KR20180066951A - 기판 처리장치 - Google Patents

기판 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180066951A
KR20180066951A KR1020160168020A KR20160168020A KR20180066951A KR 20180066951 A KR20180066951 A KR 20180066951A KR 1020160168020 A KR1020160168020 A KR 1020160168020A KR 20160168020 A KR20160168020 A KR 20160168020A KR 20180066951 A KR20180066951 A KR 20180066951A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
recovery
exhaust gas
base
unit
Prior art date
Application number
KR1020160168020A
Other languages
English (en)
Inventor
이승훈
박지호
공운
배정현
Original Assignee
주식회사 제우스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제우스 filed Critical 주식회사 제우스
Priority to KR1020160168020A priority Critical patent/KR20180066951A/ko
Publication of KR20180066951A publication Critical patent/KR20180066951A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046Dry cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

기판 처리장치에 관한 발명이 개시된다. 개시된 기판 처리장치는, 기판을 지지하며 기판을 회전시키는 기판회전부와, 기판에 처리액을 공급하는 처리액공급부와, 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스를 회수하는 회수부를 포함하고, 회수부는, 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스가 유입되며 이동 가능하게 구비되는 이동회수부와, 이동회수부로부터 처리액과 배기가스를 전달받는 베이스부와, 베이스부에 수용되는 처리액을 배출하는 처리액배출부와, 이동회수부의 이동에 따라 개폐되는 배기유로가 형성되어 베이스부에 수용되는 배기가스를 배출하는 배기부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판 처리 과정에서 발생되는 처리액 및 배기가스 등을 분리하여 배출할 수 있는 기판 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 발광 다이오드(LED) 소자 또는 반도체 소자 등이 고밀도, 고집적화, 고성능화되고, 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨에 따라, 기판 표면을 식각하거나, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염물질을 세정하기 위한 기판 처리공정의 중요성이 커지고 있다.
기판을 식각하거나, 기판을 세정하는 기판 처리장치는 건식(Dry) 또는 습식(Wet) 처리방식 중 어느 하나의 방식으로 기판 표면을 처리한다. 특히, 습식 처리방식은 약액 등의 처리액을 이용한 처리방식으로써, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치식과 기판을 낱장 단위로 세정하는 매엽식으로 구분될 수 있다.
종래의 매엽식 기판 처리장치는, 기판회전부에 의해 지지된 상태에서 고속으로 회전되는 기판의 표면에 처리액을 분사하는 방식으로 기판을 처리하게 되는데, 기판 처리과정에서 배출되는 처리액과 배기가스 등이 섞인 상태로 회수되기 때문에, 처리액과 배기가스를 분리하는 과정이 추가로 필요하고, 순차적으로 주입되는 처리액 등이 혼입되는 문제점이 있다. 따라서 이를 개선할 필요성이 요청된다.
본 발명의 배경 기술은, 대한민국 공개특허공보 제10-2013-0142033호(2013.12.27 공개, 발명의 명칭: 기판 처리 장치)에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로, 기판을 처리하면서 발생되는 배기가스와 처리액의 배출을 원활하게 하고, 배기가스와 처리액을 분리하며, 이종의 처리액 등의 혼입을 방지할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 기판 처리장치는: 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 기판회전부; 상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액공급부; 및 상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스를 회수하는 회수부;를 포함하고, 상기 회수부는, 상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스가 유입되며, 이동 가능하게 구비되는 이동회수부; 상기 이동회수부로부터 처리액과 배기가스를 전달받는 베이스부; 상기 베이스부에 수용되는 처리액을 배출하는 처리액배출부; 및 상기 이동회수부의 이동에 따라 개폐되는 배기유로가 형성되어 상기 베이스부에 수용되는 배기가스를 배출하는 배기부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 이동회수부는, 상기 기판회전부를 둘러싸며, 이동 가능하게 구비되는 외측회수부; 및 상기 외측회수부와 상기 기판회전부 사이에 위치하며, 이동에 따라 상기 배기유로를 개폐하는 내측회수부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 내측회수부는, 상기 기판회전부를 이격되게 둘러싸는 내측회수벽부; 상기 내측회수벽부에 연결되며, 내측회수홀부가 형성되어 처리액과 배기가스가 상기 베이스부에 전달되도록 하는 내측회수연통부; 및 상기 내측회수연통부에 연결되며, 이동에 따라 상기 배기유로를 차단하는 내측차단부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 내측차단부는, 상기 내측회수연통부의 내측 단부에 위치하여, 상기 내측회수연통부가 하측으로 이동하면, 상기 배기유로를 차단하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 내측회수부는, 상기 내측회수벽부에서 상기 기판회전부의 회전중심 측으로 상향 경사지게 형성되어, 상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스의 이동을 상기 내측회수벽부의 내측으로 안내하는 내측회수안내부;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 내측회수안내부는, 내주면에 돌출 형성되어 상기 기판에서 배출되는 처리액과 배기가스가 상기 기판 측으로 역류하는 것을 방지하는 내측역류방지부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 베이스부는, 상기 배기유로 및 상기 처리액배출부와 연통되는 베이스수용부; 및 상기 배기부와 이격되게 위치하여, 상기 배기부와의 사이에 상기 이동회수부가 이동 가능하게 수용되는 베이스벽부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 베이스수용부는, 상기 외측회수부가 이동 가능하게 수용되는 외측베이스수용부; 및 상기 내측회수부가 이동 가능하게 수용되는 내측베이스수용부;를 포함하고, 상기 배기유로는, 복수 개가 형성되어 상기 외측베이스수용부와 상기 내측베이스수용부에 각각 연결되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 처리액배출부는, 상기 베이스수용부의 하측면을 관통하여 연통되고, 상기 베이스수용부의 하측면은 상기 처리액배출부를 향하여 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리장치는, 기판을 처리하면서 발생되는 배기가스와 처리액의 배출을 원활하게 하고, 배기가스와 처리액을 분리하며, 이종의 처리액 등의 혼입을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 이동회수부를 베이스부와 구분하여 이동시키고, 고정된 상태의 베이스부에 처리액배출부 등을 연결하므로 장치의 구성이 간단하여 조립 및 관리가 용이하고 내구성이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 'A'를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 외측회수안내부와 내측회수안내부를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부, 제2내측회수부 및 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 'B'를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부가 하강하고, 제2내측회수부 및 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 'C'를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부 및 제2내측회수부가 하강하고, 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 7의 'D'를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 기판 처리장치의 일 실시예를 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.
또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 'A'를 나타내는 도면이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판 처리장치(1)는 기판회전부(100), 처리액공급부(200) 및 회수부(300)를 포함하여, 기판(10)의 처리 과정에서 기판(10)에서 처리되는 처리액 및 배기가스 등을 분리하여 회수한다.
처리액은 기판(10)의 식각, 세정 등을 수행하기 위하여 처리액공급부(200), 예를 들어 노즐로부터 기판(10)에 공급될 수 있다. 이러한 노즐은 기판(10)의 형상, 처리 공정 등에 따라 분사되는 위치, 각도 등이 달라질 수 있다.
예를 들어 노즐은 기판(10)의 대략 중앙에서 상측으로 이격되게 위치하며, 소정 각도 기울어진 상태에서 기판(10)에 처리액을 분사하는 방식으로, 기판(10)에 처리액을 공급할 수 있다.
기판(10)에 분사되는 처리액은 복수 종류의 약액, 즉 제1약액과 제2약액, 그리고 순수 등으로 예시될 수 있으며, 제1약액, 제2약액 및 순수 등의 순서로 기판(10)에 공급될 수 있다.
본 실시예에서 노즐은 복수 개가 구비되어, 순차적으로 공급되는 처리액이 섞이는 것을 방지할 수 있으며, 각각의 처리액을 기판(10)의 소정 위치에 분사하기 위하여 노즐이동부(미도시) 등에 의하여 기판(10)과 이격된 상태에서, 기판(10)에 대하여 이동 가능하게 구비될 수 있다.
기판회전부(100)는 기판(10)을 대략 수평 상태로 지지하며, 기판(10)을 회전시킨다. 본 실시예에서 기판회전부(100)는 기판안착부(110) 및 안착회전부(130)를 포함한다.
기판안착부(110)는 회전테이블(111) 및 기판고정부(113)를 포함하여 기판(10)을 지지한다. 회전테이블(111)은 기판(10)의 형상에 대응하는 형상으로 형성되며 기판(10)과 이격되게 구비된다. 기판고정부(113)는 회전테이블(111)에 구비되며 기판(10)에 접하여 기판(10)을 고정한다.
안착회전부(130)는 전원이 인가되면 회전력을 발생시키는 회전구동부(131)와, 회전구동부(131)와 회전테이블(111)을 연결하여, 회전구동부(131)의 구동 시 회전테이블(111)이 회전되도록 하는 회전축부(133)를 포함하여 기판(10)이 안착된 상태에서 기판안착부(110)를 회전시킨다.
처리액이 기판(10)의 하측에서 기판(10)에 분사되는 경우, 노즐은 기판안착부(110) 또는 안착회전부(130)에 구비될 수 있다.
처리액공급부(200)는 기판(10)에 처리액을 공급한다. 본 실시예에서 처리액공급부(200)는 노즐로 예시되며 복수 종류의 처리액을 개별적으로 공급하기 위하여 처리액의 종류에 대응하여 복수 개 구비될 수 있다.
기판(10)이 회전되는 상태에서 처리액공급부(200)에 의하여 기판(10)의 대략 중심에 처리액이 공급되므로 기판(10)에 공급된 처리액은 기판(10)의 중심부로부터 기판(10)의 반경 방향으로 분산 이동되면서 기판(10)의 식각, 세정 등을 수행하게 된다.
회수부(300)는, 기판(10)의 회전 시 원심력 등에 의하여 기판(10)에서 분리되는, 처리액과 배기가스를 수용한다. 본 실시예에서 회수부(300)는 이동회수부(310), 베이스부(330), 처리액배출부(350) 및 배기부(370)를 포함한다.
이동회수부(310)에는 기판(10)에서 처리되는 처리액과 배기가스가 유입되며, 상하 방향으로 이동 가능하게 구비된다. 본 실시예에서 이동회수부(310)는 외측회수부(311) 및 내측회수부(313)를 포함한다.
외측회수부(311)는 기판회전부(100)를 둘러싸며, 하단부가 베이스부(330)에 수용된 상태에서 외측승강부(미도시) 등에 의하여 상하 방향으로 이동 가능하게 구비되어 기판(10)에서 처리되는 처리액 및 배기가스가 베이스부(330), 구체적으로 외측베이스수용부(332)에 전달되도록 한다. 본 실시예에서 외측회수부(311)는 외측회수벽부(3111) 및 외측회수연통부(3112)를 포함한다.
외측회수벽부(3111)는 기판회전부(100)를 이격되게 둘러싸도록 구비되는 대략 원통 형상의 회전체로 형성되며, 기판회전부(100)와의 사이에 내측회수부(313)가 위치한다.
본 실시예에서 외측회수벽부(3111)는 내측회수부(313)가 하측으로 이동되고, 외측회수벽부(3111)가 상측으로 이동한 상태에서, 기판(10)에서 처리되는 처리액 또는 배기가스가 기판 처리장치(1)의 외부로 이탈하는 것을 차단하고, 차단된 처리액 및 배기가스의 이동을, 하측에 위치한 베이스부(330), 구체적으로 외측베이스수용부(332) 측으로 안내한다.
외측회수연통부(3112)는 외측회수벽부(3111)의 대략 하단 내주면에 연결되며 외측회수홀부(3113)가 형성되어, 외측회수벽부(3111)에 의하여 하측으로 이동하는 처리액 또는 배기가스가 베이스부(330)에 전달될 수 있도록 한다.
외측회수연통부(3112)의 형상은 처리액 또는 배기가스가 베이스부(330) 측으로 이동될 수 있도록 하는 기술 사상 안에서 다양한 형상의 적용이 가능하며, 기판회전부(100)의 회전중심을 기준으로 등각도로 배열될 수 있다.
본 실시예에서 외측회수부(311)는 외측회수안내부(3117)를 더 포함할 수 있다. 외측회수벽부(3111)에서 기판회전부(100)의 회전중심(101) 측으로 상향 경사지게 형성되어, 기판(10)에서 처리되는 처리액과 배기가스가 외측회수벽부(3111)의 상측으로 이동하는 것을 차단하고, 처리액과 배기가스가 베이스부(330) 측으로 이동되도록 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 외측회수안내부와 내측회수안내부를 나타내는 도면이다. 도 2 및 3을 참조하면, 본 실시예에서 외측회수안내부(3117)에는 상단부의 내주면에 외측역류방지부(3118)가 돌출 형성되어, 기판(10)에서 배출되어 내측회수부(313)와 외측회수안내부(3117) 사이로 진입한 처리액 또는 배기가스가 기판(10) 측으로 역류하는 것을 방지한다.
예를 들어 배기가스가 기판(10)의 회전 시 발생되는 원심력 또는, 외부에서 공급되는 유체의 흐름 등에 의하여 내측회수부(313)와 외측회수안내부(3117) 사이로 진입된 이후에도, 이동회수부(310)의 이동, 베이스부(330) 내부의 압력 변화 등에 의하여 상향 이동될 수 있다.
이때 외측역류방지부(3118)는 역류하는 배기가스 또는 처리액이 외측역류방지부(3118)에 걸리도록 하여 이동을 제한, 방향을 전환하거나, 배기가스 등이 외측역류방지부(3118)에 접촉할 때, 액화되어 베이스부(330) 측으로 이동할 수 있도록 한다.
또한, 외측역류방지부(3118)는 이웃하는 내측회수부(313)가 함께 상승위치에 있거나, 함께 하강위치에 있는 경우, 외측회수부(311)와 내측회수부(313) 사이의 간격을 줄여 처리액, 배기가스 등이 해당 간격으로 유입되는 것을 줄일 수 있다.
이러한 외측역류방지부(3118)는 기판회전부(100)와의 간격, 배출되는 처리액 및 배기가스의 성분, 유량 등을 고려하여 형상, 배열 등이 달라질 수 있으며, 복수 개가 구비되어 외측회수안내부(3117)의 내측면을 따라 배열될 수도 있다(도 3의 (b) 참조).
내측회수부(313)는 외측회수부(311)와 기판회전부(100) 사이에 위치하여, 내측승강부(미도시)에 의하여 승강 이동되며, 이동에 따라 배기유로(371)를 개폐한다. 본 실시예에서 내측회수부(313)는 내측회수벽부(3131), 내측회수연통부(3132) 및 내측차단부(3135)를 포함한다.
내측회수벽부(3131)는 기판회전부(100)를 이격되게 둘러싸며, 기판(10)에서 처리되는 처리액 또는 배기가스의 이동을 베이스부(330) 측으로 안내한다.
내측회수연통부(3132)는 내측회수벽부(3131)에 연결되며, 내측회수홀부(3133)가 형성되어, 처리액 또는 배기가스가 베이스부(330) 측으로 이동될 수 있도록 한다.
내측차단부(3135)는 내측회수연통부(3132)의 내측에 연결되며, 이동에 따라 배기유로(371)를 덮는 방식으로 배기유로(371)를 차단하여, 배기가스가 배기유로(371)를 통하여 베이스부(330)에서 배출되는 것을 제한한다.
내측차단부(3135)가 이동하여 복수 개의 배기유로(371) 중 특정 배기유로(371)를 차단하여, 개방된 배기유로(371)에 배기압을 집중시킴으로써 개방된 해당 배기유로(371)를 통한 배기효율이 증대된다.
따라서 배기가스의 배출 효율이 증대되므로 배기가스의 역류 등에 의한 기판(10)의 재오염 등을 방지할 수 있으며, 신속한 배기 공정을 수행하여, 동일한 배기조건에서 보다 효과적인 배기공정을 수행할 수 있다. 따라서 배기가스의 역류 등을 방지하여 기판(10) 주변부의 청정도를 유지 할 수 있다.
본 실시예에서 내측회수부(313)는, 내측회수안내부(3137)를 더 포함할 수 있다. 내측회수안내부(3137)는 내측회수벽부(3131)에서 기판회전부(100)의 회전중심 측으로 상향 경사지게 형성되어, 기판(10)에서 처리되는 처리액과 배기가스의 이동을 내측회수벽부(3131)의 내측으로 안내한다.
본 실시예에서 내측회수안내부(3137)는 내주면에 상술한 내측역류방지부(3138)가 돌출 형성되어 기판(10)에서 분리 배출되는 처리액과 배기가스가 기판(10) 측으로 역류하는 것을 방지할 수 있다(도 3 참조).
예를 들어 배기가스가 기판(10)의 회전 시 발생되는 원심력 또는, 처리액 등의 배출을 위하여 외부에서 공급되는 유체의 흐름 등에 의하여 내측회수부(313)와 기판회전부(100) 또는, 이웃하는 내측회수부(313) 사이에 진입하게 되는데, 이동회수부(310)의 이동, 베이스부(330) 내부의 압력 변화 등에 의하여 상향 이동될 수 있다.
이 때, 내측역류방지부(3138)는 역류하는 배기가스 또는 처리액의 이동을 제한, 이동 방향을 전환하거나, 배기가스가 내측역류방지부(3138)에 접촉할 때 액화되도록 하여, 역류하는 배기가스 등이 기판(10)을 오염시키는 것을 차단하게 된다.
또한, 내측역류방지부(3138)는, 내측회수부(313)가 하강한 경우 기판회전부(100)와의 간격을 줄이거나, 이웃하는 내측회수부(313)가 함께 상승위치에 있거나, 또는 함께 하강위치에 위치하는 경우, 또는 이웃하는 내측회수부(313) 사이의 간격을 줄여 처리액, 배기가스 등이 해당 간극으로 유입되는 것을 줄일 수 있다.
이러한 내측역류방지부(3138)는 기판회전부(100)와의 간격, 배출되는 처리액 및 배기가스의 성분, 유량 등을 고려하여 형상, 배열 등이 달라질 수 있으며, 복수 개가 구비되어 내측회수안내부(3137)의 내측면을 따라 배열될 수도 있다(도 3의 (b) 참조).
본 실시예에서 내측회수부(313)는 복수 개가 구비되어 기판회전부(100)의 반경방향으로 배열될 수 있다. 설명의 편의를 위하여 2개의 내측회수부(313)가 구비되는 경우를 가정하여 설명하면, 내측회수부(313)는 기판회전부(100)의 회전중심으로부터 가까운 순서대로 제1내측회수부(313a)와 제2내측회수부(313b)로 예시될 수 있으며, 각각 제1내측승강부(미도시) 및 제2내측승강부(미도시)에 의하여 개별적으로 승강될 수 있다.
이로써, 제1내측회수부(313a), 제2내측회수부(313b) 및 외측회수부(311)는 기판회전부(100)의 회전중심(101)으로부터 멀어지는 순서로 배열되며, 베이스부(330)는 제1내측회수부(313a), 제2내측회수부(313b) 및 외측회수부(311)를 각각 분리된 공간에서 수용한다.
베이스부(330)의 각각의 분리된 공간에는 배기유로(371)가 대응되게 구비되어, 제1내측회수부(313a), 제2내측회수부(313b) 및 외측회수부(311)에 유입된 처리액, 배기가스 등이 섞이는 것을 방지한다.
베이스부(330)는 이동회수부(310)로부터 처리액과 배기가스를 전달받는다. 본 실시예에서 베이스부(330)는 베이스수용부(331) 및 베이스벽부(335)를 포함한다.
베이스수용부(331)는 측면이 배기유로(371)를 통하여 배기부(370)에 연통되어 배기가스가 배기유로(371)를 통하여 배기부(370)에 전달되고, 하측면에 처리액배출부(350)가 연결되어, 내부에 수용된 처리액은 처리액배출부(350)를 통하여 외부로 배출된다.
베이스수용부(331)의 하측면은 처리액배출부(350)를 향하여 하향 경사지게 형성되어, 베이스수용부(331)에 수용된 처리액이 자중에 의하여 처리액배출부(350) 측으로 이동하도록 함으로써, 처리액이 베이스수용부(331)에 잔류하는 것을 방지한다.
본 실시예에서 베이스수용부(331)는, 외측베이스수용부(332)와 내측베이스수용부(333)를 포함하여, 외측회수부(311)와 내측회수부(313)를 각각 수용한다.
특히, 내측회수부(313)가 복수 개 구비되는 경우, 예를 들어 제1내측회수부(313a)와 제2내측회수부(313b)로 구비되는 경우에는 제1내측베이스수용부(333a)와 제2내측베이스수용부(333b)가 각각 제1내측회수부(313a)와 제2내측회수부(313b)를 수용하게 된다.
이러한 제1내측베이스수용부(333a)와 제2내측베이스수용부(333b)는 대략 상하 방향으로 연장 형성되는 제1베이스벽부(335a)에 의하여 구획되어, 제1내측베이스수용부(333a) 또는 제2내측베이스수용부(333b)에 수용되는 처리액 또는 배기가스가 혼입되는 것을 방지한다.
또한, 제2내측베이스수용부(333b)와 외측베이스수용부(332)는 대략 상하 방향으로 연장 형성되는 제2베이스벽부(335b)에 의하여 구획되어, 제2내측베이스수용부(333b) 또는 외측회수부(311)에 수용되는 처리액 또는 배기가스가 섞이는 것을 방지한다.
베이스부(330)의 최외곽벽인 제3베이스벽부(335c)는 베이스부(330)의 둘레 면의 일부를 형성하고, 외측베이스수용부(332)에 수용된 처리액 및 배기가스가 외측베이스수용부(332)의 측방, 또는 상방으로 배출되는 것을 차단한다.
처리액배출부(350)는 베이스부(330)에 수용되는 처리액을 배출한다. 본 실시예에서 처리액배출부(350)는 이동회수부(310)의 개수에 대응하여 복수 개가 구비되며, 각각의 베이스수용부(331), 예를 들어 제1내측베이스수용부(333a), 제2내측베이스수용부(333b) 및 외측베이스수용부(332)의 하측면을 관통하는 방식으로 연통되어, 각각의 베이스수용부(331)에 유입되는 처리액을 배출한다.
배기부(370)는 이동회수부(310)의 이동에 따라 개폐되는 배기유로(371)가 형성되어, 베이스부(330)에 수용되는 배기가스를 배출한다. 본 실시예에서 배기유로(371)는 상술한 바와 같이 복수 개가 구비되어 복수 개의 베이스수용부(331) 각각에 연통된다.
예를 들어 배기유로(371) 상측으로부터 제1배기유로(371a), 제2배기유로(371b) 및 제3배기유로(371c)로 예시되며, 각각 제1내측베이스수용부(333a), 제2내측베이스수용부(333b) 및 제3내측베이스수용부(333)에 연통된다.
제1배기유로(371a)는 제1내측회수부(313a)가 하강 상태에 있을 때, 제1내측회수부(313a)의 내측차단부(3135)에 의하여 차단되어, 제1배기유로(371a)를 통한 배기가스의 배출이 차단되며, 제2배기유로(371b)는 제2내측회수부(313b)가 하강 상태에 있을 때, 제2내측회수부(313b)의 내측차단부(3135)에 의하여 차단되어 제2배기유로(371b)를 통한 배기가스의 배출이 차단된다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치(1)의 작동원리 및 효과를 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부, 제2내측회수부 및 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판(10)을 기판회전부(100)에 안착한 상태에서, 제1내측승강부, 제2내측승강부 및 외측승강부를 이용하여 제1내측회수부(313a), 제2내측회수부(313b) 및 외측회수부(311)를 모두 상승 이동시켜 기판(10)에서 처리되는 처리액 등이 제1내측회수부(313a)에 수용되도록 한다.
도 5는 도 4의 'B'를 나타내는 도면이다. 도 5를 참조하면, 회수부(300)가 모두 상승한 상태에서, 기판(10)을 회전시키면, 처리액공급부(200)에서 제1약액을 기판(10)의 대략 중간부에 분사한다. 기판(10)의 회전에 의하여 발생되는 원심력에 의하여 제1약액은 기판(10)의 중심부에서, 기판(10)의 반경 방향으로 이동되고 기판(10)으로부터 분리되어 기판(10)의 외측으로 배출된다.
기판(10)의 외측으로 분리되는 제1약액 및 배기가스는 제1내측회수부(313a)의 내측회수안내부(3137) 및 내측회수벽부(3131)에 의하여 하측으로 이동이 안내된다. 제1약액의 경우 제1내측회수부(313a)의 내측회수연통부(3132)를 통하여 제1내측베이스수용부(333a)에 수용된 후 제1처리액배출부(350a)에 의하여 장치의 외부로 배출된다.
배기가스의 경우, 내측회수연통부(3132)를 관통하여 제1내측베이스수용부(333a)에 전달되거나, 제1내측회수부(313a)의 내측면인 내측차단부(3135)와 배기부(370) 사이로 이동하여 제1내측베이스수용부(333a)에 진입된 후 음압이 형성된 상태의 제1배기유로(371a)를 통하여 배기된다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부가 하강하고, 제2내측회수부 및 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 제1약액에 의한 처리 및, 배기가스, 제1약액의 배출이 완료되면, 제1내측승강부에 의하여 제1내측회수부(313a)가 하강한다.
제1내측회수부(313a)가 하강하면 제1내측회수부(313a)와 제2내측회수부(313b) 사이의 유로가 확장되고, 동시에 제1내측회수부(313a)에 의하여 제1배기유로(371a)가 차단된다. 제1배기유로(371a)가 차단된 상태에서 기판(10)이 회전될 때, 제2약액이 공급된다.
도 7은 도 6의 'C'를 나타내는 도면이다. 도 7을 참조하면, 기판(10)에서 처리되는 처리액인 제2약액은 원심력에 의하여 기판(10)의 반경 방향으로 퍼져나가게 되며, 기판(10)에서 분리되어 기판(10)의 외측으로 배출된다.
기판(10)의 외측으로 분리되는 제2약액 및 배기가스는 제1내측회수부(313a)와 제2내측회수부(313b)의 사이로 진입하여 제2내측베이스수용부(333b)로 안내된다.
제2약액의 경우 제2내측회수부(313b)의 내측회수연통부(3132)를 통하여 제2내측베이스수용부(333b)에 수용된 후 제2처리액배출부(350b)에 의하여 장치의 외부로 배출된다.
배기가스의 경우, 제2내측회수부(313b)의 내측회수연통부(3132)를 관통하여 제2내측베이스수용부(333b)에 전달된 후, 음압이 형성된 상태의 제2배기유로(371b)를 통하여 배기된다.
상술한 바와 같이, 복수 개의 배기유로(371) 중 일부의 배기유로(371) 만이 차단된 상태에서 이동회수부(310)가 이동되므로, 처리액 및 배기가스가 수용되는 베이스수용부(331) 영역을 제외한, 베이스수용부(331) 등의 공간과 개방된 배기유로(371) 등으로 형성되는 공간은 이동회수부(310)가 이동될 때, 베이스수용부(331) 내부의 압력과 배기압력의 변동을 줄이는 버퍼 역할을 하게 된다. 또한 기판회전부(100)와, 제1내측회수부(313a)의 내측회수안내부(3137) 사이에 형성된 유로가 차단되므로, 해당 간격으로 유입되는 처리액의 양을 최소화하여 처리액이 혼입되는 것을 방지 할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치에서 제1내측회수부 및 제2내측회수부가 하강하고, 외측회수부가 상승한 상태를 나타내는 도면이다. 도 8을 참조하면, 제2약액에 의한 처리 및, 배기가스, 제2약액의 배출이 완료되면, 제2내측승강부에 의하여 제2내측회수부(313b)가 하강한다.
제2내측회수부(313b)가 하강하면 제2내측회수부(313b)와 외측회수부(311) 사이의 유로가 확장되고, 동시에 제2내측회수부(313b)에 의하여 제2배기유로(371b)가 차단된다. 결국 제1내측회수부(313a) 및 제2내측회수부(313b)에 의하여 제1배기유로(371a)와 제2배기유로(371b)가 차단된 상태에서 기판(10)이 회전될 때, 순수가 기판(10)에 공급된다. 또한 기판회전부(100)와, 제2내측회수부(313b)의 내측회수안내부(3137)의 사이에 형성된 유로가 차단되므로, 해당 간격으로 유입되는 처리액의 양을 최소화하여 처리액이 혼입되는 것을 방지 할 수 있다.
도 9는 도 8의 'D'를 나타내는 도면이다. 도 9를 참조하면, 기판(10)에서 처리되는 처리액인 순수는 원심력에 의하여 기판(10)의 반경 방향으로 퍼져나가게 되며, 기판(10)에서 분리되어 기판(10)의 외측으로 배출된다.
기판(10)의 외측으로 분리되는 순수 및 배기가스는 제2내측회수부(313b)와 외측회수부(311)의 사이로 진입하여 외측베이스수용부(332)로 안내된다.
순수의 경우 외측회수연통부(3112)를 통하여 외측베이스수용부(332)에 수용된 후 제3처리액배출부(350c)에 의하여 장치의 외부로 배출된다.
배기가스의 경우, 외측회수연통부(3112)를 관통하여 제3내측베이스수용부(333)에 전달된 후, 음압이 형성된 상태의 제3배기유로(371c)를 통하여 배기된다.
이로써, 본 실시예에 따른 기판 처리장치(1)는, 기판(10)을 처리하면서 발생되는 배기가스와 처리액의 배출을 원활하게 하고, 배기가스와 처리액을 분리하며, 이종의 처리액 등의 혼입을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 처리장치(1)는 이동회수부(310)를 베이스부(330)와 구분하여 이동시키고, 고정된 상태의 베이스부(330)에 처리액배출부(350) 등을 연결하므로 장치의 구성이 간단하고 내구성이 향상된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서 본 발명의 기술적 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
1: 기판 처리장치 10: 기판
100: 기판회전부 101: 회전중심
110: 기판안착부 111: 회전테이블
113: 기판고정부 130: 안착회전부
131: 회전구동부 133: 회전축부
200: 처리액공급부 300: 회수부
310: 이동회수부 311: 외측회수부
3111: 외측회수벽부 3112: 외측회수연통부
3113: 외측회수홀부 3117: 외측회수안내부
3118: 외측역류방지부 313: 내측회수부
3131: 내측회수벽부 3132: 내측회수연통부
3133: 내측회수홀부 3135: 내측차단부
3137: 내측회수안내부 3138: 내측역류방지부
313a: 제1내측회수부 313b: 제2내측회수부
330: 베이스부 331: 베이스수용부
332: 외측베이스수용부 333: 내측베이스수용부
333a: 제1내측베이스수용부 333b: 제2내측베이스수용부
335: 베이스벽부 335a: 제1베이스벽부
335b: 제2베이스벽부 335c: 제3베이스벽부
350: 처리액배출부 350a: 제1처리액배출부
350b: 제2처리액배출부 350c: 제3처리액배출부
370: 배기부 371: 배기유로
371a; 제1배기유로 371b: 제2배기유로
371c: 제3배기유로

Claims (9)

  1. 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 기판회전부;
    상기 기판에 처리액을 공급하는 처리액공급부; 및
    상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스를 회수하는 회수부;를 포함하고,
    상기 회수부는, 상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스가 유입되며, 이동 가능하게 구비되는 이동회수부;
    상기 이동회수부로부터 처리액과 배기가스를 전달받는 베이스부;
    상기 베이스부에 수용되는 처리액을 배출하는 처리액배출부; 및
    상기 이동회수부의 이동에 따라 개폐되는 배기유로가 형성되어 상기 베이스부에 수용되는 배기가스를 배출하는 배기부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 이동회수부는,
    상기 기판회전부를 둘러싸며, 이동 가능하게 구비되는 외측회수부; 및
    상기 외측회수부와 상기 기판회전부 사이에 위치하며, 이동에 따라 상기 배기유로를 개폐하는 내측회수부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 내측회수부는,
    상기 기판회전부를 이격되게 둘러싸는 내측회수벽부;
    상기 내측회수벽부에 연결되며, 내측회수홀부가 형성되어 처리액과 배기가스가 상기 베이스부에 전달되도록 하는 내측회수연통부; 및
    상기 내측회수연통부에 연결되며, 이동에 따라 상기 배기유로를 차단하는 내측차단부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 내측차단부는,
    상기 내측회수연통부의 내측 단부에 위치하여, 상기 내측회수연통부가 이동하면, 상기 배기유로를 차단하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 내측회수부는,
    상기 내측회수벽부에서 상기 기판회전부의 회전중심 측으로 상향 경사지게 형성되어, 상기 기판에서 처리되는 처리액과 배기가스의 이동을 상기 내측회수벽부의 내측으로 안내하는 내측회수안내부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 내측회수안내부는,
    내주면에 돌출 형성되어 상기 기판에서 배출되는 처리액과 배기가스가 상기 기판 측으로 역류하는 것을 방지하는 내측역류방지부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 베이스부는,
    상기 배기유로 및 상기 처리액배출부와 연통되는 베이스수용부; 및
    상기 배기부와 이격되게 위치하여, 상기 배기부와의 사이에 상기 이동회수부가 이동 가능하게 수용되는 베이스벽부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 베이스수용부는,
    상기 외측회수부가 이동 가능하게 수용되는 외측베이스수용부; 및
    상기 내측회수부가 이동 가능하게 수용되는 내측베이스수용부;를 포함하고,
    상기 배기유로는, 복수 개가 형성되어 상기 외측베이스수용부와 상기 내측베이스수용부에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 처리액배출부는,
    상기 베이스수용부의 하측면을 관통하여 연통되고, 상기 베이스수용부의 하측면은 상기 처리액배출부를 향하여 하향 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
KR1020160168020A 2016-12-09 2016-12-09 기판 처리장치 KR20180066951A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160168020A KR20180066951A (ko) 2016-12-09 2016-12-09 기판 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160168020A KR20180066951A (ko) 2016-12-09 2016-12-09 기판 처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180066951A true KR20180066951A (ko) 2018-06-20

Family

ID=62769542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160168020A KR20180066951A (ko) 2016-12-09 2016-12-09 기판 처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180066951A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029172A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 디바이스이엔지 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029172A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 디바이스이엔지 바울 조립체를 포함하는 기판 처리장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101819952B1 (ko) 기판 액처리 장치
US11158497B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100841498B1 (ko) 매엽식 기판세정장치
US7584760B2 (en) Substrate processing apparatus
KR100800204B1 (ko) 매엽식 기판세정방법 및 매엽식 기판세정장치
KR101566274B1 (ko) 2 유체 노즐, 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR101983897B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140052850A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI728346B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20170070812A (ko) 인 시츄 세정 능력을 가진 스핀 척
JPH11168078A (ja) 基板処理装置
KR100787996B1 (ko) 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법
KR101829975B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180066951A (ko) 기판 처리장치
KR100839912B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20190035549A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2004265910A (ja) 基板の処理液の分別回収装置及び該装置を備えた基板の処理装置、並びに基板の処理液の分別回収方法
KR101817212B1 (ko) 처리액 분사 유닛 및 기판 처리 장치
KR100897547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102346493B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180066953A (ko) 기판 처리장치
KR20180066952A (ko) 기판 처리장치
KR100757911B1 (ko) 웨이퍼의 액처리장치
KR100637720B1 (ko) 기판 처리 장치
KR100948419B1 (ko) 발광 다이오드 제조를 위한 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 스핀처리조 장치