KR20180053240A - Positioning device - Google Patents

Positioning device Download PDF

Info

Publication number
KR20180053240A
KR20180053240A KR1020170147994A KR20170147994A KR20180053240A KR 20180053240 A KR20180053240 A KR 20180053240A KR 1020170147994 A KR1020170147994 A KR 1020170147994A KR 20170147994 A KR20170147994 A KR 20170147994A KR 20180053240 A KR20180053240 A KR 20180053240A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
carrier element
cavity
positioning device
base body
Prior art date
Application number
KR1020170147994A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102275932B1 (en
Inventor
스벤 한센
게오르그 핑크
헨리크 페트리
Original Assignee
수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 filed Critical 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하
Publication of KR20180053240A publication Critical patent/KR20180053240A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102275932B1 publication Critical patent/KR102275932B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075—Plural core members
    • H01L2224/29078—Plural core members being disposed next to each other, e.g. side-to-side arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/751—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H01L2224/75101—Chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/751—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H01L2224/75101—Chamber
    • H01L2224/75102—Vacuum chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75701—Means for aligning in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75703—Mechanical holding means
    • H01L2224/75704—Mechanical holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75723—Electrostatic holding means
    • H01L2224/75724—Electrostatic holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75754—Guiding structures
    • H01L2224/75755—Guiding structures in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H01L2224/75804—Translational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/75981—Apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83054—Composition of the atmosphere
    • H01L2224/83075—Composition of the atmosphere being inert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/8309—Vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83053—Bonding environment
    • H01L2224/83091—Under pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83874—Ultraviolet [UV] curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
    • H01L2224/83906—Specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Seal Device For Vehicle (AREA)

Abstract

The present invention relates to a positioning device (100) for positioning a substrate (101), specifically a wafer, comprising: a processing chamber; a base body (105); a carrier element (107) that includes a support (109) for supporting the substrate (101) and is disposed on the base body (105) and can be formed to be movable in a distance from the base body (105); and a holder (111) disposed on the opposite side of the carrier element (107) as a holder (111) for an additional substrate (103), specifically an additional wafer or mask. Between the base body (105) and the carrier element (107), there is a mating cavity (113) in which a pressure, specifically a negative pressure, can be applied to prevent unwanted movement of the carrier element (107) as a result of the action of an external force.

Description

위치지정 디바이스{POSITIONING DEVICE}[0001] POSITIONING DEVICE [0002]

본 발명은 기판을 위한 위치지정 디바이스 및 기판들을 합치기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a positioning device for a substrate and a method for assembling substrates.

마스크 정렬기가 포토리소그라피를 위한 마스크를 정확히 위치지정하기 위해 사용된다. 마스크는 예컨대 유리나 반도체 웨이퍼와 같은 포토레지스트 층을 포함하는 기판 위에 일반적으로 배치된다. 후속하여, 기판은 마스크를 통해 조명된다. A mask sorter is used to accurately position the mask for photolithography. The mask is generally disposed on a substrate comprising a photoresist layer, such as glass or a semiconductor wafer. Subsequently, the substrate is illuminated through a mask.

웨이퍼는 일반적으로 마스크 아래에 척(chuck)으로서 알려진 특수 웨이퍼 홀더 상에 정착한다. 종종, 웨이퍼와 마스크 사이의 거리는, 예컨대 조명을 위해 마스크를 웨이퍼와 접촉하게 하기 위해, 조정할 수 있다. The wafer is typically fixed on a special wafer holder known as a chuck under the mask. Often, the distance between the wafer and the mask can be adjusted, for example, to bring the mask into contact with the wafer for illumination.

일부 마스크 정렬기에서, 척과 마스크는 배기할 수 있는(evacuable) 진공 챔버에 위치한다. 이로 인해, 진공 챔버를 배기하여 후속하여 마스크와 웨이퍼를 합침으로써 마스크와 웨이퍼 사이에 진공 접촉을 구축할 수 있다. In some mask aligners, the chuck and mask are located in an evacuable vacuum chamber. As a result, a vacuum contact can be established between the mask and the wafer by evacuating the vacuum chamber and subsequently merging the mask and the wafer.

진공 챔버의 배기 동안, 그러나 척이 결과적인 기압으로 인해 조기에 마스크에 대해 가압될 수 도 있다. 웨이퍼의 표면 상의 공동이나 구조는 그에 따라 조기에 밀봉될 수 있고 충분히 배기되지 않을 수 있으며 이점은 리소그라피 결과에 부정적인 영향을 미칠 수 있다. During evacuation of the vacuum chamber, however, the chuck may be pressed against the mask prematurely due to the resulting atmospheric pressure. The cavity or structure on the surface of the wafer may thus be prematurely sealed and may not be exhausted sufficiently, and this may have a negative effect on the lithographic results.

유사한 문제가, 2개의 웨이퍼가 웨이퍼 본더에 의해 본딩될 때 발생할 수 있다. 본드 처리 챔버가 진공 본딩 처리에서 배기될 때, 반대편에 배치되는 2개의 웨이퍼는 결과적인 기압의 결과로서 조기에 서로에게 가압될 수 있다. 그에 따라, 웨이퍼 표면 상의 공동은 충분히 배기되지 않을 수 도 있어서, 공기의 포함이 웨이퍼 사이에 발생할 수 있다.A similar problem may occur when two wafers are bonded by the wafer bonder. When the bond processing chamber is evacuated in the vacuum bonding process, the two wafers disposed on opposite sides can be pressed to each other prematurely as a result of the resulting barometric pressure. Accordingly, cavities on the wafer surface may not be sufficiently exhausted, so that the inclusion of air can occur between the wafers.

본 발명의 목적은 그러므로 외력의 존재 시에 기판, 구체적으로 웨이퍼를 효율적으로 위치지정하는 것이다. The object of the present invention is therefore to efficiently position the substrate, in particular the wafer, in the presence of an external force.

이러한 목적은 독립항의 특성에 의해 달성한다. 유리한 개선이 종속항, 상세한 설명 및 도면의 요지를 형성한다. This purpose is achieved by the characteristics of the independent subject. Advantageous refinements form the subject matter of the dependent claims, the detailed description and the drawings.

제1 양상에서, 본 발명은 기판, 구체적으로 웨이퍼를 위치지정하기 위한 위치지정 디바이스에 관한 것이며, 이러한 디바이스는 처리 챔버; 베이스 본체; 기판을 지지하기 위한 지지부를 포함하는 캐리어 요소로서, 베이스 본체 위에 배치되며 베이스 본체로부터 거리 면에서 움직일 수 있게 형성되는 캐리어 요소; 및 추가 기판, 구체적으로 추가 웨이퍼나 마스크를 위한 홀더로서, 캐리어 요소 반대편에 배치되는 홀더를 포함한다. 베이스 본체와 캐리어 요소 사이에는, 외력의 작용의 결과로서의 캐리어 요소의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해 압력, 구체적으로 부압이 인가될 수 있는 밀동된 공동이 제공된다. 이것은, 예컨대 기판 위 압력의 갑작스런 변화 동안, 기판의 원치 않는 움직임이 효율적으로 방지될 수 있으며 처리 결과가 그에 따라 개선될 수 있는 장점을 달성한다.In a first aspect, the present invention relates to a substrate, specifically a positioning device for positioning a wafer, the device comprising: a processing chamber; A base body; A carrier element comprising a support for supporting a substrate, the carrier element comprising: a carrier element disposed on the base body and movably formed in a distance from the base body; And a holder disposed on the opposite side of the carrier element, as a holder for an additional substrate, specifically an additional wafer or mask. Between the base body and the carrier element there is provided a mated cavity through which pressure, specifically negative pressure, can be applied to prevent unwanted movement of the carrier element as a result of the action of an external force. This achieves the advantage that, for example, during a sudden change of pressure on the substrate, undesired movement of the substrate can be effectively prevented and the processing results can be improved accordingly.

기판은 웨이퍼일 수 도 있다. 기판은 디스크-형상일 수 도 있으며 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12 또는 18인치의 직경을 갖는 실질적으로 둥근 주변부를 가질 수 도 있다. 기판은 또한 실질적으로 평면이 될 수 도 있으며, 50㎛와 3000㎛ 사이의 두께를 가질 수 도 있다. 기판은 직선 에지(플랫) 및/또는 적어도 하나의 그루브(노치)를 가질 수 도 있다. 기판은 또한 다각형, 구체적으로 정사각형 또는 직사각형 형태일 수 도 있다.The substrate may be a wafer. The substrate may be disk-shaped and may have a substantially rounded periphery with a diameter of 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12 or 18 inches. The substrate may also be substantially planar and may have a thickness between 50 [mu] m and 3000 [mu] m. The substrate may have a straight edge and / or at least one groove (notch). The substrate may also be polygonal, specifically square or rectangular in shape.

기판은, 예컨대 실리콘(Si) 또는 비화 갈륨(GaAs)과 같은 반도체 소재, 예컨대 수정 유리와 같은 유리, 플라스틱 소재 또는 세라믹으로 형성될 수 도 있다. 기판은 단결정, 다결정 또는 무정형 소재로 형성될 수 도 있다. 또한, 기판은 각 경우에 복수의 복합 소재를 포함할 수 도 있다. 기판은, 예컨대 포토레지스트나 접착제와 같은 폴리머와 같은 코팅으로 적어도 하나의 면 상에 코팅될 수 도 있다. 또한, 기판은 예컨대 구조화된 크롬 층과 같은 금속 코팅을 포함할 수 도 있다. The substrate may be formed of a semiconductor material such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs), for example, glass, plastic material or ceramic such as quartz glass. The substrate may be formed of a single crystal, polycrystalline or amorphous material. In addition, the substrate may comprise a plurality of composite materials in each case. The substrate may be coated on at least one side with a coating such as a polymer such as a photoresist or an adhesive. The substrate may also include a metal coating, such as a structured chromium layer.

기판은, 적어도 하나의 기판 표면 상에 구조, 구체적으로 규칙적으로 배치되는 구조를 포함할 수 도 있다. 이 구조는 기판 표면 상에 상승부(elevation) 및/또는 공동을 형성할 수 도 있다. 이 구조는 예컨대 트랜지스터, LED 또는 광검출기와 같은 전기 회로, 이들 회로를 연결하는 전기 전도성 트랙 또는 광학 소자를 포함할 수 도 있다. 이 구조는 MEMS 또는 MOEMS 구조를 더 포함할 수 도 있다. 기판은 하나 또는 두 기판 표면 상에 예컨대 접착 비드(glue bead)와 같은 잔류물 또는 불순물을 더 포함할 수 도 있다. The substrate may comprise a structure, specifically a structure that is arranged regularly on at least one substrate surface. This structure may also form elevations and / or cavities on the substrate surface. The structure may include, for example, electrical circuits such as transistors, LEDs or photodetectors, electrically conductive tracks or optical elements connecting these circuits. This structure may further include a MEMS or MOEMS structure. The substrate may further comprise residues or impurities such as glue beads on one or both substrate surfaces.

베이스 본체 및/또는 캐리어 요소는 각각 플라스틱 소재 또는 금속, 구체적으로 알루미늄으로 형성될 수 도 있다. 캐리어 요소는 베이스 본체에 결합될 수 도 있다. 예컨대, 베이스 본체는 홈을 포함하며, 이 홈 내로, 캐리어 요소가 적어도 부분적으로 삽입될 수 도 있다. 공동은, 캐리어 요소에 의해 수용되지 않는 베이스 본체의 홈의 부분에 의해 형성될 수 도 있다. The base body and / or carrier element may each be formed of a plastic material or metal, specifically aluminum. The carrier element may be coupled to the base body. For example, the base body may include a groove into which the carrier element may be at least partially inserted. The cavity may be formed by a portion of the groove of the base body that is not received by the carrier element.

베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 거리 면에서의 움직임은 베이스 본체에 수직일 수 있거나 베이스 본체의 횡방향 축을 따를 수 도 있다. 캐리어 요소의 움직임의 결과로, 베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 거리는 가변적이 될 수 도 있으며; 구체적으로, 베이스 본체 위의 캐리어 요소의 높이는 가변적일 수 도 있다. The movement of the carrier element in the distance from the base body may be perpendicular to the base body or may follow the transverse axis of the base body. As a result of the movement of the carrier element, the distance of the carrier element from the base body may be variable; In particular, the height of the carrier element on the base body may be variable.

위치지정 디바이스, 구체적으로 캐리어 요소 및/또는 베이스 본체는 척(chuck)을 형성할 수 도 있다. The positioning device, in particular the carrier element and / or the base body, may also form a chuck.

지지부는 캐리어 요소의 홈을 포함할 수 있거나 캐리어 요소의 홈으로서 형성될 수 도 있다. 기판이 홈에 삽입될 수 있도록, 홈의 둘레는 실질적으로 기판의 둘레에 대응할 수 도 있다. The support may comprise a groove in the carrier element or may be formed as a groove in the carrier element. The circumference of the groove may substantially correspond to the periphery of the substrate so that the substrate can be inserted into the groove.

추가 기판은 웨이퍼가 될 수 도 있다. 추가 기판은 또한, 기판에 대해, 마스크, 구체적으로 포토리소그라피 마스크나 스탬프, 구체적으로 마이크로임프린트(microimprint) 또는 나노임프린트(nanoimprint) 스탬프일 수 도 있다. The additional substrate may be a wafer. The additional substrate may also be a mask, specifically a photolithographic mask or stamp, specifically a microimprint or a nanoimprint stamp, for the substrate.

기판 및/또는 추가 기판은 실질적으로 동일한 크기, 구체적으로 실질적으로 같은 둘레를 갖고 있을 수 도 있다. 추가 기판은 기판에 대해 리드(lid) 및/또는 커버로서 형성될 수 도 있다. 추가 기판은 광을 투과하게 형성될 수 도 있다. The substrate and / or additional substrate may have substantially the same size, specifically substantially the same circumference. The additional substrate may be formed as a lid and / or a cover with respect to the substrate. The additional substrate may be formed to transmit light.

위치지정 디바이스에 의해, 기판의 반대편 추가 기판으로부터의 거리는 조정될 수 있다. 예컨대, 위치지정 디바이스는 기판과 추가 기판을 합칠 수 도 있으며 및/또는 접촉하게 할 수 도 있다. 후속하여, 리소그라피 처리, 본딩 처리 및/또는 임프린팅 처리가 실행될 수 도 있다.By the positioning device, the distance from the additional substrate on the opposite side of the substrate can be adjusted. For example, the positioning device may join and / or contact the substrate with the additional substrate. Subsequently, lithography processing, bonding processing and / or imprint processing may be performed.

베이스 본체, 캐리어 요소 및 홀더는 처리 챔버 내에 배치될 수 있다. The base body, the carrier element, and the holder may be disposed within the processing chamber.

실시예에서, 밀봉된 공동은 압력 단자를 포함하며, 이를 통해, 공동 내의 압력이 제어될 수 있다. 압력 단자에 의해, 공동 내의 압력은 처리 동안 원하는 값으로 유지될 수 있으며 및/또는 원하는 값에 이를 수 도 있으며, 이것이 의미하는 점은 캐리어 요소의 위치가 매우 간단한 방식으로 매우 효율적으로 제어될 수 있다는 점이다. In an embodiment, the sealed cavity comprises a pressure terminal through which the pressure in the cavity can be controlled. By means of the pressure terminal, the pressure in the cavity can be maintained at a desired value during processing and / or can reach a desired value, which means that the position of the carrier element can be controlled very efficiently in a very simple manner It is a point.

실시예에서, 조정 요소, 구체적으로 리프팅 요소가, 베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 거리를 조정하기 위해, 베이스 본체와 캐리어 요소 사이에 배치된다. 이러한 구성은, 기판이 베이스 본체로부터 고정된 거리에 효율적으로 위치지정될 수 있다는 장점을 달성하게 한다. 조정 또는 리프팅 요소는, 베이스 본체에서 적어도 부분적으로 수용되는 다수의 핀을 포함할 수 도 있다. 이들 핀은, 베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 거리를 변경하기 위해, 연장할 수 있으며 후퇴할 수 도 있다. 리프팅 요소는 압전 요소를 포함할 수 도 있다. In an embodiment, an adjusting element, specifically a lifting element, is disposed between the base body and the carrier element to adjust the distance of the carrier element from the base body. This configuration achieves the advantage that the substrate can be efficiently positioned at a fixed distance from the base body. The adjustment or lifting element may include a plurality of pins that are at least partially received in the base body. These pins may extend and retract to change the distance of the carrier element from the base body. The lifting element may comprise a piezoelectric element.

조정 요소는 전기적으로 및/또는 공압식으로 작동할 수 도 있어서, 베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 거리를 조정할 수 도 있다. 조정 요소는 제어 명령에 의해 추가로 작동할 수 도 있다. The adjustment element may be electrically and / or pneumatically actuated to adjust the distance of the carrier element from the base body. The adjustment element may be further operated by a control command.

실시예에서, 위치지정 디바이스는, 베이스 본체와 캐리어 요소 사이에 작용하는 회복 요소, 구체적으로 스프링을 포함한다. 이러한 구성은, 예컨대 압력이 공동에 인가되고 있지 않다면, 캐리어 요소가 특정 초기 위치로 회복될 수 있다는 장점을 달성한다. 추가로, 회복 요소는 또한 캐리어 요소의 공압식 고정을 보조할 수 도 있다. In an embodiment, the positioning device comprises a restoring element, in particular a spring, acting between the base body and the carrier element. This arrangement achieves the advantage that, for example, if the pressure is not being applied to the cavity, the carrier element can be restored to a certain initial position. In addition, the recovery element may also assist in pneumatic locking of the carrier element.

실시예에서, 베이스 본체로부터의 캐리어 요소의 최소 거리를 설정하는 다수의 지지 요소가 베이스 본체와 캐리어 요소 사이에 배치된다. 이러한 구성은, 캐리어 요소와 베이스 본체 사이의 최소 거리를 설정함으로써, 공동의 최소 크기가 또한 설정될 수 있다는 장점을 달성한다. 또한, 지지 요소에 의해, 공동에 부압이 있다면 캐리어 요소의 위치는 고정될 수 있다. In an embodiment, a plurality of support elements are disposed between the base body and the carrier element to set a minimum distance of the carrier element from the base body. This configuration achieves the advantage that by setting the minimum distance between the carrier element and the base body, the minimum size of the cavity can also be set. Further, by the support element, the position of the carrier element can be fixed if there is a negative pressure in the cavity.

실시예에서, 위치지정 디바이스는 캐리어 요소의 움직임을 안내하기 위한 가이드를 포함한다. 가이드는 베이스 본체와 캐리어 요소 사이에 배치될 수 도 있다. 간단한 방식으로, 가이드는, 캐리어 요소와 베이스 본체 사이에 존재하여 공동의 경계를 정하는 밀봉부의 탄성의 결과로서 예컨대 발생할 수 있는 것과 같은 캐리어 요소의 원치 않는 측방향 변위를 방지한다. 가이드는 단단한 본체 가이드로서 형성될 수 도 있다. In an embodiment, the positioning device includes a guide for guiding movement of the carrier element. The guide may be disposed between the base body and the carrier element. In a simple manner, the guide is between the carrier element and the base body to prevent undesired lateral displacement of the carrier element, such as may occur, for example, as a result of the elasticity of the seal bounding the cavity. The guide may be formed as a rigid body guide.

실시예에서, 캐리어 요소는 고정 디바이스를 포함하며, 이것에 의해, 지지부 상에 위치지정되는 기판은 구체적으로 기계식으로, 공압식으로 및/또는 정전기식으로 고정될 수 있다. 이러한 구성은, 기판이 예컨대 처리 동안 작용하는 외력에 의해 처리 동안 변위되지 않음을 보장한다. In an embodiment, the carrier element comprises a fixation device whereby the substrate positioned on the support can be mechanically, pneumatically and / or electrostatically fixed. This configuration ensures that the substrate is not displaced during processing, e.g., by external forces acting during processing.

이를 위해, 지지부 및/또는 캐리어 요소는 예컨대 브라켓 및/또는 흡입 개구와 같이 기판을 고정하기 위한 수단을 포함할 수 도 있다. To this end, the support and / or carrier element may comprise means for securing the substrate, for example a bracket and / or a suction opening.

실시예에서, 추가 압력, 구체적으로 과압이, 캐리어 요소를 타겟지정된 방식으로 장착부를 향해 움직이기 위해, 밀봉된 공동에 인가될 수 있다. 이러한 구성은, 기판 사이의 거리가 압력을 공동에 인가함으로써 공압식으로 조정할 수 있다는 장점을 달성한다. 과압은, 처리 챔버, 위치지정 디바이스에서의 처리 공동의 압력 및/또는 주위 압력으로부터의 정압차에 의해 설정될 수 있다. In an embodiment, additional pressure, specifically overpressure, may be applied to the sealed cavity to move the carrier element toward the seat in a targeted manner. This configuration achieves the advantage that the distance between the substrates can be adjusted pneumatically by applying pressure to the cavity. The overpressure may be set by the pressure in the process chamber, the pressure in the process cavity in the positioning device, and / or the static pressure difference from the ambient pressure.

실시예에서, 홀더는 추가 기판의 표면을 지지부 상에 위치지정되는 기판을 향해 배향하도록 형성된다. 이러한 구성은, 추가 기판이 지지부 상에 위치지정되는 기판에 대해 효율적으로 배치될 수 있다는 장점을 달성한다. In an embodiment, the holder is configured to orient the surface of the additional substrate toward a substrate positioned on the support. This configuration achieves the advantage that the additional substrate can be efficiently positioned relative to the substrate positioned on the support.

실시예에서, 캐리어 요소와 홀더 사이에는, 처리 공동이 있으며, 이 공동의 크기는 캐리어 요소와 홀더 사이의 거리에 의해 적어도 부분적으로 설정된다. In an embodiment, there is a treatment cavity between the carrier element and the holder, the size of which is at least partially set by the distance between the carrier element and the holder.

처리 공동은 처리 챔버의 부분일 수 있거나, 처리 공동은 처리 챔버를 형성한다. The treatment cavity may be part of the treatment chamber, or the treatment cavity forms the treatment chamber.

처리 공동은 압력 단자를 더 포함할 수 도 있다. The treatment cavity may further comprise a pressure terminal.

실시예에서, 위치지정 디바이스는 처리 공동을 밀봉하기 위한 밀봉 수단, 구체적으로 팽창할 수 있는 밀봉 립(lip)을 포함한다. 이러한 구성은, 처리 공동이 예컨대 처리 공동에서 과압 또는 부압을 유지하기 위해 효율적으로 밀봉될 수 있다는 장점을 달성한다. In an embodiment, the positioning device includes a sealing means for sealing the process cavity, specifically an expandable seal lip. This configuration achieves the advantage that the treatment cavity can be effectively sealed, for example, to maintain overpressure or negative pressure in the treatment cavity.

실시예에서, 과압 또는 부압이 처리 공동에 인가될 수 있고 및/또는 처리 공동이 배기될 수 있거나, 처리 공동에는 가스, 구체적으로 헬륨이 도입될 수 있는 가스 단자가 제공된다. 이러한 구성은, 기판이 제어된 환경, 예컨대 진공에서 처리될 수 있다는 장점을 달성한다. 외력 효과는, 공동과 처리 공동 사이의 압력차에 의해 설정될 수 있다. In an embodiment, an overpressure or a negative pressure may be applied to the treatment cavity and / or the treatment cavity may be evacuated, or the treatment cavity may be provided with a gas terminal to which gas, specifically helium, may be introduced. This configuration achieves the advantage that the substrate can be processed in a controlled environment, such as a vacuum. The external force effect can be set by the pressure difference between the cavity and the treatment cavity.

처리 공동을 배기하면, 기판과 추가 기판 사이에 진공 접촉을 구축할 수 있다. 이를 위해, 기판들 사이의 공동은 예컨대 초기에 배기된다. 후속하여, 위치지정 디바이스는 기판을 추가 기판을 향해 움직일 수 있어서, 두 개의 기판이 접촉하게 할 수 있다. 기판 및/또는 추가 기판의 표면 상의 공동은 그에 따라 기판들이 접촉하기 전에 배기될 수 있다. Evacuation of the treatment cavity can establish vacuum contact between the substrate and the additional substrate. To this end, the cavity between the substrates is, for example, initially evacuated. Subsequently, the positioning device can move the substrate toward the further substrate, allowing the two substrates to contact. The cavity on the surface of the substrate and / or additional substrate may then be evacuated before the substrates are contacted.

처리 공동이 배기될 때, 이것은 부압을 초래할 수 있다. 이러한 부압은, 외력으로서 캐리어 요소 또는 그 위에 위치지정되는 기판 상에 작용할 수 있으며, 이것은 캐리어 요소나 기판을 상승시킬 수 있으며 배기가 완료되기 전 기판들을 서로에게 가압할 수 도 있다. 이러한 외력을 상쇄시키기 위해, 캐리어 요소와 베이스 본체 사이의 공동은 이제 또한 배기될 수 있어서, 제2 힘을 초래하며, 이러한 제2 힘은 외력을 상쇄시키며 캐리어 요소를 고정한다. 기판들 사이의 처리 공동이 완전히 배기된 후, 두 개의 기판을 합치기 위해 조정 요소가 캐리어 요소를 타겟지정된 방식으로 홀더를 향해 움직일 수 있다. When the treatment cavity is evacuated, this can result in negative pressure. This negative pressure can act as an external force on the carrier element or a substrate positioned thereon, which can lift the carrier element or the substrate and press the substrates against each other before the exhaust is completed. To counteract this external force, the cavity between the carrier element and the base body can now also be exhausted, resulting in a second force, which offsets the external force and locks the carrier element. After the treatment cavity between the substrates is completely evacuated, the adjustment element can move the carrier element toward the holder in a targeted manner to join the two substrates.

실시예에서, 위치지정 디바이스는 스페이서(spacer), 구체적으로 웨지(wedge) 또는 웨지 스페이서를 포함하며, 이것은 베이스 본체와 홀더 사이의 거리를 조정 및/또는 고정하기 위해 베이스 본체와 홀더 사이에 삽입될 수 있다. 이러한 구성은, 외력으로 인한, 예컨대 처리 공동에서의 부압으로 인한 홀더의 베이스 본체를 향한 움직임이 효율적으로 방지될 수 있다는 장점을 달성한다. In an embodiment, the positioning device includes a spacer, specifically a wedge or wedge spacer, which is inserted between the base body and the holder to adjust and / or fix the distance between the base body and the holder . This configuration achieves the advantage that movement of the holder toward the base body due to external forces, e.g., negative pressure in the processing cavity, can be effectively prevented.

제2 양상으로, 본 발명은 기판, 구체적으로 웨이퍼를 추가 기판, 구체적으로 추가 웨이퍼나 마스크와 합치기 위한 방법에 관한 것이며, 이 방법은 다음의 방법 단계: 추가 기판에 대해 기판을 고정하는 단계; 외력의 작용으로 인한 기판의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해 기판 아래에서 밀봉된 공동을 배기하는 단계; 및 기판을 추가 기판을 향해 제어되는 방식으로 움직이는 단계를 포함하며, 기판과 추가 기판은 처리 공동에 위치하며, 처리 공동의 크기는 기판들 사이의 거리에 의해 적어도 부분적으로 설정되며, 과압 또는 부압을 처리 공동에 인가할 수 있고 및/또는 처리 공동을 배기할 수 있거나, 처리 공동을 가스, 구체적으로 헬륨으로 채울 수 있다. 이러한 구성은, 예컨대 기판이 타겟지정된 방식으로 합쳐지기 전, 기판의 원치 않는 움직임이 효율적으로 방지될 수 있다는 장점을 달성한다. 압력이 공동에 인가되기 직전 또는 직후에, 기판 상의 외력을 초래하는 처리 조건은 조정될 수 있다. 예컨대, 부압이 기판들 사이에 생성된다. 더 나아가, 이러한 구성은, 기판들이 제어되는 환경, 예컨대 진공에서 처리될 수 있다는 장점을 달성한다. 외력 작용은 공동과 처리 공동 사이의 압력차에 의해 설정할 수 있다.In a second aspect, the present invention relates to a method for joining a substrate, specifically a wafer, with an additional substrate, specifically an additional wafer or mask, comprising the steps of: fixing the substrate to an additional substrate; Evacuating a sealed cavity beneath the substrate to prevent undesired movement of the substrate due to the action of an external force; And moving the substrate in a controlled manner toward the additional substrate, wherein the substrate and the additional substrate are located in a processing cavity, the size of the processing cavity being at least partially set by the distance between the substrates, May be applied to the treatment cavity and / or the treatment cavity may be evacuated, or the treatment cavity may be filled with gas, specifically helium. This configuration achieves the advantage that undesired movement of the substrate can be effectively prevented, for example, before the substrates are combined in a targeted manner. Immediately before or after the pressure is applied to the cavity, the processing conditions that cause the external force on the substrate can be adjusted. For example, a negative pressure is created between the substrates. Furthermore, this configuration achieves the advantage that the substrates can be processed in a controlled environment, such as a vacuum. The external force action can be set by the pressure difference between the cavity and the treatment cavity.

처리 공동을 배기하면, 예컨대 기판과 추가 기판 사이에 진공 접촉을 구축할 수 있다. 이를 위해, 추가 방법 단계에서, 기판들 사이의 공동은 초기에 배기될 수 도 있다. 후속하여, 기판은 추가 기판을 향해 움직일 수 도 있으며, 2개의 기판은 접촉하게 될 수 도 있다. 기판 및/또는 추가 기판의 표면 상의 공동은 그에 따라 웨이퍼가 접촉하기 전 배기될 수 도 있다. Evacuation of the treatment cavity may provide for example a vacuum contact between the substrate and the additional substrate. To this end, in an additional method step, the cavity between the substrates may be initially vented. Subsequently, the substrate may be moved toward the additional substrate, and the two substrates may be brought into contact. The cavity on the surface of the substrate and / or additional substrate may be evacuated accordingly before the wafer contacts.

기판 및/또는 추가 기판은 각각 웨이퍼, 구체적으로 유리나 반도체 웨이퍼일 수 도 있다. 추가 기판은 또한 마스크, 구체적으로 포토리소그라피 마스크나 스탬프, 구체적으로 나노임프린트 또는 마이크로임프린트 스탬프일 수 도 있다. The substrate and / or additional substrate may each be a wafer, specifically a glass or semiconductor wafer. The additional substrate may also be a mask, in particular a photolithographic mask or stamp, specifically a nanoimprint or a microimprint.

기판 및/또는 추가 기판은 실질적으로 동일한 크기, 구체적으로 실질적으로 같은 둘레를 갖고 있을 수 도 있다. 추가 기판은 기판에 대한 리드 및/또는 커버로서 형성될 수 도 있다. 추가 기판은 광을 투과하게 형성될 수 도 있다. The substrate and / or additional substrate may have substantially the same size, specifically substantially the same circumference. Additional substrates may be formed as leads and / or covers to the substrate. The additional substrate may be formed to transmit light.

기판을 고정하는 단계는 캐리어 요소에, 구체적으로 캐리어 요소의 지지부에 고정하는 단계를 포함할 수 도 있다. 캐리어 요소는 이를 위한 고정 디바이스를 포함할 수 도 있다. 추가 기판은 이제 캐리어 요소 반대편 홀더에 고정될 수 도 있다. The step of securing the substrate may comprise securing it to the carrier element, in particular to the support of the carrier element. The carrier element may comprise a fixed device for this purpose. The additional substrate may now be secured to the holder opposite the carrier element.

실시예에서, 이 방법은 기판들을 연결하는 단계, 구체적으로 본딩하는 단계를 더 포함한다. 이러한 구성은, 구체적으로 효율적인 웨이퍼 본딩이 가능하게 될 수 있다는 장점을 달성한다. 부압이 인가되는 공동은 2개의 기판이 예컨대 조기에 접촉하게 될 수 있는 것을 방지한다. 그에 따라, 기판들이 접촉하기 전 최적의 처리 조건이 존재함을 보장할 수 있다. In an embodiment, the method further comprises connecting the substrates, specifically bonding. This configuration achieves the advantage that specifically efficient wafer bonding can be made. The cavity to which the negative pressure is applied prevents the two substrates from being brought into contact, for example, prematurely. Thereby, it can be ensured that optimal processing conditions exist before the substrates are contacted.

실시예에서, 캐리어 요소를 홀더를 향해 제어되는 방식으로 움직이는 단계는 추가 압력, 구체적으로 과압을 공동에 인가하는 단계를 포함한다. 이러한 구성은, 기판들이 압력을 공동에 인가함으로써 효율적으로 합쳐지게 될 수 있다는 장점을 달성한다. In an embodiment, moving the carrier element in a controlled manner toward the holder comprises applying additional pressure, specifically overpressure, to the cavity. This configuration achieves the advantage that the substrates can be efficiently combined by applying pressure to the cavity.

본 발명의 제1 양상에 따른 위치지정 디바이스는 본 발명의 제2 양상에 따른 방법을 실행하도록 형성될 수 도 있다. The positioning device according to the first aspect of the present invention may be configured to perform the method according to the second aspect of the present invention.

추가 실시예가 수반하는 도면을 참조하여 더 상세하게 설명될 것이다. Additional embodiments will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 기판을 위한 위치지정 디바이스의 일부분의 개략도이다.
도 2는 추가 실시예에 따른 위치지정 디바이스의 개략도이다.
도 3은 기판을 추가 기판과 합치기 위한 방법의 흐름도이다.
도 4a 내지 도 4g는, 2개의 기판을 연결하기 위해 사용되고 있는 도 2의 위치지정 디바이스의 개략도이다. 1 is a schematic view of a portion of a positioning device for a substrate.
Figure 2 is a schematic diagram of a positioning device according to a further embodiment.
3 is a flow diagram of a method for joining a substrate with an additional substrate.
Figures 4A-4G are schematic diagrams of the positioning device of Figure 2 used to connect two substrates.

도 1은 실시예에 따라 기판(101)을 위치지정하기 위한 위치지정 디바이스(100)의 일부분의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a portion of a positioning device 100 for positioning a substrate 101 in accordance with an embodiment.

위치지정 디바이스(100)는 베이스 본체(105)와, 기판(101)을 지지하기 위한 지지부(109)를 포함하는 캐리어 요소(107)를 포함하며, 캐리어 요소(107)는 베이스 본체(105) 위에 배치되며 거리면에서 베이스 본체(105)로부터 움직일 수 있게 형성된다. The positioning device 100 includes a base element 105 and a carrier element 107 including a support 109 for supporting the substrate 101 and the carrier element 107 is mounted on the base body 105 And is movably formed from the base body 105 at a distance.

위치지정 디바이스(100)는 추가 기판(103)을 위한 홀더(111)를 더 포함하며, 홀더(111)는 캐리어 요소(107) 반대편에 배치된다. The positioning device 100 further comprises a holder 111 for the additional substrate 103 and the holder 111 is disposed opposite the carrier element 107. [

위치지정 디바이스(100)에서, 베이스 본체(105)와 캐리어 요소(107) 사이에는, 외력의 작동의 결과로서의 캐리어 요소(107)나 지지 기판(101)의 홀더를 향한 원치 않는 움직임을 방지하기 위해, 압력, 구체적으로 부압이 인가될 수 있는 밀봉된 공동(113)이 있다. Between the base body 105 and the carrier element 107 is positioned a positioning device 100 to prevent unwanted movement of the carrier element 107 and the support substrate 101 towards the holder as a result of external actuation , There is a sealed cavity 113 to which pressure, specifically negative pressure, can be applied.

위치지정 디바이스(100)에 의해, 홀더(111)에 고정되는 추가 기판(103)으로부터의 기판(101)의 거리는 더 조정될 수 있다. 예컨대, 위치지정 디바이스(100)는 기판(101)과 추가 기판(103)을 합칠 수 도 있으며 및/또는 접촉하게 할 수 도 있다. 후속하여, 리소그라피 처리, 본딩 처리 및/또는 임프린트 처리가 실행될 수 도 있다. By the positioning device 100, the distance of the substrate 101 from the additional substrate 103 fixed to the holder 111 can be further adjusted. For example, the positioning device 100 may join and / or contact the substrate 101 and the additional substrate 103. Subsequently, lithography processing, bonding processing and / or imprint processing may be performed.

기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 웨이퍼일 수 도 있다. 추가 기판(103)은 또한, 기판(101)에 대해, 마스크, 구체적으로 포토리소그라피 마스크나 스탬프, 구체적으로 마이크로임프린트 또는 나노임프린트 스탬프일 수 도 있다. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each be a wafer. The additional substrate 103 may also be a mask, specifically a photolithographic mask or stamp, specifically a microimprint or a nanoimprint, for the substrate 101. [

기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 실질적으로 동일한 크기, 구체적으로 실질적으로 같은 둘레를 가질 수 도 있다. 추가 기판(103)은 기판(101)에 대해 리드 및/또는 커버로서 형성될 수 도 있다. 추가 기판(103)은 광을 투과하게 형성될 수 도 있다. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may have substantially the same size, specifically substantially the same perimeter. The additional substrate 103 may be formed as a lead and / or a cover with respect to the substrate 101. The additional substrate 103 may be formed to transmit light.

기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 디스크-형상일 수 도 있다. 기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12 또는 18인치의 직경을 갖는 실질적으로 둥근 둘레를 가질 수 도 있다. 기판(101, 103)은 추가로 실질적으로 평면일 수 도 있으며, 각각 50㎛와 3000㎛ 사이의 두께를 가질 수 도 있다. 기판(101, 103)은 각각 직선 에지(플랫) 및/또는 적어도 하나의 그루브(노치)를 가질 수 도 있다. 기판(101, 103)은 추가로 다각형, 구체적으로 정사각형 또는 직사각형 형태일 수 도 있다. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each be disk-shaped. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each have a substantially rounded circumference having a diameter of 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12 or 18 inches, respectively. The substrates 101,103 may be further substantially planar and each may have a thickness between 50 [mu] m and 3000 [mu] m. The substrates 101 and 103 may each have a straight edge and / or at least one groove (notch). The substrates 101,103 may be further polygonal, specifically square or rectangular in shape.

기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 예컨대 실리콘(Si) 또는 비화 갈륨(GaAs)과 같은 반도체 소재, 예컨대 수정 유리와 같은 유리, 플라스틱 소재 또는 세라믹으로 형성될 수 도 있다. 기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 단결정, 다결정 또는 무정형 소재로 형성될 수 도 있다. 또한, 기판(101, 103)은 각각 복수의 복합 소재를 포함할 수 도 있다. 기판(101, 103) 중 적어도 하나는, 예컨대 포토레지스트나 접착제와 같은 폴리머와 같은 코팅으로 적어도 하나의 면 상에 코팅될 수 도 있다. 또한, 기판(101, 103) 중 적어도 하나는 예컨대 구조화된 크롬 층과 같은 금속 코팅을 포함할 수 도 있다. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each be formed of a semiconductor material such as silicon (Si) or gallium arsenide (GaAs), for example, glass, plastic material or ceramic such as quartz glass. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each be formed of a single crystal, polycrystalline or amorphous material. Further, the substrates 101 and 103 may each include a plurality of composite materials. At least one of the substrates 101 and 103 may be coated on at least one side with a coating such as a polymer such as a photoresist or an adhesive. Also, at least one of the substrates 101,103 may comprise a metal coating, such as, for example, a structured chromium layer.

기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 각각 적어도 하나의 기판 표면 상에 구조, 특히 규칙적으로 배치되는 구조를 포함할 수 도 있다. 이 구조는 기판 표면 상에 상승부 및/또는 공동을 형성할 수 도 있다. 이 구조는 예컨대 트랜지스터, LED 또는 광검출기와 같은 전기 회로, 이들 회로를 연결하는 전기 전도성 트랙 또는 광학 소자를 포함할 수 도 있다. 이 구조는 MEMS 또는 MOEMS 구조를 더 포함할 수 도 있다. 기판(101) 및/또는 추가 기판(103)은 하나 또는 두 기판 표면 상에 예컨대 접착 비드와 같은 잔류물 또는 불순물을 더 포함할 수 도 있다. 이러한 구조 또는 잔류물은 각 경우에 다른 기판에 면하는 추가 기판(103) 또는 기판(101)의 표면 상에 있을 수 도 있다. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may each comprise a structure, particularly a regularly arranged structure, on at least one substrate surface. The structure may also form raised portions and / or cavities on the substrate surface. The structure may include, for example, electrical circuits such as transistors, LEDs or photodetectors, electrically conductive tracks or optical elements connecting these circuits. This structure may further include a MEMS or MOEMS structure. The substrate 101 and / or the additional substrate 103 may further comprise residues or impurities such as, for example, adhesive beads on one or both substrate surfaces. This structure or residue may be on the surface of the substrate 101 or additional substrate 103, which in each case faces another substrate.

베이스 본체(105) 및/또는 캐리어 요소(107)는 각각 플라스틱 소재 또는 금속, 구체적으로 알루미늄으로 형성될 수 도 있다. 캐리어 요소(107)는 베이스 본체(105)에 결합될 수 도 있다. 예컨대, 베이스 본체(105)는 홈을 포함하며, 이 홈 내로, 캐리어 요소(107)가 적어도 부분적으로 삽입될 수 도 있다. 공동(113)은, 캐리어 요소(107)에 의해 수용되지 않는 베이스 본체(105)의 홈의 부분에 의해 형성될 수 도 있다. The base body 105 and / or the carrier element 107 may each be formed of a plastic material or metal, specifically aluminum. The carrier element 107 may be coupled to the base body 105. For example, the base body 105 may include a groove into which the carrier element 107 may be at least partially inserted. The cavity 113 may be formed by the portion of the groove of the base body 105 that is not received by the carrier element 107.

베이스 본체(105)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리 면에서의 움직임은 베이스 본체에 실질적으로 수직이다. 또한, 그에 경사진 소자가 사용될 수 도 있다. 베이스 본체(105)에 대한 캐리어 요소(107)의 움직임의 결과로, 베이스 본체(105)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리는 변하며; 구체적으로, 베이스 본체(105) 위의 캐리어 요소(107)의 높이는 변할 수 도 있다.The movement of the carrier element 107 from the base body 105 in the distance plane is substantially perpendicular to the base body. Also, an inclined element may be used. As a result of the movement of the carrier element 107 relative to the base body 105, the distance of the carrier element 107 from the base body 105 varies; Specifically, the height of the carrier element 107 on the base body 105 may vary.

캐리어 요소(107) 및/또는 베이스 본체(105)가 척을 형성할 수 도 있다. The carrier element 107 and / or the base body 105 may form a chuck.

지지부(109)는 캐리어 요소(107)의 홈을 포함할 수 있거나 캐리어 요소(107)의 홈으로서 형성될 수 도 있다. 기판(101)이 홈에 삽입될 수 있도록, 홈의 둘레는 실질적으로 기판(101)의 둘레에 대응할 수 도 있다. The support 109 may comprise a groove in the carrier element 107 or may be formed as a groove in the carrier element 107. The circumference of the groove may substantially correspond to the periphery of the substrate 101 so that the substrate 101 can be inserted into the groove.

캐리어 요소(107)는 지지되는 기판(101)을 고정하기 위해 고정 디바이스(도 1에는 도시되지 않음)를 포함할 수 도 있다. 이 고정은 예컨대, 기계식, 공압식 및/또는 정전기식이다. 예컨대, 이러한 고정은, 기판이 외력에 의해 지지부로부터 릴리스되는 것을 방지한다. 지지부(109) 및/또는 캐리어 요소(107)는 이를 위해 브라켓 및/또는 흡입 개구와 같은 고정 수단을 포함할 수 도 있다. 고정 디바이스는 클램핑 디바이스일 수 도 있다. The carrier element 107 may also include a fastening device (not shown in Fig. 1) to secure the substrate 101 to be supported. This fixation may be, for example, mechanical, pneumatic and / or electrostatic. For example, this fixation prevents the substrate from being released from the support by external force. The support 109 and / or the carrier element 107 may also include fixing means such as brackets and / or suction openings for this purpose. The stationary device may be a clamping device.

홀더(111)는 추가 기판(103)의 표면을 캐리어 요소(107) 상에 위치지정되는 기판(101)을 향해 배향하도록 형성된다. 기판(103)은 기계식으로, 공압식으로 또는 정전기식으로 홀더(111)에 고정된다. 홀더(111)는 예컨대 진공 홀더이며, 이러한 진공 홀더는 부압에 의해 추가 기판(103)에서 가압 또는 흡입하여 이러한 기판을 고정한다. The holder 111 is formed to orient the surface of the additional substrate 103 toward the substrate 101 positioned on the carrier element 107. [ The substrate 103 is fixed to the holder 111 mechanically, pneumatically or electrostatically. The holder 111 is, for example, a vacuum holder, which fixes such a substrate by pressing or sucking the additional substrate 103 by a negative pressure.

홀더(111)의 위치는 또한 캐리어 요소(107) 및 지지되는 기판(101)에 평행하고 및/또는 캐리어 요소(107) 및 지지되는 기판(101)에 수지긴 평면에서 조정할 수 있게 될 수 도 있다. 예컨대, 홀더(111)는, 기판(101, 103)의 배향(정렬)이 가능케 되게 하기 위해, 캐리어 요소(107) 상에 지지되는 기판(101)의 표면에 평행한 추가 기판(103)의 정밀한 위치 조정을 가능케 한다. 동일한 목적을 위해, 캐리어 기판(107) 및/또는 베이스 본체(105)는 또한 지지되는 기판(101)에 횡방향으로 움직일 수 도 있다. The position of the holder 111 may also be adjustable in a plane parallel to the carrier element 107 and the substrate 101 to be supported and / or the carrier element 107 and the substrate 101 to be supported . For example, the holder 111 may be provided with a precise (more precise) alignment of the additional substrate 103 parallel to the surface of the substrate 101 supported on the carrier element 107, Position adjustment. For the same purpose, the carrier substrate 107 and / or the base body 105 may also move transversely to the substrate 101 being supported.

홀더(111)는 광을 투과하게, 구체적으로 자외선 파장 범위로 형성될 수 도 있다. 구체적으로, 홀더(111)는 유리나 투명한 플라스틱 소재로 형성될 수 도 있다. 이로 인해, 예컨대 홀더(111)에 고정된 마스크를 통해 기판(101)을 조명하기 위해서나 기판(101, 103) 사이에서 본딩 접착제를 경화시키기 위해, 홀더(111)를 통과하여 광을 비출 수 도 있다. The holder 111 may be formed to transmit light, specifically in the ultraviolet wavelength range. Specifically, the holder 111 may be formed of glass or a transparent plastic material. This allows the light to pass through the holder 111 to illuminate the substrate 101, for example, through a mask fixed to the holder 111, or to cure the bonding adhesive between the substrates 101 and 103 .

캐리어 요소(107)를 타겟 지정된 방식으로 홀더(111)를 향해 움직이기 위해 추가 압력, 구체적으로 과압을 밀봉된 공동(113)에 인가할 수 도 있다. 이런 식으로, 기판(101, 103) 사이의 거리는 감소할 수 있거나, 기판(101, 103)은 타겟 지정된 방식으로 접촉하게 될 수 있다. An additional pressure, specifically overpressure, may be applied to the sealed cavity 113 to move the carrier element 107 toward the holder 111 in a targeted manner. In this way, the distance between the substrates 101, 103 can be reduced, or the substrates 101, 103 can be brought into contact in a targeted manner.

압력을 조절하기 위해, 밀봉된 공동(113)은 (도 1에 도시되지 않은) 압력 밸브를 포함할 수 도 있다. To adjust the pressure, the sealed cavity 113 may include a pressure valve (not shown in FIG. 1).

도 1의 예시적인 위치지정 디바이스(100)는 조정 요소(115), 가이드(117) 및 회복 요소(119)를 더 포함한다. The exemplary positioning device 100 of FIG. 1 further includes an adjustment element 115, a guide 117, and a recovery element 119.

조정 요소(115)는 홀더(111)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리를 정밀하게 조정하기 위해 형성된다. 조정 요소(115)는 베이스 본체(105)와 캐리어 요소(107) 사이에 배치될 수 도 있다. 조정 요소(115)는, 압력을 공동(113)에 인가함으로써 홀더로부터의 캐리어 요소의 거리의 공압식 조정을 추가로 보조할 수 도 있다. The adjustment element 115 is formed to precisely adjust the distance of the carrier element 107 from the holder 111. [ The adjustment element 115 may be disposed between the base body 105 and the carrier element 107. The adjustment element 115 may further assist pneumatic adjustment of the distance of the carrier element from the holder by applying pressure to the cavity 113.

조정 요소(115)는 리프팅 요소, 구체적으로 공압식 리프팅 요소를 포함할 수 도 있다. 조정 또는 리프팅 요소(115)는, 베이스 본체에 적어도 부분적으로 수용되는 다수의 핀을 포함할 수 도 있다. 이들 핀은, 베이스 본체(105)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리를 변경하기 위해, 연장할 수 있으며 후퇴할 수 도 있다. 리프팅 요소는 하나의 압전 요소 또는 복수의 압전 요소를 포함할 수 도 있다. The adjustment element 115 may comprise a lifting element, in particular a pneumatic lifting element. The adjustment or lifting element 115 may include a plurality of pins that are at least partially received in the base body. These pins may extend and retract to change the distance of the carrier element 107 from the base body 105. The lifting element may comprise one piezoelectric element or a plurality of piezoelectric elements.

조정 요소(115)는 제어 명령에 의해 작동할 수 도 있어서 베이스 본체(105)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리를 조정할 수 도 있다. The adjustment element 115 may be actuated by a control command to adjust the distance of the carrier element 107 from the base body 105.

가이드(117)가 캐리어 요소(107)의 움직임을 안내하기 위해 형성되어, 캐리어 요소(107)의 원치 않는 측방향 변위를 방지한다. A guide 117 is formed to guide the movement of the carrier element 107 to prevent unwanted lateral displacement of the carrier element 107.

회복 요소(119)는 이 경우, 베이스 본체(105)와 캐리어 요소(107) 사이에 배치되는 스프링이다. 회복 요소(119)는 또한 캐리어 요소(107)의 공압식 고정을 촉진할 수 있다. The recovery element 119 is in this case a spring disposed between the base body 105 and the carrier element 107. The recovery element 119 may also facilitate pneumatic locking of the carrier element 107.

추가 실시예에서, 조정 요소(115)는 베이스 본체(105)와 캐리어 요소(107) 사이의 공동에 의해 형성되며, 이 공동에, 압력이 인가된다. 그에 따라, 압력을 공동(113)에 인가함으로써, 베이스 본체(105)로부터의 캐리어 요소(107)의 거리를 조정하며 캐리어 요소(107)의 위치를 고정할 수 있다. In a further embodiment, the adjustment element 115 is formed by a cavity between the base body 105 and the carrier element 107, in which pressure is applied. Accordingly, by applying pressure to the cavity 113, the distance of the carrier element 107 from the base body 105 can be adjusted and the position of the carrier element 107 can be fixed.

도 2는, 제1 실시예에 일반적으로 대응하는 추가 실시예에 따른 위치지정 디바이스(100)의 개략도이다. 2 is a schematic diagram of a positioning device 100 according to a further embodiment generally corresponding to the first embodiment.

도 2는 처리 챔버를 갖고, 구체적으로 리소그라피 처리나 본딩 처리에 대해서는, 처리 공동(201)을 갖는 위치지정 디바이스(100)를 도시한다. 처리 공동(201)은 캐리어 요소(107)와 홀더(111) 사이에 위치지정된다. 처리 공동(201)의 크기는 캐리어 요소(107)와 홀더(111) 사이의 거리에 의해 실질적으로 설정된다. Fig. 2 shows a positioning device 100 having a processing chamber, specifically with a processing cavity 201, for lithography processing and bonding processing. The treatment cavity 201 is positioned between the carrier element 107 and the holder 111. The size of the treatment cavity 201 is substantially set by the distance between the carrier element 107 and the holder 111.

처리 공동(201)은 처리 챔버의 일부분을 형성할 수 도 있거나, 처리 공동(201)은 구체적으로 리소그라피 또는 본딩 처리에 대해서는 처리 챔버일 수 도 있다. 과압 또는 부압이 처리 공동(201)에 인가될 수 도 있고 및/또는 처리 공동이 배기될 수 도 있다. 또한, 처리 공동(201)은 가스, 구체적으로 헬륨으로 채워질 수 도 있다. 이로 인해, 기판(101, 103)을 제어되는 처리 환경에서 처리할 수 있다. The treatment cavity 201 may form part of the treatment chamber, or the treatment cavity 201 may be a treatment chamber specifically for lithography or bonding treatment. Overpressure or negative pressure may be applied to the treatment cavity 201 and / or the treatment cavity may be evacuated. Also, the treatment cavity 201 may be filled with gas, specifically helium. As a result, the substrates 101 and 103 can be processed in a controlled processing environment.

실시예에서, 처리 공동(201)을 배기하면, 기판(101)과 추가 기판(103) 사이에 진공 접촉을 구축할 수 있다. 이를 위해, 처리 공동(201)은 먼저 배기된다. 후속하여, 위치지정 디바이스(100)는, 2개의 기판(101, 103)을 접촉하게 하기 위해, 기판(101)을 추가 기판(103)을 향해 움직인다. 기판(101) 및/또는 추가 기판(103)의 표면 상의 공동과 같은 구조는 그에 따라, 기판(101, 103)이 접촉하기 전에 효율적으로 배기될 수 있다. In an embodiment, evacuation of the treatment cavity 201 may establish a vacuum contact between the substrate 101 and the additional substrate 103. For this purpose, the treatment cavity 201 is first evacuated. Subsequently, the positioning device 100 moves the substrate 101 toward the additional substrate 103 to bring the two substrates 101, 103 into contact. A structure such as a cavity on the surface of the substrate 101 and / or the additional substrate 103 can thereby be efficiently evacuated before the substrate 101, 103 contacts.

캐리어 요소(107)와 홀더(111) 사이의 처리 공동(201)에 압력을 인가하면, 캐리어 요소 상의 외력의 작용을 일으킬 수 있거나 증폭시킬 수 있다. 예컨대, 처리 공동(201)이 배기될 대, 이것은 결국 부압을 초래하며, 이러한 부압은 캐리어 요소(107) 및/또는 지지되는 기판(101) 상에 외력의 작용을 일으킨다. 이 외력은, 각각의 기판 표면 상의 모든 구조가 충분히 배기되기 전 요소(107)나 기판(101)이 상승하게 할 수 있으며 기판(101, 103)이 함께 가압되게 할 수 있다. 압력은 이제 또한 캐리어 요소(107)와 베이스 본체(105) 사이의 공동(113)에 인가되므로, 이 힘은 보상될 수 있으며, 기판(101, 103)은 조기에 함께 가압되는 것이 방지될 수 있다. Applying pressure to the process cavity 201 between the carrier element 107 and the holder 111 can cause or amplify the action of an external force on the carrier element. For example, when the treatment cavity 201 is evacuated, this eventually results in a negative pressure, which causes an external force to act on the carrier element 107 and / or the substrate 101 to be supported. This external force can cause the element 107 or the substrate 101 to rise before all the structures on the surface of each substrate are sufficiently exhausted, and the substrates 101 and 103 can be pressed together. The pressure is now also applied to the cavity 113 between the carrier element 107 and the base body 105 so that this force can be compensated and the substrates 101,103 can be prevented from being pressed together early .

캐리어 요소(107)나 기판(101) 상의 외력의 작용은 공동(113)과 처리 공동(201) 사이의 압력차의 결과일 수 도 있다. 적절한 압력을 공동(113)에 인가함으로써, 이 압력차와 결과적인 힘은 최소화될 수 있다. 기판들 사이의 처리 공동(201)이 충분히 배기된 후, 2개의 기판(101, 103)을 합치기 위해, 조정 요소(115)가 캐리어 요소(107)를 홀더(111)를 향해 움직일 수 있다. 진공 접촉이 그에 따라 기판(101, 103) 사이에 구축될 수 있다. 대안적으로, 캐리어 요소(107)를 홀더(111)를 향해 움직이며 2개의 기판(101, 103)을 접촉하게 하기 위해, 과압이 공동(113)에 인가될 수 도 있다. The action of the external force on the carrier element 107 or the substrate 101 may be a result of the pressure difference between the cavity 113 and the treatment cavity 201. [ By applying an appropriate pressure to the cavity 113, this pressure difference and resulting force can be minimized. After the treatment cavity 201 between the substrates is sufficiently exhausted, the adjustment element 115 can move the carrier element 107 toward the holder 111 to join the two substrates 101,103. Vacuum contact can thereby be established between the substrates 101, 103. Alternatively, overpressure may be applied to the cavity 113 to move the carrier element 107 toward the holder 111 and bring the two substrates 101,103 into contact.

도 2는, 진공 흡입에 의해 기판(101)을 지지부(109)에 고정하며 추가 기판(103)을 홀더(111)에 고정하는 예를 더 도시한다. 이를 위해, 지지부(109)와 홀더(111) 각각은, 부압에 의해 기판(101)이나 추가 기판(103)을 고정하는 복수의 흡입 개구를 포함한다. 2 further shows an example in which the substrate 101 is fixed to the support portion 109 by vacuum suction and the additional substrate 103 is fixed to the holder 111. Fig. To this end, each of the support portion 109 and the holder 111 includes a plurality of suction openings for fixing the substrate 101 or the additional substrate 103 by a negative pressure.

도 2에서, 조정 요소(115)는, 캐리어 요소(107)의 베이스 본체(105)로부터와 홀더(111)의 추가 기판(103)으로부터의 최소 거리를 설정하기 위해, 복수의 지지 요소(205a 내지 205c)를 포함한다. 공동(113)에 강한 부압이 있다면, 캐리어 요소(107)는 그에 따라 베이스 본체(107)에 직접 가압하는 것을 방지할 수 있다. In Figure 2 the adjustment element 115 has a plurality of support elements 205a-c to set a minimum distance from the base body 105 of the carrier element 107 and from the additional substrate 103 of the holder 111. [ 205c. If there is a strong negative pressure in the cavity 113, the carrier element 107 can thereby be prevented from directly pushing against the base body 107.

도 2의 예시적인 도면에서, 기판(101)은 상면 및 하면 상에 구조화를 포함한다. 이러한 구조화는, 예컨대 공동 및/또는 전기 회로에 의해 형성되는 규칙적인 구조를 포함한다. 예컨대, 기판(101)의 표면 상의 구조는, 각각의 공동에 내장되는 LED 및/또는 검출기이다. 도 2의 기판 표면의 구조화는, 추가 기판(103)에 면하는 표면 상에 접착 비드(211)의 형태의 불순물을 더 포함한다. 기판(101, 103)이 합쳐질 때, 추가 기판(103)이 접착 비드(211) 상에 가압될 수 있어서, 결국 기판(101, 103) 사이에 접착 층을 초래한다. 추가 기판(103)은 기판(101) 상의 개별 구조에 대한 투명한 리드나 커버를 포함할 수 있으며, 이들 리드나 커버는 접착 층이 경화된 후 구조 위의 위치에 유지된다. In the exemplary illustration of FIG. 2, the substrate 101 includes a top surface and a bottom surface. Such structuring includes a regular structure formed, for example, by cavities and / or electrical circuits. For example, the structure on the surface of the substrate 101 is an LED and / or a detector embedded in each cavity. The structuring of the substrate surface of FIG. 2 further includes impurities in the form of adhesive beads 211 on the surface facing the additional substrate 103. When the substrates 101 and 103 are joined, an additional substrate 103 can be pressed onto the adhesive beads 211, resulting in an adhesive layer between the substrates 101 and 103. The additional substrate 103 may include a transparent lead or cover for the individual structure on the substrate 101 and these leads or covers are held in position on the structure after the adhesive layer is cured.

도 2의 예시적인 위치지정 디바이스(100)는 웨지-형상 스페이서(203)와 밀봉 수단(207, 209)을 더 포함한다. The exemplary positioning device 100 of FIG. 2 further includes a wedge-shaped spacer 203 and sealing means 207, 209.

스페이서(203)가, 베이스 본체를 향한 홀더의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해, 베이스 본체(105)와 홀더(111) 사이에 삽입된다. A spacer 203 is inserted between the base body 105 and the holder 111 to prevent unwanted movement of the holder toward the base body.

처리 공동(201)이 배기될 때, 홀더(111)와 캐리어 요소(107) 사이의 부압이 홀더 상에 추가 외력을 일으킬 수 도 있다. 이 추가 외력은 또한 홀더 및 캐리어 요소(107)나 지지되는 기판(101)이 함께 가압되게 할 수 도 있다. 이를 방지하기 위해, 스페이서(203)는, 처리 챔버(201)가 배기되기 전 홀더와 베이스 본체 사이에 삽입된다. When the treatment cavity 201 is evacuated, a negative pressure between the holder 111 and the carrier element 107 may cause additional external forces on the holder. This additional external force may also cause the holder and carrier element 107 or the supported substrate 101 to be pressed together. To prevent this, the spacer 203 is inserted between the holder and the base body before the processing chamber 201 is evacuated.

밀봉 수단(207)은 구체적으로 캐리어 요소(107)의 베이스 본체(105)로부터의 상이한 거리에서 공동(113)을 밀봉하도록 형성된다. 밀봉 수단(207)은 바람직하게는 밀봉 링 및/또는 밀봉 립, 구체적으로 팽창할 수 있는 밀봉 립으로서 구성된다. The sealing means 207 is specifically configured to seal the cavity 113 at a different distance from the base body 105 of the carrier element 107. The sealing means 207 is preferably constructed as a sealing ring and / or a sealing lip, specifically an expandable sealing lip.

추가 밀봉 수단(209)은 홀더(111)의 캐리어 요소(107)로부터의 상이한 거리에 처리 공동(201)이나 처리 챔버(201)를 밀봉한다. 이를 위해, 추가 밀봉 수단(209)은 또한 밀봉 링 및/또는 팽창할 수 있는 밀봉 립을 포함할 수 도 있다. 밀봉 링의 밀봉 립은 홀더(111)에 대해 가압될 수 있어서, 처리 공동(201)을 밀봉할 수 도 있다. The additional sealing means 209 seals the processing cavity 201 or the processing chamber 201 at different distances from the carrier element 107 of the holder 111. [ To this end, the additional sealing means 209 may also comprise a seal ring and / or an expandable seal lip. The seal lip of the seal ring can be pressed against the holder 111 so as to seal the process cavity 201. [

도 3은 실시예에 따라 기판(101)을 추가 기판(103)과 합치기 위한 방법(300)의 흐름도이다. 기판(101, 103) 각각은 유리나 반도체 기판일 수 도 있다. 또한, 기판(101)은 웨이퍼일 수 있으며, 추가 기판(103)은 마스크나 스탬프일 수 도 있다. 기판(101, 103)은 도 1 및/또는 도 2에 도시한 기판(101, 103)에 대응할 수 도 있다. 3 is a flow diagram of a method 300 for joining a substrate 101 to an additional substrate 103 in accordance with an embodiment. Each of the substrates 101 and 103 may be glass or a semiconductor substrate. Further, the substrate 101 may be a wafer, and the additional substrate 103 may be a mask or a stamp. The substrates 101 and 103 may correspond to the substrates 101 and 103 shown in Fig. 1 and / or Fig.

방법(300)은 도 1 및/또는 도 2의 위치지정 디바이스를 사용하여 실행될 수 도 있으며, 기판(101)을 추가 기판(103) 반대편에 고정하는 단계(301), 외력의 작용으로 인한 기판의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해 기판(101) 아래에서 밀봉된 공동(113)을 배기하는 단계(303), 및 기판(101)을 추가 기판(103)을 향해 제어되는 방식으로 움직이는 단계(305)를 포함한다. The method 300 may be performed using the positioning device of FIG. 1 and / or FIG. 2, and may include steps 301 of fixing the substrate 101 to the opposite side of the additional substrate 103, Evacuating the sealed cavity 113 below the substrate 101 to prevent unwanted movement and moving the substrate 101 in a controlled manner toward the additional substrate 103 .

도 3의 방법(300)은 합쳐지는 기판(101, 103)을 연결하는 단계(307), 구체적으로 본딩하는 단계를 더 포함한다. The method 300 of FIG. 3 further includes connecting 307, specifically bonding, the substrates 101 and 103 to be combined.

방법(300)이, 도 2의 예에 의해 도시한 바와 같이, 처리 챔버(201)를 포함하는 위치지정 디바이스(100)를 사용하여 실행된다면, 이 처리 챔버(201)는, 캐리어 요소(107)가 추가 기판(103)을 향해 제어되는 방식으로 움직이기 전(305) 배기될 수 도 있다. 이 배기 전, 그 동안 또는 그 후, 캐리어 요소(107)의 추가 기판(103)을 향한 조기의 움직임을 방지하기 위해 그리고 기판 표면 상의 구조 및 공동의 충분한 배기를 보장하기 위해, 부압이 캐리어 요소(107)와 베이스 본체(105) 사이의 공동(113)에 인가할 수 도 있다. If the method 300 is carried out using the positioning device 100 including the processing chamber 201 as shown by the example of Figure 2, (305) in a controlled manner toward the additional substrate (103). Before, during, or after this evacuation, a negative pressure is applied to the carrier element 107 to prevent premature movement of the carrier element 107 towards the further substrate 103 and to ensure sufficient exhaustion of the structure and cavity on the substrate surface 107 to the cavity 113 between the base body 105.

도 4a 내지 도 4g는, 실시예에 따라 2개의 기판(101, 103)을 연결하기 위한 연결 처리 동안 도 2의 위치지정 디바이스(100)의 개략도이다. 4A-4G are schematic views of the positioning device 100 of FIG. 2 during a connection process for connecting two substrates 101,103 in accordance with an embodiment.

도 4a는 연결 처리의 초기 상태를 도시한다. 접착 비드를 포함하는 기판(101)이 캐리어 요소(107)의 지지부(109) 상에 위치지정되며, 추가 기판(103)이 홀더(111)에 고정된다. 지지부(109)와 홀더(111)는 부압에 의해 기판(101, 103)을 고정한다. 기판(101)이 지지부(109)에 흡입되게 하는 압력차는 예컨대 P웨이퍼= -0.95bar이다. 부압은 또한 캐리어 요소(107)와 베이스 본체(105) 사이의 공동(113)에 인가되며, 결국 주위 압력으로부터의 P척= -0.95bar의 압력차를 초래한다. 팽창할 수 있는 밀봉 립(209)은 도 4a에서 후퇴한다. 그에 따라, 처리 챔버(201)의 압력은 주위 압력에 대응한다(압력차(P챔버= 0bar))4A shows an initial state of the connection process. The substrate 101 including the adhesive beads is positioned on the support 109 of the carrier element 107 and the additional substrate 103 is fixed to the holder 111. [ The support portion 109 and the holder 111 fix the substrates 101 and 103 by a negative pressure. The pressure difference for causing the substrate 101 to be sucked into the support 109 is, for example, P wafer = -0.95 bar. The negative pressure is also applied to the cavity 113 between the carrier element 107 and the base body 105, resulting in a pressure difference of P chuck = -0.95 bar from ambient pressure. The expandable seal lip 209 retracts in FIG. 4A. Accordingly, the pressure in the process chamber 201 corresponds to the ambient pressure (pressure difference (P chamber = 0 bar)).

도 4b는 처리 챔버(201)를 밀봉하는 팽창할 수 있는 밀봉 립(209)의 후속한 연장을 도시한다. 또한, 홀더(111)는 낮춰져서 웨지(203)에 의한 베이스 본체(105)로부터의 설정된 거리로 고정된다. FIG. 4B illustrates a subsequent extension of the expandable seal lip 209 that seals the process chamber 201. The holder 111 is also lowered and fixed at a predetermined distance from the base body 105 by the wedge 203. [

도 4c는 밀봉된 처리 챔버(201)의 배기를 도시한다. 이것은 결국 예컨대 주위 압력의 부압차(P챔버= -0.75bar)를 초래한다. 부압이 또한 압력 챔버(113)에 적용되므로, 처리 챔버(201)의 배기는 캐리어 요소(107)의 홀더(111)를 향한 움직임을 초기에 초래하지는 않는다. FIG. 4C shows the exhaust of the sealed process chamber 201. FIG. This results, for example, in the negative pressure difference of the ambient pressure (P chamber = -0.75 bar). Since the negative pressure is also applied to the pressure chamber 113, the exhaust of the processing chamber 201 does not initially cause the movement of the carrier element 107 toward the holder 111.

도 4d에 도시된 다음의 처리 단계에서, 예컨대 P척= +0.5bar의 과압이 공동(113)에 인가된다. 결국, z-방향으로 움직일 수 있는 웨이퍼 지지부는 캐리어 요소(107) 상에 위치한 기판(101)을 상부 기판(103)에 대해 가압한다. 접착 비드는 그에 따라 기판(101, 103) 사이에 압축될 수 있으며 균일한 접착 층을 형성할 수 있다. 측방향으로 조정할 수 있는 캐리어 요소(107)나 측방향으로 조정할 수 있는 지지부(109)에 대해, 이 시기에 조정할 수 도 있다. 4D, an overpressure of, for example, P- chuck = +0.5 bar is applied to the cavity 113. In the next process step shown in Fig. Eventually, the wafer support, which can move in the z-direction, presses the substrate 101 positioned on the carrier element 107 against the upper substrate 103. The adhesive beads can thereby be compressed between the substrates 101 and 103 and can form a uniform adhesive layer. The carrier element 107 which can be adjusted laterally or the support 109 which can be laterally adjusted can be adjusted at this time.

도 4e는 밀봉 립(209)의 후속한 후퇴와 웨지(203)의 제거를 도시한다. 4E shows the subsequent retraction of the sealing lip 209 and the removal of the wedge 203. As shown in Fig.

미세한 조정이 이전 단계에서 가능하지 않았다면, 캐리어 요소(107)는 이제 홀더를 향해 더 움직일 수 있고, 척 지지부 상에 흡입될 수 있으며 조정될 수 있다. 캐리어 요소의 이러한 낮춤이 도 4f에 도시한다. If fine adjustment is not possible in the previous step, the carrier element 107 can now be further moved towards the holder and can be sucked on and adjusted on the chuck support. This lowering of the carrier element is shown in Figure 4f.

도 4g는, 기판(101, 103) 사이의 접착 층을 경화시키기 위한 UV 광(401)에 의한 연결된 기판의 후속한 조명을 도시한다. Figure 4g shows the subsequent illumination of the connected substrate by UV light 401 to cure the adhesive layer between the substrates 101,103.

도 1, 도 2 및 도 4a 내지 도 4g에 도시한 위치지정 디바이스(100)는 마스크 정렬기와 같은 리소그라피 시스템, 레이저 기록기, 웨이퍼 본더와 같은 본딩 시스템, 스테퍼, 에칭 시스템 또는 세척 시스템과 같이, 마이크로구조 소자를 위한 제조 시스템에 통합될 수 있다. The positioning device 100 shown in Figures 1, 2 and 4A-4G may be used in various applications, such as lithography systems such as mask aligners, bonding systems such as laser registers, wafer bonders, steppers, Can be integrated into a manufacturing system for devices.

생산 시스템은, 진공이 기판(101, 103) 사이에 발생되며 및/또는 진공 접촉이 예컨대 진공 본딩을 위해 기판(101, 103) 사이에 구축되는 제조 처리를 위해 형성될 수 도 있다.The production system may be formed for manufacturing processing in which a vacuum is generated between the substrates 101 and 103 and / or vacuum contact is established between the substrates 101 and 103, for example, for vacuum bonding.

100: 위치지정 디바이스 101: 기판
103: 추가 기판 105: 베이스 본체
107: 캐리어 요소 109: 지지부
111: 홀더 113: 공동
115: 조정 요소 117: 가이드
119: 회복 요소 201: 처리 공동
203: 웨지 205a 내지 205c: 지지 요소
207: 밀봉 수단 209: 추가 밀봉 수단
211; 접착 비드
300: 기판을 추가 기판과 합치기 위한 방법
301: 고정하는 단계 303: 배기하는 단계
305: 움직이는 단계 307: 연결하는 단계
401: UV 광100: Positioning device 101:
103: additional substrate 105: base body
107: carrier element 109:
111: holder 113: joint
115: Adjustment factor 117: Guide
119: Recovery element 201: Treatment joint
203: wedges 205a to 205c:
207: sealing means 209: additional sealing means
211; Adhesive bead
300: a method for joining a substrate with an additional substrate
301: fixing step 303: exhausting step
305: moving step 307: connecting step
401: UV light

Claims (15)

기판(101), 구체적으로 웨이퍼를 위치지정하기 위한 위치지정 디바이스(100)로서,
처리 챔버;
베이스 본체(105);
상기 기판(101)을 지지하기 위한 지지부(109)를 포함하는 캐리어 요소(107)로서, 상기 베이스 본체(105) 위에 배치되며 상기 베이스 본체(105)로부터 거리 면에서 움직일 수 있게 형성되는 상기 캐리어 요소(107); 및
추가 기판(103), 구체적으로 추가 웨이퍼나 마스크를 위한 홀더(111)로서, 상기 캐리어 요소(107) 반대편에 배치되는 상기 홀더(111)를 포함하며;
상기 베이스 본체(105)와 상기 캐리어 요소(107) 사이에는, 외력의 작용의 결과로서의 상기 캐리어 요소(107)의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해 압력, 구체적으로 부압이 인가될 수 있는 밀봉된 공동(113)이 있는, 위치지정 디바이스.As a substrate 101, specifically a positioning device 100 for positioning a wafer,
A processing chamber;
A base body 105;
A carrier element (107) comprising a support portion (109) for supporting the substrate (101), the carrier element (107) being disposed on the base body (105) (107); And
An additional substrate (103), specifically a holder (111) for additional wafers or masks, said holder (111) being disposed opposite said carrier element (107);
Between the base body 105 and the carrier element 107 there is a sealing cavity (not shown) in which pressure, in particular negative pressure, can be applied to prevent undesired movement of the carrier element 107 as a result of the action of an external force 113). 청구항 1에 있어서, 밀봉된 상기 공동(113)은 압력 단자를 포함하며, 상기 압력 단자를 통해, 상기 공동(113) 내의 압력이 제어될 수 있는, 위치지정 디바이스.The positioning device according to claim 1, wherein the sealed cavity (113) includes a pressure terminal, through which the pressure in the cavity (113) can be controlled. 청구항 1에 있어서, 조정 요소(115), 구체적으로 리프팅 요소가, 상기 베이스 본체(105)로부터의 상기 캐리어 요소(107)의 거리를 조정하기 위해, 상기 베이스 본체(105)와 상기 캐리어 요소(107) 사이에 배치되는, 위치지정 디바이스.The adjusting device according to claim 1, wherein the adjusting element (115), in particular a lifting element, is arranged between the base body (105) and the carrier element (107) to adjust the distance of the carrier element ). ≪ / RTI > 청구항 1에 있어서, 상기 위치지정 디바이스(100)는, 상기 베이스 본체(105)와 상기 캐리어 요소(107) 사이에 작용하는 회복 요소(119), 구체적으로 스프링을 포함하는, 위치지정 디바이스.The positioning device of claim 1, wherein the positioning device (100) comprises a restoring element (119), specifically a spring, acting between the base body (105) and the carrier element (107). 청구항 1에 있어서, 상기 베이스 본체(105)로부터의 상기 캐리어 요소(107)의 최소 거리를 설정하는 다수의 지지 요소(205a 내지 205c)가 상기 베이스 본체(105)와 상기 캐리어 요소(107) 사이에 배치되는, 위치지정 디바이스.A method according to claim 1 wherein a plurality of support elements (205a-205c) establishing a minimum distance of the carrier element (107) from the base body (105) A positioning device to be deployed. 청구항 1에 있어서, 상기 위치지정 디바이스(100)는 상기 캐리어 요소(107)의 움직임을 안내하기 위한 가이드(117)를 포함하는, 위치지정 디바이스.The positioning device of claim 1, wherein the positioning device (100) comprises a guide (117) for guiding movement of the carrier element (107). 청구항 1에 있어서, 상기 캐리어 요소(107)는 고정 디바이스를 포함하며, 상기 고정 디바이스에 의해, 상기 지지부(109) 상에 위치지정되는 상기 기판(101)은 구체적으로 기계식으로, 공압식으로 및/또는 정전기식으로 고정될 수 있는, 위치지정 디바이스.The method of claim 1, wherein the carrier element (107) comprises a fixation device, wherein the substrate (101) positioned on the support (109) by the fixation device is mechanically, pneumatically and / A positioning device, which can be electrostatically fixed. 청구항 1에 있어서, 상기 캐리어 요소(107)와 상기 홀더(111) 사이에는, 처리 공동(201)이 있으며, 상기 처리 공동(201)의 크기는 상기 캐리어 요소(107)와 상기 홀더(111) 사이의 거리에 의해 적어도 부분적으로 설정되는, 위치지정 디바이스.A method as claimed in any one of the preceding claims, characterized in that a treatment cavity (201) is provided between the carrier element (107) and the holder (111) The distance being set at least in part by the distance of the first electrode. 청구항 8에 있어서, 상기 처리 공동은 상기 처리 챔버의 부분이거나, 상기 처리 챔버를 규정하는, 위치지정 디바이스.9. The positioning device of claim 8, wherein the processing cavity is part of the processing chamber or defines the processing chamber. 청구항 8에 있어서, 상기 위치지정 디바이스(100)는, 상기 처리 공동(201)을 밀봉하기 위한 밀봉 수단(209), 구체적으로 팽창할 수 있는 밀봉 립(lip)을 포함하는, 위치지정 디바이스.9. The positioning device of claim 8, wherein the positioning device (100) comprises a sealing means (209) for sealing the processing cavity (201), specifically an inflatable sealing lip. 청구항 8에 있어서, 과압(overpressure) 또는 부압(negative pressure)이 상기 처리 공동(201)에 인가될 수 있고 및/또는 상기 처리 공동(201)이 배기될 수 있거나(evacuated), 상기 처리 공동(201)에 가스 단자가 제공되며, 상기 가스 단자를 통해, 가스, 구체적으로 헤륨이 도입될 수 있는, 위치지정 디바이스.The method according to claim 8, wherein an overpressure or a negative pressure can be applied to the processing cavity (201) and / or the processing cavity (201) can be evacuated, ) Is provided with a gas terminal, through which gas, in particular helium, can be introduced. 청구항 1에 있어서, 상기 위치지정 디바이스(100)는, 상기 베이스 본체(105)와 상기 홀더(111) 사이의 거리를 조정 및/또는 고정하기 위해 상기 베이스 본체(105)와 상기 홀더(111) 사이에 삽입될 수 있는 적어도 하나의 스페이서(spacer), 구체적으로 웨지(wedge)를 포함하는, 위치지정 디바이스.The positioning device (100) according to claim 1, wherein the positioning device (100) further comprises a positioning device between the base body (105) and the holder (111) to adjust and / or fix a distance between the base body And at least one spacer, specifically a wedge, that can be inserted into the positioning device. 기판(101), 구체적으로 웨이퍼를 추가 기판(103), 구체적으로 추가 웨이퍼와 합치기 위한 방법(300)으로서, 상기 방법(300)은 다음의 방법 단계:
상기 추가 기판(103)에 대해 상기 기판(101)을 고정하는 단계(301);
외력의 작용으로 인한 상기 기판(101)의 원치 않는 움직임을 방지하기 위해 상기 기판(101) 아래에서 밀봉된 공동(113)을 배기하는 단계(303); 및
상기 기판(101)을 상기 추가 기판(103)을 향해 제어되는 방식으로 움직이는 단계(305)를 포함하며;
상기 추가 기판(103)은 처리 공동(201)에 위치하며, 상기 처리 공동(201)의 크기는 상기 기판들(101, 103) 사이의 거리에 의해 적어도 부분적으로 설정되며, 과압 또는 부압을 상기 처리 공동(201)에 인가할 수 있고 및/또는 상기 처리 공동(201)을 배기할 수 있거나, 상기 처리 공동(201)을 가스, 구체적으로 헬륨으로 채울 수 있는, 방법. As a method 300 for joining a substrate 101, specifically a wafer, with an additional substrate 103, specifically an additional wafer, the method 300 comprises the following method steps:
Fixing (301) the substrate (101) to the additional substrate (103);
Evacuating (303) the sealed cavity (113) below the substrate (101) to prevent undesired movement of the substrate (101) due to the action of an external force; And
And moving (305) the substrate (101) in a controlled manner toward the additional substrate (103);
The additional substrate 103 is located in the processing cavity 201 and the size of the processing cavity 201 is at least partially set by the distance between the substrates 101 and 103 and the over- To the cavity 201 and / or to vent the treatment cavity 201, or to fill the treatment cavity 201 with gas, specifically helium. 청구항 13에 있어서, 상기 방법(300)은 상기 기판들(101, 103)을 연결하는 단계(307), 구체적으로 본딩하는 단계를 더 포함하는, 방법.14. The method of claim 13, wherein the method (300) further comprises connecting (307), specifically bonding, the substrates (101,103). 청구항 13에 있어서, 제어되는 방식으로 움직이는 단계(307)는 추가 압력, 구체적으로 과압을 상기 공동(113)에 인가하는 단계를 포함하는, 방법.14. The method of claim 13, wherein step (307) of moving in a controlled manner comprises applying an additional pressure, specifically an overpressure, to said cavity (113).
KR1020170147994A 2016-11-11 2017-11-08 Positioning device KR102275932B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2017773A NL2017773B1 (en) 2016-11-11 2016-11-11 Positioning device
NL2017773 2016-11-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180053240A true KR20180053240A (en) 2018-05-21
KR102275932B1 KR102275932B1 (en) 2021-07-13

Family

ID=62026700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170147994A KR102275932B1 (en) 2016-11-11 2017-11-08 Positioning device

Country Status (10)

Country Link
US (1) US11075102B2 (en)
JP (1) JP6894347B2 (en)
KR (1) KR102275932B1 (en)
CN (1) CN108074854A (en)
AT (1) AT519311A3 (en)
CH (1) CH713128A2 (en)
DE (1) DE102017125442A1 (en)
NL (1) NL2017773B1 (en)
SG (1) SG10201708852RA (en)
TW (1) TWI771336B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101955697B1 (en) * 2018-06-04 2019-03-07 울산과학기술원 Secondary battery using carbon dioxide and complex electric power generation system having the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10840209B2 (en) 2018-12-28 2020-11-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for manufacturing semiconductor devices
US10840210B2 (en) * 2018-12-28 2020-11-17 Micron Technology, Inc. Methods and systems for manufacturing semiconductor devices
NL2023022B1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Suss Microtec Lithography Gmbh Replication device and method for reproducing a structure on a substrate
JP7044985B2 (en) * 2020-04-24 2022-03-31 富士通クライアントコンピューティング株式会社 Display device
CN113607263B (en) * 2020-05-04 2022-06-28 新力奇有限公司 Vibration measuring assembly with accurate positioning device for height direction movement sensing part
CN112151418B (en) * 2020-09-11 2024-04-05 安徽龙芯微科技有限公司 Packaging mechanism and packaging method of silicon-based adapter plate
CN114609706A (en) * 2022-04-27 2022-06-10 华天慧创科技（西安）有限公司 Method for manufacturing stacked micro-lens array

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5010295A (en) * 1989-06-14 1991-04-23 General Signal Corporation Ball screw supported Z stage
US20140007669A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Tokyo Electron Limited Measuring substrate, substrate treatment apparatus and substrate treatment apparatus operation method
US20150206783A1 (en) * 2014-01-20 2015-07-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh System amd method for substrate holding

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4633531Y1 (en) 1967-04-13 1971-11-19
US3674368A (en) * 1970-05-11 1972-07-04 Johannsmeier Karl Heinz Out of contact optical alignment and exposure apparatus
US3858978A (en) * 1973-08-10 1975-01-07 Kasper Instruments Chuck for use in out-of-contact optical alignment and exposure apparatus
FR2388372A1 (en) 1977-04-20 1978-11-17 Thomson Csf LEVEL RETURNING PLATE AND MECHANICAL INDEXING POSITIONER USING SUCH A PLATE
JPH08229759A (en) * 1995-02-24 1996-09-10 Canon Inc Positioning device, and device and method of manufacturing device
US6063196A (en) * 1998-10-30 2000-05-16 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber calibration tool
US6809802B1 (en) * 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
JP2002313688A (en) * 2001-04-16 2002-10-25 Toshiba Corp Wafer-bonding apparatus
JP2003249425A (en) * 2002-02-22 2003-09-05 Toray Eng Co Ltd Mounting method and apparatus
JP2008511138A (en) * 2004-08-18 2008-04-10 ニュー ウエイ マシーン コンポーネント インコーポレイティッド Moving vacuum chamber stage with air bearing and step pump groove
JP4633531B2 (en) 2005-04-27 2011-02-16 東京瓦斯株式会社 Electrical joining structure and joining method of solid oxide fuel cell stack
TWI478271B (en) * 2007-08-10 2015-03-21 尼康股份有限公司 Substrate bonding device and substrate bonding method
US20090120368A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Applied Materials, Inc. Rotating temperature controlled substrate pedestal for film uniformity
US8314371B2 (en) * 2008-11-06 2012-11-20 Applied Materials, Inc. Rapid thermal processing chamber with micro-positioning system
WO2010055730A1 (en) * 2008-11-14 2010-05-20 東京エレクトロン株式会社 Bonding apparatus and bonding method
JP2011023886A (en) 2009-07-14 2011-02-03 Panasonic Corp Teleconferencing device and image display processing method
DE102010007970A1 (en) * 2010-02-15 2011-08-18 Suss MicroTec Lithography GmbH, 85748 Method and device for active wedge error compensation between two objects which can be positioned substantially parallel to one another
JP2012054416A (en) * 2010-09-01 2012-03-15 Nikon Corp Pressing device, lamination apparatus, lamination method, and method of manufacturing multilayer semiconductor device
JP5352609B2 (en) * 2011-03-04 2013-11-27 東京エレクトロン株式会社 Joining method, program, computer storage medium, joining apparatus and joining system
KR101952471B1 (en) * 2011-04-26 2019-02-26 가부시키가이샤 니콘 Substrate bonding device, substrate holding device, substrate bonding method, substrate holding method, multilayered semiconductor device, and overlapped substrate
JP2013218198A (en) 2012-04-11 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp Substrate lamination apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5010295A (en) * 1989-06-14 1991-04-23 General Signal Corporation Ball screw supported Z stage
US20140007669A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Tokyo Electron Limited Measuring substrate, substrate treatment apparatus and substrate treatment apparatus operation method
US20150206783A1 (en) * 2014-01-20 2015-07-23 Suss Microtec Lithography, Gmbh System amd method for substrate holding

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101955697B1 (en) * 2018-06-04 2019-03-07 울산과학기술원 Secondary battery using carbon dioxide and complex electric power generation system having the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018117113A (en) 2018-07-26
AT519311A2 (en) 2018-05-15
JP6894347B2 (en) 2021-06-30
US20180138070A1 (en) 2018-05-17
NL2017773B1 (en) 2018-05-24
KR102275932B1 (en) 2021-07-13
SG10201708852RA (en) 2018-06-28
DE102017125442A1 (en) 2018-05-17
AT519311A3 (en) 2020-01-15
TWI771336B (en) 2022-07-21
CH713128A2 (en) 2018-05-15
CN108074854A (en) 2018-05-25
US11075102B2 (en) 2021-07-27
TW201818500A (en) 2018-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180053240A (en) Positioning device
EP2413189A1 (en) A method for spreading a conformable material between a substrate and a template
US20150086301A1 (en) Method and carrier for handling a substrate
KR102238990B1 (en) Imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR20170132558A (en) Wafer debonding apparatus
US9158210B2 (en) Work stage of exposing apparatus, exposing method and method of manufacturing a structure
TW201622060A (en) Holding device, lithography apparatus, and method for manufacturing item
KR20190135929A (en) Holding apparatus and method for holding a substrate
JP2009295853A (en) Element transfer device, element transfer method, and method of manufacturing display device
KR100982673B1 (en) Apparatus for imprinting fine structures
KR20170114933A (en) Processing apparatus, and method of manufacturing article
JP2017112230A (en) Imprint device and article manufacturing method
JP5328495B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
TWI772789B (en) Method and device for embossing of a nanostructure
JP4926630B2 (en) Manufacturing method and manufacturing apparatus for solid-state imaging device, and pasting apparatus
KR20190071804A (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
US20240051068A1 (en) Transfer apparatus and transfer method
KR20230150417A (en) Method of transferring device
KR20230122983A (en) Imprint apparatus, foreign particle removal method, and article manufacturing method
TW202331888A (en) Bonding apparatus and bonding method
KR20230060947A (en) Bonding apparatus of substrates and bonding method using thereof
JPH0587008B2 (en)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant