KR20180079082A - Organic light emitting display panel and organic light emitting display apparatus using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 유기발광 표시패널 및 이를 이용한 유기발광 표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display panel and an organic light emitting display using the same.
휴대전화, 테블릿PC, 노트북 등을 포함한 다양한 종류의 전자제품에는 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)가 이용되고 있다. 평판표시장치에는, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display), 유기발광 표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등이 있으며, 최근에는 전기영동표시장치(EPD: ELECTROPHORETIC DISPLAY)도 널리 이용되고 있다. Flat panel displays (FPDs) are used in various types of electronic products including mobile phones, tablet PCs, and notebook computers. 2. Description of the Related Art Flat panel displays include liquid crystal displays (LCDs) and organic light emitting display devices (OLEDs). Electrophoretic display devices (EPDs) are also widely used .
평판표시장치(이하, 간단히 '표시장치'라 함)들 중에서, 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용한다.Among flat panel display devices (hereinafter simply referred to as 'display devices'), an organic light emitting display device uses a self-luminous element that emits light by itself.
도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 픽셀 구조를 개략적으로 나타낸 예시도이다. 1 is a schematic view illustrating a pixel structure of a conventional organic light emitting display panel.
유기발광 표시장치에 적용되는 유기발광 표시패널은, 광이 출력되는 픽셀들이 구비된 표시영역 및 상기 표시영역 주변에 구비되어 있는 비표시영역을 포함한다.The organic light emitting display panel applied to the organic light emitting display includes a display region including pixels for outputting light and a non-display region provided around the display region.
상기 표시영역 중 상기 픽셀들 각각에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 광을 출력하는 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 유기발광다이오드로 흐르는 전류의 량을 제어하는 구동 트랜지스터(Tdr)가 구비된다. 상기 픽셀들 각각에는, 상기 구동 트랜지스터(Tdr) 이외에도 다양한 기능을 수행하는 트랜지스터들이 더 구비될 수 있다. As shown in FIG. 1, each of the pixels of the display region is provided with an organic light emitting diode (OLED) for outputting light and a driving transistor (Tdr) for controlling the amount of current flowing to the organic light emitting diode. Each of the pixels may further include transistors that perform various functions in addition to the driving transistor Tdr.
상기 비표시영역에는 상기 픽셀들로 게이트 펄스를 공급하는, 게이트 인 패널(GIP) 방식의 게이트 드라이버가 구비될 수 있다. 상기 게이트 드라이버는 다양한 기능을 수행하는 트랜지스터들로 구성된다. And a gate-in-panel (GIP) type gate driver for supplying a gate pulse to the pixels in the non-display area. The gate driver is composed of transistors that perform various functions.
이 경우, 종래의 유기발광 표시패널에서, 상기 표시영역에 구비되는 트랜지스터들과 상기 비표시영역에 구비되는 트랜지스터들은, 모두 동일한 종류의 트랜지스터들로 구성된다.In this case, in the conventional organic light emitting display panel, the transistors included in the display region and the transistors included in the non-display region are all composed of the same type of transistors.
예를 들어, 하나의 유기발광 표시패널에서, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 구비되는 트랜지스터들 모두는 저온 폴리 실리콘(LTPS: Low Temperature Poly-Silicon)(이하, 간단히 LTPS라 함)을 이용한 LTPS 박막트랜지스터들이 될 수 있다.For example, in one organic light emitting display panel, all of the transistors provided in the display region and the non-display region are formed of LTPS (low-temperature polysilicon) (hereinafter simply referred to as LTPS) Thin film transistors.
그러나, LTPS 박막트랜지스터는, 70 내지 100의 이동도를 갖는 고이동도 소자이다. 따라서, 전류의 량을 제어하여 계조 표현을 하는 유기발광 표시패널의 픽셀들에 상기 LTPS 박막트랜지스터가 적용되기 위해서는, 상기 LTPS 박막트랜지스터의 전류 능력을 감소시키기 위해, LTPS 박막트랜지스터의 채널길이가 증가되어야 한다. 이에 따라, 유기발광 표시패널의 표시영역의 설계가 제약을 받을 수 있다. 또한, LTPS 박막트랜지스터에서는 누설 전류가 많이 발생될 수 있기 때문에, 소비 전력 감소를 위해, 유기발광 표시패널의 구동 주파수를 변경하는 것이 용이하지 않다. 또한, LTPS 박막트랜지스터를 유기발광 표시패널에 적용하기 위해서는, 결정화 공정 및 도핑 공정 등이 필요하며, 이에 따라, 마스크 수 및 공정 수가 증가될 수 있다. 또한, LTPS 박막트랜지스터에는, 결정화 공정에 기인한 그레인 바운더리(grain boundary)가 존재하기 때문에, LPTS 박막트랜지스터들의 특성이 불균일해질 수 있다. 부연하여 설명하면, LTPS 박막트랜지스터는 유기발광 표시패널의 각 픽셀들의 구동 트랜지스터(Tdr)로 이용되기에는 적합하지 않다.However, LTPS thin film transistors are high mobility devices with a mobility of 70-100. Therefore, in order to apply the LTPS thin film transistor to the pixels of the organic light emitting display panel that controls the amount of current to express the gray scale, in order to reduce the current capability of the LTPS thin film transistor, the channel length of the LTPS thin film transistor must be increased do. Thus, the design of the display region of the organic light emitting display panel may be restricted. In addition, since a large amount of leakage current may be generated in the LTPS thin film transistor, it is not easy to change the driving frequency of the organic light emitting display panel in order to reduce power consumption. In addition, in order to apply the LTPS thin film transistor to the organic light emitting display panel, a crystallization process and a doping process are required, so that the number of masks and the number of processes can be increased. In addition, in the LTPS thin film transistor, the grain boundaries due to the crystallization process exist, so that the characteristics of the LPTS thin film transistors may become uneven. In other words, the LTPS thin film transistor is not suitable for being used as the driving transistor Tdr of each pixel of the organic light emitting display panel.
하나의 유기발광 표시패널에서, 상기 표시영역과 상기 비표시영역에 구비되는 트랜지스터들 모두는 산화물 반도체를 이용한 산화물 박막트랜지스터들이 될 수 있다. In one organic light emitting display panel, both of the transistors included in the display region and the non-display region may be oxide thin film transistors using an oxide semiconductor.
그러나, 산화물 박막트랜지스터는 10 이하의 낮은 이동도를 가지고 있기 때문에, 게이트 인 패널(GIP) 방식의 게이트 드라이버에 적용되기가 어렵다. 즉, 이동도가 10 정도인 산화물 박막트랜지스터를 비표시영역에 구비되는 게이트 드라이버에 적용하기 위해서는, 산화물 박막트랜지스터의 사이즈가 증가되어야 한다. 따라서, 비표시영역의 크기가 커지게 되며, 설계가 제약을 받을 수 있다. 부연하여 설명하면, 산화물 박막트랜지스터는 유기발광 표시패널의 비표시영역에 구비되는 게이트 드라이버에 적용되기에는 적합하지 않다. 또한, 고이동도를 갖도록 제조된 산화물 박막트랜지스터는, 산화물 박막트랜지스터의 특성상, 우수한 스위칭(switching) 특성을 갖게된다. 따라서, 고이동도를 갖는 산화물 박막트랜지스터로 흐르는 전류를 조절하여, 계조를 표현하는 것은 어렵다. However, since the oxide thin film transistor has a low mobility of 10 or less, it is difficult to apply it to a gate-in-panel (GIP) type gate driver. That is, in order to apply an oxide thin film transistor having a mobility of about 10 to a gate driver provided in a non-display region, the size of the oxide thin film transistor has to be increased. Therefore, the size of the non-display area becomes large, and the design may be restricted. In other words, the oxide thin film transistor is not suitable for application to a gate driver provided in a non-display region of an organic light emitting display panel. In addition, the oxide thin film transistor manufactured to have high mobility has excellent switching characteristics due to the characteristics of the oxide thin film transistor. Therefore, it is difficult to express the gray level by adjusting the current flowing to the oxide thin film transistor having high mobility.
상기 문제점을 해결하기 위해, 비표시영역에는 LTPS 박막트랜지스터가 구비되고, 표시영역에는 산화물 박막트랜지스터가 구비된 유기발광 표시패널이 제안되고 있다.In order to solve the above problems, an organic light emitting display panel having an LTPS thin film transistor in a non-display area and an oxide thin film transistor in a display area has been proposed.
그러나, 상기한 바와 같은 하이브리드 방식의 유기발광 표시패널을 제조하기 위해서는, 실리콘 박막트랜지스터만으로 구성된 유기발광 표시패널의 제조에 필요한 마스크 및 공정 보다도 더 많은 마스크 및 공정이 요구된다. 따라서, 하이브리드 방식의 유기발광 표시패널이 실제로 구현되기는 어렵다.However, in order to manufacture the above-described hybrid type organic light emitting display panel, more masks and processes are required than masks and processes required for manufacturing an organic light emitting display panel composed only of silicon thin film transistors. Therefore, it is difficult for the hybrid type organic light emitting display panel to actually be realized.
또한, 하나의 유기발광 표시패널에 구비된 픽셀들 각각에는 상기한 바와 같이, 유기발광다이오드로 흐르는 전류의 량을 제어하는 구동 트랜지스터(Tdr) 및 스위칭 기능을 수행하는 스위칭 트랜지스터가 구비된다. 이 경우, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 기능과, 상기 스위칭 트랜지스터의 기능이 다르기 때문에, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에 요구되는 이동도와, 상기 스위칭 트랜지스터에 요구되는 이동도는 다르다. 그러나, 종래에는 상기 픽셀을 구성하는 트랜지스터들이 동일한 특성을 갖는 산화물 반도체들로 구성되기 때문에, 상기 픽셀을 구성하는 트랜지스터들 각각의 기능이 효율적으로 제어되지 못하고 있다. As described above, each pixel included in one organic light emitting display panel is provided with a driving transistor Tdr for controlling the amount of current flowing to the organic light emitting diode and a switching transistor for performing a switching function. In this case, since the function of the driving transistor Tdr is different from that of the switching transistor, the mobility required for the driving transistor Tdr and the mobility required for the switching transistor are different. However, since the transistors constituting the pixel are conventionally formed of oxide semiconductors having the same characteristics, the functions of the transistors constituting the pixels are not efficiently controlled.
상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명의 목적은, 픽셀에 구비된 유기발광다이오드로 흐르는 전류의 량을 제어하는 구동 트랜지스터의 이동도와, 상기 픽셀에 구비되어 스위칭 기능을 수행하는 스위칭 트랜지스터의 이동도가 다른, 유기발광 표시패널 및 이를 이용한 유기발광 표시장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention, which is proposed to solve the above-mentioned problems, to provide an organic light emitting diode display having mobility of a driving transistor controlling an amount of current flowing to an organic light emitting diode provided in a pixel, And an organic light emitting display using the organic light emitting display panel.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광 표시패널은, 영상이 표시되는 표시영역 및 상기 표시영역의 외곽에 배치되는 비표시영역을 포함한다. 상기 비표시영역 중 제1 비표시부에는 상기 표시영역에 구비된 픽셀들로 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버가 구비되고, 상기 표시영역에는 픽셀들이 구비된다. 상기 픽셀들 각각에는, 유기발광다이오드, 상기 유기발광다이오드와 연결된 구동 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트와 데이터 라인 사이에 구비되며, 게이트 라인을 통해 공급되는 게이트 신호에 의해 턴온 또는 턴오프되는 스위칭 트랜지스터를 포함한다. 상기 구동 트랜지스터는 제1 이동도를 갖는 제1 산화물 반도체로 구성된다. 상기 스위칭 트랜지스터는 상기 제1 이동도 보다 큰 이동도를 갖는 제2 산화물 반도체로 구성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided an OLED display panel including a display region for displaying an image and a non-display region disposed at an outer portion of the display region. The first non-display part of the non-display area is provided with a gate driver for supplying a gate signal to pixels provided in the display area, and pixels are provided in the display area. Each of the pixels includes an organic light emitting diode, a driving transistor connected to the organic light emitting diode, and a switching transistor provided between the gate and the data line of the driving transistor and turned on or off by a gate signal supplied through the gate line . The driving transistor is composed of a first oxide semiconductor having a first mobility. The switching transistor is comprised of a second oxide semiconductor having a mobility greater than the first mobility.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기발광 표시장치는, 상기 유기발광 표시패널, 상기 유기발광 표시패널에 구비된 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 드라이버 및 상기 유기발광 표시패널에 구비된 게이트 라인들로 게이트 신호들을 공급하는 게이트 드라이버를 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a data driver for supplying data voltages to data lines provided in the organic light emitting display panel, the organic light emitting display panel, And a gate driver for supplying gate signals to the gate lines provided.
고이동도를 갖는 단일 종류의 산화물 박막트랜지스터를 적용하여 제조된 유기발광 표시패널에서는, 산화물 박막트랜지스터의 높은 전류 구동 능력으로 인해, 계조 표현이 어렵다.In an organic light emitting display panel manufactured by applying a single kind of oxide thin film transistor having high mobility, it is difficult to express gradation due to the high current driving capability of the oxide thin film transistor.
그러나, 본 발명에서와 같이, 유기발광 표시패널의 표시영역과 비표시영역 각각에, 서로 다른 특성을 갖는 산화물 박막트랜지스터들이 구비되면, 고품질의 영상이 구현될 수 있다. 또한, 종래의 LTPS 산화물 박막트랜지스터들로 구성된 유기발광 표시패널과 비교할 때, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에서는, 소비 전력이 감소될 수 있으며, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 제조 공정은 단순화될 수 있다. However, when oxide thin film transistors having different characteristics are provided in the display region and the non-display region of the organic light emitting display panel as in the present invention, a high quality image can be realized. In addition, in the organic light emitting display panel according to the present invention, power consumption can be reduced as compared with the organic light emitting display panel composed of conventional LTPS oxide thin film transistors, and the manufacturing process of the organic light emitting display panel according to the present invention is simplified .
특히, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에서는, 픽셀에 구비된 유기발광다이오드로 흐르는 전류의 량을 제어하는 구동 트랜지스터의 이동도와, 상기 픽셀에 구비되어 스위칭 기능을 수행하는 스위칭 트랜지스터의 이동도가 다르게 형성될 ㅅ수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터의 기능 및 스위칭 트랜지스터의 기능이 향상될 수 있으며, 따라서, 유기발광 표시패널의 기능이 향상될 수 있다. In particular, in the organic light emitting display panel according to the present invention, the mobility of the driving transistor controlling the amount of current flowing to the organic light emitting diode provided in the pixel and the mobility of the switching transistor provided in the pixel are different from each other Can be formed. Accordingly, the function of the driving transistor and the function of the switching transistor can be improved, and thus the function of the organic light emitting display panel can be improved.
즉, 본 발명에는 특성이 상이한 2개 이상의 산화물 박막트랜지스터가 적용되기 때문에, 유기발광 표시패널 및 유기발광 표시장치의 성능이 향상될 수 있다. That is, since two or more oxide thin film transistors having different characteristics are applied to the present invention, the performance of the organic light emitting display panel and the organic light emitting display device can be improved.
도 1은 종래의 유기발광 표시패널의 픽셀 구조를 개략적으로 나타낸 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광 시장치의 일실시예 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에 구비되는 픽셀의 구성도.
도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에 구비되는 게이트 드라이버의 구성도.
도 5는 도 4에 도시된 스테이지의 구성을 나타낸 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 단면을 나타낸 예시도. 1 is a schematic view illustrating a pixel structure of a conventional organic light emitting display panel.
2 is a view illustrating an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a block diagram of a pixel included in the organic light emitting display panel according to the present invention.
4 is a configuration diagram of a gate driver included in the organic light emitting display panel according to the present invention.
5 is an exemplary view showing the configuration of the stage shown in Fig.
6 is a cross-sectional view of an organic light emitting display panel according to the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to a person skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.
본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. It should be noted that, in the specification of the present invention, the same reference numerals as in the drawings denote the same elements, but they are numbered as much as possible even if they are shown in different drawings.
본 발명의 실시 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.
'적어도 하나'의 용어는 하나 이상의 관련 항목으로부터 제시 가능한 모든 조합을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, '제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 적어도 하나'의 의미는 제1 항목, 제 2 항목 또는 제 3 항목 각각 뿐만 아니라 제1 항목, 제 2 항목 및 제 3 항목 중에서 2개 이상으로부터 제시될 수 있는 모든 항목의 조합을 의미한다.The term " at least one " should be understood to include all possible combinations from one or more related items. For example, the meaning of 'at least one of the first item, the second item and the third item' means not only the first item, the second item or the third item, but also the second item, the second item and the third item, Means any combination of items that can be presented from more than one.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 상세히 설명된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 유기발광 시장치의 일실시예 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에 구비되는 픽셀의 구성도이고, 도 4는 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에 구비되는 게이트 드라이버의 구성도이며, 도 5는 도 4에 도시된 스테이지의 구성을 나타낸 예시도이다. FIG. 2 is a diagram illustrating an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a view illustrating a pixel included in the organic light emitting display panel according to the present invention. FIG. 5 is an exemplary diagram showing the configuration of the stage shown in FIG. 4. FIG.
본 발명에 따른 유기발광 표시장치는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 유기발광 표시패널(100), 데이터 드라이버(300) 및 제어부(400)를 포함한다. The organic light emitting display according to the present invention includes an organic light emitting
우선, 상기 유기발광 표시패널(100)은, 게이트 라인들(GL1 to GLg), 데이터 라인들(DL1 to DLd), 픽셀(110)들 및 상기 픽셀(110)들에 구비된 스위칭 트랜지스터(Tsw1)들로 게이트 신호(VG)들을 공급하는 게이트 드라이버(200)를 포함한다. First, the organic light emitting
상기 유기발광 표시패널(100)은 영상을 표시하는 상기 픽셀(110)들이 구비되는 표시영역(120) 및 상기 표시영역(120)의 외곽을 감싸고 있는 비표시영역(130)을 포함한다.The organic light emitting
상기 픽셀(110)들 각각에는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 연결된 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 유기발광다이오드(OLED)에 연결된 구동 트랜지스터(Tdr)가 구비된다. Each of the
상기 픽셀(110)들 각각은, 상기 유기발광다이오드(OLED) 및 픽셀 구동부(PDC)를 포함한다. Each of the
상기 픽셀(110)들 각각에는, 상기 픽셀 구동부(PDC)에 구동 신호를 공급하는 신호 라인들(DL, GL, PLA, PLB, SL, SPL,)이 형성되어 있다. In each of the
상기 데이터 라인(DL)으로는 데이터 전압(Vdata)이 공급되고, 상기 게이트 라인(GL)으로는 게이트 펄스 또는 게이트 로우 신호가 공급되고, 전원공급라인(PLA)으로는 제1 구동 전원(ELVDD)이 공급되고, 구동전원라인(PLB)으로는 제2 구동 전원(ELVSS)이 공급되고, 센싱 라인(SL)으로는 초기화 전압(Vini)이 공급되며, 센싱 펄스 라인(SPL)으로는 센싱 트랜지스터(Tsw2)를 턴온시키는 센싱 제어 신호(SS)가 공급된다.A data pulse Vdata is supplied to the data line DL and a gate pulse or a gate low signal is supplied to the gate line GL and a first driving power ELVDD is supplied to the power supply line PLA. The second driving power ELVSS is supplied to the driving power supply line PLB and the initializing voltage Vini is supplied to the sensing line SL and the sensing transistor SL A sensing control signal SS for turning on the switching elements Tsw1 and Tsw2 is supplied.
상기 픽셀 구동부(PDC)는, 예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 소스가 상기 유기발광다이오드(OLED)와 연결되는 구동 트랜지스터(Tdr), 상기 데이터 라인(DL)과 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 사이에 연결되는 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 및 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 연결된 제2 노드(n2)와 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스와 연결된 제1 노드(n1) 사이에 연결되어 스토리지 캐패시턴스를 유도하는 스토리지 캐패시터(Cst)를 포함한다. 3, the pixel driver PDC includes a driving transistor Tdr having a source connected to the organic light emitting diode OLED, a data line DL connected to the driving transistor Tdr A switching transistor Tsw1 connected between the gate of the driving transistor Tdr and a second node n2 connected to the gate of the driving transistor Tdr and a first node n1 connected to the source of the driving transistor Tdr And a storage capacitor Cst for inducing a storage capacitance.
상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 상기 게이트 라인(GL)으로 공급되는 게이트 펄스에 의해 턴온되어, 상기 데이터 라인(DL)으로 공급되는 데이터 전압(Vdata)을 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트로 전송한다. 즉, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 게이트 펄스에 따라 데이터 전압(Data)을 어드레싱 하는 기능을 수행한다. The switching transistor Tsw1 is turned on by a gate pulse supplied to the gate line GL and transmits the data voltage Vdata supplied to the data line DL to the gate of the driving transistor Tdr. That is, the switching transistor Tsw1 performs a function of addressing the data voltage Data in accordance with the gate pulse.
상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)와 상기 유기발광다이오드(OLED) 사이의 제1 노드(n1) 및 상기 센싱 라인(SL) 사이에 연결되어, 센싱 제어 신호(SS)를 구성하는 센싱 펄스에 의해 턴온되며, 상기 구동 트랜지스터의 특성을 감지하는 기능을 수행한다. The sensing transistor Tsw2 is connected between a first node n1 between the driving transistor Tdr and the organic light emitting diode OLED and the sensing line SL to form a sensing control signal SS And is turned on by a sensing pulse to sense the characteristics of the driving transistor.
상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 상기 데이터 전압(Vdata)에 따라 턴온되며, 상기 데이터 전압(Vdata)에 대응되는 전류를 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급한다. 상기 구동 트랜지스터(Tdr)를 흐르는 전류의 량에 따라, 상기 유기발광다이오드(OLED)로부터 출력되는 광의 세기가 변경될 수 있다. The driving transistor Tdr is turned on according to the data voltage Vdata and supplies a current corresponding to the data voltage Vdata to the organic light emitting diode OLED. The intensity of light output from the organic light emitting diode OLED can be changed according to the amount of current flowing through the driving transistor Tdr.
상기 픽셀 구동부(PDC)의 구조는, 도 3에 도시된 구조 이외에도, 다양한 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 픽셀 구동부(PDC)에는 상기 구동 트랜지스터(Tdr), 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2) 이외에도, 또 다른 트랜지스터들이 더 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 픽셀 구동부(PDC)에는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 발광 시점을 제어하기 위한 에미션 트랜지스터가, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)와 상기 전원공급라인(PLA) 사이에 연결될 수 있으며, 상기 에미션 트랜지스터는 에미션 제어 신호에 따라 턴온 또는 턴오프될 수있다. In addition to the structure shown in FIG. 3, the structure of the pixel driver PDC may be variously formed. Accordingly, the pixel driver PDC may further include other transistors in addition to the driving transistor Tdr, the switching transistor Tswl, and the sensing transistor Tsw2. For example, an emissive transistor for controlling the light emitting time point of the driving transistor Tdr may be connected to the pixel driving part PDC between the driving transistor Tdr and the power supply line PLA, The emission transistor can be turned on or off according to the emission control signal.
이 경우, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 제1 이동도를 갖는 제1 산화물 반도체로 구성될 수 있으며, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 상기 제1 이동도 보다 큰 이동도를 갖는 제2 산화물 반도체로 구성될 수 있다. In this case, the driving transistor Tdr may be composed of a first oxide semiconductor having a first mobility, and the switching transistor Tswl may be composed of a second oxide semiconductor having a mobility higher than the first mobility. .
예를 들어, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 전류의 량을 제어하는 기능을 수행하기 때문에, 높은 이동도를 가질 필요가 없으며, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에서는 누설 전류가 발생되어서는 않된다. 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 스위칭 기능을 수행하기 위해 신속하게 턴온 또는 턴오프되어야 하므로, 큰 이동도를 가질 필요가 있다.For example, since the driving transistor Tdr performs a function of controlling the amount of current, it is not necessary to have a high mobility, and no leakage current should be generated in the driving transistor Tdr. Since the switching transistor Tsw1 must be quickly turned on or off to perform the switching function, it is necessary to have a large mobility.
이에 따라, 상기 제2 산화물 반도체의 상기 제2 이동도는, 상기 제1 산화물 반도체의 상기 제1 이동도보다 크게 설정된다. Thus, the second mobility of the second oxide semiconductor is set to be larger than the first mobility of the first oxide semiconductor.
또한, 상기 에미션 트랜지스터는, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 마찬가지로 스위칭 기능을 수행하기 때문에, 상기 에미션 트랜지스터는, 상기 제2 이동도를 갖는 상기 제2 산화물 반도체로 형성될 수 있다. Also, since the emission transistor performs a switching function in the same manner as the switching transistor Tsw1, the emission transistor can be formed of the second oxide semiconductor having the second mobility.
다음, 상기 게이트 드라이버(200)는 상기 비표시영역(130)에 내장된다. 상기 게이트 드라이버(200)는 상기 픽셀들에 구비되는 트랜지스터들을 생성하는 공정을 통해 상기 트랜지스터들과 함께 상기 유기발광 표시패널(100)에 구비된다. 상기 유기발광 표시패널(100)에 내장되어 있는 게이트 드라이버(200)는 게이트 인 패널(GIP: Gate In Panel) 방식의 게이트 드라이버(200)라 한다. Next, the
상기 게이트 신호(VG)는 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 턴온시키는 게이트 펄스 및 상기 스위칭 트랜지스터를 턴오프시키는 게이트 로우 신호를 포함한다. The gate signal VG includes a gate pulse for turning on the switching transistor Tsw1 and a gate low signal for turning off the switching transistor.
상기 게이트 드라이버(200)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 픽셀들과 연결된 게이트 라인들(GL1 to GLg)로 게이트 신호들(VG1 to VGg)을 공급하는 스테이지(210)들(Stag1 to Stage g)을 포함한다.4, the
상기 스테이지(210)들 각각은, 도 5에 도시된 바와 같이, 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4)을 포함한다.Each of the
예를 들어, 제1 게이트 신호용 트랜지스터(T1)는 스타트 신호(Vst)에 의해 턴온되어, 고전압(VD)을 Q노드(Q)를 통해 제3 게이트 신호용 트랜지스터(T3)의 게이트로 공급한다. For example, the transistor T1 for the first gate signal is turned on by the start signal Vst to supply the high voltage VD to the gate of the transistor T3 for the third gate signal via the Q node Q.
상기 제3 게이트 신호용 트랜지스터(T3)는 상기 고전위 전압(VD)에 의해 턴온되어, 클럭(CLK)을 게이트 라인으로 출력한다. 이 경우, 상기 게이트 라인으로는 하이 값을 갖는 게이트 펄스가 출력된다. The third gate signal transistor T3 is turned on by the high potential voltage VD to output the clock CLK to the gate line. In this case, a gate pulse having a high value is output to the gate line.
상기 제1 게이트 신호용 트랜지스터(T1)를 통과한 상기 고전위 전압(VD)은 인버터(I)에 의해 저전압으로 변환되어 Qb노드(Qb)를 통해 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)의 게이트로 공급된다. 이에 따라, 상기 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)는 턴오프된다. The high potential voltage VD that has passed through the transistor T1 for the first gate signal is converted to a low voltage by the inverter I and supplied to the gate of the transistor T4 for the fourth gate signal through the Qb node Qb . Thus, the fourth gate signal transistor T4 is turned off.
상기 제1 게이트 신호용 트랜지스터(T1)가 턴오프되고, 제2 게이트 신호용 트랜지스터(T2)가 턴온되면, 제1 저전압(VSS1)이 상기 제3 게이트 신호용 트랜지스터(T2)로 공급되며, 따라서, 상기 제3 게이트 신호용 트랜지스터(T3)는 턴오프된다. When the first gate signal transistor T1 is turned off and the second gate signal transistor T2 is turned on, the first low voltage VSS1 is supplied to the third gate signal transistor T2, And the third gate signal transistor T3 is turned off.
상기 제1 저전압(VSS1)은 상기 인버터(I)에 의해 고전압으로 변환되어 상기 Qb노드(Qb)를 통해 상기 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)의 게이트로 공급된다. 이에 따라, 상기 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)는 턴온된다. 이 경우, 제2 저전압(VSS2)이 상기 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)를 통해 상기 게이트 라인으로 공급된다. 상기 제4 게이트 신호용 트랜지스터(T4)를 통해 상기 게이트 라인으로 공급되는 신호는 게이트 로우 신호이다.The first low voltage VSS1 is converted into a high voltage by the inverter I and is supplied to the gate of the fourth gate signal transistor T4 through the Qb node Qb. As a result, the fourth gate signal transistor T4 is turned on. In this case, the second low voltage VSS2 is supplied to the gate line through the transistor T4 for the fourth gate signal. The signal supplied to the gate line through the fourth gate signal transistor T4 is a gate low signal.
상기 게이트 펄스와 상기 게이트 로우 신호를 총칭하여 상기 게이트 신호(VG)라 한다. 상기 게이트 펄스가 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 게이트로 공급될 때, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 턴온되며, 상기 게이트 로우 신호가 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)로 공급될 때, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 턴오프된다. The gate pulse and the gate low signal are generically referred to as the gate signal (VG). When the gate pulse is supplied to the gate of the switching transistor Tsw1, the switching transistor Tsw1 is turned on and when the gate-low signal is supplied to the switching transistor Tswl, the switching transistor Tswl is turned on Off.
상기 스테이지(210)의 구조 및 기능은, 도 5 및 상기에서 설명된 구조 및 기능 이외에도 다양하게 변경될 수 있다. 따라서, 상기 스테이지(210)에는 상기 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4) 이외에도, 또 다른 게이트 신호용 트랜지스터들이 더 구비될 수 있다. The structure and function of the
상기한 바와 같은 구조 및 기능을 갖는 상기 스테이지(210)에서, 상기 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4)은 상기 픽셀(110)에 구비되는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 상기 제1 산화물 반도체의 상기 제1 이동도 보다 큰 제3 이동도를 갖는 제3 산화물 반도체로 구성될 수 있다. In the
예를 들어, 상기 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4)은, 상기 픽셀(110)에 구비된 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 유사한 기능, 즉, 스위칭 기능을 수행한다.For example, the gate signal transistors T1, T2, T3, and T4 perform a function similar to the switching transistor Tsw1 provided in the
따라서, 상기 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4)은 신속하게 턴온 또는 턴오프되어야 한다. 이를 위해, 상기 게이트 신호용 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4)을 구성하는 상기 제3 산화물 반도체의 상기 제3 이동도는, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)를 구성하는 상기 제1 산화물 반도체의 상기 제1 이동도 보다 큰 값을 갖는다.Therefore, the gate signal transistors T1, T2, T3, and T4 must be quickly turned on or off. The third mobility of the third oxide semiconductor constituting the gate signal transistors T1, T2, T3, and T4 is determined by the third mobility of the first oxide semiconductor constituting the driving
다음, 상기 제어부(400)는 외부 시스템으로부터 공급되는 타이밍 신호, 예를 들어, 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭 등을 이용하여, 상기 게이트 드라이버(200)를 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)와, 상기 데이터 드라이버(300)를 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)를 출력한다. 상기 제어부(400)는 상기 외부 시스템으로부터 입력되는 입력영상데이터를 샘플링한 후에 이를 재정렬하여, 재정렬된 디지털 영상데이터(Data)를 상기 데이터 드라이버(300)에 공급한다.Next, the
마지막으로, 상기 데이터 드라이버(300)는 상기 제3 비표시부(133)에 구비된 상기 데이터 라인들(DL1 to DLd)과 연결되어, 상기 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급한다. 상기 데이터 드라이버(300)는 상기 제어부(400)로부터 입력된 상기 영상데이터(Data)를 아날로그 데이터 전압으로 변환하여, 상기 게이트 라인(GL)에 상기 게이트 펄스가 공급되는 1수평기간마다 1수평 라인분의 데이터 전압(Vdata)들을 상기 데이터 라인들(DL1 to DLd)로 전송한다. Lastly, the
이하에서는, 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 구조가 상세히 설명된다. Hereinafter, the structure of the OLED display panel according to the present invention will be described in detail with reference to FIG.
도 6은 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 단면을 나타낸 예시도이다. 이하의 설명 중 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명된 내용과 동일하거나 유사한 내용은 생략되거나 간단히 설명된다.6 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention. In the following description, the same or similar contents as those described with reference to Figs. 2 to 5 are omitted or briefly described.
본 발명에 따른 유기발광 표시패널(100)은 영상이 표시되는 상기 표시영역(120) 및 상기 표시영역(120)의 외곽에 배치되는 상기 비표시영역(130)을 포함한다.The organic light emitting
상기 비표시영역 중 제1 비표시부에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 표시영역에 구비된 픽셀(110)들로 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버(200)가 구비되며, 상기 표시영역(120)에는 픽셀(110)들이 구비된다. 상기 게이트 드라이버(220)에는, 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)들이 구비된다. As shown in FIG. 2, the first non-display portion of the non-display region is provided with a
상기 픽셀(110)들 각각에는, 도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 유기발광다이오드(OLED), 코플라나 구조를 가지며 상기 유기발광다이오드(OLED)로 공급되는 전류의 량을 제어하는 구동 트랜지스터(Tdr) 및 코플라나 구조를 갖고 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 데이터 라인(DL) 사이에 구비되며, 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 게이트 신호(VG)에 의해 턴온 또는 턴오프되는 스위칭 트랜지스터(Tsw1)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 and 6, each of the
이 경우, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 제1 이동도를 갖는 제1 산화물 반도체로 구성되며, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 상기 제1 이동도 보다 큰 이동도를 갖는 제2 산화물 반도체로 구성된다.In this case, the driving transistor Tdr is composed of a first oxide semiconductor having a first mobility, and the switching transistor Tsw1 is composed of a second oxide semiconductor having a mobility higher than the first mobility.
예를 들어, 상기 유기발광 표시패널(100)은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 표시영역(120)과 상기 비표시영역(130)을 포함한다.For example, the organic light emitting
상기 비표시영역(130)에는 상기 게이트 드라이버(200)를 구성하는 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)들이 구비된다. 도 6에는 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)들 중 하나의 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)가 도시되어 있다.The
상기 표시영역(120)에는 데이터 라인(DL)과 게이트 라인(GL)에 의해 정의되는 픽셀(110)들이 구비되며, 상기 픽셀(110)들 각각에는, 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 구동 트랜지스터(Tdr), 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1), 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2) 및 상기 에미션 트랜지스터가 구비될 수 있다. 도 6에는 하나의 픽셀(110)을 구성하는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)와 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)가 도시되어 있다.The
상기 유기발광 표시패널(100)은, 예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판(111), 상기 기판(111) 상에 구비되는 버퍼(112), 상기 버퍼(112) 상에 구비되는 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)들과 상기 구동 트랜지스터(Tdr)들과 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)들과 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)들, 상기 트랜지스터들(Tg, Tdr, Tsw1, Tsw2)들을 커버하는 보호막(114), 상기 구동 트랜지스터(Tdr)로 흐르는 전류의 량에 대응되는 광을 출력하는 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 표시영역(120)에 구비된 픽셀들을 구분하는 뱅크(115)를 포함한다. 상기 버퍼(112)는 생략될 수도 있다.6, the organic light emitting
첫째, 상기 표시영역(120)에 구비되는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는, 상기 버퍼(112) 상에 구비되는 제1 채널(154), 상기 제1 채널(154) 상에 구비되는 제1 게이트 절연막(157), 상기 제1 게이트 절연막(157) 상에 구비되는 제1 게이트(150), 상기 제1 게이트(150)와 상기 제1 게이트 절연막(157)과 상기 제1 채널(154)을 커버하는 절연막(113), 상기 절연막(113)에 형성된 제1 컨택홀을 통해 상기 제1 채널(154)을 구성하는 제1 도체부(152)와 전기적으로 연결되는 제1 전극(158) 및 상기 절연막(113)에 형성된 제2 컨택홀을 통해 상기 제1 채널(154)을 구성하는 제2 도체부(153)와 전기적으로 연결되는 제2 전극(159)을 포함한다. First, the driving transistor Tdr provided in the
여기서, 상기 제1 채널(154)은 도체의 특징을 갖는 상기 제1 도체부(152)와 상기 제2 도체부(153) 및 반도체의 특성을 갖는 상기 제1 산화물 반도체(151)를 포함한다. Here, the
상기 제1 게이트 절연막(157)은, 하단부 게이트 절연막(155) 및 상단부 게이트 절연막(156)을 포함한다. 상기 하단부 게이트 절연막(155)과 상기 상단부 게이트 절연막(156)은 동일한 물질로 구성될 수 있으며, 서로 다른 물질로 구성될 수 있다. The first
둘째, 상기 표시영역(120)에 구비되는 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는, 상기 버퍼(112) 상에 구비되는 제2 채널(164), 상기 제2 채널(164) 상에 구비되는 제2 게이트 절연막(167), 상기 제2 게이트 절연막(167) 상에 구비되는 제2 게이트(160), 상기 제2 게이트(160)와 상기 제2 게이트 절연막(167)과 상기 제2 채널(164)을 커버하는 절연막(113), 상기 절연막(113)에 형성된 제3 컨택홀을 통해 상기 제2 채널(164)을 구성하는 제3 도체부(162)와 전기적으로 연결되는 제3 전극(168) 및 상기 절연막(113)에 형성된 제4 컨택홀을 통해 상기 제2 채널(164)을 구성하는 제4 도체부(163)와 전기적으로 연결되는 제4 전극(169)을 포함한다. 상기 절연막(113)은 상기 구동 트랜지스터(Tdr), 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)에 공통적으로 구비될 수 있다. The switching transistor Tsw1 provided in the
여기서, 상기 제2 채널(164)은 도체의 특징을 갖는 상기 제3 도체부(162)와 상기 제4 도체부(163) 및 반도체의 특성을 갖는 상기 제2 산화물 반도체(161)를 포함한다. Here, the
상기 제2 산화물 반도체(161)의 상기 제2 이동도는, 상기 제1 산화물 반도체(151)의 상기 제1 이동도보다 크다.The second mobility of the second oxide semiconductor (161) is greater than the first mobility of the first oxide semiconductor (151).
예를 들어, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 핵심적인 기능은 전류의 량을 제어하는 것이다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 상기 제1 이동도는 클 필요가 없다. 그러나, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 핵심적인 기능은 스위칭 기능이기 때문에, 신속하게 턴온 또는 턴오프되어야 하며, 이를 위해, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 상기 제2 이동도는 클 필요가 있다. 따라서, 상기 제2 이동도는 상기 제1 이동도보다 크게 형성된다.For example, a key function of the driving transistor Tdr is to control the amount of current. Therefore, the first mobility of the driving transistor Tdr need not be large. However, since the core function of the switching transistor Tsw1 is a switching function, it must be quickly turned on or turned off, and thus, the second mobility of the switching transistor Tsw1 needs to be large. Therefore, the second mobility is formed to be larger than the first mobility.
상기 제1 이동도는 10보다 작을 수 있으며, 상기 제2 이동도는 30보다 클 수 있다. The first mobility may be less than 10 and the second mobility may be greater than 30.
또한, 상기한 바와 같은 특징이 보다 더 명확하게 구현될 수 있도록, 상기 제1 산화물 반도체(151) 상단에 구비되는 상기 제1 게이트 절연막(157)의 두께는, 상기 제2 산화물 반도체(161) 상단에 구비되는 상기 제2 게이트 절연막(167)의 두께보다 두껍게 형성된다.The thickness of the first
특히, 상기 제2 게이트 절연막(167)은 상기 제1 게이트 절연막(157)을 구성하는 상기 상단부 게이트 절연막(156)과 동일한 물질로 구성될 수 있으며, 상기 상단부 게이트 절연막(156)과 동시에 형성될 수 있다. Particularly, the second
즉, 상기 제1 게이트 절연막(157)의 두께가 두꺼울수록, 전류의 누설량이 감소될 수 있기 때문에, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 전류량 제어 기능이 향상될 수 있다. 그러나, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)는 스위칭 기능을 수행하고 있기 때문에, 턴온 또는 턴오프에 영향을 미치지 않는 전류가 누설되더라도 크게 문제가 되지 않는다. 따라서, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)의 상기 제2 게이트 절연막(167)의 두께는, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 상기 제1 게이트 절연막(157)의 두께 보다 얇게 형성될 수 있다. That is, the larger the thickness of the first
셋째, 상기 비표시영역(130)에 구비되는 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)는, 상기 버퍼(112) 상에 구비되는 제3 채널(174), 상기 제3 채널(174) 상에 구비되는 제3 게이트 절연막(177), 상기 제3 게이트 절연막(177) 상에 구비되는 제3 게이트(170), 상기 제3 게이트(170)와 상기 제3 게이트 절연막(177)과 상기 제3 채널(174)을 커버하는 절연막(113), 상기 절연막(113)에 형성된 제5 컨택홀을 통해 상기 제3 채널(174)을 구성하는 제5 도체부(172)와 전기적으로 연결되는 제5 전극(178) 및 상기 절연막(113)에 형성된 제6 컨택홀을 통해 상기 제3 채널(174)을 구성하는 제6 도체부(173)와 전기적으로 연결되는 제6 전극(179)을 포함한다. 상기 절연막(113)은 상기 구동 트랜지스터(Tdr) 및 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)에 공통적으로 구비될 수 있다. Third, the gate signal transistor Tg provided in the
여기서, 상기 제3 채널(174)은 도체의 특징을 갖는 상기 제5 도체부(172)와 상기 제6 도체부(173) 및 반도체의 특성을 갖는 상기 제3 산화물 반도체(171)를 포함한다.Here, the
상기 제3 산화물 반도체(171)의 제3 이동도는 상기 제1 산화물 반도체(151)의 상기 제1 이동도 보다 크다. The third mobility of the
상기 제3 이동도는 상기 제2 산화물 반도체(161)의 상기 제2 이동도 보다는 크거나 같을 수 있다. The third mobility may be greater than or equal to the second mobility of the
넷째, 상기 픽셀(110)들 각각에는, 상기에서 설명된 바와 같이, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)와 상기 유기발광다이오드(OLED) 사이의 노드, 즉, 제1 노드(n1) 및 상기 센싱 라인(SL) 사이에 연결되며, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 문턱 전압 센싱에 적용되는 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)가 더 포함될 수 있다.Fourth, each of the
상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)에는 상기 제2 산화물 반도체가 포함될 수 있다. The sensing transistor Tsw2 may include the second oxide semiconductor.
즉, 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)는 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1)와 동일한 물질 및 구조로 형성될 수 있다. That is, the sensing transistor Tsw2 may have the same material and structure as the switching transistor Tswl.
상기한 바와 같은 본 발명의 특징을 간단히 정리하면 다음과 같다. The features of the present invention as described above will be briefly summarized as follows.
유기발광 표시패널에서, 픽셀에 구비되는 산화물 박막트랜지스터에 요구되는 소자 특성과, 게이트 인 패널 방식의 게이트 드라이버에 구비되는 산화물 박막트랜지스터에 요구되는 소자 특성은, 서로 다르다. In the organic light emitting display panel, the element characteristics required for the oxide thin film transistor provided for the pixel and the element characteristics required for the oxide thin film transistor provided for the gate in panel type gate driver are different from each other.
따라서, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에서는, 서로 다른 소자 특성을 갖는 산화물 박막트랜지스터들이, 표시영역과 비표시영역에 각각 구비된다. Therefore, in the organic light emitting display panel according to the present invention, oxide thin film transistors having different device characteristics are provided in the display region and the non-display region, respectively.
예를 들어, 상기 표시영역(120)의 상기 픽셀(110)에 구비되는 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 저이동도를 갖는 산화물 반도체로 구성될 수 있으며, 상기 비표시영역(130)의 상기 게이트 드라이버(200)에 구비되는 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)들은 고이동도를 갖는 산화물 반도체로 구성될 수 있다. For example, the driving transistor Tdr included in the
이 경우, 상기 표시영역(120)의 상기 픽셀(110)에 구비되는 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)도 상기 구동 트랜지스터(Tdr)와 마찬가지로, 저이동도를 갖는 산화물 반도체로 구성될 수 있다.In this case, the switching transistor Tsw1 and the sensing transistor Tsw2 included in the
그러나, 상기 픽셀에 구비되는 산화물 박막트랜지스터들 중에서도, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)에 요구되는 소자 특성과, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)에 요구되는 소자 특성은, 서로 다를 수 있다. However, among the oxide thin film transistors provided in the pixel, the device characteristics required for the driving transistor Tdr and the device characteristics required for the switching transistor Tsw1 and the sensing transistor Tsw2 may be different from each other .
따라서, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널에서는, 서로 다른 소작 특성을 갖는 산화물 박막트랜지스터들이, 하나의 픽셀(110)에 구비될수 있다. Accordingly, in the organic light emitting diode display panel according to the present invention, the oxide thin film transistors having different cauterization characteristics may be provided in one
예를 들어, 상기 픽셀(110)에 구비되는 산화물 박막트랜지스터들 중에서도, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 저이동도를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)는 저이동도를 갖는 산화물 반도체로 구성될 수 있다. For example, among the oxide thin film transistors provided in the
상기 픽셀에 구비되는 산화물 박막트랜지스터들 중에서도, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지스터(Tsw2)들은 고이동도를 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이 경우, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지터(Tsw2)들은 상기 구동 트랜지스터(Tdr) 보다 고이동도를 갖는 산화물 반도체로 구성될 수 있다. 이 경우, 상기 게이트 신호용 트랜지스터(Tg)의 이동도는, 상기 스위칭 트랜지스터(Tsw1) 및 상기 센싱 트랜지터(Tsw2)들의 이동도보다 크거나 같을 수 있다. Among the oxide thin film transistors provided in the pixel, it is preferable that the switching transistor Tsw1 and the sensing transistor Tsw2 have high mobility. In this case, the switching transistor Tsw1 and the sensing transistor Tsw2 may be made of an oxide semiconductor having higher mobility than the driving transistor Tdr. In this case, the mobility of the gate signal transistor Tg may be equal to or greater than the mobility of the switching transistor Tsw1 and the sensing transistor Tsw2.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널(100)에는, 적어도 두 개 이상의 소자 특성을 갖는 산화물 반도체들이 구비될 수 있으며, 이에 따라, 게이트 절연막의 두께가 각 위치마다 달라질 수 있다. 따라서, 각 위치에서의 산화물 박막트랜지스터의 성능 조절이 가능하다. As described above, the organic light emitting
상기 유기발광 표시패널(100)에 구비되는 상기 산화물 박막트랜지스터들은, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 채널 위에 상기 게이트가 구비되는 코플라나 구조를 갖는다.As shown in FIG. 6, the oxide thin film transistors provided in the organic light emitting
이하에서는, 본 발명에 따른 유기발광 표시패널의 제조 방법이 간단히 설명된다. Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting display panel according to the present invention will be described in brief.
우선, 상기 기판(111) 상에 버퍼(112)가 증착된다. 상기 버퍼(112)는 이산화 규소(SiO2)를 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 버퍼(112)는 절연막의 기능을 수행한다. 상기 버퍼(112)는 생략될 수 있다. First, a
다음, 저이동도, 즉, 상기 제1 이동도를 갖는 상기 제1 산화물 반도체(151)를 포함하는 상기 제1 채널(154)이 상기 버퍼(112) 상에 형성된다. Next, the
다음, 상기 제1 채널(154) 상에 상기 하단부 게이트 절연막(155)을 형성하기 위한 하단부 게이트 절연막 물질이 도포된다. 즉, 상기 하단부 게이트 절연막 물질은 상기 기판(111)의 전체 면에 도포된다. Next, a bottom gate insulating film material for forming the bottom
다음, 고이동도, 즉, 상기 제2 이동도를 갖는 상기 제2 산화물 반도체(161)를 포함하는 상기 제2 채널(164)이 상기 하단부 게이트 절연막 물질 상에 형성된다. 이 경우, 상기 제2 이동도와 상기 제3 이동도가 동일하다면, 상기 제3 산화물 반도체(171)를 포함하는 상기 제3 채널(174)이 상기 제2 채널(164)과 함께 상기 하단부 게이트 절연막 상에 형성될 수 있다. 상기 제3 이동도가 상기 제2 이동도와 다르다면, 상기 제3 산화물 반도체(171)를 포함하는 상기 제3 채널(174)은 상기 제2 채널(164)이 상기 버퍼(112) 상에 형성된 후 추가적인 공정을 통해 상기 버퍼(112) 상에 형성될 수 있다. Next, the
다음, 상기 제2 채널(164) 및 상기 하단부 게이트 절연막 물질 상에 상기 제2 게이트 절연막(167) 및 상단부 게이트 절연막(156)을 형성하기 위한 상단부 게이트 절연막 물질이 도포된다. Next, a top gate insulating film material for forming the second
이 경우, 상기 제3 채널(174) 상에도 상기 상단부 게이트 절연막 물질이 도포될 수 있다. 즉, 상기 상단부 게이트 절연막 물질은 상기 기판의 전체 면에 도포된다.In this case, the upper end gate insulating film material may also be coated on the
다음, 마스크를 이용한 식각 공정을 통해, 상기 하단부 게이트 절연막 물질 및 상기 상단부 게이트 절연막 물질이 식각되어, 상기 제1 게이트 절연막(157), 상기 제2 게이트 절연막(167) 및 상기 제3 게이트 절연막(177)이 형성된다. Next, the lower gate insulating film material and the upper gate insulating film material are etched through an etching process using a mask to form the first
상기 식각 공정을 통해 주입된 가스에 의해, 상기 제1 채널(154), 상기 제2 채널(164) 및 상기 제3 채널(174) 각각의 양쪽 끝단에 전자의 농도가 증가되며, 이에 따라, 상기 채널들의 양쪽 끝단은 전도도가 큰 금속으로 변경된다. The concentration of electrons is increased at both ends of each of the
이에 따라, 상기 제1 채널(154)에는, 상기 제1 산화물 반도체(151), 상기 제1 도체부(152) 및 상기 제2 도체부(153)가 형성된다.Accordingly, the
상기 제2 채널(164)에는, 상기 제2 산화물 반도체(161), 상기 제3 도체부(162) 및 상기 제4 도체부(163)가 형성된다.In the
상기 제3 채널(174)에는, 상기 제3 산화물 반도체(171), 상기 제5 도체부(172) 및 상기 제6 도체부(173)가 형성된다.In the
다음, 상기 제1 게이트 절연막(157), 상기 제2 게이트 절연막(167) 및 상기 제3 게이트 절연막(177) 상에, 상기 제1 게이트(150), 상기 제2 게이트(160) 및 상기 제3 게이트(170)가 형성된다.Next, the
상기한 바와 같이, 상기 제1 게이트(150), 상기 제2 게이트(160) 및 상기 제3 게이트(170)는 하나의 공정에서 하나의 마스크를 이용하여 동시에 형성될 수 있다.As described above, the
그러나, 상기 제1 게이트(150), 상기 제2 게이트(160) 및 상기 제3 게이트(170)는 독립적으로 형성될 수도 있다.However, the
예를 들어, 상기 제1 게이트 절연막(157)이 형성된 후에 상기 제1 게이트(150)가 형성될 수 있다. 또한, 상기 제1 게이트(150)가 형성된 후, 상기 제2 게이트 절연막(167) 및 상기 제3 게이트 절연막(177)이 형성되고, 이후에, 상기 제2 게이트(160) 및 상기 제3 게이트(170)가 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 게이트(150), 상기 제2 게이트(160) 및 상기 제3 게이트(170)는 서로 다른 층에 존재할 수도 있다. For example, after the first
다음, 상기 제1 게이트(150), 상기 제2 게이트(160), 상기 제3 게이트(170), 상기 제1 게이트 절연막(157), 상기 제2 게이트 절연막(167), 상기 제3 게이트 절연막(177) 및 상기 제1 도체부 내지 상기 제6 도체부들(152, 153, 162, 163, 172, 173)을 커버하도록 상기 절연막(113)이 증착된다.Next, the
다음, 상기 절연막(113) 상에, 상기 제1 내지 상기 제6 컨택홀들이 형성된다. Next, the first to sixth contact holes are formed on the insulating
다음, 제1 내지 상기 제6 컨택홀들을 통해, 상기 제1 내지 상기 제6 도체부들(152, 153, 162, 163, 172, 173)과 전기적으로 연결되는, 제1 내지 제6 전극들(158, 159, 168, 169, 178, 179)이 형성된다. The first to sixth electrodes 158 (158), which are electrically connected to the first to
다음, 상기 절연막(113)과 상기 제1 내지 상기 제6 전극들(152, 153, 162, 163, 172, 173)을 커버하는 상기 보호막(114)이 증착된다. 상기 보호막(114)은 상기 트랜지스터들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 보호막(114)은 상기 트랜지스터들(Tdr, Tsw1, Tsw2, Tg)의 상단을 평탄화시키는 기능을 수행할 수도 있다.Next, the
상기 보호막(114)은 유기물로 구성될 수 있다. 또한, 상기 보호막(114)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 두 개 이상의 층들 각각은 유기물 또는 무기물로 구성될 수 있다. The
마지막으로, 상기 보호막(114) 상에, 상기 유기발광다이오드(OLED) 및 상기 뱅크(115)가 형성된다.Finally, the organic light emitting diode OLED and the
상기 유기발광다이오드(OLED)는, 상기 구동 트랜지스터(Tdr)의 상기 제1 전극(158)과 연결되는 애노드(183), 상기 애노드(183) 상에 형성되며 광을 출력하는 발광층(182) 및 캐소드(181)를 포함한다. The organic light emitting diode OLED includes an
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
100 : 유기발광 표시패널
110 : 픽셀
200 : 게이트 드라이버
300 : 데이터 드라이버
400 : 제어부100: organic light emitting display panel 110: pixel
200: gate driver 300: data driver
400:
Claims (7)
상기 표시영역의 외곽에 배치되는 비표시영역을 포함하고,
상기 비표시영역 중 제1 비표시부에는 상기 표시영역에 구비된 픽셀들로 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버가 구비되고, 상기 표시영역에는 픽셀들이 구비되고,
상기 픽셀들 각각에는,
유기발광다이오드;
상기 유기발광다이오드와 연결된 구동 트랜지스터; 및
상기 구동 트랜지스터의 게이트와 데이터 라인 사이에 구비되며, 게이트 라인을 통해 공급되는 게이트 신호에 의해 턴온 또는 턴오프되는 스위칭 트랜지스터를 포함하고,
상기 구동 트랜지스터는 제1 이동도를 갖는 제1 산화물 반도체로 구성되며,
상기 스위칭 트랜지스터는 상기 제1 이동도 보다 큰 이동도를 갖는 제2 산화물 반도체로 구성되는 유기발광 표시패널.A display area in which an image is displayed; And
And a non-display area disposed on an outer periphery of the display area,
Wherein the first non-display portion of the non-display region is provided with a gate driver for supplying gate signals to the pixels provided in the display region, pixels are provided in the display region,
In each of the pixels,
Organic light emitting diodes;
A driving transistor connected to the organic light emitting diode; And
And a switching transistor provided between the gate of the driving transistor and the data line and being turned on or off by a gate signal supplied through the gate line,
Wherein the driving transistor is composed of a first oxide semiconductor having a first mobility,
Wherein the switching transistor is composed of a second oxide semiconductor having a mobility higher than the first mobility.
상기 제1 산화물 반도체 상단에 구비되는 제1 게이트 절연막의 두께는, 상기 제2 산화물 반도체 상단에 구비되는 제2 게이트 절연막의 두께보다 두꺼운 유기발광 표시패널.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the first gate insulating layer provided on the upper end of the first oxide semiconductor is greater than a thickness of the second gate insulating layer provided on the upper end of the second oxide semiconductor.
상기 구동 트랜지스터와 상기 유기발광다이오드 사이의 노드 및 센싱 라인 사이에 연결되며, 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압 센싱에 적용되는 센싱 트랜지스터를 더 포함하며,
상기 센싱 트랜지스터는 상기 제2 산화물 반도체로 구성되는 유기발광 표시패널.The method according to claim 1,
Further comprising a sensing transistor connected between a node between the driving transistor and the organic light emitting diode and a sensing line, the sensing transistor being applied to threshold voltage sensing of the driving transistor,
Wherein the sensing transistor is formed of the second oxide semiconductor.
상기 게이트 드라이버는, 상기 픽셀들과 연결된 게이트 라인들로 게이트 신호를 공급하는 스테이지들을 포함하고,
상기 스테이지들 각각은 게이트 신호용 트랜지스터들을 포함하며,
상기 게이트 신호용 트랜지스터들은 상기 제1 이동도 보다 큰 제3 이동도를 갖는 제3 산화물 반도체로 구성되는 유기발광 표시패널.The method according to claim 1,
The gate driver including stages for supplying a gate signal to gate lines connected to the pixels,
Each of the stages including transistors for a gate signal,
Wherein the gate signal transistors are composed of a third oxide semiconductor having a third mobility higher than the first mobility.
상기 제3 이동도는 상기 제2 이동도 보다 크거나 같은 유기발광 표시패널.5. The method of claim 4,
Wherein the third mobility is greater than or equal to the second mobility.
상기 제1 게이트 절연막은, 상기 제1 산화물 반도체 상에 구비되는 하단부 게이트 절연막 및 상기 하단부 게이트 절연막 상에 구비되는 상단부 게이트 절연막을 포함하고,
상기 제2 게이트 절연막은, 상기 상단부 게이트 절연막과 동일한 물질이며,
상기 제2 산화물 반도체의 하단에는 상기 하단부 게이트 절연막과 동일한 물질이 구비되는 유기발광 표시패널.3. The method of claim 2,
Wherein the first gate insulating film includes a lower end gate insulating film provided on the first oxide semiconductor and an upper end gate insulating film provided on the lower end gate insulating film,
The second gate insulating film is the same material as the upper gate insulating film,
And the second oxide semiconductor is provided at the lower end with the same material as the lower gate insulating layer.
상기 유기발광 표시패널에 구비된 데이터 라인들로 데이터 전압들을 공급하는 데이터 드라이버; 및
상기 유기발광 표시패널에 구비된 게이트 라인들로 게이트 신호들을 공급하는 게이트 드라이버를 포함하는 유기발광 표시장치.An organic light emitting display panel according to any one of claims 1 to 6;
A data driver for supplying data voltages to the data lines of the OLED display panel; And
And a gate driver for supplying gate signals to gate lines of the OLED display panel.
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