KR20180106069A - Substrate procesing apparatus and control method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 대면적 기판을 정확한 위치에 위치시킬 수 있으며, 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 손상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a control method thereof, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a control method thereof capable of positioning a large-area substrate at an accurate position and preventing damage to the substrate upon loading and unloading of the substrate ≪ / RTI >
최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다.In recent years, there has been a growing interest in information display and a demand for a portable information medium has increased, and a lightweight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out.
이러한 평판표시장치 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)가 가장 주목받는 디스플레이 장치였지만, 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며, 밝기, 명암비(contrast ratio) 및 시야각 등에 단점이 있기 때문에, 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 디스플레이 장치에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. 이중, 최근에 각광받고 있는 차세대 디스플레이 중 하나로서는, 유기발광 디스플레이(OLED: Organic Light Emitting Display)가 있다.In the field of flat panel displays, a liquid crystal display device (LCD), which is light and consumes little power, has attracted the greatest attention, but the liquid crystal display device is not a light emitting device but a light receiving device, ratio, and viewing angle. Therefore, a new display device capable of overcoming such drawbacks is actively developed. One of the next-generation displays, which has recently come to the fore, is an organic light emitting display (OLED).
일반적으로 디스플레이 장치에서는 기판 상에 미세한 패턴이 고밀도로 집적되어 형성됨에 따라 이에 상응하는 정밀 연마가 행해질 수 있어야 한다.Generally, in a display device, a fine pattern corresponding to a high density is formed on a substrate so that a corresponding precision polishing can be performed.
특히, 기판은 점차 대형화되는 추세이며, 기판의 패턴을 균일화하면서 불필요한 부분을 연마하는 공정은 제품의 완성도를 좌우하는 만큼, 매우 중요한 공정으로 안정적인 연마 신뢰도를 필요로 한다.Particularly, the substrate is becoming larger and larger, and the process of polishing the unnecessary portion while uniformizing the pattern of the substrate affects the completeness of the product, so that it is a very important process and requires stable polishing reliability.
기존에 알려진 기판의 패턴을 연마하는 방식에는, 기판(패턴)을 기계적으로 연마하는 방식과, 기판 전체를 연마 용액에 침지시켜 연마하는 방식이 있다. 그러나, 기판을 기계적으로만 연마하거나, 연마 용액에 침지시켜 연마하는 방식은 연마 정밀도가 낮고 생산효율이 낮은 문제점이 있다.Conventionally known methods of polishing a pattern of a substrate include a method of mechanically polishing the substrate (pattern) and a method of polishing the entire substrate by immersing it in a polishing solution. However, the method of polishing the substrate only mechanically or by immersing it in the polishing solution has a problem of low polishing precision and low production efficiency.
최근에는 기판의 패턴을 정밀하게 연마하기 위한 방법의 일환으로서, 기계적인 연마와 화학적인 연마가 병행되는 화학 기계적 연마(CMP) 방식으로 기판의 패턴을 연마하는 기술이 개시되고 있다. 여기서, 화학 기계적 연마라 함은, 기판을 연마패드에 회전 접촉시켜 연마시킴과 동시에 화학적 연마를 위한 슬러리가 함께 공급되는 방식이다.Recently, as a method for precisely polishing a pattern of a substrate, a technique of polishing a pattern of a substrate by a chemical mechanical polishing (CMP) method in which mechanical polishing and chemical polishing are performed in parallel is disclosed. Here, the term " chemical mechanical polishing " is a method in which a substrate is polished by rotating contact with a polishing pad, and at the same time, a slurry for chemical polishing is supplied together.
한편, 기판은 연마 영역에 구비된 정반에 배치된 상태에서 연마 공정이 행해지는데, 정반 상에 배치되는 기판의 위치가 조금이라도 틀어지게 되면, 기판의 연마 정확도와 연마 균일도가 저하되는 문제점이 있고, 기판을 이송하는 중에 주변 부품과의 간섭에 의해 기판에 손상이 발생할 수 있기 때문에, 기판이 의도된 위치에 정확하게 배치될 수 있어야 한다.On the other hand, a polishing process is performed in a state where the substrate is disposed on a polishing table provided in a polishing region. If the position of the substrate placed on the polishing table is slightly changed, the polishing accuracy and polishing uniformity of the substrate are deteriorated. Since damage to the substrate may occur due to interference with surrounding components during transfer of the substrate, the substrate must be able to be accurately positioned at the intended location.
그런데, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 정반 위에 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 정반 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 정반의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.However, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed on a table (at the time of loading) There is a problem that the large-area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the platen by the air or the liquid fluid (for example, cleaning liquid) existing between the platen and the substrate and deviates from the correct position (loading position).
또한, 기판에 대한 연마가 완료된 후 정반에서 기판을 들어 올릴 시(언로딩시)에는 유리 기판과 정반 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력, 또는 유리 기판의 밀림을 방지하고 충격을 흡수하기 위하여 정반위에 배치되는 패드(PAD)와 유리 기판 사이에 작용하는 접착력에 의해 기판을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판이 손상될 우려가 있다.Further, when the substrate is lifted from the surface of the substrate after the polishing of the substrate is completed (at the time of unloading), the surface tension due to the liquid fluid (e.g., cleaning liquid) existing between the glass substrate and the surface of the substrate, It is very difficult to detach the substrate by the adhesive force acting between the glass substrate and the pad (PAD) disposed on the surface plate in order to prevent the impact, and inevitably the substrate must be removed with a very strong force. May be damaged.
이를 위해, 최근에는 대면적 기판(일측변의 길이가 1m 이상인 기판)을 의도한 위치에 정확하게 배치할 수 있으며, 기판의 로딩 및 언로딩 공정 중에 기판의 손상 및 파손을 방지하기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.For this purpose, in recent years, a large-area substrate (a substrate having a length of 1 m or more on one side) can be accurately disposed at an intended position, and various studies have been made to prevent damage or breakage of the substrate during loading and unloading processes However, there is still insufficient demand for development.
본 발명은 대면적 기판을 의도한 위치에 정확하게 배치할 수 있는 기판 처리 장치 및 그 제어방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a control method thereof capable of accurately arranging a large area substrate at an intended position.
특히, 본 발명은 기판의 로딩 공정 중에 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판을 의도한 위치에 정확하게 배치할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.Particularly, the present invention aims to suppress misalignment of the posture and position of the substrate during the loading process of the substrate, and to accurately position the substrate at an intended position.
또한, 본 발명은 기판의 언로딩 공정 중에 기판의 틀어짐을 방지하고, 기판을 용이하게 들어올 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to prevent the substrate from being twisted during the unloading process of the substrate, and to allow the substrate to be easily introduced.
또한, 본 발명은 기판의 손상 및 파손을 방지하고, 안정성 및 신뢰성을 높일 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to prevent damage and breakage of a substrate, and to improve stability and reliability.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따르면, 기판 처리 장치는, 기판에 대한 연마 공정이 행해지는 스테이지와, 기판을 그립하는 그립유닛과, 스테이지에 대해 그립유닛을 선택적으로 경사지게 틸팅시키는 틸팅부를 포함한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a stage for performing a polishing process on a substrate, a grip unit for gripping the substrate, And a tilting unit for selectively tilting the tilting unit.
이는, 대면적 기판의 로딩 및 언로딩 정확도를 높이고 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 손상을 방지하기 위함이다.This is to increase the accuracy of loading and unloading large-area substrates and to prevent damage to the substrates upon loading and unloading of the substrates.
무엇보다도, 본 발명은 그립유닛(기판)이 스테이지에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅될 수 있도록 하는 것에 의하여, 로딩 공정 중에 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판을 의도한 위치에 정확하게 배치하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Above all, the present invention is advantageous in that the grip unit (substrate) can be inclined selectively tilting with respect to the stage, thereby restraining the posture and position of the substrate during the loading process and accurately positioning the substrate at the intended position Effect can be obtained.
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반) 위에 평평하게 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 스테이지 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 스테이지의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed flat on a flat stage (for example, Area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the stage by air or a liquid fluid (e.g., a cleaning liquid) existing between the large-area glass substrate and the stage, and deviates from the correct position (loading position) There is a problem that a phenomenon occurs.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판이 선택적으로 틸팅되도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정 중에 기판과 스테이지의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판과 스테이지 사이에서 외측으로 빠져나가게 할 수 있으므로, 기판의 로딩 공정 중에 공기층 또는 액체층에 의한 기판의 부유 현상을 최소화하고, 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제할 수 있으며, 의도한 위치에 정확하게 기판을 위치시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the loading process of the substrate can be performed with the substrate being tilted by selectively tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the loading process of the substrate in the inclined and tilted state instead of the flat state, the air or the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the loading process of the substrate is released outwardly between the substrate and the stage It is possible to minimize floating of the substrate due to the air layer or the liquid layer during the substrate loading process and to suppress the misalignment of the posture and position of the substrate and to obtain an advantageous effect of accurately positioning the substrate at the intended position have.
그립유닛의 그립 방식은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 그립유닛은 틸팅부에 의해 각도 조절 가능한 지지 프레임과, 지지 프레임에 장착되며 기판을 그립하는 그립퍼를 포함한다.The gripping method of the grip unit can be variously changed according to the required conditions and design specifications. In one example, the grip unit includes a support frame that is adjustable by a tilting portion, and a gripper mounted on the support frame and gripping the substrate.
이때, 그립퍼는 기판에 진공 흡착되도록 구성될 수 있다. 바람직하게, 그립퍼는 기판의 논액티브 영역(non-active area)을 그립하도록 구성된다. 이와 같이, 그립퍼가 기판의 논액티브 영역에서 기판을 그립(기판의 논액티브 영역을 그립)하도록 하는 것에 의하여, 그립퍼의 접촉에 의한 기판의 손상 및 수율 저하를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.At this time, the gripper may be configured to be vacuum-adsorbed on the substrate. Preferably, the gripper is configured to grip a non-active area of the substrate. By thus allowing the gripper to grip the substrate (grip the non-active region of the substrate) in the non-active region of the substrate, it is possible to obtain an advantageous effect of preventing damage to the substrate and lowering the yield due to contact of the gripper.
틸팅부는 기판을 그립한 그립유닛을 스테이지에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅시킬 수 있는 다양한 구조로 제공될 수 있다.The tilting portion may be provided in various structures capable of selectively tilting the grip unit that grips the substrate with respect to the stage.
아울러, 틸팅부는 기판의 이송 경로를 따라 배치된 가이드 레일을 따라 이동하는 가이드 프레임에 장착되며, 가이드 프레임이 가이드 레일을 따라 이동함에 따라, 틸팅부(그립유닛)는 로딩 영역에서 스테이지로 이동하거나, 스테이지에서 언로딩 영역으로 이동할 수 있다.In addition, the tilting portion is mounted on a guide frame moving along a guide rail disposed along a conveying path of the substrate. As the guide frame moves along the guide rail, the tilting portion (grip unit) moves from the loading area to the stage, It is possible to move from the stage to the unloading area.
바람직하게, 스테이지에 대해 그립유닛이 경사지게 틸팅된 상태에서 기판의 일변은 기판의 나머지 다른 변에 비해 스테이지에 인접하게 배치(기판의 일변을 기준으로 틸팅)된다. 여기서, 기판의 일변이 스테이지에 인접하게 배치된다 함은, 기판의 일변이 스테이지에 접촉하도록 배치되거나, 기판의 일변이 스테이지에 근접하도록 이격된 상태로 배치되는 것을 모두 포함하는 개념으로 정의된다.Preferably, one side of the substrate is tilted (tilted with respect to one side of the substrate) adjacent to the stage relative to the other side of the substrate with the grip unit tilted with respect to the stage. Here, the case where one side of the substrate is disposed adjacent to the stage is defined as a concept including both one side of the substrate is arranged to come into contact with the stage, or one side of the substrate is arranged apart from the stage.
보다 구체적으로, 틸팅부는, 베이스 프레임과, 베이스 프레임과 그립 유닛을 연결하며, 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제1신축부와, 제1신축부를 마주하도록 배치되되, 베이스 프레임과 그립 유닛을 연결하며 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제2신축부를 포함하고, 제1신축부와 제2신축부의 신축 길이를 서로 다르게 조절함으로써 그립 유닛을 틸팅시킬 수 있다. 이때, 제1신축부와 제2신축부 중 어느 하나 이상은 수직선을 기준으로 경사지게 배치된 상태에서 신축되도록 구성될 수 있다. More specifically, the tilting portion includes a base frame, a first stretchable portion that connects the base frame and the grip unit and selectively extendable and retractable, and a second stretchable portion that is disposed to face the first stretchable portion, The grip unit can be tilted by adjusting the extension and contraction lengths of the first and second stretchable and contractible parts. At this time, any one or more of the first stretchable portion and the second stretchable portion may be configured to be stretched or shrunk in a state of being inclined with respect to a vertical line.
아울러, 제1신축부는, 상기 베이스 프레임의 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제1전동실린더를 포함한다. 또한, 제2신축부는 베이스 프레임의 다른 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제2전동실린더를 포함한다.In addition, the first stretchable portion includes a plurality of first electromotive cylinders which are disposed apart from each other along one side of the base frame, and which can be selectively expanded and contracted. The second stretchable portion is disposed apart from the other side of the base frame and includes a plurality of selectively extendable second power cylinders.
또한, 기판 처리 장치는 베이스 프레임에 대한 지지 프레임의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드부를 포함한다.The substrate processing apparatus further includes a guide portion for guiding the vertical movement of the support frame relative to the base frame.
가이드부는 베이스 프레임에 대한 지지 프레임의 상하 방향 이동을 가이드 함으로써, 제1신축부와 제2신축부의 작동에 의한 지지 프레임의 불안정한 유동(좌우 방향으로 흔들리는 유동)을 억제할 수 있게 한다.The guide portion guides the support frame in the vertical direction with respect to the base frame, thereby making it possible to suppress the unstable flow of the support frame due to the operation of the first stretchable portion and the second stretchable portion (flow swinging in the lateral direction).
즉, 지지 프레임이 상하 방향으로 이동됨과 동시에 좌우 방향으로의 이동이 허용되는 구조(가이드부가 배제된 구조)에서는, 예를 들어, 제1신축부의 길이가 증가하면, 지지 프레임의 상하 높이 및 각도가 변경됨과 동시에 지지 프레임의 좌우 위치가 변경된다. 따라서, 제1신축부의 길이 변화에 따른 제2신축부의 제어(신축 길이 제어)는 지지프레임의 높이 및 각도와 좌우 위치를 모두 반영해야 하기 때문에, 제1신축부와 제2신축부의 제어가 복잡해지고 어려운 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 가이드부를 통해 지지 프레임의 상하 방향을 따른 직선 이동만 허용되고, 좌우 이동이 구속되도록 하는 것에 의하여, 제1신축부와 제2신축부의 신축 길이 제어를 보다 용이하게 수행할 수 있다.In other words, in the structure in which the support frame is moved in the vertical direction and the movement in the horizontal direction is allowed (the structure in which the guide portion is excluded), for example, when the length of the first stretchable portion increases, The left and right positions of the support frame are changed at the same time. Therefore, the control of the second stretchable and contractible portion according to the change of the length of the first stretchable and contractible portion must reflect both the height and the angle of the support frame and the right and left positions, so that the control of the first stretchable portion and the second stretchable portion becomes complicated There is a difficult problem. In the present invention, however, only the linear movement along the vertical direction of the support frame is permitted through the guide portion, and the left and right movement is restricted so that the extension and contraction lengths of the first and second stretchable and contractible portions can be more easily controlled .
더욱이, 가이드부는 지지 프레임의 좌우 이동을 억제할 수 있으므로, 제1신축부와 제2신축부의 작동시 지지 프레임의 불안정한 유동에 의한 기판의 흔들림을 최소화할 수 있으며, 흔들림에 의한 그립 실패를 방지하고 안정성 및 신뢰성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 길이를 갖는 대면적 기판은 지지 프레임의 작은 흔들림에도 크게 요동될 수 있기 때문에, 지지 프레임의 흔들림을 최대한 억제하는 것이 중요하다.Furthermore, since the guide portion can suppress the lateral movement of the support frame, it is possible to minimize the shaking of the substrate due to the unstable flow of the support frame during operation of the first stretchable portion and the second stretchable portion, An advantageous effect of increasing stability and reliability can be obtained. In particular, it is important to suppress the swinging of the support frame as much as possible, since a large-area substrate having a length of at least one side longer than 1 m can largely fluctuate even with small shaking of the support frame.
보다 구체적으로, 가이드부는, 베이스 프레임에 장착되는 가이드부싱과, 일단은 지지 프레임에 회전 가능하게 연결되고 가이드부싱을 따라 직선 이동 가능하게 배치되는 가이드로드를 포함한다. 바람직하게, 제1신축부와 제2신축부 사이의 중간 위치에 가이드부를 배치하는 것에 의하여, 지지 프레임의 흔들림 및 불안정한 유동을 최대한 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.More specifically, the guide portion includes a guide bush mounted on the base frame, and a guide rod rotatably connected to the support frame at one end and linearly movable along the guide bushing. Preferably, by disposing the guide portion at an intermediate position between the first stretchable portion and the second stretchable portion, it is possible to obtain an advantageous effect of suppressing the shaking and unstable flow of the support frame as much as possible.
참고로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 로딩 영역에서 기판을 수취한 후, 스테이지에 기판을 로딩하기 위해 사용될 수 있으며, 기판이 스테이지에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 기판의 로딩이 이루어진다.For reference, a substrate processing apparatus according to the present invention can be used for loading a substrate onto a stage after receiving the substrate in a loading area, and loading of the substrate is performed in a state where the substrate is inclined and tilted with respect to the stage.
이때, 스테이지에 대해 틸팅되게 배치된 기판의 로딩 과정은, 지지 프레임(그립유닛)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 행해지거나, 지지 프레임(그립유닛)의 틸팅 각도가 점진적으로 줄어들면서 행해질 수 있다.At this time, the loading process of the substrate arranged to be tilted with respect to the stage may be performed in a state where the tilting angle of the support frame (grip unit) is kept constant, or the tilting angle of the support frame (grip unit) have.
바람직하게, 스테이지에 대한 그립 유닛의 틸팅 각도(기판의 틸팅 각도)는 0.1°~ 3°로 형성된다. 즉, 기판의 틸팅 각도가 높아질수록(예를 들어, 3°를 초과하게 되면), 기판의 높이가 높아지기 때문에, 그립퍼에 의한 그립 해제에 의해 기판이 낙하할 시 기판이 손상되거나 파손될 우려가 있고, 기판의 로딩 시간이 증가하여 공정 효율이 저하되기 때문에, 스테이지에 대한 그립 유닛의 틸팅 각도(기판의 틸팅 각도)는 0.1°~ 3°로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the tilting angle (tilting angle of the substrate) of the grip unit with respect to the stage is set to 0.1 to 3 degrees. That is, since the height of the substrate becomes higher as the tilting angle of the substrate becomes higher (for example, more than 3 degrees), there is a possibility that the substrate is damaged or broken when the substrate falls due to the release of the grip by the gripper, The tilting angle of the grip unit with respect to the stage (tilting angle of the substrate) is preferably set to 0.1 to 3 degrees because the loading time of the substrate is increased and the process efficiency is lowered.
또한, 틸팅된 기판의 로딩 과정은 복수개의 그립퍼에 의한 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 행해지는 것도 가능하다. 즉, 복수개의 그립퍼에 의한 기판의 그립은, 기판의 일변을 마주하는 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되고, 복수개의 그립퍼에 의한 그립이 순차적으로 해제됨에 따라 기판은 일변에서 다른 일변을 향하는 방향을 따라 스테이지에 점진적으로 로딩된다.Also, the loading process of the tilted board can be performed by sequentially releasing the grips by a plurality of grippers (OFF). That is, the grip of the substrate by the plurality of grippers is sequentially released along the direction toward the other side of the substrate facing one side of the substrate, and the grip by the plurality of grippers is sequentially released, And is gradually loaded onto the stage along the direction toward the other side.
이와 같이, 기판이 틸팅된 상태에서 복수개의 그립퍼에 의한 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 로딩이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 위치를 보다 정확하게 맞출 수 있는 유리한 효과가 있다.As described above, by gripping the grips by the grippers in a state in which the substrate is tilted, the gripping is sequentially performed so that the loading can be performed, and the loading position of the substrate can be adjusted more accurately.
즉, 기판(지지 프레임)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 모든 그립퍼에 의한 그립을 동시에 해제(OFF)하면, 기판과 스테이지의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판과 스테이지 사이에서 외측으로 빠져나갈 수는 있으나, 기판이 의도한 로딩 위치에서 밀려나게 되는 현상이 발생할 수 있다. 이에 본 발명은, 복수개의 그립퍼에 의한 기판의 그립이, 기판의 일변을 마주하는 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되도록 하는 것에 의하여, 기판의 밀림 현상없이 기판을 정확한 위치에 로딩하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 복수개의 그립퍼 중 일부의 그립이 해제되면, 기판의 일부 부위가 스테이지에 접촉된 상태에서 기판의 나머지 부위는 그립유닛에 그립된 상태(고정 상태)로 유지되기 때문에, 기판이 스테이지에 최초 접촉할 시 기판의 위치가 틀어짐을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, when grips of all the grippers are simultaneously released (OFF) in a state where the tilting angle of the substrate (support frame) is kept constant, air or liquid fluid existing between the substrate and the stage moves outward The substrate may be pushed out from the intended loading position. Thus, according to the present invention, the grip of the substrate by the plurality of grippers is sequentially released (OFF) along the direction toward the other side of the substrate facing the one side of the substrate, It is possible to obtain an advantageous effect of loading into the apparatus. Particularly, when the grip of a part of the plurality of grippers is released, the remaining part of the substrate is held in the grip state (fixed state) in a state where a part of the substrate is in contact with the stage, It is possible to obtain an advantageous effect of suppressing misalignment of the substrate at the time of cutting.
바람직하게, 복수개의 그립퍼는 지지 프레임에 대해 탄성적으로 이동 가능하게 구비된다. 이와 같이, 복수개의 그립퍼가 지지 프레임에 대해 탄성적으로 이동하도록 하는 것에 의하여, 복수개의 그립퍼 중 일부에 의한 그립이 해제되어 기판의 처짐(기판의 일 부분만이 부분적으로 스테이지에 접촉되는 상태)이 발생하더라도, 기판의 처짐 부위(꺽이는 부위)에 인접한 부위에서 기판에 대한 그립을 유지(ON)하고 있는 그립퍼의 그립 상태가 안정적으로 유지하고, 기판의 꺽임을 보다 완화시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the plurality of grippers are resiliently movable relative to the support frame. In this manner, by allowing the plurality of grippers to elastically move with respect to the support frame, the grip by a part of the plurality of grippers is released and the sagging of the substrate (a state where only a part of the substrate partially contacts the stage) It is possible to obtain an advantageous effect that the grip state of the gripper holding the grip on the substrate at the portion adjacent to the deflection portion (bent portion) of the substrate is stably maintained and the bending of the substrate is further relaxed.
기판의 연마 공정은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 연마부재를 이용하여 행해질 수 있다. 일 예로, 기판에 대한 연마 공정은 롤러에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하는 연마벨트에 의해 행해진다. 다른 일 예로, 기판에 대한 연마 공정은 기판에 접촉된 상태로 자전하는 연마패드에 의해 행해진다.The polishing process of the substrate can be performed by using various polishing members according to required conditions and design specifications. In one example, the polishing process for the substrate is performed by an abrasive belt that circulates along a path defined by the roller. In another example, the polishing process for the substrate is performed by a polishing pad rotating in contact with the substrate.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 연마 공정이 완료된 기판을 스테이지에서 기판을 언로딩하기 위해 사용될 수 있다. 바람직하게, 틸팅부는 스테이지에 대해 그립유닛을 점진적으로 경사지게 틸팅시킨 상태에서 스테이지로부터 기판을 언로딩한다.Further, the substrate processing apparatus according to the present invention can be used for unloading the substrate from the stage on which the polishing process has been completed. Preferably, the tilting portion unloads the substrate from the stage while the grip unit is tilted gradually and obliquely with respect to the stage.
이와 같이, 본 발명은 그립유닛(기판)이 스테이지에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 언로딩되도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 보다 수월하고 안정적으로 이루어지도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the grip unit (substrate) is unloaded while being inclined and tilted with respect to the stage, thereby obtaining an advantageous effect that the unloading process of the substrate can be performed more easily and stably.
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반)로부터 들어 올릴 시(언로딩시)에는 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력, 또는 정반위에 배치되는 패드(PAD)와 유리 기판 사이에 작용하는 접착력에 의해 기판을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판이 손상될 우려가 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is lifted from a flat stage (for example, It is very difficult to remove the substrate by the surface tension of the liquid fluid (for example, a cleaning liquid) existing between the substrate and the stage or by the adhesive force acting between the glass substrate and the pad (PAD) In addition, it is inevitably necessary to remove the substrate with a very strong force, which may damage the substrate during this process.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판을 틸팅시키는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 언로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정 중에 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체에 의한 표면장력의 영향을 최소화할 수 있으므로, 비교적 작은 힘으로도 기판을 스테이지로부터 떼어내는 것이 가능하며, 기판을 떼어내는 힘에 의한 기판의 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the unloading process of the substrate can be performed while the substrate is being tilted by tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the unloading process of the substrate in an inclined and tilted state rather than a flat state, the influence of the surface tension due to the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the unloading process of the substrate can be minimized , It is possible to detach the substrate from the stage with a relatively small force, and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the damage of the substrate due to the force for removing the substrate.
또한, 기판 처리 장치는 스테이지에서 기판을 부상시키는 부상부를 포함할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus may include a floating portion for floating the substrate on the stage.
부상부는 기판을 언로딩하기 전에 스테이지에서 기판을 부상시키는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 보다 수월하게 이루어지게 한다. 즉, 기판을 언로딩하기 전에 기판을 부상시켜 스테이지와 기판의 사이에 미리 유체층이 형성되도록 하는 것에 의하여, 스테이지로부터 기판을 들어올리는 과정이 보다 원활하게 이루어지게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 일 예로, 부상부는 기판의 저면에 유체를 분사하여 기판을 부상시키도록 구성된다.The floating portion floats the substrate on the stage before unloading the substrate, thereby making the unloading process of the substrate easier. That is, by floating the substrate before unloading the substrate to form a fluid layer in advance between the stage and the substrate, it is possible to obtain an advantageous effect that the process of lifting the substrate from the stage can be performed more smoothly. In one example, the floating portion is configured to eject the fluid to the bottom surface of the substrate to float the substrate.
또한, 기판 처리 장치는 기판을 비접촉 방식으로 흡착하는 비접촉 흡착부를 포함할 수 있다.Further, the substrate processing apparatus may include a non-contact adsorbing portion for adsorbing the substrate in a non-contact manner.
이와 같이, 기판을 비접촉 방식으로 흡착하는 비접촉 흡착부를 포함하는 것에 의하여, 기판의 로딩 또는 언로딩 공정 중에 기판의 그립 상태를 보다 안정적으로 유지하고, 언로딩 중에는 기판을 보다 수월하게 들어 올리는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By including the non-contact adsorbing portion that adsorbs the substrate in a non-contact manner as described above, it is possible to maintain the grip state of the substrate more stably during the loading or unloading process of the substrate and to advantageously lift the substrate more easily during unloading Can be obtained.
특히, 그립퍼는 기판의 언로딩 공정 중에 기판을 흡착함으로써, 기판의 휨 또는 변형없이 스테이지로부터 안정적으로 기판이 분리될 수 있게 한다. 즉, 그립퍼는 기판의 가장자리 부위(논액티브 영역)만을 그립하기 때문에, 그립퍼만으로 기판을 그립한 상태에서 기판을 언로딩하게 되면, 기판의 가운데 부위(액티브 영역)에는 기판을 스테이지로부터 분리하는 힘이 효과적으로 가해지기 어렵다. 이에 본 발명은, 비접촉 흡착부를 이용하여 기판의 가운데 부위(액티브 영역)를 흡착하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 보다 원활하게 이루어지게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, the gripper absorbs the substrate during the unloading process of the substrate, thereby allowing the substrate to be stably separated from the stage without bending or deforming the substrate. That is, since the gripper grips only the edge portion (non-active region) of the substrate, when the substrate is unloaded with the gripper gripped only by the gripper, a force separating the substrate from the stage It is difficult to be effectively applied. Therefore, the present invention can obtain an advantageous effect that the unloading process of the substrate can be performed more smoothly by adsorbing the center portion (active region) of the substrate by using the non-contact adsorbing portion.
물론, 그립퍼가 기판의 액티브 영역을 그립하도록 구성하는 것도 가능하나, 기판의 액티브 영역은 접촉에 매우 민감하기 때문에, 액티브 영역에서의 접촉은 최대한 배척될 수 있어야 한다. 이에 본 발명은, 비접촉 흡착부를 이용하여 기판의 액티브 영역을 흡착하는 것에 의하여, 기판의 영역에서 접촉에 의한 스크레치 등의 손상을 미연에 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Of course, it is also possible to configure the gripper to grip the active area of the substrate, but since the active area of the substrate is very sensitive to contact, the contact in the active area should be able to be rejected as far as possible. Thus, the present invention can obtain an advantageous effect of preventing scratches and the like from being damaged by contact in the region of the substrate by adsorbing the active region of the substrate using the non-contact adsorbing portion.
보다 구체적으로, 비접촉 흡착부는 유체에 의한 표면 장력을 이용하여 기판을 비접촉 흡착하도록 구성된다.More specifically, the non-contact adsorbing portion is configured to adsorb the substrate by non-contact using the surface tension by the fluid.
일 예로, 비접촉 흡착부는, 기판의 상면에 이격되게 배치되는 흡착 플레이트와, 흡착 플레이트에 형성되며 기판과 상기 흡착 플레이트의 사이에 선택적으로 유체를 분사하는 노즐을 포함한다.For example, the non-contact adsorption unit includes an adsorption plate disposed on an upper surface of a substrate, and a nozzle formed on the adsorption plate and selectively injecting a fluid between the substrate and the adsorption plate.
바람직하게, 노즐은 흡착 플레이트의 길이 방향과 폭 방향 중 적어도 어느 하나 이상의 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된다. 이와 같이, 흡착 플레이트의 저면에 균일한 간격으로 복수개의 노즐을 장착하고, 흡착 플레이트의 저면에서 전체적으로 균일하게 유체가 분사되도록 하는 것에 의하여, 흡착 플레이트와 기판 간의 흡착력을 전체적으로 균일하게 형성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the plurality of nozzles are formed so as to be spaced along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the adsorption plate. By thus mounting a plurality of nozzles at uniform intervals on the bottom surface of the adsorption plate and spraying the fluid uniformly over the entire bottom surface of the adsorption plate, an advantageous effect of uniformly forming the adsorption force between the adsorption plate and the substrate as a whole can be obtained Can be obtained.
바람직하게, 흡착 플레이트는 피브이씨(PVC) 재질로 형성되고, 흡착 플레이트는 3~30㎜의 두께를 갖도록 형성된다. 또한, 흡착 플레이트의 상면에 보강리브가 형성하는 것에 의하여, 흡착 플레이트가 얇은 두께로 형성되더라도, 흡착 플레이트가 충분한 강성을 가질 수 있게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 흡착 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 실린더를 포함한다.Preferably, the adsorption plate is formed of a PVC material, and the adsorption plate is formed to have a thickness of 3 to 30 mm. Further, by forming the reinforcing rib on the upper surface of the adsorption plate, even if the adsorption plate is formed to have a thin thickness, an advantageous effect that the adsorption plate can have a sufficient rigidity can be obtained. And a cylinder for moving the adsorption plate in the vertical direction.
또한, 기판 처리 장치는 흡착 플레이트의 수평도를 조절하는 조절부를 포함한다. 이와 같이, 조절부를 마련하고, 기판에 대한 흡착 플레이트의 수평 상태를 유지되도록 하는 것에 의하여, 유체를 매개로 한 기판의 흡착력이 기판 전체에 균일하게 형성되게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 보다 구체적으로, 조절부는, 실린더에 고정되며 흡착 플레이트가 장착되는 레벨러 플레이트와, 레벨러 플레이트와 흡착 플레이트의 사이 간격을 조절하는 조절부재를 포함한다.Further, the substrate processing apparatus includes an adjusting unit for adjusting the horizontality of the adsorption plate. Thus, by providing the adjusting section and maintaining the horizontal state of the adsorption plate with respect to the substrate, it is possible to obtain an advantageous effect that the adsorption force of the substrate through the fluid is uniformly formed over the entire substrate. More specifically, the regulating section includes a leveler plate fixed to the cylinder and to which the adsorption plate is mounted, and a regulating member for regulating an interval between the leveler plate and the adsorption plate.
본 발명의 바람직한 다른 분야에 따르면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 제어방법은, 로딩 영역에서 스테이지로 기판을 이송하는 이송 단계와, 기판의 일변이 스테이지에 인접하도록 기판을 스테이지에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계와, 기판이 틸팅된 상태에서 스테이지에 기판을 로딩하는 로딩 단계와, 스테이지에 로딩된 기판에 대한 연마 공정을 수행하는 연마 단계를 포함한다.According to another preferred embodiment of the present invention, there is provided a control method for a substrate processing apparatus according to the present invention, including: a transfer step of transferring a substrate from a loading area to a stage; a step of tilting the substrate such that one side of the substrate is adjacent to the stage, A tilting step, a loading step of loading the substrate onto the stage while the substrate is tilted, and a polishing step of performing a polishing process on the substrate loaded on the stage.
이와 같이, 본 발명은 기판이 스테이지에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅될 수 있도록 하는 것에 의하여, 로딩 공정 중에 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판을 의도한 위치에 정확하게 배치하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Thus, by allowing the substrate to be inclined selectively tilting with respect to the stage, it is possible to suppress the misalignment of the posture and the position of the substrate during the loading process, and to obtain an advantageous effect of accurately positioning the substrate at an intended position have.
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반) 위에 평평하게 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 스테이지 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 스테이지의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed flat on a flat stage (for example, Area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the stage by air or a liquid fluid (e.g., a cleaning liquid) existing between the large-area glass substrate and the stage, and deviates from the correct position (loading position) There is a problem that a phenomenon occurs.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판이 선택적으로 틸팅되도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정 중에 기판과 스테이지의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판과 스테이지 사이에서 외측으로 빠져나가게 할 수 있으므로, 기판의 로딩 공정 중에 공기층 또는 액체층에 의한 기판의 부유 현상을 최소화하고, 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제할 수 있으며, 의도한 위치에 정확하게 기판을 위치시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the loading process of the substrate can be performed with the substrate being tilted by selectively tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the loading process of the substrate in the inclined and tilted state instead of the flat state, the air or the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the loading process of the substrate is released outwardly between the substrate and the stage It is possible to minimize floating of the substrate due to the air layer or the liquid layer during the substrate loading process and to suppress the misalignment of the posture and position of the substrate and to obtain an advantageous effect of accurately positioning the substrate at the intended position have.
또한, 로딩 단계에서는, 스테이지에 인접한 기판의 일변에서 일변을 마주하는 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 기판에 대한 그립을 해제하고, 일변에서 다른 일변을 향하는 방향을 따라 기판을 스테이지에 점진적으로 로딩시킬 수 있다.In the loading step, the grip on the substrate is sequentially released along the direction toward the other side of the substrate facing one side in one side of the substrate adjacent to the stage, and the substrate is gradually transferred to the stage along the direction from one side to the other side Lt; / RTI >
또한, 로딩 단계에서는 기판이 스테이지에 점진적으로 로딩되는 동안, 스테이지에 대한 기판의 틸팅 각도를 점진적으로 줄이도록 구성될 수 있다.Also, in the loading step, the substrate may be configured to progressively reduce the tilting angle of the substrate relative to the stage while the substrate is gradually loaded on the stage.
본 발명의 바람직한 또 다른 분야에 따르면, 기판 처리 장치의 제어방법은, 스테이지에서 연마 공정이 행해진 기판을 스테이지에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계와, 기판이 스테이지에 대해 틸팅된 상태에서 스테이지로부터 기판을 언로딩하는 언로딩 단계와, 기판을 스테이지에서 언로딩 영역으로 이송하는 이송 단계를 포함한다.According to another preferred embodiment of the present invention, there is provided a method of controlling a substrate processing apparatus including a tilting step of tilting a substrate on which a polishing process has been performed on a stage at an inclination to a stage, and a tilting step of tilting the substrate from the stage in a tilted state with respect to the stage And a transfer step of transferring the substrate from the stage to the unloading area.
이와 같이, 본 발명은 기판이 스테이지에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 언로딩되도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 보다 수월하고 안정적으로 이루어지도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, by unloading the substrate in a tilted state with respect to the stage, it is possible to obtain an advantageous effect that the unloading process of the substrate can be performed more easily and stably.
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반)로부터 들어 올릴 시(언로딩시)에는 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력, 또는 정반위에 배치되는 패드(PAD)와 유리 기판 사이에 작용하는 접착력에 의해 기판을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판이 손상될 우려가 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is lifted from a flat stage (for example, It is very difficult to remove the substrate by the surface tension of the liquid fluid (for example, a cleaning liquid) existing between the substrate and the stage or by the adhesive force acting between the glass substrate and the pad (PAD) In addition, it is inevitably necessary to remove the substrate with a very strong force, which may damage the substrate during this process.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판을 틸팅시키는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 언로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정 중에 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체에 의한 표면장력의 영향을 최소화할 수 있으므로, 비교적 작은 힘으로도 기판을 스테이지로부터 떼어내는 것이 가능하며, 기판을 떼어내는 힘에 의한 기판의 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the unloading process of the substrate can be performed while the substrate is being tilted by tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the unloading process of the substrate in an inclined and tilted state rather than a flat state, the influence of the surface tension due to the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the unloading process of the substrate can be minimized , It is possible to detach the substrate from the stage with a relatively small force, and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the damage of the substrate due to the force for removing the substrate.
또한, 기판을 언로딩하기 전에 스테이지에서 기판을 부상시키는 부상 단계를 포함할 수 있다.It may also include a levitation step to float the substrate at the stage prior to unloading the substrate.
참고로, 본 발명에 기판이라 함은, 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판으로 형성된다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판이 사용될 수 있다.For reference, the substrate in the present invention is formed of a rectangular substrate having at least one side longer than 1 m. As an example, a sixth generation glass substrate having a size of 1500 mm * 1850 mm may be used as a substrate to be subjected to the chemical mechanical polishing process.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판의 로딩 및 언로딩 정확도를 높이고 기판의 로딩 및 언로딩시 기판의 손상을 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to increase the accuracy of loading and unloading of a substrate and to obtain an advantageous effect of preventing damage to the substrate when loading and unloading the substrate.
특히, 본 발명에 따르면, 그립유닛(기판)이 스테이지에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅될 수 있도록 하는 것에 의하여, 로딩 공정 중에 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판을 의도한 위치에 정확하게 배치하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Particularly, according to the present invention, since the grip unit (substrate) can be inclined selectively tilting with respect to the stage, it is possible to suppress the misalignment of the posture and the position of the substrate during the loading process, An advantageous effect can be obtained.
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반) 위에 평평하게 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 스테이지 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 스테이지의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed flat on a flat stage (for example, Area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the stage by air or a liquid fluid (e.g., a cleaning liquid) existing between the large-area glass substrate and the stage, and deviates from the correct position (loading position) There is a problem that a phenomenon occurs.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판이 선택적으로 틸팅되도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 로딩 공정 중에 기판과 스테이지의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판과 스테이지 사이에서 외측으로 빠져나가게 할 수 있으므로, 기판의 로딩 공정 중에 공기층 또는 액체층에 의한 기판의 부유 현상을 최소화하고, 기판의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제할 수 있으며, 의도한 위치에 정확하게 기판을 위치시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the loading process of the substrate can be performed with the substrate being tilted by selectively tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the loading process of the substrate in the inclined and tilted state instead of the flat state, the air or the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the loading process of the substrate is released outwardly between the substrate and the stage It is possible to minimize floating of the substrate due to the air layer or the liquid layer during the substrate loading process and to suppress the misalignment of the posture and position of the substrate and to obtain an advantageous effect of accurately positioning the substrate at the intended position have.
또한, 본 발명에 따르면 복수개의 그립퍼에 의한 기판의 그립이, 기판의 일변을 마주하는 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제되도록 하는 것에 의하여, 기판의 밀림 현상없이 기판을 정확한 위치에 로딩하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 복수개의 그립퍼 중 일부의 그립이 해제되면, 기판의 일부 부위가 스테이지에 접촉된 상태에서 기판의 나머지 부위는 그립유닛에 그립된 상태(고정 상태)로 유지되기 때문에, 기판이 스테이지에 최초 접촉할 시 기판의 위치가 틀어짐을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, according to the present invention, the grip of the substrate by the plurality of grippers is sequentially released along the direction toward the other side of the substrate facing one side of the substrate, whereby the substrate is loaded at the correct position It is possible to obtain an advantageous effect. Particularly, when the grip of a part of the plurality of grippers is released, the remaining part of the substrate is held in the grip state (fixed state) in a state where a part of the substrate is in contact with the stage, It is possible to obtain an advantageous effect of suppressing misalignment of the substrate at the time of cutting.
또한, 본 발명에 따르면 본 발명은 그립유닛(기판)이 스테이지에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 언로딩되도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 보다 수월하고 안정적으로 이루어지도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, the grip unit (substrate) is unloaded while being inclined and tilted with respect to the stage, thereby obtaining an advantageous effect that the unloading process of the substrate can be performed more easily and stably .
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반)로부터 들어 올릴 시(언로딩시)에는 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력, 또는 정반위에 배치되는 패드(PAD)와 유리 기판 사이에 작용하는 접착력에 의해 기판을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판이 손상될 우려가 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is lifted from a flat stage (for example, It is very difficult to remove the substrate by the surface tension of the liquid fluid (for example, a cleaning liquid) existing between the substrate and the stage or by the adhesive force acting between the glass substrate and the pad (PAD) In addition, it is inevitably necessary to remove the substrate with a very strong force, which may damage the substrate during this process.
하지만, 본 발명에서는 스테이지에 대해 기판을 틸팅시키는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정이 기판이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판의 언로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판의 언로딩 공정 중에 기판과 스테이지 사이에 존재하는 액상 유체에 의한 표면장력의 영향을 최소화할 수 있으므로, 비교적 작은 힘으로도 기판을 스테이지로부터 떼어내는 것이 가능하며, 기판을 떼어내는 힘에 의한 기판의 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the unloading process of the substrate can be performed while the substrate is being tilted by tilting the substrate with respect to the stage. By thus performing the unloading process of the substrate in an inclined and tilted state rather than a flat state, the influence of the surface tension due to the liquid fluid existing between the substrate and the stage during the unloading process of the substrate can be minimized , It is possible to detach the substrate from the stage with a relatively small force, and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the damage of the substrate due to the force for removing the substrate.
또한, 본 발명에 따르면 기판을 비접촉 방식으로 흡착하는 비접촉 흡착부를 포함하는 것에 의하여, 기판의 로딩 또는 언로딩 공정 중에 기판의 그립 상태를 보다 안정적으로 유지하고, 언로딩 중에는 기판을 보다 수월하게 들어 올리는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, by including the non-contact adsorbing portion that adsorbs the substrate in a non-contact manner, it is possible to stably maintain the grip state of the substrate during the loading or unloading process of the substrate and to lift the substrate more easily during unloading An advantageous effect can be obtained.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 사시도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 정면도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 액티브 영역과 논액티브 영역을 설명하기 위한 도면,
도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 로딩 과정을 설명하기 위한 도면,
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 연마 과정을 설명하기 위한 도면,
도 13 내지 도 16은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 과정을 설명하기 위한 도면,
도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 비접촉 흡착부를 설명하기 위한 도면,
도 19는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 제어방법을 설명하기 위한 블록도,
도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어방법을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention,
2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to the present invention,
3 is a front view showing a substrate processing apparatus according to the present invention,
4 is a view for explaining an active region and a nonactive region of a substrate,
5 to 10 are diagrams for explaining a substrate loading process of the substrate processing apparatus according to the present invention,
11 and 12 are diagrams for explaining a polishing process of a substrate,
13 to 16 are views for explaining a process of unloading a substrate,
17 and 18 are diagrams for explaining a non-contact adsorption unit as a substrate processing apparatus according to the present invention,
19 is a block diagram for explaining a control method of a substrate processing apparatus according to the present invention;
20 is a block diagram for explaining a control method of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements and can be described with reference to the contents described in the other drawings under these rules, and the contents which are judged to be obvious to the person skilled in the art or repeated can be omitted.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 평면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시한 정면도이다. 또한, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 액티브 영역과 논액티브 영역을 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 로딩 영역에서 기판을 수취하는 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판을 스테이지로 이송하는 과정을 설명하기 위한 도면이며, 도 7 내지 도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 스테이지에 기판을 로딩하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 연마 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 13 내지 도 16은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 기판의 언로딩 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a front view showing a substrate processing apparatus according to the present invention. 4 is a view for explaining an active region and a nonactive region of a substrate, which is a substrate processing apparatus according to the present invention. 5 is a view for explaining a process of receiving a substrate in a loading area as a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 6 is a view for explaining a process of transferring a substrate to a stage, And FIGS. 7 to 10 are views for explaining a process of loading a substrate on a stage, according to the present invention. FIGS. 11 and 12 are views for explaining a substrate polishing process according to the present invention. FIGS. 13 to 16 illustrate a substrate processing apparatus according to the present invention. Fig.
도 1 내지 16을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(10)에 대한 연마 공정이 행해지는 스테이지(100)와, 기판(10)을 그립하는 그립유닛(200)과, 스테이지(100)에 대해 그립유닛(200)을 선택적으로 경사지게 틸팅시키는 틸팅부(300)를 포함한다.1 to 16, a
스테이지(100)는 로딩 영역(101)과 언로딩 영역(102)의 사이에 마련된 연마 영역(미도시)에 배치되며, 스테이지(100)에서는 기판(10)에 대한 기계적 연마 공정 또는 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해진다. 일 예로, 기판(10)의 화학 기계적 연마 공정은, 기판(10)의 표면을 연마부재(예를 들어, 연마패드 또는 연마벨트)를 이용하여 기계적으로 연마하는 동안 화학적 연마를 위한 슬러리를 공급함으로써 행해진다.The
참고로, 본 발명에 기판(10)이라 함은, 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판(10)으로 형성된다. 일 예로, 화학 기계적 연마 공정이 수행되는 피처리 기판(10)으로서, 1500㎜*1850㎜의 사이즈를 갖는 6세대 유리 기판(10)이 피처리 기판(10)으로 사용된다. 경우에 따라서는 7세대 및 8세대 유리 기판이 피처리 기판으로 사용되는 것도 가능하다.For reference, the
기판(10)은 이송 로봇(미도시)에 의해 로딩 영역(101)으로 공급된다. 로딩 영역(101)의 기판(10)은 스테이지(100)로 이송되고, 스테이지(100) 상에서는 기판(10)에 대한 연마 공정이 행해진다. 그 후, 기판(10)은 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송된 후 다음 공정이 행해진다.The
스테이지(100)는 기판(10)이 거치될 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 스테이지(100)의 형상 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 스테이지(100)는 사각 형태로 형성될 수 있다.The
또한, 스테이지(100)의 상면에는 연마 공정 중에 기판(10)의 이탈을 방지하기 위한 사각형 형태의 리테이너(100a)가 돌출 형성된다. 바람직하게 리테이너(100a)의 돌출 높이는 기판(10)의 두께와 동일하게 형성된다. 경우에 따라서는 스테이지 상에서 연마 공정이 행해지는 동안 기판의 저면이 스테이지의 상면에 흡착되도록 구성하는 것도 가능하다.A
그립유닛(200)은 기판(10)을 그립하도록 마련된다. 여기서, 그립유닛(200)이 기판(10)을 그립한다 함은, 그립유닛(200)이 기판(10)을 이송 또는 움직임 가능한 상태로 파지하는 것으로 이해되며, 그립유닛(200)의 그립 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 그립유닛(200)은 부착, 흡착 또는 가압 방식으로 기판(10)을 그립하도록 구성될 수 있다.The
보다 구체적으로, 그립유닛(200)은 틸팅부(300)에 의해 각도 조절 가능한 지지 프레임(210)과, 지지 프레임(210)에 장착되며 기판(10)을 그립하는 그립퍼(220)를 포함한다. 일 예로, 그립퍼(220)는 기판(10)에 진공 흡착되도록 구성될 수 있다.More specifically, the
지지 프레임(210)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 일 예로, 지지 프레임(210)은 대략 "H" 형태를 이루도록 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 지지 프레임이 사각 또는 여타 다른 기하학적 형태를 이루도록 형성될 수 있으며, 지지 프레임의 형태 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
그립퍼(220)는 기판(10)의 상면을 마주하도록 지지 프레임(210)에 장착된다. 이때, 그립퍼(220)는 지지 프레임(210)에 직접 장착되는 것도 가능하나, 다르게는 지지 프레임(210)에 고정되는 별도의 연장부재 또는 연결부재를 매개로 지지 프레임(210)에 장착되는 것도 가능하다.The
그립퍼(220)는 진공 흡착 방식으로 기판(10)을 그립하도록 구성된다. 일 예로, 그립퍼(220)는 기판(10)을 독립적으로 흡착 가능하게 복수개가 마련된다. 바람직하게, 그립퍼(220)는 기판(10)의 논액티브 영역(12)(non-active area)을 그립하도록 구성된다. 이와 같이, 그립퍼(220)가 기판(10)의 논액티브 영역(12)에서 기판(10)을 그립(기판(10)의 논액티브 영역(12)을 그립)하도록 하는 것에 의하여, 그립퍼(220)의 접촉에 의한 기판(10)의 손상 및 수율 저하를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The
여기서, 기판(10)의 논액티브 영역(12)이라 함은, 기판(10)의 영역 중 패턴(Pattern)이 형성되어 있지 않은 영역, 또는 공정이 불필요한 영역(dead zone)으로 정의된다.Here, the
일 예로, 기판(10)의 논액티브 영역(12)은, 기판(10)의 액티브 영역(11논액티브 영역(12)active area)의 둘레를 감싸도록 액티브 영역(11)의 가장자리 부위에 형성될 수 있다. 여기서, 기판(10)의 액티브 영역(11)이라 함은, 기판(10)의 영역 중 실질적으로 화소셀 등이 형성되는 영역으로 정의되며, 일반적으로 기판(10)의 가장자리 안쪽 영역이 액티브 영역(11)으로 정의된다. 참고로, 도 4를 참조하면, 기판(10)에서 논액티브 영역(12)(해칭된 영역)은 기판(10)의 가장자리를 따라 형성될 수 있고, 액티브 영역(11)(11)은 기판(10)의 가장자리 안쪽에 형성될 수 있다.The
또한, 그립퍼(220)는 폭보다 긴 길이를 갖는 장방형 형태(얇고 긴 형태)를 갖도록 형성될 수 있다. 이와 같이, 그립퍼(220)를 장방형 형태로 형성하는 것에 의하여, 그립퍼(220)가 액티브 영역(11)을 침범하지 않고, 좁은 폭을 갖는 논액티브 영역(12) 상에서 기판(10)을 효과적으로 그립하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, the
틸팅부(300)는 기판(10)을 그립한 그립유닛(200)을 스테이지(100)에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅시키기 위해 구비된다.The
여기서, 그립유닛(200)이 스테이지(100)에 대해 틸팅된다 함은, 그립유닛(200)이 스테이지(100)에 대해 소정 각도록 경사지게 배치되는 것으로 정의되며, 스테이지(100)에 대해 그립유닛(200)이 틸팅됨에 따라 그립유닛(200)에 그립되는 기판(10) 역시 스테이지(100)에 대해 소정 각도로 경사지게 배치될 수 있다.Here, the
참고로, 틸팅부(300)는 기판(10)의 이송 경로를 따라 배치된 가이드 레일(110a)을 따라 이동하는 가이드 프레임(110)에 장착되며, 가이드 프레임(110)이 가이드 레일(110a)을 따라 이동함에 따라, 틸팅부(300)(그립유닛과 기판 포함)는 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 이동하거나, 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이동할 수 있다.The
바람직하게, 스테이지(100)에 대해 그립유닛(200)이 경사지게 틸팅된 상태에서 기판(10)의 일변은 기판(10)의 나머지 다른 변에 비해 스테이지(100)에 인접하게 배치(기판(10)의 일변을 기준으로 틸팅)된다. 여기서, 기판(10)의 일변이 스테이지(100)에 인접하게 배치된다 함은, 기판(10)의 일변이 스테이지(100)에 접촉하도록 배치되거나, 기판(10)의 일변이 스테이지(100)에 근접하도록 이격된 상태로 배치되는 것을 모두 포함하는 개념으로 정의된다.Preferably, one side of the
이와 같이, 본 발명은 그립유닛(200)(기판)이 스테이지(100)에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅될 수 있도록 하는 것에 의하여, 로딩 공정 중에 기판(10)의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판(10)을 의도한 위치에 정확하게 배치하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, the present invention allows the grip unit 200 (substrate) to be inclined selectively tilting with respect to the
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반) 위에 평평하게 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 스테이지 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 스테이지의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed flat on a flat stage (for example, Area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the stage by air or a liquid fluid (e.g., a cleaning liquid) existing between the large-area glass substrate and the stage, and deviates from the correct position (loading position) There is a problem that a phenomenon occurs.
하지만, 본 발명에서는 스테이지(100)에 대해 기판(10)이 선택적으로 틸팅되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 공정이 기판(10)이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판(10)의 로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 공정 중에 기판(10)과 스테이지(100)의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판(10)과 스테이지(100) 사이에서 외측으로 빠져나가게 할 수 있으므로, 기판(10)의 로딩 공정 중에 공기층 또는 액체층에 의한 기판(10)의 부유 현상을 최소화하고, 기판(10)의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제할 수 있으며, 의도한 위치에 정확하게 기판(10)을 위치시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the loading process of the
틸팅부(300)는 그립유닛(200)을 선택적으로 틸팅시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 틸팅부(300)는, 베이스 프레임(310)과, 베이스 프레임(310)과 그립 유닛을 연결하며, 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제1신축부(320)와, 제1신축부(320)를 마주하도록 배치되되, 베이스 프레임(310)과 그립 유닛을 연결하며 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제2신축부(330)를 포함하고, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 신축 길이를 서로 다르게 조절함으로써 그립 유닛을 틸팅시킬 수 있다.The
베이스 프레임(310)은, 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다. 일 예로, 베이스 프레임(310)은 사각형 형태를 이루도록 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 베이스 프레임이 원형 또는 여타 다른 기하학적 형태를 이루도록 형성될 수 있으며, 베이스 프레임의 형태 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.The
이때, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 중 어느 하나 이상은 수직선을 기준으로 경사지게 배치된 상태에서 신축되도록 구성될 수 있다. 이하에서는 제1신축부(320)와 제2신축부(330)가 모두 경사지게 배치된 상태에서 신축되도록 구성된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 제1신축부와 제2신축부 중 어느 하나가 수직하게 배치되도록 구성하는 것도 가능하다.At this time, at least one of the first
보다 구체적으로, 제1신축부(320)는, 상기 베이스 프레임(310)의 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제1전동실린더(321)를 포함한다. 또한, 제2신축부(330)는 베이스 프레임(310)의 다른 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제2전동실린더(331)를 포함한다. 이하에서는 베이스 프레임(310)의 일변에 2개의 제1전동실린더(321)가 장착되고, 제1전동실린더(321)를 마주하도록 베이스 프레임(310)의 다른 일변에 2개의 제2전동실린더(331)가 장착된 예를 들어 설명하기로 한다. 경우에 따라서는 제1신축부와 제2신축부가 단 하나의 전동실린더로 구성되거나, 3개 이상의 전동실린더를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.More specifically, the first stretchable and
이때, 복수개의 제1전동실린더(321)는 동기화되어 작동(동일한 신축 거리로 동시에 작동)되고, 복수개의 제2전동실린더(331)는 동기화되어 작동된다.At this time, the plurality of first
전동실린더(제1전동실린더, 제2전동실린더)로서는 선택적으로 길이 조절 가능한 통상의 전동실린더가 사용될 수 있으며, 전동실린더의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 전동실린더는 구동력을 제공하는 모터와, 모터에 의해 회전하는 볼스크류와, 볼스크류에 장착되어 볼스크류의 회전에 따라 볼스크류를 따라 직선 이동하는 볼스크류 너트와, 볼스크류 너트에 연결되는 로드를 포함하여 구성될 수 있으며, 볼스크류의 회전수 및 회전 방향을 제어함으로써 로드의 신축 길이를 제어할 수 있다. 바람직하게 제1전동실린더(321)와 제2전동실린더(331)는 미세한 신축 길이 조절이 가능하도록 서보 모터를 사용할 수 있다. 경우에 따라서는 제1신축부와 제2신축부로서 전동실린더 대신 길이 선택적으로 길이 조절 가능한 다른 수단이 사용될 수 있으며, 제1신축부와 제2신축부의 종류는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.As the electric cylinder (the first electric cylinder, the second electric cylinder), a generally adjustable electric cylinder may be used, and the present invention is not limited or limited by the type and characteristics of the electric cylinder. For example, the electric cylinder includes a motor for providing a driving force, a ball screw rotated by a motor, a ball screw nut mounted on the ball screw and linearly moving along the ball screw in accordance with rotation of the ball screw, And the elongation length of the rod can be controlled by controlling the number of revolutions and the direction of rotation of the ball screw. Preferably, the
또한, 기판 처리 장치(1)는 베이스 프레임(310)에 대한 지지 프레임(210)의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드부(230)를 포함한다.The
가이드부(230)는 베이스 프레임(310)에 대한 지지 프레임(210)의 상하 방향 이동을 가이드 함으로써, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 작동에 의한 지지 프레임(210)의 불안정한 유동(좌우 방향으로 흔들리는 유동)을 억제할 수 있게 한다.The
즉, 지지 프레임이 상하 방향으로 이동됨과 동시에 좌우 방향으로의 이동이 허용되는 구조(가이드부(230)가 배제된 구조)에서는, 예를 들어, 제1신축부의 길이가 증가하면, 지지 프레임의 상하 높이 및 각도가 변경됨과 동시에 지지 프레임의 좌우 위치가 변경된다. 따라서, 제1신축부의 길이 변화에 따른 제2신축부의 제어(신축 길이 제어)는 지지 프레임의 높이 및 각도와 좌우 위치를 모두 반영해야 하기 때문에, 제1신축부와 제2신축부의 제어가 복잡해지고 어려운 문제점이 있다. 하지만, 본 발명에서는 가이드부(230)를 통해 지지 프레임(210)의 상하 방향을 따른 직선 이동만 허용되고, 좌우 이동이 구속되도록 하는 것에 의하여, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 신축 길이 제어를 보다 용이하게 수행할 수 있다.That is, in the structure in which the support frame is moved in the vertical direction and the movement in the horizontal direction is allowed (the structure in which the
더욱이, 가이드부(230)는 지지 프레임(210)의 좌우 이동을 억제할 수 있으므로, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 작동시 지지 프레임(210)의 불안정한 유동에 의한 기판(10)의 흔들림을 최소화할 수 있으며, 흔들림에 의한 그립 실패를 방지하고 안정성 및 신뢰성을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 길이를 갖는 대면적 기판(10)은 지지 프레임(210)의 작은 흔들림에도 크게 요동될 수 있기 때문에, 지지 프레임(210)의 흔들림을 최대한 억제하는 것이 중요하다.In addition, since the
가이드부(230)는 베이스 프레임(310)에 대한 지지 프레임(210)의 상하 방향 이동을 가이드 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 가이드부(230)는, 베이스 프레임(310)에 장착되는 가이드부싱(234)과, 일단은 지지 프레임(210)에 회전 가능하게 연결되고 가이드부싱(234)을 따라 직선 이동 가능하게 배치되는 가이드로드(232)를 포함한다.The
일 예로, 가이드로드(232)는 가이드부싱(234)의 가이드홀(미도시)을 따라 직선 이동 가능하게 배치될 수 있으며, 가이드로드(232)의 하단은 통상의 회전핀을 매개로 지지 프레임(210)에 회전 가능하게 연결된다.For example, the
바람직하게, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 사이의 중간 위치(도 5를 기준으로 베이스 프레임(310)의 중심 위치)에 가이드부(230)를 배치하는 것에 의하여, 지지 프레임(210)의 흔들림 및 불안정한 유동을 최대한 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By disposing the
본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 스테이지(100)에 기판(10)을 로딩하거나, 스테이지(100)에서 기판(10)을 언로딩하기 위해 사용될 수 있다. 여기서, 기판(10)의 로딩이라 함은, 연마 처리될 기판(10)을 스테이지(100)에 내려 놓는 공정으로 정의되고, 기판(10)의 언로딩이라 함은, 연마 완료된 기판(10)을 스테이지(100)로부터 들어 올리는 공정으로 정의된다.The
일 예로, 기판 처리 장치(1)는 로딩 영역(101)에서 기판(10)을 수취한 후, 스테이지(100)에 기판(10)을 로딩하기 위해 사용된다. 즉, 기판(10)은 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 이송되고, 틸팅부(300)가 스테이지(100)에 대해 그립유닛(200)을 경사지게 틸팅시킨 상태에서 스테이지(100)에 기판(10)이 로딩된다.The
이하에서는 기판(10)의 로딩 과정을 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the loading process of the
도 5를 참조하면, 기판(10)은 이송 로봇(미도시)에 의해 로딩 영역(101)에 공급되고, 로딩 영역(101)에서 기판(10)은 그립유닛(200)에 수취된다.5, the
로딩 영역(101)에서는 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 길이가 동시에 늘어남(down)에 따라 지지 프레임(210)이 수평하게 하강할 수 있으며, 지지 프레임(210)이 일정 이상 하강하여 그립퍼(220)가 기판(10)에 접촉되면 그립퍼(220)에 의한 흡착력에 의해 기판(10)이 그립퍼(220)에 흡착된다. 그 후, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 길이가 동시에 줄어들면(up), 기판(10)이 그립퍼(220)에 흡착된 상태에서 지지 프레임(210)이 수평하게 상승하게 된다.The supporting
도 6을 참조하면, 그립유닛(200)에 기판(10)이 흡착된 상태에서, 가이드 프레임(110)이 가이드 레일(110a)을 따라 스테이지(100) 측으로 이동함에 따라, 기판(10)은 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 이송된다.6, as the
도 7을 참조하면, 스테이지(100)의 상부로 이송된 기판(10)은 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 스테이지(100)의 상면에 로딩된다.7, the
즉, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 중 어느 하나만의 길이가 늘어나면, 예를 들어, 제1신축부(320)의 길이가 늘어나면(down), 지지 프레임(210)은 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅될 수 있으며, 그립유닛(200)에 그립된 기판(10) 역시 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된다. 이와 같이 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 기판(10)의 로딩이 이루어진다.That is, when the length of only one of the first
이때, 스테이지(100)에 대해 틸팅되게 배치된 기판(10)의 로딩 과정은, 지지 프레임(210)(그립유닛)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 행해지거나, 지지 프레임(210)(그립유닛)의 틸팅 각도가 점진적으로 줄어들면서 행해질 수 있다.The loading process of the
일 예로, 기판(10)(지지 프레임)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 모든 그립퍼(220)에 의한 그립이 동시에 해제(OFF)되면, 기판(10)은 좌측변(도 7 기준)에서 우측변(도 7 기준)을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.For example, when grips of all the
다른 일 예로, 도 9와 같이, 스테이지(100)에 대해 기판(10)을 틸팅시켜 기판(10)의 좌측변(도 7 기준)이 먼저 스테이지(100)에 접촉된 상태에서, 제2신축부(330)의 길이가 점진적으로 늘어나면(down), 기판(10)의 틸팅 각도가 점진적으로 줄어들면서 기판(10)은 좌측변(도 7 기준)에서 우측변(도 7 기준)을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.9, the
이때, 스테이지(100)에 대한 그립 유닛의 틸팅 각도(기판(10)의 틸팅 각도)는 0.1°~ 3°로 형성됨이 바람직하다. 즉, 기판(10)의 틸팅 각도가 높아질수록(예를 들어, 3°를 초과하게 되면), 기판(10)의 우측변(도 7 기준)의 높이가 높아지기 때문에, 그립퍼(220)에 의한 그립 해제에 의해 기판(10)이 낙하할 시 기판(10)이 손상되거나 파손될 우려가 있고, 기판(10)의 로딩 시간이 증가하여 공정 효율이 저하되기 때문에, 스테이지(100)에 대한 그립 유닛의 틸팅 각도(기판(10)의 틸팅 각도)는 0.1°~ 3°로 형성되는 것이 바람직하다.At this time, the tilting angle of the grip unit with respect to the stage 100 (the tilting angle of the substrate 10) is preferably 0.1 to 3 degrees. That is, since the height of the right side of the substrate 10 (reference in FIG. 7) becomes higher as the tilting angle of the
또한, 도 8을 참조하면, 틸팅된 기판(10)의 로딩 과정은 복수개의 그립퍼(220)에 의한 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 행해지는 것도 가능하다. 즉, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 기판(10)의 그립은, 기판(10)의 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 좌측변)을 마주하는 기판(10)의 다른 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변)을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되고, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 그립이 순차적으로 해제됨에 따라 기판(10)은 일변에서 다른 일변을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.Referring to FIG. 8, the loading process of the tilted
이와 같이, 기판(10)이 틸팅된 상태에서 복수개의 그립퍼(220)에 의한 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 로딩이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 위치를 보다 정확하게 맞출 수 있는 유리한 효과가 있다.By thus releasing the grips by the
즉, 기판(10)(지지 프레임)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 모든 그립퍼(220)에 의한 그립을 동시에 해제(OFF)하면, 기판(10)과 스테이지(100)의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판(10)과 스테이지(100) 사이에서 외측으로 빠져나갈 수는 있으나, 기판(10)이 의도한 로딩 위치에서 밀려나게 되는 현상이 발생할 수 있다. 이에 본 발명은, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 기판(10)의 그립이, 기판(10)의 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 좌측변)을 마주하는 기판(10)의 다른 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변)을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 밀림 현상없이 기판(10)을 정확한 위치에 로딩하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 도 7과 같이, 복수개의 그립퍼(220) 중 일부(예를 들어, 도 7 기준으로 기판의 좌측변 부위를 그립하는 그립퍼)의 그립이 해제되면, 기판(10)의 일부 부위(예를 들어, 도 7 기준으로 기판의 좌측변 부위)가 스테이지(100)에 접촉된 상태에서 기판(10)의 나머지 부위(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변 부위)는 그립유닛(200)에 그립된 상태(고정 상태)로 유지되기 때문에, 기판(10)이 스테이지(100)에 최초 접촉할 시 기판(10)의 위치가 틀어짐을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, if grips of all the
바람직하게, 복수개의 그립퍼(220)는 지지 프레임(210)에 대해 탄성적으로 이동 가능하게 구비된다. 여기서, 그립퍼(220)가 지지 프레임(210)에 대해 탄성적으로 이동 가능하다 함은, 지지 프레임(210)에 대한 그립퍼(220)의 배치 높이(지지 프레임(210)과 그립퍼(220)의 사이 간격 길이)(도 8의 L 참조)가 탄성적으로 가변될 수 있음을 의미한다. 일 예로, 그립퍼(220)는 지지 프레임(210)에 상하 방향을 따라 직선 이동 가능하게 장착되고, 지지 프레임(210)에 대한 그립퍼(220)의 직선 이동은 스프링과 같은 탄성부재에 의해 탄성적으로 지지될 수 있다.Preferably, the plurality of
이와 같이, 복수개의 그립퍼(220)가 지지 프레임(210)에 대해 탄성적으로 이동하도록 하는 것에 의하여, 복수개의 그립퍼(220) 중 일부에 의한 그립이 해제되어 기판(10)의 처짐(기판(10)의 일 부분만이 부분적으로 스테이지(100)에 접촉되는 상태)이 발생하더라도, 기판(10)의 처짐 부위(꺽이는 부위)에 인접한 부위에서 기판(10)에 대한 그립을 유지(ON)하고 있는 그립퍼(220)의 그립 상태가 안정적으로 유지되게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 가령, 도 8을 기준으로, 지지 프레임(210)의 좌측으로부터 첫번째에 배치된 그립퍼(220)와 두번째에 배치된 그립퍼(220)의 그립이 해제되어, 기판(10)의 좌측변 부위에 처짐이 발생하더라도, 세번째에 배치된 그립퍼(220)의 길이(지지 프레임(210)과 그립퍼(220)의 사이 간격 길이)가 탄성적으로 늘어날 수 있기 때문에, 세번째에 배치된 그립퍼(220)에 의한 그립 상태를 안정적으로 유지하고, 기판(10)의 꺽임을 보다 완화시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.By gripping the plurality of
그리고, 도 10을 참조하면, 기판(10)이 스테이지(100)에 로딩된 이후에는 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 길이가 동시에 줄어들게(up) 함으로써, 그립유닛(200)이 스테이지(100)의 상부로 상승된다.10, after the
스테이지(100) 상에 기판(10)의 로딩이 완료된 후에는, 스테이지(100) 상에서 기판(10)에 대한 연마 공정이 행해진다. 이때, 기판(10)의 연마 공정은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양한 연마부재를 이용하여 행해질 수 있다.After the loading of the
일 예로, 도 11을 참조하면, 기판(10)에 대한 연마 공정은 롤러(132)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하는 연마벨트(130)에 의해 행해진다.11, the polishing process for the
연마벨트(130)는 롤러(132)에 의해 정해지는 경로를 따라 이동하며 기판(10)의 표면을 선형 연마(평탄화)하도록 마련된다. 일 예로, 연마벨트(130)는 무한 루프 방식으로 순환 회전하며 기판(10)의 표면을 선형 연마(평탄화)하도록 마련될 수 있다.The
연마벨트(130)는 축 방향(롤러(132)의 회전축 방향)을 따른 길이가 기판(10)의 폭(연마벨트(130)의 축선 방향을 따른 폭)에 대응하는 길이로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 연마벨트의 축 방향 길이가 기판의 폭보다 크거나 작게 형성되는 것도 가능하다.The
연마벨트(130)는 기판(10)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마벨트(130)는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마벨트(130)의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The
참고로, 기판(10)의 연마 공정은 단 하나의 연마벨트(130)에 의해 행해질 수 있으나, 복수개의 연마벨트(130)를 이용하여 동시에 또는 순차적으로 기판(10)을 연마하는 것도 가능하다. 경우에 따라서는 연마벨트가 순환 회전하지 않고, 통상의 카세트 테이프의 릴 투 릴(reel to reel) 귄취 방식(제1릴에 귄취되었다가 다시 제2릴에 반대 방향으로 귄취되는 방식)으로 오픈 루프 형태의 이동 궤적을 따라 이동(귄취)하며 기판을 연마하도록 구성하는 것도 가능하다.For reference, the polishing process of the
아울러, 기판(10)의 연마 공정은, 스테이지(100)는 위치가 고정되고, 연마벨트(130)가 스테이지(100)에 대해 수평 이동하는 것에 의해 행해질 수 있다. 경우에 따라서는 연마벨트의 위치가 고정되고, 스테이지가 연마벨트에 대해 수평 이동하는 것에 의해 기판의 연마 공정이 행해지도록 구성하는 것도 가능하다.In addition, the polishing process of the
다른 일 예로, 도 12를 참조하면, 기판(10)에 대한 연마 공정은 기판(10)에 접촉된 상태로 자전하는 연마패드(130')에 의해 행해진다.12, the polishing process for the
연마패드(130')는 연마패드(130') 캐리어(132')에 장착되며, 기판(10)의 표면에 접촉된 상태로 자전하면서 기판(10)의 표면을 선형 연마(평탄화)하도록 마련된다.The polishing pad 130 'is mounted on the polishing pad 130' carrier 132 'and is provided to linearly polish the surface of the
연마패드(130') 캐리어(132')는 연마패드(130')를 자전시킬 수 있는 다양한 구조로 형성될 수 있으며, 연마패드(130') 캐리어(132')의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드(130') 캐리어(132')는 하나의 몸체로 구성되거나, 복수개의 몸체가 결합되어 구성될 수 있으며, 구동 샤프트(미도시)와 연결되어 회전하도록 구성된다. 또한, 연마패드(130') 캐리어(132')에는 연마패드(130')를 기판(10)의 표면에 가압하기 위한 가압부(예를 들어, 공압으로 연마패드(130')를 가압하는 공압가압부)가 구비된다.Abrasive pad 130 'The carrier 132' can be formed in a variety of structures that can rotate the polishing pad 130 ', and the structure of the polishing pad 130' carrier 132 ' Or < / RTI > For example, the polishing pad 130 'and the carrier 132' may be formed as a single body, or may be constructed by combining a plurality of bodies, and are configured to rotate in connection with a driving shaft (not shown). The carrier 132 'is also provided with a polishing pad 130' for applying pressure to the surface of the substrate 10 (for example, a pneumatic pressure for pressing the polishing pad 130 ' Pressure portion).
연마패드(130')는 기판(10)에 대한 기계적 연마에 적합한 재질로 형성된다. 예를 들어, 연마패드(130')는 폴리우레탄, 폴리유레아(polyurea), 폴리에스테르, 폴리에테르, 에폭시, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 플루오르중합체, 비닐 중합체, 아크릴 및 메타아크릴릭 중합체, 실리콘, 라텍스, 질화 고무, 이소프렌 고무, 부타디엔 고무, 및 스티렌, 부타디엔 및 아크릴로니트릴의 다양한 공중합체를 이용하여 형성될 수 있으며, 연마패드(130')의 재질 및 특성은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The polishing pad 130 'is formed of a material suitable for mechanical polishing of the
바람직하게 연마패드(130')로서는 기판(10)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(130')가 사용된다. 즉, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하여 기판을 연마하는 것도 가능하나, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드를 사용하게 되면, 연마패드를 자전시키기 위해 매우 큰 회전 장비 및 공간이 필요하기 때문에, 공간효율성 및 설계자유도가 저하되고 안정성이 저하되는 문제점이 있다. 실질적으로, 기판은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 크기를 갖기 때문에, 기판보다 큰 크기를 갖는 연마패드(예를 들어, 1m 보다 큰 직경을 갖는 연마패드)를 자전시키는 것 자체가 매우 곤란한 문제점이 있다. 또한, 비원형 연마패드(예를 들어, 사각형 연마패드)를 사용하면, 자전하는 연마패드에 의해 연마되는 기판의 표면이 전체적으로 균일한 두께로 연마될 수 없다. 하지만, 본 발명은, 기판(10)보다 작은 크기를 갖는 원형 연마패드(130')를 자전시켜 기판(10)의 표면을 연마하도록 하는 것에 의하여, 공간효율성 및 설계자유도를 크게 저하하지 않고도 연마패드(130')를 자전시켜 기판(10)을 연마하는 것이 가능하고, 연마패드(130')에 의한 연마량을 전체적으로 균일하게 유지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, a circular polishing pad 130 'having a smaller size than the
그리고, 연마패드(130')의 연마 경로는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 연마패드(130')의 연마 경로에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 연마패드(130')는 경사진 제1사선경로와, 제1사선경로의 반대 방향으로 경사진 제2사선경로를 따라 연속적으로 이동하면서 기판(10)의 표면을 연마하도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 연마패드가 원형 궤적의 연마 경로를 따라 이동하며 기판을 연마하는 것도 가능하다.In addition, the polishing path of the polishing pad 130 'may be variously changed according to the required conditions and design specifications, and the present invention is not limited or limited by the polishing path of the polishing pad 130'. In one example, the polishing pad 130 'may be configured to polish the surface of the
도 13 내지 도 16을 참조하면, 스테이지(100) 상에서 연마가 완료된 기판(10)은 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송된 후 다음 공정이 행해진다.13 to 16, the
바람직하게, 틸팅부(300)는 스테이지(100)에 대해 그립유닛(200)을 점진적으로 경사지게 틸팅시킨 상태에서 스테이지(100)로부터 기판(10)을 언로딩한다.Preferably, the
이와 같이, 본 발명은 그립유닛(200)(기판)이 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 언로딩되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 보다 수월하고 안정적으로 이루어지도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the grip unit 200 (substrate) is unloaded while being inclined and tilted with respect to the
즉, 대면적 유리 기판(10)(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판(10)을 평평한 스테이지(100)(예를 들어, 정반)로부터 들어 올릴 시(언로딩시)에는 기판(10)과 스테이지(100) 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력에 의해 기판(10)을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판(10)을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판(10)이 손상될 우려가 있다.That is, since the large-area glass substrate 10 (for example, the sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, the large-
하지만, 본 발명에서는 스테이지(100)에 대해 기판(10)을 틸팅시키는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 기판(10)이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판(10)의 언로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정 중에 기판(10)과 스테이지(100) 사이에 존재하는 액상 유체에 의한 표면장력의 영향을 최소화할 수 있으므로, 비교적 작은 힘으로도 기판(10)을 스테이지(100)로부터 떼어내는 것이 가능하며, 기판(10)을 떼어내는 힘에 의한 기판(10)의 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the
보다 구체적으로, 도 13을 참조하면, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 중 어느 하나만의 길이가 줄어든면, 예를 들어, 제2신축부(330)의 길이가 줄어들면(up), 지지 프레임(210)은 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅될 수 있으며, 그립유닛(200)에 그립된 기판(10) 역시 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된다.13, when the length of only one of the first
이와 같이 기판(10)이 틸팅된 상태에서, 도 15와 같이, 제1신축부(320)의 길이를 줄어들게(up) 함으로써, 스테이지(100)로부터 기판(10)이 언로딩된다.15, the
그 후, 도 16과 같이, 그립유닛(200)에 기판(10)이 흡착된 상태에서, 가이드 프레임(110)이 가이드 레일(110a)을 따라 언로딩 영역(102) 측으로 이동함에 따라, 기판(10)은 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송된다.16, as the
또한, 기판 처리 장치(1)는 스테이지(100)에서 기판(10)을 부상시키는 부상부(150)를 포함할 수 있다.Further, the
부상부(150)는 기판(10)을 언로딩하기 전에 스테이지(100)에서 기판(10)을 부상시키는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 보다 수월하게 이루어지게 한다. 즉, 기판(10)을 언로딩하기 전에 기판(10)을 부상시켜 스테이지(100)와 기판(10)의 사이에 미리 유체층이 형성되도록 하는 것에 의하여, 스테이지(100)로부터 기판(10)을 들어올리는 과정이 보다 원활하게 이루어지게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The floating
부상부(150)는 요구되는 요건 및 설계 사양에 따라 다양한 방식으로 스테이지(100) 상에서 기판(10)을 부상시키도록 구성될 수 있다. 일 예로, 도 14를 참조하면, 부상부(150)는 기판(10)의 저면에 기체(또는 다른 유체)를 분사하여 기판(10)을 부상시키도록 구성될 수 있다. 경우에 따라서는 부상부가 초음파에 의한 진동에너지를 이용하여 스테이지 상에서 기판을 부상시키는 것도 가능하다.The floating
한편, 도 17 및 도 18은 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 비접촉 흡착부를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.On the other hand, Figs. 17 and 18 are views for explaining the non-contact adsorption unit as the substrate processing apparatus according to the present invention. In addition, the same or equivalent portions as those in the above-described configuration are denoted by the same or equivalent reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판(10)을 비접촉 방식으로 흡착하는 비접촉 흡착부(250)를 포함할 수 있다.17 and 18, the
비접촉 흡착부(250)는 기판(10)의 로딩 또는 언로딩 공정 중에 기판(10)의 그립 상태를 보다 안정적으로 유지하고, 언로딩 중에는 기판(10)을 보다 수월하게 들어 올리기 위해 마련된다.The
특히, 그립퍼(220)는 기판(10)의 언로딩 공정 중에 기판(10)을 흡착함으로써, 기판(10)의 휨 또는 변형없이 스테이지(100)로부터 안정적으로 기판(10)이 분리될 수 있게 한다. 즉, 그립퍼(220)는 기판(10)의 가장자리 부위(논액티브 영역)만을 그립하기 때문에, 그립퍼(220)만으로 기판(10)을 그립한 상태에서 기판(10)을 언로딩하게 되면, 기판(10)의 가운데 부위(액티브 영역)에는 기판(10)을 스테이지(100)로부터 분리하는 힘이 효과적으로 가해지기 어렵다. 이에 본 발명은, 비접촉 흡착부(250)를 이용하여 기판(10)의 가운데 부위(액티브 영역)를 흡착하는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 보다 원활하게 이루어지게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, the
물론, 그립퍼(220)가 기판(10)의 액티브 영역(11)을 그립하도록 구성하는 것도 가능하나, 기판(10)의 액티브 영역(11)은 접촉에 매우 민감하기 때문에, 액티브 영역(11)에서의 접촉은 최대한 배척될 수 있어야 한다. 이에 본 발명은, 비접촉 흡착부(250)를 이용하여 기판(10)의 액티브 영역(11)을 흡착하는 것에 의하여, 기판(10)의 영역에서 접촉에 의한 스크레치 등의 손상을 미연에 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Of course, it is also possible to configure the
보다 구체적으로, 비접촉 흡착부(250)는 유체에 의한 표면 장력을 이용하여 기판(10)을 비접촉 흡착하도록 구성된다.More specifically, the
일 예로, 비접촉 흡착부(250)는, 기판(10)의 상면에 이격되게 배치되는 흡착 플레이트(252)와, 흡착 플레이트(252)에 형성되며 기판(10)과 상기 흡착 플레이트(252)의 사이에 선택적으로 유체를 분사하는 노즐(254)을 포함한다.The
흡착 플레이트(252)의 형상 및 크기는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 흡착 플레이트(252)는 기판(10)의 액티브 영역(11)에 대응하는 사각형 형태로 형성될 수 있다. 이때, 흡착 플레이트(252)는 그립유닛(200)에 장착될 수 있다. 경우에 따라서는 그립유닛과 별도로 흡착 플레이트를 장착하는 것도 가능하다.The shape and size of the
노즐(254)은 흡착 플레이트(252)의 저면(흡착 플레이트(252)와 스테이지(100)의 사이 공간)에 유체를 분사하도록 형성된다. 즉, 기판(10)의 상면에 소정 간격을 두고 이격되게 흡착 플레이트(252)가 배치되면, 노즐(254)에서 유체가 분사되고, 노즐(254)로부터 분사된 유체는 흡착 플레이트(252)와 기판(10)의 사이에 채워진다.The
바람직하게, 노즐(254)은 흡착 플레이트(252)의 길이 방향과 폭 방향 중 적어도 어느 하나 이상의 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된다. 이와 같이, 흡착 플레이트(252)의 저면에 균일한 간격으로 복수개의 노즐(254)을 장착하고, 흡착 플레이트(252)의 저면에서 전체적으로 균일하게 유체가 분사되도록 하는 것에 의하여, 흡착 플레이트(252)와 기판(10) 간의 흡착력을 전체적으로 균일하게 형성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, the plurality of
바람직하게, 흡착 플레이트(252)는 피브이씨(PVC) 재질로 형성된다. 경우에 따라서는 흡착 플레이트가 금속 재질(예를 들어, SUS)로 형성되는 것도 가능하다. 그러나, 흡착 플레이트가 금속 재질로 형성되면, 흡착 플레이트의 무게가 증가하여, 이송 및 관리의 불편함이 있기 때문에, 흡착 플레이트를 경량화할 수 있도록 흡착 플레이트(252)는 피브이씨(PVC) 재질로 형성되는 것이 바람직하다.Preferably, the
이때, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판(10)의 액티브 영역(11)을 흡착하는 조건에서, 흡착 플레이트(252)는 3~30㎜의 두께를 갖도록 형성된다.At this time, the
또한, 흡착 플레이트(252)의 상면에는 보강리브(252a)가 형성될 수 있다. 일 예로, 보강리브(252a)는 격자 형태의 구조를 갖도록 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 보강리브가 사각 또는 원형 형태 등으로 형성될 수 있으며, 보강리브의 형태 및 구조에 의하여 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 이와 같이, 흡착 플레이트(252)의 상면에 보강리브(252a)가 형성하는 것에 의하여, 흡착 플레이트(252)가 얇은 두께(3~30㎜)로 형성되더라도, 흡착 플레이트(252)가 충분한 강성을 가질 수 있게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Further, a reinforcing
또한, 흡착 플레이트(252)를 상하 방향으로 이동시키는 실린더를 포함할 수 있다. 실린더는 흡착 플레이트(252)에 기판(10)이 흡착된 상태에서 흡착 플레이트(252)를 서서히 상승시켜 기판(10)이 스테이지(100)로부터 분리될 수 있게 한다.Further, the
그리고, 기판 처리 장치(1)는 흡착 플레이트(252)의 수평도를 조절하는 조절부(256)를 포함한다.The
조절부(256)는 기판(10)에 대한 흡착 플레이트(252)의 수평 상태를 유지할 수 있도록, 흡착 플레이트(252)의 수평도를 조절하도록 마련된다. 이와 같이, 조절부(256)를 마련하고, 기판(10)에 대한 흡착 플레이트(252)의 수평 상태를 유지되도록 하는 것에 의하여, 유체를 매개로 한 기판(10)의 흡착력이 기판(10) 전체에 균일하게 형성되게 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The
조절부(256)는 흡착 플레이트(252)의 수평도를 조절 가능한 다양한 구조로 형성될 수 있다. 일 예로, 조절부(256)는, 실린더에 고정되며 흡착 플레이트(252)가 장착되는 레벨러 플레이트(256a)와, 레벨러 플레이트(256a)와 흡착 플레이트(252)의 사이 간격을 조절하는 조절부재(256b)를 포함한다.The adjusting
조절부재(256b)는 통상의 조절 볼트와 같은 방식으로 조이거나 푸는 조작을 통해 레벨러 플레이트(256a)와 흡착 플레이트(252)의 사이 간격을 조절할 수 있다. 바람직하게 레벨러 플레이트(256a)는 사각형 형태로 형성되고, 조절부재(256b)는 레벨러 플레이트(256a)의 각 모서리 영역에 배치되도록 4개가 구비될 수 있다.The
한편, 도 19는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 제어방법을 설명하기 위한 블록도이고, 도 20은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 제어방법을 설명하기 위한 블록도이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIG. 19 is a block diagram for explaining a control method of the substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 20 is a block diagram for explaining a control method of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent portions as those in the above-described configuration are denoted by the same or equivalent reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.
도 19를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 제어방법은, 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 기판(10)을 이송하는 이송 단계(S10)와, 기판(10)의 일변이 스테이지(100)에 인접하도록 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계(S20)와, 기판(10)이 틸팅된 상태에서 스테이지(100)에 기판(10)을 로딩하는 로딩 단계(S30)와, 스테이지(100)에 로딩된 기판(10)에 대한 연마 공정을 수행하는 연마 단계(S40)를 포함한다.19, a method of controlling a
단계 1-1:Step 1-1:
먼저, 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 기판(10)을 이송한다.(S10)First, the
이송 단계(S10)에서는 이송 로봇(미도시)에 의해 로딩 영역(101)에 공급된 기판(10)을 수취하여 스테이지(100)로 이송한다.In the transfer step S10, the
구체적으로, 도 5 및 도 6을 참조하면, 로딩 영역(101)에서는 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 길이가 동시에 늘어남(down)에 따라 지지 프레임(210)이 수평하게 하강할 수 있으며, 지지 프레임(210)이 일정 이상 하강하여 그립퍼(220)가 기판(10)에 접촉되면 그립퍼(220)에 의한 흡착력에 의해 기판(10)이 그립퍼(220)에 흡착된다. 그 후, 제1신축부(320)와 제2신축부(330)의 길이가 동시에 줄어들면(up), 기판(10)이 그립퍼(220)에 흡착된 상태에서 지지 프레임(210)이 수평하게 상승하게 된다.5 and 6, in the
그립유닛(200)에 기판(10)이 흡착된 상태에서, 가이드 프레임(110)이 가이드 레일(110a)을 따라 스테이지(100) 측으로 이동함에 따라, 기판(10)은 로딩 영역(101)에서 스테이지(100)로 이송된다.As the
단계 1-2:Step 1-2:
다음, 기판(10)의 일변이 스테이지(100)에 인접하도록 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅시킨다.(S20)Next, the
틸팅 단계(S20)에서는 스테이지(100)의 상부로 이송된 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅시킨다.In the tilting step S20, the
구체적으로, 도 7을 참조하면, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 중 어느 하나만의 길이가 늘어나면, 예를 들어, 제1신축부(320)의 길이가 늘어나면(down), 지지 프레임(210)은 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅될 수 있으며, 그립유닛(200)에 그립된 기판(10) 역시 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된다.7, when the length of only one of the first
단계 1-3:Steps 1-3:
다음, 기판(10)이 틸팅된 상태에서 스테이지(100)에 기판(10)을 로딩한다.(S30)Next, the
로딩 단계(S30)에서는 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 기판(10)의 로딩이 이루어진다.In the loading step S30, the loading of the
이때, 로딩 단계(S30)는, 지지 프레임(210)(그립유닛)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 행해지거나, 지지 프레임(210)(그립유닛)의 틸팅 각도가 점진적으로 줄어들면서 행해질 수 있다.At this time, the loading step S30 may be performed in a state where the tilting angle of the support frame 210 (grip unit) is kept constant, or may be performed while the tilting angle of the support frame 210 (grip unit) gradually decreases have.
일 예로, 기판(10)(지지 프레임)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 모든 그립퍼(220)에 의한 그립이 동시에 해제(OFF)되면, 기판(10)은 좌측변(도 7 기준)에서 우측변(도 7 기준)을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.For example, when grips of all the
다른 일 예로, 도 9와 같이, 스테이지(100)에 대해 기판(10)을 틸팅시켜 기판(10)의 좌측변(도 7 기준)이 먼저 스테이지(100)에 접촉된 상태에서, 제2신축부(330)의 길이가 점진적으로 늘어나면(down), 기판(10)의 틸팅 각도가 점진적으로 줄어들면서 기판(10)은 좌측변(도 7 기준)에서 우측변(도 7 기준)을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.9, the
또한, 도 8을 참조하면, 로딩 단계(S30)는, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 기판(10)의 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 행해지는 것도 가능하다. 즉, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 기판(10)의 그립은, 기판(10)의 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 좌측변)을 마주하는 기판(10)의 다른 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변)을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되고, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 그립이 순차적으로 해제됨에 따라 기판(10)은 일변에서 다른 일변을 향하는 방향을 따라 스테이지(100)에 점진적으로 로딩된다.8, the loading step S30 can be performed by sequentially releasing the grip of the
이와 같이, 로딩 단계(S30)에서, 기판(10)이 틸팅된 상태에서 복수개의 그립퍼(220)에 의한 그립을 순차적으로 해제(OFF)하여 로딩이 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 위치를 보다 정확하게 맞출 수 있는 유리한 효과가 있다.As described above, in the loading step S30, the loading of the
즉, 기판(10)(지지 프레임)의 틸팅 각도가 일정하게 유지된 상태에서 모든 그립퍼(220)에 의한 그립을 동시에 해제(OFF)하면, 기판(10)과 스테이지(100)의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판(10)과 스테이지(100) 사이에서 외측으로 빠져나갈 수는 있으나, 기판(10)이 의도한 로딩 위치에서 밀려나게 되는 현상이 발생할 수 있다. 이에 본 발명은, 복수개의 그립퍼(220)에 의한 기판(10)의 그립이, 기판(10)의 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 좌측변)을 마주하는 기판(10)의 다른 일변(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변)을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제(OFF)되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 밀림 현상없이 기판(10)을 정확한 위치에 로딩하는 유리한 효과를 얻을 수 있다. 특히, 도 7과 같이, 복수개의 그립퍼(220) 중 일부(예를 들어, 도 7 기준으로 기판의 좌측변 부위를 그립하는 그립퍼)의 그립이 해제되면, 기판(10)의 일부 부위(예를 들어, 도 7 기준으로 기판의 좌측변 부위)가 스테이지(100)에 접촉된 상태에서 기판(10)의 나머지 부위(예를 들어, 도 7 기준으로 기판(10)의 우측변 부위)는 그립유닛(200)에 그립된 상태(고정 상태)로 유지되기 때문에, 기판(10)이 스테이지(100)에 최초 접촉할 시 기판(10)의 위치가 틀어짐을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, if grips of all the
단계 1-4:Steps 1-4:
마지막으로, 스테이지(100)에 로딩된 기판(10)에 대한 연마 공정을 수행한다.(S40)Finally, the polishing process for the
연마 단계(S40)에서는 스테이지(100)에 로딩된 기판(10)에 대한 연마 공정이 행해진다.In the polishing step (S40), a polishing process is performed on the substrate (10) loaded on the stage (100).
일 예로, 연마 단계(S40)에서 기판(10)에 대한 연마 공정은 롤러(132)에 의해 정해지는 경로를 따라 순환 회전하는 연마벨트(130)에 의해 행해진다.(도 11 참조)In one example, the polishing process for the
다른 일 예로, 연마 단계(S40)에서 기판(10)에 대한 연마 공정은 기판(10)에 대한 연마 공정은 기판(10)에 접촉된 상태로 자전하는 연마패드(130')에 의해 행해진다.(도 12 참조)As another example, in the polishing step S40, the polishing process for the
이와 같이, 본 발명은 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 선택적으로 경사지게 틸팅될 수 있도록 하는 것에 의하여, 로딩 공정 중에 기판(10)의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제하고, 기판(10)을 의도한 위치에 정확하게 배치하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, since the
즉, 대면적 유리 기판(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판을 평평한 스테이지(예를 들어, 정반) 위에 평평하게 내려 놓을 시(로딩시), 대면적 유리 기판과 스테이지 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의해 대면적 유리 기판이 스테이지의 상면에서 일시적으로 부유되며, 정위치(로딩 위치)에서 벗어나는(틀어지는) 현상이 발생하는 문제점이 있다.That is, since a large-area glass substrate (for example, a sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, when a large-area glass substrate is placed flat on a flat stage (for example, Area glass substrate is suspended temporarily on the upper surface of the stage by air or a liquid fluid (e.g., a cleaning liquid) existing between the large-area glass substrate and the stage, and deviates from the correct position (loading position) There is a problem that a phenomenon occurs.
하지만, 본 발명에서는 스테이지(100)에 대해 기판(10)이 선택적으로 틸팅되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 공정이 기판(10)이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판(10)의 로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 로딩 공정 중에 기판(10)과 스테이지(100)의 사이에 존재하는 공기 또는 액상 유체가 기판(10)과 스테이지(100) 사이에서 외측으로 빠져나가게 할 수 있으므로, 기판(10)의 로딩 공정 중에 공기층 또는 액체층에 의한 기판(10)의 부유 현상을 최소화하고, 기판(10)의 자세 및 위치가 틀어짐을 억제할 수 있으며, 의도한 위치에 정확하게 기판(10)을 위치시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the loading process of the
또한, 도 20을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)의 제어방법은, 스테이지(100)에서 연마 공정이 행해진 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계(S10')와, 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 틸팅된 상태에서 스테이지(100)로부터 기판(10)을 언로딩하는 언로딩 단계(S20')와, 기판(10)을 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송하는 이송 단계(S30')를 포함한다.20, a method of controlling a
단계 2-1:Step 2-1:
먼저, 스테이지(100)에서 연마 공정이 행해진 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅시킨다.(S10')First, the
틸팅 단계(S10')에서는 스테이지(100)에서 연마 공정이 완료된 기판(10)을 스테이지(100)에 대해 점진적으로 경사지게 틸팅시킨다.In the tilting step S10 ', the
구체적으로, 도 13을 참조하면, 제1신축부(320)와 제2신축부(330) 중 어느 하나만의 길이가 늘어나면, 예를 들어, 제2신축부(330)의 길이가 줄어들면(up), 지지 프레임(210)은 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅될 수 있으며, 그립유닛(200)에 그립된 기판(10) 역시 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된다.13, when the length of only one of the first
또한, 기판(10)을 언로딩하기 전에 스테이지(100)에서 기판(10)을 부상시키는 부상 단계를 포함할 수 있다.It may also include a levitation step to float the
부상 단계는 기판(10)을 언로딩하기 전에 스테이지(100)에서 기판(10)을 부상시키는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 보다 수월하게 이루어지게 한다.The floating step makes the unloading process of the
이때, 기판(10)의 부상은 기판(10)이 틸팅되기 전에 또는 기판(10)이 틸팅되는 중에 행해질 수 있다.At this time, the floating of the
단계 2-2:Step 2-2:
다음, 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 틸팅된 상태에서 스테이지(100)로부터 기판(10)을 언로딩한다.(S20')Next, the
언로딩 단계(S20')에서는 틸팅된 기판(10)을 스테이지(100)로부터 들어올려 언로딩 한다.In the unloading step S20 ', the tilted
구체적으로, 도 15를 참조하면, 언로딩 단계(S20')에서는 제1신축부(320)의 길이를 줄어들게(up) 함으로써, 스테이지(100)로부터 기판(10)이 언로딩된다.15, in the unloading step S20 ', the length of the first stretchable and
단계 2-3:Step 2-3:
그 후, 기판(10)을 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송한다.(S30')Thereafter, the
이송 단계(S30')에서는 연마 공정이 완료된 기판(10)이 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송된다.In the transfer step S30 ', the
구체적으로, 도 16을 참조하면, 이송 단계(S30')에서는 연마 공정이 완료된 기판(10)이 그립유닛(200)에 기판(10)이 흡착된 상태에서, 가이드 프레임(110)이 가이드 레일(110a)을 따라 언로딩 영역(102) 측으로 이동함에 따라, 기판(10)이 스테이지(100)에서 언로딩 영역(102)으로 이송된다. 기판(10)은 언로딩 영역(102)으로 이송된 후 다음 공정이 행해진다.16, in the conveying step S30 ', the
이와 같이, 본 발명은 기판(10)이 스테이지(100)에 대해 경사지게 틸팅된 상태에서 언로딩되도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 보다 수월하고 안정적으로 이루어지도록 하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, the
즉, 대면적 유리 기판(10)(예를 들어, 1500㎜*1850㎜의 6세대 기판)은 매우 큰 사이즈를 가지기 때문에, 대면적 유리 기판(10)을 평평한 스테이지(100)(예를 들어, 정반)로부터 들어 올릴 시(언로딩시)에는 기판(10)과 스테이지(100) 사이에 존재하는 액상 유체(예를 들어, 세정액)에 의한 표면장력, 또는 정반위에 배치되는 패드(PAD)와 유리 기판 사이에 작용하는 접착력에 의해 기판(10)을 떼어내기가 매우 어려울 뿐만 아니라, 불가피하게 매우 강한 힘으로 기판(10)을 떼어내야 하는데 이 과정 중에 기판(10)이 손상될 우려가 있다.That is, since the large-area glass substrate 10 (for example, the sixth-generation substrate of 1500 mm * 1850 mm) has a very large size, the large-
하지만, 본 발명에서는 스테이지(100)에 대해 기판(10)을 틸팅시키는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정이 기판(10)이 틸팅된 상태에서 행해질 수 있다. 이와 같이, 기판(10)의 언로딩 공정이 평평한 상태가 아닌 경사지게 틸팅된 상태에서 행해지도록 하는 것에 의하여, 기판(10)의 언로딩 공정 중에 기판(10)과 스테이지(100) 사이에 존재하는 액상 유체에 의한 표면장력의 영향을 최소화할 수 있으므로, 비교적 작은 힘으로도 기판(10)을 스테이지(100)로부터 떼어내는 것이 가능하며, 기판(10)을 떼어내는 힘에 의한 기판(10)의 손상을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.However, in the present invention, the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been disclosed for illustrative purposes, those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims. It will be understood that the present invention can be changed.
10 : 기판 100 : 스테이지
110 : 가이드 프레임 110a : 가이드 레일
150 : 부상부 200 : 그립유닛
250 : 비접촉 흡착부 252 : 흡착 플레이트
252a : 보강리브 254 : 노즐
256 : 조절부 256a : 레벨러 플레이트
256b : 조절부재 210 : 지지 프레임
220 : 그립퍼 230 : 가이드부
232 : 가이드로드 234 : 가이드부싱
300 : 틸팅부 310 : 베이스 프레임
320 : 제1신축부 321 : 제1전동실린더
330 : 제2신축부 331 : 제2전동실린더
130 : 연마벨트 130' : 연마패드10: substrate 100: stage
110:
150: floating portion 200: grip unit
250: non-contact adsorption unit 252: adsorption plate
252a: reinforcing rib 254: nozzle
256:
256b: regulating member 210: supporting frame
220: gripper 230: guide portion
232: guide rod 234: guide bushing
300: tilting part 310: base frame
320: first extension part 321: first electric cylinder
330: second stretching part 331: second electric cylinder
130: abrasive belt 130 ': polishing pad
Claims (46)
기판에 대한 연마 공정이 행해지는 스테이지와;
상기 기판을 그립하는 그립유닛과;
상기 스테이지에 대해 상기 그립유닛을 선택적으로 경사지게 틸팅시키는 틸팅부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus comprising:
A stage on which a polishing process for the substrate is performed;
A grip unit for gripping the substrate;
A tilting unit for selectively tilting the grip unit with respect to the stage;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 틸팅부는,
베이스 프레임과;
상기 베이스 프레임과 상기 그립 유닛을 연결하며, 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제1신축부와;
상기 제1신축부를 마주하도록 배치되되, 상기 베이스 프레임과 상기 그립 유닛을 연결하며, 선택적으로 신축 가능하게 구비되는 제2신축부를; 포함하고,
상기 제1신축부와 상기 제2신축부의 신축 길이를 서로 다르게 조절하여 상기 그립 유닛을 틸팅시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The tilting portion
A base frame;
A first stretchable portion connected to the base frame and the grip unit and selectively extendable and retractable;
A second stretchable portion disposed to face the first stretchable portion and connected to the base frame and the grip unit and selectively extendable and retractable; Including,
And adjusts the extension and contraction lengths of the first stretchable portion and the second stretchable portion so as to tilt the grip unit.
상기 제1신축부와 상기 제2신축부 중 어느 하나 이상은 수직선을 기준으로 경사지게 배치된 상태에서 신축되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein at least one of the first stretchable portion and the second stretchable portion is elongated or contracted while being inclined with respect to a vertical line.
제1신축부는, 상기 베이스 프레임의 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제1전동실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first expanding and contracting portion comprises a plurality of first electric cylinders which are arranged to be spaced apart along one side of the base frame and selectively expandable and contractible.
상기 복수개의 제1전동실린더는 동기화되어 작동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the plurality of first electric cylinders are operated synchronously.
상기 제2신축부는, 상기 베이스 프레임의 다른 일변을 따라 이격되게 배치되며, 선택적으로 신축 가능한 복수개의 제2전동실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the second expanding and contracting portion comprises a plurality of second electric cylinders which are arranged to be spaced along another side of the base frame and selectively expandable and contractible.
상기 복수개의 제2전동실린더는 동기화되어 작동되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the plurality of second electric cylinders are operated synchronously.
상기 그립유닛은,
상기 틸팅부에 의해 각도 조절 가능한 지지 프레임과;
상기 지지 프레임에 장착되며, 상기 기판을 그립하는 그립퍼를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The grip unit includes:
A support frame adjustable by the tilting portion;
A gripper mounted on the support frame and gripping the substrate;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 기판은 상기 그립퍼에 흡착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
Wherein the substrate is attracted to the gripper.
상기 그립퍼는 상기 기판을 독립적으로 흡착 가능하게 복수개가 마련된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
10. The method of claim 9,
Wherein the gripper is provided with a plurality of grippers capable of independently adsorbing the substrate.
상기 그립퍼는 상기 기판의 논액티브 영역(non-active area)을 그립하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the gripper grips a non-active area of the substrate.
상기 기판은 로딩 영역에서 상기 스테이지로 이송되고,
상기 틸팅부가 상기 스테이지에 대해 상기 그립유닛을 경사지게 틸팅시킨 상태에서 상기 스테이지에 상기 기판을 로딩하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method of claim 11,
The substrate is transferred from the loading region to the stage,
And the tilting unit loads the substrate onto the stage while the grip unit is inclined and tilted with respect to the stage.
상기 스테이지에 대해 상기 그립유닛이 경사지게 틸팅된 상태에서 상기 기판의 일변은 상기 기판의 나머지 다른 변에 비해 상기 스테이지에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein one side of the substrate is disposed adjacent to the stage with respect to the other side of the substrate in a state in which the grip unit is inclined and tilted with respect to the stage.
상기 복수개의 그립퍼에 의한 상기 기판의 그립은, 상기 기판의 상기 일변에서 상기 일변을 마주하는 상기 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 해제되고,
상기 복수개의 그립퍼에 의한 그립이 순차적으로 해제됨에 따라 상기 기판은 상기 일변에서 상기 다른 일변을 향하는 방향을 따라 상기 스테이지에 점진적으로 로딩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
14. The method of claim 13,
The grip of the substrate by the plurality of grippers is sequentially released along the direction from the one side of the substrate toward the other side of the substrate facing the one side,
Wherein the substrate is progressively loaded on the stage along the direction from the one side to the other side as the grips by the plurality of grippers are sequentially released.
상기 틸팅부는 상기 기판이 상기 스테이지에 점짐적으로 로딩되는 동안, 상기 스테이지에 대한 상기 그립유닛의 틸팅 각도를 점진적으로 줄이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the tilting portion gradually reduces the tilting angle of the grip unit with respect to the stage while the substrate is loaded on the stage in a pointy manner.
상기 복수개의 그립퍼는 상기 지지 프레임에 대해 탄성적으로 이동 가능하게 구비된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the plurality of grippers are provided so as to be elastically movable with respect to the support frame.
상기 베이스 프레임에 대한 상기 지지 프레임의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
9. The method of claim 8,
And a guide portion for guiding the vertical movement of the support frame with respect to the base frame.
상기 가이드부는,
상기 베이스 프레임에 장착되는 가이드부싱과;
일단은 상기 지지 프레임에 회전 가능하게 연결되고, 상기 가이드부싱을 따라 직선 이동 가능하게 배치되는 가이드로드를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
18. The method of claim 17,
The guide portion
A guide bush mounted on the base frame;
A guide rod rotatably connected to the support frame, the guide rod being disposed linearly along the guide bushing;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 가이드부는 상기 제1신축부와 상기 제2신축부 사이의 중간 위치에 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the guide portion is disposed at an intermediate position between the first stretchable portion and the second stretchable portion.
상기 기판은 상기 스테이지에서 언로딩 영역으로 이송되고,
상기 틸팅부는 상기 스테이지에 대해 상기 그립유닛을 점진적으로 경사지게 틸팅시킨 상태에서 상기 스테이지로부터 상기 기판을 언로딩하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The substrate is transferred from the stage to the unloading zone,
Wherein the tilting unit unloads the substrate from the stage in a state in which the grip unit is inclined and tilted gradually with respect to the stage.
상기 스테이지에서 상기 기판을 부상시키는 부상부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
21. The method of claim 20,
Further comprising a floating portion for floating the substrate on the stage.
상기 부상부는 상기 기판의 저면에 유체를 분사하여 상기 기판을 부상시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
22. The method of claim 21,
Wherein the floating portion blows a fluid onto a bottom surface of the substrate to float the substrate.
상기 리테이너의 상면에는 리테이너가 돌출 형성되고,
상기 기판은 상기 리테이너의 내측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
A retainer protrudes from the upper surface of the retainer,
And the substrate is disposed inside the retainer.
상기 리테이너의 돌출 높이는 상기 기판의 두께와 동일하게 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
24. The method of claim 23,
And the projection height of the retainer is formed to be equal to the thickness of the substrate.
상기 스테이지에 대한 상기 그립 유닛의 틸팅 각도는 0.1°~ 3°인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Wherein the tilting angle of the grip unit with respect to the stage is 0.1 to 3 degrees.
상기 기판은 적어도 일측변의 길이가 1m 보다 큰 사각형 기판인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Wherein the substrate is a rectangular substrate having at least one side longer than 1 m.
상기 스테이지에서는 상기 기판에 대한 화학 기계적 연마(CMP) 공정이 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Wherein the substrate is subjected to a chemical mechanical polishing (CMP) process on the substrate.
상기 기판을 비접촉 흡착하는 비접촉 흡착부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Further comprising a non-contact adsorbing portion for non-contacting and adsorbing the substrate.
상기 비접촉 흡착부는 유체에 의한 표면 장력을 이용하여 상기 기판을 비접촉 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
29. The method of claim 28,
Wherein the non-contact adsorbing portion performs the non-contact adsorption of the substrate using the surface tension by the fluid.
상기 비접촉 흡착부는,
상기 기판의 상면에 이격되게 배치되는 흡착 플레이트와;
상기 흡착 플레이트에 형성되며, 상기 기판과 상기 흡착 플레이트의 사이에 선택적으로 유체를 분사하는 노즐을;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
30. The method of claim 29,
Wherein the non-
An adsorption plate disposed so as to be spaced apart from an upper surface of the substrate;
A nozzle formed on the adsorption plate and selectively injecting a fluid between the substrate and the adsorption plate;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 노즐은 상기 흡착 플레이트의 길이 방향과 폭 방향 중 적어도 어느 하나 이상의 방향을 따라 이격되게 복수개가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
31. The method of claim 30,
Wherein the plurality of nozzles are spaced apart from each other along at least one of a longitudinal direction and a width direction of the adsorption plate.
상기 흡착 플레이트는 피브이씨(PVC) 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
31. The method of claim 30,
Wherein the adsorption plate is formed of a PVC material.
상기 흡착 플레이트는 3~30㎜의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
33. The method of claim 32,
Wherein the adsorption plate is formed to a thickness of 3 to 30 mm.
상기 흡착 플레이트의 상면에는 보강리브가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
34. The method of claim 33,
And a reinforcing rib is formed on an upper surface of the adsorption plate.
상기 흡착 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 실린더를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
31. The method of claim 30,
And a cylinder for moving the adsorption plate in the vertical direction.
상기 흡착 플레이트의 수평도를 조절하는 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
36. The method of claim 35,
And an adjusting unit for adjusting a horizontality of the adsorption plate.
상기 조절부는,
상기 실린더에 고정되며, 상기 흡착 플레이트가 장착되는 레벨러 플레이트와;
상기 레벨러 플레이트와 상기 흡착 플레이트의 사이 간격을 조절하는 조절부재를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
37. The method of claim 36,
The control unit includes:
A leveler plate fixed to the cylinder, on which the adsorption plate is mounted;
An adjusting member for adjusting an interval between the leveler plate and the adsorption plate;
The substrate processing apparatus comprising:
상기 비접촉 흡착부는 상기 기판의 액티브 영역(active area)을 흡착하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
29. The method of claim 28,
And the non-contact adsorption unit adsorbs an active area of the substrate.
상기 기판에 대한 연마 공정은 롤러에 의해 정해지는 경로를 따라 회전하는 연마벨트에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Wherein the polishing process for the substrate is performed by an abrasive belt rotating along a path determined by the roller.
상기 기판에 대한 연마 공정은 상기 기판에 접촉된 상태로 자전하는 연마패드에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
Wherein the polishing process for the substrate is performed by a polishing pad rotating in contact with the substrate.
상기 기판이 이송 경로를 따라 배치되는 가이드 레일과;
상기 틸팅부가 장착되며, 상기 가이드 레일을 따라 이동하는 가이드 프레임을;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
23. The method according to any one of claims 1 to 22,
A guide rail on which the substrate is disposed along a conveyance path;
A guide frame mounted on the tilting portion and moving along the guide rail;
The substrate processing apparatus comprising:
로딩 영역에서 스테이지로 기판을 이송하는 이송 단계와;
상기 기판의 일변이 상기 스테이지에 인접하도록 상기 기판을 상기 스테이지에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계와;
상기 기판이 틸팅된 상태에서 상기 스테이지에 상기 기판을 로딩하는 로딩 단계와;
상기 스테이지에 로딩된 상기 기판에 대한 연마 공정을 수행하는 연마 단계를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어방법.
A control method for a substrate processing apparatus,
A transfer step of transferring the substrate from the loading area to the stage;
A tilting step of tilting the substrate at an angle to the stage so that one side of the substrate is adjacent to the stage;
A loading step of loading the substrate on the stage while the substrate is tilted;
A polishing step of performing a polishing process on the substrate loaded on the stage;
And controlling the substrate processing apparatus based on the control signal.
상기 로딩 단계에서는, 상기 스테이지에 인접한 상기 기판의 상기 일변에서 상기 일변을 마주하는 상기 기판의 다른 일변을 향하는 방향을 따라 순차적으로 상기 기판에 대한 그립을 해제하고, 상기 일변에서 상기 다른 일변을 향하는 방향을 따라 상기 기판을 상기 스테이지에 점진적으로 로딩시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어방법.
43. The method of claim 42,
In the loading step, the grip on the substrate is sequentially released along the direction from the one side of the substrate adjacent to the stage toward the other side of the substrate facing the one side, and the direction from the one side toward the other side And gradually loading the substrate onto the stage along the first direction.
상기 로딩 단계에서는 상기 기판이 상기 스테이지에 점진적으로 로딩되는 동안, 상기 스테이지에 대한 상기 기판의 틸팅 각도를 점진적으로 줄이는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어방법.
44. The method of claim 43,
Wherein the loading step gradually reduces the tilting angle of the substrate relative to the stage while the substrate is gradually loaded on the stage.
스테이지에서 연마 공정이 행해진 기판을 상기 스테이지에 대해 경사지게 틸팅시키는 틸팅 단계와;
상기 기판이 상기 스테이지에 대해 틸팅된 상태에서 상기 스테이지로부터 상기 기판을 언로딩하는 언로딩 단계와;
상기 기판을 상기 스테이지에서 언로딩 영역으로 이송하는 이송 단계를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어방법.
A control method for a substrate processing apparatus,
A tilting step of tilting the substrate on which the polishing process has been performed in the stage at an angle to the stage;
An unloading step of unloading the substrate from the stage while the substrate is tilted with respect to the stage;
A transfer step of transferring the substrate from the stage to the unloading area;
And controlling the substrate processing apparatus based on the control signal.
상기 기판을 언로딩하기 전에 상기 스테이지에서 상기 기판을 부상시키는 부상 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 제어방법.
46. The method of claim 45,
Further comprising a floating step of floating the substrate on the stage before unloading the substrate.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170033643A KR102331075B1 (en) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | Substrate procesing apparatus |
CN201720464593.6U CN206834156U (en) | 2017-03-17 | 2017-04-28 | Substrate board treatment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170033643A KR102331075B1 (en) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | Substrate procesing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180106069A true KR20180106069A (en) | 2018-10-01 |
KR102331075B1 KR102331075B1 (en) | 2021-11-25 |
Family
ID=63877658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170033643A KR102331075B1 (en) | 2017-03-17 | 2017-03-17 | Substrate procesing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102331075B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2017
- 2017-03-17 KR KR1020170033643A patent/KR102331075B1/en active IP Right Grant
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