lower surface of the first upper plate 220, The first upper plate 220 can be fixed. Disengagement between the stage main body 210 and the first upper plate 220 can be achieved by releasing the vacuum provided to the plate vacuum holes 211. [

한편, 상기 제1 상부 플레이트(220)는 상기 회로기판(20)을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀(224)을 구비할 수 있으며, 상기 스테이지 본체(210)는 상기 제1 서브 진공홀들(224)과 연통되어 상기 제1 서브 진공홀들(224)에 진공을 제공하는 복수의 제1 메인 진공홀(215)을 구비할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 서브 진공홀들(224)은 상기 제1 메인 진공홀들(215)에 대응하게 구비될 수 있다.The first upper plate 220 may include a plurality of first sub-vacuum holes 224 for vacuum-sucking the circuit board 20, and the stage main body 210 may include a first sub- And a plurality of first main vacuum holes 215 communicating with the holes 224 to provide a vacuum to the first sub-vacuum holes 224. As shown in FIG. 4, the first sub-vacuum holes 224 may be provided corresponding to the first main vacuum holes 215.

도 5는 도 2에 도시된 스테이지 본체에 제2 상부 플레이트가 결합된 본딩 스테이지를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating a bonding stage in which a second top plate is coupled to the stage body shown in FIG. 2. FIG.

도 2, 도 3 및 도 5를 참조하면, 상기 본딩 대상물이 상기 웨이퍼(30)일 경우 상기 스테이지 본체(210)의 상부면에는 도 5에 도시된 것처럼 상기 웨이퍼(30)를 지지하기 위한 상기 제2 상부 플레이트(230)가 결합되며, 상기 제2 상부 플레이트(220)는 도 2에 도시된 것처럼 사각 형상을 가질 수 있다.2, 3 and 5, when the bonding object is the wafer 30, on the upper surface of the stage main body 210, 2 upper plate 230, and the second upper plate 220 may have a rectangular shape as shown in FIG.

상기 제2 상부 플레이트(230)는 상기 제3 정렬 부재들(212)에 대응하여 형성된 상기 제2 정렬 부재들(232)을 구비할 수 있으며, 상기 제2 정렬 부재들(232)을 이용하여 상기 스테이지 본체(210)와 정렬될 수 있다. 즉, 상기 제2 상부 플레이트(230)의 상기 제2 정렬 부재들(232)을 상기 스테이지 본체(210)의 제3 정렬 부재들(212)과 대응하는 위치에 배치하여 상기 제2 상부 플레이트(230)를 정렬한다. 이때, 상기 제2 정렬 부재들(232)과 상기 제3 정렬 부재들(212)의 정렬은 별도의 정렬 핀을 이용하여 이루어질 수도 있다.The second upper plate 230 may include the second aligning members 232 formed corresponding to the third aligning members 212. The second aligning members 232 may be formed of the second aligning members 232, And may be aligned with the stage body 210. That is, the second aligning members 232 of the second upper plate 230 are disposed at positions corresponding to the third aligning members 212 of the stage body 210 so that the second upper plate 230 ). At this time, the alignment of the second alignment members 232 and the third alignment members 212 may be performed using a separate alignment pin.

상기 제2 상부 플레이트(230)는 진공에 의해 상기 스테이지 본체(210)에 결합될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 스테이지 본체(210)의 플레이트 진공홀들(211)에 제공된 진공이 상기 제2 상부 플레이트(230)의 하부면을 흡착하여 상기 스테이지 본체(210)에 상기 제2 상부 플레이트(230)를 고정할 수 있다. 상기 스테이지 본체(210)와 상기 제2 상부 플레이트(230) 간의 결합 해제는 상기 플레이트 진공홀들(211)에 제공되는 진공을 해제함으로써 이루어질 수 있다.The second upper plate 230 may be coupled to the stage body 210 by vacuum. 5, the vacuum provided in the plate vacuum holes 211 of the stage main body 210 sucks the lower surface of the second upper plate 230, The second upper plate 230 can be fixed. The disengagement between the stage body 210 and the second upper plate 230 may be accomplished by releasing the vacuum provided to the plate vacuum holes 211.

한편, 상기 제2 상부 플레이트(230)는 상기 웨이퍼(30)를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀(234)을 구비할 수 있으며, 상기 스테이지 본체(210)는 상기 제2 서브 진공홀들(234)과 연통되어 상기 제2 서브 진공홀들(234)에 진공을 제공하는 복수의 제2 메인 진공홀(216)을 구비할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제2 서브 진공홀들(234)은 상기 제2 메인 진공홀들(216)에 대응하게 구비될 수 있다.The second upper plate 230 may have a plurality of second sub-vacuum holes 234 for vacuum-sucking the wafer 30, and the stage main body 210 may include a second sub- And a plurality of second main vacuum holes 216 communicating with the first sub-vacuum holes 234 to provide a vacuum to the second sub-vacuum holes 234. As shown in FIG. 5, the second sub-vacuum holes 234 may correspond to the second main vacuum holes 216.

상기 본딩 스테이지(200)에 로딩된 상기 웨이퍼(30)는 상기 스테이지 본체(210)의 리프트 핀들(213)에 의해 상기 제2 상부 플레이트(230)의 상부면에 안착되거나 상기 제2 상부 플레이트(220)의 상부면으로부터 상승할 수 있다. 즉, 상기 리프트 핀들(213)은 상기 제3 정렬 부재들(212)과 상기 제2 정렬 부재들(232)을 관통하여 수직 이동할 수 있으며, 상기 웨이퍼(30)의 하부면을 지지하여 상기 웨이퍼(30)를 상기 제2 상부 플레이트(230)에 안착시키거나 상승시킬 수 있다.The wafer 30 loaded on the bonding stage 200 may be mounted on the upper surface of the second upper plate 230 by the lift pins 213 of the stage body 210, As shown in Fig. That is, the lift pins 213 can vertically move through the third aligning members 212 and the second aligning members 232 and support the lower surface of the wafer 30, 30 can be seated on the second upper plate 230 or raised.

다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 스테이지 본체(210)는, 상기 플레이트 진공홀들(211)과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 메인 진공챔버(217)와, 상기 제1 메인 진공홀들(215)과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제1 서브 진공챔버(218)와, 상기 제2 메인 진공홀들(216)과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제2 서브 진공챔버(219)를 더 구비할 수 있다.2 and 3, the stage main body 210 includes a main vacuum chamber 217 communicating with the plate vacuum holes 211 and providing a space for forming a vacuum, A first sub vacuum chamber 218 communicating with the vacuum holes 215 and providing a space for forming a vacuum and a second sub vacuum chamber 218 communicating with the second main vacuum holes 216 and providing a space in which a vacuum is formed, A sub-vacuum chamber 219 may be further provided.

도면에 도시하지는 않았으나, 상기 메인 진공챔버(217)와 상기 제1 및 제2 서브 진공챔버들(218, 219)은 진공 펌프(미도시)와 연결된 진공 라인들(미도시)이 결합된다. 이때, 상기 메인 진공챔버(217)와 상기 제1 및 제2 서브 진공챔버들(218, 219)은 서로 다른 진공 라인이 결합될 수 있다.Although not shown, the main vacuum chamber 217 and the first and second sub vacuum chambers 218 and 219 are coupled with vacuum lines (not shown) connected to a vacuum pump (not shown). At this time, the main vacuum chamber 217 and the first and second sub-vacuum chambers 218 and 219 may be connected to different vacuum lines.

상술한 바와 같이, 상기 본딩 스테이지(200)는, 서로 다른 본딩 대상물을 지지하는 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230)과, 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230) 모두와 호환될 수 있는 상기 스테이지 본체(210)를 구비함으로써, 상기 본딩 대상물에 따라 상기 본딩 스테이지(200) 전체를 교체할 필요없이 상부 플레이트(220, 230)만 간단히 교체하여 사용할 수 있다. 이에 따라, 상기 다이 본딩 장치(100)는 상기 본딩 스테이지(200)를 이용하여 상기 회로기판(20)과 상기 웨이퍼(30)에 다이 본딩 공정을 실시할 수 있으므로, 하나의 스테이지 본체(210)를 이용하여 다양한 본딩 대상물을 지지할 수 있으며 제조 설비를 간소화하고 제조 원가를 감소시키며 제조 설비의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the bonding stage 200 includes the first and second upper plates 220 and 230 for supporting different bonding objects, the first and second upper plates 220 and 230, It is possible to simply replace the upper plates 220 and 230 without replacing the entire bonding stage 200 according to the bonding object. Accordingly, the die bonding apparatus 100 can perform a die bonding process on the circuit board 20 and the wafer 30 using the bonding stage 200, so that one stage body 210 It is possible to support a variety of bonding objects, simplify the manufacturing facility, reduce the manufacturing cost, and improve the utilization efficiency of the manufacturing facility.

특히, 상기 스테이지 본체(210)는 진공을 이용하여 상기 제1 또는 상기 제2 상부 플레이트(220, 230)와 결합되므로, 상부 플레이트(220, 230)의 교체가 용이하고 교체 시간을 단축할 수 있으며 생산성을 향상시킬 수 있다. 더불어, 상기 스테이지 본체(210)와 그 상부에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트(220, 230)의 결합 구조가 열팽창에 영향을 받지 않으므로, 상기 스테이지 본체(210)에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트(220, 230)가 상기 히터부(214)의 열에 의해 팽창하더라도 휨 등과 같은 변형을 방지할 수 있다.Particularly, since the stage main body 210 is coupled with the first or the second upper plate 220 or 230 using vacuum, the upper plate 220 and 230 can be easily replaced and the replacement time can be shortened The productivity can be improved. In addition, since the coupling structure of the stage main body 210 and the first or second top plate 220, 230 coupled to the upper portion of the stage main body 210 is not affected by thermal expansion, Or the second upper plates 220 and 230 are expanded by the heat of the heater unit 214, it is possible to prevent deformation such as warpage.

또한, 상기 스테이지 본체(210)와 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들(220, 230)은 홀 형상의 상기 제1 내지 제3 정렬 부재들(222, 232, 212)을 이용하여 정렬되므로, 상기 스테이지 본체(210)와 그 상부에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트(220, 230)의 정렬 구조가 열팽창에 영향을 받지 않는다. 따라서, 상기 스테이지 본체(210)에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트(220, 230)가 상기 히터부(214)의 열에 의해 팽창하더라도 휨 등과 같은 변형을 방지할 수 있다.Since the stage main body 210 and the first and second top plates 220 and 230 are aligned using the hole-shaped first to third alignment members 222, 232 and 212, The alignment structure of the stage main body 210 and the first or second top plate 220, 230 coupled to the top body 210 is not affected by thermal expansion. Therefore, even if the first or second top plate 220 or 230 coupled to the stage main body 210 expands due to the heat of the heater unit 214, deformation such as warpage can be prevented.

더불어, 상기 제2 및 제2 정렬 부재들(232, 212)은 상기 리프트 핀들(213)이 승강하는 통로로도 제공될 수 있으므로, 상기 스테이지 본체(210)와 상기 제2 상부 플레이트(230)에 상기 리프트 핀들(213)의 승강을 위한 별도의 홀들을 형성할 필요가 없다.The second and the second alignment members 232 and 212 may also be provided as passages for lifting the lift pins 213 so that the stage body 210 and the second upper plate 230 It is not necessary to form separate holes for lifting and lowering the lift pins 213.

도 6은 도 2에 도시된 스테이지 본체의 다른 일례를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view for explaining another example of the stage main body shown in Fig.

도 6을 참조하면, 상기 스테이지 본체(250)는 제3 서브 진공챔버(252)를 제외하고는 도 3에 도시된 스테이지 본체(230)와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 상기 스테이지 본체(250)의 구성 요소들 중 도 3에 도시된 스테이지 본체(230)와 동일한 구성 요소에 대해서는 참조 부호를 병기하고 중복된 설명을 생략한다.Referring to FIG. 6, the stage main body 250 has the same configuration as the stage main body 230 shown in FIG. 3 except for the third sub-vacuum chamber 252. Therefore, the same components as those of the stage main body 230 shown in FIG. 3 among the constituent elements of the stage main body 250 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

상기 스테이지 본체(250)의 제3 서브 진공챔버(252)는 상기 제1 및 제2 메인 진공홀들(215, 216)과 연통되고, 진공이 형성되는 공간을 제공한다. 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 제3 서브 진공챔버(252)는 메인 진공챔버(217)과 별개로 구성되어 별도의 진공라인(미도시)에 연결될 수 있다.The third sub-vacuum chamber 252 of the stage main body 250 communicates with the first and second main vacuum holes 215 and 216 to provide a space in which a vacuum is formed. Although not shown in the drawing, the third sub-vacuum chamber 252 may be formed separately from the main vacuum chamber 217 and connected to a separate vacuum line (not shown).

이와 같이, 상기 스테이지 본체(250)는 상기 제1 및 제2 메인 진공홀들(215, 216)이 동일한 챔버(252)를 통해 진공을 제공받으므로, 도 3에 도시된 스테이지 본체(250) 보다 내부 구성을 간소화할 수 있다.Since the first and second main vacuum holes 215 and 216 are provided with the vacuum through the same chamber 252, the stage main body 250 is provided with a vacuum chamber The internal configuration can be simplified.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It will be understood.

10 : 웨이퍼링 12 : 다이
20 : 회로기판 30 : 웨이퍼
100 : 다이 본딩 장치 110 : 수납 유닛
120 : 로드 포트 130 : 웨이퍼링 이송 유닛
140 : 가이드 레일 150 : 본딩 유닛
200 : 본딩 스테이지 210, 250 : 스테이지 본체
211 : 플레이트 진공홀 212 : 제3 정렬부재
213 : 리프트 핀 214 : 히터부
215 : 제1 메인 진공홀 216 : 제2 메인 진공홀
217 : 메인 진공 챔버 218, 219, 252 : 서브 진공 챔버
220 : 제1 상부 플레이트 222 : 제1 정렬부재
224 : 제1 서브 진공홀 230 : 제2 상부 플레이트
232 : 제2 정렬부재 234 : 제2 서브 진공홀
240 : 구동부재10: wafer ring 12: die
20: circuit board 30: wafer
100: die bonding apparatus 110: receiving unit
120: load port 130: wafer ring transfer unit
140: guide rail 150: bonding unit
200: bonding stage 210, 250: stage body
211: plate vacuum hole 212: third alignment member
213: lift pin 214: heater part
215: first main vacuum hole 216: second main vacuum hole
217: Main vacuum chamber 218, 219, 252: Sub vacuum chamber
220: first upper plate 222: first alignment member
224: first sub-vacuum hole 230: second upper plate
232: second alignment member 234: second sub-vacuum hole
240: driving member

Claims (10)

상면에 회로기판이 안착될 수 있으며 제1 정렬 부재를 구비하는 제1 상부 플레이트;
상면에 웨이퍼가 안착될 수 있으며 제2 정렬 부재를 구비하는 제2 상부 플레이트; 및
상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되되며 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀을 구비하고 상기 상부면에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하며 상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬 부재들에 대응하는 제3 정렬 부재를 구비하는 스테이지 본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.A first upper plate having an upper surface on which a circuit board can be seated and having a first alignment member;
A second upper plate having an upper surface on which a wafer can be seated and having a second alignment member; And
A plurality of plate vacuum holes for selecting one of the first and second top plates to be coupled to the top surface and fixing the first or second top plate by vacuum suction, And a stage body including a third alignment member corresponding to the first and second alignment members for heating the first or second top plate and for alignment with the first and second top plates Wherein the bonding step comprises: 제1항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 정렬 부재들 각각은 홀 형상을 가지며,
상기 제1 및 제2 정렬 부재들은 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들과 상기 스테이지 본체 간의 정렬을 위해 상기 제3 정렬 부재와 대응하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.The method according to claim 1,
Each of the first to third alignment members has a hole shape,
Wherein the first and second alignment members are disposed at positions corresponding to the third alignment member for alignment between the first and second top plates and the stage body. 제2항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 정렬 부재들은 각각 복수로 구비되며,
상기 스테이지 본체는, 상기 스테이지 본체 내부에 매설되며 수직 이동이 가능하고 상기 제3 정렬 부재들에 대응하여 위치하며 상기 웨이퍼를 상기 제2 상부 플레이트의 상면으로부터 상승 및 하강시키기 위한 복수의 리프트 핀을 구비하고,
상기 제2 정렬 부재들과 상기 제3 정렬 부재들은 상기 리프트 핀들의 이동 통로로 제공되는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.3. The method of claim 2,
The plurality of first to third alignment members are provided,
The stage main body includes a plurality of lift pins embedded in the stage main body and vertically movable and positioned corresponding to the third alignment members and for raising and lowering the wafer from the upper surface of the second upper plate and,
And the second alignment members and the third alignment members are provided as moving passages of the lift pins. 제1항에 있어서,
상기 제1 상부 플레이트는 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하고,
상기 제2 상부 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비하며,
상기 스테이지 본체는, 상기 제1 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제1 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제1 메인 진공홀과, 상기 제2 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제2 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제2 메인 진공홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.The method according to claim 1,
Wherein the first upper plate has a plurality of first sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the circuit board,
Wherein the second upper plate has a plurality of second sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the wafer,
Wherein the stage main body includes: a plurality of first main vacuum holes communicating with the first sub vacuum holes and providing a vacuum to the first sub vacuum holes; and a second main vacuum hole communicating with the second sub vacuum holes, And a plurality of second main vacuum holes for providing vacuum to the sub-vacuum holes. 제4항에 있어서,
상기 스테이지 본체는,
상기 플레이트 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 메인 진공챔버; 및
상기 제1 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제1 서브 진공챔버; 및
상기 제2 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제2 서브 진공챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.5. The method of claim 4,
The stage main body,
A main vacuum chamber communicating with the plate vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed; And
A first sub-vacuum chamber communicating with the first main vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed; And
And a second sub-vacuum chamber communicating with the second main vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed. 제1항에 있어서,
상기 제1 상부 플레이트는 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하고,
상기 제2 상부 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비하며,
상기 스테이지 본체는 상기 제1 및 제2 서브 진공홀들과 연통되고 상기 제1 및 제2 서브 진공홀들에 진공을 제공하기 위한 복수의 제3 메인 진공홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.The method according to claim 1,
Wherein the first upper plate has a plurality of first sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the circuit board,
Wherein the second upper plate has a plurality of second sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the wafer,
Wherein the stage main body has a plurality of third main vacuum holes communicating with the first and second sub vacuum holes and for providing a vacuum to the first and second sub vacuum holes. 제6항에 있어서,
상기 스테이지 본체는,
상기 플레이트 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 메인 진공 챔버; 및
상기 제1 및 제2 메인 진공홀들과 연통되고 진공이 형성되는 공간을 제공하는 제3 서브 진공 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.The method according to claim 6,
The stage main body,
A main vacuum chamber communicating with the plate vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed; And
And a third sub-vacuum chamber communicating with the first and second main vacuum holes and providing a space in which a vacuum is formed. 상면에 회로기판이 안착될 수 있으며 복수의 제1 정렬홀과 상기 회로기판을 진공 흡착하기 위한 복수의 제1 서브 진공홀을 구비하는 제1 상부 플레이트;
상면에 웨이퍼가 안착될 수 있으며 복수의 제2 정렬홀과 상기 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 복수의 제2 서브 진공홀을 구비하는 제2 상부 플레이트; 및
상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되는 스테이지 본체를 포함하고,
상기 스테이지 본체는,
상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀;
상기 스테이지 본체에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하기 위한 히터부;
상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬홀들에 대응하여 위치하는 복수의 제3 정렬홀; 및
상기 제3 정렬홀들 안에 삽입되어 상기 스테이지 본체 내부에 매설되게 배치될 수 있으며 상기 제2 및 제3 정렬홀들을 관통하여 수직 이동이 가능하고 상기 웨이퍼의 하면을 지지하여 상기 웨이퍼를 상승 및 하강시키는 복수의 리프트 핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.A first upper plate having an upper surface on which a circuit substrate can be placed and having a plurality of first alignment holes and a plurality of first sub-vacuum holes for vacuum-sucking the circuit substrate;
A second upper plate having a plurality of second alignment holes and a plurality of second sub-vacuum holes for vacuum-adsorbing the wafer, the wafer being seated on an upper surface thereof; And
And a stage main body in which any one of the first and second top plates is selected and coupled to the upper surface,
The stage main body,
A plurality of plate vacuum holes for vacuum-fixing the first or second upper plate;
A heater unit for heating the first or second top plate coupled to the stage body;
A plurality of third alignment holes corresponding to the first and second alignment holes for alignment with the first and second upper plates; And
The wafer can be vertically moved through the second and third alignment holes and supported by the lower surface of the wafer to move the wafer up and down And a plurality of lift pins. 회로기판 또는 웨이퍼를 지지하는 본딩 스테이지; 및
상기 본딩 스테이지에 안착된 상기 회로기판 또는 웨이퍼 상에 다이들을 본딩하는 본딩 유닛을 포함하고,
상기 본딩 스테이지는,
상면에 상기 회로기판이 안착될 수 있으며 제1 정렬 부재를 구비하는 제1 상부 플레이트;
상면에 상기 웨이퍼가 안착될 수 있으며 제2 정렬 부재를 구비하는 제2 상부 플레이트; 및
상기 제1 및 제2 상부 플레이트들 중 어느 하나가 선택되어 상부면에 결합되되며 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 진공 흡착하여 고정하기 위한 복수의 플레이트 진공홀을 구비하고 상기 상부면에 결합된 상기 제1 또는 제2 상부 플레이트를 가열하며 상기 제1 및 상기 제2 상부 플레이트들과의 정렬을 위해 상기 제1 및 제2 정렬 부재들에 대응하는 제3 정렬 부재를 구비하는 스테이지 본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.A bonding stage for supporting a circuit board or a wafer; And
And a bonding unit for bonding the dies on the circuit board or wafer mounted on the bonding stage,
In the bonding stage,
A first upper plate having an upper surface on which the circuit board is seated and having a first alignment member;
A second upper plate having an upper surface on which the wafer is seated and having a second alignment member; And
A plurality of plate vacuum holes for selecting one of the first and second top plates to be coupled to the top surface and fixing the first or second top plate by vacuum suction, And a stage body including a third alignment member corresponding to the first and second alignment members for heating the first or second top plate and for alignment with the first and second top plates Wherein the die bonding apparatus is a die bonding apparatus. 제9항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 정렬 부재들 각각은 홀 형상을 가지며,
상기 제1 및 제2 정렬 부재들은 상기 제1 및 제2 상부 플레이트들과 상기 스테이지 본체 간의 정렬을 위해 상기 제3 정렬 부재와 대응하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.10. The method of claim 9,
Each of the first to third alignment members has a hole shape,
Wherein the first and second alignment members are disposed at positions corresponding to the third alignment member for alignment between the first and second top plates and the stage body.
KR1020170043632A 2017-04-04 2017-04-04 Bonding stage and apparatus for bonding dies KR102344109B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170043632A KR102344109B1 (en) 2017-04-04 2017-04-04 Bonding stage and apparatus for bonding dies

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170043632A KR102344109B1 (en) 2017-04-04 2017-04-04 Bonding stage and apparatus for bonding dies

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180112490A true KR20180112490A (en) 2018-10-12
KR102344109B1 KR102344109B1 (en) 2021-12-29

Family

ID=63876551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170043632A KR102344109B1 (en) 2017-04-04 2017-04-04 Bonding stage and apparatus for bonding dies

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102344109B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102189277B1 (en) * 2019-08-27 2020-12-09 세메스 주식회사 Stage module and die bonding apparatus including the same
KR20210121622A (en) * 2020-03-31 2021-10-08 (주)에스티아이 Multi chuck fixing panel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11239991A (en) * 1997-12-22 1999-09-07 Shipley Far East Kk Object holder and object holding method using it
JP2001068541A (en) * 1999-08-26 2001-03-16 Tatsumo Kk Processed substrate tray
KR20090012068A (en) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 피에조닉스 Apparatus having a substrate holder for film forming
KR101573274B1 (en) 2014-10-10 2015-12-01 에스티에스반도체통신 주식회사 Semiconductor die bonding apparatus and method of bonding stage alignment thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11239991A (en) * 1997-12-22 1999-09-07 Shipley Far East Kk Object holder and object holding method using it
JP2001068541A (en) * 1999-08-26 2001-03-16 Tatsumo Kk Processed substrate tray
KR20090012068A (en) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 피에조닉스 Apparatus having a substrate holder for film forming
KR101573274B1 (en) 2014-10-10 2015-12-01 에스티에스반도체통신 주식회사 Semiconductor die bonding apparatus and method of bonding stage alignment thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102189277B1 (en) * 2019-08-27 2020-12-09 세메스 주식회사 Stage module and die bonding apparatus including the same
KR20210121622A (en) * 2020-03-31 2021-10-08 (주)에스티아이 Multi chuck fixing panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR102344109B1 (en) 2021-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102459402B1 (en) Die ejecting apparatus
TWI652758B (en) Transfer device, process chamber, robot, semiconductor device, and transfer method
KR101627906B1 (en) Apparatus for ejecting a die
JPWO2013088733A1 (en) Substrate holder and a pair of substrate holders
KR20160068201A (en) Apparatus for ejecting a die
KR20180112490A (en) Bonding stage and apparatus for bonding dies
KR101651544B1 (en) Substrate holder unit and apparatus for treatmenting substrate having the same
KR102512045B1 (en) Die ejecting apparatus
KR20200048436A (en) Bonding module and die bonding apparatus having the same
CN111128841B (en) Die ejection apparatus
KR102245805B1 (en) Die ejector and die pickup apparatus including the same
KR20120106095A (en) Substrate chuck/de-chuck device and method for chucking/de-chucking using it
KR102189274B1 (en) Die pickup method and die pickup apparatus
KR102559271B1 (en) Apparatus for binding dies
KR102386339B1 (en) Die ejector and die transfer apparatus including the same
JP5493713B2 (en) Substrate holder, substrate bonding apparatus, substrate holder pair, and transfer apparatus
KR20100105456A (en) Substrate heat processing apparatus
JP2011222633A (en) Substrate laminating device, laminated semiconductor manufacturing method, and laminated semiconductor
JP5903118B2 (en) Substrate processing equipment and method
JP2012146884A (en) Substrate overlapping device
KR20220006828A (en) Die ejector and die bonding apparatus including the same
KR20210003435A (en) Die ejecting apparatus
KR20200050646A (en) Die ejector and die bonding apparatus having the same
KR102336914B1 (en) Die ejector and die transfer apparatus including the same
KR20190012462A (en) Apparatus for transferring semiconductor substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right