KR20180064503A - 이방성 도전 필름, 그 제조 방법 및 접속 구조체 - Google Patents

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Abstract

이방성 도전 필름 (10) 은, 절연성 수지층 (1) 과, 복수의 도전 입자 (3) 가 존재하고 있는 도전 입자 함유층 (4) 이 적층된 구조를 갖는다. 그 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 은, 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층이다. 도전 입자 (3) 는, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있다. 이방성 도전 필름의 파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율은 40 ％ 이상이다.

Description

이방성 도전 필름, 그 제조 방법 및 접속 구조체
본 발명은 이방성 도전 필름, 그 제조 방법 및 접속 구조체에 관한 것이다.
IC 칩 등의 전자 부품을 표시 소자용의 투명 기판에 실장할 때에 이방성 도전 필름은 널리 사용되고 있고, 최근에는 고밀도 실장에 대한 적용 관점에서, 도전 입자 포착 효율이나 접속 신뢰성을 향상시키고, 쇼트 발생률을 저하시키기 위해서, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 상대적으로 층두께가 두껍고, 용융 점도가 낮은 절연성 수지층 (51) 과, 절연성 바인더 (52) 에 도전 입자 (53) 를 분산시킨, 상대적으로 층두께가 얇고, 용융 점도가 높은 도전 입자 함유층 (54) 을 적층한 2 층 구조의 이방성 도전 필름 (50) 이 사용되고 있다.
그런데, 이방성 도전 필름을 사용하여 접속 구조체를 이방성 도전 접속에 의해서 제조하는 경우, 제조 비용의 저감 등을 목적으로, 접속해야 할 기판으로서, 유리 기판에 비해서 유연성은 우수하기는 하지만 내열성이 낮은 플라스틱 기판을 사용하는 것이 시도되고 있다. 또, 유리 기판의 경우에 있어서도 박형화가 진행되고 있고, 저온에서의 실장을 위해서, 열과 에너지선을 조합한 실장 방법이 여러 가지로 검토되고 있다. 이 때문에, 이방성 도전 필름을 구성하는 절연성 바인더로서, 자외선 등의 광으로 저온에서도 중합하는 광 카티온 중합성 수지 조성물을 사용하고, 이방성 도전 접속시에, 투명 기판과, 광조사에 의해서 반경화된 이방성 도전 필름과, 전자 부품의 적층물에 대해서, 가열하면서 투명 기판측으로부터 자외선을 조사하여 본경화하는 것이 제안 (특허문헌 1, 단락 0040) 되어 있고, 이 기술을 전술한 2 층 구조의 이방성 도전 필름에 적용하는 것이 고려되고 있다. 이 경우, 반경화를 위한 광조사는, 비교적 두꺼운 절연성 수지층측으로부터 행해지고, 본경화를 위한 광조사는 투명 기판측 (즉 도전 입자 함유층측) 으로부터 행해지게 된다.
그러나, 특허문헌 1 의 기술을 전술한 2 층 구조의 이방성 도전 필름에 단순히 적용했을 경우, 광조사가 2 단계가 되는 것은 피할 수 없고, 이방성 도전 접속 조작이 번잡해져 접속 비용이 증대될 것이 예상된다.
이 때문에, 반경화를 위한 광조사를 생략한 데다가, 투명 기판에 대해서, 중합 전의 2 층 구조의 이방성 도전 필름을 절연성 수지층측부터 배치하고, 이방성 도전 필름의 도전 입자 함유층측에 전자 부품을 대향시켜 구성한 적층체를, 가압하면서 투명 기판측으로부터 광조사를 하는 것이 시도되고 있다.
일본 공개특허공보 2002-97443호
그러나, 도전 입자 함유층 중에 분산 혼합된 도전 입자의 일부는 응집체를 형성하기 때문에, 도전 입자 함유층에 생성된 입자 응집체에 의해서 투명 기판측으로부터 입사된 광이 차단되고, 이방성 도전 필름의 특히 절연성 수지층의 경화가 불균일해져, 결과적으로 입자 포착성이 저하되고, 장소에 따라서는 의도한 접속 강도를 확보 할 수 없어, 접속 신뢰성도 저하된다는 문제의 발생이 우려되고 있다.
본 발명의 과제는, 절연성 수지층과, 절연성 바인더 중에 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층이 적층된 이방성 도전 필름을 사용하여, 투명 기판과 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때, 이방성 도전 필름의 특히 절연성 수지층의 경화가 불균일해지지 않도록 함과 함께, 양호한 입자 포착성을 확보하여 어느 장소에서나 의도한 접속 강도를 확보할 수 있도록 하여, 더욱 접속 신뢰성의 저하를 방지할 수 있도록 하는 것에 있다.
본 발명자들은, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층을, 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 중합 전의 광중합성 수지 조성물의 층으로 구성함과 함께, 도전 입자를 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하도록 배치시키고, 게다가 파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율을 40 ％ 이상으로 함으로써, 상기 서술한 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은, 절연성 수지층과, 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층이 적층된 이방성 도전 필름에 있어서,
절연성 수지층과 도전 입자 함유층이, 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층이고,
도전 입자가, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있고,
파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율이 40 ％ 이상인 이방성 도전 필름을 제공한다.
또, 본 발명은, 상기 서술한 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층의 편면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는 제조 방법을 제공한다.
또, 본 발명은, 상기 서술한 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이하의 공정 A ∼ C :
(공정 A)
복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는 공정 ;
(공정 B)
전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성하는 공정 ; 및,
(공정 C)
도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는 공정을 갖는 제조 방법을 제공한다.
추가로, 본 발명은, 상기 서술한 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서, 이하의 공정 A, B, CC 및 D :
(공정 A)
복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는 공정 ;
(공정 B)
전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성하는 공정 ;
(공정 CC)
도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 비전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는 공정 ; 및
(공정 D)
절연성 수지층과 반대측의 도전 입자 함유층의 표면에 점착층을 형성하는 공정을 갖는 제조 방법을 제공한다.
덧붙여, 본 발명은, 상기 서술한 이방성 도전 필름으로 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 이방성 도전 접속한 접속 구조체를 제공한다.
절연성 수지층과, 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층이 적층된 구성을 갖는 본 발명의 이방성 도전 필름은, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층이, 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 중합 전의 광중합성 수지 조성물의 층이다. 따라서, 광 반경화 처리를 실시하지 않아도, 한 번의 광조사로 이방성 도전 접속이 가능해진다. 게다가, 도전 입자가, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있다. 즉, 도전 입자의 응집체가 존재하지 않는다. 이 때문에, 본 발명의 이방성 도전 필름을 이방성 도전 접속에 적용했을 때에, 광중합성 수지 조성물로 이루어지는 도전 입자 함유층을 거쳐 절연성 수지층으로의 광 입사가 개개의 도전 입자에 의해서 차단되기는 하지만, 도전 입자끼리의 사이를 통과한 광은 확산되어 가기 때문에, 결과적으로 이방성 도전 필름 (특히 절연성 수지층) 의 광중합을 균일한 것으로 하고, 양호한 입자 포착성을 확보할 수 있으며, 따라서 의도한 접속 강도를 확보할 수 있어, 더욱 접속 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 게다가, 본 발명의 이방성 도전 필름은, 파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율이 40 ％ 이상으로 되어 있기 때문에, 이방성 도전 필름 (특히 절연성 수지층) 의 광중합을 보다 균일한 것으로 하고, 양호한 접속 강도를 확보할 수 있어, 더욱 접속 신뢰성의 저하를 한층 더 방지할 수 있다.
도 1 은, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 2 는, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 3 은, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 4 는, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 5 는, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 6 은, 본원 발명의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
도 7 은, 종래의 이방성 도전 필름의 단면도이다.
이하, 본 발명의 이방성 도전 필름의 일례를 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면 중에서, 동일 부호는 동일 또는 동등한 구성 요소를 나타낸다.
《이방성 도전 필름의 전체 구성》
도 1 은, 본 발명의 일 실시예의 이방성 도전 필름 (10) 의 단면도이다. 이 이방성 도전 필름 (10) 은, 절연성 수지층 (1) 과 절연성 바인더 (2) 중에 복수의 도전 입자 (3) 가 존재하고 있는 도전 입자 함유층 (4) 이 적층된 구성을 갖고 있다.
본 발명에 있어서는, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 이 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층이다. 바꾸어 말하면, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 은, 광중합할 수 있는 상태인 것을 의미한다. 광중합할 수 있는 상태이면, 광 반경화 처리를 실시하지 않고, 한번의 광조사로 이방성 도전 접속이 가능해진다.
또, 본 발명의 이방성 도전 필름 (10) 에 있어서는, 도전 입자 (3) 가, 이방성 도전 필름 (10) 을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있다. 이 때문에, 이방성 도전 필름 (10) 에 대해서, 도전 입자 함유층 (4) 측으로부터 광조사를 행한 경우에, 절연성 수지층 (1) 전체를 양호하게 광중합시킬 수 있다. 여기서, "서로 독립적으로 존재" 란, 도전 입자 (3) 가 응집하지 않고 서로 비접촉이고, 게다가 필름 두께 방향으로도 중첩이 없는 상태를 의미한다. "비접촉" 의 정도는, 인접하는 도전 입자 (3) 의 중심 간 거리가 평균 입자경의 바람직하게는 1.5 ∼ 50 배, 보다 바람직하게는 2 ∼ 30 배이다. 또, "필름 두께 방향으로도 중첩이 없는 상태" 란, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때, 도전 입자가 다른 도전 입자와 서로 중첩되지 않는 것을 의미한다.
또한, 전체 도전 입자에 대한 "독립적으로 존재하고 있는 도전 입자"의 비율은, 95 ％ 이상이 바람직하고, 96 ％ 이상이 보다 바람직하며, 99 ％ 이상이 보다 더 바람직하다. 이 비율은, 금속 현미경이나 SEM 등에 의해서, 소정 면적 (예를 들어, 100 ㎛ × 200 ㎛ 의 영역을 복수 관측하고, 그 합계가 적어도 1 ㎟ 이상이 되는 면적, 바람직하게는 3 ㎟ 이상이 되는 면적) 의 화상을 관측하여 구해도 되고, 혹은 화상 해석 계측 시스템 (WinROOF, 미타니 상사 (주)) 등에 의해서 행할 수 있다.
도전 입자 (3) 는, 전술한 바와 같이, 이방성 도전 필름 (10) 을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있지만, 이방성 도전 필름 (10) 전체에 있어서의 균일한 광투과를 실현하기 위해서, 규칙 배열되어 있는 것이 바람직하다. 규칙 배열로는, 육각 격자, 사방 격자, 정방 격자, 사각형 격자, 평행체 격자 등을 들 수 있다. 또, 격자 형상이 아니고, 직선 상에 배열된 선상을 병렬로 형성한 것이어도 된다. 이 경우, 필름의 폭 방향을 사행 (斜行) 하도록 선이 존재하고 있는 것이 바람직하다. 선간 거리는 특별히 제한은 되지 않고, 규칙적이어도 되고 랜덤해도 되지만, 규칙성이 있는 것이 실용상 바람직하다.
또, 본 발명의 이방성 도전 필름 (10) 은, i 선을 포함하는 파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율이 40 ％ 이상, 바람직하게는 60 ％ 이상이다. 그 때문에, 이방성 도전 필름 (특히 절연성 수지층) 의 광중합을 보다 균일한 것으로 하고, 양호한 접속 강도를 확보할 수 있어, 더욱 접속 신뢰성의 저하를 방지할 수 있다. 여기서, 투과율을 측정할 때의 필름 두께는, 통상적으로 1 ∼ 100 ㎛, 바람직하게는 1 ∼ 40 ㎛ 이다. 또, 투과율은 공지된 분광 광도계로 측정할 수 있다.
도 1 의 양태에서는, 도전 입자 함유층 (4) 으로부터 도전 입자 (3) 의 일부가 절연성 수지층 (1) 으로 돌출되어 있다. 바꾸어 말하면, 도전 입자 (3) 가 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 계면에 존재하고 있다. 이 양태에 의하면, 도전 입자에 의한 광조사의 각 층으로의 영향을 최소한으로 할 수 있고, 이방성 도전 필름의 배합물이나 여러 가지의 물성, 경화제의 반응 활성이나 제품 라이프, 층의 두께 등, 설계 인자를 최적화하기 쉬워진다.
＜절연성 수지층 (1)＞
절연성 수지층 (1) 은, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층이다. 이방성 도전 접속시의 열가압에 의해서도 중합이 진행되도록 열중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합성 수지 조성물의 예로는, (메트)아크릴레이트 화합물과 광 라디칼 중합 개시제를 함유하는 광 라디칼 중합성 아크릴레이트계 조성물, 에폭시 화합물과 광 카티온 중합 개시제를 함유하는 광 카티온 중합성 에폭시계 수지 조성물 등을 들 수 있다. 전술한 바와 같이, 광 라디칼 중합 개시제를 사용할 경우, 열 라디칼 중합 개시제를 병용할 수 있다. 마찬가지로, 광 카티온 중합 개시제를 사용하는 경우, 열 카티온 중합 개시제를 병용할 수 있다.
여기서, (메트)아크릴레이트 화합물로는, 종래 공지된 광중합형 (메트)아크릴레이트 모노머를 사용할 수 있다. 예를 들어, 단관능 (메트)아크릴레이트계 모노머, 2 관능 이상의 다관능 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이방성 도전 접속시에 절연성 수지층을 열경화할 수 있도록, (메트)아크릴레이트계 모노머의 적어도 일부에 다관능 (메트)아크릴레이트계 모노머를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, (메트)아크릴레이트에는, 아크릴레이트와 메타크릴레이트가 포함된다.
광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 아세토페논계 광중합 개시제, 벤질케탈계 광중합 개시제, 인계 광중합 개시제 등의 공지된 중합 개시제를 들 수 있다.
광 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 중합을 충분히 진행시키고, 게다가 강성 저하를 억제하기 위해서, (메트)아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 0.1 ∼ 25 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 15 질량부이다.
광 라디칼 중합 개시제와 병용하는 열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 유기 과산화물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 특히, 기포의 원인이 되는 질소를 발생시키지 않는 유기 과산화물을 바람직하게 사용할 수 있다.
열 라디칼 중합 개시제의 사용량은, 경화 불량을 억제하고, 게다가 제품 라이프의 저하도 억제하기 위해서, (메트)아크릴레이트 화합물 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
에폭시 화합물로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 그것들의 변성 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이들 2 종 이상을 병용할 수 있다. 또, 에폭시 화합물에 더하여 옥세탄 화합물을 병용해도 된다.
광 카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 광 카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어, 술포늄염, 오늄염 등을 들 수 있다.
광 카티온 중합 개시제의 배합량은, 지나치게 적으면 반응성이 없어지고, 지나치게 많으면 접착제의 제품 라이프가 저하되는 경향이 있기 때문에, 에폭시 화합물 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 10 질량부이다.
광 카티온 중합 개시제와 병용하는 열 카티온 중합 개시제로는, 에폭시 화합물의 열 카티온 중합 개시제로서 공지된 것을 채용할 수 있고, 예를 들어, 열에 의해서 산을 발생시키는 요오드늄염, 술포늄염, 포스포늄염, 페로센류 등을 사용할 수 있고, 특히, 온도에 대해서 양호한 잠재성을 나타내는 방향족 술포늄염을 바람직하게 사용할 수 있다.
열 카티온 중합 개시제의 배합량은, 지나치게 적어도 경화 불량이 되는 경향이 있고, 지나치게 많아도 제품 라이프가 저하되는 경향이 있기 때문에, 에폭시 화합물 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 2 ∼ 60 질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 40 질량부이다.
광중합성 수지 조성물은, 막 형성 수지나 실란 커플링제를 함유하는 것이 바람직하다. 막 형성 수지로는, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 부타디엔 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리올레핀 수지 등을 들 수 있고, 이들 2 종 이상을 병용할 수 있다. 이 중에서도, 성막성, 가공성, 접속 신뢰성의 관점에서, 페녹시 수지를 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 실란 커플링제로는, 에폭시계 실란 커플링제, 아크릴계 실란 커플링제 등을 들 수 있다. 이들 실란 커플링제는 주로 알콕시실란 유도체이다.
또한, 광중합성 수지 조성물에는, 필요에 따라서 충전제, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제 (안료, 염료), 유기 용제, 이온 캡처제 등을 배합할 수 있다.
이상과 같은 광중합성 수지 조성물로 이루어지는 절연성 수지층 (1) 의 두께는, 바람직하게는 3 ∼ 50 ㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 20 ㎛ 이다.
＜도전 입자 함유층 (4)＞
도전 입자 함유층 (4) 은, 도전 입자가 절연성 바인더 (2) 로 유지되어 있는 구성, 바람직하게는 절연성 바인더 (2) 중에 복수의 도전 입자 (3) 가 존재하고 있는 구성을 갖는다. 이 절연성 바인더 (2) 는, 절연성 수지층 (1) 에서 설명한 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유한다. 따라서, 도전 입자 함유층 (4) 은, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층 중에 도전 입자 (3) 가 존재하는 구성을 갖는다.
(도전 입자 (3))
도전 입자 (3) 로는, 종래 공지된 이방성 도전 필름에 사용되고 있는 것 중에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 니켈, 코발트, 은, 동, 금, 팔라듐 등의 금속 입자, 납 등의 합금 입자, 금속 피복 수지 입자 등을 들 수 있다. 2 종 이상을 병용할 수도 있다.
도전 입자 (3) 의 평균 입자경으로는, 배선 높이의 편차에 대응할 수 있도록 하고, 또, 도통 저항의 상승을 억제하며, 또한 쇼트의 발생을 억제하기 위해서, 바람직하게는 2.5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3 ㎛ 이상 9 ㎛ 이하이다. 도전 입자 (3) 의 입자경은, 일반적인 입도 분포 측정 장치에 의해서 측정할 수 있고, 또, 그 평균 입자경도 시판되는 입도 분포 측정 장치 (예를 들어, FPIA-3000, 마루반사 제조) 를 사용하여 구할 수 있다.
또한, 도전 입자가 금속 피복 수지 입자인 경우, 수지 코어 입자의 입자 경도 (20 ％ K 치 ; 압축 탄성 변형 특성 K20) 는, 양호한 접속 신뢰성을 얻기 위해서, 바람직하게는 100 ∼ 1000 ㎏f/㎟, 보다 바람직하게는 200 ∼ 500 ㎏f/㎟ 이다. 압축 탄성 변형 특성 K20 은, 예를 들어, 미소 압축 시험기 (MCT-W201, (주) 시마즈 제작소) 를 사용하여 측정 온도 20 ℃ 에서 측정할 수 있다.
도전 입자 (3) 의 이방성 도전 필름 (10) 중의 존재량은, 도전 입자 포착 효율의 저하를 억제하며, 또한 쇼트의 발생을 억제하기 위해서, 바람직하게는 1 ㎟ 당 50 개 이상 100000 개 이하, 보다 바람직하게는 200 개 이상 70000 개 이하이다. 이 존재량의 측정은 필름면을 광학 현미경으로 관찰함으로써 행할 수 있다. 또한, 이방성 도전 접속 전에 있어서, 이방성 도전 필름 (10) 중의 도전 입자 (3) 가 절연성 바인더 (2) 속에 존재하고 있기 때문에 광학 현미경으로 관찰하기 어려운 경우가 있다. 그와 같은 경우에는, 이방성 도전 접속 후의 이방성 도전 필름을 관찰해도 된다. 이 경우에는, 접속 전후의 필름 두께 변화를 고려하여 존재량을 산출할 수 있다.
도전 입자의 면적 점유율은, 광조사를 저해하지 않도록 하기 위해서, 바람직하게는 70 ％ 이하, 보다 바람직하게는 50 ％ 이하이다. 또, 단자에의 포착수의 감소를 방지하여, 도통 저항값의 증가를 억제하기 위해서, 바람직하게는 5 ％ 이상, 보다 바람직하게는 10 ％ 이상이다. 여기서, 도전 입자의 면적 점유율은, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때, 필름 평면에 도전 입자를 이차원적으로 투영했을 때의 도전 입자 면적의 필름 면적에 대한 비율로서, 일반적인 화상 해석에 의해서 산출할 수 있다.
또, 도전 입자가 단자의 레이아웃을 가미하여 규칙 배열되어 있는 경우에는, 단자에의 포착수의 감소는 최소한으로 억제할 수 있기 때문에, 면적 점유율은 0.2 ％ 이상이면 실용상 문제는 없고, 안정적인 접속을 얻기 위해서는 5 ％ 이상이 바람직하고, 10 ％ 이상이 보다 바람직하다. 단자의 레이아웃을 가미한 규칙 배열이란, 예를 들어 사각 형상 단자의 장변 방향 (일반적인 IC 에 의한 COG 접속의 경우에는, 필름의 폭 방향) 에 있어서, 도전 입자의 외접선이 직선 상이 되지 않는 배열로서, 외접선이 도전 입자를 관통하도록 배치된 격자상의 배열을 가리킨다. 사행 (蛇行) 하고 있는 상태라고도 바꾸어 말할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 비교적 포착되기 어려운 단자의 가장자리 단부 (端部) 에 도전 입자가 존재할 경우, 최저한의 도전 입자는 포착시킬 수 있게 된다. 도전 입자의 외접선이 직선 상이 되는 경우 (즉 일치하는 경우), 단자의 가장자리 단부에 존재하는 도전 입자는 균일하게 포착되지 않는 상태가 되기 쉽다. 상기는 그것을 회피하기 위한 배치의 일례이다. 또한, 면적 점유율의 하한은, 쇼트 발생을 회피시키기 위해서, 일반적으로는 50 ％ 미만인 것이 바람직하고, 40 ％ 미만인 것이 보다 바람직하며, 35 ％ 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
또한, 도전 입자 (3) 의 이방성 도전 필름 (10) 중의 존재량은 질량 기준으로 나타낼 수도 있다. 이 경우, 그 존재량은, 이방성 도전 필름 (10) 의 전체 질량을 100 질량부로 했을 때, 그 100 질량부 중에 바람직하게는 1 질량부 이상 30 질량부 이하, 보다 바람직하게는 3 질량부 이상 10 질량부 이하가 되는 양이다.
도전 입자 함유층 (4) 의 두께는, 바람직하게는 3 ∼ 50 ㎛, 보다 바람직하게는 5 ∼ 20 ㎛ 이지만, 절연성 수지층 (1) 보다 두꺼워지지 않는 것이 바람직하다.
＜도 2 의 양태의 이방성 도전 필름＞
도 2 는, 도 1 과는 상이한 양태의 이방성 도전 필름 (20) 의 단면도이다. 이 양태의 이방성 도전 필름 (20) 은, 도전 입자 (3) 의 전체가 도전 입자 함유층 (4) 중에 매립되어 있는 구성을 갖는다. 이 경우, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 계면으로부터 각 도전 입자 (3) 까지의 최단 거리 h 는, 도전 입자 (3) 의 평균 입자경의 바람직하게는 3 ％ 이상이며, 또한 모든 도전 입자에 대해서 대략 동일한 것이 보다 바람직하다. 이 결과, 도전 입자 (3) 가 광조사측에 가까워지기 때문에, 절연성 수지층 (1) 을 보다 균일하게 광중합시키는 것이 가능해진다. 이것은 광의 차폐물이 되는 도전 입자를 광원측에 접근시킴으로써, 각 층에 대한 광원의 영향을 제어하기 쉬워지기 때문이다. 또한, 최단 거리 h 의 상한은, 지나치게 커지면 필름의 외계면에 도전 입자가 지나치게 가까워져, 필름의 택에 영향이 우려되는 점에서, 필름의 외계면으로부터 도전 입자의 최근접 거리가 2 ∼ 10 ％ 정도 떨어져 있는 것이 바람직하다. 또, 최단 거리 h 가 모든 도전 입자에 있어서 대략 동일하다는 것은, 이방성 도전 필름을 단면에서 관찰한 경우에, 도전 입자의 높이가 대략 일치하는 것을 의미한다.
(절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 에 있어서의 용융 점도의 관계)
이방성 도전 필름의 이방성 도전 접속시의 입자 포착성을 고려하면, 용융 점도에 대해서 "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층" 이라는 관계가 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 용융 점도에 대해서 "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층" 이라는 관계를 전제로 하여, 절연성 수지층 (1) 의 용융 점도가 80 ℃ 에서 바람직하게는 3000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 1000 ㎩·s 이하이고, 도전 입자 함유층의 용융 점도가 80 ℃ 에서 바람직하게는 1000 ∼ 60000 ㎩·s 이고, 보다 바람직하게는 3000 ∼ 50000 ㎩·s 이다. 필름의 층 전체의 용융 점도가 80 ℃ 에서, 100 ∼ 10000 ㎩·s 가 바람직하고, 500 ∼ 5000 ㎩·s 가 보다 바람직하며, 1000 ∼ 3000 ㎩·s 가 더욱 바람직하다. 또한, 용융 점도는, 예를 들어 회전식 레오 미터 (TA Instruments 사) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃/분 ; 측정 압력 5 g 일정 ; 사용 측정 플레이트 직경 8 ㎜ 라는 조건에서 측정할 수 있다.
＜도 3 의 양태의 이방성 도전 필름＞
도 3 은, 도 1 의 양태의 이방성 도전 필름 (10) 의 변형 양태의 이방성 도전 필름 (30) 의 단면도로서, 절연성 수지층 (1) 과 반대측의 도전 입자 함유층 (4) 의 표면에, 점착층 (5) 이 형성되어 있는 양태이다. 이 양태에 의하면, 도전 입자 함유층 (4) 의 점착성이 충분하지 않은 경우에도, 이방성 도전 필름 (30) 에 양호한 점착성을 부여할 수 있다. 이와 같은 점착층 (5) 은, 도 2 의 양태의 이방성 도전 필름 (20) 에 대해서도 바람직하게 적용할 수 있다 (도시하지 않음).
이와 같은 점착층 (5) 은, 절연성 수지층 (1) 이나 도전 입자 함유층 (4) 을 구성하는 광중합성 수지 조성물과 동일한 조성물의 층으로 구성할 수 있다.
점착층 (5) 의 두께는, 바람직하게는 1 ∼ 50 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ∼ 20 ㎛ 이다. 점착층 (5) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 두께의 합계가 절연성 수지층 (1) 의 1 ∼ 10 배의 관계가 되는 것이 바람직하다.
(절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 과 점착층 (5) 에 있어서의 용융 점도의 관계)
이방성 도전 필름의 이방성 도전 접속시의 입자 포착성을 고려하면, 용융 점도에 대해서 "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층 ＜ 점착층" 이라는 관계가 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 용융 점도에 대해서 "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층 ＜ 점착층" 이라는 관계를 전제로 하여, 절연성 수지층 (1) 의 용융 점도가 80 ℃ 에서 바람직하게는 3000 ㎩·s 이하, 보다 바람직하게는 1000 ㎩·s 이하이고, 도전 입자 함유층의 용융 점도가 80 ℃ 에서 바람직하게는 1000 ∼ 60000 ㎩·s 이며, 보다 바람직하게는 3000 ∼ 50000 ㎩·s 이고, 점착층의 용융 점도가 80 ℃ 에서 바람직하게는 1000 ∼ 40000 ㎩·s 이고, 보다 바람직하게는 3000 ∼ 30000 ㎩·s 이다. 필름의 층 전체의 용융 점도가 80 ℃ 에서, 100 ∼ 10000 ㎩·s 가 바람직하고, 500 ∼ 5000 ㎩·s 가 보다 바람직하며, 1000 ∼ 3000 ㎩·s 가 더욱 바람직하다. 또한, 용융 점도는, 예를 들어 회전식 레오 미터 (TA Instruments 사) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃/분 ; 측정 압력 5 g 일정 ; 사용 측정 플레이트 직경 8 ㎜ 라는 조건에서 측정할 수 있다.
＜도 4 의 양태의 이방성 도전 필름＞
도 4 의 이방성 도전 필름 (40) 은, 도 3 의 이방성 도전 필름 (30) 의 변형예로서, 도전 입자 (3) 의 일부가, 절연성 수지층 (1) 측이 아니고, 점착층 (5) 측으로 돌출되어 있는 양태이다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 도전 입자 (2) 가 이방성 도전 접속시의 광조사측에 배치되게 되어, 이방성 도전 필름 (40) 전체에 있어서 보다 균일하고 완전한 광중합이 가능해진다.
도전 입자 (3) 는 상기 서술한 도 1 이나 도 3 의 양태와 같이, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 층간의 계면, 또는 도 4 와 같이 점착층 (5) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 층간의 계면, 도 2 의 양태와 같이 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 층간의 계면 근방의 도전 입자 함유층 (4) 측에 존재하는 것이 바람직하다. 도 2 의 양태에 대해서는, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 계면으로부터 각 도전 입자 (3) 까지의 최단 거리 h 에 주목하여 설명했지만, 이들 양태에 대해서는, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 층간의 계면에 주목하여, 「기준선」 및 도전 입자의 「중심점」이라는 관점에서 아래와 같이 설명할 수도 있다.
(기준선으로부터 도전 입자의 중심점까지의 거리)
즉, 이방성 도전 필름의 단면에서 관찰했을 경우, 절연성 수지층 (1) 과 도전 입자 함유층 (4) 의 층간의 계면을 기준선으로 하며 또한 도전 입자 함유층 (4) 측의 방향을 정 (正) 으로 했을 때, 기준선으로부터 도전 입자의 중심점까지의 거리가, 제조 용이성의 관점에서 도전 입자경의 바람직하게는 -80 ％ 이상, 보다 바람직하게는 -75 ％ 이상이다. 또, 접속시의 포착성을 안정시키는 관점에서, 바람직하게는 80 ％ 이하, 보다 바람직하게는 75 ％ 이하이다. 이와 같이 도전 입자를 도전 입자 함유층 (4) 에 매립시킴으로써, 도전 입자에 의해서 광조사의 저해를 받지 않는 도전 입자 함유층 (4) 에 있어서, 도전 입자의 유동이 억제되어, 도전 입자의 포착성을 향상시킬 수 있다. 또, 절연성 수지층 (1) 의 경화도 균일해짐으로써, 접속 신뢰성의 저하도 회피할 수 있다. 바꾸어 말하면, 도전 입자가 도전 입자 함유층 (4) 과 용융 점도 등의 특성이 상이한 다른 수지층의 계면에 존재함으로써, 도전 입자의 압입을 저해하지 않고 도전 입자 그 자체의 유동을 억제할 수 있다. 또, 도전 입자의 압입 방향은 층의 두께 방향이고, 수지 유동의 방향은 이것과 대략 직교하는 방향이 주가 되지만, 이것들의 상이한 방향에서 작용하는 힘을 양호한 재현성으로 적절히 조정하기 위해서도, 도전 입자는 필름 계면 간에 존재하게 하는 것이 바람직하기 때문이다. 또한, 도전 입자의 중심점이 엄밀하게는 일치하고 있지 않는 경우에는, 그 평균치를 중심점으로 한다.
또, 도전 입자의 필름 두께 방향의 위치는, 필름의 외계면 근방에 위치시키는 경우에 있어서, 필름 외계면으로부터 도전 입자의 중심점까지의 거리는, 도전 입자의 평면에서 보았을 때의 입자간 거리보다 작은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 당해 외계면측으로부터 광이 입사되어도 도전 입자에 의해서 입사광이 차폐되는 영향은 최소한으로 억제된다.
《이방성 도전 필름의 제조 방법》
본 발명의 이방성 도전 필름은, 절연성 바인더에 복수의 도전 입자가 유지되어 있는 도전 입자 함유층 (예를 들어, 절연성 바인더 중에 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층) 의 편면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막하여, 절연성 수지층을 형성함으로써, 추가로 필요에 따라서, 도전 입자 함유층 표면에 점착층을 형성함으로써 제조할 수 있다. 여기서, 절연성 바인더에 복수의 도전 입자가 유지되어 있는 도전 입자 함유층 (예를 들어, 절연성 바인더 중에 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층) 은, 종래 공지된 수법에 의해서, 절연 필름의 표면에 도전 입자를 산포함으로써, 혹은 단층으로 부착시키고, 2 축 연신시킴으로써 형성할 수 있다. 또, 전사형을 사용해서도 형성할 수 있다. 또한, 이것들의 경우, 도전 입자를 절연성 바인더에 압입할 수도 있고. 그 압입에 의한 영향이 도전 입자의 외주부 주변의 절연성 바인더에 발생된다 (압입의 조건은, 이방성 도전 필름에 악영향을 발생시키지 않을 정도로 저온 저압이면 된다). 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 도전 입자 (3) 의 외주부를 따르도록, 경사 (2a) 가 형성된다. 혹은, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 절연성 바인더 (2) 로부터 노출되지 않게 매립되어 있는 도전 입자 (3) 의 바로 위의 절연성 바인더 (2) 의 표면에 기복 (2b) 이 형성된다. 여기서, 경사 (2a) 란, 절연성 바인더 (2) 가 도전 입자 (3) 의 매립에 이끌려 내부로 비집고 들어가 형성되는 경사면을 말하는 것으로, 경사면에는 수직면이나 오버행면도 포함된다. 또, 기복 (2b) 이란, 상기 압입의 정도나 조건에 의해서 경사의 형성에 이어서 도전 입자 상에 미량의 절연성 바인더 (2) 가 퇴적된 것을 말한다 (이 퇴적에 의해서 경사가 사라지는 경우도 있다). 이와 같은 경사 (2a) 나 기복 (2b) 은, 도전 입자의 외주부를 따라서 존재하기 때문에, 도전 입자간에 있어서의 절연성 바인더 (2) 의 표면 상태와 비교하면 용이하게 확인할 수 있다. 이와 같이, 절연성 바인더에 경사나 기복을 형성함으로써, 도전 입자가 절연성 바인더에 일부 혹은 전체가 매립된 상태가 되어 유지되기 때문에, 접속시의 수지의 유동 등의 영향을 최소한으로 할 수 있어, 접속시의 도전 입자의 포착성이 향상되게 된다. 또한, 도전 입자 (3) 의 외주부를 따르도록 경사나 기복이 존재하면, 도전 입자 함유층을 구성하는 비교적 고점도의 절연성 바인더가, 도전 입자를 협지하는 1 쌍의 단자의 일방측에서 타방측에 비해서 적은 양으로 존재하게 되기 때문에, 이방성 도전 접속시에 단자로부터의 압압력이 도전 입자에 인가되기 쉬워지는 효과를 기대할 수 있다. 또, 기복이 있으면, 도전 입자의 바로 위의 수지량이 그 주위보다 적어지기 때문에, 이방성 도전 접속시에 도전 입자 바로 위의 절연성 바인더를 배제하기 쉬워져 단자와 도전 입자가 접촉되기 쉬워지고, 단자에 있어서의 도전 입자의 포착성이 향상되어, 도통 신뢰성이 향상된다는 효과를 기대할 수 있다. 기복에 관한 이들 효과는, 경사의 경우에는 보다 발현하기 쉬워진다고 추찰된다. 또, 전사형을 사용하여 제조하는 예를 아래에 설명하지만, 아래의 제조의 예에 든 제조 조건에 의해서, 도전 입자 함유층에 경사나 기복 등이 형성되는 조건이 한정되는 것은 아니다.
도 1, 도 3 에 나타낸 이방성 도전 필름 (10, 30) 은, 이하의 공정 A ∼ C 에 따라서 제조할 수 있다.
먼저, 복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는다 (공정 A). 계속해서, 전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성한다 (공정 B). 또한, 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성한다 (공정 C). 이로써 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다. 또한, 광중합성 수지 조성물로 이루어지는 절연성 수지층에 대해서는, 그 최저 용융 점도를 2000 ㎩·s 이상, 바람직하게는 3000 ∼ 15000 ㎩·s, 60 ℃ 에 있어서의 그 점도를, 3000 ㎩·s 이상, 바람직하게는 3000 ∼ 20000 ㎩·s 이상의 것을 사용할 수 있다. 또, 공정 B 의 압압시의 조건으로는, 온도 60 ℃ ∼ 70 ℃ 에서 압압 0.5 ㎫ 라는 조건을 예시할 수 있지만, 이 조건에 한정되는 것은 아니다.
또한, 공정 B 후, 공정 C 에 앞서, 전사형으로부터 도전 입자 함유층을 떼어 놓는 것이 바람직하다. 또, 공정 B 의 압압을 조정함으로써, 도전 입자의 도전 입자 함유층의 매립 정도를 변화시킬 수 있다. 압압의 정도를 크게 함으로써 도전 입자의 도전 입자 함유층 중으로의 매립 정도가 커지고, 최종적으로는 완전히 도전 입자 함유층 중에 매립시킬 수 있다.
또, 도 2 의 양태의 이방성 도전 필름 (20) 은, 공정 C 이후에, 절연성 수지층과 반대측의 도전 입자 함유층의 표면에 점착층을 형성함 (공정 D) 으로써 제조할 수 있다.
도 4 에 나타낸 이방성 도전 필름 (40) 은, 이하의 공정 A, B, CC 및 D 에 따라서 제조할 수 있다.
먼저, 복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는다 (공정 A). 계속해서, 전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성한다 (공정 B). 또한, 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 비전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성한다 (공정 CC). 추가로, 도전 입자 함유층의 도전 입자 전사면에 점착층을 형성한다 (공정 D). 이로써 이방성 도전 필름을 얻을 수 있다.
또한, 공정 CC 후, 공정 D 에 앞서 전사형으로부터 도전 입자 함유층을 떼어 놓는 것이 바람직하다.
(전사형)
본 발명의 제조 방법에서 사용하는 전사형으로는, 예를 들어, 실리콘, 각종 세라믹스, 유리, 스테인리스 스틸 등의 금속 등의 무기 재료나, 각종 수지 등의 유기 재료 등에 대해서, 포토리소그래피법 등의 공지된 개구 형성 방법에 의해서 개구를 형성한 것을 사용할 수 있다. 또, 전사형은 판상, 롤상 등의 형상을 취할 수 있다.
전사형의 오목부의 형상으로는, 원주상, 사각주 등의 기둥 형상, 원추 마름모꼴, 각추 마름모꼴, 원추형, 사각추형 등의 추체 형상 등을 예시할 수 있다.
오목부의 배열로는, 도전 입자에 채용하는 배열에 따라서 격자상, 지그재그상 등으로 할 수 있다.
오목부의 깊이에 대한 도전 입자의 평균 입자경의 비 (= 도전 입자의 평균 입자경/개구의 깊이) 는, 전사성 향상과 도전 입자 유지성의 균형면에서, 바람직하게는 0.4 ∼ 3.0, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 1.5 이다. 또한, 전사형의 오목부의 직경과 깊이는, 레이저 현미경으로 측정할 수 있다.
오목부의 개구경의 도전 입자의 평균 입자경에 대한 비 (= 오목부의 개구경/도전 입자의 평균 입자경) 는, 도전 입자의 수용 용이성, 절연성 수지의 압입 용이성 등의 균형면에서, 바람직하게는 1.1 ∼ 2.0, 보다 바람직하게는 1.3 ∼ 1.8 이다.
또한, 오목부의 개구경보다 그 바닥경이 작은 경우에는, 바닥경은 도전 입자경의 1.1 배 이상 2 배 미만으로 하고, 개구경을 도전 입자경의 1.3 배 이상 3 배 미만으로 하는 것이 바람직하다.
《접속 구조체》
본 발명의 이방성 도전 필름은, IC 칩, IC 모듈, FPC 등의 제 1 전자 부품과, 플라스틱 기판, 유리 기판 등의 제 2 전자 부품을 이방성 도전 접속할 때에 바람직하게 적용할 수 있다. 어느 일방의 전자 부품이 에너지선 (예를 들어, 자외선) 을 투과할 수 있고, 게다가 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한, 이들 전자 부품의 재질로서 여러 가지의 것을 채용할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어지는 접속 구조체도 본 발명의 일부이다.
이방성 도전 필름을 사용한 전자 부품의 접속 방법으로는, 예를 들어, 각종 기판 등의 제 2 전자 부품에 대해서, 이방성 도전 필름을, 도전 입자 함유층측, 혹은 점착층이 형성되어 있는 경우에는 점착층측으로부터 임시 첩부하고, 임시 첩부된 이방성 도전 필름에 대해서, IC 칩, FPC 등의 제 1 전자 부품을 탑재하고, 열가압 툴로 제 1 전자 부품측으로부터 압압하면서, 제 2 전자 부품측으로부터 광조사함으로써 제조할 수 있다. 광조사의 시간이나 개시 및 종료의 타이밍은 적절히 조정할 수 있다. 또, 제 2 전자 부품에 대해서, 이방성 도전 필름을 도전 입자 함유층측, 혹은 점착층이 형성되어 있는 경우에는 점착층측으로부터 임시 첩부하고, 임시 첩부된 이방성 도전 필름에 대해서, 광조사한 후에 제 1 전자 부품을 탑재하고, 열가압 툴로 제 1 전자 부품측으로부터 압압하여 제조해도 된다. 이 경우, 제 2 전자 부품측으로부터, 상기와 동일하게 추가로 광조사해도 된다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해서 구체적으로 설명한다. 또한, 용융 점도는, 회전식 레오 미터 (TA Instruments 사) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃/분, 측정 압력 5 g 일정, 사용 측정 플레이트 직경 8 ㎜, 측정 온도 80 ℃ 라는 조건에서 측정하였다. 또, 광투과율은, 분광 광도계 (UV-3600, (주) 시마즈 제작소) 를 사용하여, 300 ∼ 400 ㎚ 의 파장에 있어서의 광투과율을 측정하였다. 전체 도전 입자에 대한 독립적으로 존재하고 있는 도전 입자의 비율 (독립 입자 비율) 이나, 도전 입자 면적 점유율은, 미타니 상사 (주) 의 WinROOF 를 사용하여 측정하였다. 또한, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면 (기준선) 에 대한 도전 입자의 중심점의 위치의 크기를 금속 현미경에 의한 관찰로부터 측정하였다.
또한, 이하의 실시예 1 ∼ 16 및 비교예 1 ∼ 4 에 적용한 절연성 수지층, 도전 입자 함유층 및 점착층의 각 배합 성분을 표 1 에 미리 나타낸다.
Figure pct00001
실시예 1 (도 1 의 이방성 도전 필름의 제조)
(절연성 수지층의 형성)
표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 50 질량부, 액상의 에폭시 수지 (미츠비시 화학 (주), jER828) 30 질량부, 광 카티온 중합 개시제 (BASF 재팬 (주), 이르가큐어 250) 4 질량부, 열 카티온 중합 개시제 (산신 화학 공업 (주), SI-60L) 4 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 20 질량부, 및 실란 커플링제 (신에츠 화학 공업 (주), KBM-403) 1 질량부를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 조제하고, 이것을 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하여, 80 ℃ 의 오븐에서 5 분간 건조시키고, PET 필름 상에 표 2 의 두께 (14 ㎛) 의 점착성의 절연성 수지층을 형성하였다. 이 절연성 수지층의 용융 점도를 표 2 에 나타낸다. 또한, 본 실시예 그리고 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 용융 점도의 측정은, 회전식 레오 미터 (TA Instruments 사) 를 사용하여, 승온 속도 10 ℃/분 ; 측정 압력 5 g 일정 ; 사용 측정 플레이트 직경 8 ㎜ 로 하는 조건에서 행하고, 80 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 구하였다.
(도전 입자 함유층의 형성)
한편, 정방 격자 패턴에 대응한 볼록부의 배열 패턴을 갖는 금형을 제조하고, 그 금형에, 공지된 투명성 수지의 펠릿을 용융시킨 것을 흘려 넣고, 식혀서 굳힘으로써, 표 2 의 밀도 (도전 입자의 입자 밀도에 대응) 의 정방 격자 패턴의 오목부를 갖는 수지제의 전사형을 제조하였다. 이 전사형의 오목부에 도전 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 입자경 3 ㎛) 를 충전하였다.
그와는 별도로, 표 1 에 나타내는 바와 같이, 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 25 질량부, 액상의 에폭시 수지 (미츠비시 화학 (주), jER828) 30 질량부, 광 카티온 중합 개시제 (BASF 재팬 (주), 이르가큐어 250)) 4 질량부, 열 카티온 중합 개시제 (산신 화학 공업 (주), SI-60L) 4 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 45 질량부, 및 실란 커플링제 (신에츠 화학 공업 (주), KBM-403) 1 질량부를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 조제하고, 이 광중합성 수지 조성물을 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하여, 80 ℃ 의 오븐에서 5 분간 건조시켜 얻은 점착성의 수지 필름을 씌우고, 압압시 온도 50 ℃, 압압 0.5 ㎫ 라는 조건에서 전사형의 도전 입자 수용면에 압압함으로써, 수지 필름에 도전 입자를 전사시키고, 표 2 의 두께 (4 ㎛) 의 도전 입자 함유층을 형성하였다. 다음으로, 전사형으로부터 도전 입자 함유층을 박리하였다. 이 도전 입자 함유층의 용융 점도, 전체 도전 입자에 대한 독립적으로 존재하고 있는 도전 입자의 비율, 도전 입자 점유 면적 비율을 표 2 에 나타낸다. 이 도전 입자 상태 및 패턴은, 현미경 관찰에 의해서, 적어도 접속에 사용한 재단된 필름의 면적 (1.8 ㎜ × 22 ㎜) 의 전체 면을 확인하였다.
(도전 입자 함유층과 절연성 수지층의 적층)
도전 입자 함유층의 도전 입자의 전사면에 절연성 수지층을 대향시키고, 이것들을 압압시 온도 50 ℃, 압압 0.2 ㎫ 라는 조건에서 첩합 (貼合) 하고, 파장 365 ㎚, 적산 광량 4000 mJ/㎠ 의 자외선을 조사함으로써 도 1 의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전 필름의 i 선에 대한 광투과율을 측정하고, 이하의 평가 기준에 따라서 평가하였다. 얻어진 결과를 표 2 에 나타낸다. 또, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면 (기준선) 에 대한 도전 입자의 중심점의 위치를 금속 현미경으로 측정한 결과, 0.00 ㎛ 였다.
A (매우 양호) : 광투과율 60 ％ 이상
B (양호) : 광투과율 50 ％ 이상 60 ％ 미만
C (보통) : 광투과율 40 ％ 이상 50 ％ 미만
D (불량) : 광투과율 40 ％ 미만
실시예 2 ∼ 6 (도 2 의 이방성 도전 필름의 제조)
도전 입자 함유층을 형성할 때, 도전 입자 함유층 중에 도전 입자를, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면으로부터 도전 입자의 최단 거리가 1.50 ㎛ (실시예 2), 1.75 ㎛ (실시예 3), 2.00 ㎛ (실시예 4), 2.25 ㎛ (실시예 5), 2.50 ㎛ (실시예 6) 가 되도록 매립시키는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 7 (도 3 의 이방성 도전 필름의 제조)
(절연성 수지층의 형성)
실시예 1 과 동일한 점착성의 절연성 수지층을 형성하였다.
(도전 입자 함유층의 형성)
표 1 에 나타내는 바와 같이, 광중합성 수지 조성물을 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 40 질량부, 액상의 에폭시 수지 (미츠비시 화학 (주), jER828) 30 질량부, 광 카티온 중합 개시제 (BASF 재팬 (주), 이르가큐어 250) 4 질량부, 열 카티온 중합 개시제 (산신 화학 공업 (주), SI-60L) 4 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 30 질량부, 및 실란 커플링제 (신에츠 화학 공업 (주), KBM-403) 1 질량부로 구성하며, 또한 도전 입자를 유지하는 수지 필름의 두께를 2 ㎛ 로 하는 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 도전 입자 함유층을 형성하였다. 이 도전 입자 함유층의 용융 점도, 그리고 도전 입자의 입자 면적 점유율, 추가로 전체 도전 입자에 대한 독립적으로 존재하고 있는 도전 입자의 비율을 표 2 에 나타낸다.
(점착층의 형성)
또, 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 을 30 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 40 질량부로 변경하는 것 이외에는, 도전 입자 함유층과 동일하게 하여 점착층을 제조하였다. 이 점착층의 용융 점도를 표 2 에 나타낸다.
(도전 입자 함유층과 절연성 수지층과 점착층의 적층)
도전 입자 함유층의 도전 입자 전사면에, 절연성 수지층을 대향시키고, 이것들을 열압착한 후에, 적층물을 전사형으로부터 떼어내고, 도전 입자 함유층의 도전 입자 비전사면에 점착층을, 압압시 온도 50 ℃, 압압 0.2 ㎫ 라는 조건에서 첩합함으로써 도 3 의 이방성 도전 필름을 제조하였다. 얻어진 이방성 도전 필름의 i 선에 대한 광투과율의 평가를 표 2 에 나타낸다.
실시예 8, 9 (도 4 의 이방성 도전 필름의 제조)
도전 입자 함유층을 형성할 때, 도전 입자 함유층 중에 도전 입자를, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면으로부터 도전 입자의 최단 거리가 1.50 ㎛ (실시예 8), 2.50 ㎛ (실시예 9) 가 되도록 매립시키는 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 10, 11 (도 4 의 이방성 도전 필름의 제조)
점착층 두께를 1 ㎛ 로 하고, 도전 입자 함유층 두께를 3 ㎛ 로 하며, 또한 도전 입자 함유층을 형성할 때, 도전 입자 함유층 중에 도전 입자를, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면으로부터 도전 입자의 최단 거리가 1.50 ㎛ (실시예 10), 2.50 ㎛ (실시예 11) 가 되도록 매립시키는 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 12, 13 (도 4 의 이방성 도전 필름의 제조)
점착층 두께를 0.5 ㎛ 로 하고, 도전 입자 함유층 두께를 3.5 ㎛ 로 하며, 또한 도전 입자 함유층을 형성할 때, 도전 입자 함유층 중에 도전 입자를, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 계면으로부터 도전 입자의 최단 거리가 1.50 ㎛ (실시예 12), 2.50 ㎛ (실시예 13) 가 되도록 매립시키는 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 14, 15 (도 4 의 이방성 도전 필름의 제조)
도전 입자 밀도를 30 × 103 개/㎟ 로 하고, 입자 면적 점유율을 21.2 ％ 로 하는 (실시예 14) 것 이외에는, 또는 도전 입자 밀도를 15 × 103 개/㎟ 로 하고, 입자 면적 점유율을 10.6 ％ 로 하는 (실시예 15) 것 이외에는, 실시예 8 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
실시예 16 (도 4 의 이방성 도전 필름의 제조)
실시예 16 은, 도전 입자 함유층, 절연성 수지층, 점착층의 각각에 광 카티온 중합 개시제 (BASF 재팬 (주), 이르가큐어 250) 를 배합하지 않으며, 또한 적층시에 자외선 조사를 생략한 것 이외에는, 실시예 14 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 1 ∼ 3 (도 7 의 이방성 도전 필름의 제조)
(절연성 수지층의 형성)
실시예 1 과 동일한 점착성의 절연성 수지층을 형성하였다.
(도전 입자 함유층의 형성)
광중합성 수지 조성물을 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 30 질량부, 액상의 에폭시 수지 (미츠비시 화학 (주), jER828) 30 질량부, 광 카티온 중합 개시제 (BASF 재팬 (주), 이르가큐어 250) 4 질량부, 열 카티온 중합 개시제 (산신 화학 공업 (주), SI-60L) 4 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 40 질량부, 실란 커플링제 (신에츠 화학 공업 (주), KBM-403) 1 질량부, 및 도전 입자 (세키스이 화학 공업 (주), AUL703, 입자경 3 ㎛) 60 질량부 (비교예 1), 30 질량부 (비교예 2) 혹은 15 질량부 (비교예 3) 를 균일하게 혼합하여 도전 입자 함유 광중합성 수지 조성물을 조제하였다. 이것을 필름 두께 50 ㎛ 의 PET 필름 상에 도포하고, 80 ℃ 의 오븐에서 5 분간 건조시켜, PET 필름 상에 표 2 의 두께의 점착성의 도전 입자 함유층을 형성하였다.
(도전 입자 함유층과 절연성 수지층의 적층)
도전 입자 함유층에 절연성 수지층을 대향시켜, 이것들을 압압시 온도 50 ℃, 압압 0.2 ㎫ 라는 조건에서 첩합함으로써 도 7 의 이방성 도전 필름을 제조하였다.
비교예 4
비교예 4 는, 도전 입자 함유층의 페녹시 수지 (신닛테츠 스미킨 화학 (주), YP-50) 를 50 질량부, 실리카 필러 (아에로질 R805, 닛폰 아에로질 (주)) 를 20 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 7 과 동일하게 하여 이방성 도전 필름을 제조하였다.
＜평가＞
실시예 1 ∼ 16 및 비교예 1 ∼ 4 의 이방성 도전 필름에 대해서, 이하의 평가용 IC 와 유리 기판을 이하의 조건의 UV 조사 접속 또는 열압착 접속에 의해서 이방성 도전 접속하여 평가용 접속 구조체를 제조하였다.
평가용 IC : 외형 = 1.8 ㎜ × 20 ㎜ × 0.2 ㎜, 금 범프 사양 = 15 ㎛ (높이) × 15 ㎛ (폭) × 100 ㎛ (길이) (범프 간 갭 15 ㎛)
TiAl 코팅 배선이 형성된 유리 기판 : 외경 = 30 ㎜ × 50 ㎜ × 0.5 ㎜
UV 조사 접속 : 100 ℃ 에서 80 ㎫ 의 압력으로 5 초간 열압착하는 한편으로, 열압착 개시 후 4 초 후에 1 초간, 자외선 조사 장치 (오므론 (주), ZUV-C30H) 로부터 i 선을 1 초간 조사.
열압착 접속 : IC 칩측으로부터, 150 ℃ (도달 온도) 에서 80 ㎫, 5 초간의 열압착. 툴 폭은 1.8 ㎜ 로 하였다.
제조된 이들 평가용 접속 구조체에 대해서, (a) 초기 도통 저항, (b) 도통 신뢰성, (c) 쇼트 발생률, (d) 임시 첩부성, (e) 입자 포착성, (f) 접합 강도, (g) 절연성 수지층의 경화율 (광중합률), (h) 이방성 도전 필름 전체의 경화율 (광중합률), (i) 배선 간 스페이스의 이방성 도전 필름의 경화율 (광중합률), (j) 배선 중앙부의 이방성 도전 필름의 경화율 (광중합률) 을, 각각 아래에 설명하는 바와 같이 평가하였다. 얻어진 결과를 표 2 에 나타낸다.
(a) 초기 도통 저항
얻어진 평가용 접속 구조체의 도통 저항을, 디지털 멀티미터를 사용하여 4단자법으로 2 ㎃ 의 전류를 통전했을 때의 값을 측정하였다. 실용상, 측정 저항값이 1 Ω 이하인 것이 바람직하다.
(b) 도통 신뢰성
얻어진 평가용 접속 구조체를, 온도 85 ℃, 습도 85 ％RH 의 항온조에 500 시간 둔 후의 도통 저항을, 초기 도통 저항과 동일하게 측정하였다. 실용상, 측정 저항값이 5 Ω 이하인 것이 바람직하다.
(c) 쇼트 발생률
얻어진 평가용 접속 구조체의 쇼트 발생률을 디지털 멀티미터를 사용하여 측정하였다. 접속 구조체의 쇼트 발생수를 15 ㎛ 스페이스수로 나눔으로써 쇼트 발생률을 구하고, 이하의 기준에서 평가하였다.
(평가 기준)
A (매우 양호) : 쇼트 발생률이, 10 ppm 미만인 경우
B (양호) : 쇼트 발생률이, 10 ppm 이상 50 ppm 미만인 경우
C (보통) : 쇼트 발생률이, 50 ppm 이상 200 ppm 미만인 경우
D (불량) : 쇼트 발생률이, 200 ppm 이상 인 경우
(d) 임시 첩부성
시판되는 ACF 첩부 장치 (형번 TTO-1794M, 시바우라 메카트로닉스 (주)) 를 사용하여, 이방성 도전 필름을 사이즈 2 ㎜ × 5 ㎝ 로 유리 기판에 첩부하고, 1 초 후의 도달 온도가 40 ∼ 80 ℃ 가 되도록, 압력 1 ㎫ 로 임시 첩부하고, 유리 기판을 뒤집은 경우에, 이방성 도전 필름이 유리 기판으로부터 박리되거나 들뜨거나 하지 않는지를 육안으로 살피고, 이하의 기준에서 평가하였다.
(평가 기준)
A (매우 양호) : 40 ℃ 에서도 양호하게 임시 첩부할 수 있었던 경우
B (양호) : 40 ℃ 에서는 임시 첩부할 수 없지만, 60 ℃ 에서 임시 첩부할 수 있었던 경우
C (보통) : 60 ℃ 에서는 임시 첩부할 수 없지만, 80 ℃ 에서 임시 첩부할 수 있었던 경우
D (불량) : 80 ℃ 에서는 임시 첩부할 수 없는 경우
(e) 입자 포착성
접속 후의 단자를 유리 기판측으로부터 금속 현미경을 사용하여 관찰하고, 압흔수를 카운트함으로써 입자의 포착성을 판정하였다. 판정 기준을 아래에 나타낸다. 방식적으로는, 접속 면적 1500 ㎛2 의 IC 칩의 범프 (범프 사이즈 15 ㎛ × 100 ㎛) 에 있어서의 압흔수를 카운트하였다.
(평가 기준)
A (매우 양호) : 10 개 이상
B (양호) : 5 개 이상 10 개 미만
C (보통) : 3 개 이상 5 개 미만
D (불량) : 3 개 미만
(f) 접합 강도
평가용 접속 구조체에 대해서, 다이 쉐어 테스터 (4000 series, 노드손·어드밴스트·테크놀로지 (주)) 의 프로브를 IC 칩의 측면으로 눌러 대고, 유리 기판의 평면 방향으로 100 ㎛/초의 속도로 전단력을 인가함으로써 접합 강도를 측정하였다. 실용상, 20 ㎫ 이상의 접합 강도인 것이 요망된다.
(g) 절연성 수지층의 경화율 (광중합률)
단체의 절연성 수지층 상에, 단체의 도전 입자 함유층 (혹은 도전 입자 함유층과 점착층의 적층체) 을 재치 (載置) 하고, 도전 입자 함유층 (혹은 도전 입자 함유층과 점착층의 적층체) 측으로부터 UV 조사를 행한 후, 절연성 수지층만의 경화율을 FT-IR 장치 (IRT-100, (주) 시마즈 제작소) 를 사용하여 측정하였다 (아래의 평가 항목 (h) ∼ (j) 에 대해서도 동일). 실용상, 경화율이 70 ％ 이상인 것이 요망된다.
(h) 이방성 도전 필름 전체의 경화율 (광중합률)
접합 강도 평가시에 파괴된 접속 구조체의 유리 기판 표면과 IC 칩 표면에 잔존한 이방성 도전 필름의 경화물의 경화율을 측정하였다. 실용상, 낮은 쪽의 경화율이 70 ％ 이상인 것이 요망된다.
(i) 배선 간 스페이스의 이방성 도전 필름의 경화율 (광중합률)
접합 강도 평가시에 파괴된 접속 구조체의 유리 기판 표면의 배선 간 스페이스에 잔존한 이방성 도전 필름의 경화물의 경화율을 측정하였다. 실용상, 경화율이 70 ％ 이상인 것이 요망된다.
(j) 배선 중앙부의 이방성 도전 필름의 경화율
접합 강도 평가시에 파괴된 접속 구조체의 유리 기판 표면의 배선 중앙부에 잔존한 이방성 도전 필름의 경화물의 경화율을 측정하였다. 실용상, 경화율이 70 ％ 이상인 것이 요망된다.
Figure pct00002
표 2 로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 ∼ 16 의 이방성 도전 필름은, 어느 평가 항목에 대해서도 양호한 결과를 나타냈다. 특히, 실시예 1 ∼ 6 의 결과 및 실시예 7 과 8 의 결과로부터, 계면으로부터의 입자 중심점 간 거리가 길어짐에 따라서 입자 포착성이 개선되는 경향이 있는 것을 알 수 있지만, 한편, 광투과율 평가가 저하되는 경향을 나타내기는 하지만, 실용상 문제가 없는 레벨을 유지할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 실시예 14 와 15 의 결과로부터, 입자 밀도 (입자 면적 점유율) 가 증대됨으로써, 입자 포착성이 개선되는 것을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 ∼ 16 의 이방성 도전 필름에 대해서, 80 ℃ 에 있어서의 필름 전체의 용융 점도는, 모두 500 ∼ 5000 ㎩·s 의 범위에 있었다. 용융 점도의 측정은, 전술한 방법과 동일한 방법으로 행하였다.
그에 비해서, 비교예 1 ∼ 3 의 이방성 도전 필름은, 도전 입자의 독립 입자 비율이 70 ％ 미만이었기 때문에, i 선에 대한 광투과율이 저하되어, 절연성 수지층 그리고 이방성 도전 필름 전체의 경화율 (광중합률) 이 불충분해지고, 임시 첩부성과 입자 포착성이 저하되어, 도통 신뢰성의 저하 등이 발생된 것을 알 수 있다.
또, 비교예 4 의 이방성 도전 필름은, 도전 입자의 독립 입자 비율이 95 ％ 이상이었지만, 입자 면적 점유율이 70 ％ 초과로 되어 있어, 입자 포착성이 저하된 것을 알 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이방성 도전 필름은, IC 칩 등의 전자 부품의 배선 기판에 대한 이방성 도전 접속에 유용하다. 전자 부품의 배선은 협소화가 진행되고 있고, 본 발명은 협소화된 전자 부품을 이방성 도전 접속하는 경우에 특히 유용해진다.
1, 51 : 절연성 수지층
2, 52 : 절연성 바인더
3, 53 : 도전 입자
4, 54 : 도전 입자 함유층
5 : 점착층
10, 20, 30, 40, 50 : 이방성 도전 필름

Claims (16)

  1. 절연성 수지층과, 복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층이 적층된 이방성 도전 필름에 있어서,
    절연성 수지층과 도전 입자 함유층이, 각각 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물의 층이고,
    도전 입자가, 이방성 도전 필름을 평면에서 보았을 때 서로 독립적으로 존재하고 있고,
    파장 300 ∼ 400 ㎚ 의 광에 대한 필름 두께 방향의 투과율이 40 ％ 이상인, 이방성 도전 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    도전 입자가, 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 층간의 계면, 또는 절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 층간의 계면 근방의 도전 입자 함유층측에 존재하는, 이방성 도전 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    절연성 수지층과 도전 입자 함유층의 층간의 계면을 기준선으로 하며 또한 도전 입자 함유층측의 방향을 정으로 했을 때에, 기준선에 대해서 도전 입자의 중심점이, 도전 입자경의 -80 ％ ∼ 80 ％ 의 범위에 존재하는, 이방성 도전 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    용융 점도에 대해서, "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층" 이라는 관계가 있는, 이방성 도전 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    필름 두께 방향에 있어서, 도전 입자가 존재하는 측의 필름의 외계면으로부터 도전 입자의 중심점까지의 거리는, 도전 입자의 평면에서 보았을 때의 입자간 거리보다 작은, 이방성 도전 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    절연성 수지층과 반대측의 도전 입자 함유층의 표면에, 점착층이 형성되어 있는, 이방성 도전 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    용융 점도에 대해서, "절연성 수지층 ＜ 도전 입자 함유층 ＜ 점착층" 이라는 관계가 있는, 이방성 도전 필름.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    광중합 개시제가, 광 카티온 중합 개시제인, 이방성 도전 필름.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    절연성 수지층이, 추가로 열중합 개시제를 함유하는, 이방성 도전 필름.
  10. 제 9 항에 있어서,
    열중합 개시제가, 열 카티온 중합 개시제 또는 열 라디칼 중합 개시제인, 이방성 도전 필름.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    도전 입자가 격자상으로 규칙 배열되어 있는, 이방성 도전 필름.
  12. 제 1 항에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서,
    복수의 도전 입자가 존재하고 있는 도전 입자 함유층의 편면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는, 제조 방법.
  13. 제 1 항에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서,
    이하의 공정 A ∼ C :
    (공정 A)
    복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는 공정 ;
    (공정 B)
    전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성하는 공정 ; 및,
    (공정 C)
    도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는 공정을 갖는, 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    추가로 이하의 공정 D :
    (공정 D)
    절연성 수지층과 반대측의 도전 입자 함유층의 표면에 점착층을 형성하는 공정을 갖는, 제조 방법.
  15. 제 1 항에 기재된 이방성 도전 필름의 제조 방법으로서,
    이하의 공정 A, B, CC 및 D :
    (공정 A)
    복수의 오목부가 형성된 전사형의 오목부에 도전 입자를 넣는 공정 ;
    (공정 B)
    전사형 내의 도전 입자에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 압압함으로써 도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층을 형성하는 공정 ;
    (공정 CC)
    도전 입자가 전사된 도전 입자 함유층의 도전 입자 비전사면에, 광중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하는 광중합성 수지 조성물을 성막함으로써 절연성 수지층을 형성하는 공정 ; 및
    (공정 D)
    절연성 수지층과 반대측의 도전 입자 함유층의 표면에 점착층을 형성하는 공정을 갖는, 제조 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 이방성 도전 필름으로 제 1 전자 부품을 제 2 전자 부품에 이방성 도전 접속한, 접속 구조체.
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