KR20180109162A - 발광 모듈 - Google Patents

발광 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR20180109162A
KR20180109162A KR1020170038322A KR20170038322A KR20180109162A KR 20180109162 A KR20180109162 A KR 20180109162A KR 1020170038322 A KR1020170038322 A KR 1020170038322A KR 20170038322 A KR20170038322 A KR 20170038322A KR 20180109162 A KR20180109162 A KR 20180109162A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
light
wavelength conversion
region
Prior art date
Application number
KR1020170038322A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102406913B1 (ko
Inventor
이종민
김방현
이재호
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to KR1020170038322A priority Critical patent/KR102406913B1/ko
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to CN201911238325.2A priority patent/CN111048493B/zh
Priority to US16/498,818 priority patent/US11171264B2/en
Priority to CN201880005589.0A priority patent/CN110168722A/zh
Priority to PCT/KR2018/003175 priority patent/WO2018182215A1/ko
Publication of KR20180109162A publication Critical patent/KR20180109162A/ko
Priority to US17/504,541 priority patent/US11688836B2/en
Priority to KR1020220067857A priority patent/KR102587740B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102406913B1 publication Critical patent/KR102406913B1/ko
Priority to US18/201,743 priority patent/US20230299243A1/en
Priority to US18/358,435 priority patent/US20230369548A1/en
Priority to KR1020230132399A priority patent/KR20230147573A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 모듈이 제공된다. 상기 발광 모듈은 베이스 기판; 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 베이스 기판상에 위치하되, 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 제2 발광 영역은 제1 발광 영역으로부터 이격되어 제1 발광 영역을 둘러싼다.

Description

발광 모듈{LIGHT EMITTING MODULE}
본 발명은 발광 모듈에 관한 것으로, 구체적으로 복수의 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈에 관한 것이다.
종래 기술에 따른 발광 모듈은, 단일 LED 칩 상에 단일 파장변환층이 형성되는 발광부와, 상기 발광부 상에 렌즈가 배치되는 구조를 갖는다. 이러한 종래 기술에 따른 발광 모듈은 지향각 및 색온도(color temperature, CCT)조절이 어렵다.
또한 종래 기술에 따른 발광 모듈은 출사되는 광의 지향각이 광각 또는 협각과 같이 단일하게 구현되므로, 단일의 발광 모듈을 통해 넓은 지향각 및 좁은 지향각을 동시에 지원하는 것이 어렵다.
이 때문에, 광각 카메라와 협각 카메라를 포함하는 모바일 디바이스 등에서 단일의 카메라 플래시를 이용하여 광각 및 협각 카메라를 위한 조명을 동시에 제공하지 못한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 출사되는 광의 지향각을 조절할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상대적으로 넓은 지향각 및 상대적으로 좁은 지향각을 갖는 광을 모두 출사할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 색온도(color temperature)를 조절할 수 있는 발광 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싸는 발광 모듈이 제공된다.
발광 모듈은 서로 이격되어 위치하는 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드를 포함하고, 제1 및 제2 발광 다이오드가 각각 독립적으로 구동 가능한 제1 발광 영역 및 제1 발광 영역을 둘러싸는 구조의 제2 발광 영역을 포함하는 것에 따라 출사되는 광의 지향각을 제어할 수 있다. 또한, 발광 모듈은 제1 및 제2 발광 다이오드를 통해 서로 다른 지향각을 갖는 광을 출사 할 수 있으며, 그 지향각의 제어가 가능하다. 또한, 각 발광 다이오드가 파장 변환층을 더 포함할 수 있고, 그에 따라 발광 모듈은 출사되는 광의 색온도를 제어할 수 있다.
도 1a는 일 실시예에 따른 발광 모듈의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 2a는 도 1에 포함된 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 절취선 B-B'를 따라 취해진 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 발광 모듈에서 출사되는 광의 지향각을 나타내는 하나의 예시이다.
도 4는 본 발명의 발광 모듈(1000)을 포함하는 디바이스의 일 예를 나타난다.
도 5a는 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이고, 도 5b는 도 6a의 절취선 C-C'를 따라 취해진 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 모듈의 제조 방법을 나타낸다.
아래 소개되는 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
본원 발명에 따른 발광 모듈은 베이스 기판; 상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및 상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고, 상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싼다.
이때, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 즉, 상기 베이스 기판은 전극 패턴을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 각각 상기 전극 패턴에 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
제1 및 제2 발광 다이오드가 포함하는 제1 및 제2 발광 영역 각각은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 여기서 제1 및 제2 발광 영역 또한 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 발광 영역이 동일한 중심을 공유하는 구조를 갖고 그에 따라, 제1 및 제2 발광 다이오드는 지향각의 가변(제어)이 가능하다.
즉, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 지향각을 제어할 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각과 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각은 서로 다르거나 또는 서로 동일하게 제어될 수 있다.
또한 상기 발광 모듈에서, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역을 덮는 파장 변환층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 파장변환층은 상기 제1 및 제2 발광 영역에서 동일한 형광체를 포함하할 수 있고 또는 상기 파장 변환층은 상기 제1 발광 영역에 대응되며 제1 형광체를 포함하는 제1 파장변환층; 및 상기 제2 발광 영역에 대응되며 제2 형광체를 포함하는 제2 파장변환층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 파장변환층은 상기 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층 사이에 위치하는 장벽층을 더 포함할 수 있다. 장벽층은 광의 확산을 촉진 시킬 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도를 제어할 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도 및 지향각을 동시에 제어할 수 있다.
이때, 상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 서로 동일하거나 다를 수 있다.
또한, 상기 발광 모듈은 상기 제2 발광 영역의 측면을 덮는 측면 반사층을 더 포함할 수 있다. 즉, 측면 반사층은 제1 및 제2 발광 다이오드가 포함하는 제2 발광 영역을 측면을 덮고 그에 따라 측면으로 출사되는 광을 차단할 수 있다. 즉, 측면 반사층은 출사되는 광의 지향각을 특정 범위 내로 제한할 수 있다.
또한 상기 발광 모듈은 상기 제1 및 제2 발광 다이오드 상에 위치하는 렌즈를 더 포함할 수 있고, 여기서 상기 렌즈는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 이때 두 개의 초점은 각각 제1 및 제2 발광 다이오드의 광축에 대응될 수 있다.
또한 상기 발광 모듈은 상기 베이스 기판 상에 위치하되, 캐비티를 포함하는 하우징을 더 포함할 수 있고, 이때 상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 상기 캐비티 내에 위치할 수 있다. 하우징은 제1 및 제2 발광 다이오드를 보호할 수 있고, 렌즈를 고정하는 역할을 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 발명의 실시예에 따른 발광 모듈(1000)을 나타낸다. 구체적으로 도 1a는 발광 모듈(1000)의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 절취선 A-A'를 따라 취해진 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 모듈(1000)은 베이스 기판 (100), 제1 발광 다이오드(200a), 제2 발광 다이오드(200b), 하우징(300) 및 렌즈(400)를 포함할 수 있다.
먼저, 베이스 기판 (100)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 절연 기판은 세라믹 기판일 수 있으며, 예를 들어 AlN 기판을 포함할 수 있다. AlN 기판은 고온 내구성이 좋고 방열 특성이 우수하다. 도 3에 도시되지 않았지만, 베이스 기판 (100)은 전극 패턴을 포함할 수 있다.
제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 상기 베이스 기판 (100)상에 위치할 수 있다. 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 서로 일정 거리 이격될 수 있고, 각각 베이스 기판 (100)이 포함하는 전극 패턴에 접속되어 독립적으로 구동될 수 있다.
도 2를 참조하여 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 상세히 설명한다. 도 2는 도 1의 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 설명하기 위한 것으로, 도 2a는 발광 다이오드의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 절취선 B-B'를 따라 취해진 단면도이다. 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 동일한 구성 및 구조를 가질 수 있다. 따라서, 이하 도 2를 통해 설명되는 발광 다이오드의 구성 및 구조는 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 모두 적용될 수 있다.
도 2를 참조하면, 발광 다이오드는 기판(10), 상기 기판(10)상에 위치하는 발광 구조물(20), 상기 발광 구조물(20)을 덮는 파장변환층(30)을 포함할 수 있다. 또한, 발광 다이오드는 상기 발광 구조물(20)의 측면을 감싸는 측면 반사층(40) 및 상기 파장변환층(30)의 상면을 덮는 광확산층(50)을 더 포함할 수 있다.
기판(10)은 질화갈륨계 반도체층을 성장시키기에 적합한 기판이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 사파이어 기판, 실리콘 카바이드 기판, 질화갈륨 기판, 질화알루미늄 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다. 또한, 기판(10)은 광이 투과될 수 있는 투명기판일 수 있으며, 그 상면에 요철 패턴을 가질 수 있다.
발광 구조물(20)은 도 2에서는 구체적으로 도시되지 않았지만, 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층 및 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층은 기판(10)상에서 순차적으로 적층될 수 있다.
제1 도전형 반도체층은 n형 불순물, 예컨대 Si이 도핑된 질화갈륨계 반도체층일 수 있고, 제2 도전형 반도체층은 p형 불순물, 예컨대 Mg이 도핑된 질화갈륨계 반도체층일 수 있고, 또는 그 반대에 해당할 수 있다. 활성층은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조를 가질 수 있다. 활성층 내에서 우물층의 조성 및 두께는 생성되는 광의 파장을 결정한다. 특히, 우물층의 조성을 조절함으로써 자외선, 청색광 또는 녹색광을 생성하는 활성층을 제공할 수 있다.
발광 구조물(20)은 복수의 발광 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)을 포함할 수 있다. 제2 발광 영역(23)은 제1 발광 영역(21)과 이격되어 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다. 각 발광 영역은 발광셀로 지칭될 수 있다. 비록 도 2에는 두 개의 발광 영역만이 개시되어 있지만, 발광 구조물(20)은 중심을 공유하는 복수 3개 이상의 발광 영역을 포함할 수 있다.
제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 분리홈(22)을 통해 정의될 수 있다. 제2 발광 영역(23)은 제1 발광 영역(21)과 분리홈(22)에 의해 이격되어 위치할 수 있다. 분리홈(22)은 발광 구조물(20)의 상면 즉, 제2 도전형 반도체층, 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출 시킬 수 있다. 또는 분리홈(22)은 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 통해 기판(10)의 일부를 노출 시킬 수 있다.
분리홈(22)은 발광 구조물(20) 상면의 내부 영역에서 원형 또는 사각형의 폐 루프(closed loop) 구조를 가질 수 있다. 폐 루프 구조의 분리홈(22)을 기준으로 그 내측에 제1 발광 영역(21)이 위치할 수 있고, 그 외측에 제2 발광 영역(23)이 위치할 수 있다.
또는 다른 실시예에 따라 제2 발광 영역(23)이 발광 구조물(20)의 식각을 통해 형성되고, 제1 발광 영역(21)이 외부에서 별도로 형성되어 제2 발광 영역(23)과 결합되거나 또는 그 반대일 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(21)이 결합되기 위한 영역을 정의하기 위해, 폐루프 구조의 분리홈(22) 내측 영역이 식각 공정을 통해 제거될 수 있고, 식각 공정을 통해 제거된 내부 영역에 제1 발광 영역(21)이 결합되어 복수의 발광 영역을 포함하는 발광 구조물(20)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)은 동일한 높이로 형성될 수 있다.
또는 반대로 제1 발광 영역(21)이 발광 구조물(20)의 식각을 통해 형성되고 외부에서 별도로 형성된 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)과 결합될 수 있다.
이와 같은 제조 방법을 통해 형성된 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)에서 동일하거나 서로 다른 파장대의 광을 방출할 수 있다. 즉, 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)이 포함하는 활성층은 서로 다른 조성을 가질 수 있고, 그에 따라 방출되는 광의 파장이 서로 다를 수 있다.
제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 분리홈(22)의 형상에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어 분리홈(22) 폐루프 구조의 사각형 형상을 갖는 경우, 그 내측에 위치하는 제1 발광 영역(21)은 사각형 형상을 갖게되고 제2 발광 영역(23)은 분리홈(22)을 경계로 제1 발광 영역을 둘러싸게 된다.
도 2를 참조하면, 제1 발광 영역(21)은 발광 구조물(20)의 중앙에 위치할 수 있다. 제1 발광 영역(21)의 외주부를 따라 분리홈(22)이 위치하고, 상기 분리홈(22)을 경계로 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)과 이격되어 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다. 또한 분리홈(22)에는 절연층(미도시)이 배치될 수 있다. 절연층은 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)의 의도하지 않은 전기적 연결을 차단할 수 있다. 상기 절연층에 의해 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적이 동작하는 발광 다이오드의 신뢰성이 향상될 수 있다.
발광 구조물(20)이 포함하는 각 발광 영역, 즉 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 독립적으로 동작 할 수 있다. 즉, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 서로 동일하거나 다른 전류 및/또는 전압의 크기를 공급 받아 서로 동일하거나 다른 파워를 출력할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역(21)에 제2 발광 영역(23)보다 큰 전압 및/또는 전류가 공급되는 경우, 발광 구조물(20)의 중앙에 위치하는 제1 발광 영역(21)의 파워가 제2 발광 영역(23)의 파워보다 더 크게 되고, 이에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 광의 지향각이 비교적 좁게 형성될 수 있다.
다른 예로, 제2 발광 영역(23)에 제1 발광 영역(21)보다 큰 전압 및/또는 전류가 공급되는 경우, 발광 구조물(20)의 외각에 위치하는 제2 발광 영역(23)의 파워가 제1 발광 영역(21)의 파워보다 크게 되고, 이에 따라 발광 다이오드에서 방출되는 광의 지향각이 비교적 넓게 형성될 수 있다.
즉, 본원 발명에 따른 발광 다이오드는 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조에 기인하여, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)에 공급되는 전압 및/또는 전류의 크기를 조정하는 것에 따라 방출되는 광의 지향각이 가변될 수 있다.
위와 같이, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적으로 동작하기 위해, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)이 포함하는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극쌍을 포함할 수 있고, 또한 제2 발광 영역(23)이 포함하는 제1 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극쌍을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 발광 영역(21)은 제1 전극쌍을 통해 외부로부터 전압 및/또는 전류를 공급 받아 제2 발광 영역(23)과 독립적으로 동작할 수 있고, 또한 제2 발광 영역(23)은 제2 전극쌍을 통해 외부로부터 다른 전압 및/또는 전류를 공급 받아 제1 발광 영역(21)과 독립적으로 동작할 수 있다.
또는 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)이 독립적으로 동작하기 위해, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)에 모두에 전기적으로 연결되는 공통 전극을 포함할 수 있다.
예를 들어, 공통 전극은 제1 발광 영역(21)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 제2 발광 영역(23)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)에 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 발광 영역(23)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
다른 예로, 공통 전극은 제1 발광 영역(21)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 제2 발광 영역(23)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)에 공통으로 연결될 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드는 제1 발광 영역(21)의 제2 도전형 반도체층(또는 제1 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제1 전극 및 제2 발광 다이오드(200b)의 제1 도전형 반도체층(또는 제2 도전형 반도체층)과 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
파장변환층(30)은 발광 구조물(20)의 상면을 덮는다. 여기서, 발광 구조물(20)의 상면은 광의 주 출사면을 의미한다. 도 2b를 참조하면, 기판(10)은 발광 구조물(20)의 광의 주 출사면, 즉 상면에 위치한다. 이 경우, 기판(10)은 투명 기판일 수 있고, 파장변환층(30)은 기판(10)을 덮을 수 있다. 다만, 다른 실시예에 따라 기판(10)은 발광 구조물(20) 하부에 위치하고, 이 경우 발광 구조물(20)의 광의 주 출사면은 기판(10)이 형성된 반대 면이 될 수 있다. 또한 파장변환층(30)은 발광 구조물(20) 상에 위치할 수 있다.
파장변환층(30)은 형광체(미도시)를 포함하고, 상기 형광체는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 파장변환층(30)은 형광체가 외부에 노출되어 변형 및/또는 변색되는 것을 방지하기 위해, 일정 크기 이상의 두께를 갖는다.
측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 제2 발광 영역(23)의 측면을 덮을 수 있다. 또한, 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 상면을 덮는 파장변환층(30)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면으로 방사되는 광을 반사시켜, 발광 구조물(20)의 상면으로 향하게 할 수 있다. 측면 반사층(40)에 의해 발광 다이오드에서 방사되는 광의 지향각이 제한될 수 있다.
측면 반사층(40)은 수지 재질의 화이트 월을 포함할 수 있다. 측면 반사층(40)이 수지 재질의 화이트 월을 포함하는 경우, 발광 구조물(20)의 측면으로 향하는 광의 차단 또는 반사에 대한 신뢰성을 높이기 위해 측면 반사층(40)은 일정 크기 이상의 두께를 가질 수 있다. 이는 측면 반사층(40)의 두께가 작은 경우, 광의 일부가 수지 재질의 측면 반사층(40)을 투과할 수 있기 때문이다. 예를 들어, 측면 반사층(40)은 50㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.
또는, 측면 반사층(40)은 광 반사율이 높은 Ag 또는 Al의 금속 반사층을 포함할 수 있다. 금속 반사층을 포함하는 측면 반사층(40)은 수 마이크로미터 이하의 두께에서도 광을 차단 및 반사할 수 있다. 예를 들어, 측면 반사층(40)은 5㎛ 이하, 구체적으로 1~2㎛의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 금속 반사층을 포함하는 측면 반사층(40)은 수지로 구성되는 화이트 월과는 달리 금속 재질로 구성되기 때문에 크랙의 위험성이 낮은 이점이 있다.
광확산층(50)은 발광 구조물(20) 상에 위치하는 파장변환층(30)의 상면을 덮을 수 있다. 또한 광확산층(50)은 수평 방향으로 더 연장되어 측면 반사층(40)의 상면까지 덮을 수 있다. 광확산층(50)은 발광 다이오드에서 출사되는 광의 확산을 도울 수 있으며, 그 농도를 제어하여 광의 확산 정도를 결정할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 하우징(300)은 발광 다이오드들(200a, 200b)이 실장되는 영역을 정의하기 위한 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 발광 모듈(1000)의 중앙에 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 측벽으로 둘러싸인다. 측벽은 베이스 기판(100)을 기준으로 수직하게 형성될 수 있다. 또는 측벽은 발광 다이오드들(200a, 200b)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 캐비티(C)는 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 특히 원형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 130도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 다만, 캐비티(C)의 형상은 원형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
렌즈(400)는 상기 발광 다이오드들(200a, 200b) 상에 위치할 수 있다. 렌즈(400)는 상기 하우징(300)에 고정되어 상기 발광 다이오드들 상에 위치할 수 있다. 렌즈(400)는 프레즈넬 렌즈(Fresnel Lens)를 포함할 수 있다. 도 1을 참조하면 렌즈(400)는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 앞서 언급된 것처럼 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 각각은 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조를 갖는다. 즉, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 중심이 동일하므로, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b) 각각은 하나의 초점을 통해 광을 모을 수 있다. 그에 따라 발광 모듈(1000)은 두 개의 초점을 포함하는 렌즈(400)를 통해 구현될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 렌즈(400)가 포함하는 두 개의 초점이, 각각 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)에 대응될 수 있다. 상기 두 개의 초점은 각각 제1 발광 다이오드(200a)의 광축(L1) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 광축(L2)과 대응되도록 위치할 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 베이스 기판(100) 상에 서로 이격되어 배치되되, 지향각의 제어가 가능한 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)를 포함한다. 여기서, 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)에서 출사되는 광의 지향각은 서로 동일하거나 다르게 제어될 수 있다.
도 3은 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 지향각을 나타내는 하나의 예시이다. 도 3을 참조하면, 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00001
)은 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00002
)에 비해 비교적 좁을 수 있다. 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00003
)은 전극을 통해 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비율을 제2 발광 영역(23)에 인가되는 것에 비해 높게 하여 좁게 형성될 수 있다. 이때, 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비율이 높은 수록 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00004
)은 좁아 질 수 있다.
반대로 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00005
)은 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00006
)에 비해 비교적 넓을 수 있다. 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00007
)은 전극을 통해 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비율을 제1 발광 영역(21)에 인가되는 것에 비해 높게 하여 넓게 형성될 수 있다. 이때, 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원이 비율이 높을수록 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00008
)은 넓어질 수 있다.
다만, 도 3에 개시된 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00009
,
Figure pat00010
)은 단지 설명을 위해 제시된 일 예이며, 실시예의 제한으로 이해되어서는 안 된다. 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00011
) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00012
)은 동일할 수 있고, 또는 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00013
)이 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00014
) 보다 넓을 수 있다.
제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00015
,
Figure pat00016
)이 서로 다른 경우, 베이스 기판(100)을 통해 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 인가되는 전원의 비를 서로 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 출사되는 광의 지향각(
Figure pat00017
)이 비교적 넓은 제2 발광 다이오드(200b)에 인가되는 전원을 제1 발광 다이오드보다 높게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 제1 발광 다이오드(200a)의 파장변환층(30)과 제2 발광 다이오드(200b)의 파장변환층(300)이 포함하는 형광체 조합을 달리하여, 서로 다른 색온도(color temperature)의 백색광을 구현할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)의 파장변환층(30)은 제1 발광 다이오드(200a)에서 출사되는 광의 파장을 변화시켜 결과적으로 웜 화이트(warm white) 계열의 광을 구현할 수 있다. 또한 제2 발광 다이오드(200b)의 파장변환층(30)은 제2 발광 다이오드(200b)에서 출사되는 광의 파장을 변화시켜 결과적으로 쿨 화이트(cool white) 계열의 광을 구현할 수 있다. 또는 그 반대의 실시예도 가능하다.
또한, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 파장변환층(30)이 포함하는 형광체 조합이 상이한 경우, 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 출력을 조절하여 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 색온도를 조절할 수 있다. 즉, 제1 발광 다이오드(200a)의 웜 화이트 계열의 광과 제2 발광 다이오드(200b)의 쿨 화이트 계열의 광은 서로 혼합될 수 있고, 이 경우 제1 발광 다이오드(200a)의 출력과 제2 발광 다이오드(200b)의 출력을 서로 다르게 하여 궁극적으로 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광의 색온도를 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)의 출력을 제2 발광 다이오드(200b) 보다 높게 하는 경우, 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광은 웜 화이트 계열에 가까운 색온도를 가질 수 있다. 반대로 제2 발광 다이오드(200b)의 출력을 제1 발광 다이오드(200a) 보다 높게 하는 경우, 발광 모듈(1000)에서 출사되는 광은 쿨 화이트 계열에 가까운 색온도를 가질 수 있다.
본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 넓은 지향각 및 좁은 지향각을 동시에 필요로 하는 장치에 이용될 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 서로 다른 색온도를 갖는 광을 필요로 하는 장치에 이용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 발광 모듈(1000)을 포함하는 디바이스의 일 예를 나타난다. 도 4에 개시된 디바이스는 광각 카메라(2000a), 협각 카메라(2000b) 및 발광 모듈(1000)을 포함하는 모바일 디바이스이다. 이때 발광 모듈(1000)은 앞서 도 1 내지 3에 개시된 발광 모듈(1000)일 수 있고, 광각 카메라(2000a) 및 협각 카메라(2000b)의 플래시로 이용될 수 있다.
즉, 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 발광 다이오드(200a)는 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 좁은 지향각(
Figure pat00018
)의 광을 출사할 수 있다. 이에 따라 제1 발광 다이오드(200a)는 협각 카메라(2000a)의 플래시로 이용될 수 있다. 또한 발광 모듈(1000)이 포함하는 제2 발광 다이오드(200b)는 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 넓은 지향각(
Figure pat00019
)의 광을 출사할 수 있다. 이에 따라 제2 발광 다이오드(200b)는 광각 카메라(2000b)의 플래시로 이용될 수 있다.
또한, 베이스 기판(100)의 전극 패턴을 통해 접속된 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)에 인가되는 전원의 비를 다르게 할 수 있다. 예를 들어, 앞서 언급된 것처럼 제2 발광 다이오드(200b)의 지향각(
Figure pat00020
)이 제1 발광 다이오드(200a)의 지향각(
Figure pat00021
) 보다 넓은 경우, 제2 발광 다이오드(200b)에 인가되는 전원을 제1 발광 다이오드(200a) 보다 높게 할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸다. 도 5a는 본 실시예에 따른 발광 다이오드의 사시도이고, 도 5b는 도 5a의 절취선 C-C'를 따라 취해진 단면도이다. 도 5에 개시된 발광 다이오드는 도 3에 개시된 발광 다이오드와 대부분의 구성이 동일하며, 다만 파장변환층(30)의 형상 있어서 다소 차이가 존재한다. 도 5의 발광 다이오드는 도 1의 발광 모듈(1000)이 포함하는 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 일 수 있다. 이하 차이점을 중심으로 설명한다.
도 5를 참조하면, 파장변환층(30)은 발광 구조물(20)이 두 개의 발광 영역을 포함하는 것에 대응하여, 두 개의 영역을 포함할 수 있다. 즉, 파장변환층(30)은 제1 발광 영역(21)에 대응되는 제1 파장변환층(31) 및 제2 발광 영역(23)에 대응되는 제2 파장변환층(33)을 포함할 수 있다. 따라서, 파장변환층(30)은 발광 영역들의 구조와 유사하게, 제1 파장변환층(31)이 중심 부분에 위치하고, 제2 파장변환층(33)이 제1 파장변환층(30)을 둘러싸는 구조를 가질 수 있다.
또한, 파장변환층(30)은 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33) 사이에 위치하는 장벽층(32)을 더 포함할 수 있다. 장벽층(32)은 광의 확산을 촉진시키기 위한 것으로, 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)에서 방사되는 서로 다른 파장의 광의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 장벽층(32)에 의해 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)의 경계에서 색편차나 광변화가 급격하게 발생되는 것을 최소화 할 수 있다. 장벽층(32)은 광 확산을 촉진시키기 위한 목적 범위 내에서 그 재료가 제한되지 않는다. 장벽층(32)은 상기 발광 구조물(20)이 포함하는 분리홈(22) 상에 배치될 수 있다.
파장변환층(30)은 스크린 프린팅 방식 등을 이용하여 하나의 시트로 제작될 수 있다. 예를 들어, 제1 파장변환층(31) 시트가 준비되고, 제2 파장변환층(33)을 위한 영역을 정의 하기 위해 제1 파장변환층(31) 시트의 일부가 제거될 수 있다. 그리고, 제1 파장변환층(31) 시트의 일부가 제거된 영역에 제2 파장변환층(33)이 형성되어, 단일의 파장변환층(30) 시트가 제작될 수 있다.
또는, 그 반대로, 제2 파장변환층(33) 시트가 준비되고, 제1 파장변환층(31)을 위한 영역을 정의 하기 위해 제2 파장변환층(33) 시트의 일부가 제거될 수 있다. 그리고, 제2 파장변환층(33) 시트의 일부가 제거된 영역에 제1 파장변환층(31)이 형성되어, 단일의 파장변환층(30) 시트가 제작될 수 있다.
제1 파장변환층(31)은 제1 형광체를 포함하고, 제2 파장변환층(33)은 제2 형광체를 포함할 수 있고, 제1 형광체와 제2 형광체는 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체는 제1 발광 영역(21)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 2700K 내지 3500K의 색온도를 갖는 웜 화이트(warm white) 계열의 백색 광이 구현될 수 있다. 또한 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체는 제2 발광 영역(23)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 5000K 내지 6500K의 색온도를 갖는 쿨 화이트(cool white) 계열의 백색광이 구현될 수 있다.
또한, 그 반대의 실시예도 가능하다. 즉, 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체는 제1 발광 영역(21)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 5000K 내지 6500K의 색온도를 갖는 쿨 화이트 계열의 백색 광이 구현될 수 있다. 또한 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체는 제2 발광 영역(23)에서 방출되는 광의 파장을 변환하여, 결과적으로 2700K 내지 3500K의 색온도를 갖는 웜 화이트 계열의 백색광이 구현될 수 있다.
앞서 언급된 것처럼, 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23)은 독립적으로 동작할 수 있고, 그에 따라 서로 다른 파워를 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역(21)의 광이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 웜 화이트 계열의 광이 구현되고, 제2 발광 영역(23)의 광이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 쿨 화이트 계열의 광이 구현되는 경우(또는 그 반대의 경우), 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)의 입력 전압 및/또는 전류의 값을 조절하여 발광 다이오드에서 구현되는 광의 색온도 또는 상관색온도(correlated color temperature, CCT)를 조절할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역(21)이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 웜 화이트 계열의 광이 구현되고, 제2 발광 영역(23)이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 쿨 화이트 계열의 광이 구현되는 경우, 제1 발광 영역(21)에 대해 외부 전원이 인가되고, 제2 발광 영역(23)에는 외부 전원이 인가되지 않은 경우, 발광 다이오드에서 구현되는 백색광은 2700K 내지 3500K의 색온도를 가질 수 있다.
반대로, 제2 발광 영역(23)에 대해 외부 전원이 인가되고, 제1 발광 영역(21)에 외부 전원이 인가되지 않은 경우 발광 다이오드에서 구현되는 백색광은 5000K 내지 6500K의 색온도를 가질 수 있다. 또는 제1 발광 영역(21) 및 제2 발광 영역(23) 모두에 대해 외부 전원이 인가되는 경우, 발광 다이오드에서 구현되는 광은 웜 화이트와 쿨 화이트의 중간 영역에 해당하는 색온도를 가질 수 있다. 제2 발광 영역(23)이 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 구조에 기인하여, 두 광의 색 혼합이 효율적을 이루어 질 수 있다.
광확산층(50)은 색온도가 상이한 광을 혼합할 수 있다. 예를 들어, 광확산층(50)은 제1 발광 영역(21)이 제1 파장변환층(31)과 조합되어 구현되는 웜 화이트 계열의 광과 제2 발광 영역(23)이 제2 파장변환층(33)과 조합되어 구현되는 쿨 화이트 계열의 광을 혼합할 수 있다. 여기서, 광확산층(50)의 농도에 따라 색 혼합의 정도가 조절될 수 있다. 즉, 광확산층(50)의 농도가 짙은 경우 웜 화이트 계열의 광과 쿨 화이트 계열의 광의 혼합의 정도가 높고, 반대로 광확산층(50)의 농도가 옅은 경우 웜 화이트 계열의 광과 쿨 화이트 계열의 광의 혼합의 정도가 낮을 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 모듈(1000)은 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)를 포함하며, 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b)는 도 5에 개시된 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
이에 따라 발광 모듈(1000)은 앞서 언급된 도 1의 발광 모듈(1000)과 동일하게 좁은 지향각 및 넓은 지향각을 동시에 지원할 수 있으며, 또한 목적에 따라 지향각의 제어(변화)가 가능할 수 있다.
또한, 이에 더하여 발광 모듈(1000)은 색온도의 제어가 가능하다. 즉, 앞서 언급된 것처럼 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 각각 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)에 인가되는 전원의 비를 조절하여 색온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 발광 모듈(1000)을 제1 발광 다이오드(200a)를 통해 웜 화이트 계열의 광을 구현할 수 있고, 제2 발광 다이오드(200b)를 통해 쿨 화이트 계열의 광을 구현할 수 있다. 또는 그 반대의 실시예도 가능하다.
또한, 발광 모듈(1000)은 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)의 지향각 및 색온도 제어를 동시에 할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 다이오드(200a)는 제1 발광 영역(21)에 인가되는 전원의 비를 높게 하여 지향각을 좁게 할 수 있고, 또한 제1 발광 다이오드(200a)는 좁은 지향각을 갖는 것과 동시에 특정 색온도를 구현해 낼 수 있다. 이때 제1 파장변환층(31)이 포함하는 제1 형광체의 종류에 따라 제1 발광 다이오드(200a)에서 구현되는 광의 색온도가 결정될 수 있다.
다른 예로, 제2 발광 다이오드(200b)는 제2 발광 영역(23)에 인가되는 전원의 비를 높게하여 지향각을 넓게 할 수 있고, 또한 제2 발광 다이오드(200b)가 넓은 지향각을 갖는 것과 동시에 특정 색온도를 구현해 낼 수 있다. 이때 제2 파장변환층(33)이 포함하는 제2 형광체의 종류에 따라 제2 발광 다이오드(200b)에서 구현되는 광의 색온도가 결정될 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 모듈의 제조 방법을 나타낸다. 구체적으로 도 6a 내지 도 6e는 발광 다이오드의 제조 방법과 관련되며, 도 6f 내지 도 6g는 상기 발광 다이오드를 포함하는 발광 모듈의 제조 방법과 관련된다.
본 실시예에서, 발광 모듈이 포함하는 발광 다이오드는 도 5에 개시된 발광 다이오드를 나타낸다. 다만, 발광 모듈이 도 2의 발광 다이오드를 포함하는 경우에도 그 제조 방법은 크게 다르지 않으며, 다만 파장변환층 형성 방법에 있어서 일부 차이가 있을 수 있다.
도 6a를 참조하면, 먼저 기판(10) 상에 발광 구조물(20)이 형성된 두 개의 발광 다이오드 칩이 준비된다. 이들 발광 다이오드 칩들은 동일한 기판(10)을 이용하여 함께 제작될 수 있으며, 또는 서로 다른 기판 상에서 제작될 수도 있다. 발광 구조물(20)은 복수의 발광 영역을 포함할 수 있다. 발광 구조물(20)은 제1 발광 영역(21)과 제1 발광 영역(21)을 둘러싸는 제2 발광 영역(23)을 포함할 수 있다. 제1 발광 영역(21)과 제2 발광 영역(23)은 기판 상에서 서로 이격되어 위치할 수 있다. 제1 및 제2 발광 영역(21, 23) 사이에 분리홈(22)이 위치할 수 있다. 분리홈(22)은 발광 구조물(20)의 상면 즉, 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 통해 제1 도전형 반도체층의 일부를 노출 시킬 수 있다. 또는 분리홈(22)은 제2 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형 반도체층을 통해 기판(10)의 일부를 노출 시킬 수 있다.
다만, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 도 6의 개시에 한정되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 발광 영역(21, 23)의 형상은 본 발명의 목적에 따라 제1 및 제2 발광 영역(21,23)이 중심을 공유하는 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
도 6b를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각의 기판(10)상에 제1 파장변환층(31) 이 형성될 수 있다. 이때, 기판(10)은 투명 기판이며 발광 구조물(20)에서 출사된 광은 기판을 거쳐 외부로 방사된다. 다만, 다른 실시예에 기판(10)이 발광 구조물(20) 하부에 위치하며 제1 파장변환층(31)이 발광 구조물(20) 상에 위치할 수도 있다. 또한 기판(10)은 생략될 수 있다.
제1 파장변환층(31)은 기판(10)을 사이에 두고 발광 구조물(20)의 제1 발광 영역(21) 상에 위치할 수 있다. 제1 파장변환층(31)은 형광체 조합(미도시)을 포함할 수 있으며, 이를 통해 제1 발광 영역(21)에서 출사되는 광의 파장을 변화시킬 수 있다. 또한 두 발광 다이오드 칩의 제1 파장변환층(31)은 동일하거나 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 제1 파장변환층(31)을 둘러싸는 제2 파장변환층(33)이 형성될 수 있다. 제2 파장변환층(33)은 발광 구조물(20)의 제2 발광 영역(23)에 대응될 수 있다. 제2 파장 변환층(33)은 상기 제1 파장변환층(31)과 서로 동일하거나 또는 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다. 또한 두 발광 다이오드 칩의 제2 파장변환층(33)은 서로 동일하거나 다른 형광체 조합을 포함할 수 있다.
또한, 제1 파장변환층(31)과 제2 파장변환층(33) 사이에 장벽층(32)이 더 형성될 수 있다. 장벽층(32)은 광의 확산을 촉진시키기 위한 것으로, 제1 파장변환층(31) 및 제2 파장변환층(33)에서 방사되는 서로 다른 파장의 광의 혼합을 촉진시킬 수 있다.
제1 파장변환층(31)의 형상 및 넓이는 제1 발광 영역(21)의 형상 및 크기와 동일 또는 유사하고, 제2 파장변환층(33)의 형상 및 넓이는 제2 발광 영역(23)의 형상 및 크기와 동일 또는 유사할 수 있다.
파장변환층(30)은 하나의 시트로 제작될 수 있고, 이 파장변환층(30) 시트는 프린팅(printing) 공정을 통해 형성될 수 있다. 파장변환층(30)은 발광 구조물(20) 상에 직접 형성될 수도 있고, 또는 외부에서 제작된 후 발광 구조물(20) 상에 부착될 수도 있다.
다만, 파장변환층(30)이 제1 및 제2 파장변환층(31, 33)에서 동일한 형광체 조합을 포함하는 경우(또한 장벽층을 포함하지 않은 경우), 도 6b 및 도 6c의 공정은 단일 공정으로 통합될 수 있다.
도 6d를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 발광 구조물(20)의 측면을 덮는 측면 반사층(40)이 형성될 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면뿐만 아니라 발광 구조물(20)의 상면을 덮는 파장변환층(30)의 측면을 덮을 수 있다. 측면 반사층(40)은 수지 재질의 화이트 월을 포함할 수 있다. 또는 측면 반사층(40)은 반사도가 높은 Al 또는 Ag와 같은 금속 반사층을 포함할 수 있다. 측면 반사층(40)은 발광 구조물(20)의 측면으로 방사되는 광을 차단 및 반사시켜 발광 다이오드의 지향각을 제한할 수 있다.
도 6e를 참조하면, 두 발광 다이오드 칩 각각에서 파장변환층(30)의 상면을 덮는 광확산층(50)이 형성될 수 있다. 광확산층(50)은 파장변환층(30)의 상면뿐만 아니라 수평 방향으로 더 연장되어 측면 반사층(40)의 상면까지 덮도록 형성될 수 있다. 광확산층(50)은 색 온도가 상이한 두 가지의 광을 혼합할 수 있다.
결과적으로, 도 6a 내지 도 6e의 공정을 통해 두 발광 다이오드(200a, 200b)가 제조 될 수 있다.
도 6f를 참조하면, 베이스 기판(100)을 준비하고, 상기 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)를 상기 베이스 기판(100) 상에 실장 시킬 수 있다. 이때 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 일정거리 이격될 수 있다.
베이스 기판(100)은, 비록 도 6f에서 도시되지 않았지만, 전극 패턴을 포함할 수 있다. 베이스 기판(100)에 실장된 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 상기 전극 패턴에 접속될 수 있고, 그에 따라 외부에서 전원을 인가 받을 수 있다. 또한 제1 및 제2 발광 다이오드(200a, 200b)는 개별적으로 구동되어 서로 다른 지향각을 갖는 광을 방출할 수 있고, 또한 서로 다른 색온도를 갖는 광을 방출할 수 있다.
도 6g를 참조하면, 상기 베이스 기판(100) 상에 하우징(300)이 형성될 수 있다. 또한 상기 발광 다이오드(200a, 200b) 상에 렌즈(400)가 형성될 수 있다. 이때, 렌즈(400)는 상기 하우징(300)의 측벽에 고정될 수 있다.
하우징(300)은 발광 다이오드(200a, 200b)가 실장되는 영역을 정의하기 위한 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 발광 모듈(1000)의 중앙에 배치될 수 있다. 캐비티(C)는 측벽으로 둘러싸인다. 측벽은 베이스 기판(100)을 기준으로 수직하게 형성될 수 있다. 또는 측벽은 발광 다이오드(200a, 200b)에서 방출된 광을 반사시키기 위해 경사면을 가질 수 있다. 또한, 캐비티(C)는 회전 대칭 형상을 가질 수 있으며, 특히 원형 형상을 가질 수 있다. 여기서 회전 대칭은 회전체만을 의미하는 것은 아니며, 60도, 90도, 130도 또는 180도 등 특정 각도로 회전할 때 동일한 형상이 유지되는 것을 포함한다. 다만, 캐비티(C)의 형상은 원형에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 형상을 가질 수 있다.
렌즈(400)는 두 개의 초점을 포함할 수 있다. 두 개의 초점은 각각 제1 발광 다이오드(200a) 및 제2 발광 다이오드(200b) 상에 위치할 수 있다. 즉, 제1 발광 다이오드(200a)의 광축(L1) 및 제2 발광 다이오드(200b)의 광축(L2)는 각각 렌즈(400)가 포함하는 두 개의 초점과 일치할 수 있다.

Claims (20)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판상에 위치하는 제1 발광 다이오드; 및
    상기 베이스 기판상에 위치하되, 상기 제1 발광 다이오드와 이격되는 제2 발광 다이오드를 포함하고,
    상기 제1 발광 다이오드 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 발광 영역 및 제2 발광 영역을 포함하고,
    상기 제2 발광 영역은 상기 제1 발광 영역으로부터 이격되어 상기 제1 발광 영역을 둘러싸는 발광 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 서로 독립적으로 구동되는 발광 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 베이스 기판은 전극 패턴을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 각각 상기 전극 패턴에 접속되는 발광 모듈.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 영역 각각은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 서로 독립적으로 구동되는 발광 모듈.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 영역은 동일한 중심을 공유하는 발광 모듈.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 지향각을 제어하는 발광 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각과 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각은 서로 다른 발광 모듈.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각과 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 지향각은 동일한 발광 모듈.
  9. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역을 덮는 파장 변환층을 더 포함하는 발광 모듈.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 파장변환층은 상기 제1 및 제2 발광 영역에서 동일한 형광체를 포함하는 발광 모듈.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 파장변환층은,
    상기 제1 발광 영역에 대응되며 제1 형광체를 포함하는 제1 파장변환층; 및
    상기 제2 발광 영역에 대응되며 제2 형광체를 포함하는 제2 파장변환층을 포함하는 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 파장변환층은 상기 제1 파장변환층 및 제2 파장변환층 사이에 위치하는 장벽층을 더 포함하는 발광 다이오드.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도를 제어하는 발광 모듈.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 각각은 제1 및 제2 발광 영역에 인가되는 전원의 비의 제어를 통해 출사되는 광의 색온도 및 지향각을 동시에 제어하는 발광 모듈.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 서로 다른 발광 모듈.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도와 제2 발광 다이오드에서 출사되는 광의 색온도는 동일한 발광 모듈.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 발광 영역의 측면을 덮는 측면 반사층을 더 포함하는 발광 모듈.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드 상에 위치하는 렌즈를 더 포함하는 발광 모듈.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 렌즈는 두 개의 초점을 포함하고,
    상기 두 개의 초점은 각각 제1 및 제2 발광 다이오드의 광축에 대응되는 발광 모듈.
  20. 청구항 18에 있어서,
    상기 베이스 기판 상에 위치하되, 캐비티를 포함하는 하우징을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 발광 다이오드는 상기 캐비티 내에 위치하는 발광 모듈.
KR1020170038322A 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈 KR102406913B1 (ko)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038322A KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈
US16/498,818 US11171264B2 (en) 2017-03-27 2018-03-19 Light emitting module
CN201880005589.0A CN110168722A (zh) 2017-03-27 2018-03-19 发光模块
PCT/KR2018/003175 WO2018182215A1 (ko) 2017-03-27 2018-03-19 발광 모듈
CN201911238325.2A CN111048493B (zh) 2017-03-27 2018-03-19 发光模块
US17/504,541 US11688836B2 (en) 2017-03-27 2021-10-19 Light emitting module
KR1020220067857A KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
US18/201,743 US20230299243A1 (en) 2017-03-27 2023-05-24 Light emitting module
US18/358,435 US20230369548A1 (en) 2017-03-27 2023-07-25 Light emitting module
KR1020230132399A KR20230147573A (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170038322A KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220067857A Division KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180109162A true KR20180109162A (ko) 2018-10-08
KR102406913B1 KR102406913B1 (ko) 2022-06-10

Family

ID=63676611

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170038322A KR102406913B1 (ko) 2017-03-27 2017-03-27 발광 모듈
KR1020220067857A KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
KR1020230132399A KR20230147573A (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220067857A KR102587740B1 (ko) 2017-03-27 2022-06-02 발광 모듈
KR1020230132399A KR20230147573A (ko) 2017-03-27 2023-10-05 발광 모듈

Country Status (4)

Country Link
US (4) US11171264B2 (ko)
KR (3) KR102406913B1 (ko)
CN (1) CN110168722A (ko)
WO (1) WO2018182215A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11946637B2 (en) 2021-04-05 2024-04-02 Nichia Corporation Light source device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110032724A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing same, lighting fixture, and lighting system
KR20120064838A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20150007854A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자
WO2016062834A2 (en) * 2014-10-22 2016-04-28 Infiniled Limited Display
US20160153622A1 (en) * 2013-08-26 2016-06-02 Shenzhen University Led lamp

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6956553B2 (en) * 2001-04-27 2005-10-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Active matrix display device
JP4366923B2 (ja) 2002-04-10 2009-11-18 日亜化学工業株式会社 照明装置およびその制御方法
TWI255566B (en) * 2005-03-04 2006-05-21 Jemitek Electronics Corp Led
TWI332273B (en) * 2005-03-18 2010-10-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light-emitting diodes, light-emitting diodes modules and backlight system
KR101256384B1 (ko) * 2005-08-24 2013-04-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 모듈
EP2434554B1 (en) * 2007-08-03 2018-05-30 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength-converted light-emitting device with uniform emission
JP2009135485A (ja) * 2007-11-07 2009-06-18 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP5398742B2 (ja) * 2008-01-31 2014-01-29 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光デバイス
KR101592836B1 (ko) 2008-02-07 2016-02-05 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 발광 장치, 백라이트, 컬러 화상 표시 장치, 및 그들에 사용하는 형광체
JP5332673B2 (ja) 2008-02-07 2013-11-06 三菱化学株式会社 半導体発光装置、バックライトおよびカラー画像表示装置
US20100202129A1 (en) * 2009-01-21 2010-08-12 Abu-Ageel Nayef M Illumination system utilizing wavelength conversion materials and light recycling
KR101202168B1 (ko) 2009-07-03 2012-11-19 서울반도체 주식회사 고전압 발광 다이오드 패키지
WO2011002208A2 (ko) 2009-07-03 2011-01-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
CN101859859B (zh) 2010-05-04 2012-12-19 厦门市三安光电科技有限公司 高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法
JP5264836B2 (ja) * 2010-07-12 2013-08-14 三菱電機株式会社 発光ユニット及び発光装置
CN102376832A (zh) * 2010-08-10 2012-03-14 艾笛森光电股份有限公司 白光发光二极管
JP3164061U (ja) * 2010-08-31 2010-11-11 柏友照明科技股▲フン▼有限公司 発光ダイオードモジュール及び照明装置
TW201225740A (en) * 2010-12-14 2012-06-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Led light source module
CN102563383A (zh) * 2010-12-15 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管光源模组
US8916896B2 (en) * 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
US10304998B2 (en) 2013-09-27 2019-05-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip and light emitting device having the same
KR102020895B1 (ko) * 2013-10-31 2019-09-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TW201532312A (zh) * 2014-02-10 2015-08-16 Edison Opto Corp 可調光ｌｅｄ封裝結構
JP2016162693A (ja) * 2015-03-04 2016-09-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 照明装置
KR102524805B1 (ko) * 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
TWI603507B (zh) * 2016-03-11 2017-10-21 柏友照明科技股份有限公司 混光式多晶片封裝結構

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110032724A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting device and method for manufacturing same, lighting fixture, and lighting system
KR20120064838A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성엘이디 주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20150007854A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US20160153622A1 (en) * 2013-08-26 2016-06-02 Shenzhen University Led lamp
WO2016062834A2 (en) * 2014-10-22 2016-04-28 Infiniled Limited Display

Also Published As

Publication number Publication date
US20230299243A1 (en) 2023-09-21
KR20220083989A (ko) 2022-06-21
WO2018182215A1 (ko) 2018-10-04
US11688836B2 (en) 2023-06-27
US11171264B2 (en) 2021-11-09
US20200066944A1 (en) 2020-02-27
KR20230147573A (ko) 2023-10-23
KR102587740B1 (ko) 2023-10-11
CN110168722A (zh) 2019-08-23
CN111048493A (zh) 2020-04-21
KR102406913B1 (ko) 2022-06-10
US20220109088A1 (en) 2022-04-07
US20230369548A1 (en) 2023-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9640737B2 (en) Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
JP5236803B2 (ja) 半導体照明部品
CN102217065B (zh) 光电子半导体器件
KR20130029798A (ko) 다차원 led 어레이 시스템 및 관련 방법 및 구조
KR20230147573A (ko) 발광 모듈
US11804571B2 (en) Light emitting diode and light emitting module comprising the same
US20240088326A1 (en) Light emitting diode and light emitting module comprising the same
EP4136684A1 (en) Light-altering material arrangements for light-emitting devices
JP2022163817A (ja) 発光モジュール
CN111048493B (zh) 发光模块
JP2017501588A (ja) 加工されたサブストレートを用いた半導体発光デバイス及びその製造方法
JP2004172507A (ja) 反射型発光装置
KR102093816B1 (ko) 반도체 소자
US20230120890A1 (en) Integration of secondary optics into chip covers for improved optical emission of high intensity light-emitting diodes
KR102308692B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법, 반도체 소자 패키지, 객체 검출 장치
TWI588406B (zh) 發光裝置
TWI635238B (zh) 發光裝置
KR20150136858A (ko) 발광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right