KR20180050166A - 수처리 분리막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 수처리 분리막 및 수처리 분리막을 포함하는 수처리 모듈 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 수처리 분리막의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 수처리 분리막, 및 수처리 분리막을 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
Description
본 명세서는 수처리 분리막의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 수처리 분리막, 및 수처리 분리막을 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
최근 수질환경의 심각한 오염과 물부족으로 인해 새로운 수자원 공급원을 개발하는 것이 시급한 당면 과제로 대두되고 있다. 수질환경 오염에 대한 연구는 양질의 생활 및 공업용수, 각종 생활하수 및 산업폐수 처리를 목표로 하고 있으며, 에너지 절약의 장점을 지닌 분리막을 이용한 수 처리 공정에 대한 관심이 고조되고 있다. 또한, 가속화되고 있는 환경 규제의 강화는 분리막 기술의 활성화를 앞당길 것으로 예상된다. 전통적인 수처리 공정으로는 강화되는 규제에 부합하기 힘드나, 분리막 기술의 경우 우수한 처리효율과 안정적인 처리를 보증하기 때문에 향후 수처리 분야의 주도적인 기술로 자리매김할 것으로 예상된다.
액체분리는 막의 기공에 따라 정밀여과(Micro Filtration), 한외여과(Ultra Filtration), 나노여과(Nano Filtration), 역삼투(Reverse Osmosis), 침석, 능동수 송 및 전기투석 등으로 분류된다. 그 중에서 역삼투 방법은 물은 투과하지만, 염에 대해서는 불투과성을 보이는 반투막을 사용하여 탈염작업을 하는 공정을 말하는 것으로 염이 녹아 있는 고압수가 반투막의 한쪽 면에 유입될 때, 염이 제거된 순수가 낮은 압력으로 다른 쪽 면으로 나오게 된다.
구체적으로, 이러한 수처리 분리막의 대표적인 예로는, 폴리아미드계 수처리 분리막을 들 수 있으며, 부직포 위에 폴리설폰층을 형성하여 미세 다공성 지지체를 형성하고, 이 미세 다공성 지지체를 m-페닐렌디아민(m-Phenylene Diamine, mPD) 수용액에 침지시켜 mPD층을 형성하고, 이를 다시 트리메조일클로라이드(TriMesoylChloride, TMC) 유기용매에 침지 혹은 코팅시켜 mPD층을 TMC와 접촉시켜 계면 중합시킴으로써 폴리아미드 활성층을 형성하는 방법으로 제조되고 있다.
이와 같은 폴리아미드계 복합막의 염 제거율이나 투과 유량을 높이는 것에 대한 연구가 지속적으로 이루어지고 있다.
본 명세서에는 수처리 분리막의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 수처리 분리막이 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 다공성 지지체를 준비하는 단계; 상기 다공성 지지체 표면에 아민염(amine salt)을 포함하는 용액을 도포하는 단계; 상기 다공성 지지체 표면에 아민 화합물을 포함하는 수용액을 이용하여 수용액층을 형성하는 단계; 및 상기 수용액층 표면에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 접촉시켜 폴리아미드 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 수처리 분리막의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 전술한 제조방법에 의하여 제조된 수처리 분리막을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 전술한 수처리 분리막을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 전술한 수처리 모듈을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 장치를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법은 수용액층 형성 전에 다공성 지지체의 표면에 아민염(amine salt)을 포함하는 수용액을 도포함으로써, 다공성 지지체 표면의 기공으로 원활한 물질 이동을 유도시켜, 고속 코팅 공정에서도 아민 수용액을 균일하게 도포할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 제조방법에 의하여 제조된 수처리 분리막은 다공성 지지체 표면에 아민 수용액이 균일하게 도포되어, 기재 전체에서 균일하게 우수한 염제거율 및 투과유량을 나타낸다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 분리막을 도시한 것이다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는, 다공성 지지체를 준비하는 단계; 상기 다공성 지지체 표면에 아민염(amine salt)을 포함하는 용액을 도포하는 단계; 상기 다공성 지지체 표면에 아민 화합물을 포함하는 수용액을 이용하여 수용액층을 형성하는 단계; 및 상기 수용액층 표면에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 접촉시켜 폴리아미드 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 수처리 분리막의 제조방법을 제공한다.
통상 수처리 분리막은 아민 수용액과 아실 할라이드 화합물이 포함된 유기 용액의 연속 도포를 통하여 계면 중합된 폴리아미드층을 형성하는 방법으로 제조된다. 상기 용액 도포시 생산성이 높은 슬롯-코팅(slot-coating)법의 경우 기재와 용액의 접촉 시간이 매우 짧고(딥(Dip) 공정의 1/100 미만), 분리막과 수용액간의 젖음성이 좋지 않기 때문에 분리막의 길이 간에 성능 차이를 보인다.
특히, 저압 고유량 제품군의 경우, 고유량 특성을 갖는 분리막 제조를 위해서는 저농도 아민 수용액을 도포하여야 하며, 이를 위하여 슬롯-코팅(slot-coating) 공정 적용시 더욱 주의가 필요하다.
본 발명자들이 개발한 수처리 분리막의 제조방법에서는 한정된 용액 접촉 시간 내에서 저압 고유량 특성을 만족시키기 위하여, 아민염(amine salt)을 포함하는 용액을 아민 수용액층 형성 전에 다공성 지지체에 도포하여, 다공성 지지체와 아민 수용액의 젖음성을 개선하여 최소 코팅 가능 도포량을 절감할 수 있다.
또한, 상기 용액을 도포하는 경우, 상기 아민염(amine salt)이 다공성 지지체의 기공으로 원활한 물질 이동을 유도시키므로, 단순히 다공성 지지체 표면의 습도만 높이는 글리콜류 화합물과 달리, 저농도 고속 제조 공정 조건에서도 기재 전체 면적에 대하여 균일한 성능을 갖는 수처리 분리막을 제조할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민염(amine salt)의 함량은 상기 용액에 대하여 5 내지 20 중량% 일 수 있고, 더욱 구체적으로 5 내지 15 중량% 일 수 있다. 상기 아민염(amine salt)의 함량이 5 중량% 미만인 경우, 용액 내의 아민염(amine salt)이 원활한 물질 이동을 유도하기에 충분하지 못할 수 있고, 20 중량% 초과인 경우, 아민기가 잔류하여 계면 중합 반응시 불균일한 폴리아미드 활성층이 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민염(amine salt)은 캠포설폰산 암모늄 염(Camphorsulfonic acid ammonium salt)계 화합물 및 브로모캠포설폰산 암모늄 염(Bromocamphoursulfonic acid ammonium salt)계 화합물 중에서 선택되는 1 이상일 수 있고, 바람직하게는 TEACSA(triethylammonium camphorsulfonate)일 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민염(amine salt)을 포함하는 용액의 용매는 물 및 알코올류 용매 중에서 선택되는 1 이상일 수 있고, 예를 들면 증류수, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-메톡시프로판올, 부탄올, 에틸헥실 알코올 및 테르피네올일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 다공성 지지체 상에 아민염(amine salt)을 포함하는 용액을 도포하는 방법은 슬롯 코팅 또는 적하(dropping) 등 폐쇄 시스템(close system)에서 코팅액을 정량 도포시킬 수 있는 방법이면 특별히 한정하지 않는다.
이때 상기 다공성 지지체 상의 과잉의 용액을 제거하는 단계를 추가적으로 거칠 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 다공성 지지체로는, 부직포 상에 고분자 재료의 코팅층이 형성된 것을 사용할 수 있다. 상기 고분자 재료로는, 예를 들면, 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐, 폴리메틸클로라이드 및 폴리비닐리덴플루오라이드 등이 사용될 수 있으나, 반드시 이들로 제한되는 것은 아니다. 구체적으로, 상기 고분자 재료로서 폴리설폰을 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 폴리아미드 활성층은 아민 화합물을 포함하는 수용액과 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액의 계면중합을 통하여 형성될 수 있다. 구체적으로, 상기 폴리아미드 활성층은 다공성 지지체 상에 아민 화합물을 포함하는 수용액층을 형성하는 단계; 및 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액층 상에 아실 할라이드 화합물를 포함하는 유기용액을 접촉시켜 폴리아미드 활성층을 형성하는 단계를 통하여 형성될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 다공성 지지체 상에 아민 화합물을 포함하는 수용액층을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 지지체 위에 수용액층을 형성할 수 있는 방법이라면 제한하지 않고 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 다공성 지지체 상에 아민 화합물을 포함하는 수용액층을 형성하는 방법은 분무, 도포, 침지, 적하 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 슬롯-코팅 방식으로 아민 화합물을 포함하는 수용액을 도포하여 수용액층을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 수용액의 도포 속도는 20m/min 이상 50m/min 이하일 수 있고, 바람직하게는 30m/min 이상 40 m/min 이하일 수 있다. 상기 아민 화합물의 도포 속도가 20m/min 미만인 경우, 아민염의 코팅 여부와 상관없이 도포 성능 차이가 크지 않을 수 있고, 50m/min 초과인 경우, 다공성 지지체와 수용액 간의 접촉시간이 짧아 젖음성이 좋지 않으므로 수용액이 불균일하게 도포될 수 있다.
이때, 상기 수용액층은 필요에 따라 과잉의 아민 화합물을 포함하는 수용액을 제거하는 단계를 추가적으로 거칠 수 있다. 상기 다공성 지지체 상에 형성된 수용액층은 지지체 상에 존재하는 수용액이 지나치게 많은 경우에는 불균일하게 분포할 수 있는데, 수용액이 불균일하게 분포하는 경우에는 이후의 계면 중합에 의해 불균일한 폴리아미드 활성층이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 지지체 상에 수용액층을 형성한 후에 과잉의 수용액을 제거하는 것이 바람직하다. 상기 과잉의 수용액 제거는 특별히 제한되지는 않으나, 예를 들면, 스펀지, 에어나이프, 질소 가스 블로잉, 자연건조, 또는 압축 롤 등을 이용하여 행할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물을 포함하는 수용액에서 상기 아민 화합물은 수처리 분리막 제조에 사용되는 아민 화합물이라면 그 종류를 제한하지 않으나, 구체적인 예를 든다면, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,3,6-벤젠트리아민, 4-클로로-1,3-페닐렌디아민, 6-클로로-1,3-페닐렌디아민, 3-클로로-1,4-페닐렌 디아민 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아민 화합물의 함량은 상기 아민 수용액에 대하여 1 내지 15 중량%일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 10 %일 수 있다.. 상기 아민 화합물의 함량이 1 중량% 미만인 경우, 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액과의 반응이 원활하게 이루어지지 않을 수 있고, 15 중량% 초과인 경우, 아민 화합물이 수용액에 안정적으로 용해되기 어려울 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 수용액층 상에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 접촉시키는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 수용액층 상에 유기용액을 접촉시킬 수 있는 방법이라면 제한하지 않고 사용할 수 있다. 구체적으로, 상기 수용액층 상에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 접촉시키는 방법은 침지, 스프레이, 도포 또는 코팅 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 슬롯-코팅 방식으로 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 도포하여, 수용액층과 접촉시켜 폴리아미드 활성층을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기용액의 도포 속도는 20m/min 이상 50m/min 이하일 수 있고, 바람직하게는 30m/min 이상 40 m/min 이하일 수 있다. 상기 유기용액의 도포 속도가 20m/min 미만인 경우, 아민염의 코팅 여부와 상관없이 도포 성능 차이가 크지 않을 수 있고, 50m/min 초과인 경우, 수용액층과 유기용액 간의 접촉시간이 짧아 젖음성이 좋지 않으므로 유기용액이 불균일하게 도포될 수 있다.
상기 수용액층과 상기 유기용액의 접촉시, 상기 다공성 지지체의 표면에 코팅된 아민 화합물과 아실 할라이드 화합물이 반응하면서 계면 중합에 의해 폴리아미드를 생성하고, 미세 다공성 지지체에 흡착되어 박막이 형성된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 아실 할라이드 화합물은, 이로써 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 2 내지 3개의 카르복실산 할라이드를 갖는 방향족 화합물로서, 트리메조일클로라이드, 이소프탈로일클로라이 및 테레프탈로일클로라이드로 이루어진 화합물 군으로부터 선택되는 1종 이상의 혼합물일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기용매로는 지방족 탄화수소 용매, 예를 들면, 프레온류와 헥산, 사이클로헥산, 헵탄, 알칸과 같은 물과 섞이지 않는 소수성 액체, 예를 들면, 탄소수가 5 내지 12인 알칸과 그 혼합물인 IsoPar(Exxon), IsoPar G(Exxon), ISOL-C(SK Chem), ISOL-G(Exxon)등이 사용될 수 있으나, 이로써 제한되는 것은 아니다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 제조방법에 의하여 제조된 수처리 분리막을 제공한다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 수처리 분리막의 단면을 도시한 것으로, 부직포(100) 상에 다공성 지지체(200)가 구비되고, 상기 다공성 지지체 상에 폴리아미드 활성층(300)이 형성된다. 도 1의 단면에서 폴리아미드 활성층의 가로 길이를 기준으로 좌측 지점 및 우측 지점을 정할 수 있다.
상기 수처리 분리막의 평면 상의 폭이 350 내지 450nm인 조건에서 좌측 끝 지점과 우측 끝 지점간의 평막 성능 편차가 5% 미만좌측과 우측 지점간 평막 성능 편차가 5% 미만일 수 있다. 상기 성능 편차는 2000ppm NaCl 수용액, 225psi 조건에서 1시간 세척(washing) 후 단위시간당 투과되는 유량 및 이 때 정수된 물의 전기 전도도 값의 편차를 의미한다. 상기 성능 편차가 5% 이상일 경우, 성능이 균일하지 못하므로 수처리 분리막 전체의 염제거율 및 투과유량이 저하될 수 있다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는, 전술한 수처리 분리막을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 모듈을 제공한다.
상기 수처리 모듈의 구체적인 종류는 특별히 제한되지 않으며, 그 예에는 판형(plate & frame) 모듈, 관형(tubular) 모듈, 중공사형(Hollow & Fiber) 모듈 또는 나권형(spiral wound) 모듈 등이 포함된다. 또한, 상기 수처리 모듈은 전술한 역삼투막을 포함하는 한, 그 외의 기타 구성및 제조 방법 등은 특별히 한정되지 않고, 이 분야에서 공지된 일반적인 수단을 제한 없이 채용할 수 있다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태는 전술한 수처리 모듈을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 장치를 제공한다. 상기 수처리 장치는 용도에 따라 가정용/산업용 정수 장치, 하수 처리 장치, 해담수 처리 장치 등과 같은 수처리 장치로 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
<
실시예
1>
DMF(N,N-디메틸포름아미드) 용액에 18중량%의 폴리술폰 고형분을 넣고 80 내지 85 에서 12시간 이상 녹여 균일한 액상을 얻었다. 이 용액을 폴리에스테르 재질의 95 ㎛ 내지 100 ㎛ 두께의 부직포 위에 150 ㎛ 두께로 캐스팅하였다. 그런 다음, 캐스팅된 부직포를 물에 넣어 다공성 폴리술폰 지지체를 제조하였다. 이 때, 지지체의 폭은 400nm로 제조하였다.
상기 다공성 폴리술폰 지지체 상에 전체 용액에 대하여 10%의 TEACSA(triethylammonium camphorsulfonate) 및 물을 포함하는 용액을 슬롯-코팅 방식으로 도포하였다.
그 후, 전체 수용액에 대하여 5%의 메타페닐렌디아민(mPD)을 포함하는 수용액을 슬롯-코팅 방법으로, 30m/minm/min의 속도로 상기 다공성 폴리술폰 지지체 상에 도포하여 수용액층을 형성하였다. 나아가, 도포시 발생한 여분의 수용액을 에어 나이프를 이용하여 제거하였다.
상기 수용액층 상에 전체 유기용액에 대하여 0.3%의 TMC 및 유기용매(IsoPar G)를 포함하는 유기용액을 슬롯-코팅 방법으로, 30m/min의 속도로 도포하였다. 그리고, 95 에서 액상 성분이 모두 증발할 때까지 건조한 후, 초순수 증류수(DIW)로 세척하여 수처리 분리막을 제조하였다. 이 때, 분리막의 폭은 380nm로 제조하였다.
<
실시예
2>
mPD 수용액과 TMC 유기용액의 도포속도를 40m/min으로 한 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일하게 수처리 분리막을 제조하였다.
<
비교예
1>
TEACSA(triethylammonium camphorsulfonate)를 도포하지 않은 것을 제외하고, 상기 실시예 1과 동일하게 수처리 분리막을 제조하였다.
<
비교예
2>
TEACSA(triethylammonium camphorsulfonate)를 도포하지 않은 것을 제외하고, 상기 실시예 2와 동일하게 수처리 분리막을 제조하였다.
<
실험예
1 - 투과유량 편차 측정>
수처리 분리막을 제조한 후, 투과 유량을 특정하면서, 기재 좌측과 우측(TD) 지점간 평막 성능 편차를 확인하였다. 상기 성능 편차는 2000ppm NaCl 수용액, 225psi 조건에서 1시간 washing 후 단위시간당 투과되는 유량 및 이 때 정수된 물의 전기 전도도 값의 편차를 계산한 값이다.
| coating speed (m/min) |
구분 | Wetting agent | Coating gap(㎛) | Min. requirement of aqueous solution flow rate (cc/min) |
avg. Flux deviation of flat sheet (TD) (%) | Avg. Salt Rejection(%) | Avg. Flux (GFD) |
| 30 | 실시예 1 | 10% TEACSA | 400 | 378.2 | 2% | 99.71 | 23.70 |
| 600 | 510.6 | 4%- | 99.65 | 24.16 | |||
| 800 | 756.4 | 4%- | 99.66 | 24.03 | |||
| 비교예 1 | none | 400 | 434.9 | 10% | 99.50 | 25.32 | |
| 600 | 605.1 | 12%- | 99.48 | 25.94 | |||
| 800 | non-coated | - | - | - | |||
| 40 | 실시예 2 | 10% TEACSA | 400 | 421.7 | 4% | 99.69 | 23.65 |
| 600 | 590.5 | 5%- | 99.64 | 23.71 | |||
| 800 | 849.4 | 4%- | 99.68 | 23.92 | |||
| 비교예 2 | none | 400 | 501.3 | 15% | 99.33 | 27.28 | |
| 600 | 698.8 | 18%- | 99.27 | 26.87 | |||
| 800 | non-coated | - | - | - | |||
| 10 | 비교예 3 | none | 800 | 305.7 | 3% | 99.68 | 24.01 |
상기 표 1에 따르면, 실시예 1 및 2에 따른 수처리 분리막의 경우, 유량 편차가 4% 이하로 기재 전체적으로 균일한 성능을 나타내지만, 비교예 1 및 2에 따른 수처리 분리막의 경우, 유량 편차가 10% 이상으로 기재 좌측과 우측(TD) 지점간 평막 성능의 편차가 큰 것으로 확인되었다.
또한, 코팅 속도가 10m/min인 경우에 비하여, 코팅 속도가 30 내지 40m/min인 경우에 유량 편차가 크다는 사실을 알 수 있다.
100: 부직포
200: 다공성 지지체
300: 폴리아미드 활성층
400: 염수
500: 정제수
600: 농축수
200: 다공성 지지체
300: 폴리아미드 활성층
400: 염수
500: 정제수
600: 농축수
Claims (11)
- 다공성 지지체를 준비하는 단계;
상기 다공성 지지체 표면에 아민염(amine salt)을 포함하는 용액을 도포하는 단계;
상기 다공성 지지체 표면에 아민 화합물을 포함하는 수용액을 이용하여 수용액층을 형성하는 단계; 및
상기 수용액층 표면에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 접촉시켜 폴리아미드 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 아민염(amine salt)의 함량은 상기 용액에 대하여 5 내지 20 중량%인 것을 특징으로 하는 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 아민염(amine salt)은 캠포설폰산 암모늄 염(Camphoursulfonic acid ammonium salt)계 화합물 및 브로모캠포설폰산 암모늄 염(Bromocamphoursulfonic acid ammonium salt)계 화합물 중에서 선택되는 1 이상인 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 아민염(amine salt)은 TEACSA(triethylammonium camphorsulfonate)인 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 수용액층을 형성하는 단계는 상기 다공성 지지체 표면에 아민 화합물을 포함하는 수용액을 20m/min 이상의 속도로 도포하는 단계를 포함하는 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 폴리아미드 활성층을 형성하는 단계는 상기 수용액층 표면에 아실 할라이드 화합물을 포함하는 유기용액을 20m/min 이상의 속도로 도포하는 단계를 포함하는 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1에 있어서,
상기 아민 화합물의 함량은 상기 아민 수용액에 대하여 1 내지 15 중량%인 것을 특징으로 하는 수처리 분리막의 제조방법. - 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 수처리 분리막.
- 청구항 8에 있어서,
상기 수처리 분리막의 평면 상의 폭이 350 내지 450nm인 조건에서 좌측 끝 지점과 우측 끝 지점간의 평막 성능 편차가 5% 미만인 수처리 분리막. - 청구항 8에 따른 수처리 분리막을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 모듈.
- 청구항 10에 따른 수처리 모듈을 적어도 1 이상 포함하는 수처리 장치.
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- 2016-11-04 KR KR1020160147002A patent/KR102089123B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
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