KR20180090210A - Metal foil with release layer, metal foil, laminate, printed wiring board, semiconductor package, method of manufacturing printed wiring board and electronic device - Google Patents

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Abstract

The present invention provides a metal foil capable of physical separation of a resin substrate when the metal foil is bonded to the resin substrate by controlling an unevenness state of the surface of the metal foil and providing a release layer on the metal foil. Therefore, the present invention produces a printed wiring board having a fine circuit at good cost. The metal foil comprises: the first surface and the second surface, wherein a square root mean square root height (Sq) of the first surface is equal to or more than 0.01 μm and equal to or less than 1 μm; and the release layer provided on the second surface of the metal foil.

Description

이형층 부착 금속박, 금속박, 적층체, 프린트 배선판, 반도체 패키지, 전자기기 및 프린트 배선판의 제조 방법{METAL FOIL WITH RELEASE LAYER, METAL FOIL, LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD, SEMICONDUCTOR PACKAGE, METHOD OF MANUFACTURING PRINTED WIRING BOARD AND ELECTRONIC DEVICE}TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a metal foil with a release layer, a metal foil, a laminate, a printed wiring board, a semiconductor package, an electronic apparatus and a manufacturing method of a printed wiring board. ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 이형층 부착 금속박, 금속박, 적층체, 프린트 배선판, 반도체 패키지, 전자기기 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a metal foil with a release layer, a metal foil, a laminate, a printed wiring board, a semiconductor package, an electronic device, and a manufacturing method of a printed wiring board.

프린트 배선 기판 및 반도체 패키지 기판의 회로 형성 공법은 서브트랙티브 공법이 주류이지만, 근년에 더욱 미세 배선화 됨에 따라서, M-SAP(Modified Semi-Additive Process)나, 금속박의 표면 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법과 같은 새로운 공법이 대두하고 있다.In the circuit formation method of the printed wiring board and the semiconductor package substrate, the subtractive method is the mainstream. However, in recent years, as a result of further fine wiring, a modified semi-additive process (M-SAP) And new methods such as

이들 새로운 회로 형성 공법 가운데, 후자인 금속박의 표면 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법의 일례로서 다음을 들 수 있다. 즉, 우선 수지 기재에 적층한 금속박을 전면 에칭하고, 금속박 표면 프로파일이 전사한 에칭 기재면을 레이저 등으로 천공하여, 천공부를 도통시키기 위한 무전해 구리 도금층을 마련하며, 무전해 구리 도금 표면을 드라이 필름으로 피복하고, UV 노광 및 현상에 의해 회로 형성부의 드라이 필름을 제거하며, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금면에 전기 구리 도금을 마련하고, 드라이 필름을 박리하며, 마지막에 황산, 과산화 수소수를 함유하는 에칭액 등에 의해 무전해 구리 도금층을 에칭(플래시 에칭, 퀵 에칭) 함으로써 미세한 회로를 형성한다(특허문헌 1, 특허문헌 2).Among these new circuit forming methods, the following are examples of the semi-additive method using the surface profile of the metal foil, which is the latter. That is, first, the metal foil laminated on the resin substrate is etched all over, and an electroless copper plating layer for continuing the perforation is provided by drilling a surface of the etched base material onto which the metal foil surface profile has been transferred with a laser or the like, Coated with a dry film, and the dry film in the circuit formation portion was removed by UV exposure and development. Electroless copper plating was provided on the electroless copper plated surface not covered with the dry film, the dry film was peeled off, (Flash etching, quick etching) of the electroless copper plating layer by an etchant containing hydrogen peroxide and the like to form a fine circuit (Patent Document 1, Patent Document 2).

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2006-196863호Patent Document 1: JP-A-2006-196863 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2007-242975호Patent Document 2: JP-A-2007-242975

그러나 종래의 금속박 표면의 프로파일을 이용한 세미 애디티브 공법에서는, 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조하는 것에 대해서, 아직 검토의 여지가 있다.However, in the conventional semi-additive method using the profile of the surface of the metal foil, there is still room for investigation for manufacturing a printed circuit board having a fine circuit at a good cost.

본 발명자들은 예의 검토한 결과, 금속박 면의 요철 상태를 제어했다. 또, 상술한 요철 상태를 제어한 면과는 반대측의 금속박 면에 이형층을 마련하고, 상기 금속박을 수지 기재에 접합했을 때의 수지 기재의 물리적인 박리를 가능하도록 했다. 그리고 상술한 금속박을 이하와 같이 이용함으로써, 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조하는 것이 가능하다는 것을 발견했다. 즉, 상술한 금속박의 이형층을 갖는 면 측을 수지 기재에 접합한 후에, 상술한 요철 상태를 제어한 금속박 면에 회로를 형성했다. 그 다음, 회로를 형성한 금속박 면에 회로가 매립되도록 수지를 적층했다. 그 후, 금속박을 수지 기재로부터 박리하고, 금속박을 제거하여 상술한 회로를 노출시킴으로써, 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조하는 것이 가능하다는 점을 발견했다.As a result of intensive studies, the inventors of the present invention have controlled the unevenness state of the metal foil surface. In addition, a release layer is provided on the surface of the metal foil opposite to the surface where the unevenness is controlled, so that the resin substrate can be physically peeled off when the metal foil is bonded to the resin base. It has been found that it is possible to produce a printed circuit board having a fine circuit at a good cost by using the above-described metal foil as follows. That is, after bonding the surface side having the release layer of the metal foil to the resin substrate, a circuit was formed on the surface of the metal foil where the above-mentioned unevenness state was controlled. Then, the resin was laminated so that the circuit was embedded on the surface of the metal foil on which the circuit was formed. Thereafter, the metal foil was peeled off from the resin substrate and the metal foil was removed to expose the above-described circuit, thereby making it possible to manufacture a printed wiring board having a fine circuit at a good cost.

이상의 지견에 기초로서 완성된 본 발명은, 일 측면에 있어서, 제1면 및 제2면을 가지고, 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박, 및 상기 금속박 제2면에 마련된 이형층을 구비하는 이형층 부착 금속박이다. The present invention completed on the basis of the above findings is a metal foil having a first surface and a second surface in one aspect and having a square root mean square height (Sq) of the first surface of not less than 0.01 탆 and not more than 1 탆, And a release layer provided on the second surface.

본 발명의 이형층 부착 금속박은, 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박은 상기 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하다.In one embodiment of the metal foil with a release layer according to the present invention, the square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil is 0.25 탆 or more and 1.6 탆 or less.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하인 표면 요철을 가진다.The metal foil with a release layer according to another embodiment of the present invention is characterized in that the surface roughness (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) .

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박의 두께가 1㎛ 이상 105㎛ 이하이다.In the metal foil with a release layer according to another embodiment of the present invention, the thickness of the metal foil is 1 占 퐉 or more and 105 占 퐉 or less.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박이 동박이다.In another embodiment of the metal foil with a release layer of the present invention, the metal foil is a copper foil.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제1면 및/또는 상기 금속박 제2면과 상기 이형층과의 사이에, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층이 마련되어 있다.The metal foil with a release layer according to another embodiment of the present invention is the metal foil with a release layer according to still another embodiment of the present invention, wherein a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment Layer and a silane coupling treatment layer.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제1면에 마련된 상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층에 수지층이 마련되어 있다.The metal foil with a release layer according to another embodiment of the present invention is a metal foil with a release layer provided on the first surface of the metal foil, wherein the one kind selected from the group consisting of the roughening treatment layer, heat resistant layer, rust preventive layer, chromate treatment layer and silane coupling treatment layer A resin layer is provided on the above layer.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층이 접착용 수지, 프라이머 또는 반경화 상태의 수지이다.In another embodiment of the metal foil with a release layer of the present invention, the resin layer is a resin for bonding, a primer, or a resin in a semi-cured state.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 이형층이 다음 식:In a further embodiment of the metal foil with a release layer according to the present invention, the release layer has the following formula:

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, M은 Al, Ti, Zr 중 어느 1개이고, n은 0, 1 또는 2이며, m은 1 이상 M의 가수 이하의 정수이며, R1의 적어도 1개는 알콕시기이다. m+n은 M의 가수이다. M의 가수는 Al의 경우 3, Ti, Zr의 경우 4이다.)(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, M is any one of Al, Ti and Zr, n is 0, 1 or 2, m is an integer of not less than 1 and not more than M, at least one of R 1 is an alkoxy group, m + The mantissa of M is 3 for Al, and 4 for Ti and Zr.)

으로 나타내는 알루민산염 화합물, 티탄산염 화합물, 지르코늄산염 화합물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물, 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체 및 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함한다.A hydrolysis product of a titanate compound, a hydrolysis product of a zirconate compound, a hydrolysis product of a hydrolysis product of an aluminate compound, an aluminate compound, A condensate of a hydrolysis product of a titanate compound, and a condensate of a hydrolysis product of a zirconate salt compound.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 이형층이 다음 식:In a further embodiment of the metal foil with a release layer according to the present invention, the release layer has the following formula:

[화학식 2](2)

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 상기 탄화수소기 또는, 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이다.)(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, R 3 and R 4 each independently represent a hydrocarbon group selected from the group consisting of a halogen atom, an alkoxy group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom. )

으로 나타내는 실란 화합물, 상기 실란 화합물의 가수분해 생성물 및 상기 가수분해 생성물의 축합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함한다., A hydrolysis product of the silane compound, and a condensate of the hydrolysis product.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 이형층이 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물을 이용하여 이루어진다.In the metal foil with a release layer of the present invention, in another embodiment, the release layer comprises a compound having two or less mercapto groups in the molecule.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 이형층 표면에 수지층이 마련되어 있다.In another embodiment of the metal foil with a release layer of the present invention, a resin layer is provided on the surface of the release layer.

본 발명의 이형층 부착 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층이 접착용 수지, 프라이머 또는 반경화 상태의 수지이다.In another embodiment of the metal foil with a release layer of the present invention, the resin layer is a resin for bonding, a primer, or a resin in a semi-cured state.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 제1면 및 제2면을 가지고, 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박이다.In another aspect, the present invention is a metal foil having a first surface and a second surface, wherein the square root mean square height (Sq) of the first surface is 0.01 탆 or more and 1 탆 or less.

본 발명의 금속박은 일 실시형태에 있어서, 상기 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하다.In one embodiment of the metal foil of the present invention, the square root mean square height (Sq) of the second surface is 0.25 탆 or more and 1.6 탆 or less.

본 발명의 금속박은 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하의 표면 요철을 가진다.In another embodiment of the metal foil of the present invention, the surface roughness of the second surface of the metal foil is not less than 0.03 and not more than 0.40, wherein a ratio (Sq / Rsm) of a root mean square height (Sq) .

본 발명의 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박의 두께가 1㎛ 이상 105㎛ 이하다.In another embodiment of the metal foil of the present invention, the thickness of the metal foil is 1 占 퐉 or more and 105 占 퐉 or less.

본 발명의 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박이 동박이다.In another embodiment of the metal foil of the present invention, the metal foil is a copper foil.

본 발명의 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제1면 및/또는 상기 금속박 제2면에 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층이 마련되어 있다.In the metal foil of the present invention, it is preferable that the metal foil is formed from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer on the first surface of the metal foil and / At least one selected layer is provided.

본 발명의 금속박은 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 금속박 제1면에 마련된 상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층에 수지층이 마련되어 있다.In the metal foil of the present invention, it is preferable that the metal foil further comprises at least one layer selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer provided on the first surface of the metal foil A resin layer is provided.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박과, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박에 마련된 수지 기재를 구비하는 적층체이다.In another aspect, the present invention is a laminate comprising a metal foil with a release layer or a metal foil of the present invention, a metal foil with the release layer, or a resin substrate provided on the metal foil.

본 발명의 적층체는 일 실시형태에 있어서, 상기 수지 기재가 프리프레그이거나, 또는 열경화성 수지를 포함한다.In one embodiment of the laminate of the present invention, the resin base material is a prepreg or a thermosetting resin.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박을 구비하는 프린트 배선판이다.In another aspect, the present invention is a printed wiring board comprising the metal foil with a release layer of the present invention or the metal foil of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판을 구비한 반도체 패키지이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package including the printed wiring board of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 반도체 패키지를 구비한 전자기기이다.According to another aspect of the present invention, there is provided an electronic device including the printed wiring board of the present invention or the semiconductor package of the present invention.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에 절연 기판을 접합하는 공정, 상기 절연 기판으로부터 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정, 및 상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면 측에 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal foil, comprising the steps of: bonding an insulating substrate to a metal foil with a release layer of the present invention or a metal foil of the present invention; A step of obtaining an insulating substrate on which the surface profile of the metal foil or the metal foil is transferred to the rear surface and a step of forming a circuit on the front surface of the insulating substrate to which the surface profile has been transferred to be.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면 측에 형성하는 회로가 도금 패턴 또는 인쇄 패턴이다.In a method of manufacturing a printed wiring board of the present invention, the circuit formed on the release face side of the insulating substrate onto which the surface profile is transferred is a plating pattern or a printed pattern.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에 절연 기판을 접합하는 공정, 상기 절연 기판으로부터 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정, 및 상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면 측에 빌드업층을 마련하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a metal foil, comprising the steps of: bonding an insulating substrate to a metal foil with a release layer of the present invention or a metal foil of the present invention; A step of obtaining an insulating substrate on which a surface profile of the metal foil with the release layer or the metal foil is transferred on a rear surface thereof and a step of providing a buildup layer on the release surface side of the insulating substrate onto which the surface profile is transferred, Method.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 실시형태에 있어서, 상기 빌드업층을 구성하는 수지가 액정 폴리머, 불소 수지, 저유전율 폴리이미드, 폴리페닐렌 에테르, 시클로 올레핀 폴리머 또는 폴리 테트라 플루오로 에틸렌을 포함한다.The method for producing a printed wiring board according to the present invention is characterized in that the resin constituting the buildup layer contains a liquid crystal polymer, a fluorine resin, a low dielectric constant polyimide, a polyphenylene ether, a cycloolefin polymer or polytetrafluoroethylene do.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에 상기 이형층측 또는 상기 금속박 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합하는 공정, 상기 절연 기판(1)을 적층한 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박 제1면측에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및 상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal foil, comprising the steps of: bonding an insulating substrate (1) to a metal foil with a release layer or a metal foil of the present invention from the side of the release layer or the second surface of the metal foil; A step of forming a circuit on the first metal foil or the metal foil on which the first metal foil is laminated, the step of covering the circuit with the insulating substrate (2) and embedding the circuit in the insulating substrate (2) A step of peeling the insulating substrate (1) from the metal foil to expose the metal foil with a release layer or the metal foil; and a step of removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에 상기 이형층측 또는 상기 금속박 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합하는 공정, 상기 절연 기판(1)을 적층한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박 제1면측에 드라이 필름을 적층하는 공정, 상기 드라이 필름을 패터닝 한 후, 회로를 형성하는 공정,According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal foil, comprising the steps of: bonding an insulating substrate (1) to a metal foil with a release layer or a metal foil of the present invention from the side of the release layer or the second surface of the metal foil; Laminating a metal foil with a release layer or a dry film on the first surface side of the metal foil, a step of forming a circuit after patterning the dry film,

상기 드라이 필름을 박리하여 상기 회로를 노출시키는 공정, 상기 노출한 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및 상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.Exposing the circuit by peeling the dry film; covering the exposed circuit with an insulating substrate (2) to embed the circuit in the insulating substrate (2); removing the metal foil or the metal foil A step of peeling the substrate 1 to expose the metal foil with a release layer or the metal foil, and a step of removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil.

금속박 표면의 요철 상태를 제어하고, 그리고 금속박에 이형층을 마련하여, 상기 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리를 가능하게 하는 금속박을 제공함으로써, 양호한 비용으로 미세한 회로를 갖는 프린트 배선판을 제조할 수 있게 된다.It is possible to provide a metal foil that can physically peel the resin base material when the metal foil is bonded to the resin base material by controlling the unevenness state of the surface of the metal foil and by providing a release layer on the metal foil, A printed wiring board can be manufactured.

도 1의 A~C는, 본 발명의 이형층 부착 동박을 이용한 프린트 배선판 제조 방법의 구체적인 예와 관련된 회로 도금 레지스트 제거까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 2의 D~F는, 본 발명의 이형층 부착 동박을 이용한 프린트 배선판 제조 방법의 구체적인 예와 관련된 수지 및 2번째 층의 이형층 부착 동박 적층으로부터 레이저 천공까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 3의 G~I는, 본 발명의 이형층 부착 동박을 이용한 프린트 배선판 제조 방법의 구체적인 예와 관련되는, 비어 필 형성으로부터 1번째 층의 이형층 박리까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 4의 J~K는, 본 발명의 이형층 부착 동박을 이용한 프린트 배선판 제조 방법의 구체적인 예와 관련되는, 플래시 에칭으로부터 범프 구리 필러 형성까지의 공정에서의 배선판 단면의 모식도이다.
도 5는 동박의 프로파일을 사용한 세미 애디티브 공법을 나타내는 모식도이다.
Figs. 1A to 1C are schematic views of a wiring board section in a process up to the removal of a circuit plating resist, which is related to a concrete example of a printed wiring board manufacturing method using the copper foil with a release layer of the present invention.
Fig. 2D is a schematic view of a section of a wiring board in a process from a resin related to a concrete example of the method for producing a printed wiring board using the copper foil with a release layer of the present invention to a laser perforation from a laminate of a copper foil with a release layer of a second layer .
3G to 3I are schematic views of a wiring board section in a process from the via fill formation to the release layer peeling of the first layer, which is related to a specific example of the printed wiring board production method using the copper foil with a release layer of the present invention.
4A to 4K are schematic views of a wiring board section in a process from flash etching to bump copper filler formation, which is related to a specific example of a printed wiring board manufacturing method using the copper foil with a release layer of the present invention.
5 is a schematic view showing a semi-additive method using a copper foil profile.

(금속박)(Metal foil)

본 발명의 금속박은, 제1면 및 제2면을 가지고, 또한 상기 제1면측 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박이다. 이와 같이, 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 제어함으로써 금속박 표면의 요철 상태를 제어했다. 그리고 상술한 금속박을 이하와 같이 이용하여, 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조하는 것이 가능하게 된다. 즉, 상술한 요철 상태를 제어한 면과는 반대측 금속박 면에 이형층을 마련하고, 상기 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리를 가능하게 한다. 그리고 상술한 금속박의 이형층을 갖는 면 측을 수지 기재에 접합한 후에, 상술한 표면의 요철 상태를 제어한 금속박 면에 회로를 형성한다. 그 다음, 회로를 형성한 금속박 표면에 회로가 매립되도록 수지를 적층한다. 그 후 금속박을 수지 기재로부터 박리하고, 금속박을 제거하여 상술한 회로를 노출시킴으로써, 프린트 배선판을 제조할 수 있게 된다. 상술한 방법에 의해 프린트 배선판을 제조한 경우, 무전해 도금에 의해 무전해 도금층을 수지 기판 위에 마련하지 않고 회로를 형성하는 것이 가능하게 된다. 그렇기 때문에, 프린트 배선판의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또, 상술한 회로는 수지에 매립됨으로써 회로가 보호되고 있다. 그 때문에, 금속박을 에칭 등으로 제거할 때, 에칭 등에 의해서 회로가 잘 침식당하지 않는다. 그 때문에, 미세한 회로의 형성이 가능해진다.The metal foil of the present invention is a metal foil having a first surface and a second surface, and the square root mean square height (Sq) of the first surface side surface is not less than 0.01 탆 and not more than 1 탆. Thus, the surface roughness of the surface of the metal foil was controlled by controlling the square root mean square height (Sq) of the first surface. The above-described metal foil can be used as follows to make a printed circuit board having a fine circuit at a good cost. That is, a release layer is provided on the surface of the metal foil opposite to the surface on which the unevenness state is controlled, so that the resin substrate can be physically peeled off when the metal foil is bonded to the resin substrate. After bonding the surface side having the release layer of the metal foil to the resin substrate, a circuit is formed on the surface of the metal foil on which the unevenness state of the surface is controlled. Then, the resin is laminated so that the circuit is embedded on the surface of the metal foil on which the circuit is formed. Thereafter, the metal foil is peeled off from the resin substrate and the metal foil is removed to expose the above-described circuit, whereby a printed wiring board can be manufactured. When a printed wiring board is manufactured by the above-described method, it is possible to form a circuit without providing the electroless plating layer on the resin substrate by electroless plating. Therefore, the manufacturing cost of the printed wiring board can be reduced. In addition, the circuit described above is buried in resin to protect the circuit. Therefore, when the metal foil is removed by etching or the like, the circuit is not eroded well by etching or the like. Therefore, a fine circuit can be formed.

또한, 본 명세서에서 「금속박 제1면」 및 「금속박 제2면」이란, 금속박 표면에 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층, 이형층 등의 표면 처리층이 마련되어 있는 경우에는, 상기 표면 처리층을 마련한 후의 표면(최외층의 표면)을 말한다. 또, 본 명세서에서 「제1면」은 「일방의 면」이라고도 하고, 「제2면」은 「타방의 면」이라고도 한다.Herein, the terms "first surface of metal foil" and "second surface of metal foil" refer to a surface treatment layer such as a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, a silane coupling treatment layer, (Surface of the outermost layer) after the surface treatment layer is provided. In the present specification, the "first surface" is also referred to as "one surface", and the "second surface" is also referred to as "the other surface".

본 발명의 금속박은 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상이기 때문에, 상술한 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지와의 밀착성이 양호해진다. 그 결과, 금속박으로부터 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지가 박리 또는 탈락하는 경우가 감소한다. 또, 본 발명의 금속박은 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1㎛ 이하이기 때문에 회로의 형성성이 양호해진다.Since the square root mean square height Sq of the first surface of the metal foil of the present invention is not less than 0.01 mu m, the adhesion to the resin in which the above-mentioned circuit or circuit is embedded is improved. As a result, the case where the resin in which the circuit or the circuit is embedded from the metal foil peels off or falls off is reduced. In the metal foil of the present invention, since the square root mean square height (Sq) of the first surface is 1 占 퐉 or less, circuit formability is improved.

금속박 제1면에서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 미만이면, 금속박 면의 요철의 편차가 너무 작아지는 경우가 있다. 그렇기 때문에, 금속박과 상술한 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지와의 밀착성이 열화되는 경우가 있다. 그 결과, 금속박으로부터 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지가 박리 또는 탈락하는 경우가 있다. 또, 금속박 제1면에서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1㎛를 넘으면, 금속박 면의 요철이 너무 울퉁불퉁해지는 경우가 있다. 그 결과, 금속박 면의 볼록부가 큰 부분에서는, 금속박을 제거할 때에 보다 장시간 에칭 등을 실시할 필요가 생기는 경우가 있다. 그 결과, 에칭 등에 의한 회로의 침식이 커지고, 배선 형성성이 열화하는 경우가 있다. 금속박 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)는, 0.95㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.93㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.90㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.85㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.75㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.70㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.68㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.67㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.65㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.60㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.55㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.45㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.40㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.35㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.32㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.30㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.25㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.24㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.22㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.20㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.19㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.18㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.17㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.15㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 금속박 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)는, 0.015㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.02㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.025㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.03㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.035㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.04㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.045㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.05㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.On the first surface of the metal foil, if the square root mean square root height (Sq) is less than 0.01 탆, the deviation of the irregularities of the metal foil surface may be too small. Therefore, the adhesion between the metal foil and the resin in which the above-mentioned circuit or circuit is embedded may deteriorate. As a result, the resin in which the circuit or the circuit is embedded from the metal foil may peel off or fall off. On the first surface of the metal foil, if the square root mean square root height (Sq) exceeds 1 占 퐉, the irregularities of the metal foil surface may become too rugged. As a result, in a portion where the convex portion of the metal foil surface is large, it may be necessary to etch the metal foil for a longer period of time. As a result, erosion of the circuit due to etching or the like is increased, resulting in deterioration in wiring formability. The square root mean square root height (Sq) of the first surface of the metal foil is preferably 0.95 탆 or less, more preferably 0.93 탆 or less, preferably 0.90 탆 or less, preferably 0.85 탆 or less, Preferably not more than 0.70 mu m, more preferably not more than 0.70 mu m, more preferably not more than 0.70 mu m, more preferably not more than 0.70 mu m, more preferably not more than 0.70 mu m, More preferably 0.45 mu m or less, more preferably 0.35 mu m or less, more preferably 0.32 mu m or less, more preferably 0.30 mu m or less, more preferably 0.25 mu m or less, and most preferably 0.24 mu m or less Preferably 0.22 占 퐉 or smaller, more preferably 0.20 占 퐉 or smaller, and 0.19 占 퐉 or smaller Preferably 0.18 mu m or less, more preferably 0.17 mu m or less, and more preferably 0.15 mu m or less. The square root mean square root height (Sq) of the first surface of the metal foil is preferably 0.015 탆 or more, more preferably 0.02 탆 or more, and is preferably 0.025 탆 or more, more preferably 0.03 탆 or more, Mu m or more, more preferably 0.045 mu m or more, and more preferably 0.05 mu m or more.

금속박 제2면은, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하인 것이 바람직하다. 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25~1.6㎛이기 때문에, 금속박과 수지 기재를 접합한 후의 박리성을 양호하게 유지하면서, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면에 전사한 요철 형상에 의해 회로, 수지, 빌드업층 등의 적층 부재가 상기 수지 기재 표면에 틈 없이(또는 틈이 아주 적게) 추종하고, 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재를 양호한 밀착성으로 수지 기재 표면에 마련할 수 있게 된다.The second surface of the metal foil preferably has a square root mean square height (Sq) of 0.25 탆 or more and 1.6 탆 or less. Since the square root mean square root height Sq of the second surface of the metal foil is 0.25 to 1.6 占 퐉, the metal foil and the resin base material can be easily peeled from the surface of the resin substrate after peeling off the metal foil, A lamination member such as a circuit, a resin, and a buildup layer follows the resin substrate surface with no gaps (or a very small gap), and a lamination member such as a circuit, a resin, and a buildup layer can be provided on the resin substrate surface with good adhesion .

금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 미만이면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리하여 얻은 수지 기재 표면의 요철이 작고, 다른 수지와의 밀착성이 불충분하게 되는 문제가 생길 우려가 있으며, 1.6㎛를 넘으면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리할 때의 박리성이 악화되는 외에, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면의 요철 형상이 너무 깊어서 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 그 요철 형상을 따르지 않는다는 문제가 생길 우려가 있다. 제곱평균제곱근 높이(Sq)는, 0.30~1.4㎛인 것이 바람직하고, 0.4~1.0㎛인 것이 보다 바람직하며, 0.4~0.96㎛인 것이 보다 바람직하다.If the square root mean square root height (Sq) of the second surface of the metal foil is less than 0.25 占 퐉, there is a problem that the irregularities on the surface of the resin substrate obtained by peeling the metal foil after bonding the metal foil and the resin substrate are small and the adhesion with other resins becomes insufficient If the thickness exceeds 1.6 mu m, the peelability of the metal foil after the metal foil is peeled off after the metal foil is bonded to the resin base material is deteriorated. In addition to the deterioration of the surface of the resin base material after peeling off the metal foil, There is a possibility that a problem that a lamination member such as an up layer does not conform to the concavo-convex shape may occur. The square root mean square root height (Sq) is preferably 0.30 to 1.4 占 퐉, more preferably 0.4 to 1.0 占 퐉, and still more preferably 0.4 to 0.96 占 퐉.

금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하인 것이 바람직하다. 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하이기 때문에, 금속박과 수지 기재를 접합한 후의 박리성을 양호하게 유지하면서, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면에 전사한 요철 형상으로 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 틈 없이(또는 틈이 아주 적게) 추종하고, 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재를 양호한 밀착성으로 수지 기재 표면에 마련할 수 있게 된다.It is preferable that the ratio (Sq / Rsm) of the root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the recesses and protrusions is 0.03 or more and 0.40 or less. Since the ratio (Sq / Rsm) of the root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the average spacing (Rsm) of the recesses and protrusions is 0.03 or more and 0.40 or less, the peelability , A laminated member such as a circuit, a resin, or a buildup layer, which is transferred to the surface of the resin substrate after the metal foil is peeled off, is followed without gaps (or with a very small gap) and a laminated member such as a circuit, So that it can be provided on the surface of the resin substrate by adhesion.

금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 미만이면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리하여 얻은 수지 기재 표면의 요철이 작고, 수지 기재와 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재와의 밀착성이 불충분하게 되는 문제가 생기며, 0.40을 넘으면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리할 때의 박리성이 악화되는 외에, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면의 요철 형상이 너무 깊어서 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 그 요철 형상을 따르지 않는다는 문제가 생긴다. 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는 0.05 이상인 것이 바람직하고, 0.10 이상인 것이 보다 바람직하다. 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는 0.25 이하인 것이 바람직하고, 0.24 이하인 것이 바람직하며, 0.20 이하인 것이 보다 바람직하다.When the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface of the metal foil to the average interval (Rsm) of the recesses and protrusions is less than 0.03, the metal foil and the resin base material are bonded, The adhesion between the resin substrate and a lamination member such as a circuit or a resin or a buildup layer becomes insufficient. When the ratio exceeds 0.40, the peeling property when the metal foil is peeled after bonding the metal foil and the resin substrate is deteriorated There is a problem that the concavo-convex shape of the surface of the resin substrate after the metal foil is peeled off is too deep, so that the lamination member such as circuit, resin, build-up layer does not conform to the concavo-convex shape. The ratio (Sq / Rsm) of the root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the average spacing (Rsm) of the recesses and protrusions is preferably 0.05 or more, more preferably 0.10 or more. The ratio (Sq / Rsm) of the root mean square root height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the recesses and protrusions is preferably 0.25 or less, more preferably 0.24 or less, and still more preferably 0.20 or less.

(이형층 부착 금속박)(Metal foil with a release layer)

본 발명의 이형층 부착 금속박은 제1면 및 제2면을 가지고, 또한 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박과, 상기 금속박 제2면 측에 마련된 이형층이며, 또한 상기 이형층측으로부터 상기 금속박으로 수지 기재를 접합시켰을 때의 상기 수지 기재를 박리 가능하도록 하는 이형층을 구비한 이형층 부착 금속박이다. 이와 같이, 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 제어함으로써 금속박 표면의 요철 상태를 제어했다. 또, 상술한 요철 상태를 제어한 면과는 반대측의 금속박 면에 이형층을 마련하고, 상기 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리를 가능하게 했다. 그리고 상술한 금속박을 이하와 같이 이용하여 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조할 수 있게 된다. 즉, 상술한 금속박의 이형층을 가지는 면 측을 수지 기재에 접합한 후에, 상술한 표면의 요철 상태를 제어한 금속박 면에 회로를 형성한다. 그 다음, 회로를 형성한 금속박 표면에 회로가 매립되도록 수지를 적층한다. 그 후 금속박을 수지 기재로부터 박리하고, 금속박을 제거하여 상술한 회로를 노출시켜서, 프린트 배선판을 제조할 수 있게 된다. 상술한 방법에 의해 프린트 배선판을 제조한 경우, 무전해 도금에 의해 무전해 도금층을 수지 기판 위에 마련하지 않고 회로를 형성할 수 있게 된다. 그렇기 때문에, 프린트 배선판의 제조 비용을 저감할 수 있다. 또, 상술한 회로는 수지에 매립되어 있어서 회로가 보호되고 있다. 그 때문에, 금속박을 에칭 등으로 제거할 때, 에칭 등에 의해 회로가 잘 침식당하지 않게 된다. 그 때문에, 미세한 회로 형성이 가능해진다.The metal foil with a release layer according to the present invention comprises a metal foil having a first surface and a second surface and a square root mean square root height (Sq) of the first surface of not less than 0.01 탆 and not more than 1 탆, And a release layer for releasing the resin base material when the resin base material is bonded to the metal foil from the release layer side. Thus, the surface roughness of the surface of the metal foil was controlled by controlling the square root mean square height (Sq) of the first surface. In addition, a release layer is provided on the metal foil surface opposite to the surface where the unevenness is controlled, and physical separation of the resin base material when the metal foil is bonded to the resin base material is made possible. The above-described metal foil can be used as follows to make a printed circuit board having a fine circuit at a good cost. That is, after bonding the surface side having the release layer of the metal foil to the resin substrate, a circuit is formed on the surface of the metal foil on which the surface irregularities are controlled. Then, the resin is laminated so that the circuit is embedded on the surface of the metal foil on which the circuit is formed. Thereafter, the metal foil is peeled from the resin substrate and the metal foil is removed to expose the above-described circuit, thereby making it possible to produce a printed wiring board. When the printed wiring board is manufactured by the above-described method, it is possible to form a circuit without providing the electroless plating layer on the resin substrate by electroless plating. Therefore, the manufacturing cost of the printed wiring board can be reduced. In addition, the above-mentioned circuit is embedded in the resin and the circuit is protected. Therefore, when the metal foil is removed by etching or the like, the circuit is not eroded well by etching or the like. Therefore, a fine circuit can be formed.

이형층 부착 금속박의 금속박은, 이형층이 형성되어 있지 않은 측의 면인 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상이기 때문에, 상술한 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지와의 밀착성이 양호해진다. 그 결과, 금속박으로부터 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지가 박리 또는 탈락하는 것이 저감된다. 또, 금속박은 이형층이 형성되어 있지 않은 측의 면인 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1㎛ 이하이기 때문에 회로의 형성성이 양호해진다.The metal foil of the metal foil with a release layer has a square root mean square height (Sq) of the first surface, which is the side on which the release layer is not formed, of not less than 0.01 mu m, so that the adhesion to the resin in which the above- . As a result, peeling or peeling off of the resin in which the circuit or circuit is embedded from the metal foil is reduced. In addition, since the square root mean square height (Sq) of the first surface which is the side of the metal foil on which the release layer is not formed is 1 占 퐉 or less, circuit formability is improved.

금속박의 이형층이 형성되어 있지 않은 쪽 면인 제1면에서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 미만이면, 금속박 면의 요철의 편차가 너무 작아지는 경우가 있다. 금속박 면의 요철의 편차가 너무 작아졌을 경우, 금속박과 회로의 밀착성이나, 금속박과 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지와의 밀착성에 기여하는 높은 볼록부나 깊은 오목부가 적어지는 경우가 있고, 그렇기 때문에, 금속박과 상술한 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지와의 밀착성이 열화하는 경우가 있다. 그 결과, 금속박으로부터 회로 또는 회로가 매립되어 있는 수지가 박리 또는 탈락하는 경우가 있다. 또, 금속박의 이형층이 형성되어 있지 않은 쪽 면인 제1면에서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1㎛를 넘으면, 금속박 면의 요철의 편차가 너무 커지는 경우가 있다. 그 결과, 금속박 면의 볼록부가 큰 부분에서는, 금속박을 제거할 때 더욱 장시간 에칭 등을 할 필요가 생기는 경우가 있다. 그 결과, 에칭 등에 의한 회로의 침식이 커져서, 배선 형성성이 열화하는 경우가 있다. 이형층이 형성되어 있지 않은 쪽 면인 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)는 0.95㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.93㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.90㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.85㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.75㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.70㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.68㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.67㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.65㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.60㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.55㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.45㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.40㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.35㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.32㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.30㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.25㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.24㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.22㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.20㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.19㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.18㎛ 이하인 것이 바람직하며, 0.17㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.15㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이형층이 형성되어 있지 않은 쪽 면인 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)는, 0.015㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.02㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.025㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.03㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.035㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.04㎛ 이상인 것이 바람직하며, 0.045㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.05㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다.If the square root mean square root height (Sq) is less than 0.01 mu m on the first side of the metal foil on which the release layer is not formed, the deviation of the concave and convex on the metal foil surface may be too small. When the deviation of the irregularities on the surface of the metal foil becomes too small, there may be a case where a high convex portion or a deep concave portion contributing to the adhesion between the metal foil and the circuit and the adhesion between the metal foil and the resin in which the circuit or circuit is embedded is decreased. The adhesion between the metal foil and the resin in which the above-mentioned circuit or circuit is embedded may deteriorate. As a result, the resin in which the circuit or the circuit is embedded from the metal foil may peel off or fall off. If the square root mean square root height (Sq) of the metal foil on the first surface, which is the side on which the release layer is not formed, exceeds 1 占 퐉, the deviation of the irregularities of the metal foil surface may become too large. As a result, when the metal foil is removed, it may be necessary to etch the metal foil surface for a longer time in a portion where the convex portion of the metal foil surface is large. As a result, erosion of the circuit due to etching or the like is increased, and the wiring formability is sometimes deteriorated. The square root mean square root height (Sq) of the first surface, which is the side on which the release layer is not formed, is preferably 0.95 占 퐉 or less, more preferably 0.93 占 퐉 or less and preferably 0.90 占 퐉 or less, Preferably not more than 0.75 mu m, more preferably not more than 0.70 mu m, more preferably not more than 0.68 mu m, more preferably not more than 0.67 mu m, preferably not more than 0.65 mu m, more preferably not more than 0.60 mu m, Preferably not more than 0.45 mu m, more preferably not more than 0.40 mu m, more preferably not more than 0.35 mu m, preferably not more than 0.32 mu m, more preferably not more than 0.30 mu m, and preferably not more than 0.25 mu m Preferably 0.24 占 퐉 or less, more preferably 0.22 占 퐉 or less, and most preferably 0.20 占 퐉 or less Is preferred, it 0.19㎛ or less is preferable, and preferably not more than 0.18㎛, it is more preferable that not more than 0.17㎛ or less, and 0.15㎛. The square root mean square root height (Sq) of the first surface, which is the side on which the release layer is not formed, is preferably at least 0.015 탆, more preferably at least 0.02 탆, more preferably at least 0.025 탆, It is preferably 0.035 mu m or more, more preferably 0.04 mu m or more, more preferably 0.045 mu m or more, and still more preferably 0.05 mu m or more.

금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽의 면인 제2면은, 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하인 것이 바람직하다. 금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25~1.6㎛이기 때문에, 금속박과 수지 기재를 접합한 후의 박리성을 양호하게 유지하면서, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면에 전사한 요철 형상에 의해 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 상기 수지 기재 표면에 빈틈 없이(또는 빈틈이 아주 적게) 추종하여, 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재를 양호한 밀착성으로 수지 기재 표면에 마련할 수 있게 된다.It is preferable that the square root mean square root height (Sq) of the second face, which is the face on which the release layer of the metal foil is formed, is 0.25 탆 or more and 1.6 탆 or less. Since the square root mean square root height (Sq) of the second surface of the metal foil on which the release layer is formed is 0.25 to 1.6 m, A lamination member such as a circuit, a resin, and a buildup layer follows the surface of the resin substrate without gaps (or with a very small gap) by the convexo-concave shape transferred to the resin substrate surface, So that it can be provided on the surface of the resin substrate by adhesion.

금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 미만이면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리해서 얻은 수지 기재 표면의 요철이 작고, 다른 수지와의 밀착성이 불충분하게 되는 문제가 생길 우려가 있으며, 1.6㎛를 넘으면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리할 때의 박리성이 악화되는 외에, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면의 요철 형상이 너무 깊어서 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 그 요철 형상을 따르지 않는다는 문제가 생길 우려가 있다. 제곱평균제곱근 높이(Sq)는 0.30~1.4㎛인 것이 바람직하고, 0.4~1.0㎛인 것이 보다 바람직하며, 0.4~0.96㎛인 것이 보다 바람직하다.If the square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer of the metal foil is formed, is less than 0.25 占 퐉, the surface roughness of the resin substrate obtained by peeling the metal foil after bonding the metal foil and the resin base is small, There is a possibility that the adhesion between the metal foil and the resin substrate becomes insufficient. On the other hand, if the thickness exceeds 1.6 占 퐉, the peelability at the time of peeling the metal foil after bonding the metal foil to the resin substrate is deteriorated, The shape is too deep, and there is a possibility that a problem arises that a laminated member such as a circuit, a resin, and a buildup layer does not conform to the concavo-convex shape. The square root mean square root height (Sq) is preferably 0.30 to 1.4 탆, more preferably 0.4 to 1.0 탆, and even more preferably 0.4 to 0.96 탆.

금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하인 것이 바람직하다. 금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하이기 때문에, 금속박과 수지 기재를 접합한 후의 박리성을 잘 유지하면서, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면에 전사한 요철 형상에 의해 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 빈틈 없이(또는 빈틈이 아주 적게) 추종하여, 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재를 양호한 밀착성으로 수지 기재 표면에 마련할 수 있게 된다.It is preferable that the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer of the metal foil is formed, and the mean spacing (Rsm) of the recesses and protrusions is 0.03 or more and 0.40 or less. Since the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer of the metal foil is formed, to the average interval Rsm of the ruggedness is 0.03 or more and 0.40 or less, The laminate member such as circuit, resin, buildup layer, or the like is closely followed (or the gap is very small) by the convexo-concave shape transferred onto the resin substrate surface after peeling off the metal foil, A lamination member such as a build-up layer can be provided on the resin substrate surface with good adhesion.

금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 미만이면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리해서 얻은 수지 기재 표면의 요철이 작고, 수지 기재와 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재와의 밀착성이 불충분하게 되는 문제가 생기며, 0.40을 넘으면, 금속박과 수지 기재를 접합한 후에 금속박을 박리할 때의 박리성이 악화되는 외에, 금속박을 박리한 후의 수지 기재 표면의 요철 형상이 너무 깊어서 회로나 수지나 빌드업층 등의 적층 부재가 그 요철 형상을 따르지 않는다는 문제가 생긴다. 금속박의 이형층이 형성되고 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는 0.05 이상인 것이 바람직하고, 0.10 이상인 것이 보다 바람직하다. 금속박의 이형층이 형성되어 있는 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는, 0.25 이하인 것이 바람직하고, 0.24 이하인 것이 바람직하며, 0.20 이하인 것이 보다 바람직하다.If the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer of the metal foil is formed, to the average spacing Rsm of the recesses and protrusions is less than 0.03, The surface irregularities of the resin substrate obtained by peeling the resin substrate are small and the adhesion between the resin substrate and a lamination member such as a circuit, a resin and a buildup layer becomes insufficient. On the other hand, when the thickness exceeds 0.40, The peelability at the time of peeling is deteriorated, and the concavity and convexity of the surface of the resin substrate after peeling the metal foil is too deep, so that there arises a problem that the laminated members such as circuit, resin and buildup layer do not conform to the concavo-convex shape. The ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer of the metal foil is formed, to the average spacing Rsm of the recesses and protrusions is preferably 0.05 or more and more preferably 0.10 or more. The ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square root height (Sq) of the second surface and the average interval (Rsm) of the recesses and protrusions to the surface of the metal foil on which the release layer is formed is preferably 0.25 or less, More preferably 0.20 or less.

금속박(생박이라고도 한다)은 특별히 한정되지는 않지만, 동박, 알루미늄박, 니켈박, 구리합금박, 니켈 합금박, 알루미늄 합금박, 스테인리스박, 철박, 철합금박, 아연박, 아연 합금박, 코발트박, 코발트 합금박 등을 이용할 수 있다. 또, 금속박으로서 공지된 금속박을 이용할 수 있다.The metal foil (also called foil) is not particularly limited, but may be copper foil, aluminum foil, nickel foil, copper alloy foil, nickel alloy foil, aluminum alloy foil, stainless steel foil, iron foil, iron alloy foil, zinc foil, Foil, cobalt alloy foil and the like can be used. In addition, a metal foil known as a metal foil can be used.

금속박(생박)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 1~105㎛, 또는 3~105㎛, 또는 5~105㎛로 할 수 있다. 또, 수지 기재로부터 쉽게 떼어낼 수 있는 점에서, 금속박의 두께는 9~70㎛인 것이 바람직하고, 12~35㎛인 것이 보다 바람직하며, 18~35㎛인 것이 더욱 바람직하다. 또, 금속박(생박)의 에칭 등에 의해 제거하기 쉽다는 관점에서는, 금속박의 두께는 얇은 것이 바람직하다. 예를 들면, 금속박의 두께는 105㎛ 이하인 것이 바람직하고, 70㎛ 이하인 것이 바람직하며, 35㎛ 이하인 것이 바람직하고, 18㎛ 이하인 것이 바람직하며, 12㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 금속박(생박)이 취급하기 쉬운 관점에서, 금속박의 두께는 두꺼운 것이 바람직하다. 예를 들면, 금속박의 두께는 1㎛ 이상이 바람직하고, 3㎛ 이상이 바람직하다.The thickness of the metal foil (fresh foil) is not particularly limited and may be, for example, 1 to 105 탆, 3 to 105 탆, or 5 to 105 탆. The thickness of the metal foil is preferably 9 to 70 mu m, more preferably 12 to 35 mu m, and even more preferably 18 to 35 mu m since it can be easily removed from the resin substrate. In addition, from the viewpoint of easy removal by etching or the like of the metal foil (fresh foil), the metal foil is preferably thin. For example, the thickness of the metal foil is preferably 105 占 퐉 or less, more preferably 70 占 퐉 or less, preferably 35 占 퐉 or less, more preferably 18 占 퐉 or less, and most preferably 12 占 퐉 or less. From the viewpoint that the metal foil (fresh foil) can be easily handled, the thickness of the metal foil is preferably thick. For example, the thickness of the metal foil is preferably 1 占 퐉 or more, more preferably 3 占 퐉 or more.

이하, 금속박(생박)의 예로서 동박에 대해서 설명한다. 금속박(생박)의 제조 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 하기의 전해 조건에 따라서 전해 동박을 제작할 수 있다. 또한, 이하의 방법은 동박 이외의 금속박(전해 금속박, 압연 금속박)에도 적용 가능하다.Hereinafter, the copper foil will be described as an example of the metal foil (fresh foil). The method for producing the metal foil (fresh foil) is not particularly limited, and for example, an electrolytic copper foil can be produced according to the following electrolysis conditions. The following methods are also applicable to metal foils other than copper foils (electrolytic metal foil, rolled metal foil).

<전해 동박의 제조 방법>≪ Electrolytic copper foil manufacturing method >

본 발명의 전해 동박은, 황산구리 도금 욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 위에 구리를 전해 석출하여 제조된다. 전해 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 하기 조건에 의해 전해 동박을 제작할 수 있다.The electrolytic copper foil of the present invention is produced by electrolytically depositing copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel. The electrolytic condition is not particularly limited, but an electrolytic copper foil can be produced by the following conditions, for example.

전해액 조성:Electrolyte composition:

Cu:30~190 g/LCu: 30 to 190 g / L

H2SO4:100~400 g/LH 2 SO 4 : 100 to 400 g / L

염화물 이온(Cl-):60~200 질량ppmChloride ion (Cl -): 60 ~ 200 ppm by weight

아교:1~10ppmGlue: 1 ~ 10ppm

(필요에 따라서 비스(3-술포프로필)디술피드(SPS):10~100ppm)(Optionally, bis (3-sulfopropyl) disulfide (SPS): 10 to 100 ppm)

전해액 온도:25~80℃Electrolyte temperature: 25 ~ 80 ℃

전해 시간:10~300초(석출시키는 구리 두께, 전류 밀도에 의해 조정)Electrolysis time: 10 to 300 seconds (Copper thickness to be deposited, adjusted by current density)

전류 밀도:50~150 A/d㎡Current density: 50 to 150 A / dm 2

전해액 선속:1.5~5 m/secElectrolyte flux: 1.5 to 5 m / sec

또한, 본 명세서에서 전해액, 도금액, 실란 커플링 처리액, 이형층을 형성하는 처리에 이용되는 액 등의 액이나 표면 처리를 위한 처리액의 잔부는 특별히 기재하지 않는 한 물이다.In the present specification, the remaining amount of the electrolyte solution, the plating solution, the silane coupling treatment solution, the solution used for forming the release layer, and the treatment solution for surface treatment is water unless otherwise specified.

이때 이용하는 전해 드럼은, 드럼 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1.0㎛ 이하, 바람직하게는 0.70㎛ 이하이다. 상기 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 표면에 갖는 전해 드럼은, 우선 티탄이나 스테인리스 드럼의 표면을 번수가 P150~P2500인 연마 벨트에 의해 연마한다. 이때, 연마 벨트를 드럼의 폭 방향에서 소정의 폭만큼 휘감아서, 소정의 속도로 연마 벨트를 드럼의 폭 방향으로 이동시키면서 드럼을 회전시켜서 연마한다. 상기 연마시의 드럼 표면의 회전 속도는 120~195m/분으로 한다. 드럼 표면의 회전 속도는 이하의 식으로 나타난다.The square root mean square root height (Sq) of the surface of the drum used in this electrolytic drum is 1.0 占 퐉 or less, preferably 0.70 占 퐉 or less. The electrolytic drum having the square root mean square height (Sq) on its surface is first polished with an abrasive belt having the number of times P150 to P2500 on the surfaces of titanium and stainless steel drums. At this time, the abrasive belt is wound by a predetermined width in the width direction of the drum, and the abrasive belt is rotated at a predetermined speed in the width direction of the drum while rotating the drum. The rotation speed of the drum surface at the time of polishing is set at 120 to 195 m / min. The rotational speed of the drum surface is expressed by the following equation.

드럼 표면의 회전 속도(m/분)=전해 드럼의 1분당 회전수(회/분)×전해 드럼의 일회전 당 둘레 길이(m/회)(Revolutions per minute) of the electrolytic drum (revolutions per minute) x circumferential length per revolution of the electrolytic drum (m / revolutions)

전해 드럼의 일회전 당 둘레 길이(m/회)=전해 드럼의 직경(m)×원주율π/1(회)(M / rev) per one rotation of the electrolytic drum = diameter (m) of the electrolytic drum x circumference? / 1

또, 연마 시간은 연마 벨트의 1회 패스로 드럼 표면의(폭 방향 위치의) 1점을 통과하는 시간과 패스 회수의 곱으로 한다. 또한, 상술한 1회의 패스로 드럼 표면의 1점을 통과하는 시간은, 연마 벨트의 폭을 연마 벨트 드럼의 폭 방향의 이동 속도로 나눈 값으로 했다. 또, 연마 벨트의 1회 패스란, 드럼의 둘레 방향의 표면을, 드럼의 축(폭) 방향(전해 동박의 폭 방향)의 일방의 단부로부터 다른 일방의 단부까지 1회 연마 벨트로 연마하는 것을 의미한다. 즉, 연마 시간은 이하의 식으로 나타난다.The polishing time is the product of the passage time of one point (in the width direction) of the surface of the drum and the number of passes in one pass of the abrasive belt. The time for passing one point of the surface of the drum by the above-described one pass is a value obtained by dividing the width of the abrasive belt by the moving speed in the width direction of the abrasive belt drum. The one-time passage of the abrasive belt means that the circumferential surface of the drum is polished with a polishing belt from one end to the other end in the axis (width) direction of the drum (the width direction of the electrolytic copper foil) it means. That is, the polishing time is expressed by the following equation.

연마 시간(분)=1패스 당 연마 벨트의 폭(cm/회)/연마 벨트의 이동 속도(cm/분)×패스 회수(회)Polishing time (minute) = width of abrasive belt per pass (cm / rev) / moving speed of abrasive belt (cm / min) x number of passes (times)

연마 시간은, 본 발명에서는 3~25분, 또 본 발명에서 연마시에 드럼 표면을 물로 적시는 경우는 6~25분으로 한다. 상기 연마 시간 산출의 예로서, 예를 들면 10cm 폭의 연마 벨트로 이동 속도를 20cm/분으로 했을 때, 드럼 표면 1점의 1패스의 연마 시간은 0.5분이다. 여기에 총 패스 회수를 곱해서 산출된다(예를 들면, 0.5분×10패스=5분). 연마 벨트의 번수를 크게 하는 것, 및/또는 드럼 표면의 회전 속도를 높게 하는 것, 및/또는 연마 시간을 길게 하는 것, 및/또는 연마시에 드럼 표면을 물로 적시는 것에 의해 드럼 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 작게 할 수 있다. 또, 연마 벨트의 번수를 작게 하는 것, 및/또는 드럼 표면의 회전 속도를 낮게 하는 것, 및/또는 연마 시간을 짧게 하는 것, 및/또는 연마시에 드럼 표면을 건조 시키는 것에 의해 드럼 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 크게 할 수 있다. 또한, 연마 시간을 길게 함으로써 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 작게 할 수 있다. 또, 연마 시간을 짧게 함으로써 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 크게 할 수 있다. 또한, 상술한 연마 벨트의 번수는 연마 벨트에 사용되고 있는 연마재의 입도를 의미한다. 그리고 상기 연마재의 입도는 FEPA(Federation of European Producers of Abrasives)-standard 43-1:2006, 43-2:2006에 준거한다.The polishing time is 3 to 25 minutes in the present invention, and 6 to 25 minutes in the case of wetting the surface of the drum at the time of polishing in the present invention. As an example of the polishing time calculation, when the moving speed is 20 cm / min with a 10 cm wide polishing belt, the polishing time of one pass on one surface of the drum is 0.5 minutes. This is multiplied by the total number of passes (for example, 0.5 minutes x 10 passes = 5 minutes). It is possible to increase the number of abrasive belts and / or to increase the rotation speed of the drum surface, and / or to increase the polishing time, and / or by squashing the drum surface with water at the time of polishing, The mean square root height Sq can be reduced. It is also possible to reduce the number of grinding belts and / or lower the rotation speed of the drum surface, and / or to shorten the polishing time and / or to dry the drum surface during polishing, The square root mean square root height Sq can be increased. In addition, by making the polishing time longer, the square root mean square root height Sq can be reduced. In addition, the root-mean-square root height Sq can be increased by shortening the polishing time. The number of the above-mentioned abrasive belt means the particle size of the abrasive used in the abrasive belt. The particle size of the abrasive is in accordance with the Federation of European Producers of Abrasives (FEPA) standard 43-1: 2006, 43-2: 2006.

또, 연마시에 드럼 표면을 물로 적셔서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 작게 할 수 있다. 또, 연마시에 드럼 표면을 건조시켜서, 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 크게 할 수 있다.In polishing, the surface of the drum may be wetted with water to reduce the square root mean square root height (Sq). In addition, the surface of the drum can be dried at the time of polishing to increase the square root mean square root height (Sq).

또한, 전해 드럼 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)는 이하와 같이 측정할 수 있다.The square root mean square height (Sq) of the electrolytic drum surface can be measured as follows.

·수지 필름(폴리염화비닐)을 용제(아세톤)에 침지시켜서 팽윤시킨다.· The resin film (polyvinyl chloride) is swelled by immersion in a solvent (acetone).

·상기 팽윤시킨 수지 필름을 전해 드럼 표면에 접촉시켜서, 수지 필름으로부터 아세톤이 휘발한 후에 수지 필름을 박리하여, 전해 드럼 표면의 레플리카를 채취한다.The swollen resin film is brought into contact with the surface of the electrolytic drum to peel off the resin film after the acetone has volatilized from the resin film, and the replica on the electrolytic drum surface is collected.

·상기 레플리카를 레이저 현미경으로 측정하여 제곱평균제곱근 높이(Sq)의 값을 측정한다.Measure the replicas with a laser microscope to determine the value of the root mean square height (Sq).

그리고 얻어진 레플리카의 제곱평균제곱근 높이(Sq)의 값을 전해 드럼 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)로 한다.Then, the value of the square root mean square root height Sq of the obtained replica is taken as the square root mean square root height Sq of the electrolytic drum surface.

또, 제곱평균제곱근 높이(Sq), Sq와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는 모두 상기 전해 조건에 따라서 조정할 수 있다. 전해 시간(구리 두께) 및/또는 전류 밀도를 상기 범위 내에서 높게 하면 Sq 및 Sq/Rsm가 커진다. 한편, 염화물 이온 농도, 아교농도, SPS 농도 및/또는 전해액 선속을 상기 범위 내에서 높게 하면 Sq 및 Sq/Rsm는 작아지는 경향이 있다. 요구되는 박리성의 정도, 요구되는 적층 부재와의 밀착성에 따라서 이들 전해 조건을 조절하면 된다.In addition, the ratio (Sq / Rsm) of the root-mean-square root height (Sq), Sq and the average spacing (Rsm) of the irregularities can be adjusted in accordance with the electrolysis conditions. If the electrolytic time (copper thickness) and / or current density is increased within the above range, Sq and Sq / Rsm become large. On the other hand, if the chloride ion concentration, the glue concentration, the SPS concentration, and / or the electrolyte flux are increased within the above range, Sq and Sq / Rsm tend to decrease. These electrolytic conditions may be adjusted according to the degree of the required releasability and the adhesion with the required lamination member.

또, 금속박의 제1면 및/또는 제2면에 대해서 버프 연마 등의 기계 연마나, 에칭 등의 화학 연마를 실시하여 상술한 Sq를 조정해도 된다(여기서 말하는 연마는 표면의 요철의 정도를 더하는 것도 포함한다.).Further, the first and / or second surface of the metal foil may be subjected to chemical polishing such as mechanical polishing such as buff polishing or chemical polishing such as etching to adjust the above-described Sq (here, the polishing is performed by adding the degree of surface irregularities .

<압연 동박의 제조 방법>≪ Process for producing rolled copper foil &

금속박(생박)은, 압연 동박(압연 금속박)이어도 좋다. 상기 압연 동박(압연 금속박)은 최종 냉간 압연시의 유막 당량을 제어하는 것, 및 최종 냉간 압연의 압연 롤의 Sq를 제어하는 것, 및 최종 냉간 압연의 가공도를 제어함으로써, 금속박의 이형층이 형성되지 않을 예정인 쪽의 면인 제1면, 및/또는 이형층이 형성될 예정인 쪽 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 1.6㎛ 이하, 1.0㎛ 이하, 0.70㎛ 이하, 및/또는 0.01㎛ 이상, 0.25㎛ 이상으로 할 수 있다. 최종 냉간 압연시의 유막 당량을 크게 하는 것, 및/또는 최종 냉간 압연의 압연 롤의 Sq 값을 크게 하는 것, 및/또는 최종 냉간 압연의 가공도를 작게 함으로써, 금속박의 이형층이 형성되지 않을 예정인 쪽의 면인 제1면, 및/또는 이형층이 형성될 예정인 쪽의 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)의 값을 크게 할 수 있다. 최종 냉간 압연시의 유막 당량을 작게 하는 것, 및/또는 최종 냉간 압연의 압연 롤 Sq의 값을 작게 하는 것, 및/또는 최종 냉간 압연의 가공도를 크게 함으로써, 금속박의 이형층이 형성되지 않을 예정인 쪽의 면인 제1면, 및/또는 이형층이 형성될 예정인 쪽의 면인 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq) 값을 작게 할 수 있다.The metallic foil (fresh foil) may be rolled copper foil (rolled metal foil). The rolled copper foil (rolled metal foil) controls the equivalence of the film in the final cold rolling and controls the Sq of the rolling roll of the final cold rolling and the final cold rolling so that the releasing layer of the metal foil The square root mean square root height (Sq) of the second surface, which is the side on which the release layer is to be formed, is 1.6 占 퐉 or less, 1.0 占 퐉 or less, 0.70 占 퐉 or less and / or 0.01 Mu m or more and 0.25 mu m or more. It is possible to increase the equivalence of the oil film at the final cold rolling and / or to increase the Sq value of the rolling roll of the final cold rolling and / or to decrease the degree of final cold rolling, It is possible to increase the value of the square root mean square root height Sq of the first face, which is a face to be a predetermined face, and / or the second face, which is a face to be formed with a release layer. By decreasing the film equivalent weight at the time of final cold rolling and / or by decreasing the value of the rolling roll Sq of the final cold rolling and / or by increasing the degree of processing of the final cold rolling, the releasing layer of the metal foil is not formed The value of the square root mean square root height (Sq) of the first face which is a face to be a predetermined face and / or the second face which is a face to which a release layer is to be formed can be made small.

또, 최종 냉간 압연 후에 금속박의 이형층이 형성되지 않을 예정인 쪽의 면인 제1면, 및/또는 이형층이 형성될 예정인 쪽의 면인 제2면에 대해서 버프 연마 등의 기계 연마나, 에칭 등의 화학 연마를 실시하여 상술한 Sq를 조정해도 좋다(여기서 말하는 연마는 표면의 요철 정도를 더하는 것도 포함한다.).After the final cold rolling, the first surface, which is the surface on which the release layer of the metal foil is to be formed, and / or the second surface, which is the surface to be formed with the release layer, is subjected to mechanical polishing such as buff polishing, Chemical polishing may be performed to adjust the above-described Sq (the polishing referred to here also includes adding the surface roughness).

그 다음, 본 발명에서 이용할 수 있는 이형층에 대해서 설명한다.Next, the release layer usable in the present invention will be described.

(1) 실란 화합물(1) Silane compound

다음 식에 나타내는 실란 화합물, 실란 화합물의 가수분해 생성물 및 가수분해 생성물의 축합체(이하, 단순히 실란 화합물이라고 기술한다)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함하는 이형층을 형성함으로써, 금속박과 수지 기재를 접합시켰을 때, 적당히 밀착성이 저하하여 박리 강도를 상술의 범위로 조절할 수 있다.A release layer comprising at least one or more selected from the group consisting of a silane compound represented by the following formula, a condensate of a hydrolysis product of a silane compound and a hydrolysis product (hereinafter simply referred to as a silane compound) Thus, when the metal foil and the resin base material are bonded to each other, the adhesiveness is moderately reduced and the peel strength can be controlled within the above range.

식:expression:

[화학식 3](3)

Figure pat00003
Figure pat00003

(식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 탄화수소기 중 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알콕시기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기 또는 탄화수소기 중 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이다.)(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, R 3 and R 4 each independently represent a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom in the hydrocarbon group or hydrocarbon group selected from the group consisting of a halogen atom, an alkoxy group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group is substituted with a halogen atom.

상기 실란 화합물은 알콕시기를 적어도 1개 가지고 있을 필요가 있다. 알콕시기가 존재하지 않고, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기이거나, 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 것들 중 어느 하나의 탄화수소기만으로 치환기가 구성되는 경우, 수지 기재와 금속박의 밀착성이 너무 저하하는 경향이 있다. 또, 상기 실란 화합물은 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기이거나, 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 것들 중 어느 하나의 탄화수소기를 적어도 1개 가지고 있을 필요가 있다. 상기 탄화수소기가 존재하지 않는 경우, 수지 기재와 금속박의 밀착성이 상승하는 경향이 있기 때문이다. 또한, 알콕시기에는 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 알콕시기도 포함되는 것으로 한다.The silane compound needs to have at least one alkoxy group. In the case where a substituent is constituted by a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, The adhesion tends to be too low. It is necessary that the silane compound is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or at least one hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom. If the hydrocarbon group is not present, the adhesion between the resin substrate and the metal foil tends to increase. Further, the alkoxy group includes an alkoxy group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom.

수지 기재와 금속박의 박리 강도를 상술한 범위로 조절한 후, 상기 실란 화합물은 알콕시기를 3개, 상기 탄화수소기(1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기를 포함한다)를 1개 가지고 있는 것이 바람직하다. 이것을 위의 식으로 말하자면, R3 및 R4의 양쪽 모두가 알콕시기라는 것이 된다.It is preferable that the silane compound has three alkoxy groups and one hydrocarbon group (one or more hydrogen atoms include a hydrocarbon group substituted with a halogen atom) Do. In terms of the above formula, both R 3 and R 4 are referred to as alkoxy groups.

알콕시기로서는, 한정적이지는 않지만, 메톡시기, 에톡시기, n- 또는 iso-프로폭시기, n-, iso- 또는 tert-부톡시기, n-, iso- 또는 neo-펜톡시기, n-헥속시기, 시클로헥속시기, n-헵톡시기, 및 n-옥톡시기 등의 직쇄상, 분지상, 또는 환상의 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 탄소수 1~5의 알콕시기를 들 수 있다.The alkoxy group includes, but is not limited to, a methoxy group, an ethoxy group, an n- or iso-propoxy group, n-, iso- or tert-butoxy group, n-, iso- or neo- Branched or cyclic alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, .

할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기를 들 수 있다.The alkyl group includes, but is not limited to, methyl, ethyl, n- or isopropyl, n-, iso- or tert-butyl, n-, iso- or neopentyl, n- An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl and n-decyl groups.

시클로 알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로 프로필기, 시클로 부틸기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기, 시클로 헵틸기, 시클로 옥틸기 등의 탄소수 3~10, 바람직하게는 탄소수 5~7의 시클로 알킬기를 들 수 있다.Examples of the cycloalkyl group include, but are not limited to, cycloalkyl groups having 3 to 10 carbon atoms, preferably 5 to 7 carbon atoms such as cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group and cyclooctyl group .

아릴기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기(예:트릴기, 크실릴기), 1- 또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6~20, 바람직하게는 6~14의 아릴기를 들 수 있다.Examples of the aryl group include an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a trityl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, .

이들 탄화수소기는 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환되어도 좋고, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자로 치환될 수 있다.These hydrocarbon groups may be substituted with at least one hydrogen atom by a halogen atom, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.

바람직한 실란 화합물의 예로는, 메틸트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n- 또는 iso-프로필트리메톡시실란, n-, iso- 또는 tert-부틸트리메톡시실란, n-, iso- 또는 neo-펜틸트리메톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 옥틸트리메톡시실란, 데실트리메톡시실란, 페닐트리메톡시실란;알킬 치환 페닐트리메톡시실란(예를 들면, p-(메틸)페닐트리메톡시실란), 메틸트리에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n- 또는 iso-프로필트리에톡시실란, n-, iso- 또는 tert-부틸트리에톡시실란, 펜틸트리에톡시실란, 헥실트리에톡시실란, 옥틸트리에톡시실란, 데실트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 알킬 치환 페닐트리에톡시실란(예를 들면, p-(메틸)페닐트리에톡시실란), (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란, 및 트리데카플루오로옥틸트리에톡시실란, 메틸트리클로로실란, 디메틸디클로로실란, 트리메틸클로로실란, 페닐트리클로로실란, 트리메틸플루오로실란, 디메틸디브로모실란, 디페닐디브로모실란, 이들의 가수분해 생성물, 및 이들의 가수분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수의 용이성의 관점에서, 프로필트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 헥실트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 데실트리메톡시실란이 바람직하다.Examples of preferred silane compounds include methyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, n- or iso-propyltrimethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltrimethoxysilane, n-, iso- or phenyltrimethoxysilane, alkyl-substituted phenyltrimethoxysilane (for example, p- (methyl) phenyl (meth) acrylate, phenyltrimethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octyltrimethoxysilane, decyltrimethoxysilane, Trimethoxysilane), methyltriethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n- or iso-propyltriethoxysilane, n-, iso- or tert-butyltriethoxysilane, pentyltriethoxysilane, hexyl Phenyltriethoxysilane, alkyl-substituted phenyltriethoxysilane (e.g., p- (methyl) phenyltriethoxysilane), (3, 3,3-trifluoropropyl) trimethoxysilane, and tridecafluorooctyltriethoxysilane , Condensates of hydrolysis products of these, and condensation products thereof, such as methyltrichlorosilane, dimethyldichlorosilane, trimethylchlorosilane, phenyltrichlorosilane, trimethylfluorosilane, dimethyldibromosilane, diphenyldibromosilane, And the like. Of these, propyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane and decyltrimethoxysilane are preferable from the viewpoint of availability.

이형층의 형성 공정에서, 실란 화합물은 수용액의 형태로 사용할 수 있다. 물에 대한 용해성을 높이기 위해서 메탄올이나 에탄올 등의 알코올을 첨가할 수도 있다. 알코올의 첨가는 특히 소수성이 높은 실란 화합물을 사용할 때에 유효하다. 실란 화합물의 수용액은, 교반함으로써 알콕시기의 가수분해가 촉진되고, 교반시간이 길면 가수분해 생성물의 축합이 촉진된다. 일반적으로는, 충분한 교반시간을 거쳐서 가수분해 및 축합이 진행된 실란 화합물을 이용한 쪽이 수지 기재와 금속박의 박리 강도가 저하하는 경향에 있다. 따라서, 교반시간을 조정함으로써 박리 강도를 조정할 수 있다. 한정적이지는 않지만, 실란 화합물을 물에 용해시킨 후의 교반시간으로는, 예를 들면 1~100시간으로 할 수 있고, 전형적으로는 1~30시간으로 할 수 있다. 당연히 교반하지 않고 이용하는 방법도 있다.In the step of forming the release layer, the silane compound can be used in the form of an aqueous solution. To increase the solubility in water, an alcohol such as methanol or ethanol may be added. The addition of alcohol is particularly effective when a silane compound having high hydrophobicity is used. The aqueous solution of the silane compound accelerates the hydrolysis of the alkoxy group by stirring, and the condensation of the hydrolysis product is promoted if the stirring time is long. In general, the use of a silane compound which has undergone hydrolysis and condensation through a sufficient stirring time tends to lower the peeling strength between the resin substrate and the metal foil. Therefore, the peeling strength can be adjusted by adjusting the stirring time. The stirring time after dissolving the silane compound in water can be, for example, from 1 to 100 hours, although not limited thereto, and typically from 1 to 30 hours. Naturally, there is a method of using without stirring.

실란 화합물의 수용액 중의 실란 화합물의 농도가 높은 것이 금속박과 판 모양 캐리어의 박리 강도가 저하하는 경향이 있어서, 실란 화합물의 농도 조정에 의해 박리 강도를 조정할 수 있다. 한정적이지는 않지만, 실란 화합물의 수용액 중의 농도는 0.01~10.0 부피%로 할 수 있고, 전형적으로는 0.1~5.0 부피%로 할 수 있다.The higher the concentration of the silane compound in the aqueous solution of the silane compound tends to lower the peel strength between the metal foil and the plate-like carrier, so that the peel strength can be adjusted by adjusting the concentration of the silane compound. Although not limited, the concentration of the silane compound in the aqueous solution may be 0.01 to 10.0% by volume, and typically 0.1 to 5.0% by volume.

실란 화합물 수용액의 pH는 특별히 제한은 없고, 산성측에서도 알칼리성측에서도 이용할 수 있다. 예를 들면 3.0~10.0 범위의 pH로 사용할 수 있다. 특별히 pH 조정이 불필요하다는 관점에서 중성 부근인 5.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 바람직하고, 7.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 보다 바람직하다.The pH of the aqueous solution of the silane compound is not particularly limited and can be used on the acidic side or on the alkaline side. For example, at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the viewpoint that the pH adjustment is unnecessary in particular, the pH is preferably in the range of about 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferably in the range of 7.0 to 9.0.

(2) 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물(2) a compound having two or less mercapto groups in the molecule

이형층은 분자 내에 2개 이상의 메르캅토기를 가지는 화합물을 이용해서 구성하고, 상기 이형층을 통해서 수지 기재와 금속박을 접합시켜서, 적당히 밀착성이 저하되어 박리 강도를 조절할 수 있다.The releasing layer is constituted by using a compound having two or more mercapto groups in the molecule, and the resin substrate and the metal foil are bonded to each other through the releasing layer, whereby the adhesiveness is suitably decreased and the peeling strength can be controlled.

단, 분자 내에 3개 이상의 메르캅토기를 가지는 화합물 또는 그 염을 수지 기재와 금속박 사이에 개재시켜서 접합한 경우, 박리 강도를 저감하려는 목적에는 적합하지 않다. 이것은, 분자 내에 메르캅토기가 과도하게 존재하면 메르캅토기끼리, 또는 메르캅토기와 판 모양 캐리어, 또는 메르캅토기와 금속박의 화학반응에 의해 술피드 결합, 디술피드 결합 또는 폴리술피드 결합이 과잉 생성되어, 수지 기재와 금속박 사이에 강고한 3차원 가교 구조가 형성됨으로써 박리 강도가 상승하는 경우가 있다고 생각되기 때문이다. 이러한 사례는 일본 공개특허공보 2000-196207호 공보에 개시되어 있다.However, when a compound having three or more mercapto groups in the molecule or a salt thereof is interposed between the resin substrate and the metal foil and bonded together, it is not suitable for the purpose of reducing the peel strength. This is because when a mercapto group is excessively present in a molecule, a sulfide bond, a disulfide bond or a polysulfide bond is formed by a chemical reaction between a mercapto group or between a mercapto group and a plate-like carrier or between a mercapto group and a metal foil It is considered that there is a case where the excessive peeling strength is increased due to the excessive formation of a three-dimensional crosslinked structure between the resin base material and the metal foil. Such an example is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2000-196207.

이 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물로는, 티올, 디티올, 티오카르본산 또는 그 염, 디티오카르본산 또는 그 염, 티오술폰산 또는 그 염, 및 디티오술폰산 또는 그 염을 들 수 있고, 이들 중에서 선택되는 적어도 1종을 이용할 수 있다.Examples of the compound having two or less mercapto groups in the molecule include thiol, dithiol, thiocarboxylic acid or a salt thereof, dithiocarboxylic acid or a salt thereof, thiosulfonic acid or a salt thereof, and dithiosulfonic acid or a salt thereof And at least one selected from these can be used.

티올은 분자 내에 하나의 메르캅토기를 가지는 것으로, 예를 들면 R-SH로 나타난다. 여기서, R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다.Thiol has one mercapto group in the molecule, for example, R-SH. Here, R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group.

디티올은 분자 내에 2개의 메르캅토기를 가지는 것으로, 예를 들면 R(SH)2로 나타난다. R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 또, 2개의 메르캅토기는 각각 동일한 탄소에 결합해도 좋고, 서로 다른 탄소 또는 질소에 결합해도 좋다.Dithiol has two mercapto groups in the molecule and is represented by, for example, R (SH) 2 . R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The two mercapto groups may be bonded to the same carbon or may be bonded to different carbon or nitrogen, respectively.

티오카르본산은 유기 카르본산의 수산기가 메르캅토기로 치환된 것으로, 예를 들면 R-CO-SH로 나타난다. R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 또, 티오카르본산은 염의 형태로도 사용할 수 있다. 또한, 티오카르본산기를 2개 가지는 화합물도 사용 가능하다.Thiocarboxylic acid has a hydroxyl group of an organic carboxylic acid substituted by a mercapto group, for example, R-CO-SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. Thiocarboxylic acid can also be used in the form of a salt. Further, compounds having two thiocarboxylic acid groups can be used.

디티오카르본산은 유기 카르본산의 카르복시기 중 2개의 산소 원자가 유황 원자로 치환된 것으로, 예를 들면 R-(CS)-SH로 나타난다. R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 또, 디티오카르본산은 염의 형태에서도 사용할 수 있다. 또한, 디티오카르본 산기를 2개 가지는 화합물도 사용 가능하다.The dithiocarboxylic acid is represented by R- (CS) -SH in which two oxygen atoms in the carboxyl group of the organic carboxylic acid are substituted with sulfur atoms. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. In addition, dithiocarboxylic acid can be used in the form of a salt. Also, compounds having two dithiocarboxylic acid groups can be used.

티오 술폰산은 유기 술폰산의 수산기가 메르캅토기로 치환된 것으로, 예를 들면 R(SO2)-SH로 나타난다. R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 또, 티오 술폰산은 염의 형태로도 사용할 수 있다.The thiosulfonic acid is a compound in which the hydroxyl group of the organic sulfonic acid is substituted with a mercapto group, for example, R (SO 2 ) -SH. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The thiosulfonic acid can also be used in the form of a salt.

디티오술폰산은 유기 디술폰산의 2개의 수산기가 각각 메르캅토기로 치환된 것으로, 예를 들면 R-((SO2)-SH)2로 나타난다. R은 수산기 또는 아미노기를 포함해도 좋은, 지방족계 또는 방향족계 탄화수소기 또는 복소환기를 나타낸다. 또, 2개의 티오술폰산기는 각각 동일한 탄소에 결합해도 좋고, 서로 다른 탄소에 결합해도 좋다. 또, 디티오술폰산은 염의 형태로도 사용할 수 있다.The dithiosulfonic acid is represented by R - ((SO 2 ) -SH) 2 in which two hydroxyl groups of the organic disulfonic acid are each substituted with a mercapto group. R represents an aliphatic or aromatic hydrocarbon group or heterocyclic group which may contain a hydroxyl group or an amino group. The two thiosulfuric acid groups may be bonded to the same carbon or may be bonded to different carbons, respectively. The dithiosulfonic acid can also be used in the form of a salt.

여기서, R로서 바람직한 지방족계 탄화수소기로는, 알킬기, 시클로알킬기를 들 수 있고, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고 있어도 좋다.Examples of the preferable aliphatic hydrocarbon group as R include an alkyl group and a cycloalkyl group, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.

또, 알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl, ethyl, n- or iso-propyl, n-, iso- or tert- an n-octyl group, and an n-decyl group. The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms may be used.

또, 시클로알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로 프로필기, 시클로 부틸기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기, 시클로 헵틸기, 시클로 옥틸기 등의 탄소수 3~10, 바람직하게는 탄소수 5~7의 시클로알킬기를 들 수 있다.The cycloalkyl group includes, but is not limited to, a cycloalkyl group having a carbon number of 3 to 10, preferably 5 to 7 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group And a cycloalkyl group.

또, R로서 바람직한 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기(예:트릴기, 크실릴기), 1- 또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6~20, 바람직하게는 6~14의 아릴기를 들 수 있고, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고 있어도 좋다.Preferred examples of the aromatic hydrocarbon group for R include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a thryl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, and an anthryl group, To 14 carbon atoms, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group.

또, R로서 바람직한 복소환기로는, 이미다졸, 트리아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 티아졸, 벤조티아졸을 들 수 있고, 수산기와 아미노기 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고 있어도 좋다.Examples of the heterocyclic group which is preferable as R include imidazole, triazole, tetrazole, benzimidazole, benzotriazole, thiazole and benzothiazole. The heterocyclic group includes either or both of a hydroxyl group and an amino group There may be.

분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물의 바람직한 예로는, 3-메르캅토-1,2 프로판디올, 2-메르캅토 에탄올, 1,2-에탄디티올, 6-메르캅토-1-헥사놀, 1-옥탄 티올, 1-도데칸 티올, 10-히드록시-1-도데칸 티올, 10-카르복시-1-도데칸 티올, 10-아미노-1-도데칸 티올, 1-도데칸 티올 술폰산 나트륨, 티오 페놀, 티오 벤조산, 4-아미노-티오 페놀, p-톨루엔 티올, 2,4-디메틸 벤젠 티올, 3-메르캅토-1,2,4 트리아졸, 2-메르캅토벤조티아졸을 들 수 있다. 이들 중에서도 수용성과 폐기물 처리상 관점에서, 3-메르캅토-1,2 프로판디올이 바람직하다.Preferable examples of the compound having two or less mercapto groups in the molecule include 3-mercapto-1,2-propanediol, 2-mercaptoethanol, 1,2-ethanedithiol, 6-mercapto- 1-dodecanethiol, 10-amino-1-dodecanethiol, 1-dodecanethiol sulfonic acid, Sodium, thiophenol, thiobenzoic acid, 4-amino-thiophenol, p-toluenethiol, 2,4-dimethylbenzenethiol, 3-mercapto-1,2,4 triazole, 2-mercaptobenzothiazole . Of these, 3-mercapto-1,2-propanediol is preferred from the standpoint of water solubility and waste disposal.

이형층의 형성 공정에서, 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물은 수용액의 형태로 사용할 수 있다. 물에 대한 용해성을 높이기 위해서 메탄올이나 에탄올 등의 알코올을 첨가할 수도 있다. 알코올의 첨가는 특히 소수성이 높은 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물을 사용할 때에 유효하다.In the step of forming the release layer, the compound having two or less mercapto groups in the molecule can be used in the form of an aqueous solution. To increase the solubility in water, an alcohol such as methanol or ethanol may be added. The addition of alcohol is particularly effective when using a compound having two or less mercapto groups in a molecule having high hydrophobicity.

분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물의 수용액 중의 농도는 높은 것이 수지 기재와 금속박의 박리 강도는 저하하는 경향에 있고, 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물의 농도를 조정함으로써 박리 강도를 조정할 수 있다. 한정적이지는 않지만, 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물의 수용액 중의 농도는 0.01~10.0중량%로 할 수 있고, 전형적으로는 0.1~5.0중량%로 할 수 있다.The concentration of the compound having two or less mercapto groups in the molecule in the aqueous solution is high and the peeling strength between the resin substrate and the metal foil tends to be lowered. By adjusting the concentration of the compound having two or less mercapto groups in the molecule The peel strength can be adjusted. The concentration of the compound having not more than two mercapto groups in the molecule in the aqueous solution may be 0.01 to 10.0% by weight, and typically 0.1 to 5.0% by weight, although not limited thereto.

분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물의 수용액의 pH는 특별히 제한은 없고, 산성측에서도 알칼리성측에서도 이용할 수 있다. 예를 들면, 3.0~10.0 범위의 pH로 사용할 수 있다. 특별한 pH 조정이 불필요하다는 관점에서 중성 부근인 5.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 바람직하고, 7.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 보다 바람직하다.The pH of the aqueous solution of the compound having two or less mercapto groups in the molecule is not particularly limited and can be used on the acidic side or on the alkaline side. For example, it can be used at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the viewpoint that a special pH adjustment is unnecessary, the pH is preferably in the range of about 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferably in the range of 7.0 to 9.0.

(3) 금속 알콕시드(3) Metal alkoxide

이형층을, 다음 식에 나타내는 구조를 가지는 알루민산염 화합물, 티탄산염 화합물, 지르코늄산염 화합물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물, 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체 및 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함한 구성, 또는 단독으로 또는 복수 혼합한 구성으로 해도 좋다. 상기 가수분해 생성물의 축합체는, 이하에서, 단순히 금속 알콕시드라고도 한다. 상기 이형층을 통해서 수지 기재와 금속박을 접합시켜서 적당히 밀착성이 저하되어, 박리 강도를 조절할 수 있다.The release layer may be formed by using an aluminate compound, a titanate compound, a zirconate compound, a hydrolysis product of an aluminate compound, a hydrolysis product of a titanate compound, a hydrolysis product of a zirconate compound, A condensate of a hydrolysis product of a titanate compound, a condensate of a hydrolysis product of a titanate compound, and a condensate of a hydrolysis product of a zirconate compound, Or a plurality of them may be mixed. The condensate of the hydrolysis product is hereinafter simply referred to as a metal alkoxide. The resin substrate and the metal foil are bonded to each other through the release layer, whereby the adhesiveness is appropriately lowered and the peel strength can be controlled.

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure pat00004
Figure pat00004

식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, M은 Al, Ti, Zr 중 어느 1개이고, n은 0, 1 또는 2이며, m은 1 이상 M의 가수 이하의 정수이고, R1의 적어도 1개는 알콕시기이다. m+n은 M의 가수이다. M의 가수는 Al의 경우 3, Ti, Zr의 경우 4이다.Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom and M Is one of Al, Ti and Zr, n is 0, 1 or 2, m is an integer of 1 or more and less than or equal to M, and at least one of R 1 is an alkoxy group. m + n is the mantissa of M. The mantissa of M is 3 for Al and 4 for Ti and Zr.

상기 금속 알콕시드는 알콕시기를 적어도 1개 가지고 있을 필요가 있다. 알콕시기가 존재하지 않고, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기이거나, 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 것들 중 어느 하나의 탄화수소기만으로 치환기가 구성되는 경우, 수지 기재와 금속박의 밀착성이 너무 저하하는 경향이 있다. 또, 상기 금속 알콕시드는 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기이거나, 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 것들 중 어느 하나의 탄화수소기를 0~2개 가질 필요가 있다. 상기 탄화수소기를 3개 이상 가지는 경우, 수지 기재와 금속박의 밀착성이 너무 저하하는 경향이 있기 때문이다. 또한, 알콕시기에는 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 알콕시기도 포함되는 것으로 한다. 수지 기재와 금속박의 박리 강도를 상술한 범위로 조절하는 데에는, 상기 금속 알콕시드는 알콕시기를 2개 이상, 상기 탄화수소기(1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기를 포함한다)를 1개나 2개 가지고 있는 것이 바람직하다.The metal alkoxide must have at least one alkoxy group. In the case where a substituent is constituted by a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom, The adhesion tends to be too low. The metal alkoxide is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, and it is necessary that the metal alkoxide has 0 to 2 of any one hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom. If the number of the hydrocarbon groups is 3 or more, the adhesion between the resin substrate and the metal foil tends to be too low. Further, the alkoxy group includes an alkoxy group in which at least one hydrogen atom is substituted with a halogen atom. To adjust the peel strength between the resin substrate and the metal foil to the above-mentioned range, the metal alkoxide preferably has two or more alkoxy groups and one or two hydrocarbon groups (one or more hydrogen atoms include a hydrocarbon group substituted with a halogen atom) .

또, 알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 메틸기, 에틸기, n- 또는 iso-프로필기, n-, iso- 또는 tert-부틸기, n-, iso- 또는 neo-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-데실기 등의 직쇄상 또는 분지상의 탄소수 1~20, 바람직하게는 탄소수 1~10, 보다 바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기를 들 수 있다.Examples of the alkyl group include, but are not limited to, methyl, ethyl, n- or iso-propyl, n-, iso- or tert- an n-octyl group, and an n-decyl group. The alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 1 to 5 carbon atoms may be used.

또, 시클로알킬기로는, 한정적이지는 않지만, 시클로 프로필기, 시클로 부틸기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기, 시클로 헵틸기, 시클로 옥틸기 등의 탄소수 3~10, 바람직하게는 탄소수 5~7의 시클로알킬기를 들 수 있다.The cycloalkyl group includes, but is not limited to, a cycloalkyl group having a carbon number of 3 to 10, preferably 5 to 7 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group and a cyclooctyl group And a cycloalkyl group.

또, R2로서 바람직한 방향족 탄화수소기로는, 페닐기, 알킬기로 치환된 페닐기(예:트릴기, 크실릴기), 1-또는 2-나프틸기, 안트릴기 등의 탄소수 6~20, 바람직하게는 6~14의 아릴기를 들 수 있고, 이들 탄화수소기는 수산기와 아미노기 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두를 포함하고 있어도 좋다. 이들 탄화수소기는 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환되어도 좋고, 예를 들면, 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자로 치환될 수 있다.Preferred examples of the aromatic hydrocarbon group as R 2 include a phenyl group, a phenyl group substituted with an alkyl group (e.g., a thryl group, a xylyl group), a 1- or 2-naphthyl group, and an anthryl group, An aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and these hydrocarbon groups may contain either or both of a hydroxyl group and an amino group. These hydrocarbon groups may be substituted with at least one hydrogen atom by a halogen atom, for example, a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom.

바람직한 알루민산염 화합물의 예로는, 트리 메톡시 알루미늄, 메틸 디메톡시 알루미늄, 에틸 디메톡시 알루미늄, n- 또는 iso-프로필 디메톡시 알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸 디메톡시 알루미늄, n-, iso- 또는 neo-펜틸 디메톡시 알루미늄, 헥실 디메톡시 알루미늄, 옥틸 디메톡시 알루미늄, 데실 디메톡시 알루미늄, 페닐 디메톡시 알루미늄;알킬 치환 페닐 디메톡시 알루미늄(예를 들면, p-(메틸)페닐 디메톡시 알루미늄), 디메틸 메톡시 알루미늄, 트리 에톡시 알루미늄, 메틸디에톡시알루미늄, 에틸디에톡시알루미늄, n- 또는 iso-프로필디에톡시알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸디에톡시알루미늄, 펜틸디에톡시알루미늄, 헥실디에톡시알루미늄, 옥틸디에톡시알루미늄, 데실디에톡시알루미늄, 페닐디에톡시알루미늄, 알킬 치환 페닐디에톡시알루미늄(예를 들면, p-(메틸)페닐디에톡시알루미늄), 디메틸 에톡시 알루미늄, 트리이소프로폭시알루미늄, 메틸디이소프로폭시알루미늄, 에틸디이소프로폭시알루미늄, n- 또는 iso-프로필디에톡시알루미늄, n-, iso- 또는 tert-부틸디이소프로폭시알루미늄, 펜틸디이소프로폭시알루미늄, 헥실디이소프로폭시알루미늄, 옥틸디이소프로폭시알루미늄, 데실디이소프로폭시알루미늄, 페닐디이소프로폭시알루미늄, 알킬 치환 페닐디이소프로폭시알루미늄(예를 들면, p-(메틸)페닐디이소프로폭시알루미늄), 디메틸이소프로폭시알루미늄, (3,3,3-트리 플루오로 프로필)디메톡시 알루미늄, 및 트리데카플루오로옥틸디에톡시알루미늄, 메틸 디클로로 알루미늄, 디메틸 클로로 알루미늄, 디메틸 클로로 알루미늄, 페닐 디클로로 알루미늄, 디메틸 플루오로 알루미늄, 디메틸 브로모 알루미늄, 디페닐 브로모 알루미늄, 이들의 가수분해 생성물, 및 이들의 가수분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 입수의 용이성의 관점에서, 트리 메톡시 알루미늄, 트리 에톡시 알루미늄, 트리이소프로폭시알루미늄이 바람직하다.Examples of preferred aluminate compounds include trimethoxy aluminum, methyl dimethoxy aluminum, ethyl dimethoxy aluminum, n- or iso-propyl dimethoxy aluminum, n-, iso- or tert-butyl dimethoxy aluminum, n-, phenyldimethoxy aluminum (for example, p- (methyl) phenyldimethoxyaluminum, phenyldimethoxyaluminum, phenyldimethoxyaluminum, alkyl substituted phenyldimethoxyaluminum ), Dimethylmethoxyaluminum, triethoxyaluminum, methyldiethoxyaluminum, ethyldiethoxyaluminum, n- or iso-propyldiethoxyaluminum, n-, iso- or tert-butyldiethoxyaluminum, pentyldiethoxyaluminum, Hexyldiethoxy aluminum, octyl diethoxy aluminum, decyl diethoxy aluminum, phenyl diethoxy aluminum, alkyl substituted phenyl di Propoxy aluminum, diisopropoxy aluminum, ethyl diisopropoxy aluminum, n- or iso-propyl di-n-propoxy aluminum (for example, p- (methyl) phenyldiethoxy aluminum), dimethyl ethoxy aluminum, Propoxy aluminum, octyl aluminum, n-, iso- or tert-butyl diisopropoxy aluminum, pentyl diisopropoxy aluminum, hexyl diisopropoxy aluminum, octyl diisopropoxy aluminum, decyl diisopropoxy aluminum, (E.g., p- (methyl) phenyl diisopropoxy aluminum), dimethyl isopropoxy aluminum, (3,3,3-trifluoropropyl) dimethoxy aluminum , And tridecafluorooctyldiethoxyaluminum, methyldichloroaluminum, dimethylchloroaluminum, dimethylchloroaluminum, phenyldichloroaluminum, dimethyl fl ual Oro include aluminum, dimethyl aluminum-bromo-diphenyl-bromo-aluminum, and their hydrolysis products, and their degradation products of hydrolysis condensate and the like. Of these, trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum and triisopropoxyaluminum are preferable from the viewpoint of availability.

바람직한 티탄산염 화합물의 예로서는, 테트라 메톡시 티탄, 메틸 트리 메톡시 티탄, 에틸 트리 메톡시 티탄, n- 또는 iso-프로필 트리 메톡시 티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸 트리 메톡시 티탄, n-, iso- 또는 neo-펜틸 트리 메톡시 티탄, 헥실 트리 메톡시 티탄, 옥틸 트리 메톡시 티탄, 데실 트리 메톡시 티탄, 페닐 트리 메톡시 티탄;알킬 치환 페닐 트리 메톡시 티탄(예를 들면, p-(메틸)페닐 트리 메톡시 티탄), 디메틸 디메톡시 티탄, 테트라 에톡시 티탄, 메틸 트리 에톡시 티탄, 에틸 트리 에톡시 티탄, n- 또는 iso-프로필 트리 에톡시 티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸 트리 에톡시 티탄, 펜틸 트리 에톡시 티탄, 헥실 트리 에톡시 티탄, 옥틸 트리 에톡시 티탄, 데실 트리 에톡시 티탄, 페닐 트리 에톡시 티탄, 알킬 치환 페닐 트리 에톡시 티탄(예를 들면, p-(메틸)페닐 트리 에톡시 티탄), 디메틸디에톡시티탄, 테트라이소프로폭시티탄, 메틸트리이소프로폭시티탄, 에틸트리이소프로폭시티탄, n- 또는 iso-프로필 트리 에톡시 티탄, n-, iso- 또는 tert-부틸트리이소프로폭시티탄, 펜틸트리이소프로폭시티탄, 헥실트리이소프로폭시티탄, 옥틸트리이소프로폭시티탄, 데실트리이소프로폭시티탄, 페닐트리이소프로폭시티탄, 알킬 치환 페닐트리이소프로폭시티탄(예를 들면, p-(메틸)페닐트리이소프로폭시티탄), 디메틸디이소프로폭시티탄, (3,3,3-트리 플루오로 프로필)트리 메톡시 티탄, 및 트리 데카 플루오로 옥틸 트리 에톡시 티탄, 메틸 트리 클로로 티탄, 디메틸 디클로로 티탄, 트리 메틸 클로로 티탄, 페닐 트리 클로로 티탄, 디메틸 디플루오로 티탄, 디메틸디브로모티탄, 디페닐디브로모티탄, 이들의 가수분해 생성물, 및 이들의 가수분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이들 그 중에서도, 입수의 용이성의 관점에서, 테트라 메톡시 티탄, 테트라에톡시 티탄, 테트라이소프로폭시티탄이 바람직하다.Examples of preferable titanate compounds include tetramethoxytitanium, methyltrimethoxytitanium, ethyltrimethoxytitanium, n- or isopropyltrimethoxytitanium, n-, iso- or tert-butyltrimethoxytitanium, n -, iso-or neopentyltrimethoxytitanium, hexyltrimethoxytitanium, octyltrimethoxytitanium, decyltrimethoxytitanium, phenyltrimethoxytitanium, alkyl-substituted phenyltrimethoxytitanium (for example, p - (methyl) phenyltrimethoxytitanium), dimethyldimethoxytitanium, tetraethoxytitanium, methyltriethoxytitanium, ethyltriethoxytitanium, n- or isopropyltriethoxytitanium, n-, iso- or butyltriethoxytitanium, pentyltriethoxytitanium, hexyltriethoxytitanium, octyltriethoxytitanium, decyltriethoxytitanium, phenyltriethoxytitanium, alkyl-substituted phenyltriethoxytitanium (for example, , p- (methyl) phenyltriethoxytitanium), dimethyldiethoxytitanium, tetraisopropoxytitanium, methyltriisopropoxytitanium, ethyltriisopropoxytitanium, n- or iso-propyltriethoxytitanium, n -, iso-or tert-butyltriisopropoxytitanium, pentyltriisopropoxytitanium, hexyltriisopropoxytitanium, octyltriisopropoxytitanium, decyltriisopropoxytitanium, phenyltriisopropoxytitanium , Alkyl-substituted phenyltriisopropoxytitanium (for example, p- (methyl) phenyltriisopropoxytitanium), dimethyl diisopropoxytitanium, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxytitanium , And tridecafluorooctyltriethoxytitanium, methyltrichlorotitanium, dimethyldichlorotitanium, trimethylchlorotitanium, phenyltrichlorotitanium, dimethyldifluorotitanium, dimethyldibromotitanium, diphenyldibromotitanium,Of hydrolysis products, and the like can be mentioned those of the singer of the degradation product condensate. Of these, tetramethoxytitanium, tetraethoxytitanium and tetraisopropoxytitanium are preferable from the viewpoint of availability.

바람직한 지르코늄산염 화합물의 예로는, 테트라 메톡시 지르코늄, 메틸 트리 메톡시 지르코늄, 에틸 트리 메톡시 지르코늄, n- 또는 iso-프로필 트리 메톡시 지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸 트리 메톡시 지르코늄, n-, iso- 또는 neo-펜틸 트리 메톡시 지르코늄, 헥실 트리 메톡시 지르코늄, 옥틸 트리 메톡시 지르코늄, 데실 트리 메톡시 지르코늄, 페닐 트리 메톡시 지르코늄;알킬 치환 페닐 트리 메톡시 지르코늄(예를 들면, p-(메틸)페닐 트리 메톡시 지르코늄), 디메틸 디메톡시 지르코늄, 테트라 에톡시 지르코늄, 메틸 트리 에톡시 지르코늄, 에틸 트리 에톡시 지르코늄, n- 또는 iso-프로필 트리 에톡시 지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸 트리 에톡시 지르코늄, 펜틸 트리 에톡시 지르코늄, 헥실 트리 에톡시 지르코늄, 옥틸 트리 에톡시 지르코늄, 데실 트리 에톡시 지르코늄, 페닐 트리 에톡시 지르코늄, 알킬 치환 페닐 트리 에톡시 지르코늄(예를 들면, p-(메틸)페닐 트리 에톡시 지르코늄), 디메틸 디에톡시 지르코늄, 테트라 이소프로폭시 지르코늄, 메틸 트리 이소프로폭시 지르코늄, 에틸 트리 이소프로폭시 지르코늄, n- 또는 iso-프로필 트리 에톡시 지르코늄, n-, iso- 또는 tert-부틸 트리 이소프로폭시 지르코늄, 펜틸 트리 이소프로폭시 지르코늄, 헥실 트리 이소프로폭시 지르코늄, 옥틸 트리 이소프로폭시 지르코늄, 데실 트리 이소프로폭시 지르코늄, 페닐 트리 이소프로폭시 지르코늄, 알킬 치환 페닐 트리 이소프로폭시 지르코늄(예를 들면, p-(메틸)페닐트리이소프로폭시티탄), 디메틸 디이소프로폭시 지르코늄, (3,3,3-트리 플루오로 프로필)트리 메톡시 지르코늄, 및 트리 데카 플루오로 옥틸 트리 에톡시 지르코늄, 메틸 트리 클로로 지르코늄, 디메틸 디클로로 지르코늄, 트리 메틸 클로로 지르코늄, 페닐 트리 클로로 지르코늄, 디메틸 디플루오로 지르코늄, 디메틸 디브로모 지르코늄, 디페닐 디브로모 지르코늄, 이들의 가수분해 생성물 및 이들의 가수분해 생성물의 축합체 등을 들 수 있다. 이것들 중에서, 입수의 용이성의 관점에서, 테트라 메톡시 지르코늄, 테트라 에톡시 지르코늄, 테트라 이소프로폭시 지르코늄이 바람직하다.Examples of preferred zirconate compounds include tetramethoxyzirconium, methyltrimethoxyzirconium, ethyltrimethoxyzirconium, n- or iso-propyltrimethoxyzirconium, n-, iso- or tert-butyltrimethoxyzirconium, hexyltrimethoxyzirconium, octyltrimethoxyzirconium, decyltrimethoxyzirconium, phenyltrimethoxyzirconium, alkyl-substituted phenyltrimethoxyzirconium (for example, phenyltrimethoxyzirconium, isopropyltriethoxyzirconium, n-, iso- propyltriethoxyzirconium, n-, iso-, di- or p-toluenesulfonate), dimethyldimethoxyzirconium, tetraethoxyzirconium, methyltriethoxyzirconium, Or tert-butyltriethoxyzirconium, pentyltriethoxyzirconium, hexyltriethoxyzirconium, octyltriethoxyzirconium (E.g., p- (methyl) phenyltriethoxyzirconium), dimethyldiethoxyzirconium, tetraisopropoxyzirconium, tetraisopropoxyzirconium, methyltriethoxyzirconium, and alkyl substituted phenyltriethoxyzirconium Triisopropoxy zirconium, ethyl triisopropoxy zirconium, n- or iso-propyl triethoxy zirconium, n-, iso- or tert-butyl triisopropoxy zirconium, pentyl triisopropoxy zirconium, (Phenyl) triisopropoxyzirconium, alkyl substituted phenyltriisopropoxyzirconium (for example, p- (methyl) phenyltriisopropoxytitanium), alkyltriisopropoxyzirconium Dimethyl diisopropoxy zirconium, (3,3,3-trifluoropropyl) trimethoxy zirconium, and tride Tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, tetrafluoroethylenediamine, fluoroheptyltriethoxy zirconium, Decomposition products and condensates of the hydrolysis products thereof, and the like. Of these, tetramethoxy zirconium, tetraethoxy zirconium and tetraisopropoxy zirconium are preferable from the viewpoint of availability.

이형층의 형성 공정에서, 금속 알콕시드는 수용액의 형태로 사용할 수 있다. 물에 대한 용해성을 높이기 위해서 메탄올이나 에탄올 등의 알코올을 첨가할 수도 있다. 알코올의 첨가는 특히 소수성이 높은 금속 알콕시드를 사용하는 경우에 유효하다.In the step of forming the release layer, the metal alkoxide can be used in the form of an aqueous solution. To increase the solubility in water, an alcohol such as methanol or ethanol may be added. Addition of an alcohol is particularly effective when a metal alkoxide having high hydrophobicity is used.

금속 알콕시드의 수용액 중의 농도가 높은 것이 수지 기재와 금속박의 박리 강도는 저하하는 경향에 있고, 금속 알콕시드 농도를 조정하여 박리 강도를 조정할 수 있다. 한정적이지는 않지만, 금속 알콕시드의 수용액 중의 농도는 0.001~1.0mol/L로 할 수 있고, 전형적으로는 0.005~0.2mol/L로 할 수 있다.When the concentration of the metal alkoxide in the aqueous solution is high, the peeling strength between the resin base material and the metal foil tends to be lowered, and the peel strength can be adjusted by adjusting the metal alkoxide concentration. Although not limited, the concentration of the metal alkoxide in the aqueous solution may be 0.001 to 1.0 mol / L, and may be typically 0.005 to 0.2 mol / L.

금속 알콕시드 수용액의 pH는 특히 제한은 없고, 산성측에서도 알칼리성측에서도 이용할 수 있다. 예를 들면, 3.0~10.0 범위의 pH로 사용할 수 있다. 특별한 pH 조정이 불필요하다는 관점에서 중성 부근인 5.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 바람직하고, 7.0~9.0 범위의 pH로 하는 것이 보다 바람직하다.The pH of the metal alkoxide aqueous solution is not particularly limited, and can be used on the acidic side or on the alkaline side. For example, it can be used at a pH in the range of 3.0 to 10.0. From the viewpoint that a special pH adjustment is unnecessary, the pH is preferably in the range of about 5.0 to 9.0, which is near neutral, and more preferably in the range of 7.0 to 9.0.

(4) 그 외(4) Others

실리콘계의 이형제, 이형성을 가지는 수지 피막 등, 공지의 이형성을 가지는 물질을 이형층에 이용할 수 있다.A known releasing material such as a silicone releasing agent and a releasing resin film can be used for the releasing layer.

금속박은 금속박 제1면에, 및/또는 금속박 제2면에, 및/또는 금속박과 상기 이형층의 사이에 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층이 마련되어 있어도 좋다. 여기서 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 중크롬산, 크롬산염 또는 중크롬산염을 포함하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소(금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태라도 좋다)를 포함해도 좋다. 크로메이트 처리층의 구체적인 예로는, 무수 크롬산 또는 중크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층이나, 무수 크롬산 또는 중크롬산칼륨 및 아연을 포함하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다.The metal foil is formed on the first surface of the metal foil and / or on the second surface of the metal foil, and / or between the metal foil and the release layer, a group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer May be provided. Here, the chromate treatment layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, bichromic acid, chromic acid salt or dichromate. The chromate treatment layer contains elements (metals, alloys, oxides, nitrides, sulfides and the like) such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium Maybe. Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with an aqueous solution of chromic anhydride or potassium dichromate, a chromate treatment layer treated with a treatment liquid containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc, and the like.

조화 처리층은 예를 들면 이하의 처리로 형성할 수 있다.The roughening treatment layer can be formed by, for example, the following treatment.

〔구형 조화〕[Old harmony]

Cu, H2SO4, As로 이루어지는, 이하에 기재한 구리 조화 도금욕을 이용하여 구형 조화 입자를 형성한다.Spherical roughening particles are formed by using the copper plating bath described below, which is made of Cu, H 2 SO 4 , and As.

·액 조성 1Solution composition 1

CuSO4·5H2O 78~196 g/L CuSO 4 · 5H 2 O 78 ~ 196 g / L

Cu 20~50 g/LCu 20 to 50 g / L

H2SO4 50~200 g/LH 2 SO 4 50-200 g / L

비소 0.7~3.0g/LArsenic 0.7 ~ 3.0 g / L

(전기 도금 온도 1) 30~76℃(Electroplating temperature 1) 30 to 76 ° C

(전류 조건 1) 전류 밀도 35~105 A/d㎡ (욕의 한계 전류 밀도 이상)(Current condition 1) Current density 35 to 105 A / dm 2 (over limit current density of bath)

(도금 시간 1) 1~240초(Plating time 1) 1 to 240 seconds

계속해서, 조화 입자의 탈락 방지와 박리 강도의 향상을 위해, 황산·황산구리로 이루어지는 구리 전해욕으로 피복 도금을 한다. 피복 도금 조건을 이하에 기재한다.Subsequently, coating plating is performed with a copper electrolytic bath composed of sulfuric acid and copper sulfate to prevent the coarse particles from falling off and to improve the peeling strength. The plating plating conditions are described below.

·액 조성 2· Liquid composition 2

CuSO4·5H2O 88~352 g/LCuSO 4 .5H 2 O 88 to 352 g / L

Cu 22~90 g/LCu 22 to 90 g / L

H2SO4 50~200 g/LH 2 SO 4 50-200 g / L

(전기 도금 온도 2) 25~80℃(Electroplating temperature 2) 25 to 80 DEG C

(전류 조건 2) 전류 밀도:15~32 A/d㎡ (욕의 한계 전류 밀도 미만)(Current condition 2) Current density: 15 to 32 A / dm 2 (less than the limit current density of bath)

(도금 시간 1) 1~240초(Plating time 1) 1 to 240 seconds

또, 내열층, 방청층으로서는 공지의 내열층, 방청층을 이용할 수 있다. 예를 들면, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 층이어도 좋고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 좋다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함하는 산화물, 질화물, 규화물을 포함해도 좋다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 포함하는 층이어도 좋다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 좋다. 상기 니켈-아연 합금층은 불가피 불순물을 제외하고 니켈을 50 wt%~99 wt%, 아연을 50 wt%~1 wt% 함유하는 것이어도 좋다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5~1000 mg/㎡, 바람직하게는 10~500 mg/㎡, 바람직하게는 20~100 mg/㎡여도 좋다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 포함하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비(=니켈의 부착량/아연의 부착량)가 1.5~10인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 포함하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5mg/㎡~500 mg/㎡인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡~50 mg/㎡인 것이 보다 바람직하다.As the heat-resistant layer and the rust-preventive layer, known heat-resistant layers and rust-preventive layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may be formed of a material selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, Or a layer containing at least one element selected from the group consisting of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, May be a metal layer or an alloy layer composed of at least one element selected from the group of The heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be selected from the group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, Nitride, or silicide including at least one element selected from the group consisting of oxides, nitrides, and silicides. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% of nickel and 50 wt% to 1 wt% of zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2, preferably 10 to 500 mg / m 2, and preferably 20 to 100 mg / m 2. It is also preferable that the ratio of the adhesion amount of nickel to the adhesion amount of nickel (= adhesion amount of nickel / adhesion amount of zinc) of the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is 1.5 to 10. The adhesion amount of nickel in the nickel-zinc alloy layer or the nickel-zinc alloy layer is preferably 0.5 mg / m 2 to 500 mg / m 2, more preferably 1 mg / m 2 to 50 mg / m 2 Do.

예를 들면, 내열층 및/또는 방청층은 부착량이 1 mg/㎡~100 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡~50 mg/㎡의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 mg/㎡~80 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡~40 mg/㎡의 주석층을 차례대로 적층한 것이어도 좋고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트의 어느 1종으로 구성되어도 좋다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈 또는 니켈 합금과 주석의 합계 부착량이 2 mg/㎡~150 mg/㎡인 것이 바람직하고, 10 mg/㎡~70 mg/㎡인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 [니켈 또는 니켈 합금 중의 니켈 부착량]/[주석 부착량]=0.25~10인 것이 바람직하고, 0.33~3인 것이 보다 바람직하다.For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may be formed of a nickel or nickel alloy layer having an adhesion amount of 1 mg / m2 to 100 mg / m2, preferably 5 mg / m2 to 50 mg / m2, M 2 to 40 mg / m 2, and the nickel alloy layer may be formed of any one of nickel-molybdenum, nickel-zinc, and nickel-molybdenum-cobalt It may be composed of one kind. The total thickness of the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is preferably 2 mg / m 2 to 150 mg / m 2, more preferably 10 mg / m 2 to 70 mg / m 2. Further, the heat resistant layer and / or the rust preventive layer preferably has a nickel adhesion amount of [nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, more preferably 0.33 to 3. [

또한, 실란 커플링 처리에 이용되는 실란 커플링제로는, 공지의 실란 커플링제를 이용해도 좋고, 예를 들면 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제, 메르캅토계 실란 커플링제를 이용해도 좋다. 또, 실란 커플링제로는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)프톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 이용해도 좋다.As the silane coupling agent used for the silane coupling treatment, a known silane coupling agent may be used, and for example, an amino silane coupling agent or an epoxy silane coupling agent or a mercapto silane coupling agent may be used . Examples of the silane coupling agent include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxysilane,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane Aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (aminoethyl) gamma -aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3- aminopropoxy) Propyl trimethoxy silane, imidazole silane, triazin silane, gamma-mercaptopropyl trimethoxy silane, or the like may be used.

상기 실란 커플링 처리층은, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴록시계 실란, 메르캅토계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용해서 형성해도 좋다. 또한, 이러한 실란 커플링제는 2종 이상 혼합해서 사용해도 좋다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 이용해서 형성한 것인 것이 바람직하다.The silane coupling treatment layer may be formed using a silane coupling agent such as an epoxy silane, an amino silane, a methacryloylic clock silane, or a mercapto silane. These silane coupling agents may be used in combination of two or more. Among them, those formed using an amino-based silane coupling agent or an epoxy-based silane coupling agent are preferable.

여기서 말하는 아미노계 실란 커플링제란, N-(2-아미노 에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리스(2-에틸헥속시)실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 3-(1-아미노프로폭시)-3,3-디메틸-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리스(메톡시에톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, ω-아미노운데실트리메톡시실란, 3-(2-N-벤질아미노에틸아미노프로필)트리메톡시실란, 비스(2-히드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, (N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, (N,N-디메틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)프톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것이어도 좋다.Examples of the amino-based silane coupling agent include N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3- Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxy Silane, N- (3-acryloxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- Aminopropyl) trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) , Aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3-dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminodecyltrimethoxysilane, 3- (2-N-benzylaminoethylaminopropyl) silane, (N, N-dimethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) Aminopropyl) trimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) Aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) propoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N- And silane.

실란 커플링 처리층은 규소 원자 환산으로 0.05mg/㎡~200 mg/㎡, 바람직하게는 0.15mg/㎡~20 mg/㎡, 바람직하게는 0.3mg/㎡~2.0mg/㎡의 범위에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 상술한 범위의 경우, 수지 기재와 금속박의 밀착성을 더욱 향상시킬 수 있다.The silane coupling treatment layer is provided in a range of 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2, preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2, preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg / m 2 in terms of silicon atoms . In the above-mentioned range, the adhesion between the resin base material and the metal foil can be further improved.

또, 금속박, 조화 입자층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층, 크로메이트 처리층 또는 이형층의 표면에, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 일본 특허 제4828427호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 일본 특허 제5046927호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 일본 특허 제5180815호, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 금속박은 표면 처리 금속박도 포함한다.The surface of the metal foil, the roughening particle layer, the heat resistant layer, the rust preventive layer, the silane coupling treatment layer, the chromate treatment layer or the release layer may be coated with an antireflective coating composition described in International Publication Nos. WO2008 / 053878, JP-A-2008-111169, , International Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, International Publication Nos. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, International Publication Nos. WO2007 / 105635, Japanese Patent No. 5180815, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2013-19056 Surface treatment can be carried out. As described above, the metal foil of the present invention also includes a surface-treated metal foil.

금속박 제1면에 마련된 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층의 면에 수지층이 마련되어 있어도 좋다.A resin layer may be provided on the surface of at least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer provided on the first surface of the metal foil.

상기 금속박 제1면에 마련된 수지층은 접착용 수지, 즉 접착제여도 좋고, 프라이머여도 좋으며, 접착용의 반경화 상태(B 스테이지 상태)의 절연 수지층이어도 좋다. 반경화 상태(B 스테이지 상태)란, 그 표면에 손가락으로 닿아도 점착감이 없고, 상기 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있으며, 추가로 가열 처리되면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다. 상기 금속박 표면의 수지층은 이형층과 접촉했을 때에 적당한 박리 강도(예를 들면 2 gf/cm~200 gf/cm)를 발현하는 수지층인 것이 바람직하다. 또, 금속박 표면의 요철에 추종하여, 팽창의 원인이 될 수 있는 공극이나 기포의 혼입이 잘 생기지 않는 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 금속박 표면에 상기 수지층을 마련할 때에, 수지의 점도가 10000 mPa·s(25℃) 이하, 보다 바람직하게는, 수지의 점도가 5000 mPa·s(25℃) 이하 등의 점도가 낮은 수지를 이용하여 수지층을 마련하는 것이 바람직하다. 금속박에 적층하는 절연 기판과 금속박의 사이에 상술한 수지층을 마련함으로써, 금속박 표면의 요철에 잘 추종하지 않는 절연 기판을 이용한 경우에도, 수지층이 금속박 표면에 추종하기 때문에, 금속박과 절연 기판의 사이에서 공극이나 기포가 잘 생기지 않도록 할 수 있기 때문에 유효하다.The resin layer provided on the first surface of the metal foil may be an adhesive resin, that is, an adhesive, a primer, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B-stage state) for bonding. The semi-cured state (B-stage state) includes a state in which the insulating resin layer can be stacked and stored without being tacky even when the surface thereof is touched with a finger, and a curing reaction occurs when further heat-treated. The resin layer on the surface of the metal foil is preferably a resin layer which develops a suitable peel strength (for example, 2 gf / cm 2 to 200 gf / cm 2) upon contact with the release layer. In addition, it is preferable to use a resin which follows the irregularities on the surface of the metal foil and which does not allow mixing of voids or bubbles which may cause expansion. For example, when the resin layer is provided on the surface of the metal foil, the viscosity of the resin is 10,000 mPa · s (25 ° C.) or less, more preferably the viscosity of the resin is 5000 mPa · s (25 ° C.) It is preferable to provide a resin layer using a resin having a low refractive index. Since the resin layer follows the surface of the metal foil even when an insulating substrate which does not follow the irregularities of the surface of the metal foil is used by providing the resin layer between the insulating substrate and the metal foil laminated on the metal foil, It is possible to prevent air gaps and air bubbles from being generated between the electrodes.

또, 상기 금속박 제1면에 마련된 수지층은 열경화성 수지를 포함해도 좋고, 열가소성 수지여도 좋다. 또, 상기 금속박 표면의 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 좋다. 상기 금속박 표면의 수지층은 공지의 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 좋다. 또, 상기 금속박 표면의 수지층은, 예를 들면 국제 공개 번호 WO2008/004399, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 일본 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 일본 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 일본 특허 제3992225호, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 일본 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 일본 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 일본 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 일본 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 일본 특허 제3949676호, 일본 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 일본 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 일본 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 일본 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질(수지, 수지 경화제, 화합물, 경화촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 이용하여 형성해도 좋다.The resin layer provided on the first surface of the metal foil may include a thermosetting resin or a thermoplastic resin. The resin layer on the surface of the metal foil may include a thermoplastic resin. The resin layer on the surface of the metal foil may contain a known resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg and a skeleton. The resin layer on the surface of the metal foil is disclosed in, for example, International Publication Nos. WO2008 / 004399, WO2008 / 053878, WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP- Japanese Patent No. 3184485, International Publication No. WO97 / 02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Laid-Open Nos. 2002-359444, 2003-304068, 3992225, 2003-249739, 4136509, 2004-82687, 4025177 Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2005-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415 International Publication No. WO2004 / Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-257153, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2007-326923, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-111169, Japanese Patent No. 5024930, International Publication Nos. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, Patent Publication No. 2009-67029, International Publication Nos. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2009-173017, International Publication Nos. WO2007 / 105635, Japanese Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, The materials disclosed in the publications WO2009 / 008471, JP-A-2011-14727, WO2009 / 001850, WO2009 / 145179, WO2011 / 068157 and JP-A-2013-19056 A resin, a curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton, etc.) and / or a method of forming a resin layer and a forming apparatus.

(적층체, 반도체 패키지, 전자기기)(Laminate, semiconductor package, electronic device)

이형층 부착 금속박과 이형층 부착 금속박에 마련된 수지 기재를 적층시켜서 적층체를 제작할 수 있다. 상기 적층체는 수지 기재를 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리 섬유·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 섬유·유리 부직포 복합기재 에폭시 수지 및 유리 섬유 기재 에폭시 수지 등으로 형성해도 좋다. 수지 기재는, 프리프레그여도 좋고, 열경화성 수지를 포함해도 좋다. 또, 상기 적층체의 금속박에 회로를 형성함으로써 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또한, 프린트 배선판에 전자 부품류를 탑재하여 프린트 회로판을 제작할 수 있다. 본 발명에서 「프린트 배선판」에는 이와 같이 전자 부품류가 탑재된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다. 또, 상기 프린트 배선판을 이용하여 전자기기를 제작해도 좋고, 상기 전자 부품류가 탑재된 프린트 회로판을 이용하여 전자기기를 제작해도 좋으며, 상기 전자 부품류가 탑재된 프린트 기판을 이용하여 전자기기를 제작해도 좋다. 또, 상기 「프린트 회로판」에는, 반도체 패키지용 회로 형성 기판도 포함되는 것으로 한다. 또, 반도체 패키지용 회로 형성 기판에 전자 부품류를 탑재하여 반도체 패키지를 제작할 수 있다. 또, 상기 반도체 패키지를 이용하여 전자기기를 제작할 수 있다.A laminate can be produced by laminating a metal foil with a release layer and a resin base material provided on a release foil-laminated metal foil. The laminate may be formed by forming a resin substrate with a paper base phenol resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber base epoxy resin, a glass fiber / paper composite epoxy resin, a glass fiber / glass nonwoven composite base epoxy resin, It is also good. The resin substrate may be a prepreg or may include a thermosetting resin. In addition, a printed wiring board can be manufactured by forming a circuit on the metal foil of the laminate. In addition, a printed circuit board can be manufactured by mounting electronic parts on a printed wiring board. The " printed wiring board " in the present invention includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which the electronic parts are mounted. The electronic device may be manufactured using the printed wiring board, the electronic device may be manufactured using the printed circuit board on which the electronic parts are mounted, or an electronic device may be manufactured using the printed board on which the electronic parts are mounted . The "printed circuit board" includes a circuit-forming substrate for a semiconductor package. In addition, a semiconductor package can be manufactured by mounting electronic parts on a circuit-forming substrate for a semiconductor package. In addition, an electronic device can be manufactured using the semiconductor package.

(프린트 배선판의 제조 방법)(Manufacturing method of printed wiring board)

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 일 측면에서, 본 발명의 이형층 부착 금속박에 절연 기판을 접합하는 공정과, 절연 기판으로부터 이형층 부착 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 이형층 부착 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정과, 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 박리면 측에 회로를 형성하는 공정을 구비한다. 이러한 구성에 의해, 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리가 가능해지고, 금속박을 수지 기재로부터 제거하는 공정에서, 수지 기재의 표면에 금속박 표면으로부터 전사한 표면 프로파일을 해치지 않고 양호한 비용으로 금속박을 제거할 수 있게 된다. 상기 제조 방법에서는, 회로를 도금 패턴으로 형성해도 좋다. 이 경우, 도금 패턴을 형성한 후, 상기 도금 패턴을 이용해서 원하는 회로를 형성하여 프린트 배선판을 제작할 수 있다. 또, 회로를 인쇄 패턴으로 형성해도 좋다. 이 경우, 예를 들면 잉크 속에 도전 페이스트 등을 포함하는 잉크젯을 이용해서 인쇄 패턴을 형성한 후, 상기 인쇄 패턴을 이용해서 원하는 인쇄 회로를 형성하여 프린트 배선판을 제작할 수 있다.The method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention comprises the steps of bonding an insulating substrate to a metal foil with a release layer of the present invention and removing the metal foil with a release layer from the insulating substrate without etching, And a step of forming a circuit on the release surface side of the insulating substrate to which the surface profile has been transferred. With this configuration, the resin substrate can be physically peeled off when the metal foil is bonded to the resin substrate, and in the step of removing the metal foil from the resin substrate, the surface profile transferred from the surface of the metal foil is not damaged on the surface of the resin substrate, The metal foil can be removed at a cost. In the above manufacturing method, the circuit may be formed of a plating pattern. In this case, after a plating pattern is formed, a desired circuit can be formed using the plating pattern to produce a printed wiring board. The circuit may be formed in a printed pattern. In this case, for example, a printed pattern can be formed using an inkjet containing a conductive paste or the like in the ink, and then a desired printed circuit can be formed using the printed pattern to produce a printed wiring board.

본 명세서에서 「표면 프로파일」이란 표면의 요철 모양을 말한다.In the present specification, the term " surface profile "

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 또 다른 일 측면에서, 본 발명의 이형층 부착 금속박에 절연 기판을 접합하는 공정과, 절연 기판으로부터 이형층 부착 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 이형층 부착 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정과, 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 박리면측에 빌드업층을 마련하는 공정을 구비한다. 이러한 구성에 의해, 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리가 가능해지고, 금속박을 수지 기재로부터 제거하는 공정에서, 수지 기재의 표면에 전사한 금속박 표면의 프로파일을 해치지 않고 양호한 비용으로 금속박을 제거할 수 있게 된다. 또, 수지 기재에 전사된 소정의 요철 표면에 의해, 수지 기재의 수지 성분과 빌드업층의 수지 성분이 다르거나 같아도 양자를 양호한 밀착성으로 접합하는 것이 가능해진다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of bonding an insulating substrate to a metal foil with a release layer of the present invention and removing the metal foil with a release layer from the insulating substrate without etching, A step of obtaining an insulating substrate on which the surface profile of the bonded metal foil is transferred and a step of providing a buildup layer on the separated surface side of the insulating substrate to which the surface profile is transferred. With this configuration, it is possible to physically peel the resin base material when the metal foil is bonded to the resin base material. In the step of removing the metal foil from the resin base material, it is possible to prevent the profile of the surface of the metal foil transferred onto the resin base material from being damaged So that the metal foil can be removed. In addition, even if the resin component of the resin substrate and the resin component of the buildup layer are different or the same from each other by the predetermined uneven surface transferred to the resin substrate, both can be bonded with good adhesion.

여기서, 「빌드업층」이란 도전층, 배선 패턴 또는 회로와, 수지 등의 절연체를 가지는 층을 말한다. 상기 수지 등의 절연체의 형상은 층상이어도 좋다. 또, 상술한 도전층, 배선 패턴 또는 회로와 수지 등의 절연체와는 아무렇게나 마련해도 좋다.Here, the " buildup layer " refers to a layer having a conductive layer, a wiring pattern or a circuit, and an insulator such as a resin. The shape of the insulator such as the resin may be a layer. The conductive layer, the wiring pattern, or the insulator such as the circuit and the resin may be arbitrarily provided.

빌드업층은 박리면에 금속박의 표면 프로파일이 전사된 수지 기재의 박리면측에 도전층, 배선 패턴 또는 회로와 수지 등의 절연체를 마련하여 제작할 수 있다. 도전층, 배선 패턴 또는 회로의 형성 방법으로는, 세미 애디티브법, 풀 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 등 공지의 방법을 이용할 수 있다.The build-up layer can be produced by providing a conductive layer, a wiring pattern, or an insulator such as a circuit and a resin on the release side of the resin substrate on which the surface profile of the metal foil is transferred to the release surface. As a method for forming the conductive layer, the wiring pattern, or the circuit, known methods such as a semiadditive method, a pull additive method, a subtractive method, and a palladium additive method can be used.

빌드업층은 복수의 층을 가져도 좋고, 복수의 도전층, 배선 패턴 또는 회로와 수지(층)을 가져도 좋다.The build-up layer may have a plurality of layers, or may have a plurality of conductive layers, wiring patterns or circuits and resin (layers).

복수의 도전층, 배선 패턴 또는 회로는 수지 등의 절연체에 의해 전기적으로 절연되어 있어도 좋다. 전기적으로 절연되어 있는 복수의 도전층, 배선 패턴 또는 회로를 수지 등의 절연체에 레이저 및/또는 드릴로 스루홀 및/또는 블라인드 비어를 형성한 후, 상기 스루홀 및/또는 블라인드 비어에 구리 도금 등의 도통 도금을 형성함으로써 전기적으로 접속해도 좋다.The plurality of conductive layers, wiring patterns, or circuits may be electrically insulated by an insulator such as a resin. A plurality of electrically insulated conductive layers, wiring patterns, or circuits are formed on the insulator such as resin by laser and / or drill through holes and / or blind vias, and then copper plating or the like is applied to the through holes and / Or may be electrically connected by forming a conductive plating of the insulating layer.

이러한 빌드업층을 구성하는 수지 등의 절연체는, 본 명세서에 기재된 수지, 수지층, 수지 기재를 이용할 수 있고, 공지의 수지, 수지층, 수지 기재, 절연체, 프리프레그, 유리 섬유에 수지를 함침시킨 기재 등을 이용할 수 있다. 수지는 무기물 및/또는 유기물을 포함해도 좋다. 또, 빌드업층을 구성하는 수지는 LCP(액정 폴리머), 불소 수지, 저유전율 폴리이미드, 폴리페닐렌 에테르, 시클로 올레핀 폴리머 또는 폴리 테트라 플루오로 에틸렌 등의 저(低)비유전률을 가지는 재료로 형성되어 있어도 좋다. 근년, 고주파 제품이 확대됨에 따라서, LCP(액정 폴리머), 불소 수지, 저유전율 폴리이미드, 폴리페닐렌 에테르, 시클로 올레핀 폴리머 또는 폴리 테트라 플루오로 에틸렌(테플론:등록상표)이라는 저비유전률을 가지는 재료를 프린트 기판의 구조에 넣는 움직임이 활발해지고 있다. 그 때, 이들 재료가 열가소성인 점에서 핫 프레스 가공시의 형상 변화를 피하지 못하고, LCP(액정 폴리머), 불소 수지, 저유전율 폴리이미드, 폴리페닐렌 에테르, 시클로 올레핀 폴리머 또는 폴리 테트라 플루오로 에틸렌 단체에서의 기판 구성으로는 생산 수율이 향상하지 않는다는 기본적인 양산상의 과제를 안고 있다. 상술한 본 발명의 제조 방법으로는, 이러한 문제에 대해서도 수지 기판으로서 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지를 이용하고, 이것과 접합시킴으로써 고주파 특성이 우수하며, 또, 열을 가했을 때의 형상 변형을 막을 수 있는 프린트 배선판을 제공할 수 있다.The insulator such as a resin constituting the buildup layer may be a resin, a resin layer or a resin substrate described in the present specification, and may be a resin, a resin layer, a resin substrate, an insulator, a prepreg, And the like can be used. The resin may include an inorganic material and / or an organic material. The resin constituting the buildup layer is formed of a material having a low dielectric constant such as LCP (liquid crystal polymer), fluorine resin, low dielectric constant polyimide, polyphenylene ether, cycloolefin polymer, or polytetrafluoroethylene . In recent years, with the expansion of high frequency products, a material having a low dielectric constant such as LCP (liquid crystal polymer), fluorine resin, low dielectric constant polyimide, polyphenylene ether, cycloolefin polymer or polytetrafluoroethylene (Teflon) The movement into the structure of the printed board is becoming more active. In view of the fact that these materials are thermoplastic, it is difficult to avoid a change in shape during hot press processing, and LCP (liquid crystal polymer), fluorine resin, low dielectric constant polyimide, polyphenylene ether, cycloolefin polymer or polytetrafluoroethylene And the basic production problem that the production yield does not improve with the substrate composition in the organization is held. With the above-described manufacturing method of the present invention, a thermosetting resin such as an epoxy resin is used as the resin substrate and the resin substrate is bonded with the thermosetting resin, so that the high frequency property is excellent and the shape deformation when heat is applied can be prevented A printed wiring board can be provided.

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 또 다른 일 측면에서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에 상기 이형층측 또는 상기 금속박의 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합하는 공정, 상기 절연 기판(1)을 적층한 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 제1면측에 회로를 형성하는 공정, 상기 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및, 상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of bonding an insulating substrate (1) to a metal foil with a release layer or a metal foil of the present invention on the release layer side or the second surface side of the metal foil, A step of forming a circuit on the first face side of the metal foil or the metal foil with the release layer laminated thereon, the step of covering the circuit with the insulating substrate (2) and embedding the circuit in the insulating substrate (2) , The step of peeling the insulating substrate (1) from the metal foil with a release layer or the metal foil to expose the metal foil with a release layer or the metal foil, and the step of removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil To the printed wiring board.

또, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은 또 다른 일 측면에서, 본 발명의 이형층 부착 금속박 또는 본 발명의 금속박에, 상기 이형층측 또는 상기 금속박의 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합하는 공정, 상기 절연 기판(1)을 적층한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 상기 금속박 제1면측에 드라이 필름을 적층하는 공정, 상기 드라이 필름을 패터닝한 후에 회로를 형성하는 공정, 상기 드라이 필름을 박리하여 상기 회로를 노출시키는 공정, 상기 노출한 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및 상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a printed wiring board, comprising the steps of: bonding an insulating substrate (1) to a metal foil with a release layer of the present invention or a metal foil of the present invention from the side of the release layer or the second surface of the metal foil A step of laminating a metal foil with a release layer laminated with the insulating substrate 1 or a dry film on the first surface side of the metal foil of the metal foil; a step of forming a circuit after patterning the dry film; A step of covering the exposed circuit with an insulating substrate (2) to embed the circuit in the insulating substrate (2), a step of removing the insulating substrate (1) from the metal foil with a release layer or the metal foil A step of exposing the metal foil with a release layer or the metal foil, and a step of removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil It is a step.

이와 같이 표면의 요철 상태를 제어한 금속박에 이형층을 마련하고, 상기 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리를 가능하게 하는 금속박을 이용하여, 양호한 비용으로 미세한 회로를 가지는 프린트 배선판을 제조할 수 있게 된다. 또, 상기 금속박을 수지 기재에 접합시켰을 때의 수지 기재의 물리적인 박리가 가능해져서 금속박을 수지 기재로부터 제거하는 공정에서, 수지 기재의 표면에 전사한 금속박 표면의 프로파일을 해치지 않고 양호한 비용으로 금속박을 제거할 수 있게 된다.By using the metal foil which is provided with the releasing layer on the metal foil whose surface irregularities are controlled and which enables the physical separation of the resin base material when the metal foil is bonded to the resin base material, printing with a fine circuit at a good cost A wiring board can be manufactured. In addition, it is possible to physically peel the resin substrate when the metal foil is bonded to the resin substrate, so that the metal foil can be peeled from the resin substrate without harming the profile of the surface of the metal foil transferred to the surface of the resin substrate, Can be removed.

여기서, 본 발명의 이형층 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체적인 예를 도면을 이용해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, a specific example of a method for producing a printed wiring board using the metal foil with a release layer of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

우선, 도 1-A에 나타내듯이, 수지 기판에 이형층측으로부터 적층한 이형층 부착 금속박(1번째 층)을 준비한다.First, as shown in Fig. 1-A, a release layer-adhered metal foil (first layer) laminated on the resin substrate from the release layer side is prepared.

그 다음, 도 1-B에 나타내듯이, 금속박 위에 레지스트를 도포하여, 노광·현상을 실시하여 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.Next, as shown in Fig. 1-B, a resist is coated on the metal foil, and exposure and development are performed to etch the resist into a predetermined shape.

그 다음, 도 1-C에 나타내듯이, 회로용 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거하여 소정의 형상의 회로 도금을 형성한다.Then, as shown in Fig. 1-C, after circuit plating is formed, the resist is removed to form circuit plating of a predetermined shape.

그 다음, 도 2-D에 나타내듯이, 회로 도금을 덮도록(회로 도금이 매몰하도록) 금속박 위에 매립 수지를 마련하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 이형층 부착 금속박(2번째 층)을 1번째 층의 금속박측으로부터 접착시킨다.Next, as shown in FIG. 2-D, a resin layer is laminated on the metal foil so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and subsequently the other metal foil with a release layer (second layer) Layer metal sheet.

그 다음, 도 2-E에 나타내듯이, 2번째 층의 이형층 부착 금속박으로부터 수지 기판을 벗겨낸다.Next, as shown in Fig. 2-E, the resin substrate is peeled off from the release layer-adhered metal foil of the second layer.

그 다음, 도 2-F에 나타내듯이, 수지층의 소정 위치에 레이저 천공을 실시하고, 회로 도금을 노출시켜서 블라인드 비어를 형성한다.Next, as shown in Fig. 2-F, laser perforations are made at predetermined positions of the resin layer to expose the circuit plating to form blind vias.

그 다음, 도 3-G에 나타내듯이, 블라인드 비어에 구리를 매립하여 비어 필을 형성한다.Then, as shown in FIG. 3-G, copper is buried in the blind via to form a via fill.

그 다음, 도 3-H에 나타내듯이, 비어 필 상에, 상기 도 1-B 및 도 1-C와 같이 회로 도금을 형성한다.Then, as shown in FIG. 3-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIG. 1-B and FIG. 1-C.

그 다음, 도 3-I에 나타내듯이, 1번째 층의 이형층 부착 금속박으로부터 수지 기판을 벗겨낸다.Then, as shown in Fig. 3-I, the resin substrate is peeled off from the release layer-adhered metal foil of the first layer.

그 다음, 도 4-J에 나타내듯이, 플래시 에칭에 의해 양표면의 금속박을 제거하여 수지층 내의 회로 도금 표면을 노출시킨다.Then, as shown in FIG. 4-J, the metal foil on both surfaces is removed by flash etching to expose the circuit-plating surface in the resin layer.

그 다음, 도 4-K에 나타내듯이, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 상기 땜납 위에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 이형층 부착 금속박을 이용한 프린트 배선판을 제작한다.Next, as shown in Fig. 4-K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and a copper filler is formed on the solder. Thus, a printed wiring board using the metal foil with a release layer of the present invention is produced.

또한, 상술한 프린트 배선판의 제조 방법으로 「금속박」을 수지 기판으로, 「수지 기판」을 금속박으로 바꾸어 읽어서, 이형층 부착 금속박의 수지 기판측 표면에 회로를 형성하고, 수지로 회로를 매립하여 프린트 배선판을 제조하는 것도 가능하다.In addition, in the above-described method for producing a printed wiring board, the "metal foil" is replaced with a resin substrate, the "resin substrate" is replaced with a metal foil, a circuit is formed on the resin substrate side surface of the metal foil with a release layer, It is also possible to manufacture a wiring board.

상기 다른 이형층 부착 금속박(2번째 층)은, 본 발명의 이형층 부착 금속박을 이용해도 좋고, 종래의 이형층 부착 금속박을 이용해도 좋으며, 통상의 동박을 이용해도 좋다. 또, 도 3-H에 나타나는 2번째 층의 회로 위에 추가로 회로를 1층 혹은 복수층 형성해도 좋고, 그것들 회로의 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 한 방법에 따라서 실시해도 좋다.The other metal foil with a release layer (second layer) may be a metal foil with a release layer according to the present invention, a metal foil with a release layer according to the present invention, or a conventional copper foil. In addition, one or more layers may be formed on the second layer circuit shown in FIG. 3-H, and the formation of these circuits may be performed by a semi-additive method, a subtractive method, a pattern additive method, Or a semi-additive method.

상술한 바와 같은 프린트 배선판의 제조 방법에 따르면, 회로 도금이 수지층에 매립된 구성이기 때문에, 예를 들면 도 4-J에 나타내는 것 같은 플래시 에칭에 의한 금속박의 제거 시에, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되어 그 형상이 유지되고, 이에 따라 미세 회로의 형성이 쉬워진다. 또, 회로 도금이 수지층에 의해 보호되기 때문에, 내(耐)마이그레이션성이 향상되어, 회로 배선의 도통이 잘 억제된다. 이 때문에, 미세 회로의 형성이 용이해진다. 또, 도 4-J 및 도 4-K에 나타내듯이 플래시 에칭으로 금속박을 제거했을 때, 회로 도금의 노출면이 수지층으로부터 패인 형상이 되기 때문에, 상기 회로 도금 상에 범프가, 다시 그 위에 구리 필러가 각각 형성되기 쉬워져서 제조 효율이 향상한다.According to the above-described method of manufacturing a printed wiring board, since the circuit plating is embedded in the resin layer, when the metal foil is removed by flash etching as shown in FIG. 4-J, And the shape thereof is retained, thereby facilitating the formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, migration resistance is improved, and conduction of the circuit wiring is suppressed well. Therefore, formation of a fine circuit is facilitated. When the metal foil is removed by flash etching as shown in Figs. 4-J and 4-K, since the exposed surface of the circuit plating becomes depressed from the resin layer, the bumps are formed on the circuit plating, The filler is easily formed and the production efficiency is improved.

또한, 매립 수지(레진)에는 공지의 수지, 프리프레그를 이용할 수 있다. 예를 들면, BT(비스말레이미드 트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리 섬유인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사제 ABF 필름이나 ABF를 이용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지(레진)에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.Known resins and prepregs can be used for the embedding resin (resin). For example, a prepreg which is glass fiber impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, ABF film manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. or ABF can be used. The resin layer and / or the resin and / or the prepreg described in this specification can be used for the above-mentioned embedding resin (resin).

또, 상기 1번째 층에 이용되는 이형층 부착 금속박은 상기 이형층 부착 금속박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 좋다. 상기 기판 또는 수지층을 가져서 1번째 층에 이용되는 이형층 부착 금속박이 지지되고, 주름이 잘 들어가지 않기 때문에 생산성이 향상한다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는 상기 1번째 층에 이용되는 이형층 부착 금속박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 이용할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 또는 수지층으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지의 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 이용할 수 있다.The metal foil with a releasing layer used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the releasing-layer-attached metal foil. The metal foil with a release layer used in the first layer having the substrate or the resin layer is supported and the wrinkle does not enter easily, thereby improving the productivity. Further, any substrate or resin layer can be used for the substrate or resin layer as long as it has the effect of supporting the metal foil with a release layer used in the first layer. Examples of the substrate or resin layer include a carrier, a prepreg, a resin layer or a known carrier, a prepreg, a resin layer, a metal plate, a metal foil, a plate of an inorganic compound, a foil of an inorganic compound, , A foil of an organic compound can be used.

또, 도 5에 금속박의 표면 프로파일을 사용한 세미 애디티브법의 모식도를 나타낸다. 상기 세미 애디티브법에서는 금속박의 표면 프로파일을 이용한다. 구체적으로는, 우선, 수지 기재에 본 발명의 이형층 부착 금속박을 이형층 측으로부터 적층시켜서 적층체를 제작한다. 그 다음, 적층체의 금속박을 에칭으로 제거하거나, 또는 떼어낸다. 그 다음, 금속박 표면 프로파일이 전사한 수지 기재의 표면을 묽은 황산 등으로 세정한 후, 무전해 구리 도금을 실시한다. 그리고 수지 기재의 회로를 형성하지 않는 부분을 드라이 필름 등으로 피복하고, 드라이 필름으로 피복되지 않은 무전해 구리 도금층의 표면에 전기(전해) 구리 도금을 실시한다. 그 후, 드라이 필름을 제거한 후, 회로를 형성하지 않는 부분에 형성된 무전해 구리 도금층을 제거하여 미세한 회로를 형성한다. 본 발명에서 형성되는 미세 회로는 본 발명의 금속박 표면 프로파일이 전사된 수지 기재의 박리면과 밀착하고 있기 때문에, 그 밀착력(박리 강도)이 양호해진다.5 is a schematic view of the semi-additive method using the surface profile of the metal foil. In the semi-additive method, the surface profile of the metal foil is used. Specifically, first, a metal foil with a release layer of the present invention is laminated on the resin substrate from the release layer side, and a laminate is produced. Then, the metal foil of the laminate is removed by etching or removed. Subsequently, the surface of the resin substrate onto which the metal foil surface profile is transferred is cleaned with dilute sulfuric acid or the like, and electroless copper plating is performed. Then, a portion of the resin substrate where no circuit is formed is covered with a dry film or the like, and electroplating copper plating is performed on the surface of the electroless copper plating layer not covered with the dry film. Thereafter, after the dry film is removed, the electroless copper plating layer formed on the portion where no circuit is formed is removed to form a fine circuit. The fine circuit formed in the present invention is in close contact with the release surface of the resin substrate to which the metal foil surface profile of the present invention is transferred, so that the adhesion strength (peel strength) is improved.

또, 세미 애디티브법의 다른 일 실시형태는 이하와 같다.Another embodiment of the semi-additive method is as follows.

세미 애디티브법이란, 수지 기재 또는 금속박상에 얇은 무전해 도금을 실시하여 패턴을 형성한 후, 전기 도금 및 에칭을 이용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다. 따라서, 세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련된 프린트 배선판 제조 방법의 일 실시형태에서는, 본 발명과 관련된 금속박 또는 본 발명과 관련된 이형층 부착 금속박과 수지 기재를 준비하는 공정,The semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is applied to a resin substrate or a metal foil to form a pattern, and then a conductive pattern is formed by electroplating and etching. Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a metal foil relating to the present invention or a metal foil with a release-

상기 금속박 또는 상기 이형층 부착 금속박에, 표면 프로파일이 제어된 쪽 또는 이형층측으로부터 수지 기재를 적층하는 공정,A step of laminating a resin base material on the metal foil or the metal foil with a release-type layer from the side whose surface profile is controlled or the release-

상기 금속박과 수지 기재를 적층한 후에, 상기 금속박을 에칭으로 제거, 또는 떼어내는 공정,A step of removing or peeling the metal foil after the metal foil and the resin substrate are laminated,

상기 금속박을 제거 또는 떼어내서 생긴 수지 기재의 노출면 또는 박리면에 스루홀 또는/및 블라인드 비어를 마련하는 공정,A step of providing a through hole and / or a blind via on the exposed or peeled surface of the resin substrate formed by removing or peeling the metal foil,

상기 스루홀 또는/및 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 디스미어 처리를 실시하는 공정,A step of performing a desmear treatment on a region including the through hole and / or the blind via,

상기 수지 기재 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비어를 포함하는 영역에 대해서 묽은 황산 등으로 수지 기재 표면을 세정하고, 무전해 도금층(예를 들면, 무전해 구리 도금층)을 마련하는 공정,A step of cleaning the surface of the resin base material with dilute sulfuric acid or the like to provide an electroless plating layer (for example, an electroless copper plating layer) on the region including the resin base material and the through hole and / or the blind via,

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of exposing the plating resist to light and then removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층(예를 들면, 전해 구리 도금층)을 마련하는 공정,A step of providing an electrolytic plating layer (for example, an electrolytic copper plating layer) in a region where the circuit where the plating resist is removed is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등으로 제거하는 공정을 포함한다.And removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

세미 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판 제조 방법의 다른 일 실시형태에서는, 본 발명과 관련되는 금속박 또는 본 발명과 관련되는 이형층 부착 금속박과 수지 기재를 준비하는 공정,In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a metal foil according to the present invention or a metal foil with a release layer and a resin substrate,

상기 금속박 또는 상기 이형층 부착 금속박에 표면 프로파일이 제어된 쪽 또는 이형층측으로부터 수지 기재를 적층하는 공정,A step of laminating a resin base material on the metal foil or the metal foil with a release-type layer from the side whose surface profile is controlled or the release-

상기 금속박과 수지 기재를 적층한 후에, 상기 금속박을 에칭으로 제거, 또는 떼어내는 공정,A step of removing or peeling the metal foil after the metal foil and the resin substrate are laminated,

상기 금속박을 제거 또는 떼어내어 생긴 수지 기재의 노출면 또는 박리면에 대해서, 묽은 황산 등으로 수지 기재 표면을 세정하여 무전해 도금층(예를 들면, 무전해 구리 도금층)을 마련하는 공정,A step of cleaning the surface of the resin substrate with dilute sulfuric acid or the like to prepare an electroless plating layer (for example, electroless copper plating layer) on the exposed or peeled surface of the resin substrate formed by removing or peeling the metal foil,

상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 마련하는 공정,A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of exposing the plating resist to light and then removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 전해 도금층(예를 들면, 전해 구리 도금층)을 마련하는 공정,A step of providing an electroplating layer (for example, an electrolytic copper plating layer) in a region where the circuit is removed from which the plating resist has been removed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of removing the plating resist,

상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.And removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.

이와 같이 하여, 금속박을 박리한 후의 수지 기재의 박리면에 회로를 형성하여, 프린트 회로 형성 기판, 반도체 패키지용 회로 형성 기판을 제작할 수 있다. 또, 상기 회로 형성 기판을 이용하여 프린트 배선판, 반도체 패키지를 제작할 수 있다. 또, 상기 프린트 배선판, 반도체 패키지를 이용하여 전자기기를 제작할 수 있다.In this manner, a circuit is formed on the release surface of the resin substrate after the metal foil is peeled off, whereby a printed circuit formation substrate and a circuit formation substrate for a semiconductor package can be manufactured. In addition, a printed wiring board and a semiconductor package can be manufactured by using the circuit formation substrate. In addition, an electronic device can be manufactured using the printed wiring board and the semiconductor package.

한편, 풀 애디티브법을 이용한 본 발명과 관련되는 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에서는, 상기 금속박 또는 상기 이형층 부착 금속박에 표면 프로파일이 제어된 쪽 또는 이형층측으로부터 수지 기재를 적층하는 공정,On the other hand, in another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the pull additive method, a step of laminating a resin base material on the metal foil or the metal foil with a release- ,

상기 금속박 또는 상기 이형층 부착 금속박에 표면 프로파일이 제어된 쪽 또는 이형층측으로부터 수지 기재를 적층하는 공정,A step of laminating a resin base material on the metal foil or the metal foil with a release-type layer from the side whose surface profile is controlled or the release-

상기 금속박과 수지 기재를 적층한 후에, 상기 금속박을 에칭으로 제거, 또는 떼어내는 공정,A step of removing or peeling the metal foil after the metal foil and the resin substrate are laminated,

상기 금속박을 제거 또는 떼어내어 생긴 수지 기재의 노출면 또는 박리면에 대해서, 묽은 황산 등으로 수지 기재 표면을 세정하는 공정,A step of washing the surface of the resin substrate with dilute sulfuric acid or the like on the exposed surface or the cleaved surface of the resin substrate formed by removing or peeling the metal foil,

상기 세정한 수지 기재 표면에 도금 레지스트를 마련하는 공정,A step of providing a plating resist on the cleaned resin substrate surface,

상기 도금 레지스트에 대해서 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정,A step of exposing the plating resist to light and then removing a plating resist in a region where a circuit is formed,

상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에 무전해 도금층(예를 들면, 무전해 구리 도금층, 두꺼운 무전해 도금층이어도 좋다)을 마련하는 공정,A step of providing an electroless plating layer (for example, an electroless copper plating layer or a thick electroless plating layer) in a region in which the circuit from which the plating resist is removed is formed,

상기 도금 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.And removing the plating resist.

또한, 세미 애디티브법 및 풀 애디티브법에서, 상기 수지 기재 표면을 세정함으로써 무전해 도금층을 마련하기 쉬운 효과가 있는 경우가 있다. 특히, 이형층이 수지 기재 표면에 잔존하는 경우에는, 상기 세정에 의해 이형층이 수지 기재 표면으로부터 일부 또는 전부가 제거되기 때문에, 상기 수지 기재 표면의 세정에 의해, 더욱 무전해 도금층이 마련하기 쉬워진다는 효과가 있는 경우가 있다. 상기 세정에는 공지의 세정 방법(사용하는 액의 종류, 온도, 액의 도포 방법 등)에 의한 세정을 이용할 수 있다. 또, 본 발명의 이형층의 일부 또는 전부를 제거할 수가 있는 세정 방법을 이용하는 것이 바람직하다.Further, in the semi-additive method and the full additive method, there is a case where the surface of the resin base material is washed to provide an effect of easily providing an electroless plating layer. Particularly, when the release layer remains on the surface of the resin substrate, since the release layer is partially or entirely removed from the resin substrate surface by the cleaning, cleaning of the surface of the resin substrate further facilitates the formation of the electroless plating layer There is a case that it is effective to lose. The cleaning may be performed by a known cleaning method (kind of liquid to be used, temperature, coating method of liquid, etc.). It is preferable to use a cleaning method capable of removing part or all of the release layer of the present invention.

이와 같이 하여, 세미 애디티브 공법 또는 풀 애디티브 공법에 의해, 금속박을 제거 또는 박리한 후의 수지 기재의 노출면 또는 박리면에 회로를 형성하여, 프린트 회로 형성 기판, 반도체 패키지용 회로 형성 기판을 제작할 수 있다. 또, 상기 회로 형성 기판을 이용해서, 프린트 배선판, 반도체 패키지를 제작할 수 있다. 또, 상기 프린트 배선판, 반도체 패키지를 이용하여 전자기기를 제작할 수 있다.In this manner, a circuit is formed on the exposed or peeled surface of the resin substrate after the metal foil is removed or peeled by the semi-add method or the full additive method to produce a circuit-forming substrate and a circuit-forming substrate for a semiconductor package . In addition, a printed wiring board and a semiconductor package can be manufactured by using the circuit formation substrate. In addition, an electronic device can be manufactured using the printed wiring board and the semiconductor package.

[실시예][Example]

이하, 본 발명의 실시예 및 비교예로서 실험예를 나타내지만, 이들 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해서 제공하는 것으로, 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.EXAMPLES Hereinafter, examples and comparative examples of the present invention will be described, but these examples are provided for better understanding of the present invention and its advantages, and are not intended to limit the invention.

·생박(표면처리 전의 동박)의 제조· Fabrication of bright green (copper before surface treatment)

(실시예 1~16, 19, 비교예 1~3)(Examples 1 to 16 and 19, Comparative Examples 1 to 3)

티탄제 회전 드럼(전해 드럼)을 준비했다. 그 다음, 표 1에 기재한 전해 드럼 표면 제어 조건으로 연마하여, 표면에 소정의 제곱평균제곱근 높이(Sq)를 가지는 전해 드럼으로 했다. 구체적으로는, 상기 전해 드럼의 표면을, 표 1에 기재한 번수의 연마 벨트로 연마했다. 이 때, 연마 벨트를 드럼의 폭 방향에서 소정의 폭만 감아서 연마 벨트를 드럼의 폭 방향으로 이동시키면서, 드럼을 회전시켜서 연마했다. 상기 연마시의 드럼 표면의 회전 속도를 표 1에 나타낸다. 또, 연마 시간은, 연마 벨트의 폭과 연마 벨트의 이동 속도로부터 1회의 패스로 드럼 표면의 1점을 통과하는 시간과 패스 회수의 곱으로 했다. 여기서, 연마 벨트의 1회 패스란, 회전 드럼의 둘레 방향 표면을, 축 방향(전해 동박의 폭 방향)의 일방의 단부로부터 다른 일방의 단부까지 연마 벨트로 1회 연마하는 것을 의미한다.A titanium-made rotary drum (electrolytic drum) was prepared. Then, the surface was polished under the electrolytic drum surface control conditions shown in Table 1 to obtain an electrolytic drum having a predetermined square root mean square height (Sq) on the surface. Specifically, the surface of the electrolytic drum was polished with the number of polishing belts shown in Table 1. At this time, the polishing belt was wound by a predetermined width only in the width direction of the drum and the polishing belt was rotated in the width direction of the drum while rotating the drum. Table 1 shows the rotation speed of the drum surface at the time of polishing. The polishing time was obtained by multiplying the number of passes by the passage time of one point on the surface of the drum in one pass from the width of the polishing belt and the moving speed of the polishing belt. Here, the single pass of the abrasive belt means that the circumferential surface of the rotary drum is polished once with an abrasive belt from one end of the axial direction (the width direction of the electrolytic copper foil) to the other end thereof.

즉, 연마 시간은 이하의 식으로 나타난다.That is, the polishing time is expressed by the following equation.

연마 시간(분)=1 패스당 연마 벨트의 폭(cm/회)/연마 벨트의 이동 속도(cm/분)×패스 회수(회)Polishing time (minute) = width of abrasive belt per pass (cm / rev) / moving speed of abrasive belt (cm / min) x number of passes (times)

실시예 2, 5, 8, 14~16, 비교예 3에 대해서는, 전해 드럼 표면의 연마시에 드럼 표면을 물로 적셨다.For Examples 2, 5, 8, 14 to 16, and Comparative Example 3, the surface of the drum was wetted with water at the time of polishing the surface of the electrolytic drum.

그 다음, 전해조 안에 상기 전해 드럼과 드럼의 주위에 소정의 극간 거리를 두어 전극을 배치했다. 그 다음, 실시예 1~10, 12, 14~16, 비교예 2, 3에서는 전해조에서 하기 조건으로 전해를 실시하고, 전해 드럼을 회전시키면서 상기 전해 드럼의 표면에 구리를 석출시켰다. 이때의 전류 밀도와 전해액 선속은 표 1에 기재했다.Then, electrodes were arranged in the electrolytic bath at a predetermined gap between the electrolytic drum and the drum. Next, in Examples 1 to 10, 12, 14 to 16, and Comparative Examples 2 and 3, electrolysis was conducted in an electrolytic bath under the following conditions, and copper was precipitated on the surface of the electrolytic drum while rotating the electrolytic drum. The current density and electrolyte flux at this time are shown in Table 1.

(전해액 조성)(Electrolyte composition)

Cu 120g/LCu 120 g / L

H2SO4 100g/LH 2 SO 4 100 g / L

염화물 이온(Cl-) 70ppmChloride ion (Cl -) 70ppm

생선 아교 6ppmFish Glue 6ppm

전해액 온도 60℃Electrolyte temperature 60 ℃

실시예 11, 19, 비교예 1에서는 상기 전해액에 추가해서 첨가제 비스(3-술포프로필)디술피드(SPS)를 80ppm 첨가했다.In Examples 11 and 19 and Comparative Example 1, 80 ppm of bis (3-sulfopropyl) disulfide (SPS) as an additive was added in addition to the electrolytic solution.

실시예 13에서는 염화물 이온 농도를 2ppm 이하로 하고, 생선 아교 대신 동물 아교를 2ppm 첨가한 것 외에는 실시예 1~10, 12, 14~16, 비교예 2, 3과 동일한 전해액 조성을 이용했다.In Example 13, the same electrolytic solution compositions as in Examples 1 to 10, 12, 14 to 16, and Comparative Examples 2 and 3 were used except that the chloride ion concentration was 2 ppm or less and 2 ppm of animal glue was added instead of fish glue.

그 다음, 회전하고 있는 전해 드럼의 표면에 석출한 구리를 벗겨내어, 연속적으로 표 1에 기재한 두께의 전해 동박을 제조했다.Then, the copper precipitated on the surface of the rotating electrolytic drum was peeled off to produce an electrolytic copper foil having a thickness shown in Table 1 continuously.

(실시예 17)(Example 17)

터프 피치동의 잉곳(ingot)에 대해 압연과 소둔을 반복하여 두께 0.2 mm로 했다. 그 후, 최종 냉간 압연을 실시하여 동박의 두께를 80㎛로 했다. 최종 냉간 압연의 가공도는 60%로 했다. 또, 압연 가공도=(압연 전 판두께-압연 후 판두께)/압연전 판두께×100% 유막 당량 20000으로 했다.Tough pitch copper ingots were rolled and annealed to a thickness of 0.2 mm. Thereafter, final cold rolling was carried out to make the thickness of the copper foil 80 mu m. The final degree of cold rolling was 60%. Rolling processing degree = (plate thickness before rolling-plate thickness after rolling) / plate thickness before rolling × 100% oil film equivalent 20000.

유막 당량은 이하의 식으로 나타난다.The film equivalent is given by the following equation.

유막 당량={(압연유 점도[cSt])×(통판 속도[mpm]+롤 둘레 속도[mpm])}/{(롤의 물림각[rad])×(재료의 항복 응력[kg/m㎡])}The yield stress of the material [kg / m < 2 >] is calculated by the following equation: < EMI ID = )}

압연유 점도[cSt]는 40℃에서의 동(動)점도이다.The viscosity of the rolling oil [cSt] is the dynamic viscosity at 40 ° C.

또, 최종 냉간 압연에서 사용한 압연 롤은 표면이 Sq=0.20㎛의 롤을 이용했다. 압연 롤의 표면 조정은, 압연 롤을 연삭 할 때에 연삭하는 시간을 통상보다 길게 하여, Sq의 값을 작게 할 수 있다. 또, 연삭하는 시간을 짧게 하여 Sq의 값을 크게 할 수 있다.The roll used in the final cold rolling was a roll whose surface was Sq = 0.20 mu m. The surface of the rolled roll can be adjusted by grinding the rolling roll longer than usual, thereby reducing the value of Sq. In addition, it is possible to shorten the grinding time and increase the value of Sq.

(실시예 18)(Example 18)

Zn 25mass%, 잔부 Cu 및 불가피적 불순물의 구리 합금(황동)의 잉곳에 대해서 압연과 소둔을 반복하여 두께 0.2 mm로 했다. 그 후 이하의 조건으로 최종 냉간 압연을 실시하여, 동박의 두께를 80㎛로 했다. 최종 냉간 압연의 가공도는 60%로 했다. 압연 가공도=(압연 전의 판두께-압연 후의 판두께)/압연 전의 판두께×100%The ingot of the copper alloy (brass) of 25% by mass of Zn, the remainder of Cu and inevitable impurities was rolled and annealed repeatedly to a thickness of 0.2 mm. Thereafter, final cold rolling was carried out under the following conditions to make the thickness of the copper foil 80 mu m. The final degree of cold rolling was 60%. Rolling processing degree = (plate thickness before rolling-plate thickness after rolling) / plate thickness before rolling x 100%

유막 당량 20000으로 했다.The film equivalent was 20,000.

유막 당량은 이하의 식으로 나타난다.The film equivalent is given by the following equation.

유막 당량={(압연유 점도[cSt])×(통판 속도[mpm]+롤 둘레 속도[mpm])}/{(롤의 물림각[rad])×(재료의 항복 응력[kg/m㎡])}The yield stress of the material [kg / m < 2 >] is calculated by the following equation: < EMI ID = )}

압연유 점도[cSt]는 40℃에서의 동점도이다.The viscosity of the rolling oil [cSt] is the kinematic viscosity at 40 ° C.

또, 최종 냉간 압연에서 사용한 압연 롤은 표면이 Sq=0.20㎛의 롤을 이용했다. 압연 롤 표면의 조정은, 압연 롤을 연삭할 때에 연삭하는 시간을 통상보다 길게 하여, Sq의 값을 작게 할 수 있다. 또, 연삭하는 시간을 짧게 하여 Sq의 값을 크게 할 수 있다.The roll used in the final cold rolling was a roll whose surface was Sq = 0.20 mu m. Adjustment of the surface of the rolled roll can be performed by grinding the rolling roll longer than usual and reducing the value of Sq. In addition, it is possible to shorten the grinding time and increase the value of Sq.

·표면 처리·Surface treatment

그 다음, 표면 처리로서 전해 동박이면 생박의 M면(석출면, 매트면)에, 압연 동박이면 생박의 어느 한 면에, 이하에 나타내는 각 조건으로, 조화 처리, 내열 처리, 방청 처리, 실란 커플링 처리, 수지층 형성 처리의 어느 하나를, 혹은, 각 처리를 결합해서 실시했다. 계속해서, 이하에 나타내는 조건으로 동박의 상기 처리측 표면에 이형층을 형성했다. 또한, 특히 언급이 없는 경우, 각 처리는 이 기재 순서로 실시했다. 또, 표 1에서 각 처리 란에 「없음」이라고 기재되어 있는 것은 이 처리를 하지 않은 것을 나타낸다. 또한, 실시예 5, 7, 8, 10은 S면(드럼측 면, 샤이니면, 광택면)에 대해서도 상술한 M면과 동일한 처리를 했다. 또한, 이형층을 형성한 실시예 및 비교예에서는, 동박의 이형층을 형성한 측과는 반대측 면을 제1면으로 하고, 동박의 이형층을 형성한 쪽의 면을 제2면으로 했다. 또, 이형층을 형성하지 않았던 실시예 및 비교예에서는, 전해 동박의 S면측 면을 제1면으로 하고, 전해 동박의 M면 측의 면을 제2면으로 했다.Then, as the surface treatment, an electrolytic copper foil is subjected to a roughening treatment, a heat treatment, a rust-preventive treatment, a silane couple A ring treatment, and a resin layer forming treatment, or a combination of the treatments. Subsequently, a release layer was formed on the treated surface of the copper foil under the following conditions. In addition, unless otherwise noted, each treatment was carried out in this order. In Table 1, "No" in each processing column indicates that this processing has not been performed. In Examples 5, 7, 8, and 10, the S surface (drum surface, shiny surface, glossy surface) was treated in the same manner as the M surface described above. In the examples and comparative examples in which the release layer was formed, the side opposite to the side where the release layer of the copper foil was formed was defined as the first side, and the side on which the release layer of the copper foil was formed was defined as the second side. In Examples and Comparative Examples in which no release layer was formed, the S surface side of the electrolytic copper foil was regarded as the first surface, and the M surface side of the electrolytic copper foil was regarded as the second surface.

(1) 조화 처리(1) Harmonization processing

〔구형 조화〕[Old harmony]

Cu, H2SO4, As로 이루어지는, 이하에 기재하는 구리 조화 도금욕을 이용하여 구형 조화 입자를 형성했다.Spherical coarsely grained particles were formed by using the copper plating bath described below, which was made of Cu, H 2 SO 4 , and As.

·액 조성 1Solution composition 1

CuSO4·5H2O 78~118 g/L CuSO 4 · 5H 2 O 78 ~ 118 g / L

Cu 20~30 g/LCu 20 to 30 g / L

H2SO4 12g/LH 2 SO 4 12 g / L

비소 1.0~3.0g/LArsenic 1.0 ~ 3.0 g / L

(전기 도금 온도 1) 25~33℃(Electroplating temperature 1) 25 to 33 ° C

(전류 조건 1) 전류 밀도 78A/d㎡ (욕의 한계 전류 밀도 이상)(Current condition 1) Current density 78 A / dm 2 (above the limit current density of the bath)

(도금 시간 1) 1~45초(Plating time 1) 1 to 45 seconds

계속해서, 조화 입자의 탈락 방지와 박리 강도 향상을 위해, 황산·황산구리로 이루어지는 구리 전해욕으로 피복 도금을 실시했다. 피복 도금 조건을 이하에 기재한다.Subsequently, coating plating was carried out with a copper electrolytic bath composed of sulfuric acid and copper sulfate to prevent falling off of the coarse particles and to improve peel strength. The plating plating conditions are described below.

·액 조성 2· Liquid composition 2

CuSO4·5H2O 156g/L CuSO 4 · 5H 2 O 156g / L

Cu 40g/LCu 40 g / L

H2SO4 120g/LH 2 SO 4 120 g / L

(전기 도금 온도 2) 40℃(Electroplating temperature 2) 40 캜

(전류 조건 2) 전류 밀도:20A/d㎡ (욕의 한계 전류 밀도 미만)(Current condition 2) Current density: 20 A / dm 2 (less than the limit current density of the bath)

(도금 시간 2) 1~60초(Plating time 2) 1 to 60 seconds

(2) 내열 처리(배리어 처리)(2) Heat treatment (barrier treatment)

(액 조성)(Liquid composition)

Ni 13g/LNi 13 g / L

Zn 5g/LZn 5 g / L

pH 2pH 2

(전기 도금 조건)(Electroplating conditions)

온도 40℃Temperature 40 ° C

전류 밀도 8A/d㎡Current density 8 A / dm 2

(3) 방청 처리(3) Rust treatment

(액 조성)(Liquid composition)

CrO3 2.5g/LCrO 3 2.5 g / L

Zn 0.7g/LZn 0.7 g / L

Na2SO4 10g/LNa 2 SO 4 10 g / L

pH 4.8pH 4.8

(아연 크로메이트 조건)(Zinc chromate conditions)

온도 54℃Temperature 54 ° C

전류 밀도 0.7As/d㎡Current density 0.7 As / dm 2

(4) 실란 커플링 처리(4) Silane coupling treatment

(액 조성)(Liquid composition)

테트라에톡시실란 함유량 0.4%Tetraethoxysilane content 0.4%

pH 7.5pH 7.5

도포 방법 용액의 분무Spray method Spray solution

(5) 이형층의 형성(5) Formation of release layer

〔이형층 A〕[Release Layer A]

동박의 처리 표면에 실란 화합물(n-프로필트리메톡시실란:4wt%)의 수용액을, 스프레이 코터를 이용하여 도포하고 나서, 100℃의 공기 중에서 5분간 동박 표면을 건조시켜서 이형층 A를 형성했다. 실란 화합물을 수중에 용해시키고 나서 도포하기 전까지의 교반 시간은 30시간, 수용액 중의 알코올 농도는 10vol%, 수용액의 pH는 3.8~4.2로 했다.An aqueous solution of a silane compound (n-propyltrimethoxysilane: 4 wt%) was applied to the treated surface of the copper foil using a spray coater, and then the surface of the copper foil was dried in air at 100 ° C for 5 minutes to form a release layer A . The silane compound was dissolved in water, and the stirring time until the application was 30 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 10 vol%, and the pH of the aqueous solution was 3.8-4.2.

〔이형층 B〕[Release Layer B]

분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물로서 1-도데칸 티올 술폰산 나트륨을 이용하여 1-도데칸 티올 술폰산 나트륨의 수용액(1-도데칸 티올 술폰산 나트륨 농도:3wt%)을, 스프레이 코터를 이용하여 동박의 처리면에 도포하고 나서, 100℃의 공기 중에서 5분간 건조시켜서 이형층 B를 제작했다. 수용액의 pH는 5~9로 했다.An aqueous solution of sodium 1-dodecanethiosulfonate (sodium dodecanethiosulfonate concentration: 3 wt%) was prepared by using a 1-dodecanethiosulfonate sodium as a compound having two or less mercapto groups in a molecule by a spray coater , And then dried in air at 100 ° C for 5 minutes to prepare a release layer B. The pH of the aqueous solution was adjusted to 5 to 9.

〔이형층 C〕[Release Layer C]

금속 알콕시드로서 알루민산염 화합물인 트리이소프로폭시알루미늄을 이용하여, 트리 이소프로폭시 알루미늄의 수용액(트리 이소프로폭시 알루미늄 농도:0.04mol/L)를, 스프레이 코터를 이용하여 동박의 처리면에 도포하고 나서, 100℃의 공기 중에서 5분간 건조시켜서 이형층 C를 제작했다. 알루민산염 화합물을 수중에 용해시키고 나서 도포하기 전까지의 교반 시간은 2시간, 수용액 중의 알코올 농도는 0vol%, 수용액의 pH는 5~9로 했다.An aqueous triisopropoxy aluminum solution (triisopropoxy aluminum concentration: 0.04 mol / L) was sprayed onto the treated surface of the copper foil using triisopropoxy aluminum, which is an aluminate compound, as a metal alkoxide, using a spray coater And then dried in air at 100 ° C for 5 minutes to prepare a release layer C. After the aluminate compound was dissolved in water, the stirring time until the application was 2 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 0 vol%, and the pH of the aqueous solution was 5 to 9.

〔이형층 D〕[Release Layer D]

금속 알콕시드로서 티탄산염 화합물인 n-데실트리이소프로폭시티탄을 이용하여 n-데실트리이소프로폭시티탄의 수용액(n-데실트리이소프로폭시티탄 농도:0.01mol/L)을, 스프레이 코터를 이용하여 동박의 처리면에 도포하고 나서, 100℃의 공기 중에서 5분간 건조시켜서 이형층 D를 제작했다. 티탄산염 화합물을 수중에 용해시키고 나서 도포하기 전까지의 교반 시간은 24시간, 수용액 중의 알코올 농도는 메탄올을 20vol%로 하고, 수용액의 pH는 5~9로 했다.An aqueous solution of n-decyltriisopropoxytitanium (n-decyltriisopropoxytitanium concentration: 0.01 mol / L) was dissolved in a spray coater using n-decyltriisopropoxytitanium as a titanium alkoxide compound as a metal alkoxide And then dried in air at 100 ° C. for 5 minutes to prepare a release layer D. The thiocarbonate compound was dissolved in water, and the stirring time until application was 24 hours. The alcohol concentration in the aqueous solution was adjusted to 20 vol% of methanol and the pH of the aqueous solution was adjusted to 5 to 9.

〔이형층 E〕[Release Layer E]

금속 알콕시드로서 지르코늄산염 화합물인 n-프로필-트리n-부톡시 지르코늄을 이용하여, n-프로필-트리n-부톡시지르코늄의 수용액(n-프로필-트리n-부톡시지르코늄 농도:0.04mol/L)을, 스프레이 코터를 이용하여 동박의 처리면에 도포하고 나서, 100℃의 공기 중에서 5분간 건조시켜서 이형층 E를 제작했다. 티탄산염 화합물을 수중에 용해시키고 나서 도포하기 전까지의 교반 시간은 12시간, 수용액 중의 알코올 농도는 0vol%로 하고, 수용액의 pH는 5~9로 했다.(N-propyl-tri-n-butoxyzirconium concentration: 0.04 mol / mol) in the presence of n-propyl-tri-n-butoxyzirconium zirconate as a metal alkoxide, L) was applied to the treated surface of the copper foil using a spray coater and then dried in air at 100 ° C for 5 minutes to prepare a release layer E. The dissolution time of the titanate compound in water was 12 hours, the alcohol concentration in the aqueous solution was 0 vol%, and the pH of the aqueous solution was 5 to 9 before the application.

(6) 수지층 형성 처리(6) Resin layer formation treatment

실시예 1에 대해서는, 이형층 형성 후, 추가로 하기 조건으로 수지층을 형성했다.In Example 1, after formation of the release layer, a resin layer was further formed under the following conditions.

(수지 합성예)(Resin synthesis example)

스테인리스제의 닻 모양 교반봉, 질소 도입관과 스톱 콕이 부착된 트랩 위에, 구슬 부착 냉각관을 장착한 환류 냉각기를 설치한 2리터의 3구 플라스크에, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르본산이무수물 117.68g(400mmol), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠 87.7g(300mmol), γ-발레롤락톤 4.0g(40mmol), 피리딘 4.8g(60mmol), N-메틸-2-피롤리돈(이하 NMP라고 기재한다) 300g, 톨루엔 20g을 더해서 180℃에서 1시간 가열한 후에 실온 부근까지 냉각한 후, 3,4,3',4'-비페닐테트라카르본산이무수물 29.42g(100mmol), 2,2-비스{4-(4-아미노페녹시)페닐}프로판 82.12g(200mmol), NMP 200g, 톨루엔 40g을 더하여 실온에서 1시간 혼합한 후, 180℃에서 3시간 가열하여 고형분 38%의 블록 공중합 폴리이미드를 얻었다. 이 블록 공중합 폴리이미드는 하기에 나타내는 일반식(1):일반식(2)=3:2이고, 수평균 분자량:70000, 중량 평균 분자량:150000이었다.Into a 2-liter three-necked flask equipped with an anchor-shaped stirrer bar made of stainless steel, a nitrogen inlet tube and a trap equipped with a stopcock and equipped with a reflux condenser equipped with a bead- (400 mmol) of biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 87.7 g (300 mmol) of 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 4.0 g (40 mmol) of γ- valerolactone, 4.8 g 300 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP) and 20 g of toluene were added and the mixture was heated at 180 占 폚 for 1 hour and cooled to near room temperature. Then, 3,4,3 ' (200 mmol) of 2,2-bis {4- (4-aminophenoxy) phenyl} propane, 200 g of NMP and 40 g of toluene were added and mixed at room temperature for 1 hour. Then, 180 Lt; 0 > C for 3 hours to obtain a block copolymerized polyimide having a solid content of 38%. The block copolymer polyimide had the following general formula (1): general formula (2) = 3: 2, number average molecular weight: 70000, and weight average molecular weight:

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure pat00005
Figure pat00005

합성예에서 얻어진 블록 공중합 폴리이미드 용액을 NMP로 다시 희석하여, 고형분 10%의 블록 공중합 폴리이미드 용액으로 했다. 이 블록 공중합 폴리이미드 용액에 비스(4-말레이미드페닐)메탄(BMI-H, 케이 아이 가세이)을 고형분 중량 비율 35, 블록 공중합 폴리이미드의 고형분 중량 비율 65로 하여(즉, 수지 용액에 포함되는 비스(4-말레이미드페닐)메탄 고형분 중량:수지 용액에 포함되는 블록 공중합 폴리이미드 고형분 중량=35:65) 60℃, 20분간 용해 혼합하여 수지 용액으로 했다. 그 후, 이형층 형성면에 상기 수지 용액을 도공하고, 질소 분위기하에, 120℃에서 3분간, 160℃에서 3분간 건조 처리한 후, 마지막으로 300℃에서 2분간 가열 처리하여, 수지층을 구비한 동박을 제작했다. 또한, 수지층의 두께는 2㎛로 했다.The block copolymer polyimide solution obtained in Synthesis Example was further diluted with NMP to obtain a block copolymer polyimide solution having a solid content of 10%. (4-maleimidephenyl) methane (BMI-H, Keigasease) was added to the block copolymer polyimide solution at a solids weight ratio of 35 and a block copolymer polyimide solids weight ratio of 65 (that is, Bis (4-maleimidophenyl) methane solid content weight: solid content of block copolymer polyimide contained in the resin solution = 35: 65) was dissolved and mixed at 60 占 폚 for 20 minutes to prepare a resin solution. Thereafter, the above-mentioned resin solution was coated on the release layer formation surface, and the resin solution was applied in a nitrogen atmosphere at 120 캜 for 3 minutes and at 160 캜 for 3 minutes, and finally at 300 캜 for 2 minutes to form a resin layer A copper foil was produced. The thickness of the resin layer was set to 2 탆.

(7) 각종 평가(7) Various evaluations

·금속박 양 표면의 제곱평균제곱근 높이(Sq), 및, 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)의 평가Evaluation of the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square height (Sq) and the square root mean square height (Sq) and the mean spacing (Rsm)

각 금속박의 표면(조화 처리 등 표면 처리를 실시한 경우에는 표면 처리 후의 표면 처리되는 쪽의 표면, 이형층이 형성되어 있는 경우에는 이형층을 마련한 후의 이형층이 마련되어 있는 쪽의 표면)에 대해서 제곱평균제곱근 높이(Sq), 및 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)는 올림푸스 주식회사제의 레이저 현미경 LEXT OLS 4100을 이용하여 측정했다. 또한, Rsm는 JIS B 0601 2001 준거 모드에 따라서, 그리고 Sq는 ISO 25178 준거 모드에 따라서 측정했다. 또한, Rsm, Sq 모두 임의의 10곳에서 측정한 Rsm, Sq 수치의 평균값을 Rsm 및 Sq의 수치로 했다. Rsm의 측정 길이는 258㎛, Sq의 측정 면적은 세로 258㎛×가로 258㎛로 했다. 그리고 얻어진 값에 근거하여 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)를 산출했다. 또한, 측정시의 온도는 23~25℃로 했다.The surface of each metal foil (the surface of the surface to be surface-treated after surface treatment in the case of surface treatment such as roughening treatment and the surface on which the release layer after the release layer is provided when the release layer is formed) The ratio (Sq / Rsm) of the square root height (Sq), the root mean square height (Sq) and the average spacing (Rsm) of the irregularities was measured using a laser microscope LEXT OLS 4100 manufactured by Olympus Corporation. Rsm was measured according to JIS B 0601 2001 conforming mode and Sq was measured according to ISO 25178 compliant mode. In addition, the average values of Rsm and Sq values measured at arbitrary 10 places in both of Rsm and Sq were taken as the values of Rsm and Sq. The measurement length of Rsm was 258 mu m and the measurement area of Sq was 258 mu m in length and 258 mu m in width. Then, the ratio (Sq / Rsm) of the square root mean square height (Sq) to the irregularity mean interval (Rsm) was calculated based on the obtained values. The temperature at the time of measurement was set at 23 to 25 占 폚.

·금속박상의 회로 형성성· Circuit formability on metal foil

이형층 부착 금속박의 이형층측의 면(제2면), 또는 금속박 제2면에 수지 기재를 적층하여 적층체(1)를 제조했다. 그 후, 이형층 부착 금속박의 수지 기재와 적층한 측과는 반대쪽 면(제1면), 또는 금속박의 수지 기재와 적층한 측과는 반대쪽의 면(제1면)에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 라인 모양으로 에칭했다. 그 다음, 두께 12㎛의 회로용 Cu 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 라인 앤드 스페이스(L/S)가 12㎛/12㎛이고, 길이 1mm인 라인 모양의 회로(배선)를 각각 20개 형성했다. 그 후, 이형층 부착 금속박 회로를 형성한 측의 면, 또는 금속박의 회로를 형성한 측의 면에 회로가 매립되도록 열압착에 의해 비스말레이미드트리아진 수지 프리프레그를 적층했다. 그 후, 상술한 이형층 부착 금속박의 이형층 쪽의 면(제2면), 또는 금속박 제2면에 적층한 수지 기재를 박리한 후, 노출한 이형층 부착 금속박 또는 금속박을 염화제2철로 에칭하여 제거했다. 또한, 상술한 에칭은 상술한 회로 및 회로 주위의 비스말레이미드트리아진 수지 프리프레그가 완전히 노출될 때까지 실시했다. 계속해서, 회로의 상면에서 본 회로폭의 최대값과 최소값의 차이(㎛)를 측정하여 5개소를 측정한 평균값으로 했다. 최대값과 최소값의 차이가 2㎛ 이하이면, 양호한 회로 직선성을 가진다고 판단하여 「◎◎」로 했다. 또, 상기 최대값과 최소값의 차이가 2㎛ 초과이면서 3㎛ 이하일 때 「◎」로 했다. 또, 상기 최대값과 최소값의 차이가 3㎛ 초과이면서 4㎛ 이하일 때 「○○」로 했다. 또, 상기 최대값과 최소값의 차이가 4㎛ 초과이면서 5㎛ 이하일 때 「○」로 했다. 또, 상기 최대값과 최소값의 차이가 5㎛ 초과일 때 「×」로 했다.(Second face) of the release layer side of the metal foil with a release layer, or a resin base material was laminated on the second face of the metal foil to produce a laminate (1). Thereafter, a resist is applied to a surface (first surface) opposite to the side of the metal foil with a release layer adhered to the resin base material (first surface) or the surface opposite to the side where the metal foil is laminated with the resin base material The development was carried out, and the resist was etched in a line shape. Then, a 12 μm-thick circuit Cu plating for circuit was formed, and the resist was removed to form a line-shaped circuit (wiring) having a line and space (L / S) of 12 μm / 12 μm and a length of 1 mm Formed. Thereafter, a bismaleimide triazine resin prepreg was laminated by thermocompression so that a circuit was embedded on the side where the metal foil circuit with a release layer was formed, or the side where a metal foil circuit was formed. Thereafter, the resin substrate laminated on the face (second face) on the release layer side or on the second face of the metal foil of the above-mentioned release-type layer-adhered metal foil is peeled off and then the exposed metal foil or metal foil with the release- . In addition, the etching described above was carried out until the bismaleimide triazine resin prepreg around the circuit and the circuit described above was completely exposed. Subsequently, the difference (mu m) between the maximum value and the minimum value of the circuit width seen from the top surface of the circuit was measured, and the average value was obtained by measuring five points. When the difference between the maximum value and the minimum value is 2 mu m or less, it is judged to have good circuit linearity and is determined as " & cir & ". When the difference between the maximum value and the minimum value is more than 2 mu m but not more than 3 mu m, "? &Quot; When the difference between the maximum value and the minimum value is more than 3 占 퐉 but not more than 4 占 퐉, it is determined as "占". When the difference between the maximum value and the minimum value is more than 4 占 퐉 but not more than 5 占 퐉, it is determined to be?. When the difference between the maximum value and the minimum value is more than 5 mu m, it is determined as " x ".

·금속박상의 회로 박리;Circuit stripping on metal foil;

이형층 부착 금속박의 이형층 쪽의 면(제2면) 또는 금속박 제2면에 수지 기재를 적층하여 적층체(1)를 제조했다. 그 후, 이형층 부착 금속박의 수지 기재와 적층한 쪽과는 반대쪽의 면(제1면), 또는 금속박의 수지 기재와 적층한 쪽과는 반대쪽 면(제1면)에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 라인 모양으로 에칭했다. 그 다음, 두께 12㎛의 회로용 Cu 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거하여 라인 앤드 스페이스(L/S)가 12㎛/12㎛이고, 길이 1mm인 라인 모양의 회로(배선)를 각각 20개 형성했다. 이 때, 레지스트를 제거했을 때에, 이형층 부착 금속박의 면, 및 금속박의 면으로부터 회로가 벗겨진 회수를 계측했다. 이형층 부착 금속박의 면, 및 금속박의 면으로부터 회로가 벗겨진 회수가 10회 중 0회인 경우에는 「◎◎」, 10회 중 1회인 경우에는 「◎」, 10회 중 2~3회인 경우에는 「○」, 10회 중 4회 이상인 경우에는 「×」으로 했다.The resin substrate was laminated on the face (second face) on the release layer side of the metal foil with a release layer or on the second face of the metal foil to produce a laminate (1). Thereafter, a resist is applied to a surface (first surface) opposite to the surface of the metal foil with a release layer adhered to the resin base material (first surface) or a surface opposite to the surface of the metal foil laminated with the resin base material The development was carried out, and the resist was etched in a line shape. Subsequently, after forming Cu plating for a circuit having a thickness of 12 탆, the resist was removed to form 20 lines / lines (wirings) each having a line and space (L / S) of 12 탆 / . At this time, when the resist was removed, the number of times the circuit was peeled off from the surface of the metal foil with a release layer and the surface of the metal foil was measured. Quot ;, "? &Quot;, "? &Quot;, "? &Quot;, "? &Quot;, "? &Quot;, " &Quot;, and " x " in the case of four or more times among 10 times.

·적층체(2)의 제조Preparation of laminate (2)

각 금속박의 이형층 쪽의 면(제2면) 또는 금속박 제2면에, 이하의 수지 기재 1~3 각각을 접합시켰다.The following resin substrates 1 to 3 were bonded to the surface (second surface) of the metal foil on the release layer side or the second surface of the metal foil.

기재 1:미쓰비시 가스 화학(주) 제 GHPL-830 MBTMaterial 1: GHPL-830 MBT manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.

기재 2:히타치 가세이 공업(주) 제 679-FGMaterial 2: 679-FG manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.

기재 3:스미토모 베이크라이트(주) 제 EI-6785TS-FMaterial 3: EI-6785TS-F manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.

적층 프레스의 온도, 압력, 시간은 각 기재의 제조업체의 추천 조건을 이용했다.The temperature, pressure, and time of the laminated press were based on the recommended conditions of the manufacturer of each substrate.

·박리 강도의 평가· Evaluation of Peel Strength

적층체(2)에 대해서, IPC-TM-650에 준거하여, 인장 시험기 오토 그래프 100으로 동박으로부터 수지 기재를 박리할 때의 상태 박리 강도를 측정해서, 이하의 기준으로 금속박의 박리성을 평가했다. 결과를 표 1의 「박리 강도」란에 기재했다. 상기 박리 강도는 2~200gf/cm인 것이 바람직하다.With respect to the layered product 2, the state peel strength at the time of peeling the resin base material from the copper foil with the tensile tester Autograph 100 according to IPC-TM-650 was measured, and the peelability of the metal foil was evaluated according to the following criteria . The results are shown in the " peel strength " The peel strength is preferably 2 to 200 gf / cm.

○:2~200 gf/cm의 범위였다.?: Was in the range of 2 to 200 gf / cm.

×:2gf/cm 미만 또는 200gf/cm 초과였다.X: less than 2 gf / cm or greater than 200 gf / cm.

·수지의 파괴 모드 평가· Evaluation of resin failure mode

상기 박리 후 수지 기재의 박리면을 전자현미경으로 관찰하고, 수지의 파괴 모드(응집, 계면, 응집과 계면의 혼재)에 대해서 관찰했다. 수지의 파괴 모드에 대해서, 「계면」은 수동박과 수지의 계면에서 박리한 것을 나타내고, 「응집」은 박리 강도가 너무 강해서 수지가 파괴되는 것을 나타내며, 「혼재」는 상기 「계면」과 「응집」이 혼재하는 것을 나타낸다. 수지의 파괴 모드는 「계면」인 것이 바람직하다.The peeling surface of the resin substrate after peeling was observed with an electron microscope, and the failure modes of the resin (aggregation, interface, aggregation and interfacial adhesion) were observed. "Cohesion" indicates that the peeling strength is so strong that the resin is broken, and "coexistence" refers to the case where the "interface" and the "cohesion" &Quot; The failure mode of the resin is preferably " interface ".

·회로 박리, 기판 팽창의 평가· Circuit stripping, evaluation of board expansion

상기 박리 후의 수지 기재 1~3의 박리면에 도금액[액 조성, Cu:50g/L, H2SO4:50g/L, Cl:60ppm)을 이용해서 구리 도금 패턴(라인/스페이스=40㎛/40㎛)을 형성했다(예 1). 또한, 예 1에서 상술한 세미 애디티브법과 마찬가지로, 상술한 구리 도금 패턴의 형성 전에, 상술한 박리 후의 수지 기재 1~3의 박리면에 대해서, 세정 및 무전해 구리 도금을 실시했다. 그 후, 드라이 필름을 무전해 구리 도금층에 적층했다. 그리고 노광 현상을 실시하여 드라이 필름을 라인 모양으로 에칭하여, 구리 도금 패턴을 형성할 예정된 곳의 드라이 필름을 제거했다. 그 다음, 드라이 필름에 피복되어 있지 않은 무전해 구리 도금층 상에 상술한 구리 도금 패턴을 전기 도금으로 형성했다. 그리고 구리 도금 패턴을 형성한 후에, 드라이 필름 및 구리 도금 패턴을 형성하지 않았던 부분의 무전해 구리 도금층을 제거했다. 또, 상기 박리 후의 수지 기재의 박리면에 도전 페이스트를 함유하는 잉크를 이용하여 잉크젯으로 인쇄 패턴(라인/스페이스=40㎛/40㎛)을 형성했다(예 2). 또, 상기 박리 후의 수지 기재의 박리면에 액정 폴리머로 구성된 수지층(빌드업층을 구성하는 수지를 상정했다)을 라미네이트 했다(예 3).Plating the peeling surface of the resin substrate after the peeling 1-3 [solution composition, Cu: 50g / L, H 2 SO 4: 50g / L, Cl: 60ppm) the utilization by copper plating pattern (line / space = 40㎛ / 40 占 퐉) (Example 1). Before the above-described copper plating pattern was formed in the same manner as in the semi-additive method described in Example 1, cleaning and electroless copper plating were performed on the peeling surfaces of the resin substrates 1 to 3 after peeling described above. Thereafter, the dry film was laminated on the electroless copper plating layer. Then, the dry film was etched in a line shape by performing exposure to remove the dry film at the place where the copper plating pattern was to be formed. Then, the above-mentioned copper plating pattern was formed on the electroless copper plating layer not covered with the dry film by electroplating. After the copper plating pattern was formed, the dry film and the portion of the electroless copper plating layer where the copper plating pattern was not formed were removed. A print pattern (line / space = 40 占 퐉 / 40 占 퐉) was formed by ink jet printing using the ink containing a conductive paste on the release surface of the resin substrate after peeling (Example 2). A resin layer (a resin constituting the buildup layer was assumed) made of a liquid crystal polymer was laminated on the release surface of the resin substrate after peeling (Example 3).

그 다음, 각각 신뢰성 시험(250±10℃×1시간의 가열 시험)에 따라서, 회로 박리 또는 기판 팽창이 발생하는지 여부를 확인했다. 또한, 평가 샘플의 크기는 250mm×250mm로 하고, 샘플 번호 마다 3샘플에 대해서 측정했다.Then, it was confirmed whether or not circuit peeling or substrate expansion occurred according to the reliability test (heating test at 250 占 10 占 폚 for 1 hour). The size of the evaluation sample was 250 mm x 250 mm, and three samples were measured for each sample number.

회로 박리 및 기판 팽창이 발생하지 않은 것을 「◎」로 평가했다. 회로 박리 또는 기판 팽창이 조금 발생했지만(1샘플 중 3곳 이하), 사용하는 개소를 선별하면 제품으로서 사용할 수 있는 것을 「○」로 평가했다. 또, 회로 박리 또는 기판 팽창이 다수 발생(1샘플 중 3곳 초과)하여, 제품으로 사용할 수 없는 것을 「×」로 평가했다.&Quot; & cir & & Circuit peeling or substrate expansion occurred a little (3 or less out of one sample), and when a used portion was selected, a product which can be used as a product was evaluated as "? &Quot;. In addition, a large number of circuit peeling or substrate expansion occurred (more than 3 out of one sample), and the product which could not be used as a product was evaluated as " x ".

각 시험 조건 및 평가 결과를 표 1에 나타낸다.Table 1 shows the test conditions and evaluation results.

[표 1][Table 1]

Figure pat00006
Figure pat00006

(평가 결과)(Evaluation results)

실시예 1~19는 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01~1㎛인 금속박의 예로서, 금속박상의 회로 형성성이 양호하고, 금속박상의 회로 박리를 양호하게 억제할 수 있었다. 또, 실시예 1~18은 제2면측에 이형층이 마련되어 있는 예시, 금속박 제2면의 Sq, 및/또는 Sq/Rsm가 소정의 범위로 제어되는 예로서, 금속박을 수지 기재로부터 물리적으로 박리할 때의 박리성이 양호하고, 회로 박리, 기판 팽창의 발생을 양호하게 억제할 수 있었다. 실시예 19는 제2면측에 이형층이 마련되어 있는 예이며, 금속박을 수지 기재로부터 물리적으로 박리할 때의 박리성이 양호했다.Examples 1 to 19 are examples of the metal foil having the square root mean square height (Sq) of the first face of 0.01 to 1 占 퐉, and the circuit formability on the metal foil is good and the circuit peeling on the metal foil can be satisfactorily suppressed. Examples 1 to 18 are examples in which the release layer is provided on the second surface side, Sq and / or Sq / Rsm of the second surface of the metal foil are controlled to a predetermined range, and the metal foil is physically peeled off from the resin substrate It was possible to satisfactorily suppress the occurrence of circuit peeling and substrate expansion. Example 19 is an example in which a release layer is provided on the second surface side, and the peeling property when the metal foil is physically peeled from the resin base material is good.

비교예 1, 2는 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 1㎛를 초과하여, 금속박상의 회로 형성성이 불량이었다. 비교예 3은 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 미만으로, 금속박상의 회로 박리를 충분히 억제할 수는 없었다.In Comparative Examples 1 and 2, the square root mean square height (Sq) of the first surface exceeded 1 占 퐉 and the circuit formability on the metal foil was poor. In Comparative Example 3, the square root mean square height (Sq) of the first side was less than 0.01 mu m, and the peeling of the circuit on the metal foil was not sufficiently suppressed.

Claims (37)

제1면 및 제2면을 가지고,
상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박, 및
상기 금속박 제2면에 마련된 이형층,
을 구비하는 이형층 부착 금속박.
Having a first side and a second side,
A metal foil having a square root mean square height (Sq) of the first face of not less than 0.01 탆 and not more than 1 탆,
A release layer provided on the second surface of the metal foil,
The metal foil having a release layer.
제1항에 있어서,
상기 금속박은, 상기 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하인 이형층 부착 금속박.
The method according to claim 1,
Wherein the metal foil has a square root mean square height (Sq) of the second face of not less than 0.25 m and not more than 1.6 m.
제1항에 있어서,
상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하의 표면 요철을 가지는 이형층 부착 금속박.
The method according to claim 1,
And a ratio (Sq / Rsm) of a square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to an average spacing (Rsm) of the irregularities is 0.03 or more and 0.40 or less.
제2항에 있어서,
상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하의 표면 요철을 가지는 이형층 부착 금속박.
3. The method of claim 2,
And a ratio (Sq / Rsm) of a square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to an average spacing (Rsm) of the irregularities is 0.03 or more and 0.40 or less.
제1면 및 제2면을 가지는 금속박과,
상기 금속박 제2면에 마련된 이형층
을 구비하고,
상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 (5-1) 및 (5-2)를 만족시키는 이형층 부착 금속박.
(5-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·0.01㎛ 이상이다,
·0.020㎛ 이상이다,
·0.025㎛ 이상이다,
(5-2) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·1㎛ 이하이다,
·0.90㎛ 이하이다,
·0.32㎛ 이하이다,
·0.25㎛ 이하이다.
A metal foil having a first side and a second side,
And a release layer provided on the second surface of the metal foil.
And,
Wherein the root mean square height (Sq) of the first surface satisfies the following (5-1) and (5-2).
(5-1) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
? 0.01 占 퐉 or more,
0.020 占 퐉 or more,
0.025 占 퐉 or more,
(5-2) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
占 퐉 or less,
? 0.90 占 퐉 or less,
- 0.32 탆 or less,
? 0.25 占 퐉 or less.
제1면 및 제2면을 가지는 금속박과,
상기 금속박 제2면에 마련된 이형층
을 구비하고,
이하의 (6-1)을 만족시키며, 또한, (6-2) 및 (6-3) 중 어느 1개 또는 2개를 만족시키는 이형층 부착 금속박.
(6-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 (6-1-1) 및 (6-1-2)를 만족시킨다,
(6-1-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·0.01㎛ 이상이다,
·0.020㎛ 이상이다,
·0.025㎛ 이상이다,
(6-1-2) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·1㎛ 이하이다,
·0.90㎛ 이하이다,
·0.32㎛ 이하이다,
·0.25㎛ 이하이다,
(6-2) 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 이하의 어느 1개 또는 2개를 만족시킨다,
·0.05 이상이다,
·0.24 이하이다,
(6-3) 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개 또는 2개를 만족시킨다,
·0.25㎛ 이상이다,
·1.6㎛ 이하이다.
A metal foil having a first side and a second side,
And a release layer provided on the second surface of the metal foil.
And,
The metal foil with a release layer satisfying the following (6-1) and satisfying any one or two of (6-2) and (6-3).
(6-1) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies the following (6-1-1) and (6-1-2)
(6-1-1) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
? 0.01 占 퐉 or more,
0.020 占 퐉 or more,
0.025 占 퐉 or more,
(6-1-2) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
占 퐉 or less,
? 0.90 占 퐉 or less,
- 0.32 탆 or less,
? 0.25 占 퐉 or less,
(6-2) the ratio (Sq / Rsm) of the root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the recesses and protrusions satisfies any one or two of the following:
· 0.05 or more,
? 0.24 or less,
(6-3) The square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil satisfies any one or two of the following:
? 0.25 占 퐉 or more,
占 퐉 or less.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박의 두께가 1㎛ 이상 105㎛ 이하인 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the metal foil has a thickness of 1 占 퐉 or more and 105 占 퐉 or less.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박이 동박인 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the metal foil is a copper foil.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박 제1면 및/또는 상기 금속박 제2면과 상기 이형층 사이에, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 마련한 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
At least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer is provided between the first surface of the metal foil and / or the second surface of the metal foil and the release layer Metal foil with a release layer.
제9항에 있어서,
상기 금속박 제1면에 마련된 상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층에 수지층을 마련한 이형층 부착 금속박.
10. The method of claim 9,
And a resin layer provided on at least one layer selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer provided on the first surface of the metal foil.
제10항에 있어서,
상기 수지층이, 접착용 수지, 프라이머 또는 반경화 상태의 수지인 금속박.
11. The method of claim 10,
Wherein the resin layer is a resin for bonding, a primer, or a semi-cured resin.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형층이 다음 식:
[화학식 1]
Figure pat00007

(식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로 알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, M은 Al, Ti, Zr 중 어느 1개이고, n은 0, 1 또는 2이며, m은 1 이상 M의 가수 이하의 정수이고, R1의 적어도 1개는 알콕시기이다. m+n는 M의 가수이다. M의 가수는 Al의 경우 3, Ti, Zr의 경우 4이다.)
으로 나타내는 알루민산염 화합물, 티탄산염 화합물, 지르코늄산염 화합물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물, 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물, 알루민산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체, 티탄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체 및 지르코늄산염 화합물의 가수분해 생성물의 축합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함하는 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the release layer has the following formula:
[Chemical Formula 1]
Figure pat00007

(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, M is any one of Al, Ti and Zr, n is 0, 1 or 2, m is an integer of not less than 1 but not more than M, at least one of R 1 is an alkoxy group, m + The mantissa of M is 3 for Al, and 4 for Ti and Zr.)
A hydrolysis product of a titanate compound, a hydrolysis product of a zirconate compound, a hydrolysis product of a hydrolysis product of an aluminate compound, an aluminate compound, A condensation product of a hydrolysis product of a zirconium salt compound, and a condensate of a hydrolysis product of a zirconium salt compound.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형층이 다음 식:
[화학식 2]
Figure pat00008

(식 중, R1는 알콕시기 또는 할로겐 원자이고, R2는 알킬기, 시클로 알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 탄화수소기, 또는 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이며, R3 및 R4는 각각 독립적으로, 할로겐 원자, 알콕시기, 알킬기, 시클로 알킬기 및 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 상기 탄화수소기 또는, 상기 탄화수소기의 1개 이상의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 탄화수소기이다.)
으로 나타내는 실란 화합물, 상기 실란 화합물의 가수분해 생성물 및 상기 가수분해 생성물의 축합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 적어도 1개 또는 2개 이상 포함하는 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the release layer has the following formula:
(2)
Figure pat00008

(Wherein R 1 is an alkoxy group or a halogen atom, R 2 is a hydrocarbon group selected from the group consisting of an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom, R 3 and R 4 each independently represent a hydrocarbon group selected from the group consisting of a halogen atom, an alkoxy group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an aryl group, or a hydrocarbon group in which at least one hydrogen atom of the hydrocarbon group is substituted with a halogen atom. )
, A hydrolysis product of the silane compound, and a condensate of the hydrolysis product. The metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 5, wherein the metal foil is at least one selected from the group consisting of a silane compound represented by formula
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형층이, 분자 내에 2개 이하의 메르캅토기를 가지는 화합물을 이용하여 이루어지는 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the release layer comprises a compound having two or less mercapto groups in a molecule.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형층 표면에 수지층을 마련한 이형층 부착 금속박.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a resin layer provided on a surface of the release layer.
제15항에 있어서,
상기 수지층이 접착용 수지, 프라이머 또는 반경화 상태의 수지인 이형층 부착 금속박.
16. The method of claim 15,
Wherein the resin layer is a resin for bonding, a primer, or a semi-cured resin.
제1면 및 제2면을 가지고, 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.01㎛ 이상 1㎛ 이하인 금속박.A metal foil having a first surface and a second surface, wherein the square root mean square height (Sq) of the first surface is not less than 0.01 탆 and not more than 1 탆. 제17항에 있어서,
상기 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 0.25㎛ 이상 1.6㎛ 이하인 금속박.
18. The method of claim 17,
Wherein the root mean square height (Sq) of the second surface is 0.25 탆 or more and 1.6 탆 or less.
제17항에 있어서,
상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하의 표면 요철을 가지는 금속박.
18. The method of claim 17,
(Sq / Rsm) of the square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the irregularities is 0.03 or more and 0.40 or less.
제18항에 있어서,
상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 0.03 이상 0.40 이하의 표면 요철을 가지는 금속박.
19. The method of claim 18,
(Sq / Rsm) of the square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the irregularities is 0.03 or more and 0.40 or less.
제1면 및 제2면을 가지고,
상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 (21-1) 및 (21-2)을 만족시키는 금속박.
(21-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·0.01㎛ 이상이다,
·0.020㎛ 이상이다,
·0.025㎛ 이상이다,
(21-2) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·1㎛ 이하이다,
·0.90㎛ 이하이다,
·0.32㎛ 이하이다,
·0.25㎛ 이하이다.
Having a first side and a second side,
Wherein the root mean square height Sq of the first surface satisfies the following (21-1) and (21-2).
(21-1) the square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
? 0.01 占 퐉 or more,
0.020 占 퐉 or more,
0.025 占 퐉 or more,
(21-2) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
占 퐉 or less,
? 0.90 占 퐉 or less,
- 0.32 탆 or less,
? 0.25 占 퐉 or less.
제1면 및 제2면을 가지고,
이하의 (22-1)을 만족시키고, 또한 (22-2) 및 (22-3) 중 어느 1개 또는 2개를 만족시키는 금속박.
(22-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 (22-1-1) 및 (22-1-2)를 만족시킨다,
(22-1-1) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·0.01㎛ 이상이다,
·0.020㎛ 이상이다,
·0.025㎛ 이상이다,
(22-1-2) 상기 제1면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개를 만족시킨다,
·1㎛ 이하이다,
·0.90㎛ 이하이다,
·0.32㎛ 이하이다,
·0.25㎛ 이하이다,
(22-2) 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)와 요철의 평균 간격(Rsm)의 비(Sq/Rsm)가 이하의 어느 1개 또는 2개를 만족시킨다,
·0.05 이상이다,
·0.24 이하이다,
(22-3) 상기 금속박 제2면의 제곱평균제곱근 높이(Sq)가 이하의 어느 1개 또는 2개를 만족시킨다,
·0.25㎛ 이상이다,
·1.6㎛ 이하이다.
Having a first side and a second side,
The metal foil satisfies the following (22-1) and satisfies any one or two of (22-2) and (22-3).
(22-1) The square root mean square height Sq of the first surface satisfies the following (22-1-1) and (22-1-2)
(22-1-1) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
? 0.01 占 퐉 or more,
0.020 占 퐉 or more,
0.025 占 퐉 or more,
(22-1-2) The square root mean square height (Sq) of the first surface satisfies any one of the following:
占 퐉 or less,
? 0.90 占 퐉 or less,
- 0.32 탆 or less,
? 0.25 占 퐉 or less,
(22-2) The ratio (Sq / Rsm) of the root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil to the mean spacing (Rsm) of the recesses and protrusions satisfies any one or two of the following:
· 0.05 or more,
? 0.24 or less,
(22-3) The square root mean square height (Sq) of the second surface of the metal foil satisfies any one or two of the following:
? 0.25 占 퐉 or more,
占 퐉 or less.
제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박의 두께가 1㎛ 이상 105㎛ 이하인 금속박.
23. The method according to any one of claims 17 to 22,
Wherein the metal foil has a thickness of 1 占 퐉 or more and 105 占 퐉 or less.
제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박이 동박인 금속박.
23. The method according to any one of claims 17 to 22,
Wherein the metal foil is a copper foil.
제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박 제1면 및/또는 상기 금속박 제2면에, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층을 마련한 금속박.
23. The method according to any one of claims 17 to 22,
Wherein at least one layer selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust preventing layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer is provided on the first surface of the metal foil and / or the second surface of the metal foil.
제25항에 있어서,
상기 금속박 제1면에 마련된 상기 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 층에 수지층을 마련한 금속박.
26. The method of claim 25,
And a resin layer provided on at least one layer selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer provided on the first surface of the metal foil.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박과, 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박에 마련된 수지 기재를 구비하는 적층체.A metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or a metal foil according to any one of claims 17 to 22 and a metal foil with a release layer or a resin substrate provided on the metal foil sieve. 제27항에 있어서,
상기 수지 기재가, 프리프레그이거나 또는 열경화성 수지를 포함하는 적층체.
28. The method of claim 27,
Wherein the resin substrate is a prepreg or a laminate comprising a thermosetting resin.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박을 구비하는 프린트 배선판.A printed wiring board comprising the metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or the metal foil according to any one of claims 17 to 22. 제29항에 기재된 프린트 배선판을 구비하는 반도체 패키지.29. A semiconductor package comprising the printed wiring board according to claim 29. 제29항에 기재된 프린트 배선판 또는 제30항에 기재된 반도체 패키지를 구비하는 전자기기.An electronic device comprising the printed wiring board according to claim 29 or the semiconductor package according to claim 30. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박에 절연 기판을 접합시키는 공정,
상기 절연 기판으로부터 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정, 및
상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면 측에 회로를 형성하는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A process for producing a metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or a process for bonding an insulating substrate to the metal foil according to any one of claims 17 to 22,
Removing the metal foil with a release layer or the metal foil from the insulating substrate without etching so as to obtain an insulating substrate on which the surface profile of the metal foil with a release layer or the metal foil is transferred to the release face;
A step of forming a circuit on the release surface side of the insulating substrate onto which the surface profile is transferred
Wherein the step of forming the printed wiring board comprises the steps of:
제32항에 있어서,
상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면측에 형성하는 회로가 도금 패턴 또는 인쇄 패턴인 프린트 배선판의 제조 방법.
33. The method of claim 32,
Wherein the circuit formed on the release face side of the insulating substrate onto which the surface profile is transferred is a plating pattern or a print pattern.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박에 절연 기판을 접합하는 공정,
상기 절연 기판으로부터 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 에칭하지 않고 떼어냄으로써, 박리면에 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 표면 프로파일이 전사된 절연 기판을 얻는 공정, 및
상기 표면 프로파일이 전사된 절연 기판의 상기 박리면측에 빌드업층을 마련하는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A process for producing a metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or a process for bonding an insulating substrate to the metal foil according to any one of claims 17 to 22,
Removing the metal foil with a release layer or the metal foil from the insulating substrate without etching so as to obtain an insulating substrate on which the surface profile of the metal foil with a release layer or the metal foil is transferred to the release face;
A step of providing a build-up layer on the release face side of the insulating substrate onto which the surface profile is transferred
Wherein the step of forming the printed wiring board comprises the steps of:
제34항에 있어서,
상기 빌드업층을 구성하는 수지가, 액정 폴리머, 불소 수지, 저유전율 폴리이미드, 폴리페닐렌 에테르, 시클로 올레핀 폴리머 또는 폴리 테트라 플루오로 에틸렌을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
35. The method of claim 34,
Wherein the resin constituting the buildup layer comprises a liquid crystal polymer, a fluorine resin, a low dielectric constant polyimide, a polyphenylene ether, a cycloolefin polymer or polytetrafluoroethylene.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박에 상기 이형층측 또는 상기 금속박 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합시키는 공정,
상기 절연 기판(1)을 적층한 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박 제1면측에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정,
상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및
상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or a metal foil according to any one of claims 17 to 22, wherein the insulating substrate (1) is bonded to the mold release layer side or the metal foil second surface side ,
A step of forming a circuit on the metal foil with a release layer laminated with the insulating substrate (1) or the first surface of the metal foil,
A step of covering the circuit with an insulating substrate (2) and embedding the circuit in the insulating substrate (2)
A step of peeling the insulating substrate (1) from the metal foil with a release layer or the metal foil to expose the metal foil with a release layer or the metal foil, and
Removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil
Wherein the step of forming the printed wiring board comprises the steps of:
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 이형층 부착 금속박 또는 제17항 내지 제22항 중 어느 한 항에 기재된 금속박에 상기 이형층측 또는 상기 금속박 제2면측으로부터 절연 기판(1)을 접합시키는 공정,
상기 절연 기판(1)을 적층한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박의 상기 금속박 제1면측에 드라이 필름을 적층하는 공정,
상기 드라이 필름을 패터닝 한 후, 회로를 형성하는 공정,
상기 드라이 필름을 박리하여 상기 회로를 노출시키는 공정,
상기 노출한 회로를 절연 기판(2)으로 덮어서 상기 회로를 상기 절연 기판(2)에 매립하는 공정,
상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박으로부터 상기 절연 기판(1)을 박리하여 상기 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 노출시키는 공정, 및
상기 노출한 이형층 부착 금속박 또는 상기 금속박을 제거하는 공정
을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
A metal foil with a release layer according to any one of claims 1 to 6 or a metal foil according to any one of claims 17 to 22, wherein the insulating substrate (1) is bonded to the mold release layer side or the metal foil second surface side ,
A step of laminating a metal foil with a release layer laminated with the insulating substrate (1) or a dry film on the first surface side of the metal foil of the metal foil;
A step of forming a circuit after patterning the dry film,
A step of peeling the dry film to expose the circuit,
A step of covering the exposed circuit with an insulating substrate (2) and embedding the circuit in the insulating substrate (2)
A step of peeling the insulating substrate (1) from the metal foil with a release layer or the metal foil to expose the metal foil with a release layer or the metal foil, and
Removing the exposed metal foil with a release layer or the metal foil
Wherein the step of forming the printed wiring board comprises the steps of:
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