KR20180003703A - Display panel and display device using the same - Google Patents

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KR20180003703A KR1020160082710A KR20160082710A KR20180003703A KR 20180003703 A KR20180003703 A KR 20180003703A KR 1020160082710 A KR1020160082710 A KR 1020160082710A KR 20160082710 A KR20160082710 A KR 20160082710A KR 20180003703 A KR20180003703 A KR 20180003703A
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허승호
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Abstract

The present invention relates to a display panel capable of reducing a bezel area and degradation of an aperture ratio of pixels, and a display apparatus using the same. The display panel comprises: a pixel array in which data lines and gate lines are crossed and pixels having pixel TFTs and pixel electrodes are arranged in a matrix form; and a shift register distributed in the pixel array. The pixel array includes clock wirings supplying a shift clock to the shift register.

Description

표시패널과 이를 이용한 표시장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME [0002]

본 발명은 픽셀 어레이 내에 게이트 구동 회로의 시프트 레지스터가 배치될 수 있는 표시패널과 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel on which a shift register of a gate driving circuit can be arranged in a pixel array and a display using the same.

액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display, OLED Display), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display, FED) 등 각종 평판 표시장치가 시판되고 있다.Various flat panel display devices such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode (OLED) display, and a field emission display (FED) are commercially available.

액정표시장치는 액정층에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 매 픽셀 마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라 한다)를 배치하여 그 TFT를 이용하여 픽셀들을 구동한다. 이러한 액정표시장치는 공정 기술의 발전과 연구 개발의 성과로 대형화와 고해상도화로 급속히 발전하고 있다. The liquid crystal display controls an electric field applied to the liquid crystal layer to modulate light incident from the backlight unit to display an image. In an active matrix type liquid crystal display device, a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") is arranged for each pixel and pixels are driven using the TFT. Such a liquid crystal display device is rapidly evolving into a large-sized and high-resolution image due to development of process technology and achievement of research and development.

액정표시장치의 표시패널은 액정층을 사이에 두고 접합된 상판과 하판을 포함한다. 상판과 하판 각각에서 액정층과 접하는 기판 표면에 배향막이 형성된다. 배향막은 액정분자의 프리 틸트 각(pre-tilt angle)을 설정한다. 액정층의 셀 갭(cell gap)을 유지하기 위하여, 스페이서(spacer)가 상판과 하판 사이에 배치된다. 하판은 하부 유리 기판 상에 형성된 TFT 어레이를 포함할 수 있다. 상판은 상부 유리 기판 상에 형성된 컬러 필터 어레이를 포함할 수 있다. 상판과 하판 각각에는 편광판이 접착된다.A display panel of a liquid crystal display device includes an upper plate and a lower plate joined with a liquid crystal layer interposed therebetween. An alignment film is formed on the surface of the substrate in contact with the liquid crystal layer in each of the upper plate and the lower plate. The alignment film sets the pre-tilt angle of the liquid crystal molecules. In order to maintain the cell gap of the liquid crystal layer, a spacer is disposed between the upper plate and the lower plate. The lower plate may comprise a TFT array formed on a lower glass substrate. The top plate may include a color filter array formed on the top glass substrate. A polarizing plate is bonded to each of the upper plate and the lower plate.

액정표시장치의 제조공정은 기판 세정, 기판 패터닝 공정, 배향막 형성/러빙 공정, 기판 합착 및 액정 적하 공정, 구동회로 실장 공정, 검사 공정, 리페어 공정, 모듈 조립 공정 등을 포함한다. The manufacturing process of the liquid crystal display device includes a substrate cleaning process, a substrate patterning process, an orientation film forming / rubbing process, a substrate adhering process and a liquid crystal dropping process, a drive circuit mounting process, an inspection process, a repair process, and a module assembling process.

기판세정 공정은 표시패널의 상부 유리기판과 하부 유리기판 표면에 오염된 이물질을 세정액으로 제거한다. 기판 패터닝 공정은 하부 유리기판에 데이터 라인 및 게이트 라인을 포함한 신호배선, TFT, 픽셀 전극, 공통 전극 등을 형성한다. 그리고 기판 패터닝 공정은 상부 유리기판 상에 블랙 매트릭스, 컬러 필터 등을 형성한다. 배향막 형성/러빙 공정은 유리기판들 상에 배향막을 도포하고 그 배향막을 러빙포로 러빙하거나 광배향 처리한다. 이러한 일련의 공정을 거쳐 하부 유리기판에는 비디오 데이터전압이 공급되는 데이터 라인들, 그 데이터 라인들과 교차되고 스캔신호 즉, 게이트펄스가 순차적으로 공급되는 게이트 라인들, 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부에 형성된 TFT들, TFT들에 연결된 픽셀 전극들 및 스토리지 커패시터(Storage Capacitor) 등을 포함한 TFT 어레이가 형성된다. 공통전극은 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드 등과 같은 수직 전계 구동방식에서 상부 유리기판 상에 형성되고, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드 등과 같은 수평 전계 구동방식에서 픽셀 전극과 함께 하부 유리기판 상에 형성된다. 상부 유리기판과 하부 유리기판 각각에는 편광판이 접착된다. The substrate cleaning process removes contaminants from the upper glass substrate and the lower glass substrate of the display panel with a cleaning liquid. The substrate patterning process forms signal lines, TFTs, pixel electrodes, common electrodes, etc., including data lines and gate lines, on the lower glass substrate. The substrate patterning process forms a black matrix, a color filter, and the like on the upper glass substrate. In the alignment film forming / rubbing process, an alignment film is applied on glass substrates and the alignment film is rubbed with a rubbing film or optically aligned. Through this series of processes, the lower glass substrate is provided with data lines to which video data voltages are supplied, gate lines that intersect with the data lines and are supplied with scan signals, that is, gate pulses sequentially, intersections of data lines and gate lines TFTs formed on the TFTs, pixel electrodes connected to the TFTs, storage capacitors, and the like are formed. The common electrode is formed on the upper glass substrate in a vertical electric field driving method such as a TN (Twisted Nematic) mode or a VA (Vertical Alignment) mode, and is formed in a horizontal electric field such as IPS (In Plane Switching) mode and FFS (Fringe Field Switching) Is formed on the lower glass substrate together with the pixel electrode in the driving method. A polarizing plate is bonded to each of the upper glass substrate and the lower glass substrate.

기판 합착 및 액정 적하 공정은 표시패널의 상부 및 하부 유리기판 중 어느 하나에 실런트를 드로잉(drawing)하여 액정 영역을 정의하고, 그 액정 영역에 액정을 적하(Dropping)한 다음, 상부 유리 기판과 하부 유리기판을 실런트로 접합한다. In the process of adhering a substrate and dropping a liquid crystal, a liquid crystal region is defined by drawing a sealant on either the upper or lower glass substrate of the display panel, liquid crystal is dropped on the liquid crystal region, The glass substrate is bonded with a sealant.

구동회로 실장공정은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정을 이용하여 데이터 구동회로가 집적된 드라이브 IC(Integrated Circuit, IC)를 이방성 도전 필름(Anisotropic conductive film, ACF)으로 표시패널의 데이터 패드들(data pad)에 접착한다. 게이트 구동회로는 GIP(Gate In Panel) 공정으로 하부 유리 기판 상에 직접 형성되거나, IC로 집적되어 구동 회로 실장 공정에서 TAB(Tape Automated Bonding) 공정을 통해 ACF로 표시패널의 게이트 패드들(gate pad)에 접착될 수 있다. 구동회로 실장 공정은 IC들과 PCB(printed circuit board)를 FPC(Flexible Printed Circuit board), FFC(Flexible Flat Cable) 등의 연성 회로 기판으로 연결한다. The drive circuit mounting process uses a chip on glass (COG) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process to display a drive IC (Integrated Circuit) integrated with a data drive circuit by an anisotropic conductive film (ACF) To the data pads of the panel. The gate drive circuit is formed directly on the lower glass substrate by a GIP (Gate In Panel) process, or integrated into an IC, and is subjected to a TAB (Tape Automated Bonding) process in a drive circuit mounting process to form gate pads As shown in Fig. The driving circuit mounting process connects the ICs and the printed circuit board (PCB) to a flexible circuit board such as an FPC (Flexible Printed Circuit board) or an FFC (Flexible Flat Cable).

검사 공정은 구동회로에 대한 검사, TFT 어레이 기판에 형성된 데이터 라인과 게이트 라인 등의 배선 검사, 픽셀 전극이 형성된 후에 실시되는 검사, 기판 합착 및 액정 적하 공정 후에 실시되는 전기적 검사, 점등 검사 등을 포함한다. 리페어 공정은 검사 공정에 의해 발견된 불량을 수선한다. The inspecting process includes an inspection for a driver circuit, a wire inspecting of a data line and a gate line formed on a TFT array substrate, an inspecting after a pixel electrode is formed, an electrical inspecting after a liquid crystal dropping process, do. The repair process repairs the defects found by the inspection process.

전술한 일련의 공정을 거쳐 표시패널이 완성되면, 모듈 조립 공정이 수행된다. 모듈 조립 공정은 표시패널의 아래에 백라이트 유닛을 정렬하고, 가이드/케이스 부재 등의 기구물을 이용하여 표시패널과 백라이트 유닛을 조립한다. When the display panel is completed through the above-described series of steps, the module assembly process is performed. In the module assembling process, the backlight unit is aligned below the display panel, and the display panel and the backlight unit are assembled using a tool such as a guide / case member.

평판 표시장치의 구동 회로는 표시패널의 데이터 라인들에 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로, 표시패널의 게이트 라인들(또는 스캔 라인들)에 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 공급하는 게이트 구동 회로(또는 스캔 구동 회로), 이러한 구동 회로들의 제반 동작을 제어하는 타이밍 콘트롤러(Timing controller, TCON) 등을 포함한다. The driving circuit of the flat panel display device includes a data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines of the display panel, a gate driving circuit for supplying gate pulses (or scan pulses) to the gate lines (or scan lines) of the display panel Or a scan driving circuit), a timing controller (TCON) for controlling all operations of these driving circuits, and the like.

데이터 구동 회로가 집적된 IC 칩은 연성 회로 기판 예를 들어, COF(Chip on film, COF) 상에 실장되고, COF는 표시패널에 ACF로 접착될 수 있다. The IC chip on which the data driving circuit is integrated may be mounted on a flexible circuit board, for example, a COF (Chip on Film), and the COF may be adhered to the display panel with an ACF.

최근에는 액정표시장치(LCD)와 유기발광 다이오드 표시장치(OLED Display)를 중심으로 GIP 공정을 이용하여 게이트 구동 회로를 픽셀 어레이와 함께 표시패널의 기판 상에 직접 실장하는 기술이 적용되고 있다. 이하에서, 표시패널의 기판 상에 직접 실장된 게이트 구동 회로의 시프트 레지스터를 “GIP 회로”라 칭하기로 한다. Recently, a technique of directly mounting a gate driving circuit on a substrate of a display panel together with a pixel array by using a GIP process centered on a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED) display has been applied. Hereinafter, the shift register of the gate driving circuit mounted directly on the substrate of the display panel will be referred to as a " GIP circuit ".

GIP 회로가 정상적으로 동작하기 위해는 스타트 펄스, 시프트 클럭 등의 타이밍 제어 신호들과 구동 전압들이 필요하기 때문에 GIP 회로에는 많은 배선들이 연결된다. GIP 회로는 픽셀 어레이 밖에서 표시패널의 기판 상에 배치되기 때문에 비표시 영역인 베젤(bezel) 크기를 증가시키는 요인으로 작용한다.Since the timing control signals such as the start pulse and the shift clock and the driving voltages are required for the GIP circuit to operate normally, many wires are connected to the GIP circuit. Since the GIP circuit is disposed on the substrate of the display panel outside the pixel array, the GIP circuit increases the size of the bezel which is a non-display region.

본 발명은 베젤 영역을 줄이고 픽셀들의 개구율 저하를 줄일 수 있는 표시패널과 이를 이용한 표시장치를 제공한다.The present invention provides a display panel capable of reducing a bezel area and a decrease in aperture ratio of pixels, and a display device using the same.

본 발명의 실시예에 따른 표시패널은 데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 픽셀 TFT와 픽셀 전극을 갖는 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이; 및 상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치된 시프트 레지스터를 포함한다. 상기 픽셀 어레이는 상기 시프트 레지스터에 시프트 클럭을 공급하는 클럭 배선들을 포함한다. A display panel according to an embodiment of the present invention includes a pixel array in which pixels having pixel TFTs and pixel electrodes are arranged in a matrix form, in which data lines and gate lines are crossed; And a shift register distributed within the pixel array. The pixel array includes clock wirings for supplying a shift clock to the shift register.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 시프트 레지스터는 표시패널 상에서 상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치되거나 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치된다. 상기 시프트 레지스터는 스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT; 제N(N은 양의 정수) 클럭 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT; 상기 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자의 전압을 충전하여 상기 게이트 펄스의 전압을 상승시키는 제3 TFT; 및 상기 제N 클럭 신호에 대하여 역위상으로 발생되는 제N-2 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 상기 제N 클럭 신호가 공급되는 클럭 배선으로 방전시키는 제4 TFT를 포함한다. A shift register of a display device according to an embodiment of the present invention is dispersed in the pixel array on a display panel or disposed in a bezel area outside the pixel array. The shift register comprising: a first TFT for charging a Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage; A second TFT for discharging the Q node in response to a Nth (N is a positive integer) clock signal; A third TFT which charges the voltage of the output terminal in response to the Q node voltage to raise the voltage of the gate pulse; And a fourth TFT for discharging the voltage of the output terminal to the clock wiring supplied with the N-th clock signal in response to an (N-2) -th clock signal generated in an opposite phase to the N-th clock signal.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 시프트 레지스터는 표시패널 상에서 상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치된다. 상기 시프트 레지스터는 스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 제1 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT; 제2 게이트 라인의 전압에 응답하여 상기 제1 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT; 및 상기 Q1 노드 전압에 응답하여 제1 게이트 라인의 전압에 응답하여 Q2 노드를 충전하는 제3 TFT를 포함한다. 상기 제1 게이트 라인에 제1 클럭 신호가 인가되고, 상기 제2 게이트 라인에 제2 클럭 신호가 인가된다.A shift register of a display device according to another embodiment of the present invention is distributed on the display panel in the pixel array. The shift register comprising: a first TFT for charging a first Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage; A second TFT for discharging the first Q node in response to a voltage of a second gate line; And a third TFT that charges the Q2 node in response to the voltage of the first gate line in response to the Q1 node voltage. A first clock signal is applied to the first gate line, and a second clock signal is applied to the second gate line.

본 발명은 최소한의 회로 구성을 갖는 GIP 회로를 픽셀 어레이 내에 분산하거나 베젤 영역에 배치함으로써 베젤 영역을 줄이고, GIP 회로가 픽셀 어레이 내에 배치되더라도 픽셀들의 개구율 저하를 줄일 수 있다. The present invention can reduce the aperture ratio of pixels even if the GIP circuit is disposed in the pixel array by reducing the bezel area by dispersing the GIP circuit having the minimum circuit configuration in the pixel array or by arranging the GIP circuit in the bezel area.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여 주는 평면도이다.
도 2는 GIP 회로의 시프트 레지스터 구성 일부를 간략히 보여 주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 GIP 회로를 보여 주는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 회로의 입/출력 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 GIP 회로를 보여 주는 도면이다.
도 6은 도 5에 도시된 회로의 입/출력 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 7은 도 5에 도시된 제N 스테이지 회로에서 Q 노드의 전압과 출력 전압을 보여 주는 파형도이다.
도 8a 내지 도 8c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제1 실시예를 보여 주는 도면들이다.
도 9는 도 8a에 도시된 GIP 회로(A)를 확대하여 보여 주는 회로도이다.
도 10a 내지 도 10c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제2 실시예를 보여 주는 도면들이다.
도 11은 도 10a에 도시된 GIP 회로(B)를 확대하여 보여 주는 회로도이다.
도 12a 내지 도 12c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제3 실시예를 보여 주는 도면들이다.
도 13은 도 12a에 도시된 GIP 회로(C)를 확대하여 보여 주는 회로도이다.
도 14는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제4 실시예를 보여 주는 도면들이다.
도 15는 도 14에 도시된 GIP 회로(D)를 확대하여 보여 주는 회로도이다.
도 16은 도 15에 도시된 GIP 회로의 입/출력 파형을 보여 주는 파형도이다.
도 17 및 도 18은 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에서 클럭 배선들을 보여 주는 도면이다.
1 is a plan view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view schematically showing a part of the shift register configuration of the GIP circuit.
3 is a diagram illustrating a GIP circuit according to the first embodiment of the present invention.
4 is a waveform diagram showing the input / output waveform of the circuit shown in Fig.
5 is a diagram illustrating a GIP circuit according to a second embodiment of the present invention.
6 is a waveform diagram showing an input / output waveform of the circuit shown in FIG.
7 is a waveform diagram showing the voltage and output voltage of the Q node in the N stage circuit shown in FIG.
8A to 8C are views showing a first embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array.
FIG. 9 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit A shown in FIG. 8A.
10A to 10C are views showing a second embodiment in which a GIP circuit is embedded in a panel array.
11 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit B shown in Fig. 10A.
12A to 12C are views showing a third embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array.
13 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit C shown in Fig. 12A.
14 is a view showing a fourth embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array.
15 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit D shown in Fig.
16 is a waveform diagram showing an input / output waveform of the GIP circuit shown in FIG.
17 and 18 are diagrams illustrating clock wirings in a bezel region outside the pixel array.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명의 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Display, OLED Display) 등의 평판 표시장치로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서, 평판 표시소자의 일 예로서 액정표시장치를 중심으로 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. The display device of the present invention can be implemented as a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting display (OLED) display, or the like. In the following embodiments, a liquid crystal display device will be described as an example of a flat panel display device, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 GIP 회로는 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 n 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다는 것에 주의하여야 한다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니라는 것에 주의하여야 한다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 GIP를 구성하는 트랜지스터들을 n 타입 MOSFET로 설명하지만, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 이하의 설명에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되어서는 안된다. The GIP circuit of the present invention can be implemented by transistors of an n-type or p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure. Although n-type transistors are exemplified in the following embodiments, it should be noted that the present invention is not limited thereto. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, the current flows from the source to the drain because the holes flow from the source to the drain. It should be noted that the source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the transistors constituting the GIP are described as n-type MOSFETs, but are not limited thereto. Therefore, in the following description, the invention should not be limited by the source and drain of the transistor.

도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(PNL)과, 표시패널(PNL)에 입력 영상의 데이터를 기입하기 위한 구동회로를 구비한다. Referring to FIG. 1, a display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel PNL and a driving circuit for writing data of an input image on the display panel PNL.

구동 회로는 표시패널(PNL)의 데이터 라인들에 입력 영상의 데이터 전압을 공급하는 데이터 구동 회로와, 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스(또는 스캔 펄스)를 표시패널(PNL)의 게이트 라인들(GL)에 공급하는 게이트 구동회로, 및 데이터 구동 회로와 GIP 회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(TCON) 등을 포함한다. 게이트 구동회로는 픽셀 어레이에 분산 배치되거나 픽셀 어레이(AA) 밖의 베젤 영역에 배치된 GIP 회로를 포함한다. 도 1에서, 데이터 구동회로는 소스 드라이브 IC(SIC)에 집적된 형태로 표시패널(PNL)의 데이터 라인들(DL)에 연결된다. The driving circuit includes a data driving circuit for supplying a data voltage of an input image to the data lines of the display panel PNL and a gate driving circuit for applying a gate pulse (or a scanning pulse) synchronized with the data voltage to the gate lines GL And a timing controller (TCON) for controlling the operation timing of the data driving circuit and the GIP circuit, and the like. The gate drive circuit includes a GIP circuit distributed in a pixel array or disposed in a bezel region outside the pixel array (AA). In Fig. 1, the data driving circuit is connected to the data lines DL of the display panel PNL in a form integrated in the source drive IC (SIC).

본 발명의 GIP 회로는 픽셀 어레이(AA) 내에 분산 배치되거나 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역 내에 배치된다. 본 발명은 GIP 회로에서 스위치 소자, 클럭 배선, 전원 배선의 개수를 줄여 회로 면적을 감소시킨다. 그 결과, GIP 회로가 픽셀 어레이(AA)에 배치될 때 픽셀들의 개구율 저하를 최소화할 수 있다. 도 5 또는 도 15와 같은 GIP 회로는 그 회로 면적이 매우 작기 때문에 픽셀 어레이(AA)에 배치되는 회로로 최적화되어 있을 뿐 아니라 베젤 영역에 배치되는 경우에 베젤 영역의 크기를 대폭 줄일 수 있다. 도 1은 GIP 회로가 픽셀 어레이(AA)에 분산된 예를 보여 준다. The GIP circuit of the present invention is distributed within the pixel array AA or within a bezel region outside the pixel array. The present invention reduces circuit area by reducing the number of switch elements, clock wiring, and power supply wiring in a GIP circuit. As a result, the aperture ratio degradation of the pixels can be minimized when the GIP circuit is disposed in the pixel array AA. Since the circuit area of the GIP circuit shown in FIG. 5 or 15 is very small, it is not only optimized as a circuit disposed in the pixel array AA, but also can greatly reduce the size of the bezel region when the circuit is disposed in the bezel region. Fig. 1 shows an example in which the GIP circuit is dispersed in the pixel array AA.

본 발명의 GIP 회로는 픽셀 어레이(AA)와 함께 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1) 상에 직접 형성되어 게이트 라인들(GL)에 연결된다. GIP 회로는 스타트 펄스(Start pulse)와 시프트 클럭(shift clock) 등의 타이밍 제어 신호를 입력 받아 클럭 타이밍에 동기하여 출력을 순차적으로 하는 시프트 레지스터(shift register)를 포함한다. The GIP circuit of the present invention is formed directly on the lower substrate SUBS1 of the display panel PNL together with the pixel array AA and connected to the gate lines GL. The GIP circuit includes a shift register that receives a timing control signal such as a start pulse and a shift clock, and sequentially shifts the output in synchronization with the clock timing.

표시패널(PNL)은 액정층을 사이에 두고 접합된 상판과 하판을 포함한다. 기판들은 유리 기판일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 표시패널(PNL)은 데이터라인들(DL)과 게이트라인들(GL)이 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들은 데이터 라인(GL)과 게이트 라인(GL)의 교차부에 형성된 픽셀 TFT, 픽셀 TFT에 연결된 액정셀(Clc) 및 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 등을 포함한다. 픽셀 TFT는 게이트 라인(GL)으로부터의 게이트 펄스에 응답하여 데이터 라인(DL)을 통해 입력되는 데이터 전압을 픽셀 전극(PXL)에 공급한다. 액정셀(Clc)은 픽셀 전극(PXL)과 공통 전극(COM) 간의 전계에 따라 구동되는 액정분자를 이용하여 입사광의 굴절율을 데이터 전압에 따라 조절한다. The display panel (PNL) includes an upper plate and a lower plate bonded with a liquid crystal layer interposed therebetween. The substrates may be glass substrates, but are not limited thereto. The display panel PNL includes pixels in which the data lines DL and the gate lines GL are arranged in a matrix form by an intersection structure. The pixels include a pixel TFT formed at the intersection of the data line GL and the gate line GL, a liquid crystal cell Clc connected to the pixel TFT, and a storage capacitor Cst. The pixel TFT supplies the data voltage input through the data line DL to the pixel electrode PXL in response to the gate pulse from the gate line GL. The liquid crystal cell Clc adjusts the refractive index of the incident light according to the data voltage by using liquid crystal molecules driven according to the electric field between the pixel electrode PXL and the common electrode COM.

표시패널(PNL)의 하판은 하부 기판에 형성된 TFT 어레이를 포함한다. TFT 어레이는 데이터라인들(DL), 게이트라인들(GL), TFT들, TFT에 접속된 픽셀 전극(PXL), 공통 전극(COM), 스토리지 커패시터(Cst) 그리고 GIP 회로 등을 포함한다. TFT 어레이 내에 GIP 회로가 분산 배치되고, GIP 회로에 연결되는 클럭 배선들이 배치된다. 클럭 배선들 중 적어도 일부는 게이트 라인들과 연결될 수 있다. 이 경우, 게이트 라인들은 클럭 배선 역할을 겸한다. The lower plate of the display panel (PNL) includes a TFT array formed on the lower substrate. The TFT array includes data lines DL, gate lines GL, TFTs, a pixel electrode PXL connected to the TFT, a common electrode COM, a storage capacitor Cst, and a GIP circuit. GIP circuits are distributed in the TFT array, and clock wirings connected to the GIP circuit are arranged. At least some of the clock wires may be connected to the gate lines. In this case, the gate lines also serve as a clock wiring.

표시패널(PNL)의 상판은 상부 기판에 형성된 컬러 필터 어레이를 포함한다. 컬러 필터 어레이는 블랙매트릭스, 컬러 필터 등을 포함한다. COT(Color Filter on TFT) 또는 TOC(TFT on Color Filter) 모델의 경우에, 하판의 TFT 어레이 상에 컬러 필터가 더 형성될 수 있다. The top plate of the display panel (PNL) includes a color filter array formed on the top substrate. The color filter array includes a black matrix, a color filter, and the like. In the case of the COT (Color Filter on TFT) or the TOC (TFT on Color Filter) model, a color filter may be further formed on the TFT array of the lower plate.

공통전극(COM)은 수직 전계 구동방식에서 상부 기판 상에 형성되며, 수평 전계 구동방식에서 픽셀 전극(PXL)과 함께 하부 기판상에 형성된다. 표시패널(PNL)의 상부 기판과 하부 기판 상에는 광축이 직교하는 편광판이 부착되고 액정과 접하는 내면에 액정의 프리틸트각을 설정하기 위한 배향막이 형성된다. The common electrode COM is formed on the upper substrate in the vertical electric field driving system and on the lower substrate together with the pixel electrode PXL in the horizontal electric field driving system. On the upper substrate and the lower substrate of the display panel (PNL), a polarizing plate orthogonal to the optical axis is attached, and an alignment film for setting the pretilt angle of liquid crystal on the inner surface in contact with the liquid crystal is formed.

표시패널(PNL)에는 인셀 터치 센서(In-cell touch sensor)를 활용한 터치 스크린이 구현될 수 있다. 인셀 터치 센서는 표시패널(PNL)의 픽셀 어레이(AA) 내에 내장된다. 인셀 터치 센서는 터치 전후 정전 용량의 변화를 바탕으로 터치를 센싱하는 정전 용량 타입의 터치 센서로 구현될 수 있다. 터치 센서들은 온셀 (On-cell type) 또는 애드 온 타입(Add on type)으로 표시패널에 배치될 수도 있다. A touch screen using an in-cell touch sensor may be implemented on the display panel PNL. The in-line touch sensor is embedded in the pixel array AA of the display panel (PNL). The insole touch sensor can be realized as a capacitive type touch sensor that senses a touch based on a change in capacitance before and after touch. The touch sensors may be disposed on the display panel in an on-cell type or an add-on type.

타이밍 콘트롤러(TCON)는 외부의 호스트 시스템(Host system)으로부터 입력 영상의 데이터를 수신 받아 이를 소스 드라이브 IC(SIC)로 전송한다. 타이밍 콘트롤러(TCON)는 수직/수평 동기신호, 데이터 인에이블, 메인 클럭 신호 등의 타이밍 신호를 입력 받아 소스 드라이브 IC(SIC)와 GIP 회로, 터치 센서의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어 신호들을 발생한다. 호스트 시스템은 TV(Television) 시스템, 셋톱 박스, 네비게이션 시스템, DVD 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈 시어터 시스템, 폰 시스템(Phone system) 중 어느 하나일 수 있다. The timing controller TCON receives data of an input image from an external host system and transmits it to the source drive IC (SIC). The timing controller TCON receives timing signals such as a vertical / horizontal synchronizing signal, a data enable signal, and a main clock signal to generate timing control signals for controlling operation timings of the source drive IC (SIC), the GIP circuit, and the touch sensor do. The host system may be any one of a TV system, a set-top box, a navigation system, a DVD player, a Blu-ray player, a personal computer (PC), a home theater system, and a phone system.

소스 드라이브 IC(SIC)는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 정극성/부극성 아날로그 데이터전압을 발생하고 그 데이터전압을 데이터라인들(DL)로 출력한다. 소스 드라이브 IC(SIC)는 구부러질 수 있는 연성 회로 기판 예를 들어, COF에 실장될 수 있다. The source driver IC (SIC) converts the digital video data of the input image to the analog positive / negative gamma compensation voltage under the control of the timing controller (TCON) to generate the positive / negative analog data voltage, And outputs them to the lines DL. The source drive IC (SIC) can be mounted on a flexible circuit board, e.g., a COF, that can be bent.

COF들은 ACF(anisotropic conductive film)를 통해 표시패널(PNL)의 하부 기판(SUBS1)과 소스 PCB(SPCB)에 접착된다. COF들의 입력 핀들은 소스 PCB(SPCB)의 출력단자들에 전기적으로 연결된다. 소스 COF들(COF)의 출력 핀들은 ACF를 통해 표시패널(PNL)의 하부 기판에 형성된 데이터 패드들에 전기적으로 연결된다.The COFs are bonded to the lower substrate SUBS1 and the source PCB SPCB of the display panel PNL through an anisotropic conductive film (ACF). The input pins of the COFs are electrically connected to the output terminals of the source PCB (SPCB). The output pins of the source COFs (COFs) are electrically connected to data pads formed on the lower substrate of the display panel (PNL) through the ACF.

GIP 회로는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 데이터 전압에 동기되는 게이트 펄스를 게이트 라인들(GL)로 출력한다. GIP 회로는 스타트 펄스(start pulse, VST)에 응답하여 구동하기 시작하여 시프트 클럭(shift clock, CLK1~n)에 맞추어 출력을 시프트하는 시프트 레지스터(shift register)를 포함한다.The GIP circuit outputs a gate pulse synchronized with the data voltage to the gate lines GL under the control of the timing controller TCON. The GIP circuit includes a shift register that starts driving in response to a start pulse (VST) and shifts the output in accordance with a shift clock (CLK1 to CLKn).

시프트 레지스터는 도 2와 같이 종속적으로 접속된 다수의 스테이지들(S(N-1)~S(N+1))을 포함한다. GIP 회로는 시프트 레지스터를 이용하여 게이트 펄스를 타이밍 콘트롤러(TCON)로부터의 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 시프트시킴으로써 표시패널(PNL)에서 데이터가 기입되는 픽셀들을 1 라인씩 순차적으로 선택한다.The shift register includes a plurality of stages S (N-1) to S (N + 1) which are connected as shown in FIG. The GIP circuit sequentially shifts the gate pulse to the shift clock timing from the timing controller (TCON) using the shift register, thereby sequentially selecting the pixels to which data is written in the display panel (PNL) line by line.

타이밍 콘트롤러(TCON)로부터 생성된 스타트 펄스(VST), 시프트 클럭(CLK1~n) 등 게이트 타이밍 제어 신호가 시프트 레지스터에 입력된다. 레벨 시프터(Level shifter, LS)는 게이트 타이밍 제어 신호의 전압 레벨을 시프트하여 게이트 타이밍 제어 신호를 게이트 하이 전압(Gate high voltage, VGH)과 게이트 로우 전압(Gate low voltage, VGL) 사이에서 스윙하는 신호로 변환하여 시프트 레지스터로 전송한다. 게이트 하이 전압(VGH)는 픽셀 TFT의 문턱 전압 이상의 높은 전압으로 설정된다. 게이트 로우 전압(VGL)은 픽셀 TFT의 문턱 전압 보다 낮은 전압으로 설정된다. 따라서, 픽셀 TFT는 게이트 라인(GL)을 통해 자신의 게이트에 인가되는 게이트 펄스의 게이트 하이 전압(VGH)에 응답하여 턴-온(turn-on)되는 반면, 게이트 로우 전압(VGL)에 응답하여 턴-오프(turn-off)된다. The gate timing control signals such as the start pulse VST and the shift clocks CLK1 to CLK generated from the timing controller TCON are input to the shift register. The level shifter LS shifts the voltage level of the gate timing control signal to generate a signal that swings the gate timing control signal between the gate high voltage VGH and the gate low voltage VGL And transfers it to the shift register. The gate high voltage VGH is set to a voltage higher than the threshold voltage of the pixel TFT. The gate-low voltage VGL is set to a voltage lower than the threshold voltage of the pixel TFT. Thus, the pixel TFT is turned on in response to the gate high voltage VGH of the gate pulse applied to its gate through the gate line GL, while the pixel TFT is turned on in response to the gate low voltage VGL And is turned off.

타이밍 콘트롤러(TCON)와 레벨 시프터(LS)는 콘트롤 보드(CPCB)에 배치될 수 있다. 콘트롤 보드(CPCB)는 FFC(Flexible Flat Cable)를 통해 소스 PCB(SPCB)에 연결될 수 있다. 시프트 레지스터의 구동에 필요한 게이트 타이밍 제어 신호 즉, 스타트 펄스(start pulse), 시프트 클럭(shift clock) 등은 COF 필름 상에 형성된 더미 채널 배선과, 표시패널(PNL)의 하부 기판 상에 형성된 LOG(Line On Glass) 배선들을 통해 GIP 회로에 공급될 수 있다. The timing controller TCON and the level shifter LS may be disposed on the control board CPCB. The control board (CPCB) can be connected to the source PCB (SPCB) through a flexible flat cable (FFC). The gate timing control signal, that is, the start pulse, the shift clock, and the like necessary for driving the shift register is supplied to the dummy channel wiring formed on the COF film and the LOG Line On Glass) wires to the GIP circuit.

도 2는 GIP 회로의 시프트 레지스터 구성 일부를 간략히 보여 주는 도면이다. 도 2에서 전원 배선이나 리셋 신호 배선은 생략되어 있다. 2 is a view schematically showing a part of the shift register configuration of the GIP circuit. In Fig. 2, power supply wiring and reset signal wiring are omitted.

도 2를 참조하면, GIP 회로는 타이밍 콘트롤러(TCON)의 제어 하에 게이트 펄스를 순차적으로 시프트하는 시프트 레지스터를 포함한다. 시프트 레지스터를 구성하는 트랜지스터들은 비정질 실리콘(a-Si)을 포함한 TFT, 산화물 반도체를 포함한 TFT(Oxide TFT), 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon, LTPS)을 포함한 TFT(LTPS TFT) 중 하나 이상을 포함할 수 있다. TFT는 MOSFET 구조의 트랜지스터들로 구현될 수 있다. 본 발명의 GIP 회로는 픽셀 어레이 내에 배치되기 때문에 픽셀들의 개구율 저하를 최소화하기 위하여 클럭 배선이나 구동 전압 배선 개수가 작고 필요한 TFT의 개수가 적은 회로가 바람직하다. Referring to FIG. 2, the GIP circuit includes a shift register that sequentially shifts gate pulses under the control of a timing controller (TCON). The transistors constituting the shift register include at least one of a TFT including amorphous silicon (a-Si), an oxide TFT including an oxide semiconductor, and a TFT including a low temperature polysilicon (LTPS) . The TFT can be implemented with transistors of MOSFET structure. Since the GIP circuit of the present invention is disposed in a pixel array, a circuit having a small number of clock wirings or a small number of driving voltage wires and requiring a small number of TFTs is desirable in order to minimize a drop in aperture ratio of pixels.

시프트 레지스터의 스테이지들((S(N-1)~S(N+1)) 각각은 풀업 트랜지스터(Pull-up transistor), 풀다운 트랜지스터(Pull-down transistor), 풀업 트랜지스터를 제어하는 Q 노드, 풀다운 트랜지스터를 제어하는 QB 노드, Q 노드와 QB 노드의 충방전을 제어하는 제어부를 포함한다. 스테이지들((S(N-1)~S(N+1)) 각각은 스타트 펄스 입력 단자로 수신되는 스타트 펄스 또는 이전 스테이지로부터 수신되는 캐리 신호에 응답하여 Q 노드를 프리 차징(pre-charging)한다. Q 노드가 프리 차징된 상태에서 시프트 클럭(CLK1~n)이 입력될 때 Q 노드와 클럭 단자 사이의 기생 용량을 통해 Q 노드가 부트스트랩(bootstrap)되어 풀업 트랜지스터의 게이트와 연결된 Q 노드의 전압이 더욱 상승된다. Q 노드의 전압이 부트스트랩될 때 풀업 트랜지스터를 통해 스테이지의 출력 단자 전압이 게이트 하이 전압(VGH)으로 상승되어 게이트 펄스가 출력되기 시작한다. 게이트 펄스는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL) 사이에서 스윙한다.Each of the stages S (N-1) to S (N + 1) of the shift register includes a pull-up transistor, a pull-down transistor, a Q node for controlling a pull- A QB node for controlling the transistor, and a control unit for controlling charging and discharging of the Q node and the QB node. Each of the stages S (N-1) to S (N + 1) The Q node is pre-charged in response to a start pulse or a carry signal received from a previous stage. When the shift clocks (CLK1 to CLKn) are input while the Q node is precharged, The Q node is bootstrapped through the parasitic capacitance of the pull-up transistor so that the voltage of the Q node connected to the gate of the pull-up transistor is further raised. When the voltage of the Q node is bootstrapped, Voltage (V GH) to start outputting a gate pulse. The gate pulse swings between the gate high voltage (VGH) and the gate low voltage (VGL).

캐리 신호는 도 2와 같이 전단 스테이지의 출력 전압 또는, 출력 신호와 동시에 발생되는 별도의 캐리 신호일 수 있다. 도 2에서 Vout(N-1), Vout(N), Vout(N+1)은 제n-1 내지 제n+1 스테이지의 출력 신호 즉, 게이트 펄스의 전압이다. The carry signal may be an output voltage of the front stage or a separate carry signal generated simultaneously with the output signal as shown in FIG. In FIG. 2, Vout (N-1), Vout (N), and Vout (N + 1) are the output signals of the n-1th to (n + 1) th stages, that is, the voltages of the gate pulses.

시프트 클럭(CLK1~CLKn)은 클럭이 순차적으로 시프트되는 4 상(phase) 또는 8 상 클럭일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 캐리 신호와 리셋 신호가 발생되는 스테이지의 위치는 도 2에 한정되지 않는다. The shift clocks CLK1 to CLKn may be four-phase or eight-phase clocks in which the clocks are sequentially shifted, but are not limited thereto. The positions of the carry signal and the stage where the reset signal is generated are not limited to those shown in Fig.

도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 GIP 회로와 그 입/출력 파형을 보여 주는 도면들이다. 3 and 4 are views showing a GIP circuit according to the first embodiment of the present invention and input / output waveforms thereof.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제N(N은 양의 정수) 스테이지(S(N))에는 스타트 펄스(VST), 시프트 클럭(CLK(N), CLK(N-1), CLK(N-2)), Vout(N-2), Vout(N+2), VSS 전압 등이 공급된다. VSS 전압은 게이트 로우 전압(VGL)으로 발생될 수 있다. 시프트 클럭에서, CLK(N-2), CLK(N-1), CLK(N) 순으로 위상이 시프트된다. Vout(N-2)는 제N-2 스테이지로부 출력된 캐리 신호이다. 제N-2 스테이지의 출력 신호(Vout(N-2))는 게이트 펄스로서 제N-2 게이트 라인에 공급됨과 동시에, 캐리 신호로서 제N 스테이지(S(N))의 VST 배선에 공급된다. 또한 제N-2 스테이지의 출력 신호(Vout(N-2))는 리셋 신호로서 제N-4 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다. Vout(N+2)는 제N+2 스테이지로부 출력된 리셋 신호이다. 제N+2 스테이지의 출력 신호(Vout(N+2))는 게이트 펄스로서 제N+2 게이트 라인에 공급됨과 동시에, 캐리 신호로서 제N+4 스테이지의 VST 배선에 공급된다. 또한 제N+2 스테이지의 출력 신호(Vout(N+2))는 리셋 신호로서 제N 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다.3 and 4, the start pulse VST, the shift clocks CLK (N), CLK (N-1), and CLK (N) are added to the Nth (N is a positive integer) -2), Vout (N-2), Vout (N + 2), VSS voltage, and the like. The VSS voltage may be generated as a gate-low voltage (VGL). In the shift clock, the phases are shifted in the order of CLK (N-2), CLK (N-1), and CLK (N). Vout (N-2) is a carry signal which is sub-output to the (N-2) th stage. The output signal Vout (N-2) of the (N-2) th stage is supplied to the (N-2) th gate line as a gate pulse and to the VST wiring of the Nth stage S (N) as a carry signal. Also, the output signal Vout (N-2) of the (N-2) th stage is supplied as a reset signal to the clock wiring or other gate line of the (N-4) th stage. And Vout (N + 2) is a reset signal which is sub-output to the (N + 2) th stage. The output signal Vout (N + 2) of the (N + 2) th stage is supplied to the (N + 2) th gate line as a gate pulse and to the VST wiring of the (N + 4) th stage as a carry signal. The output signal Vout (N + 2) of the (N + 2) -th stage is supplied to the clock wiring of the N-th stage or another gate line as a reset signal.

제N 스테이지(S(N))는 제1 내지 제5 TFT(T1~T5)를 포함한다. The Nth stage S (N) includes first to fifth TFTs T1 to T5.

제1 TFT(T1)는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Vout(N-2))에 응답하여 Q 노드를 프리 차징(pre-charging)한다. 제1 TFT(T1)의 게이트와 드레인은 VST 배선에 연결되어 다이오드로 동작한다. VST 배선에는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Vout(N-2))가 공급된다. 제1 TFT(T1)의 소스는 Q 노드(Q)에 연결된다. The first TFT T1 pre-charges the Q node in response to the start pulse VST or the carry signal Vout (N-2) received from the previous stage. The gate and the drain of the first TFT (T1) are connected to the VST wiring and operate as a diode. The VST wiring is supplied with the start pulse VST or the carry signal Vout (N-2) received from the previous stage. The source of the first TFT (T1) is connected to the Q node (Q).

제2 TFT(T2)는 다음 스테이지로부터 수신된 리셋 신호에 응답하여 Q 노드(Q)를 방전시킨다. 제2 TFT(T2)의 게이트는 다음 스테이지로부터 수신된 리셋 신호가 공급되는 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 연결된다. 제2 TFT(T2)의 드레인은 Q 노드(Q)에 연결된다. 제2 TFT(T2)의 소스는 VSS 단자에 연결된다. VSS 단자에 VSS 전압이 공급된다. The second TFT T2 discharges the Q node Q in response to a reset signal received from the next stage. The gate of the second TFT T2 is connected to the clock wiring or other gate line to which the reset signal received from the next stage is supplied. The drain of the second TFT (T2) is connected to the Q node (Q). The source of the second TFT (T2) is connected to the VSS terminal. VSS voltage is supplied to the VSS terminal.

제3 TFT(T3)는 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자에 CLK(N)을 공급함으로써 출력 단자의 전압(Vout(N))을 라이징시키는 풀업 트랜지스터(pull-up transistor)이다. Q 노드(Q)의 전압이 프리차징되어 VGH 만큼 충전되어 있을 때 CLK(N)이 입력되면 제3 TFT(T3)의 게이트 및 드레인 사이의 기생 용량을 통해 Q 노드가 부트스트래핑(bootstrapping)되어 2VGH 만큼 상승한다. 그 결과, 제3 TFT(T3)는 CLK(N)이 입력될 때 출력 단자의 전압을 CLK(N)의 전압으로 충전함으로써 게이트 펄스(Vout(N))를 라이징시킨다. 게이트 펄스(Vout(N))는 제N 게이트 라인에 공급됨과 동시에 제N+2 스테이지의 VST 배선에 캐리 신호로 공급되고 또한, 리셋 신호로서 제N-2 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다. 제3 TFT(T3)의 게이트는 Q 노드에 연결된다. 제3 TFT(T3)의 드레인은 CLK(N))이 수신되는 제1 클럭 배선에 연결되고, 제3 TFT(T3)의 소스는 출력 단자에 연결된다. The third TFT T3 is a pull-up transistor that increases the voltage Vout (N) at the output terminal by supplying CLK (N) to the output terminal in response to the Q-node voltage. When CLK (N) is input when the voltage of the Q node Q is precharged and charged to VGH, the Q node is bootstrapped through the parasitic capacitance between the gate and the drain of the third TFT T3 to form 2VGH . As a result, the third TFT T3 charges the gate pulse Vout (N) by charging the voltage of the output terminal to the voltage of CLK (N) when CLK (N) is input. The gate pulse Vout (N) is supplied to the Nth gate line and simultaneously supplied to the VST wiring of the (N + 2) -th stage as a carry signal and supplied to the clock wiring of the (N-2) do. The gate of the third TFT (T3) is connected to the Q node. The drain of the third TFT T3 is connected to the first clock wiring through which CLK (N) is received, and the source of the third TFT T3 is connected to the output terminal.

제4 TFT(T4)는 게이트 펄스가 라이징되기 전에 출력 단자의 전압을 방전시키는 풀다운 트랜지스터(pull-down transistor)이다. 제4 TFT(T4)는 CLK(N-2)에 응답하여 출력 단자의 전압을 방전시킨다. 제4 TFT(T4)의 게이트는 CLK(N-2)가 수신되는 제2 클럭 배선에 연결된다. 제4 TFT(T4)의 드레인은 출력 단자에 연결되고, 제4 TFT(T4)의 소스는 VSS 단자에 연결된다. The fourth TFT T4 is a pull-down transistor for discharging the voltage at the output terminal before the gate pulse is turned on. The fourth TFT T4 discharges the voltage at the output terminal in response to CLK (N-2). The gate of the fourth TFT T4 is connected to a second clock wiring through which CLK (N-2) is received. The drain of the fourth TFT T4 is connected to the output terminal, and the source of the fourth TFT T4 is connected to the VSS terminal.

제5 TFT(T5)는 CLK(N-1)에 응답하여 Q 노드를 방전시킨다. 제5 TFT(T5)의 게이트는 CLK(N-1)이 수신되는 제3 클럭 배선에 연결된다. 제5 TFT(T5)의 드레인은 Q 노드에 연결되고, 제5 TFT(T5)의 소스는 VSS 단자에 연결된다. The fifth TFT T5 discharges the Q node in response to CLK (N-1). The gate of the fifth TFT (T5) is connected to a third clock wiring through which CLK (N-1) is received. The drain of the fifth TFT (T5) is connected to the Q node, and the source of the fifth TFT (T5) is connected to the VSS terminal.

제N 스테이지(S(N))에 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 캐리 신호가 인가되면, 제1 TFT(T1)를 통해 공급되는 전압에 의해 Q 노드(Q)의 전압이 VGH 만큼 프리 차징된다. CLK(N)이 수신될 때, Q 노드 전압이 부트스트랩으로 인하여 2VGH 만큼 상승하고 그 결과, 제3 TFT(T3)가 턴-온되어 CLK(N)의 전압이 출력 단자를 충전시켜 게이트 펄스(Vout(N))가 라이징된다. 제2 TFT(T2)의 게이트에 다음 스테이지로부터 캐리 신호(Vout(N+2))가 수신되면, 제2 TFT(T2)는 턴-온되어 Q 노드를 방전시킨다. When the start pulse VST or the carry signal from the previous stage is applied to the Nth stage S (N), the voltage of the Q node Q is precharged by VGH by the voltage supplied through the first TFT T1 do. When the CLK (N) is received, the Q-node voltage rises by 2VGH due to the bootstrap, and consequently the third TFT T3 is turned on so that the voltage of CLK (N) charges the output terminal, Vout (N)) is increased. When the carry signal Vout (N + 2) is received from the next stage at the gate of the second TFT T2, the second TFT T2 is turned on to discharge the Q node.

본 발명의 제2 실시예에 따른 GIP는 도 5 및 도 6과 같이 TFT의 개수와 클럭 배선 및 전원 배선 수가 더 감소된다. 따라서, 전술한 제1 실시예에 비하여 도 5에 도시된 GIP 회로는 픽셀들의 개구율 저하를 줄이는데 더 효과적이다. 5 and 6, the number of TFTs, the number of clock wirings, and the number of power supply wirings are further reduced in the GIP according to the second embodiment of the present invention. Therefore, the GIP circuit shown in Fig. 5 in comparison with the first embodiment described above is more effective in reducing the aperture ratio drop of the pixels.

도 5 및 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 GIP 회로와 그 입/출력 파형을 보여 주는 도면들이다. 도 7은 도 5에 도시된 제N 스테이지 회로에서 Q 노드의 전압(Q-node)과 출력 전압(Vout(N))을 나타낸다. 5 and 6 are views showing a GIP circuit and its input / output waveform according to a second embodiment of the present invention. 7 shows the voltage (Q-node) and the output voltage Vout (N) of the Q node in the Nth stage circuit shown in FIG.

도 5 내지 도 7을 참조하면, 제N 스테이지(S(N))에는 스타트 펄스(VST), 시프트 클럭(CLK(N), CLK(N-2)), Vout(N-1), Vout(N-2)) 등이 공급된다. 스타트 펄스(VST)는 도면에서 생략되어 있다. 5 to 7, the start pulse VST, the shift clocks CLK (N) and CLK (N-2), Vout (N-1), Vout N-2)) and the like are supplied. The start pulse VST is omitted from the drawing.

시프트 클럭에서, CLK(N-2)과 CLK(N)은 서로 역위상으로 발생된다. Vout(N-2)는 제N-2 스테이지로부 출력된 캐리 신호이다. 제N-2 스테이지의 출력 신호(Vout(N-2))는 게이트 펄스로서 제N-2 게이트 라인에 공급됨과 동시에, 캐리 신호로서 제N 스테이지(S(N))의 VST 배선에 공급된다. 또한 제N-2 스테이지의 출력 신호(Vout(N-2))는 리셋 신호로서 제N-4 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다. Vout(N-1)는 제N-1 스테이지로부 출력된 리셋 신호이다. 제N-1 스테이지의 출력 신호(Vout(N-2))는 게이트 펄스로서 제N-1 게이트 라인에 공급됨과 동시에, 캐리 신호로서 제N+1 스테이지의 VST 배선에 공급된다. 또한 제N-1 스테이지의 출력 신호(Vout(N-1))는 리셋 신호로서 제N 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다. 따라서, 임의의 스테이지로부터 출력된 게이트 신호는 캐리 신호와 리셋 신호로서 다른 스테이지들에 인가된다. At the shift clock, CLK (N-2) and CLK (N) are generated in opposite phases to each other. Vout (N-2) is a carry signal which is sub-output to the (N-2) th stage. The output signal Vout (N-2) of the (N-2) th stage is supplied to the (N-2) th gate line as a gate pulse and to the VST wiring of the Nth stage S (N) as a carry signal. Also, the output signal Vout (N-2) of the (N-2) th stage is supplied as a reset signal to the clock wiring or other gate line of the (N-4) th stage. Vout (N-1) is a reset signal that is output to the (N-1) th stage. The output signal Vout (N-2) of the (N-1) th stage is supplied to the (N-1) th gate line as a gate pulse and to the VST wiring of the (N + 1) th stage as a carry signal. Also, the output signal Vout (N-1) of the (N-1) th stage is supplied as a reset signal to the clock wiring of the N-th stage or another gate line. Thus, the gate signal output from any stage is applied to the other stages as a carry signal and a reset signal.

제N 스테이지(S(N))는 제1 내지 제4 TFT(T11~T14)를 포함한다.The Nth stage S (N) includes the first to fourth TFTs T11 to T14.

제1 TFT(T11)는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Vout(N-2))에 응답하여 Q 노드를 충전시킨다. 제1 TFT(T11)의 게이트와 드레인은 VST 배선에 연결되어 다이오드로 동작한다. VST 배선에는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Vout(N-2))가 공급된다. 제1 TFT(T11)의 소스는 Q 노드(Q)에 연결된다. The first TFT T11 charges the Q node in response to the start pulse VST or the carry signal Vout (N-2) received from the previous stage. The gate and the drain of the first TFT (T11) are connected to the VST wiring and operate as a diode. The VST wiring is supplied with the start pulse VST or the carry signal Vout (N-2) received from the previous stage. The source of the first TFT (T11) is connected to the Q node (Q).

제2 TFT(T12)는 CLK(N-2)에 응답하여 Q 노드를 방전시킨다. 제2 TFT(T12)의 게이트는 CLK(N-2)이 수신되는 제1 클럭 배선에 연결된다. 제2 TFT(T12)의 드레인은 Q 노드에 연결되고, 제2 TFT(T12)의 소스는 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 연결된다. 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에는 이전 스테이지의 출력 신호 즉, 리셋 신호(Vout(N-1))가 수신된다. The second TFT T12 discharges the Q node in response to CLK (N-2). The gate of the second TFT (T12) is connected to the first clock wiring through which CLK (N-2) is received. The drain of the second TFT T12 is connected to the Q node and the source of the second TFT T12 is connected to the clock wiring or other gate line. The output signal of the previous stage, that is, the reset signal Vout (N-1), is received on the clock wiring or other gate line.

제3 TFT(T13)는 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자의 전압을 상승시키는 풀업 트랜지스터이다. 제3 TFT(T13)는 CLK(N)이 입력될 때 출력 단자의 전압을 CLK(N)의 전압으로 충전함으로써 게이트 펄스(Vout(N))를 라이징시킨다. 게이트 펄스(Vout(N))는 제N 게이트 라인에 공급됨과 동시에 제N+2 스테이지의 VST 배선에 캐리 신호로 공급되고 또한, 리셋 신호로서 제N+1 스테이지의 클럭 배선 또는 다른 게이트 라인에 공급된다. 제3 TFT(T13)의 게이트는 Q 노드에 연결된다. 제3 TFT(T13)의 드레인은 CLK(N)이 수신되는 제2 클럭 배선에 연결되고, 제3 TFT(T13)의 소스는 출력 단자에 연결된다.The third TFT T13 is a pull-up transistor for raising the voltage of the output terminal in response to the Q-node voltage. The third TFT T13 charges the gate pulse Vout (N) by charging the voltage of the output terminal to the voltage of CLK (N) when CLK (N) is input. The gate pulse Vout (N) is supplied to the Nth gate line and supplied to the VST wiring of the (N + 2) -th stage as a carry signal and supplied to the clock wiring of the (N + 1) do. The gate of the third TFT (T13) is connected to the Q node. The drain of the third TFT (T13) is connected to the second clock wiring through which CLK (N) is received, and the source of the third TFT (T13) is connected to the output terminal.

제4 TFT(T14)는 CLK(N-2)에 응답하여 출력 단자의 전압을 제2 클럭 배선을 통해 클럭 배선으로 방전시키는 풀다운 트랜지스터이다. 제4 TFT(T14)의 게이트는 CLK(N-2)가 수신되는 제1 클럭 배선에 연결된다. 제4 TFT(T4)의 드레인은 출력 단자에 연결되고, 제4 TFT(T14)의 소스는 제2 클럭 배선에 연결된다. The fourth TFT T14 is a pull-down transistor responsive to CLK (N-2) for discharging the voltage of the output terminal to the clock wiring via the second clock wiring. The gate of the fourth TFT (T14) is connected to a first clock wiring through which CLK (N-2) is received. The drain of the fourth TFT (T4) is connected to the output terminal, and the source of the fourth TFT (T14) is connected to the second clock wiring.

제N 스테이지(S(N))에 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 캐리 신호가 인가되면, 제1 TFT(T11)를 통해 공급되는 전압에 의해 Q 노드(Q)의 전압이 VGH 만큼 프리 차징된다. CLK(N)이 수신될 때, Q 노드 전압이 부트스트랩으로 인하여 2VGH 만큼 상승하고 그 결과, 제3 TFT(T13)가 턴-온되어 CLK(N)의 전압이 출력 단자를 충전시켜 게이트 펄스(Vout(N))가 라이징된다. CLK(N+2)가 제N 스테이지(S(N))에 수신될 때 제2 TFT(T12)는 턴-온되어 Q 노드를 방전시킨다. When the start pulse VST or the carry signal from the previous stage is applied to the Nth stage S (N), the voltage of the Q node Q is precharged by VGH by the voltage supplied through the first TFT T11 do. When the CLK (N) is received, the Q-node voltage rises by 2VGH due to the bootstrap, so that the third TFT T13 is turned on so that the voltage of CLK (N) charges the output terminal, Vout (N)) is increased. The second TFT T12 is turned on to discharge the Q node when CLK (N + 2) is received in the Nth stage S (N).

본 발명의 GIP 회로는 이하의 실시예와 같이 다양한 형태로 표시패널(PNL)의 픽셀 어레이(AA)에 분산 배치될 수 있다. The GIP circuit of the present invention can be distributedly arranged in the pixel array (AA) of the display panel (PNL) in various forms as in the following embodiments.

도 8a 내지 도 8c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제1 실시예를 보여 주는 도면들이다. 도 8a 내지 도 8c에 있어서, D1~D24는 데이터 라인(DL)의 번호이다. G1~G8은 게이트 라인(GL)의 번호이다. CLK1~CLK4는 클럭 배선들(CL1, CL2)을 통해 GIP 회로에 인가되는 시프트 클럭이다. 도 8a 내지 도 8c에서 점선으로 표시된 부분이 도 5와 같은 GIP 회로를 나타낸다. 도 9는 도 8a에 도시된 GIP 회로(A)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 8A to 8C are views showing a first embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array. 8A to 8C, D1 to D24 are the numbers of the data lines DL. G1 to G8 are the numbers of the gate lines GL. CLK1 to CLK4 are shift clocks applied to the GIP circuit through the clock wirings CL1 and CL2. 8A to 8C show the GIP circuit as shown in Fig. FIG. 9 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit A shown in FIG. 8A.

도 8a 내지 도 9를 참조하면, 픽셀 어레이(AA)는 데이터 라인들(D1~D24)과 게이트 라인들(G1~G8)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 픽셀 전극(PXL)과 픽셀 TFT를 포함한다. 또한, 픽셀 어레이(AA)는 점선으로 표시된 바와 같이 GIP 회로들이 분산 배치된다. 도 8a 내지 도 9에 도시된 GIP 회로는 도 5에 도시된 회로를 예시하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, GIP 회로는 도 3, 도 5, 도 15에 도시된 회로일 수 있다.8A to 9, the pixel array AA includes pixels arranged in a matrix form by the intersection structure of the data lines D1 to D24 and the gate lines G1 to G8. Each of the pixels includes a pixel electrode (PXL) and a pixel TFT. Also, the pixel array AA is distributedly arranged with the GIP circuits as indicated by dotted lines. The GIP circuit shown in Figs. 8A to 9 exemplifies the circuit shown in Fig. 5, but the present invention is not limited to this. For example, the GIP circuit may be the circuit shown in Figs. 3, 5, and 15. Fig.

픽셀 어레이(AA)는 GIP 회로에 시프트 클럭(CLK1~CLK4)을 전송하기 위한 클럭 배선들(CL1, CL2)이 배치된다. The pixel array AA is arranged with clock wirings CL1 and CL2 for transmitting the shift clocks CLK1 to CLK4 to the GIP circuit.

클럭 배선들(CL1, CL2)은 다양한 형태로 배치될 수 있다. 도 8a 내지 도 9의 경우에, 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)은 좌우로 이웃한 픽셀들 사이의 공간을 가로 질로 수직 방향(도 1, Y축 방향)을 따라 길게 형성된다. 이 클럭 배선들(CL1, CL2)은 데이터 라인들(DL)과 나란하다. 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)이 배치되는 픽셀들 간의 공간에는 데이터 라인이 배치되지 않는다. 이는 데이터 라인(DL)과 함께 클럭 배선들(CL1, CL2)이 가까이 배치되면 좌우 픽셀들 간의 간격이 넓어질 수 있을 뿐 아니라 데이터 라인(DL)과 클럭 배선들(CL1, CL2)의 커플링(Coupling)으로 인하여 상호 전기적으로 악영향을 줄 수 있기 때문이다. The clock wirings CL1 and CL2 may be arranged in various forms. 8A to 9, the pair of clock wirings CL1 and CL2 are elongated along the vertical direction (the Y-axis direction in FIG. 1) across the space between the right and left neighboring pixels. These clock wirings CL1 and CL2 are parallel to the data lines DL. The data line is not arranged in the space between the pixels where the pair of clock wirings CL1 and CL2 are arranged. This is because when the clock lines CL1 and CL2 are disposed close to the data line DL, the interval between the left and right pixels can be widened and the coupling between the data line DL and the clock lines CL1 and CL2 Coupling can cause mutual electrical adverse effects.

한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)이 배치되는 공간을 확보하기 위하여, 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)을 사이에 두고 픽셀들의 구조가 좌우 대칭(symmetry) 구조로 설계되어 좌우로 이웃한 픽셀들 사이에 데이터 라인이 없는 공간을 확보할 수 있다. 도 8a 내지 도 8c의 예에서, 한쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)은 D3과 D4 사이의 CLK1-CLK3, D9와 D10 사이의 CLK2-CLK4, D15와 D16 사이의 CLK3-CLK1, D21과 D22 사이의 CLK4-CLK2 등이다. 이렇게 클럭 배선들(CL1, CL2)과 GIP 회로가 픽셀 어레이(AA)에 배치되면, 표시패널(PNL)의 좌우 베젤 영역에서 클럭 배선과 GIP 회로가 제거되므로 그 베젤 영역이 최소화된다. In order to secure a space in which a pair of clock wirings CL1 and CL2 are disposed, the structure of pixels is designed in a symmetrical structure with a pair of clock wirings CL1 and CL2 therebetween, It is possible to secure a space in which there is no data line between neighboring pixels. 8A to 8C, the pair of clock wirings CL1 and CL2 is composed of CLK1-CLK3 between D3 and D4, CLK2-CLK4 between D9 and D10, CLK3-CLK1 between D15 and D16, D21 and D22 CLK4-CLK2 < / RTI > When the clock wirings CL1 and CL2 and the GIP circuit are arranged in the pixel array AA, the clock wiring and the GIP circuit are removed from the left and right bezel regions of the display panel PNL, thereby minimizing the bezel area.

픽셀들이 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)을 사이에 두고 좌우 대칭으로 설계되면, 좌우로 이웃한 픽셀들 사이에 한 쌍의 데이터 라인이 배치될 수 있다. 도 8a 내지 도 8c의 예에서, 한쌍의 데이터 라인들은 D5와 D8 사이의 D6-D7, D11과 D14 사이의 D12-D13, D17과 D20 사이의 D18-D19 등이다. If pixels are designed to be horizontally symmetrical with a pair of clock wirings CL1 and CL2 interposed therebetween, a pair of data lines may be disposed between the left and right neighboring pixels. 8A-8C, the pair of data lines are D6-D7 between D5 and D8, D12-D13 between D11 and D14, D18-D19 between D17 and D20, and so on.

좌우 픽셀들 사이에서 데이터 라인(DL) 없이 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)을 배치할 수 있는 다른 방법은 DRD(Double rate driving) 타입의 픽셀 어레이(AA)를 적용하는 것이다. DRD 타입의 픽셀 어레이에서 좌우(도 1, X축 방향)로 이웃한 서브 픽셀들이 하나의 데이터 라인을 공유하기 때문에 데이터 라인들의 개수가 1/2로 감소되고 그에 따라 소스 드라이브 IC의 개수가 감소된다. 데이터 라인들의 감소로 인하여 좌우로 이웃한 서브 픽셀들 사이에 데이터 라인이 없는 공간이 확보된다. 이러한 공간에 한쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)이 배치될 수 있다. Another method of arranging the pair of clock wirings CL1 and CL2 between the left and right pixels without the data line DL is to apply the pixel array AA of the double rate driving type. In the DRD type pixel array, the number of data lines is reduced to 1/2 because the subpixels neighboring in the right and left (in the X-axis direction in Fig. 1) share one data line, thereby reducing the number of source driver ICs . Due to the reduction of the data lines, a space free of data lines is ensured between the left and right neighboring sub-pixels. A pair of clock wirings CL1 and CL2 may be arranged in this space.

스타트 펄스(VST)는 VST 배선을 통해 제1 게이트 라인(G1)에 직접 인가되거나 도시하지 않은 더미 스테이지(Dummy stage)를 통해 제1 게이트 라인(G1)에 공급된다. 게이트 라인들(G1~G8)은 시프트 레지스터의 출력 단자들에 각각 연결되어 그 출력 단자들을 통해 게이트 펄스를 공급 받는다. 또한, 게이트 라인들은 다른 스테이지들에 캐리 신호 또는 리셋 신호를 공급한다. 게이트 라인, 캐리 신호 라인, 리셋 라인이 분리되지 않기 때문에 배선 수를 줄일 수 있기 때문에 픽셀의 개구율을 더 줄일 수 있다. The start pulse VST is applied to the first gate line G1 through the VST wiring line or to the first gate line G1 through a dummy stage not shown. The gate lines G1 to G8 are respectively connected to the output terminals of the shift register and are supplied with gate pulses through their output terminals. In addition, the gate lines supply a carry signal or a reset signal to the other stages. Since the gate lines, carry signal lines, and reset lines are not separated, the number of wires can be reduced, which further reduces the aperture ratio of the pixels.

도 10a 내지 도 10c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제2 실시예를 보여 주는 도면들이다. 도 11은 도 10a에 도시된 GIP 회로(B)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 도 10a 내지 도 10c에 있어서, D1~D24는 데이터 라인(DL)의 번호이다. G1~G8은 게이트 라인(GL)의 번호이다. CLK1~CLK4는 클럭 배선들(CLV, CLH)을 통해 GIP 회로에 인가되는 시프트 클럭이다. 도 10a 내지 도 10c에서 점선으로 표시된 부분이 도 5와 같은 GIP 회로를 나타낸다. 도 11은 도 10a에 도시된 GIP 회로(B)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 10A to 10C are views showing a second embodiment in which a GIP circuit is embedded in a panel array. 11 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit B shown in Fig. 10A. 10A to 10C, D1 to D24 are the numbers of the data lines DL. G1 to G8 are the numbers of the gate lines GL. CLK1 to CLK4 are shift clocks applied to the GIP circuit through clock wirings (CLV, CLH). 10A to 10C show the GIP circuit as shown in Fig. 11 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit B shown in Fig. 10A.

도 10a 내지 도 11을 참조하면, 픽셀 어레이(AA)는 데이터 라인들(D1~D24)과 게이트 라인들(G1~G8)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 픽셀 전극(PXL)과 픽셀 TFT를 포함한다. 또한, 픽셀 어레이(AA)는 점선으로 표시된 바와 같이 GIP 회로들이 분산 배치된다. 도 10a 내지 도 11에 도시된 GIP 회로는 도 5에 도시된 회로를 예시하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, GIP 회로는 도 3, 도 5, 도 15에 도시된 회로일 수 있다.10A to 11, the pixel array AA includes pixels arranged in a matrix form by an intersection structure of the data lines D1 to D24 and the gate lines G1 to G8. Each of the pixels includes a pixel electrode (PXL) and a pixel TFT. Also, the pixel array AA is distributedly arranged with the GIP circuits as indicated by dotted lines. The GIP circuit shown in Figs. 10A to 11 exemplifies the circuit shown in Fig. 5, but the present invention is not limited thereto. For example, the GIP circuit may be the circuit shown in Figs. 3, 5, and 15. Fig.

픽셀 어레이(AA)는 GIP 회로에 시프트 클럭(CLK1~CLK4)을 전송하기 위한 클럭 배선들(CLV, CLH)이 배치된다. 클럭 배선들(CLV, CLH)은 데이터 라인들(DL)과 나란한 제1 클럭 배선(CLV)과, 제1 클럭 배선(CLV)과 교차되고 게이트 라인들(GL)과 나란한 제2 클럭 배선(CLH)을 포함한다. 제1 클럭 배선(CLV)과 제2 클럭 배선(CLH)은 절연층을 사이에 두고 교차된다. 동일한 시프트 클럭이 인가되는 제1 및 제2 클럭 배선들(CLV, CLH)은 그 교차부에서 절연층을 관통하는 콘택홀(Contact hole)을 통해 서로 연결된다. 이러한 클럭 배선들(CLV, CLH)이 배치된 픽셀 어레이(AA)는 도 8a 내지 도 8c에 도시된 픽셀 어레이(AA)에 비하여 수직 방향의 클럭 배선 수를 줄일 수 있지만 수평 방향의 클럭 배선 수가 추가된다. The pixel array AA is arranged with clock wirings CLV and CLH for transmitting the shift clocks CLK1 to CLK4 to the GIP circuit. The clock wirings CLV and CLH are connected to the first clock wiring CLV parallel to the data lines DL and the second clock wiring CLH crossing the first clock wiring CLV and the gate lines GL. ). The first clock wiring (CLV) and the second clock wiring (CLH) are intersected with each other with an insulating layer interposed therebetween. The first and second clock wirings (CLV, CLH) to which the same shift clock is applied are connected to each other through a contact hole passing through the insulating layer at the intersection. The pixel array AA in which the clock wirings CLV and CLH are disposed can reduce the number of clock wirings in the vertical direction as compared with the pixel array AA shown in Figs. 8A to 8C, do.

제1 클럭 배선(CLV)은 좌우로 이웃한 픽셀들 사이의 공간을 가로 질로 수직 방향을 따라 길게 형성된다. GIP 회로의 스테이지 회로는 제1 클럭 배선(CLV)을 따라 수직 방향으로 길게 배치될 수 있다. 제1 클럭 배선(CLV)과 GIP 회로가 배치된 부분에 데이터 라인이 배치되지 않는다. 이는 데이터 라인(DL)과 함께 클럭 배선(CLV)과 GIP 회로가 배치되면 좌우 픽셀들 간의 간격이 넓어질 수 있을 뿐 아니라 데이터 라인(DL)과 클럭 배선(CLV) 사이의 커플링으로 인하여 상호 전기적으로 악영향을 줄 수 있기 때문이다. The first clock wiring (CLV) is formed long along the vertical direction across the space between the left and right neighboring pixels. The stage circuit of the GIP circuit may be arranged long in the vertical direction along the first clock wiring (CLV). The data line is not disposed in the portion where the first clock wiring (CLV) and the GIP circuit are arranged. This is because when the clock line CLV and the GIP circuit together with the data line DL are arranged, the interval between the left and right pixels can be widened and the coupling between the data line DL and the clock wiring CLV can be electrically This can adversely affect.

제1 클럭 배선(CLV)이 배치되는 공간을 확보하기 위하여, 제1 클럭 배선들(CLV)을 사이에 두고 픽셀들의 구조가 좌우 대칭으로 설계되어 좌우로 이웃한 픽셀들 사이에 데이터 라인이 없는 공간을 확보할 수 있다. 도 10a 내지 도 10c의 예에서, 제1 클럭 배선(CLV)과 GIP 회로는 D3과 D4 사이의 CLK1, D9와 D10 사이의 CLK2, D15와 D16 사이의 CLK3, D21과 D22 사이의 CLK4 등에 배치된다. In order to secure a space in which the first clock wiring (CLV) is disposed, the structures of the pixels are designed in a bilaterally symmetrical manner with the first clock wirings (CLV) therebetween so that there is no space between the left and right neighboring pixels . 10A to 10C, the first clock wiring (CLV) and the GIP circuit are arranged between CLK1 between D3 and D4, CLK2 between D9 and D10, CLK3 between D15 and D16, CLK4 between D21 and D22 and the like .

픽셀들이 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)을 사이에 두고 좌우 대칭으로 설계되면, 좌우로 이웃한 픽셀들 사이에 한 쌍의 데이터 라인이 배치될 수 있다. 도 10a 내지 도 10c의 예에서, 한쌍의 데이터 라인들은 D5와 D8 사이의 D6-D7, D11과 D14 사이의 D12-D13, D17과 D20 사이의 D18-D19 등이다. If pixels are designed to be horizontally symmetrical with a pair of clock wirings CL1 and CL2 interposed therebetween, a pair of data lines may be disposed between the left and right neighboring pixels. 10A-10C, the pair of data lines are D6-D7 between D5 and D8, D12-D13 between D11 and D14, D18-D19 between D17 and D20, and so on.

좌우 픽셀들 사이에서 데이터 라인(DL) 없이 한 쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)을 배치할 수 있는 다른 방법은 DRD(Double rate driving) 타입의 픽셀 어레이(AA)를 적용하는 것이다. DRD 타입의 픽셀 어레이에서 좌우(도 1, X축 방향)로 이웃한 서브 픽셀들이 하나의 데이터 라인을 공유하기 때문에 데이터 라인들의 개수가 1/2로 감소되고 그에 따라 소스 드라이브 IC의 개수가 감소된다. 데이터 라인들의 감소로 인하여 좌우로 이웃한 서브 픽셀들 사이에 데이터 라인이 없는 공간이 확보된다. 이러한 공간에 한쌍의 클럭 배선들(CL1, CL2)이 배치될 수 있다. Another method of arranging the pair of clock wirings CL1 and CL2 between the left and right pixels without the data line DL is to apply the pixel array AA of the double rate driving type. In the DRD type pixel array, the number of data lines is reduced to 1/2 because the subpixels neighboring in the right and left (in the X-axis direction in Fig. 1) share one data line, thereby reducing the number of source driver ICs . Due to the reduction of the data lines, a space free of data lines is ensured between the left and right neighboring sub-pixels. A pair of clock wirings CL1 and CL2 may be arranged in this space.

스타트 펄스(VST)는 VST 배선을 통해 제1 게이트 라인(G1)에 직접 인가되거나 도시하지 않은 더미 스테이지(Dummy stage)를 통해 제1 게이트 라인(G1)에 공급된다. 게이트 라인들(G1~G8)은 시프트 레지스터의 출력 단자들에 각각 연결되어 그 출력 단자들을 통해 게이트 펄스를 공급 받는다. 또한, 게이트 라인들은 다른 스테이지들에 캐리 신호 또는 리셋 신호를 공급한다. 게이트 라인, 캐리 신호 라인, 리셋 라인이 분리되지 않기 때문에 배선 수를 줄일 수 있기 때문에 픽셀의 개구율을 더 줄일 수 있다. The start pulse VST is applied to the first gate line G1 through the VST wiring line or to the first gate line G1 through a dummy stage not shown. The gate lines G1 to G8 are respectively connected to the output terminals of the shift register and are supplied with gate pulses through their output terminals. In addition, the gate lines supply a carry signal or a reset signal to the other stages. Since the gate lines, carry signal lines, and reset lines are not separated, the number of wires can be reduced, which further reduces the aperture ratio of the pixels.

도 12a 내지 도 12c는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제3 실시예를 보여 주는 도면들이다. 도 13은 도 12a에 도시된 GIP 회로(C)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 도 12a 내지 도 12c에 있어서, D1~D24는 데이터 라인(DL)의 번호이다. G1~G8은 게이트 라인(GL)의 번호이다. CLK1~CLK4는 클럭 배선들(CLV, CLH)을 통해 GIP 회로에 인가되는 시프트 클럭이다. 도 12a 내지 도 12c에서 점선으로 표시된 부분이 도 5와 같은 GIP 회로를 나타낸다. 도 13은 도 12a에 도시된 GIP 회로(C)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 12A to 12C are views showing a third embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array. 13 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit C shown in Fig. 12A. 12A to 12C, D1 to D24 are the numbers of the data lines DL. G1 to G8 are the numbers of the gate lines GL. CLK1 to CLK4 are shift clocks applied to the GIP circuit through clock wirings (CLV, CLH). 12A to 12C show the GIP circuit as shown in Fig. 13 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit C shown in Fig. 12A.

도 12a 내지 도 13을 참조하면, 픽셀 어레이(AA)는 데이터 라인들(D1~D24)과 게이트 라인들(G1~G8)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함한다. 픽셀들 각각은 픽셀 전극(PXL)과 픽셀 TFT를 포함한다. 또한, 픽셀 어레이(AA)는 점선으로 표시된 바와 같이 GIP 회로들이 분산 배치된다. 도 12a 내지 도 13에 도시된 GIP 회로는 도 5에 도시된 회로를 예시하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, GIP 회로는 도 3, 도 5, 도 15에 도시된 회로일 수 있다.12A to 13, the pixel array AA includes pixels arranged in a matrix form by an intersection structure of the data lines D1 to D24 and the gate lines G1 to G8. Each of the pixels includes a pixel electrode (PXL) and a pixel TFT. Also, the pixel array AA is distributedly arranged with the GIP circuits as indicated by dotted lines. The GIP circuit shown in FIGS. 12A to 13 exemplifies the circuit shown in FIG. 5, but the present invention is not limited to this. For example, the GIP circuit may be the circuit shown in Figs. 3, 5, and 15. Fig.

픽셀 어레이(AA)는 GIP 회로에 시프트 클럭(CLK1~CLK4)을 전송하기 위한 클럭 배선들(CLV, CLH)이 배치된다. 클럭 배선들(CLV, CLH)은 데이터 라인들(DL)과 나란한 제1 클럭 배선(CLV)과, 제1 클럭 배선(CLV)과 교차되고 게이트 라인들(GL)과 나란한 제2 클럭 배선(CLH)을 포함한다. 제1 클럭 배선(CLV)과 제2 클럭 배선(CLH)은 절연층을 사이에 두고 교차된다. 동일한 시프트 클럭이 인가되는 제1 및 제2 클럭 배선들(CLV, CLH)은 그 교차부에서 절연층을 관통하는 콘택홀을 통해 서로 연결된다. 이 실시예는 전술한 제2 실시예와 비교할 때 제2 클럭 배선(CLH)에서 구동에 불필요한 부분이 삭제된 것에서 차이가 있지만 전체적으로 유사하다.The pixel array AA is arranged with clock wirings CLV and CLH for transmitting the shift clocks CLK1 to CLK4 to the GIP circuit. The clock wirings CLV and CLH are connected to the first clock wiring CLV parallel to the data lines DL and the second clock wiring CLH crossing the first clock wiring CLV and the gate lines GL. ). The first clock wiring (CLV) and the second clock wiring (CLH) are intersected with each other with an insulating layer interposed therebetween. The first and second clock wirings (CLV, CLH) to which the same shift clock is applied are connected to each other through a contact hole passing through the insulating layer at the intersection. This embodiment is entirely similar to the second embodiment described above except that the portion unnecessary for driving in the second clock wiring CLH is removed.

도 14는 GIP 회로를 패널 어레이에 내장한 제4 실시예를 보여 주는 도면들이다. 도 15는 도 14에 도시된 GIP 회로(D)를 확대하여 보여 주는 회로도이다. 이 실시예는 GIP 회로를 픽셀 TFT와 연결하고 게이트 라인을 수평 방향의 클럭 배선으로 활용함으로써 GIP 구동에 필요한 배선 개수와 트랜지스터 개수를 더욱 줄인다.14 is a view showing a fourth embodiment in which a GIP circuit is incorporated in a panel array. 15 is a circuit diagram showing an enlarged view of the GIP circuit D shown in Fig. This embodiment further reduces the number of wirings and the number of transistors necessary for driving the GIP by connecting the GIP circuit to the pixel TFT and the gate line as the horizontal clock wiring.

도 14 및 도 15를 참조하면, 수직 클럭 배선들은 데이터 라인들과 나란하게 배치된다. 게이트 라인들은 수평 클럭 배선 역할을 겸한다. 따라서, 이 실시예는 별도의 수평 클럭 배선이 없다. 수직 클럭 배선과 게이트 라인은 절연층을 사이에 두고 교차된다. 동일한 시프트 클럭이 인가되는 수직 클럭 배선과 게이트 라인은 그 교차부에서 절연층을 관통하는 콘택홀을 통해 서로 연결된다.14 and 15, the vertical clock wirings are arranged in parallel with the data lines. The gate lines also serve as a horizontal clock wiring. Thus, this embodiment has no separate horizontal clock wiring. The vertical clock wirings and gate lines are crossed with an insulating layer interposed therebetween. The vertical clock wirings and the gate lines to which the same shift clock is applied are connected to each other through the contact holes passing through the insulating layer at the intersections.

GIP 회로에서, 3 개의 TFT들(T21~T23)이 표시패널(PNL)의 제N(N은 양의 정수) 라인에 배치된 제1 픽셀 TFT(TFT1)과 제1 픽셀 전극에 연결된다. 제1 TFT(T21)는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호에 응답하여 Q1 노드를 프리 차징한다. 제1 TFT(T21)의 게이트와 드레인은 게이트 라인과 나란한 VST 배선에 연결되어 다이오드로 동작한다. VST 배선에는 스타트 펄스(VST) 또는 이전 스테이지로부터 수신된 캐리 신호(Vout(N-2))가 공급된다. 제1 TFT(T21)의 소스는 Q 노드(Q)에 연결된다. In the GIP circuit, three TFTs (T21 to T23) are connected to the first pixel TFT (TFT1) and the first pixel electrode arranged in the Nth (N is a positive integer) line of the display panel (PNL). The first TFT T21 precharges the Q1 node in response to the start pulse VST or the carry signal received from the previous stage. The gate and the drain of the first TFT (T21) are connected to the VST line parallel to the gate line and operate as a diode. The VST wiring is supplied with the start pulse VST or the carry signal Vout (N-2) received from the previous stage. The source of the first TFT (T21) is connected to the Q node (Q).

제2 TFT(T22)는 제2 게이트 라인(G2)의 전압에 응답하여 Q1 노드를 방전시킨다. 제2 TFT(T22)의 게이트는 제2 게이트 라인(G2)에 연결된다. 제2 게이트 라인(G2)에는 CLK2가 인가되고 제N+1 라인의 제3 TFT(T23)를 통해 제2 게이트 펄스가 인가된다. 게이트 라인(G2)에는 CLK2가 인가될 때 VST 배선은 로우 레벨 전압을 유지하기 때문에 제2 TFT(T22)가 턴-온될 때 Q1 노드의 전압이 VST 배선 전위까지 방전된다. 제2 TFT(TT22)의 드레인은 Q1 노드에 연결되고, 제2 TFT(T22)의 소스는 제2 게이트 라인(G2)에 연결된다.The second TFT T22 discharges the node Q1 in response to the voltage of the second gate line G2. The gate of the second TFT T22 is connected to the second gate line G2. CLK2 is applied to the second gate line G2 and a second gate pulse is applied through the third TFT T23 of the (N + 1) -th line. Since the VST wiring maintains the low level voltage when CLK2 is applied to the gate line G2, the voltage of the node Q1 is discharged to the VST wiring potential when the second TFT T22 is turned on. The drain of the second TFT (TT22) is connected to the node Q1, and the source of the second TFT (T22) is connected to the second gate line G2.

제3 TFT(T23)는 Q1 노드 전압에 응답하여 제1 게이트 라인(G1)의 전압에 응답하여 제N+1 라인의 Q2 노드를 프리 차징한다. 제1 게이트 라인(G1)에는 CLK1이 인가된다. Q1 노드가 충전될 때에만 제3 TFT(T23)가 턴-온되기 때문에 Q1 노드가 충전된 상태에서 CLK1이 제1 게이트 라인(G1)에 인가될 때에만 Q2 노드가 충전된다. 제3 TFT(T23)의 게이트는 Q1 노드에 연결된다. 제3 TFT(T23)의 드레인은 CLK1이 수신되는 제1 게이트 라인(G1)에 연결되고, 제3 TFT(T23)의 소스는 Q2 노드에 연결된다.The third TFT T23 pre-charges the Q2 node of the (N + 1) th line in response to the voltage of the first gate line G1 in response to the Q1 node voltage. CLK1 is applied to the first gate line G1. Since the third TFT (T23) is turned on only when the node Q1 is charged, the node Q2 is charged only when the node Q1 is charged and the node CLK1 is applied to the first gate line G1. The gate of the third TFT (T23) is connected to the node Q1. The drain of the third TFT T23 is connected to the first gate line G1 for receiving CLK1 and the source of the third TFT T23 is connected to the node Q2.

제1 픽셀 TFT(TFT1)와 제1 픽셀 전극(PXL1) 사이에 제4 TFT(T24)가 배치된다. 제4 TFT(T24)는 Q1 노드가 충전될 때 턴-온되어 제1 픽셀 TFT(TFT1)를 제1 픽셀 전극(PXL1)에 연결한다. 제4 TFT(T24)로 인하여, 제1 픽셀 TFT(TFT1)이 턴-온되고 Q1 노드가 충전될 때에만 제1 픽셀 전극(PXL1)에 데이터 전압이 공급된다. 제4 TFT(T24)의 게이트는 Q1 노드에 연결된다. 제4 TFT(T24)의 드레인은 제1 픽셀 TFT(TFT1)의 소스에 연결되고, 제4 TFT(T24)의 소스는 제1 픽셀 전극(PXL1)에 연결된다. A fourth TFT (T24) is disposed between the first pixel TFT (TFT1) and the first pixel electrode (PXL1). The fourth TFT (T24) is turned on when the node Q1 is charged to connect the first pixel TFT (TFT1) to the first pixel electrode (PXL1). Due to the fourth TFT (T24), the data voltage is supplied to the first pixel electrode (PXL1) only when the first pixel TFT (TFT1) is turned on and the node Q1 is charged. The gate of the fourth TFT (T24) is connected to the node Q1. The drain of the fourth TFT T24 is connected to the source of the first pixel TFT (TFT1), and the source of the fourth TFT T24 is connected to the first pixel electrode PXL1.

제1 픽셀 TFT(TFT1)는 제1 게이트 라인(G1)으로부터의 제1 게이트 펄스에 응답하여 턴-온되어 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 전압을 제4 TFT(T24)에 공급한다. 제1 게이트 펄스는 CLK1 전압으로 라이징된다. 제1 픽셀 TFT(TFT1)의 게이트는 제1 게이트 라인에 연결된다. 제1 픽셀 TFT(TFT1)의 드레인은 데이터 라인(DL)에 연결되고, 제1 픽셀 TFT(TFT1)의 소스는 제4 TFT (T24)의 드레인에 연결된다. The first pixel TFT (TFT1) is turned on in response to the first gate pulse from the first gate line G1 to supply the data voltage from the data line DL to the fourth TFT (T24). The first gate pulse is raised to the CLK1 voltage. The gate of the first pixel TFT (TFT1) is connected to the first gate line. The drain of the first pixel TFT (TFT1) is connected to the data line (DL), and the source of the first pixel TFT (TFT1) is connected to the drain of the fourth TFT (T24).

GIP 회로에서, 2 개의 TFT들(T22, T23)이 표시패널(PNL)의 제N+1 라인에 배치된 제2 픽셀 TFT(TFT2)와 제2 픽셀 전극(PXL)에 연결된다. 이 스위치들의 동작은 전술한 바와 유사하므로 그에 대한 설명을 생략한다. 제2 게이트 라인(G2)에는 수직 클럭 배선을 통해 CLK2이 인가된다. In the GIP circuit, two TFTs T22 and T23 are connected to the second pixel TFT (TFT2) and the second pixel electrode PXL disposed in the (N + 1) th line of the display panel PNL. Since the operation of these switches is similar to that described above, a description thereof will be omitted. CLK2 is applied to the second gate line G2 through the vertical clock line.

도 17은 및 도 18은 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에서 클럭 배선들을 보여 주는 도면이다. 17 and 18 are diagrams illustrating clock wirings in a bezel region outside the pixel array.

도 17 및 도 18을 참조하면, 픽셀 어레이(AA) 밖의 베젤 영역(BA)에 클럭 배선들과 VST 배선이 배치될 수 있다. 베젤 영역(BA)에 소스 드라이브 IC가 접착되거나 소스 드라이브 IC가 실장된 COF가 접착될 수 있다. 17 and 18, clock wirings and VST wiring may be disposed in a bezel area BA outside the pixel array AA. The source drive IC may be adhered to the bezel area BA or the COF on which the source drive IC is mounted may be adhered.

도 17에서, 베젤 영역(BA)은 수평 방향의 클럭 배선들을 포함한다. “CLK Link”는 베젤 영역(BA)에 배치된 수평 방향의 클럭 배선들이 픽셀 어레이(AA)의 수직 클럭 배선들과 연결되는 부분이다. “Data Link”는 소스 드라이브 IC 또는 COF의 출력 단자들과 데이터 라인들(DL)이 연결되는 부분이다. 17, the bezel area BA includes clock wirings in the horizontal direction. The " CLK Link " is the portion where the horizontal clock wirings arranged in the bezel area BA are connected to the vertical clock wirings of the pixel array AA. The " Data Link " is the portion to which the output terminals of the source drive IC or COF and the data lines DL are connected.

도 18은 베젤 영역(BA)에 수평 방향의 클럭 배선들이 없는 예이다. 도 18에서 “CLK Link”는 베젤 영역(BA)의 수직 클럭 배선들이 픽셀 어레이(AA)로 그대로 연장되는 예이다. 18 shows an example in which there are no horizontal clock wirings in the bezel area BA. In Fig. 18, " CLK Link " is an example in which the vertical clock wirings in the bezel area BA are extended as they are to the pixel array AA.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

PNL : 표시패널 SIC : 소스 드라이브 IC
104 : 게이트 구동부 TCON : 타이밍 콘트롤러
A-D : GIP 회로 DL(D1~D24) : 데이터 라인
GL(G1~G8) : 게이트 라인 CL, CL1, CL2, CLV, CLH : 클럭 배선
TFT : 픽셀 TFT T1~T5, T11~T14, T21~T24 : GIP 회로의 트랜지스터
PNL: Display panel SIC: Source drive IC
104: Gate driver TCON: Timing controller
AD: GIP circuit DL (D1 to D24): Data line
GL (G1 to G8): Gate line CL, CL1, CL2, CLV, CLH: Clock wiring
TFT: Pixel TFTs T1 to T5, T11 to T14, T21 to T24: transistors of a GIP circuit

Claims (8)

데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 픽셀 TFT와 픽셀 전극을 갖는 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이; 및
상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치된 시프트 레지스터를 포함하고,
상기 픽셀 어레이는 상기 시프트 레지스터에 시프트 클럭을 공급하는 클럭 배선들을 포함하는 표시패널.
A pixel array in which data lines and gate lines are crossed, pixels having pixel TFTs and pixel electrodes are arranged in a matrix form; And
And a shift register distributed within the pixel array,
Wherein the pixel array includes clock wirings for supplying a shift clock to the shift register.
제 1 항에 있어서,
상기 시프트 레지스터는,
스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT;
다음 스테이지의 출력 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT;
제N(N은 양의 정수) 클럭 신호가 입력될 때 상기 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자를 충전시켜 상기 게이트 펄스의 전압을 상승시키는 제3 TFT;
제N-2 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 방전시키는 제4 TFT;
제N-1 클럭 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제5 TFT를 포함하는 표시패널.
The method according to claim 1,
The shift register includes:
A first TFT which charges the Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage;
A second TFT for discharging the Q node in response to an output signal of a next stage;
A third TFT for charging the output terminal in response to the Q-node voltage when the N-th (N is a positive integer) clock signal is input to raise the voltage of the gate pulse;
A fourth TFT for discharging a voltage of the output terminal in response to an (N-2) -th clock signal;
And a fifth TFT for discharging the Q node in response to the (N-1) -th clock signal.
제 1 항에 있어서,
상기 시프트 레지스터는
스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT;
제N(N은 양의 정수) 클럭 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT;
상기 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자의 전압을 충전하여 상기 게이트 펄스의 전압을 상승시키는 제3 TFT; 및
상기 제N 클럭 신호에 대하여 역위상으로 발생되는 제N-2 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 상기 제N 클럭 신호가 공급되는 클럭 배선으로 방전시키는 제4 TFT를 포함하는 표시패널.
The method according to claim 1,
The shift register
A first TFT which charges the Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage;
A second TFT for discharging the Q node in response to a Nth (N is a positive integer) clock signal;
A third TFT which charges the voltage of the output terminal in response to the Q node voltage to raise the voltage of the gate pulse; And
And a fourth TFT for discharging a voltage of the output terminal to a clock wiring supplied with the Nth clock signal in response to an (N-2) th clock signal generated in an opposite phase to the Nth clock signal.
제 1 항에 있어서,
상기 시프트 레지스터는
스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 제1 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT;
제2 게이트 라인의 전압에 응답하여 상기 제1 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT; 및
상기 Q1 노드 전압에 응답하여 제1 게이트 라인의 전압에 응답하여 Q2 노드를 충전하는 제3 TFT를 포함하고,
상기 제1 게이트 라인에 제1 클럭 신호가 인가되고, 상기 제2 게이트 라인에 제2 클럭 신호가 인가되는 표시패널.
The method according to claim 1,
The shift register
A first TFT for charging a first Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage;
A second TFT for discharging the first Q node in response to a voltage of a second gate line; And
And a third TFT responsive to the Q1 node voltage for charging the Q2 node in response to the voltage of the first gate line,
Wherein a first clock signal is applied to the first gate line and a second clock signal is applied to the second gate line.
제 4 항에 있어서,
상기 시프트 레지스터에 연결된 픽셀은,
상기 픽셀 TFT와 상기 픽셀 전극 사이에 연결되어 상기 Q1 노드가 충전될 때 턴-온되어 상기 픽셀 TFT를 상기 픽셀 전극에 연결하는 제4 TFT를 포함하는 표시패널.
5. The method of claim 4,
The pixel connected to the shift register,
And a fourth TFT connected between the pixel TFT and the pixel electrode to turn on when the node Q1 is charged to connect the pixel TFT to the pixel electrode.
데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고, 픽셀 TFT와 픽셀 전극을 갖는 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이를 포함한 표시패널과, 시프트 레지스터를 이용하여 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동회로를 포함하는 표시장치에 있어서,
상기 시프트 레지스터는 상기 표시패널 상에서 상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치되거나 상기 픽셀 어레이 밖의 베젤 영역에 배치되고,
상기 시프트 레지스터는
스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT;
제N(N은 양의 정수) 클럭 신호에 응답하여 상기 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT;
상기 Q 노드 전압에 응답하여 출력 단자의 전압을 충전하여 상기 게이트 펄스의 전압을 상승시키는 제3 TFT; 및
상기 제N 클럭 신호에 대하여 역위상으로 발생되는 제N-2 클럭 신호에 응답하여 상기 출력 단자의 전압을 상기 제N 클럭 신호가 공급되는 클럭 배선으로 방전시키는 제4 TFT를 포함하는 표시장치.
A display panel including a pixel array in which pixels having a pixel TFT and a pixel electrode are arranged in a matrix and in which data lines and gate lines are crossed and a gate drive circuit for supplying gate pulses to the gate lines using a shift register A display device comprising:
Wherein the shift register is distributed on the display panel in the pixel array or in a bezel area outside the pixel array,
The shift register
A first TFT which charges the Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage;
A second TFT for discharging the Q node in response to a Nth (N is a positive integer) clock signal;
A third TFT which charges the voltage of the output terminal in response to the Q node voltage to raise the voltage of the gate pulse; And
And a fourth TFT for discharging a voltage of the output terminal to a clock wiring supplied with the Nth clock signal in response to an (N-2) -th clock signal generated in an opposite phase to the Nth clock signal.
데이터 라인들과 게이트 라인들이 교차되고 픽셀 TFT와 픽셀 전극을 갖는 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된 픽셀 어레이를 포함한 표시패널과, 시프트 레지스터를 이용하여 상기 게이트 라인들에 게이트 펄스를 공급하는 게이트 구동회로를 포함하는 표시장치에 있어서,
상기 시프트 레지스터는 상기 표시패널 상에서 상기 픽셀 어레이 내에 분산 배치되고,
상기 시프트 레지스터는
스타트 펄스 또는 이전 스테이지의 출력 신호에 응답하여 제1 Q 노드를 충전시키는 제1 TFT;
제2 게이트 라인의 전압에 응답하여 상기 제1 Q 노드를 방전시키는 제2 TFT; 및
상기 Q1 노드 전압에 응답하여 제1 게이트 라인의 전압에 응답하여 Q2 노드를 충전하는 제3 TFT를 포함하고,
상기 제1 게이트 라인에 제1 클럭 신호가 인가되고, 상기 제2 게이트 라인에 제2 클럭 신호가 인가되는 표시장치.
A display panel including a pixel array in which pixels having a pixel TFT and a pixel electrode are arranged in a matrix and data lines and gate lines are crossed and a gate drive circuit for supplying a gate pulse to the gate lines using a shift register In the display device,
Wherein the shift register is distributed on the display panel in the pixel array,
The shift register
A first TFT for charging a first Q node in response to a start pulse or an output signal of a previous stage;
A second TFT for discharging the first Q node in response to a voltage of a second gate line; And
And a third TFT responsive to the Q1 node voltage for charging the Q2 node in response to the voltage of the first gate line,
Wherein a first clock signal is applied to the first gate line and a second clock signal is applied to the second gate line.
제 7 항에 있어서,
상기 시프트 레지스터에 연결된 픽셀은,
상기 픽셀 TFT와 상기 픽셀 전극 사이에 연결되어 상기 Q1 노드가 충전될 때 턴-온되어 상기 픽셀 TFT를 상기 픽셀 전극에 연결하는 제4 TFT를 포함하는 표시장치.
8. The method of claim 7,
The pixel connected to the shift register,
And a fourth TFT connected between the pixel TFT and the pixel electrode to turn on when the Q1 node is charged to connect the pixel TFT to the pixel electrode.
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