KR20180103405A - 포지티브형 감광성 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 감광성 수지 조성물에 있어서, a) 하기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물; b) 아크릴계 공중합체; c)실란 커플링제; 및 d)용매;를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
[화학식 1] [화학식 2]
Figure pat00019
Figure pat00020

상기 화학식 1의 R1, 화학식 2의 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고 화학식 1의 R2, 화학식 2의 R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내며, 상기 R1, R3의 각각 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물{POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}
본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 해상도, 경화공정마진, 내열변색성, 내열성 등이 우수하고, 특히 감도, 투명성이 우수하며, 접착력을 현저히 향상시키는 LCD 및 OLED 제조공정의 층간절연막 및 PDL(Pixel Define Layer), 컬럼 스페이서(Column Spacer) 등을 형성하기에 적합한 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
일반적으로 평판 표시 장치는 현재 널리 사용되고 있는 표시 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid crystal display; LCD)와 유기 발광 표시 장치(Organic light emitting display; OLED) 등 여러 종류가 있다.
TFT형 액정 표시 장치(LCD)와 유기 발광 표시 장치(OLED) 제조공정에는 층간에 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간절연막을 사용하고 있다.
특히 최근에는 고속응답, 고해상도 장치(Device)가 개발되면서 고개구율 및 저저항 배선기술이 요구된다. 이를 위해서 회로의 폭은 줄이고, 두께를 높게 형성하게 되어 TFT의 단차가 크게 발생되는 경향을 보인다. 이 경우, 평탄화도를 위해 적용되는 층간절연막의 두께가 상승되는데, 이는 감도, 투명성의 저하를 일으키는 원인이 되어 Panel 생산성 및 품질을 저하시키게 된다. 따라서, 감도, 투명성이 우수한 절연막 개발이 절실히 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 해상도, 경화공정마진, 내열변색성, 내열성이 우수하고, 특히 감도, 투명성이 우수하며, 접착력을 현저히 향상시켜 LCD 및 OLED 제조공정의 층간절연막 및 PDL, 컬럼 스페이서 등을 형성하기에 적합한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 상기 감광성 수지 조성물의 경화체를 포함하는 LCD와 OLED 기판을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 또 다른 목적은, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 디스플레이 기판의 패턴형성방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, a) 하기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물; b) 아크릴계 공중합체; c) 실란 커플링제; 및 d) 용매;를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1의 R1은 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내며, R1 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2의 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고, R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내며, R3 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.
본 발명에 사용되는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 해상도, 경화공정마진, 내열변색성, 내열성이 우수하고, 특히 감도, 투과성이 우수하며, 접착력을 현저히 향상시켜 LCD 및 OLED 제조공정의 층간절연막 및 PDL, 컬럼 스페이서 등을 형성하기에 적합한 감광성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물의 경화체를 포함하는 LCD와 OLED 기판 및 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 디스플레이 기판의 패턴형성방법을 제공한다. 상기 패턴은 TFT-LCD, TSP (Touch Screen Panel), OLED, O-TFT, EPD, EWD 등의 패시베이션 절연막, 게이트 절연막, 평탄화막, 컬럼 스페이서, 격벽 등의 재료로 사용될 수 있다.
이하에서 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 액정 표시 장치(LCD)와 유기 발광 표시 장치(OLED) 등의 층간에 배치되는 층간절연막, 패시베이션 절연막, 게이트 절연막, 오버코트, 컬럼 스페이서, PDL, 격벽 등의 다양한 분야에 사용할 수 있는 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은,
a) 하기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물;
b) 아크릴계 공중합체;
c) 실란 커플링제; 및
d) 용매;를 포함한다:
[화학식 1]
Figure pat00003
상기 화학식 1의 R1은 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고, R2는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족기, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 15의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 방향족기를 나타내며, 상기 R1 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.
[화학식 2]
Figure pat00004
상기 화학식 2의 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고, R4는 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기, 바람직하게는 탄소수 1 내지 20의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족기, 더욱 바람직하게는 탄소수 1 내지 15의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 15의 방향족기를 나타내며, 상기 R3 중 적어도 하나는 퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.
본 발명에 사용되는 상기 a)의 화학식 1 또는 2로 표현되는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 감광성 화합물(Photo Active Compound: PAC)로써,
상기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르의 구체적인 예로는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르 등이 있고, 더욱 구체적인 예로는 하기 화학식 3(*은 결합부를 의미한다)의 구조를 갖는 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르이다. 1,2-퀴논디아지드 화합물은 노광시에 질소 분자를 방출하여 분자내에 카르본산기를 생성함으로써, 감광성 수지막의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 향상시키고, 미노광 부위의 감광성 수지막의 알칼리 용해성을 억제하여, 포지티브 패턴을 형성할 수 있도록 한다.
[화학식 3]
Figure pat00005
상기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물은 예를 들어, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 할로겐 화합물과 페놀 화합물을 약염기 하에서 반응시켜 제조할 수 있다.
화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물은 b) 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 50 중량부, 바람직하게는 10 내지 40 중량부, 더 바람직하게는 15 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 노광부와 비노광부의 용해도 차가 작아져 패턴 형성이 어려우며, 50 중량부를 초과할 경우에는 단시간 동안 빛을 조사할 때 미반응 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르 화합물이 다량 잔존하여 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해도가 지나치게 낮아져 현상이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명의 상기 b)의 아크릴계 공중합체는 단량체로 i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물, ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 iii) 올레핀계 불포화 화합물을 중합하여 제조될 수 있고, 예를 들어 이들 단량체를 용매 및 중합개시제의 존재하에서 라디칼 반응하여 아크릴계 공중합체를 제조할 수 있다.
상기 i)의 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물은 아크릴산(acrylic acid), 메타크릴산(methacrylic acid) 등의 불포화 모노카르본 산; 말레인산(maleic acid), 푸마르산(fumaric acid), 시트라콘산(citraconic acid), 메타콘산(methaconic acid), 이타콘산(itaconic acid) 등의 불포화 디카르본산; 또는 이들의 불포화 디카르본산의 무수물 등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 특히 아크릴산, 메타크릴산, 또는 무수말레인산을 사용하는 것이 공중합 반응성과 현상액인 알칼리 수용액에 대한 용해성에 있어 더욱 바람직하다.
상기 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물은 전체 총 단량체에 대하여 5 내지 40 중량부, 바람직하게는 10 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 5 중량부 미만일 경우에는 알칼리 수용액에 용해하기 어렵다는 문제점이 있으며, 40 중량부를 초과할 경우에는 알칼리 수용액에 대한 용해성이 지나치게 커지게 된다는 문제점이 있다.
상기 ii)의 에폭시기 함유 불포화 화합물은 아크릴산 글리시딜(glycidyl acrylate), 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜(acrylate-β-methyl glycidyl), 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸(3,4-epoxybutyl acrylate), 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르(o-vinyl benzyl glycidyl ether), m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실(3,4-epoxy cyclohexyl methacrylate)등을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있으며, 바람직하게는 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 또는 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실 등을 사용하는 것이 공중합 반응성 및 얻어지는 패턴의 내열성을 향상시키는데 있어 더욱 바람직하다.
상기 에폭시기 함유 불포화 화합물은 전체 총 단량체에 대하여 10 내지 70 중량부, 바람직하게는 20 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 상기 범위 내인 경우 유기절연막의 내열성 및 감광성 수지 조성물의 보존안정성을 동시에 만족시킬 수 있다.
상기 iii)의 올레핀계 불포화 화합물은 메틸메타크릴레이트(methylmethacrylate), 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트(methyl acrylate), 이소프로필 아크릴레이트(isopropyl acrylate), 시클로헥실 메타크릴레이트(cyclohexyl methacrylate), 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트(1-adamantyl acrylate), 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트(dicyclopentanyl oxyethyl methacrylate), 이소보로닐메타크릴레이트(isoboronyl methacrylate), 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트(phenyl methacrylate), 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트(benzyl acrylate), 2-하이드록시에틸메타크릴레이트(2-hydroxy ethyl methacrylate), 스티렌(styrene), σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔(vinyl toluene), p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌(isoprene), 또는 2,3-디메틸 1,3-부타디엔(2,3-dimethyl-1,3-butadiene), 2-[메타아크릴로일옥시]에틸 6-하이드록시헥사네이트, 4-비닐페놀, 4-비닐시클로헥사놀, 4-하이드록시벤질메타아크릴레이트, [[4-하이드록시메틸]시클로헥실]메틸메타아크릴레이트, 3-하이드록시-1-메타아크릴로일옥시아다만탄, 2-옥소테트라하이드로퓨란-3-일 메타아크릴레이트(2-oxotetrahydrofuran-3-yl methacrylate), 4-하이드록시클로헥실 메타아크릴레이트 등을 사용할 수 있으며, 상기 화합물을 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 올레핀계 불포화 화합물은 전체 총 단량체에 대하여 10 내지 70 중량부, 바람직하게는 20 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 그 함량이 상기 범위 내인 경우 현상 후 팽윤(Swelling)이 생기지 않게 하며, 현상액인 알칼리 수용액의 용해성을 이상적으로 유지할 수 있다.
상기와 같은 단량체를 용액(Solution) 중합하기 위해 사용되는 용매는 메탄올, 테트라히드록시퓨란, 톨루엔, 다이옥산 등을 사용할 수 있다.
상기와 같은 단량체를 용액 중합하기 위해 사용되는 중합개시제는 라디칼 중합개시제를 사용할 수 있으며, 구체적으로 2,2-아조비스이소부티로니트릴(2,2-azobisisobutyronitrile), 2,2-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2-아조비스(4-메톡시 2,4-디메틸발레로니트릴), 1,1-아조비스(시클로헥산-1-카르보니트릴), 또는 디메틸 2,2'-아조비스이소부틸레이트(2,2'-azobisisobutylate) 등을 사용할 수 있다.
상기와 같은 단량체를 용매와 중합개시제 존재하에서 라디칼 반응시키고, 침전 및 여과, 진공 건조(Vacuum Drying)공정을 통하여 미반응 단량체를 제거하여 얻어진 아크릴계 공중합체는 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 3,000 내지 20,000 인 것이 바람직하다. 폴리스티렌 환산중량평균분자량이 3,000 미만인 층간 절연막(유기 절연막)의 경우 현상성, 잔막율 등이 저하되거나, 패턴 현상, 내열성 등이 뒤떨어진다는 문제점이 있으며, 20,000을 초과하는 층간절연막의 경우에는 패턴 현상이 뒤떨어진다는 문제점이 있다.
또한 본 발명에 사용되는 상기 c)의 실란커플링제는 하부 기판과의 접착력 향상을 위해서 사용하며, (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란((3-glycidoxypropyl)trimethoxysilane), (3-글리시드옥시프로필)트리에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리메톡시실레인(3,4-epoxy butyl trimethoxysilane), 3,4-에폭시부틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란(aminopropyltrimethoxysilane), 아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민(3-triethoxysilly-n-(1,3 dimethyl-butylidene)propylamine), N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실레인, (3-이소시아네이트프로필)트리에톡시실란((3-isocyanatepropyl)triethoxysilane), (3-이소시아네이트프로필)트리메톡시실란 등을 사용할 수 있으며, 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 실란 커플링제의 함량은 상기 a) 아크릴계 공중합체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함하는 것이 좋다. 그 함량이 0.1 중량부 미만일 경우에는 하부 기판과의 접착력이 저하되고, 30 중량부를 초과할 경우에는 저장안정성 및 현상성이 떨어지고, 해상도가 저하된다는 문제점이 있다.
또한 본 발명에 사용되는 상기 d)의 용매는 감광성 수지 조성물을 기판 등에 코팅하기 위해서 사용하며, 구체적인 예로는, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether), 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate), 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트(Propylene glycol methyl ether propionate), 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르(butylene glycol monomethyl ether), 부틸렌글리콜모노에틸에테르, 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜터셔리부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜메틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜부틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸헥실에테르 및 디프로필렌글리콜메틸헥실에테르 등을 사용할 수 있으며, 단독 또는 2 종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 d)의 용매는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 고형분 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함되는 것이 바람직하다. 고형분 함량이 10 중량% 미만일 경우에는 코팅두께가 얇게 되고, 코팅 균일성(Uniformity)이 저하된다는 문제점이 있으며, 50 중량%를 초과할 경우에는 코팅두께가 두꺼워지고, 코팅시 코팅장비에 무리를 줄 수 있다는 문제점이 있다. 상기 전체 조성물의 고형분 함량이 10 내지 25중량% 일 경우, 슬릿 코터(Slit Coater)에서 사용하는 것이 용이하며, 25내지 50중량%일 경우 스핀 코터(Spin Coater)나 슬릿앤스핀코터(Slit & Spin Coater)에서 사용하는 것이 용이하다.
상기와 같은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고형분 농도를 10 내지 50 중량%로 하여, 0.1 ~ 0.2 ㎛의 밀리포아필터(Millipore Filter) 등으로 여과한 뒤 사용하는 것이 좋다.
또한 본 발명의 디스플레이(Display) 공정에서 절연막을 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것을 특징으로 한다. 구체적으로 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 디스플레이 공정에서의 패턴을 형성하는 방법은 다음과 같다.
먼저 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 스핀코팅, 슬릿앤스핀코팅, 슬릿코팅, 롤코팅 등으로 기판표면에 도포하고, 프리베이크에 의해 용매를 제거하여 도포막을 형성한다. 이때, 상기 프리베이크는 100 ~ 120 의 온도에서 1 ~ 3 분간 실시하는 것이 바람직하다.
그 다음, 미리 준비된 패턴에 따라 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, 엑스선 등을 상기 형성된 도포막에 조사하고, 현상액으로 현상하여 불필요한 부분을 제거함으로써 소정의 패턴을 형성한다.
상기 현상액은 알칼리 수용액을 사용하는 것이 좋으며, 구체적으로 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨 등의 무기 알칼리류; 에틸아민, n-프로필아민 등의 1급 아민류; 디에틸아민, n-프로필아민 등의 2급 아민류; 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민, 트리에틸아민 등의 3급 아민류; 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알콜아민류; 또는 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 4급 암모늄염의 수용액 등을 사용할 수 있다. 이때, 상기 현상액은 알칼리성 화합물을 0.1내지 10 중량부의 농도로 용해시켜 사용되며, 메탄올, 에탄올 등과 같은 수용성 유기용매 및 계면활성제를 적정량 첨가할 수도 있다.
또한, 상기와 같은 현상액으로 현상한 후 초순수로 30 ~ 90 초간 세정하여 불필요한 부분을 제거하고 건조하여 패턴을 형성하고, 상기 형성된 패턴에 자외선 등의 빛을 조사한 후, 패턴을 오븐 등의 가열장치에 의해 150 ~ 400 의 온도에서 30 ~ 90 분간 가열처리하여 최종 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 평탄화도, 투과도, 아웃 가스(Outgas)가 우수하고, 특히 감도가 우수하며, 고온, 고습에서의 접착력, 명암비, 내화학성을 현저히 향상시켜 LCD 및 OLED 제조공정의 층간절연막 및 PDL, 컬럼 스페이서 등을 형성하기에 적합하다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[합성예 1] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(A) 제조
하기 화학식 4로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀(4,4’,4"-[cyclohexane-1,1,4-triyl]triphenol) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 4]
Figure pat00006
[합성예 2] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(B) 제조
하기 화학식 5로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트리스[2-메틸페놀](4,4',4''-(cyclohexane-1,1,4-triyl)tris(2-methylphenol)) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트리스[2-메틸페놀] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 5]
Figure pat00007
[합성예 3] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(C) 제조
하기 화학식 6으로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트리스[2,6-디메틸페놀](4,4',4''-(cyclohexane-1,1,4-triyl)tris(2,6-dimethylphenol)) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트리스[2,6-디메틸페놀] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 6]
Figure pat00008
[합성예 4] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(D) 제조
하기 화학식 7로 표시되는 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 7]
Figure pat00009
[합성예 5] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(E) 제조
하기 화학식 8로 표시되는 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시-5-메틸페닐]싸이클로헥실]-6-메틸벤젠-1,3-디올(4-(1-(3-cyclohexyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)cyclohexyl)-6-methylbenzene-1,3-diol) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시-5-메틸페닐]싸이클로헥실]-6-메틸벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 8]
Figure pat00010
[합성예 6] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(F) 제조
하기 화학식 9로 표시되는 4-[1-[4-하이드록시-3-메틸-5-[4-메틸싸이클로헥실]페닐]-4-메틸싸이클로헥실]-6-메틸벤젠-1,3-디올](4-(1-(4-hydroxy-3-methyl-5-(4-methylcyclohexyl)phenyl)-4-methylcyclohexyl)-6-methylbenzene-1,3-diol) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4-[1-[4-하이드록시-3-메틸-5-[4-메틸싸이클로헥실]페닐]-4-메틸싸이클로헥실]-6-메틸벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 9]
Figure pat00011
[합성예 7] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(A-1) 제조
합성예 1에서 화학식 4로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.0 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1 트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 8] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(A-2) 제조
합성예 1에서 화학식 4로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.2 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1 트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 9] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(A-3) 제조
합성예 1에서 화학식 4로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1 트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 10] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(A-4) 제조
합성예 1에서 화학식 4로 표시되는 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1 트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 11] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(D-1) 제조
합성예 3에서 화학식 7로 표시되는 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.0 몰을 축합반응시켜 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 12] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(D-2) 제조
합성예 3에서 화학식 7으로 표시되는 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 13] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(D-3) 제조
합성예 3에서 화학식 7으로 표시되는 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 4-[1-[3-싸이클로헥실-4-하이드록시페닐]싸이클로헥실]벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[합성예 14] 아크릴계 공중합체(A) 제조
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 400 중량부, 하이드록시 에틸 메타아크릴레이트 30 중량부, 메타크릴산 20 중량부, 스티렌 20 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 30 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2’-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 15 중량부를 첨가하였다. 상기 중합 혼합용액을 55 까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합 금지제로 하이드로 벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 25 중량%인 중합체 용액을 얻었다. 상기 아크릴계 공중합체의 중량평균 분자량은 6,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산 평균 분자량이다.
[합성예 15] 아크릴계 공중합체(B) 제조
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 10 중량부를 첨가하였다. 상기 중합혼합용액을 55 ℃까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합금지제로 하이드로벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체용액를 얻었다.
중합체용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산(n-Hexane) 1000 중량부에 대하여 상기 중합체용액 100중량부를 침전시킨다. 침전 후, 메쉬(Mesh)를 이용한 여과(Filtering)공정을 통하여 미반응물이 용해된 빈 용매(Poor solvent)를 제거한다. 그 후, 여과공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30도 이하에서 진공 건조를 통해 완전히 제거하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다.
상기 아크릴계 공중합체의 중량평균분자량은 10,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.
[합성예 16] 아크릴계 공중합체(C) 제조
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 5 중량부를 첨가하였다. 상기 중합혼합용액을 55 ℃까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합금지제로 하이드로벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체용액를 얻었다.
중합체용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산 1000 중량부에 대하여 상기 중합체용액 100 중량부를 침전시킨다. 침전 후, 메쉬를 이용한 여과공정을 통하여 미반응물이 용해된 빈 용매를 제거한다. 그 후, 여과공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30도 이하에서 진공건조를 통해 완전히 제거하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다.
상기 아크릴계 공중합체의 중량평균분자량은 16,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다
[합성예 17] 아크릴계 공중합체(D) 제조
반응시간을 조절하여, 아크릴계 공중합체의 중량평균 분자량이 4,000이 되도록 한 것을 제외하고는 합성예 14와 동일하게 아크릴계 공중합체를 제조하였다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.
[비교합성예 1] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(G) 제조
하기 화학식 10으로 표시되는 4,4’-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4,4’-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 10]
Figure pat00012
[비교합성예 2] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(H) 제조
하기 화학식 11로 표시되는 4,4’-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올](4,4'-(1,3-phenylenebis(propane-2,2-diyl))bis(benzene-1,3-diol)) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 11]
Figure pat00013
[비교합성예 3] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(I) 제조
하기 화학식 12로 표시되는 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올](4-(2-phenylpropan-2-yl)benzene-1,3-diol) 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 12]
Figure pat00014
[비교합성예 4] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(J) 제조
하기 화학식 13으로 표시되는 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올(4-(7-hydroxy-2,4,4-trimethylchroman-2-yl)benzene-1,3-diol) 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 13]
Figure pat00015
[비교합성예 5] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(K) 제조
하기 화학식 14로 표시되는 4,4’-[싸이클로헥산-1,1-다이일]다이페놀(4,4'-(cyclohexane-1,1-diyl)diphenol) 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.0 몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[화학식 14]
Figure pat00016
[비교합성예 6] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(G-1) 제조
상기 화학식 10으로 표시되는 4,4’-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 7] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(G-2) 제조
상기 화학식 10으로 표시되는 4,4’-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1-[4-[1-[4-히드록시페닐]-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 8] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(H-1) 제조
상기 화학식 11로 표시되는 4,4’-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올] 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 9] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(H-2) 제조
상기 화학식 11로 표시되는 4,4’-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올] 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 4,4'-[1,3-페닐렌비스[프로판-2,2-다이일]]비스[벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 10] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(I-1) 제조
상기 화학식 12로 표시되는 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올] 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 11] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(I-2) 제조
상기 화학식 12로 표시되는 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올] 1 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 [4-[2-페닐프로판-2-일]벤젠-1,3-디올] 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 12] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(J-1) 제조
상기 화학식 13으로 표시되는 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 13] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(J-2) 제조
상기 화학식 13으로 표시되는 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 14] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(K-1) 제조
상기 화학식 14로 표시되는 4,4’-[싸이클로헥산-1,1-다이일]다이페놀 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 1.5 몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 15] 1,2- 퀴논디아지드 화합물(K-2) 제조
상기 화학식 14로 표시되는 4,4’-[싸이클로헥산-1,1-다이일]다이페놀 1.0 몰과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산[클로라이드] 2.5 몰을 축합반응시켜 4-(7-하이드록시-2,4,4-트리메틸크로만-2-일)벤젠-1,3-디올 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르를 제조하였다.
[비교합성예 16] 아크릴계 공중합체 (E) 제조
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 18 중량부를 첨가하였다. 상기 중합혼합용액을 55 ℃까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합금지제로 하이드로벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체용액를 얻었다.
중합체용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산 1000 중량부에 대하여 상기 중합체용액 100중량부를 침전시킨다. 침전 후, 메쉬를 이용한 여과공정을 통하여 미반응물이 용해된 빈 용매를 제거한다. 그 후, 여과공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30℃ 이하에서 진공 건조를 통해 완전히 제거하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다.
상기 아크릴계 공중합체의 중량평균분자량은 2,500이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다.
[비교합성예 17] 아크릴계 공중합체 (F) 제조
냉각기와 교반기가 구비된 플라스크에 테트라하이드로퓨란 400 중량부, 메타크릴산 30 중량부와 스티렌 30 중량부, 및 글리시딜메타크릴레이트 40 중량부의 혼합 용액을 투입하였다. 상기 액상 조성물을 혼합 용기에서 600 rpm으로 충분히 혼합한 뒤, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 1.5 중량부를 첨가하였다. 상기 중합혼합용액을 55 ℃까지 천천히 상승시켜, 이 온도로 24시간 동안 유지 후 상온으로 냉각하고 중합금지제로 하이드로벤조페논을 500 ppm 첨가하여 고형분 농도가 30 중량%인 중합체용액를 얻었다.
중합체용액의 미반응 단량체를 제거하기 위하여 n-헥산 1000 중량부에 대하여 상기 중합체용액 100 중량부를 침전시킨다. 침전 후, 메쉬를 이용한 여과공정을 통하여 미반응물이 용해된 빈 용매를 제거한다. 그 후, 여과공정 이후에도 남아있는 미반응 단량체가 함유된 용매들을 제거하기 위하여 30℃ 이하에서 진공 건조를 통해 완전히 제거하여 아크릴계 공중합체를 제조하였다.
상기 아크릴계 공중합체의 중량평균분자량은 22,000이었다. 이때, 중량평균분자량은 GPC를 사용하여 측정한 폴리스티렌 환산평균분자량이다
[실시예 1] 감광성 수지 조성물 제조
합성예 14에서 제조한 아크릴계 공중합체(A) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 2] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 2의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(B)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 3] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 3의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(C)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 4] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 4의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(D)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 5] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 5의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(E)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 6] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 6의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(F)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 7] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 7의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 8] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 8의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 9] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 9의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A-3)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 10] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 10의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A-4)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 11] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 11의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(D-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 12] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 12의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(D-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 13] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 합성예 13의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(D-3)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 14] 감광성 수지 조성물 제조
합성예 17에서 제조한 아크릴계 공중합체(D) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 15] 감광성 수지 조성물 제조
합성예 15에서 제조한 아크릴계 공중합체(B) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[실시예 16] 감광성 수지 조성물 제조
합성예 16에서 제조한 아크릴계 공중합체(C) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 1] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(G)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 2] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 2의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(H)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 3] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 3의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(I)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 4] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 4의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(J)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 5] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 5의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(K)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 6] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 6의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(G-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 7] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 7의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(G-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 8] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 8의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(H-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 9] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 9의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(H-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 10] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 10의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(I-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 11] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 11의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(I-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 12] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 12의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(J-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 13] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 13의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(J-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 14] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 14의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(K-1)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 15] 감광성 수지 조성물 제조
실시예 1에서 합성예 1의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(A)를 대신하여 비교합성예 15의 1, 2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르 화합물(K-2)를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 16] 감광성 수지 조성물 제조
비교합성예 16에서 제조한 아크릴계 공중합체(E) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
[비교예 17] 감광성 수지 조성물 제조
비교합성예 17에서 제조한 아크릴계 공중합체(F) 100 중량부에 대하여, 합성예 1에서 제조한 4,4’,4"-[싸이클로헥산-1,1,4-트리일]트라이페놀 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산 에스테르 30 중량부 및 실란커플링제로 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란 3 중량부를 상기 혼합물의 고형분 함량이 20 중량%가 되도록 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 용해시킨 후, 0.1 ㎛의 밀리포아필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5에 대하여 감도, 해상도, 경화공정마진, 투과도, 내열변색성, 접착력, 내열성 등의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 글래스(glass) 기판 상에 스핀코터를 사용하여 실시예 1 내지 15 및 비교예 1내지 17에서 감광성 수지 조성물을 도포한 뒤, 100 로 2분간 핫 플레이트상에서 프리베이크하여 두께가 4.0 ㎛인 막을 형성하였다.
가) 감도 - 위와 같이 형성된 막에 소정 패턴 마스크(pattern mask)를 사용하여 Broadband에서의 강도가 20 ㎽/㎠인 자외선을 감도가 10 ㎛ Contact Hole CD기준 Dose량을 조사한 후, 테트라메틸 암모늄히드록시드 2.38 중량%의 수용액으로 23 에서 1분간 현상한 후, 초순수로 1분간 세정하였다.
그 다음, 상기에서 현상 된 패턴에 365 ㎚에서의 강도가 20 ㎽/㎠인 자외선을 400 mJ/㎠ 조사하고, 오븐 속에서 230 로 30분간 경화시켜 두께가 3.0 ㎛인 패턴 막을 얻었다.
나) 해상도 - 상기 가)의 감도 측정시 형성된 10 ㎛ Contact Hole 패턴(Pattern)의 최소 크기로 측정하였다.
다) 경화공정 마진 - 상기 가)의 감도 측정시와 동일한 방법으로 패턴(Pattern)막을 형성하되 10 ㎛ Contact Hole CD기준으로 경화 전, 후의 CD변화율을 측정하였다. 이때, 변화율이 0 ~ 10%인 경우를 ○, 10 ~ 20%인 경우를 △, 20%를 넘는 경우를 ×로 표시하였다.
라) 투과도 - 투과도 평가는 상기 가)의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 분광광도계를 이용하여 패턴 막의 400 ㎚의 투과율을 측정하였다. 이때의 투과율가 90% 이상인 경우를 ○, 85 ~ 90%인 경우를 △, 80% 미만은 경우를 ×로 표시하였다.
마) 내열변색성 - 상기 라)의 투명성 평가시의 측정 기판에 추가로 230℃의 오븐에서 30분씩 2회 경화하여 경화 전후에 있어서의 패턴(Pattern)막의 400 nm투과율변화에 의해 내열변색성을 평가하였다. 이때의 변화율이 3% 미만인 경우를 ○, 3 ~ 5%인 경우를 △, 5%를 넘는 경우를 ×로 표시하였다.
바) 접착력 - 상기 가)의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 Scope를 통하여 패턴 유실여부를 통해 접착력을 평가하였다.
프리베이크 온도가 95℃ 이상에서 접착력이 확보되는 경우를 ○, 100-105℃ 에서 접착력이 확보되는 경우를 △, 105℃를 초과하여 접착력이 확보되거나, 패턴이 유실되는 경우를 ×로 나타내었다.
사) 내열성 - 내열성은 TGA를 이용하여 측정하였다. 상기 가)의 감도 측정시 형성된 패턴(Pattern)막을 샘플링 한 후, TGA를 이용하여 상온에서 900℃까지 분당 10℃씩 승온하였다. 5 중량% Loss 온도가 300℃ 초과인 경우를 ○, 5 중량% Loss 온도가 280-300℃인 경우를 △, 5 중량% Loss 온도가 280℃ 미만인 경우를 ×로 나타내었다.
구분 PAC 치환
Mol 수		 Resin
분자량		 감도
(mJ/cm2)		 해상도
(um)		 경화공정
마진		 투과도 내열
변색성		 접착력 내열성
실시예 1 A 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 2 B 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 3 C 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 4 D 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 5 E 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 6 F 2.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 7 A-1 1.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 8 A-2 1.2 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 9 A-3 1.5 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 10 A-4 2.5 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 11 D-1 1.0 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 12 D-2 1.5 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 13 D-3 2.5 6,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 14 A 2.0 4,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 15 A 2.0 10,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
실시예 16 A 2.0 16,000 100 3 ○ ○ ○ ○ ○
비교예 1 G 2.0 6,000 150 3 ○ × × ○ ○
비교예 2 H 2.0 6,000 135 3 ○ × × ○ ○
비교예 3 I 2.0 6,000 135 3 ○ × × ○ ○
비교예 4 J 2.0 6,000 140 3 ○ × × ○ ○
비교예 5 K 2.0 6,000 140 3 ○ × × ○ ×
비교예 6 G-1 1.5 6,000 150 3 ○ × × ○ ○
비교예 7 G-2 2.5 6,000 150 3 ○ × × ○ ○
비교예 8 H-1 1.5 6,000 145 3 ○ × × ○ ○
비교예 9 H-2 2.5 6,000 145 3 ○ × × ○ ○
비교예 10 I-1 1.5 6,000 135 3 ○ × × ○ ○
비교예 11 I-2 2.5 6,000 135 3 ○ × × ○ ○
비교예 12 J-1 1.5 6,000 140 3 ○ × × ○ ○
비교예 13 J-2 2.5 6,000 140 3 ○ × × ○ ○
비교예 14 K-1 1.5 6,000 140 3 ○ × × ○ ×
비교예 15 K-2 2.5 6,000 140 3 ○ × × ○ ×
비교예 16 A 2.0 2,500 135 5 ○ ○ ○ × ×
비교예 17 A 2.0 22,000 170 3 ○ ○ ○ ○ ○
상기 표 1을 통하여, 본 발명에 따라 실시예 1 내지 16에서 제조한 포지티브형 감광성 절연막 조성물은 해상도, 경화공정마진, 투과도, 내열변색성, 내열성 등의 성능이 모두 우수하였다. 또한, 실시예 1 내지 16과 비교하였을 때, 비교예 1 내지 15는 투과도 및 내열 변색성이 떨어졌고, 비교예 5, 14, 15, 16에 비해 내열성이 우수하였으며, 특히 감도가 비교예 1 내지 17과 비교하여 우수함으로써, 공정 tact를 단축할 수 있으며, 뛰어난 투과도 및 내열변색성으로 우수한 Panel 광특성 및 신뢰성을 확보할 수 있으며, 비교예 16과 비교하여 해상도, 접착력, 내열성이 양호하여 우수한 Process 마진을 확보할 수 있었다. 이를 통해 다양한 Display 공정에서 감광성 수지조성물이 적용 가능함을 알 수 있었다.

Claims (13)

  1. a) 하기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물;
    b) 아크릴계 공중합체;
    c) 실란 커플링제; 및
    d) 용매;를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00017

    상기 화학식 1의 R1은 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고,
    R2는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내며,
    상기 R1 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이며,
    [화학식 2]
    Figure pat00018

    상기 화학식 2의 R3는 각각 독립적으로 수소원자 또는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이고,
    R4는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내며,
    상기 R3 중 적어도 하나는 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르이다.

  2. 제1항에 있어서,
    a) 상기 화학식 1 또는 2의 1,2-퀴논디아지드 화합물 5 내지 50 중량부;
    b) 아크릴계 공중합체 100 중량부;
    c) 실란 커플링제 0.1 내지 30 중량부; 및
    d) 용매;를 감광성 수지 조성물 내의 고형분의 함량이 10 내지 50 중량%가 되도록 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르는,
    1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르,
    및 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 1항에 있어서, 상기 1,2-퀴논디아지드계 술폰산 에스테르는 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 상기 아크릴계 공중합체는,
    i) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물, 또는 이들의 혼합물 5 내지 40 중량부,
    ii) 에폭시기 함유 불포화 화합물 10 내지 70 중량부, 및
    iii) 올레핀계 불포화 화합물 5 내지 70 중량부를 공중합 시켜 제조되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물
  6. 제5항에 있어서, 상기 ⅰ) 불포화 카르본산, 불포화 카르본산 무수물 또는 이들의 혼합물이 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메타콘산, 이타콘산, 및 이들의 불포화 디카르본산의 무수물로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 상기 ii)의 에폭시기 함유 불포화 화합물이 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-β-메틸글리시딜, 메타크릴산-β-메틸글리시딜, 아크릴산-β-에틸글리시딜, 메타크릴산-β-에틸글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, 및 p-비닐벤질글리시딜에테르, 메타크릴산 3,4-에폭시 사이클로헥실로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 상기 iii)의 올레핀계 불포화 화합물이 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-부틸 메타크릴레이트, sec-부틸 메타크릴레이트, tert-부틸 메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 시클로헥실 메타크릴레이트, 2-메틸시클로 헥실메타크릴레이트, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 디시클로펜타닐아크릴레이트, 디시클로펜테닐메타크릴레이트, 디시클로펜타닐메타크릴레이트, 1-아다만틸 아크릴레이트, 1-아다만틸 메타크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸메타크릴레이트, 이소보로닐메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 2-메틸시클로헥실아크릴레이트, 디시클로펜타닐옥시에틸아크릴레이트, 이소보로닐아크릴레이트, 페닐메타크릴레이트, 페닐아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 스티렌, σ-메틸 스티렌, m-메틸 스티렌, p-메틸 스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시 스티렌, 1,3-부타디엔, 이소프렌, 및 2,3-디메틸 1,3-부타디엔, 2-[메타아크릴로일옥시]에틸 6-하이드록시헥사네이트, 4-비닐페놀, 4-비닐시클로헥사놀, 4-하이드록시벤질메타아크릴레이트, [[4-하이드록시메틸]시클로헥실]메틸메타아크릴레이트, 3-하이드록시-1-메타아크릴로일옥시아다만탄, 2-옥소테트라하이드로퓨란-3-일 메타아크릴레이트, 4-하이드록시클로헥실 메타아크릴레이트으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 b)의 아크릴계 공중합체의 폴리스티렌 환산중량평균분자량(Mw)이 3,000 내지 20,000인 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 c)의 실란커플링제는 (3-글리시드옥시프로필)트리메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)트리에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디메톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)메틸디에톡시실란, (3-글리시드옥시프로필)디메틸에톡시실란, 3,4-에폭시부틸트리메톡시실레인, 3,4-에폭시부틸트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시크로헥실)에틸트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, 아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3 디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실레인, (3-이소시아네이트프로필)트리에톡시실란으로 이루어지는 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 포지티브형 감광성수지조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 d)의 용매가 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜메틸에테르, 프로필렌글리콜에틸에테르, 프로필렌글리콜프로필에테르, 프로필렌글리콜부틸에테르, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디포로필렌글리콜디에틸에테르, 부틸렌글리콜모노메틸에테르, 부틸렌글리콜모노에틸에테르, 디부틸렌글리콜디메틸에테르, 및 디부틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르, 트리에틸렌글리콜부틸메틸에테르, 디에틸렌글리콜터셔리부틸에테르, 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸헥실에테르, 디에틸렌글리콜메틸헥실에테르, 디프로필렌글리콜부틸메틸에테르, 디프로필렌글리콜에틸헥실에테르 및 디프로필렌글리콜메틸헥실에테르로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.

  12. 제1항의 포지티브형 감광성 수지 조성물의 경화체를 포함하는 것인 디스플레이 소자.
  13. 제1항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 코팅하여 제조된 층간 절연막을 패터닝하는 단계를 포함하는 것인 디스플레이 소자의 패턴형성방법.

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