KR20180092006A - Rudder force measuring unit and substrate treating apparatus including the same - Google Patents

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KR20180092006A
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Abstract

The present invention is intended to provide a force measuring unit capable of measuring force of a nozzle used in a substrate cleaning process. Further, the present invention provides a force measuring unit capable of checking performance of a cleaning nozzle before the process, and a substrate processing apparatus having the same. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can comprise: a chamber for providing a space for processing a substrate; a support unit provided inside the chamber to support the substrate; a spray unit having a nozzle for supplying a cleaning medium to the substrate supported by a support unit; and a force measuring unit provided on one side of the chamber for measuring the force of the cleaning medium ejected from the nozzle.

Description

타력 측정 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치{RUDDER FORCE MEASURING UNIT AND SUBSTRATE TREATING APPARATUS INCLUDING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a rudder force measuring unit and a substrate processing apparatus including the rudder measuring unit.

본 발명은 타력 측정 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a force measuring unit and a substrate processing apparatus including the same.

기판 표면에 잔류하는 입자(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.Contaminants such as particles, organic contaminants, and metal contaminants remaining on the substrate surface have a great influence on the characteristics of the semiconductor device and the yield of production. Therefore, a cleaning process for removing various contaminants adhering to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process for cleaning the substrate is performed before and after each unit process for manufacturing a semiconductor.

세정 기술 중에서도 가장 어려운 기술이 기판상에 패턴을 형성한 후 세정하는 기술이다. 기판상의 패턴은 아주 약한 힘에도 붕괴될 수 있기 때문에, 세정력이 붕괴력까지 이르지 않도록 조정하는 것이 매우 중요하다. 그러나 이러한 세정력을 측정하기 위한 방법으로 현재 제공되고 있는 압력 측정 타입의 노즐 타력 측정기는 미세한 측정값을 측정할 수 없는 문제가 존재한다.Among the cleaning technologies, the most difficult technique is to clean the substrate after forming a pattern on the substrate. Since the pattern on the substrate can collapse under very weak forces, it is very important to adjust so that the cleaning force does not reach the collapse force. However, there is a problem that the pressure measuring type nozzle force measuring device currently provided as a method for measuring the washing power can not measure minute measurement values.

본 발명은 기판 세정 공정에 사용되는 노즐의 타력을 측정할 수 있는 타력 측정 유닛을 제공하기 위한 것이다.The present invention is intended to provide a force measuring unit capable of measuring the force of a nozzle used in a substrate cleaning process.

또한, 본 발명은 공정 전에 세정 노즐의 성능을 미리 점검할 수 있는 타력 측정 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention is to provide a force measuring unit capable of checking the performance of the cleaning nozzle before the process, and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and the matters not mentioned above can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings .

본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지유닛; 상기 지지유닛에 지지된 상기 기판으로 세정매체를 공급하는 노즐을 갖는 분사유닛; 및 상기 챔버의 일측에 제공되며 상기 노즐로부터 분사되는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정 유닛을 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber for providing a space for processing a substrate; A support unit provided inside the chamber to support the substrate; A spraying unit having a nozzle for supplying a cleaning medium to the substrate supported by the supporting unit; And a force measuring unit provided on one side of the chamber and measuring the force of the cleaning medium ejected from the nozzle.

상기 타력 측정 유닛은, 상기 노즐에서 상기 세정매체가 토출되는 토출구의 입구를 둘러싸도록 설치되며, 상기 토출구를 향해있는 내부 공간에 소정량의 액체를 포함하는 포트; 상기 액체 내에 위치하도록 제공되는 캔틸레버(cantilever); 및 상기 캔틸레버의 고정단과 타단 중 타단의 변위를 측정하는 변위 측정부를 포함할 수 있다.Wherein the force measurement unit includes a port which surrounds an inlet of a discharge port through which the cleaning medium is discharged from the nozzle and includes a predetermined amount of liquid in an inner space facing the discharge port; A cantilever provided to be positioned in the liquid; And a displacement measuring unit measuring the displacement of the fixed end of the cantilever and the other end of the other end.

상기 타력 측정 유닛은, 상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함하며, 상기 변위 측정부는 상기 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 상기 캔틸레버의 타단의 변위를 측정할 수 있다.The impact force measurement unit may further include an image pickup unit for picking up an internal space of the port, and the displacement measurement unit may measure a displacement of the other end of the cantilever through an image pickup result of the image pickup unit.

상기 포트는 일부면이 투명하게 형성되며, 상기 촬상유닛은 투명한 상기 일부면을 통해 상기 포트의 내부 공간을 촬상할 수 있다.The port is formed in a transparent manner on a part of the surface, and the imaging unit can capture the internal space of the port through the transparent part.

상기 캔틸레버는 폴리이미드(polyimide) 필름을 포함할 수 있다.The cantilever may include a polyimide film.

상기 포트의 내부 공간의 액체는 상기 기판에 수행되는 공정에 따라 양이 조절될 수 있다.The amount of liquid in the inner space of the port can be adjusted according to a process performed on the substrate.

상기 기판 처리 장치는, 상기 변위 측정부에서 측정된 상기 캔틸레버의 타단의 변위에 기반하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정부를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include a force measuring unit for measuring a force of the cleaning medium discharged from the nozzle based on a displacement of the other end of the cantilever measured by the displacement measuring unit.

상기 기판 처리 장치는, 상기 포트의 내부 공간을 촬상하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 토출각 및 토출 상태를 감지하는 촬상유닛을 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus may further include an image pickup unit that picks up an internal space of the port and senses a discharge angle and a discharge state of the cleaning medium discharged by the nozzle.

본 발명의 일 실시 예에 따라, 기판상에 세정매체를 공급하는 노즐을 검사하는 장치는, 상기 노즐에서 상기 세정매체가 토출되는 토출구의 입구를 둘러싸도록 설치되며, 상기 토출구를 향해있는 내부 공간에 소정량의 액체를 포함하는 포트; 상기 액체 내에 위치하도록 제공되는 캔틸레버; 및 상기 캔틸레버의 고정단과 타단 중 타단의 변위를 측정하는 변위 측정부를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided an apparatus for inspecting a nozzle for supplying a cleaning medium on a substrate, the apparatus comprising: a nozzle installed in the nozzle to surround the inlet of the discharge port through which the cleaning medium is discharged, A port containing a predetermined amount of liquid; A cantilever provided to be positioned in the liquid; And a displacement measuring unit measuring the displacement of the fixed end of the cantilever and the other end of the other end.

상기 타력 측정 유닛은, 상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함하며, 상기 변위 측정부는 상기 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 상기 캔틸레버의 타단의 변위를 측정할 수 있다.The impact force measurement unit may further include an image pickup unit for picking up an internal space of the port, and the displacement measurement unit may measure a displacement of the other end of the cantilever through an image pickup result of the image pickup unit.

상기 포트는 일부면이 투명하게 형성되며, 상기 촬상유닛은 투명한 상기 일부면을 통해 상기 포트의 내부 공간을 촬상할 수 있다.The port is formed in a transparent manner on a part of the surface, and the imaging unit can capture the internal space of the port through the transparent part.

상기 캔틸레버는 폴리이미드 필름을 포함할 수 있다.The cantilever may include a polyimide film.

상기 포트 내부 공간의 액체는 상기 기판상에 수행되는 공정에 따라 양이 조절될 수 있다.The amount of liquid in the port internal space can be controlled according to a process performed on the substrate.

상기 타력 측정 유닛은, 상기 변위 측정부에서 측정된 상기 캔틸레버의 타단의 변위에 기반하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정부를 더 포함할 수 있다.The impact force measuring unit may further include a force measuring unit for measuring a force of the cleaning medium discharged from the nozzle based on a displacement of the other end of the cantilever measured by the displacement measuring unit.

상기 타력 측정 유닛은, 상기 포트의 내부 공간을 촬상하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 토출각 및 토출 상태를 감지하는 촬상유닛을 더 포함할 수 있다.The impact force measurement unit may further include an image pickup unit for sensing an internal space of the port and detecting a discharge angle and a discharge state of the cleaning medium discharged by the nozzle.

본 발명의 실시 예에 따르면 기판 세정 공정에 사용되는 노즐의 타력을 측정할 수 있는 타력 측정 유닛을 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a force measuring unit capable of measuring the force of a nozzle used in a substrate cleaning process can be provided.

또한, 본 발명의 실시 예에 따르면 공정 전에 세정 노즐의 성능을 미리 점검할 수 있는 타력 측정 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.Further, according to the embodiment of the present invention, it is possible to provide a force measuring unit capable of checking the performance of the cleaning nozzle before the process, and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 3 및 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 타력 측정 유닛의 기능을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 4에서의 캔틸레버의 일부를 예시적으로 나타낸 도면이다.1 is a plan view schematically showing a substrate processing facility.
2 is a view showing an example of a substrate processing apparatus.
3 and 4 are views for explaining the functions of the hit ratio measuring unit according to an embodiment of the present invention.
Fig. 5 is a view exemplarily showing a part of the cantilever in Fig. 4. Fig.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는'이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 나타낸 평면도이다. 1 is a plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함한다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes an index module 100 and a process processing module 200. The index module 100 includes a load port 120 and a transfer frame 140. The load port 120, the transfer frame 140, and the process module 200 are sequentially arranged in a line. Hereinafter, the direction in which the load port 120, the transfer frame 140, and the processing module 200 are arranged is referred to as a first direction 12. A direction perpendicular to the first direction 12 is referred to as a second direction 14 and a direction perpendicular to the plane including the first direction 12 and the second direction 14 is referred to as a third direction (16).

로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 놓인다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(130)내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.The carrier 130 in which the substrate W is housed is placed in the load port 120. A plurality of load ports 120 are provided, and they are arranged in a line along the second direction 14. In FIG. 1, four load ports 120 are shown. However, the number of load ports 120 may increase or decrease depending on conditions such as process efficiency and footprint of the process processing module 200. A carrier (130) is provided with a slot (not shown) provided to support the edge of the substrate (W). A plurality of slots are provided in the third direction 16. The substrates W are positioned in the carrier 130 so as to be stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. As the carrier 130, a front opening unified pod (FOUP) may be used.

공정 처리 모듈(200)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 포함한다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.The processing module 200 includes a buffer unit 220, a transfer chamber 240, and a process chamber 260. The transfer chamber 240 is disposed such that its longitudinal direction is parallel to the first direction 12. Process chambers 260 are disposed on one side and the other side of the transfer chamber 240 along the second direction 14, respectively. The process chambers 260 located at one side of the transfer chamber 240 and the process chambers 260 located at the other side of the transfer chamber 240 are provided to be symmetrical with respect to the transfer chamber 240. Some of the process chambers 260 are disposed along the longitudinal direction of the transfer chamber 240. In addition, some of the process chambers 260 are stacked together. That is, at one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of A X B (where A and B are each at least one natural number). Where A is the number of process chambers 260 provided in a row along the first direction 12 and B is the number of process chambers 260 provided in a row along the third direction 16. When four or six process chambers 260 are provided on one side of the transfer chamber 240, the process chambers 260 may be arranged in an array of 2 X 2 or 3 X 2. The number of process chambers 260 may increase or decrease. Unlike the above, the process chamber 260 may be provided only on one side of the transfer chamber 240. Also, unlike the above, the process chamber 260 may be provided as a single layer on one side and on both sides of the transfer chamber 240.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다. The buffer unit 220 is disposed between the transfer frame 140 and the transfer chamber 240. The buffer unit 220 provides a space for the substrate W to stay before the transfer of the substrate W between the transfer chamber 240 and the transfer frame 140. [ The buffer unit 220 is provided with a slot (not shown) in which the substrate W is placed, and a plurality of slots (not shown) are provided to be spaced apart from each other in the third direction 16. The surface of the buffer unit 220 opposed to the transfer frame 140 and the surface of the transfer chamber 240 facing each other are opened.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 바디(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 바디(144b)에 결합되고, 바디(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 입자이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다. The transfer frame 140 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the carrier 130 that is seated on the load port 120. The transfer frame 140 is provided with an index rail 142 and an index robot 144. The index rail 142 is provided so that its longitudinal direction is parallel to the second direction 14. The index robot 144 is installed on the index rail 142 and is linearly moved along the index rail 142 in the second direction 14. The index robot 144 has a base 144a, a body 144b, and an index arm 144c. The base 144a is installed so as to be movable along the index rail 142. The body 144b is coupled to the base 144a. The body 144b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 144a. Also, the body 144b is provided to be rotatable on the base 144a. The index arm 144c is coupled to the body 144b and is provided to be movable forward and backward relative to the body 144b. A plurality of index arms 144c are provided and each is provided to be individually driven. The index arms 144c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. Some index arms 144c are used to transfer the substrate W from the processing module 200 to the carrier 130 while others are used to transfer the substrate W from the carrier 130 to the processing module 200. [ As shown in Fig. This can prevent the particles generated from the substrate W before the process processing from adhering to the substrate W after the process processing in the process of loading and unloading the substrate W by the index robot 144. [

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 바디(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 바디(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 바디(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 바디(244b)에 결합되고, 이는 바디(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다. The transfer chamber 240 transfers the substrate W between the buffer unit 220 and the process chamber 260 and between the process chambers 260. The transfer chamber 240 is provided with a guide rail 242 and a main robot 244. The guide rails 242 are arranged so that their longitudinal directions are parallel to the first direction 12. The main robot 244 is installed on the guide rails 242 and is linearly moved along the first direction 12 on the guide rails 242. The main robot 244 has a base 244a, a body 244b, and a main arm 244c. The base 244a is installed so as to be movable along the guide rail 242. The body 244b is coupled to the base 244a. The body 244b is provided to be movable along the third direction 16 on the base 244a. The body 244b is also provided to be rotatable on the base 244a. The main arm 244c is coupled to the body 244b, which is provided to be movable forward and backward relative to the body 244b. A plurality of main arms 244c are provided and each is provided to be individually driven. The main arms 244c are stacked in a state of being spaced from each other along the third direction 16. A main arm 244c used when the substrate W is transferred from the buffer unit 220 to the process chamber 260 and a main arm 244b used when the substrate W is transferred from the process chamber 260 to the buffer unit 220 The main arms 244c may be different from each other.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.In the process chamber 260, a substrate processing apparatus 300 for performing a cleaning process on the substrate W is provided. The substrate processing apparatus 300 provided in each process chamber 260 may have a different structure depending on the type of the cleaning process to be performed. Alternatively, the substrate processing apparatus 300 in each process chamber 260 may have the same structure. Optionally, the process chambers 260 are divided into a plurality of groups, and the substrate processing apparatuses 300 provided in the process chambers 260 belonging to the same group have the same structure and are provided in the process chambers 260 belonging to different groups The substrate processing apparatuses 300 may have different structures from each other. For example, if the process chambers 260 are divided into two groups, a first group of process chambers 260 is provided on one side of the transfer chamber 240 and a second group of process chambers 260 are provided on the other side of the transfer chamber 240 Process chambers 260 may be provided. Optionally, a first group of process chambers 260 may be provided on the lower layer and a second group of process chambers 260 may be provided on the upper and lower sides of the transfer chamber 240, respectively. The first group of process chambers 260 and the second group of process chambers 260 may be classified according to the type of the chemical used and the type of the cleaning method.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.2 is a view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 컵(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 분사 유닛(380) 및 보조 분사 유닛(390)을 가진다. 2, the substrate processing apparatus 300 has a chamber 310, a cup 320, a support unit 340, a lift unit 360, a spray unit 380, and an auxiliary spray unit 390.

챔버(310)는 내부에 공간을 제공한다. 챔버(310)의 내부 압력은 0.01bar 내지 1bar 로 유지될 수 있다. 또는, 챔버(310)의 내부 압력은 0.75bar 내지 1.25bar로 유지될 수 있다. 예컨대, 챔버(310)의 내부 압력은 상압으로 제공될 수 있다.The chamber 310 provides space therein. The internal pressure of the chamber 310 may be maintained between 0.01 bar and 1 bar. Alternatively, the internal pressure of the chamber 310 may be maintained between 0.75 bar and 1.25 bar. For example, the internal pressure of the chamber 310 may be provided at normal pressure.

컵(320)은 챔버(310) 내 공간에 위치한다. 컵(320)은 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리유체 중 서로 상이한 처리유체를 회수한다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리유체가 유입되는 유입구(410)로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리유체를 배출한다. 배출된 처리유체는 외부의 처리유체 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.The cup 320 is located in the space in the chamber 310. The cup 320 provides a space in which the substrate processing process is performed, and the upper portion thereof is opened. The cup 320 has an inner recovery cylinder 322, an intermediate recovery cylinder 324, and an outer recovery cylinder 326. Each of the recovery cylinders 322, 324, and 326 recovers a different treatment fluid among the treatment fluids used in the process. The inner recovery bottle 322 is provided in an annular ring shape surrounding the support unit 340 and the intermediate recovery bottle 324 is provided in the shape of an annular ring surrounding the inner recovery bottle 322 and the outer recovery bottle 326 Is provided in the shape of an annular ring surrounding the intermediate recovery bottle 324. The inner space 322a of the inner recovery cylinder 322 and the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and the space 324 between the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326 326a function as an inlet 410 through which the processing fluid flows into the inner recovery cylinder 322, the intermediate recovery cylinder 324 and the outer recovery cylinder 326, respectively. Recovery passages 322b, 324b, and 326b extending vertically downward from the bottom of the recovery passages 322, 324, and 326 are connected to the recovery passages 322, 324, and 326, respectively. Each of the recovery lines 322b, 324b, and 326b discharges the processing fluid introduced through each of the recovery cylinders 322, 324, and 326. [ The discharged process fluid can be reused through an external process fluid regeneration system (not shown).

지지 유닛(340)은 컵(320)의 처리 공간 내에 배치된다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판을 지지하고 기판을 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 스핀 헤드(342), 지지핀(344), 척핀(346), 구동축(348) 그리고 구동부(349)를 가진다. 스핀 헤드(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 스핀 헤드(342)의 저면에는 구동부(349)에 의해 회전가능한 구동축(348)이 고정결합된다. 구동축(348)이 회전하면 스핀헤드(342)가 회전된다. 스핀 헤드(342)는 기판을 지지할 수 있도록, 지지핀(344)과 척핀(346)을 포함한다. 지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 스핀 헤드(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 스핀 헤드(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(344)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 스핀 헤드(342)의 상부면으로부터 기판이 일정거리 이격되도록 기판의 저면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측면을 지지한다. 척핀(346)은 스핀 헤드(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 스핀 헤드(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판이 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다. The support unit 340 is disposed in the processing space of the cup 320. The support unit 340 supports the substrate and rotates the substrate during the process. The support unit 340 has a spin head 342, a support pin 344, a chuck pin 346, a drive shaft 348 and a drive unit 349. The spin head 342 has a top surface that is generally circular when viewed from the top. A drive shaft 348 rotatable by a drive unit 349 is fixedly coupled to the bottom surface of the spin head 342. When the driving shaft 348 rotates, the spin head 342 rotates. The spin head 342 includes a support pin 344 and a chuck pin 346 to support the substrate. A plurality of support pins 344 are provided. The support pin 344 is spaced apart from the edge of the upper surface of the spin head 342 by a predetermined distance and protrudes upward from the spin head 342. The support pins 344 are arranged so as to have a generally annular ring shape in combination with each other. The support pin 344 supports the bottom edge of the substrate such that the substrate is spaced a certain distance from the top surface of the spin head 342. A plurality of the chuck pins 346 are provided. The chuck pin 346 is disposed farther away from the center of the spin head 342 than the support pin 344. The chuck pin 346 is provided to protrude upward from the spin head 342. The chuck pin 346 supports the side of the substrate such that the substrate is not laterally displaced in place when the support unit 340 is rotated. The chuck pin 346 is provided to be movable linearly between the standby position and the support position along the radial direction of the spin head 342. The standby position is a position far from the center of the spin head 342 as compared to the support position. When the substrate is loaded into or unloaded from the support unit 340, the chuck pin 346 is positioned in the standby position and the chuck pin 346 is positioned in the support position when the substrate is being processed. At the support position, the chuck pin 346 contacts the side of the substrate.

승강 유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 승강 유닛(360)은 컵(320)의 복수의 회수통(322, 324, 326)을 이동시킬 수 있다. 또는 도시하지는 않았으나, 각각의 회수통을 개별적으로 이동시킬 수 있다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 지지 유닛(340)에 놓이거나, 지지 유닛(340)으로부터 들어올려 질 때 지지 유닛(340)이 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리유체의 종류에 따라 처리유체가 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리유체로 기판을 처리하고 있는 동안에 기판은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리유체, 그리고 제3처리유체로 기판을 처리하는 동안에 각각 기판은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 컵(320) 대신 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 컵(320)은 단일의 회수통(322)을 가질 수 있다.The lifting unit 360 moves the cup 320 in the vertical direction. The lifting unit 360 can move the plurality of the collection tubes 322, 324, and 326 of the cup 320. Alternatively, although not shown, the respective recovery cylinders can be moved individually. As the cup 320 is moved up and down, the relative height of the cup 320 to the support unit 340 is changed. The lifting unit 360 has a bracket 362, a moving shaft 364, and a driver 366. The bracket 362 is fixed to the outer wall of the cup 320 and a moving shaft 364 which is moved up and down by a driver 366 is fixedly coupled to the bracket 362. The cup 320 is lowered so that the support unit 340 protrudes to the upper portion of the cup 320 when the substrate W is placed on the support unit 340 or is lifted from the support unit 340. In addition, the height of the cup 320 is adjusted so that the processing fluid may be introduced into the predetermined collection container 360 according to the type of the processing fluid supplied to the substrate W when the process is performed. For example, while the substrate is being processed with the first processing fluid, the substrate is located at a height corresponding to the inner space 322a of the inner recovery tube 322. During the processing of the substrate with the second processing fluid and the third processing fluid, the substrate is separated from the space 324a between the inner recovery cylinder 322 and the intermediate recovery cylinder 324 and between the intermediate recovery cylinder 324 and the outside And may be located at a height corresponding to the space 326a of the recovery cylinder 326. [ Unlike the above, the lifting unit 360 can move the supporting unit 340 in the vertical direction instead of the cup 320. Further, unlike the above, the cup 320 may have a single collection box 322. [

분사 유닛(380)은 기판(W)에 세정매체를 공급한다. 세정매체는 비 액(non-liquid)성 물질 상태로 기판(W)에 공급된다. 일 예로, 세정매체는 에어로졸 상태로 기판에 공급될 수 있다. 일 예로, 에어로졸 상태로 공급되는 물질은 이산화탄소일수 있다. 분사 유닛(380)은 회동이 가능할 수 있다. 분사 유닛(380)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 유닛(380)은 노즐 지지대(382), 지지대(386), 구동부(388), 그리고 노즐(400)을 가진다. 지지대(386)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지대(386)의 하단에는 구동부(388)가 결합된다. 구동부(388)는 지지대(386)를 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동부(388)와 결합된 지지대(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(400)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(400)은 구동부(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(400)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(400)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.The ejection unit 380 supplies the cleaning medium to the substrate W. [ The cleaning medium is supplied to the substrate W in a non-liquid state. In one example, the cleaning medium may be supplied to the substrate in an aerosol state. As an example, the material supplied in an aerosol state may be carbon dioxide. The injection unit 380 may be rotatable. One or a plurality of injection units 380 may be provided. The ejection unit 380 has a nozzle support 382, a support 386, a driver 388, and a nozzle 400. The support 386 is provided along its lengthwise direction in the third direction 16 and the drive 388 is coupled to the lower end of the support 386. The driving unit 388 rotates and lifts the support table 386. The nozzle support 382 is coupled perpendicular to the opposite end of the support 386 coupled with the drive 388. The nozzle 400 is installed at the bottom end of the nozzle support 382. The nozzle 400 is moved to the process position and the standby position by the driver 388. [ The process position is that the nozzle 400 is located at the vertically upper portion of the cup 320, and the standby position is the position at which the nozzle 400 is deviated from the vertical upper portion of the cup 320.

보조 분사 유닛(390)은 기판(W)에 오염 방지액을 공급한다. 보조 분사 유닛(390)은 회동이 가능할 수 있다. 보조 분사 유닛(390)은 보조 노즐(398) 지지대(392), 보조 지지대(396), 보조 구동부(397), 그리고 보조 노즐(398)을 가진다. 보조 지지대(396)는 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 보조 지지대(396)의 하단에는 보조 구동부(397)가 결합된다. 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 이동시킨다. 일 예로, 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 회전시킬 수 있다. 또한, 보조 구동부(397)는 보조 지지대(396)를 승강 시킬 수 있다. 보조 노즐(398)지지대(382)는 보조 지지대(396)의 상부에 결합된다. 보조 노즐(398)은 보조 노즐(398)지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 보조 노즐(398)은 보조 구동부(397)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 보조 노즐(398)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 보조 노즐(398)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.The sub-injection unit 390 supplies a contamination-preventing liquid to the substrate W. [ The sub injection unit 390 may be rotatable. The auxiliary injection unit 390 has an auxiliary nozzle 398 support 392, an auxiliary support 396, an auxiliary drive 397, and an auxiliary nozzle 398. The auxiliary support 396 is provided in the longitudinal direction along the third direction 16 and the auxiliary drive 397 is coupled to the lower end of the auxiliary support 396. [ The auxiliary driving unit 397 moves the auxiliary support 396. In one example, the auxiliary driving portion 397 can rotate the auxiliary supporting portion 396. In addition, the auxiliary driving unit 397 can move the auxiliary support 396 up and down. The auxiliary nozzle 398 support 382 is coupled to the top of the auxiliary support 396. The auxiliary nozzle 398 is installed at the bottom end surface of the auxiliary nozzle 398 support 382. The auxiliary nozzle 398 is moved to the process position and the standby position by the auxiliary driver 397. [ The process position is that the auxiliary nozzle 398 is located at the vertically upper portion of the cup 320 and the standby position is the position at which the auxiliary nozzle 398 is offset from the vertical upper portion of the cup 320. [

본 발명의 일 실시 예에 따라, 세정매체를 토출하는 노즐을 검사하는 타력 측정 유닛가 제공된다.According to one embodiment of the present invention, a force measuring unit for inspecting a nozzle for discharging a cleaning medium is provided.

상기 타력 측정 유닛은, 포트, 캔틸레버(cantilever), 및 변위 측정부를 포함할 수 있다.The hit force measurement unit may include a port, a cantilever, and a displacement measurement unit.

상기 포트는 노즐에서 세정매체가 토출되는 토출구의 입구를 둘러싸는 형태로 설치될 수 있다. 예를 들자면, 토출구를 막는 마개 형태로 제공될 수 있다. 포트는 토출구를 향해있는 내부 공간에 소정량의 액체를 포함하도로 제공될 수 있다.The port may be installed so as to surround the inlet of the discharge port through which the cleaning medium is discharged from the nozzle. For example, it may be provided in the form of a cap that closes the discharge port. The port may be provided with a predetermined amount of liquid in the inner space facing the discharge port.

캔틸레버는 상기 소정량의 액체 내에 위치하도록 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 타력 측정 유닛은, 캔틸레버의 변위를 측정하여 노즐 검사를 수행할 수 있다. 변위 측정부가 상기 액체에 떨어지는 세정매체에 의해 발생하는 캔틸레버의 변위를 측정하여, 노즐의 타력을 측정할 수 있다.The cantilever may be provided to be positioned in the predetermined amount of liquid. The impact force measurement unit according to an embodiment of the present invention can perform the nozzle inspection by measuring the displacement of the cantilever. The displacement measuring unit measures the displacement of the cantilever generated by the cleaning medium falling on the liquid and measures the force of the nozzle.

일 실시 예에 따라, 상기 타력 측정 유닛은 상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함할 수 있다. 촬상유닛은 기판 세정 장비에 적용 가능한 소형 초고속 카메라로 제공될 수 있다. 일 예에 있어서, 상기 포트는 일부면이 투명하게 제공될 수 있고, 이에 따라 상기 촬상유닛은 투명한 상기 일부면을 통해 상기 포트의 내부 공간을 촬상할 수 있다.According to one embodiment, the hit force measurement unit may further include an image pickup unit for capturing an internal space of the port. The imaging unit can be provided as a small ultra-high speed camera applicable to substrate cleaning equipment. In one example, the port may be provided with a portion of the surface being transparent, so that the imaging unit can image the internal space of the port through the transparent surface.

도 3 및 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 타력 측정 유닛의 기능을 설명하기 위한 도면이다.3 and 4 are views for explaining the functions of the hit ratio measuring unit according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따라, 촬상유닛에 의해 촬상된 포트의 내부 공간을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 포트 내부의 소정량의 액체 내에 캔틸레버가 제공되어있음을 알 수 있다. 캔틸레버는 수면의 밑바닥에 한쪽 단이 고정되어 있을 수 있다. Figure 3 shows the internal space of the port imaged by the imaging unit, in accordance with an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, it can be seen that a cantilever is provided in a predetermined amount of liquid inside the port. The cantilever may have one end fixed to the bottom of the water surface.

상기 포트 내부의 소정량의 액체는, 수행되는 공정에 따라 그 양이 조절될 수 있으며, 이는 수면으로부터 캔틸레버까지의 거리(h)를 이용함으로써 조절할 수 있다.The amount of the liquid inside the port can be adjusted depending on the process to be performed, which can be adjusted by using the distance h from the water surface to the cantilever.

상기 캔틸레버는 폴리이미드 필름으로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 캔틸레버는 폭이 2mm, 두께가 230μm인 폴리이미드 필름으로 제공될 수 있다.The cantilever may be provided as a polyimide film. According to one embodiment, the cantilever may be provided as a polyimide film having a width of 2 mm and a thickness of 230 m.

도 4는 도 3의 상태에서 노즐에 의해 포트의 내부공간에 세정매체가 분사되어 액적이 떨어졌을 때를 나타낸다. 액적에 의해 수면에 변화가 생겨났음을 알 수 있다. 이 때, 액체가 힘을 받아 캔틸레버에 힘이 전달되어, 도 4에 도시된 바와 같이 캔틸레버의 변위(δ)가 발생할 수 있다.Fig. 4 shows a state in which the cleaning medium is sprayed into the inner space of the port by the nozzle in the state of Fig. 3 to drop the droplet. It can be seen that the droplet caused a change in the water surface. At this time, the force is transmitted to the cantilever by the force of the liquid, and the displacement (delta) of the cantilever can be generated as shown in Fig.

캔틸레버의 변위(δ)는 변위 측정부에 의해 측정될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 상기 타력 측정 유닛은 포트 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함하며, 변위 측정부는 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 캔틸레버의 변위(δ)를 측정할 수 있다.The displacement [delta] of the cantilever can be measured by the displacement measuring unit. According to one embodiment, the hit force measurement unit further includes an image pickup unit for capturing an internal space of the port, and the displacement measurement unit can measure the displacement (delta) of the cantilever through the image pickup result of the image pickup unit.

도 5는 도 4에서의 캔틸레버의 일부를 예시적으로 나타낸 도면이다.Fig. 5 is a view exemplarily showing a part of the cantilever in Fig. 4. Fig.

도 5에 도시된 바와 같이, 캔틸레버의 폭(w)과 두께(t)가 주어질 때, 변위 측정부에서 측정된 캔틸레버의 변위(δ)를 이용하여 노즐의 타력을 계산할 수 있다.5, when the width w and the thickness t of the cantilever are given, the displacement of the nozzle can be calculated using the displacement? Of the cantilever measured by the displacement measuring unit.

일 실시 예에 따라, 아래 공식에 따라 타력을 계산할 수 있다.According to one embodiment, the batting force can be calculated according to the following formula.

Figure pat00001
Figure pat00001

E는 캔틸레버의 탄성 계수(Young's modulus)를 나타내며, w 및 t는 상술한 바와 같이 캔틸레버의 폭과 두께를 나타낸다. l은 캔틸레버의 고정단에서 타단까지의 길이를 나타낸다.E is the Young's modulus of the cantilever, and w and t are the width and thickness of the cantilever as described above. and l represents the length from the fixed end to the other end of the cantilever.

도 4에 도시된 바와 같이, 변위 측정부는 캔틸레버의 변위(δ)를 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 측정함으로써, 힘(F)을 계산하여 노즐의 타력을 측정할 수 있다. 이러한 방식의 타력 측청 방법의 경우 1μN 단위의 미세한 힘의 측정까지 가능함을 확인하였다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 타력 측정 유닛은 미세한 힘의 조정이 매우 중요한 세정 공정에 있어서 공정 전에 노즐의 타력을 미리 정밀하게 측정할 수 있다.As shown in Fig. 4, the displacement measuring unit can measure the force of the nozzle by calculating the force F by measuring the displacement [delta] of the cantilever through the image pickup result of the image pick-up unit. It is confirmed that this method can measure the minute force of 1μN unit. Therefore, the impact force measuring unit according to the embodiment of the present invention can precisely measure the impact force of the nozzle before the process in the cleaning process, in which adjustment of a minute force is very important.

본 발명의 일 실시 예에 따라, 상기 촬상유닛은 캔틸레버의 변위를 측정할 수 있을 뿐만 아니라 노즐이 토출하는 세정매체의 토출각 및 토출 상태 또한 감지할 수 있다. 촬상유닛이 포트 내부 공간을 촬상할 때, 세정매체의 토출각이나 토출 상태(액적의 형태)를 촬상할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따르면 노즐의 타력 뿐만 아니라 토출각과 토출 상태까지 점검할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, not only can the imaging unit measure the displacement of the cantilever, but it can also detect the discharge angle and discharge state of the cleaning medium from which the nozzle discharges. When the image pickup unit picks up the internal space of the port, it is possible to pick up the discharge angle and the discharge state (liquid droplet form) of the cleaning medium. Therefore, according to the embodiment of the present invention, it is possible to check not only the force of the nozzle but also the ejection angle and ejection state.

이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합 되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.It is to be understood that the above-described embodiments are provided to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the scope of the present invention, and it is to be understood that various modified embodiments may be included within the scope of the present invention. For example, each component shown in the embodiment of the present invention may be distributed and implemented, and conversely, a plurality of distributed components may be combined. Therefore, the technical protection scope of the present invention should be determined by the technical idea of the claims, and the technical protection scope of the present invention is not limited to the literary description of the claims, The invention of a category.

1 : 기판 처리 설비 260 : 공정챔버
300 : 기판 처리 장치 320 : 컵
340 : 지지 유닛 380 : 분사 유닛
400: 노즐 410: 유입구
420: 수축부 430: 분사구
440: 팽창부 450: 오리피스1: substrate processing facility 260: process chamber
300: substrate processing apparatus 320: cup
340: support unit 380: injection unit
400: nozzle 410: inlet
420: contraction portion 430: jetting port
440: Expansion part 450: Orifice

Claims (15)

기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내부에 제공되어 상기 기판을 지지하는 지지유닛;
상기 지지유닛에 지지된 상기 기판으로 세정매체를 공급하는 노즐을 갖는 분사유닛; 및
상기 챔버의 일측에 제공되며 상기 노즐로부터 분사되는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정 유닛을 포함하는 기판 처리 장치.
A chamber for providing a space for processing the substrate;
A support unit provided inside the chamber to support the substrate;
A spraying unit having a nozzle for supplying a cleaning medium to the substrate supported by the supporting unit; And
And a force measuring unit provided on one side of the chamber for measuring a force of the cleaning medium ejected from the nozzle.
제1 항에 있어서,
상기 타력 측정 유닛은,
상기 노즐에서 상기 세정매체가 토출되는 토출구의 입구를 둘러싸도록 설치되며, 상기 토출구를 향해있는 내부 공간에 소정량의 액체를 포함하는 포트;
상기 액체 내에 위치하도록 제공되는 캔틸레버(cantilever); 및
상기 캔틸레버의 고정단과 타단 중 타단의 변위를 측정하는 변위 측정부를 포함하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
The batting force measurement unit includes:
A port which is installed to surround the inlet of the discharge port through which the cleaning medium is discharged from the nozzle and contains a predetermined amount of liquid in the inner space facing the discharge port;
A cantilever provided to be positioned in the liquid; And
And a displacement measuring section for measuring displacement of the fixed end of the cantilever and the other end of the other end.
제2 항에 있어서,
상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함하며,
상기 변위 측정부는 상기 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 상기 캔틸레버의 타단의 변위를 측정하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Further comprising an image pickup unit for picking up an internal space of the port,
Wherein the displacement measuring unit measures the displacement of the other end of the cantilever through the imaging result of the imaging unit.
제3 항에 있어서,
상기 포트는 일부면이 투명하게 형성되며,
상기 촬상유닛은 투명한 상기 일부면을 통해 상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 기판 처리 장치.
The method of claim 3,
The port is formed with a transparent surface,
Wherein the imaging unit captures an internal space of the port through the transparent partial surface.
제2 항에 있어서,
상기 캔틸레버는 폴리이미드(polyimide) 필름을 포함하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the cantilever comprises a polyimide film.
제2 항에 있어서,
상기 포트의 내부 공간의 액체는 상기 기판에 수행되는 공정에 따라 양이 조절되는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the amount of liquid in the internal space of the port is adjusted according to a process performed on the substrate.
제2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 변위 측정부에서 측정된 상기 캔틸레버의 타단의 변위에 기반하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus includes:
Further comprising a force measuring unit for measuring a force of the cleaning medium discharged by the nozzle based on a displacement of the other end of the cantilever measured by the displacement measuring unit.
제2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 포트의 내부 공간을 촬상하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 토출각 및 토출 상태를 감지하는 촬상유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
3. The method of claim 2,
The substrate processing apparatus includes:
Further comprising an image pickup unit for picking up an internal space of the port and sensing a discharge angle and discharge state of the cleaning medium discharged by the nozzle.
기판상에 세정매체를 공급하는 노즐을 검사하는 장치로,
상기 노즐에서 상기 세정매체가 토출되는 토출구의 입구를 둘러싸도록 설치되며, 상기 토출구를 향해있는 내부 공간에 소정량의 액체를 포함하는 포트;
상기 액체 내에 위치하도록 제공되는 캔틸레버; 및
상기 캔틸레버의 고정단과 타단 중 타단의 변위를 측정하는 변위 측정부를 포함하는 타력 측정 유닛.
An apparatus for inspecting a nozzle for supplying a cleaning medium onto a substrate,
A port which is installed to surround the inlet of the discharge port through which the cleaning medium is discharged from the nozzle and contains a predetermined amount of liquid in the inner space facing the discharge port;
A cantilever provided to be positioned in the liquid; And
And a displacement measuring unit for measuring a displacement of the fixed end of the cantilever and the other end of the other end.
제9 항에 있어서,
상기 타력 측정 유닛은,
상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 촬상유닛을 더 포함하며,
상기 변위 측정부는 상기 촬상유닛의 촬상 결과를 통해 상기 캔틸레버의 타단의 변위를 측정하는 타력 측정 유닛.
10. The method of claim 9,
The batting force measurement unit includes:
Further comprising an image pickup unit for picking up an internal space of the port,
And the displacement measuring unit measures the displacement of the other end of the cantilever through the imaging result of the imaging unit.
제10 항에 있어서,
상기 포트는 일부면이 투명하게 형성되며,
상기 촬상유닛은 투명한 상기 일부면을 통해 상기 포트의 내부 공간을 촬상하는 타력 측정 유닛.
11. The method of claim 10,
The port is formed with a transparent surface,
Wherein the imaging unit captures an internal space of the port through the transparent partial surface.
제9 항에 있어서,
상기 캔틸레버는 폴리이미드 필름을 포함하는 타력 측정 유닛.
10. The method of claim 9,
Wherein the cantilever includes a polyimide film.
제9 항에 있어서,
상기 포트 내부 공간의 액체는 상기 기판상에 수행되는 공정에 따라 양이 조절되는 타력 측정 유닛.
10. The method of claim 9,
Wherein the liquid in the port internal space is regulated in accordance with a process performed on the substrate.
제9 항에 있어서,
상기 타력 측정 유닛은,
상기 변위 측정부에서 측정된 상기 캔틸레버의 타단의 변위에 기반하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 타력을 측정하는 타력 측정부를 더 포함하는 타력 측정 유닛.
10. The method of claim 9,
The batting force measurement unit includes:
And a force measuring unit for measuring a force of the cleaning medium discharged by the nozzle based on a displacement of the other end of the cantilever measured by the displacement measuring unit.
제9 항에 있어서,
상기 타력 측정 유닛은,
상기 포트의 내부 공간을 촬상하여 상기 노즐이 토출하는 세정매체의 토출각 및 토출 상태를 감지하는 촬상유닛을 더 포함하는 타력 측정 유닛.
10. The method of claim 9,
The batting force measurement unit includes:
And an image pickup unit for picking up an internal space of the port and sensing a discharge angle and discharge state of the cleaning medium discharged by the nozzle.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145388A (en) * 2019-06-21 2020-12-30 세메스 주식회사 Apparatus and method for calculating injection quantity of fluid

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3095324B2 (en) * 1994-06-30 2000-10-03 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate cleaning equipment
KR100873904B1 (en) * 2004-12-30 2008-12-15 삼성전자주식회사 Jetting Performance Tester
KR20090110630A (en) * 2008-04-18 2009-10-22 주식회사 에이앤디코퍼레이션 Substrate treating apparatus for detecting impact applied on substrate and the method thereof, impact detecting apparatus
JP6021110B2 (en) * 2012-12-28 2016-11-02 国立大学法人 東京大学 Pressure-sensitive sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3095324B2 (en) * 1994-06-30 2000-10-03 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate cleaning equipment
KR100873904B1 (en) * 2004-12-30 2008-12-15 삼성전자주식회사 Jetting Performance Tester
KR20090110630A (en) * 2008-04-18 2009-10-22 주식회사 에이앤디코퍼레이션 Substrate treating apparatus for detecting impact applied on substrate and the method thereof, impact detecting apparatus
JP6021110B2 (en) * 2012-12-28 2016-11-02 国立大学法人 東京大学 Pressure-sensitive sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145388A (en) * 2019-06-21 2020-12-30 세메스 주식회사 Apparatus and method for calculating injection quantity of fluid

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