KR20180109463A - Apparatus for polishing substrate - Google Patents
Apparatus for polishing substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR20180109463A KR20180109463A KR1020170039236A KR20170039236A KR20180109463A KR 20180109463 A KR20180109463 A KR 20180109463A KR 1020170039236 A KR1020170039236 A KR 1020170039236A KR 20170039236 A KR20170039236 A KR 20170039236A KR 20180109463 A KR20180109463 A KR 20180109463A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing pad
- substrate
- polishing
- flange
- support portion
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 233
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
- B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
- B24B21/18—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 벨트형의 연마패드를 이용하여 기판을 연마하는 기판 연마 장치에서 연마패드 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing pad structure in a substrate polishing apparatus for polishing a substrate using a belt-shaped polishing pad.
반도체소자의 제조에는, 연마와 버핑(buffing) 및 세정을 포함하는 CMP(chemical mechanical polishing) 작업이 필요하다. 반도체 소자는, 다층 구조의 형태로 되어 있으며, 기판층에는 확산영역을 갖춘 트랜지스터 소자가 형성된다. 기판층에서, 연결금속선이 패턴화되고 기능성 소자를 형성하는 트랜지스터 소자에 전기 연결된다. 공지된 바와 같이, 패턴화된 전도층은 이산화규소와 같은 절연재로 다른 전도층과 절연된다. 더 많은 금속층과 이에 연관된 절연층이 형성되므로, 절연재를 편평하게 할 필요성이 증가한다. 편평화가 되지 않으면, 표면형태에서의 많은 변동 때문에 추가적인 금속층의 제조가 실질적으로 더욱 어려워진다. 또한, 금속선 패턴은 절연재로 형성되어, 금속 기판 연마 작업이 과잉금속물을 제거하게 된다.The manufacture of semiconductor devices requires chemical mechanical polishing (CMP) operations including polishing, buffing, and cleaning. The semiconductor element is in the form of a multilayer structure, and a transistor element having a diffusion region is formed in the substrate layer. In the substrate layer, a connecting metal line is patterned and electrically connected to the transistor element forming the functional element. As is known, the patterned conductive layer is insulated from other conductive layers with an insulating material such as silicon dioxide. As more metal layers and associated insulating layers are formed, the need to flatten the insulating material increases. Without flattening, the manufacturing of additional metal layers becomes substantially more difficult due to the many variations in surface morphology. In addition, the metal line pattern is formed of an insulating material so that the metal substrate polishing operation removes excess metal.
기판 연마 장치는 기판의 일면 또는 양면을 연마와 버핑 및 세정하기 위한 구성요소로서, 벨트, 패드 또는 브러시를 구비하는 연마패드를 구비한다. 연마제는 기판 연마 작업을 촉진 및 강화시키기 위해 사용된다.A substrate polishing apparatus is a component for polishing and buffing and cleaning one or both surfaces of a substrate, and includes a polishing pad having a belt, a pad or a brush. The abrasive is used to promote and strengthen the substrate polishing operation.
기존의 기판 연마 장치 중 2개의 구동 롤러 상에 장착된 벨트형의 연마패드로 구성되는 벨트형 기판 연마 장치가 알려져 있다. 벨트형 기판 연마 장치는 기판이 캐리어에 장착되며, 캐리어는 일 방향으로 선형 이동하고, 벨트형 연마패드는 시계 방향 혹은 반시계 방향으로 회전함에 따라 기판에 소정의 힘이 가해진 상태로 밀착되어 연마가 수행된다.There is known a belt-shaped substrate polishing apparatus composed of a belt-shaped polishing pad mounted on two drive rollers among existing substrate polishing apparatuses. In a belt-type substrate polishing apparatus, a substrate is mounted on a carrier, the carrier linearly moves in one direction, and the belt-shaped polishing pad is rotated in a clockwise or counterclockwise direction, so that a predetermined force is applied to the substrate, .
본 발명의 실시 예들에 따르면, 벨트형의 기판 연마 장치에서 연마패드의 이탈을 방지하는 연마패드를 구비하는 기판 연마 장치를 제공한다.According to embodiments of the present invention, there is provided a substrate polishing apparatus having a polishing pad for preventing separation of a polishing pad from a belt-shaped substrate polishing apparatus.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판 연마 장치는, 서로 평행하게 배치된 한 쌍의 구동 롤러, 상기 한 쌍의 구동 롤러의 외주면에 감겨서 회전함에 따라 기판을 연마하는 벨트 형태의 연마패드 및 상기 연마패드 내측에 구비되어 상기 연마패드의 내주면을 지지하는 연마패드 지지부를 포함하고, 상기 연마패드는 폭 방향의 양단부가 내측으로 연장된 플랜지가 형성된다.According to embodiments of the present invention for achieving the object of the present invention, a substrate polishing apparatus includes a pair of driving rollers arranged in parallel to each other, And a polishing pad supporting portion provided inside the polishing pad and supporting the inner circumferential surface of the polishing pad, wherein the polishing pad has a flange having both ends in the width direction extended inward.
일 측에 따르면, 상기 플랜지는 상기 연마패드의 양단부가 'ㄱ'자 형태로 절곡 형성될 수 있다. 상기 연마패드 지지부는 상기 연마패드 내주면에서 일정 간격이 이격되도록 구비되고, 상기 플랜지는 상기 연마패드 지지부와 상기 연마패드 내주면 사이의 간격을 덮는 길이로 형성될 수 있다. 또한, 상기 플랜지는 상기 연마패드와 상기 연마패드 지지부 사이의 간격에서 토출되는 유체의 유동 방향을 변경하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 플랜지는 상기 연마패드 지지부보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.According to one aspect of the present invention, the flange may be formed by bending both ends of the polishing pad in an 'a' shape. The polishing pad supporting part may be spaced apart from the inner circumferential surface of the polishing pad by a predetermined distance, and the flange may have a length covering a distance between the polishing pad supporting part and the inner circumferential surface of the polishing pad. The flange may be formed to change a flow direction of the fluid discharged in the gap between the polishing pad and the polishing pad support. Further, the flange may be formed at a lower height than the polishing pad supporting portion.
일 측에 따르면, 상기 연마패드 지지부는, 상기 연마패드의 내측에서 상기 기판에 대해서 상기 연마패드를 가압하도록 구비된다. 상기 연마패드 지지부는, 상기 연마패드의 내측 하부에서 상기 기판에 대해 가압하도록 구비되는 제1 지지부와, 상기 제1 지지부에 대칭되도록 상기 연마패드의 내측 상부에 구비되는 제2 지지부를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 연마패드 지지부는, 내부에 유체를 공급하기 위한 챔버가 형성되고, 상기 연마패드와 마주보는 부분에는 복수의 홀이 형성된 가요성 멤브레인이 구비된다. 상기 연마패드 지지부는 상기 챔버 내부가 복수의 체적으로 구획 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 챔버는 서로 다른 크기의 복수의 체적으로 구획 형성될 수 있다.According to one aspect, the polishing pad support is provided to press the polishing pad against the substrate inside the polishing pad. The polishing pad supporting portion may include a first supporting portion provided to press against the substrate at an inner lower portion of the polishing pad and a second supporting portion provided at an inner upper portion of the polishing pad to be symmetrical to the first supporting portion . The polishing pad supporting part is provided with a chamber for supplying a fluid therein, and a flexible membrane having a plurality of holes formed at a portion facing the polishing pad. The polishing pad supporting part may be divided into a plurality of volumes in the chamber interior. For example, the chamber may be partitioned into a plurality of volumes of different sizes.
일 측에 따르면, 상기 연마패드의 양 측부를 덮도록 커버가 더 구비될 수 있다. 상기 커버는 상기 연마패드의 양 측부에서 상기 플랜지가 형성되지 않은 부분을 덮도록 형성될 수 있다. 상기 커버는 상기 연마패드의 두께와 대응되는 두께를 갖는 플레이트 형상으로 형성되고, 상기 플랜지와 동일 평면 상에 형성될 수 있다.According to one aspect, a cover may be further provided to cover both sides of the polishing pad. The cover may be formed on both sides of the polishing pad so as to cover the portion where the flange is not formed. The cover may be formed in a plate shape having a thickness corresponding to the thickness of the polishing pad, and may be formed on the same plane as the flange.
일 측에 따르면, 상기 커버에는 상기 연마패드의 내측 공간에서 외부로 유체를 배기시키도록 배기구가 형성된다. 상기 배기구는 상기 커버에서 상기 연마패드 지지부의 테두리에 대응되는 위치에 복수 개가 형성될 수 있다.According to one aspect of the present invention, the cover is provided with an exhaust port for evacuating the fluid from the inner space of the polishing pad to the outside. A plurality of the exhaust ports may be formed at positions corresponding to the rim of the polishing pad supporting portion in the cover.
본 발명의 다양한 실시 예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.Various embodiments of the present invention may have one or more of the following effects.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 연마패드에 플랜지가 형성되므로 구동 롤러에서 연마패드가 이탈하는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, since the flange is formed on the polishing pad, it is possible to prevent the polishing pad from being separated from the driving roller.
또한, 플랜지가 연마패드 지지부의 측부를 일부 감싸도록 형성되므로, 연마패드 지지부와 연마패드 사이의 간격을 통해 유체가 유출되는 것을 방지할 수 있다. 그리고 플랜지가 간격 내부의 압력을 유지시키고, 연마패드에 충분한 크기의 압력이 전달되도록 하고, 압력을 일정하게 유지될 수 있도록 함으로써, 기판을 균일하게 연마할 수 있다.Further, since the flange is formed so as to partially surround the side of the polishing pad supporting portion, the fluid can be prevented from flowing out through the gap between the polishing pad supporting portion and the polishing pad. The substrate can be polished uniformly by allowing the flange to maintain the pressure inside the gap, to deliver a sufficient magnitude of pressure to the polishing pad, and to maintain the pressure constant.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 연마 장치에서 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 연마 장치에서 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 연마 장치에서 연마패드를 설명하기 위한 요부 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 측면도이다.
도 6은 도 5의 기판 연마 장치에서 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단면도이다.
도 7은 도 5의 기판 연마 장치에서 연마패드를 설명하기 위한 요부 단면도이다.1 is a perspective view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along the line I-I in the substrate polishing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line II-II in the substrate polishing apparatus of FIG.
Fig. 4 is a cross-sectional view of the main portion for explaining the polishing pad in the substrate polishing apparatus of Fig. 1;
5 is a side view of a substrate polishing apparatus according to another embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a cross-sectional view taken along the line III-III in the substrate polishing apparatus of Fig. 5;
FIG. 7 is a cross-sectional view of the main portion for explaining the polishing pad in the substrate polishing apparatus of FIG. 5; FIG.
이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the difference that the embodiments of the present invention are not conclusive.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; may be "connected," "coupled," or "connected. &Quot;
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 연마패드(12) 및 이를 구비하는 기판 연마 장치(10)에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the
참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(10)의 사시도이다. 도 2는 도 1의 기판 연마 장치(10)에서 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 연마 장치(10)에서 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이고, 도 4는 도 1의 기판 연마 장치(10)에서 연마패드(12)를 설명하기 위한 요부 단면도이다.1 is a perspective view of a
도면을 참조하면, 기판 연마 장치(10)는, 벨트 형태의 연마패드(12)와, 연마패드(12)를 구동하는 한 쌍의 롤러(131, 132) 및 연마패드(12)를 지지하는 연마패드 지지부(14)를 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, a
기판 연마 장치(10)는 기판(1)의 피연마면이 상부를 향하도록 지지된 상태에서 연마패드(12) 하부에 기판(1)이 접촉되어서 연마가 수행되며, 기판(1)의 피연마면이 상부를 향한 페이스 업(face up) 방식으로 연마가 수행된다.The
기판(1)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판이고, 사각형일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(1)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(1)의 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The
기판 캐리어(11)는 기판(1)의 피연마면이 상부를 향하도록 기판(1)이 안착된다. 기판 캐리어(11)는 연마패드(12)의 하부로 수평으로 이동하여서, 기판(1)의 피연마면이 연마패드(12)의 외주면에 접촉하면서 연마가 수행된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 캐리어(11)는 고정된 상태에서 연마패드(12)를 포함하는 연마 모듈이 이동하면서 연마가 수행되는 것도 가능하다.The substrate carrier (11) is placed on the substrate (1) so that the polished surface of the substrate (1) faces upward. The
기판 캐리어(11)는 기판(1)이 안착되는 면이 비가요성의 재질로 형성되며, 표면이 딱딱한 재질로 형성된다. 기판 캐리어(11)를 비가요성 재질로 형성함으로써, 기판(1)의 연마 시 발생하는 진동에 매우 강하며, 진동에 의한 상하 변위가 발생하지 않아서 기판(1)의 파손 및 연마 불량을 방지할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 캐리어(11)는 가요성 멤브레인을 포함하여 구성되는 것도 가능하다.The surface of the
구동 롤러(13)는 연마패드(12)를 회전시킬 수 있도록 소정 직경을 갖는 원기둥 형상으로 형성된다. 구동 롤러(13)는 적어도 기판(1)의 폭보다 긴 길이를 가지며 기판(1)과 접촉되는 길이가 적어도 기판(1)보다 같거나 길어지도록 형성된다.The
구동 롤러(13)는 서로 나란하게 배치된 한 쌍의 롤러(131, 132)를 포함한다. 예를 들어, 한 쌍의 롤러(131, 132)는 일정 간격 이격되어 배치되고, 그 축이 기판(1)의 이동 방향에 대해서 수직하게 배치된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 구동 롤러(13)는 그 축이 기판(1)의 이동 방향에 대해서 나란하게 배치되는 것도 가능하다.The
슬러리 노즐(15)은 연마패드(12)의 상부에 구비되어서, 기판(1) 연마를 위한 슬러리를 제공한다. 예를 들어, 슬러리 노즐(15)은 연마패드(12)에 대해서 선형으로 슬러리를 공급하도록 형성된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 슬러리 노즐(15)의 형상 및 배치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.A
패드 컨디셔너(16)는 연마패드(12) 상부에 구비되어서 연마패드(12)를 미소 절삭하여 컨디셔닝 한다. 예를 들어, 패드 컨디셔너(16)는 연마패드(12)의 폭보다 작은 직경을 갖는 원반 형태를 가질 수 있다. 또한, 패드 컨디셔너(16)는 연마패드(12) 상에서 자전하면서 전후 및/또는 좌우 방향으로 진동(또는 스위핑)함에 따라 연마패드(12)를 컨디셔닝 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 패드 컨디셔너(16)의 형상 및 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.A
연마패드 지지부(14)는 연마패드(12)가 형성하는 폐루프의 내측에 구비되어서 연마패드(12)의 내주면을 지지한다. 연마패드 지지부(14)는 구동 롤러(13) 사이에 구비되므로, 구동 롤러(13) 사이에서 연마패드(12)의 처짐을 방지하고, 기판(1)에 대해서 소정 압력으로 연마패드(12)를 가압 접촉시킨다.The polishing
연마패드 지지부(14)는 연마패드(12)의 내측 하부에는 기판(1)에 대해서 연마패드(12)의 내주면을 하부로 가압하는 제1 지지부(141)가 구비된다. 또한, 연마패드(12)의 내측 상부에는 제1 지지부(141)와 대칭되는 위치에 구비되며, 연마패드(12)의 내주면을 상부로 가압하는 제2 지지부(142)가 구비될 수 있다. 제2 지지부(142)는 패드 컨디셔너(16)에 대해서 연마패드(12)를 가압하게 된다.The polishing
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연마패드 지지부(14)는 제1 지지부(141)만 구비되는 것도 가능하다.However, the present invention is not limited thereto, and the polishing
연마패드 지지부(14)는 연마패드(12)의 양단부까지 가압할 수 있도록, 연마패드(12)의 폭 보다 적어도 같거나 긴 길이를 갖도록 형성된다.The polishing
연마패드 지지부(14)는 연마패드(12)를 마주보는 부분에 가요성의 멤브레인(411)이 구비되고, 멤브레인(411)을 통해서 연마패드(12)를 가압하기 위한 공기 등의 유체를 공급하는 챔버(410)가 형성된다. 멤브레인(411)에는 챔버(410)의 유체를 연마패드(12)에 전달하기 위한 복수의 홀(412)이 형성된다. 멤브레인(411)과 연마패드(12)의 내주면 사이는 소정의 간격(G)이 형성되고, 홀(412)을 통해서 챔버(410) 내부의 유체가 소정 압력으로 토출됨에 따라 멤브레인(411) 및 연마패드(12)가 가압된다.The polishing
연마패드 지지부(14)는 연마패드(12)에 대해서 부분적으로 서로 다른 압력을 인가할 수 있도록 챔버(410) 내부가 복수의 공간으로 구획될 수 있다. 예를 들어, 연마패드 지지부(14)는 챔버(410)가 서로 다른 크기의 복수의 공간으로 구획될 수 있다.The interior of the
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연마패드 지지부(14)는 서로 동일한 크기를 갖는 챔버(410)로 구획하는 것도 가능하다. 그리고 연마패드 지지부(14)는 챔버(410)가 기판(1)의 이동 방향을 따라 평행하게 형성될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the polishing
멤브레인(411)에는 복수의 홀(412)이 등간격으로 형성될 수 있다. 또는, 멤브레인(411)에는 복수의 홀(412)이 위치에 따라 서로 다른 간격으로 형성될 수 있다. 또한, 멤브레인(411)에는 챔버(410)의 구획된 체적마다 서로 다른 간격으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 기판(1)의 중앙에 대응되는 부분에 배치되는 홀 간격과 가장자리에 대응되는 부분에서 배치되는 홀 간격이 서로 다르게 형성될 수 있다.A plurality of
이와 같이 연마패드 지지부(14)는 챔버(410) 내부를 복수의 공간으로 형성하거나, 홀(412)의 간격을 서로 다르게 배치하는 것은 연마패드(12)에 서로 다른 크기의 압력을 인가함으로써, 기판(1)을 연마하는 동안 기판(1)에는 균일한 압력이 가해지고 그로 인해 기판(1)을 균일하게 연마할 수 있도록 하기 위한 것이다.In this way, the polishing
연마패드(12)는 일정 폭을 갖는 벨트 형태를 갖고 원형 또는 폐루프 형태로 형성되어서 한 쌍의 구동 롤러(13)의 외주면에 감겨서 회전하도록 형성되고, 외주면이 기판(1)을 연마하기 위한 연마면(121)이 형성된다. 연마패드(12)는 한 쌍의 롤러(131, 132)의 외주면에 소정의 장력이 가해져서 인장된 상태로 감겨지고, 구동 롤러(13)가 회전함에 따라 무한궤도와 같이 연속적으로 회전하게 된다. 연마패드(12)의 회전 방향은, 연마패드(12)에서 기판(1)과 접촉되는 부분(즉, 본 실시 예에서는 하부)의 이동 방향이 기판(1)이 이동하는 방향과 동일한 방향이 되도록 회전하게 된다. 그리고, 연마패드(12)가 접촉되는 부분에서, 기판(1)과 연마패드(12)는 동일 방향으로 이동하되, 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 상대 속도에 의해서 기판(1)의 연마가 이루어진다.The
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연마패드(12)는 상술한 실시 예와 반대 방향으로 회전하여, 기판(1)과 접촉되는 부분에서의 이동 방향이 기판(1)의 이동 방향과 반대 방향이 되도록 회전하는 것도 가능하다. 또한, 연마패드(12)는 기판(1)의 이동 방향에 대해서 수직 방향으로 회전하도록 구비되는 것도 가능하다. 이 경우, 구동 롤러(13)가 기판(1)의 이동 방향과 나란하게 배치될 수 있다.However, the present invention is not limited to this, and the
연마패드(12)는 양측 단부가 내측으로 소정 길이 연장된 플랜지(122)가 형성된다. 연마패드(12)는 구동 롤러(13) 및 연마패드 지지부(14)의 측부를 감싸게 된다. 예를 들어, 플랜지(122)는 연마패드(12)의 양단부가 'ㄱ'자 형태로 절곡되어서 형성된다. 또한, 플랜지(122)는 멤브레인(411)과 연마패드(12) 사이의 간격(G)을 덮을 수 있을 정도의 길이로 형성된다. 또한, 플랜지(122)는 연마패드 지지부(14)보다 낮은 높이로 형성될 수 있다.The
도 2를 참고하면, 연마패드(12)는 플랜지(122)가 구동 롤러(13)의 양측 측부를 일부 감싸게 되므로, 구동 롤러(13)에서 연마패드(12)가 이탈되거나 위치가 틀어지는 것을 방지할 수 있다.2, since the
도 3을 참고하면, 연마패드(12)는 플랜지(122)가 연마패드 지지부(14)와 연마패드(12) 사이의 간격을 덮게 되므로, 연마패드 지지부(14)에서 토출되는 유체가 연마패드 지지부(14)와 연마패드(12) 사이의 간격(G)을 통해서 누출되는 것을 방지한다. 더불어, 도 4에 도시한 바와 같이, 연마패드(12)의 플랜지(122)는 간격(G)에서 토출되는 유체의 유동 방향을 변경함으로써 연마패드(12)에 가해지는 압력을 증가시키게 된다.3, since the
상세하게는, 플랜지(122)가 없다면 홀(412)을 통해 간격(G)으로 유입되는 유체가 연마패드(12)의 측부를 통해서 외부로 누출되게 된다. 이 경우에는, 연마패드(12)의 가장자리 부분에서의 압력이 중앙 부분에서의 압력보다 작아지게 되므로, 기판(1)의 가장자리 부분에서 연마율이 낮아지게 된다. 그러나 본 실시 예에 따르면, 플랜지(122)를 형성함으로써 유체가 멤브레인(411)과 연마패드(12) 사이의 간격(G) 내부에 갇힌 상태가 되므로, 간격(G) 내부의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있고, 가장자리와 중앙에서 모두 균일한 압력이 작용할 수 있도록 한다. 또한, 간격(G)을 통해 토출되는 유체는 플랜지(122)가 형성된 방향을 따라 연마패드(12)에 대해서 수직인 내측 방향으로 토출되므로, 연마패드 지지부(14)에서 연마패드(12)에 인가하는 압력을 증가시키게 된다.Specifically, in the absence of the
본 실시 예에 따르면, 연마패드(12)의 양단부에 플랜지(122)를 형성함으로써, 연마패드(12)가 구동 롤러(13)에서 이탈하거나 위치가 변동되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 플랜지(122)가 연마패드(12)와 연마패드 지지부(14) 사이의 간격(G)을 통해서 유체가 유출되는 것을 방지하고, 유체의 토출 방향을 변경함으로써, 연마패드 지지부(14)에서 연마패드(12)에 가해지는 압력을 증가시키고, 간격(G) 내부의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있다.According to the present embodiment, by forming the
한편, 연마패드 지지부(14)에서 제공되는 유체가 유출되는 것을 방지하여 압력을 증가시킬 수 있도록, 연마패드(12)의 양 측부에 커버(17)가 구비될 수 있다.On the other hand, a
참고적으로, 도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 연마 장치(10)의 측면도이고, 도 6은 도 5의 기판 연마 장치(10)에서 Ⅲ-Ⅲ 선에 따른 단면도이고, 도 7은 도 5의 기판 연마 장치(10)에서 연마패드(12)를 설명하기 위한 요부 단면도이다. 그리고 이하의 설명에서는 상술한 실시 예와 중복되는 설명은 생략한다.5 is a side view of the
도면을 참고하면, 커버(17)는 기판 연마 장치(10)에서 구동 롤러(13) 및 연마패드(12)의 양 측부를 덮도록 형성되며, 연마패드(12)의 양 측부에서 플랜지(122)가 형성되지 않은 부분에 형성된다. 예를 들어, 커버(17)는 연마패드(12)와 두께와 동일하거나 대략 유사한 정도의 두께를 갖는 플레이트 형태를 갖고, 연마패드(12)의 플랜지(122)와 동일 평면을 이루도록 설치된다.The
커버(17)를 설치함으로써, 연마패드 지지부(14)에서 제공되는 유체가 연마패드(12)와 연마패드 지지부(14) 사이의 간격(G)을 통해서 외부로 유출될 때, 플랜지(122)를 따라 바로 외부로 유출되는 것이 아니라, 커버(17) 때문에 연마패드(12)의 내측 공간으로 유입되게 된다. 이로 인해, 연마패드(12)의 내측 공간 및 연마패드(12)와 연마패드 지지부(14) 사이의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있고, 더 나아가 기판(1)의 가장자리 및 중앙을 포함하는 전면에서 연마율을 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한 커버(17)를 설치함으로써 플랜지(122)만 설치하는 경우에 비해서 연마패드 지지부(14)에서 제공되는 유체의 토출 방향을, 연마패드(12)에 대해서 압력을 증가시키는 방향 쪽으로 보다 더 효과적으로 변경시킬 수 있다.By providing the
커버(17)에는 연마패드(12) 내측에서 외부로 유체를 배기시킬 수 있도록 복수의 배기구(171)가 형성된다. 예를 들어, 커버(17)는 연마패드 지지부(14)의 테두리와 대응되는 위치에 복수 개의 배기구(171)가 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 배기구(171)의 위치와 형상 및 수는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.A plurality of
본 실시 예들에 따르면, 커버(17)를 형성함으로써, 기판 연마 장치()는 연마패드(12) 내측 공간이 밀폐되어서 그 내부 압력이 일정하게 유지될 수 있다. 더불어, 연마패드 지지부(14)에서 제공되는 유체가 외부로 유출되는 것을 방지함으로써 연마패드 지지부(14)에서 연마패드(12)에 가해지는 압력을 증가시키고, 간격(G) 내부의 압력을 일정하게 유지시킬 수 있다.According to these embodiments, by forming the
이상과 같이 실시 예들이 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시 예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments and equivalents to the claims are within the scope of the following claims.
1: 기판
10: 기판 연마 장치
11: 기판 캐리어
12: 연마패드
121: 연마면
122: 플랜지
13, 131, 132: 구동 롤러
14, 141, 142: 연마패드 지지부
15: 슬러리 노즐
16: 패드 컨디셔너
17: 커버
171: 배기구1: substrate
10: substrate polishing apparatus
11: substrate carrier
12: Polishing pad
121: Polishing surface
122: Flange
13, 131, 132: drive roller
14, 141, 142: polishing pad supporting portion
15: Slurry nozzle
16: Pad conditioner
17: cover
171: Exhaust
Claims (15)
상기 한 쌍의 구동 롤러의 외주면에 감겨서 회전함에 따라 기판을 연마하는 벨트 형태의 연마패드; 및
상기 연마패드 내측에 구비되어 상기 연마패드의 내주면을 지지하는 연마패드 지지부;
를 포함하고,
상기 연마패드는 폭 방향의 양단부가 내측으로 연장된 플랜지가 형성된 기판 연마 장치.
A pair of drive rollers disposed parallel to each other; And
A polishing pad in the form of a belt that polishes the substrate as it is rolled around the outer circumferential surface of the pair of driving rollers; And
A polishing pad supporter provided inside the polishing pad to support an inner circumferential surface of the polishing pad;
Lt; / RTI >
Wherein the polishing pad has a flange extending inward at both ends in the width direction.
상기 플랜지는 상기 연마패드의 양단부가 'ㄱ'자 형태로 절곡 형성된 기판 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the flange is formed by bending both ends of the polishing pad in a "?&Quot; shape.
상기 연마패드 지지부는 상기 연마패드 내주면에서 일정 간격이 이격되도록 구비되고,
상기 플랜지는 상기 연마패드 지지부와 상기 연마패드 내주면 사이의 간격을 덮는 길이로 형성되는 기판 연마 장치.
3. The method of claim 2,
The polishing pad support portion is spaced apart from the inner circumferential surface of the polishing pad by a predetermined distance,
Wherein the flange is formed to have a length covering a gap between the polishing pad supporting portion and the inner circumferential surface of the polishing pad.
상기 플랜지는 상기 연마패드와 상기 연마패드 지지부 사이의 간격에서 토출되는 유체의 유동 방향을 변경하도록 형성되는 기판 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the flange is formed to change the flow direction of the fluid discharged in the gap between the polishing pad and the polishing pad support.
상기 플랜지는 상기 연마패드 지지부보다 낮은 높이로 형성되는 기판 연마 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the flange is formed at a lower height than the polishing pad support portion.
상기 연마패드 지지부는, 상기 연마패드의 내측에서 상기 기판에 대해서 상기 연마패드를 가압하도록 구비되는 기판 연마 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the polishing pad support portion is provided to press the polishing pad against the substrate inside the polishing pad.
상기 연마패드 지지부는,
상기 연마패드의 내측 하부에서 상기 기판에 대해 가압하도록 구비되는 제1 지지부와,
상기 제1 지지부에 대칭되도록 상기 연마패드의 내측 상부에 구비되는 제2 지지부;
를 포함하는 기판 연마 장치.
The method according to claim 6,
The polishing pad support portion
A first support portion provided to press against the substrate at an inner lower portion of the polishing pad,
A second support portion provided on an inner upper portion of the polishing pad to be symmetrical with respect to the first support portion;
And a substrate polishing apparatus.
상기 연마패드 지지부는, 내부에 유체를 공급하기 위한 챔버가 형성되고,
상기 연마패드와 마주보는 부분에는 복수의 홀이 형성된 가요성 멤브레인이 구비되는 기판 연마 장치.
6. The method of claim 5,
The polishing pad support portion may include a chamber for supplying fluid into the polishing pad support portion,
And a flexible membrane having a plurality of holes formed in a portion thereof facing the polishing pad.
상기 연마패드 지지부는 상기 챔버 내부가 복수의 체적으로 구획 형성되는 기판 연마 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the polishing pad support portion is partitioned into a plurality of volumes inside the chamber.
상기 챔버는 서로 다른 크기의 복수의 체적으로 구획 형성되는 기판 연마 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the chamber is partitioned into a plurality of volumes of different sizes.
상기 연마패드의 양 측부를 덮도록 커버가 더 구비되는 기판 연마 장치.
The method according to claim 1,
And a cover is further provided to cover both sides of the polishing pad.
상기 커버는 상기 연마패드의 양 측부에서 상기 플랜지가 형성되지 않은 부분을 덮도록 형성되는 기판 연마 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the cover is formed on both sides of the polishing pad so as to cover a portion where the flange is not formed.
상기 커버는 상기 연마패드의 두께와 대응되는 두께를 갖는 플레이트 형상으로 형성되고,
상기 플랜지와 동일 평면 상에 형성되는 기판 연마 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the cover is formed in a plate shape having a thickness corresponding to the thickness of the polishing pad,
Wherein the flange is formed on the same plane as the flange.
상기 커버에는 상기 연마패드의 내측 공간에서 외부로 유체를 배기시키도록 배기구가 형성되는 기판 연마 장치.
12. The method of claim 11,
Wherein the cover is provided with an exhaust port for exhausting fluid from the inner space of the polishing pad to the outside.
상기 배기구는 상기 커버에서 상기 연마패드 지지부의 테두리에 대응되는 위치에 복수 개가 형성되는 기판 연마 장치.15. The method of claim 14,
Wherein a plurality of the exhaust ports are formed at positions corresponding to the rim of the polishing pad support portion in the cover.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170039236A KR102318972B1 (en) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | Apparatus for polishing substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170039236A KR102318972B1 (en) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | Apparatus for polishing substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180109463A true KR20180109463A (en) | 2018-10-08 |
KR102318972B1 KR102318972B1 (en) | 2021-11-02 |
Family
ID=63864177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170039236A KR102318972B1 (en) | 2017-03-28 | 2017-03-28 | Apparatus for polishing substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102318972B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030063409A (en) * | 2000-12-21 | 2003-07-28 | 램 리서치 코포레이션 | Polishing platen with pressurized membrane |
KR20030090698A (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-28 | 램 리서치 코포레이션 | Apparatus for Edge Polishing Uniformity Control |
KR20040002403A (en) * | 2002-12-26 | 2004-01-07 | 램 리서치 코포레이션 | End-point detection system for chemical mechanical polishing applications |
KR20040065313A (en) * | 2001-12-28 | 2004-07-21 | 램 리서치 코포레이션 | Methods and apparatus for conditioning and temperature control of a processing surface |
KR20040111724A (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-31 | 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 | Subpad having robust, sealed edges |
-
2017
- 2017-03-28 KR KR1020170039236A patent/KR102318972B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030063409A (en) * | 2000-12-21 | 2003-07-28 | 램 리서치 코포레이션 | Polishing platen with pressurized membrane |
KR20030090698A (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-28 | 램 리서치 코포레이션 | Apparatus for Edge Polishing Uniformity Control |
KR20040065313A (en) * | 2001-12-28 | 2004-07-21 | 램 리서치 코포레이션 | Methods and apparatus for conditioning and temperature control of a processing surface |
KR20040111724A (en) * | 2002-06-07 | 2004-12-31 | 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 | Subpad having robust, sealed edges |
KR20040002403A (en) * | 2002-12-26 | 2004-01-07 | 램 리서치 코포레이션 | End-point detection system for chemical mechanical polishing applications |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102318972B1 (en) | 2021-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9321144B2 (en) | Polishing head in chemical mechanical polishing apparatus and chemical mechanical polishing apparatus including the same | |
KR20180033991A (en) | Air bearing and apparatus for polishing substrate having the air bearing | |
KR20180109463A (en) | Apparatus for polishing substrate | |
KR20190079121A (en) | Substrate polishing apparatus and system comprising the same | |
KR20190000091A (en) | Apparatus for polishing substrate | |
KR102319571B1 (en) | Air bearing and apparatus for polishing substrate having the air bearing | |
KR20190129307A (en) | Wafer carrier and control method thereof | |
KR102318482B1 (en) | Polishing pad and apparatus for polishing substrate having the polishing pad, method of manufacturing the polishing pad | |
KR20180075179A (en) | Bearing module and apparatus for polishing substrate having the bearing module | |
KR20190054697A (en) | Substrate polishing appartus | |
KR102529415B1 (en) | Polishing module and substrate polishing apparatus having the same | |
KR102406808B1 (en) | Polishing pad support device and apparatus for polishing substrate having the same | |
KR20180106633A (en) | Polishing module and chemical mechanical polishing apparatus for substrate having the polishing module | |
KR20180064739A (en) | Conditioner and chemical mechanical polishing apparatus for large substrate having the conditioner | |
KR102015647B1 (en) | Substrate transfer unit and substrate chemical mechinical polishing system comprising the same | |
KR20180075157A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus for large substrate | |
KR101990828B1 (en) | Apparatus and method for polishing large substrate | |
KR102017271B1 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus for substrate | |
KR20180075159A (en) | Apparatus for polishing substrate | |
KR102515390B1 (en) | Substrate polishing appartus | |
KR20180112286A (en) | Substrate polishig unit and chemical mechanical polishing systme comprising the same | |
KR101998405B1 (en) | Substrate transfer unit and substrate chemical mechenical polishing device comprising the same | |
KR20190078215A (en) | Polishing head and substrate polishing apparatus having the same | |
KR20180082131A (en) | Apparatus for polishing large substrate having the monitoring device | |
KR102389438B1 (en) | Substrate support unit and cmp system comprising the same, substrate cmp method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |