KR20180095019A - 하전 입자선 장치 - Google Patents

하전 입자선 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180095019A
KR20180095019A KR1020187020339A KR20187020339A KR20180095019A KR 20180095019 A KR20180095019 A KR 20180095019A KR 1020187020339 A KR1020187020339 A KR 1020187020339A KR 20187020339 A KR20187020339 A KR 20187020339A KR 20180095019 A KR20180095019 A KR 20180095019A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
scanning
charged particle
particle beam
trench
processing unit
Prior art date
Application number
KR1020187020339A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102206999B1 (ko
Inventor
게이 사카이
사토루 야마구치
히데키 이타이
야스노리 다카스기
구미코 시미즈
Original Assignee
가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 filed Critical 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Publication of KR20180095019A publication Critical patent/KR20180095019A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102206999B1 publication Critical patent/KR102206999B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2809—Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
    • H01J2237/281—Bottom of trenches or holes

Abstract

본 발명은 트렌치와 같은 홈 혹은 구멍의 화상으로부터, 트렌치나 구멍 내에 설치된 구멍 등을 찾아내기 위한 장치 조건의 설정, 혹은 트렌치 등 내에 설치된 구멍 등을 고정밀도로 측정하는 하전 입자선 장치의 제공을 목적으로 한다. 본 발명에서는, 하전 입자원으로부터 방출되는 하전 입자빔을 주사하는 편향기와, 상기 하전 입자빔의 주사에 의거하여 얻어지는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 당해 검출기의 출력에 의거하여, 화상을 생성하는 연산 처리 장치를 구비한 하전 입자선 장치로서, 상기 연산 처리 장치는, 상기 생성된 화상 중에서 다른 부분에 비해 상대적으로 어두운 암부 영역을 특정하고, 당해 암부 영역에 상당하는 시료 위치에 선택적으로 상기 하전 입자빔이 주사되도록, 상기 편향기를 제어하는 하전 입자선 장치를 제안한다.

Description

하전 입자선 장치
본 발명은, 하전 입자선 장치에 관한 것이고, 특히 시료에 따른 적절한 주사를 행할 수 있는 하전 입자선 장치에 관한 것이다.
최근의 반도체 디바이스는 고집적화가 진행되고, 그 다층화에 수반해서 상층과 하층에 형성된 패턴을 접속하기 위한 비아(홀 패턴)의 애스펙트비(깊이/폭)는 커지는 경향에 있다. 한편, 반도체 디바이스의 제조 프로세스를 관리하기 위해, 주사 전자 현미경 등의 하전 입자선 장치가 사용되고 있다. 주사 전자 현미경(Scanning Electron Microscope：SEM)은, 집속(集束)한 전자빔을 미세 패턴 상에서 주사함에 의해, 패턴의 화상이나 신호 파형을 취득하는 장치이고, 미세한 패턴의 측정이나 검사가 가능한 장치이다. 그러나, 애스펙트비가 큰 패턴의 바닥으로부터 방출되는 전자는, 시료 표면에 방출되기 전에 비아의 측벽에 충돌해버리는 경우가 있기 때문에, 검출 효율이 낮고, 결과적으로 비아 바닥의 고정밀도의 측정은 곤란하다.
특허문헌 1에는, 하층 배선과 홀의 겹침 상태를 측정하는 주사 전자 현미경이 개시되어 있다. 보다 구체적으로는, 신호 파형 중에 에지에 대응하는 피크를 검출할 수 없으면, 역치법에 의한 에지 추출이 곤란해지기 때문에, 에지 위치를 포함하는 영역을 세그먼트화하고, 세그먼트 내에서 역치를 설정함에 의해, 에지 위치를 검출하는 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 2에는, S/N을 향상시키고자 하는 부분에 대해, 빔의 조사량을 높게 유지함과 함께, 그 이외의 부분에 대해서는 대전 등의 영향을 완화하기 위해 조사량을 낮게 하는 빔 주사법이 설명되어 있다.
일본국 특개2014-163860호 공보 ＷO2015045498A
시료 표면으로부터 방출되는 전자는 고효율로 검출할 수 있는 한편, 비아 바닥과 같은 애스펙트비가 큰 패턴의 바닥부로부터 방출되는 전자의 검출 효율은 낮다. 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 비아를 포함하는 넓은 영역에 빔을 주사해 버리면, 비아 바닥과 같은 저휘도 영역의 미묘한 콘트라스트가, 고휘도 영역에 묻혀 버려, 비아 바닥 등의 고정밀도 측정이 곤란해진다. 또한, 특허문헌 2에 개시되어 있는 바와 같이, 고휘도 영역에 대해 저휘도 영역의 휘도를 상대적으로 높이기 위해, 저휘도 영역의 조사량을 향상시키는 것도 생각할 수 있지만, 애스펙트비가 큰 패턴의 경우, 시료 표면과 비아 바닥의 신호 검출 효율에는 현저한 차가 있어, 비아 바닥의 측정이나 검사를 고정밀도로 행할 수 없는 경우가 생각된다.
한편, 최근의 반도체 디바이스에서는 미세화나 고집적화, 저소비 전력에 대응하기 위해 전기 저항률이 낮은 Cu 배선이 널리 사용되게 되어 왔다. Cu 배선은 일반적으로 듀얼 다마신 공정으로 형성된다. 듀얼 다마신 공정은 절연막에 상층 배선이 형성되는 트렌치(Trench)와 이 상층 배선을 하층 배선 또는 기판에 접속하는 비아(Via)를 형성하고, Cu를 충전하고 CMP로 평탄화하는 공정이다.
이러한 트렌치 바닥에 비아가 형성된 패턴(비아-인-트렌치(via-in-trench))의 관찰, 계측에는, 미세 패턴의 측정이나 검사가 가능한 전자 현미경을 사용하는 것이 바람직하지만, 고애스펙트의 트렌치 내부로부터, 더 고애스펙트의 비아를 찾아내는 것은 매우 곤란하다. 또한, 최근의 반도체 프로세스 관리에 있어서, 측정이나 검사의 효율화의 요구는 높고, 자동화가 요구되고 있다.
이하에, 트렌치와 같은 홈 혹은 구멍의 화상으로부터, 트렌치나 구멍 내에 설치된 구멍 등을 찾아내기 위한 장치 조건의 설정, 혹은 트렌치 등 내에 설치된 구멍 등을 고정밀도로 측정하는 것을 목적으로 하는 하전 입자선 장치를 제안한다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 태양으로서, 이하에 하전 입자원으로부터 방출되는 하전 입자빔을 주사하는 편향기와, 상기 하전 입자빔의 주사에 의거하여 얻어지는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 당해 검출기의 출력에 의거하여, 화상을 생성하는 연산 처리 장치를 구비한 하전 입자선 장치로서, 상기 연산 처리 장치는, 상기 생성된 화상 중에서 다른 부분에 비해 상대적으로 어두운 암부(暗部) 영역을 특정하고, 당해 암부 영역에 상당하는 시료 위치에 선택적으로 상기 하전 입자빔이 주사되도록, 상기 편향기를 제어하는 하전 입자선 장치를 제안한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 다른 일 태양으로서, 이하에 하전 입자원으로부터 방출되는 하전 입자빔을 주사하는 편향기와, 상기 하전 입자빔의 주사에 의거하여 얻어지는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 당해 검출기의 출력에 의거하여, 화상을 생성하는 연산 처리 장치를 구비한 하전 입자선 장치로서, 상기 연산 처리 장치는, 상기 생성된 화상 중에서 다른 부분에 비해 상대적으로 어두운 암부 영역을 특정하고, 당해 암부 영역에 상당하는 시료 위치로서, 암부 영역의 장변 방향으로 주사선 방향을 따르게 하도록, 상기 편향기에 의한 주사선 방향과 주사 영역을 설정하는 하전 입자선 장치를 제안한다.
상기 구성에 따르면, 트렌치와 같은 홈 혹은 구멍의 화상으로부터, 트렌치 나 구멍 내에 설치된 구멍 등을 찾아내기 위한 장치 조건의 설정, 혹은 트렌치 등 내에 설치된 구멍 등을 고정밀도로 측정하는 것이 가능해진다.
도 1은 비아-인-트렌치의 구조(평면, 단면도)를 설명하는 도면.
도 2는 주사형 전자 현미경 시스템을 나타내는 구성도.
도 3은 비아 패턴 검출을 위한 장치 조건 설정 공정을 나타내는 플로우차트.
도 4는 트렌치 인식을 위한 전자선 주사 시의 프레임 수 자동 설정 처리의 개요를 설명하는 도면.
도 5는 비아 인식을 위한 전자선 주사 시의 프레임 수 자동 설정 처리의 개요를 설명하는 도면.
도 6은 비아 패턴 검출 처리 공정을 나타내는 플로우차트.
도 7은 트렌치 인식 처리의 개요를 나타내는 도면.
도 8은 트렌치 영역 특정 처리의 개요를 나타내는 도면.
도 9는 트렌치의 장변 방향이 주사선 방향이 되도록, 주사 영역을 설정했을 때에 얻어지는 신호 파형 예를 나타내는 도면.
도 10은 주사 전자 현미경 시스템의 구체적인 일례를 나타내는 도면.
도 11은 화소 단위로 빔의 조사 조건을 기억하는 좌표 메모리의 개요를 나타내는 도면.
도 12는 비아 탐색 공정을 포함하는 자동 측정 공정을 나타내는 플로우차트.
최근의 반도체 디바이스의 미세화에 수반해서, 트렌치(홈 형상 패턴)나 비아(홀 패턴)의 애스펙트비(깊이/폭)가 커지고 있다. 그 결과, 비아 에지나 트렌치 바닥의 신호가 검출하기 어려워지고 있다. 또한 미세한 비아나 트렌치의 형성에 있어서는 SADP(Self Aligned Double Patterning) 등의 2중 패터닝을 사용할 필요가 있고, 성막이나 에칭 공정 등 다양한 공정의 영향을 받는다. 이 때문에 비아나 트렌치의 치수뿐만 아니라 각각의 위치 어긋남이나 잔막(殘膜) 등을 관리할 필요가 있다.
이하에 설명하는 실시예에서는, 패턴에 맞춘 방향으로 전자선 주사를 행함으로써, 계측 대상 패턴을 핀포인트로 촬상하여, 촬상 시간의 단축에 의해 스루풋 향상을 도모한다. 특히, 도 1에 나타내는 비아-인-트렌치와 같은 다층 구조의 계측에 유효하다. 비아-인-트렌치는, 적어도 2개의 패턴층으로 구성되고, 상층의 라인 패턴 간의 홈(트렌치) 영역의 하층에 비아가 위치한다(도 1의 (a), (b)). 상층의 Line/Space 패턴과 비교하면, 전자의 시료 상에의 탈출이 제한되는 하층의 홀 패턴의 신호 검출은 곤란하다. 그 때문에, 상대적으로 검출하기 쉬운 트렌치 영역의 인식과, 그 영역 내에 존재하는 비아 패턴의 인식을 단계적으로 행함으로써, 집중해서 via 패턴의 영역에 전자선을 조사할 수 있다.
트렌치 영역의 인식은, 우선 트렌치 방향에 수직이 되도록 전자선 주사를 행하고, 얻어진 신호 파형을 사용해서 실시한다. 트렌치 방향에 수직이 되는 방향, 즉 패턴의 Edge 방향에 수직으로 전자선 조사를 행하기 때문에, 효율적으로 신호를 얻을 수 있다. 또한, 여기에서는 트렌치 영역을 인식할 수 있으면 되기 때문에, 단위 면적당 전자선 조사량은, 인식할 수 있는 최저한의 조사량으로 충분하다. 다음으로 비아의 계측을 행하기 위해, 상기에서 인식한 트렌치 부분에 대해, 트렌치 방향과 수평 방향이 되도록 전자선 조사를 행한다. 여기에서는, 신호의 발생 효율이 나쁘기 때문에, 전자선 조사량을 증대시킬 필요가 있다. 단, 여기에서는, 트렌치 영역에만 집중하여 전자선 주사를 행하기 때문에, 비아 부분의 주변 영역도 포함하여 전자선 주사를 행할 경우에 비해, 효율적으로 전자선 주사를 할 수 있다.
상술한 바와 같은 방법에 따르면, 계측 대상의 패턴의 에지 방향으로 집중적으로 주사선을 조사할 수 있고, 계측 대상 이외의 개소에는 무용(無用)의 전자선 조사는 행하지 않기 때문에, 장치의 스루풋 향상을 기대할 수 있다.
도 2는, 주사형 전자 현미경 시스템을 나타내는 구성도이다. 주사형 전자 현미경 시스템은, 화상 처리 장치(1)와, 외부 기억 매체(2)와, 전자빔 제어부(3)와, 하우징(4)과, 화상 생성부(5)를 포함하여 구성된다. 화상 처리 장치(1)는, CPU(Central Processing Unit)와 메모리와 하드디스크(기억 수단)와 네트워크 인터페이스를 갖는 컴퓨터로서 구성되고, 이 컴퓨터는, CPU가, 메모리 상에 읽어들인 프로그램을 실행함에 의해, 각 처리부를 동작시킨다. 화상 처리 장치(1)는, 표시부인 디스플레이와 접속되어 있다. 외부 기억 매체(2)는, 화상 데이터 등을 유지한다. 전자빔 제어부(3)는, 화상 처리 장치(1)에서 결정한 주사 방법에 따라 전자빔을 제어한다. 하우징(4)은, 전자총(401)과, 전자총으로부터 출사된 전자빔(402)의 조사 위치를 제어하는 주사 코일(403)과, 전자빔(402)의 조사 위치에 따라 시료(404)로부터 방출되는 2차 전자(405)를 검출하는 2차 전자 검출부(406)로 구성된다. 화상 생성부(5)는, 하우징(4)에서 검출된 정보를 화상으로서 생성한다.
도 10은, 주사 전자 현미경 시스템의 구체적인 구성을 나타내는 도면이다. 전자원(1001)으로부터 인출 전극(1002)에 의해 인출되고, 도시하지 않은 가속 전극에 의해 가속된 전자빔(1003)은, 집속 렌즈의 일 형태인 콘덴서 렌즈(1004)에 의해, 좁혀진 후에, 주사 편향기(1005)에 의해, 시료(1009) 상을 일차원적, 혹은 이차원적으로 주사된다. 전자빔(1003)은 시료대(1008)에 내장된 전극에 인가된 음전압에 의해 감속됨과 함께, 대물 렌즈(1006)의 렌즈 작용에 의해 집속되어 시료(1009) 상에 조사된다.
전자빔(1003)이 시료(1009)에 조사되면, 당해 조사 개소로부터 이차 전자, 및 후방 산란 전자와 같은 전자(1010)가 방출된다. 방출된 전자(1010)는, 시료에 인가되는 음전압에 의거하는 가속 작용에 의해, 전자원 방향으로 가속되고, 변환 전극(1012)에 충돌하여, 이차 전자(1011)를 생기게 한다. 변환 전극(1012)으로부터 방출된 이차 전자(1011)는, 검출기(1013)에 의해 포착되고, 포착된 이차 전자량에 의해, 검출기(113)의 출력이 변화된다. 이 출력에 따라 도시하지 않은 표시 장치의 휘도가 변화된다. 예를 들면 이차원상을 형성할 경우에는, 주사 편향기(1005)에의 편향 신호와, 검출기(1013)의 출력의 동기를 취함으로써, 주사 영역의 화상을 형성한다. 또한, 도 1에 예시하는 주사 전자 현미경에는, 전자빔의 주사 영역을 이동하는 편향기(도시생략)가 구비되어 있다. 이 편향기는 서로 다른 위치에 존재하는 동일 형상의 패턴의 화상 등을 형성하기 위해 사용된다. 이 편향기는 이미지 시프트 편향기라고도 불리고, 시료 스테이지에 의한 시료 이동 등을 행하지 않고, 전자 현미경의 시야 위치의 이동을 가능하게 한다. 이미지 시프트 편향기와 주사 편향기를 공통의 편향기로 하고, 이미지 시프트용의 신호와 주사용의 신호를 중첩해서, 편향기에 공급하게 해도 된다.
또한, 도 10의 예에서는 시료로부터 방출된 전자를 변환 전극으로 일단 변환해서 검출하는 예에 대해 설명하고 있지만, 물론 이러한 구성에 한정되지 않고, 예를 들면 가속된 전자의 궤도 상에, 전자 배상관이나 검출기의 검출면을 배치하도록 하는 구성으로 하는 것도 가능하다. 또한, SEM(1000) 내에는 도시하지 않은 블랭킹용 편향기가 설치되어 있다. 블랭킹 편향기는 빔을 빔 광축 밖으로 편향함으로써, 시료에 대한 빔 조사를 차단하는 기구이고, 후술하는 좌표 메모리에 기억된 동작 파라미터에 따라 제어된다.
또한, 본 실시예에서는, 주사 편향기(1005)로서 정전식의 편향기를 채용하고 있다. 전자식의 편향기와 비교해서, 고속인 주사가 가능하다. 또한, 고속 주사가 요구되지 않는 것이면, 전자식의 편향기를 사용하도록 해도 된다. 제어 장치(120)는, 주사 전자 현미경의 각 구성을 제어함과 함께, 검출된 전자에 의거하여 화상을 형성하는 기능이나, 라인 프로파일이라고 불리는 검출 전자의 강도 분포에 의거하여, 시료 상에 형성된 패턴의 패턴 폭을 측정하는 기능을 구비하고 있다. 또한, 제어 장치(1020) 내에는, 주로 SEM의 광학 조건을 제어하는 SEM 제어부(1030)와, 검출기(1013)에 의해 얻어진 검출 신호의 신호 처리를 행하는 신호 처리부(1031)(화상 처리부)가 포함되어 있다.
신호 처리부(1031)에는, 상술한 바와 같은 라인 프로파일의 생성에 의거하여, 패턴의 치수를 측정하는 패턴 치수 측정부(1032), 프로파일 파형에 의거하여, 패턴의 유무, 위치, 형상을 판정하는 패턴 판정부(1033)가 포함되어 있다. SEM 제어부(1030)에는, 패턴 판정부(1034)에서 판정된 패턴 유무, 위치, 형상 등에 의거하여, 전자빔의 주사 범위를 설정하는 주사 범위 설정부(1034), 당해 주사 범위 설정부(1034)에 의해 설정되는 주사 범위 중에서의 주사선 방향을 설정하는 주사 방향 설정부(1035), 및 주사 범위 설정부(1034)나 주사 방향 설정부(1035)에 의해 설정된 빔 주사 조건에 의거하여, 주사 신호를 생성하는 편향기 제어부(1036)가 포함되어 있다.
편향기 제어부(1036)는, 도 11에 예시하는 바와 같은 좌표 메모리에 기억된 정보에 의거하여, 빔 주사를 실행한다. 좌표 메모리(1100)에는, 어드레스마다, 시간 데이터, X좌표 데이터, Y좌표 데이터, 동작 파라미터, 취입 이네이블 데이터가 저장되어 있다. 좌표 메모리(1100)에는, 주사 범위 설정부(1034)나 주사선 방향 설정부(1035)에 의해 설정된 빔의 주사 조건이 기입된다. 메모리의 「시간」에 입력되는 데이터는, 각 어드레스에서의 조사 시간이나 도달 시간 등이고, 화소 단위에서의 설정이 가능하게 되어 있다. 또한, 빔의 동작 파라미터(블랭킹의 온오프, 방향 등)도 화소 단위에서의 설정이 가능하고, 화소 단위에서의 조사 시간(주사 시간), 블랭킹 온 오프 등의 제어가 가능하게 되어 있다. 각 어드레스는 화소에 대응한다. 타이머에 의해 좌표 메모리의 시간 데이터가 판독되고, 어드레스 카운터의 카운트 업에 의해, 좌표 메모리로부터, 1좌표 데이터를 1단위로 해서, 데이터가 판독된다. 어드레스 카운터의 갱신 시간은, 좌표 단위로 변경할 수 있다. 블랭킹 이네이블 데이터는, 1차 전자선의 블랭킹을 좌표 단위로 제어한다. 또한, 취입 이네이블 데이터는, 신호 처리 장치 내에 포함되는 화상 메모리에의 기입을 제어한다.
화상 메모리는, 예를 들면 1024×1024의 화소에서, 깊이 방향으로 256단계의 계조를 기억하는 것이 가능한 메모리이다. SEM 제어 장치로부터 출력되는 신호에 의거하여, 각 어드레스(화소)에 대한 신호의 기입을 실시한다. 화상 메모리의 메모리 위치에 대응한 어드레스 신호를, 빔의 조사 위치에 동기시킴에 의해, 빔의 조사 위치와 기입 좌표를 일치시킨다. 어드레스에 대응하여 판독된 신호는, D-A변환기에서 디지털로부터 아날로그로 변환되고, 상표시 장치의 휘도 변조 입력으로 된다. 신호 처리부(1031)에서는, 복수 회의 주사에 의거하여 얻어진 화상 데이터를 적산하는 적산 처리가 행해진다. 적산 처리는 예를 들면 화소마다 복수의 프레임에 의해 얻어지는 신호를 가산평균함에 의해 행한다. 제어 장치(1020)는, 좌표 메모리(1100)에 입력된 정보에 의거하여, 후술하는 바와 같은 처리를 실행한다.
또한, 패턴 계측 처리는, 미리 등록해둔 선견(先見) 정보를 바탕으로 자동으로 계측 위치의 인식을 행하기 때문에, 계측 패턴 등록 처리와 패턴 계측 시의 자동 인식 처리에 대해 설명한다.
주사 방향 설정부(1035)에서는, 일차원, 혹은 이차원 주사를 행할 때의 주사선 방향을 설정한다. 예를 들면, 이차원적인 주사를 행할 경우, 일 방향(예를 들면 X방향)을 향해 빔을 주사함과 함께, 그 빔 주사 위치를 다른 방향(예를 들면 Y방향)으로 순차 이동시킴에 의해, 이차원 주사를 행한다.
우선, 비아-인-트렌치에 있어서의 패턴 계측에 있어서의 계측 패턴 등록 처리에 대해 설명한다. 처리 플로우를 도 3에 나타낸다. 우선, 트렌치 방향의 특정을 행하기 위해, 트렌치가 포함되는 소정의 영역에 대해 전자선 조사를 행하고, 얻어진 신호 파형으로부터 트렌치 영역과 트렌치 방향을 특정한다(S302). 초기의 빔 주사 조건은, 미리 등록되어 있는 동작 프로그램인 레시피에 따라 주사를 실행한다. 패턴 판정부(1033)에서는, 예를 들면 화상의 2치화를 행하고, 고휘도 영역과 저휘도 영역의 블랍 검출을 행한다. 또한, 패턴 판정부(1033)는, 저휘도 영역의 장변 방향을 특정하고, 후술하는 주사선 방향 설정을 위한 판단 정보로서, 소정의 기억 매체에 기억한다. 또한, 트렌치 방향(트렌치의 장변 방향)은 신호의 2치화를 행하고, 고휘도 또는 저휘도측의 영역의 블랍 검출을 행하고, 블랍 길이가 긴 방향을 트렌치 방향으로서 인식할 수도 있고, 신호를 주파수 변환하여 가장 강한 피크가 나타나는 방향을 트렌치 방향으로 하는 것도 가능하다. 또한, 미리 트렌치 방향을 알고 있을 경우는, 본 처리를 생략 가능할 수 있다.
다음으로, 트렌치의 인식을 행하는데 있어 필요한 정보를 등록한다. 우선은, 주사 범위 설정부(1034)에서는, 트렌치 검출에서 전자선을 조사하는 영역(촬상 배율)의 설정을 행한다(S303). 트렌치의 인식에 있어서는, 트렌치 방향에 수직이 되도록 전자선 주사를 행하지만, 여기에서는 트렌치만의 인식이기 때문에, 단위 면적당 전자선 조사량은 트렌치 위치 특정할 수 있는 최저한의 조사량으로 할 수 있고, 본 처리에 있어서 전자선 조사량의 자동 설정을 행한다(S304). SEM상의 촬상에 있어서는, 동일한 영역에 대해 복수 회 전자선 주사를 행하고, 그 신호를 가산함으로써 S/N비를 향상시키지만, 여기에서는 전자선 조사량은 동일한 영역을 주사하는 횟수(프레임 수)로 한다. 트렌치의 인식은, 미리 등록해둔 화상 데이터를 사용해서 행하는 템플릿 매칭, 또는 촬상한 화상의 2치화에 의해 암부를 특정하는 방법이 있다. 여기에서는, 2치화에 의해 암부 특정을 위한 프레임 수 자동 설정 처리에 대해 설명한다(도 4).
우선, 1프레임으로부터 프레임을 하나씩 증가시켜 전자선 주사를 행하고(도 4의 (a)), 각 프레임에 있어서 가산한 신호의 신호 강도의 히스토그램의 산출을 행한다(도 4의 (b)). 라인/트렌치부에서 히스토그램의 강도 분포가 2개로 나눠지기 때문에, 2개의 피크의 거리(분리도)를 산출한다. 프레임 수가 증가하면 신호의 S/N비가 안정되어 가고, 또한 분리도도 안정되어 가기 때문에, 분리도의 변화가 소정의 양보다 적게 된 프레임을 트렌치 검출의 프레임 수로서 설정한다(도 4(c)). 또한, 프레임 수를 수동으로 설정할 경우는, 본 처리를 생략 가능할 수 있다. 트렌치의 폭에 대해서는, 등록 시에 설정해 두는 것도 가능하지만, 실제의 패턴 계측 처리에 있어서 자동 검출하는 것도 가능하다. 자동 검출 처리에 대해서는, 이후의 실시예에서 설명한다.
다음으로 비아의 인식을 행하는데 있어 필요한 정보를 등록한다. 필요해지는 정보는 비아 영역의 주사 범위(빔이 조사되는 영역 정보), 주사 방향, 및 전자선 주사의 프레임 수이다(S305, S306). 비아의 계측에 필요한 파라미터나 알고리즘 등도 본 처리에서 등록 가능하지만, 여기에서는, 프레임 수의 등록 처리에 대해 설명한다. 비아부는 라인부의 하층에 존재하고, 전자선 조사에 의한 신호가 나오기 어렵기 때문에, 계측에 필요한 S/N비를 얻기 위해, 충분한 전자선 조사를 행할 필요가 있다. 그래서, 충분한 S/N비를 얻어을 수 있는 프레임 수로 설정하기 위해, 계측 대상으로 하는 비아부에 복수 회 전자선 조사를 행하고(도 5의 (a)), 각 이산 프레임에 있어서의 신호의 최대값과 최소값의 차를 산출한다(도 5의 (b)). 최대값과 최소값의 차가 전회(前回)의 프레임 수와 비교해서 소정의 역치 이내이면, 그 프레임 수를 비아 촬상용의 프레임 수로서 등록한다(도 5의 (c)).
비아-인-트렌치에 있어서의 패턴 검출 공정, 및 패턴 측정 공정을 도 6에 예시하는 플로우차트를 사용해서 설명한다. 처리를 개시하기 전에, 전자선 주사 영역 내에 비아가 들어가도록, 스테이지 등을 비아 계측 가능한 위치에 이동시켜 둘 필요가 있다. 우선, 상층의 트렌치부를 특정하기 위해, 등록 시에 설정한 전자선 주사 방향(트렌치 방향에 수직인 방향), 배율, 프레임 수를 설정하고 전자선 주사를 행한다(S602). 패턴 판정부(1033)에서는, 전자선을 주사하여 얻어진 신호 파형을 사용해서, 트렌치부의 특정을 행한다(S603). 트렌치부의 특정은, 얻어진 신호 파형을 오츠의 2치화 또는 미리 설정한 역치 등으로 2치화해서 특정할 수 있다. 보다 구체적으로는 도 7에 예시하는 바와 같이, 전자빔을 주사했을 때에 얻어지는 프로파일 파형을 사용해서, 라인부인 명부(明部)와, 트렌치부인 암부를 식별한다. 도 7의 예에서는 소정의 역치보다 밝은 부분을 라인부, 소정의 역치보다 어두운 부분을 트렌치로서 식별하고 있다.
다음으로 주사 범위 설정부(1034)에서는, 비아 계측 시의 전자선 조사 폭(트렌치 폭)을 산출한다. 도 8에 예시하는 바와 같이, 주사 범위 설정부(1034)는, 비아 촬상 시에 명부가 포함되지 않도록, 암부만을 특정한다. 그래서, 신호 파형의 최대값, 최소값과 소정의 역치로부터 산출한 휘도값 이하의 영역을 검출한다. 소정의 역치는 프로그램 내부에서 설정해도 되고, 외부 파라미터로서 설정하는 것도 가능하다. 암부만을 선택적으로 주사 범위로 함에 의해, 시료 표면의 밝은 부분(전자를 보다 많이 검출할 수 있는 부분)을 신호 파형 형성 범위로부터 제외할 수 있기 때문에, 상대적으로 트렌치 내의 비아 에지의 콘트라스트를 높일 수 있다.
또한, 주사 방향 설정부(1035)에서는, 주사선의 선 방향이 트렌치의 장변 방향이 되도록, 주사 조건을 설정한다. 도 9에 예시하는 트렌치는, 트렌치의 장변 방향이 지면(紙面) 횡방향(x방향)이기 때문에, x방향으로 주사선(주사 궤적)이 따르도록, 주사선 방향이 설정된다. 이와 같이 트렌치의 장변 방향을 따라 (이상적으로는 트렌치의 에지에 평행하게) 주사선을 설정함에 의해, 트렌치 내에 설치된 비아의 에지를 강조할 수 있다. 또한, y방향으로 주사선 위치의 이동 방향을 설정한다. 트렌치 내에 형성된 비아는, 지면 종방향(y방향)의 에지는 트렌치의 에지와 거의 겹쳐 있기 때문에, 검출이 곤란하고, 또한, 트렌치 내에 선택적으로 주사 범위를 설정하는 전제를 고려하면, 비아의 y방향의 에지를 주사 범위에 포함시키는 것은 곤란하다. 본 실시예에서는, 트렌치 내에 선택적으로 주사 범위를 설정함과 함께, 주사 범위 내에 비아의 에지를 확실히 들어가도록, 트렌치의 장변 방향으로 주사선 방향이 따르도록, 주사 조건을 설정한다.
이어서, 주사 범위 설정부(1034)나 주사 방향 설정부(1035)에서 산출된 영역에, 전자빔을 주사함에 의해 비아의 검출을 행한다. 전자선을 주사하는 길이(주사선의 길이)는 등록 시에 설정한 폭, 주사하는 폭(주사선 방향과 직교하는 방향의 주사 범위의 크기)은, 주사 범위 설정부(1034)에 의해 구해진 폭, 프레임 수는 등록 시에 설정한 매수가 설정된다. 주사 방향은 패턴 판정부(1033)에 의해 특정된 암부의 장변 방향으로, 주사선 방향이 따르도록 설정된다. 이와 같이 트렌치 영역을 대상으로 해서, 트렌치의 장변 방향에 수평으로 전자선 궤도가 그려지도록 전자선 주사를 행한다(S604).
다음으로, 트렌치 영역에는 반드시 비아가 존재한다고는 할 수 없기 때문에, 비아가 존재하는지의 여부의 판정을 행한다(S605). 주사 영역의 신호의 최대값, 최소값을 뺀 값이 소정의 역치 이상이면, 비아가 존재하는 영역으로 판정할 수 있다. 도 9의 예에서는, 주사 영역(2)에서 취득된 신호에, 소정 값 이상의 최대값과 최소값의 차이가 있기 때문에, 패턴 판정부(1033)에서는 주사 영역(2)에 비아가 존재하는 것으로 판정한다.
마지막으로, 비아로 판정한 영역에 대해, 패턴 치수 측정부(1032)는, 소정의 알고리즘, 계측 파라미터를 사용해서 비아의 폭을 산출한다(S606). 본 처리를 패턴 판정부(1033)에서, 비아가 존재하고 있는 것으로 판정된 트렌치만큼 반복한다(S607).
이와 같이, 패턴의 방향에 대해 전자선 주사 방향을 나눠 주사함으로써, 계측 대상 부분만 효율적으로 전자선 주사를 행하는 것이 가능해져, 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
도 12는, 전자 현미경을 사용한 자동 측정 공정을 나타내는 플로우차트이다. 도 12에 예시하는 자동 측정 공정에는, 자동으로 비아-인-트렌치를 탐색하고, 측정을 실행하는 공정이 포함되어 있다. 우선, 도 10에 예시하는 바와 같은 주사 전자 현미경의 편향기 제어부(1036)는, 미리 정해진 주사 조건에 의거하여, 트렌치를 포함하는 영역에 시야를 위치 부여하고, 빔 주사를 실행한다(스텝 1201). 시료 스테이지의 이동 조건이나 시야 이동용 편향기의 편향 조건을 미리 촬상 레시피로서 설정해 두는 것에 의해, 자동으로의 시야 맞춤, 및 빔 주사가 가능해진다. 다음으로, 주사에 의해 얻어진 이차 전자나 후방 산란 전자 등의 신호에 의거하여, 화상을 생성한다(스텝 1202). 다음으로, 패턴 판정부(1033)에서는, 얻어진 화상으로부터 도 7, 8에 예시하는 바와 같은 방법에 의거하여, 트렌치부를 특정한다(스텝 1203). 트렌치는 홈 바닥으로부터 방출되는 전자의 검출에 의거하여 휘도가 결정되기 때문에, 라인 패턴 상부와 비교하면, 휘도가 낮아, 그 휘도차를 이용해서, 트렌치부와 그 이외의 부분을 식별한다. 스텝 1202에서 형성된 화상 내에 암부가 존재하지 않을 경우는, 측정 대상으로 되는 비아-인-트렌치가 없는 것으로 해서, 측정을 종료한다. 트렌치의 특정에는 예를 들면, 휘도가 소정 값 이하의 화소의 집합(소정 수 이상의 화소의 집합)이 존재할 경우에, 당해 부분을 트렌치로 판정하도록 해도 되고, 트렌치의 형상 정보를 미리 기억해두고, 당해 형상 정보와 암부의 비교에 의거하여, 형상 정보와 암부의 형상 상태 지표가 소정 값 이상일 경우에, 트렌치가 존재한다고 판단하도록 해도 된다. 또한, 암부가 특정한 방향으로 길게 연장해 있는 바와 같은 경우에 당해 긴 암부 영역을 트렌치로서 특정하도록 해도 된다.
다음으로, 패턴 판정부(1033)는, 트렌치의 장변 방향을 판정한다(스텝 1204). 트렌치의 장변 방향의 판정에는 예를 들면, 암부 영역의 무게 중심을 구하고, 당해 무게 중심을 기준으로 해서 복수의 방향의 길이를 구하고, 그 중에서 가장 긴 방향을 트렌치의 장변 방향으로 하는 등의 처리를 생각할 수 있다. 또한, 암부 영역의 에지를 추출하고, 직선 근사할 수 있는 부위의 길이가 가장 긴 에지 방향을 장변 방향으로 판정하도록 해도 된다.
다음으로, 주사 범위 설정부(1034)는, 트렌치 내부를 선택적으로 주사 영역으로 하고, 주사 방향 설정부(1035)는, 주사선 방향(주주사 방향)을 트렌치의 장변으로 함과 함께, 주사선의 이동 방향(부주사 방향)을 트렌치의 장변 방향에 직교하는 방향으로 설정한다(스텝 1205). 주사선 방향의 주사 영역의 길이는, 비아가 포함된다고 생각되는 영역을 포함하도록 설정할 필요가 있기 때문에, 위치 어긋남 등도 고려하여 비아 직경보다 충분히 긴 주사 범위를 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 주사선에 직교하는 방향의 주사 영역의 길이는, 시료 표면과 주사 범위가 중첩하지 않도록 설정한다. 또한, 시료 표면과 주사 범위가 중첩하지 않도록, 측정 정밀도를 저하시키지 않는 범위에서, 트렌치 영역보다 좁은 주사 영역을 설정하도록 해도 된다.
다음으로, 편향기 제어부(1036)는, 주사 범위 설정부(1034)와 주사 방향 설정부(1035)에 의해 설정된 주사 조건에 의거하여, 빔 주사를 행하기 위한 신호를 주사 편향기(1005)에 공급하고, 트렌치에의 선택적인 빔 주사를 실행한다(스텝 1206). 트렌치가 복수 있을 경우에는, 설정된 트렌치만큼, 스텝 1206의 주사를 반복한다. 이러한 주사에 의해 얻어진 신호 파형을 사용해서, 패턴 판정부(1033)에서는 비아의 검출을 행한다(스텝 1207, 1208). 도 9에 예시하는 바와 같은 각 주사 영역의 신호 검출에 의해, 비아의 유무를 판정할 수 있으므로, 패턴 치수 측정부(1032)는, 비아가 존재하는 주사 영역에 대해, 측정을 실행한다(스텝 1209). 비아가 존재하지 않을 경우는, 측정을 행하지 않고 측정 처리를 종료한다. 단, 설계 데이터상, 비아가 위치해야 할 위치에 비아가 존재하지 않을 경우는, 반도체 디바이스의 불량이나, 전자 현미경의 화상이 적정히 형성되어 있지 않음을 생각할 수 있으므로, 패턴 판정부(1033)로부터 에러 정보를 출력하도록 해도 된다.
또한, 비아를 반도체 디바이스의 불량 등에 의해 검출할 수 없는 것인지, 원래 비아가 존재하지 않는 트렌치이기 때문에 비아를 검출할 수 없는 것인지 판단할 수 없는 경우에는, 패턴 판정부(1033)는, 비아의 배열 정보를 참조함에 의해, 그 식별을 행할 수 있다. 예를 들면, 비아가 배열된 트렌치가 하나 띄어 배열되어 있는 것이, 설계 데이터상 명확한 경우에는, 비아의 검출 결과(비아의 배열 상태)와 설계 데이터를 비교하여, 비아의 검출 결과가 설계 데이터의 배열 상태와 합치하고 있을 경우는, 반도체 디바이스가 적정히 형성되어 있거나, 혹은 측정 결과가 적절한 것으로 판정하고, 양자가 불일치일 경우에는, 반도체 디바이스의 불량, 혹은 패턴 검출이 적절히 행해지지 않은 가능성이 있기 때문에, 그 취지를 검출 결과로서 출력하도록 해도 된다. 이러한 구성에 따르면, 적정히 측정이 행해지지 않을 때의 원인 추구를 행하는 것이 용이해진다.
1 화상 처리 장치 2 외부 기억 매체
3 전자빔 제어부 4 하우징
5 화상 생성부 401 전자총
402 전자빔 403 주사 코일
404 시료 405 2차 전자
406 2차 전자 검출부

Claims (8)

  1. 하전 입자원으로부터 방출되는 하전 입자빔을 주사하는 편향기와, 상기 하전 입자빔의 주사에 의거하여 얻어지는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 당해 검출기의 출력에 의거하여, 화상을 생성하는 연산 처리 장치를 구비한 하전 입자선 장치에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 생성된 화상 중에서 다른 부분에 비해 상대적으로 어두운 암부(暗部) 영역을 특정하고, 당해 암부 영역에 상당하는 시료 위치에 선택적으로 상기 하전 입자빔이 주사되도록, 상기 편향기를 제어하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 암부의 장변 방향으로 상기 하전 입자빔의 주사선 방향을 따르게 하도록, 상기 하전 입자빔의 주사 방향을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 선택적인 주사에 의거하여 얻어진 신호에 의거하여, 상기 암부 영역에 포함되는 패턴의 치수 측정을 실행하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 선택적인 주사에 의거하여 얻어진 신호에 의거하여, 상기 암부 영역에 포함되는 패턴 치수 측정 실행의 유무를 판정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 암부 영역은, 그 내부에 비아를 포함하는 트렌치인 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  6. 하전 입자원으로부터 방출되는 하전 입자빔을 주사하는 편향기와, 상기 하전 입자빔의 주사에 의거하여 얻어지는 하전 입자를 검출하는 검출기와, 당해 검출기의 출력에 의거하여, 화상을 생성하는 연산 처리 장치를 구비한 하전 입자선 장치에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 생성된 화상 중에서 다른 부분에 비해 상대적으로 어두운 암부 영역을 특정하고, 당해 암부 영역에 상당하는 시료 위치로서, 암부 영역의 장변 방향으로 주사선 방향을 따르게 하도록, 상기 편향기에 의한 주사선 방향과 주사 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 암부 영역의 장변 방향에 대한 주사의 영역이, 상기 암부 영역에 상당하는 시료 위치에 포함되도록, 주사 영역을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 연산 처리 장치는, 상기 암부 영역의 특정에 의거하여, 상기 시료 상에 형성된 트렌치의 장변 방향을 특정하고, 당해 장변 방향에 주사선 방향이 평행해지도록, 주사 조건을 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 장치.
KR1020187020339A 2016-01-29 2016-01-29 하전 입자선 장치 KR102206999B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/052559 WO2017130364A1 (ja) 2016-01-29 2016-01-29 荷電粒子線装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180095019A true KR20180095019A (ko) 2018-08-24
KR102206999B1 KR102206999B1 (ko) 2021-01-25

Family

ID=59397661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187020339A KR102206999B1 (ko) 2016-01-29 2016-01-29 하전 입자선 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10984980B2 (ko)
KR (1) KR102206999B1 (ko)
WO (1) WO2017130364A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019180760A1 (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 株式会社 日立ハイテクノロジーズ パターン計測装置、及び計測を実行させるプログラムを記憶する非一時的なコンピュータ可読媒体
WO2022091234A1 (ja) * 2020-10-28 2022-05-05 株式会社日立ハイテク 荷電粒子ビーム装置および試料観察方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003016983A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法
JP2012084287A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式外観検査装置
KR20130135345A (ko) * 2011-04-15 2013-12-10 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 하전 입자 현미경 장치 및 화상 촬상 방법
JP2014163860A (ja) 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体パターン計測方法およびその装置
WO2015045498A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
KR20150045498A (ko) 2012-08-24 2015-04-28 타케히코 아베 전장처리 가열가공장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060060781A1 (en) * 1997-08-11 2006-03-23 Masahiro Watanabe Charged-particle beam apparatus and method for automatically correcting astigmatism and for height detection
JP5425601B2 (ja) * 2009-12-03 2014-02-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置およびその画質改善方法
US8559001B2 (en) * 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
JP6029293B2 (ja) * 2012-03-07 2016-11-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡の画像処理装置、および、走査方法
WO2015182224A1 (ja) * 2014-05-27 2015-12-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線を用いたパターン寸法計測方法及びそのシステム
CN107004554B (zh) * 2014-06-25 2019-06-04 Fei埃法有限公司 使用在线纳米探测的贯穿工艺流程的芯片内和芯片间的电分析和过程控制
US9490101B2 (en) * 2015-03-16 2016-11-08 Applied Materials Israel Ltd. System and method for scanning an object
US9502211B1 (en) * 2015-05-03 2016-11-22 Fei Company Adaptive scanning for particle size using directed beam signal analysis
US9824852B2 (en) * 2015-12-31 2017-11-21 Applied Materials Israel Ltd CD-SEM technique for wafers fabrication control

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003016983A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Hitachi Ltd 荷電粒子線装置および自動非点収差調整方法
JP2012084287A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式外観検査装置
KR20130135345A (ko) * 2011-04-15 2013-12-10 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 하전 입자 현미경 장치 및 화상 촬상 방법
KR20150045498A (ko) 2012-08-24 2015-04-28 타케히코 아베 전장처리 가열가공장치
JP2014163860A (ja) 2013-02-27 2014-09-08 Hitachi High-Technologies Corp 半導体パターン計測方法およびその装置
WO2015045498A1 (ja) * 2013-09-26 2015-04-02 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017130364A1 (ja) 2017-08-03
US20190035600A1 (en) 2019-01-31
KR102206999B1 (ko) 2021-01-25
US10984980B2 (en) 2021-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4528014B2 (ja) 試料検査方法
US7292327B2 (en) Circuit-pattern inspection apparatus
US8295584B2 (en) Pattern measurement methods and pattern measurement equipment
JP5500871B2 (ja) テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置
US8044352B2 (en) Electron microscopy
KR101524421B1 (ko) 결함 관찰 방법 및 결함 관찰 장치
KR101753669B1 (ko) 패턴 측정 방법, 하전 입자선 장치의 장치 조건 설정 방법, 및 하전 입자선 장치
WO2013153891A1 (ja) 荷電粒子線装置
US20090084953A1 (en) Method and system for observing a specimen using a scanning electron microscope
US9177757B2 (en) Charged particle beam apparatus
JP2009037939A (ja) 走査型電子顕微鏡
US10712152B2 (en) Overlay error measurement device and computer program
US10204760B2 (en) Charged particle beam apparatus
KR102206999B1 (ko) 하전 입자선 장치
JP4136883B2 (ja) 欠陥観察方法
JP3836735B2 (ja) 回路パターンの検査装置
US9831062B2 (en) Method for pattern measurement, method for setting device parameters of charged particle radiation device, and charged particle radiation device
CN110889417A (zh) 轮廓提取方法、轮廓提取装置及非易失性记录介质
JP5131105B2 (ja) パターン検査方法及び装置
JP5712073B2 (ja) 試料の検査条件・測定条件の自動判定方法及び走査型顕微鏡
JP2002353279A (ja) 回路パターン検査方法とその装置
JP4262288B2 (ja) パターンマッチング方法及び装置
CN103201819B (zh) 图案判定装置以及凹凸判定方法
TW201541497A (zh) 帶電粒子束裝置
TWI835173B (zh) 帶電粒子線裝置的拍攝圖像之條件決定方法、程式及計算機

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant