KR20180081700A - Appratus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

In the present invention, provided is a substrate processing apparatus capable of processing a substrate in an efficient manner. According to an embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus comprises: a processing container having a processing space; a housing which accommodates the processing container and has an opening formed on an upper portion thereof; a supporting unit which supports a substrate in the processing space; a processing liquid providing unit which provides processing liquid to an upper side of the substrate supported by the supporting unit; an air current providing unit which provides drying gas and external air in the direction of the processing space; and an elevating unit which raises and lowers the processing container or the supporting unit to change the relative height between the processing container and the support unit. The air current providing unit comprises: a fan housing which is joined to the housing, has an open lower portion to correspond to the opening of the housing, and has a supply hole, formed on an upper portion and capable of controlling insertion of external air; a fan which is located on the inside of the fan housing and is provided to be rotated around an axis in a vertical direction of the fan housing; a gas nozzle which is in the shape of a ring having a flow channel formed therein, is located on the inside of the fan housing, is provided to cover the fan, and has a plurality of spraying holes connected to the flow channel; and a supply pipe which is connected to the gas nozzle and supplies the drying gas.

Description

기판 처리 장치{APPRATUS FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.As semiconductor devices become more dense, highly integrated, and have high performance, circuit patterns become finer, so that contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the surface of the substrate greatly affect the characteristics of devices and yield do. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhered to the surface of the substrate is becoming very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at the front and rear stages of each unit process for manufacturing a semiconductor is being carried out.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리 할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 처리 용기; 상기 처리 용기를 수용하고 상부에 개구가 형성된 하우징; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛; 상기 처리 공간 방향으로 건조 가스와 외기를 공급하는 기류 공급 유닛; 및 상기 처리 용기와 상기 지지 유닛 간에 상대 높이가 변경되도록 상기 처리 용기 또는 상기 지지 유닛을 승하강 시키는 승강 유닛을 포함하되, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 하우징에 결합되며, 상기 하우징의 개구에 대응되도록 하부가 개방되고, 상부에 외기의 유입을 조절 가능한 공급홀이 형성된 팬 하우징; 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고 팬 하우징의 상하방향을 축으로 회전하도록 제공되는 팬; 내부에 유로가 형성된 링 형상으로 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고, 상기 팬을 감싸도록 제공되며, 상기 유로와 연결되는 다수개의 분사홀들이 형성된 가스 노즐; 및 상기 가스 노즐에 연결되어 상기 건조 가스를 공급하는 공급관을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, a substrate processing apparatus includes: a processing vessel having a processing space; A housing housing the processing container and having an opening formed therein; A support unit for supporting the substrate in the processing space; A processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate supported by the supporting unit; An air flow supply unit for supplying dry gas and ambient air in the process space direction; And an elevating unit for elevating and lowering the processing container or the supporting unit so that a relative height between the processing container and the supporting unit is changed, wherein the airflow supply unit is coupled to the housing, A fan housing in which a lower portion is opened and a supply hole capable of regulating inflow of outside air is formed in an upper portion; A fan positioned inside the fan housing and provided to rotate about the vertical direction of the fan housing; A gas nozzle disposed inside the fan housing in a ring shape having a flow path formed therein and provided to surround the fan and having a plurality of spray holes connected to the flow path; And a supply pipe connected to the gas nozzle to supply the dry gas.

일 예에 의하면, 상기 가스 노즐의 분사홀은 하방을 향하도록 제공될 수 있다.According to an example, the injection hole of the gas nozzle may be provided so as to face downward.

일 예에 의하면, 상기 분사홀은 균일한 간격으로 제공 될 수 있다.According to an example, the injection holes may be provided at uniform intervals.

일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 가스 노즐에 위치되어, 상기 가스 노즐과 열 교환 가능하게 제공되는 온도 조절기를 더 포함할 수 있다.According to one example, the airflow supply unit may further include a temperature controller located in the gas nozzle and provided to be exchangeable with the gas nozzle.

일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은 상기 공급홀을 개폐하는 도어를 더 포함 할 수 있다.According to an example, the airflow supply unit may further include a door for opening and closing the supply hole.

일 예에 의하면, 상기 기류 공급 유닛은, 상기 도어가 슬라이딩 운동하도록 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함하고, 상기 도어에는 상기 팬 하우징의 상기 공급홀에 대응되는 홀이 형성되며, 상기 도어를 슬라이딩 이동시켜 상기 공급홀과 상기 홀의 위치를 상대 이동시켜 외기의 유입을 조절 할 수 있다.According to an example, the airflow supply unit may further include a driver for providing a driving force to slide the door, wherein the door has a hole corresponding to the supply hole of the fan housing, So that the inflow of the outside air can be controlled by relatively moving the position of the supply hole and the hole.

일 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는, 상기 처리 용기에 연결되는 배기관; 상기 배기관에 배기 압력을 제공하는 배기 부재; 및 일 예에 의하면, 상기 배기 부재와 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함 할 수 있다.According to an example, the substrate processing apparatus may further include: an exhaust pipe connected to the processing vessel; An exhaust member for providing an exhaust pressure to the exhaust pipe; According to an embodiment of the present invention, the controller may further include a controller for controlling the exhaust member and the airflow supply unit.

일 예에 의하면, 상기 제어기는 상기 기류 공급 유닛에서 공급되는 상기 건조 가스 또는 상기 외기의 양에 대응되는 양의 기체가 상기 처리 공간에서 배출되도록 상기 배기 부재를 제어하 할 수 있다.According to an embodiment, the controller may control the exhaust member such that a gas corresponding to the amount of the dry gas or the outside air supplied from the airflow supply unit is discharged from the processing space.

일 예에 의하면, 상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 내에 상기 팬이 위치될 수 있다.According to an example, the fan may be positioned in a region extending vertically downward from a distribution region of the supply hole of the fan housing.

일 예에 의하면, 상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 바깥에 상기 가스 노즐이 위치될 수 있다.According to an example, the gas nozzle may be positioned outside the region where the distribution region of the supply hole of the fan housing is perpendicular and extends downward.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판이 효율적으로 처리 될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the substrate can be efficiently processed.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 기류 공급 유닛의 저면도이다.
도 4는 기류 공급 유닛 및 배기 부재의 제어 관계를 나타내는 블록도이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus.
3 is a bottom view of the airflow supply unit.
4 is a block diagram showing the control relationship of the airflow supply unit and the exhaust member.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is accommodated is mounted on the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A carrier (130) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 so as to be stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130 while others are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. Body 244b is also provided to be rotatable on base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided for forward and backward movement relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

아래에서는 처리액을 이용하여 기판(W)을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. An example of the substrate processing apparatus 300 for cleaning the substrate W by using the process liquid will be described below.

도 2는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an example of the substrate processing apparatus 300. FIG.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(310), 처리 용기(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 처리액 공급 유닛(370), 기류 공급 유닛(400)을 포함한다. 하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 처리 용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다. 2, the substrate processing apparatus 300 includes a housing 310, a processing vessel 320, a support unit 340, a lift unit 360, a processing liquid supply unit 370, an airflow supply unit 400, . The housing 310 provides space therein. The processing vessel 320 provides a space where the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The processing vessel 320 has an inner recovery vessel 322, an intermediate recovery vessel 324, and an outer recovery vessel 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers the different treatment liquids among the treatment liquids used in the process. The inner recovery bottle 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340 and the intermediate recovery bottle 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery bottle 322 and the outer recovery bottle 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet through which the processing liquid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324, and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing liquid that has flowed through the respective recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged treatment liquid can be reused through an external treatment liquid recovery system (not shown).

지지 유닛(340)은 처리 용기(320) 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지 핀(344), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 포함한다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(344)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.The support unit 340 is disposed in the processing vessel 320. The support unit 340 supports the substrate W and rotates the substrate W during the process. The support unit 340 includes a body 342, a support pin 344, a chuck pin 346, and a support shaft 348. The body 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A support shaft 348 rotatable by a motor 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the body 342. A plurality of support pins 344 are provided. The support pins 344 are spaced apart from the edge of the upper surface of the body 342 and protrude upward from the body 342. The support pins 334 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pins 344 support the rear edge of the substrate W such that the substrate W is spaced from the upper surface of the body 342 by a predetermined distance. A plurality of chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the body 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the body 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate W so that the substrate W is not laterally displaced in place when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided so as to be linearly movable between a standby position and a supporting position along the radial direction of the body 342. The standby position is a distance from the center of the body 342 relative to the support position. The chuck pin 346 is positioned in the standby position when the substrate W is loaded or unloaded to the support unit 340 and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate W is being processed . At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate W.

승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The elevating unit 360 moves the processing vessel 320 linearly in the vertical direction. As the processing vessel 320 is moved up and down, the relative height of the processing vessel 320 to the supporting unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the processing container 320 and a moving shaft 364 which is moved upward and downward by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The processing vessel 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the upper portion of the processing vessel 320 when the substrate W is placed on the support unit 340 or is lifted from the support unit 340. [ When the process is performed, the height of the process container 320 is adjusted so that the process liquid may flow into the predetermined collection container 360 according to the type of the process liquid supplied to the substrate W. For example, while processing the substrate with the first processing solution, the substrate is positioned at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery cylinder 322. [ During the processing of the substrate with the second processing solution and the third processing solution, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324, and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ Unlike the above, the lift unit 360 can move the support unit 340 in the vertical direction instead of the process container 320. [

처리액 공급 유닛(370)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리액 공급 유닛(370)은 노즐 지지대(372), 노즐(374), 지지축(376), 그리고 구동기(378)를 가진다. 지지축(376)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(376)의 하단에는 구동기(378)가 결합된다. 구동기(378)는 지지축(376)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐 지지대(372)는 구동기(378)와 결합된 지지축(376)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(374)은 노즐 지지대(372)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(374)은 구동기(378)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(374)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(374)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 처리액 공급 유닛(370)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 처리액 공급 유닛(370)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 처리액 공급 유닛(370)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.The process liquid supply unit 370 supplies the process liquid to the substrate W during the process of the substrate W process. The treatment liquid supply unit 370 has a nozzle support 372, a nozzle 374, a support shaft 376, and a driver 378. The support shaft 376 is provided along its lengthwise direction in the third direction 16 and the driver 378 is coupled to the lower end of the support shaft 376. The driver 378 rotates and lifts the support shaft 376. The nozzle support 372 is coupled perpendicular to the opposite end of the support shaft 376 coupled to the driver 378. The nozzle 374 is installed at the bottom end of the nozzle support 372. The nozzle 374 is moved by the actuator 378 to the process position and the standby position. The process position is the position where the nozzle 374 is disposed at the vertically upper portion of the processing container 320 and the standby position is the position at which the nozzle 374 is deviated from the vertical upper portion of the processing container 320. One or a plurality of processing liquid supply units 370 may be provided. When a plurality of the processing liquid supply units 370 are provided, the chemical, rinsing liquid, or organic solvent may be provided through the different processing liquid supply units 370. The rinsing liquid may be pure, and the organic solvent may be a mixture of an isopropyl alcohol vapor and an inert gas or an isopropyl alcohol liquid.

도 3은 기류 공급 유닛(400)의 저면도이다.3 is a bottom view of the airflow supply unit 400. Fig.

기류 공급 유닛(400)은 처리 공간에 하강 기류를 형성하도록 기류를 제공한다. 기류 공급 유닛(400)은 처리 공간과 대향되게 하우징(310)의 상부에 위치될 수 있다.The airflow supply unit 400 provides an airflow to form a downward flow in the processing space. The airflow supply unit 400 may be positioned above the housing 310 so as to face the processing space.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기류 공급 유닛(400)은 팬 하우징(410), 가스 노즐(420) 및 팬(480)을 포함한다.Referring to FIGS. 2 and 3, the airflow supply unit 400 includes a fan housing 410, a gas nozzle 420, and a fan 480.

팬 하우징(410)은 기류 공급 유닛(400)의 골격을 제공한다. 팬 하우징(410)은 하부가 개방되게 제공되어, 처리 공간과 연결되게 하우징(310)의 상부에 고정될 수 있다. 팬 하우징(410)의 둘레 형상은 원형, 타원형, 다각형 등으로 형성될 수 있다. 팬 하우징(410)의 상부에는 공급홀(411)이 하나 이상 형성되어 있을 수 있다. 공급홀(411)은 원형, 타원형, 다각형, 슬릿 모양 등으로 형성될 수 있다. 공급홀(411)을 통해 팬 하우징(410)의 내측으로 외기가 공급된다. 공급홀(411)은 개폐 가능하게 제공된다. 일 예로, 공급홀(411)에는 도어(440)가 제공될 수 있다. 도어(440)에는 공급홀(411)에 대응되는 홀이 형성되어 있을 수 있다. 그리고, 도어(440)는 구동기(450)에 의해 팬 하우징(410)에 대해 슬라이딩 되어, 공급홀(411)이 홀과 정렬되면 공급홀(411)은 개방될 수 있다. 도어(440) 및 구동기(450)는 팬 하우징(410)의 외측 또는 팬 하우징(410)의 내측에 위치될 수 있다.The fan housing 410 provides the framework of the airflow supply unit 400. The fan housing 410 may be provided with an open lower portion and may be fixed to the upper portion of the housing 310 to be connected to the processing space. The peripheral shape of the fan housing 410 may be circular, elliptical, polygonal, or the like. At least one supply hole 411 may be formed in the upper part of the fan housing 410. The supply hole 411 may be formed in a circular shape, an elliptical shape, a polygonal shape, a slit shape, or the like. Outside air is supplied to the inside of the fan housing 410 through the supply hole 411. [ The supply hole 411 is provided so as to be openable and closable. As an example, the supply hole 411 may be provided with a door 440. A hole corresponding to the supply hole 411 may be formed in the door 440. The door 440 is slid with respect to the fan housing 410 by the driver 450 so that the supply hole 411 can be opened when the supply hole 411 is aligned with the hole. The door 440 and the driver 450 may be located outside the fan housing 410 or inside the fan housing 410. [

가스 노즐(420)은 팬 하우징(410)의 내측에 위치된다. 가스 노즐(420)은 내측에 유로가 형성 링 형상으로 제공된다. 가스 노즐(420)은 다각형 또는 원형으로 제공될 수 있다. 가스 노즐(420)은 공급관(430)과 연결된다. 공급관(430)은 1개 또는 복수개가 연결될 수 있다. 공급관(430)은 가스 노즐(420)로 습도가 낮게 형성된 건조 가스를 공급한다. 그리고, 가스 노즐(420)의 하면에는 분사홀(421)들이 형성되어, 공급관(430)을 통해 가스 노즐(420)의 내측으로 공급된 건조 가스를 처리 공간으로 공급한다. 따라서, 건조 가스는 가스 노즐(420)의 내측에서 분배된 후, 분사홀(421)을 통해 균일하게 분사될 수 있다.The gas nozzle 420 is located inside the fan housing 410. The gas nozzle 420 is provided in a ring shape with a flow path formed therein. The gas nozzle 420 may be provided in a polygonal or circular shape. The gas nozzle 420 is connected to the supply pipe 430. One or a plurality of supply pipes 430 may be connected. The supply pipe 430 supplies a dry gas having a low humidity to the gas nozzle 420. Discharge holes 421 are formed on the lower surface of the gas nozzle 420 to supply the dry gas supplied to the inside of the gas nozzle 420 through the supply pipe 430 to the processing space. Accordingly, the dry gas can be uniformly injected through the injection hole 421 after being distributed inside the gas nozzle 420.

가스 노즐(420)에는 온도 조절기(425)가 제공된다. 온도 조절기(425)는 가스 노즐(420)과 열 교환 가능하게 제공되어, 가스 노즐(420)을 가열 또는 냉각할 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 팬 하우징(410)의 내측 공간과도 열교환 가능하게 제공되어, 공급홀(411)을 통해 공급된 외기와도 열교환 할 수 있다. 일 예로, 온도 조절기(425)는 내측에 유체를 수용 가능한 형상으로 제공되어, 내측을 유동하는 유체를 통해 주위와 열 교환 가능할 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 온도가 전기적으로 조절되어 가열 또는 냉각 시킬 수 있는 열전 소자일 수 있다. 또한, 온도 조절기(425)는 전기 저항열을 통해 주위를 가열하는 형태로 제공될 수 도 있다.The gas nozzle 420 is provided with a temperature controller 425. The temperature regulator 425 is provided to be exchangeable with the gas nozzle 420 so as to heat or cool the gas nozzle 420. The temperature regulator 425 is also provided to be heat-exchangeable with the inner space of the fan housing 410 so that heat can be exchanged with the outside air supplied through the supply hole 411. As an example, the temperature regulator 425 may be provided in a fluid-receptive configuration on the inside and be heat exchangeable with the environment through the fluid flowing inside. The temperature regulator 425 may also be a thermoelectric element whose temperature can be electrically controlled to heat or cool. In addition, the temperature regulator 425 may be provided in the form of heating the surroundings through electric resistance heat.

팬 하우징(410)의 내측에는 팬(480)이 위치된다. 팬(480)은 하강 기류를 형성하여, 가스 노즐(420)에서 분사되는 건조 가스 또는 외기를 하우징(310)의 내측 공간에 균일하게 공급할 수 있다.A fan 480 is located inside the fan housing 410. The fan 480 forms a downward flow so that the drying gas or the outside air injected from the gas nozzle 420 can be uniformly supplied to the inner space of the housing 310.

처리 용기(320)는 배기관(390)에 연결된다. 그리고, 배기관(390)에는 배기 부재(391)가 위치된다. 배기 부재(391)는 배기관(390)의 배기 압력을 제공하여 처리 공간을 배기 시킨다. 따라서, 기판 처리 공정에서 발생하는 흄이 외부로 배출될 수 있다. 배기 부재(391)는 배기관(390)에 배기압을 제공하는 펌프일 수 있다. 또한, 배기 부재(391)는 펌프 및 배기관(390)을 개폐하는 밸브를 포함할 수 있다.The processing vessel 320 is connected to an exhaust pipe 390. An exhaust member 391 is disposed in the exhaust pipe 390. The exhaust member 391 provides the exhaust pressure of the exhaust pipe 390 to exhaust the processing space. Therefore, fumes generated in the substrate processing step can be discharged to the outside. The exhaust member 391 may be a pump that provides an exhaust pressure to the exhaust pipe 390. [ Further, the exhaust member 391 may include a valve for opening and closing the pump and the exhaust pipe 390.

도 4는 기류 공급 유닛 및 배기 부재의 제어 관계를 나타내는 블록도이다.4 is a block diagram showing the control relationship of the airflow supply unit and the exhaust member.

도 4를 참조하면, 기류 공급 유닛(400) 및 배기 부재(391)는 제어기(500)에 의해 제어된다.Referring to Fig. 4, the airflow supply unit 400 and the exhaust member 391 are controlled by the controller 500. Fig.

제어기(500)는 건조 가스의 공급이 차단된 상태에서, 외기만이 처리 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 이때, 기판은 제1처리액으로 처리되는 상태일 수 있다. 제1처리액에 의한 기판의 처리 정도는 기판 주위의 온도에 의해 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제1처리액이 불화수소와 같은 산(acid)를 포함하여 산성을 띄는 경우, 기판의 처리 정도는 온도에 민감할 수 있다. 반면, 본 발명에 따른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(300)는 내부 공간으로 공급되는 외기의 온도가 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절될 수 있다. 따라서, 처리액에 의한 기판 처리의 정도가 균일하게 유지될 수 있다.The controller 500 can control the airflow supply unit 400 so that only the outside air is supplied to the processing space in a state in which the supply of the drying gas is blocked. At this time, the substrate may be treated with the first treatment liquid. The degree of processing of the substrate by the first processing solution may be affected by the temperature around the substrate. For example, when the first process liquid contains an acid such as hydrogen fluoride and is acidic, the degree of processing of the substrate may be temperature-sensitive. On the other hand, in the substrate processing apparatus 300 according to the embodiment of the present invention, the temperature of the outside air supplied to the internal space can be adjusted by the temperature controller 425 to the set temperature or the set temperature range. Therefore, the degree of the substrate treatment by the treatment liquid can be maintained uniformly.

또한, 제어기(500)는 건조 가스 및 외기가 함께 내부 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 이 때, 건조 가스 및 외기는 하나의 기류 공급 유닛(400)에 의해 동일 위치에서 내부 공간으로 공급된다. 이 때, 건조 가스는 가스 노즐(420)에 의해 균일하게 분포된 상태로 분사된다. 따라서, 외기 및 건조 가스는 팬 하우징(410)의 내측 공간 및 내부 공간으로 공급되는 과정에서 균일하게 혼합된 후 기판의 주위 공간으로 공급될 수 있다. 또한, 건조 가스와 외기는 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태로 공급될 수 있다.Further, the controller 500 can control the airflow supply unit 400 so that the dry gas and the outside air are supplied to the inner space together. At this time, the drying gas and the outside air are supplied to the internal space at the same position by one airflow supply unit 400. At this time, the dry gas is uniformly distributed by the gas nozzle 420. Accordingly, the outside air and the drying gas can be uniformly mixed in the process of being supplied to the inner space and the inner space of the fan housing 410, and then supplied to the surrounding space of the substrate. In addition, the drying gas and the outside air can be supplied by the temperature controller 425 while being adjusted to the set temperature or the set temperature range.

또한, 제어기(500)는 외기의 공급이 차단된 상태로 건조 가스만이 내부 공간으로 공급되도록 기류 공급 유닛(400)을 제어할 수 있다. 또한, 건조 가스는 온도 조절기(425)에 의해 설정 온도 또는 설정 범위의 온도로 조절된 상태로 공급될 수 있다.Also, the controller 500 can control the airflow supply unit 400 so that only the dry gas is supplied to the inner space in a state where the supply of the outside air is blocked. In addition, the dry gas can be supplied by the temperature controller 425 while being adjusted to a set temperature or a set temperature range.

또한, 제어기(500)는 기류 공급 유닛(400)과 연동하여 배기 부재(391)를 제어할 수 있다. 기류 공급 유닛(400)에 의해 공급되는 기체의 양은 상황에 따라 상이할 수 있다. 일 경우로, 건조 가스와 외기 가운데 하나만 공급되는 경우에 비해 건조 가스 및 외기가 혼합되어 공급되는 경우가 처리 공간에 공급되는 기체의 양이 많을 수 있다. 또 다른 경우로, 건조 가스는 가스에서 수분을 저감시키는 공정이 필요하여, 외기에 비해 공급되는 양이 적을 수 있다. 따라서, 외기만 공급되는 경우에 비해 건조 가스만 공급되는 경욱 처리 공간으로 공급되는 기체의 양이 적을 수 있다. 이와 같이 처리 공간으로 공급되는 기체의 양 변화는 처리 공간의 압력 변화를 야기할 수 있다. 이를 방지하기 위해, 제어기(500)는 기류 공급 유닛(400)에 의해 공급되는 기체의 양에 따라 배기 부재(391)를 제어하여, 처리 공간의 압력이 설정 압력 또는 설정 범위의 압력을 유지하게 할 수 있다.In addition, the controller 500 can control the exhaust member 391 in conjunction with the airflow supply unit 400. The amount of gas supplied by the airflow supply unit 400 may vary depending on the situation. The amount of gas to be supplied to the processing space may be large when the drying gas and the outside air are mixed and supplied as compared with the case where only one of the drying gas and the outside air is supplied. In another case, the drying gas requires a step of reducing moisture in the gas, and the amount of the drying gas to be supplied may be smaller than that in the outside air. Therefore, the amount of gas supplied to the gyeongwook processing space, which is supplied only with dry gas, may be smaller than that in the case where only outside air is supplied. Such a change in the amount of gas supplied to the processing space may cause a pressure change in the processing space. In order to prevent this, the controller 500 controls the exhaust member 391 in accordance with the amount of gas supplied by the airflow supply unit 400 so that the pressure of the processing space is maintained at the set pressure or the set range pressure .

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.

100: 인덱스 모듈 200: 공정 처리 모듈
300 : 기판 처리 장치 320 : 처리 용기
340 : 지지 유닛 360 : 승강 유닛
370 : 처리액 공급 유닛 390 : 기류 공급 유닛100: Index module 200: Process processing module
300: substrate processing apparatus 320: processing vessel
340: support unit 360: elevating unit
370: Process liquid supply unit 390: Air flow supply unit

Claims (10)

처리 공간을 가지는 처리 용기;
상기 처리 용기를 수용하고 상부에 개구가 형성된 하우징;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
상기 지지 유닛에 지지된 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛;
상기 처리 공간 방향으로 건조 가스와 외기를 공급하는 기류 공급 유닛; 및
상기 처리 용기와 상기 지지 유닛 간에 상대 높이가 변경되도록 상기 처리 용기 또는 상기 지지 유닛을 승하강 시키는 승강 유닛을 포함하되,
상기 기류 공급 유닛은,
상기 하우징에 결합되며, 상기 하우징의 개구에 대응되도록 하부가 개방되고, 상부에 외기의 유입을 조절 가능한 공급홀이 형성된 팬 하우징;
상기 팬 하우징의 내측에 위치되고 팬 하우징의 상하방향을 축으로 회전하도록 제공되는 팬;
내부에 유로가 형성된 링 형상으로 상기 팬 하우징의 내측에 위치되고, 상기 팬을 감싸도록 제공되며, 상기 유로와 연결되는 다수개의 분사홀들이 형성된 가스 노즐; 및
상기 가스 노즐에 연결되어 상기 건조 가스를 공급하는 공급관을 포함하는 기판 처리 장치.A processing vessel having a processing space;
A housing housing the processing container and having an opening formed therein;
A support unit for supporting the substrate in the processing space;
A processing liquid supply unit for supplying the processing liquid to the upper surface of the substrate supported by the supporting unit;
An air flow supply unit for supplying dry gas and ambient air in the process space direction; And
And an elevating unit for elevating and lowering the processing vessel or the supporting unit so that a relative height between the processing vessel and the supporting unit is changed,
The airflow supply unit includes:
A fan housing coupled to the housing, the fan housing having a lower portion open corresponding to an opening of the housing, and a supply hole capable of regulating inflow of outside air at an upper portion thereof;
A fan positioned inside the fan housing and provided to rotate about the vertical direction of the fan housing;
A gas nozzle disposed inside the fan housing in a ring shape having a flow path formed therein and provided to surround the fan and having a plurality of spray holes connected to the flow path; And
And a supply pipe connected to the gas nozzle to supply the dry gas. 제1 항에 있어서,
상기 가스 노즐의 분사홀은 하방을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein an injection hole of the gas nozzle is provided so as to face downward. 제2 항에 있어서,
상기 분사홀은 균일한 간격으로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the spray holes are provided at uniform intervals. 제1항에 있어서,
상기 기류 공급 유닛은,
상기 가스 노즐에 위치되어, 상기 가스 노즐과 열 교환 가능하게 제공되는 온도 조절기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The airflow supply unit includes:
Further comprising a temperature controller located in the gas nozzle and provided to be exchangeable with the gas nozzle. 제1항에 있어서,
상기 기류 공급 유닛은 상기 공급홀을 개폐하는 도어를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the airflow supply unit further comprises a door for opening and closing the supply hole. 제5항에 있어서,
상기 기류 공급 유닛은,
상기 도어가 슬라이딩 운동하도록 구동력을 제공하는 구동기를 더 포함하고,
상기 도어에는 상기 팬 하우징의 상기 공급홀에 대응되는 홀이 형성되며, 상기 도어를 슬라이딩 이동시켜 상기 공급홀과 상기 홀의 위치를 상대 이동시켜 외기의 유입을 조절하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
The airflow supply unit includes:
Further comprising a driver for providing a driving force for sliding the door,
Wherein the door is provided with a hole corresponding to the supply hole of the fan housing and the door is slidably moved to move the supply hole and the hole relative to each other to regulate the inflow of the outside air. 제1항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 처리 용기에 연결되는 배기관;
상기 배기관에 배기 압력을 제공하는 배기 부재; 및
상기 배기 부재와 상기 기류 공급 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus includes:
An exhaust pipe connected to the processing vessel;
An exhaust member for providing an exhaust pressure to the exhaust pipe; And
And a controller for controlling the exhaust member and the airflow supply unit. 제7항에 있어서,
상기 제어기는 상기 기류 공급 유닛에서 공급되는 상기 건조 가스 또는 상기 외기의 양에 대응되는 양의 기체가 상기 처리 공간에서 배출되도록 상기 배기 부재를 제어하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the controller controls the exhaust unit such that a gas corresponding to the amount of the dry gas or the outside air supplied from the airflow supply unit is discharged from the processing space. 제1 항에 있어서,
상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 내에 상기 팬이 위치되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the fan is located in a region where the distribution region of the supply hole of the fan housing is perpendicular and extends downward. 제1 항에 있어서,
상기 팬 하우징의 공급홀의 분포 영역이 수직하여 하방을 연장된 영역 바깥에 상기 가스 노즐이 위치되는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the gas nozzle is located outside the region where the distribution region of the supply hole of the fan housing is perpendicular and extends downward.
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