KR20180096527A - 투과 전자 현미경 검사를 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투과 전자 현미경의 방법 및 장치에 관한 것으로, TEM 시편(1, 12)는 SPM 탐침(4)로 시료의 적어도 일부 영역을 스크래치 함으로써 적어도 하나의 박형화 단계를 거치며, 박형화된 영역은 동일한 SPM 탐침 또는 다른 탐침을 사용하여 SPM 획득 단계를 거친다.
Description
본 발명은 투과 전자 현미경(TEM: transmission electron microscopy)에 의한 박형화된 재료 시편의 분석에 관한 것이다. 본 명세서에서, TEM이란 이름은 큰 직경의 전자 빔뿐만 아니라 시편이 미세하게 집속된 빔에 의해 스캐닝되는 STEM(스캐닝 TEM)에 대한 시편의 노출을 포함하는 전형적인 투과 전자 현미경을 포함한다.
투과 전자 현미경은 반도체 산업에서 제조된 나노 스케일 구조의 연구에 광범위하게 적용되어 왔다. 표준 TEM에서 큰 직경의 전자 스폿이 시편에 사용되며 이미지는 전자기 렌즈 시스템을 통해 투영되고 CCD 카메라와 결합된 형광 스크린에 캡쳐된다. STEM에서 시편은 미세 집속된 빔으로 스캔되고 이미지는 일정 범위의 각도에서 산란된 투과 전자를 기반으로 동기식으로 구성되며 전용 탐지기를 통해 다양한 각도 범위에서 캡쳐된다.
반도체 디바이스의 분석에 대해 잘 알려진 또 다른 기술은 스캐닝 탐침 현미경 검사(Scanning Probe Microscopy, SPM)이다. SPM의 잘 알려진 예는 시편의 표면과 접촉하는 탐침 팁이 표면 영역에서 스캔되는 소위 원자력 현미경 검사(AFM)이다. 상기 팁은 표면에서 전기, 자기 및 지형 데이터를 수집할 수 있도록 나노 크기의 다이아몬드 팁일 수 있다. 접촉 모드 또는 비접촉 모드에서 표면상에서 스캔되는 탐침 팁을 사용하는 다른 SPM 변형예가 알려져 있다.
표면을 스크래치하여 표면을 박형화하기 위한 SPM 탐침의 사용은 소위 말하는 '메스(Scalpel) SPM'기술로 알려져 있다. 점진적으로 박형화된 시편에 대해 연속적인 SPM 획득을 수행하면 시편의 구조적 및 전기적 특성에 대한 단층 촬영 모델을 얻을 수 있다.
나노 스케일 구조의 3D-단층 촬영 구조 데이터는 또한 TEM을 통해, 특히 STEM 기술을 통해 얻어 질 수 있다. 이는 시편의 2D 이미지 시퀀스를 얻을 수 있도록 다양한 경사각을 통해 빔 방향에 수직 인 축을 기준으로 시편을 기울임으로써 수행된다. 틸트 시리즈에서 얻어진 2D 이미지 세트는 각각의 틸팅 각도를 고려하여 시편의 3D 공간을 재구성하는 역-투영 알고리즘에 의해 처리된다. 그러나 틸트 시리즈를 획득하고 데이터를 처리하는 것은 기술적으로 복잡하다.
TEM 및 SPM은 각각의 기술의 목적을 위해 설계 및 치수화된 특정 시편에 대해 수행된다. TEM 시편은 전자 투과성이 필요하기 때문에 얇은 반면, 접촉 모드 SPM 시편은 팁에 의해 시편에 가해지는 하중을 고려할 때 더욱 견고하다. TEM과 SPM의 조합은, 예를 들어 문헌 US-A-6864483에 도시된 바와 같이 매우 특별한 경우로서 반포되었으며, 여기서 TEM은 AFM 시편상의 AFM 탐침에 의해 발생된 압흔(indentation)을 연구하는데 사용된다.
TEM 특유의 하나의 문제점은 매우 얇은 두께의 TEM 시편의 제조가 어렵다는 사실이다. 집속 이온 빔(Focused Ion Beam)에 의한 밀링은, 예를 들어 US-A-9177760에 기술된 바와 같이, FIB 에 의해 20nm 미만으로 시편을 얇게 하는 복잡하고 고비용의 공정 단계가 적용되지 않는 한, 일반적으로 시편을 FIB에 의해 박형화하는 경우에 약 100nm 미만으로 시편을 박형화하는 것을 허용하지 않는다. 그러나 이 과정에는 시편을 여러 번 복잡하게 조작되어야 한다.
본 발명은 상술한 문제를 극복할 수 있는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이는 첨부된 청구범위에 개시된 방법 및 장치에 의해 달성된다. 본 발명은 TEM 시편이 SPM 탐침으로 시편의 영역을 스크래치 함으로써 TEM 시편이 적어도 한번의 박형화(thinning) 단계를 거치고, 박형화된 영역은 동일한 SPM 탐침 또는 다른 탐침을 사용하여 SPM 획득 단계를 거치게 되는 투과 전자 현미경 검사 방법 및 장치에 관한 것이다. 이 방법은 복잡한 작업을 요구하지 않고 시편을 매우 얇은 두께로 얇게 할 수 있기 때문에 유리하다. 점차적으로 박형화된 시편에 대해 연속 TEM 이미지 데이터를 얻으면 역-투영 알고리즘을 요구하지 않고 시편의 3D 단층 촬영 데이터를 얻을 수 있다.
본 발명은 첫째, TEM 시편상에서 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 수행하는 방법에 관한 것으로,
. 적어도 스캐닝 탐침 현미경 검사(Scanning Probe Microscopy: SPM)에 적합한 탐침으로 시편의 표면을 스크래치함으로써 시편의 적어도 하나의 영역이 박형화되며,
. SPM 획득 단계가 박형화된 영역에서 수행되고,
. 박형화된 영역은 전자빔에 노출되고 박형화된 영역에 대한 TEM 이미지가 촬영된다.
일 실시예에 따르면, 박형화 단계에 대하여 다음의 단계가 선행된다 :
. 박형화되는 시료의 영역을 전자빔에 노출시키고 상기 영역의 제1 TEM 이미지를 얻는 단계 및 / 또는
. 박형화되는 영역에 대한 제1 SPM 획득 단계를 수행하는 단계.
SPM 획득 단계 후 및 TEM 이미지 촬영 후, 박형화 단계는 1회 이상 반복되며, 매번(반드시 그 순서가 아닌): 추가의 SPM 획득 단계 및 점진적으로 박형화된 영역의 추가 TEM 이미지 촬영 단계가 이어진다.
후자의 경우에, 상기 방법은 :
. 연속적인 TEM 이미지를 기반으로 시편의 3 차원 데이터를 결정하는 단계,
. 연속적인 SPM 획득 단계에 의해 수집된 데이터를 기반으로 시편의 전기적 피쳐부(feature) 및/또는 자기적 피쳐부의 단층 촬영 모델을 구축하는 단계를 추가로 포함한다.
일 실시예에 따르면, SPM 획득 단계는 시편을 박형화하기 위해 적용된 상기 SPM 탐침에 의해, 박형화 단계와 동시에 수행된다.
선택적으로, SPM 획득 단계는 박형화 단계 후에, 박형화 단계에서 적용된 탐침에 의해 또는 SPM에 적합한 다른 탐침에 의해 수행될 수 있다.
실시예에 따르면, 방법의 단계는 TEM 시편 홀더에 장착된 TEM 그리드에 부착된 라멜라형 시편에 대해 수행된다. TEM 그리드는 피쳐부의 길이 방향으로 슬릿이 제공된 기둥 형상 피쳐부를 포함하여 슬릿의 양측에 2 개의 레그부를 형성할 수 있으며, 상기 시편은 슬릿에 대해 횡방향으로 위치되어 두 레그부에 부착된다.
일 실시예에 따르면, TEM 단계, SPM 획득 단계 및 박형화 단계는 샘플을 박형화하기 위한 SPM 도구 및 가능하게는 SPM 획득 단계를 수행하기 위한 제 2 SPM 도구를 구비한 투과형 전자 현미경에서 수행된다. 후자의 경우, 시편은 한 번만 위치 설정되어 박형화 단계(들), SPM 획득 단계(들) 및 TEM 단계(들) 동안 제 위치에 유지될 수 있다.
본 발명은 시편의 표면을 스크래치 함으로써 TEM 시편의 2 차원 영역을 박형화하도록 구성된 투과 전자 현미경 및 SPM 도구를 포함하는 본 발명의 방법을 수행하기에 적합한 장치에 관련된 것으로서, 상기 영역의 TEM 이미지를 취할 수 있는 방식으로 시편은 현미경에 장착된다.
상기 장치는 TEM 시편의 박막화된 영역 상에 SPM 획득을 수행하기 위한 제2 SPM 도구를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 장치는 제어 유닛상에서 실행될 때, 적어도 다음의 단계들을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 제공된 메모리를 포함하는 제어 유닛을 더 포함한다 :
. 시편의 일부 영역을 박형화하는 단계,
. 박형화된 영역의 TEM 이미지를 촬영하고 TEM 이미지 데이터를 저장하는 단계,
. 박형화된 영역에서 SPM 획득을 수행하고 획득한 데이터를 저장하는 단계.
본 발명은 제어 유닛상에서 동작하고 이전 단락에서 설명된 단계들을 실행하도록 구성된 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.
본 발명은 라멜라형 TEM 시편을 홀딩하기 위한 TEM 그리드에 대한 것으로서, 상기 그리드는 피쳐부의 길이 방향으로 슬릿이 제공된 기둥형 피쳐부를 가져서, 슬릿의 양측에 두개의 레그부를 형성하며, 상기 레그부는 상기 시편의 대부분을 상기 슬릿 상에 위치시키면서 상기 시편을 지지하도록 구성된다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 방법에 따라 TEM 시편에 적용된 박형화 단계를 도시한다.
도 2a는 당 업계에 공지된 TEM 시편 그리드를 도시하고, 도 2b는 본 발명의 방법에서 사용하기에 적합한 동일한 시편 격자를 도시한다.
도 3은 당 업계에 공지되어 있고 본 발명의 방법 및 장치에 적용 가능한 TEM 시편의 예로서 도시된 H- 바 TEM 시편을 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 장치의 주요 구성 요소를 도시한다.
도 2a는 당 업계에 공지된 TEM 시편 그리드를 도시하고, 도 2b는 본 발명의 방법에서 사용하기에 적합한 동일한 시편 격자를 도시한다.
도 3은 당 업계에 공지되어 있고 본 발명의 방법 및 장치에 적용 가능한 TEM 시편의 예로서 도시된 H- 바 TEM 시편을 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 장치의 주요 구성 요소를 도시한다.
상기 요약 및 청구범위에서 언급된 본 발명의 방법은 SPM 탐침으로 시편을 스크래치함으로써 TEM 시편을 박형화하는 단계를 포함하기 때문에 신규하다. TEM 시편은 전자 투과성인 적어도 하나의 평면 부분을 포함하는 시편으로 정의된다. 즉, 평면 부분은 전자 투과 현미경을 통해 영상화 될 수 있는 두께를 갖는다. 따라서 '시편의 영역'은 시편의 평면 부분의 2 차원 영역으로 이해되어야 한다. 공지의 TEM 시편 유형은 전자 투과 두께의 라멜라 형태의 시편이며, 이 경우 시편과 평면 부분은 하나로서 동일하다. 시편은 고 에너지 집속 이온 빔(FIB)에 의한 밀링과 같은 적절한 기술에 의해 준비된다. 도 1a는 상부표면(2) 및 하부 표면(3)을 갖는 라멜라형 시편(1)을 도시한다. AFM에 의한 박형화 이전의 TEM 시편의 두께는 0.1 ㎛ 정도인 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 캔틸레버(5) 상에 장착된 탐침 팁(6), 바람직하게는 다이아몬드 팁을 포함하는 AFM 탐침(4)(도 1b 참조)을 TEM 시편의 관심 영역 상에서 높은 힘으로 스캐닝하고 표면을 스크래치하고 재료를 제거함으로써 시편이 박형화되게 된다. 이는 예를 들어 20 nm의 요구되는 물리적 두께가 달성될 때까지 나노 미터 정밀도를 갖는 시편의 특정 영역(7)을 박형화하는 것을 허용한다(도 1c 참조). 박형화 중에 적용되는 힘 및 사용되는 탐침의 유형은 공지된 '메스(scalpel) SPM'기술에 따른 것일 수 있다. 박형화는 시편의 평면 부분의 전체 표면 또는 하나 이상의 선택된 하위 영역에서 수행될 수 있다.
전술한 방법으로 이미 매우 얇은 TEM 시편을 더 박형화하는 것이 가능하다는 사실은 자명하지 않다. 박형화 공정을 실제로 가져오는 한 가지 바람직한 방법은 TEM 시편을 표준 TEM 시편 홀더에 장착 할 수 있는 TEM 그리드에 부착하는 것이다. TEM 그리드는 SPM 탐침으로 스크래칭하여 시편을 얇게 할 수 있도록 시편을 지지하도록 구성된다. 이를 달성 할 수 있는 방법은 도 2a와 도 2b에 도시되어 있다. 도 2a는 이른바 '리프트-아웃(lift-out) TEM 그리드'로서 당해 기술 분야에서 공지된 TEM 그리드를 도시한다. 이것은 TEM 시편을 부착하기에 적합한 물질, 보통은 구리로 형성된 하프 디스크(10)이다. 디스크에는 시료가 부착될 수 있는 기둥형상 구조물(11)이 제공된다. 일반적으로 이것은 '리프트 아웃(lift-out)'에 의해 생성된 시편을 수용하기 위한 그리드 유형이다. 리프트 아웃 기술에서, 시편은 집속된 이온 빔 에칭에 의해 기판으로부터 우선 분리된다. 그 다음, 시편은 바람직하게는 직사각형의 라멜라형 시편의 하나의 짧은면에 부착된 마이크로 탐침 또는 그 유사체에 의해 그리드로 이송되고, 그리드의 기둥 중 하나에 반대편의 짧은면이 부착된 후 마이크로 탐침이 제거된다. 결과적으로 도 2a에서와 같이 시편(1)은 기둥에서 바깥쪽으로 연장되게 된다. 그리드(10)가 TEM 장치에 장착된 TEM 시편 홀더에 장착될 때, 시편은 전자빔에 대하여 완전히 가시적(visible)이다.
시편이 도 2a에 도시된 바와 같이 한면에서만 지지될 때, 어떠한 현저한 기계적 저항도 없으며, 시편을 AFM 탐침으로 박형화하는 것이 불가능할 수 있다. 이것을 해결하는 하나의 방법은 도 2b에 도시된 변형된 그리드(10')를 사용하는 것이다. 변형된 그리드는 하나의 기둥(11)에 작은 슬릿(15)을 생성함으로써 얻어질 수 있다. 기둥(11) 자체는 10 ㎛ 정도의 폭을 가질 수 있다. 슬릿(15)은 검사될 시편의 크기에 따라 1 내지 5 ㎛의 폭을 가질 수 있다. 슬릿(15)은 FIB 밀링에 의해 제조될 수 있다. 도 2b에 도시된 세부 사항에 의해 도시된 바와 같이, 시편(1)은 슬릿(15)에 횡 방향으로 배치되어 적절한 고정 물질에 의해, 예를 들어 Pt로 된 2 개의 침착물(17)에 의해 슬릿의 양측의 기둥의 측방 레그부(16)에 고정된다. Pt에 의한 시편의 정착은 당업계에 공지되어있다. 시편은 이제 양쪽에서 지지되며, 따라서 도 1b에 도시된 방식으로 표면을 스크래치하고 박형화하도록 구성된 AFM 탐침에 의해 인가된 힘을 견딜 수 있다. 동시에, 시편은 슬릿(15)의 개방 영역 위에 배치되기 때문에, 박형화 단계 후에 조작될 필요없이 전자빔(24)에 가시적이다.
그러나, 본 발명은 리프트-아웃 기술에 의해 제조되고 TEM 그리드에 부착된 라멜라형 TEM 시편의 사용에 제한되지 않는다. 당해 기술 분야에서 공지되어 있고 도 3에 도시된 H-바 시편과 같은, 다른 기술에 의해 제조된 시편이 본 발명에서 사용될 수 있다. 이러한 H-바 시편(12)은 3 개의 면에서 기판에 부착된 채로 유지되는 평면부분(18)이 얻어 질 때까지, 화살표(14)의 방향으로 기판(13)을 FIB 밀링함으로써 제조된다. 이어서, 시편을 TEM 홀더에 넣고 화살표(19)에 따라 지시된 e-빔의 조사를 통해 평면부분(18)이 이미지화될 수 있다. 평면부분(18)이 3면으로 지지되기 때문에, 본 발명에 따른 SPM 탐침 스크래치에 의해 박형화될 수 있다.
본 발명의 방법은 박형화되는 표면상의 전기, 자기 및/또는 지형 데이터를 획득하는 단계(이하, 'SPM 획득 단계'라고 함)를 포함한다. 일 실시예에 따르면, SPM 획득 단계는 시편을 박형화하기 위해 사용된 동일한 팁을 사용하며, 전기, 자기 및/또는 지형 데이터는 박형화 작업과 동시에 획득된다. 선택적으로 동일한 팁을 사용하지만 박형화를 거치게 되는 획득이 수행된다. 또 다른 대안에 따르면, 상기 획득 단계는 박형화 단계 후에 이루어지며, 상이한 SPM 팁을 사용한다. 후자의 경우, 팁의 선택은 수행된 기능, 예를 들어 스크래치/박형화를 위해 더 단단하지만 더 큰 팁 및 최적의 공간 해상도로 데이터를 획득하기 위한 보다 미세한 팁으로 조정될 수 있다. 또는 제2 SPM 팁은 비접촉식 SPM 획득에 적합할 수 있다.
이 방법의 일 실시예에 따르면, SPM 획득은 박형화되는 영역(7) 자체상의 SPM 획득 대신에 또는 그에 추가하여, 박형화되는 영역(도 1의 측면(3))의 아래쪽에서 발생한다. 밑면의 SPM 획득은 점진적으로 감소된 두께의 함수로서 시편의 변화하는 전기적 및/또는 자기적 특성을 획득하는 데 유용할 수 있다. 이는 시편의 상부표면(2)을 박형화하는 제1 SPM 탐침과 하부표면(3)으로부터 데이터를 획득하기 위한 제 2 SPM 탐침을 구비한 장치에서 구현 될 수 있다.
본 방법의 다른 실시예에 따르면, 박형화 단계는 시편의 두 대향면(도 1의 면(2 및 3))에 대해 수행된다. 이는 상부 표면(2)을 박형화 하기 위한 제1 SPM 탐침 및 하부 표면(3)을 박형화 하기 위한 제2 SPM 탐침이 제공된 장치에서 수행될 수 있다. 양 표면의 박형화가 동시에 수행될 수도 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 TEM 이미지는 실제 박형화 단계 이전에, 박형화될 영역에 대해 취해진다. 다른 실시예에 따르면, 제1 SPM 획득 단계는 영역을 박형화하지 않고, 영역을 박형화할 영역에 대해, 예를 들어 AFM 탐침을 사용하고 표면에서 물질을 제거하지 않는 힘을 가하거나 비접촉 SPM 단계를 적용하여 행해진다. 바람직한 실시예에 따르면, 제1 TEM 이미지 획득 단계 및 제 1 비-박형화 SPM 획득 단계 양자 모두는 박형화 단계 이전에 수행된다.
특히 유용한 실시예에 따르면, 박형화 단계는 여러 번 반복되고, 매번 점진적으로 박형화된 영역의 TEM 이미지가 취해지며, SPM 획득 단계(박형화 및 SPM 획득이 동시에 수행되지 않는다면)가 이어진다. 시편은 이러한 공정을 통해 고정된 위치에 유지되는데 즉, 시편이 기울어지지 않으며, 다수의 시편 배향에서 다중 TEM 이미지도 얻어지지 않는다. 이 실시예는 연속적인 TEM 이미지를 통한 시편의 구조적 데이터뿐만 아니라 연속적인 SPM 획득을 통한 시편의 전기 및/또는 자기 데이터의 3D 단층 촬영 데이터 세트를 얻을 수 있게 한다. 시편을 박형화 하는 것은 고해상도를 갖는 3D 모델을 얻기 위해 작은 단계, 예를 들어, 각각의 박형화 하는 단계에서 수 nm 정도가 바람직하다. 각각의 박형화 단계에서 제거되는 두께는 표면의 평균 높이를 측정하여 제어 할 수 있는데, 예를 들어 박형화되는 영역을 가로질러 (박형화) SPM 탐침을 매번 스캔한 이후 또는 주어진 스캔 횟수 후에 제어된다. 측정된 높이의 차이는 제거된 두께를 나타낸다. 평균 높이의 측정은 박형화 하기 위해 사용되는 SPM 탐침에 의해, 감소된(즉, 스크래치 하지 않는) 힘으로 스캔을 수행하는 것에 의해 또는 다른 SPM 탐침에 의해 수행될 수 있다. 요구되는 두께가 제거되면, TEM 이미지가 취해지고, 후속 박형 단계가 개시될 수 있다. 따라서, 두 개의 연속된 TEM 이미지 사이에서 제거되는 재료의 두께가 알려져 있다. 이러한 사항은 공정 중에 얻어진 각 TEM 이미지를 초기 시편의 특정 깊이로 지정할 수 있게 한다. 최종 TEM 이미지로부터 시작하여 가장 높은 정도로 박형화된 시편을 취함에 따라, 특정 구조가 시편에 임베딩되는 깊이를 검출할 수 있고, 시편 내에서 적어도 주어진 수준까지 구조의 3D 단층 이미지를 결정할 수 있게 된다. 이러한 이미지는 예를 들어 울트라마이크로톰(ultramictrome)에 의해 생성된 시편의 얇은 조각에서 취해진 TEM 이미지를 기반으로 한 단층 촬영(tomography)으로 알려진 단층 촬영 기술로 얻을 수 있다. 일부 묻혀있는 구조가 더 낮은 깊이에서 촬영된 모든 TEM 이미지에서 계속 볼 수 있으므로, 전체 이미지 세트를 기반으로 이미지화된 시편 영역의 전체 단층 모델을 구축하는 것이 어려울 수 있다. 그럼에도 불구하고, TEM 이미지는 시편에 묻힌 특정 구조의 모양과 같은 이미지 영역의 특정 단층 촬영 데이터를 결정할 수 있다. 이러한 데이터는 제거된 층의 두께가 낮은 고해상도로 얻을 수 있다.
특히, TEM-기반 단층 촬영 데이터를 얻는 방법은 단층 촬영 데이터 세트가 시편을 기울이지 않으면서 역-투영 알고리즘을 적용하지 않고서도 얻어지기 때문에 기존 기술에 비해 유리하다. 따라서, 본 발명은 TEM-기반 단층 촬영 데이터를 얻는 보다 직접적인 방법을 제공한다. 또한, 역-투영 알고리즘을 포함하는 공지된 기술에서, 투영 아티팩트(artifact)는 중첩되어 매립된 물체에 의해 유도될 수 있다. 본 발명은 물질의 물리적 제거로 인해 이러한 문제점을 극복 할 수 있게 한다. SPM에 의한 층의 제거는 또한 시편 표면의 상기 영역상의 층들을 스크래치하여 시편의 선택된 영역을 국부적으로 박형화 하는 것을 허용한다. 기존 기술과는 달리, TEM 이미지 및 따라서 단층 촬영 데이터는 시편의 매우 특정한 영역으로 제한될 수 있다.
본 발명의 방법은 기존의 도구 및 장비를 사용하여, 예를 들어 TEM 장치 및 SPM 장치를 사용하고 연속적인 TEM 및 박형화 및/또는 SPM 획득 작업을 수행하기 위해 이들 장치 사이에서 시편을 이송함으로써 수행될 수 있다. 그러나, 바람직한 실시예에 따르면, 시편을 박형화 하는 단계, SPM 획득을 수행하는 단계 및 시편의 박형화된 영역의 TEM 이미지를 얻는 단계가 단일 장치에서 수행된다. 이와 같은 장치는 본 발명의 특징이다. 이 장치는 투과형 전자 현미경 및 TEM 시료의 표면을 스크래치함으로써 TEM 시료의 2 차원 영역을 박형화 하도록 구성된 적어도 하나의 SPM 도구를 포함하며, 상기 시편은 상기 영역의 TEM 이미지를 취하는 것을 허용하는 방식으로 현미경에 장착된다. 즉, SPM 도구는 상기 시편의 상기 영역의 TEM에 의한 이미지화를 위해 위치되는 동안 시편의 영역을 박형화 할 수 있다. 장치를 설명하는 또 다른 방법에서, 박막화 단계에 사용되는 SPM 탐침 팁이 박형화된 영역을 이미징하기 위해 전자총에 의해 생성된 e-빔의 방향을 가리키게 된다. 따라서, 상기 장치는 AFM 탐침이 빔 방향에 수직으로 배향된 US-A-6864483과 구별된다.
도 3은 본 발명의 장치의 주요 구성 요소의 가능한 구성을 개략적 및 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 TEM 시편 홀더(21)를 위치시키는 지지대(20)를 포함한다. 지지대(20) 및 TEM 시편 홀더(21)는 공지된 기술에 따라 제조될 수 있다. 홀더(21)는 TEM 그리드, 예를 들어 도 2b에 도시된 바와 같은 그리드(10')가 삽입될 수 있고 전자총(미도시)에 의해 생성되는 e-빔(24)에 대하여 위치되는 평면부분(22)을 포함한다. 지지대(20)에 인접하여, SPM 탐침 지지체(26) 및 캔틸레버 및 팁(미도시)을 포함하는 SPM 탐침(27)를 포함하는 SPM 도구(25)가 장착된다. SPM 도구는 도식적인 방식으로만 도시되어 있으며, 숙련된 독자에게는 명백한 바와 같이 현실적으로는 그 구조가 더 복잡하다. SPM 도구는 TEM 홀더(21)와 함께 동일한 장치에 통합될 수 있는 공지된 기술에 따라 제조될 수 있다. 바람직한 실시예에 따르면, SPM 탐침(27)는 도면에 도시된 바와 같은 평평한 탐침이고 그렇게 공지되어 있다. 평평한 탐침을 사용하는 것은 평평한 탐침이 다른 탐침 유형에 비해 치수가 감소되어보다 쉽게 장치에 통합될 수 있기 때문에 유리하다. SPM 도구(25)는 본 발명의 방법에 포함된 박형화 단계 및 SPM 획득 단계 모두에 사용될 수 있다. 선택적으로, 상기 장치는 제2 SPM 도구를 포함할 수 있는데, 제1 도구는 박형화 전용이고, 제2 도구는 박형화 SPM 도구에 의해 박형화된 동일한 표면을 스캐닝함으로써 SPM 획득을 위한 것이다. 시편의 상부 표면을 박형화/스캐닝하기 위한 단일 또는 2 개의 SPM 도구와 함께, 추가 SPM 도구가 포함되어, 시편의 아래쪽에서 박형화 및/또는 SPM 획득을 수행하도록 구성될 수 있다. 본 발명의 장치에 포함된 모든 SPM 도구는 바람직하게는 시편이 TEM 이미지 단계에서 요구되는 진공 조건하에 있는 동안 위에서 설명한 박형화 및/또는 SPM 획득 단계를 수행할 수 있도록 구성된다. 즉, SPM 도구는 장치의 진공 챔버에 장착된다.
바람직하게는, 상기 장치는 e-빔(24)에 대한 TEM 시편(1)의 위치 설정이 단 한번만 일어나도록 하고, 시편은 후속적인 박형화, SPM 획득 및 가능한 추가적인 TEM/박형화/획득 동안 제 위치에 유지되도록 구성되는 것이 바람직하다. 이는 SPM 도구(25)가 탐침 팁이 박형화 작업을 수행할 수 있는 위치로 또는 그 위치 밖으로 변위 가능하도록 구성된다는 것을 의미한다. 다른 실시예에 따르면, SPM 박형화 탐침은 고정되어 있고, TEM 홀더(21)는 SPM 도구(25)이 박형화 및 SPM 획득 단계를 수행 할 수 있는 위치 내외로 이동 가능하다.
본 발명의 장치는 바람직하게는, TEM 시료의 영역을 박형화하는 단계와, 박형화된 영역의 TEM 이미지를 얻는 단계와, TEM 이미지를 저장하는 단계와, 프로그램이 제어 유닛상에서 구동될 때, 박형화된 영역 상에서 SPM 획득을 수행하고 얻어진 데이터를 저장하는 단계를 적어도 수행하는 프로그램이 제공된 메모리를 포함하는 전자 제어 유닛을 구비한다. 데이터는 데이터 연결에 의해 제어 유닛에 연결된 개인용 컴퓨터와 같은 장치 외부의 메모리 또는 메모리 자체에 저장 될 수 있다.
상기 프로그램은 바람직하게는, 장치 내에 포함된 TEM 장비 및/또는 SPM 장비에 대해 시편을 위치시키는 단계, 원하는 두께 감소에 도달 할 때까지 SPM 스캐닝 작업 사이에 박형화되는 표면의 평균 높이를 측정함으로써 박형화 작업을 제어하는 단계, 시편의 구조적 피쳐부 및 시편의 전기적 및/또는 자기적 특성의 단층 촬영 데이터를 결정하는 단계 중 하나 이상을 실행하도록 구성된다. 본 발명은 이와 같이 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다.
본 발명은 도면 및 전술한 설명에서 상세하게 도시되고 설명되었지만, 그러한 예시 및 설명은 예시 적이거나 예시적인 것으로 간주되어야 하며 제한적이지는 않다. 개시된 실시 형태에 대한 다른 변형은 도면, 개시 및 첨부된 청구 범위의 연구로부터 청구된 발명을 실시하는 당업자에 의해 이해되고 영향을 받을 수 있다. 청구 범위에서, "포함한다"라는 단어는 다른 요소 또는 단계를 배제하지 않으며, '하나의'라는 용어는 복수를 배제하지 않는다. 특정 측정 값이 서로 다른 종속항에서 인용된다는 단순한 사실만으로 이러한 측정 값의 조합을 활용할 수 없다는 것을 의미하지는 않는다. 청구 범위 내의 모든 참조 부호는 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니된다.
1: 시편
2: 상부표면
3: 하부표면
5: 캔티레버
6: 탐침 팁
7: 영역
10: 디스크
10': 그리드
12: 시편
15: 슬릿
17: 침착물
24: 전자빔
2: 상부표면
3: 하부표면
5: 캔티레버
6: 탐침 팁
7: 영역
10: 디스크
10': 그리드
12: 시편
15: 슬릿
17: 침착물
24: 전자빔
Claims (15)
- 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편(1, 12)에 대하여 수행하는 방법으로서,
스캐닝 탐침 현미경 검사(SPM)에 적합한 탐침(4)으로써 시편의 표면을 스크래치함으로써 상기 시편(1, 12)의 적어도 하나의 영역(7)을 박형화하는 단계,
박형화된 영역(7) 상에서 행해지는 SPM 확득 단계,
박형화된 영역(7)은 전자 빔(24)에 노출되고 박형화된 영역의 TEM 이미지가 얻어지는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 박형화하는 단계 이전에
박형화되는 시편의 영역을 전자 빔에 노출시키고 상기 영역의 제1 TEM 이미지를 얻는 단계 및/또는
박형화되는 영역 상에서 제1 SPM 획득 단계를 수행하는 단계가 선행되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
SPM 획득 단계 및 TEM 이미지를 얻는 단계 이후에, 상기 박형화 단계는 1회 이상 반복되며, 매번 추가적인 SPM 획득 단계 및 점진적으로 박형화된 영역의 추가적인 TEM 이미지를 얻는 단계가 이어지는(이러한 순서가 필수적인 것은 아님) 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
연속적인 TEM 이미지에 기초하여 시편의 3차원 데이터를 결정하는 단계,
연속적인 SPM 획득 단계에 의해 얻어진 데이터의 기초하여 시편의 전기적 피쳐부 및/또는 자기적 피쳐부의 단층 촬영 모델을 구축하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 SPM 획득 단계는 상기 시편을 박형화하기 위하여 가해지는 상기 SPM 탐침(4)에 의해 박형화 단계와 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 SPM 획득 단계는 박형화 단계에 가해지는 탐침(4)에 의해 또는 SPM 에 적합한 다른 탐침에 의해 박형화 단계 이후에 행해지는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 방법 단계는 TEM 시편 홀더(21)에 장착된 TEM 그리드(10')에 부착되는 라멜라형 시편(1) 상에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 7 항에 있어서,
상기 TEM 그리드(10')는 기둥형상 피쳐부(11)를 포함하되, 상기 기둥형상 피쳐부는 피쳐부(11)의 길이방향 방향으로 슬릿(15)을 구비하여, 상기 슬릿의 양측면 상에 2개의 레그부를 형성하고, 상기 시편은 상기 슬릿에 횡방향으로 위치되며 2개의 레그부에 부착되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 TEM 단계, 상기 SPM 단계, 및 상기 박형화 단계는 시료를 박형화하기 위한 SPM 도구(25) 및 상기 SPM 획득 단계를 수행하기 위한 가능한 제2 SPM 도구를 구비한 투과 전자 현미경에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 시편(1, 12)은 오직 한번만 위치 설정되며, 상기 박형화 단계, 상기 SPM 획득 단계 및 상기 TEM 단계 도중에 위치에 유지되는 것을 특징으로 하는, 투과 전자 현미경 검사(TEM)을 TEM 시편에 대하여 수행하는 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항의 방법을 수행하기에 적합한 장치로서,
상기 장치는,
투과 전자 현미형 및 시편의 표면을 스크래치 함으로써 TEM 시편의 2차원 영역(7)을 박형화 하도록 된 SPM 도구(25)를 포함하되,
상기 시편은 상기 영역(7)의 TEM 이미지를 얻도록 하는 방식으로 현미경에 장착되는 것을 특징으로 하는 장치. - 제 11 항에 있어서,
TEM시편의 박형화되는 영역(7) 상에서 SPM 획득을 수행하는 제2 SPM 도구를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
제어 유닛상에서 구동시에, 적어도
시편(1, 12)의 영역(7)을 박형화하는 단계,
박형화된 영역(7)의 TEM 이미지를 취하고 TEM 이미지 데이터를 저장하는 단계, 및
박형화된 영역(7) 상에서 SPM 획득을 수행하고 얻어진 데이터를 저장하는 단계;를 수행하는 컴퓨터 프로그램이 제공된 메모리를 포함하는 제어 유닛을 추가로 포함하는 장치. - 제 13 항의 단계를 수행하며 제어 유닛상에서 구동하도록 된 컴퓨터 프로그램 제품.
- 라멜라형 TEM 시편(1)을 홀딩하는 TEM 그리드로서, 상기 그리드는 기둥형상 피쳐부(11)를 포함하되, 상기 기둥형상 피쳐부는 피쳐부의 길이방향 방향으로 슬릿(15)을 구비하여, 상기 슬릿의 양 측면 상에 2개의 레그부를 형성하고, 상기 레그부는 시편의 대부분이 슬릿(15) 상에 위치되는 시편(1)을 지지하도록 된 것을 특징으로 하는 TEM 그리드.
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Cited By (1)
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN111638237A (zh) * | 2020-05-07 | 2020-09-08 | 华东师范大学 | 一种纳米级静电保护器件失效微区的表征方法 |
Family Cites Families (9)
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| EP2852967B1 (en) * | 2012-05-21 | 2019-01-16 | FEI Company | Preparation of lamellae for tem viewing |
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| CN105347299B (zh) | 2014-08-07 | 2016-10-26 | 哈尔滨工业大学 | 采用afm探针纳米刻划加工复杂三维微纳米结构的方法 |
| CN104237567B (zh) | 2014-09-10 | 2016-05-11 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种超薄平面透射电镜样品的制备方法 |
| US9527733B2 (en) | 2014-11-07 | 2016-12-27 | The Chinese University Of Hong Kong | Method and apparatus for dynamic-tuning |
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| WO2023195637A1 (ko) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | 한국과학기술원 | 전위 구배 현미경 및 그 구동 방법 |
Also Published As
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