KR20180103003A

KR20180103003A - 실리콘 블랭킷

Info

Publication number: KR20180103003A
Application number: KR1020180026406A
Authority: KR
Inventors: 나오코 곤도; 아키히로 무네타
Original assignee: 후지쿠라 고무 코교 가부시끼가이샤
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2018-03-06
Publication date: 2018-09-18
Also published as: JP2018144428A; CN108569061A; JP6928462B2; KR102274860B1

Abstract

실리콘 블랭킷(1)은, 전자선을 조사하는 처리가 실시된 실리콘 고무(3)를 표면층에 가진다. 전자선을 조사하는 처리에 의해, 실리콘 고무(3)에 흡수된 전자선의 선량인 흡수선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하이다. 또는, 전자선의 선량이, 30kGy 이상 1000kGy 이하이다.

Description

실리콘 블랭킷{SILICONE BLANKET}

본 발명은, 실리콘 블랭킷에 관한 것이다.

인쇄 기술의 하나로서, 오프셋 인쇄가 있다. 오프셋 인쇄는, 판에 부착된 잉크를 일단 블랭킷에 전사하고, 블랭킷에 전사한 잉크를 피인쇄물에 전사하는 인쇄 기술이다.

오프셋 인쇄는, 단시간에 대량의 인쇄가 가능한 것으로부터, 상업용의 종이 매체의 인쇄에 이용되고 있다.

또한, 오프셋 인쇄는, 고정밀의 인쇄를 가능하게 한다. 이 때문에, 오프셋 인쇄는, 프린티드 일렉트로닉스(printed electronics) 분야에 있어서, 전자 회로 등의 형성에 이용되고 있다.

이러한 오프셋 인쇄에 이용되는 블랭킷은, 잉크의 이형성(離型性)이 우수한 것이 바람직하다. 이 때문에, 블랭킷의 표면층에는, 잉크의 이형성이 우수한 실리콘 고무가 사용되는 경우가 있다. 이러한 블랭킷은, 실리콘 블랭킷으로 불린다.

그렇지만, 실리콘 고무는, 큰 점착성을 가진다. 이 때문에, 실리콘 고무는, 인쇄 공정에 있어서 피인쇄물을 감아올리는 문제를 일으키는 일이 있다. 이러한 피인쇄물의 감아올림을 방지하기 위해는, 실리콘 고무의 점착성을 저감할 필요가 있다.

여기서, 실리콘 고무의 점착성을 저감하는 기술로서 특허문헌 1에, 긁기 경도가 B 이상, 3H 이하인 실리콘 레진으로, 실리콘 고무를 피복하는 기술이 개시되어 있다.

한편, 극세선을 형성하는 잉크 등은, 실리콘 고무의 표면에서 건조되기 쉽다. 이 때문에, 실리콘 고무의 표면의 잉크를 피인쇄물에 전사했을 때에, 피인쇄물의 표면에, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선(細線)을 얻을 수 없는 경우가 있다. 이러한 건조를 막기 위해서는, 예를 들면, 잉크의 용제가 실리콘 고무에 흡수되는 것을 저감할 필요가 있다.

여기서, 피인쇄물의 표면에 잉크의 세선 패턴을 얻는 기술로서, 특허문헌 2에, 특정의 복수의 성분을 혼합하는 것으로써 조제된 잉크를 이용하는 기술이 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 2009-184268호 일본 공개특허공보 2010-264599호

특허문헌 1에 개시된 기술에서는, 실리콘 레진을 블랭킷의 표면층에 이용했을 경우, 오목판(凹版)을 사용한 인쇄 공정에서, 오목판의 홈에 주입된 잉크가, 실리콘 레진에 전사되기 어려워진다. 또한, 실리콘 레진이 피인쇄물을 감아올리는 경우가 있다.

또한, 소정의 긁기 경도를 가지는 실리콘 레진을 제작하고, 그 실리콘 레진으로 실리콘 고무를 피복하는 공정이 필요하고, 제조 공정의 간략화가 요구되고 있다.

또한, 특허문헌 2에 개시된 기술은, 무습수(waterless) 인쇄에 밖에 이용할 수 없다.

본 발명은, 상술한 사정에 비추어서 이루어진 것으로, 제조가 용이하고, 피인쇄물의 감아올림을 방지하는 것을 가능하게 하는 실리콘 블랭킷을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 피인쇄물의 표면에, 잉크의 세선을, 선 폭 및 막 두께가 균일하게 되도록 형성하는 것을 가능하게 하는 실리콘 블랭킷을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 제1의 관점에 관한 실리콘 블랭킷은,

전자선을 조사하는 처리가 실시된 실리콘 고무를 표면층에 가지고,

상기 전자선을 조사하는 처리에 의해, 상기 실리콘 고무에 흡수된 상기 전자선의 선량인 흡수선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하이다.

예를 들면, 상기 흡수선량이, 30kGy 이상 1000kGy 이하라도 좋다.

예를 들면, 상기 표면층의 영률은, 190N/㎟ 이상 260N/㎟ 이하라도 좋다.

예를 들면, 상기 전자선을 가속시키는 가속 전압이, 70kV 이상 150kV 이하라도 좋다.

본 발명의 제2의 관점에 관한 실리콘 블랭킷은,

실리콘 고무를 표면층에 가지고,

상기 표면층의 택(tack)값은, 152gf 이하이다.

예를 들면, 상기 표면층의 영률은, 190N/㎟ 이상 350N/㎟ 이하라도 좋다.

본 발명의 제3의 관점에 관한 실리콘 블랭킷의 제조 방법은,

기재의 표면에 실리콘 고무를 성막하는 공정과,

상기 실리콘 고무에, 전자선을 조사하는 공정을 구비하고,

상기 실리콘 고무가 흡수하는 상기 전자선의 선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하이다.

본 발명에 의하면, 종래보다 용이하게 피인쇄물의 감아올림을 방지하는 것이 가능하게 된다.

또한, 피인쇄물의 표면에, 잉크의 세선을, 선 폭 및 막 두께가 균일하게 되도록 형성하는 것이 가능하게 된다.

도 1a는 본 발명의 실시형태에 관한 실리콘 블랭킷의 측면도이다.
도 1b는 실시형태에 관한 실리콘 블랭킷을 블랭킷 동체에 감아붙인 상태를 나타내는 사시도이다.
도 2a는 오프셋 인쇄에 대해서 설명하는 도면이며, 판에 잉크를 부착시킨 상태를 나타내는 도면이다.
도 2b는 오프셋 인쇄에 대해서 설명하는 도면이며, 판으로부터 실리콘 블랭킷에 잉크를 전사하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 2c는 오프셋 인쇄에 대해서 설명하는 도면이며, 실리콘 블랭킷으로부터 피인쇄물에 잉크를 전사하는 상태를 나타내는 도면이다.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 관한 실리콘 블랭킷에 대해서 설명한다.

실리콘 블랭킷(1)은, 오프셋 인쇄에 있어서 중간 전사체로서 이용되는 것이며, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 기재(基材)(2)와, 전자선(電子線)을 조사하는 처리가 실시된 실리콘 고무(3)를 구비한다. 기재(2) 및 실리콘 고무(3)는, 적층체를 형성하고 있다.

기재(2)는, 실리콘 블랭킷(1)의 물리적 강도를 높이는 부재이다. 기재(2)는, 필름에 의해 형성되어 있다. 필름의 재료는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리페닐렌설파이드(PPS) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등이다.

실리콘 고무(3)는, 인쇄 공정에 있어서, 잉크의 수리(受理) 및 전사를 행한다.

실리콘 블랭킷(1)은, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 블랭킷 동체(4)의 표면에 감아붙여져서 장착된다. 구체적으로는, 기재(2) 및 실리콘 고무(3)가, 블랭킷 동체(4)측으로부터, 이 순서로 적층되도록 장착된다. 그리고, 실리콘 고무(3)는, 실리콘 블랭킷(1)의 외주 부분을 형성한다. 이하에서는, 이 외주 부분을 표면층이라고 부른다. 또한, 축(10)은 회전축이다.

여기서, 실리콘 블랭킷(1)을 이용한 오프셋 인쇄의 인쇄 공정에 대해서 설명한다.

우선, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 판(20)에 소정의 패턴으로 잉크(I)를 부착시킨다. 다음에, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 실리콘 블랭킷(1)이 장착된 블랭킷 동체(4)를, 회전 이동시키면서 판(20) 상에 압착시켜서, 판(20) 상의 잉크(I)를 실리콘 블랭킷(1)의 표면층에 전사시킨다. 계속하여, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 이 블랭킷 동체(4)를 회전 이동시키면서, 실리콘 블랭킷(1)을 피인쇄물(30)에 압착시킨다. 이것에 의해, 실리콘 블랭킷(1)의 표면층에 부착하고 있는 잉크(I)를 피인쇄물(30)에 전사시켜서, 피인쇄물(30)에 소망의 잉크(I)의 패턴을 형성한다. 이것에 의해, 오프셋 인쇄의 인쇄 공정이 완료된다. 그 외에, 실리콘 블랭킷(1)은, 종래 공지의 오프셋 인쇄에도 이용할 수 있다.

이러한 인쇄 공정에 있어서, 피인쇄물(30)의 감아올림의 방지나, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻기 위해서, 표면층인 실리콘 고무(3)의 표면은, 전자선이 조사된 것이다. 실리콘 고무(3)는, 전자선이 조사되는 것으로, 그 조사된 부분의 물성이 개질(改質)된다.

실리콘 고무(3)에 전자선을 조사하는 조건으로서, 실리콘 고무(3)에 흡수되는 전자선의 흡수선량과, 전자선을 가속시키는 가속 전압은, 다음과 같다.

우선, 피인쇄물(30)의 감아올림을 방지하기 위해서 필요한, 실리콘 고무(3)에 흡수되는 전자선의 흡수선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하이다.

이 범위의 전자선의 선량을 실리콘 고무(3)에 흡수시키면, 전자선을 흡수한 부분의 가교 밀도가 높아진다. 그리고, 전자선을 흡수한 부분의 영률이 높아진다. 그리고, 상기 부분의 점착성이 저감되고, 인쇄 공정에 있어서, 실리콘 고무(3)에 의한 피인쇄물(30)의 감아올림을 방지할 수 있다.

피인쇄물(30)의 감아올림을 방지하기 위해서, 실리콘 고무(3)의 택(tack)값(점착성)은 152gf 이하이다. 실리콘 고무(3)의 택(tack)값이 이 범위에 있으면, 인쇄 공정에 있어서, 실리콘 고무(3)는 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는다.

또한, 실리콘 고무(3)의 택(tack)값은, 예를 들면, 151gf 이하, 140gf 이하, 100gf 이하, 90gf 이하, 80gf 이하, 75gf 이하, 70gf 이하, 69gf 이하, 68gf 이하, 67gf 이하 또는 66.8gf 이하라도 좋다. 또한, 실리콘 고무(3)의 택(tack)값은, 0gf보다 크고, 1gf 이상, 3gf 이상, 5.0gf 이상 또는 5.3gf 이상이라도 좋다.

또한, 이들의 택(tack)값은, 주식회사 RHESCA사제의 TACKINESS TESTER에 의해, 후술하는 조건에서 측정되는 값이다.

다음으로, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻기 위해서, 실리콘 고무(3)에 흡수되는 전자선의 흡수선량은, 30kGy 이상 1000kGy 이하이다.

이 범위의 전자선의 선량을 실리콘 고무(3)에 흡수시키면, 전자선을 흡수한 부분의 가교 밀도가 높아진다. 그리고, 전자선을 흡수한 부분의 영률이 높아진다. 그리고, 상기 부분에 있어서 잉크 용제의 흡수성이 저감되고, 실리콘 고무(3)의 표면에 있어서의 잉크의 건조가 저감된다. 이것에 의해 실리콘 고무(3)의 표면의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사시켰을 때에, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것이 가능하게 된다.

가속 전압은, 임의로 조정되는데, 70kV 이상 150kV 이하이면, 전자선을 실리콘 고무(3)의 표면으로부터 소망의 심도에까지 침투시키는데 있어서 바람직하다. 여기서, 소망의 심도는, 피인쇄물(30)의 감아올림의 방지나, 잉크 용제의 흡수성을 저감하고, 실리콘 고무(3)의 표면 상에 있어서의 잉크의 건조를 저감시키기 위해서 바람직한 전자선의 조사 심도를 말한다. 또한, 가속 전압의 값은, 필요에 대응하여 변경되어도 좋고, 예를 들면 80kV 이상, 90kV 이상, 100kV 이상, 110kV 이상 또는 120kV 이상이라도 좋고, 140kV 이하, 130kV 이하 또는 125kV 이하라도 좋다. 또한, 가속 전압은, 125kV라도 좋다.

이러한 점착성이나 잉크 용제의 흡수성의 저감은, 실리콘 고무(3)가 흡수한 전자선의 선량, 및 전자선이 실리콘 고무(3)의 표면으로부터 침투한 심도에 의해 결정된다고 생각된다.

또한, 실리콘 고무(3)에 전자선을 조사하는 것으로, 실리콘 고무(3)에 있어서의 전자선을 흡수한 부분의 가교 밀도는 높아지고, 상기 부분의 경도는 높아진다. 이것에 의해, 인쇄 공정에 있어서, 실리콘 블랭킷(1)을 판(20)에 가압시켰을 때에, 실리콘 고무(3)가 판(20)에 의해서 과도한 변형을 일으키기 어려워진다. 그리고, 예를 들면, 판(20)이 오목판인 경우라도, 소위 바닥에 닿는 것을 방지하는 것이 가능하게 된다.

여기서, 전자선 조사 장치를 이용한 전자선의 조사 처리에 대해서 설명한다.

전자선 조사 장치는, 소정의 반송 속도 V로 반송되고 있는 실리콘 고무에, 전자선을 조사할 수 있다. 이 전자선은, 전자선 조사 장치 내에 있어서 전압(가속 전압)이 인가되는 것으로, 운동 에너지를 얻어서 가속된다. 그리고, 이 가속 전압이 높을수록, 전자선은 실리콘 고무의 심부에 도달하게 된다. 즉, 가속 전압의 값을 조정하는 것으로, 실리콘 고무의 처리 심도를 조정할 수 있다.

또한, 이 전자선의 흐름에 의한 전류(빔 전류) I가 클수록, 실리콘 고무에 흡수되는 전자선의 흡수선량 D는 많아진다. 이 흡수선량 D에 의해, 실리콘 고무의 물성이 결정된다. 즉, 가속 전압이 달라도, 흡수선량 D가 동일하면, 물성은 동등해진다고 생각된다.

또한, 상기와 같이 하여, 실리콘 고무에 일정한 선량의 전자선을 흡수시키는 처리를 여러 차례 행했을 경우에는, 실리콘 고무에 흡수된 흡수선량 D의 합계는, 1회의 처리에서 흡수된 선량에 처리 회수(패스 회수)를 곱한 값이 된다.

또한, 흡수선량 D는, D = KㆍI/V의 식에 의해 산출할 수 있다. 여기서, K는 전자선 조사 장치의 고유의 상수이다.

다음으로, 실리콘 고무(3)의 가공 방법에 대해서 설명한다.

(실리콘 고무의 가공)

실리콘 고무(3)는, 예를 들면, 실리콘 고무의 주제(主劑)와 경화제를 혼합하고, 그 혼합물의 표면에, 상기의 조건하에서 전자선을 조사하는 것으로써 얻어진다. 또한, 실리콘 고무(3)는, 시판의 실리콘 고무의 표면에, 상기의 조건하에서 전자선을 조사하는 것으로 얻어져도 좋다.

(실리콘 블랭킷의 제조 방법)

도 1a를 참조하여, 실리콘 블랭킷(1)의 제조 방법을 나타낸다.

실리콘 블랭킷(1)은, 기재(2)상에, 실리콘 고무(3)가 적층된 적층 구조를 가진다. 이러한 구조로 이루어지는 실리콘 블랭킷(1)은, 예를 들면, 이하와 같이 하여 제조할 수 있다.

우선, PET 필름, PPS 필름 및 PEN 필름 등으로부터 이루어지는 군으로부터 선택되는 수지 필름인 기재(2)의 표면에 실리콘 고무를 성막(成膜)한다. 그리고, 실리콘 고무에 상기로 나타낸 바와 같은 전자선의 조사 처리를 행하는 것으로써, 실리콘 블랭킷(1)이 얻어진다.

이상의 제조 방법에 따라서 얻어진 실리콘 블랭킷(1)은, 실리콘 고무에 전자선을 소정의 조건하에서 조사되는 것으로, 그 조사된 부분의 가교 밀도가 조제되어서 점착성이 저감되어 있고, 피인쇄물(30)의 감아올림을 방지하는 것을 가능하게 한다. 그리고, 특허문헌 1에 개시된 기술과 같이, 소정의 긁기 경도를 가지는 실리콘 레진을 제작하고, 실리콘 레진을 실리콘 고무에 피복시키는 공정은 필요없다.

또한, 실리콘 블랭킷(1)은, 실리콘 고무에 전자선이 조사되는 것으로, 그 조사된 부분의 가교 밀도가 조제되고, 잉크가 건조되기 어려워지고, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것을 가능하게 한다.

이하, 실시예에 의해서 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

[실시예]

(실시예 1)

우선, 양 말단이 디메틸비닐실록시기로 봉쇄된 직쇄 형상의 비닐기 함유 디메틸폴리실록산(신에츠카가쿠고교가부시키가이샤(信越化學工業株式會社)제, 상품명: KE-1935-A)로 이루어지는 주제와, 분지 구조를 가지는 메틸하이드로겐폴리실록산(신에츠카가쿠고교가부시키가이샤제, 상품명: KE-1934-B)으로 이루어지는 경화제를 준비했다. 계속하여, 이러한 주제 및 경화제를, 상기 주제 중의 비닐기의 몰수와 상기 경화제 중의 SiH기의 몰수가 동일해지는 비율로 혼합했다.

계속하여, 얻어진 혼합액에 백금족 금속계 촉매를 첨가하고, 톨루엔에 용해하여 부가 가교형의 실리콘 고무 조성물을 조제했다.

계속하여, 얻어진 실리콘 고무 조성물을, 두께가 125㎛, 표면 거칠기(Ra)가 0.5㎛의 PET 필름의 표면에 성막했다.

계속하여, 실리콘 고무 조성물을, 140℃에서 3분간 가열하여 부가 가교시켰다. 이것에 의해, 상기 PET로 이루어지는 수지 필름(기재(2))상에, 부가 가교된 실리콘 고무 조성물(두께 350㎛의 표면층)이 형성된 실리콘 블랭킷이 얻어졌다.

다음에, 전자선 조사 장치(이와사키덴키가부시키가이샤(岩崎電機株式會社)제, 제품 번호: CB250/30/180L)를 이용하여 부가 가교된 실리콘 고무 조성물의 표면에 전자선을 조사시켰다.

여기서의 전자선의 조사 처리의 조건은, 가속 전압 125kV 및 빔 전류 10.6mA로 발생한 전자선을, 반송 속도 5m/min로 반송되는 실리콘 고무 조성물의 표면 부분에 조사하는 것이다. 이 처리에 있어서의 패스 회수는 1회이며, 실리콘 고무 조성물이 흡수한 흡수선량은 200kGy였다. 이 처리에 의해, 실시예 1의 실리콘 블랭킷을 얻었다.

(실시예 2)

전자선의 조사 처리의 조건을, 패스 회수를 3회로 하고, 실리콘 고무 조성물이 흡수한 흡수선량을 600kGy로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 3)

전자선의 조사 처리의 조건을, 패스 회수를 5회로 하고, 실리콘 고무 조성물이 흡수한 흡수선량을 1000kGy로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 4)

전자선의 조사 처리의 조건을, 패스 회수를 10회로 하고, 실리콘 고무 조성물이 흡수한 흡수선량을 2000kGy로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 4의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 5)

전자선의 조사 처리의 조건을, 가속 전압을 80kV로 하고, 빔 전류를 13.3mA로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 5의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 6)

전자선의 조사 처리의 조건을, 가속 전압을 100kV로 하고, 빔 전류를 7.4mA로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 6의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 7)

전자선의 조사 처리의 조건을, 가속 전압을 80kV, 빔 전류를 6.7mA로 하고, 실리콘 고무가 흡수한 흡수선량을 100kGy로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 7의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(실시예 8)

전자선의 조사 처리의 조건을, 가속 전압을 100kV, 빔 전류를 3.7mA로 하고, 실리콘 고무가 흡수한 흡수선량을 100kGy로 한 것 외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 8의 실리콘 블랭킷을 제작했다.

(비교예 1, 2)

실시예 1에서 기재의 표면에 제막(製膜)된 부가 가교된 실리콘 고무 조성물에 대해서, 전자선 조사 처리를 행하지 않은 것을 비교예 1의 실리콘 블랭킷으로 했다.

또한, 실시예 1에서 기재의 표면에 제막된 부가 가교된 실리콘 고무 조성물에 대해서, 가속 전압 80kV 및 빔 전류 1.6mA로 발생시킨 전자선을, 반송 속도 5m/min로 반송되는 실리콘 고무 조성물의 표면 부분에 조사했다. 이 처리에 있어서의 패스 회수는 1회이며, 실리콘 고무 조성물이 흡수한 흡수선량은 20kGy였다. 이 처리에 의해 얻은 실리콘 블랭킷을, 비교예 2의 실리콘 블랭킷으로 했다.

그리고, 실시예 1 ~ 8, 비교예 1, 2로 제작된 실리콘 블랭킷의 실리콘 고무 조성물(시험편)에 대해서, 이하의 방법으로, 그 표면 부분의 탁치(점착성), 표면 영률, 잉크 용제의 흡수 적정(適正) 및 인쇄성에 관한 시험을 행했다. 여기서, 인쇄성은, 인쇄 공정을 거쳐서, 피인쇄물의 표면 상에서, 선 폭 및 막 두께(잉크 두께)가 균일한 잉크의 세선이 얻어졌는지 아닌지를 말한다.

[택(tack)값(점착성)]

택(tack)값은, 주식회사 RHESCA제의 TACKINESS TESTER를 사용하여 측정했다. 시험 조건은, 시험편의 표면 부분에, 프로브를 100gf의 초기 하중을 걸어서 접촉시킨 후, 프로브를 시험편으로부터 당겨서 박리하기 위해서 필요로 하는 힘을 구하고, 탁치로 했다.

[표면 영률]

영률은, 가부시키가이샤에리오닉스(ELIONIX INC.)제의 ENT-1100b를 사용하여 측정했다. 시험 조건은, 시험편의 표면 부분에 100μN의 가압(하중)을 걸었을 때의 영률을 측정했다.

[잉크 용제의 흡수 적정(용제 흡수 적정)]

잉크 용제의 흡수 적정은, 직경 40㎜의 시험편에 있어서의 3.14㎠의 영역(표면 부분)에, 잉크 용제로서 사용되는 부틸카비톨아세테이트(BCA)를 2분간 접촉시키고, 접액(接液) 전후의 중량을 전자 저울로 측정했다. 그리고, 시험편에 의한 잉크 용제의 흡수량이 소망한 바이며 사용에 적절한 것을 양호(○)로 하고, 잉크 용제의 흡수량이 부족하고 사용에 적합하지 않는 것을 약간 불량(△)으로 하고, 잉크 용제를 너무 많이 흡수해서 사용에 적합하지 않는 것을 불량(ㅧ)으로 했다. 여기서, 잉크 용제의 흡수량이 소망한 바라고 하는 것은, 인쇄 공정에 있어서, 시험편의 표면 상의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사시켰을 때에, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것이 가능해지도록, 시험편에 잉크 용제가 흡수되는 것을 말한다. 또한, 잉크 용제의 흡수량이 부족하다는 것 및 잉크 용제를 너무 많이 흡수한다는 것은, 인쇄 공정에 있어서, 시험편의 표면 상의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사했을 때에, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것이 가능해지도록, 시험편에 잉크 용제가 흡수되지 않는 것을 말한다.

[인쇄성(미세 인쇄성)]

가부시키가이샤코요우샤세이사쿠쇼(株式會社紅羊社製作所)제의 인쇄기인 VECTORHD-50을 사용하고, 잉크 재료로서 후지쿠라카세이가부시키가이샤(藤倉化成株式會社)제의 은페이스트인 XA-3609를 사용하고, 판은 가부시키가이샤싱크래보러토리(Think Laboratory)제의 판(선 폭 10㎛, 피치 300㎛, 심도 5㎛)을 사용하고, 블랭킷에 시험편을 사용하여 오프셋 인쇄를 행하고, 인쇄성을 측정했다. 그리고, 피인쇄물에 소망의 잉크의 패턴이 전사된 것을 양호(○)로 하고, 피인쇄물에 소망의 잉크의 패턴이 전사되지 않았던 것을 불량(ㅧ)으로 했다. 여기서, 소망의 잉크 패턴은, 광학 현미경으로 잉크가 전사된 피인쇄물을 보아 관찰했을 때에, 잉크의 선 폭이나 막 두께(잉크 두께)가 균일하고, 또한, 잉크의 세선(극세선을 포함한다)이 결핍하고 있지 않는 상태를 말한다.

얻어진 결과를 표 1 및 표 2에 정리하여 나타낸다.

실시예 1 ~ 8, 비교예 1, 2에서 제작된 실리콘 블랭킷의 실리콘 고무 조성물(시험편)에 대해서, 택(tack)값은 표 1, 2와 같았다.

그리고, 실시예 1 ~ 8의 실리콘 블랭킷을 인쇄 공정에 이용했을 경우, 실리콘 고무 조성물이 피인쇄물(30)을 감아올리는 일은 없었다. 한편, 비교예 1 및 비교예 2의 실리콘 블랭킷을 인쇄 공정에 이용했을 경우, 실리콘 고무 조성물이 피인쇄물(30)을 감아올렸다.

이 결과로부터, 실리콘 고무 조성물에 조사하는 전자선의 조사 조건에 대해서, 가속 전압이 70kV 이상 150kV 이하로서, 흡수선량이 100kGy 이상 2000kGy 이하일 때, 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는 실리콘 블랭킷을 제공할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 또한, 가속 전압이 70kV 이상 150kV 이하로서, 흡수선량이 100kGy 이상 1000kGy 이하일 때도, 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는 실리콘 블랭킷을 제공할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 또한, 이번 실험 결과로부터 판단하여, 흡수선량이 30kGy 이상 100kGy 미만의 범위에 있어서도, 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는 실리콘 블랭킷을 제공할 수 있다고 생각된다.

또한, 실리콘 고무 조성물의 택(tack)값은 152gf 이하이면, 실리콘 고무 조성물이 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는다. 따라서, 전자선 조사의 조건을 변경하는 것으로 흡수선량을 조정하여, 실리콘 고무 조성물의 택(tack)값이 152gf 이하가 되도록 하면, 실리콘 고무 조성물이 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는다.

실시예 1 ~ 8, 비교예 1, 2에서 제작된 실리콘 블랭킷의 실리콘 고무 조성물(시험편)에 대해서, 용제 흡수 적정 및 인쇄성은 표 1, 2와 같았다.

구체적으로는, 실시예 1 ~ 3, 5 ~ 8에서 제작된 실리콘 블랭킷을 인쇄 공정에 이용했을 경우, 실리콘 고무 조성물이 소망한 바의 양의 잉크 용제를 흡수하고, 잉크가 실리콘 고무 조성물의 표면상에서 건조되지 않았다. 이 때문에, 실리콘 고무 조성물의 표면상의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사시켰을 때에, 피인쇄물(30)의 표면상에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻을 수 있었다.

또한, 비교예 1, 2에서 제작된 실리콘 블랭킷을 인쇄 공정에 이용했을 경우, 실리콘 고무 조성물에 의한 잉크 용제의 흡수량이 너무 많아서, 잉크가 실리콘 고무 조성물의 표면상에서 건조되었다. 이 때문에, 실리콘 고무 조성물의 표면상의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사시켰을 때에, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻을 수 없었다. 이와 같이, 실리콘 고무 조성물에 의한 잉크 용제의 흡수량이 너무 많으면, 실리콘 고무 조성물의 표면 상의 잉크가 건조되기 쉬워지므로, 인쇄성이 저하된다.

또한, 실시예 4에서 제작된 실리콘 블랭킷을 인쇄 공정에 이용했을 경우, 실리콘 고무 조성물에 의한 잉크 용제의 흡수량이 부족했다. 그리고, 실리콘 고무 조성물의 표면상의 잉크를 피인쇄물(30)에 전사시켰을 때에, 잉크가 분단되고, 잉크가 피인쇄물(30)과 실리콘 블랭킷에 부착되었다. 그리고, 피인쇄물(30)의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻을 수 없었다.

이 결과로부터, 실리콘 고무 조성물에 조사하는 전자선의 조사 조건에 대해서, 가속 전압이 70kV 이상 150kV 이하로서, 흡수선량이 100kGy 이상 1000kGy 이하일 때, 실리콘 고무 조성물의 용제 흡수성이 양호하고, 나아가서는 인쇄성이 양호한 실리콘 블랭킷을 제공할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 즉, 이 조사 조건에 의한 전자선 조사에 의해, 실리콘 고무 조성물에 의한 잉크 용제의 흡수성이 저감되고, 나아가서는 실리콘 고무 조성물의 표면에 있어서의 잉크의 건조를 저감한다. 그리고, 피인쇄물의 표면에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것이 가능하게 된다. 또한, 이번 실험으로부터, 흡수선량이 30kGy 이상 100kGy 미만의 범위에 있으면, 피인쇄물의 표면 상에서, 선 폭 및 막 두께가 균일한 잉크의 세선을 얻는 것이 가능하다고 생각된다.

실시예 1 ~ 4, 비교예 1, 2에서 제막된 실리콘 고무 조성물(시험편)에 대해서, 표면 영률은, 표 1, 2와 같았다. 이 결과에서는, 흡수선량이 많아질수록, 영률의 값이 커지는 경향을 볼 수 있었다.

그리고, 실험 결과에 의해 피인쇄물(30)을 감아올리지 않는다고 판단된 실시예 1 ~ 4의 실리콘 고무 조성물의 표면 영률은, 표 1에 나타내는 바와 같이, 190N/㎟ 이상 350N/㎟ 이하였다.

또한, 실험 결과에 의해 용제 흡수성 및 인쇄성이 양호하다고 판단된 실시예 1 ~ 3의 실리콘 고무 조성물의 표면 영률은, 표 1에 나타내는 바와 같이, 190N/㎟ 이상 260N/㎟ 이하였다.

또한, 본 발명이 상기의 실시형태로 한정되지 않는 것은 물론이다.

1: 실리콘 블랭킷
2: 기재
3: 실리콘 고무
4: 블랭킷 동체
10: 축
20: 판
30: 피인쇄물
i: 잉크

Claims

전자선을 조사하는 처리가 실시된 실리콘 고무를 표면층에 가지고,
상기 전자선을 조사하는 처리에 의해, 상기 실리콘 고무에 흡수된 상기 전자선의 선량인 흡수선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
제 1 항에 있어서,
상기 흡수선량이, 30kGy 이상 1000kGy 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
제 2 항에 있어서,
상기 표면층의 영률은, 190N/㎟ 이상 260N/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자선을 가속시키는 가속 전압이, 70kV 이상 150kV 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
실리콘 고무를 표면층에 가지고,
상기 표면층의 택(tack)값은, 152gf 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
제 5 항에 있어서,
상기 표면층의 영률은, 190N/㎟ 이상 350N/㎟ 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷.
기재의 표면에 실리콘 고무를 성막하는 공정과,
상기 실리콘 고무에, 전자선을 조사하는 공정을 구비하고,
상기 실리콘 고무가 흡수하는 상기 전자선의 선량은, 30kGy 이상 2000kGy 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 블랭킷의 제조 방법.