KR20180025068A - 자성체 조성물 및 이를 포함하는 인덕터 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시 예는 금속 자성 입자를 포함하며, 금속 자성 입자는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자, 평균 입경이 1 내지 4.5 μm인 제2 금속 자성 입자, 및 표면에 형성된 절연막을 포함하며, 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함함으로써, 인덕터의 와전류 손실을 개선함과 동시에 고효율 및 인덕턴스를 확보할 수 있다.
Description
본 발명은 자성체 조성물 및 이를 포함하는 인덕터에 관한 것이다.
고성능에 대한 산업계의 요구에 따라, 전원 컨버터의 효율이 중요한 고려사항이 되고 있으며, 전원 컨버터(power converter)의 효율이 미치는 영향으로는 크게 스위치 손실과 수동소자 손실로 나눌 수 있다. 스위치 손실은 IGBT(insulated gate bipolar mode transistor)와 다이오드(diode)의 손실이며, 수동소자 손실은 인덕터(inductor)와 커패시터(capacitor)의 손실로 각각 나눌 수 있다.
이 중 인덕터의 손실의 경우, 인덕터에 미치는 부하의 크기가 증가함에 따라 증가하는 부하 의존적 손실인 동손(copper loss) 및 부하에 관계없이 일정한 크기를 갖는 부하 독립적 손실인 철손(iron loss) 등이 영향을 미치게 된다. 동선은 인덕터의 권선저항에서 발생하는 손실이며, 철손은 일정한 스위칭 주파수에서 연속도통모드로 구동시 발생하는 손실이다.
부하 의존적 손실은 전부하 영역에서의 효율에 영향을 미치며 특히 도통 손실에 영향을 많이 받기 때문에 중부하에서 차지하는 비율이 매우 크다. 반면에, 부하 독립적 손실은 부하에 따라 그 변화폭이 적기 때문에 중부하에서 차지하는 비중이 적지만, 경부하에서는 부하 의존적 손실에 비해 더 큰 비중을 차지하고 있어 경부하 효율 개선을 위해서는 부하 독립적 손실의 저감이 효과적이라고 볼 수 있다.
철손의 경우, 자속 밀도에 의해 크게 변동하는 것으로 히스테리시스 손실(hysteresis loss)과 와전류 손실(eddy current loss)로 구분된다. 히스테리시스 손실의 경우 인덕터 내의 불순물, 전위, 결정립계, 분말의 계면에 의한 인자에 영향을 받으며, 와전류 손실의 경우 바디에 포함된 분말 입자의 내에서 발생하는 것으로 입자의 크기 및 입자의 절연 정도에 따라 증가할 수 있다.
와전류 손실을 감소시키기 위해서는 입자의 크기를 감소시키는 방안이 있으나, 입자의 크기가 감소하면 투자율이 감소하여 인덕턴스(inductance)가 감소하는 문제점이 있다.
따라서, 와전류 손실을 감소시킬 수 있는 방법이 필요한 실정이다.
본 발명은 와전류 손실을 감소시켜 고효율 및 인덕턴스를 확보할 수 있는 자성체 조성물 및 이를 포함하는 인덕터에 관한 것이다.
본 발명이 일 실 시예는 금속 자성 입자를 포함하며, 금속 자성 입자는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자, 평균 입경이 1 내지 4.5 μm인 제2 금속 자성 입자, 및 표면에 형성된 절연막을 포함하며, 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함하는 자성체 조성물 및 이를 포함하는 인덕터를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 인덕터의 와전류 손실을 개선함과 동시에 고효율 및 인덕턴스를 확보할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 사시도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 절단면을 개략적으로 도시한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 바디의 단면 구조를 나타낸 주사전자현미경 사진(scanning electron microscope;SEM)이다.
도 5는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 주파수에 따른 Q 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 절단면을 개략적으로 도시한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 바디의 단면 구조를 나타낸 주사전자현미경 사진(scanning electron microscope;SEM)이다.
도 5는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 주파수에 따른 Q 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다. 도면에서 요소 등의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 자성체 조성물에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 자성체 조성물은 금속 자성 입자를 포함하며,금속 자성 입자는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자, 평균 입경이 1 내지 4.5 μm인 제2 금속 자성 입자, 및 표면에 형성된 절연막을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함한다.
상기 자성체 조성물은 금속 자성 입자 및 수지를 포함하며, 상기 수지에 상기 금속 자성 입자가 분산된 형태를 가질 수 있다.
상기 금속 자성 입자는 상기 금속 자성 입자는 철(Fe), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 코발트(Co)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, Fe-Si-Cr계 합금일 수 있다.
상기 수지는 에폭시(epoxy) 수지나 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 열경화성 수지일 수 있다.
상기 금속 자성 입자는 서로 다른 크기를 갖는 제1 내지 제3 금속 자성 입자를 포함하며, 구체적으로, 상기 제1 금속 자성 입자는 10 내지 28 μm의 평균 입경을 가지며, 상기 제2 금속 자성 입자는 1 내지 4.5 μm의 평균 입경을 가지며, 제3 금속 자성 입자는 300nm 이하의 입경을 갖는 것을 만족한다. 즉, 상기 1 금속 나노 입자는 조대 분말, 상기 제2 금속 나노 입자는 미세 분말, 상기 제3 금속 나노 입자는 초 미세 분말일 수 있다.
상기 제1 금속 자성 입자는 저주파수 대역에서 자성체 조성물의 히스테리시스(hysteresis) 손실을 작게 하고, 그리고 고주파수 대역에서 자성체 조성물의 와류 전류(eddy current) 손실을 최소화하기 위해, 10 내지 28 μm인 평균 입경을 가진다.
상기 제2 금속 자성 입자는 자성체 조성물의 포화 전류(saturation current; Isat)를 높이기 위하여 1 내지 4.5 μm의 평균 입경을 가질 수 있으며, 제3 금속 자성 입자는 바디의 분말 충진률 및 와전류 손실을 감소시키기 위하여 300nm 이하의 입경을 가진다.
일반적으로, 금속 자성 입자의 크기를 감소시키면 와전류 손실을 감소시킬 수 있으나, 인덕터의 바디의 투자율이 감소하기 때문에 인덕터에서의 주요한 인자인 인덕턴스의 구현이 어렵게 된다.
본 발명의 일 실시 형태의 자성체 조성물은 표면에 형성된 절연막을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함한다. 이로 인해, 입자의 크기가 작은 제3 금속 자성 입자를 포함함으로써 와전류 손실을 감소시킬 수 있으며, 제3 금속 자성 입자의 표면에 형성된 절연막에 의해 인덕턴스를 확보할 수 있다.
상기 절연막은 산화막일 수 있으며, 1층 이상 형성될 수 있으며, 최대 3층으로 이루어질 수 있다.
상기 절연막은 1층으로 이루어진 경우 FeO로 이루어질 수 있으며, 2층으로 이루어질 경우 FeO/SiO 및 FeO/CrO 중 선택된 하나의 구조를 가질 수 있으며, 3층으로 이루어질 경우 FeO/CrO/SiO의 구조를 가질 수 있다.
상기 절연막이 FeO로 이루어진 1층을 가질 수 있으며, 얇은 절연막의 특성상 우수한 자기 특성을 가질 수 있다.
상기 절연막이 2층으로 이루어질 경우, 상기 절연막은 상기 코어의 표면에 형성되며 FeO로 이루어진 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 SiO 및 CrO 중 선택된 하나로 이루어진 제2층을 포함할 수 있다. 상기 제2층의 두께는 상기 제1층의 두께에 비해 같거나 작을 수 있다. SiO는 우수한 절연 특성을 가지며, CrO는 코어의 표면이 공기 중에 노출되면서 생기는 급격한 산화를 방지해주는 역할을 할 수 있다.
상기 절연막이 3층으로 이루어질 경우, 코어에 절연막이 형성되며, 상기 절연막은 상기 코어의 표면에 형성되며 FeO로 이루어진 제1층, 상기 제1층 상에 형성되며 CrO로 이루어진 제2층, 및 상기 제2층 상에 형성되며 SiO로 이루어진 제3층을 포함하는 구조일 수 있다. 각 층의 두께는 같거나 차이가 발생할 수 있다.
상기 3층으로 이루어진 절연막은 FeO, SiO 및 CrO층을 포함하는 구조로, 코어의 표면 산화 방지 및 우수한 절연 특성을 가질 수 있으며, 와전류 손실을 낮추어 인덕터의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 절연막의 두께는 상기 제3 금속 자성 입자의 입경의 1~20%일 수 있다.
상기 절연막의 두께가 상기 제3 금속 자성 이자의 입경의 20%를 초과하면 오히려 투자율 및 자화율이 감소될 수 있으므로, 가급적 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다.
상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서, 상기 제1 금속 자성 입자의 함량은 70 내지 79wt%, 상기 제2 금속 자성 입자의 함량은 10 내지 20 중량%, 및 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 1 내지 20 중량%를 만족한다.
인덕터의 투자율을 위하여, 상기 제1 금속 자성 입자의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 70 내지 79wt%일 수 있으며, 상기 제2 금속 자성 입자의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 10 내지 20 중량%일 수 있다.
와전류 손실을 감소 및 인덕턴스 향상을 위하여, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 1 내지 20 중량%일 수 있다.
상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 1중량% 미만이면 인덕턴스 향상 효과가 미비하며, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 20중량%를 초과하면 인덕터의 바디의 충진률 상승으로 인덕턴스가 증가할 수 있으나 Q 값(Q factor)가 감소하는 문제점이 있으므로, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 1 내지 20 중량%인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 자성체 조성물은 입경이 300nm 이하의 범위를 가지며 표면에 형성된 절연막을 포함하는 제3 금속 자성 입자를 포함하므로, 인덕터의 바디의 분말 충진률의 증가 및 와전류 손실의 감소로 인하여 인덕턴스가 향상되며, 고효율을 가질 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 인덕터에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 사시도를 개략적으로 나타낸 것이며, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 절단면을 개략적으로 도시한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터(100)는 금속 자성 입자(61, 63, 65)를 포함하는 바디(50), 및 바디 내에 배치된 코일부(20, 41, 42)를 포함하며, 금속 자성 입자는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자(61), 평균 입경이 1 내지 4.5 μm인 제2 금속 자성 입자(63), 및 표면에 형성된 절연막(65b, 65c)을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자(65)를 포함한다.
상기 바디(50)는 인덕터의 외관을 이룬다. 상기 바디는 일면 및 상기 일면과 마주보는 타면, 상기 일면과 타면을 연결하는 면들을 가질 수 있다. 도 1에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다. 상기 바디(50)는 코일층의 적층 방향(두께 방향)으로 마주보는 상면 및 하면과, 길이 방향으로 마주보는 측면과 폭 방향으로 마주보는 정면을 포함하는 육면체 형상일 수 있으며, 인쇄회로기판 실장시 상기 바디의 하면(타면)은 실장면일 수 있다. 각 면이 만나는 모서리는 그라인딩(Grinding) 등에 의하여 둥글 수 있다.
상기 바디(50)는 자기 특성을 나타내는 자성 물질을 포함한다.
상기 바디(50)는 코일부를 형성한 후 그 상부 및 하부에 자성 물질을 포함한 시트를 적층한 후 이를 압착 및 경화하여 형성될 수 있다. 상기 자성물질은 금속 자성 입자가 포함된 수지일 수 있다.
상기 바디(50)는 금속 자성 입자(61, 63, 65)가 수지(60)에 분산된 형태일 수 있다.
상기 금속 자성 입자(61, 63, 65)는 철(Fe), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, Fe-Si-Cr계 합금일 수 있다.
상기 수지(60)는 에폭시(epoxy) 수지나 폴리이미드(polyimide) 수지 등의 열경화성 수지일 수 있다.
인덕터의 와전류 손실은 입자의 크기 및 일자의 절연 정도에 따라 증가하며, 또한 주파수가 늘어남에 따라 와전류 손실이 증가한다. 상기 와전류 손실을 감소시키기 방법으로 바디 내에 포함된 금속 자성 입자의 크기를 감소시키는 것이 있으나, 금속 자성 입자의 크기를 감소시키면 바디의 투자율이 감소하여 인덕터의 인덕턴스 값이 감소하는 문제점이 발생한다.
도 3은 도 2의 A부분의 확대도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 인덕터의 바디(50)는 표면에 형성된 절연막(65b)을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자(65)를 포함함으로써, 와전류 손실을 감소시킬 수 있으며, 바디의 금속 자성 입자의 충진률을 증가시키므로 인덕턴스를 확보할 수 있다.
상기 절연막(65b)은 산화막일 수 있으며, 1층 이상 형성될 수 있으며, 최대 3층으로 이루어질 수 있다.
상기 절연막(65b)이 1층으로 이루어진 경우 FeO로 이루어질 수 있으며, 2층으로 이루어질 경우 FeO/SiO 및 FeO/CrO 중 선택된 하나의 구조를 가질 수 있으며, 3층으로 이루어질 경우 FeO/CrO/SiO의 구조를 가질 수 있다.
상기 절연막이 FeO로 이루어진 1층을 가질 수 있으며, 얇은 절연막의 특성상 우수한 자기 특성을 가질 수 있다.
상기 절연막(65b)이 2층으로 이루어질 경우, 코어(65a)의 표면에 절연막이 형성되며, FeO로 이루어진 제1층(65b') 및 상기 제1층 상에 형성되며 SiO 및 CrO 중 선택된 하나로 이루어진 제2층(65b'')을 포함할 수 있다. 상기 제2층의 두께(Db'')는 상기 제1층의 두께(Db')에 비해 같거나 작을 수 있다. SiO는 우수한 절연 특성을 가지며, CrO는 코어의 표면이 공기 중에 노출되면서 생기는 급격한 산화를 방지해주는 역할을 할 수 있다.
상기 절연막(65b)이 3층으로 이루어질 경우, 코어에 절연막이 형성되며, 상기 절연막은 상기 코어의 표면에 형성되며 FeO로 이루어진 제1층(65b'), 상기 제1층 상에 형성되며 CrO로 이루어진 제2층(65b''), 및 상기 제2층 상에 형성되며 SiO로 이루어진 제3층(65b''')을 포함하는 구조일 수 있다. 각 층의 두께는 같거나 차이가 발생할 수 있다.
상기 3층으로 이루어진 절연막은 FeO, SiO 및 CrO층을 포함하는 구조로, 코어의 표면 산화 방지 및 우수한 절연 특성을 가질 수 있으며, 와전류 손실을 낮추어 인덕터의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 절연막의 두께는 상기 제3 금속 자성 입자의 입경의 1~20%일 수 있다.
상기 절연막의 두께가 상기 제3 금속 자성 이자의 입경의 20%를 초과하면 오히려 투자율 및 자화율이 감소될 수 있으므로, 가급적 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다.
인덕터의 투자율을 위하여, 상기 제1 금속 자성 입자(61)의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 70 내지 79wt%일 수 있으며, 상기 제2 금속 자성 입자(63)의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 10 내지 20 중량%일 수 있다.
와전류 손실을 감소 및 인덕턴스 향상을 위하여, 상기 제3 금속 자성 입자(65)의 함량은 상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서 1 내지 20 중량%일 수 있다.
상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 1중량% 미만이면 인덕턴스 향상 효과가 미비하며, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 20중량%를 초과하면 인덕터의 바디의 충진률 상승으로 인덕턴스가 증가할 수 있으나 Q 값(Q factor)가 감소하는 문제점이 있으므로, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 1 내지 20 중량%인 것이 바람직하다.
하기 표 1은 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 인덕턴스를 나타낸 것이다. 각 샘플은 동일한 사이즈와 동일한 재료를 사용한 것이며, 제3 금속 자성 입자의 함량만 달리한 것이다.
| 구분 | 제3 금속 자성 입자의 함량(중량%) | 표준(ref.:100%) 대비 인덕턴스 변화율(%) |
| 1* | 0 | 100 |
| 2 | 5 | 120~124 |
| 3 | 10 | 143~148 |
| 4 | 15 | 160~165 |
| 5 | 20 | 175~185 |
| 6* | 25 | 170~179 |
| 7* | 30 | 158~172 |
| 8* | 35 | 148~165 |
*: 비교예
상기 표 1을 참조하면, 상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 증가함에 따라 인덕터의 인덕턴스 용량이 증가하는 것을 알 수 있으며, 이는 인덕터의 바디의 분말 충진률이 높아지는 것에 기인하여 바디의 투자율 증가에 기인한 것으로 판단된다.
상기 제3 금속 자성 입자의 함량이 20중량% 초과함에 따라 인덕터의 인덕턴스가 다시 감소하는 것을 알 수 있다.
도 4는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 바디의 단면 구조를 나타낸 주사전자현미경 사진(scanning electron microscope;SEM)이다.
상기 바디는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자, 평균 입경이 1 내지 4.5 μm인 제2 금속 자성 입자, 및 표면에 형성된 절연막을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함하는 바디를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 제1 및 제2 금속 자성 입자 사이에 초 미세 분말인 제3 금속 자성 입자가 포함되며, 제3 금속 자성 입자의 함량이 높아질수록 바디의 분말 충진률이 높아지는 것을 알 수 있다.
도 5는 제3 금속 자성 입자의 함량에 따른 인덕터의 주파수에 따른 Q 값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 5를 참조하면, 제3 금속 자성 입자의 함량이 증가함에 따라 바디의 분말 충진률이 높아지는 것에 기인하여 공진 주파수에 영향을 끼치는 기생커패시턴스(parasitic capacitance)가 감소하고, 그리고 Q 값이 증가하는 것에 의한 것으로 판단된다. 한편, 제3 금속 자성 입자의 함량이 20중량%를 초과하면 Q 값이 크게 감소하는 것을 알 수 있다.
상기 코일부는 인덕터(100)의 코일로부터 발현되는 특성을 통하여 전자 기기 내에서 다양한 기능을 수행하는 역할을 한다. 예를 들면, 인덕터(100)은 파워 인덕터일 수 있으며, 이 경우 코일부는 전기를 자기장 형태로 저장하여 출력 전압을 유지하여 전원을 안정시키는 역할 등을 수행할 수 있다.
상기 코일부는 상기 지지부재(20)의 상면 및 하면에 각각 형성된 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)을 포함한다. 상기 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)은 상기 지지부재(20)를 기준으로 마주보며 배치된 코일층이다.
상기 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)은 포토 리소그래피 공법 또는 도금 공법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 지지부재(20)는 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)을 지지할 수 있는 것이면 그 재질이나 종류가 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 동박적층판(CCL), 폴리프로필렌글리콜(PPG) 기판, 페라이트 기판 또는 금속계 연자성 기판 등일 수 있다. 또한, 절연 수지로 이루어진 절연 기판일 수도 있다. 절연 수지로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들에 유리 섬유 또는 무기 필러와 같은 보강재가 함침된 수지, 예를 들면, 프리프레그(prepreg), ABF(Ajinomoto Build-up Film), FR-4, BT(Bismaleimide Triazine) 수지, PID(Photo Imagable Dielectric) 수지 등이 사용될 수 있다. 강성 유지의 관점에서는, 유리 섬유 및 에폭시 수지를 포함하는 절연 기판을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 지지부재(20)의 상면 및 하면에서 중앙부는 관통되어 홀을 형성하고, 상기 홀은 페라이트 또는 금속 자성 입자 등의 자성체로 충진되어 코어부(55)를 형성할 수 있다. 상기 자성체로 충진되는 코어부를 형성함에 따라 인덕턴스(L)을 향상시킬 수 있다.
상기 지지부재의 양면 상에 적층된 상기 제1 코일 패턴(41)과 상기 제2 코일 패턴(42)은 상기 지지부재를 관통하는 비아(45)를 통해 전기적으로 연결된다.
상기 비아(45)는 기계적 드릴 또는 레이저 드릴 등을 이용하여 관통홀을 형성한 후, 상기 관통홀 내부에 도금으로 도전성 물질을 채워 형성될 수 있다.
상기 비아(45)는 지지부재(20) 양면 상에 각각 배치된 상측의 제1 코일 패턴(41) 및 하측 제2 코일 패턴(42)을 전기적으로 연결할 수만 있으면, 그 형상이나 재질은 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 상측의 및 하측은 도면에서 코일패턴의 적층 방향을 기준으로 판단한다.
상기 비아(45)는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pd), 또는 이들의 합금 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다.
상기 비아(45)의 단면은 사다리꼴 또는 모래시계 형상일 수 있다.
상기 비아(45)의 단면은 모래 시계 형상일 수 있다. 상기 형상은 상기 지지부재의 상면 또는 하면을 가공함으로써 구현될 수 있으며, 이로 인해 상기 비아의 단면의 폭을 감소시킬 수 있다. 상기 비아의 단면의 폭은 60 내지 80μm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)은 절연층(미도시)에 피복되며, 상기 바디를 이루는 자성 재료와 직접 접촉되지 않는다.
상기 절연층은 제1 및 제2 코일 패턴을 보호하는 역할을 수행한다.
상기 절연층의 재질은 절연 물질을 포함하는 것이면 어느 것이든 적용될 수 있으며, 예를 들면, 통상의 절연 코팅에 사용되는 절연 물질, 예컨대 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 액정 결정성 폴리머 수지 등을 포함할 수 있으며, 공지의 감광성 절연(Photo Imageble Dielectric: PID) 수지 등이 사용될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42)과 전기적으로 연결되며, 상기 바디의 양측면에 형성된 제1 및 제2 외부전극(81, 82)을 포함한다.
상기 제1 및 제2 외부전극(81, 82)은 상기 바디(50)의 양측면에 노출되는 상기 제1 및 제2 코일 패턴(41, 42) 각각의 인출 단자와 전기적으로 연결된다.
상기 제1 및 제2 외부전극(81, 82)은 인덕터가 전자 기기에 실장 될 때, 인덕터 내의 코일부를 전자 기기와 전기적으로 연결시키는 역할을 수행한다.
상기 제1 및 제2 외부전극(81, 82)은 도전성 금속을 포함하는 도전성 페이스트를 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 도전성 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 주석(Sn) 및 은(Ag) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금일 수 있다.
상기 제1 및 제2 외부전극은 상기 페이스트 층 상에 형성된 도금층을 포함할 수 있다.
상기 도금층은 니켈(Ni), 구리(Cu) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni)층과 주석(Sn)층이 순차로 형성될 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 제한되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 제한하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100: 인덕터 20: 지지부재
41: 제1 코일 패턴 42: 제2 코일패턴
45: 비아 50: 바디
55: 코어부 60: 수지
61: 제1 금속 자성 입자 62: 제2 금속 자성 입자
65: 제3 금속 자성 입자 81, 82: 제1 및 제2 외부전극
41: 제1 코일 패턴 42: 제2 코일패턴
45: 비아 50: 바디
55: 코어부 60: 수지
61: 제1 금속 자성 입자 62: 제2 금속 자성 입자
65: 제3 금속 자성 입자 81, 82: 제1 및 제2 외부전극
Claims (15)
- 금속 자성 입자를 포함하며,
상기 금속 자성 입자는
평균 입경이 10 내지 28μm인 제1 금속 자성 입자;
평균 입경이 1 내지 4.5μm인 제2 금속 자성 입자; 및
표면에 형성된 절연막을 포함하며, 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자;를 포함하는 자성체 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서,
상기 제1 금속 자성 입자의 함량은 70 내지 79wt%, 상기 제2 금속 자성 입자의 함량은 10 내지 20 중량%, 및 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 1 내지 20 중량%를 만족하는 자성체 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 절연막은 산화막으로 이루어진 자성체 조성물.
- 제3항에 있어서,
상기 절연막은 2층으로 이루어지며, FeO/SiO인 자성체 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 절연막의 두께는 상기 제3 금속 자성 입자의 입경의 1~20%인 자성체 조성물.
- 제1항에 있어서,
수지;를 포함하며,
상기 금속 자성 입자는 상기 수지에 분산된 형태인 자성체 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 금속 자성 입자는 철(Fe), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함한 자성체 조성물.
- 금속 자성 입자를 포함하는 바디; 및
상기 바디 내에 배치된 코일부를 포함하며,
상기 금속 자성 입자는 평균 입경이 10 내지 28 μm인 제1 금속 자성 입자, 평균 입경이 1 내지 4.5μm인 제2 금속 자성 입자, 및 표면에 형성된 절연막을 포함하며 입경이 300nm 이하인 제3 금속 자성 입자를 포함하는 인덕터.
- 제8항에 있어서,
상기 금속 자성 입자 100 중량%에 있어서,
상기 제1 금속 자성 입자의 함량은 70 내지 79wt%, 상기 제2 금속 자성 입자의 함량은 10 내지 20 중량%, 및 상기 제3 금속 자성 입자의 함량은 1 내지 20 중량%를 만족하는 인덕터.
- 제8항에 있어서,
상기 절연막은 산화막으로 이루어진 인덕터.
- 제10항에 있어서,
상기 절연막은 2층으로 이루어지며, FeO/SiO인 인덕터.
- 제8항에 있어서,
상기 절연막의 두께는 상기 제3 금속 자성 입자의 입경의 1~20%인 인덕터.
- 제8항에 있어서,
상기 금속 자성 입자는 철(Fe), 실리콘(Si), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함한 인덕터.
- 제8항에 있어서,
상기 바디는 수지를 포함하며,
상기 금속 자성 입자는 상기 수지에 분산된 형태인 인덕터.
- 제14항에 있어서,
상기 수지는 열경화성 수지인 인덕터.
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