KR20180088285A - Coated film removing apparatus, coated film removing method and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 원형의 기판의 표면에 형성된 도포막의 주연부를 제거액에 의해 제거하는 도포막 제거 장치, 도포막 제거 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a coating film removing apparatus, a coating film removing method, and a storage medium for removing a peripheral portion of a coating film formed on a surface of a circular substrate by a removing liquid.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 도포막 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정에서 행하여지는 처리의 하나로, 표면에 도포막이 형성된 웨이퍼에 용제를 공급하여, 도포막 주연부의 불필요한 막을 링 형상으로 제거하는 주연부 도포막 제거(Edge Bead Removal: EBR) 처리가 있다. 이 EBR 처리에서는, 스핀 척에 적재되어 회전하는 웨이퍼의 주연부에, 국소적으로 용제 노즐로부터 도포막의 용제를 토출한다.One of the processes that is performed in a photolithography process for forming a coating film pattern on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) as a substrate is to supply a solvent to a wafer having a coating film formed on its surface to form an unnecessary film on the periphery of the coating film into a ring shape There is Edge Bead Removal (EBR) treatment to remove. In this EBR process, the solvent of the coating film is locally ejected from the solvent nozzle onto the periphery of the wafer loaded on the spin chuck and rotating.
상기 EBR 처리에서는, 도포막 주연부의 막을 제거함에 있어서, 회로 패턴의 형성 영역을 확보해서 반도체 장치의 수율을 향상시키기 위해, 막의 제거 영역과의 경계 근방인 도포막 단부의 융기(범프)의 발생을 억제할 것이 요구되고 있다. 회로의 미세화에 수반하는 포토리소그래피 공정수의 증가에 의해, EBR 처리에서의 결함에 대한 요구의 엄격화가 예상되므로, 범프의 발생을 억제하는 기술의 개발이 기대된다.In the above EBR treatment, in order to improve the yield of the semiconductor device by securing the formation region of the circuit pattern in removing the film on the periphery of the coating film, the occurrence of the bumps (bumps) of the end portion of the coating film, It is required to suppress. Due to the increase in the number of photolithography processes accompanying the refinement of the circuit, it is anticipated that the demand for defects in the EBR process becomes strict, and development of a technique for suppressing the occurrence of bumps is expected.
특허문헌 1에는, 용제 노즐로부터 용제를 토출해서 기판 단부 에지의 박막을 용해함과 함께, 용제를 토출한 후의 개소에 가스 노즐로부터 기체를 토출함으로써, 용제를 기판 단부 에지보다도 외측으로 날려버려 제거하는 기술이 기재되어 있다. 이 예에서는 용제에 대하여 후방으로 경사진 상방측에서 가스 노즐에 의해 기체를 토출하고 있으므로, 이 방법을 EBR 처리에 적용하면, 도포막의 용제가 비산해서 웨이퍼 주연부 이외의 도포막도 제거되어, 결과로서 도포막 단부의 형상이 악화될 우려가 있다.In
또한 특허문헌 2에는, 기판의 주연부에 대하여 처리액 공급부로부터 처리액을 공급함에 있어서, 처리액 공급부보다도 기판의 주연부의 내측에 가스 분출부를 설치하여, 기판의 휨을 교정하는 기술이 기재되어 있다. 이 방법을 EBR 처리에 적용하면, 가스는 도포막의 용제보다도 웨이퍼의 외측 에지에 가까운 위치로부터 분출되므로, 용제의 공급 영역 근방의 도포막 단부의 형상에 관한 개선은 예측할 수 없다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 원형의 기판의 표면에 형성된 도포막의 주연부를 제거액에 의해 제거함에 있어서, 도포막의 제거 영역과의 경계 근방인 도포막 단부의 융기의 발생을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for removing a peripheral portion of a coating film formed on a surface of a circular substrate by a removing liquid, And the like.
본 발명의 도포막 제거 장치는,In the coating film removing apparatus of the present invention,
원형의 기판의 표면에 도포액을 공급해서 형성된 도포막의 주연부를 제거액에 의해 제거하는 도포막 제거 장치에 있어서,A coating film removing apparatus for removing a peripheral portion of a coating film formed by supplying a coating liquid to a surface of a circular substrate by a removing liquid,
기판을 유지해서 회전하는 회전 유지부와,A rotation holding section for holding and rotating the substrate,
상기 회전 유지부에 유지된 기판의 표면의 주연부에, 제거액이 기판의 회전 방향의 하류측을 향하도록 제거액을 토출하는 제거액 노즐과,A removing liquid nozzle for discharging the removing liquid to the periphery of the surface of the substrate held by the rotation holding portion such that the removing liquid is directed to the downstream side in the rotating direction of the substrate;
제거액을 토출할 때 기판을 2300rpm 이상의 회전수로 회전하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.And a control unit for outputting a control signal to rotate the substrate at a rotation speed of 2300 rpm or more when discharging the removing liquid.
또한, 본 발명의 도포막 제거 방법은,Further, in the coating film removing method of the present invention,
원형의 기판의 표면에 도포액을 공급해서 형성된 도포막의 주연부를 제거액에 의해 제거하는 도포막 제거 방법에 있어서,A coating film removing method for removing a peripheral portion of a coating film formed by supplying a coating liquid to a surface of a circular substrate by a removing liquid,
기판을 유지부에 수평으로 유지하는 공정과,A step of holding the substrate horizontally in the holding portion,
계속해서, 기판을 2300rpm 이상의 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액 노즐로부터 제거액을 기판의 표면의 주연부에, 기판의 회전 방향의 하류측을 향하도록 토출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.And then discharging the removed liquid from the removing liquid nozzle to the periphery of the surface of the substrate so as to be directed to the downstream side in the rotating direction of the substrate while the substrate is rotated at a rotational speed of 2300 rpm or more.
또한, 본 발명의 기억 매체는, 도포막 제거 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체이며,Further, the storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a coating film removing apparatus,
상기 프로그램은, 본 발명의 도포막 제거 방법을 실행하기 위해서 스텝이 짜여져 있는 것을 특징으로 한다.The program is characterized in that steps are formed to execute the method of removing a film of the present invention.
본 발명에 따르면, 기판 표면의 도포막의 주연부를 제거액에 의해 제거함에 있어서, 제거액 노즐로부터 기판 표면의 주연부에 제거액을 토출함과 함께, 제거액을 토출할 때 기판을 2300rpm 이상의 회전수로 회전하고 있다. 기판을 2300rpm 이상의 큰 회전수로 회전함으로써, 기판 표면의 제거액의 액류에 큰 원심력이 작용하여, 제거액이 기판의 외측으로 압박된다. 이에 의해, 제거액이 도포막 단부에 침투하는 것이 억제되어, 도포막 단부의 융기의 발생이 억제된다.According to the present invention, in removing the peripheral portion of the coated film on the surface of the substrate by the removing liquid, the removing liquid is discharged from the removing liquid nozzle to the periphery of the substrate surface, and the substrate is rotated at a rotational speed of 2300 rpm or more when discharging the removing liquid. By rotating the substrate at a large number of revolutions of 2300 rpm or more, a large centrifugal force acts on the liquid flow of the remover liquid on the surface of the substrate, and the remover is pressed to the outside of the substrate. Thereby, permeation of the removal liquid into the end portion of the coating film is suppressed, and occurrence of swelling of the end portion of the coating film is suppressed.
도 1은 도포막 제거 장치를 적용한 도포 장치의 일 실시 형태를 나타내는 종단 측면도이다.
도 2는 도포 장치를 도시하는 평면도이다.
도 3은 도포 장치에 설치되는 제거액 노즐을 도시하는 평면도이다.
도 4는 제거액 노즐을 나타내는 종단 측면도이다.
도 5는 도포 장치의 작용을 나타내는 종단 측면도이다.
도 6은 도포 장치의 작용을 나타내는 종단 측면도이다.
도 7은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 8은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 9는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 10은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 11은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 12는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 13은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 14는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 15는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 16은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 17은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 18은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 19는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 20은 웨이퍼의 종단 측면도이다.
도 21은 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 22는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 23은 상기 웨이퍼 및 상기 제거액 노즐의 평면도이다.
도 24는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.
도 25는 평가 시험의 결과를 도시하는 특성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional side view showing an embodiment of a coating apparatus to which a coating film removing apparatus is applied. FIG.
2 is a plan view showing a coating apparatus.
3 is a plan view showing a removing liquid nozzle provided in the coating apparatus.
4 is a longitudinal side view showing a remover nozzle;
5 is a longitudinal side view showing the operation of the application device.
6 is a longitudinal side view showing the operation of the application device.
7 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
8 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
9 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
10 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
11 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
12 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
13 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
14 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
15 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
16 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
17 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
18 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
19 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
20 is a longitudinal side view of the wafer.
21 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
22 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
23 is a plan view of the wafer and the remover nozzle.
24 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
25 is a characteristic diagram showing the results of the evaluation test.
본 발명의 도포막 제거 장치를 적용한 도포 장치(1)의 일 실시 형태에 대해서, 도 1의 종단 측면도 및 도 2의 평면도를 참조하면서 설명한다. 이 도포 장치(1)는, 기판인 웨이퍼(W)에 도포액을 도포해서 도포막을 형성하는 처리와, EBR 처리를 행할 수 있도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)는 원형이며, 그 직경은 예를 들어 300mm이다. 또한, 웨이퍼(W)의 주연부에는 웨이퍼(W)의 방향을 나타내는 절결로서 노치(N)가 형성되어 있다.An embodiment of a
도면 중 11은 웨이퍼(W)를 유지해서 회전시키는 회전 유지부를 이루는 스핀 척이다. 이 스핀 척(11)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착해서 웨이퍼(W)를 수평으로 유지함과 함께, 회전 기구(21)에 의해 연직축을 따라 평면에서 보아 시계 방향으로 회전 가능하게 구성되어 있다. 이 스핀 척(11)과 회전 기구(21)는 샤프트(211)에 의해 접속되고, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 주위에는 컵(22)이 설치되어 있다. 컵(22)은, 배기관(23)을 통해서 배기됨과 함께, 액체 배출관(24)에 의해, 웨이퍼(W)로부터 컵(22) 내에 흘러넘친 액체가 제거되도록 되어 있다.In the figure,
배기관(23)은, 예를 들어 댐퍼로 이루어지는 배기량 조정부(231)를 통해서 예를 들어 공장 내 배기로인 배기 기구(232)에 접속되어 있어, 컵(22) 내의 압력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다. 도면 중 25는 승강 핀이며, 승강 기구(26)에 의해 승강함으로써, 도시하지 않은 웨이퍼(W)의 반송 기구와, 스핀 척(11)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하도록 구성되어 있다.The
도포 장치(1)는, 도포액을 연직 하방을 향해서 토출하는 도포액 노즐(41)과, 도포액의 용매인 용제를 연직 하방을 향해서 토출하는 용제 노즐(42)을 구비하고 있다. 도포액 노즐(41)은, 개폐 밸브(V1)를 구비한 유로(43)를 통해서 당해 노즐(41)에 도포액을 공급하는 도포액 공급 기구(44)에 접속되어 있다. 또한, 용제 노즐(42)은, 웨이퍼(W)에의 도포액을 토출하기 전에 행하는 전처리에 사용되는 노즐이며, 개폐 밸브(V2)를 구비한 유로(45)를 통해서 당해 노즐(42)에 용제를 공급하는 용제 공급 기구(46)에 접속되어 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 도포액 노즐(41) 및 용제 노즐(42)은, 이동 기구(47)에 의해 승강하면서 또한 수평 방향으로 이동 가능하게 구성된 아암(48)에 지지되고, 웨이퍼(W)의 중심부 상과 컵(22)의 외측의 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 49는, 이동 기구(47)가 상기와 같이 수평 방향으로 이동하기 위한 가이드이다.The
또한, 도포 장치(1)는, 상기의 EBR 처리를 행하기 위해서 사용되는 제거액 노즐(3)을 구비하고 있다. 이 제거액 노즐(3)은, 스핀 척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에, 제거액이 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측을 향하도록 제거액을 토출하는 것이다. 제거액 노즐(3)은, 예를 들어 직관 형상으로 형성되고, 그 선단이 제거액의 토출구(30)로서 개구되어 있다.In addition, the
이 예의 제거액은 도포액의 용매인 용제이며, 제거액 노즐(3)은, 개폐 밸브(V3)를 구비한 유로(31)를 통해서 상기 용제 공급 기구(46)에 접속되고, 용제 노즐(42) 및 제거액 노즐(3)에는, 공통의 용제 공급 기구(46)로부터 서로 독립하여 용제(제거액)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 제거액 노즐(3)은, 도 2에 도시한 바와 같이 이동 기구(32)에 의해 승강 가능하면서 또한 수평 방향으로 이동 가능하게 구성된 아암(33)에 지지되고, 웨이퍼 주연부에 제거액을 토출하는 처리 위치와, 컵(22)의 외측의 퇴피 위치와의 사이에서 이동 가능하게 구성되어 있다. 도 2 중, 제거액 노즐(3)의 이동 방향을 Y 방향, Y 방향에 직교하는 수평 방향을 X 방향으로 해서 나타내고 있다. 도면 중 34는, 이동 기구(32)가 상기와 같이 수평 방향으로 이동하기 위한 가이드이다.The removing liquid in this example is a solvent which is a solvent of the coating liquid. The removing
제거액 노즐(3)은, 도 3에 도시한 바와 같이, 평면에서 보았을 때, 제거액 노즐(3)의 토출구(30)와 공급 위치(P)를 연결하는 직선과, 당해 공급 위치(P)에서의 웨이퍼(W)의 접선과의 이루는 각도(θ)가 예를 들어 0도로 설정되어 있다. 이 각도(θ)는, 액의 튐을 억제한다는 관점에서 비교적 작은 것이 바람직하다. 즉, 공급 위치(P)에서의 접선(L)과 제거액의 토출 방향이 맞추어지는 것이 바람직한데, 6도 이내라면 보다 한층 바람직하다. 제거액의 공급 위치(P)는, 제거액 노즐(3)로부터 토출된 제거액이 웨이퍼 표면에 도달했을 때의 착지 위치이다. 도 3은, 웨이퍼(W)의 외측 에지(Lw)의 일부를 실선, 공급 위치(P)에서의 웨이퍼(W)의 접선(L)과, 제거액의 토출 방향을 점선으로 각각 나타내고 있다.As shown in Fig. 3, the
또한, 제거액 노즐(3)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 연직면에서 보았을 때, 제거액 노즐(3)과 공급 위치(P)를 연결하는 직선과 웨이퍼(W)의 표면과의 이루는 각도(Z)가 예를 들어 10도로 설정되어 있다. 상기 각도(Z)는, 액의 튐을 억제하는 관점에서 비교적 작은 것이 바람직하다. 따라서, 20도 이하인 것이 바람직한데, 15도 이하라면 보다 한층 바람직하다. 또한, 제거액 노즐(3)의 토출구(30)의 구경(A)은 예를 들어 0.15mm 내지 0.35mm로 설정되고, 0.15mm 내지 0.25mm로 설정하는 것이 바람직하다.4, the removal
또한, 도포 장치(1)는 제어부(7)를 구비하고 있다. 이 제어부(7)는 예를 들어 컴퓨터로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 도포막의 형성 처리 및 EBR 처리를 행할 수 있도록 명령(스텝 군)이 짜여진 프로그램이 저장되어 있다. 그리고 이 프로그램에 의해 제어부(7)로부터 도포 장치(1)의 각 부에 제어 신호가 출력됨으로써, 도포 장치(1)의 각 부의 동작이 제어된다. 구체적으로는 개폐 밸브(V1 내지 V3)의 개폐 제어, 이동 기구(32, 47)에 의한 제거액 노즐(3), 도포액 노즐(41) 및 용제 노즐(42)의 이동, 회전 기구(21)에 의한 스핀 척(11)의 회전, 배기량 조정 기구(231)에 의한 컵(22) 내의 압력 조정, 승강 기구(26)에 의한 승강 핀(25)의 승강 등의 각 동작이 제어된다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태에서 프로그램 저장부에 저장된다.Further, the
또한, 이 예의 제어부(7)는, EBR 처리에 있어서, 제1 스텝과, 제2 스텝을 실행하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 제1 스텝이란, 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액의 공급 위치(P)를, 웨이퍼(W)의 표면의 주연 위치로부터, 당해 주연 위치보다도 웨이퍼(W)의 중심부에 치우친 도포막의 커트 위치로 이동시키면서 당해 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하는 스텝이다. 웨이퍼(W)의 주연에는, 베벨 부위(W1)가 마련되어 있는데, 이 예에서는, 주연 위치는 베벨 부위(W1)보다도 내측의 평탄면 부위이며, 당해 평탄면 부위의 에지(베벨 부위와의 경계)로부터 0.1mm 내지 0.3mm 내측으로 치우친 위치이다. 또한, 제2 스텝은, 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후, 1초 이내, 바람직하게는 0.5초 이내에 커트 위치로부터 웨이퍼(W)의 주연측으로 제거액 노즐(3)이 이격되는 스텝이다.The
또한, 제어부(7)는, 제2 스텝 후, 공급 위치(P)를, 커트 위치와 주연 위치와의 사이, 또는 주연 위치에 설정하고, 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하는 스텝을 실행하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있다. 제2 위치는, 제2 회전수는, 예를 들어 500 내지 2000rpm으로 설정된다.After the second step, the
계속해서, 도포 장치(1)에서 행하여지는 도포막의 형성 처리(도포막 형성 스텝) 및 EBR 처리(EBR 스텝)에 대해서 설명한다. 우선, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)를 스핀 척(11) 상에 반송해서 적재한다. 그리고, 컵(22) 내를 예를 들어 65Pa의 배기압으로 배기하고, 이어서 용제 노즐(42)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 상에 용제를 토출하는 한편, 웨이퍼(W)의 회전을 개시하여, 원심력에 의해 용제를 웨이퍼(W)의 표면 전체에 도포해서, 도포액에 대한 웨이퍼(W)의 표면의 습윤성을 향상시킨다. 그 후, 웨이퍼(W)를 회전시킨 상태에서 도포액 노즐(41)로부터 웨이퍼(W)의 중심부 상에 도포액, 이 예에서는 레지스트액을 토출하고, 원심력에 의해 도포액을 웨이퍼(W)의 표면 전체에 도포한다. 그 후, 소정 시간 웨이퍼(W)를 회전시켜서 액막을 건조시켜 도포막(10)을 형성한다.Next, a coating film forming process (coating film forming step) and an EBR process (EBR process) performed in the
계속해서, EBR 스텝을 실행한다. 이 처리에서는, 예를 들어 컵(22) 내의 배기량을 도포막의 형성 스텝보다도 크게 하여, 50Pa 이상의 배기압, 예를 들어 75Pa로 설정한다. 그리고, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 제거액 노즐(3)을, 웨이퍼 외측의 퇴피 위치로부터, 제거액의 공급 위치(P)가 주연 위치가 되도록 이동시켜, 제1 스텝을 실행한다. 그리고, 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액의 공급 위치(P)를, 주연 위치로부터 커트 위치인 제1 위치로 이동시키면서, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 예를 들어 20ml/분 내지 60ml/분의 유량, 바람직하게는 55ml/분 이상의 유량으로 토출한다(도 5의 (b)). 이 예에서의 제1 위치(커트 위치)는, 예를 들어 웨이퍼(W)의 외측 에지로부터 웨이퍼(W)의 중심부측으로 2mm 치우친 위치이다. 또한, 도면에서는, 기술의 이해를 우선시키기 위해서, 치수의 비율은 반드시 정확한 것은 아니다.Subsequently, the EBR step is executed. In this process, for example, the exhaust amount in the
제1 스텝에서는, 도포막 단부의 융기(범프)의 발생을 방지하기 위해서, 2300rpm 이상의 회전수로 웨이퍼(W)를 회전시킬 것이 필요한데, 2500rpm 이상이면 보다 바람직하고, 3000rpm 이상이면 보다 바람직하다. 예를 들어 4000rpm으로 설정하면 매우 바람직하다. 또한, 제1 스텝에서의 웨이퍼(W)의 회전수의 상한은, 예를 들어 5000rpm이다.In the first step, it is necessary to rotate the wafer W at a rotation speed of 2300 rpm or more, more preferably 2500 rpm or more, and more preferably 3000 rpm or more, in order to prevent the bump of the end portion of the coated film from occurring. For example, 4000 rpm. The upper limit of the number of rotations of the wafer W in the first step is, for example, 5000 rpm.
계속해서, 제2 스텝을 실행한다. 즉, 제거액의 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후, 즉시, 예를 들어 대기 시간을 갖게 하지 않고 제1 위치로부터 웨이퍼(W)의 주연측으로 제거액 노즐(3)을 이동시킨다. 대기 시간을 갖게 하지 않는다는 것은, 예를 들어 제거액 노즐(3)의 이동 레시피에 대기 시간을 넣지 않는 경우에도 구동 기구의 동작상 제거액 노즐(3)이 커트 위치에 예를 들어 0.1 내지 0.5초 정도, 이 예에서는, 0.1초 정지하는 상태를 가리키고 있다. 제거액의 공급 위치(P)가 제1 위치에 달한 후, 즉시 제거액 노즐(3)을 주연측으로 이동시킬 것이 필요하여, 즉시란, 예를 들어 1초 이내이다. 따라서 예를 들어, 이 스텝은, 제거액의 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후 실질적으로 정지하지 않고, 제거액 노즐(3)이 웨이퍼(W)의 주연측으로 이격되는 스텝이다.Subsequently, the second step is executed. That is, after the supply position P of the removal liquid reaches the cut position, the removal
제거액 노즐(3)로부터는, 웨이퍼(W)의 회전 방향의 하류측을 향하도록, 또한 제거액의 토출 궤적의 연장선이 도포막의 주연부의 외측을 향하도록 제거액이 토출된다. 또한, 웨이퍼(W)는 2300rpm 이상의 고회전수로 회전하고 있으므로, 큰 원심력이 발생하고, 제거액의 액류는 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가듯이 빠르게 흘러 간다. 이에 의해, 제거액의 공급 영역에서는, 도포막(10)이 제거액에 의해 연화되어 용해하고, 용해된 도포막의 성분을 포함하는 제거액은, 큰 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가 제거된다.The remover liquid is discharged from the remover
이렇게 해서, 제2 스텝을 실행한 후, 웨이퍼 단부면의 베벨 부위(W1)를 세정하는 스텝을 실행한다. 이 스텝은, 제거액의 공급 위치(P)를, 제1 위치와 주연 위치와의 사이, 또는 주연 위치로 설정하고, 제2 회전수인 500rpm 내지 2000rpm, 예를 들어 1000rpm으로 웨이퍼(W)를 회전시키면서 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하는 스텝이다(도 5의 (c)). 이 스텝에서의 제거액의 공급 위치(제2 위치)는, 예를 들어 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 외측 에지로부터 웨이퍼(W)의 내측으로 0.5mm 치우친 위치이며, 이 스텝에서는, 이 제2 위치에 예를 들어 1초 이상, 이 예에서는 5초간, 제거액의 공급을 계속한다.Thus, after the second step is executed, a step of cleaning the bevel portion W1 of the wafer end face is executed. In this step, the supply position P of the removed liquid is set between the first position and the peripheral position or the peripheral position, and the wafer W is rotated at a second rotation speed of 500 rpm to 2000 rpm, for example, (FIG. 5 (c)). In this step, as shown in FIG. As shown in Fig. 5C, for example, the supply position (second position) of the removed liquid in this step is a position offset 0.5 mm from the outer edge of the wafer W to the inside of the wafer W , And in this step, the supply of the removing liquid is continued at this second position, for example, for 1 second or more, in this example, for 5 seconds.
제2 위치에 제거액을 토출할 때의 제2 회전수는, 제1 위치에 제거액을 토출할 때의 제1 회전수보다도 낮다. 이 때문에, 제거액의 액류는, 제1 위치에 토출되었을 때보다도 느린 스피드로, 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가, 웨이퍼(W)에 토출된 제거액이 회전하는 웨이퍼(W)로부터 튕겨져나가는 액의 튐 현상을 억제하면서, 웨이퍼(W)의 외측 에지로부터 이면측으로 돌아 들어가도록 흘러 간다. 이렇게 해서, 웨이퍼(W) 단부면의 베벨 부위(W1)에 있어서, 이면측에도 제거액이 널리 퍼져, 베벨 부위(W1)에 부착된 성분이 제거액에 의해 세정된다.The second rotation number at the time of discharging the remover at the second position is lower than the first rotation number at the time of discharging the remover at the first position. Therefore, the liquid flow of the removing liquid is pushed toward the outside of the wafer W by the centrifugal force at a speed slower than that at the time when the liquid is discharged to the first position, and the liquid removed from the wafer W, While flowing out from the outer edge of the wafer W to the back side while suppressing the phenomenon of spilling out of the liquid. Thus, in the bevel portion W1 of the end face of the wafer W, the remover is widely spread even on the back side, and the component adhering to the bevel portion W1 is cleaned by the remover.
이와 같이 하여, 도포막의 불필요한 주연부의 제거와, 베벨 부위(W1)의 세정을 행한 후, 예를 들어 배기량을 도포막 형성 시의 배기량으로 되돌리고, 제거액 노즐(3)로부터의 제거액의 토출을 정지하여, 대기 위치로 이동시킨다(도 5의 (d)). 그리고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지하고, 도시하지 않은 반송 기구에 의해 당해 웨이퍼(W)를 도포 장치(1)로부터 반출한다.After the unnecessary peripheral portion of the coating film is removed and the bevel portion W1 is cleaned in this way, for example, the exhaust amount is returned to the exhaust amount at the time of formation of the coating film, the ejection of the removing liquid from the removing
상술한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 표면의 도포막의 주연부에 제거액을 공급하여, 당해 주연부의 불필요한 도포막을 제거함에 있어서, 제거액을 토출할 때 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 회전수로 회전시키고 있다. 이 때문에, 큰 원심력이 발생하고, 제거액의 액류는 웨이퍼(W)의 외측을 향해서 밀려나가듯이 흘러 간다. 이에 의해, 커트 위치에서의 제거액이, 도포막 단부에 침투하는 것이 억제되어, 도포막 단부를 들어올리려고 하는 힘의 발생이 억제된다. 이렇게 해서, 도포막 단부에서의 융기(범프)의 발생을 억제한 상태에서, 도포막의 불필요한 주연부가 제거된다. 또한, 후술하는 평가 시험에 의해 명백해진 바와 같이, 제거액의 종별에 관계없이, EBR 처리에 의한 범프의 높이가 저감된다.According to the above-described embodiment, the removal liquid is supplied to the periphery of the coating film on the wafer surface, and the wafer W is rotated at a rotation number of 2300 rpm or more when discharging the removal liquid in removing the unnecessary coating film in the periphery. As a result, a large centrifugal force is generated, and the liquid flow of the removed liquid flows as it is pushed outwardly of the wafer W. [ This suppresses penetration of the removed liquid at the cut position into the end portion of the coated film, thereby suppressing the generation of a force for lifting the end of the coated film. Thus, unnecessary peripheral portions of the coating film are removed in a state of suppressing the occurrence of ridges (bumps) at the end portions of the coated film. Further, as evident from the evaluation test described later, the height of the bumps by EBR treatment is reduced irrespective of the type of the remover.
또한, 제거액의 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후, 즉시 예를 들어 1초 이내에 커트 위치로부터 주연측으로 이동시키고 있으므로, 커트 위치에 공급된 제거액은, 큰 원심력에 의해, 당해 커트 위치로부터 웨이퍼(W)의 주연측을 향해서 빠르게 흘러 간다. 이 때문에, 커트 위치에서의 제거액이 도포막 단부에 침투하는 것이 억제되어, 보다 한층 범프의 형성이 억제된다. 또한, 제거액의 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후, 1초 이내에 커트 위치로부터 주연측으로 이동시킴으로써, EBR 처리에 요하는 시간이 단축되어, 스루풋의 향상에 기여한다.In addition, since the supply position P of the removed liquid reaches the cut position, the removed liquid is immediately moved from the cut position to the peripheral side within one second, for example. Therefore, the removed liquid supplied to the cut position is, Flows toward the peripheral edge of the wafer W rapidly. Therefore, the removal liquid at the cut position is inhibited from penetrating the end portion of the coating film, and formation of bumps is further suppressed. Further, the time required for the EBR treatment is shortened by moving the supply position P of the removed liquid from the cut position to the peripheral side within one second after the supply position P reaches the cut position, thereby contributing to the improvement of the throughput.
또한, EBR 스텝 시의 웨이퍼(W)의 회전수가 높으면, 베벨 부위(W1)의 세정이 불충분해질 우려가 있는데, 도포막의 커트 위치보다도 외측의 위치에서 제거액을 토출하는 세정 스텝을 실행함으로써, 베벨 부위(W1)에서의 청정도를 높일 수 있다. 이 세정 스텝에서는, 제2 회전수가 제1 회전수보다 낮아, 제2 위치에서의 제거액의 공급 시간이 길지만, 제2 위치는, 제1 위치보다도 웨이퍼(W)의 주연측이기 때문에, 도포막 단부에의 제거액의 침투가 억제된다. 이와 같이, 세정 스텝에서는, 범프의 발생을 억제하면서, 베벨 부위(W1)의 세정을 충분히 행할 수 있도록, 제2 회전수의 크기, 제2 위치, 공급 위치를 제2 위치로 했을 때의 정지 시간이 결정된다.When the number of revolutions of the wafer W at the EBR step is high, there is a fear that the cleaning of the bevel portion W1 becomes insufficient. By executing the cleaning step of discharging the removed liquid at a position outside the cut position of the coating film, It is possible to improve the degree of cleanliness in the wafer W1. In this cleaning step, the second rotation number is lower than the first rotation number, and the supply time of the removing liquid at the second position is long. However, since the second position is the peripheral side of the wafer W than the first position, The penetration of the remover into the liquid is suppressed. As described above, in the cleaning step, the size of the second rotation number, the second position, the stop time when the supply position is set to the second position, and the like are set so that the bevel portion W1 can be sufficiently cleaned while suppressing the occurrence of bumps Is determined.
한편, 제거액 공급 시의 웨이퍼(W)의 회전수를 높게 하면, 액의 튐 현상이 발생하여, 액의 튐에 의해 비산한 제거액의 미스트가 웨이퍼(W)에 재부착해서 미스트상의 결함(웨트 파티클)으로 되어, 웨이퍼 주연부의 결함수가 증가하는 것이 확인되고 있다. 이 때문에, 상술한 실시 형태에서는, 제거액 노즐(3)의 각도의 최적화를 도모함으로써, 액의 튐 현상의 발생을 억제하고, 그 결과, 결함수를 저감시키고 있다. 즉, 본 실시 형태의 제거액 노즐(3)은, 상기 이루는 각도(θ)가 6도 이내, 상기 이루는 각도(Z)가 20도 이하로 설정되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 수평면으로부터 약간 상방측으로 기울어진 제거액 노즐(3)로부터, 거의 회전 방향을 따라서 제거액이 토출된다. 이 때문에, 고회전의 웨이퍼(W)에 제거액을 공급할 때, 웨이퍼(W) 표면에 대하여 제거액이 충돌할 때의 충격력이 작아짐과 함께, 제거액이 웨이퍼(W)에 융화되기 쉬워져, 액의 튐이 방지된다. 또한, 액의 튐이 방지되므로, 웨이퍼 주연부에의 웨트 파티클의 부착도 저감된다.On the other hand, when the number of revolutions of the wafer W is increased at the time of supplying the removing liquid, the liquid is wiped off and the mist of the removing liquid scattered by the liquid jumps back to the wafer W, ), And it is confirmed that the number of defects on the periphery of the wafer increases. For this reason, in the above-described embodiment, the angle of the
또한, EBR 스텝에서, 컵(22) 내를 예를 들어 50Pa 이상의 고배기 상태로 설정함으로써, 웨트 파티클의 부착을 저감할 수 있다. 이것은, 액의 튐으로 인해 미스트상으로 된 제거액이, 배기로로부터 빠르게 배출되기 때문이다.Further, in the EBR step, the adhesion of the wet particles can be reduced by setting the inside of the
또한, 제거액 공급 시의 웨이퍼(W)의 회전수를 높게 하면, 도포막의 커트면(커트 위치에서의 도포막의 단면)의 커트 정밀도가 저하되어, 평면적으로 보아 커트면이 황폐해져서 평활성이 저하되는 것이 확인되고 있다. 이 때문에, 당해 실시 형태에서는, 제거액 노즐(3)의 토출구(30)의 구경(A)을 작게, 즉 0.15mm 내지 0.35mm로 설정하고 있다. 이에 의해, 제거액의 토출 압력이 커지고, 도포막의 커트 위치에서의 제거액의 절삭력이 증대하므로, 커트면의 절삭 정밀도가 향상된다. 또한, 이 예에서는, 공급 위치(P)가 주연 위치로부터 제1 위치(커트 위치)까지 이동할 때의 제거액의 토출 유량을, 20ml/분 내지 60ml/분으로 설정하고 있다. 이에 의해, 제거액의 토출 압력이 커지고, 커트면의 절삭 정밀도가 보다 한층 높아진다.In addition, when the number of revolutions of the wafer W at the time of supplying the removing liquid is increased, the cut precision of the cut surface (the end face of the coated film at the cut position) of the coated film is lowered and the cut surface is planarized and the smoothness is lowered Has been confirmed. Therefore, in this embodiment, the diameter A of the
(제2 실시 형태)(Second Embodiment)
이 실시 형태가 상술한 실시 형태와 상이한 점은, 제어부(7)가 상기 제1 스텝과 제2 스텝을 복수회 반복하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있는 것이다. 우선, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 제거액 노즐(3)을, 웨이퍼 외측의 퇴피 위치로부터 주연 위치까지 이동시킨다. 그리고, 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액의 공급 위치(P)를, 웨이퍼(W)의 표면의 주연 위치로부터 커트 위치인 제1 위치로 이동시키면서, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 예를 들어 20ml/분 내지 60ml/분의 유량으로 토출한다(제1 스텝, 도 6의 (b)). 계속해서, 제거액의 공급 위치(P)가 커트 위치에 달한 후, 즉시 예를 들어 1초 이내에 제1 위치로부터 예를 들어 주연 위치까지 이동시킨다(제2 스텝, 도 6의 (c)). 이 제2 스텝에서도, 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 20ml/분 내지 60ml/분의 유량으로 토출한다. 이렇게 해서, 제1 스텝과 제2 스텝을 복수회 예를 들어 5회 반복한다.The present embodiment is different from the above-described embodiment in that the
이렇게 제1 스텝과 제2 스텝을 행함으로써, 이미 설명한 바와 같이, 범프의 발생을 억제하면서 도포막의 불필요한 주연부를 제거할 수 있다. 또한, 제1 스텝과 제2 스텝을 반복함으로써, 도포막의 커트 위치에서의 제거액의 절삭력이 증대하므로, 후술하는 평가 시험으로부터 명백해진 바와 같이, 커트면의 절삭 정밀도가 높아진다. 또한, 제1 스텝과 제2 스텝을 반복함으로써, 제거액이 웨이퍼(W)의 단부로부터 이면측으로 돌아 들어가기 쉬워져, 베벨 부위(W1)의 세정을 행할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태와 같이, 제1 스텝과 제2 스텝을 반복해서 행한 후, 제1 실시 형태의 세정 스텝을 실시하도록 해도 된다.By performing the first step and the second step in this manner, unnecessary peripheral portions of the coating film can be removed while suppressing the occurrence of bumps as described above. Further, by repeating the first step and the second step, the cutting force of the removed liquid at the cut position of the coated film is increased, so that the cutting precision of the cut surface is enhanced as is clear from the evaluation test described later. Also, by repeating the first step and the second step, the removed liquid is easily moved from the end portion of the wafer W to the back side, and the bevel portion W1 can be cleaned. Further, as in the second embodiment, after the first step and the second step are repeated, the cleaning step of the first embodiment may be performed.
이미 설명한 바와 같이, 제거액을 토출할 때 웨이퍼(W)를 높은 회전수로 회전함으로써, 범프의 발생을 억제하면서, 도포막의 불필요한 주연부를 제거할 수 있고, 이때의 범프의 높이는, 후술하는 평가 시험으로부터 명백해진 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수가 높을수록 낮아진다. 한편, 웨이퍼(W)의 회전수가 높아지면, 액의 튐 현상이 발생하기 쉬워져서 결함이 발생하거나, 커트면의 평활성이 감소하거나 하는 경향이 있다. 이러한 것으로부터, 본 발명자들은, 제거액을 토출할 때 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 회전수로 회전시킴으로써, 종래에 비해 범프의 발생을 억제하면서, 도포막의 불필요한 주연부를 제거할 수 있다고 파악하고 있다.As described above, unnecessary peripheral portions of the coating film can be removed while suppressing the occurrence of bumps by rotating the wafer W at a high rotation speed when discharging the removed liquid, and the height of the bumps at this time can be measured from an evaluation test As is clear, the higher the number of revolutions of the wafer W, the lower it becomes. On the other hand, if the number of revolutions of the wafer W is increased, the liquid tends to be generated easily and defects are generated, or the smoothness of the cut surface tends to decrease. From this, the present inventors have found that unnecessary peripheral portions of the coating film can be removed while suppressing the occurrence of bumps compared to the prior art by rotating the wafer W at a rotation speed of 2300 rpm or more when discharging the removal liquid.
[실시예][Example]
계속해서, 본 발명의 평가 시험에 대해서, 도 7 내지 도 19로부터 설명한다.Next, the evaluation test of the present invention will be described with reference to FIG. 7 to FIG.
(평가 시험 1: 범프 높이 평가)(Evaluation test 1: bump height evaluation)
웨이퍼(W)를 1000rpm, 2000rpm, 3000rpm, 4000rpm으로 회전시킨 상태에서, 도포막의 형성 스텝과 EBR 스텝을 행하고, 처리 후의 도포막 단부의 범프의 높이에 대하여 평가하였다. 도포막은 SOC(Spin On Carbon) 재료인 약액 A, 제거액은 OK-73 시너, 커트 위치를 웨이퍼 외측 에지로부터 2.5mm 내측의 위치로 하고, 커트 위치에서의 공급 위치의 정지 시간이 5초일 때와, 상기 정지 시간이 0초일 때에 대해서, 각각의 회전수에서의 범프의 높이를 측정하였다. 범프 높이는, 단차 측정기를 사용해서 구하고, 도포막으로부터의 높이를 범프 높이로 하고, 복수매의 웨이퍼(W)에 대해서, 마찬가지로 범프 높이를 평가하였다.The formation step of the coating film and the EBR step were carried out in the state that the wafer W was rotated at 1000 rpm, 2000 rpm, 3000 rpm, and 4000 rpm, and the height of the bump at the end of the coated film after the treatment was evaluated. When the stop time of the supply position at the cut position is 5 seconds and the cut-off time is 5 mm, the chemical film A, which is a SOC (Spin On Carbon) material, the OK-73 thinner and the cut position are located 2.5 mm from the wafer outer edge, When the stopping time was 0 second, the height of the bumps at the respective rotation speeds was measured. The height of the bump was obtained by using a step difference measuring instrument, the height from the coating film was taken as the bump height, and the bump height was similarly evaluated for a plurality of wafers W.
그 결과를 도 7에 나타낸다. 도면 중 종축은 범프 높이(nm)이며, 횡축에는, 커트 위치에서의 제거액의 공급 위치의 정지 시간과 회전수를 기재하고 있다. 정지 시간이 5초일 때의 범프 높이의 평균값은, 회전수가 1000rpm에서는 724.92nm, 2000rpm에서는 481.31nm, 3000rpm에서는 302.48nm, 4000rpm에서는 256.49nm이었다. 또한, 정지 시간이 0초일 때의 범프 높이의 평균값은, 회전수가 1000rpm에서는 512.99nm, 2000rpm에서는 312.97nm, 3000rpm에서는 240.76nm, 4000rpm에서는 209.35nm이었다.The results are shown in Fig. In the figure, the vertical axis indicates the bump height (nm), and the horizontal axis indicates the stop time and the rotational speed of the supply position of the removed liquid at the cut position. The average value of the bump height when the stopping time was 5 seconds was 724.92 nm at 1000 rpm, 481.31 nm at 2000 rpm, 302.48 nm at 3000 rpm, and 256.49 nm at 4000 rpm. The average value of the bump height when the stop time was 0 sec was 512.99 nm at 1000 rpm, 312.97 nm at 2000 rpm, 240.76 nm at 3000 rpm, and 209.35 nm at 4000 rpm.
이와 같이, 정지 시간이 5초, 0초일 때의 양쪽에 있어서, 회전수가 높아질수록, 범프 높이가 낮아지는 것이 확인되었다. 또한, 회전수가 동일한 경우에는, 정지 시간이 0초이어도, 불필요한 막을 제거할 수 있고, 범프 높이가 낮아지는 것이 확인되었다. 이에 의해, 회전수가 높으면, 큰 원심력에 의해 커트 위치에 공급된 제거액을 웨이퍼(W)의 외측 에지를 향해서 밀어내는 힘이 증대하고, 커트 위치에서의 절삭력이 증가하기 때문에, 정지 시간이 0초이어도, 충분히 불필요한 막을 제거할 수 있는 것으로 이해된다.As described above, it was confirmed that the bump height becomes lower as the number of revolutions increases in both of the stopping times of 5 seconds and 0 seconds. Also, when the number of revolutions is the same, it is confirmed that even if the stop time is 0 second, an unnecessary film can be removed and the bump height is lowered. Thus, when the number of revolutions is high, the force for pushing the removed liquid supplied to the cut position by the large centrifugal force toward the outer edge of the wafer W increases and the cutting force at the cut position increases, , It is understood that sufficiently unnecessary film can be removed.
또한, 도포막을 레지스트인 약액 B, SOC 재료인 약액 C, 레지스트인 약액 D, SiARC 재료인 약액 E, 제거액을 OK-73 시너, 시클로헥사논으로 각각 변경하고, 마찬가지의 평가를 행한 결과, 평가 시험 1과 마찬가지로, 회전수가 높아질수록 범프 높이가 낮아지고, 회전수가 동일한 경우에는, 정지 시간이 0초가 범프 높이가 더 낮아지는 것으로 확인되었다. 따라서, 본 발명의 방법은, 도포막이나 제거액의 종류에 의존하지 않고, 범프 높이를 저감할 수 있는 것으로 이해된다.Further, the coating film was changed to OK-73 thinner and cyclohexanone, respectively, after the chemical solution B as the resist, the chemical solution C as the resist, the chemical solution D as the resist, the chemical solution E as the SiARC material, As with 1, the higher the number of revolutions, the lower the bump height, and if the number of revolutions is the same, the stopping time is 0 second, and the bump height is lower. Therefore, it is understood that the method of the present invention can reduce the bump height without depending on the kind of the coating film or the remover.
이와 같이, 웨이퍼(W)의 회전수가 높을수록 범프 높이는 저감되지만, 범프 높이의 추이로부터, 3000rpm을 초과하면 범프 높이의 변화가 작아지므로, 2300rpm 이상의 회전수라면, 범프 높이의 저감에 충분히 기여할 수 있다고 파악하고 있다. 또한, 공급 위치에서의 정지 시간에 대해서는, 범프 높이의 평균값은, 정지 시간 5초, 회전수 3000rpm일 때가, 정지 시간 0초, 회전수 2000rpm보다도 더 낮으므로, 상기 정지 시간이 1초 이내라면, 범프 높이의 저감을 도모할 수 있다고 파악하고 있다.As described above, the higher the number of revolutions of the wafer W, the lower the bump height. However, since the change in the bump height becomes smaller when the rotation speed exceeds 2300 rpm, the bump height can be sufficiently reduced I think. As for the stopping time at the feeding position, the average value of the bump height is lower than the stopping time of 0 second and the number of revolutions of 2000 rpm when the stopping time is 5 seconds and the number of revolutions is 3000 rpm. It is understood that the bump height can be reduced.
(평가 시험 2: 액의 튐 평가)(Evaluation test 2: Evaluation of solution)
도포막의 형성 스텝과 EBR 스텝을 행하여, 액의 튐의 유무에 대해서 처리 상태를 동화상 촬영함으로써 평가하였다. 이때, 제거액 노즐(3)은, 상기 이루는 각도(θ)를 0도, 8.5도, 상기 이루는 각도(Z)를 10도, 20도, 30도, 제거액의 토출 유량을 13ml/분, 20ml/분, 30ml/분으로 각각 바꾸어서 마찬가지의 평가를 행하고, 각각의 경우에 대해서, 액의 튐이 발생하지 않는 최대 회전수를 구하였다. 도포막은 약액 A, 제거액은 OK-73 시너, 커트 위치를 웨이퍼 외측 에지로부터 2.5mm 내측의 위치로 하고, 커트 위치에서의 공급 위치의 정지 시간은 10초로 하였다.A forming step of a coating film and an EBR step were carried out to evaluate the presence or absence of liquid leakage by photographing the processing state by moving picture. At this time, the elimination
그 결과를 도 8에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 액의 튐이 발생하지 않는 최대 회전수(rpm)이며, 종축에 제거액 노즐(3)의 각도(이루는 각도(θ, Z))와 토출 유량(ml/분)을 나타내고 있다. 그 결과, 제거액 노즐(3)의 접선과의 이루는 각도(θ)를 비교하면, 0도가 상기 최대 회전수가 더 커지는 것, 웨이퍼 표면과의 이루는 각도(Z)를 비교하면, 10도, 20도가 30도보다도 상기 최대 회전수가 더 커지는 것이 각각 확인되었다. 이에 의해, 상기 이루는 각도(θ)나 이루는 각도(Z)의 조정에 의해 액의 튐이 저감될 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 제거액 노즐(3)의 이루는 각도(θ)나 이루는 각도(Z)가 동일해도, 토출 유량에 의해 상기 최대 회전수가 변화하는 것으로 확인되었다. 또한, ±300㎛의 요철을 형성시킨 웨이퍼(W)에 도포막을 형성하고, 이루는 각도(θ)가 8.5도, 이루는 각도(Z)가 30도인 제거액 노즐(3)과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)을 사용해서 각각 EBR 처리를 행한 결과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)에서는, 커트 정밀도가 개선되는 것으로 확인되었다.The results are shown in Fig. In the figure, the abscissa represents the maximum number of revolutions (rpm) at which the liquid does not flow, and the ordinate represents the angle (the angle θ and Z) of the
이상의 결과, 이루는 각도(θ)가 8.5도에서는, 이루는 각도(Z)가 20도 이하이면 상기 최대 회전수가 2300rpm을 초과하는 것으로 확인되었다. 이로부터, 이루는 각도(θ)가 6도 이내라면, 토출 유량이나 이루는 각도(Z)의 조정에 의해, 상기 최대 회전수가 2300rpm 이상이어도 액의 튐을 저감할 수 있고, 이루는 각도(Z)가 20도 이내라면, 토출 유량이나 이루는 각도(θ)의 조정에 의해, 상기 최대 회전수가 2300rpm 이상이어도 액의 튐을 저감할 수 있다고 파악하고 있다.As a result, it was confirmed that the maximum rotation number exceeded 2300 rpm when the angle? Formed was 8.5 degrees and the angle Z was 20 degrees or less. Therefore, if the angle θ formed is less than 6 degrees, the liquid flow can be reduced even if the maximum number of revolutions is not less than 2300 rpm by adjusting the discharge flow rate and the angle Z, , It can be understood that even if the maximum number of revolutions is 2300 rpm or more, the amount of liquid can be reduced by adjusting the discharge flow rate and the angle?.
(평가 시험 3: 결함 평가)(Evaluation test 3: defect evaluation)
도포막의 형성 스텝 후, 웨이퍼(W)를 4000rpm으로 회전시켜, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하면서, 웨이퍼(W)의 주연 위치와 커트 위치와의 사이를 1회 왕복 이동시켜 EBR 스텝을 행하고, 결함(웨트 파티클)의 개수에 대해서 SEM(주사형 전자 현미경)을 사용해서 미스트상 결함을 추출함으로써 평가하였다.After the step of forming the coating film, the wafer W is rotated at 4000 rpm, the EBR step is performed by reciprocating once between the peripheral position of the wafer W and the cut position while discharging the removed liquid from the removing
이때, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.2mm인 제거액 노즐(3)과, 이루는 각도(θ)가 8.5도, 이루는 각도(Z)가 30도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.3mm인 제거액 노즐(3)을 사용하였다. 도포막은 약액 A, 제거액은 OK-73 시너를 사용하고, 도포막의 형성 스텝에서의 배기압은 65Pa, EBR 스텝에서의 컵(22) 내의 배기압은 75Pa로 하였다. 또한, 커트 위치에서의 공급 위치의 정지 시간은 0초로 하고, 커트 위치(커트 폭)를 바꾸어서 평가를 행하였다.At this time, the angle θ formed by the removing
각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 9에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 커트 폭과, 제거액 노즐(3)의 조건을 나타내고, 종축은 50nm 이상 사이즈의 미스트상의 결함 수(개)를 나타내고 있다. 그 결과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)을 사용함으로써, 미스트상의 결함수가 대폭 저감하는 것으로 확인되었다. 평가 시험 2에 의해, 제거액 노즐(3)의 이루는 각도(θ)의 최적화를 도모함으로써, 액의 튐이 저감하는 것이 확인되고 있으므로, 액의 튐이 억제됨으로써, 미스트상의 결함이 저감되었다고 추정된다.Under the respective conditions, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa axis indicates the cut width and the condition of the
(평가 시험 4-1: 배기압 평가)(Evaluation test 4-1: Evaluation of exhaust pressure)
도포막의 형성 스텝 후, 웨이퍼(W)를 4000rpm으로 회전시켜, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하면서, 웨이퍼(W)의 주연 위치와 커트 위치의 사이를 60회 왕복 이동시켜서 EBR 스텝을 행하여, 결함의 개수에 대해서 SEM을 사용해서 평가하였다. 이때, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.2mm인 제거액 노즐(3)을 사용하였다. 도포막은 레지스트인 약액 B, 제거액은 OK-73 시너를 사용하고, 커트 위치에서의 공급 위치의 정지 시간은 0초, 커트 폭은 2mm, 토출 유량은 25ml/분으로 해서, EBR 스텝 시의 컵(22)의 배기압을 바꾸어서 처리를 행하여 평가를 행하였다. 또한, 제거액 노즐(3)을 60회 이동시키는 것은, 처리 횟수의 증가에 의해 결함수가 많아지므로, 결함수를 증가시켜서 결함의 발생 상황을 보다 정확하게 파악하기 위함이다.After the step of forming the coating film, the EBR step is carried out by rotating the wafer W at 4000 rpm and reciprocating the circumferential position of the wafer W and the cut position by 60 times while discharging the removing liquid from the removing
각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 10에 도시한다. 도면 중 횡축은, 컵(22) 내의 배기압, 종축은 50nm 이상 사이즈의 결함수를 각각 나타내고 있다. 그 결과, 컵(22) 내의 배기압이 높아지면 결함수가 저하되고, 회전수가 4000rpm에서는, 50Pa 이하에서 결함이 발생하는 것으로 확인되었다.Under the respective conditions, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa indicates the exhaust pressure in the
(평가 시험 4-2: 배기압 평가)(Evaluation test 4-2: Evaluation of exhaust pressure)
웨이퍼(W)의 회전수를 3500rpm으로 변경하고, 그 밖의 조건은 마찬가지로 하여, (평가 시험 4-1)과 마찬가지로 평가를 행하였다. 각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 11에 도시한다. 도면 중 횡축은, 컵(22) 내의 배기압, 종축은 50nm 이상 사이즈의 결함수를 각각 나타내고 있다. 그 결과, 회전수가 3500rpm에서는, 30Pa 이하에서 결함이 발생하는 것으로 확인되었다.The number of revolutions of the wafer W was changed to 3,500 rpm, and the other conditions were similarly evaluated in the same manner as in (Evaluation Test 4-1). Under each condition, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa indicates the exhaust pressure in the
(평가 시험 4-3: 배기압 평가)(Evaluation test 4-3: evaluation of exhaust pressure)
웨이퍼(W)의 회전수를 3000rpm으로 변경하고, 그 밖의 조건은 마찬가지로 하여, (평가 시험 4-1)과 마찬가지로 평가를 행하였다. 각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 12에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 컵(22) 내의 배기압, 종축은 50nm 이상 사이즈의 결함수를 각각 나타내고 있다. 그 결과, 회전수가 3000rpm에서는, 23Pa의 배기압에서 결함이 발생하는 것으로 확인되었다.The number of revolutions of the wafer W was changed to 3000 rpm and the other conditions were similarly evaluated in the same manner as in the evaluation test 4-1. Under each condition, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa indicates the exhaust pressure in the
(평가 시험 4-4: 배기압 평가)(Evaluation test 4-4: exhaust pressure evaluation)
도포막의 형성 스텝 후, 웨이퍼(W)의 회전수를 3000rpm, 3500rpm, 4000rpm으로 하고, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출하면서, 웨이퍼(W)의 주연 위치로부터 커트 위치까지 1회 이동시켜 EBR 스텝을 행하고, 그 밖의 조건은 마찬가지로 하여 (평가 시험 4-1)과 마찬가지로 평가를 행하였다. 각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 13에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 컵(22) 내의 배기압, 종축은 50nm 이상 사이즈의 미스트상 결함수를 각각 나타내고 있다. 그 결과, 웨이퍼(W)의 회전수가 높아지면 결함이 발생하기 쉬운데, 컵(22) 내의 배기압을 크게 함으로써, 결함수가 저감될 수 있음이 확인되었다. 또한, 동일한 배기압(75Pa, 90Pa)으로 비교하면, 비교적 고회전수가 미스트상 결함수가 더 적은 것으로 확인되었다. 이것은, 회전수를 낮추면, 웨이퍼(W)의 노치부에서 액의 튐이 발생하기 쉬워져, 이것이 원인이 되어 미스트상 결함수가 증가하기 때문이라고 추정된다.After the step of forming the coating film, the number of revolutions of the wafer W is set to 3000 rpm, 3500 rpm, 4000 rpm, and the EBR step is performed once from the peripheral edge position of the wafer W to the cut position, And the other conditions were evaluated in the same manner as in the evaluation test 4-1. Under each condition, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the horizontal axis represents the exhaust pressure in the
(평가 시험 5-1: 베벨 부위 세정 평가)(Evaluation test 5-1: Bevel area cleaning evaluation)
도포막의 형성 스텝 후, 웨이퍼(W)를 4000rpm으로 회전시키고, 제1 위치(커트 위치)에서의 정지 시간을 0초로 해서 EBR 스텝을 행하고, 계속해서, 공급 위치를 제2 위치로 이동하고, 웨이퍼(W)를 2000rpm으로 회전시켜서 세정 스텝을 행하였다. 제2 위치의 정지 시간을 1초 내지 5초의 사이로 바꾸고, 베벨 부위(W1)의 청 정도를 베벨 검사 장치를 사용해서 확인하였다. 제거액 노즐(3)은, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.2mm인 것을 사용하고, 도포막은 약액 B, 제거액은 OK-73 시너, 커트 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 2mm 내측, 제2 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 0.5mm 내측으로 하였다.After the step of forming the coating film, the wafer W is rotated at 4000 rpm, the EBR step is performed with the stop time at the first position (cut position) set to 0 seconds, the supply position is moved to the second position, (W) was rotated at 2000 rpm to perform a cleaning step. The stopping time of the second position was changed to between 1 second and 5 seconds, and the degree of bleaching of the bevel portion W1 was confirmed using a bevel inspection apparatus. The removing
그 결과, EBR 스텝 후, 세정 스텝을 행함으로써 베벨 부위(W1)의 청정도가 개선되고, 제2 위치에서의 제거액의 공급 시간을 연장시킴으로써, 베벨 부위(W1)의 청정도가 높아지는 것이 확인되었다. 제2 위치에서의 제거액의 공급 시간이 3초 이상이면, 베벨 부위(W1)의 오염의 감소가 개선되는 것으로 확인되었다.As a result, it was confirmed that the cleanliness degree of the bevel region W1 was improved by performing the cleaning step after the EBR step, and the cleanliness degree of the bevel region W1 was increased by extending the supply time of the remover at the second position. It has been confirmed that if the supply time of the removing liquid at the second position is 3 seconds or more, the decrease in contamination of the bevel portion W1 is improved.
(평가 시험 5-2: 베벨 부위 세정 평가)(Evaluation Test 5-2: Bevel area cleaning evaluation)
(평가 시험 5-1)과 마찬가지로, EBR 스텝과 세정 스텝을 실시하였다. 제2 위치의 정지 시간을 5초로 하고, 세정 스텝에서의 웨이퍼(W)의 회전수(제2 회전수)와, 컵(22) 내의 배기 압력을 바꾸어, 베벨 부위의 청정도를 확인하였다. 도포막은 약액 B, 제거액은 OK-73 시너, 커트 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 2mm 내측, 제2 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 0.5mm 내측으로 하였다. 또한, 세정 스텝을 실시하지 않을 경우에 대해서도 마찬가지로 평가를 행하였다.(Evaluation Test 5-1), an EBR step and a cleaning step were carried out. The cleaning time of the second position was set to 5 seconds, the rotation number of the wafer W in the cleaning step (second rotation number), and the exhaust pressure in the
각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 14에 도시한다. 도면 중 횡축은, 배기 압력, 회전수 등의 처리 조건, 종축은, 50nm 이상의 사이즈의 결함수이며, 제2 위치의 정지 시간과, 제2 회전수가 기재되어 있지 않은 조건은, 세정 스텝을 행하지 않는 경우이다. 그 결과, 배기압이 90Pa, 제2 회전수가 1000rpm의 조건에서는, 결함수가 많은 웨이퍼(W)도 있었지만, 동일한 조건의 나머지 웨이퍼(W)에 대해서는 결함수가 적기 때문에, 세정 스텝을 실시해도, 결함수의 악화는 확인되지 않는다고 할 수 있다.Under the respective conditions, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa represents the number of defects in the size of 50 nm or more, and the ordinate represents the number of defects in the exhaust pressure and the number of revolutions. The stop time at the second position and the condition for not describing the second number of rotations . As a result, there were some wafers W having a large number of defects under the conditions of the exhaust pressure of 90 Pa and the second rotation speed of 1000 rpm. However, since the number of defects is small for the remaining wafers W under the same conditions, Can not be confirmed.
또한, (평가 시험 5-2)에 대해서, 미스트상의 50nm 사이즈 이상의 결함수에 대해서, 결함 리뷰 SEM(Defect Review-SEM: Defect Review-Scanning Electron Microscope)에 의해 평가하였다. 그 결과를 도 15에 도시한다. 이 경우에도, 세정 스텝의 실시에 의해, 결함수의 악화는 보여지지 않는 것으로 확인되었다.Further, with respect to (Evaluation Test 5-2), the number of defects having a size of 50 nm or more on the mist surface was evaluated by Defect Review-SEM (Defect Review-Scanning Electron Microscope). The results are shown in Fig. Also in this case, it was confirmed that the deterioration of the number of defects was not observed by the execution of the cleaning step.
(평가 시험 6-1: 커트면 평가)(Evaluation test 6-1: cut surface evaluation)
도포막의 형성 스텝 후, 커트 위치에서의 정지 시간을 0초로 해서 EBR 스텝을 행하였다. 이때, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.3mm인 제거액 노즐(3)과, 이루는 각도(θ)가 8.5도, 이루는 각도(Z)가 30도, 토출구(30)의 구경(A)이 0.3mm인 제거액 노즐(3)을 사용하였다. 도포막은 약액 A, 제거액은 OK-73 시너, 커트 폭은 2.5mm로 하고, 토출 유량과 회전수를 바꾸어서 EBR 스텝을 행하여 평가를 행하였다. 커트면의 평활성에 대해서는 베벨 검사 장치에 의해 평가하였다.After the step of forming the coating film, the EBR step was performed with the stop time at the cut position being 0 seconds. At this time, the angle θ formed by the removing
각 조건 하에, 각각 3매의 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 평가를 행하고, 그 결과를 도 16에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 토출 유량, 회전수 등의 처리 조건, 종축은, 커트면의 평활성(mm)이며, 수치가 작을수록 커트면의 거칠함이 적고, 평활성이 높은 것을 나타내고 있다. 그 결과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)을 사용하면, 커트면의 평활성이 악화되는 것이 확인되었지만, 회전수를 크게 하면 평활성은 악화되지만, 토출 유량을 증가함으로써 개선되는 것으로 확인되었다.Under the respective conditions, three wafers W were evaluated in the same manner, and the results are shown in Fig. In the figure, the abscissa indicates the treatment conditions such as the discharge flow rate and the number of revolutions, and the ordinate indicates the smoothness (mm) of the cut surface. The smaller the numerical value, the smaller the roughness of the cut surface and the higher the smoothness. As a result, it was confirmed that the smoothness of the cut surface was deteriorated by using the removing
(평가 시험 6-2: 커트면 평가)(Evaluation Test 6-2: Cut Surface Evaluation)
이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)을 사용하고, 토출구(30)의 구경(A)을 0.3mm와 0.2mm로 설정하고, 그 밖의 조건은 (평가 시험 6-1)과 마찬가지로 하여, 커트면의 평활성에 대해서 평가하였다. 그 결과를 도 17에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 토출 유량, 회전수 등의 처리 조건이며, 종축은, 커트면의 평활성(mm)이다. 그 결과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)에 있어서, 토출구(30)의 구경(A)을 작게 함으로써, 커트면의 평활성이 개선되는 것이 확인되었다. 또한, 토출 유량을 증가함으로써도 개선되는 것으로 확인되었다.The diameter A of the
제거액 노즐(3)의 토출구(30)의 구경(A)이 0.3mm일 때는, 토출 유량을 27ml/분으로 하면, 회전수가 3500rpm과 4000rpm일 때의 평활성은 거의 동일하므로, 제거액 노즐(3)의 토출구(30)의 구경(A)은, 0.15mm 내지 0.35mm이면 된다고 파악하고 있다. 또한, 토출 유량이 20ml/분일 때의 구경(A)이 0.3mm와 0.2mm의 비교에서는, 회전수가 2900rpm 이상일 때는 0.2mm가 평활성이 더 양호하므로, 제거액 노즐(3)의 토출구(30)의 구경(A)은, 0.15mm 내지 0.25mm라면, 커트면의 평활성이 충분히 개선된다고 할 수 있다.When the diameter A of the
(평가 시험 6-3: 커트면 평가)(Evaluation test 6-3: cut surface evaluation)
도포막의 형성 스텝 후, 웨이퍼(W)를 4000rpm으로 회전시키고, 커트 위치에서의 정지 시간을 0초로 해서 EBR 스텝을 행하였다. 계속해서, 공급 위치를 제2 위치로 이동하고, 제2 위치의 정지 시간을 5초로 해서, 웨이퍼(W)를 2000rpm으로 회전시켜 세정 스텝을 실시하였다. EBR 스텝과 세정 스텝에서의 제거액의 토출 유량을 바꾸어, 커트면의 평활성을 확인하였다. 도포막은 약액 A, 제거액은 OK-73 시너, 토출구(30)의 구경(A)은 0.2mm, 커트 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 2mm 내측, 제2 위치는 웨이퍼 외측 에지로부터 0.5mm 내측으로 하였다.After the step of forming the coating film, the wafer W was rotated at 4000 rpm and the EBR step was performed with the stopping time at the cut position being 0 seconds. Subsequently, the cleaning step was carried out by rotating the wafer W to 2000 rpm with the supply position moved to the second position and the stopping time at the second position being 5 seconds. The discharge flow rate of the removed liquid in the EBR step and the cleaning step was changed to check the smoothness of the cut surface. (A) of the discharge port (30) was 0.2 mm, the cut position was 2 mm inward from the wafer outer edge, and the second position was 0.5 mm inward from the wafer outer edge.
그 결과를 도 18에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 토출 유량, 종축은, 커트면의 평활성(mm)이며, Ref는, 이루는 각도(θ)가 8.5도, 이루는 각도(Z)가 30도인 제거액 노즐(3)을 사용하여, 커트 위치에서의 정지 시간이 5초, 웨이퍼(W)의 회전수가 2000rpm의 조건에서 실시했을 때의 데이터이다. 그 결과, 이루는 각도(θ)가 0도, 이루는 각도(Z)가 10도인 제거액 노즐(3)에 있어서, 토출 유량을 증가함으로써, 커트면의 평활성이 개선되는 것이 확인되었다. 토출 유량이 40ml/분 이상이 되면 평활성이 대폭 개선되므로, 토출 유량이 40ml/분 내지 70ml/분이라면, 커트면의 평활성은 충분히 개선할 수 있다고 파악하고 있다.The results are shown in Fig. In the figure, the abscissa represents the discharge flow rate, the ordinate represents the smoothness (mm) of the cut surface, and Ref represents the cut angle of the cut surface using the removal
(평가 시험 7: 토출 유량 평가)(Evaluation test 7: discharge flow rate evaluation)
(평가 시험 6-3)과 마찬가지로 처리를 행한 웨이퍼(W)에 대해서, 범프 높이를 단차 측정기에 의해 확인하였다. 그 결과를 도 19에 나타낸다. 도면 중 횡축은, 토출 유량이며, 종축은, 범프 높이(nm)이다. 그 결과, 토출 유량을 증가함으로써, 범프 높이가 증가할 우려가 없는 것이 확인되었다.(Evaluation Test 6-3), the height of the bump was confirmed by a step difference measuring instrument. The results are shown in Fig. In the figure, the abscissa is the discharge flow rate, and the ordinate is the bump height (nm). As a result, it was confirmed that there is no fear of increasing the bump height by increasing the discharge flow rate.
이상에서, 본 발명의 도포 장치(1)는, 범프 높이의 저감을 도모하기 위해서는, 제거액 노즐(3)로부터 제거액을 토출할 때 웨이퍼(W)를 2300rpm 이상의 회전수로 회전하는 것이면 된다. 또한, 도포 장치(1)에 있어서, 다음의 (a) 내지 (g)는 적절히 조합 가능하다.The
(a) 제1 스텝과 제2 스텝을 실행하는 것(a) executing the first step and the second step
(b) 세정 스텝을 실행하는 것(b) executing a cleaning step
(c) 제1 스텝과 제2 스텝을 복수회 반복하는 것(c) repeating the first step and the second step a plurality of times
(d) 제거액 노즐(3)의 접선과의 이루는 각도(θ)가 6도 이내로 설정되는 것(d) The angle (?) formed with the tangent line of the removing
(e) 제거액 노즐(3)의 웨이퍼 표면과의 이루는 각도(Z)가 20도 이하로 설정되는 것(e) the angle (Z) formed between the surface of the removal
(f) 제거액 노즐(3)의 토출구(30) 구경(A)이 0.15 내지 0.35mm로 설정되는 것(f) the diameter A of the
(g) 제거액 노즐(3)로부터의 제거액의 토출 유량이 20ml/분 내지 60ml/분으로 설정되는 것(g) the discharge flow rate of the removing liquid from the removing
이상에서, 도포 장치(1)에서는, 외부의 장치에서 도포막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해서도 EBR 처리를 행할 수 있다. 즉, 상기 도포 장치(1)는, EBR 처리만을 행하는 전용의 장치로서 구성해도 되고, 이 경우에는, 도포액 노즐(41) 및 용제 노즐(42)을 설치할 필요는 없다. 도포액으로서는, 용매에 도포막의 성분을 용해시킨, 예를 들어 레지스트액, SOD 재료, SOC 재료, SiARC 재료, BARC 재료나 탄소를 주성분으로 하는 유기막 등으로, 용매에 의해 도포막이 연화되는 다양한 도포막에 적용할 수 있다.As described above, in the
그런데, 예를 들어 3D NAND라고 불리는 다수의 층에 배선이 형성된 NAND형 플래시 메모리를 형성하기 위해서, 다수의 막이 적층된 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트막 등의 도포막을 도포 장치에 의해 성막하는 경우가 있다. 그렇게 다수의 막이 형성된 상태에서 도포 장치에 반송되는 각 웨이퍼(W)에 대해서는, 그때까지 행하여진 처리의 영향이나, 각 막으로부터 받는 응력에 의해, 서로 다른 형상이 되도록 휘어 있을 경우가 있다.However, in order to form a NAND type flash memory in which wiring is formed in a plurality of layers called 3D NAND, for example, a case where a coating film such as a resist film is formed on a wafer W in which a plurality of films are stacked have. For each of the wafers W conveyed to the coating apparatus in a state in which a large number of films are formed, the wafer W may be warped to have different shapes depending on the influence of the treatment so far and the stresses received from the respective films.
그리고, 상기 도포 장치(1)의 스핀 척(11)은 웨이퍼(W)의 중앙부만을 흡착하기 때문에, 반송되었을 때 휨을 갖는 웨이퍼(W)는 휜 상태 그대로 처리를 받게 된다. 이러한 사정으로, 상기 도포 장치(1)의 제거액 노즐(3)에 대해서는, 이 휨에 의해 EBR 처리의 정밀도가 저하되지 않도록 구성하는 것이 바람직하다. 구체적으로 설명하면, 웨이퍼(W)가 휨을 갖고 있어도 웨이퍼(W)의 끝에서부터 공급 위치(P)(도 3 참조)까지의 거리가 어긋나는 것을 억제하고, 커트 폭이 설정값으로부터 어긋나는 것을 방지하기 위해서, 도 3에서 설명한 제거액 노즐(3)의 각도(θ)에 대해서는 0°에 가까운 값, 구체적으로는 예를 들어 0° 내지 5°로 설정하고, 보다 바람직하게는 예를 들어 0° 내지 3°로 설정한다. 또한 커트 폭에 대해서 보충해 두면, 당해 커트 폭은 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 제거액 노즐(3)로부터 토출되는 제거액에 의해 도포막이 제거되는 환상 영역의 폭이다.Since the
또한, 도 4에서 설명한 각도(Z)에 대해서는, 90°에 가까울수록 웨이퍼(W)의 휨에 의한 설정되는 토출 위치와 실제의 토출 위치와의 어긋남을 억제하여, 커트 폭은 휨의 영향을 받기 어려워진다. 그러나, 이미 설명한 바와 같이 비교적 높은 속도로 회전하는 웨이퍼(W)에 제거액을 토출함에 있어서, 각도(Z)가 0°에 가까울수록 제거액이 웨이퍼(W)에 착액할 때의 압력을 억제할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W) 표면에서의 제거액의 액의 튐의 억제 효과가 높아진다. 그래서, 상기와 같이 각도(θ)를 0° 내지 5°로 설정했을 때, 각도(Z)는 5° 내지 20°로 하는 것이 바람직하다.With respect to the angle Z described with reference to Fig. 4, the deviation from the actual discharge position, which is set by the warpage of the wafer W, is suppressed as closer to 90 degrees, and the cut width is affected by the warp It gets harder. However, as described above, in discharging the remover to the wafer W rotating at a relatively high speed, the pressure when the remover wets the wafer W can be suppressed as the angle Z approaches 0 ° Therefore, the suppression effect of the liquid of the removal liquid on the surface of the wafer W is enhanced. Therefore, when the angle [theta] is set to 0 [deg.] To 5 [deg.] As described above, it is preferable that the angle Z is 5 [deg.] To 20 [
상기 각도(θ), 각도(Z)에 대해서 적절한 값을 확인하기 위해 행하여진 평가 시험에 대해서, 후에 상세하게 설명한다. 이 평가 시험에서는, 시험을 행하기 전에 미리 웨이퍼(W)의 휨량을 측정하고 있으며, 도 20을 참조하여 이 휨량의 측정에 대해서 설명한다. 도 20에서는 웨이퍼(W)의 표면을 W1, 이면을 W2로서 각각 나타내고 있다. 도면 중 51은 웨이퍼(W)의 적재부이며, 웨이퍼(W)의 주연부만이 하방으로부터 지지되도록 웨이퍼(W)를 적재한다. 도면 중 52는 레이저 변위계이며, 적재부(51)에 적재된 웨이퍼(W)의 상면의 각 부의 높이를 측정하기 위해서, 웨이퍼(W)의 상방을 당해 웨이퍼(W)에 대하여 가로 방향으로 이동 가능하게 구성된다.The evaluation test performed to confirm an appropriate value for the angle (?) And the angle (Z) will be described later in detail. In this evaluation test, the amount of warpage of the wafer W is measured in advance before the test, and the measurement of the amount of warpage will be described with reference to Fig. In Fig. 20, the surface of the wafer W is denoted by W1 and the underside thereof is denoted by W2. In the figure,
도 20의 (a)에 도시하는 바와 같이 표면(W1)이 상측을 향하도록 적재부(51)에 웨이퍼(W)를 적재한 상태에서 웨이퍼(W)의 표면(W1) 내의 각 부의 높이를 취득하고, 취득된 각 부의 높이로부터 휨량(표면측 휨량으로 함)을 취득한다. 또한, 도 20의 (b)에 도시하는 바와 같이 이면(W2)이 상측을 향하도록 웨이퍼(W)를 적재한 상태에서 웨이퍼(W)의 이면(W2) 내의 각 부의 높이를 취득하고, 취득된 각 부의 높이로부터 휨량(이면측 휨량으로 함)을 취득한다. 그리고, 표면측 휨량과 이면측 휨량의 평균값을, 웨이퍼(W)의 휨량으로 한다. 적재부(51)에 웨이퍼(W)의 면내의 일부만이 지지되어, 자중에 의해 웨이퍼(W)가 변형되게 되므로, 이렇게 표면측 휨량 및 이면측 휨량에 기초하여 웨이퍼(W)의 휨량을 산출함으로써, 당해 자중에 의한 측정 오차가 캔슬되도록 하고 있다. 상기 표면측 휨량에 대해서는, 예를 들어 표면(W1) 내의 복수의 점의 높이를 측정하고, 취득한 모든 점의 높이부터 최소 제곱법에 의해 기준면의 높이를 산출하여, 당해 기준면에 대한 측정된 점 중 최고점의 높이와의 거리와, 기준면에 대한 측정된 점 중 최저점의 높이와의 거리와의 합계로서 산출한다. 이면측 휨량에 대해서는, 이 표면측 휨량을 산출하는 방법과 마찬가지의 방법으로 산출한다.The height of each portion in the surface W1 of the wafer W is obtained in a state in which the wafer W is loaded on the mounting
후술하는 평가 시험에서는, 도 20에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 표면을 상측을 향하게 했을 때, 웨이퍼(W)의 전체 주위에 있어서 주연부의 높이가 중심부의 높이에 비해 높은 웨이퍼(W)를 오목형 웨이퍼(W)라고 기재한다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면을 상측을 향하게 했을 때, 웨이퍼(W)의 전체 주위에 있어서 주연부의 높이가 중심부의 높이에 비해서 낮은 웨이퍼(W)를 볼록형 웨이퍼(W)라고 기재한다. 또한, 웨이퍼(W)의 주위 방향을 따라 보았을 때 웨이퍼(W)의 주위 단부의 높이가 웨이퍼(W)의 중심의 높이보다도 상측, 하측에 각각 위치하도록 휜 웨이퍼(W)를 요철형 웨이퍼(W)라고 기재한다.20, when the surface of the wafer W is directed upward, the height of the periphery of the wafer W is higher than the height of the center of the wafer W, Is referred to as a concave wafer W. When the surface of the wafer W is directed upward, the wafer W having a peripheral edge portion around the entire periphery of the wafer W with a height lower than the central portion height is referred to as a convex wafer W. [ The wafers W bent so that the height of the circumferential end portions of the wafers W is higher and lower than the center height of the wafers W when viewed along the circumferential direction of the wafers W, ).
(평가 시험 8)(Evaluation Test 8)
평가 시험 8로서, 휨량이 서로 다른 웨이퍼(W)에 대해서 커트 폭을 1mm로 설정해서 EBR 처리를 행하고, 처리 후에 웨이퍼(W)의 주위의 복수 개소에서의 커트 폭을 측정하여, 당해 커트 폭의 평균값을 산출하였다. 이 EBR 처리는 각도(θ) 및 각도(Z)의 조합이 서로 다르게 설정한 3개의 제거액 노즐(3) 중 어느 하나를 사용해서 행하였다. 3개의 제거액 노즐(3) 중 1개는, θ=0°, Z=10°로 설정하고 있으며, 당해 노즐을 3-1로 한다. 제거액 노즐(3) 중 1개는, θ=8.5°, Z=30°로 설정하고 있으며, 당해 노즐을 3-2로 한다. 제거액 노즐(3) 중 나머지 하나는, θ=30°, Z=30°로 설정하고 있으며, 당해 노즐을 3-3으로 한다. 웨이퍼(W)에 대해서는 휨이 없는, 즉 휨량이 0㎛인 것과, 상기 도 20의 오목형 웨이퍼(W)에서 휨량이 196㎛인 것, 볼록형 웨이퍼(W)에서 휨량이 232㎛인 것을 사용해서 시험을 행하였다.As the evaluation test 8, the EBR treatment was performed by setting the cut width to 1 mm for the wafers W having different warping amounts, and the cut width at a plurality of places around the wafer W after the treatment was measured, And the average value was calculated. This EBR processing was carried out using any one of three
도 21의 그래프는 평가 시험 8의 결과를 나타내고 있다. 당해 그래프의 횡축은 웨이퍼(W)의 휨량(단위: ㎛)을 나타내고 있고, 오목형 웨이퍼(W)의 휨량에는 +, 볼록형 웨이퍼(W)의 휨량에 -의 부호를 각각 첨부하고 있다. 그래프의 종축은 커트 폭의 평균값(단위: mm)을 나타내고 있다. 그래프에 도시된 바와 같이 노즐(3-3)을 사용한 경우에는, 웨이퍼(W)에 휨이 있으면, 커트 폭의 평균값이 설정값인 1mm보다 비교적 크게 어긋나 있다. 노즐(3-2)을 사용한 경우에는, 노즐(3-3)을 사용한 경우와 비교하면 이 어긋남이 억제되어 있다. 그러나, 휨량이 +196mm일 때의 커트 폭의 평균값과 설정값 1mm와의 어긋남량이, 실용상 유효한 레벨보다 약간 크다. 노즐(3-1)을 사용한 경우에는, 휨량이 0mm, +196mm, -232mm일 때의 모두에 있어서, 커트 폭의 평균값이 커트 폭의 설정값과 대략 일치하고 있다. 따라서 이 평가 시험 8로부터, 웨이퍼(W)의 휨량이 +196㎛ 내지 -232㎛의 범위에서, 당해 노즐(3-1)을 사용함으로써 커트 폭의 정밀도를 높게 할 수 있는 것이 유효한 것으로 확인되었다.The graph of Fig. 21 shows the results of the evaluation test 8. The abscissa of this graph represents the amount of warpage (unit: 占 퐉) of the wafer W, and the sign of the amount of deflection of the concave wafer W and the sign of - of the amount of deflection of the convex type wafer W are respectively appended. The vertical axis of the graph represents the average value (unit: mm) of the cut width. In the case of using the nozzle 3-3 as shown in the graph, if there is a warpage in the wafer W, the average value of the cut width is relatively larger than 1 mm which is the set value. In the case of using the nozzle 3-2, this deviation is suppressed as compared with the case of using the nozzle 3-3. However, the amount of deviation between the average value of the cut width and the set value of 1 mm when the deflection amount is + 196 mm is slightly larger than a practically effective level. In the case of using the nozzle 3-1, the average value of the cut width substantially coincides with the set value of the cut width in all cases where the deflection amounts are 0 mm, + 196 mm, and -232 mm. Therefore, it was confirmed from this evaluation test 8 that it is effective to increase the accuracy of the cut width by using the nozzle 3-1 in the range of the deflection amount of the wafer W in the range of +196 m to -232 m.
각도(θ, Z) 중, θ의 값만이 상이한 노즐(3-2, 3-3)을 사용한 각 결과로부터, 각도(θ)를 변경함으로써, 웨이퍼(W)의 휨에 의한 커트 폭의 평균값의 변동을 억제할 수 있음을 알 수 있다. 그리고, θ=0인 노즐(3-1)을 사용한 경우에는, 커트 폭의 평균값에 대해서 커트 폭의 설정값으로부터의 어긋남을 충분히 억제할 수 있다. 또한, θ=8.5°에서는 상기와 같이 당해 어긋남의 양이 약간 크다. 따라서, 0° 이상 내지 8.5°보다 약간 낮은 값, 구체적으로는 예를 들어 상기와 같이 θ=0° 내지 5°라면 당해 어긋남을 충분히 억제할 수 있다고 생각된다. 또한, 노즐(3-1)을 사용한 경우에는 Z의 값이 10°로, 커트 폭의 평균값과 휨량과의 어긋남이 억제되어 있었지만, 각도(Z)의 값이 30°인 노즐(3-2, 3-3)을 사용한 경우에는 당해 어긋남이 비교적 큰 것을 생각하면, 각도(Z)는 10° 부근으로 하는 것이 바람직하고, 예를 들어 상기와 같이 5° 내지 20°로 하는 것이 바람직하다고 생각된다.From the results obtained by using the nozzles 3-2 and 3-3 in which only the value of? Is different among the angles? And Z, the angle? Is changed so that the average value of the cut widths due to the warpage of the wafer W It can be seen that fluctuation can be suppressed. In the case of using the nozzle 3-1 with? = 0, the deviation of the cut width from the set value can be sufficiently suppressed with respect to the average value of the cut width. At θ = 8.5 °, the amount of deviation is slightly large as described above. Therefore, it is considered that the deviation can be sufficiently suppressed if the value is slightly lower than 0 deg. To 8.5 deg., Specifically, for example, 0 deg. To 5 deg. As described above. In the case of using the nozzle 3-1, the value of Z is 10 DEG, and the deviation between the average value and the amount of deflection of the cut width is suppressed. However, the nozzles 3-2, 3-3) is used, it is preferable that the angle Z be close to 10 DEG, considering that the deviation is relatively large. For example, it is considered that it is preferable to set the angle Z to 5 DEG to 20 DEG as described above.
(평가 시험 9)(Evaluation Test 9)
평가 시험 9로서, 평가 시험 8에서 사용한 노즐(3-1, 3-2 또는 3-3)을 사용하여, 휨량이 428㎛인 요철형 웨이퍼(W)에 EBR 처리를 행하고, 웨이퍼(W)의 주위 방향의 각 위치에서의 EBR 커트 폭을 측정하여, 그 커트 폭에 관한 변동으로서, 최댓값-최솟값을 산출하였다. 이 평가 시험 9에서도, 커트 폭의 설정값은 1mm로 설정하였다.As the evaluation test 9, the uneven wafers W having a warpage of 428 mu m were subjected to EBR treatment using the nozzles 3-1, 3-2 or 3-3 used in the evaluation test 8, The EBR cut width at each position in the circumferential direction was measured and the maximum value to the minimum value was calculated as a variation with respect to the cut width. In this evaluation test 9, the set value of the cut width was set to 1 mm.
도 22의 그래프는 평가 시험 9의 결과를 플롯한 것이며, 그래프의 종축은 커트 폭(단위: mm)을 나타내고 있다. 커트 폭의 변동(최댓값-최솟값)에 대해서는, 노즐(3-1)을 사용한 경우가 0.041mm, 노즐(3-2)을 사용한 경우가 0.099mm이며, 노즐(3-3)을 사용한 경우가 0.205mm이다. 이렇게 노즐(3-1)을 사용한 경우, 가장 커트 폭의 변동이 억제되었다. 따라서, 평가 시험 8, 9로부터 오목형 웨이퍼(W), 볼록형 웨이퍼(W), 요철형 웨이퍼(W)의 어느 것을 처리하는 경우에든, 노즐(3-1)을 사용함으로써 커트 폭의 정밀도를 높게 할 수 있음이 확인되었다.The graph of FIG. 22 is a plot of the results of the evaluation test 9, and the vertical axis of the graph represents the cut width (unit: mm). The variation (maximum value-minimum value) of the cut width was 0.041 mm when the nozzle 3-1 was used, 0.099 mm when the nozzle 3-2 was used, 0.205 when the nozzle 3-3 was used mm. In the case of using the nozzle 3-1 in this manner, fluctuation of the cut width at the maximum was suppressed. Therefore, in the case of processing the concave wafer W, the convex wafer W and the concavo-convex wafer W from the evaluation tests 8 and 9, the accuracy of the cut width can be increased by using the nozzle 3-1 It was confirmed that
(평가 시험 10)(Evaluation Test 10)
평가 시험 10-1로서, 휨량이 150㎛인 복수의 오목형 웨이퍼(W)에 대해서, 제거액 노즐(3)의 각도(θ)를 각각 변경해서 EBR 처리를 행하고, 커트 폭의 변동을 측정하였다. 또한, 평가 시험 10-2로서 휨량이 250㎛인 복수의 볼록형 웨이퍼(W)에 대해서, 제거액 노즐(3)의 각도(θ)를 각각 변경해서 EBR 처리를 행하고, 커트 폭의 변동을 측정하였다. 평가 시험 10-1, 10-2에서는, 이미 설명한 도 3이나 도 23에 실선으로 나타낸 바와 같이 제거액 노즐(3)을 배치하고, 평면에서 보아 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측을 향해서 제거액을 토출하도록 각도(θ)를 설정하는 것 외에, 도 23에 일점쇄선으로 나타내는 바와 같이 제거액 노즐(3)을 배치하고, 웨이퍼(W)의 외측으로부터 내측을 향해서 제거액을 토출하도록 각도(θ)를 설정해서 시험을 행하고 있다. 이 평가 시험 10에서, 제거액의 토출 방향이 웨이퍼(W)의 내측으로부터 외측을 향하도록 θ를 설정한 경우에는 당해 각도(θ)의 수치에 +의 부호를, 당해 토출 방향이 웨이퍼(W)의 외측으로부터 내측을 향하도록 각도(θ)를 설정한 경우에는 당해 θ의 수치에 -의 부호를 각각 붙여서 나타낸다. 또한, 도 23에서는 웨이퍼(W)의 접선을 L1, 공급 위치(P)(제거액 노즐(3)로부터 토출된 액의 웨이퍼(W) 상에서의 착액 위치)를 통과하여, 접선(L1)에 평행한 선을 L로 나타내고 있다.As the evaluation test 10-1, a plurality of concave wafers W having a warpage of 150 占 퐉 were subjected to EBR processing while changing the angle? Of the remover
도 24, 도 25의 각 그래프는 평가 시험 10-1, 10-2의 결과를 각각 나타내고 있다. 각 그래프의 종축은 커트 폭의 변동(단위: mm)을 나타내고, 그래프의 횡축은 각도(θ)를 나타내고 있다. 그래프에 도시하는 바와 같이 각도(θ)의 절댓값이 커짐에 따라서 커트 폭의 변동이 커진다. 실용상, 이 커트 폭의 변동을 0.1mm 이하로 억제하는 것이 특히 바람직하다. 평가 시험 10-1, 10-2 모두 각도(θ)가 -3° 내지 +3°의 범위에서는, 그와 같이 커트 폭의 변동이 0.1mm이다. 따라서, 웨이퍼(W)의 휨량이 +150㎛ 내지 -250㎛의 범위에서는, 각도(θ)를 그러한 범위 내로 설정함으로써, 커트 폭의 변동을 억제할 수 있음이 확인되었다. 각도(θ)가 -인 경우에는, 공급 위치(P)보다도 웨이퍼(W)의 중심측으로 제거액이 이동하여, 커트 폭이 원하는 값으로부터 어긋날 우려가 있기 때문에, 각도(θ)는 0° 이상인 것이 바람직하다. 따라서 각도(θ)는 0° 내지 +3°로 하는 것이 바람직하다.The graphs of Figs. 24 and 25 show the results of the evaluation tests 10-1 and 10-2, respectively. The vertical axis of each graph represents the variation (unit: mm) of the cut width, and the horizontal axis of the graph represents the angle?. As shown in the graph, the variation of the cut width increases as the absolute value of the angle? Increases. In practice, it is particularly preferable to suppress the variation of the cut width to 0.1 mm or less. In the evaluation tests 10-1 and 10-2, the variation in the cut width is 0.1 mm in the range of the angle? In the range of -3 to +3 degrees. Therefore, it was confirmed that the fluctuation of the cut width can be suppressed by setting the angle? Within such a range when the warp amount of the wafer W is in the range of + 150 mu m to -250 mu m. When the angle [theta] is -, the removed liquid moves to the center side of the wafer W more than the supply position P, and the cut width may deviate from a desired value. Therefore, Do. Therefore, it is preferable to set the angle [theta] to 0 [deg.] To + 3 [deg.].
1 : 도포 장치
11 : 스핀 척
21 : 회전 기구
3 : 제거액 노즐
30 : 토출구
7 : 제어부
W : 웨이퍼
P : 공급 위치1: Coating device 11: Spin chuck
21: rotating mechanism 3: removing liquid nozzle
30: Discharge port 7:
W: Wafer P: Supply position
Claims (15)
기판을 유지해서 회전하는 회전 유지부와,
상기 회전 유지부에 유지된 기판의 표면의 주연부에, 제거액이 기판의 회전 방향의 하류측을 향하도록, 제거액을 토출하는 제거액 노즐과,
제거액을 토출할 때 기판을 2300rpm 이상의 회전수로 회전하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 포함하는 도포막 제거 장치.A coating film removing apparatus for removing a peripheral portion of a coating film formed by supplying a coating liquid to a surface of a circular substrate by a removing liquid,
A rotation holding section for holding and rotating the substrate,
A removing liquid nozzle for discharging the removing liquid so that the removing liquid is directed to the downstream side in the rotating direction of the substrate, on the periphery of the surface of the substrate held by the rotation holding section;
And a control section for outputting a control signal so that the substrate is rotated at a rotation speed of 2300 rpm or more when discharging the removed liquid.
상기 제어부는,
상기 기판을 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 상기 제거액의 공급 위치를, 기판의 표면의 주연 위치로부터, 당해 주연 위치보다도 기판의 중심부로 치우친 도포막의 커트 위치로 이동시키면서 당해 제거액 노즐로부터 제거액을 토출하는 제1 스텝과,
상기 공급 위치가 상기 커트 위치에 달한 후, 1초 이내에 당해 커트 위치로부터 기판의 주연측으로 이격되는 제2 스텝을 실행하기 위한 제어 신호를 출력하는 도포막 제거 장치.The method according to claim 1,
Wherein,
The supply position of the removing liquid is moved from the peripheral position of the surface of the substrate to the cut position of the coated film deviated from the peripheral edge position of the substrate relative to the central position of the substrate while the substrate is rotated by the first rotation speed of 2300 rpm or more, A first step of discharging the removing liquid,
And a control step of outputting a control signal for executing a second step of moving the cut position to a peripheral side of the substrate within one second after the feed position reaches the cut position.
상기 제어부는,
상기 제2 스텝 후, 상기 공급 위치를, 상기 커트 위치와 상기 주연 위치와의 사이, 또는 당해 주연 위치로 설정하고, 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 기판을 회전시키면서 상기 제거액 노즐로부터 제거액을 토출하는 스텝을 실행하기 위한 제어 신호를 출력하는 도포막 제거 장치.3. The method of claim 2,
Wherein,
After the second step, the supply position is set between the cut position and the peripheral position, or the peripheral position, and the substrate is rotated at a second rotation speed lower than the first rotation number, And outputs a control signal for executing the step of ejecting the removing liquid.
상기 제2 회전수는, 500 내지 2000rpm으로 설정되어 있는 도포막 제거 장치.The method of claim 3,
And the second rotation number is set to 500 to 2000 rpm.
상기 제어부는,
상기 제1 스텝과 제2 스텝을 복수회 반복하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성되어 있는 도포막 제거 장치.3. The method of claim 2,
Wherein,
And to output a control signal for repeating the first step and the second step a plurality of times.
평면에서 보았을 때, 상기 제거액 노즐의 토출구와 공급 위치를 연결하는 직선과, 당해 공급 위치에서의 기판의 접선과의 이루는 각도는, 6도 이내로 설정되어 있는 도포막 제거 장치.The method according to claim 1,
Wherein an angle formed between a straight line connecting the discharge port of the removing liquid nozzle and the supplying position and a tangent line of the substrate at the supplying position is set to 6 degrees or less.
연직면에서 보았을 때, 상기 제거액 노즐과 공급 위치를 연결하는 직선과 기판의 표면과의 이루는 각도는, 20도 이하로 설정되어 있는 도포막 제거 장치.The method according to claim 1,
Wherein an angle formed by a straight line connecting the removing liquid nozzle and a supply position with a surface of the substrate is set to 20 degrees or less when viewed from a vertical plane.
상기 제거액 노즐의 토출구의 구경은 0.15 내지 0.25mm로 설정되어 있는 도포막 제거 장치.The method according to claim 1,
Wherein a diameter of a discharge port of the removing liquid nozzle is set to 0.15 to 0.25 mm.
상기 공급 위치가 주연부로부터 커트 위치까지 이동할 때의 제거액의 토출 유량은, 55ml/분 이상으로 설정되어 있, 도포막 제거 장치.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
Wherein the discharge flow rate of the removed liquid when the supply position moves from the periphery to the cut position is set to 55 ml / min or more.
기판을 유지부에 수평으로 유지하는 공정과,
계속해서, 기판을 2300rpm 이상의 회전수로 회전시킨 상태에서, 제거액 노즐로부터 제거액을 기판의 표면의 주연부에, 기판의 회전 방향의 하류측을 향하도록 토출하는 공정을 포함하는 도포막 제거 방법.A coating film removing method for removing a peripheral portion of a coating film formed by supplying a coating liquid to a surface of a circular substrate by a removing liquid,
A step of holding the substrate horizontally in the holding portion,
And subsequently discharging the removal liquid from the removal liquid nozzle to the peripheral edge of the surface of the substrate so as to be directed to the downstream side in the rotation direction of the substrate while rotating the substrate at a rotation speed of 2300 rpm or more.
상기 기판을 2300rpm 이상의 제1 회전수로 회전시킨 상태에서, 상기 제거액의 공급 위치를, 기판의 표면의 주연 위치로부터, 당해 주연 위치보다도 기판의 중심부로 치우친 도포막의 커트 위치로 이동시키면서 당해 제거액 노즐로부터 제거액을 토출하는 토츨 공정과, 상기 공급 위치가 상기 커트 위치에 달한 후, 1초 이내에 당해 커트 위치로부터 기판의 주연측으로 이격되는 이격 공정을 포함하는 도포막 제거 방법.11. The method of claim 10,
The supply position of the removing liquid is moved from the peripheral position of the surface of the substrate to the cut position of the coated film deviated from the peripheral edge position of the substrate relative to the central position of the substrate while the substrate is rotated by the first rotation speed of 2300 rpm or more, And a separation step of separating the cut position from the cut position to the peripheral side of the substrate within one second after the supply position reaches the cut position.
상기 이격 공정 후, 상기 공급 위치를, 상기 커트 위치와 상기 주연 위치와의 사이, 또는 당해 주연 위치로 설정하고, 상기 제1 회전수보다도 낮은 제2 회전수로 기판을 회전시키면서 상기 제거액 노즐로부터 제거액을 토출하는 공정을 포함하는 도포막 제거 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the supply position is set between the cut position and the peripheral position or the peripheral position and the substrate is rotated at a second rotation speed lower than the first rotation number, And discharging the coating film.
상기 제2 회전수는, 500 내지 2000rpm인 도포막 제거 방법.13. The method of claim 12,
And the second rotation number is 500 to 2000 rpm.
상기 토출 공정과 상기 이격 공정을 복수회 반복하는 도포막 제거 방법.12. The method of claim 11,
Wherein the discharging step and the separating step are repeated a plurality of times.
상기 컴퓨터 프로그램은, 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 도포막 제거 방법을 실행하도록 스텝 군이 짜여져 있는 기억 매체.A computer program for use in a coating film removing apparatus for removing a peripheral portion of a coating film formed by supplying a coating liquid to a surface of a circular substrate by a removing liquid,
The computer program according to any one of claims 10 to 14, wherein a step group is formed to execute the coating film removing method.
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