KR20180016280A - 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치 - Google Patents

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밀란 플리스카
번하드 로이들
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Abstract

웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치는 회전 척을 포함하고, 회전 척은 웨이퍼 형상 물품이 회전 척 상에 장착될 때 웨이퍼 형상 물품을 둘러싸는 일련의 콘택트 엘리먼트들을 갖는다. 비회전 (non-rotating) 플레이트가 일련의 콘택트 엘리먼트들의 내부에 위치된다. 이 플레이트는 Bernoulli 원리에 따라 비회전 플레이트와 콘택트하지 않고 웨이퍼 형상 물품을 지지하기 위해 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급부를 포함한다.

Description

웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치{APPARATUS FOR PROCESSING WAFER-SHAPED ARTICLES}
본 발명은 일반적으로 웨이퍼 형상 물품들, 예컨대, 반도체 웨이퍼들을 프로세싱하는 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 다양한 표면 처리 프로세스들, 예컨대, 에칭, 세정, 폴리싱 및 재료 디포지션을 겪는다. 이러한 프로세스들을 수용하기 위해서, 단일의 웨이퍼는 예를 들어 미국 특허 번호 제 4,903,717 호 및 제 5,513,668 호에 기술된 바와 같이, 하나 이상의 처리 유체 노즐들에 대해, 회전 가능한 캐리어와 연관된 척에 의해 지지될 수도 있다.
전술된 특허들의 척들은 Bernoulli의 원리에 따라, 가스의 쿠션 상에 웨이퍼를 지지한다. 그러나, 종래의 Bernoulli 척들에서, 웨이퍼의 하측의 주변 구역 상으로 액체를 디스펜싱하는 것은 어렵거나 불편하다.
일 양태에서, 본 발명은 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치에 관한 것이고 장치는 회전 척을 포함하고, 회전 척은 웨이퍼 형상 물품이 회전 척 상에 장착될 때 웨이퍼 형상 물품을 둘러싸는 일련의 콘택트 엘리먼트들을 갖는다. 비회전 (non-rotating) 플레이트가 일련의 콘택트 엘리먼트들의 내부에 위치된다. 이 플레이트는 Bernoulli 원리에 따라 비회전 플레이트와 콘택트하지 않고 웨이퍼 형상 물품을 지지하기 위해 가스를 공급하도록 구성된 가스 공급부를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가스 공급부는 회전 척의 회전축에 대해 방사상으로 외향으로 지향된 환형 가스 공급부이다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 비회전 플레이트는 고정된 중심 포스트 상에 고정된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 비회전 플레이트는 일반적으로 원형이고 그리고 회전 척의 회전축과 동축으로 장착되고, 회전 척은 미리 결정된 직경보다 큰 직경을 갖는다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 콘택트 표면은 콘택트 위치에서 방사상으로 내향으로 향하고 그리고 회전 척의 회전축과 평행하다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 회전 척은 중심 포스트를 중심으로 회전을 위해 장착된 척 베이스 바디를 포함하고, 유체 분배 매니폴드를 둘러싼 척 베이스 바디는 비회전 플레이트를 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 일련의 콘택트 엘리먼트들 각각은 척 베이스 바디로부터 돌출하는 샤프트를 포함하고, 그리고 콘택트 표면은 콘택트 위치에서 비회전 플레이트 위에 가로 놓이도록 샤프트의 원위 단부로부터 방사상으로 내향으로 돌출한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가스 공급부는 웨이퍼 형상 물품이 회전 척 상에 장착될 때 웨이퍼 형상 물품과 대면하는 비회전 플레이트의 표면 상에서 개방되는 원형 일련의 보어들을 포함한 가스 공급 노즐들의 환형 어레이이고, 원형 일련의 보어들 각각은 표면으로부터 회전 척의 회전축에 대해 빗각으로 비회전 플레이트의 내부로 연장한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 비회전 플레이트는 가스 공급부의 방사상으로 외향으로 위치되고, 웨이퍼 형상 물품이 회전 척 상에 위치될 때 웨이퍼 형상 물품의 에지 구역을 향하여 지향된 복수의 액체 디스펜싱 노즐들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복수의 액체 디스펜싱 노즐들은 비회전 플레이트에 부착 가능하고 비회전 플레이트로부터 탈착 가능한 모듈식 노즐 블록으로 구성된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 일련의 콘택트 엘리먼트들은 일련의 핀들이고, 일련의 핀들 각각은 대응하는 핀의 콘택트 표면을 방사상으로 외측 로딩 위치로부터 방사상으로 내측 콘택트 위치로 이동시키도록 각각의 핀 축을 중심으로 회전 가능하다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 액체 디스펜서는 비회전 플레이트가 회전 척 상에 위치될 때 비회전 플레이트에서 이격되어 대면하는 웨이퍼 형상 물품의 측면 상으로 액체를 디스펜싱하도록 위치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 가스 공급부는 가스 공급 노즐들의 환형 어레이 또는 환형 가스 공급 노즐을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 불활성 가스의 공급부는 가스 공급부와 연통한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 프로세스 액체의 공급부는 복수의 액체 디스펜싱 노즐들과 연통한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 프로세스 액체의 공급부는 액체 디스펜서와 연통한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 웨이퍼 형상 물품이 회전 척 상에 장착될 때 웨이퍼 형상 물품이 복사 가열 어셈블리와 비회전 플레이트 사이에 위치되도록 복사 가열 어셈블리가 위치된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 복사 가열 어셈블리는 복수의 LED 램프들을 포함하고, 그리고 비회전 플레이트는 석영 또는 사파이어로부터 형성된 부분들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 콘택트 표면들은 콘택트 표면들의 측면에서만 웨이퍼 형상 물품의 에지와 콘택트하도록 구성된다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예들에서, 콘택트 표면들은 내향으로 향하고 그리고 회전 척의 회전축과 평행하다.
본 발명의 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부한 도면들을 참조하여 제공된, 본 발명의 바람직한 실시예들의 다음의 상세한 기술을 판독한 후에 더 자명해질 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 장치에서 사용되는 회전 척의 평면도이다.
도 2는 회전 척이 도 1의 선 II-II를 따라 절단된, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 장치의 단면도이다.
이제 도 1을 참조하면, 회전 척 (10) 은 원형 일련의 콘택트 엘리먼트들 (12) 을 포함하고, 원형 일련의 콘택트 엘리먼트들 (12) 은 이 실시예에서 8 개이지만, 3 이상의 임의의 목표된 수일 수도 있다. 일련의 6 개의 콘택트 엘리먼트들 (12) 이 바람직하다. 콘택트 엘리먼트들 (12) 각각은 척 (10) 이 사용될 때 웨이퍼 (W) 와 콘택트하는 콘택트 표면 (14) 을 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 원위 단부에 포함한다. 콘택트 엘리먼트들 (12) 은 파지 핀들일 수 있지만, 콘택트 표면들 (14) 이 웨이퍼 (W) 에 대해 아래의 지지가 아닌 측방향 지지만을 제공해야 하기 때문에, 보다 바람직하게 콘택트 표면들 (14) 은 평활하고 회전 척 (10) 의 회전축과 평행하다.
표면들 (14) 이 도시된 바와 같이, 웨이퍼 (W) 를 로딩 및 언로딩하기 위해 방사상으로 외측 비-콘택트 위치와 작용 위치 사이에서 이동 가능하도록, 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 콘택트 표면들 (14) 은 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 회전축들에 대해 편심적이다. 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 포지셔닝은 척 (10) 이 미리 결정된 직경의 웨이퍼, 예를 들어 300 ㎜ 직경 또는 450 ㎜ 직경 반도체 웨이퍼를 홀딩하게 구성되도록 한다.
고정된 유체 분배 매니폴드 (20) 는 콘택트 엘리먼트들 (12) 에 의해 형성된 원 내에, 그리고 웨이퍼 (W) 가 척 (10) 상에 위치될 때 웨이퍼 (W) 아래에 위치된다. 매니폴드 (20) 는 마찬가지로 고정되고, 내측 일련의 배출 노즐들 (22), 및 외측 일련의 배출 노즐 (24) 이 형성되는 상부 플레이트 (25) 를 포함한다. 일련의 노즐들 (22, 24) 중 하나 또는 양자는 그 대신에 단일의 연속적인 환형 노즐, 또는 원형 일련의 아치형 노즐들로서 형성될 수 있다.
3 개의 모듈식 액체 노즐 어셈블리들 (26, 30) 은 매니폴드 (20) 및 상부 플레이트 (25) 에 제거 가능하게 부착되고, 그리고 각각은 프로세스 액체를 상향으로, 그리고 원하는 경우, 그 주변 영역 내에서, 웨이퍼 (W) 의 하향-대면 표면 상으로, 방사상으로 외향으로 배출하도록 위치된 일련의 액체 배출 오리피스들 (28, 31) 을 포함한다.
이제 도 2를 참조하면, 회전 척 (10) 은 단단하게 상호연결된 하부 부분 (11) 및 상부 부분 (13) 으로 이루어진 척 베이스 바디를 포함한다는 것을 알 수 있다. 척 베이스 바디는 고정된 중심 포스트 (50) 를 중심으로 한 이동을 위해 장착되고, 척 베이스 바디는 결국 장치의 지지 프레임 (36) 상에 장착된다. 회전시 척 (10) 을 구동하도록 척 베이스 바디에 고정된 회전자 (34) 와 협력하는 고정자 (32) 가 또한 지지 프레임 (36) 상에 장착된다.
상부 플레이트 (25) 를 포함한 유체 분배 매니폴드 (20) 는 고정된 중심 포스트 (50) 에 단단하게 장착된다. 척 (10) 은 매니폴드 (20) 를 둘러싼다. 척 (10) 은 또한 척 (10) 과 동축이고 동시에 콘택트 엘리먼트 (12) 각각의 베이스에서 형성된 상호보완적 티스와 인게이지하는 외향으로 돌출하는 티스의 링을 포함하는, 엘리먼트들 (11 및 13) 사이에 샌드위치된 링 기어 (15) 를 포함한다. 이에 따라 척 베이스 바디 및 링 기어 (15) 의 회전은 일련의 콘택트 엘리먼트들 (12) 을 일제히 회전시킨다.
도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 이 실시예의 콘택트 엘리먼트들 (12) 은 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 상부 단부 및 하부 단부가 위에서 볼 때 매니폴드 (20) 와 오버랩하도록 크랭크 형상이지만, 또한 매니폴드 (20) 에 대해 콘택트 엘리먼트들 (12) 에 대한 간격을 제공하는 방사상으로-외향으로 돌출하는 중간 부분을 포함한다.
중심 포스트 (50) 는 프로세스 액체의 공급부로부터 프로세스 액체를 공급하는 액체 도관들 (56 및 57) 을 포함한다. 액체 도관들 (56, 57) 은 유체 분배 매니폴드 (20) 에 형성된 액체 도관들 (27 및 29) 각각과 연통하고, 결국 도 1에 도시된 액체 노즐 어셈블리들 (26 및 30) 각각과 연통한다. 어셈블리들 (26) 의 모듈식 특성은 문제의 프로세스에 따라 어셈블리들 (26) 로 하여금 세정을 위해, 그리고 상이하게 사이징되고 성형된 배출 오리피스들을 제공하기 위해 쉽게 제거 및 교환되게 한다.
중심 포스트 (50) 는 또한 바람직하게 질소인 가스의 소스에 연결된 가스 도관들 (54) 을 포함한다. 도관들 (54) 은 도관들 (54) 의 다운스트림 단부들에서 매니폴드 (20) 에 형성된 챔버 (23) 내로 개방된다. 챔버 (23) 는 도 2에 도시된 바와 같이, 방사상으로 내측 유입부로부터 방사상으로 외측 유출부로 비스듬히 연장하는 플레이트 (25) 내에 형성된 보어들인 원형 일련의 배출 노즐들 (24) 과 연통한다.
중심 포스트 (50) 는 재차 바람직하게 질소인 가스의 소스에 마찬가지로 연결된 가스 도관 (52) 을 여전히 더 포함한다. 도관 (52) 은 도관 (52) 의 다운스트림 단부들에서 매니폴드 (20) 에 형성된 챔버 (21) 내로 개방된다. 챔버 (21) 는 도 2에 도시된 바와 같이, 플레이트 (25) 를 통해 축 방향으로 연장하는 플레이트 (25) 내에 형성된 보어들인 원형 일련의 배출 노즐들 (22) 과 연통한다.
웨이퍼 (W) 의 상향-대면 표면 상으로 액체를 디스펜싱하는 액체 디스펜서 (45) 가 또한 도 2에 도시된다. 디스펜서 (45) 는 예를 들어 프로세싱될 웨이퍼의 상부 표면 위에서 호를 따라, 뿐만 아니라 정지 위치로 하향으로 매달린 배출 노즐을 이동시키는 붐 스윙 암의 형태를 취할 수도 있다.
도 2는 또한 가열기 (40) 를 도시하고, 가열기 (40) 는 바람직하게 복사 가열 어셈블리이다. 보다 바람직하게, 가열기 (40) 는 석영 또는 사파이어와 같은, LED들 (42) 에 의해 방출된 복사선에 대해 투과성인 재료로 이루어진 플레이트 (44) 에 의해 프로세스 환경으로부터 보호되는 다수의 블루 LED 가열 엘리먼트들 (42) 을 포함한다.
웨이퍼 (W) 와 접촉하는 콘택트 엘리먼트들 (12) 의 표면 (14) 이 웨이퍼의 외측 주변 에지에서만 접촉한다는 것이 도 2에서 관찰될 것이다. 이 실시예에서, 이들 표면들은 척 (10) 의 회전축과 평행하다. 이와 같이, 콘택트 엘리먼트들 (12) 은 측방향 변위에 대해 웨이퍼 (W) 를 점검하지만, 웨이퍼에 아래의 지지를 제공하지 않는다. 이 구성은 웨이퍼 (W) 로 하여금 상부 플레이트 (25) 로부터 상이한 축 거리들에서 상이한 위치들에 파지되게 한다.
사용시, 가스는 도관들 (54) 을 통해 챔버 (23) 내로 공급되고 노즐들 (24) 을 통해 배출된다. 웨이퍼 (W) 는 바람직하게 0.3 내지 3.0 ㎜의 범위 내의 거리로, 상부 플레이트 (25) 위에 위치되고 상부 플레이트 (25) 와 평행하다. 웨이퍼 (W) 가 Bernoulli 원리에 따라 지지되도록 노즐들을 통한 가스의 플로우 레이트가 조정된다.
웨이퍼 (W) 의 로딩 및 언로딩은 도관 (52) 을 통해 가스를 공급함으로써 보조될 수도 있고, 도관 (52) 을 통한 가스는 챔버 (21) 내로 통과하고 축방향 노즐들 (22) 을 통해 배출된다. 노즐들 (22) 을 통한 가스 공급은 노즐들 (24) 을 통한 가스 공급과 관계 없이 제어될 수도 있다. 공급은 교대로 또는 동시에 일어날 수도 있다.
비회전 플레이트로의 거리가 가스 플로우 및 웨이퍼 형상 물품의 중량에 따라 (또한 중력 및 질량에 따라) 평형을 이루기 때문에, 콘택트 표면 (14) 의 상술된 구성은 이 방식으로 웨이퍼 (W) 의 안정된 지지를 달성하는 것을 돕는다. 평행한 콘택트 표면 (14) 은 예를 들어 회전 척의 회전축과 평행한 모선들 (generatrices) 을 가진 수직 평면 또는 실린더일 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 형상 물품의 방사상 베어링이 파지 엘리먼트들에 의해 제공되고, 반면에 축 방향 베어링은 가스 쿠션에 의해 제공된다. 콘택트 표면 내 수평 노치는 웨이퍼 (W) 의 축방향 변위를 제한하려고 의도될 것이고, 바람직하게 축방향 변위는 방지된다. 그러나, 노치가 콘택트 엘리먼트들에서 활용된다면, 노치는 문제의 가스 플로우 및 웨이퍼 중량에 대해 예상된 평형에 대응하는 위치에 있어야 한다.
이어서 콘택트 엘리먼트들 (12) 은 그 자체로 공지된 방식으로 기어 링 (15) 및 척 베이스 바디 (11, 13) 의 상대적인 회전을 야기함으로써 폐쇄되고, 그 후에 웨이퍼 (W) 는 척 베이스 바디 (11, 13) 및 콘택트 엘리먼트들 (12) 을 일제히 회전시킴으로써 회전될 수도 있다.
예시된 장치 상에서 수행될 통상적인 프로세스는 웨이퍼의 베벨 에칭, 단독 또는 배면 에칭과 함께일 것이다. 이러한 프로세스에서, 웨이퍼 (W) 는 웨이퍼 (W) 의 디바이스 측면이 아래를 향하고 웨이퍼 (W) 의 배면이 위를 향하게 척 상에 위치된다. 도관들 (56, 27) 을 통해 공급되고 노즐 어셈블리들 (26) 의 배출 노즐들 (28) 에 의해 배출된 에칭 액체는 디바이스 측의 규정된 주변 구역 상에 충돌할 것이고, 이에 따라 베벨 에칭을 제공한다. 그 후에 린싱 액체는 도관들 (57, 29) 을 통해 공급되고 노즐 어셈블리들 (30) 의 배출 노즐들 (31) 에 의해 배출된다.
상향으로 향하는 웨이퍼 (W) 의 배면을 에칭하는 것이 또한 목표된다면, 그러면 프로세스 액체는 디스펜서 (45) 로부터 디스펜싱될 수 있다. 에칭은 가열기 (40) 를 사용하여 수행되는 웨이퍼의 가열에 의해 촉진된다.
상이한 웨이퍼들은 상이한 정도, 예를 들어, 2, 3 또는 4 ㎜의 베벨 에칭을 필요로 할 수도 있다. 모듈식 액체 노즐 어셈블리들 (26) 의 제공은 또한 어셈블리들의 노즐들이 목표된 베벨 에칭의 방사상 범위에 따라 상이하게 위치되는 어셈블리들의 신속한 교환을 허용한다.
본 발명이 본 발명의 다양한 바람직한 실시예들과 관련되어 기술되지만, 이들 실시예들은 단지 본 발명을 예시하기 위해 제공되고, 본 발명은 이들 실시예들로 제한되지 않지만, 오히려 첨부된 청구항들의 참된 범위 및 정신에 의해 포함된다는 것이 이해된다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치에 있어서,
    상부에 미리 결정된 직경의 웨이퍼 형상 물품을 수용하도록 구성된 회전 척을 포함하고, 상기 회전 척은 상기 웨이퍼 형상 물품이 상기 회전 척 상에 장착될 때 상기 웨이퍼 형상 물품을 둘러싸는 일련의 콘택트 엘리먼트들을 포함하고, 상기 회전 척이 회전할 때 상기 일련의 콘택트 엘리먼트들은 원으로 회전하고, 그리고 상기 일련의 콘택트 엘리먼트들 각각은, 대응하는 콘택트 엘리먼트의 콘택트 표면을 방사상으로 외측 로딩 위치로부터 방사상으로 내측 콘택트 위치로 이동시키도록 이동 가능하고;
    상기 장치는 비회전 플레이트를 더 포함하고, 상기 비회전 플레이트는 상기 일련의 콘택트 엘리먼트들의 내부에 위치되고, 상기 일련의 콘택트 엘리먼트들에 의해 둘러싸인 면적의 적어도 90 %를 커버하고 그리고 가스 공급부를 포함하며, 상기 가스 공급부는 Bernoulli 원리에 따라 상기 비회전 플레이트와 콘택트하지 않고 상기 웨이퍼 형상 물품을 지지하기 위해 가스를 공급하도록 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 상기 회전 척의 회전축에 대해 방사상으로 외향으로 지향된 환형 가스 공급부인, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 비회전 플레이트는 고정된 중심 포스트 상에 고정되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비회전 플레이트는 일반적으로 원형이고 그리고 상기 회전 척의 회전축과 동축으로 장착되고, 상기 회전 척은 상기 미리 결정된 직경보다 큰 직경을 갖는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택트 표면은 상기 콘택트 위치에서 방사상으로 내향으로 향하고 그리고 상기 회전 척의 상기 회전축과 평행한, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전 척은 상기 중심 포스트를 중심으로 회전을 위해 장착된 척 베이스 바디를 포함하고, 액체 분배 매니폴드를 둘러싼 상기 척 베이스 바디는 상기 비회전 플레이트를 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 일련의 콘택트 엘리먼트들 각각은 상기 척 베이스 바디로부터 돌출하는 샤프트를 포함하고, 그리고 상기 콘택트 표면은 상기 콘택트 위치에서 상기 비회전 플레이트 위에 가로 놓이도록 상기 샤프트의 원위 단부로부터 방사상으로 내향으로 돌출하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 상기 웨이퍼 형상 물품이 상기 회전 척 상에 장착될 때 상기 웨이퍼 형상 물품과 대면하는 상기 비회전 플레이트의 표면 상에서 개방되는 원형 일련의 보어들을 포함한 가스 공급 노즐들의 환형 어레이이고, 상기 원형 일련의 보어들 각각은 상기 표면으로부터 상기 회전 척의 회전축에 대해 빗각으로 상기 비회전 플레이트의 내부로 연장하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 비회전 플레이트는 상기 가스 공급부의 방사상으로 외향으로 위치되고, 상기 웨이퍼 형상 물품이 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 웨이퍼 형상 물품의 에지 구역을 향하여 지향된 복수의 액체 디스펜싱 노즐들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 액체 디스펜싱 노즐들은 상기 비회전 플레이트에 부착 가능하고 상기 비회전 플레이트로부터 탈착 가능한 모듈식 노즐 블록으로 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 일련의 콘택트 엘리먼트들은 일련의 핀들이고, 상기 일련의 핀들 각각은 대응하는 핀의 콘택트 표면을 방사상으로 외측 로딩 위치로부터 방사상으로 내측 콘택트 위치로 이동시키도록 각각의 핀 축을 중심으로 회전 가능한, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 비회전 플레이트가 상기 회전 척 상에 위치될 때 상기 비회전 플레이트에서 이격되어 대면하는 상기 웨이퍼 형상 물품의 측면 상으로 액체를 디스펜싱하도록 위치된 액체 디스펜서를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급부는 가스 공급 노즐들의 환형 어레이 또는 환형 가스 공급 노즐을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 공급부와 연통하는 불활성 가스의 공급부를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 액체 디스펜싱 노즐들과 연통하는 프로세스 액체의 공급부를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 액체 디스펜서와 연통하는 프로세스 액체의 공급부를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 형상 물품이 상기 회전 척 상에 장착될 때 상기 웨이퍼 형상 물품이 복사 가열 어셈블리와 상기 비회전 플레이트 사이에 위치되도록 위치된 상기 복사 가열 어셈블리를 더 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 복사 가열 어셈블리는 복수의 LED 램프들을 포함하고, 그리고 상기 비회전 플레이트는 석영 또는 사파이어로부터 형성된 부분들을 포함하는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택트 표면들은 상기 콘택트 표면들의 측면에서만 웨이퍼 형상 물품의 에지와 콘택트하도록 구성되는, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 콘택트 표면들은 내향으로 향하고 그리고 상기 회전 척의 상기 회전축과 평행한, 웨이퍼 형상 물품들을 프로세싱하는 장치.
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