KR102194148B1 - 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 장치 및 그에서의 사용을 위한 액체 제어링 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치는, 회전척에 대면하는 웨이퍼-형상 물품의 표면이 회전척의 상부 표면으로부터 이격되기 위해 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀딩하도록 구성된 회전척을 포함한다. 링은 회전척 상에 탑재되며, 회전척 상에 위치된 경우 웨이퍼-형상 물품의 외주변 에지를 중첩하는 제 1 상부 표면, 및 제 1 표면의 방사상 내측으로 위치된 제 2 상부 표면을 포함한다. 제 2 상부 표면은, 회전척 상에 위치된 경우의 웨이퍼-형상 물품과 제 1 상부 표면 사이의 거리보다 더 작은, 스핀척 상에 위치된 경우의 웨이퍼-형상 물품과 제 2 상부 표면 사이에서 환형 갭을 정의하기 위해, 제 1 상부 표면에 관해 상승된다.

Description

웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 장치 및 그에서의 사용을 위한 액체 제어링{APPARATUS FOR LIQUID TREATMENT OF WAFER SHAPED ARTICLES AND LIQUID CONTROL RING FOR USE IN SAME}
본 발명은 웨이퍼-형상 물품들의 액체 처리를 위한 장치, 및 그러한 장치에서의 사용을 위한 액체 제어링에 관한 것이다.
액체 처리는, 습식 에칭 및 습식 세정 양자를 포함하며, 여기서, 처리될 웨이퍼의 표면 영역은 처리 액체로 적셔지고 (wet), 그에 의해, 웨이퍼의 일 층이 제거되거나 그에 의해 불순물들이 없어진다. 액체 처리를 위한 디바이스는 미국 특허 제 4,903,717호에 설명되어 있다. 이러한 디바이스에서, 액체의 분포는 웨이퍼에 전해진 회전 이동에 의해 보조될 수도 있다.
반도체 웨이퍼들의 단일 웨이퍼 습식 프로세싱은 통상적으로 일련의 프로세스 모듈들을 통해 진행하며, 그 모듈 각각은 상기-참조된 미국 특허에서 설명된 것과 같은 스핀척들의 그룹을 포함한다. 하나의 통상적인 프로세스 스테이지는 "베벨 에칭" 으로서 지칭되며, 실리콘 웨이퍼의 후면측 (back side) 뿐만 아니라 웨이퍼의 전면 또는 디바이스 측면의 외주변을 에칭하는 것을 수반한다. 디바이스 측면의 에칭은 웨이퍼의 외주변에서 단지 수 밀리미터의 제어된 정도까지이다.
반도체 웨이퍼들의 베벨 에칭을 수행하도록 구성된 스핀척은 공동-소유된 미국 특허 제 7,172,674호에 설명되어 있으며, 그 스핀척의 특정한 양태들은 본 발명의 도 1 및 도 2에 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 척 (11) 은 베르누이 법칙에 따라, 화살표들 G의 방향으로 가스 흐름에 의해 웨이퍼 W를 지지한다. 따라서, 핀들 (53) 은 측방향으로 웨이퍼 W를 구속시키지만 (restrain), 웨이퍼는 웨이퍼 아래의 가스 흐름에 의해 생성된 압력들을 카운터밸런싱 (counterbalance) 함으로써 척에 홀딩된다.
척 (11) 은 축방향 크기 (axial extent) g의 구획된 작은 갭 (15) 에 의해 웨이퍼 W의 이면측으로부터 이격된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 에칭 액체 L가 웨이퍼 W의 상향 직면 후면측 상으로 디스펜싱된 경우, 그것은 또한, 웨이퍼 W의 에지 주변에 흐르고, 모세관 작용 (capillary action) 에 의해 갭 (15) 으로 인출 (draw) 된다. 에칭 액체 L의 진입은 링 (15) 의 방사상 내측 에지에서 중지되며, 여기서, 메니스커스가 형성된다. 따라서, 디바이스 또는 웨이퍼 W의 하향 대면측 상에서 달성되는 에칭의 방사상 크기 c가, 웨이퍼 W와 링 (15) 사이의 중첩의 정도 b에 의해 정의 및 제한된다.
그러한 디바이스가 매우 정확한 베벨 에지를 형성할 수 있지만, 최적의 결과들이 달성되는 프로세스 윈도우는 비교적 협소하다. 베벨 에칭의 품질 및 균일도에 잠재적으로 영향을 주는 인자들, 및 하나의 웨이퍼로부터 다음의 웨이퍼까지의 그의 일관성은, 웨이퍼 표면으로부터 제거될 재료의 속성, 에칭 액체의 조성 및 물리적 속성들, 프로세스 온도, 갭 (15) 의 사이즈, 프로세싱되는 웨이퍼의 직경, 및 척의 회전 속도를 포함한다. 예를 들어, 액체가 모세관 갭에서 정지하고 내측으로 흐르지 않도록, 모세관 갭이 채워질 수 있다.
단일 웨이퍼 에지 에칭 프로세싱 동안, 실제의 에칭 영역은 종종 웨이퍼의 에지에서 균일하지 않다. 사양 외 (out of spec) 또는 중심 이탈 에지 베드 제거 (off-center edge bead removal)(EBR) 은 수 개의 상이한 프로세스-관련 이슈들에서 발생할 수 있으며, 예를 들어, EBR 폭이 너무 협소하면, 프로세스 툴들 상의 에지 그리퍼들은 포토레지스트에 접촉하고, 그것이 크랙 (crack) 또는 플레이크 오프 (flake off) 되개 할 수 있어서, 오염을 초래한다. 에지 배제가 너무 넓으면, 칩 형성에 이용가능한 표면적이 더 적게될 것이다.
따라서, 특히, 비교적 더 넓은 정도들의 에지 에칭에 대해, 더 넓은 프로세스 윈도우에 걸쳐 높은 정확도 및 재현성을 수행하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이 바람직할 것이다. 그러나, 종래의 기술은 이러한 범위를 제어하기 위한 제한들을 갖는다.
따라서, 일 양태에서, 본 발명은 웨이퍼-형상 물품을 처리하기 위한 장치에 관한 것이며, 그 장치는, 회전척에 대면하는 웨이퍼-형상 물품의 표면이 회전척의 상부 표면으로부터 이격되도록 미리 결정된 직경의 웨이퍼-형상 물품을 홀딩하도록 구성된 회전척을 포함한다. 링이 회전척 상에 탑재되며, 그 링은 회전척 상에 위치된 경우, 웨이퍼-형상 물품의 외주변 에지를 중첩하는 제 1 상부 표면, 및 제 1 표면의 방사상 내측에 위치된 제 2 상부 표면을 포함한다. 제 2 상부 표면은, 회전척 상에 위치된 경우의 제 1 상부 표면과 웨이퍼-형상 물품 사이의 거리보다 작은, 회전척 상에 위치된 경우의 제 2 상부 표면과 웨이퍼-형상 물품 사이의 환형 (annular) 갭을 정의하도록 제 1 상부 표면에 비해 상승된다. 또한, 링은 회전척의 몸체로부터 이격된 하부 표면을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 회전척은 회전척 상에 위치된 경우 웨이퍼-형상 물품의 측방향 변위 (displacement) 를 제한하는 원형 시리즈의 핀들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 링은 원형 시리즈의 핀들을 통과하는 개구들을 포함한다.
본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 제 2 표면은 실질적으로 단일평면 (uniplanar) 이며, 환형 갭이 실질적으로 일정하도록 링이 척 상에 탑재된다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 제 1 표면은 제 2 표면의 방사상 외측 에지로부터 제 1 표면의 하부 부분의 방사상 내측 에지로 연장하는 기울어진 또는 수직한 표면을 포함한다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 링은, 제 1 표면의 하부 부분에 형성된 개구들을 통과하는 볼트들에 의해 회전척에 고정된다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 제 2 표면은 0.75-4mm, 바람직하게는 1-3mm, 및 더 바람직하게는 1-2mm의 범위 내의 실질적으로 일정한 방사상 크기를 갖는다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 회전척은, 회전척 상에 위치된 웨이퍼-형상 물품이 베르누이 법칙에 따라 가스 구션에 의해 지지되도록 허용하기 위해 위치되고 배향되는 가스 방출 개구들을 포함한다.
본 발명에 다른 장치의 바람직한 실시형태들에서, 회전척은, 회전척 상에 위치된 웨이퍼-형상 물품이 링에 대해 상승되도록 허용하기 위해 위치 및 배향되는 가스 방출 개구들을 포함한다.
또 다른 양태에서, 본 발명은 웨이퍼-형상 물품들을 처리하기 위해 장치에서의 사용을 위한 링에 관한 것이며, 그 링은 제 1 상부 표면, 및 제 1 표면의 방사상 내측으로 위치된 제 2 상부 표면을 포함한다. 제 2 상부 표면은 실질적으로 단일평면이며, 실질적으로 일정한 방사상 크기를 갖는다. 제 1 상부 표면은 링의 방사상 방향 및 축방향 양자로 제 2 표면으로부터 이격된 평평한 환형 부분, 및 제 1 환형 부분과 제 2 상부 표면 사이에서 연장하는 기울어진 또는 수직 부분을 포함한다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 링은, 링이 탑재될 회전척의 핀들의 통과를 허용하기 위하여 평평한 환형 부분에 형성된 개구들을 갖는다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 링은, 링이 탑재될 회전척 상으로 링을 조이도록 (fasten) 볼트들의 통과를 허용하기 위해 평평한 환형 부분에서 형성된 개구들을 갖는다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 실질적으로 일정한 방사상 크기는, 0.75-4mm, 바람직하게는 1-3mm, 및 더 바람직하게는 1-2mm 의 범위 내에 있다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 링은 300mm 미만의 최내측 직경, 및 300mm 보다 큰 최외측 직경을 갖는다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 링은 450mm 미만의 최내측 직경, 및 450mm 보다 큰 최외측 직경을 갖는다.
본 발명에 따른 링의 바람직한 실시형태들에서, 제 2 상부 표면은 링의 대칭축에 수직하다.
본 발명의 다른 목적들, 특성들 및 이점들은, 첨부한 도면들에 대한 참조가 주어지면, 본 발명의 바람직한 실시형태들의 다음의 상세한 설명을 판독한 이후 더 명백해질 것이다.
도 1은 반도체 웨이퍼 상에서 베벨 에칭을 수행하기 위한 종래 기술의 스핀척의 개략적인 측면도이다.
도 2는 도 1의 척의 모세관 링의 세부사항이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 척의 위로부터의 사시도이며, 웨이퍼는 파선으로 표시된 바와 같은 위치에 있다.
도 4는 도 3의 실시형태의, 도 2의 세부사항과 유사한 세부사항이다.
본 발명의 발명자들은, 종래의 모세관 링 (52) 과 웨이퍼 (W) 의 하부 표면 (도 2 참조) 사이의 갭 g의 크기와 처리될 웨이퍼 W의 주변 영역의 크기 c와의 관계 및 갭과 스핀척 (11) 의 회전 속도 사이의 관계를 연구했다. 일반적으로, 처리될 영역의 방사상 크기 c가 증가함에 따라, 종래의 모세관 링을 이용하여 요구되는 갭 g가 더 작아진다. 또한, 더 높은 rpm에서, 프로세스 액체가 완전한 정도로 갭 g의 방사상 내측으로 이동하려는 더 적은 경향을 갖고, 그에 따라, 훨씬 더 작은 갭 g가 더 높은 rpm에서 만족할만한 성능을 위해 요구될 수도 있다는 점에서, 관계는 회전척 (11) 의 회전 속도에 다소 의존한다.
그러나, 처리될 방사상 크기 c에 의존하여 1/10 밀리미터 이하만큼 작을 수도 있는 그러한 비교적 작은 갭들 g에 대해 일정하고 정확한 에지 처리를 달성하는 것이 어렵다.
이들 연구들에 기초하여, 본 발명의 발명자들은 새로운 링 구성을 설계했으며, 그의 바람직한 실시형태가 도 3 및 도 4에 도시되어 있다. 도 3에서, 스핀척 (20) 은 미리 결정된 배향으로 그 상에 웨이퍼 W를 홀딩하며, 이 미리 결정된 배향은 바람직하게는 주 표면들이 수평적으로 배치되거나 또는 수평의 ±20°내로 배치되도록 된다. 스핀척 (20) 은, 예를 들어, 미국 특허 제 4,903,717호에 설명된 바와 같은, 예를 들어, 베르누이 법칙에 따라 동작하는 척일 수도 있다.
이를 위해, 스핀척 (20) 은, 웨이퍼 W 아래에 동적인 가스 쿠션을 제공하도록 척 (20) 의 방사상 외측으로 가스의 흐름을 지향시키기 위해 위치 및 배향되는 일련의 가스 방출 유출구들 (22) 을 포함한다. 개구들 (22) 은 종래의 방식으로 가스 공급부, 통상적으로는 질소 가스와 연통한다.
척 (20) 은 또한, (10-1 내지 10-6) 로 지정된 이러한 예에서는 수가 6개인 일련의 핀들을 포함한다. 핀들 (10-1 내지 10-6) 은 웨이퍼가 척 외부로 떨어져 측방향으로 슬라이딩하는 것을 방지한다. 그리핑 (gripping) 핀들 (10-1 내지 10-6) 은 또한, 웨이퍼 W를 아래에서 지지하도록 구성될 수도 있으며, 따라서, 척은 베르누이 법칙에 따라 동작할 필요는 없지만, 그러한 경우, 처리 유체의 진입을 제한하기 위해 웨이퍼 W 아래에 가스 흐름을 방사상 외측으로 제공하는 것이 여전히 선호될 수도 있다. 각각의 핀은, 대체적으로 실린더형 핀 베이스 (base) 의 회전축에 대해서 오프셋된 축을 따라, 실린더형 핀 베이스로부터 수직으로 연장하는 최상단 부분을 포함한다.
핀들 (10-1 내지 10-6) 은 링 (30) 에 형성된 홀들을 통해 상향으로 돌출 (project) 하며, 이는 더 상세히 후술될 것이다. 링 (30) 은 일련의 볼트들 (32) 에 의해 척 (1) 에 장착되며, 하나의 볼트 (32) 는 각각의 쌍의 그리핑 핀들 (10-1 내지 10-6) 사이에 위치되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 미국 특허 제 4,903,717호에 설명된 바와 같이, 핀들 (10-1 내지 10-6) 은, 핀 어셈블리들 모두의 치형 (toothed) 베이스들과 동시에 치합 (mesh engage) 하는 링 기어 (미도시) 에 의해 그들의 실린더 축들을 중심으로 일제히 회전된다. 따라서, 편심 상부 접촉 부분들은, 웨이퍼 W가 그의 에지에서 접촉하는 방사상 내측 위치와 웨이퍼 W가 릴리즈되는 방사상 외측 개방 위치 사이에서 함께 이동된다. 핀들 (10-1 내지 10-6) 은 스핀척 (1) 의 주변에 관해 균등하게 분배되며, 적어도 3개 및 바람직하게는 6개의 그러한 핀들 (10) 이 제공된다.
예를 들어, 미국 특허 제 7,172,674호에 설명된 바와 같이, 척 (20) 은 또한, 웨이퍼 W의 이면측 상으로 처리 또는 린스 액체를 디스펜싱하는데 사용될 수도 있는 중앙 노즐 (26), 및 척 (20) 및 링 (30) 에 대해 웨이퍼 W를 상승시키기 위해 리프팅 메커니즘으로서 작동하도록 위치 및 구성되는 내부 세트의 가스 방출 노즐들 (24) 을 포함한다.
도면들에 도시되지 않았지만, 스핀척은, (WO 2004/084278에 대응하는) 공동-소유된 미국 특허 제 7,837,803호에 설명된 바와 같은 멀티-레벨 프로세스 챔버일 수도 있는 프로세스 챔버에 의해 둘러싸일 수도 있다. 미국 특허 제 6,536,454호의 도 4와 관련하여 설명된 바와 같이, 스핀척은, 정지형 주변 챔버에 대해서 축방향으로 척을 이동시킴으로써, 또는 축방향-정지형 척에 대해 축방향으로 주변 챔버를 이동시킴으로써, 선택된 레벨에 위치될 수 있다.
이제 도 4를 참조하면, 이러한 실시형태의 링 (30) 의 구성은, 방사상 크기 c의 웨이퍼 범위의 에지 처리를 제공하기 위해, 축방향 크기 g의, 웨이퍼 W와 링 (30) 사이의 갭이 (도 2와 비교하여) 웨이퍼의 주변 에지로의 모든 경로에 걸쳐서 제공받을 필요가 없다는 발명자의 발견을 반영한다. 대신, 링 (30) 의 최상단 표면 (34) 은 웨이퍼의 최외각 에지로부터 방사상 내측으로 연장되어 거리 b에서 종결되지만, 이 표면 (34) 은 방사상 외측으로 웨이퍼 W의 외측 에지에 매우 못 미쳐서 종결된다.
특히, 도 4에 도시된 범위 a 에 걸쳐서, 링 (30) 은, 표면 (34) 보다 더 낮은 축방향 레벨에 존재하는, 평평한 환형 표면 (38) 및 기울어진 표면 (36) 으로 이루어진 제 1 표면을 포함한다. 표면 (36) 이 이러한 실시형태에서 기울어져 있지만, 대안적으로, 그것은 수직 표면일 수도 있다. 따라서, 이러한 실시형태에서, 갭 g 내의 모세관 작용에 의해 홀딩되는 액체의 방사상 크기는, 치수들 a 와 b 사이의 차이다. 그 방사상 크기는 바람직하게, 0.75-4mm, 더 바람직하게는 1-3mm, 및 가장 바람직하게는 1-2mm의 범위에 있다.
실제로, 이러한 구성에 의해서, 웨이퍼 W의 상향-대면 표면 상으로 디스펜싱된 처리 액체 L의 제 1 부분 L1이 웨이퍼 W의 상부 표면으로부터 방사상 외측으로 진행할 것이지만, 이면측 및 웨이퍼 W에 비해 표면들 (36 및 38) 사이의 거리가 증가하였을지라도, 그 액체 L의 제 2 부분 L2가 웨이퍼 에지 주변을 둘러서 방향을 틀어서, 감소된 방사상 크기의 갭 g로 진입한다는 것이 발견되었다.
이러한 신규한 링 구성은 수 개의 상당한 이점들을 제공한다. 먼저, 모세관 갭 g의 방사상 크기가 처리될 웨이퍼 주변 영역의 주어진 반경에 대해 감소되기 때문에, 갭 g의 방사상 크기는 모세관 갭이 웨이퍼 에지로 연장하는 종래의 경우에서와 같이 작고 및 엄격하게 제어될 필요는 없다. 이것은 프로세서 제어를 개선시키고 프로세스 윈도우를 확장시킨다. 둘째로, 특히, 외측 주변 웨이퍼 에지와 하부 표면 (38) 사이의 증가된 간격 (clearance) 은, 척 상으로 웨이퍼들을 로딩하고 척으로부터 웨이퍼들을 언로딩한 경우 이용되는 에지-접촉 전용 (ECO) 또는 다른 그립핑 메카니즘에 대한 개선된 액세스를 제공한다.
또한, (하부 표면 (38) 으로 인한) 웨이퍼에 대한 링의 이러한 더 높은 거리는, 액체가 모세관으로 인출될 수 있을 뿐만 아니라 그 영역으로부터 제거될 수 있게 한다. 따라서, 표면 (38) 위의 영역 내의 액체는 영구적으로 갱신 (renew) 될 수 있고, 따라서, 웨이퍼-형상 물품의 그 주변 영역을 더 양호하게 처리할 수 있다. 표면 (34) 위의 영역 내의 액체는 이동할 필요가 없고, 대신, 확산에 의해 갱신될 수도 있다.
현재의 상업 생산에서의 웨이퍼들에 대한 척들은 200mm 또는 300mm의 웨이퍼들을 홀딩하도록 설계되지만, 450mm의 차세대 웨이퍼들에 대한 준비는 이미 잘 진행중이다. 따라서, 상술된 척 및 링이 300mm 웨이퍼 척 상에서의 사용을 위해 설계된 경우, 표면 (34) 의 방사상 내측 및 외측 에지들 양자는 300mm 미만의 직경을 가질 것이지만, 표면 (38) 의 방사상 외측 에지는 300mm보다 큰 직경을 가질 것이다. 대응하는 관계들은 405mm와 같은 다른 직경들의 웨이퍼들을 프로세싱하도록 설계된 척들 및 링들에 적용된다.
유사하게, 핀들 (10-1 내지 10-6) 이 그들의 방사상 최내측 위치에 있는 경우, 그들은 척 (20) 및 링 (30) 이 수용하도록 설계된 웨이퍼 직경과 본질적으로 동일한 직경의 원을 한정 (circumscribe) 할 것이다.
사용 시에, 도 4의 화살표 G1에 의해 도시된 바와 같이, 개구들 (22) 을 통해 공급된 가스는 척 (20) 의 방사상 외측으로 흐른다. 이를 위해, 볼트들 (32) 을 통한 척 (20) 상의 링 (30) 의 탑재가 행해져서, 탑재된 경우의 링이, 그럼에도 불구하고, 링 (30) 아래에서의 가스 G1의 외측 흐름을 허용하기 위해 척으로부터 이격되게 한다. 이러한 가스 흐름 G1은 액체 흐름 L2가 L3에 표시된 바와 같이, 링 (30) 의 방사상 내측 에지 주변을 둘러서 틀고, 그 후, 척의 방사상 외측으로 배출되도록 촉진한다. 가스 흐름 G1은 또한 말하자면 링 (30) 의 방사상 내측에서 내측 에지 처리의 목표 끝지점으로의 영역 (c-b) 에서의 안정된 액체 에지 경계를 형성하는 것을 기여한다.
본 발명이 본 발명의 다양한 바람직한 실시형태들과 관련하여 설명되었지만, 그들 실시형태들이 단지 본 발명을 예시하도록 제공됨을 이해할 것이며, 첨부된 청구항들의 실제 범위 및 사상에 의해 수여되는 보호 범위를 제한하기 위한 구실로서 사용되지는 않아야 한다.

Claims (15)

  1. 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치로서,
    회전척에 대면하는 웨이퍼-형상 물품의 표면이 상기 회전척의 상부 표면으로부터 이격되도록 미리 결정된 직경의 상기 웨이퍼-형상 물품을 홀딩하도록 구성된 상기 회전척;
    상기 웨이퍼-형상 물품 상으로 처리 액체를 디스펜싱하기 위한 디스펜서; 및
    상기 회전척 상에 탑재된 연속적인 링으로서, 상기 연속적인 링은 상기 회전척 상에 위치된 경우 상기 웨이퍼-형상 물품의 외주변 에지를 중첩하는 제 1 연속적인 상부 표면, 및 상기 제 1 연속적인 상부 표면의 방사상 내측에 위치된 제 2 연속적인 상부 표면을 포함하는, 상기 연속적인 링을 포함하며,
    상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치된 경우 상기 웨이퍼-형상 물품과 상기 제 1 연속적인 상부 표면 간의 거리보다 작은, 상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치된 경우의 상기 웨이퍼-형상 물품과 상기 제 2 연속적인 상부 표면 간의 환형 갭 (annular gap) 을 구획하도록 상기 제 2 연속적인 상부 표면은 상기 제 1 연속적인 상부 표면에 비해서 상승되고,
    상기 연속적인 링은, 상기 회전척의 몸체와 상기 연속적인 링의 하부 표면 사이에 환형 가스 채널을 구획하도록, 상기 회전척의 상기 몸체로부터 이격되고 상기 회전척의 상기 몸체 상에 놓이는 상기 하부 표면을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전척은, 상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치된 경우 상기 웨이퍼-형상 물품의 측방향 변위 (displacement) 를 제한하는 원형 시리즈의 핀들 (a circular series of pins) 을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 링은 상기 원형 시리즈의 핀들을 통과하는 개구들을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 연속적인 상부 표면은 실질적으로 단일평면 (uniplanar) 이며,
    상기 링은, 상기 환형 갭이 실질적으로 일정하도록 상기 척 상에 탑재되는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 연속적인 상부 표면은, 상기 제 2 연속적인 상부 표면의 방사상 외측 에지로부터 상기 제 1 연속적인 상부 표면의 하부 부분의 방사상 내측 에지로 연장하는 기울어진 또는 수직인 표면을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 링은, 상기 제 1 연속적인 상부 표면의 상기 하부 부분에 형성되는 개구들을 통과한 볼트들에 의해 상기 회전척에 고정되는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 연속적인 상부 표면은, 0.75mm 내지 4mm의 범위의 실질적으로 일정한 방사상 크기 (extent) 를 갖는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전척은, 상기 회전척 상에 위치된 상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 연속적인 링에 대해서 상승되게 하도록 위치 및 배향된 가스 방출 개구들을 포함하는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 회전척은, 상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치되는 경우 상기 웨이퍼-형상 물품의 측방향 변위를 제한하는 복수의 핀들을 포함하고, 상기 복수의 핀들은 상기 회전척 둘레에서 균일하게 이격되는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 연속적인 상부 표면은 1mm 내지 3mm의 범위의 실질적으로 일정한 방사상 크기를 갖는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 연속적인 상부 표면은 1mm 내지 2mm의 범위의 실질적으로 일정한 방사상 크기를 갖는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
  12. 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치로서,
    회전척에 대면하는 웨이퍼-형상 물품의 표면이 상기 회전척의 상부 표면으로부터 이격되도록 미리 결정된 직경의 상기 웨이퍼-형상 물품을 홀딩하도록 구성된 상기 회전척;
    상기 웨이퍼-형상 물품의 상부 표면 상으로 처리 액체를 디스펜싱하기 위한 디스펜서; 및
    상기 회전척 상에 탑재된 연속적인 링으로서, 상기 연속적인 링은 상기 회전척 상에 위치된 경우 상기 웨이퍼-형상 물품의 외주변 에지를 중첩하는 제 1 연속적인 상부 표면, 및 상기 제 1 연속적인 상부 표면의 방사상 내측에 위치된 제 2 연속적인 상부 표면을 포함하는, 상기 연속적인 링을 포함하며,
    상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치된 경우 상기 웨이퍼-형상 물품과 상기 제 1 연속적인 상부 표면 간의 거리보다 작은, 상기 웨이퍼-형상 물품이 상기 회전척 상에 위치된 경우의 상기 웨이퍼-형상 물품과 상기 제 2 연속적인 상부 표면 간의 환형 갭을 구획하도록 상기 제 2 연속적인 상부 표면은 상기 제 1 연속적인 상부 표면에 비해서 상승되고,
    상기 제 2 연속적인 상부 표면은 실질적으로 단일평면이며, 상기 연속적인 링은, 상기 환형 갭이 실질적으로 일정하도록 상기 척 상에 탑재되는, 웨이퍼-형상 물품의 액체 처리를 위한 장치.
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