KR102406808B1 - Polishing pad support device and apparatus for polishing substrate having the same - Google Patents
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Abstract
기판의 연마를 위한 연마패드 지지장치와 이를 구비하는 기판 연마 장치가 개시된다. 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치는, 상기 연마패드의 하측을 지지하는 제1 지지부, 상기 연마패드의 상측을 지지하는 제2 지지부, 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 구비되어 상기 제1 및 제2 지지부 사이의 거리를 조절하는 간격 조절부 및 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부에 유체를 공급하는 유체 공급부를 포함하여 구성된다.Disclosed are a polishing pad supporting apparatus for polishing a substrate and a substrate polishing apparatus having the same. The polishing pad support apparatus of the substrate polishing apparatus includes a first support part supporting a lower side of the polishing pad, a second support part supporting an upper side of the polishing pad, and provided between the first support part and the second support part, And it is configured to include a space adjusting unit for adjusting the distance between the second support and a fluid supply unit for supplying a fluid to the first support and the second support.
Description
본 발명은 벨트 형태의 연마패드를 이용하여 기판을 연마할 수 있는 기판 연마 장치에서, 연마패드를 지지하는 연마패드 지지장치와 이를 구비하는 기판 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing pad supporting apparatus for supporting a polishing pad in a substrate polishing apparatus capable of polishing a substrate using a belt-shaped polishing pad, and a substrate polishing apparatus having the same.
반도체소자의 제조에는, 연마와 버핑(buffing) 및 세정을 포함하는 CMP(chemical mechanical polishing) 작업이 필요하다. 반도체 소자는, 다층 구조의 형태로 되어 있으며, 기판층에는 확산영역을 갖춘 트랜지스터 소자가 형성된다. 기판층에서, 연결금속선이 패턴화되고 기능성 소자를 형성하는 트랜지스터 소자에 전기적으로 연결된다. 공지된 바와 같이, 패턴화된 전도층은 이산화규소와 같은 절연재로 다른 전도층과 절연된다. 더 많은 금속층과 이에 연관된 절연층이 형성되므로, 절연재를 편평하게 할 필요성이 증가한다. 편평화가 되지 않으면, 표면형태에서의 많은 변동 때문에 추가적인 금속층의 제조가 실질적으로 더욱 어려워진다. 또한, 금속선 패턴은 절연재로 형성되며, 기판 연마 작업을 통해 과잉금속물을 제거하게 된다.BACKGROUND ART In manufacturing a semiconductor device, a CMP (chemical mechanical polishing) operation including polishing, buffing, and cleaning is required. A semiconductor device has a multilayer structure, and a transistor device having a diffusion region is formed on a substrate layer. In the substrate layer, connecting metal lines are patterned and electrically connected to the transistor element forming the functional element. As is known, the patterned conductive layer is insulated from the other conductive layers with an insulating material such as silicon dioxide. As more metal layers and associated insulating layers are formed, the need to flatten the insulating material increases. Without flattening, the production of additional metal layers becomes substantially more difficult because of the many variations in surface morphology. In addition, the metal line pattern is formed of an insulating material, and the excess metal is removed by polishing the substrate.
기존의 기판 연마 장치는 기판의 일면 또는 양면을 연마와 버핑 및 세정하기 위한 구성요소로서, 벨트, 연마패드 또는 브러시를 구비하는 연마부재를 구비한다. 슬러리는 기판 연마 작업을 촉진 및 강화시키기 위해 사용된다.A conventional substrate polishing apparatus includes a polishing member including a belt, a polishing pad, or a brush as a component for polishing, buffing, and cleaning one or both surfaces of a substrate. The slurry is used to facilitate and enhance substrate polishing operations.
기존의 CMP 시스템 중 2개의 드럼 상에 장착된 벨트형의 연마패드로 구성되는 벨트형 CMP 장치가 알려져 있다. 벨트형 CMP 장치는 기판이 캐리어에 장착되며, 캐리어는 수평 방향으로 이동하고, 벨트형 연마패드는 시계 방향 혹은 반시계 방향으로 회전함에 따라 기판에 소정의 힘이 가해진 상태로 밀착되어 연마가 수행된다. 여기서, 캐리어가 이동하는 연마패드에 힘을 가하기 때문에 연마 중에 발생하는 마찰력은 복잡한 양상을 가지고, 캐리어에 힘을 가하기 위한 액추에이터의 성능을 저하시키게 된다. 또한, 이와 같은 마찰력은 캐리어 및 CMP 시스템의 제어를 복잡하게 한다.Among the conventional CMP systems, a belt-type CMP apparatus comprising a belt-type polishing pad mounted on two drums is known. In the belt-type CMP apparatus, the substrate is mounted on the carrier, the carrier moves in the horizontal direction, and the belt-type polishing pad rotates in a clockwise or counterclockwise direction to adhere to the substrate while applying a predetermined force to perform polishing. . Here, since the carrier applies a force to the moving polishing pad, the frictional force generated during polishing has a complicated aspect, and the performance of the actuator for applying the force to the carrier is deteriorated. Also, such friction forces complicate the control of the carrier and CMP system.
한편, 기판의 연마 시 연마 균일도를 맞추기 위해서, 기판 하부에 여러 영역으로 분할된 가요성 필름을 구비하여, 각 영역마다 다른 압력을 인가하여 연마량을 제어하는 장치가 사용되었다. 그런데, 대면적의 가요성 필름을 구비하는 것이 매우 어려울 뿐만 아니라, 연마패드의 뒷면에 가요성 필름을 이용하여 기판의 연마량을 제어하는 데에도 한계가 있기 때문에 새로운 방식의 연마량 제어가 필요하다.On the other hand, in order to match the polishing uniformity during polishing of the substrate, a flexible film divided into several regions is provided under the substrate, and a different pressure is applied to each region to control the polishing amount. However, it is very difficult to provide a large-area flexible film, and since there is a limit to controlling the polishing amount of the substrate by using the flexible film on the back side of the polishing pad, a new method of polishing amount control is required. .
특히, 벨트형 연마패드를 회전시키면서 연마패드와 기판과의 상대 이송속도를 이용하는 연마 방식에서는, 진동에 의해서 연마패드와 기판과의 접촉 면적에 변화가 발생할 수 있다. 즉, 기판의 길이 방향을 따라 압력 밀도가 다르기 때문에 연마 균일도가 현저히 저하될 수 있으며, 기판 가장자리에서는 연마패드가 들뜨면서 연마균일도의 저하뿐만 아니라 기판의 파손 위험도 발생할 수 있다.In particular, in a polishing method using a relative transfer speed between the polishing pad and the substrate while rotating the belt-type polishing pad, the contact area between the polishing pad and the substrate may be changed due to vibration. That is, since the pressure density is different in the longitudinal direction of the substrate, polishing uniformity may be significantly reduced, and as the polishing pad is lifted at the edge of the substrate, not only the reduction of polishing uniformity but also the risk of damage to the substrate may occur.
또한, 연마패드의 장력에 따라서도 기판의 연마율이 발생할 수 있다. 즉, 연마패드의 장력이 기준보다 셀 경우 연마패드를 구동시키는 구동부 측의 연마패드 면이 기판과 접촉하여 진동에 의한 비정상 연마가 발생될 수 있다. 그리고, 연마패드의 장력이 기준보다 약할 경우에는 연마패드가 처지면서 기판과의 긴밀한 접촉이 되지 않아 연마 성능이 떨어질 수 있다.Also, the polishing rate of the substrate may occur depending on the tension of the polishing pad. That is, when the tension of the polishing pad is greater than the reference, the surface of the polishing pad on the side of the driving unit that drives the polishing pad may come into contact with the substrate and abnormal polishing due to vibration may occur. In addition, when the tension of the polishing pad is weaker than the reference, the polishing performance may deteriorate because the polishing pad does not come into close contact with the substrate as it sags.
이러한 문제점들로 인해서, 기판을 평탄화하는 동안 기판 및 연마패드를 안정적으로 가압할 수 있는 기판 연마 장치가 필요하다.Due to these problems, there is a need for a substrate polishing apparatus capable of stably pressing a substrate and a polishing pad while planarizing the substrate.
본 발명의 실시 예들에 따르면, 벨트형의 연마패드를 이용하여 기판을 연마하는 기판 연마 장치를 제공하며, 안정적으로 일정한 압력을 가하고 연마율을 유지시킬 수 있는 기판 연마 장치를 제공한다.According to embodiments of the present invention, a substrate polishing apparatus for polishing a substrate using a belt-type polishing pad is provided, and a substrate polishing apparatus capable of stably applying a constant pressure and maintaining a polishing rate is provided.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치는 제1 지지부와 제2 지지부를 연결하여 일체로 형성하므로, 제1 지지부와 제2 지지부에 유체를 공급하는 유체 공급부의 구성을 공유하고, 제1 및 제2 지지부로 유입되는 유량을 제어할 수 있다. 또한, 제1 지지부와 제2 지지부 사이의 거리를 조절 가능하게 형성함으로써, 제1 지지부와 제2 지지부 사이의 거리를 조절할 수 있고, 제1 지지부 및 제2 지지부가 연마패드와의 간격을 조절할 수 있다.According to the embodiments of the present invention for achieving the object of the present invention, since the polishing pad support apparatus of the substrate polishing apparatus is integrally formed by connecting the first support part and the second support part, the first support part and the second support part The configuration of the fluid supply unit for supplying the fluid may be shared, and flow rates flowing into the first and second support units may be controlled. In addition, by forming the distance between the first support part and the second support part to be adjustable, the distance between the first support part and the second support part can be adjusted, and the distance between the first support part and the second support part can be adjusted with the polishing pad. have.
본 발명의 다양한 실시 예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.Various embodiments of the present invention may have one or more of the following effects.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시 예들에 따르면, 벨트형 연마패드를 사용하는 기판 연마 장치에서, 연마패드 지지장치가 기판 및 패드 컨디셔너에 대해서 연마패드를 가압 지지하므로, 기판의 연마 시와 연마패드의 컨디셔닝 시에 각각 독립적으로 압력을 제공할 수 있고, 기판의 연마 효율을 일정하게 유지함과 더불어, 컨디셔닝 효과도 향상시킬 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, in a substrate polishing apparatus using a belt-type polishing pad, the polishing pad support device presses and supports the polishing pad with respect to the substrate and the pad conditioner, so that the polishing and polishing of the substrate are performed. When conditioning the pad, each pressure may be independently provided, and the polishing efficiency of the substrate may be kept constant, and the conditioning effect may also be improved.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치의 측면도이다.
도 2는 도 1에서 'A' 방향에서 본 연마패드 지지장치의 정면도이다.
도 3은 도 2의 연마패드 지지장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 연마패드 지지장치의 정면도이다.1 is a side view of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a front view of the polishing pad support device viewed from the direction 'A' in FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of the polishing pad support device of FIG. 2 .
4 is a front view of an apparatus for supporting a polishing pad according to another embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 일부 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiment of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with the understanding of the embodiment of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
또한, 본 발명의 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the elements from other elements, and the essence, order, or order of the elements are not limited by the terms. When it is described that a component is "connected", "coupled" or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but another component is between each component. It will be understood that may also be "connected", "coupled" or "connected".
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 연마패드 지지장치(14) 및 이를 구비하는 기판 연마 장치(10)에 대해서 설명한다.Hereinafter, a polishing
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 연마 장치(10)의 측면도이다.1 is a side view of a
기판 연마 장치(10)는, 기판(1)이 안착되어서 지지되는 기판 캐리어(11)와, 연마패드(12)와, 구동 롤러(13)와 연마패드(12)를 지지하는 연마패드 지지장치(14)를 포함하여 구성된다.The
기판(1)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함하는 투명 기판이고, 사각형일 수 있다. 그러나 본 발명의 기판(1)이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 장치(semiconductor device) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 또한, 기판(1)의 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니다.The
기판 캐리어(11)는 기판(1)의 피연마면이 상부를 향하도록 페이스 업(face up) 방식으로 기판(1)이 안착되고, 수평으로 지지될 수 있도록 평편한 상면을 갖는다. 기판 캐리어(11)는 연마패드(12)의 하부로 기판(1)을 수평으로 이송할 수 있도록 형성된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 캐리어(11)는 고정된 상태에서 연마패드(12)가 기판(1)의 상부로 이동하면서 연마가 수행되는 것도 가능하다.The
기판 캐리어(11)는 기판(1)이 안착되는 면이 비가요성의 재질 또는 딱딱한 재질로 형성된다. 기판 캐리어(11)를 비가요성 재질로 형성함으로써, 기판(1)의 연마 시 발생하는 진동에 매우 강하며, 진동에 의한 상하 변위가 발생하지 않아서 기판(1)의 파손 및 연마 불량을 방지할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 캐리어(11)는 기판(1)이 안착되는 면에 가요성 멤브레인이 구비되는 것도 가능하다. 또한, 기판 캐리어(11)는 기판(1)이 안착된 상태를 고정시키기 위한 고정 수단(미도시)이 더 포함될 수 있다.The
연마패드(12)는 일정 폭을 갖는 벨트 형태를 갖고 원형 또는 폐루프 형태로 형성되며, 외주면이 기판(1)을 연마하기 위한 연마면이 된다. 연마패드(12)는 한 쌍의 롤러(131, 132)의 외주면에 소정의 장력이 가해져서 인장된 상태로 감겨지고, 구동 롤러(13)가 회전함에 따라 무한궤도와 같이 연속적으로 회전하게 된다. 연마패드(12)의 회전 방향은, 연마패드(12)에서 기판(1)과 접촉되는 부분(즉, 본 실시 예에서는 하부)의 이동 방향이 기판(1)이 이동하는 방향과 동일한 방향이 되도록 회전하게 된다. 그리고, 연마패드(12)가 접촉되는 부분에서, 기판(1)과 연마패드(12)는 동일 방향으로 이동하되, 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 상대 속도에 의해서 기판(1)의 연마가 이루어진다.The
그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 연마패드(12)는 상술한 실시 예와 반대 방향으로 회전하여, 기판(1)과 접촉되는 부분에서의 이동 방향이 기판(1)의 이동 방향과 반대 방향이 되도록 회전하는 것도 가능하다. 또한, 연마패드(12)는 기판(1)의 이동 방향에 대해서 수직 방향으로 회전하도록 구비되는 것도 가능하다. 이 경우, 구동 롤러(13)가 기판(1)의 이동 방향과 나란하게 배치될 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and the
구동 롤러(13)는 연마패드(12)를 회전시킬 수 있도록 소정 직경을 갖는 롤러이며, 구동 롤러(13)의 외주면에 연마패드(12)가 감겨진 상태로 구동 롤러(13)가 회전함에 따라 연마패드(12)가 회전하게 된다. 구동 롤러(13)는 연마패드(12)의 폭보다 적어도 같거나 긴 길이를 갖도록 형성된다.The driving
구동 롤러(13)는 서로 나란하게 배치된 한 쌍의 롤러(131, 132)를 포함한다. 예를 들어, 한 쌍의 롤러(131, 132)는 일정 간격 이격되어 배치되고, 그 축이 기판(1)의 이동 방향에 대해서 수직하게 배치된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 구동 롤러(13)는 그 축이 기판(1)의 이동 방향에 대해서 나란하게 배치되는 것도 가능하다.The driving
한편, 구동 롤러(13)의 어느 일 측 또는 양측에는 구동 롤러(13)의 회전을 위한 롤러 구동부(미도시)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 롤러 구동부는 한 쌍의 롤러(131, 132) 중 어느 한쪽을 구동시키거나 양쪽 모두를 구동시키는 모터를 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 롤러 구동부는 모터 이외에도 구동 롤러(13)를 회전시킬 수 있는 다양한 수단이 사용될 수 있다.Meanwhile, a roller driving unit (not shown) for rotation of the driving
구동 롤러(13)의 양측에는 각각의 롤러(131, 132)를 지지하는 롤러 지지부(미도시)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 롤러 지지부는 구동 롤러(13)를 수직 방향으로 지지하는 수단 및/또는 구동 롤러(13)를 수평 방향으로 지지하는 수단을 포함할 수 있다.Roller support parts (not shown) for supporting each of the
연마패드(12)의 상부에는 연마패드(12)의 컨디셔닝을 위한 패드 컨디셔너(16)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 패드 컨디셔너(16)는 연마패드(12) 상부에서 회전하는 소정 크기의 원형 또는 원반형으로 형성되고, 구동 롤러(13)의 길이 방향을 따라 선형 이동하면 연마패드(12)를 컨디셔닝 할 수 있다.A
연마패드(12) 상부 일측에는 연마패드(12)에 연마를 위한 슬러리를 제공하는 슬러리 공급부(15)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 슬러리 공급부(15)는 연마패드(12)의 상부에서 구동 롤러(13)의 길이 방향을 따라 길게 형성되어서, 연마패드(12)에 대해서 선형으로 슬러리를 공급하도록 형성될 수 있다.A
그러나 본 발명이 도면에 한정되는 것은 아니며, 패드 컨디셔너(16)와 슬러리 공급부(15)의 형상과 크기 및 배치된 위치 등은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.However, the present invention is not limited to the drawings, and the shape, size, and arrangement position of the
연마패드 지지장치(14)는 연마패드(12)의 내측에서, 연마패드(12)의 내주면에 접촉되어서 연마패드(12)의 내주면에 대해서 소정 압력을 가하도록 구비된다. 연마패드 지지장치(14)는 연마패드(12)의 내주면과 소정의 간격으로 이격되어 구비되는데, 해당 간격 사이에 소정 압력으로 기체를 제공함으로써 연마패드 지지장치(14)가 연마패드(12)를 가압하게 된다.The polishing
이하, 도 2 내지 도 4를 참고하여 연마패드 지지장치(14)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 연마패드 지지장치(14)의 정면도이고, 도 3은 도 2의 연마패드 지지장치(14)의 단면도이다. 그리고 도 4는 도 2의 연마패드 지지장치(14)의 다른 실시 예를 도시한 도면이다.Hereinafter, the polishing
도면을 참조하면, 연마패드 지지장치(14)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)와 간격 조절부(143) 및 유체 공급부(144)를 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, the polishing
연마패드 지지장치(14)는 연마패드(12) 내측에 구비되며, 연마패드(12)의 내주면을 상부와 하부의 양방향에서 각각 지지한다. 이를 위해서, 연마패드 지지장치(14)는, 제1 지지부(141)가 연마패드(12)의 내측에서 하부에 구비되며 기판(1)에 대해서 연마패드(12)를 가압하고, 제2 지지부(142)는 연마패드(12)의 내측에서 상부에 구비되며 패드 컨디셔너(16)에 대해서 연마패드(12)를 가압한다.The polishing
본 실시 예들에 따르면, 제1 지지부(141)는 기판(1)에 대해서 연마패드(12)를 가압함으로써, 연마패드(12)가 기판(1)에 균일하게 접촉되도록 하여 기판(1)의 연마율을 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 제2 지지부(142)는 패드 컨디셔너(16)에 대해서 연마패드(12)를 가압함으로써, 연마패드(12)의 컨디셔닝 시에도 연마패드(12)가 처지거나 패드 컨디셔너(16)와 연마패드(12)가 불균일하게 접촉되는 것을 방지한다.According to the present embodiments, the
한편, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)는 실질적으로 동일한 구조를 가지므로, 이하에서는 제1 지지부(141)에 대해서만 설명하며, 제2 지지부(142)의 구조는 제1 지지부(141)의 설명을 원용한다.On the other hand, since the
제1 지지부(141)는 연마패드(12)와 접촉되는 방향의 일 면이 개방된 메인 프레임(411)을 포함하고, 메인 프레임(411)의 개방된 면에는 가요성 재질의 멤브레인(412)이 구비되고, 메인 프레임(411) 내부 공간은 복수의 격벽(413)에 의해서 복수의 압력 챔버(410)로 구획된다. 예를 들어, 압력 챔버(410)는 기판(1)의 이동 방향과 평행하게 복수개가 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 압력 챔버(410)의 수와 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The
메인 프레임(411)은 내부에 소정 체적의 빈 공간이 형성되고, 연마패드(12)의 가장자리까지 가압할 수 있도록 그 너비가 적어도 연마패드(12)의 폭과 같거나 더 길게 형성된다.The
멤브레인(412)은 소정의 탄성을 갖는 얇은 막으로 형성되며, 멤브레인(412)에는 복수의 홀(412a)이 형성된다. 멤브레인(412)은 압력 챔버(410) 내부로 공급되는 유체를 복수의 홀(412a)을 통해 연마패드(12) 쪽으로 분사함으로써 압력 챔버(410)의 압력을 연마패드(12)에 전달 및 연마패드(12)를 가압하는 역할을 한다.The
제2 지지부(142)는 내부에 복수의 격벽(423)에 의해서 복수의 압력 챔버(410)가 형성된 메인 프레임(421)과 복수의 홀(422a)이 형성된 멤브레인(422)을 포함하여 구성된다.The
간격 조절부(143)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142) 사이에 구비되며, 그 길이를 조절 가능하게 형성된다. 일 예로, 간격 조절부(143)는, 실린더 형태의 제1 프레임(431)과, 상기 제1 프레임(431)에 수용되는 피스톤 또는 로드 형태의 제2 프레임(432)을 포함하여 구성된다. 그리고 제1 프레임(431) 내부에는 제2 프레임(432)을 탄성 지지하는 탄성 지지부(433)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 탄성 지지부(433)는 스프링 등의 탄성체이거나, 유압 등이 사용될 수 있다.The
간격 조절부(143)는 제2 프레임(432)이 제1 프레임(431) 내부에서 탄성적으로 이동함에 따라, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142) 사이의 거리를 조절하고, 제1 지지부(141) 및 제2 지지부(142)와 연마패드(12)와의 간격을 조절할 수 있다. 또한, 간격 조절부(143)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)를 각각 연마패드(12)에 대해서 가압하는 역할도 하게 된다.As the
한편, 본 실시 예에서는 제1 프레임(431)이 제1 지지부(141)에 구비되고 제2 프레임(432)이 제2 지지부(142)에 구비되는 것으로 예시하였으나, 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 제1 프레임(431)과 제2 프레임(432)의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 또한, 간격 조절부(143)는 실린더와 피스톤 형태 이외에도 길이 조절이 가능한 실질적으로 다양한 형태가 적용될 수 있다.Meanwhile, in this embodiment, the
간격 조절부(143)는 적어도 1개 이상 구비되며, 연마패드 지지장치(14)를 안정적으로 지지할 수 있도록, 연마패드(12)의 너비 방향을 따라서 복수개가 구비될 수 있다. 예를 들어, 간격 조절부(143)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)의 격벽(413, 423)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 간격 조절부(143)의 수와 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.At least one
본 실시 예에 따르면, 간격 조절부(143)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)를 연결함과 더불어 그 사이의 거리를 조절하고, 또는, 제1 지지부(141) 및 제2 지지부(142)와 연마패드(12) 사이의 간격을 일정하도록 조절한다. 또한, 간격 조절부(143)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)를 연마패드(12)에 대해서 가압할 수 있다.According to the present embodiment, the
유체 공급부(144)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)에 소정의 유체를 공급한다.The
유체 공급부(144)는 소정의 유체를 공급하기 위한 공급 장치(445)와, 공급 장치(445)에서 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)로 유체를 공급하는 유로 또는 배관인 공급관(440) 및 공급관(440)을 통해 공급되는 유체의 유량을 조절하는 유량조절부(444)를 포함하여 구성된다.The
유체 공급부(144)는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)에 하나의 공급관(440)을 통해서 유체를 공급하되, 유량조절부(444)를 이용하여 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)에 유입되는 유량을 조절하게 된다. 또한, 유체 공급부(144)는 복수의 압력 챔버(410, 420)에 각각 유체를 공급할 수 있도록 복수개가 구비된다.The
상세하게는, 공급관(440)은, 공급 장치(445)에 연결되는 공유관(441)과, 상기 공유관(441)에서 제1 지지부(141)에 연결되는 제1 유입관(442)과 제2 지지부(142)에 연결되는 제2 유입관(443)으로 분지되어 구성된다.In detail, the
유량조절부(444)는 제1 유입관(442)과 제2 유입관(443) 중 어느 일측에 구비된다. 한편, 도면에서는 유량조절부(444)가 제2 유입관(443)에 구비되는 것으로 예시하였으니, 제1 유입관(442)에 구비되는 것도 가능하다. 유량조절부(444)는 제1 유입관(442)으로 유입되는 유량을 조절함으로써, 제2 유입관(443)으로 유입되는 유량 역시 조절된다. 즉, 공유관(441)으로 유입되는 전체 유량 중에서 제1 유입관(442)으로 유동되는 유량의 나머지가 제2 유입관(443)으로 유동되므로, 유량조절부(444)를 일 측 유입관(442 또는 443)에만 설치하는 것으로, 전체 유동량을 조절할 수 있다.The flow
본 실시 예에 따르면, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)가 하나의 유체 공급부(144)를 공유하여 유체가 공급되므로, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)의 각각에 유체를 공급하는 경우에 비해서, 유체 공급부(144)의 구성을 간소화할 수 있다. 또한, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)가 하나의 유체 공급부(144)에서 유량이 공급되며, 하나의 유량조절부(444)에 의해서 유량이 조절되므로, 유량 제어 및 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)의 압력 챔버(410, 420)의 압력을 제어하는 것이 용이하다.According to the present embodiment, since the
한편, 상술한 실시 예에서는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)를 하나의 유체 공급부(144)에 연결되어 유체의 공급 및 유량을 조절하였으나, 제1 지지부(141) 및 제2 지지부(142)를 각각 유체 공급 및 유량 조절을 하는 것도 가능하다.Meanwhile, in the above-described embodiment, the
즉, 도 4를 참조하면, 유체 공급부(244)는 제1 지지부(141)의 복수의 압력 챔버(410)에 하나의 유체 공급부(244)가 구비되고, 제2 지지부(142)의 복수의 압력 챔버(420)에 또 다른 하나의 유체 공급부(244)가 각각 연결되어서 유체가 공급된다.That is, referring to FIG. 4 , in the
이하에서 설명하는 유체 공급부(244)는 공급관(451, 465)의 구성을 제외하고는 상술한 도 2 및 도 3에서 설명한 유체 공급부(144)와 동일하므로, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 명칭과 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 생략한다.The
제1 지지부(141)에는, 공급 장치(454)에 연결되는 공급관(이하, '제1 공급관(451)'이라 함)이 복수의 제1 유입관(452a, 452b, 452c, 452d)으로 분지되어서, 복수의 압력 챔버(410)에 각각 연결되어 각 압력 챔버(410)에 유체를 공급하게 된다. 유량조절부(453)는 제1 공급관(451)에 구비되어서, 각 제1 유입관(452a, 452b, 452c, 452d)의 유량을 조절함으로써, 각 압력 챔버(410)의 압력을 조절하게 된다.In the
마찬가지로, 제2 지지부(142)에는, 공급 장치(458)에 연결되는 공급관(이하, '제2 공급관(455)'이라 함)이 복수의 제2 유입관(456a, 456b, 456c, 456d)으로 분지되고, 각 제2 유입관(456a, 456b, 456c, 456d)이 복수의 압력 챔버(420)에 각각 연결되어 각 압력 챔버(420)에 유체를 공급하게 된다. 유량조절부(457)는 제2 공급관(455)에 구비되어서 각 제2 유입관(456a, 456b, 456c, 456d)의 유량을 조절함으로써, 각 압력 챔버(420)의 압력을 조절하게 된다.Similarly, in the
본 실시 예들에 따르면, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)를 각각 하나의 유체 공급부(244)에서 유량을 공급하고 압력을 제어하게 되므로, 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)의 각각의 압력을 제어하는 것이 용이하고, 각 압력 챔버(410, 420)의 압력을 각각 또는 동일하게 제어하는 것도 가능하다. 또한, 유량조절부(452, 457)에 의해서 각 압력 챔버(410, 420)으로 유입되는 유량을 조절함으로써, 각 압력 챔버(410, 420)의 압력을 제어하는 것이 용이하다.According to the present embodiments, the
본 실시 예들에 따르면, 연마패드 지지장치(14)가 연마패드(12)의 내측에서 연마패드(12)를 기판(1) 및 패드 컨디셔너(16)에 대해서 일정하게 가압할 수 있다. 또한, 간격 조절부(143)가 연마패드 지지장치(14)에서 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142) 사이의 거리를 일정하게 유지하고, 제1 지지부(141) 및 제2 지지부(142)와 연마패드(12) 사이의 간격을 일정하게 유지시킬 수 있다. 이로 인해, 연마패드(12)와 기판(1)이 일정한 압력으로 접촉되도록 하여 연마 균일도 및 연마율을 향상시킬 수 있다. 더불어, 패드 컨디셔너(16)에 대해서도 연마패드(12)를 일정한 압력으로 접촉되도록 함으로써, 연마패드(12)의 컨디셔닝 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 유체 공급부(144)에서는 제1 지지부(141)와 제2 지지부(142)에 대해서 하나의 유체 공급부(144)로 유체를 공급하므로 구성을 간소화 할 수 있으며, 유량 제어가 용이하고, 압력 챔버(410, 420)의 압력을 제어하는 것이 용이하다.According to the present exemplary embodiments, the polishing
이상과 같이 실시 예들이 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in an order different from the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시 예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.
1: 기판
10: 기판 연마 장치
11: 기판 캐리어
12: 연마패드
13, 131, 132: 구동 롤러
14: 연마패드 지지장치
141: 제1 지지부
142: 제2 지지부
143: 간격 조절부
431, 432: 프레임
433: 탄성 지지부
144: 유체 공급부
440: 공급관
441: 공유관
442: 제1 유입관
443: 제2 유입관
444: 유량조절부
445: 공급 장치
15: 슬러리 공급부
16: 패드 컨디셔너1: Substrate
10: substrate polishing apparatus
11: substrate carrier
12: polishing pad
13, 131, 132: drive roller
14: polishing pad support device
141: first support
142: second support
143: gap adjustment unit
431, 432: frame
433: elastic support
144: fluid supply unit
440: supply pipe
441: common hall
442: first inlet pipe
443: second inlet pipe
444: flow control unit
445: supply device
15: slurry supply unit
16: Pad conditioner
Claims (17)
연마패드의 하측을 지지하고, 내부가 복수의 압력 챔버로 구획되는 제1 지지부;
상기 연마패드의 상측을 지지하고, 내부가 복수의 압력 챔버로 구획되는 제2 지지부;
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 구비되어 상기 제1 및 제2 지지부 사이의 거리 및 상기 제1 및 제2 지지부와 상기 연마패드의 내주면 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부; 및
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 각각의 복수의 압력 챔버에 유체를 공급하는 유체 공급부;
를 포함하고,
상기 간격 조절부는,
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 중 일측에 결합되는 복수의 제1 프레임; 및
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 중 타측에 결합되고, 상기 복수의 제1 프레임과 결합되는 복수의 제2 프레임;
을 포함하고,
상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 결합된 길이가 조절되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
In the polishing pad support device provided inside the belt-shaped polishing pad to support the inner circumferential surface of the polishing pad,
a first support part supporting a lower side of the polishing pad and having an interior divided into a plurality of pressure chambers;
a second support part supporting an upper side of the polishing pad and having an interior divided into a plurality of pressure chambers;
a spacing adjusting part provided between the first support part and the second support part to adjust a distance between the first and second support parts and a distance between the first and second support parts and an inner circumferential surface of the polishing pad; and
a fluid supply unit for supplying a fluid to each of the plurality of pressure chambers of the first support part and the second support part;
including,
The interval adjusting unit,
a plurality of first frames coupled to one side of the first support part and the second support part; and
a plurality of second frames coupled to the other side of the first support part and the second support part, and coupled to the plurality of first frames;
including,
A polishing pad support apparatus for a substrate polishing apparatus in which the length at which the first frame and the second frame are coupled is adjusted.
상기 유체 공급부는,
유체를 공급하는 공급 장치에서 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부의 각 압력 챔버로 유체를 공급하는 공급관; 및
상기 공급관에 구비되어서 공급되는 유체의 유량을 조절하는 유량조절부;
를 포함하는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
According to claim 1,
The fluid supply unit,
a supply pipe for supplying a fluid from a supply device for supplying a fluid to each of the pressure chambers of the first support part and the second support part; and
a flow rate control unit provided in the supply pipe to control the flow rate of the supplied fluid;
A polishing pad support device of a substrate polishing apparatus comprising a.
상기 공급관은,
상기 공급 장치에 연결되는 공유관;
상기 공유관에서 분지되어 상기 제1 지지부로 유체를 공급하는 제1 유입관; 및
상기 공유관에서 분지되어 상기 제2 지지부로 유체를 공급하는 제2 유입관;
을 포함하는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
3. The method of claim 2,
The supply pipe is
a common pipe connected to the supply device;
a first inlet pipe branched from the common pipe to supply a fluid to the first support part; and
a second inlet pipe branched from the common pipe to supply a fluid to the second support part;
A polishing pad support device of a substrate polishing apparatus comprising a.
상기 유량조절부는 상기 제1 유입관과 상기 제2 유입관 중 어느 일측에 구비되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
4. The method of claim 3,
The flow control unit is a polishing pad support device of a substrate polishing apparatus provided on either side of the first inlet pipe and the second inlet pipe.
상기 유체 공급부는 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부의 각 복수의 압력 챔버에 각각 구비되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
4. The method of claim 3,
The fluid supply unit is provided in each of the plurality of pressure chambers of the first support part and the second support part, respectively.
상기 공급관은,
상기 공급 장치에 연결되는 제1 공급관;
상기 제1 지지부의 각 압력 챔버에 유체를 공급하도록 상기 제1 공급관에서 분지되는 복수의 제1 유입관;
상기 공급 장치에 연결되는 제2 공급관; 및
상기 제2 지지부의 각 압력 챔버에 유체를 공급하도록 상기 제2 공급관에서 분지되는 복수의 제2 유입관;
을 포함하는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
3. The method of claim 2,
The supply pipe is
a first supply pipe connected to the supply device;
a plurality of first inlet pipes branched from the first supply pipe to supply a fluid to each pressure chamber of the first support part;
a second supply pipe connected to the supply device; and
a plurality of second inlet pipes branched from the second supply pipe to supply a fluid to each pressure chamber of the second support part;
A polishing pad support device of a substrate polishing apparatus comprising a.
상기 유량조절부는 상기 제1 공급관과 상기 제2 공급관에 각각 구비되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
7. The method of claim 6,
The flow control unit is a polishing pad support device of the substrate polishing apparatus respectively provided in the first supply pipe and the second supply pipe.
상기 제1 프레임에는 상기 제2 프레임에 탄성력을 작용시키는 탄성 지지부가 더 구비되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
According to claim 1,
The polishing pad support apparatus of the substrate polishing apparatus further comprising an elastic support portion for applying an elastic force to the second frame on the first frame.
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 각각 상기 연마패드와 일정 간격 이격되어 구비되고,
상기 간격 조절부는,
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이의 거리가 일정하도록 조절하거나,
상기 제1 지지부 및 상기 제2 지지부가 상기 연마패드와의 간격이 일정하도록 조절하는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
According to claim 1,
The first support part and the second support part are provided to be spaced apart from the polishing pad by a predetermined distance, respectively,
The interval adjusting unit,
Adjust the distance between the first support and the second support to be constant, or
A polishing pad support apparatus of a substrate polishing apparatus for controlling the first support part and the second support part to have a constant distance from the polishing pad.
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부는 각각 내부에 복수의 압력 챔버로 구획하는 복수의 격벽이 구비되고,
상기 간격 조절부는 상기 복수의 격벽에 각각 대응되는 위치에 복수개가 구비되는 기판 연마 장치의 연마패드 지지장치.
According to claim 1,
A plurality of partition walls dividing the first support part and the second support part into a plurality of pressure chambers are provided therein, respectively;
A polishing pad support apparatus of a substrate polishing apparatus provided with a plurality of the spacing adjusting units at positions corresponding to the plurality of partition walls, respectively.
상기 한 쌍의 구동 롤러에 감겨서 회전하는 벨트 형태를 갖고, 외주면에 기판의 연마를 위한 연마면이 형성되는 연마패드;
상기 연마패드의 내측에 구비되어서 상기 연마패드의 내주면을 가압하는 연마패드 지지장치;
를 포함하고,
상기 연마패드 지지장치는,
상기 연마패드의 하측을 지지하고, 내부가 복수의 압력 챔버로 구획된 제1 지지부;
상기 연마패드의 상측을 지지하고, 내부가 복수의 압력 챔버로 구획된 제2 지지부;
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 사이에 구비되어 상기 제1 및 제2 지지부 사이의 거리 및 상기 제1 및 제2 지지부와 상기 연마패드의 내주면 사이의 간격을 조절하는 간격 조절부; 및
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 각각의 복수의 압력 챔버에 유체를 공급하는 유체 공급부;
를 포함하고,
상기 간격 조절부는,
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 중 일측에 결합되는 복수의 제1 프레임; 및
상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부 중 타측에 결합되고, 상기 복수의 제1 프레임과의 결합 길이가 조절 가능하도록 결합되는 복수의 제2 프레임;
을 포함하는 기판 연마 장치.
A pair of driving rollers spaced apart from each other by a predetermined distance and the rotation shafts are parallel to each other;
a polishing pad having a belt shape wound around the pair of driving rollers and rotating, and having a polishing surface formed on an outer circumferential surface for polishing the substrate;
a polishing pad support device provided inside the polishing pad to press the inner circumferential surface of the polishing pad;
including,
The polishing pad support device,
a first support part supporting a lower side of the polishing pad and having an interior partitioned into a plurality of pressure chambers;
a second support part supporting an upper side of the polishing pad and having an interior partitioned into a plurality of pressure chambers;
a spacing adjusting part provided between the first support part and the second support part to adjust a distance between the first and second support parts and a distance between the first and second support parts and an inner circumferential surface of the polishing pad; and
a fluid supply unit for supplying a fluid to each of the plurality of pressure chambers of the first support part and the second support part;
including,
The interval adjusting unit,
a plurality of first frames coupled to one side of the first support part and the second support part; and
a plurality of second frames coupled to the other side of the first support part and the second support part, the plurality of second frames coupled so that a coupling length of the plurality of first frames is adjustable;
A substrate polishing apparatus comprising a.
상기 유체 공급부는,
유체를 공급하는 공급 장치에서 상기 제1 지지부와 상기 제2 지지부의 각 압력 챔버로 유체를 공급하는 공급관; 및
상기 공급관에 구비되어서 공급되는 유체의 유량을 조절하는 유량조절부;
를 포함하는 기판 연마 장치.
13. The method of claim 12,
The fluid supply unit,
a supply pipe for supplying a fluid from a supply device for supplying a fluid to each of the pressure chambers of the first support part and the second support part; and
a flow rate control unit provided in the supply pipe to control the flow rate of the supplied fluid;
A substrate polishing apparatus comprising a.
상기 공급관은,
상기 공급 장치에 연결되는 공유관;
상기 공유관에서 분지되어 상기 제1 지지부로 유체를 공급하는 제1 유입관; 및
상기 공유관에서 분지되어 상기 제2 지지부로 유체를 공급하는 제2 유입관;
을 포함하고,
상기 유량조절부는 상기 제1 유입관과 상기 제2 유입관 중 어느 일측에 구비되는 기판 연마 장치.
14. The method of claim 13,
The supply pipe is
a common pipe connected to the supply device;
a first inlet pipe branched from the common pipe to supply a fluid to the first support part; and
a second inlet pipe branched from the common pipe to supply a fluid to the second support part;
including,
The flow control unit is a substrate polishing apparatus provided on either side of the first inlet pipe and the second inlet pipe.
상기 공급관은,
상기 공급 장치에 연결되는 제1 공급관;
상기 제1 지지부의 각 압력 챔버에 유체를 공급하도록 상기 제1 공급관에서 분지되는 복수의 제1 유입관;
상기 공급 장치에 연결되는 제2 공급관; 및
상기 제2 지지부의 각 압력 챔버에 유체를 공급하도록 상기 제2 공급관에서 분지되는 복수의 제2 유입관;
을 포함하고,
상기 유량조절부는 상기 제1 공급관과 상기 제2 공급관에 각각 구비되는 기판 연마 장치.
14. The method of claim 13,
The supply pipe is
a first supply pipe connected to the supply device;
a plurality of first inlet pipes branched from the first supply pipe to supply a fluid to each pressure chamber of the first support part;
a second supply pipe connected to the supply device; and
a plurality of second inlet pipes branched from the second supply pipe to supply a fluid to each pressure chamber of the second support part;
including,
The flow control unit is a substrate polishing apparatus provided in each of the first supply pipe and the second supply pipe.
상기 제1 프레임에는 상기 제2 프레임에 탄성력을 작용시키는 탄성 지지부가 더 구비되는 기판 연마 장치.13. The method of claim 12,
The substrate polishing apparatus further comprising an elastic support for applying an elastic force to the second frame in the first frame.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010053662A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-12-20 | Moore Scott E. | Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface |
US6749491B1 (en) * | 2001-12-26 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | CMP belt stretch compensation apparatus and methods for using the same |
US7153182B1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5980368A (en) * | 1997-11-05 | 1999-11-09 | Aplex Group | Polishing tool having a sealed fluid chamber for support of polishing pad |
-
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- 2017-06-16 KR KR1020170076709A patent/KR102406808B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010053662A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-12-20 | Moore Scott E. | Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface |
US7063595B2 (en) | 1999-09-01 | 2006-06-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for planarizing a microelectronic substrate with a tilted planarizing surface |
US6749491B1 (en) * | 2001-12-26 | 2004-06-15 | Lam Research Corporation | CMP belt stretch compensation apparatus and methods for using the same |
US7153182B1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-12-26 | Lam Research Corporation | System and method for in situ characterization and maintenance of polishing pad smoothness in chemical mechanical polishing |
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