KR20180101819A - 인조 대리석용 조성물 및 인조 대리석 제조 방법 - Google Patents

인조 대리석용 조성물 및 인조 대리석 제조 방법 Download PDF

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Abstract

제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 포함하고, 상기 제1 수지 조성물은 제1 수지 및 제1 희석 모노머를 포함하고, 상기 제2 수지 조성물은 제2 수지 및 제2 희석 모노머를 포함하고, 상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 서로 상이한 인조 대리석용 조성물이 제공된다.

Description

인조 대리석용 조성물 및 인조 대리석 제조 방법{ARTIFICIAL MARBLE COMPOSITION FOR ARTIFICIAL MARBLE AND METHOD OF MANUFACTURING ARTIFICIAL MARBLE}
인조 대리석용 조성물 및 인조 대리석 제조 방법에 관한 것이다.
인조 대리석 제조 기술은 천연석에 가까운 무늬를 구현하는 방향으로 개발되고 있다. 천연석의 무늬는 무정형에 가까우며 선명성을 가지고 있다.
한편, 기존에 칩의 형태를 다양화하거나, 서로 다른 색의 수지 혼합물을 미리 혼합 또는 적층한 뒤, 교반기를 젓는 방법이 이용되고 있다. 또한, 수지 투입시 사용되는 노즐의 움직임을 통하여 서로 다른 색의 혼합물을 주입하여 무늬를 형성할 수도 있다.
그러나, 칩의 형태를 다양화할 경우, 천연석이 갖는 연결성이 있는 무늬를 갖지 못하며, 이색 수지 혼합물을 사용하는 경우, 동일 수지의 사용에 따른 번짐성 때문에 천연석이 가지고 있는 무늬 선명성이 없다. 또한, 무정형의 무늬를 갖기 위해서는 휘젓는 정도가 심화될 수 있으며, 이에 따라 무늬가 사라질 수 있는 단점이 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 2종의 수지를 혼합하여 무늬를 형성시 무늬가 천연 대리석에서 구현하는 선명성을 갖는 인조 대리석용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예에서, 2종의 수지를 혼합하여 무늬를 형성시 무늬가 천연 대리석에서 구현하는 선명성을 갖는 인조 대리석을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 구현예에서,
제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 포함하고,
상기 제1 수지 조성물은 제1 수지 및 제1 희석 모노머를 포함하고,
상기 제2 수지 조성물은 제2 수지 및 제2 희석 모노머를 포함하고,
상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 서로 상이한
인조 대리석용 조성물을 제공한다.
본 발명의 다른 구현예에서,
상기 인조 대리석용 조성물에서 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물을 혼합한 뒤 교반하는 단계;
상기 인조 대리석용 조성물을 주형하는 단계; 및
상기 인조 대리석용 조성물을 열경화하여 인조대리석을 형성하는 단계;
를 포함하는 인조 대리석 제조 방법을 제공한다.
상기 인조 대리석용 조성물로부터 천연 대리석에서 구현하는 선명성을 갖는 무늬가 구현된 인조 대리석을 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 일 구현예에서, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 포함하고, 상기 제1 수지 조성물은 제1 수지 및 제1 희석 모노머를 포함하고, 상기 제2 수지 조성물은 제2 수지 및 제2 희석 모노머를 포함하고, 상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 서로 상이한 인조 대리석용 조성물을 제공한다.
상기 인조 대리석용 조성물로부터 인조 대리석을 제조할 수 있다.
상기 인조 대리석용 조성물은 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 별도로 준비한 다음 이들을 혼합하여 제조한다.
상기 인조 대리석용 조성물 중 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 서로 완전히 혼합되어 전체적으로 균질해지지 않는다. 즉, 상기 인조 대리석용 조성물 중 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 서로 무정형의 무늬를 형성하도록 불완전하게 혼합되어서 미시적으로는 서로 존재 영역을 달리하여 섞여 있거나, 또는 혼합되더라도 불균일하게 혼합될 수 있다.
상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 각각 무기충전물을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물은, 각각의 조성 내의 무기충전물을 제외한 나머지와 무기충전물과 굴절율 차이에 의한 투과도가 서로 달라진다. 상기 인조 대리석용 조성물로부터 구현된 인조 대리석은 상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물의 투과도 차이로 인해 선명한 무늬가 구현된다. 그에 따라, 상기 인조 대리석용 조성물로부터 구현된 인조 대리석은 천연 대리석의 무늬 또는 이에 유사한 무늬를 구현할 수 있다.
상기 인조 대리석은 무기충전물을 더 포함하여 시각적으로 다양한 천연 대리석의 질감이 느껴지도록 구현될 수 있다.
무기충전물을 포함하는 경우, 상기 제2 수지 조성물의 굴절율은 상기 제1 수지 조성물과는 차이가 나지만, 무기충전물의 굴절율과의 차이를 작아지도록 설계된다. 상기 제2 수지 조성물이 상기 무기충전물과의 굴절율 차이가 낮을수록 빛 반사율이 낮아지게 된다. 빛 반사율이 낮아질수록 투과도가 높아져서 더욱 명확하게 상기 제 1 수지 조성물과 시각적으로 구분될 수 있다.
상기 무기충전물은 인조 대리석에 사용되는 재질이 제한없이 사용될 수 있다.
구체적으로, 무기충전물을 제외한 상기 제1 수지 조성물의 굴절율은 1.40 내지 1.50 일 수 있다.
구체적으로, 무기충전물을 제외한 상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 1.50 내지 1.65일 수 있다.
구체적으로, 무기충전물의 굴절율은 1.56 내지 1.90일 수 있다.
상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은, 예를 들어, 액상의 조성물 상태로 형성될 수 있고, 구체적으로, 시럽으로 표현되는 양태로 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 수지 조성물 액상인 제1 희석 모노머에 고상이 제1 수지가 용해된 상태로 시럽을 형성할 수 있다.
구체적으로, 상기 제2 수지 조성물 액상인 제2 희석 모노머에 고상이 제2 수지가 용해된 상태로 시럽을 형성할 수 있다.
상기 제1 희석 모노머 및 상기 제2 희석 모노머는, 각각, 상기 제1 수지 및 상기 제2 수지와 중합가능한 단량체이다.
상기 제1 수지 및 상기 제2 수지는, 각각, 고분자 수지, 올리고머 수지 또는 이들 모두를 포함하는 개념이다.
상기 제1 수지 및 상기 제2 수지 수지는, 각각, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 스타이렌계 수지, 불포화 에스테르계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지는 제2 희석 모노머에 용해되었을 때, 전술한 굴절율을 만족하는 수지를 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로, 수지의 굴절율을 높이기 위한 예시적인 하나의 방법은 아릴 고리, 할로겐 치환기 등을 도입하는 것이다.
예를 들어, 상기 제2 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 스타이렌계 수지, 불포화 에스테르계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 수지에 아릴 고리 함유 모노머, 할로겐 치환기 함유 모노머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나에 기인한 구조 단위가 도입된 것일 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제1 희석 모노머 및 상기 제2 희석 모노머는, 각각, 상기 제1 수지 및 상기 제2 수지와 중합가능한 단량체로서 선택될 수 있다.
예를 들머, 폴리 아크릴계 수지의 중합 가능한 단량체로는 아크릴계 단량체, 에스테르계 단량체, 스타이렌계 단량체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 아크릴계 단량체를 사용할 수 있다. 구체적으로, 아크릴계 단량체로는 메틸메타크릴레이트(MMA), 에틸메타크릴레이트(EMA), 부틸메타크릴레이트(BMA), 2-에틸헥실메타크릴레이트(EHMA), 벤질메타크릴레이트 등의 아크릴레이트계의 단량체가 이용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다관능성 단량체로는 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트(EGDMA), 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(HDDA), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(PETIA) 및 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(TMPTMA) 중 선택된 1종 이상이 이용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 예를 들어, 상기 제2 희석 모노머는 굴절율 향상에 유리한 단량체로서, 예를 들어, 아릴 고리 함유 모노머 및/또는 할로겐 치환기를 갖는 모노머를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 수지 조성물은 상기 제1 수지 100 중량부 대비 상기 제1 희석 모노머 20 내지 90 중량부를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지 조성물은 상기 제2 수지 100 중량부 대비 상기 제2 희석 모노머 20 내지 90 중량부를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지 또는 제2 수지와 상기 제1 희석 모노머 또는 상기 제2 희석 모노머의 함량비를 적절히 조절하여 각 조성물의 점도를 적절하게 구현할 수 있다.
상기 무기충전물은 전술한 바와 같이 인조 대리석에 사용되는 재질이 제한없이 사용될 수 있고, 예를 들어, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 실리카, 알루미나 등일 수 있으며, 이들의 조합을 사용할 수도 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 상기 무기충전물의 굴절율과, 무기충전물을 제외한 상기 제2 수지 조성물의 굴절율을 유사하게 매칭시킴에 따라 빛 반사율을 낮추고, 투과도를 높일 수 있기 때문에, 상대적으로 높은 굴절율을 갖는 무기충전물의 재료 중에서 상대적으로 굴절율이 낮은 재료를 선택한다면, 무기충전물을 제외한 상기 제2 수지 조성물과의 굴절율 차이를 좁힐 수 있다. 무기충전물을 제외한 상기 제2 수지 조성물은 굴절율이 높아지도록 설계되기는 하지만, 여전히 통상적으로 무기충전물의 굴절율보다는 낮기 때문이다.
이러한 측면에서, 즉, 상기 무기충전물은, 무기충전물을 제외한 상기 제2 수지 조성물과의 굴절율 차이를 줄이기 위해서 다른 재료에 비해 상대적으로 낮은 굴절율을 가지는 수산화 알루미늄을 사용할 수 있다.
상기 인조 대리석용 조성물로부터 얻어진 인조 대리석의 빛 반사율을 줄이는 다른 방법은 무기충전물의 입경을 크게 하는 방법이다.
예를 들어, 상기 무기충전물의 평균 입경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛ 일 수 있고, 구체적으로, 50 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있다.
상기 제2 수지 조성물에 사용되는 무기충전물의 평균 입경은 상기 제1 수지 조성물에 사용되는 무기충전물의 평균 입경보다 큰 것이 바람직하다. 상기 범위의 크기를 가지는 무기충전물을 사용하여 보다 효과적으로 빛 반사율을 낮추고, 상기 제2 수지 조성물은 상기 제1 수지 조성물과 시각적으로 구분되는 선명한 무늬를 구현할 수 있다.
일 구현예에서, 상기 제1 수지 조성물에 첨가되는 무기충전물의 평균입경은 1 ㎛ 내지 200 ㎛이고, 상기 제2 수지 조성물에 첨가되는 무기충전물의 평균입경은 10 ㎛ 내지 200 ㎛일 수 있고, 상기 제2 수지 조성물에 첨가되는 무기충전물의 평균입경이 상기 제1 수지 조성물에 첨가되는 무기충전물의 평균입경은 보다 크다.
일 구현예에서, 상기 제1 수지 조성물 중 무기충전물의 함량이 상기 제1 수지 조성물 중 무기충전물을 제외한 나머지 100 중량부 대비 무기충전물 50 내지 200 중량부일 수 있다.
다른 구현예에서, 상기 제2 수지 조성물 중 무기충전물의 함량이 상기 제2 수지 조성물 중 무기충전물을 제외한 나머지 100 중량부 대비 50 내지 200 중량부일 수 있다.
상기 인조 대리석용 조성물은 상기 범위의 함량으로 무기충전물을 포함하여, 천연 대리석과 유사한 무늬를 구현할 수 있다. 상기 함량 범위로 무기충전물을 포함하여 공정에 적합한 점도를 발현하여 성형성 및 열가공성이 우수하면서도 천연 대리석의 효과를 잘 구현할 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물의 중량비가 1:9 내지 9:1일 수 있다. 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물는 구현하고자 하는 시각적 효과에 따라 적절한 함량비로 배합할 수 있다.
상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 각각 경화제, 안료, 촉매 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 수지 조성물 또는 제2 수지 조성물은 안료를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 상기 제1 수지 조성물 또는 제2 수지 조성물은 각각 서로 다른 안료를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 수지 조성물 또는 제2 수지 조성물은 각각 제1 수지 및 제1 희석 모노머의 합 100 중량부 또는 제2 수지 및 제2 희석 모노머의 합 100 중량부에 대하여, 첨가제 5 내지 20 중량부를 포함할 수 있다.
상기 경화제는 수지의 중합시 사용되는 것이라면 제한되지 않고 사용할 수 있고, 예를 들어, 퍼옥사이드계 개시제를 사용할 수 있다. 구체적으로, 개시제로는 터셔리부칠싸이크로헥실 퍼옥시디카보네이트, 벤조일 퍼옥사이드, 디쿠밀 퍼옥사이드, 부틸하이드로 퍼옥사이드, 쿠밀하이드로 퍼옥사이드, t-부틸퍼옥시 말레인산, t-부틸하이드로 퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우로일 퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴 및 아조비스디메틸발레로니트릴을 포함하는 퍼옥사이드계 개시제 중 1종 이상을 이용할 수 있다.
이러한 개시제는 상기 제1 수지 조성물 또는 제2 수지 조성물 중 각각 제1 수지 및 제1 희석 모노머의 합 100 중량부 또는 제2 수지 및 제2 희석 모노머의 합 100 중량부에 대하여, 0.1 내지 1 중량부의 함량으로 첨가될 수 있다.
촉매는 중합 속도를 빠르게 하기 위한 목적으로 첨가된다. 이러한 촉매로는 유기 아민 또는 유기 금속염이 이용될 수 있다.
이러한 촉매는 상기 제1 수지 조성물 또는 제2 수지 조성물 중 각각 제1 수지 및 제1 희석 모노머의 합 100 중량부 또는 제2 수지 및 제2 희석 모노머의 합 100 중량부에 대하여, 5 중량부 이하의 함량비로 첨가될 수 있다. 촉매의 첨가량이 상기 함량 범위의 5 중량부를 초과할 경우에는 효과 상승 대비 제조 원가만을 상승시키는 요인으로 작용할 수 있으므로, 경제적이지 못하다.
또한, 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 각각 상기 성분 외에도, 본 발명의 효과에 영향을 미치지 않는 범위에서 실리콘계 또는 비실리콘계 소포제; 트리메톡시실란 등의 실란계, 산계 또는 티타네이트계 커플링제; 페닐 살리실레이트(phenyl Salicylate)계, 벤조페논(benzophenone)계, 벤조트리아졸(benzotriazole)계, 니켈 유도체계 또는 라디칼 제거제(radical Scavenger)계 등의 자외선 흡수제; 할로겐계, 인계 또는 무기금속계 난연제; 스테아린산계 또는 실리콘계 이형제; 카테콜(Catechol)계 또는 히드로퀴논류계 중합억제제; 및 페놀계, 아민계, 퀴논계, 유황계 또는 인계 산화방지제로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에서, 상기 인조 대리석 (또는 상기 인조 대리석 조성물)은 제3 수지 조성물과 무기충전물을 포함한 경화물을 분쇄하여 얻은 칩을 더 포함할 수 있다.
상기 칩은 천연석 질감을 나타내기 위한 발색 수단으로 첨가된다. 이러한 칩은 1 내지 500 메쉬(mesh)의 분말 이 이용될 수 있고, 구체적으로는 아크릴계 칩, 에폭시계 칩, 스타이렌계 칩 및 폴리에스터계 칩 중 어느 하나가 이용될 수 있다.
상기 인조 대리석용 조성물에서 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물을 혼합하는 방법은 공지된 방법에 따라 다양하게 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 수지 조성물을 주형한 뒤, 상기 제2 수지 조성물을 주입 또는 적층하고, 이어서 교반기로 교반하여 무늬를 만든 뒤, 경화시킬 수 있다.
다른 예를 들어, 상기 제1 수지 조성물을 주형하면서, 상기 제2 수지 조성물을 주입하는 노즐을 움직여 무늬를 만들고, 이어서 경화시킬 수 있다.
또 다른 예를 들어, 상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물을 혼합 (mixing)한 뒤, 혼합물을 주형하고, 열경화시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에서,
상기 인조 대리석용 조성물에서 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물을 혼합한 뒤 교반하는 단계;
상기 인조 대리석용 조성물을 주형하는 단계; 및
상기 인조 대리석용 조성물을 열경화하여 인조대리석을 형성하는 단계;
를 포함하는 인조 대리석 제조 방법을 제공한다.
예시적인 방법으로 설명한 바와 같이, 상기 교반하는 단계와 주형하는 단계는 경우에 따라 순서가 바뀔 수 있다.
인조대리석은 업계에 종사하는 관련자가 알 수 있는 통상의 방법, 연속적인 캐스팅법, 배치식 몰드 주형 등의 제조 방법을 이용할 수 있으며 특정 방법에 한정되지 않는다.
이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러한 하기한 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
( 실시예 )
실시예 1
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 함량으로 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
불포화 폴리에스테르계 수지 25 중량부, 스티렌 단량체 10 중량부 및 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 여기에 불포화 폴리에스테르계 수지 및 스티렌 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
실시예 2
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
불포화 폴리에스테르계 수지 25 중량부, 스티렌 단량체 10 중량부, 평균 입자 직경이 90㎛인 수산화알루미늄 35 중량부 및 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 30 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 불포화 폴리에스테르계 수지 및 스티렌 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
실시예 3
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
불포화 폴리에스테르계 수지 25 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 10 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 불포화 폴리에스테르계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
실시예 4
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 벤질아크릴레이트 단량체 25 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 벤질아크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
비교예 1
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 벤질아크릴레이트 단량체 5 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지, 벤질아크릴레이트 단량체 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
비교예 2
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 25 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
비교예 3
제1 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 20 중량부, 평균 입자 직경이 20㎛인 수산화알루미늄 60 중량부 및 아크릴계 칩 10 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제1 수지 조성물을 제조하였다.
제2 수지 조성물 제조
폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 10 중량부, 메틸메타크릴레이트 단량체 25 중량부, 평균 입자 직경이 10㎛인 수산화알루미늄 65 중량부를 혼합하여 무기충전물을 함유한 수지 시럽을 제조하고, 여기에 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA)계 수지 및 메틸메타크릴레이트 단량체의 합을 다시 100 중량부 기준으로 하였을 때, 0.8 중량부 유기퍼옥사이드계 열경화제를 첨가하여 제2 수지 조성물을 제조하였다.
인조대리석 제조
제1 수지 조성물을 몰드에 투입하여 주형한 후, 제2 수지 조성물을 제1 수지 조성물이 주형된 몰드에 7 : 3의 중량비로 주입하였다. 다음으로, 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 직경 6mm를 갖는 봉으로 15회 교반하여 무늬를 형성한 후, 80℃에서 50분 동안 경화시키고 나서 샌딩 처리를 실시하여 인조대리석을 제조하였다.
실험예
실시예 1-4 및 비교예 1-3에서 인조 대리석 제조 과정에서 제2 수지 조성물의 굴절율을 측정하여 하기 표 1에 기재하였다.
굴절율 측정 기기는 아베 굴절계 (Atago, 1T )를 사용하였다.
또한, 실시예 1-4 및 비교예 1-3에서 제조된 제2 수지 조성물을 별도로 2mm 두께로 경화시켜 단독 경화시 투과도를 측정하였다.
투과도 측정 기기는 Turbidimeter (NDH-5000, Nippon denshoku industry co., ltd. 제조)을 사용하였다.
구분 제2 수지 조성물의 액상 시럽의 굴절율 2mm 두께의 제2 수지 조성물의 단독 경화물의 투과도(%)
실시예 1 1.58 47
실시예 2 1.58 50
실시예 3 1.54 44
실시예 4 1.50 39
비교예 1 1.48 36
비교예 2 1.44 36
비교예 3 1.44 33
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 상기 실시예 1-4는 제2 수지 조성물은 굴절율이 향상되었다. 그에 따라, 향상된 만큼 무기충전물과의 굴절율 차이가 작아질 수 있다. 또한, 굴절율이 향상된 제2 수지 조성물은 경화시 투과도가 향상되었음을 확인할 수 있다.
상기와 같이 향상된 투과도를 가지므로, 이로부터 얻어진 인조 대리석은 천연 대리석과 같은 질감을 구현할 수 있을 것을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 구현예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (18)

  1. 제1 수지 조성물 및 제2 수지 조성물을 포함하고,
    상기 제1 수지 조성물은 제1 수지 및 제1 희석 모노머를 포함하고,
    상기 제2 수지 조성물은 제2 수지 및 제2 희석 모노머를 포함하고,
    상기 제1 수지 조성물과 상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 서로 상이한
    인조 대리석용 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지 조성물의 굴절율이 1.40 내지 1.50 미만인
    인조 대리석용 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 수지 조성물의 굴절율이 1.50 내지 1.65인
    인조 대리석용 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물은 각각 무기충전물을 더 포함하는
    인조 대리석용 조성물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 무기충전물의 굴절율이 1.56 내지 1.90인
    인조 대리석용 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지 조성물과 및 상기 제2 수지 조성물은 불균일하게 혼합되어, 무정형의 무늬를 형성하는
    인조 대리석용 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지 및 상기 제2 수지는 각각 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 스타이렌계 수지, 불포화 에스테르계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된
    인조 대리석용 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 스타이렌계 수지, 불포화 에스테르계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 수지에 아릴 고리 함유 모노머, 할로겐 치환기 함유 모노머 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나에 기인한 구조 단위가 도입된
    인조 대리석용 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 희석 모노머 및 상기 제2 희석 모노머는 각각 아크릴계 단량체, 에스테르계 단량체, 스타이렌계 단량체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
    인조 대리석용 조성물.
  10. 제4항에 있어서,
    상기 무기충전물은 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 실리카, 알루미나 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
    인조 대리석용 조성물.
  11. 제4항에 있어서,
    상기 무기충전물의 평균 입경이 1 ㎛ 내지 200 ㎛ 인
    인조 대리석용 조성물.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 제1 수지 조성물 중 무기충전물의 함량이 상기 제1 수지 조성물 중 무기충전물을 제외한 나머지 100 중량부 대비 무기충전물 0 내지 200 중량부인
    인조 대리석용 조성물.
  13. 제4항에 있어서,
    상기 제2 수지 조성물 중 무기충전물의 함량이 상기 제2 수지 조성물 중 무기충전물을 제외한 나머지 100 중량부 대비 0 내지 200 중량부인
    인조 대리석용 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물의 중량비가 1:9 내지 9:1인
    인조 대리석용 조성물.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 인조 대리석은 제3 수지를 포함한 경화물을 분쇄하여 얻은 칩을 더 포함하는
    인조 대리석용 조성물.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제3 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 스타이렌계 수지, 불포화 에스테르계 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는
    인조 대리석용 조성물.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 칩은 직경이 1 내지 100 메시(mesh)의 분말과 직경이 100 내지 500 메시의 분말의 혼합물인
    인조 대리석용 조성물.
  18. 제1항에 따른 인조 대리석용 조성물에서 상기 제1 수지 조성물 및 상기 제2 수지 조성물을 혼합한 뒤 교반하는 단계;
    상기 인조 대리석용 조성물을 주형하는 단계; 및
    상기 인조 대리석용 조성물을 열경화하여 인조대리석을 형성하는 단계;
    를 포함하는 인조 대리석 제조 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110073236A (ko) * 2009-12-23 2011-06-29 제일모직주식회사 투명한 무정형 무늬가 있는 인조대리석
KR101268301B1 (ko) * 2006-06-27 2013-05-28 한화엘앤씨 주식회사 투명칩을 갖는 인조대리석 및 그 제조방법
KR20150132956A (ko) * 2014-05-19 2015-11-27 (주)엘지하우시스 서로 다른 2종의 혼합수지를 포함하는 마블 인조대리석용 조성물 및 그 인조대리석의 제조방법
JP6102339B2 (ja) * 2013-02-26 2017-03-29 株式会社豊田自動織機 絶縁異常検出回路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101268301B1 (ko) * 2006-06-27 2013-05-28 한화엘앤씨 주식회사 투명칩을 갖는 인조대리석 및 그 제조방법
KR20110073236A (ko) * 2009-12-23 2011-06-29 제일모직주식회사 투명한 무정형 무늬가 있는 인조대리석
JP6102339B2 (ja) * 2013-02-26 2017-03-29 株式会社豊田自動織機 絶縁異常検出回路
KR20150132956A (ko) * 2014-05-19 2015-11-27 (주)엘지하우시스 서로 다른 2종의 혼합수지를 포함하는 마블 인조대리석용 조성물 및 그 인조대리석의 제조방법

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