KR20180007044A - 고경도 플라스틱 기판 및 이를 포함하는 표시장치 - Google Patents
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- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
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- G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
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- G—PHYSICS
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/033—Pointing devices displaced or positioned by the user, e.g. mice, trackballs, pens or joysticks; Accessories therefor
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- G02—OPTICS
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- G02—OPTICS
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- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재 및 상기 플라스틱 지지 부재상에 배치되며 상기 플라스틱 지지 부재의 반대쪽 표면에 주입된 이온을 포함하는 제1 유-무기 하이브리드막을 포함하며, 상기 이온의 단위면적당 량은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 플라스틱 기판을 제공한다.
Description
본 발명은 고경도 플라스틱 기판, 고경도 플라스틱 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치에 대한 것이다.
최근 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 모바일 기기의 발전에 따라, 표시장치의 박막화 및 슬림화가 요구되고 있다.
이러한 표시장치는 표시면을 보호하기 위한 윈도우를 포함한다. 일반적으로 윈도우는, 우수한 기계적 특성을 갖는 유리 또는 강화 유리로 만들어질 수 있다. 그러나, 유리는 무겁고 충격에 의해 파손되기 쉽기 때문에, 유리를 대체할 수 있는 소재들이 연구되고 있다.
유리를 대체할 수 있는 소재로 플라스틱 소재가 있다. 플라스틱 소재는 가볍고, 쉽게 파손되지 않는 장점을 가지고 있다. 그러나, 플라스틱 소재는 일반적으로 유리에 비해 낮은 경도 및 낮은 내마모성을 갖는다.
본 발명의 일 실시예는, 우수한 경도와 내마모성을 갖는 플라스틱 기판 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 다른 일 실시예는 우수한 경도와 내마모성을 갖는 플라스틱 기판을 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재; 및 상기 플라스틱 지지 부재 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막;을 포함하며, 제1 유-무기 하이브리드막은, 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스; 및 상기 플라스틱 지지 부재의 반대쪽의 상기 유-무기 하이브리드 매트릭스에 주입된 이온을 포함하며, 상기 이온의 단위면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 플라스틱 기판을 제공한다.
상기 이온의 주입 깊이는 300nm 내지 400nm인 플라스틱 기판.
상기 이온은 60keV 내지 80keV의 에너지로 주입된 것이다.
상기 이온은 붕소(B) 이온 및 질소(N) 이온 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스는 실리콘 수지 및 고분자 수지를 포함한다.
상기 제1 유-무기 하이브리드막은 2㎛ 내지 20㎛의 두께를 갖는다.
상기 플라스틱 지지 부재는 폴리카보네이트(PC) 필름, 폴리아크릴 필름, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 필름, 폴리이미드(PI) 필름, 폴리에틸렌(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리스티렌(PS) 필름, 폴리아미드(PA) 필름, 폴리아세탈(POM) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 필름, 아크릴-폴리카보네이트 공중합체(acrylic-polycarbonate alloy) 필름 및 셀룰로오스 필름 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다.
상기 플라스틱 기판은 상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 유-무기 하이브리드막 사이에 배치된 제1 무기막을 더 포함한다.
상기 플라스틱 기판은 상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 무기막 사이에 배치된 제2 유-무기 하이브리드막을 더 포함한다.
상기 플라스틱 기판은 상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 유-무기 하이브리드막 사이에 배치된 제1 유기막을 더 포함한다.
본 발명의 다른 일 실시예는, 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재 상에 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스를 형성하는 단계; 및 상기 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스에 이온을 주입하는 단계;를 포함하며, 상기 이온의 단위 면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 플라스틱 기판의 제조방법을 제공한다.
상기 이온의 주입 깊이는 300nm 내지 400nm이다.
상기 이온은 60keV 내지 80keV의 에너지로 주입된다.
상기 이온은 붕소(B) 이온 및 질소(N) 이온 중 적어도 하나를 포함한다.
본 발명의 또 다른 일 실시예는, 표시패널; 및 상기 표시패널 상에 배치된 윈도우;를 포함하며, 상기 윈도우는, 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재; 및 상기 플라스틱 지지 부재상에 배치되며, 상기 플라스틱 지지 부재의 반대쪽 표면에 주입된 이온을 포함하는 제1 유-무기 하이브리드막;을 포함하며, 상기 이온의 단위면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 기판은 우수한 경도와 내마모성을 갖는다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 기판은 표시장치의 윈도우로 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 9는 내스크래치성 평가 결과이다.
도 10은 진동 내마모 평가 결과이다.
도 11a 내지 11f는 깊이 별 이온 강도(intensity) 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 13은 도 12의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치의 평면도이다.
도 16은 도 15의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판의 단면도이다.
도 9는 내스크래치성 평가 결과이다.
도 10은 진동 내마모 평가 결과이다.
도 11a 내지 11f는 깊이 별 이온 강도(intensity) 그래프이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 평면도이다.
도 13은 도 12의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치의 평면도이다.
도 16은 도 15의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 설명하는 실시예나 도면들로 한정되는 것은 아니다.
도면에서, 발명의 이해를 돕기 위하여 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 예를 들어, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다.
동일 또는 유사한 역할을 하는 구성요소들은 도면에서 동일한 부호로 표시된다. 즉, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은, 도면에 도시되어 있는 바와 같이, 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 그에 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 실시예를 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라스틱 기판(101)의 단면도이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 플라스틱 기판(101)은 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121)을 포함한다.
플라스틱 지지 부재(110)로 광투과성을 갖는 플라스틱 필름이 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리카보네이트(PC) 필름, 폴리아크릴 필름, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 필름, 폴리이미드(PI) 필름, 폴리에틸렌(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리스티렌(PS) 필름, 폴리아미드(PA) 필름, 폴리아세탈(POM) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 필름, 셀룰로오스 필름, 아크릴-폴리카보네이트 공중합체(acrylic-polycarbonate alloy) 필름 등이 플라스틱 지지 부재(110)로 사용될 수 있다.
보다 구체적으로, 폴리카보네이트(PC)와 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)의 공중합체로 된 필름이 플라스틱 지지 부재(110)로 사용될 수 있다. 폴리카보네이트(PC)와 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)의 공중합체는 전체 중량에 대하여 50 내지 70 중량%의 폴리카보네이트(PC) 및 30 내지 50 중량%의 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 폴리카보네이트(PC)와 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)의 중량비가 6:4인 공중합체로 된 필름이 플라스틱 지지 부재(110)로 사용될 수 있다.
플라스틱 지지 부재(110)는 400㎛ 내지 1000㎛의 두께를 가질 수 있다. 플라스틱 지지 부재(110)의 두께가 400㎛ 미만인 경우 지지 강도가 약해질 수 있으며, 1000㎛를 초과하는 경우 소자의 박형화에 불리하다.
제1 유-무기 하이브리드막(121)은 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120) 및 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 주입된 이온(150)을 포함한다.
제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)는 고분자 수지 및 실리콘 수지를 포함한다.
고분자 수지는 아크릴수지, 우레탄 수지 및 우레탄-아크릴레이트 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 구체적으로, 고분자 수지로 우레탄-아크릴레이트 공중합 수지가 사용될 수 있다. 그러나, 고분자 수지의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다.
실리콘 수지는 하기 화학식 1로 표현되는 모노머 및 하기 화학식 2로 표현되는 모노머 중 적어도 하나의 모노머에 의해 형성될 수 있다. 즉, 실리콘 수지는 하기 화학식 1로 표현되는 모노머 및 하기 화학식 2로 표현되는 모노머 중 적어도 하나를 포함하는 조성물의 중합에 의하여 만들어질 수 있다.
[화학식 1]
여기서, R21, R22, R23 및 R24는 각각 아미노기, 에폭시기, 페닐기, 아크릴기 및 비닐기 중 어느 하나이고, R25 및 R26는 각각 수소(H) 및 C1 내지 C6의 탄화수소기이다.
[화학식 2]
예를 들어, 고분자 수지 형성용 모노머 및 실리콘 수지 형성용 모노머를 포함하는 중합성 조성물의 중합에 의하여 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)가 만들어질 수 있다.
제1 유-무기 하이브리드막(121)은 2㎛ 내지 20㎛의 두께를 갖는다.
제1 유-무기 하이브리드막(121)의 두께가 2㎛ 미만인 경우 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 충분한 강도를 가지기 않으며, 이온 주입이 용이하지 않다. 또한, 제1 유-무기 하이브리드막(121)의 두께가 20㎛를 초과하는 경우 소자의 박형화에 불리하다.
이온(150)은 플라스틱 지지 부재(110)의 반대쪽에 주입된다. 즉, 플라스틱 지지 부재(110)의 반대쪽에 위치한 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)의 표면(120a)을 통해 이온(150)이 주입된다.
제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 주입된 이온량은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2의 범위이다. 이온(150)의 량(이온량)은 단위면적(cm2)당 이온의 개수로 표시된다. 이하 이온의 단위면적당 량을 이온량이라 한다.
이온량이 2x1013개/cm2 미만인 경우 제1 유-무기 하이브리드막(121)의 경도 및 강도가 우수하지 못하다. 또한, 이온량이 2x1014개/cm2를 초과하면 황변, 즉, 황색 변이가 발생할 수 있다.
제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 주입되는 이온(150)은 붕소(B) 이온 및 질소(N) 이온 중 적어도 하나를 포함한다. 붕소(B) 이온의 주입 조건과 질소(N) 이온의 주입 조건은 서로 다를 수 있다.
이온의 주입 깊이는 300nm 내지 400nm이다. 이온의 주입 깊이는, 이온 주입 표면(120a)으로부터의 거리(d1)로 표시된다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)의 표면(120a)으로부터 300nm 내지 400nm의 깊이까지 2x1013개/cm2 이상의 이온량 유지된다.
이온의 주입 깊이(d1)가 300nm 미만이면 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 충분한 강도를 가지기 어렵다. 한편, 400nm를 초과하는 깊이로 이온이 주입되도록 하려면 높은 에너지로 이온이 주입되어야 한다. 이 경우, 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 손상될 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 이온(150)은 60keV 내지 80keV의 에너지로 주입된다. 이온 주입 에너지가 60keV 미만인 경우 이온 주입 효율이 저하된다. 또한, 이온 주입 에너지가 80keV를 초과하면 이온 주입 과정에서 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 손상될 수 있다.
제1 유-무기 하이브리드막(121)은 제1 유-무기 하이브리드막(121)의 전체 중량에 대하여 0.001 내지 0.2 중량%의 불소(F)를 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 유-무기 하이브리드막(121) 상에 지문 방지층(Anti-Finger Layer)이 배치될 수도 있다.
다음, 도 2를 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 이하, 중복을 피하기 위해, 이미 설명된 구성요소에 대한 설명은 생략된다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라스틱 기판(102)의 단면도이다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 플라스틱 기판(102)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치된 제1 무기막(131) 및 제1 무기막(131) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121)을 포함한다.
제1 무기막(131)의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 무기물로 이루어진 막은 제1 무기막(131)이 될 수 있다.
제1 무기막(131)은, 예를 들어, 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 또한, 제1 무기막(131)은 고분자 수지 및 고분자 수지에 분산된 무기물 입자를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 무기막(131)은 고분자 수지 및 고분자 수지에 분산된 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다.
제1 무기막(131)에 고분자 연결기가 포함되는 경우, 플라스틱 지지 부재(110)와 제1 무기막(131)이 강한 결합력을 가질 수 있다.
제1 무기막(131)은 3㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖는다. 제1 무기막(131)의 두께가 3㎛ 미만인 경우, 플라스틱 기판(101)의 강도가 약해질 수 있다. 또한, 제1 무기막(131)의 두께가 10㎛를 초과하는 경우 소자의 박형화에 불리하다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 제3 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라스틱 기판(103)의 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 플라스틱 기판(103)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치된 제1 유기막(141) 및 제1 유기막(141) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121)을 포함한다.
제1 유기막(141)의 종류에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 유기막(141)은 아크릴 수지, 우레탄 수지 및 우레탄-아크릴레이트 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 유기막(141)은 유기막 형성용 코팅액의 경화에 의해 만들어질 수 있다.
제1 유기막(141)은 막 사이의 응력에 대한 버퍼 역할을 한다.
제1 유기막(141)은 5㎛ 내지 10㎛의 두께를 갖는다. 제1 유기막(141)의 두께가 5㎛ 미만인 경우 층간 버퍼 효과가 거의 발생하지 않으며, 10㎛를 초과하는 경우 소자의 박형화에 불리하다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 제4 실시예를 설명한다.
도 4는 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라스틱 기판(104)의 단면도이다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 플라스틱 기판(104)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치된 제2 유-무기 하이브리드막(122), 제2 유-무기 하이브리드막(122) 상에 배치된 제1 무기막(131) 및 제1 무기막(131) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121)을 포함한다.
본 발명의 제4 실시예에 따르면, 제2 유-무기 하이브리드막(122)에는 이온이 주입되지 않는다. 제2 유-무기 하이브리드막(122)은 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)와 동일한 조성을 가질 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제5 실시예를 설명한다.
도 5는 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라스틱 기판(105)의 단면도이다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 플라스틱 기판(105)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121) 및 제1 유-무기 하이브리드막(121) 반대쪽의 플라스틱 지지 부재 상에 배치된 제3 유-무기 하이브리드막(123)을 포함한다.
이하, 플라스틱 지지 부재(110)의 양면 중 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 배치된 면을 일면, 그 반대쪽을 타면이라 한다.
본 발명의 제5 실시예에 따르면, 제3 유-무기 하이브리드막(123)에는 이온이 주입되지 않는다. 제3 유-무기 하이브리드막(123)은 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)와 동일한 조성을 가질 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제6 실시예를 설명한다.
도 6은 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라스틱 기판(106)의 단면도이다.
본 발명의 제6 실시예에 따른 플라스틱 기판(106)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110)의 일면에 배치된 제1 무기막(131), 제1 무기막(131) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121), 플라스틱 지지 부재(110)의 타면에 배치된 제2 무기막(132), 제2 무기막(132) 상에 배치된 제3 유-무기 하이브리드막(123)을 포함한다.
제2 무기막(132)은 제1 무기막(131)과 동일한 조성을 가질 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 제7 실시예를 설명한다.
도 7은 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라스틱 기판(107)의 단면도이다.
본 발명의 제7 실시예에 따른 플라스틱 기판(107)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110)의 일면에 배치된 제1 유기막(141), 제1 유기막(141) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121), 플라스틱 지지 부재(110)의 타면에 배치된 제2 유기막(142), 제2 유기막(142) 상에 배치된 제3 유-무기 하이브리드막(123)을 포함한다.
제2 유기막(142)은 제1 유기막(141)과 동일한 조성을 가질 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 제8 실시예를 설명한다.
도 8은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판(108)의 단면도이다.
본 발명의 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판(108)은 플라스틱 지지 부재(110), 플라스틱 지지 부재(110)의 일면에 배치된 제2 유-무기 하이브리드막(122), 제2 유-무기 하이브리드막(122) 상에 배치된 제1 무기막(131), 제1 무기막(131) 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막(121), 플라스틱 지지 부재(110)의 타면에 배치된 제4 유-무기 하이브리드막(124), 제4 유-무기 하이브리드막(124) 상에 배치된 제2 무기막(132), 제2 무기막(132) 상에 배치된 제3 유-무기 하이브리드막(123)을 포함한다.
제2 유-무기 하이브리드막(122), 제3 유-무기 하이브리드막(123) 및 제4 유-무기 하이브리드막(124)은 서로 동일한 조성을 가질 수 있다.
본 발명에 따른 플라스틱 기판의 제조방법은, 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재(110) 상에 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)를 형성하는 단계 및 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 이온을 주입하는 단계를 포함한다.
이하, 딥 코팅(dip coating) 방법에 의해 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라스틱 기판(105)을 제조하는 방법을 설명한다.
플라스틱 기판(105) 제조를 위해, 먼저, 플라스틱 지지 부재(110)가 유-무기 하이브리드 매트릭스 형성용 코팅액에 침지되어, 플라스틱 지지 부재(110)의 양면에 각각 코팅막이 형성된다.
플라스틱 지지 부재(110)의 일면에 형성된 코팅막이 경화되고, 여기에 이온(150)이 주입되어 제1 유-무기 하이브리드막(121)이 된다. 또한, 플라스틱 지지 부재(110)의 타면에 형성된 코팅막이 경화되어 제3 유-무기 하이브리드막(123)이 된다.
유-무기 하이브리드 매트릭스 형성용 코팅액은 유기 바인더 성분 및 실리콘 모노머를 포함할 수 있다.
실리콘 모노머는 하기 화학식 1로 표현되는 모노머 및 화학식 2로 표현되는 모노머 중 적어도 하나를 포함한다.
[화학식 1]
여기서, R21, R22, R23 및 R24는 각각 아미노기, 에폭시기, 페닐기, 아크릴기 및 비닐기 중 어느 하나이고, R25 및 R26는 각각 수소(H) 및 C1 내지 C6의 탄화수소기이다.
[화학식 2]
유기 바인더 성분은, 모노머, 올리고머 및 광개시제를 포함한다. 유기 바인더 성분은, 전체 중량에 대하여, 20 내지 60 중량%의 모노머, 20 내지 60 중량%의 올리고머, 10 내지 50 중량%의 고무계 유연성분 및 1 내지 10중량%의 광중합 개시제를 포함할 수 있다.
모노머로, 예를 들어, 아크릴계 모노머, 우레탄계 모노머 및 우레탄-아크릴계 모노머 중 적어도 하나가 사용될 수 있다.
올리고머로 5,000 내지 50,000의 중량평균 분자량(Mw)을 갖는 우레탄 (메타)아크릴레이트(urethane (metha)acrylate)가 사용될 수 있다.
올리고머의 중량평균 분자량(Mw)이 50,000을 초과하면, 고온 고습 환경에서 백탁할 우려가 있다. 올리고머의 중량평균 분자량(Mw)이 5,000 미만이면, 유-무기 하이브리드막 형성용 코팅액이 상온에서 고체 상태로 유지되지 않을 수 있다.
한편, 플라스틱 지지 부재(110)의 양면에 제1 및 제2 무기막(131, 132)이 형성된 다음, 그 위에 제1 및 제3 유-무기 하이브리드막(121, 123)이 형성될 수도 있다(실시예 6 참조).
또한, 플라스틱 지지 부재(110)의 양면에 제1 및 제2 유기막(141, 142)이 형성된 다음, 그 위에 제1 및 제3 유-무기 하이브리드막(121, 123)이 형성될 수도 있다(실시예 7 참조).
또한, 플라스틱 지지 부재(110)의 양면에 제2 및 제4 유-무기 하이브리드막(122, 124)이 형성되고, 그 위에 제1 및 제2 무기막(131, 132)이 형성된 다음, 그 위에 제1 및 제3 유-무기 하이브리드막(121, 123)이 형성될 수도 있다(실시예 8 참조).
[물성 평가]
이온 주입 특성 평가를 위해, 실시예 1에 개시된 플라스틱 기판(101)과 동일한 구조를 갖는 시료가 제조된다.
구체적으로, 플라스틱 지지 부재(110)로, 550㎛의 두께를 갖는 폴리카보네이트 필름이 사용된다. 60중량% 우레탄 아크릴레이트 수지(고분자 수지) 및 40 중량%의 실리콘 수지를 포함하는 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)가 플라스틱 지지 부재(110) 상에 배치되어 각 시료가 만들어진다.
다음, 하기 표 1에 도시된 이온 주입 조건에 따라 각 시료의 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 붕소(B) 이온이 주입되어 플라스틱 기판이 제조된다. 물성 평가 결과는 표 1에 도시되어 있다.
구분 | 이온 주입 조건 | 물성 평가 | |||||||
시료 번호 |
이온 종류 | 에너지 | 이온량 (/cm2) |
연필 경도 | 투과율 (%) |
반사율 (%) |
외관 | YI | 색도(b*) |
참조예 1 | - | - | - | 7H | 91.6 | 7.9 | 투명 | 1.1 | -0.4 |
시료 1 | Boron | 80kev | 1 x 1014 | 8H | 92.1 | 8.1 | 투명 | 1.5 | -0.3 |
시료 2 | Boron | 80kev | 2 x 1014 | 8H | 90.7 | 8.4 | 변색 | 3.2 | -0.2 |
시료 3 | Boron | 80kev | 3 x 1014 | 7~8H | 90.2 | 8.5 | 변색 | 4.6 | 0.1 |
시료 4 | Boron | 80kev | 5 x 1014 | 8H~9H | 89.4 | 8.6 | 변색 | 9.2 | 1.0 |
시료 5 | Boron | 80kev | 1 x 1015 | 9H | 80.9 | 8.8 | 변색 | 26.6 | 3.5 |
시료 6 | Boron | 60kev | 1 x 1014 | 7~8H | 92.0 | 8.2 | 투명 | 1.4 | -0.2 |
시료 7 | Boron | 60kev | 2 x 1014 | 7~8H | 90.4 | 8.5 | 투명 | 2.8 | 0.1 |
시료 8 | Boron | 60kev | 3 x 1014 | 8H | 90.3 | 8.6 | 변색 | 3.7 | 0.6 |
시료 9 | Boron | 60kev | 5 x 1014 | 8H | 90.0 | 8.8 | 변색 | 6.3 | 1.2 |
시료 10 | Boron | 60kev | 1 x 1015 | 8~9H | 86.1 | 9.1 | 변색 | 15.2 | 2.9 |
표 1에서 참조예 1은 이온 주입이 이루어지지 않은 시료이다.
표 1에 도시된 물성의 평가방법은 다음과 같다.
연필 경도는 JIS K 5600-5-4 기준의 연필경도 시험 규정에 준하여 평가된다. 구체적으로, 하중 1kg에 대해 연필경도가 5회 측정되어 가장 낮은 값이 선택 및 계측된다.
연필경도에서 H, F, B 의 기호는 경도와 농도를 나타내는 것으로, 각각 hard, firm, black의 머리글자이고, 높은 숫자의 H심일수록 딱딱하며, 높은 숫자의 B심일수록 부드럽다. 즉, 9H가 제일 높은 경도이며, 8H, 7H, 6H, 5H, 4H, 3H, 2H, H, F, B, 2B, 3B, 4B, 5B, 6B, 7B, 8B, 9B 로 갈수록 낮은 경도를 의미한다.
광특성 평가를 위해, 분광광도계(기기명: COH-400)에 의해 투과율 및 반사율이 측정된다.
외관 평가를 위해, 시료의 변색이 육안으로 확인된다. 구체적으로 시료에서 황색 변이가 시인되는지 여부가 평가된다.
YI는 황색 지표(Yellow Index)를 표시한다. YI 값이 클수록 황색 변이가 크다고 할 수 있다.
색도(b*)는 Cie 1976L*a*b* 색좌표에 따른 황색 변이를 나타낸다. 여기서, 양(+)의 1b* 값은 황색 변이 정도에 대응되고, 음(-)인 1b* 값은 청색 변이 정도에 대응된다.
표 1을 참고하면, 특히, 시료 1, 시료 6 및 시료 7이 우수한 물성을 가진 것으로 평가된다.
또한, 하기 표 2에 도시된 이온 주입 조건에 따라 각 시료의 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 질소(N) 이온이 주입되어 플라스틱 기판이 제조된다. 물성 평가 결과는 표 2에 도시되어 있다.
구분 | 이온 주입 조건 | 물성 평가 | |||||||
시료 번호 | 이온 종류 | 에너지 | 이온량 (/cm2) |
연필 경도 | 투과율 (%) | 반사율 (%) | 외관 | YI | 색도(b*) |
참조예 2 | - | - | - | 5H | 91.8 | 8.0 | 투명 | 0.8 | -0.3 |
시료 11 | Nitrogen | 80kev | 1 x 1013 | 5H | 92.0 | 7.9 | 투명 | 0.7 | 0.2 |
시료 12 | Nitrogen | 80kev | 2 x 1013 | 6H | 91.4 | 8.4 | 투명 | 1.1 | 0.1 |
시료 13 | Nitrogen | 80kev | 5 x 1013 | 5H | 89.7 | 8.4 | 투명 | 2.5 | 1.1 |
시료 14 | Nitrogen | 80kev | 1 x 1014 | 5H | 86.0 | 8.8 | 변색 | 4.4 | 2.5 |
시료 15 | Nitrogen | 80kev | 2 x 1014 | 5H | 85.5 | 10.0 | 변색 | 9.0 | 4.6 |
시료 16 | Nitrogen | 60kev | 1 x 1013 | 6H | 92.0 | 7.8 | 투명 | 0.5 | -0.2 |
시료 17 | Nitrogen | 60kev | 2 x 1013 | 4H | 91.6 | 8.1 | 투명 | 0.8 | -0.3 |
시료 18 | Nitrogen | 60kev | 5 x 1013 | 6H | 91.3 | 8.4 | 투명 | 1.1 | 0.5 |
시료 19 | Nitrogen | 60kev | 3 x 1014 | 5H | 80.0 | 9.8 | 변색 | 11.6 | 10.1 |
표 2를 참조하면, 시료 12 및 16 내지 18이 우수한 물성을 가지는 것으로 평가된다.
도 9는 내스크래치성 평가 결과이다.
내스크래치성 평가를 위해, 스틸울을 이용한 내스크래치 평가가 이루어진다. 스틸울을 이용한 내스크래치성 평가 방법은 다음과 같다. 플라스틱 기판을 이용하여 200 mm x 200 mm의 크기의 시료를 만들고, 직경 25 mm의 원주의 평탄한 면에 스틸울#0000번을 균일하게 접착시킨 후, 하중 1.0 Kg으로 시료표면을 100mm/sec의 속도로 600회 왕복한 다음, 시료 표면에 발생된 스크래치의 깊이(depth)와 폭(width)을 측정한다. 참조예 1과 시료 1, 6, 9에 대한 내스크래치성 평가 결과가 도 9에 도시되어 있다.
도 9를 참고하면, 시료 6과 9가 특히 우수한 내스크래치성을 갖는다.
도 10은 진동 내마모 평가 결과이다.
진동 내마모 평가를 위해, 상업적으로 이용 가능한 진동내마모 시험기(뢰슬러 진동 내마모 시험기)가 사용된다. 진동내마모 시험기를 이용하여 시료에 진동 및 손상이 가해진다. 진동 내마모 특성은 유리 대비, 시간에 따른 시료들의 내마모 성의 비율로 평가된다. 도 10에 시료 1, 4, 6 및 9에 대한 진동 내마모 평가 결과가 도시되어 있다.
도 10을 참고하면, 시료 1과 9가 우수한 내마모 특성을 갖는다.
표 1, 표 2, 도 9 및 도 10을 참조하면, 이온량이 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2 이고, 이온 주입 에너지가 60keV 내지 80keV인 경우, 시료가 우수한 물성을 가지는 것으로 평가된다.
도 11a 내지 11f는 깊이 별 이온 강도(intensity) 그래프이다.
구체적으로, 도 11a 내지 11f는, 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스(120)에 이온이 주입되는 경우, 깊이(depth, nm)에 따른 이온 강도(intensity)를 나타낸다.
도 11a는 80keV의 에너지로 1.0x1014개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이(depth)에 따른 이온 강도(intensity)를 표시하고, 도 11b는 80keV의 에너지로 5.0x1014개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이에 따른 이온 강도를 표시하고, 도 11c는 80keV의 에너지로 1.0x1015개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이에 따른 이온 강도를 표시하고, 도 11d는 60keV의 에너지로 1.0x1014개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이에 따른 이온 강도를 표시하고, 도 11e는 60keV의 에너지로 5.0x1014개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이에 따른 이온 강도를 표시하고, 도 11f는 60keV의 에너지로 1.0x1015개/cm2의 이온이 주입될 때 깊이에 따른 이온 강도를 표시한다.
도 11a 내지 11f에 따른 시료를 각각 시험예 1 내지 6이라 한다. 각 시험예에 대하여 2회씩 깊이(depth)에 따른 이온 강도(Intensity)가 측정되었다.
도 11a 내지 11f에 표시된 화살표는 이온 강도의 변곡점(critical poit)을 나타낸다. 이온 강도의 변곡점을 이온 주입 깊이라 한다.
도 11a 내지 11f의 결과는 하기 표 3으로 요약될 수 있다.
시험예 | 주입 에너지 | 주입량 | 변곡점 위치(nm) | 강도(c/s) |
1 (도 9a) |
80eV | 1.0x1014 | 380 | 19 |
365 | 18 | |||
2 (도 9b) |
80eV | 5.0x1014 | 360 | 67 |
335 | 65 | |||
3 (도 9c) |
80eV | 1.0x1015 | 380 | 116 |
385 | 112 | |||
4 (도 9d) |
60eV | 1.0x1014 | 330 | 33 |
315 | 21 | |||
5 (도 9e) |
60eV | 5.0x1014 | 304 | 51 |
330 | 65 | |||
6 (도 9f) |
60eV | 1.0x1015 | 300 | 156 |
300 | 143 |
도 11a 내지 11f를 참조하면, 60eV 내지 80eV의 에너지로 이온이 주입될 때, 300nm 내지 400nm의 깊이로 이온이 주입된다.
이하, 도 12 및 도 13을 참조하여 본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치(109)를 설명한다. 도 12는 본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치(109)의 평면도이고, 도 13은 도 12의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치(109)는 표시패널(210) 및 표시패널(210) 상에 배치된 윈도우(100)를 포함한다.
본 발명의 제9 실시예에 따른 유기발광 표시장치(109)의 표시패널(210)은 제1 기판(211), 구동 회로부(230) 및 유기 발광 소자(310)를 포함한다.
제1 기판(211)은 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다. 또한, 제1 기판(211)으로 고분자 필름이 사용될 수도 있다.
제1 기판(211) 상에 버퍼층(221)이 배치된다. 버퍼층(221)은 다양한 무기막들 및 유기막들 중에서 선택된 하나 이상의 막을 포함할 수 있다. 버퍼층(221)은 생략될 수도 있다.
구동 회로부(230)는 버퍼층(221) 상에 배치된다. 구동 회로부(230)는 복수의 박막트랜지스터들(10, 20)을 포함하며, 유기 발광 소자(310)를 구동한다. 즉, 유기 발광 소자(310)는 구동 회로부(230)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출하여 화상을 표시한다.
도 12 및 13에, 하나의 화소에 두 개의 박막트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)가 구비된 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기발광 표시장치(109)가 도시되어 있다. 그러나, 본 발명의 제9 실시예가 이러한 구조로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 유기발광 표시장치(109)는 하나의 화소에 셋 이상의 박막트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 포함할 수 있으며, 별도의 배선을 더 포함할 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기발광 표시장치(109)는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
하나의 화소는 스위칭 박막트랜지스터(10), 구동 박막트랜지스터(20), 축전 소자(80), 및 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(310)를 포함한다. 또한, 일 방향을 따라 연장되는 게이트 라인(251)과, 게이트 라인(251)과 절연 교차되는 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)도 구동 회로부(230)에 배치된다. 하나의 화소는 게이트 라인(251), 데이터 라인(271) 및 공통 전원 라인(272)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 화소정의막 또는 블랙 매트릭스에 의하여 화소가 정의될 수도 있다.
유기 발광 소자(310)는 제1 전극(311), 제1 전극(311) 상에 배치된 발광층(312), 및 발광층(312) 상에 배치된 제2 전극(313)을 포함한다. 발광층(312)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어진다. 제1 전극(311) 및 제2 전극(313)으로부터 각각 정공과 전자가 발광층(312) 내부로 주입되고, 이와 같이 주입된 정공과 전자가 결합되어 형성된 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 층간 절연막(245)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(258, 278)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(245)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(258, 278) 사이의 전압에 의해 축전용량이 결정된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(231), 스위칭 게이트 전극(252), 스위칭 소스 전극(273), 및 스위칭 드레인 전극(274)을 포함한다. 구동 박막트랜지스터(20)는 구동 반도체층(232), 구동 게이트 전극(255), 구동 소스 전극(276), 및 구동 드레인 전극(277)을 포함한다. 반도체층(231, 232)과 게이트 전극(252, 255)은 게이트 절연막(241)에 의하여 절연된다.
스위칭 박막트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(252)은 게이트 라인(251)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(273)은 데이터 라인(271)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(274)은 스위칭 소스 전극(273)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(258)과 연결된다.
구동 박막트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(310)의 발광층(312)을 발광시키기 위한 구동 전원을 화소 전극인 제1 전극(311)에 인가한다. 구동 게이트 전극(255)은 스위칭 드레인 전극(274)과 연결된 축전판(258)과 연결된다. 구동 소스 전극(276) 및 다른 한 축전판(278)은 각각 공통 전원 라인(272)과 연결된다. 구동 드레인 전극(277)은 평탄화막(246)에 구비된 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(310)의 제1 전극(311)과 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막트랜지스터(10)는 게이트 라인(251)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동되어 데이터 라인(271)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(272)으로부터 구동 박막트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(310)로 흘러 유기 발광 소자(310)가 발광한다.
본 발명의 제9 실시예에서, 제1 전극(311)은 반사전극이고, 제2 전극(313)은 반투과 전극이다. 따라서, 발광층(312)에서 발생된 광은 제2 전극(313)을 투과하여 발광된다.
구체적으로 제1 전극(311)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 반사막 및 반사막 상에 배치된 투명 도전막을 포함할 수 있다. 투명 도전막은 투명전도성산화물(Transparent Conductive Oxide; TCO)을 포함할 수 있는데, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide) 및 In2O3(Indium Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제1 전극(311)은 투명 도전막, 반사막 및 투명 도전막이 차례로 적층된 3중막 구조를 가질 수도 있다.
제2 전극(313)은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 금(Au), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 반투과막으로 만들어질 수 있다.
도면에 도시되지 않았지만, 제1 전극(311)과 발광층(312) 사이에 정공 주입층(hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층(hole transporting layer; HTL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있으며, 발광층(312)과 제2 전극(313) 사이에 전자 수송층(electron transporting layer; ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer; EIL) 중 적어도 하나가 더 배치될 수 있다. 발광층(312), 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 유기 물질로 만들어질 수 있기 때문에, 이들을 유기층이라고도 한다.
화소 정의막(290)은 개구부를 갖는다. 화소 정의막(290)의 개구부에 제1 전극(311), 발광층(312), 및 제2 전극(313)이 차례로 적층된다. 제2 전극(313)은 발광층(312) 뿐만 아니라 화소 정의막(290) 위에도 형성된다. 한편, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 화소 정의막(290)과 제2 전극(313) 사이에도 배치될 수 있다. 유기 발광 소자(310)는 화소 정의막(290)의 개구부 내에 위치한 발광층(312)에서 빛을 발생시킨다. 이와 같이, 화소 정의막(290)은 발광 영역을 정의할 수도 있다.
외부 환경으로부터 유기 발광 소자(310)를 보호하기 위해 제2 전극(313)상에 캡핑층(미도시)이 배치될 수도 있다.
제2 전극(313) 상에 제2 기판(212)이 배치된다. 제2 기판(212)는 제1 기판(211)과 함께 유기 발광 소자(310)를 밀봉하는 역할을 한다. 제2 기판(212)는 제1 기판(211)과 마찬가지로 유리, 석영, 세라믹, 및 플라스틱 등으로 이루어진 군에서 선택된 절연성 재료로 만들어질 수 있다.
유기 발광 소자(310)와 제2 기판(212) 사이에 완충 물질(302)이 배치된다. 완충 물질(302)은 유기발광 표시장치(109)의 외부로부터 가해질 수 있는 충격에 대하여 유기 발광 소자(310) 등을 보호한다. 완충 물질(302)은, 예를 들어, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
표시패널(210) 상에 접착층(295)이 배치되고, 접착층(295) 상에 윈도우(100)가 배치된다. 윈도우(100)로, 본 발명의 제1 내지 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판들(101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 제1 내지 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판(101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108)의 제1 유-무기 하이브리드막(121)은 표시패널(210)의 반대쪽에 위치한다.
이하, 도 14를 참조하여 본 발명의 제10 실시예를 설명한다.
도 14는 본 발명의 제10 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1010)의 단면도이다. 본 발명의 제10 실시예에 따른 유기발광 표시장치(1010)는 제2 전극(313)상에 배치되어 유기 발광 소자(310)를 보호하는 박막 봉지층(350)을 포함한다.
박막 봉지층(350)은 하나 이상의 무기막(351, 353, 355) 및 하나 이상의 유기막(352, 354)을 포함하며, 수분이나 산소와 같은 외기가 유기 발광 소자(310)로 침투하는 것을 방지한다.
박막 봉지층(350)은 무기막(351, 353, 355)과 유기막(352, 354)이 교호적으로 적층된 구조를 갖는다. 도 14에서 박막 봉지층(350)은 3개의 무기막(351, 353, 355)과 2개의 유기막(352, 354)을 포함하고 있으나, 본 발명의 제10 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
무기막(351, 353, 355)은 Al2O3, TiO2, ZrO, SiO2, AlON, AlN, SiON, Si3N4, ZnO, 및 Ta2O5 중 하나 이상의 무기물을 포함한다. 무기막(351, 353, 355)은 화학증착(chemical vapor deposition, CVD)법 또는 원자층 증착(atomic layer depostion, ALD)법을 통해 형성된다. 하지만, 본 발명의 제10 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 무기막(351, 353, 355)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
유기막(352, 354)은 고분자(polymer) 계열의 소재로 만들어진다. 여기서, 고분자 계열의 소재는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드, 및 폴리에틸렌 등을 포함한다. 또한, 유기막(352, 354)은 열증착 공정을 통해 형성된다. 유기막(352, 354)을 형성하기 위한 열증착 공정은 유기 발광 소자(310)를 손상시키지 않는 온도 범위 내에서 진행된다. 하지만, 본 발명의 제10 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 유기막(352, 354)은 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법을 통해 형성될 수 있다.
박막의 밀도가 치밀하게 형성된 무기막(351, 353, 355)이 주로 수분 또는 산소의 침투를 억제한다. 대부분의 수분 및 산소는 무기막(351, 353, 355)에 의해 유기 발광 소자(310)로의 침투가 차단된다.
유기막(352, 354)은 투습 억제 외에 무기막(351, 353, 355)과 무기막(351, 353, 355) 사이에서 각층들 간의 응력을 줄여주는 완충층의 역할을 수행한다. 또한, 유기막(352, 354)은 평탄화 특성을 가지므로, 박막 봉지층(350)의 최상부면이 평탄해질 수 있다.
박막 봉지층(350)은 10㎛ 이하의 얇은 두께를 가질 수 있다. 따라서, 유기발광 표시장치(105) 역시 얇은 두께를 가질 수 있다.
유기 발광 소자(310) 상에 박막 봉지층(350)이 배치되는 경우, 제2 기판(212)이 생략될 수도 있다. 제2 기판(212)이 생략되는 경우 유기발광 표시장치(1010)의 플렉서블 특성이 우수해진다.
박막 봉지층(350) 상에 접착층(295)이 배치되고, 접착층(295) 상에 윈도우(100)가 배치된다.
도 15는 본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치(1011)의 평면도이고, 도 16은 도 15의 II-II'를 따라 자른 단면도이다.
본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치(1011)는 액정 표시패널(400) 및 액정 표시패널(400) 상에 배치된 윈도우(100)를 포함한다.
액정 표시패널(400)은 표시기판(410), 대향기판(420) 및 표시기판(410)과 대향기판(420) 사이에 배치된 액정층(LC)을 포함한다.
표시기판(410)은, 제1 기판(401) 및 제1 기판(401) 상에 배치된 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL), 박막트랜지스터(TFT), 게이트 절연막(421), 층간 절연막(431), 컬러 필터(451, 452), 평탄화막(491), 화소 전극(PE) 및 차광부(476)를 포함한다.
제1 기판(401) 상에 게이트 라인(GL) 및 게이트 라인(GL)으로부터 연장된 게이트 전극(GE)이 배치된다.
게이트 절연막(421)은 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE) 상에 배치된다. 이때, 게이트 절연막(421)은 게이트 라인(GL) 및 게이트 전극(GE)을 포함한 제1 기판(401)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 게이트 절연막(421)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx) 등으로 만들어질 수 있다. 게이트 절연막(421)은 물리적 성질이 다른 적어도 두 개의 절연층들을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
반도체층(SM)은 게이트 절연막(421) 상에 배치된다. 반도체층(SM)은 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 중첩한다. 반도체층(SM)은 비정질 규소 또는 다결정 규소 등으로 만들어질 수 있다. 반도체층(SM)은 산화물 반도체 재료를 포함할 수도 있다. 반도체층(SM) 상에 저항성 접촉층(미도시)이 배치될 수도 있다.
소스 전극(SE)은 반도체층(SM)과 일부 중첩하여 배치된다. 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)으로부터 연장된다.
드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 이격되어 반도체층(SM)과 일부 중첩하여 배치된다. 드레인 전극(DE)은 화소 전극(PE)에 연결된다. 드레인 전극(DE)은 소스 전극(SE)과 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 전극(GE), 반도체층(SM), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)에 의해 박막트랜지스터(TFT)가 이루어진다.
박막트랜지스터(TFT)의 채널(channel) 영역은 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE) 사이의 반도체층(SM) 부분에 위치한다.
데이터 라인(DL)은 게이트 절연막(421) 상에 위치하며, 게이트 라인(GL)과 교차한다. 데이터 라인(DL)과 소스 전극(SE)은 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
도시되지 않았지만, 전술된 반도체층(SM)은 게이트 절연막(421)과 소스 전극(SE) 사이에 더 위치할 수 있고, 게이트 절연막(421)과 드레인 전극(DE) 사이에 더 위치할 수 있다. 또한, 도시되지 않았지만, 반도체층(SM)은 게이트 절연막(421)과 데이터 라인(DL) 사이에 더 위치할 수 있다.
층간 절연막(431)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 반도체층(SM) 및 게이트 절연막(421) 상에 배치된다. 이때, 층간 절연막(431)은 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 게이트 절연막(421)을 포함한 제1 기판(401)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 도 15 및 16을 참조하면, 층간 절연막(431)은 드레인 콘택홀(432)을 갖는다.
층간 절연막(431)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiOx)와 같은 무기 절연물로 만들어질 수 있으며, 유기막으로 만들어질 수도 있다. 또한 층간 절연막(431)은 하부 무기막과 상부 유기막을 포함하는 이중막 구조를 가질 수도 있다.
제1 컬러 필터(451) 및 제2 컬러 필터(452)는 층간 절연막(431) 상에 배치된다. 제1 및 제2 컬러 필터(451, 452)의 가장자리는 게이트 라인(GL), 박막트랜지스터(TFT) 및 데이터 라인(DL) 상에 위치할 수 있다. 인접한 제1 및 제2 컬러 필터(451, 452)의 가장자리는 서로 중첩할 수 있다. 각각의 컬러 필터(451, 452)는 드레인 전극(DE)에 대응되게 위치한 개구부를 갖는다. 각각의 컬러 필터(451, 452)는 감광성 유기물로 만들어질 수 있다.
제1 컬러 필터(451)와 제2 컬러 필터(452)는 서로 다른 컬러를 가지며, 각각 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터, 원청색(cyan) 컬러 필터, 원적색(magenta) 컬러 필터, 황색(yellow) 컬러 필터 및 백색(white) 컬러 필터 중 어느 하나일 수 있다.
도 15 및 16에 도시되지 않았지만, 본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치(1011)는 제3 컬러 필터를 더 포함할 수 있다. 제3 컬러 필터는 제1 컬러 필터(451) 및 제2 컬러 필터(452)와 다른 컬러를 가지며, 적색, 녹색, 청색, 원청색(cyan), 원적색(magenta) 및 황색(yellow) 중 어느 하나의 컬러를 가질 수 있다.
그러나, 본 발명의 제11 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 컬러필터(451, 452)가 제2 기판(402) 상에 배치될 수도 있다.
평탄화막(491)은 컬러 필터(451, 452) 상에 배치된다. 이때, 평탄화막(491)은 컬러 필터(451, 452) 및 층간 절연막(431)을 포함한 제1 기판(401)의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 다만, 도 15 및 16을 참조하면, 평탄화막(491)은 드레인 콘택홀(432)에 대응되게 위치한 개구부를 가질 수 있다.
평탄화막(491)은 보호막 기능을 하며, 화소 전극(PE)의 하부를 평탄화하는 역할을 한다. 평탄화막(491)을 보호막이라고도 한다. 평탄화막(491)은 유기물로 만들어질 수 있는데, 예를 들어, 감광성 유기물 또는 감광성 수지 조성물로 만들어질 수 있다. 이 경우, 평탄화막(491)을 유기막이라고도 한다.
화소 전극(PE)은 드레인 콘택홀(432)을 통해 드레인 전극(DE)에 연결된다. 화소 전극(PE)은 평탄화막(491) 상에 배치된다. 화소 전극(PE)의 가장자리 일부는 차광부(476)와 중첩할 수 있다.
차광부(476)는 화소 전극(PE) 및 평탄화막(491) 상에 배치된다. 예를 들어, 차광부(476)는 박막트랜지스터(TFT), 게이트 라인들(GL) 및 데이터 라인(DL)과 중첩 배치되어, 빛샘을 차단한다.
도 16에 도시된 바와 같이, 차광부(476) 상에 컬럼 스페이서(472)가 위치할 수 있다. 컬럼 스페이서(472)는 대향기판(420)을 향해 차광부(476)로부터 소정 높이로 돌출된 형상을 갖는다. 컬럼 스페이서(472)는 표시기판(410)과 대향기판(420) 간의 셀갭(cell gap)을 유지시킨다.
컬럼 스페이서(472)는 차광부(476)와 일체로 구성될 수 있다. 이 경우, 컬럼 스페이서(472)와 차광부(476)는 동일한 물질로 동시에 제조될 수 있다. 이러한 컬럼 스페이서(472)와 차광부(476)를 블랙 컬럼 스페이서(BCS)라고도 한다.
대향기판(420)은 제2 기판(402) 및 제2 기판(402) 상에 배치된 공통 전극(CE)을 포함한다.
액정층(LC)은 표시기판(410)과 대향기판(420) 사이에 배치된다.
표시기판(410), 액정층(LC) 및 대향기판(420)을 포함하는 액정 표시패널(400) 상에 접착층(295)이 배치되고, 접착층(295) 상에 윈도우(100)가 배치된다.
윈도우(100)로, 본 발명의 제1 내지 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판들(101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108) 중 어느 하나가 사용될 수 있다. 제1 내지 제8 실시예에 따른 플라스틱 기판(101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108)의 제1 유-무기 하이브리드막(121)은 액정 표시패널(400)의 반대쪽에 위치한다.
이상 실시예와 도면을 참고하여 본 발명의 설명하였다. 상기 실시예와 도면은 본 발명의 이해를 돕기 위한 예시일 뿐, 본 발명의 범위가 상기 실시예나 도면에 의하여 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 실시예들에 따른 플라스틱 기판이 사용되는 표시장치는 실시예에서 설명된 표시장치로 한정되는 것은 아니다.
101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 108: 플라스틱 기판
110: 플라스틱 지지 부재
120: 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스
121: 제1 유-무기 하이브리드막 122: 제2 유-무기 하이브리드막
131: 제1 무기막 132: 제2 무기막
141: 제1 유기막 142: 제2 유기막
150: 이온
211: 제1 기판 212: 제2 기판
310: 유기 발광 소자 311: 제1 전극
312: 발광층 313: 제2 전극
350: 박막 봉지층
110: 플라스틱 지지 부재
120: 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스
121: 제1 유-무기 하이브리드막 122: 제2 유-무기 하이브리드막
131: 제1 무기막 132: 제2 무기막
141: 제1 유기막 142: 제2 유기막
150: 이온
211: 제1 기판 212: 제2 기판
310: 유기 발광 소자 311: 제1 전극
312: 발광층 313: 제2 전극
350: 박막 봉지층
Claims (15)
- 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재; 및
상기 플라스틱 지지 부재 상에 배치된 제1 유-무기 하이브리드막;을 포함하며,
제1 유-무기 하이브리드막은,
제1 유-무기 하이브리드 매트릭스; 및
상기 플라스틱 지지 부재의 반대쪽의 상기 유-무기 하이브리드 매트릭스에 주입된 이온을 포함하며,
상기 이온의 단위면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 플라스틱 기판. - 제1항에 있어서, 상기 이온의 주입 깊이는 300nm 내지 400nm인 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 60keV 내지 80keV의 에너지로 주입된 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 이온은 붕소(B) 이온 및 질소(N) 이온 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스는 실리콘 수지 및 고분자 수지를 포함하는 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 유-무기 하이브리드막은 2㎛ 내지 20㎛의 두께를 갖는 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 플라스틱 지지 부재는 폴리카보네이트(PC) 필름, 폴리아크릴 필름, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 필름, 폴리이미드(PI) 필름, 폴리에틸렌(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리스티렌(PS) 필름, 폴리아미드(PA) 필름, 폴리아세탈(POM) 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 필름, 아크릴-폴리카보네이트 공중합체(acrylic-polycarbonate alloy) 필름 및 셀룰로오스 필름 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판.
- 제1항에 있어서,
상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 유-무기 하이브리드막 사이에 배치된 제1 무기막을 더 포함하는 플라스틱 기판. - 제8항에 있어서,
상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 무기막 사이에 배치된 제2 유-무기 하이브리드막을 더 포함하는 플라스틱 기판. - 제1항에 있어서,
상기 플라스틱 지지 부재와 상기 제1 유-무기 하이브리드막 사이에 배치된 제1 유기막을 더 포함하는 플라스틱 기판. - 광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재 상에 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스를 형성하는 단계; 및
상기 제1 유-무기 하이브리드 매트릭스에 이온을 주입하는 단계;
를 포함하며,
상기 이온의 단위 면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 플라스틱 기판의 제조방법. - 제11항에 있어서, 상기 이온의 주입 깊이는 300nm 내지 400nm인 플라스틱 기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 이온은 60keV 내지 80keV의 에너지로 주입되는 플라스틱 기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 이온은 붕소(B) 이온 및 질소(N) 이온 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 기판의 제조방법.
- 표시패널; 및
상기 표시패널 상에 배치된 윈도우;를 포함하며,
상기 윈도우는,
광투과성을 갖는 플라스틱 지지 부재; 및
상기 플라스틱 지지 부재상에 배치되며, 상기 플라스틱 지지 부재의 반대쪽 표면에 주입된 이온을 포함하는 제1 유-무기 하이브리드막;을 포함하며,
상기 이온의 단위면적당 량(이온량)은 2x1013개/cm2 내지 2x1014개/cm2인 표시장치.
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