KR20180028199A - 게터 구조물 및 이의 제조방법 - Google Patents

게터 구조물 및 이의 제조방법 Download PDF

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조정호
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한국세라믹기술원
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Abstract

본 발명은 게터 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법은 마스터 패턴을 가지는 마스터 기판을 마련하는 단계; 상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 패턴이 형성된 복제패턴을 얻는 단계; 상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하여 나노/마이크로 구조물 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계;를 포함하며, 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 게터 구조물은 넓은 비표면적 및 우수한 흡착 특성을 가질 수 있다.

Description

게터 구조물 및 이의 제조방법{GETTER STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 게터 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 넓은 비표면적 및 우수한 흡착 특성을 가지는 게터 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 게터(Getter)란 밀폐된 용기 내의 잔류 기체를 흡수하여 고진공을 만드는데 사용되는 물질을 말한다. 이러한 기상(gaseous) 불순물의 제거용 게터의 용도는 많은 분야, 예를 들면, 유기 전자 장치, 반도체 장치를 위한 가공 챔버, 가공 가스의 정제 및 배기된 챔버를 위한 펌프 부재, 유해한 종의 존재가 장치의 작동을 위태롭게 하는 용접 또는 밀폐된 장치의 내부 공간으로부터 유해한 종을 제거하는 분야이다.
게터는 밀폐된 용기 내의 공기를 제거한 후, 용기 내에 남아 있는 잔류 기체를 화학적으로 흡수해서 내부를 고진공으로 만드는데 사용되는 물질로서, 제거하고자 하는 잔류 기체의 성분과 사용되는 조건에 따라 여러 가지 금속 성분(Ti, V, Zr, Ba, Mg, Ni, Ce, Ca, Fe, Al, Co 등)의 혼합물 상태, 고온에서 용해한 합금물 상태, 또는 화합물화된 상태로 제조되어 진다. 따라서, 게터는 그 구성 성분의 종류, 구성 비율 및 상태, 제품의 품질에 따라 그 효능이 크게 달라질 수 있다.
널리 이용되는 게터 물질들은 기체가 빠져나간 진공-봉인된 듀어 어셈블리(Dewar Assembly)에서 전형적으로 발견되는 산소, 수소, 질소, 메탄, 일산화탄소 및 이산화탄소 등과 같은 다양한 기체 분자들을 영구적으로(permanently) 포획하는 순(alone) 티타늄, 티타늄 합금, 지르코늄(zirconium), 바나듐(vanadium), 철 및 다른 활성(reactive) 금속을 포함한다. 게터 물질들은 상온에서 안정적인 산화물(oxides), 탄화물(carbides), 수소화물(hydrides) 및 질소화물(nitrides)를 형성하기 위해 이러한 기체들과 반응한다. 그러므로 상기 반응은 비가역적(irreversible)이고 이후의 기체 유출(release)의 위험과 관련되지 않는다.
한국특허 공개공보 제10-2003-0072717호는 유기물 가스 및 수분 흡착제인 게터재가 기재되어 있고, 게터재의 종류를 화학적 게터재 또는 물리적 게터재로 구분하여 용도를 달리 적용하고 있다.
한국공개특허 제10-2009-0128854호는 CaO 분말과 고표면적 카본을 사용하여 전구체를 만든 다음 바인더와 아크릴수지 용액에 첨가, 열처리하여 얻어지는 나노 금속 입자로 이루어진 카본 나노 세공 물질로서 200℃ 이상의 온도에서 선택적 흡착을 가지는 나노 게터 및 그 제조방법을 개시하고 있다.
한국공개특허 제10-2016-0090367호는 기판, 상기 기판의 표면상에 시드(seed) 물질로 형성된(formed of) 복수의 핵 형성(nucleation) 사이트들(sites); 및 상기 핵 형성 사이트들로부터 바깥쪽으로 프로젝팅되는 복수의 게터 물질 멤버들을 포함하는 게터 구조를 개시한다.
본 발명에 따른 일 실시형태의 목적은 넓은 비표면적 및 우수한 흡착 특성을 가지는 게터 구조물 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는 마스터 패턴을 가지는 마스터 기판을 마련하는 단계; 상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 패턴이 형성된 복제패턴을 얻는 단계; 상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하여 나노/마이크로 구조물 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 게터 구조물의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 복제패턴을 얻는 단계는
상기 마스터 기판에 복제 소재를 도포하여 상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 패턴이 형성된 복제층을 형성하는 단계; 상기 복제층에 접착 필름을 부착한 후 상기 마스터 기판에서 상기 접착 필름을 박리하여 상기 접착필름 및 상기 복제층으로 이루어진 복제패턴을 얻는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 복제층에 접착 필름을 부착하는 방법은 롤링 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행될 수 있다.
상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계는 롤링 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행될 수 있다.
상기 라미네이터는 롤러 또는 프레스가 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 롤링 공정에서 롤링의 속도는 0.1 내지 10cm/s인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 마스터 기판은 실리콘 기판, 하드(Hard) 또는 소프트(soft) 기판인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 마스터 패턴은 리소그래피 또는 분자 자기조립의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 마스터 패턴은 라인, 홀, 닷, 메쉬, 또는 링 형태의 반복적이고 규칙적인 패턴인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 마스터 패턴의 크기는 수 나노 사이즈에서부터 수백 ㎛까지인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제 소재는 유기, 유무기 또는 무기 소재인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제 소재는 호모 폴리머, 혼합 폴리머, 블록 공중합 고분자, 전도성 고분자, 폴리이미드, PMMA, PS, 및 PVP를 포함한 모든 연성재료가 사용될 수 있음을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 증착되는 게터 물질은 금속, 세라믹, 또는 반도체 물질인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 게터 물질은 Ti, Zr, Hf, Ni, Co, Mn, Al, Li, 또는 Mg 등의 모든 단일 금속을 포함하여 혼합된 금속 및 이의 금속 산화물인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하는 방법은 물리적 증착 또는 화학적 증착 방법인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계 이전에 상기 나노/마이크로 구조물 패턴이 형성된 복제패턴을 용매에 노출시키거나 열을 가하는 전처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전처리는 가열된 또는 비가열된 용매에 상기 복제패턴을 노출시키는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계를 반복적으로 수행하여 다층 구조를 가지는 게터 구조물을 얻는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계 이후에 메인 기판 상에 잔존하는 복제패턴을 용매 또는 물로 세척하는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
상기 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 크로스 바 또는 다양한 각도로 겹쳐진 형태인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 서로 다른 종류의 게터 물질로 형성된 나노/마이크로 구조물이 적층된 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는 상기의 방법으로 제조되는 게터 구조물을 제공한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법은 롤링 공정 또는 라미네이터를 사용하여 접착필름을 복제층 상에 부착시키기 때문에 대면적의 기판에 접착필름을 균일하게 접착시킬 수 있고, 복제층과 접착필름의 접착력이 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 마스터 기판은 복제 패턴 형성에만 사용되는 것으로, 마스터 기판이 파괴되지 않는 한 반복적으로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 나노/마이크로 구조물 패턴의 전사 공정을 동일한 메인 기판상에 반복함으로써, 다층 구조를 가지는 게터 구조물을 형성할 수 있다. 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 비표면적이 증가할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 다층 구조를 게터 구조물은 하나의 종류가 아닌 서로 다른 종류의 게터 물질로 형성된 나노/마이크로 구조물이 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 나노/마이크로 구조물의 물질 종류에 따라서 흡착하는 가스의 종류가 다를 수 있으며, 크기가 작고 균일한 나노/마이크로 구조물 패턴이 적층되어 비표면적이 증가될 수 있고, 이에 따라 게터 구조물의 특성이 향상될 것으로 예상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따라 롤 공정을 이용한 접착 필름의 부착 과정을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따라 복제패턴에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 롤 공정을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 다층 구조의 게터 구조물을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 마스터 기판을 촬영한 사진 및 마스터 패턴의 확대도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 복제패턴을 얻는 과정을 촬영한 사진이다.
도 7은 각각 폴리이미드(a) 및 PDMS(b)를 복제층으로 한 복제패턴을 촬영한 사진이다.
도 8은 비교예 1에 따라 수작업으로 진행된 나노 구조물 패턴(a)과 본 발명의 실시예 1에 따라 메인 기판에 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 사진이다.
도 9는 비교예 1에 따라 수작업으로 진행된 나노 구조물 패턴(a)과 본 발명의 실시예 1에 따라 메인 기판에 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 사진이다.
도 10은 비교예 1과 실시예 1에서 얻어진 라인 패턴의 선폭 균일성을 나타내는 그래프이다.
도 11은 비교예 2에 따라 수작업으로 진행된 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(a)과 실시예 2에 따른 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(b)의 사진이다.
도 12는 비교예 2에 따라 수작업으로 진행된 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(a)과 실시예 2에 따른 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(b)의 사진이다.
도 13은 H2에 대한 Ti로 된 게터 구조물의 물리 흡착 및 화학 흡착 특성을 나타내는 그래프이다.
다양한 실시예들이 이제 도면을 참조하여 설명되며, 전체 도면에서 걸쳐 유사한 도면번호는 유사한 엘리먼트를 나타내기 위해서 사용된다. 설명을 위해 본 명세서에서, 다양한 설명들이 본 발명의 이해를 제공하기 위해서 제시된다. 그러나 이러한 실시예들은 이러한 특정 설명 없이도 실행될 수 있음이 명백하다. 다른 예들에서, 공지된 구조 및 장치들은 실시예들의 설명을 용이하게 하기 위해서 블록 다이아그램 형태로 제시된다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
본 발명은 게터 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법은 마스터 패턴을 가지는 마스터 기판을 마련하는 단계; 상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 복제패턴을 얻는 단계; 상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하여 나노/마이크로 구조물 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계;를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물은 상기와 같은 방법에 의하여 제조될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법을 구체적으로 설명한다. 이에 의하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물이 보다 명확하게 특정되고 이해될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 게터 구조물의 제조방법을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
우선, 마스터 패턴(M)을 가지는 마스터 기판(10)을 마련할 수 있다.
도 1의 (a) 및 (b)와 같이 기판(10a) 상에 마스터 패턴(M)을 형성하여 마스터 기판(10)을 마련할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 기판(10a)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 실리콘 기판, 또는 각종 하드(Hard)/소프트(soft) 기판 등을 사용할 수 있다. 또한, 마스터 기판의 크기는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 8인치 또는 12인치의 대면적 웨이퍼도 가능하다.
본 발명의 일 실시형태에 따라, 상기 기판(10a)상에 마스터 패턴(M)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 패턴 형성에 사용되는 공지된 방법을 사용할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 원하는 패턴의 크기와 비용 등을 고려하여 리소그래피, 분자 자기조립 등을 사용할 수 있다.
상기 마스터 패턴(M)의 모양은 특별히 제한되지 않으며, 상기 패턴 형성방법으로 구현될 수 있는 모든 모양의 패턴을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 라인, 홀, 닷, 메쉬, 링 형태, 구부러지거나 휘어진 모양 등 반복적이거나 규칙적인 패턴을 모두 포함할 수 있다.
또한, 마스터 패턴의 크기도 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 나노 크기에서 수백 ㎛까지 가능하다. 보다 구체적으로, 라인의 경우에는 선폭, 닷의 경우에는 직경의 크기가 5㎚에서 수백 ㎛일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 마스터 기판(10)은 롤 공정을 통한 복제 패턴 형성에 사용되는 것으로, 마스터 기판이 파괴되지 않는 한 반복적으로 사용될 수 있다.
다음으로, 상기 마스터 패턴(M)의 역상을 가지는 복제 패턴(20)을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 마스터 기판(10) 상에 복제층(21)을 형성한 후, 상기 복제층 상에 접착 필름(22)을 부착하고, 상기 마스터 기판에서 상기 접착 필름(22)을 박리하여 접착필름(22)과 복제층(21)을 포함하는 복제패턴(20)을 얻을 수 있다.
보다 구체적으로, 도 1의 (c)와 같이 상기 마스터 기판(10) 상에 복제층(21)을 형성하여 상기 복제층(21) 상에 상기 마스터 패턴(M)의 역상을 가지는 패턴을 형성할 수 있다.
상기 복제층(21)을 형성할 수 있는 복제 소재로는 특별히 제한되지 않으며, 도포될 수 있는 모든 유기, 유무기, 무기, 금속 소재를 포함할 수 있다.
복제 소재로 폴리머를 사용하는 경우, 호모 폴리머, 두 가지 이상의 혼합 폴리머, 적층 또는 혼합, 블록 공중합 고분자, 또는 전도성 고분자(예, PEDOT: PSS 등) 등 스핀 코팅이 가능한 모든 물질을 사용할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 폴리이미드, PMMA, PS, PVP (P2VP, P4VP 등), 레진(resin) 등의 모든 폴리머 가능하며, 폴리머를 포함한 다른 모든 도포 가능한 연성소재, 비연성 소재를 말한다.
또한, 상기 복제 소재는 유기 용매뿐만 아니라, 물에 녹는 물질도 사용할 수 있다.
다음으로, 도 1의 (d)와 같이, 상기 복제층(21) 상에 접착 필름(22)을 부착할 수 있다.
상기 접착 필름(22)은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리이미드 테이프(캡톤(kapton) 테이프), PDMS 등 접착력이 있는 모든 소재를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 접착 필름의 부착 공정은 롤 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행될 수 있다.
도 2는 접착 필름의 부착을 과정을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 롤러가 구비된 라미네이터를 사용할 수 있고, 복제층(21)이 형성된 마스터 기판(10)과 접착 필름(22)을 롤러(R) 사이에 배치하고, 롤링(라미네이팅) 공정을 수행하여 접착필름(22)을 복제층(21) 상에 부착시킬 수 있다.
상기 롤링 공정은 온도, 습도, 압력, 속도 등을 제어하여 수행될 수 있고, 상하로 배치된 롤러 사이의 간격도 조절할 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 상기 롤링 공정은 상온 내지 200℃에서 수행될 수 있고, 상압 내지 고압, 또는 저압, 진공에서도 수행될 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 롤링의 속도는 0.1 내지 10cm/s일 수 있다.
상기 롤러(R)의 재질은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 폴리우레탄 등을 사용할 수 있다.
또한, 도시되지 않았으나, 프레스가 구비된 라미네이터를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 롤링 공정으로 접착필름을 마스터 기판 및 복제층 상에 부착시키기 때문에 대면적의 기판에 접착필름을 균일하게 접착시킬 수 있고, 복제층과 접착필름의 접착력이 향상될 수 있다.
이후, 도 1의 (e)와 같이 접착 필름(22)을 이용하여 복제층(21)을 마스터 기판(10)에서 박리시킬 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(22)과 복제층(21)으로 이루어진 복제 패턴(20)이 얻어질 수 있다.
상기 마스터 기판에서 접착 필름(22)을 떼어내는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 수작업으로 하거나, 기계로 떼어낼 수 있다.
다음으로, 상기 복제패턴(20)에 게터 물질을 증착하는 단계를 수행할 수 있다.
도 1의 (f)와 같이 상기 복제패턴(20) 상에 게터 물질을 증착하여 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)을 형성할 수 있다.
상기 복제패턴(20)을 0 내지 90°로 기울이거나 또는 기울이지 않은 상태에서 게터 물질을 증착할 수 있다.
상기 증착 방법은 특별히 제한되지 않으며, 물리적 증착 또는 화학적 증착방법 등 물질을 도포하는 방법을 사용할 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 스퍼터(sputter), 열 증착기(thermal evaporator), 전자-빔 증착기(e-beam evaporator), CVD(Chemical Vapor Deposition), 또는 ALD(Automic Layer Deposition) 등의 물질을 도포하는 방법을 제한없이 사용할 수 있다.
증착되는 게터 물질은 금속, 세라믹, 산화물, 반도체 등 모든 물질을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, Ti, Zr, Hf, Ni, Co, Mn, Al, Li, Mg 등일 수 있다.
상기 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)은 복제패턴(20)의 복제층의 패턴에 형성되는 것으로, 마스터 기판의 마스터 패턴(M)과 동일한 패턴으로 형성되게 된다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)이 형성된 복제패턴(20)을 용매에 노출시키거나 열을 가하는 전처리 공정을 수행할 수 있다. 또한, 가열된 용매를 사용하여 전처리 공정을 수행할 수 있다.
상기 용매 노출 공정을 통하여 접착 필름의 접착력을 약화시켜 추후 메인 기판으로 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)이 용이하게 전사될 수 있도록 할 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 상기 용매 노출 공정은 톨루엔 용액, 또는 톨루엔 및 아세톤의 혼합 용액에서 상기 복제패턴(20)을 수 초 내지 수십 분을 노출시켜 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 용매의 온도는 0 내지 200℃일 수 있다.
다음으로, 상기 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)을 메인 기판(11)상에 전사할 수 있다.
도 1의 (g) 및 (h)와 같이, 복제 패턴(20)에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)을 메인 기판(11) 상에 전사할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 패턴 전사 공정은 롤 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행될 수 있다.
상기 메인 기판(11)의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 실리콘 기판, 하드(Hard) 또는 소프트(soft) 기판일 수 있다.
나노/마이크로 구조물 패턴을 전사시킨 후, 복제층을 제거하기 위하여 용매를 사용할 수 있다.
상기 용매를 통한 복제층 제거 공정에서, 상기 용매는 1종과 혼합용매를 사용할 수 있으며, 그 온도는 0 내지 200일 수 있다.
도 3은 복제 패턴(20)에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)을 메인 기판(11)에 전사하는 롤 공정을 개략적으로 나타내는 모식도이다.
도 3을 참조하면, 롤러(R)가 구비된 라미네이터를 사용할 수 있는데, 상기 롤러(R)의 소재는 폴리우레탄일 수 있다.
또한, 도시되지 않았으나, 프레스가 구비된 라미네이터를 사용할 수 있다.
상하로 배치된 2개의 롤러 사이에 메인기판(11)과 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)이 증착된 복제패턴(20)을 배치하고, 롤링하여 전사 공정을 수행할 수 있다.
상기 전사 공정은 온도, 습도, 압력, 속도 등을 제어하여 수행될 수 있고, 상하로 배치된 롤러 사이의 간격도 조절할 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 상기 전사 공정은 상온 내지 200℃에서 수행될 수 있고, 상압 내지 고압, 또는 저압, 진공에서도 수행될 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 롤링의 속도는 0.1 내지 10cm/s일 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 전사 공정 전에 복제 패턴을 가열하거나 용매에 노출시키는 전처리 공정을 수행하면, 상기 메인기판(11) 상에 나노/마이크로 구조물 패턴(P1)을 보다 용이하게 전사할 수 있다.
또한, 이러한 전사 공정 후 폴리머 등의 복제패턴의 소재가 메인 기판(11)에 남아 있을 수 있다. 이러한 경우 상기 잔존하는 복제패턴의 소재는 톨루엔 같은 유기 용매, 또는 물 등으로 세척하여 제거할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기와 같은 패턴 전사 프린팅 공정을 동일한 메인 기판(11) 상에 반복함으로써, 나노/마이크로 구조물 패턴을 여러 번 적층하여 다층 구조를 가지는 게터 구조물을 형성할 수 있다. 이러한 패턴 전사 프린팅 공정을 여러 차례 반복하면 크로스바 패턴 등 적층 패턴을 만들 수 있다. 패턴이 적층됨에 따라 비표면적이 증가할 수 있다.
이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, H2 흡착용 Ti 구조물 패턴을 전사 프린팅 후 톨루엔, 아세톤 등의 유기 용매 또는 그 혼합 용매로 세척(복제층 제거)하고, 다시 Ti 구조물 패턴을 전사 프린팅하고, 다시 세척하는 등, 이러한 공정을 반복하여 비표면적이 넓은 H2 흡착용 게터 구조물을 만들 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따라 메인 기판(11) 상에 제1의 나노/마이크로 구조물 패턴(P1) 및 제2의 나노/마이크로 구조물 패턴(P2)이 적층된 게터 구조물을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 및 제2 나노/마이크로 구조물 패턴은 서로 동일한 패턴을 가진 것으로, 서로 다른 방향으로 적층될 수 있다.
또한, 도시되지 않았으나, 서로 다른 패턴을 가지는 나노/마이크로 구조물 패턴이 여러 번 적층될 수 있다.
또한, 적층되는 나노/마이크로 구조물은 하나의 종류가 아닌 서로 다른 종류의 게터 물질로 형성된 나노/마이크로 구조물이 적층될 수 있다.
나노/마이크로 구조물의 물질 종류에 따라서 흡착하는 가스의 종류가 다를 수 있다. 또한, 크기가 작고 균일한 나노/마이크로 구조물 패턴을 적층 했을 때 비표면적이 증가하여 게터 구조물의 특성이 향상될 것으로 예상된다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따라 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 이들이 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
[실시예 1]
8 인치 웨이퍼에 리소그래피/BCP 리소그래피 공정을 사용하여 마스터 패턴을 제조하였다. 도 5는 본 실시예에 따라 제조된 마스터 기판을 촬영한 사진 및 마스터 패턴의 확대도이다. PMMA 등의 복제층으로 사용되는 소재를 스핀 코팅하고, 롤러가 구비된 라미네이터를 이용하여 접착필름을 부착하였다. 본 발명에 접착 필름을 웨이퍼로부터 복제층 소재를 박리하여 복제패턴을 얻었다. 도 6은 본 실시예에 따라 복제패턴을 얻는 과정을 촬영한 사진이다. 도 7은 각각 폴리이미드와 접착제로 이루어진 Kapton테이프(a) 및 경화된 PDMS 몰드(b)를 이용하여 복제패턴(예, PMMA)을 떼어낸 것을 촬영한 사진이다. 상기 복제 패턴에, 증착공정을 통하여 형성된 나노/마이크로 구조물을 롤러가 구비된 라미네이터로 Si 기판에 패턴 전사 프린팅하여 게터 구조물을 얻었다.
[실시예 2]
상기와 같이 제조된 복제패턴을 사용하여 Si 기판에 나노/마이크로 구조물을 적층하여 다층 구조를 가지는 다공성 게터 구조물을 얻었다.
[비교예 1]
상기 실시예 1과 동일하게 진행하였으나, 복제패턴의 형성 및 Si 기판에 패턴 전사 프린팅 시 라미네이터를 이용한 롤 프린팅 공정 대신 수작업으로 접착 필름(예, Kapton테이프)을 부착하여 복제패턴을 만들고, 그 위에 스퍼터 증착을 통하여 원하는 소재(예, Pt)를 증착 후 패턴전사 프린팅 및 세척하여, 원하는 소재의 패턴을 얻었다.
[비교예 2]
실시예 2와 동일하게 진행하였으나, 라미네이터를 이용한 공정 대신에 수작업으로 나노/마이크로 구조물을 적층하여 다층 구조를 가지는 게터 구조물을 얻었다.
[평가]
1) 공정시간 비교
상기 실시예 1과 비교예 1에서 폴리머 용액의 스핀 코팅 시간은 4800rpm 에서 23초로 동일하였고, 희생층으로 사용되는 복제 패턴을 제거하는 시간도 5초로 동일하였으나, 동일한 패턴을 가지는 메인 기판의 생산 속도는 라미네이터를 이용한 롤 프린팅 공정이 수작업에 비하여 43배 이상으로 높은 생산성을 나타내었다.
2) 전사된 패턴의 비교
도 8은 비교예 1에 따라 수작업으로 진행된 나노 구조물 패턴(a)과 본 발명의 실시예 1에 따라 메인 기판에 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 주사전자현미경(SEM) 저배율 사진이다.
도 9는 비교예 1에 따라 수작업으로 진행된 나노 구조물 패턴(a)과 본 발명의 실시예 1에 따라 메인 기판에 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 사진이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 나노 구조물에서 본 발명의 실시예에 따라 라미네이터를 이용한 경우에 수작업 프린팅에 비하여 라인 간격이 더 일정했으며, 수작업 프린팅의 경우에는 균일하지 못한 힘 때문에 라인에 균열과 밀림현상이 발생하였다.
도 10은 비교예 1과 실시예 1에서 얻어진 라인 패턴의 선폭 균일성을 나타내는 그래프이다. 도 10을 참조하면, 비교예(hand printing)의 경우 선 간 거리(line space)가 30 내지 45nm로 그 범위가 넓으나, 실시예(Laminator printing)의 경우 약 28 내지 32nm로 그 범위가 일정한 것을 확인할 수 있고, 선 폭(line width)의 경우 비교예(hand printing)는 약 13 내지 14.5nm이고, 실시예(Laminator printing)의 경우 약 13.3 내지 14.5nm로 실시예의 경우 선간 거리 및 선폭의 균일성일 우수한 것을 확인할 수 있었다.
3) 다층 구조로 전사된 패턴의 비교
도 11은 비교예 2에 따라 수작업으로 진행된 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(a)과 실시예 2에 따라 메인 기판에 다층 구조로 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 저배율 SEM 사진이다.
도 12는 비교예 2에 따라 수작업으로 진행된 다층 구조를 가지는 나노 구조물 패턴(a)과 실시예 2에 따라 메인 기판에 다층 구조로 전사된 나노 구조물 패턴(b)의 고배율 SEM 사진이다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 나노 스케일 구조물 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 수작업 프린팅보다 라미네이터를 이용한 실시예 2의 구조물이 더 우수함을 확인할 수 있었다. 수작업의 경우 패턴이 흐트러져 패턴 간의 간격이 일정하지 않고, 정렬도가 나쁘지만, 실시예 2의 경우 패턴 간의 간격이 일정하여, 정렬도가 매우 우수하였다.
4) 게터 구조물의 H2 흡착 평가
SiO2 기판에 Ti로 형성된 크로스 바 형태의 구조물 패턴을 형성하고, H2에 대한 흡착 특성을 실시하였다. 흡착 특성 평가를 위해 수분 및 불순물 제거를 위한 전처리 온도는 200~300℃였고 2~3시간 동안 전처리를 실시하였다. 흡착 온도는 35℃였으며, 측정 샘플양은 0.001 wt%였다. 측정장비는 마이크로메리틱스사(Micromeritics社)의 ASAP 2020였다.
도 13은 H2에 대한 Ti로 된 게터 구조물의 물리 흡착 및 화학 흡착 특성을 나타내는 그래프이다. 도 13을 참조하면, Ti로 된 게터 구조물에 H2가 물리적 흡착 및 화학적 흡착이 됨을 확인할 수 있었다.
제시된 실시예들에 대한 설명은 임의의 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 이용하거나 또는 실시할 수 있도록 제공된다. 이러한 실시예들에 대한 다양한 변형들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백할 것이며, 여기에 정의된 일반적인 원리들은 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 그리하여, 본 발명은 여기에 제시된 실시예들로 한정되는 것이 아니라, 여기에 제시된 원리들 및 신규한 특징들과 일관되는 최광의의 범위에서 해석되어야 할 것이다.
10: 마스터 기판 M: 마스터 패턴
11: 메인 기판 20:복제 패턴
21: 복제층 22: 접착필름
P1, P2: 나노/마이크로 구조물

Claims (24)

  1. 마스터 패턴을 가지는 마스터 기판을 마련하는 단계;
    상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 패턴이 형성된 복제패턴을 얻는 단계;
    상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하여 나노/마이크로 구조물 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴을 얻는 단계는
    상기 마스터 기판에 복제 소재를 도포하여 상기 마스터 패턴의 역상을 가지는 패턴이 형성된 복제층을 형성하는 단계; 및
    상기 복제층에 접착 필름을 부착한 후 상기 마스터 기판에서 상기 접착 필름을 박리하여 상기 접착필름 및 상기 복제층으로 이루어진 복제패턴을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 복제층에 접착 필름을 부착하는 방법은 롤링 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 라미네이터는 롤러 또는 프레스가 구비된 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 롤링 공정에서 롤링의 속도는 0.1 내지 10cm/s인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계는 롤링 공정 또는 라미네이터를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 라미네이터는 롤러 또는 프레스가 구비된 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 롤링 공정에서 롤링의 속도는 0.1 내지 10cm/s인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 마스터 기판은 실리콘 기판, 하드(Hard) 또는 소프트(soft) 기판인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 마스터 패턴은 리소그래피 또는 분자 자기조립의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 마스터 패턴은 라인, 홀, 닷, 메쉬, 또는 링 형태의 반복적이고 규칙적인 패턴인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 마스터 패턴의 크기는 나노 사이즈에서 수백 ㎛인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 복제 소재는 유기, 유무기 또는 무기 소재인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 복제 소재는 호모 폴리머, 혼합 폴리머, 블록 공중합 고분자, 전도성 고분자, 폴리이미드, PMMA, PS, 및 PVP로 이루어진 군으로부터 선택된 폴리머를 포함한 연성 소재인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 증착되는 게터 물질은 금속, 세라믹, 또는 반도체 물질인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 게터 물질은 Ti, Zr, Hf, Ni, Co, Mn, Al, Li, 또는 Mg 중 어느 하나 이상의 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 게터 물질을 증착하는 방법은 물리적 증착 또는 화학적 증착 방법인 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계 이전에 상기 나노/마이크로 구조물 패턴이 형성된 복제패턴을 용매에 노출시키거나 열을 가하는 전처리 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 전처리는 가열된 용매에 상기 복제패턴을 노출시키는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계를 반복적으로 수행하여 다층 구조를 가지는 게터 구조물을 얻는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 복제패턴 상에 증착된 나노/마이크로 구조물 패턴을 메인 기판에 전사하는 단계 이후에 메인 기판 상에 잔존하는 복제패턴을 용매 또는 물로 세척하거나 열처리, 플라즈마 에칭 후처리 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 크로스 바 형태 또는 서로 겹쳐진 형태의 구조물인 것을 특징으로 하는 게터 구조물의 제조방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 다층 구조를 가지는 게터 구조물은 서로 다른 종류의 게터 물질로 형성된 나노/마이크로 구조물이 적층된 것을 특징으로 하는,
    게터 구조물의 제조방법.
  24. 제1항 내지 제23항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는, 게터 구조물.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20200057389A (ko) * 2018-11-16 2020-05-26 한국세라믹기술원 대면적 열보조 패턴 전사 프린팅 방법
CN113264499A (zh) * 2021-04-09 2021-08-17 东南大学 一种基于水溶性聚丙烯酸的微纳基底转印方法

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KR20200057389A (ko) * 2018-11-16 2020-05-26 한국세라믹기술원 대면적 열보조 패턴 전사 프린팅 방법
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