KR20180106866A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

Provided is a substrate processing apparatus, which comprises: a pressure control unit maintaining pressure of a processing liquid at an access location in a pressure set point by replacing the pressure of the processing liquid in an individual pipe with a relief valve, which is an example of a pressure control valve, in accordance with a detecting value of the pressure sensor; and a control apparatus setting a pressure set point as a processing set point in at least a portion of a processing period that an unprocessed substrate is in the substrate processing apparatus and setting the pressure set point as a standby set point lower than the processing set point in at least a portion of a standby period that the unprocessed substrate is not in the substrate processing apparatus so as to enable a flow rate of a processing fluid flowing in a circulation pipe during the standby period to correspond to or come in contact to a flow rate of a processing fluid flowing in the circulation pipe during the processing period.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상의 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Examples of the substrate to be processed include a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, A mask substrate, a ceramic substrate, a solar cell substrate, and the like.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 사용된다. 일본 공개특허공보 2015-141980호에는, 기판을 한 장씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다.In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used. Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2015-141980 discloses a single wafer processing apparatus for processing substrates one by one.

일본 공개특허공보 2015-141980호에 기재된 기판 처리 장치는, 기판에 공급되는 처리액을 저류하는 처리액 탱크와, 처리액 탱크 내의 처리액을 순환시키는 순환로와, 처리액 탱크 내의 처리액을 순환로에 보내는 순환 펌프와, 순환로를 흐르는 처리액을 가열하는 히터를 구비하고 있다. 이 기판 처리 장치는, 추가로 순환로로부터 복수의 처리 유닛에 대한 처리액의 공급을 제어하는 복수의 토출 밸브와, 복수의 처리 유닛의 하류에서 순환로 상에 배치된 릴리프 밸브를 구비하고 있다.The substrate processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2015-141980 includes a processing liquid tank for storing the processing liquid supplied to the substrate, a circulation path for circulating the processing liquid in the processing liquid tank, and a processing liquid in the processing liquid tank, And a heater for heating the treatment liquid flowing through the circulation path. The substrate processing apparatus further includes a plurality of discharge valves for controlling supply of the processing liquid to the plurality of processing units from the circulation path and a relief valve disposed on the circulation path downstream of the plurality of processing units.

일본 공개특허공보 2015-141980호에서는, 압력 제어 밸브의 하나인 릴리프 밸브가, 복수의 처리 유닛의 하류에서 순환로 상에 배치되어 있다. 릴리프 밸브의 설정 릴리프압이 변화되지 않는 경우, 모든 토출 밸브가 폐쇄된 대기 기간에 있어서 순환로를 흐르는 처리액의 유량은, 어느 토출 밸브가 개방된 기판의 처리 기간에 있어서의 유량보다 적어진다.In Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-141980, a relief valve, which is one of pressure control valves, is disposed on a circulation path downstream of a plurality of processing units. When the set relief pressure of the relief valve is not changed, the flow rate of the process liquid flowing through the circulation path in the standby period in which all the discharge valves are closed becomes smaller than the flow rate in the process period of the substrate on which the discharge valve is opened.

순환로를 흐르는 처리액의 온도는 순환로의 주위의 온도의 영향을 받아 변동된다. 영향의 정도는 순환로를 흐르는 처리액의 유량에 의존한다. 즉, 처리액의 유량이 많은 경우, 처리액은 그 주위의 온도의 영향을 그다지 받지 않지만, 처리액의 유량이 적은 경우, 처리액은 주위의 온도의 영향을 받아 온도가 크게 변동된다. 따라서, 일본 공개특허공보 2015-141980호와 같이, 토출 밸브의 개폐 상태에 따라 순환액의 유량이 크게 변동될 것 같으면, 순환액의 온도도 그것에 따라 크게 변동되어 버리는 문제가 있다.The temperature of the treatment liquid flowing through the circulation path fluctuates under the influence of the temperature around the circulation path. The degree of influence depends on the flow rate of the treatment liquid flowing through the circulation path. That is, when the flow rate of the treatment liquid is large, the treatment liquid does not greatly receive the influence of the temperature around the treatment liquid. However, when the flow rate of the treatment liquid is small, the temperature of the treatment liquid varies greatly due to the influence of the ambient temperature. Therefore, if the flow rate of the circulating fluid is likely to fluctuate greatly depending on the opening / closing state of the discharge valve as in JP-A-2015-141980, there is a problem that the temperature of the circulating fluid largely varies accordingly.

또, 순환로를 흐르는 처리액의 온도는, 대기 기간의 길이에도 의존한다. 기판의 처리 기간으로부터 대기 기간으로 이행한 직후에는 처리액의 온도는 거의 변화되지 않는다. 그러나, 대기 기간이 길어짐에 따라 처리액의 온도는 기판 처리 기간에 있어서의 처리액의 온도로부터 점차 괴리되어 간다. 따라서, 긴 대기 기간 후에 기판에 대한 처리액의 공급을 실행하면, 의도하는 온도와는 크게 상이한 온도의 처리액이 기판에 공급되어 버린다.The temperature of the treatment liquid flowing through the circulation path also depends on the length of the waiting period. Immediately after the transition from the substrate treatment period to the waiting period, the temperature of the treatment liquid hardly changes. However, as the waiting period becomes longer, the temperature of the processing liquid gradually deviates from the temperature of the processing liquid in the substrate processing period. Therefore, when the supply of the treatment liquid to the substrate is performed after a long waiting period, the treatment liquid at a temperature significantly different from the intended temperature is supplied to the substrate.

이와 같이, 의도한 온도와 상이한 온도의 처리액이 기판에 공급되면, 에칭량이나 패턴 도괴율 등의 기판 처리의 품질에 악영향이 발생한다. 또, 동일한 처리 조건에서 처리해야 할 복수 장의 기판에 대해, 온도가 상이한 처리액을 공급하면, 복수 장의 기판 간에 있어서 품질의 편차가 발생하는 문제도 있다.As described above, when the processing liquid having a temperature different from the intended temperature is supplied to the substrate, adverse effects are exerted on the quality of the substrate processing such as the etching amount and the pattern rupture rate. In addition, there is also a problem that if a processing solution having a different temperature is supplied to a plurality of substrates to be processed under the same processing conditions, quality deviation occurs between the plurality of substrates.

본 발명의 목적의 하나는, 토출 밸브의 개폐 상태가 변화해도 순환로를 흐르는 처리액의 온도가 크게 변동되지 않고, 안정적인 온도의 처리액을 기판에 공급할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.One of the objects of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of supplying a stable processing liquid to a substrate without significantly changing the temperature of the processing liquid flowing through the circulation path even when the open / will be.

본 발명의 다른 목적은, 복수 장의 기판에 공급되는 처리액의 온도의 편차를 저감시킬 수 있고, 복수 장의 기판 간에 있어서의 품질의 편차를 저감시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing variations in temperature of a processing liquid supplied to a plurality of substrates and capable of reducing variation in quality among a plurality of substrates .

본 발명의 실시형태는, 처리액을 저류하는 탱크와, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 수단과, 상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 기판을 향하여 토출시키는 노즐과, 상기 탱크 내의 처리액을 순환시키는 순환 배관과, 상기 탱크 내의 처리액을 상기 순환 배관에 보내는 송액 장치와, 상기 송액 장치에 의해 상기 순환 배관에 보내진 상기 처리액의 온도를 가열 및 냉각의 적어도 일방에 의해 변경하는 온도 조절기와, 상기 순환 배관으로부터 상기 노즐에 처리액을 안내하는 공급 배관과, 상기 공급 배관에 개재 장착되어 있고, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환되는 토출 밸브와, 상기 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력을 검출하는 압력 센서와, 상기 접속 위치의 하류의 개재 장착 위치에서 상기 순환 배관에 개재 장착된 압력 제어 밸브를 포함하여, 상기 순환 배관 내의 처리액의 압력을 상기 압력 센서의 검출치에 따라 상기 압력 제어 밸브로 변경시킴으로써, 상기 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지하는 압력 제어 유닛과, 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 있는 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정하고, 상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 없는 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치보다 작은 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시키는 제어 장치를 구비하는, 기판 처리 장치를 제공한다.A substrate holding means for horizontally holding the substrate; a nozzle for discharging the processing liquid supplied from the tank toward the substrate held by the substrate holding means; A circulation pipe for circulating the processing liquid in the tank; a liquid-delivery device for sending the processing liquid in the tank to the circulation pipe; and a control device for controlling the temperature of the processing liquid sent to the circulation pipe by at least one of heating and cooling A supply pipe for guiding the treatment liquid from the circulation pipe to the nozzle; a supply pipe for supplying a treatment liquid to the nozzle from the supply pipe; And a discharge stop state in which supply of the process liquid to the nozzle from the supply pipe is stopped, A pressure sensor for detecting the pressure of the process liquid at a connection position where the circulation pipe and the supply pipe are connected to each other, and a pressure control valve interposed in the circulation pipe at an intervening mounting position downstream of the connection position, A pressure control unit for maintaining the pressure of the process liquid at the connection position at the pressure setting value by changing the pressure of the process liquid in the circulation pipe to the pressure control valve in accordance with the detection value of the pressure sensor, Sets the pressure set value to a set value for processing in at least a part of the processing period of the substrate in the substrate processing apparatus and sets the pressure set value in at least part of a waiting period in which the unprocessed substrate is not in the substrate processing apparatus Is set to a waiting setting value that is smaller than the processing setting value, The flow rate of the treatment liquid flowing provides a substrate processing apparatus, comprising a control device which match the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe or in the close-up the processing period.

이 구성에 의하면, 탱크 내의 처리액이, 송액 장치에 의해 순환 배관에 보내지고, 순환 배관으로부터 탱크로 되돌아온다. 탱크 내의 처리액의 온도는, 온도 조절기에 의해 실온보다 높거나 또는 낮은 온도로 조절된다. 토출 밸브가 토출 실행 상태가 되면, 순환 배관 내를 흐르는 처리액의 일부가 공급 배관에 의해 노즐로 안내되어, 노즐로부터 기판을 향하여 토출된다. 토출 밸브가 토출 정지 상태가 되면, 공급 배관으로부터 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되고, 노즐로부터의 처리액의 토출이 정지된다.According to this configuration, the treatment liquid in the tank is sent to the circulation pipe by the liquid delivery device and returned to the tank from the circulation pipe. The temperature of the treatment liquid in the tank is adjusted to a temperature higher or lower than room temperature by a temperature controller. When the discharge valve is in the discharge execution state, a part of the processing liquid flowing through the circulation pipe is guided to the nozzle by the supply pipe, and is discharged from the nozzle toward the substrate. When the discharge valve is in the discharge stop state, the supply of the process liquid to the nozzle is stopped from the supply pipe, and the discharge of the process liquid from the nozzle is stopped.

압력 제어 밸브는, 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치의 하류의 개재 장착 위치에서 순환 배관에 개재 장착되어 있다. 압력 제어 밸브의 1 차측 압력, 요컨대, 순환 배관에 있어서의 송액 장치로부터 개재 장착 위치까지의 부분의 액압은, 압력 제어 밸브에 의해 압력 설정치로 유지된다. 압력 제어 밸브의 1 차측을 흐르는 처리액의 유량은, 토출 밸브의 개도뿐만 아니라, 압력 제어 밸브의 개도에 따라 변화된다.The pressure control valve is interposed in the circulation pipe at an intervening mounting position downstream of the connection position where the circulation pipe and the supply pipe are connected to each other. The pressure on the primary side of the pressure control valve, that is, the portion of the circulation pipe from the liquid supply device to the interposing position is held by the pressure control valve by the pressure control valve. The flow rate of the processing liquid flowing through the primary side of the pressure control valve changes not only with the opening of the discharge valve but also with the opening of the pressure control valve.

미처리의 기판, 요컨대, 기판 처리 장치에서 처리되어 있지 않은 기판이 기판 처리 장치에 있을 때, 제어 장치는, 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력의 설정치를 나타내는 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정한다. 미처리의 기판이 기판 처리 장치 내에 없을 때, 제어 장치는, 압력 설정치를 대기용 설정치로 설정한다. 대기용 설정치는, 처리용 설정치보다 작다. 따라서, 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 없을 때에는, 압력 제어 밸브에서의 압력 손실이 감소하고, 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량이 증가한다.When the unprocessed substrate, that is, the substrate which is not processed in the substrate processing apparatus, is present in the substrate processing apparatus, the control device sets the pressure set value indicating the set value of the pressure of the process liquid at the connection position, Is set as a process setting value. When the unprocessed substrate is not in the substrate processing apparatus, the control device sets the pressure setting value to the standby setting value. The standby setting value is smaller than the processing setting value. Therefore, when the unprocessed substrate is not present in the substrate processing apparatus, the pressure loss in the pressure control valve decreases, and the flow rate of the processing liquid flowing through the circulation pipe increases.

대기용 설정치는, 대기 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량이 처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치하거나 또는 근접하도록 설정되어 있다. 그 때문에, 양 기간에 있어서의 유량의 차가 영 또는 그것에 가까운 값까지 감소한다. 따라서, 대기 기간이 길어졌다고 해도, 순환로를 흐르는 처리액의 온도는 거의 변함없다. 이로써, 긴 대기 기간이 끝난 후에도, 안정적인 온도의 처리액을 복수 장의 기판에 공급할 수 있고, 복수 장의 기판 간에 있어서의 품질의 편차를 저감시킬 수 있다.The waiting set value is set such that the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe during the waiting period coincides with or is close to the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe during the process period. Therefore, the difference in flow rate in both periods is reduced to zero or a value close thereto. Therefore, even if the waiting period becomes longer, the temperature of the treating liquid flowing through the circulating path hardly changes. As a result, even after the long waiting period is finished, the stable processing liquid can be supplied to the plurality of substrates, and the deviation in quality between the plurality of substrates can be reduced.

또한, 처리는, 탱크 내의 처리액을 순환로를 개재하여 기판에 공급하고, 그 후, 당해 기판을 건조시키는 것을 의미한다. 대기 기간은, 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 없는 기간이다. 처리가 완료된 기판만이 기판 처리 장치에 있는 기간은, 대기 기간에 해당하지 않는다.The treatment means that the treatment liquid in the tank is supplied to the substrate via the circulation path, and then the substrate is dried. The waiting period is a period in which the unprocessed substrate is not present in the substrate processing apparatus. The period in which only the processed substrate is present in the substrate processing apparatus does not correspond to the waiting period.

제어 장치는, 처리 기간의 전부에 있어서 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정해도 되고, 처리 기간의 일부에 있어서만 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정해도 된다. 마찬가지로, 제어 장치는, 대기 기간의 전부에 있어서 압력 설정치를 대기용 설정치로 설정해도 되고, 대기 기간의 일부에 있어서만 압력 설정치를 대기용 설정치로 설정해도 된다.The control device may set the pressure set value to the processing set value at all of the processing period, or may set the pressure set value to the processing set value only in a part of the processing period. Similarly, the control device may set the pressure set value to the standby set value in all of the waiting period, or set the pressure set value to the standby set value only in a part of the waiting period.

처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량은, 노즐이 처리액을 토출시키고 있는지의 여부, 요컨대, 토출 밸브의 개폐 상태에 따라 변화된다. 처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량은, 처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량의 평균치 (평균 유량) 여도 되고, 처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량의 최대치 (최대 유량) 여도 된다.The flow rate of the treatment liquid flowing through the circulation pipe during the treatment period varies depending on whether or not the nozzle is discharging the treatment liquid, that is, depending on the open / closed state of the discharge valve. The flow rate of the processing liquid flowing through the circulation pipe during the processing period may be an average value (average flow rate) of the processing liquid flowing through the circulation piping during the processing period, and the maximum value (maximum flow rate) It may be.

압력 제어 밸브는, 1 차측 압력에 따라 개도가 자동으로 변화되는 릴리프 밸브여도 되고, 전동 액추에이터에 의해 개도가 변경되는 전동 밸브여도 된다.The pressure control valve may be a relief valve whose opening degree is automatically changed according to the pressure on the primary side, or a motor-operated valve whose opening degree is changed by an electric actuator.

릴리프 밸브는, 릴리프 밸브의 1 차측 압력이 설정 릴리프압까지 상승하면 1 차측 압력을 설정 릴리프압 미만까지 저하시키는 밸브이다. 설정 릴리프압은, 릴리프 밸브에 가해지는 조작 공기압에 따라 변화된다. 압력 제어 밸브가 릴리프 밸브인 경우, 압력 제어 유닛은, 릴리프 밸브에 가해지는 조작 공기압을 변경하는 전공 레귤레이터를 추가로 포함한다. 제어 장치는, 압력 센서에 의해 검출된 처리액의 압력과 압력 설정치의 차에 따라 전공 레귤레이터에 조작 공기압을 변경시킴으로써, 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지한다.The relief valve is a valve that reduces the primary pressure to less than the set relief pressure when the primary pressure of the relief valve rises to the set relief pressure. The setting relief pressure is changed according to the operating air pressure applied to the relief valve. When the pressure control valve is a relief valve, the pressure control unit further includes a pneumatic regulator for changing the operating air pressure applied to the relief valve. The control device includes a pressure sensor The pressure of the process liquid at the connection position is maintained at the pressure set value by changing the operation air pressure to the electropneumatic regulator according to the difference between the detected process liquid pressure and the pressure set value.

압력 제어 밸브가 전동 밸브인 경우, 전공 레귤레이터는 불필요하다. 전동 밸브는, 처리액이 흐르는 내부 유로를 둘러싸는 환상의 밸브 시트를 포함하는 밸브 보디와, 상기 내부 유로에 배치되어 있고, 상기 밸브 시트에 대해 이동 가능한 밸브체와, 3 개 이상의 복수의 위치에서 상기 밸브체를 정지 (靜止) 시키는 전동 액추에이터를 포함한다. 전동 밸브의 개도, 요컨대, 밸브 시트에 대한 밸브체의 위치는, 전동 액추에이터에 의해 변경된다. 제어 장치는, 압력 센서에 의해 검출된 처리액의 압력과 압력 설정치의 차에 따라 전동 액추에이터에 전동 밸브의 개도를 변경시킴으로써, 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지한다.When the pressure control valve is a motor-operated valve, the electropneumatic regulator is unnecessary. The electrically operated valve includes a valve body including an annular valve seat surrounding an internal flow passage through which a treatment liquid flows, a valve body disposed in the internal flow passage and movable with respect to the valve seat, And an electric actuator for stopping the valve body. The opening degree of the electrically operated valve, that is, the position of the valve body relative to the valve seat, is changed by the electric actuator. The control device changes the opening degree of the electric motor valve to the electric actuator according to the difference between the pressure of the processing liquid detected by the pressure sensor and the pressure setting value, thereby maintaining the pressure of the processing liquid at the connection position at the pressure setting value.

상기 실시형태에 있어서, 이하의 특징의 적어도 하나가, 상기 기판 처리 장치에 추가되어도 된다.In the above embodiment, at least one of the following features may be added to the substrate processing apparatus.

상기 기판 처리 장치는, 상기 탱크로부터 공급된 처리액을 토출시키는 제 2 노즐과, 상기 접속 위치와 상기 개재 장착 위치 사이의 제 2 접속 위치에서 상기 순환 배관에 접속되어 있고, 상기 순환 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 처리액을 안내하는 제 2 공급 배관과, 상기 제 2 공급 배관에 개재 장착되어 있고, 상기 제 2 공급 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 제 2 공급 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환되는 제 2 토출 밸브를 추가로 구비한다.Wherein the substrate processing apparatus further comprises a second nozzle for discharging the processing liquid supplied from the tank and a second nozzle connected to the circulation pipe at a second connection position between the connection position and the interposition position, A second supply pipe for guiding the treatment liquid to the first nozzle, a second supply pipe for guiding the treatment liquid to the first nozzle, a second supply pipe for guiding the treatment liquid to the first nozzle, a second supply pipe for supplying the treatment liquid to the second nozzle, And a second discharge valve which is switched between a discharge stop state where supply of the process liquid to the second nozzle from the second supply pipe is stopped.

이 구성에 의하면, 순환 배관을 흐르는 처리액이, 공급 배관을 개재하여 노즐에 공급되고, 제 2 공급 배관을 개재하여 제 2 노즐에 공급된다. 노즐 및 제 2 노즐의 양방이 처리액을 토출시키고 있을 때에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량은, 노즐 및 제 2 노즐의 일방만이 처리액을 토출시키고 있을 때보다 많다. 이 구성에서는, 처리 기간 중에 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량의 최대치 (최대 순환 유량) 가 증가하므로, 압력 설정치가 일정하면 처리 기간과 대기 기간 사이에서의 처리액의 유량의 차가 커진다. 따라서, 대기 기간에 있어서 압력 설정치를 대기용 설정치까지 감소시킴으로써, 양 기간에 있어서의 유량의 차를 효과적으로 줄일 수 있다.According to this configuration, the processing liquid flowing through the circulation pipe is supplied to the nozzle via the supply pipe, and is supplied to the second nozzle via the second supply pipe. The flow rate of the processing liquid flowing through the circulation pipe when both the nozzle and the second nozzle are discharging the processing liquid is larger than when only one of the nozzle and the second nozzle is discharging the processing liquid. In this arrangement, the maximum value (maximum circulating flow rate) of the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe during the process period increases, and when the pressure set value is constant, the difference in flow rate of the process liquid between the process period and the waiting period becomes large. Therefore, by reducing the pressure set value to the standby setting value in the waiting period, the difference in the flow rate in both periods can be effectively reduced.

상기 제 2 노즐은, 상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 기판을 향하여 토출시켜도 되고, 상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단과는 상이한 제 2 기판 유지 수단에 수평으로 유지되어 있는 기판을 향하여 토출시켜도 된다. 요컨대, 상기 노즐 및 제 2 노즐로부터 토출된 처리액이 동일한 기판에 공급되어도 되고, 별도의 기판에 공급되어도 된다.The second nozzle may discharge the processing liquid supplied from the tank toward the substrate held by the substrate holding means and may supply the processing liquid supplied from the tank to the second substrate holding means different from the substrate holding means Or may be discharged toward the substrate held horizontally. That is, the process liquid discharged from the nozzles and the second nozzles may be supplied to the same substrate or may be supplied to a separate substrate.

상기 기판 유지 수단이, 복수 형성되어 있고, 상기 노즐이, 복수의 상기 기판 유지 수단에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고, 상기 순환 배관이, 상기 송액 장치에 의해 상기 탱크로부터 보내진 처리액을 안내하는 상류 배관과, 상기 상류 배관으로부터 분기된 복수의 개별 배관을 포함하고, 상기 공급 배관이, 상기 복수의 개별 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고, 상기 개별 배관으로부터 상기 노즐에 연장되어 있고, 상기 토출 밸브가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고, 상기 압력 센서가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고, 상기 압력 제어 밸브가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되고, 상기 개별 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 상기 접속 위치의 하류의 상기 개재 장착 위치에서 상기 개별 배관에 개재 장착되어 있고, 상기 제어 장치는, 상기 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 복수의 개별 배관의 적어도 하나에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치로 설정하고, 상기 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 복수의 개별 배관의 적어도 하나에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시킨다.Wherein a plurality of the substrate holding means are formed and a plurality of the nozzles are formed so as to correspond to the plurality of the substrate holding means on a one-to-one basis, and the circulating piping is provided with the processing liquid sent from the tank by the liquid- And a plurality of individual piping branches branched from the upstream piping, wherein a plurality of the supply piping are formed so as to correspond one-to-one to the plurality of individual piping, and the plurality of individual piping extending from the individual piping to the nozzle Wherein a plurality of the discharge valves are formed so as to correspond to a plurality of the supply pipes one by one and a plurality of the pressure sensors are formed so as to correspond one to one to the plurality of supply pipes, A plurality of valves are formed so as to correspond one-to-one to the plurality of supply pipes, and the individual pipes and the supply pipes are connected to each other And the control device is configured to set the pressure set value in at least one of the plurality of individual pipes to the processing set value in at least a part of the processing period, By setting the pressure set value in at least one of the plurality of individual pipes to the standby set value in at least a part of the waiting period so that the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping during the waiting period is set to And the individual piping is made to coincide with or close to the flow rate of the processing liquid flowing during the processing period.

이 구성에 의하면, 대기 기간 중에 개별 배관 내를 흐르는 처리액의 유량을, 처리 기간 중에 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시킬 수 있다. 이로써, 대기 기간 중에 개별 배관 내를 흐르는 처리액의 온도를, 처리 기간 중에 개별 배관 내를 흐르는 처리액의 온도와 대략 동일하게 하는 것이 가능해진다.According to this configuration, the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping during the waiting period can be matched with or close to the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping during the processing period. This makes it possible to make the temperature of the processing liquid flowing through the individual piping during the waiting period substantially equal to the temperature of the processing liquid flowing through the individual piping during the processing period.

탱크로부터 노즐에 이르기까지 처리액이 통과하는 유로의 길이는, 통상, 노즐마다 상이하다. 이것은, 압력 손실이 유로마다 상이한 것을 의미한다. 이 경우, 처리액을 동일한 공급압으로 복수의 유로에 보냈다고 해도, 처리액의 유량은, 유로마다 상이하다. 복수의 유로 간에 있어서의 유량의 차를 줄이고자 하는 경우에는, 처리액의 공급압을 유로마다 설정할 필요가 있다. 그러나, 이것은, 공급압의 설정이 복잡화되는 것을 의미한다.The length of the flow path through which the process liquid passes from the tank to the nozzles is usually different for each nozzle. This means that the pressure loss is different for each flow passage. In this case, even if the processing liquid is sent to a plurality of flow paths at the same supply pressure, the flow rate of the processing liquid differs for each flow path. When it is desired to reduce the difference in the flow rate between a plurality of flow paths, it is necessary to set the supply pressure of the processing liquid for each flow path. However, this means that the setting of the supply pressure is complicated.

복수의 개별 배관 간에 있어서 어느 정도의 유량의 차가 허용되는 것이면, 상기 제어 장치는, 상기 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 모든 상기 개별 배관에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치로 설정해도 된다. 마찬가지로, 복수의 개별 배관 간에 있어서 어느 정도의 유량의 차가 허용되는 것이면, 상기 제어 장치는, 상기 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 모든 상기 개별 배관에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로 설정해도 된다. 이들의 경우, 압력 설정치의 설정을 단순화할 수 있다.The control device may set the pressure set value in all of the individual piping to the process set value in at least a part of the processing period if a difference in flow amount between a plurality of individual piping is permissible. Likewise, if the difference in flow amount is allowed between a plurality of individual pipes, the control device may set the pressure set value in all the individual pipes to the standby setting value in at least a part of the waiting period do. In these cases, the setting of the pressure set point can be simplified.

혹은, 복수의 개별 배관 간에 있어서 유량의 차를 줄이고자 하는 것이면, 상기 제어 장치는, 복수의 상기 개별 배관에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 개별 배관마다 정해진 복수의 상기 처리용 설정치로 설정해도 된다. 마찬가지로, 복수의 개별 배관 간에 있어서 유량의 차를 줄이고자 하는 것이면, 상기 제어 장치는, 복수의 상기 개별 배관에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 개별 배관마다 정해진 복수의 상기 대기용 설정치로 설정해도 된다.Alternatively, if it is desired to reduce the difference in the flow rate among a plurality of individual pipes, the control device may set the pressure set value in the plurality of individual pipes to a plurality of the process setting values determined for each individual pipe. Likewise, if it is desired to reduce the difference in the flow rate among a plurality of individual pipes, the control device may set the pressure set values in the plurality of individual pipes to a plurality of the standby setting values set for each individual pipe.

상기 기판 처리 장치는, 상기 미처리의 기판을 수용한 캐리어가 놓이는 캐리어 재치대 (載置臺) 와, 상기 캐리어가 상기 캐리어 재치대에 있는지의 여부를 검출하는 캐리어 검출 센서를 포함하는 로드 포트를 추가로 구비하고, 상기 제어 장치는, 상기 미처리의 기판을 수용한 상기 캐리어가 상기 캐리어 재치대에 재치되면, 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로부터 상기 처리용 설정치로 변경한다.The substrate processing apparatus may further include a load port including a carrier mounting table on which a carrier accommodating the unprocessed substrate is placed and a carrier detection sensor for detecting whether or not the carrier is in the carrier mounting table And the control device changes the pressure setting value from the standby setting value to the processing setting value when the carrier accommodating the unprocessed substrate is placed on the carrier mounting table.

이 구성에 의하면, 미처리의 기판을 수용한 캐리어가, 로드 포트의 캐리어 재치대에 놓여진다. 이로써, 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 배치된다. 제어 장치는, 캐리어가 캐리어 재치대에 놓여진 것을 확인함과 동시에 또는 그 후에, 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 증가시킨다. 이로써, 압력 제어 밸브의 1 차측 압력이 처리액의 토출에 적합한 압력으로 높아진다.According to this configuration, the carrier accommodating the unprocessed substrate is placed on the carrier mount of the load port. Thereby, an unprocessed substrate is placed in the substrate processing apparatus. At the same time or after confirming that the carrier is placed on the carrier mount, the control device increases the pressure set value from the standby set value to the process set value. As a result, the pressure on the primary side of the pressure control valve is raised to a pressure suitable for discharge of the treatment liquid.

상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치에 있는 모든 기판의 처리가 완료되고 나서 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지, 다른 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 반입되지 않으면, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치로부터 상기 대기용 설정치로 변경한다.The control device may set the pressure setting value to the processing setting value when the substrate processing apparatus does not bring any other unprocessed substrate into the substrate processing apparatus until a predetermined waiting time elapses after the processing of all the substrates in the substrate processing apparatus is completed, To the waiting set value.

이 구성에 의하면, 제어 장치는, 기판 처리 장치에 있는 모든 기판이 처리된 후에, 다른 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 반입되었는지의 여부를 감시한다. 그리고, 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지 다른 미처리의 기판이 반입되지 않으면, 제어 장치는, 압력 설정치를 처리용 설정치로부터 대기용 설정치로 변경한다. 따라서, 모든 기판이 처리된 직후에, 다른 미처리의 기판이 반입되었다고 해도, 압력 설정치를 빈번하게 변경하지 않아도 된다.According to this configuration, after all the substrates in the substrate processing apparatus have been processed, the control apparatus monitors whether another unprocessed substrate is brought into the substrate processing apparatus. Then, if another unprocessed substrate is not brought in until the predetermined waiting time elapses, the control device changes the pressure setting value from the processing setting value to the standby setting value. Therefore, even if another unprocessed substrate is brought in immediately after all the substrates are processed, the pressure set value need not be frequently changed.

상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치 이외의 외부 장치와 통신하는 통신 장치를 포함하고, 상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 반입되는 것을 예고하는 예고 정보가 상기 외부 장치로부터 상기 통신 장치에 입력된 후, 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로부터 상기 처리용 설정치로 변경한다.Wherein the control device includes a communication device that communicates with an external device other than the substrate processing device, and wherein, when notice information for notifying that the unprocessed substrate is brought into the substrate processing device is input from the external device to the communication device The pressure setting value is changed from the standby setting value to the processing setting value.

이 구성에 의하면, 호스트 컴퓨터 등 기판 처리 장치 이외의 외부 장치가, 제어 장치의 통신 장치에 접속되어 있다. 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 반입되는 것을 예고하는 예고 정보가, 유선 통신 또는 무선 통신에 의해, 외부 장치로부터 통신 장치에 입력되면, 제어 장치는, 그것과 동시에 또는 그 후에, 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 증가시킨다. 이로써, 압력 제어 밸브의 1 차측 압력이 처리액의 토출에 적합한 압력으로 높아진다.According to this configuration, an external apparatus other than the substrate processing apparatus such as the host computer is connected to the communication apparatus of the control apparatus. When the notice information that predicts that the unprocessed substrate is brought into the substrate processing apparatus is input to the communication apparatus from the external apparatus by wired communication or wireless communication, the control apparatus sets the pressure set value at the same time Increase from the set value to the set value for processing. As a result, the pressure on the primary side of the pressure control valve is raised to a pressure suitable for discharge of the treatment liquid.

상기 기판 처리 장치는, 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하는 유량계를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus further includes a flow meter for detecting a flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe.

이 구성에 의하면, 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량이, 처리 기간 및 대기 기간에 있어서 유량계에 검출된다. 이로써, 처리액의 유량이 안정적인지의 여부를 감시할 수 있고, 처리액의 온도가 안정적인지의 여부를 감시할 수 있다.According to this configuration, the flow rate of the treatment liquid flowing through the circulation pipe is detected by the flow meter in the treatment period and the waiting period. This makes it possible to monitor whether or not the flow rate of the treatment liquid is stable, and it is possible to monitor whether or not the temperature of the treatment liquid is stable.

상기 기판 처리 장치는, 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 온도를 검출하는 온도 센서를 추가로 구비한다.The substrate processing apparatus further includes a temperature sensor for detecting the temperature of the processing liquid flowing through the circulation pipe.

이 구성에 의하면, 순환 배관을 흐르는 처리액의 온도가, 처리 기간 및 대기 기간에 있어서 온도 센서에 검출된다. 이로써, 처리액의 온도가 안정적인지의 여부를 감시할 수 있다.According to this configuration, the temperature of the treatment liquid flowing through the circulation pipe is detected by the temperature sensor in the treatment period and the waiting period. This makes it possible to monitor whether or not the temperature of the treatment liquid is stable.

본 발명의 그 밖의 실시형태는, 탱크에서 처리액을 저류하는 공정과, 기판 유지 수단에 의해 기판을 수평으로 유지하는 공정과, 상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 기판을 향하여 노즐에 토출시키는 공정과, 순환 배관에 상기 탱크 내의 처리액을 순환시키는 공정과, 송액 장치로 상기 탱크 내의 처리액을 상기 순환 배관에 보내는 공정과, 상기 송액 장치에 의해 상기 순환 배관에 보내진 상기 처리액의 온도를 가열 및 냉각의 적어도 일방을 실시하는 온도 조절기로 변경시키는 공정과, 공급 배관에 처리액을 상기 순환 배관으로부터 상기 노즐로 안내시키는 공정과, 상기 공급 배관에 개재 장착된 토출 밸브를, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환하는 공정과, 상기 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 센서로 검출하는 공정과, 상기 접속 위치의 하류의 개재 장착 위치에서 상기 순환 배관에 개재 장착된 압력 제어 밸브에, 상기 순환 배관 내의 처리액의 압력을 상기 압력 센서의 검출치에 따라 변경시킴으로써, 상기 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지하는 공정과, 미처리의 기판이 기판 처리 장치에 있는 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정하는 공정과, 상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 없는 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치보다 작은 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다. 이 구성에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.Another embodiment of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: storing a process liquid in a tank; holding the substrate horizontally by the substrate holding means; A step of circulating the treatment liquid in the tank to a circulation pipe, a step of sending the treatment liquid in the tank to the circulation pipe with a liquid delivery device, and a step of supplying the treatment liquid to the circulation pipe, A step of changing the temperature of the treatment liquid to a temperature controller that performs at least one of heating and cooling; a step of guiding the treatment liquid from the circulation line to the nozzle in the supply line; A discharge execution state in which supply of the process liquid to the nozzle from the supply pipe is performed, And a discharge stop state in which the supply of the process liquid to the nozzle is stopped from the discharge stop state in which the circulation pipe and the supply pipe are connected to each other; The pressure of the process liquid in the circulation pipe is changed in accordance with the detected value of the pressure sensor in the pressure control valve interposed in the circulation pipe at the intervening mounting position downstream of the connection position, A step of setting the pressure set value to a set value for processing in at least a part of a processing period in which the unprocessed substrate is in the substrate processing apparatus; Wherein, in at least a part of the waiting period, the pressure setting value is set to a standby setting value smaller than the processing setting value Defined by, and provides the circulation pipe to match the flow rate of the treatment liquid flowing in the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe in the process period or close-up substrate processing method, comprising the step of during said waiting period. According to this configuration, the same effect as the above-described effect can be obtained.

본 발명에 있어서의 전술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명확해진다.The above or other objects, features, and advantages of the present invention will become apparent from the following description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치를 위에서 본 모식도이다.
도 2 는, 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 내부를 수평하게 본 모식도이다.
도 3 은, 기판 처리 장치의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4 는, 기판 처리 장치에 의해 실시되는 기판의 처리의 일례를 설명하기 위한 공정도이다.
도 5 는, 기판 처리 장치의 약액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다.
도 6 은, 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력의 설정치를 나타내는 압력 설정치의 변경 순서의 일례를 설명하기 위한 공정 도이다.
도 7 은, 동일한 타워에 대응하는 3 개 토출 밸브의 상태의 시간적 변화와, 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량의 시간적 변화와, 압력 설정치의 시간적 변화의 일례를 나타내는 타임 차트이다.
도 8 은, 순환 배관 내의 각 위치에 있어서의 약액의 온도의 개략을 나타내는 그래프이다.1 is a schematic view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention viewed from above.
2 is a schematic view showing the inside of the processing unit provided in the substrate processing apparatus horizontally.
3 is a block diagram showing the electrical configuration of the substrate processing apparatus.
4 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate performed by the substrate processing apparatus.
5 is a schematic diagram showing a chemical liquid supply system of the substrate processing apparatus.
Fig. 6 is a process chart for explaining an example of a procedure for changing the pressure set value indicating the set value of the pressure of the processing liquid at the connection position where the circulation piping and the supply piping are connected to each other.
7 is a time chart showing an example of a temporal change of the state of the three discharge valves corresponding to the same tower, a temporal change of the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping, and a temporal change of the pressure set value.
8 is a graph showing an outline of the temperature of the chemical liquid at each position in the circulation pipe.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 를 위에서 본 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention viewed from above.

기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, FOUP (Front-Opening Unified Pod) 등의 캐리어 (C) 를 유지하는 복수의 로드 포트 (LP) 와, 복수의 로드 포트 (LP) 로부터 반송된 기판 (W) 을 처리액이나 처리 가스 등의 처리 유체로 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 을 포함한다. 로드 포트 (LP) 는, 캐리어 (C) 가 놓이는 캐리어 재치대 (LPa) 와, 캐리어 (C) 가 캐리어 재치대 (LPa) 에 있는지의 여부를 검출하는 캐리어 검출 센서 (LPb) 를 포함한다.The substrate processing apparatus 1 is a single wafer type apparatus for processing a substrate W on a disk substrate such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of load ports LP for holding a carrier C such as a front-opening unified pod (FOUP) and a plurality of load ports LP for holding a substrate W carried from a plurality of load ports LP And a plurality of processing units (2) for processing with processing fluid such as liquid or processing gas. The load port LP includes a carrier mounting table LPa on which the carrier C is placed and a carrier detecting sensor LPb which detects whether or not the carrier C is on the carrier mounting table LPa.

기판 처리 장치 (1) 는, 추가로, 로드 포트 (LP) 와 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇을 포함한다. 반송 로봇은, 인덱서 로봇 (IR) 과, 센터 로봇 (CR) 을 포함한다. 인덱서 로봇 (IR) 은, 로드 포트 (LP) 와, 센터 로봇 (CR) 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 센터 로봇 (CR) 은, 인덱서 로봇 (IR) 과 처리 유닛 (2) 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 인덱서 로봇 (IR) 은, 기판 (W) 을 지지하는 핸드 (H1) 를 포함한다. 마찬가지로, 센터 로봇 (CR) 은, 기판 (W) 을 지지하는 핸드 (H2) 를 포함한다.The substrate processing apparatus 1 further includes a transfer robot for transferring the substrate W between the load port LP and the processing unit 2. The carrying robot includes an indexer robot (IR) and a center robot (CR). The indexer robot IR transports the substrate W between the load port LP and the center robot CR. The center robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 2. [ The indexer robot IR includes a hand H1 for supporting the substrate W. Similarly, the center robot CR includes a hand H2 for supporting the substrate W. [

기판 처리 장치 (1) 는, 후술하는 토출 밸브 (23) 등의 유체 기기를 수용하는 복수 (예를 들어 4 개) 의 유체 박스 (4) 를 포함한다. 처리 유닛 (2) 및 유체 박스 (4) 는, 기판 처리 장치 (1) 의 외벽 (1a) 중에 배치되어 있고, 기판 처리 장치 (1) 의 외벽 (1a) 으로 덮여 있다. 후술하는 탱크 (40) 등을 수용하는 캐비넷 (5) 은, 기판 처리 장치 (1) 의 외벽 (1a) 의 밖에 배치되어 있다. 캐비넷 (5) 은, 기판 처리 장치 (1) 의 측방에 배치되어 있어도 되고, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되는 클린 룸 아래 (지하) 에 배치되어 있어도 된다.The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of (for example, four) fluid boxes 4 that accommodate fluid devices such as a discharge valve 23, which will be described later. The processing unit 2 and the fluid box 4 are disposed in the outer wall 1a of the substrate processing apparatus 1 and are covered with the outer wall 1a of the substrate processing apparatus 1. [ The cabinet 5 accommodating the tank 40 and the like described later is disposed outside the outer wall 1a of the substrate processing apparatus 1. [ The cabinet 5 may be disposed on the side of the substrate processing apparatus 1 or may be disposed under a clean room where the substrate processing apparatus 1 is installed.

복수의 처리 유닛 (2) 은, 평면에서 보았을 때 센터 로봇 (CR) 을 둘러싸도록 배치된 복수 (예를 들어 4 개) 의 타워를 형성하고 있다. 각 타워는, 상하에 적층된 복수 (예를 들어 3 개) 의 처리 유닛 (2) 을 포함한다. 4 개의 유체 박스 (4) 는, 각각, 4 개의 타워에 대응하고 있다. 캐비넷 (5) 내의 약액은, 어느 유체 박스 (4) 를 개재하여, 당해 유체 박스 (4) 에 대응하는 타워에 포함되는 모든 처리 유닛 (2) 에 공급된다.The plurality of processing units 2 form a plurality of (for example, four) towers arranged so as to surround the center robot CR when viewed in a plan view. Each tower includes a plurality of (for example, three) processing units 2 stacked one above the other. The four fluid boxes 4 correspond to four towers, respectively. The chemical liquid in the cabinet 5 is supplied to all the processing units 2 included in the tower corresponding to the fluid box 4 via the fluid box 4.

미처리의 기판 (W) 이 수용된 캐리어 (C) 는, 반도체 장치 등을 제조하는 제조 공장에 설치된 캐리어 반송 로봇 (R1) 에 의해 로드 포트 (LP) 상에 놓여진다. 그 후, 캐리어 (C) 내의 기판 (W) 이, 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 에 의해 어느 처리 유닛 (2) 에 반송되고, 처리 유닛 (2) 에서 처리된다. 처리 유닛 (2) 에서 처리된 처리가 완료된 기판 (W) 은, 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 에 의해 로드 포트 (LP) 상의 동일한 캐리어 (C) 에 반송된다. 처리가 완료된 기판 (W) 이 수용된 캐리어 (C) 는, 캐리어 반송 로봇 (R1) 에 의해 다음의 처리를 실시하는 장치에 반송된다.The carrier C in which the unprocessed substrate W is accommodated is placed on the load port LP by the carrier transport robot R1 installed in a manufacturing factory for manufacturing a semiconductor device or the like. Thereafter, the substrate W in the carrier C is conveyed to the processing unit 2 by the indexer robot IR and the center robot CR, and processed in the processing unit 2. [ The substrate W on which the processing processed in the processing unit 2 has been completed is carried to the same carrier C on the load port LP by the indexer robot IR and the center robot CR. The carrier C in which the processed wafers W are accommodated is conveyed by the carrier carrying robot R 1 to an apparatus for performing the following processing.

도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 처리 유닛 (2) 의 내부를 수평하게 본 모식도이다.2 is a schematic view showing the inside of the processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1 horizontally.

처리 유닛 (2) 은, 내부 공간을 갖는 상자형의 챔버 (6) 와, 챔버 (6) 내에서 기판 (W) 을 수평으로 유지하면서 기판 (W) 의 중앙부를 지나는 연직인 회전 축선 (A1) 둘레로 회전시키는 스핀 척 (10) 과, 기판 (W) 으로부터 배출된 처리액을 받아내는 통 형상의 컵 (14) 을 포함한다. 스핀 척 (10) 은, 기판 유지 수단 및 기판 유지 유닛의 일례이다.The processing unit 2 includes a box-shaped chamber 6 having an inner space and a vertical rotation axis A1 passing through the central portion of the substrate W while holding the substrate W horizontally in the chamber 6. [ And a tubular cup 14 for receiving the process liquid discharged from the substrate W. The spin chuck 10 rotates around the spin chuck 10, The spin chuck 10 is an example of the substrate holding means and the substrate holding unit.

챔버 (6) 는, 기판 (W) 이 통과하는 반입 반출구가 형성된 상자형의 격벽 (8) 과, 반입 반출구를 개폐하는 셔터 (9) 와, 필터에 의해 여과된 공기인 클린 에어의 다운 플로를 챔버 (6) 내에 형성하는 FFU (7) (팬·필터·유닛) 을 포함한다. 센터 로봇 (CR) 은, 반입 반출구를 통해서 챔버 (6) 에 기판 (W) 을 반입하고, 반입 반출구를 통해서 챔버 (6) 로부터 기판 (W) 을 반출한다.The chamber 6 is provided with a box-shaped partition wall 8 having a loading / unloading port through which the substrate W passes, a shutter 9 for opening and closing the loading / unloading port, And an FFU 7 (fan / filter unit) for forming a flow in the chamber 6. The center robot CR loads the substrate W into the chamber 6 through the loading and unloading port and unloads the substrate W from the chamber 6 through the loading and unloading port.

스핀 척 (10) 은, 수평한 자세로 유지된 원판상의 스핀 베이스 (12) 와, 스핀 베이스 (12) 의 상방에서 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지하는 복수의 척 핀 (11) 과, 척 핀 (11) 및 스핀 베이스 (12) 를 회전시킴으로써 회전 축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 모터 (13) 를 포함한다. 스핀 척 (10) 은, 복수의 척 핀 (11) 을 기판 (W) 의 외주면에 접촉시키는 협지식의 척에 한정되지 않고, 비디바이스 형성면인 기판 (W) 의 이면 (하면) 을 스핀 베이스 (12) 의 상면에 흡착시킴으로써 기판 (W) 을 수평으로 유지하는 버큠식의 척이어도 된다.The spin chuck 10 includes a spin base 12 on a disk held in a horizontal posture, a plurality of chuck pins 11 for holding the substrate W in a horizontal posture above the spin base 12, And a spin motor 13 that rotates the chuck pin 11 and the spin base 12 to rotate the substrate W about the rotation axis A1. The spin chuck 10 is not limited to a narrow chuck for contacting a plurality of chuck pins 11 with the outer circumferential surface of the substrate W, Or a chuck type chuck that holds the substrate W horizontally by being adsorbed on the upper surface of the substrate 12.

컵 (14) 은, 회전 축선 (A1) 을 향해 상방으로 경사지게 연장되는 통 형상의 경사부 (14a) 와, 경사부 (14a) 의 하단부 (외단부) 로부터 하방으로 연장되는 원통상의 안내부 (14b) 와, 상향으로 개방된 환상의 홈을 형성하는 액받이부 (14c) 를 포함한다. 경사부 (14a) 는, 기판 (W) 및 스핀 베이스 (12) 보다 큰 내경을 갖는 원환상의 상단을 포함한다. 경사부 (14a) 의 상단은, 컵 (14) 의 상단에 상당한다. 컵 (14) 의 상단은, 평면에서 보아 기판 (W) 및 스핀 베이스 (12) 를 둘러싸고 있다.The cup 14 includes a cylindrical inclined portion 14a extending upwardly toward the axis of rotation A1 and a cylindrical guide portion extending downward from the lower end (outer end) of the inclined portion 14a 14b, and a liquid receiving portion 14c forming an annular groove opened upward. The inclined portion 14a includes an upper end of an annular shape having an inner diameter larger than that of the substrate W and the spin base 12. [ The upper end of the inclined portion 14a corresponds to the upper end of the cup 14. The upper end of the cup 14 surrounds the substrate W and the spin base 12 in plan view.

처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (10) 이 기판 (W) 을 유지하는 유지 위치보다 컵 (14) 의 상단이 상방에 위치하는 상측 위치 (도 2 에 나타내는 위치) 와, 컵 (14) 의 상단이 유지 위치보다 하방에 위치하는 하측 위치 사이에서, 컵 (14) 을 연직으로 승강시키는 컵 승강 유닛 (15) 을 포함한다. 처리액이 기판 (W) 에 공급될 때, 컵 (14) 은 상측 위치에 배치된다. 기판 (W) 으로부터 외방 (外方) 으로 비산된 처리액은, 경사부 (14a) 에 의해 받아내진 후, 안내부 (14b) 에 의해 액받이부 (14c) 내에 모인다.The processing unit 2 is provided with an upper position (the position shown in Fig. 2) in which the upper end of the cup 14 is located above the holding position at which the spin chuck 10 holds the substrate W And a cup elevating unit (15) for vertically lifting the cup (14) between the lower position where the upper end is located below the holding position. When the processing liquid is supplied to the substrate W, the cup 14 is disposed at the upper position. The processing liquid scattered from the substrate W to the outside is taken out by the inclined portion 14a and then gathered in the liquid receiving portion 14c by the guiding portion 14b.

처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (10) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면을 향하여 린스액을 하방으로 토출시키는 린스액 노즐 (16) 을 포함한다. 린스액 노즐 (16) 은, 린스액 밸브 (18) 가 개재 장착된 린스액 배관 (17) 에 접속되어 있다. 처리 유닛 (2) 은, 린스액 노즐 (16) 로부터 토출된 린스액이 기판 (W) 에 공급되는 처리 위치와, 린스액 노즐 (16) 이 평면에서 보아 기판 (W) 으로부터 떨어진 퇴피 위치 사이에서 린스액 노즐 (16) 을 수평하게 이동시키는 노즐 이동 유닛을 구비하고 있어도 된다.The processing unit 2 includes a rinsing liquid nozzle 16 for discharging the rinsing liquid downward toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The rinsing liquid nozzle 16 is connected to a rinsing liquid pipe 17 having a rinsing liquid valve 18 interposed therebetween. The processing unit 2 is a processing unit that is disposed between the processing position where the rinsing liquid discharged from the rinsing liquid nozzle 16 is supplied to the substrate W and the retreat position where the rinsing liquid nozzle 16 is separated from the substrate W And a nozzle moving unit for moving the rinsing liquid nozzle 16 horizontally.

린스액 밸브 (18) 가 개방되면, 린스액이, 린스액 배관 (17) 으로부터 린스액 노즐 (16) 에 공급되어, 린스액 노즐 (16) 로부터 토출된다. 린스액은, 예를 들어, 순수 (탈이온수 : Deionized water) 이다. 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수의 어느 것이어도 된다.When the rinse liquid valve 18 is opened, the rinse liquid is supplied from the rinse liquid pipe 17 to the rinse liquid nozzle 16, and is discharged from the rinse liquid nozzle 16. The rinse liquid is, for example, deionized water. The rinsing liquid is not limited to pure water, and may be any of carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogenated water, ozonated water, and hydrochloric acid having a dilution concentration (for example, about 10 to 100 ppm).

처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (10) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액을 하방으로 토출시키는 약액 노즐 (21) 을 포함한다. 약액 노즐 (21) 은, 토출 밸브 (23), 유량계 (24), 및 유량 조정 밸브 (25) 가 개재 장착된 공급 배관 (22) 에 접속되어 있다. 약액 노즐 (21) 에 대한 약액의 공급 및 공급 정지는, 토출 밸브 (23) 에 의해 전환된다. 약액 노즐 (21) 에 공급되는 약액의 유량은, 유량계 (24) 에 검출된다. 이 유량은, 유량 조정 밸브 (25) 에 의해 변경된다.The processing unit 2 includes a chemical liquid nozzle 21 for discharging the chemical liquid downward toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 10. The chemical liquid nozzle 21 is connected to a supply pipe 22 having a discharge valve 23, a flow meter 24, and a flow control valve 25 interposed therebetween. The supply and stop of the supply of the chemical liquid to the chemical liquid nozzle 21 is switched by the discharge valve 23. [ The flow rate of the chemical liquid supplied to the chemical liquid nozzle 21 is detected by the flow meter 24. This flow rate is changed by the flow rate regulating valve 25.

토출 밸브 (23) 가 개방되면, 약액이, 유량 조정 밸브 (25) 의 개도에 대응하는 유량으로 공급 배관 (22) 으로부터 약액 노즐 (21) 에 공급되어, 약액 노즐 (21) 로부터 토출된다. 약액 노즐 (21) 에 공급되는 약액은, 예를 들어, 황산, 질산, 염산, 불산, 인산, 아세트산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어, 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 및 부식 방지제의 적어도 1 개를 함유하는 액이다. 이외의 액체가 약액 노즐 (21) 에 공급되어도 된다.When the discharge valve 23 is opened, the chemical liquid is supplied from the supply pipe 22 to the chemical liquid nozzle 21 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow control valve 25, and is discharged from the chemical liquid nozzle 21. The chemical liquid to be supplied to the chemical liquid nozzle 21 may be, for example, sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, acetic acid, ammonia water, hydrogen peroxide water, organic acids , TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), a surfactant, and a corrosion inhibitor. Liquid other than the liquid may be supplied to the chemical liquid nozzle 21. [

토출 밸브 (23) 는, 공급 배관 (22) 으로부터 약액 노즐 (21) 에 대한 약액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 공급 배관 (22) 으로부터 약액 노즐 (21) 에 대한 약액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환된다. 토출 정지 상태는, 밸브체가 밸브 시트로부터 떨어진 상태여도 된다. 도시는 하지 않지만, 토출 밸브 (23) 는, 약액이 흐르는 내부 유로를 둘러싸는 환상의 밸브 시트를 포함하는 밸브 보디와, 내부 유로에 배치되어 있고, 밸브 시트에 대해 이동 가능한 밸브체를 포함한다. 토출 밸브 (23) 는, 공기압에 의해 개도가 변경되는 공기 작동 밸브 (air operated valve) 여도 되고, 전력에 의해 개도가 변경되는 전동 밸브여도 된다.The discharge valve 23 is a discharge valve that discharges the chemical liquid from the supply pipe 22 to the chemical liquid nozzle 21 and stops the supply of the chemical liquid from the supply pipe 22 to the chemical liquid nozzle 21 Discharge stop state. The discharge stop state may be such that the valve body is separated from the valve seat. Although not shown, the discharge valve 23 includes a valve body including an annular valve seat surrounding an internal flow passage through which a chemical liquid flows, and a valve body disposed in the internal flow passage and movable relative to the valve seat. The discharge valve 23 may be an air operated valve whose opening degree is changed by air pressure or a motorized valve whose opening degree is changed by electric power.

처리 유닛 (2) 은, 약액 노즐 (21) 로부터 토출된 약액이 기판 (W) 의 상면에 공급되는 처리 위치와, 약액 노즐 (21) 이 평면에서 보아 기판 (W) 으로부터 떨어진 퇴피 위치 사이에서 약액 노즐 (21) 을 수평하게 이동시키는 노즐 이동 유닛 (26) 을 포함한다. 노즐 이동 유닛 (26) 은, 예를 들어, 컵 (14) 의 둘레에서 연직으로 연장되는 요동 축선 (A2) 둘레로 약액 노즐 (21) 을 수평하게 이동시키는 선회 유닛이다.The processing unit 2 is a processing unit that is arranged between the processing position where the chemical liquid ejected from the chemical liquid nozzle 21 is supplied to the upper surface of the substrate W and the retreat position where the chemical liquid nozzle 21 is away from the substrate W, And a nozzle moving unit 26 for moving the nozzle 21 horizontally. The nozzle moving unit 26 is a swiveling unit that horizontally moves the chemical liquid nozzle 21 around the swing axis line A2 extending vertically around the cup 14, for example.

도 3 은, 기판 처리 장치 (1) 의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.3 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing apparatus 1. As shown in Fig.

기판 처리 장치 (1) 는, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 제어 장치 (3) 는, 컴퓨터 본체 (30) 와, 컴퓨터 본체 (30) 에 접속된 주변 장치 (33) 를 포함한다. 컴퓨터 본체 (30) 는, 각종 명령을 실행하는 CPU (31) (central processing unit : 중앙 처리 장치) 와, 정보를 기억하는 주기억 장치 (32) 를 포함한다. 주변 장치 (33) 는, 프로그램 (P) 등의 정보를 기억하는 보조 기억 장치 (34) 와, 리무버블 미디어 (M) 로부터 정보를 판독하는 판독 장치 (35) 와, 호스트 컴퓨터 (HC) 등의 제어 장치 (3) 이외의 장치와 통신하는 통신 장치 (36) 를 포함한다.The substrate processing apparatus 1 includes a control apparatus 3 for controlling the substrate processing apparatus 1. [ The control device 3 includes a computer main body 30 and a peripheral device 33 connected to the computer main body 30. [ The computer main body 30 includes a CPU 31 (central processing unit) for executing various commands and a main memory 32 for storing information. The peripheral device 33 includes an auxiliary storage device 34 for storing information such as a program P, a reading device 35 for reading information from the removable medium M, And a communication device (36) for communicating with an apparatus other than the control device (3).

제어 장치 (3) 는, 입력 장치 (37) 및 표시 장치 (38) 에 접속되어 있다. 입력 장치 (37) 는, 사용자나 메인터넌스 담당자 등의 조작자가 기판 처리 장치 (1) 에 정보를 입력할 때에 조작된다. 정보는, 표시 장치 (38) 의 화면에 표시된다. 입력 장치 (37) 는, 키보드, 포인팅 디바이스, 및 터치 패널의 어느 것이어도 되고, 이것들 이외의 장치여도 된다. 입력 장치 (37) 및 표시 장치 (38) 를 겸하는 터치 패널 디스플레이가 기판 처리 장치 (1) 에 형성되어 있어도 된다.The control device 3 is connected to the input device 37 and the display device 38. The input device 37 is operated when an operator such as a user or a person in charge of maintenance inputs information into the substrate processing apparatus 1. [ The information is displayed on the screen of the display device 38. The input device 37 may be a keyboard, a pointing device, or a touch panel, or may be a device other than these. A touch panel display serving also as the input device 37 and the display device 38 may be formed in the substrate processing apparatus 1. [

CPU (31) 는, 보조 기억 장치 (34) 에 기억된 프로그램 (P) 을 실행한다. 보조 기억 장치 (34) 내의 프로그램 (P) 은, 제어 장치 (3) 에 미리 인스톨된 것이어도 되고, 판독 장치 (35) 를 통해서 리무버블 미디어 (M) 로부터 보조 기억 장치 (34) 에 보내진 것이어도 되고, 호스트 컴퓨터 (HC) 등의 외부 장치로부터 통신 장치 (36) 를 통해서 보조 기억 장치 (34) 에 보내진 것이어도 된다.The CPU 31 executes the program P stored in the auxiliary memory device 34. [ The program P in the auxiliary storage device 34 may be either preinstalled in the control device 3 or sent from the removable medium M to the auxiliary storage device 34 via the reading device 35 And may be sent from an external device such as a host computer HC to the auxiliary storage device 34 via the communication device 36. [

보조 기억 장치 (34) 및 리무버블 미디어 (M) 는, 전력이 공급되어 있지 않아도 기억을 유지하는 불휘발성 메모리이다. 보조 기억 장치 (34) 는, 예를 들어, 하드 디스크 드라이브 등의 자기 기억 장치이다. 리무버블 미디어 (M) 는, 예를 들어, 콤팩트 디스크 등의 광 디스크 또는 메모리 카드 등의 반도체 메모리이다. 리무버블 미디어 (M) 는, 프로그램 (P) 이 기록된 컴퓨터 독해 가능한 기록 매체의 일례이다.The auxiliary memory device 34 and the removable medium M are nonvolatile memories that retain their memory even when power is not supplied. The auxiliary storage device 34 is, for example, a magnetic storage device such as a hard disk drive. The removable medium M is, for example, a semiconductor memory such as an optical disk such as a compact disk or a memory card. The removable medium M is an example of a computer-readable recording medium on which the program P is recorded.

제어 장치 (3) 는, 호스트 컴퓨터 (HC) 에 의해 지정된 레시피에 따라 기판 (W) 이 처리되도록 기판 처리 장치 (1) 를 제어한다. 보조 기억 장치 (34) 는, 복수의 레시피를 기억하고 있다. 레시피는, 기판 (W) 의 처리 내용, 처리 조건, 및 처리 순서를 규정하는 정보이다. 복수의 레시피는, 기판 (W) 의 처리 내용, 처리 조건, 및 처리 순서의 적어도 하나에 있어서 서로 상이하다. 기판 (W) 에 공급되는 약액의 유량 및 온도는, 레시피에 포함되어 있다. 보조 기억 장치 (34) 는, 복수의 약액의 유량에 각각 대응하는 복수 조 (組) 의 처리용 설정치 및 대기용 설정치를 기억하고 있다. 처리용 설정치 및 대기용 설정치에 대해서는 후술한다.The control device 3 controls the substrate processing apparatus 1 so that the substrate W is processed according to a recipe specified by the host computer HC. The auxiliary storage device 34 stores a plurality of recipes. The recipe is information specifying the processing contents of the substrate W, the processing conditions, and the processing order. The plurality of recipes are different from each other in at least one of the processing contents of the substrate W, the processing conditions, and the processing order. The flow rate and the temperature of the chemical liquid supplied to the substrate W are included in the recipe. The auxiliary memory device 34 stores a plurality of sets of processing setting values and standby setting values corresponding to the flow rates of a plurality of chemical liquids, respectively. The processing setting value and waiting setting value will be described later.

도 4 는, 기판 처리 장치 (1) 에 의해 실시되는 기판 (W) 의 처리의 일례를 설명하기 위한 공정도이다. 이하에서는, 도 1, 2, 및 도 4 를 참조한다. 이하의 각 공정은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 이하의 각 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.Fig. 4 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1. Fig. In the following, reference is made to Figs. 1, 2 and 4. Each of the following processes is executed by the control device 3 controlling the substrate processing apparatus 1. [ In other words, the control device 3 is programmed to execute the following respective steps.

기판 처리 장치 (1) 에 의해 기판 (W) 이 처리될 때에는, 챔버 (6) 내에 기판 (W) 을 반입하는 반입 공정이 실시된다 (도 4 의 스텝 S1).When the substrate W is processed by the substrate processing apparatus 1, a carrying-in process for carrying the substrate W into the chamber 6 is performed (step S1 in Fig. 4).

구체적으로는, 약액 노즐 (21) 이 기판 (W) 의 상방으로부터 퇴피하고 있고, 컵 (14) 이 하측 위치에 위치하고 있는 상태에서, 센터 로봇 (CR) (도 1 참조) 이, 기판 (W) 을 핸드 (H2) 로 지지하면서, 핸드 (H2) 를 챔버 (6) 내에 진입시킨다. 그 후, 센터 로봇 (CR) 은, 기판 (W) 의 표면이 위로 향해진 상태에서 핸드 (H2) 상의 기판 (W) 을 스핀 척 (10) 위에 둔다. 스핀 모터 (13) 는, 기판 (W) 이 척 핀 (11) 에 의해 파지된 후, 기판 (W) 의 회전을 개시시킨다. 센터 로봇 (CR) 은, 기판 (W) 을 스핀 척 (10) 위에 둔 후, 핸드 (H2) 를 챔버 (6) 의 내부로부터 퇴피시킨다.More specifically, the center robot CR (see Fig. 1) is positioned on the substrate W in a state in which the chemical liquid nozzle 21 is retracted from above the substrate W and the cup 14 is positioned at the lower position, While the hand H2 is supported by the hand H2. Thereafter, the center robot CR places the substrate W on the hand H2 on the spin chuck 10 with the surface of the substrate W facing upward. The spin motor 13 starts rotation of the substrate W after the substrate W is gripped by the chuck pin 11. [ The center robot CR retracts the hand H 2 from the inside of the chamber 6 after placing the substrate W on the spin chuck 10.

다음으로, 약액을 기판 (W) 에 공급하는 약액 공급 공정이 실시된다 (도 4 의 스텝 S2).Next, a chemical liquid supply step for supplying the chemical liquid to the substrate W is performed (step S2 in Fig. 4).

구체적으로는, 노즐 이동 유닛 (26) 이, 약액 노즐 (21) 을 처리 위치로 이동시키고, 컵 승강 유닛 (15) 이, 컵 (14) 을 상측 위치까지 상승시킨다. 그 후, 토출 밸브 (23) 가 개방되어, 약액 노즐 (21) 이 약액의 토출을 개시한다. 약액 노즐 (21) 이 약액을 토출시키고 있을 때, 노즐 이동 유닛 (26) 은, 약액 노즐 (21) 로부터 토출된 약액이 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액되는 중앙 처리 위치와, 약액 노즐 (21) 로부터 토출된 약액이 기판 (W) 의 상면 외주부에 착액되는 외주 처리 위치 사이에서 약액 노즐 (21) 을 이동시켜도 되고, 약액의 착액 위치가 기판 (W) 의 상면 중앙부에 위치하도록 약액 노즐 (21) 을 정지시켜도 된다.Specifically, the nozzle moving unit 26 moves the chemical liquid nozzle 21 to the processing position, and the cup elevating unit 15 raises the cup 14 to the upper position. Thereafter, the discharge valve 23 is opened, and the chemical liquid nozzle 21 starts discharging the chemical liquid. When the chemical liquid nozzle 21 discharges the chemical liquid, the nozzle moving unit 26 moves the central processing position where the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 21 is adhered to the central portion of the upper surface of the substrate W, The chemical liquid nozzle 21 may be moved between the outer peripheral processing positions where the chemical liquid discharged from the chemical liquid nozzle 21 is molten at the outer peripheral portion of the upper surface of the substrate W, ) May be stopped.

약액 노즐 (21) 로부터 토출된 약액은, 기판 (W) 의 상면에 착액된 후, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 약액의 액막이 형성되어, 기판 (W) 의 상면 전역에 약액이 공급된다. 특히, 노즐 이동 유닛 (26) 이 약액 노즐 (21) 을 중앙 처리 위치와 외주 처리 위치 사이에서 이동시키는 경우에는, 기판 (W) 의 상면 전역이 약액의 착액 위치에서 주사되므로, 약액이 기판 (W) 의 상면 전역에 균일하게 공급된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면이 균일하게 처리된다. 토출 밸브 (23) 가 개방되고 나서 소정 시간이 경과하면, 토출 밸브 (23) 가 폐쇄되어 약액 노즐 (21) 로부터의 약액의 토출이 정지된다. 그 후, 노즐 이동 유닛 (26) 이 약액 노즐 (21) 을 퇴피 위치로 이동시킨다.The chemical liquid ejected from the chemical liquid nozzle 21 flows on the upper surface of the substrate W, and then flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. As a result, a liquid film of a chemical liquid covering the entire upper surface of the substrate W is formed, and the chemical liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W. Particularly, when the nozzle moving unit 26 moves the chemical liquid nozzle 21 between the central processing position and the outer peripheral processing position, the entire upper surface of the substrate W is scanned at the chemical liquid adhering position, In the upper surface. Thereby, the upper surface of the substrate W is treated uniformly. When the predetermined time has elapsed since the discharge valve 23 is opened, the discharge valve 23 is closed and the discharge of the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 21 is stopped. Thereafter, the nozzle moving unit 26 moves the chemical liquid nozzle 21 to the retreat position.

다음으로, 린스액의 일례인 순수를 기판 (W) 의 상면에 공급하는 린스액 공급 공정이 실시된다 (도 4 의 스텝 S3).Next, a rinsing liquid supplying step for supplying pure water, which is an example of the rinsing liquid, to the upper surface of the substrate W is performed (step S3 in Fig. 4).

구체적으로는, 린스액 밸브 (18) 가 개방되어, 린스액 노즐 (16) 이 순수의 토출을 개시한다. 기판 (W) 의 상면에 착액된 순수는, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 기판 (W) 상의 약액은, 린스액 노즐 (16) 로부터 토출된 순수에 의해 씻겨 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전역을 덮는 순수의 액막이 형성된다. 린스액 밸브 (18) 가 개방되고 나서 소정 시간이 경과하면, 린스액 밸브 (18) 가 폐쇄되어, 순수의 토출이 정지된다.Specifically, the rinsing liquid valve 18 is opened, and the rinsing liquid nozzle 16 starts discharging pure water. The pure water mingled on the upper surface of the substrate W flows outward along the upper surface of the rotating substrate W. The chemical liquid on the substrate W is rinsed by the pure water discharged from the rinsing liquid nozzle 16. As a result, a pure liquid film covering the entire upper surface of the substrate W is formed. When a predetermined time has elapsed since the rinse liquid valve 18 is opened, the rinse liquid valve 18 is closed and the discharge of pure water is stopped.

다음으로, 기판 (W) 의 고속 회전에 의해 기판 (W) 을 건조시키는 건조 공정이 실시된다 (도 4 의 스텝 S4).Next, a drying step of drying the substrate W by high-speed rotation of the substrate W is performed (step S4 in Fig. 4).

구체적으로는, 스핀 모터 (13) 가 기판 (W) 을 회전 방향으로 가속시켜, 약액 공급 공정 및 린스액 공급 공정에서의 기판 (W) 의 회전 속도보다 큰 고회전 속도 (예를 들어 수천 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이로써, 액체가 기판 (W) 으로부터 제거되어 기판 (W) 이 건조된다. 기판 (W) 의 고속 회전이 개시되고 나서 소정 시간이 경과하면, 스핀 모터 (13) 가 회전을 정지시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 회전이 정지된다.More specifically, the spin motor 13 accelerates the substrate W in the rotating direction to rotate the substrate W at a high rotation speed (for example, several thousand rpm) larger than the rotation speed of the substrate W in the chemical liquid supply step and the rinsing liquid supply step The substrate W is rotated. Thereby, the liquid is removed from the substrate W and the substrate W is dried. When a predetermined time has elapsed since the start of the high-speed rotation of the substrate W, the spin motor 13 stops the rotation. Thereby, the rotation of the substrate W is stopped.

다음으로, 기판 (W) 을 챔버 (6) 로부터 반출하는 반출 공정이 실시된다 (도 4 의 스텝 S5).Next, a carrying-out step of carrying the substrate W out of the chamber 6 is carried out (step S5 in Fig. 4).

구체적으로는, 컵 승강 유닛 (15) 이, 컵 (14) 을 하측 위치까지 하강시킨다. 그 후, 센터 로봇 (CR) (도 1 참조) 이, 핸드 (H2) 를 챔버 (6) 내에 진입시킨다. 센터 로봇 (CR) 은, 복수의 척 핀 (11) 이 기판 (W) 의 파지를 해제한 후, 스핀 척 (10) 상의 기판 (W) 을 핸드 (H2) 로 지지한다. 그 후, 센터 로봇 (CR) 은, 기판 (W) 을 핸드 (H2) 로 지지하면서, 핸드 (H2) 를 챔버 (6) 의 내부로부터 퇴피시킨다. 이로써, 처리가 완료된 기판 (W) 이 챔버 (6) 로부터 반출된다.Specifically, the cup elevating unit 15 moves down the cup 14 to the lower position. Thereafter, the center robot CR (see Fig. 1) enters the hand H2 into the chamber 6. Then, The center robot CR supports the substrate W on the spin chuck 10 with the hand H2 after a plurality of chuck pins 11 release grasp of the substrate W. [ Thereafter, the center robot CR retracts the hand H2 from the inside of the chamber 6 while supporting the substrate W with the hand H2. Thereby, the processed substrate W is taken out of the chamber 6.

도 5 는, 기판 처리 장치 (1) 의 약액 공급 시스템을 나타내는 모식도이다. 도 5 에서는, 유체 박스 (4) 를 일점 쇄선으로 나타내고 있고, 약액 캐비넷 (5) 을 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 일점 쇄선으로 둘러싸인 영역에 배치된 부재는 유체 박스 (4) 내에 배치되어 있고, 이점 쇄선으로 둘러싸인 영역에 배치된 부재는 약액 캐비넷 (5) 내에 배치되어 있다.Fig. 5 is a schematic diagram showing the chemical liquid supply system of the substrate processing apparatus 1. Fig. In Fig. 5, the fluid box 4 is indicated by a dot-dash line, and the chemical liquid cabinet 5 is indicated by a two-dot chain line. The members disposed in the area enclosed by the one-dot chain line are disposed in the fluid box 4, and the members disposed in the area surrounded by the two-dot chain line are disposed in the chemical liquid cabinet 5. [

기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 에 공급되는 약액을 저류하는 탱크 (40) 와, 탱크 (40) 내의 약액을 순환시키는 순환 배관 (41) 을 포함한다. 순환 배관 (41) 은, 탱크 (40) 로부터 하류로 연장되는 상류 배관 (42) 과, 상류 배관 (42) 으로부터 분기된 복수의 개별 배관 (43) 과, 각 개별 배관 (43) 으로부터 탱크 (40) 까지 하류로 연장되는 하류 배관 (44) 을 포함한다.The substrate processing apparatus 1 includes a tank 40 for storing the chemical liquid to be supplied to the substrate W and a circulation pipe 41 for circulating the chemical liquid in the tank 40. [ The circulation pipe 41 has an upstream pipe 42 extending downstream from the tank 40, a plurality of individual pipes 43 branched from the upstream pipe 42, ) Downstream of the downstream piping 44.

상류 배관 (42) 의 상류단은, 탱크 (40) 에 접속되어 있다. 하류 배관 (44) 의 하류단은, 탱크 (40) 에 접속되어 있다. 상류 배관 (42) 의 상류단은, 순환 배관 (41) 의 상류단에 상당하고, 하류 배관 (44) 의 하류단은, 순환 배관 (41) 의 하류단에 상당한다. 각 개별 배관 (43) 은, 상류 배관 (42) 의 하류단으로부터 하류 배관 (44) 의 상류단으로 연장되어 있다. 하류 배관 (44) 의 하류단 대신에, 개별 배관 (43) 의 하류단이 탱크 (40) 에 접속되어 있어도 된다. 요컨대, 하류 배관 (44) 이 생략되어도 된다.The upstream end of the upstream pipe 42 is connected to the tank 40. The downstream end of the downstream pipe (44) is connected to the tank (40). The upstream end of the upstream pipe 42 corresponds to the upstream end of the circulation pipe 41 and the downstream end of the downstream pipe 44 corresponds to the downstream end of the circulation pipe 41. Each individual pipe 43 extends from the downstream end of the upstream pipe 42 to the upstream end of the downstream pipe 44. The downstream end of the individual pipe 43 may be connected to the tank 40 instead of the downstream end of the downstream pipe 44. In other words, the downstream pipe 44 may be omitted.

복수의 개별 배관 (43) 은, 각각, 복수의 타워에 대응하고 있다. 도 5 는, 1 개의 개별 배관 (43) 의 전체와 나머지 3 개의 개별 배관 (43) 의 일부를 나타내고 있다. 도 5 는, 동일한 타워에 포함되는 3 개의 처리 유닛 (2) 을 나타내고 있다. 동일한 타워에 포함되는 3 개의 처리 유닛 (2) 에 대응하는 3 개의 공급 배관 (22) 은, 동일한 개별 배관 (43) 에 접속되어 있다. 3 개의 공급 배관 (22) 과 개별 배관 (43) 이 서로 접속된 3 개의 접속 위치 (P2) 는, 약액이 흐르는 방향으로 나열되어 있다.Each of the plurality of individual pipes 43 corresponds to a plurality of towers. 5 shows a part of one individual pipe 43 and a part of the remaining three individual pipes 43. In Fig. Fig. 5 shows three processing units 2 included in the same tower. The three supply pipes 22 corresponding to the three processing units 2 included in the same tower are connected to the same individual pipe 43. Three connection positions P2 in which the three supply pipes 22 and the individual pipes 43 are connected to each other are arranged in the direction in which the chemical liquid flows.

기판 처리 장치 (1) 는, 탱크 (40) 내의 약액을 순환 배관 (41) 에 보내는 펌프 (45) 와, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액으로부터 이물질을 제거하는 필터 (46) 와, 탱크 (40) 내의 약액의 온도를 조정하는 온도 조절기 (47) 를 포함한다. 기판 처리 장치 (1) 는, 추가로 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 유량을 검출하는 유량계 (48) 와, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 온도를 검출하는 온도 센서 (49) 를 포함한다. 펌프 (45), 필터 (46), 및 온도 조절기 (47) 는, 상류 배관 (42) 에 개재 장착되어 있다. 유량계 (48) 및 온도 센서 (49) 는, 개별 배관 (43) 에 개재 장착되어 있다.The substrate processing apparatus 1 includes a pump 45 for sending the chemical solution in the tank 40 to the circulation pipe 41, a filter 46 for removing foreign substances from the chemical solution flowing through the circulation pipe 41, And a temperature regulator 47 for regulating the temperature of the chemical liquid in the chemical liquid. The substrate processing apparatus 1 further includes a flow meter 48 for detecting the flow rate of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 and a temperature sensor 49 for detecting the temperature of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 . The pump 45, the filter 46, and the temperature regulator 47 are interposed in the upstream pipe 42. The flow meter 48 and the temperature sensor 49 are interposed in the individual pipe 43.

탱크 (40) 내의 약액은, 펌프 (45) 에 의해 상류 배관 (42) 에 보내져, 상류 배관 (42) 으로부터 복수의 개별 배관 (43) 으로 흐른다. 개별 배관 (43) 내의 약액은, 하류 배관 (44) 으로 흐르고, 하류 배관 (44) 으로부터 탱크 (40) 로 되돌아온다. 이 사이에, 약액에 함유되는 이물질이 필터 (46) 에 의해 제거된다. 또, 탱크 (40) 내의 약액이, 레시피에 의해 규정된 온도가 되도록 온도 조절기 (47) 에 의해 가열 또는 냉각되어 상류 배관 (42) 에 이송된다. 이로써, 탱크 (40) 내의 약액은, 적어도, 온도 조절기 (47) 의 직후의 하류 위치 (P4) 에서는, 처리 유닛 (2) 내의 분위기의 온도 (예를 들어 20 ∼ 30 ℃) 보다 높거나 또는 낮은 일정한 온도로 유지되면서 상류 배관 (42) (순환 배관 (41)) 으로 이송된다.The chemical solution in the tank 40 is sent to the upstream pipe 42 by the pump 45 and flows from the upstream pipe 42 to the plurality of individual pipes 43. The chemical solution in the individual piping 43 flows into the downstream piping 44 and returns from the downstream piping 44 to the tank 40. In the meantime, foreign substances contained in the chemical liquid are removed by the filter 46. The chemical solution in the tank 40 is heated or cooled by the temperature regulator 47 to be the temperature defined by the recipe and transferred to the upstream pipe 42. The chemical liquid in the tank 40 is at least higher or lower than the temperature of the atmosphere (for example, 20 to 30 占 폚) in the processing unit 2 at least at the downstream position P4 immediately after the temperature regulator 47 And is transferred to the upstream pipe 42 (circulation pipe 41) while being maintained at a constant temperature.

온도 조절기 (47) 는, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액을 가열하는 히터여도 되고, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액을 냉각시키는 쿨러여도 되며, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액을 가열 및 냉각시키는 냉열 장치여도 된다. 도 5 는, 온도 조절기 (47) 가 히터인 예를 나타내고 있다. 온도 조절기 (47) 는, 순환 배관 (41) 에 형성되어 있어도 되고, 탱크 (40) 에 형성되어 있어도 된다.The temperature regulator 47 may be a heater for heating the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 or may be a cooler for cooling the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 and for heating and cooling the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 It may be a cooling device. 5 shows an example in which the temperature regulator 47 is a heater. The temperature regulator 47 may be formed in the circulation pipe 41 or in the tank 40.

펌프 (45) 는, 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 있는지의 여부에 관계없이, 탱크 (40) 내의 약액을 일정한 압력으로 순환 배관 (41) 에 계속 보낸다. 기판 처리 장치 (1) 는, 펌프 (45) 대신에, 탱크 (40) 내의 기압을 상승시킴으로써 탱크 (40) 내의 약액을 순환 배관 (41) 으로 밀어 내는 가압 장치를 구비하고 있어도 된다. 펌프 (45) 및 가압 장치는, 모두, 탱크 (40) 내의 약액을 순환 배관 (41) 에 보내는 송액 장치의 일례이다.The pump 45 continuously sends the chemical solution in the tank 40 to the circulation pipe 41 at a constant pressure regardless of whether the substrate W is present in the substrate processing apparatus 1 or not. The substrate processing apparatus 1 may be provided with a pressurizing device for pushing the chemical liquid in the tank 40 to the circulation pipe 41 by raising the air pressure in the tank 40 instead of the pump 45. [ The pump 45 and the pressurizing device are all examples of a liquid delivery device for delivering the chemical solution in the tank 40 to the circulation pipe 41.

기판 처리 장치 (1) 는, 개별 배관 (43) 과 복수의 공급 배관 (22) 이 서로 접속된 복수의 접속 위치 (P2) 에 있어서의 처리액의 압력을 제어하는 압력 제어 유닛 (51) 을 포함한다. 압력 제어 유닛 (51) 은, 개별 배관 (43) 내의 처리액의 압력을 검출하는 압력 센서 (52) 와, 복수의 접속 위치 (P2) 의 하류의 개재 장착 위치 (P3) 에서 개별 배관 (43) 에 개재 장착된 릴리프 밸브 (53) 와, 릴리프 밸브 (53) 에 가해지는 조작 공기압을 변경함으로써 릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압을 변경하는 전공 레귤레이터 (54) 를 포함한다.The substrate processing apparatus 1 includes a pressure control unit 51 for controlling the pressure of the processing liquid in a plurality of connection positions P2 where the individual piping 43 and the plurality of supply piping 22 are connected to each other do. The pressure control unit 51 includes a pressure sensor 52 for detecting the pressure of the processing liquid in the individual piping 43 and a pressure sensor 52 for detecting the pressure of the processing liquid in the individual piping 43 at the interposition position P3 downstream of the plurality of connection positions P2. And an electropneumatic regulator 54 for changing the setting relief pressure of the relief valve 53 by changing the operation air pressure applied to the relief valve 53. [

압력 센서 (52) 는, 개별 배관 (43) 상의 검출 위치 (P1) 에서 개별 배관 (43) 내의 처리액의 압력을 검출한다. 개별 배관 (43) 과 공급 배관 (22) 이 서로 접속된 접속 위치 (P2) 에서의 처리액의 압력은, 검출 위치 (P1) 에서의 처리액의 압력과 대체로 동등하다. 따라서, 검출 위치 (P1) 에서 압력 센서 (52) 에 의해 개별 배관 (43) 내의 처리액의 압력을 검출하는 것은, 접속 위치 (P2) 에서 처리액의 압력을 검출하는 것과 실질적으로 등가 (等價) 라고 볼 수 있다. 검출 위치 (P1) 는, 복수의 접속 위치 (P2) 의 상류의 위치이다. 릴리프 밸브 (53) 의 상류이면, 검출 위치 (P1) 는, 복수의 접속 위치 (P2) 의 하류여도 된다.The pressure sensor 52 detects the pressure of the processing liquid in the individual piping 43 at the detection position Pl on the individual piping 43. The pressure of the treatment liquid at the connection position P2 where the individual piping 43 and the supply piping 22 are connected to each other is substantially equal to the pressure of the treatment liquid at the detection position P1. Therefore, the detection of the pressure of the processing liquid in the individual piping 43 by the pressure sensor 52 at the detection position P1 is substantially equivalent to the detection of the pressure of the processing liquid at the connection position P2 ). The detection position P1 is a position upstream of the plurality of connection positions P2. If the relief valve 53 is upstream, the detection position P1 may be downstream of the plurality of connection positions P2.

릴리프 밸브 (53) 는, 1 차측 압력, 요컨대, 릴리프 밸브 (53) 의 상류의 압력이 설정 릴리프압까지 상승하면, 1 차측 압력을 설정 릴리프압 미만까지 저하시키는 밸브이다. 설정 릴리프압은, 릴리프 밸브 (53) 에 가해지는 조작 공기압에 따라 변화된다. 전공 레귤레이터 (54) 는, 릴리프 밸브 (53) 에 가해지는 조작 공기압을 증감시킨다. 조작 공기압이 증가하면 설정 릴리프압도 증가하고, 조작 공기압이 감소하면 설정 릴리프압도 감소한다.The relief valve 53 is a valve that reduces the primary pressure to less than the set relief pressure when the primary pressure, that is, the pressure upstream of the relief valve 53 rises to the set relief pressure. The setting relief pressure is changed in accordance with the operation air pressure applied to the relief valve 53. [ The electropneumatic regulator (54) increases or decreases the operating air pressure applied to the relief valve (53). As the operating air pressure increases, the set relief pressure increases, while when the operating air pressure decreases, the set relief pressure decreases.

펌프 (45) 는, 탱크 (40) 내의 약액을 일정한 압력으로 순환 배관 (41) 에 보낸다. 펌프 (45) 의 맥동을 무시할 수 있다면, 동일한 타워에 대응하는 모든 토출 밸브 (23) 가 폐쇄되어 있어, 릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압이 동일할 때에는, 개별 배관 (43) 내를 흐르는 처리액의 압력은 개별 배관 (43) 내의 어느 지점에 있어서도 동일하다. 제어 장치 (3) 는, 이와 같이 하여 압력 센서 (52) 의 검출치에 기초하여 개별 배관 (43) 내의 처리액의 압력을 감시하고 있다.The pump 45 sends the chemical liquid in the tank 40 to the circulation pipe 41 at a constant pressure. If the pulsation of the pump 45 can be ignored, all of the discharge valves 23 corresponding to the same tower are closed. If the set relief pressure of the relief valve 53 is the same, The pressure of the liquid is the same at any point in the individual pipe 43. The control device 3 monitors the pressure of the processing liquid in the individual piping 43 based on the detection value of the pressure sensor 52 in this way.

제어 장치 (3) 는, 압력 제어 유닛 (51) 을 제어함으로써, 접속 위치 (P2) 에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지한다. 구체적으로는, 압력 센서 (52) 에 의해 검출된 처리액의 압력, 요컨대, 실제의 처리액의 압력이 변동되면, 제어 장치 (3) 는, 실제의 처리액의 압력이 압력 설정치에 일치하거나 또는 근접하도록, 전공 레귤레이터 (54) 에 조작 공기압을 변경시킨다. 이로써, 압력 센서 (52) 의 검출치가 피드백되어, 실제의 처리액의 압력이 압력 설정치 또는 그 부근으로 유지된다.The control device 3 controls the pressure control unit 51 to maintain the pressure of the process liquid at the connection position P2 at the pressure set value. Specifically, when the pressure of the process liquid detected by the pressure sensor 52, that is, the pressure of the actual process liquid changes, the control device 3 determines whether the pressure of the actual process liquid matches the pressure set value The control air pressure is changed to the electropneumatic regulator 54 so as to be close. Thereby, the detection value of the pressure sensor 52 is fed back, and the pressure of the actual process liquid is maintained at or near the pressure setting value.

도 6 은, 순환 배관 (41) 및 공급 배관 (22) 이 서로 접속된 접속 위치 (P2) 에서의 처리액의 압력의 설정치를 나타내는 압력 설정치의 변경 순서의 일례를 설명하기 위한 공정도이다. 이하의 각 공정은, 제어 장치 (3) 가 기판 처리 장치 (1) 를 제어함으로써 실행된다. 바꾸어 말하면, 제어 장치 (3) 는, 이하의 각 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.6 is a process diagram for explaining an example of a procedure for changing the pressure set value indicating the set value of the pressure of the process liquid at the connection position P2 where the circulation pipe 41 and the supply pipe 22 are connected to each other. Each of the following processes is executed by the control device 3 controlling the substrate processing apparatus 1. [ In other words, the control device 3 is programmed to execute the following respective steps.

기판 (W) 에 적용되는 레시피를 최초로 설정하는 경우, 혹은, 기판 (W) 에 적용되는 레시피를 변경하는 경우에는, 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 반송되기 전에, 기판 (W) 에 공급되는 약액의 유량이 제어 장치 (3) 에 입력된다 (도 6 의 스텝 S11). 약액의 유량은, 호스트 컴퓨터 (HC) 등의 외부 장치로부터 제어 장치 (3) 의 통신 장치 (36) 에 입력되어도 되고, 사용자에 의해 제어 장치 (3) 의 입력 장치 (37) 에 입력되어도 된다.When a recipe to be applied to the substrate W is first set or when a recipe to be applied to the substrate W is changed, before the unprocessed substrate W is transferred to the substrate processing apparatus 1, W is input to the control device 3 (step S11 in Fig. 6). The flow rate of the chemical liquid may be input from an external apparatus such as the host computer HC to the communication apparatus 36 of the control apparatus 3 or may be inputted to the input apparatus 37 of the control apparatus 3 by the user.

약액의 유량이 제어 장치 (3) 의 통신 장치 (36) 또는 입력 장치 (37) 에 입력되면, 제어 장치 (3) 는, 보조 기억 장치 (34) 에 기억되어 있는 복수 조의 처리용 설정치 및 대기용 설정치 결정 중에서, 입력된 약액의 유량에 대응하는 처리용 설정치 및 대기용 설정치 결정을 선택한다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 반송될 때까지, 순환 배관 (41) 및 공급 배관 (22) 이 서로 접속된 접속 위치 (P2) 에서의 처리액의 압력의 설정치를 나타내는 압력 설정치를 대기용 설정치로 설정한다 (도 6 의 스텝 S12).When the flow rate of the chemical liquid is inputted to the communication device 36 or the input device 37 of the control device 3, the control device 3 acquires a plurality of sets of process setting values stored in the auxiliary memory device 34, In the setting value determination, the processing setting value and the waiting setting value determination corresponding to the flow rate of the inputted chemical liquid are selected. The controller 3 then controls the circulation pipe 41 and the supply pipe 22 at the connection position P2 at which the circulation pipe 41 and the supply pipe 22 are connected to each other until the unprocessed substrate W is conveyed to the substrate processing apparatus 1. [ (Step S12 in Fig. 6).

제어 장치 (3) 는, 모든 타워의 압력 설정치가 대기용 설정치로 설정되어 있는 상태에서, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에 있는지의 여부를 캐리어 검출 센서 (LPb) 의 검출치에 기초하여 감시하고 있다 (도 6 의 스텝 S13). 캐리어 반송 로봇 (R1) (도 1 참조) 이, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 를 어느 로드 포트 (LP) 에 두면, 제어 장치 (3) 는, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가 로드 포트 (LP) 에 있는 것으로 판정한다 (도 6 의 스텝 S13 에서 Yes). 그 후, 제어 장치 (3) 는, 모든 타워의 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 증가시킨다 (도 6 의 스텝 S14).The control device 3 determines whether or not the carrier C accommodating the unprocessed substrate W is in which load port LP in the state where the pressure set values of all the towers are set to the standby setting values, And is monitored based on the detection value of the sensor LPb (step S13 in Fig. 6). When the carrier carrying robot Rl (see Fig. 1) places a carrier C containing an unprocessed substrate W on a certain one of the load ports LP, the controller 3 controls the unprocessed substrate W It is judged that the loaded carrier C is in the load port LP (Yes in step S13 in Fig. 6). Thereafter, the control device 3 increases the pressure set value of all the towers from the standby set value to the process set value (step S14 in Fig. 6).

미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에 놓여진 후에는, 전술한 바와 같이, 캐리어 (C) 내의 기판 (W) 이, 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 에 의해 어느 처리 유닛 (2) 에 반송되어, 처리 유닛 (2) 에서 처리된다 (도 6 의 스텝 S15). 처리 유닛 (2) 에서 처리된 기판 (W) 은, 인덱서 로봇 (IR) 및 센터 로봇 (CR) 에 의해 로드 포트 (LP) 상의 동일한 캐리어 (C) 에 반송된다 (도 6 의 스텝 S15). 캐리어 (C) 내의 모든 기판 (W) 이 처리되어, 캐리어 (C) 에 수용되면, 로드 포트 (LP) 상의 캐리어 (C) 가, 캐리어 반송 로봇 (R1) 에 의해 다음의 장치에 반송된다.After the carrier C accommodating the unprocessed substrate W is placed on any of the load ports LP as described above, the substrate W in the carrier C is transferred to the indexer robot IR and the center robot CR, and is processed in the processing unit 2 (step S15 in Fig. 6). The substrate W processed in the processing unit 2 is transported to the same carrier C on the load port LP by the indexer robot IR and the center robot CR (step S15 in Fig. 6). All the substrates W in the carrier C are processed and accommodated in the carrier C so that the carrier C on the load port LP is transported to the next apparatus by the carrier transport robot Rl.

동일한 캐리어 (C) 내의 모든 기판 (W) 의 처리가 완료되면 (도 6 의 스텝 S16 에서 Yes), 제어 장치 (3) 는, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 새로운 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에도 존재하지 않는 것을 확인한다 (도 6 의 스텝 S17). 캐리어 (C) 내의 모든 기판 (W) 의 처리가 완료되고 나서 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지, 새로운 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에 반송되면 (도 6 의 스텝 S17 에서 Yes), 제어 장치 (3) 는, 모든 타워의 압력 설정치를 처리용 설정치로 유지한 채로, 기판 (W) 의 반송 및 처리를 실시한다 (도 6 의 스텝 S15 로 되돌아온다).When the processing of all the substrates W in the same carrier C is completed (Yes in step S16 of Fig. 6), the control device 3 determines whether the new carrier C accommodating the unprocessed substrate W is a load And does not exist in the port LP (step S17 in Fig. 6). When the new carrier C is returned to a certain load port LP (Yes in step S17 of Fig. 6) until a predetermined waiting time elapses after the completion of the processing of all the substrates W in the carrier C, The control device 3 carries and processes the substrate W (returning to step S15 in Fig. 6) while maintaining the pressure set values of all the towers at the processing set values.

한편으로, 캐리어 (C) 내의 모든 기판 (W) 의 처리가 완료되고 나서 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 새로운 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에도 반입되지 않으면 (도 6 의 스텝 S18 에서 Yes), 제어 장치 (3) 는, 모든 압력 설정치를 처리용 설정치로부터 대기용 설정치로 감소시킨다 (도 6 의 스텝 S19). 그 후, 제어 장치 (3) 는, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가 어느 로드 포트 (LP) 에 반송되었는지의 여부를 감시한다 (도 6 의 스텝 S13 으로 되돌아온다).On the other hand, until a predetermined waiting time elapses after the completion of the processing of all the substrates W in the carrier C, a new carrier C accommodating the unprocessed substrate W is transferred to any of the load ports LP If not, the control device 3 reduces all the pressure set values from the process setting values to the standby setting values (step S19 in Fig. 6). Thereafter, the control device 3 monitors whether or not the carrier C containing the unprocessed substrate W is transported to the load port LP (returns to step S13 in Fig. 6).

도 7 은, 동일한 타워에 대응하는 3 개 토출 밸브 (23) 상태의 시간적 변화와, 개별 배관 (43) 을 흐르는 처리액의 유량의 시간적 변화와, 압력 설정치의 시간적 변화의 일례를 나타내는 타임 차트이다. 도 7 에서는, 동일한 타워에 대응하는 3 개 토출 밸브 (23) 를 구별하기 위해서, 3 개의 토출 밸브 (23) 를, 제 1토출 밸브 (23A), 제 2 토출 밸브 (23B), 및 제 3 토출 밸브 (23C) 로 나타내고 있다.7 is a time chart showing an example of the temporal change of the state of the three discharge valves 23 corresponding to the same tower, the temporal change of the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping 43, and the temporal change of the pressure set value . 7, in order to distinguish the three discharge valves 23 corresponding to the same tower, three discharge valves 23 are connected to the first discharge valve 23A, the second discharge valve 23B, And is represented by a valve 23C.

펌프 (45) 의 맥동을 무시할 수 있다면, 릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압이 동일하여, 모든 토출 밸브 (23) 가 폐쇄되어 있을 때에는, 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은 시간적으로 변화되지 않고 일정하다.If the pulsation of the pump 45 is negligible, the flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 is temporally changed when all of the discharge valves 23 are closed due to the same setting relief pressure of the relief valve 53 It is not constant.

릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압이 동일했다고 하더라도, 어느 토출 밸브 (23) 가 개방되면, 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량이 증가한다. 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은, 개방되어 있는 토출 밸브 (23) 의 수가 증가함에 따라 증가한다. 예를 들어 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 토출 밸브 (23A), 제 2 토출 밸브 (23B), 및 제 3 토출 밸브 (23C) 가 순차 개방되고, 그 후, 순차 폐쇄되는 경우, 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은, 단계적으로 증가하고, 그 후, 단계적으로 감소한다.Even if the setting relief pressure of the relief valve 53 is the same, when the discharge valve 23 is opened, the flow rate of the chemical liquid flowing through the individual pipe 43 increases. The flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 increases as the number of the discharge valves 23 that are open is increased. For example, as shown in Fig. 7, when the first discharge valve 23A, the second discharge valve 23B, and the third discharge valve 23C are sequentially opened and then sequentially closed, The flow rate of the chemical liquid flowing through the flow path 43 increases stepwise, and then decreases stepwise.

압력 설정치를 처리용 설정치로부터 대기용 설정치로 감소시키면, 요컨대, 릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압을 저하시키면, 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량이 증가한다. 이 때 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은, 압력 설정치가 처리용 설정치이며, 동일한 타워에 대응하는 모든 토출 밸브 (23) 가 폐쇄되어 있을 때보다 많다. 대기용 설정치는, 대기 기간 중에 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량이 처리 기간 중에 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 평균 유량 또는 최대 유량에 일치하거나 또는 근접하도록 설정되어 있다. 그 때문에, 양 기간에 있어서의 유량의 차가 영 또는 그것에 가까운 값까지 감소한다. 또한, 압력 설정치를 대기용 설정치로 감소시켰을 때에 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은, 압력 설정치가 처리용 설정치이며, 동일한 타워에 대응하는 모든 토출 밸브 (23) 가 폐쇄되어 있을 때와 동등해도 된다.In other words, if the set relief pressure of the relief valve 53 is lowered, the flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 increases, by reducing the pressure set value from the process setting value to the standby setting value. At this time, the flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 is larger than when the pressure set value is a processing setting value and all the discharge valves 23 corresponding to the same tower are closed. The waiting setting value is set such that the flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 during the waiting period coincides with or is close to the average flow rate or the maximum flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 during the treatment period. Therefore, the difference in flow rate in both periods is reduced to zero or a value close thereto. The flow rate of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 when the pressure set value is reduced to the standby setting value is equal to that when the pressure set value is the processing setting value and all the discharge valves 23 corresponding to the same tower are closed You can.

도 8 은, 본 실시형태의 효과를 설명하기 위한 그래프이다. 도 8 은, 순환 배관 (41) 내의 각 위치에 있어서의 약액의 온도의 개략을 나타내는 그래프이다. 그래프의 가로축은, 순환 배관 (41) 내의 위치, 보다 구체적으로는, 온도 조절기 (47) 로부터 순환 배관 (41) 내의 임의의 위치까지의 거리를 나타내고 있다. 그래프의 세로축은, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 온도를 나타내고 있다. 도 8 에 있어서의 실선은 처리 기간에서의 약액의 온도를 나타내고, 파선은 대기 기간에서의 약액의 온도를 나타내고 있다.8 is a graph for explaining the effect of the present embodiment. 8 is a graph showing an outline of the temperature of the chemical liquid at each position in the circulation pipe 41. Fig. The abscissa of the graph represents the position in the circulation pipe 41, more specifically, the distance from the temperature regulator 47 to an arbitrary position in the circulation pipe 41. The vertical axis of the graph indicates the temperature of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41. The solid line in Fig. 8 indicates the temperature of the chemical liquid in the treatment period, and the broken line indicates the temperature of the chemical liquid in the waiting period.

온도 조절기 (47) 가 히터 및 쿨러의 어느 것인 경우도, 온도 조절기 (47) 는, 온도 조절기 (47) 를 통과하는 약액이 설정 온도가 되도록 약액을 가열 또는 냉각시킨다. 따라서, 온도 조절기 (47) 의 직후의 하류 위치 (P4) 의 온도 (t1) 는 온도 조절기 (47) 를 통과하는 약액의 유량에 관계없이 일정하다. 처리액의 온도는 그 검출 위치가 하류가 됨에 따라 분위기의 영향을 받아 변동 (저하 또는 상승) 된다. 전술한 바와 같이, 처리액의 온도의 변동의 정도는 순환 배관 (41) 을 흐르는 처리액의 유량의 영향을 받는다.In the case where the temperature regulator 47 is a heater or a cooler, the temperature regulator 47 heats or cools the chemical liquid so that the chemical liquid passing through the temperature regulator 47 is at the set temperature. The temperature t1 of the downstream position P4 immediately after the temperature regulator 47 is constant regardless of the flow rate of the chemical liquid passing through the temperature regulator 47. [ The temperature of the treatment liquid fluctuates (decreases or increases) under the influence of the atmosphere as the detection position becomes downstream. As described above, the degree of fluctuation in the temperature of the treatment liquid is affected by the flow rate of the treatment liquid flowing through the circulation line 41. [

도 8 의 예에서는, 대기 기간 (약액의 유량이 적은 상태) 에서의 온도의 저하 정도 (온도 t1 → 온도 t3) 는 처리 기간 (약액의 유량이 많은 상태) 에서의 온도의 저하 정도 (온도 t1 → 온도 t2) 보다 크다. 약액의 온도가 크게 저하되면, 대기 기간으로부터 처리 기간으로 복귀했을 때에 소망 온도의 약액을 기판에 공급할 수 없다. 그래서 본 실시형태에서는, 대기 기간에서의 릴리프 밸브 (53) 의 설정 릴리프압을 조정함으로써 처리 기간 및 대기 기간에 있어서의 유량의 차를 감소시키고, 이로 인해, 대기 기간에 있어서의 온도 조절기 (47) 보다 하류 위치 (예를 들어 접속 위치 (P2)) 에서의 약액 온도의 저하 정도를 억제하고 있는 것이다.In the example of Fig. 8, the degree of decrease in temperature (the temperature t1 → the temperature t3) in the waiting period (the state in which the flow rate of the chemical liquid is small) Temperature t2). When the temperature of the chemical liquid is significantly lowered, the chemical liquid at the desired temperature can not be supplied to the substrate when the temperature is returned from the waiting period to the treatment period. Thus, in the present embodiment, by adjusting the setting relief pressure of the relief valve 53 in the waiting period, the difference in the flow rate between the treatment period and the waiting period is reduced, and thereby, the temperature regulator 47 in the waiting period, The lowering of the temperature of the chemical liquid at the downstream position (for example, the connection position P2) is suppressed.

이상과 같이 본 실시형태에서는, 미처리의 기판 (W), 요컨대, 기판 처리 장치 (1) 에서 처리되어 있지 않은 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 있을 때, 제어 장치 (3) 는, 순환 배관 (41) 및 공급 배관 (22) 이 서로 접속된 접속 위치 (P2) 에서의 약액의 압력의 설정치를 나타내는 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정한다. 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 내에 없을 때, 제어 장치 (3) 는, 압력 설정치를 대기용 설정치로 설정한다. 대기용 설정치는, 처리용 설정치보다 작다. 따라서, 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 없을 때에는, 압력 제어 밸브의 일례인 릴리프 밸브 (53) 에서의 압력 손실이 감소하고, 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 유량이 증가한다.As described above, in the present embodiment, when the unprocessed substrate W, in other words, the substrate W not processed in the substrate processing apparatus 1 is in the substrate processing apparatus 1, The pressure setting value indicating the set value of the pressure of the chemical liquid at the connection position P2 where the circulation pipe 41 and the supply pipe 22 are connected to each other is set to the process setting value. When the unprocessed substrate W is not in the substrate processing apparatus 1, the control device 3 sets the pressure setting value to the standby setting value. The standby setting value is smaller than the processing setting value. Therefore, when the unprocessed substrate W is not present in the substrate processing apparatus 1, the pressure loss in the relief valve 53, which is an example of the pressure control valve, decreases, and the flow rate of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 increases do.

대기용 설정치는, 대기 기간 중에 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 유량이 처리 기간 중에 순환 배관 (41) 을 흐르는 약액의 유량에 일치하거나 또는 근접하도록 설정되어 있다. 그 때문에, 양 기간에 있어서의 유량의 차가 영 또는 그것에 가까운 값까지 감소한다. 따라서, 대기 기간이 길어졌다고 해도, 탱크 (40) 내의 약액의 온도는 거의 변함없다. 이로써, 긴 대기 기간이 끝난 후에도, 안정적인 온도의 약액을 복수 장의 기판 (W) 에 공급할 수 있고, 복수 장의 기판 (W) 간에 있어서의 품질의 편차를 저감시킬 수 있다.The waiting set value is set such that the flow rate of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 during the waiting period coincides with or is close to the flow rate of the chemical liquid flowing through the circulation pipe 41 during the treatment period. Therefore, the difference in flow rate in both periods is reduced to zero or a value close thereto. Therefore, even if the waiting period becomes longer, the temperature of the chemical liquid in the tank 40 hardly changes. This makes it possible to supply a stable chemical liquid to the plurality of substrates W even after the long waiting period has ended, and to reduce variations in quality among the plurality of substrates W.

본 실시형태에서는, 동일한 개별 배관 (43) 에 복수의 약액 노즐 (21) 이 접속되어 있다. 동일한 개별 배관 (43) 에 접속된 3 개의 약액 노즐 (21) 을 구별하는 경우, 3 개의 약액 노즐 (21) 을, 제 1 약액 노즐 (21), 제 2 약액 노즐 (21), 및 제 3 약액 노즐 (21) 이라고 한다. 제 1 약액 노즐 (21), 제 2 약액 노즐 (21), 및 제 3 약액 노즐 (21) 이 약액을 토출시키고 있을 때에 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량은, 제 1 약액 노즐 (21), 제 2 약액 노즐 (21), 및 제 3 약액 노즐 (21) 의 2 개만이 약액을 토출시키고 있을 때보다 많다.In this embodiment, a plurality of chemical liquid nozzles 21 are connected to the same individual pipe 43. Three chemical liquid nozzles 21 are connected to the first chemical liquid nozzle 21, the second chemical liquid nozzle 21 and the third chemical liquid nozzle 21 in the case where the three chemical liquid nozzles 21 connected to the same individual pipe 43 are distinguished. And is referred to as a nozzle 21. The flow rates of the chemical liquid flowing through the individual piping 43 when the first chemical liquid nozzle 21, the second chemical liquid nozzle 21 and the third chemical liquid nozzle 21 are discharging the chemical liquid are controlled by the first chemical liquid nozzle 21, The second chemical liquid nozzle 21 and the third chemical liquid nozzle 21 are more than when the chemical liquid is being discharged.

복수의 약액 노즐 (21) 이 동일한 개별 배관 (43) 에 접속되어 있는 구성에서는, 약액 노즐 (21) 이 1 개밖에 개별 배관 (43) 에 접속되어 있지 않은 구성과 비교하여, 처리 기간 중에 개별 배관 (43) 을 흐르는 약액의 유량의 최대치 (최대 순환 유량) 가 증가한다. 그 때문에, 압력 설정치가 일정하면, 처리 기간과 대기 기간 사이에서의 약액의 유량의 차가 커진다. 따라서, 대기 기간에 있어서 압력 설정치를 대기용 설정치까지 감소시킴으로써, 양 기간에 있어서의 유량의 차를 효과적으로 줄일 수 있다.In the configuration in which the plurality of chemical liquid nozzles 21 are connected to the same individual piping 43 as compared with the configuration in which only one chemical liquid nozzle 21 is connected to the individual piping 43, The maximum value of the flow rate of the chemical liquid flowing through the flow path 43 (maximum circulation flow rate) increases. Therefore, when the pressure set value is constant, the difference in the flow rate of the chemical liquid between the treatment period and the waiting period becomes large. Therefore, by reducing the pressure set value to the standby setting value in the waiting period, the difference in the flow rate in both periods can be effectively reduced.

본 실시형태에서는, 탱크 (40) 내의 약액이, 송액 장치의 일례인 펌프 (45) 에 의해 상류 배관 (42) 에 보내져, 상류 배관 (42) 으로부터 복수의 개별 배관 (43) 으로 안내된다. 이와 같은 경우에는 처리 기간과 대기 기간 사이에서의 약액의 유량의 차가 커지기 쉽지만, 대기 기간에 있어서 압력 설정치를 대기용 설정치까지 감소시키는 것에 의해, 양 기간에 있어서의 유량의 차를 효과적으로 줄일 수 있다.The chemical solution in the tank 40 is sent to the upstream pipe 42 by the pump 45 which is an example of the liquid delivery device and is guided from the upstream pipe 42 to the plurality of individual pipes 43. In such a case, the difference in the flow rate of the chemical liquid between the treatment period and the waiting period tends to increase. However, by reducing the pressure set value to the atmospheric setting value in the waiting period, the difference in flow rate in both periods can be effectively reduced.

본 실시형태에서는, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가, 로드 포트 (LP) 의 캐리어 (C) 캐리어 재치대 (LPa) 에 놓여진다. 이로써, 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 배치된다. 제어 장치 (3) 는, 캐리어 (C) 가 캐리어 (C) 캐리어 재치대 (LPa) 에 놓여진 것을 확인함과 동시에 또는 그 후에, 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 증가시킨다. 이로써, 릴리프 밸브 (53) 의 1 차측 압력이 약액의 토출에 적합한 압력으로 높아진다.In the present embodiment, the carrier C containing the unprocessed substrate W is placed on the carrier C (carrier position table LPa) of the load port LP. Thereby, the unprocessed substrate W is placed in the substrate processing apparatus 1. [ The control device 3 increases the pressure set value from the atmospheric setting value to the processing setting value at the same time or after confirming that the carrier C is placed on the carrier (C) carrier mounting table LPa. Thereby, the primary pressure of the relief valve 53 becomes higher than the pressure suitable for the discharge of the chemical liquid.

본 실시형태에서는, 제어 장치 (3) 는, 기판 처리 장치 (1) 에 있는 모든 기판 (W) 이 처리된 후에, 다른 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 반입되었는지의 여부를 감시한다. 그리고, 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지 다른 미처리의 기판 (W) 이 반입되지 않으면, 제어 장치 (3) 는, 압력 설정치를 처리용 설정치로부터 대기용 설정치로 변경한다. 따라서, 모든 기판 (W) 이 처리된 직후에, 다른 미처리의 기판 (W) 이 반입되었다고 해도, 압력 설정치를 빈번하게 변경하지 않아도 된다.In the present embodiment, the control device 3 determines whether or not another unprocessed substrate W is carried into the substrate processing apparatus 1 after all the substrates W in the substrate processing apparatus 1 have been processed Monitor. Then, if another unprocessed substrate W is not carried until the predetermined waiting time elapses, the control device 3 changes the pressure setting value from the processing setting value to the waiting setting value. Therefore, even if another unprocessed substrate W is carried in immediately after all of the substrates W have been processed, the pressure set value need not be frequently changed.

그 밖의 실시형태Other Embodiments

본 발명은, 전술한 실시형태의 내용에 한정되는 것이 아니고, 다양한 변경이 가능하다.The present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications are possible.

예를 들어, 탱크 (40) 에 저류되는 액체는, 약액에 한정되지 않고, 린스액 등의 그 밖의 액체여도 된다.For example, the liquid stored in the tank 40 is not limited to the chemical liquid, but may be other liquid such as a rinsing liquid.

압력 제어 밸브는, 릴리프 밸브 (53) 에 한정되지 않고, 전동 니들 밸브 등의 전동 밸브여도 된다.The pressure control valve is not limited to the relief valve 53, and may be a motorized valve such as a motorized needle valve.

동일한 개별 배관 (43) 에 접속되어 있는 공급 배관 (22) 의 수는, 2 개 미만이어도 되고, 4 개 이상이어도 된다.The number of the supply pipes 22 connected to the same individual pipe 43 may be less than two or four or more.

순환 배관 (41) 에 형성되어 있는 개별 배관 (43) 의 수는, 3 개 미만이어도 되고, 5 개 이상이어도 된다.The number of the individual pipes 43 formed in the circulation pipe 41 may be less than three or five or more.

제어 장치 (3) 는, 미처리의 기판 (W) 을 수용한 캐리어 (C) 가 로드 포트 (LP) 에 놓여진 것 이외를 계기로, 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 변경해도 된다.The control device 3 may change the pressure setting value from the standby setting value to the processing setting value on the occasion that the carrier C containing the unprocessed substrate W is placed on the load port LP.

예를 들어, 미처리의 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (1) 에 반입되는 것을 예고하는 예고 정보가, 유선 통신 또는 무선 통신에 의해, 호스트 컴퓨터 (HC) 등의 외부 장치로부터 통신 장치 (36) 에 입력되는 것이면, 제어 장치 (3) 는, 예고 정보가 통신 장치 (36) 에 입력됨과 동시에 또는 그 후에, 압력 설정치를 대기용 설정치로부터 처리용 설정치로 증가시켜도 된다. 이 경우, 캐리어 (C) 가 로드 포트 (LP) 에 놓이기 전에, 압력 설정치를 변경할 수 있다.For example, the notice information for notifying that the unprocessed substrate W is brought into the substrate processing apparatus 1 is transmitted from the external apparatus such as the host computer HC to the communication apparatus 36 by wired communication or wireless communication, The control device 3 may increase the pressure setting value from the standby setting value to the processing setting value at the same time or after the notification information is input to the communication device 36. [ In this case, the pressure set value can be changed before the carrier C is placed in the load port LP.

기판 처리 장치 (1) 에 있는 모든 기판 (W) 의 처리가 완료되면, 대기 시간의 경과를 기다리지 않고, 압력 설정치를 처리용 설정치로부터 대기용 설정치로 변경해도 된다.When the processing of all the substrates W in the substrate processing apparatus 1 is completed, the pressure setting value may be changed from the processing setting value to the standby setting value without waiting for the elapse of the waiting time.

모든 유량계 (48) 가 생략되어도 된다. 마찬가지로, 모든 온도 센서 (49) 가 생략되어도 된다. 또, 모든 유량계 (48) 및 모든 온도 센서 (49) 가 생략되어도 된다. 혹은, 4 개 미만의 개별 배관 (43) 으로부터 유량계 (48) 및 온도 센서 (49) 의 적어도 일방이 생략되고, 나머지의 개별 배관 (43) 에만 유량계 (48) 및 온도 센서 (49) 의 적어도 일방이 형성되어 있어도 된다.All the flow meters 48 may be omitted. Likewise, all the temperature sensors 49 may be omitted. In addition, all the flow meters 48 and all the temperature sensors 49 may be omitted. At least one of the flow meter 48 and the temperature sensor 49 is omitted from less than four individual pipes 43 and at least one of the flow meter 48 and the temperature sensor 49 is connected to only the remaining individual pipe 43 May be formed.

기판 처리 장치 (1) 는, 원판상의 기판 (W) 을 처리하는 장치에 한정되지 않고, 다각형의 기판 (W) 을 처리하는 장치여도 된다.The substrate processing apparatus 1 is not limited to an apparatus for processing a substrate W on a disk, but may be a device for processing a polygonal substrate W.

전술한 모든 구성의 2 개 이상이 조합되어도 된다.Two or more of all the above-described configurations may be combined.

그 밖에, 특허 청구의 범위에 기재된 사항의 범위에서 다양한 설계 변경을 실시하는 것이 가능하다.In addition, it is possible to carry out various design changes within the scope of the claims.

Claims (9)

처리액을 저류하는 탱크와,
기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 수단과,
상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 기판을 향하여 토출시키는 노즐과,
상기 탱크 내의 처리액을 순환시키는 순환 배관과,
상기 탱크 내의 처리액을 상기 순환 배관에 보내는 송액 장치와,
상기 송액 장치에 의해 상기 순환 배관에 보내진 상기 처리액의 온도를 가열 및 냉각의 적어도 일방에 의해 변경하는 온도 조절기와,
상기 순환 배관으로부터 상기 노즐에 처리액을 안내하는 공급 배관과,
상기 공급 배관에 개재 장착되어 있고, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환되는 토출 밸브와,
상기 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력을 검출하는 압력 센서와, 상기 접속 위치의 하류의 개재 장착 위치에서 상기 순환 배관에 개재 장착된 압력 제어 밸브를 포함하여, 상기 순환 배관 내의 처리액의 압력을 상기 압력 센서의 검출치에 따라 상기 압력 제어 밸브로 변경시킴으로써, 상기 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지하는 압력 제어 유닛과,
미처리의 기판이 기판 처리 장치에 있는 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정하고, 상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 없는 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치보다 작은 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시키는 제어 장치를 구비하는, 기판 처리 장치.A tank for storing the treatment liquid,
Substrate holding means for holding the substrate horizontally,
A nozzle for discharging the processing liquid supplied from the tank toward the substrate held by the substrate holding means;
A circulation pipe for circulating the treatment liquid in the tank,
A liquid supply device that sends a treatment liquid in the tank to the circulation pipe;
A temperature regulator for changing the temperature of the treatment liquid sent to the circulation pipe by the liquid delivery device by at least one of heating and cooling;
A supply pipe for guiding the process liquid from the circulation pipe to the nozzle,
And a switching control unit for switching between a discharge execution state in which the supply of the processing liquid to the nozzle is performed from the supply piping and a discharge stop state in which supply of the processing liquid to the nozzle from the supply piping is stopped, A discharge valve,
A pressure sensor for detecting the pressure of the process liquid at a connection position where the circulation pipe and the supply pipe are connected to each other; and a pressure control valve interposed in the circulation pipe at an intervening position where the connection pipe is installed at the connection position, A pressure control unit for maintaining the pressure of the processing liquid at the connection position at the pressure setting value by changing the pressure of the processing liquid in the circulation piping to the pressure control valve in accordance with the detection value of the pressure sensor;
Wherein the pressure setting value is set to a processing setting value in at least a part of the processing period in which the unprocessed substrate is in the substrate processing apparatus and in the at least part of the waiting period in which the unprocessed substrate is not in the substrate processing apparatus, Is set to an atmospheric setting value that is smaller than the set value for the treatment so that the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe during the waiting period is made to coincide with or approximates to the flow rate of the process liquid flowing through the circulation pipe during the process period And the substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 탱크로부터 공급된 처리액을 토출시키는 제 2 노즐과,
상기 접속 위치와 상기 개재 장착 위치 사이의 제 2 접속 위치에서 상기 순환 배관에 접속되어 있고, 상기 순환 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 처리액을 안내하는 제 2 공급 배관과,
상기 제 2 공급 배관에 개재 장착되어 있고, 상기 제 2 공급 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 제 2 공급 배관으로부터 상기 제 2 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환되는 제 2 토출 밸브를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A second nozzle for discharging the treatment liquid supplied from the tank,
A second supply pipe connected to the circulation pipe at a second connection position between the connection position and the interposition position and guiding the process liquid from the circulation pipe to the second nozzle;
A second supply pipe for supplying the processing liquid to the first nozzle and a second supply pipe for supplying the processing liquid to the second nozzle; And a second discharge valve which is switched between a discharge stop state where supply is stopped. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 유지 수단이, 복수 형성되어 있고,
상기 노즐이, 복수의 상기 기판 유지 수단에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고,
상기 순환 배관이, 상기 송액 장치에 의해 상기 탱크로부터 보내진 처리액을 안내하는 상류 배관과, 상기 상류 배관으로부터 분기된 복수의 개별 배관을 포함하고,
상기 공급 배관이, 상기 복수의 개별 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고, 상기 개별 배관으로부터 상기 노즐에 연장되어 있고,
상기 토출 밸브가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고,
상기 압력 센서가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되어 있고,
상기 압력 제어 밸브가, 복수의 상기 공급 배관에 1 대 1 로 대응하도록 복수 형성되고, 상기 개별 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 상기 접속 위치의 하류의 상기 개재 장착 위치에서 상기 개별 배관에 개재 장착되어 있고,
상기 제어 장치는, 상기 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 복수의 개별 배관의 적어도 하나에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치로 설정하고, 상기 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 복수의 개별 배관의 적어도 하나에 있어서의 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 개별 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시키는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
A plurality of the substrate holding means are formed,
Wherein a plurality of the nozzles are formed so as to correspond one to one to the plurality of the substrate holding means,
Wherein the circulation pipe includes an upstream pipe for guiding a treatment liquid sent from the tank by the liquid delivery device and a plurality of individual pipes branched from the upstream pipe,
A plurality of supply pipes are formed so as to correspond one-to-one to the plurality of individual pipes, and the supply pipes extend from the individual pipes to the nozzles,
Wherein a plurality of the discharge valves are formed so as to correspond one to one to the plurality of supply pipes,
A plurality of pressure sensors are provided so as to correspond one-to-one to the plurality of supply pipes,
A plurality of pressure control valves are provided so as to correspond one-to-one to the plurality of supply pipes, and the pressure control valves are interposed in the individual pipes at the intervening mounting positions downstream of the connecting positions where the individual pipes and the supply pipes are connected to each other However,
Wherein the control device sets the pressure set value in at least one of the plurality of individual pipes to the process set value in at least a part of the processing period, The flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping during the waiting period is made equal to the flow rate of the processing liquid flowing through the individual piping during the processing period by setting the pressure set value in at least one of the piping to the standby setting value Or close to each other. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 미처리의 기판을 수용한 캐리어가 놓이는 캐리어 재치대와, 상기 캐리어가 상기 캐리어 재치대에 있는지의 여부를 검출하는 캐리어 검출 센서를 포함하는 로드 포트를 추가로 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 미처리의 기판을 수용한 상기 캐리어가 상기 캐리어 재치대에 재치되면, 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로부터 상기 처리용 설정치로 변경하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus further comprises a load port including a carrier table on which a carrier accommodating the unprocessed substrate is placed and a carrier detection sensor for detecting whether the carrier is in the carrier table,
Wherein the control device changes the pressure setting value from the standby setting value to the processing setting value when the carrier accommodating the unprocessed substrate is placed on the carrier mounting table. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치에 있는 모든 기판의 처리가 완료되고 나서 미리 정해진 대기 시간이 경과하기까지, 다른 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 반입되지 않으면, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치로부터 상기 대기용 설정치로 변경하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The control device may set the pressure setting value to the processing setting value when the substrate processing apparatus does not bring any other unprocessed substrate into the substrate processing apparatus until a predetermined waiting time elapses after the processing of all the substrates in the substrate processing apparatus is completed, To the standby setting value. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 기판 처리 장치 이외의 외부 장치와 통신하는 통신 장치를 포함하고, 상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 반입되는 것을 예고하는 예고 정보가 상기 외부 장치로부터 상기 통신 장치에 입력된 후, 상기 압력 설정치를 상기 대기용 설정치로부터 상기 처리용 설정치로 변경하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the control device includes a communication device that communicates with an external device other than the substrate processing device, and wherein, when notice information for notifying that the unprocessed substrate is brought into the substrate processing device is input from the external device to the communication device And changes the pressure setting value from the standby setting value to the processing setting value. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 검출하는 유량계를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a flow meter for detecting a flow rate of the processing liquid flowing through the circulation pipe. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 온도를 검출하는 온도 센서를 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Further comprising a temperature sensor for detecting the temperature of the processing liquid flowing through the circulation pipe. 탱크에서 처리액을 저류하는 공정과,
기판 유지 수단에 의해 기판을 수평으로 유지하는 공정과,
상기 탱크로부터 공급된 처리액을 상기 기판 유지 수단에 유지되어 있는 기판을 향하여 노즐에 토출시키는 공정과,
순환 배관에 상기 탱크 내의 처리액을 순환시키는 공정과,
송액 장치로 상기 탱크 내의 처리액을 상기 순환 배관에 보내는 공정과,
상기 송액 장치에 의해 상기 순환 배관에 보내진 상기 처리액의 온도를 가열 및 냉각의 적어도 일방을 실시하는 온도 조절기에 의해 변경시키는 공정과,
공급 배관에 처리액을 상기 순환 배관으로부터 상기 노즐로 안내시키는 공정과,
상기 공급 배관에 개재 장착된 토출 밸브를, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 실행되는 토출 실행 상태와, 상기 공급 배관으로부터 상기 노즐에 대한 처리액의 공급이 정지되는 토출 정지 상태 사이에서 전환하는 공정과,
상기 순환 배관 및 공급 배관이 서로 접속된 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 센서로 검출하는 공정과,
상기 접속 위치의 하류의 개재 장착 위치에서 상기 순환 배관에 개재 장착된 압력 제어 밸브에, 상기 순환 배관 내의 처리액의 압력을 상기 압력 센서의 검출치에 따라 변경시킴으로써, 상기 접속 위치에서의 처리액의 압력을 압력 설정치로 유지하는 공정과,
미처리의 기판이 기판 처리 장치에 있는 처리 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 처리용 설정치로 설정하는 공정과,
상기 미처리의 기판이 상기 기판 처리 장치에 없는 대기 기간의 적어도 일부에 있어서, 상기 압력 설정치를 상기 처리용 설정치보다 작은 대기용 설정치로 설정함으로써, 상기 대기 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량을 상기 처리 기간 중에 상기 순환 배관을 흐르는 처리액의 유량에 일치시키거나 또는 근접시키는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.A step of storing the treatment liquid in the tank,
A step of holding the substrate horizontally by the substrate holding means,
A step of discharging the treatment liquid supplied from the tank to the nozzle toward the substrate held by the substrate holding means;
Circulating the treatment liquid in the tank to the circulation pipe;
Sending a treatment liquid in the tank to the circulation line with a liquid delivery device,
Changing the temperature of the treatment liquid sent to the circulation pipe by the liquid delivery device by a temperature controller that performs at least one of heating and cooling;
Guiding the treatment liquid from the circulation pipe to the nozzle,
Wherein the discharge valve interposed in the supply pipe is connected between a discharge execution state in which supply of the process liquid to the nozzle is performed from the supply pipe and a discharge stop state in which supply of the process liquid to the nozzle from the supply pipe is stopped ;
Detecting a pressure of the process liquid at a connection position where the circulation pipe and the supply pipe are connected to each other by a pressure sensor;
The pressure of the process liquid in the circulation pipe is changed in accordance with the detected value of the pressure sensor in the pressure control valve interposed in the circulation pipe at the intervening mounting position downstream of the connection position, Maintaining the pressure at a pressure set point,
Setting the pressure set value to a processing set value in at least a part of a processing period in which the unprocessed substrate is in the substrate processing apparatus,
The flow rate of the processing liquid flowing through the circulating pipe during the waiting period is set to a predetermined value for waiting in the standby period, by setting the pressure set value to an atmospheric setting value that is smaller than the processing setting value in at least a part of the waiting period in which the unprocessed substrate is not present in the substrate processing apparatus And coinciding or bringing the circulating pipe to a flow rate of the flowing process liquid during the process period.
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