KR20180003380A - Organic light emitting display device and driving method of the same - Google Patents

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Abstract

According to an embodiment of the present invention, the present invention relates to an organic light emitting display device which comprises a plurality of pixels separately including a pixel driving circuit. The pixels includes: an organic light emitting element; a driving TFT for controlling the driving of the organic light emitting element, and having a gate node, which is a first node, a source node, which is a second node, and a drain node; first to third switching TFTs electrically connected to the driving TFT; first and second storage capacitors for storing voltage applied to the driving TFT (DT); and a coupling capacitor connected to a gate node of the third switching TFT to increase voltage applied to the gate node of the driving TFT. According to the present invention, a delay of current flowing in an organic light emitting element can be solved.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD OF THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display device,

유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플리커를 저감시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법에 관한 것이다.And more particularly, to an organic light emitting display device capable of reducing flicker and a driving method thereof.

최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 표시 장치(Display Device)가 개발되고 있다.Recently, as the information age has come to the age of information, a display field for visually expressing electrical information signals has been rapidly developed. In response to this, various display devices having excellent performance in thinning, light weighting, Is being developed.

이와 같은 표시 장치의 구체적인 예로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED) 등을 들 수 있다.Specific examples of such a display device include a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display device (FED), an organic light emitting display device Organic Light Emitting Display Device (OLED).

유기 발광 표시 장치를 구성하는 다수의 화소들 각각은 애노드 및 캐소드 사이의 유기 발광층으로 구성된 유기 발광 소자와, 유기 발광 소자를 독립적으로 구동하는 화소 구동 회로를 구비한다. 화소 구동 회로는 스위칭 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 TFT라고 함), 구동 TFT 및 커패시터를 포함한다. 여기서, 스위칭 TFT는 스캔 펄스에 응답하여 데이터 전압을 커패시터에 충전하고, 구동 TFT는 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 유기 발광 소자로 공급되는 전류량을 제어하여 유기 발광 소자의 발광량을 조절한다.Each of the plurality of pixels constituting the organic light emitting display includes an organic light emitting element composed of an organic light emitting layer between the anode and the cathode, and a pixel driving circuit independently driving the organic light emitting element. The pixel driving circuit includes a switching thin film transistor (hereinafter referred to as TFT), a driving TFT, and a capacitor. Here, the switching TFT charges the data voltage in the capacitor in response to the scan pulse, and the driving TFT controls the amount of current supplied to the organic light emitting element according to the data voltage charged in the capacitor to control the amount of light emitted from the organic light emitting element.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광형 표시 장치로서, 액정 표시 장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조 가능하다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상 구현, 응답 속도, 시야각, 명암 대비비(contrast ratio; CR)도 우수하여, 다방면에서 차세대 표시 장치로서 연구되고 있다. 또한, 유기 발광 소자는 면 발광 구조를 가지므로, 플렉서블(flexible)한 형태의 구현에 용이하다.The organic light emitting display device is a self-emission type display device, unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, and thus it can be manufactured in a light and thin shape. In addition, the organic light emitting display device is not only advantageous in terms of power consumption by low voltage driving, but also has excellent hue, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and has been studied as a next generation display device in various fields. Further, since the organic light emitting element has a surface light emitting structure, it is easy to realize a flexible form.

상기의 장점을 가지는 유기 발광 표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 화소 마다 구동 TFT의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(mobility)와 같은 특성 차이가 발생하고, 고전위 전압(VDD)의 전압 강하가 발생하여 유기 발광 소자를 구동하는 전류량이 달라짐으로써 화소들 간에 휘도 편차가 발생하게 된다. 이러한 휘도 편차는 사용자가 플리커(Flicker)로 인식하게 된다.In the OLED display device having the above advantages, a characteristic difference such as a threshold voltage (Vth) and a mobility of a driving TFT is generated for each pixel due to a process variation or the like, and a voltage drop of the high potential voltage (VDD) And the amount of current for driving the organic light emitting diode is changed, so that a luminance deviation occurs between the pixels. This luminance deviation is recognized by the user as a flicker.

이에, 플리커 현상이 거의 발생하지 않는 새로운 구조의 유기 발광 표시 장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for an organic light emitting display device having a new structure in which flicker phenomenon hardly occurs.

[관련기술문헌][Related Technical Literature]

1. 표시 장치 (한국 공개특허 KR 10-2015-0106370 호)One. Display device (Korean Patent Publication No. KR-10-2015-0106370)

본 발명의 발명자들은 유기 발광 표시 장치는 공정 편차 등의 이유로 화소 마다 구동 TFT의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(mobility)와 같은 특성 차이가 발생하고, 고전위 전압(VDD)의 전압 강하가 발생하여 유기 발광 소자를 흐르는 전류가 딜레이(Delay)되는 현상을 억제할 수 있음을 인식하였다.The inventors of the present invention have found that a characteristic difference such as a threshold voltage (Vth) and mobility of a driving TFT is generated for each pixel in an organic light emitting display device due to a process variation or the like and a voltage drop of a high potential voltage (VDD) And thus it is possible to suppress the phenomenon that the current flowing through the organic light emitting element is delayed.

이에, 본 발명자들은 유기 발광 표시 장치의 화소 구동회로 각각에서 커플링 커패시터를 이용함으로써, 화소의 구동 TFT의 게이트 노드 및 소스 노드의 전압을 빠르게 상승 시켜 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 딜레이(delay)를 개선할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것이다.The present inventors have succeeded in increasing the voltage of the gate node and the source node of the driving TFT of the pixel by using the coupling capacitor in each of the pixel driving circuits of the organic light emitting display device so as to delay the current flowing through the organic light emitting element An organic light emitting display device and a driving method thereof.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 각각의 화소 구동회로를 포함하는 복수의 화소를 구비한다. 복수의 화소는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 구동을 제어하고, 제1 노드인 게이트 노드, 제2 노드인 소스 노드 및 드레인 노드를 구비한 구동 TFT를 구비한다. 또한, 구동 TFT와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 스위칭 TFT, 구동 TFT(DT)에 인가되는 전압을 저장하는 제1 및 제2 저장 커패시터 및 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드에 연결되어 구동 TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압을 상승 시키는 커플링 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including a plurality of pixels each including a pixel driving circuit. The plurality of pixels includes an organic light emitting element, a driving TFT controlling the driving of the organic light emitting element, and having a gate node serving as a first node, and a source node and a drain node serving as a second node. The first to third switching TFTs are electrically connected to the driving TFTs. The first and second switching TFTs are connected to the gate node of the third switching TFTs to store the voltages applied to the driving TFTs DT. And a coupling capacitor for raising the voltage applied to the node.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수 화소 각각이 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 화소 구동 회로를 구비한다. 또한, 화소 구동 회로는 유기 발광 소자의 구동을 제어하고, 제1 노드인 게이트 노드, 제2 노드인 소스 노드 및 드레인 노드를 구비한 구동 TFT를 구비한다. In order to achieve the above object, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a plurality of pixels each including an organic light emitting element and a pixel driving circuit for driving the organic light emitting element. Further, the pixel driving circuit controls driving of the organic light emitting element and includes a driving TFT having a gate node as a first node, a source node and a drain node as a second node.

화소 구동 회로는 구동 TFT와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 스위칭 TFT, 구동 TFT(DT)에 인가되는 전압을 저장하는 제1 및 제2 저장 커패시터 및 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드인 제3 노드와 구동 TFT의 게이트 노드인 제1 노드에 연결되는 커플링 커패시터를 포함한다. The pixel driving circuit includes first to third switching TFTs electrically connected to the driving TFTs, first and second storage capacitors for storing a voltage applied to the driving TFTs DT, and a third node, which is a gate node of the third switching TFT, And a coupling capacitor connected to a first node which is a gate node of the driving TFT.

화소 구동 회로는 제1 노드에 기준 전압(Vref)을 공급하고, 제2 노드에 초기화 전압(Vinit)을 공급하는 초기화 기간, 커플링 커패시터에 의해 제1 노드에 상기 기준 전압(Vref) 보다 큰 전압이 공급되고, 제2 노드에 기준 전압(Vref) 보다 큰 전압에서 문턱 전압(Vth)을 뺀 전압이 공급되는 샘플링 기간, 제1 노드에 데이터 전압(Vdata)이 공급되고, 상기 데이터 전압(Vdata)에 의해 제2 노드의 전압이 변경되는 프로그래밍 기간 및 구동 TFT(DT)의 소스 노드에 부트스트랩핑된 전압에 의해 유기 발광 소자의 발광에 관여하는 전류의 딜레이를 최소화 하는 발광 기간으로 구분하여 동작하는 것을 특징으로 한다.The pixel driving circuit includes an initializing period for supplying a reference voltage (Vref) to the first node and an initializing voltage (Vinit) to the second node, an initializing period for supplying a voltage higher than the reference voltage (Vref) A data voltage Vdata is supplied to the first node during a sampling period in which a voltage obtained by subtracting the threshold voltage Vth from a voltage higher than the reference voltage Vref is supplied to the second node, And a light emitting period for minimizing a delay of a current involved in light emission of the organic light emitting element by a voltage bootstrapped to a source node of the driving TFT DT .

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.The details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명은 유기 발광 표시 장치의 화소 구동회로에 커플링 커패시터를 이용하여 구동 TFT의 게이트 노드 및 소스 노드의 전압을 빠르게 상승 시킴으로써, 발광 기간에 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 딜레이를 개선하여 플리커 현상을 억제할 수 있는 효과가 있다.The present invention rapidly increases the voltage of the gate node and the source node of the driving TFT by using a coupling capacitor in the pixel driving circuit of the organic light emitting diode display to improve the delay of the current flowing in the organic light emitting element in the light emitting period, There is an effect that can be suppressed.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 하나의 화소 구동회로를 나타내는 회로도이다.
도 3은 도2에 도시돤 화소 구동회로에 입력되는 신호 및 이에 따른 개략적인 출력 신호를 나타내는 파형도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 하나의 화소 구동회로를 나타내는 회로도이다.
도 5는 비교예 및 실시예에 따른 효과를 나타내기 위한 Ioled의 그래프이다.FIG. 1 is a schematic block diagram for explaining an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
2 is a circuit diagram illustrating one pixel driving circuit in an OLED display according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a waveform diagram showing signals input to the pixel driving circuit shown in FIG. 2 and schematic output signals thereof.
4 is a circuit diagram showing one pixel driving circuit in an OLED display according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a graph of Ioled for illustrating effects according to Comparative Examples and Examples. FIG.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. It should be understood, however, that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but is capable of many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. An element or layer is referred to as being another element or layer "on ", including both intervening layers or other elements directly on or in between.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

구성 요소를 단수로 표현한 경우, 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.Where an element is expressed in its singular form, it includes the case where plural elements are included unless explicitly stated.

본 발명의 일 실시예에 따른 특정 수치가 기재된 경우, 특정 수치는 통상적인 오차의 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When a specific numerical value according to an embodiment of the present invention is described, the specific numeric value is interpreted to include a range of usual error.

명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.The sizes and thicknesses of the individual components shown in the figures are shown for convenience of explanation and the present invention is not necessarily limited to the size and thickness of the components shown.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

이하, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치 및 그의 구동 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an OLED display and a driving method thereof according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 설명하기 위한 개략적인 블록도이다. 1 is a schematic block diagram for explaining an organic light emitting diode display 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소(P)를 포함하는 표시 패널(110), 복수의 화소(P) 각각에 게이트 신호를 공급하는 게이트 드라이버(130), 복수의 화소(P) 각각에 데이터 신호를 공급하는 데이터 드라이버(140) 및 게이트 드라이버(130)와 데이터 드라이버(140)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(120)를 포함한다. 1, an OLED display 100 includes a display panel 110 including a plurality of pixels P, a gate driver 130 for supplying a gate signal to each of the plurality of pixels P, A data driver 140 for supplying a data signal to each of the pixels P and a timing controller 120 for controlling the gate driver 130 and the data driver 140.

타이밍 컨트롤러(120)는 외부로부터 입력되는 영상 데이터(RGB)를 표시 패널(110)의 크기 및 해상도에 적합하게 처리하여 데이터 드라이버(140)에 공급한다. 타이밍 컨트롤러(120)는 외부로부터 입력되는 동기 신호(SYNC)들, 예를 들어, 도트 클럭신호(DCLK), 데이터 인에이블 신호(DE), 수평 동기신호(Hsync), 수직 동기신호(Vsync)를 이용해 다수의 게이트 및 데이터 제어신호(GCS, DCS)를 생성한다. 생성된 다수의 게이트 및 데이터 제어신호(GCS, DCS)를 게이트 드라이버(130) 및 데이터 드라이버(140)에 각각 공급함으로써, 게이트 드라이버(130) 및 데이터 드라이버(140)를 제어한다.The timing controller 120 processes image data RGB inputted from outside according to the size and the resolution of the display panel 110 and supplies the data to the data driver 140. The timing controller 120 outputs the synchronizing signals SYNC input from the outside, for example, a dot clock signal DCLK, a data enable signal DE, a horizontal synchronizing signal Hsync, and a vertical synchronizing signal Vsync To generate a plurality of gate and data control signals (GCS, DCS). And controls the gate driver 130 and the data driver 140 by supplying the generated gate and data control signals GCS and DCS to the gate driver 130 and the data driver 140, respectively.

게이트 드라이버(130)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트 제어 신호(GCS)에 따라 게이트 라인(GL)에 게이트 신호를 공급한다. 여기서, 게이트 신호는 적어도 하나의 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 포함한다. 도 1에서는 게이트 드라이버(130)가 표시 패널(110)의 일 측에 이격되어 배치된 것으로 도시되었으나, 게이트 드라이버(130)의 수와 배치 위치는 이에 제한되지 않는다. 즉, 게이트 드라이버(130)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 표시 패널(110)의 일측 또는 양측에 배치될 수도 있다.The gate driver 130 supplies a gate signal to the gate line GL in accordance with the gate control signal GCS supplied from the timing controller 120. [ Here, the gate signal includes at least one scan signal and a light emission control signal. In FIG. 1, the gate driver 130 is shown as being disposed on one side of the display panel 110, but the number and arrangement of the gate drivers 130 are not limited thereto. That is, the gate driver 130 may be disposed on one side or both sides of the display panel 110 in a GIP (Gate In Panel) manner.

데이터 드라이버(140)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터 제어 신호(DCS)에 따라 영상 데이터(RGB)를 데이터 전압으로 변환하고, 변환된 데이터 전압을 데이터 라인(DL)을 통해 화소(P)에 공급한다.The data driver 140 converts the image data RGB into data voltages according to the data control signal DCS supplied from the timing controller 120 and supplies the converted data voltages to the pixels P through the data lines DL. .

표시 패널(110)에서 복수의 게이트 라인(GL) 및 복수의 데이터 라인(DL)이 서로 교차되고, 복수의 화소(P) 각각은 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)에 연결된다. 구체적으로, 하나의 화소(P)는 게이트 라인(GL)을 통해 게이트 드라이버(130)로부터 게이트 신호를 공급받고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 드라이버(140)로부터 데이터 신호를 공급받으며, 전원 공급 라인을 통해 다양한 전원을 공급받는다. 구체적으로, 하나의 화소(P)는 게이트 라인(GL)을 통해 적어도 하나의 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 수신하고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 전압 또는 기준 전압을 수신하며, 전원 공급 라인을 통해 고전위 전압(VDD), 저전위 전압(VSS) 및 초기화 전압(Vinit)을 수신한다.A plurality of gate lines GL and a plurality of data lines DL are intersected with each other in the display panel 110 and each of the plurality of pixels P is connected to a gate line GL and a data line DL. Specifically, one pixel P receives a gate signal from the gate driver 130 through the gate line GL, receives a data signal from the data driver 140 through the data line DL, Various power sources are supplied through the line. Specifically, one pixel P receives at least one scan signal and a light emission control signal through a gate line GL, receives a data voltage or a reference voltage via a data line DL, And receives the high potential voltage VDD, the low potential voltage VSS, and the initialization voltage Vinit.

또한, 화소(P) 각각은 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자의 구동을 제어하는 화소 구동 회로를 포함한다. 여기서, 유기 발광 소자는 애노드, 캐소드, 및 애노드와 캐소드 사이의 유기 발광층으로 이루어진다. 화소 구동회로는 스위칭 TFT, 구동 TFT 및 커패시터를 포함한다. 구체적으로, 화소 회로에서 구동 TFT는 커패시터에 충전된 데이터 전압에 따라 유기 발광 소자에 공급되는 전류량을 제어하여 유기 발광 소자의 발광량을 조절하고, 스위칭 TFT는 게이트 라인(GL)을 통해 공급되는 스캔 신호를 수신하여 데이터 전압을 커패시터에 충전한다.Each of the pixels P includes an organic light emitting element and a pixel driving circuit for controlling driving of the organic light emitting element. Here, the organic light emitting element comprises an anode, a cathode, and an organic light emitting layer between the anode and the cathode. The pixel driver circuit includes a switching TFT, a driving TFT, and a capacitor. Specifically, in the pixel circuit, the driving TFT controls the amount of current supplied to the organic light emitting element according to the data voltage charged in the capacitor, thereby adjusting the amount of light emitted from the organic light emitting element, and the switching TFT supplies the scan signal To charge the data voltage to the capacitor.

이와 같이 유기 발광 표시 장치(100)는 화소 구동회로에 구동 TFT 및 스위칭 TFT를 포함하고, 구동 TFT 및 스위칭 TFT 각각을 구성하는 액티브층은 서로 다른 물질로 구성될 수 있다. 이와 같이 하나의 화소 구동회로에서 구동 TFT 및 스위칭 TFT 각각이 서로 다른 특성을 갖는 TFT로 이루어져, 유기 발광 표시 장치(100)는 멀티 타입의 TFT를 포함할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display 100 includes a driving TFT and a switching TFT in the pixel driving circuit, and the active layer constituting each of the driving TFT and the switching TFT may be composed of different materials. As described above, in one pixel driving circuit, each of the driving TFT and the switching TFT is composed of TFTs having different characteristics, and the organic light emitting display 100 may include a multi-type TFT.

구체적으로, 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)에서는 다결정 반도체 물질을 액티브층으로 하는 TFT로서 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; 이하, LTPS라고 함)을 이용한 LTPS TFT가 사용된다. 폴리 실리콘 물질은 이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로, 표시 소자용 TFT들을 구동하는 구동 소자용 게이트 드라이버(130) 및/또는 멀티플렉서(MUX)에 적용할 수 있다. 또는 유기 발광 표시 장치(100)에서 화소(P) 내 구동 TFT로 적용하는 것이 바람직할 수 있다. Specifically, in the organic light emitting diode display 100 including a multi-type TFT, an LTPS TFT using low temperature poly-silicon (hereinafter referred to as LTPS) is used as a TFT having a polycrystalline semiconductor material as an active layer do. Since the polysilicon material has high mobility (100 cm 2 / Vs or more), low energy consumption power and excellent reliability, the polysilicon material is applied to the gate driver 130 and / or the multiplexer (MUX) for driving the display element TFTs can do. Or as a driving TFT in the pixel P in the organic light emitting diode display 100.

또한, 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)에서는 산화물 반도체 물질을 액티브층으로 하는 산화물 반도체 TFT가 사용된다. 산화물 반도체 물질은 오프-전류(Off-Current)가 낮으므로, 턴 온(turn On) 시간이 짧고 턴 오프(turn Off) 시간을 길게 유지하는 스위칭 TFT에 적합할 수 있다.In the organic light emitting diode display 100 including a multi-type TFT, an oxide semiconductor TFT using an oxide semiconductor material as an active layer is used. Since the oxide semiconductor material has a low off-current, it may be suitable for a switching TFT which has a short turn-on time and a long turn-off time.

특히, 본 발명의 실시예에 따른 멀티 타입의 TFT를 포함하는 유기 발광 표시 장치(100)는 스위칭 TFT가 산화물 반도체 TFT로 이루어지고 구동 TFT는 LTPS TFT로 이루어진 화소 구동회로를 포함한다. 다만, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)에서 스위칭 TFT는 산화물 반도체 TFT, 구동 TFT는 LTPS TFT로 한정되지 않으며, 멀티 타입의 TFT가 다양하게 구성될 수 있다. 또한, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)에서 화소 구동회로는 멀티 타입의 TFT를 포함하지 않고 하나의 종류로 이루어진 TFT를 포함할 수도 있다.In particular, the organic light emitting diode display 100 including the multi-type TFT according to the embodiment of the present invention includes a pixel driving circuit in which the switching TFT is made of an oxide semiconductor TFT and the driving TFT is made of an LTPS TFT. However, in the organic light emitting diode display device 100 of the present invention, the switching TFT is not limited to the oxide semiconductor TFT and the driving TFT is not limited to the LTPS TFT, and the multi-type TFT may be variously configured. In the organic light emitting diode display 100 of the present invention, the pixel driver circuit may not include the multi-type TFT but may include a single type of TFT.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 공정 편차 등의 이유로 화소 마다 구동 TFT의 문턱 전압(Vth) 및 이동도(mobility)와 같은 특성 차이가 발생하고, 고전위 전압(VDD)의 전압 강하가 발생하여 유기 발광 소자를 흐르는 전류가 딜레이(Delay)되는 현상을 개선하기 위하여 커플링 커패시터를 포함하는 화소 구동회로가 다양하게 구성될 수 있다.In the organic light emitting diode display 100 according to the embodiment of the present invention, a characteristic difference such as a threshold voltage Vth and a mobility of a driving TFT is generated for each pixel for reasons of process variation and the like, The pixel driving circuit including the coupling capacitor may be variously configured to improve the delay of the current flowing through the organic light emitting diode due to the voltage drop of the driving voltage VDD.

이러한 커플링 커패시터를 포함하는 화소 구동회로는 구동 TFT의 게이트 노드에서 전압(Vg)이 부트스트랩핑(Bootstrapping)으로 빠르게 상승하며, 유기 발광 소자에는 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 대응하여 딜레이(Delay) 없는 전류(Ioled)가 흐르게 된다. 따라서, 본 발명의 유기 발광 표시 장치(100)는 유기 발광 소자의 휘도 저하로 인한 플리커 발생을 최소화 할 수 있다.In the pixel driving circuit including such a coupling capacitor, the voltage Vg at the gate node of the driving TFT rapidly rises by bootstrapping, and the organic light emitting element is caused to correspond to the gate-source voltage Vgs of the driving TFT So that a current (Ioled) without a delay flows. Accordingly, the organic light emitting diode display 100 of the present invention can minimize the occurrence of flicker due to the luminance degradation of the organic light emitting diode.

이하, 본 발명의 화소를 구체적으로 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 화소의 구동 회로도이다. Hereinafter, the pixel of the present invention will be described in detail. 2 is a driving circuit diagram of the pixel shown in FIG.

도 2를 참조하면, 화소(1)는 유기 발광소자(OLED)와, 4개의 트랜지스터와, 3개의 커패시터를 구비하여 유기 발광소자(OLED)를 구동하는 화소 구동 회로(200)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the pixel 1 includes a pixel driving circuit 200 that includes an organic light emitting diode (OLED), four transistors, and three capacitors to drive the organic light emitting diode OLED.

구체적으로, 화소 구동 회로(200)는 구동 트랜지스터(DT), 제1 내지 제3 스위칭 트랜지스터(T1~ T3), 그리고 제1 내지 제3 커패시터(C1~ C3)를 포함한다.Specifically, the pixel driving circuit 200 includes a driving transistor DT, first to third switching transistors T1 to T3, and first to third capacitors C1 to C3.

여기서, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 저장 커패시터이고, 제3 커패시터는 커플링 커패시터일 수 있다.Here, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 may be storage capacitors, and the third capacitor may be a coupling capacitor.

구동 TFT(DT)는 제1 스위칭 TFT(T1)와 연결된 제1 노드(N1)인 게이트 노드, 제2 스위칭 TFT(T2)와 연결된 제2 노드(N2)인 소스 노드 및 제3 스위칭 TFT(T3)에 연결된 드레인 노드를 포함한다. The driving TFT DT includes a gate node which is a first node N1 connected to the first switching TFT T1, a source node which is a second node N2 connected to the second switching TFT T2 and a source node which is connected to the third switching TFT T3 Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

구체적으로, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드는 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 공급하는 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다. 이에, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드는 제1 스위칭 TFT(T1)의 소스 노드에 연결되어 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 공급 받는다. 구동 TFT(DT)의 드레인 노드는 고전위 전압(VDD) 라인에 전기적으로 연결된다. 이에, 구동 TFT(DT)의 드레인 노드는 제3 스위칭 TFT(T3)의 소스 노드에 연결되어 고전위 전압(VDD)을 공급 받는다. 구동 TFT(DT)의 소스 노드는 유기 발광 소자와 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 구동 TFT(DT)의 소스 노드는 유기 발광 소자의 애노드와 연결되고, 제2 스위칭 TFT(T2)의 소스 노드와 연결된다. Specifically, the gate node of the driving TFT DT is electrically connected to the data line DL supplying the data voltage Vdata or the reference voltage Vref. Thus, the gate node of the driving TFT DT is connected to the source node of the first switching TFT Tl to receive the data voltage Vdata or the reference voltage Vref. The drain node of the driving TFT DT is electrically connected to the high potential voltage (VDD) line. Thus, the drain node of the driving TFT DT is connected to the source node of the third switching TFT T3 and is supplied with the high-potential voltage VDD. The source node of the driving TFT DT is electrically connected to the organic light emitting element. Specifically, the source node of the driving TFT DT is connected to the anode of the organic light-emitting element, and is connected to the source node of the second switching TFT T2.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)에 의해 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴 온되고 구동 TFT(DT)도 턴 온되면, 구동 TFT(DT)는 게이트 노드 및 소스 노드에 인가된 전압에 기초하여 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)의 크기를 제어하여, 유기 발광 소자의 휘도를 제어한다.Thus, when the third switching TFT T3 is turned on by the emission control signal EM and the driving TFT DT is also turned on, the driving TFT DT is turned on based on the voltages applied to the gate node and the source node And controls the magnitude of the current Ioled flowing through the organic light emitting element to control the brightness of the organic light emitting element.

제1 스위칭 TFT(T1)는 제1 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결된 게이트 노드, 데이터 라인에 연결된 드레인 노드 및 구동 TFT(DT)와 연결된 제1 노드(N1)인 소스 노드를 포함한다. 구체적으로, 제1 스위칭 TFT(T1)의 게이트 노드는 제1 스캔 신호(SCAN1) 라인에 연결되어 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 턴 온되거나 턴 오프된다. 제1 스위칭 TFT(T1)의 드레인 노드는 데이터 라인(DL)에 연결되어 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 게이트 노드에 전달한다. 제1 스위칭 TFT(T1)의 소스 노드는 구동 TFT(DT)의 게이트 노드에 직접 연결된다.The first switching TFT Tl includes a gate node connected to the first scan signal SCAN1, a drain node connected to the data line, and a source node N1 connected to the driving TFT DT. Specifically, the gate node of the first switching TFT T1 is connected to the first scan signal SCAN1 and is turned on or off by the first scan signal SCAN1. The drain node of the first switching TFT Tl is connected to the data line DL to transfer the data voltage Vdata or the reference voltage Vref to the gate node of the driving TFT DT. The source node of the first switching TFT (T1) is directly connected to the gate node of the driver TFT (DT).

이에 따라, 제1 스캔 신호(SCAN1)가 하이 상태인 경우, 제1 스위칭 TFT(T1)는 턴 온되어 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 구동 TFT(DT)의 게이트 노드에 공급한다. Accordingly, when the first scan signal SCAN1 is in the high state, the first switching TFT T1 is turned on to supply the data voltage Vdata or the reference voltage Vref to the gate node of the driving TFT DT .

제2 스위칭 TFT(T2)는 제2 스캔 신호(SCAN2) 라인에 연결된 게이트 노드, 초기화 전압(Vinit) 라인에 연결된 드레인 노드 및 구동 TFT(DT)의 소스 노드와 연결된 소스 노드를 포함한다. 구체적으로, 제2 스위칭 TFT(T2)의 게이트 노드는 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우 제2 스위칭 TFT(T2)가 턴 온 된다. 제2 스위칭 TFT(T2)는 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(N2)에 공급한다. 제2 스위칭 TFT(T2)의 소스 노드는 구동 TFT(DT)의 소스 노드 및 유기 발광 소자의 애노드와 연결된 제2 노드(N2)에 직접 연결된다.The second switching TFT T2 includes a gate node connected to the second scan signal SCAN2 line, a drain node connected to the initialization voltage Vinit line, and a source node connected to the source node of the driving TFT DT. Specifically, when the second scan signal SCAN2 is in a high state, the gate node of the second switching TFT T2 turns on the second switching TFT T2. The second switching TFT T2 supplies the initializing voltage Vinit to the second node N2. The source node of the second switching TFT T2 is directly connected to the source node of the driving TFT DT and the second node N2 connected to the anode of the organic light emitting element.

이에 따라, 제2 스캔 신호(SCAN2)가 하이 상태인 경우, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온되어 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(N2)에 공급하여, 유기 발광 소자에 기입된 데이터 전압(Vdata)을 초기화 시킨다.Accordingly, when the second scan signal SCAN2 is in the high state, the second switching TFT T2 is turned on to supply the initialization voltage Vinit to the second node N2, Thereby initializing the voltage Vdata.

제3 스위칭 TFT(T3)는 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결된 제3 노드(N3)인 게이트 노드, 고전위 전압(VDD) 라인에 연결된 드레인 노드 및 구동 TFT(DT)의 드레인 노드와 연결된 소스 노드를 포함한다. 구체적으로, 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 노드는 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결되어, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온 된다. 제3 스위칭 TFT(T3)의 드레인 노드는 고전위 전압(VDD) 라인에 직접 연결된다. The third switching TFT T3 includes a gate node which is a third node N3 connected to the emission control signal EM line, a drain node connected to the high potential voltage (VDD) line, and a source connected to the drain node of the driving TFT DT Node. Specifically, the gate node of the third switching TFT T3 is connected to the emission control signal EM line, and when the emission control signal EM is in a high state, the third switching TFT T3 is turned on. The drain node of the third switching TFT T3 is directly connected to the high potential voltage (VDD) line.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되어 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 노드에 공급하여, 구동 TFT(DT)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 유기 발광 소자의 전류량을 조절한다.The third switching TFT T3 is turned on to supply the high potential voltage VDD to the drain node of the driving TFT DT so that the driving TFT DT is turned on, Adjusts the amount of current of the organic light emitting element by the data voltage (Vdata).

제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 또는 소스 노드에 인가되는 전압을 저장하는 저장 커패시터일 수 있다. 또한, 2개의 저장 커패시터는 구동 TFT(DT)의 소스 노드에서 직렬로 연결된다.The first capacitor C1 and the second capacitor C2 may be storage capacitors that store a voltage applied to the gate node or the source node of the driving TFT DT. Further, two storage capacitors are connected in series at the source node of the driving TFT DT.

제1 커패시터(C1)는 구동 TFT(DT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1) 및 구동 TFT(DT)의 소스 노드인 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결된다. 이에, 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)에 인가되는 전압의 차이만큼 전압을 저장한다. 제2 커패시터(C2)는 구동 TFT(DT)의 소스 노드인 제2 노드(N2) 및 고전위 전압(VDD) 라인과 전기적으로 연결된다. 또한, 제2 커패시터(C2)는 제2 노드(N2)에서 제1 커패시터(C1)와 직렬로 연결된다. 이에, 제2 커패시터(C2)는 제1 커패시터(C1)와 함께 전압 분배에 의한 전압을 저장한다.The first capacitor C1 is electrically connected to the first node N1 which is the gate node of the drive TFT DT and the second node N2 which is the source node of the drive TFT DT. The first capacitor C1 stores a voltage corresponding to the difference between the voltages applied to the first node N1 and the second node N2. The second capacitor C2 is electrically connected to the second node N2 which is the source node of the driving TFT DT and the high potential voltage (VDD) line. Also, the second capacitor C2 is connected in series with the first capacitor C1 at the second node N2. Thus, the second capacitor C2 stores the voltage by the voltage division together with the first capacitor C1.

예를 들어, 제1 커패시터(C1)는 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전압 차이로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 저장하여 샘플링한다. 또한, 데이터 전압(Vdata)이 인가되는 경우, 제1 커패시터(C1)는 제2 커패시터(C2)와의 전압 분배에 의해 결정되는 전압을 저장하여 프로그래밍한다. 즉, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 소스 팔로워(source-follower) 방식으로 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)을 샘플링한다. 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전위가 변하는 경우, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 전압 분배를 통해 제1 노드(N1) 및 제2 노드(N2)의 전위를 각각 저장한다. For example, the first capacitor C1 stores and samples the threshold voltage Vth of the driving TFT DT with a voltage difference between the first node N1 and the second node N2. Further, when the data voltage Vdata is applied, the first capacitor C1 stores and programs the voltage determined by the voltage division with the second capacitor C2. That is, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 sample the threshold voltage Vth of the driving TFT DT in a source-follower manner. The first capacitor C1 and the second capacitor C2 are connected to the first node N1 and the second node N2 through a voltage distribution when the potentials of the first node N1 and the second node N2 change, Respectively.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 화소 구동 회로(200)의 제3 커패시터(C3)는 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 노드인 제3 노드(N3) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1) 사이에 배치된다. 즉, 제3 커패시터(C3)는 발광 제어 신호(EM) 라인 및 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되어 배치된다. 2, the third capacitor C3 of the pixel driving circuit 200 according to an embodiment of the present invention includes a third node N3 which is the gate node of the third switching TFT T3, The first node N1 being the gate node of the first node N1. That is, the third capacitor C3 is electrically connected between the emission control signal EM line and the first node N1.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제1 커패시터(C1) 와 제3 커패시터(C3)의 커패시터 커플링에 의해 제1 노드(N1)에 빠르게 상승한, 부트스트랩핑된 전압이 충전된다. 즉, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제3 노드(N3)에는 발광 제어 신호(EM)가 공급되고, 제1 노드(N1)의 전압은 제1 및 제3 커패시터(C1, C3)의 커패시터 커플링에 의해 빠르게 상승한다. 또한, 제1 노드(N1)의 전압인 구동 TFT(DT)의 게이트 노드의 전압이 상승함에 따라, 구동 TFT(DT)의 소드 노드의 전압도 상승한다. Thus, when the emission control signal EM is in the high state, the bootstrapped voltage which rapidly rises to the first node N1 due to the capacitor coupling of the first capacitor C1 and the third capacitor C3 Is charged. The emission control signal EM is supplied to the third node N3 and the voltage of the first node N1 is supplied to the first and third capacitors C1 and C3 Lt; / RTI > capacitor coupling. Further, as the voltage of the gate node of the driving TFT DT, which is the voltage of the first node N1, rises, the voltage of the sod node of the driving TFT DT also rises.

따라서, 발광 제어 신호(EM)가 제3 스위치 TFT(T3)를 턴-온 시키면, 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 노드에 인가된다. 또한 제1 커패시터(C1) 및 제3 커패시터(C3)의 커패시터 커플링에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 전압이 빠르게 상승하게 된다. 이어서, 구동 TFT(DT)의 소스 노드 인 제2 노드(N2)도 전압이 빠르게 상승한다.Therefore, when the emission control signal EM turns on the third switch TFT T3, the high potential voltage VDD is applied to the drain node of the driver TFT DT. Further, the gate voltage of the driving TFT DT is rapidly increased by the capacitor coupling of the first capacitor C1 and the third capacitor C3. Then, the voltage at the second node N2, which is the source node of the driving TFT DT, also rises quickly.

그 결과, 구동 TFT(DT)의 Vgs에 의해 유기 발광 소자에 흐르는 전류는(Ioled)가 조절되고, Ioled에 의해 유기 발광 소자가 발광하는 화소 구동회로(200)에 있어서, 제1 커패시터(C1) 및 제3 커패시터(C3)의 커패시터 커플링에 의해 Ioled의 크기도 보다 신속하게 증가할 수 있다.As a result, in the pixel driving circuit 200 in which the current Ioled is controlled by the Vgs of the driving TFT DT and the organic light emitting element emits light by the Ioled, the first capacitor C1, And the capacitor coupling of the third capacitor C3 can also increase the size of Ioled more quickly.

따라서, 커패시터 커플링에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 노드에 걸리는 전압의 빠른 증가는 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)가 상승하는 시간의 딜레이도 현저하게 감소 시킬 수 있다.Therefore, the rapid increase of the voltage applied to the gate node of the driving TFT DT by the capacitor coupling can significantly reduce the delay of the time when the current Ioled flowing through the organic light emitting element rises.

추가로, 2개의 커패시터가 직렬로 연결되어 발생하는 커패시터 커플링 현상에 대하여 설명하고자 한다.In addition, the capacitor coupling phenomenon that occurs when two capacitors are connected in series will be described.

커패시터는 양단의 전압차를 유지하려는 성질이 있고, 커패시터 커플링을 통해 서로의 값에 관여하게 된다. 이는 전하량 보존의 법칙과 밀접한 관계를 갖는다. 이와 같이 전하량 보존의 법칙은 다음 [수학식 1]과 같다.The capacitors have the property to maintain the voltage difference across both, and they are involved in the value of each other through the capacitor coupling. This is closely related to the law of conservation of charge. The law of conservation of the amount of charge is expressed by the following equation (1).

Figure pat00001
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여기서, Q1 및 Q2는 전하량이고, C1 및 C2는 커패시터 이다. [수학식 1]을 검토해 보면, [수학식 1]에서 보여주는 커패시터 일단의 전압 변하량은 커패시터 커플링에 의해 변동되는 전압 값과 관련이 있다. Here, Q1 and Q2 are charge amounts, and C1 and C2 are capacitors. Considering Equation (1), the amount of voltage change at the end of the capacitor shown in Equation (1) is related to the voltage value that is varied by the capacitor coupling.

도 2를 참조하면, 본 발명의 화소 구동회로(200)에서는 제1 커패시터(C1) 및 제3 커패시터(C3)의 영향을 받아 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 전압이 커패시터 커플링에 의해 상승하게 된다. 이와 같은 현상을 부트스트랩핑(Bootstraping)이라 한다.2, in the pixel driving circuit 200 of the present invention, the gate node voltage of the driving TFT DT is increased by the capacitor coupling under the influence of the first capacitor C1 and the third capacitor C3 do. This phenomenon is referred to as bootstrapping.

도 3은 도 2에 도시된 화소 구동회로(200)에 입력되는 신호 및 이에 따른 개략적인 출력 신호를 나타내는 파형도이다. 설명의 편의를 위해 도 2 및 도 3을 참조하여 후술한다.3 is a waveform diagram showing a signal input to the pixel driver circuit 200 shown in FIG. 2 and a schematic output signal according to the signal. Will be described later with reference to Figs. 2 and 3 for convenience of explanation.

도 3을 참조하면, 리프레시 구간은 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 프로그래밍 구간(t3) 및 발광 구간(t4)을 포함한다. 리프레시 구간은 대략 1 수평 기간(1H)로 설정될 수 있으며, 몇몇 실시예에서 1 수평 구간(1H) 내에 발광 구간(t4)이 포함되지 않을 수도 있다. 리프레시 구간 동안 화소 어레이의 1 수평 라인에 배열된 화소에 데이터가 기입된다. 구체적으로, 리프레시 구간 동안 화소 구동회로(200)의 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)이 샘플링 되고, 문턱 전압(Vth)만큼 데이터 전압(Vdata)이 보상된다. 이에, 문턱 전압(Vth)에 무관하게 유기 발광 소자의 전류량이 결정될 수 있도록 데이터 전압(Vdata)이 보상되어 화소에 기입된다.Referring to FIG. 3, the refresh period includes an initialization period t1, a sampling period t2, a programming period t3, and a light emission period t4. The refresh period may be set to approximately one horizontal period (1H), and in some embodiments, the light emitting period t4 may not be included in one horizontal period (1H). Data is written to pixels arranged in one horizontal line of the pixel array during the refresh period. Specifically, the threshold voltage Vth of the driving TFT DT of the pixel driver circuit 200 is sampled during the refresh period, and the data voltage Vdata is compensated by the threshold voltage Vth. Accordingly, the data voltage (Vdata) is compensated and written into the pixel so that the current amount of the organic light emitting element can be determined regardless of the threshold voltage (Vth).

도 3에서는 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 프로그래밍 구간(t3) 및 발광 구간(t4) 각각이 동일한 시간 동안 유지되는 것으로 도시되었으나, 초기화 구간(t1), 샘플링 구간(t2), 프로그래밍 구간(t3) 및 발광 구간(t4) 각각의 시간은 실시예에 따라 다양하게 변화할 수 있다. Although the initialization period t1, the sampling period t2, the programming period t3 and the light emitting period t4 are shown as being maintained for the same time in FIG. 3, the initialization period t1, the sampling period t2, The duration of each of the period t3 and the luminescence period t4 may be variously changed according to the embodiment.

먼저, 초기화 구간(t1)이 시작되는 순간 제1 스캔 신호(SCAN1) 및 제2 스캔 신호(SCAN2)가 라이징되어 하이 상태로 된다. 이와 동시에 발광 제어 신호(EM)는 폴링되어 로우 상태로 된다. 이에, 초기화 구간(t1) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프된다. First, the first scan signal SCAN1 and the second scan signal SCAN2 are turned on at a moment when the initialization period t1 is started, and are brought into a high state. Simultaneously, the emission control signal EM is polled to a low state. Thus, during the initialization period t1, the first switching TFT (T1) and the second switching TFT (T2) are turned on and the third switching TFT (T3) is turned off.

이에 따라, 제1 스위칭 TFT(T1)에 의해 데이터 라인으로부터 기준 전압(Vref)이 제1 노드(N1)에 공급된다. 초기화 구간(t1) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref)으로 충전된다. 또한, 제2 스위칭 TFT(T2)에 의해 초기화 전압(Vinit) 라인으로부터 초기화 전압(Vinit)이 제2 노드(N2)에 공급된다. 즉, 구동 TFT(DT)의 소스 노드인 제2 노드(N2)에 초기화 전압(Vinit)이 공급됨에 따라, 유기 발광 소자에 기입된 데이터 전압(Vdata)은 초기화 전압(Vinit)으로 초기화된다.Thus, the reference voltage Vref is supplied from the data line to the first node N1 by the first switching TFT (T1). During the initialization period t1, the voltage of the first node N1 is charged to the reference voltage Vref. Further, the initializing voltage Vinit is supplied from the initializing voltage (Vinit) line to the second node N2 by the second switching TFT T2. That is, as the initializing voltage Vinit is supplied to the second node N2 which is the source node of the driving TFT DT, the data voltage Vdata written in the organic light emitting element is initialized to the initializing voltage Vinit.

샘플링 구간(t2) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이 상태로 유지되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태를 유지한다. 샘플링 구간(t2)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 라이징되어 샘플링 구간(t2) 동안 하이 상태를 유지한다. 이에, 샘플링 구간(t2) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프된다.During the sampling period t2, the first scan signal SCAN1 is maintained in a high state and the second scan signal SCAN2 is maintained in a low state. At the instant when the sampling period t2 starts, the emission control signal EM is raised and maintained in the high state during the sampling period t2. Thus, during the sampling period t2, the first switching TFT T1 and the third switching TFT T3 are turned on and the second switching TFT T2 is turned off.

샘플링 구간(t2) 동안, 턴 온된 제1 스위칭 TFT(T1)를 통해 기준 전압(Vref)이 제1 노드(N1)로 계속하여 공급되고, 턴 온된 제3 스위칭 TFT(T3)를 통해 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 노드로 공급된다.During the sampling period t2, the reference voltage Vref is continuously supplied to the first node N1 through the first switching TFT T1 that is turned on, and the third switching TFT T3, which is turned on, (VDD) is supplied to the drain node of the driving TFT DT.

이어서, 샘플링 구간(t2) 동안 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태로 공급됨으로써, 제3 스위칭 TFT(T3)가 턴 온되고, 제1 커패시터(C1)와 제3 커패시터(C3)의 커패시터 커플링에 의해 제1 노드(N1)의 전압이 빠르게 상승한다. 또한, 제1 스캔 신호(SCAN1)가 하이 상태로 유지됨으로써, 제1 스위칭 TFT(T1)가 턴 온되어 제1 노드(N1)에 기준 전압(Vref)이 계속하여 공급된다. 즉, 샘플링 구간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref)에 커플링된 전압만큼 빠르게 상승한다. Subsequently, the emission control signal EM is supplied in a high state during the sampling period t2, whereby the third switching TFT T3 is turned on and the capacitor coupling of the first capacitor C1 and the third capacitor C3 The voltage of the first node N1 rises rapidly. Also, the first scan signal SCAN1 is maintained in a high state, so that the first switching TFT T1 is turned on, and the reference voltage Vref is continuously supplied to the first node N1. That is, the voltage of the first node N1 rises as fast as the voltage coupled to the reference voltage Vref during the sampling period t2.

즉, 샘플링 구간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref)으로 유지되지 않고, 제3 커패시터(C3)의 커플링에 의해 기준 전압(Vref)보다 커진다. 이에, 샘플링 기간(t2) 동안 제1 노드(N1)의 전압은 기준 전압(Vref) 보다 큰 전압(이하, V’ref라고 함)이 걸리게 되고, 제2 노드(N2)의 전압은 V’ref 전압에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압이 될 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압은 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(이하, Ids라고 함)에 의해 빠르게 상승한다.That is, the voltage of the first node N1 is not maintained at the reference voltage Vref during the sampling period t2, but is larger than the reference voltage Vref by the coupling of the third capacitor C3. During the sampling period t2, the voltage of the first node N1 is higher than the reference voltage Vref (hereinafter referred to as V'ref), and the voltage of the second node N2 is V'ref It may be a voltage obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the voltage. The voltage of the second node N2 rises rapidly by the drain-source current (hereinafter Ids) of the driving TFT DT.

여기서, 소스 팔로워(source-follower) 방식에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(이하, Vgs라 함)은 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)으로 샘플링된다. 이와 같이 샘플링된 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)은 제1 커패시터(C1)에 저장된다.Here, the gate-source voltage (hereinafter referred to as Vgs) of the driving TFT DT is sampled at the threshold voltage Vth of the driving TFT DT by the source-follower method. The threshold voltage Vth of the sampled driving TFT DT is stored in the first capacitor C1.

프로그래밍 구간(t3) 동안 제1 스캔 신호(SCAN1)는 하이 상태로 유지되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)는 로우 상태를 유지한다. 프로그래밍 구간(t3)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 폴링되어 프로그래밍 구간(t3) 동안 로우 상태를 유지한다. 이에, 프로그래밍 구간(t3) 동안 제1 스위칭 TFT(T1)만 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프된다. 이에 따라, 턴 온된 제1 스위칭 TFT(T1)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 제1 노드(N1)로 공급되고, 구동 TFT(DT)의 드레인 노드 및 소스 노드는 플로팅 된다.During the programming period t3, the first scan signal SCAN1 is held in the high state and the second scan signal SCAN2 is held in the low state. The emission control signal EM is polled at the moment the programming period t3 starts and remains low during the programming period t3. Thus, during the programming period t3, only the first switching TFT (T1) is turned on, and the second switching TFT (T2) and the third switching TFT (T3) are turned off. Accordingly, the data voltage Vdata is supplied to the first node N1 through the turned-on first switching TFT T1, and the drain node and the source node of the driving TFT DT are floated.

이에 따라, 샘플링 구간(t2)에서 샘플링된 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth) 및 제3 커패시터(C3)의 커플링에 의한 상승된 전압(V’ref)을 기초로, 프로그래밍 구간(t3) 동안 구동 TFT(DT)의 Vgs가 프로그래밍된다.Thus, based on the threshold voltage Vth of the driving TFT DT sampled in the sampling period t2 and the raised voltage V'ref due to the coupling of the third capacitor C3, the programming period t3 Vgs of the driving TFT DT is programmed.

또한, 프로그래밍 기간(t3) 동안, 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 공급됨으로써, 제1 노드(N1)의 전압이 변동된다. 이어서, 샘플링 기간(t2) 동안 빠르게 상승된 제2 노드의 전압은 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)와 전기적 연결에 의하여 제1 노드(N1)에 공급된 데이터 전압(Vdata)이 반영된 전압으로 변동될 수 있다. During the programming period t3, the data voltage Vdata is supplied to the first node N1, so that the voltage of the first node N1 fluctuates. The voltage of the second node which is rapidly raised during the sampling period t2 is the voltage of the data voltage Vdata supplied to the first node N1 by the electrical connection with the first capacitor C1 and the second capacitor C2 It can be changed to the reflected voltage.

따라서, 프로그래밍 구간(t3) 동안 제1 노드(N1)에 데이터 전압(Vdata)이 공급됨으로써, 제1 노드(N1)의 전압 변화량은 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2) 사이에서 전압 분배되고, 제2 노드(N2)의 전압은 전압 분배된 전압값으로 결정된다. 구체적으로, 제1 노드(N1)의 전압 변화량은 Vdata-V’ref이고, 직렬로 연결된 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2) 사이의 전압 분배로 인해, 프로그래밍 구간(t3) 동안 제2 노드(N2)에서의 전압 변화량은 C1/(C1+C2)*(Vdata-V’ref)이다. 즉, 제2 노드(N2)의 전압은 샘플링 구간(t2)에서 결정된 V’ref-Vth에 프로그래밍 구간(t3) 동안 제2 노드(N2)에서의 전압 변화량인 C1/(C1+C2)*(Vdata-V’ref)을 더한 값이 된다. 다시 말해, 프로그래밍 구간(t3)에서 제2 노드(N2)의 전압은 (V’ref-Vth)+C1/(C1+C2)*(Vdata-V’ref)이고, 구동 TFT(DT)의 Vgs는 (1- C1/(C1+C2))*(Vdata-V’ref)+Vth로 프로그래밍된다. Therefore, the data voltage Vdata is supplied to the first node N1 during the programming period t3, so that the amount of change in the voltage of the first node N1 is equal to or higher than the voltage between the first capacitor C1 and the second capacitor C2 And the voltage of the second node N2 is determined as a voltage-divided voltage value. Specifically, the voltage change amount of the first node N1 is Vdata-V'ref, and due to the voltage distribution between the first capacitor C1 and the second capacitor C2 connected in series, The voltage change amount at the second node N2 is C1 / (C1 + C2) * (Vdata-V'ref). That is, the voltage of the second node N2 is changed from V'ref-Vth determined in the sampling period t2 to C1 / (C1 + C2) * ( Vdata-V'ref). In other words, the voltage of the second node N2 in the programming period t3 is (V'ref-Vth) + C1 / (C1 + C2) * (Vdata-V'ref) Is programmed with (1- C1 / (C1 + C2)) * (Vdata-V'ref) + Vth.

예를 들어, 제3 커패시터(C3)의 커플링에 의해 V’ref 전압이 데이터 전압(Vdata)과 바슷한 전압으로 상승하게 되면, 구동 TFT(DT)의 Vgs는 샘플링 된 전압으로 일정하게 유지하게 된다.For example, when the V'ref voltage rises to a voltage similar to the data voltage Vdata by the coupling of the third capacitor C3, the Vgs of the driving TFT DT is kept constant at the sampled voltage do.

발광 구간(t4) 동안, 구동 TFT(DT)의 Vgs에 의해 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)가 조절되고, Ioled에 의해 유기 발광 소자가 발광한다. 이와 같이 발광 구간(t4) 동안 유기 발광 소자에 흐르는 Ioled는 다음 [수학식 1]과 같다. During the light emission period t4, the current Ioled flowing through the organic light emitting element is controlled by Vgs of the driving TFT DT, and the organic light emitting element emits light by Ioled. Thus, Ioled flowing in the organic light emitting element during the light emitting period t4 is expressed by the following equation (1).

Figure pat00002
Figure pat00002

여기서, k는 화소 회로(200)의 다양한 요인이 반영된 비례 상수이고, C’= C1/(C1+C2)이다. [수학식 2]을 검토해보면, [수학식 2]에서 문턱 전압(Vth)이 소거되어, 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)는 구동 TFT(DT)의 문턱 전압(Vth)의 영향을 받지 않는다. Here, k is a proportional constant reflecting various factors of the pixel circuit 200, and C '= C1 / (C1 + C2). (2), the threshold voltage Vth is erased and the current Ioled flowing through the organic light emitting element is not affected by the threshold voltage Vth of the driving TFT DT .

종래에는, 발광 구간(t4)에서 발광 제어 신호(EM)가 인가된 이후, 화소 회로(200) 내의 기생 용량 또는 화소 내부의 전압 변동으로 인해 Ioled가 증가하는 속도가 느려져, 유기 발광 소자가 충분한 휘도로 발광하는데 딜레이가 발생하고, 이로 인해 낮은 휘도가 인지되어 플리커 현상이 발생할 수 있다.Conventionally, after the emission control signal EM is applied in the light emission period t4, the rate at which the Ioled increases due to the parasitic capacitance in the pixel circuit 200 or the voltage fluctuation inside the pixel becomes slow, A delay is generated in light emission, and therefore, a low luminance is recognized, and a flicker phenomenon may occur.

도 3을 참조하면, 발광 구간(t4) 동안, 제1 스캔 신호(SCAN1)는 로우 상태로 되고, 제2 스캔 신호(SCAN2)도 로우 상태를 유지한다. 발광 구간(t4)이 시작되는 순간 발광 제어 신호(EM)는 라이징되어 하이 상태를 유지한다. 이에, 발광 구간(t4) 동안 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온된다. Referring to FIG. 3, during the light emitting period t4, the first scan signal SCAN1 is in the low state and the second scan signal SCAN2 is in the low state. At the instant when the light emitting period t4 is started, the light emission control signal EM rises and maintains the high state. Thus, during the light emitting period t4, the first switching TFT T1 and the second switching TFT T2 are turned off, and the third switching TFT T3 is turned on.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되어 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 노드에 공급하고, 구동 TFT(DT)가 데이터 전압(Vdata)에 의해 유기 발광 소자의 전류량을 조절한다.The third switching TFT T3 is turned on to supply the high potential voltage VDD to the drain node of the driving TFT DT and the driving TFT DT is turned on, Adjusts the amount of current of the organic light emitting element by the data voltage (Vdata).

발광 구간(t4) 동안, 턴 온된 제3 스위칭 TFT(T3)를 통해 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 노드로 공급되고, 제3 커패시터(C3)의 커플링에 의해 빠르게 상승된 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 인 제1 노드(N1) 및 소스 노드 인 제2 노드(N2)의 전압은 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)의 딜레이를 최소화 하는 역할을 한다. During the light emission period t4, the high-potential voltage VDD is supplied to the drain node of the driving TFT DT through the third switching TFT T3 turned on, and is rapidly raised by the coupling of the third capacitor C3 The voltage of the first node N1 which is the gate node of the driven TFT DT and the voltage of the second node N2 which is the source node serve to minimize the delay of the current Ioled flowing to the organic light emitting element.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 하나의 화소 구동 회로를 나타내는 회로도이다.4 is a circuit diagram showing one pixel driving circuit in an OLED display according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 화소 회로는 도 2에 도시된 화소 구동회로에서 제3 커패시터의 배치가 다를 뿐, 나머지 구성은 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다. 즉, 발명의 화소 구동회로(300)는 도 2에 도시된 화소 구동회로(200)에서 커플링 커패시터인 제3 커패시터(C3)가 연결된 하나의 노드만 상이할 뿐, 나머지 구성은 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 중복 설명은 생략한다.In the pixel circuit shown in FIG. 4, the arrangement of the third capacitors in the pixel driving circuit shown in FIG. 2 is different from that of the pixel driving circuit shown in FIG. 2, and the remaining components are substantially the same. In other words, the pixel driving circuit 300 of the present invention is different from the pixel driving circuit 200 of FIG. 2 only in that one node to which the third capacitor C3 as the coupling capacitor is connected is connected to the pixel driving circuit 300, , And redundant description thereof will be omitted.

도 4을 참조하면, 화소 구동회로(300)는 구동 TFT(DT), 3개의 스위칭 TFT 및 제1 커패시터(C1), 제2 커패시터(C2) 및 제3 커패시터(C3)를 포함한다. 여기서, 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 저장 커패시터이고, 제3 커패시터(C3)는 커플링 커패시터일 수 있다.Referring to Fig. 4, the pixel driver circuit 300 includes a driving TFT DT, three switching TFTs, and a first capacitor C1, a second capacitor C2, and a third capacitor C3. Here, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are storage capacitors, and the third capacitor C3 may be a coupling capacitor.

제3 커패시터(C3)는 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 노드인 제3 노드(N3) 및 구동 TFT(DT)의 드레인 노드인 제4 노드(N4) 사이에 배치된다. 즉, 제3 커패시터는 발광 제어 신호(EM) 라인 및 제4 노드(N4) 사이에 전기적으로 연결되어 배치된다. The third capacitor C3 is disposed between the third node N3 which is the gate node of the third switching TFT T3 and the fourth node N4 which is the drain node of the driving TFT DT. That is, the third capacitor is electrically connected between the emission control signal EM line and the fourth node N4.

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제3 커패시터(C3)에 의해 제3 노드(N3)와 제4 노드(N4) 사이에 일정한 전압이 충전된다. 즉, 제3 노드(N3)에 발광 제어 신호(EM)가 공급되고, 제4 노드(N4)의 전압은 제1 커패시터(C1)와 제3 커패시터(C3)에서의 커패시터 커플링에 의해 빠르게 상승한다. Accordingly, when the emission control signal EM is in a high state, a constant voltage is charged between the third node N3 and the fourth node N4 by the third capacitor C3. That is, the emission control signal EM is supplied to the third node N3, and the voltage of the fourth node N4 rises rapidly due to the capacitor coupling in the first capacitor C1 and the third capacitor C3. do.

또한, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 인 제1 노드(N1)와 드레인 노드 인 제4 노드(N4) 사이에 기생 커패시터(Cpara)가 생성될 수 있다. 구동 TFT(DT)의 기생 커패시터(Cpara)는 제1 커패시터(C1)와 함께, 제1 커패시터(C1)와 제3 커패시터(C3)에서의 커패시터 커플링에 이어서, 두번 째 커패시터 커플링을 형성할 수 있다.In addition, a parasitic capacitor Cpara may be generated between the first node N1, which is the gate node of the driving TFT DT, and the fourth node N4, which is the drain node. The parasitic capacitor Cpara of the driving TFT DT together with the first capacitor C1 forms a second capacitor coupling following the capacitor coupling in the first capacitor C1 and the third capacitor C3 .

이에 따라, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우, 제4 노드(N4)의 전압이 제3 커패시터(C3)의 커플링에 의해 상승하고, 제1 노드(N1)의 전압은 구동 TFT(DT)의 기생 커패시터(Cpara)의 커플링에 의해 상승한다. 따라서, 제1 노드(N1)의 전압은 제3 커패시터(C3)와 구동 TFT(DT)의 기생 커패시터(Cpara)의 이중 커플링에 의해 빠르게 상승한다.Accordingly, when the emission control signal EM is in the high state, the voltage of the fourth node N4 rises by the coupling of the third capacitor C3 and the voltage of the first node N1 rises by the driving TFT DT by the coupling of the parasitic capacitor Cpara. Therefore, the voltage of the first node N1 rises rapidly due to the double coupling of the third capacitor C3 and the parasitic capacitor Cpara of the driving TFT DT.

다시 말해, 발광 제어 신호(EM)가 하이 상태인 경우에는 제4 노드(N4)의 전압이 상승함에 따라, 이어진 두번 째 커패시터 커플링에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 인 제1 노드(N1)의 전압도 빠르게 상승한다. In other words, when the emission control signal EM is in the high state, as the voltage of the fourth node N4 rises, the first node N1 (gate node of the driving TFT DT) ) Also rapidly increases.

따라서, 발광 제어 신호(EM)가 제3 스위치 TFT(T3)를 턴-온 시키면, 고전위 전압(VDD)이 구동 TFT(DT)의 드레인 노드에 인가된다. 또한 제3 커패시터(C3) 및 기생 커패시터(Cpara)의 이중 커패시터 커플링에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 전압이 빠르게 상승하게 된다.Therefore, when the emission control signal EM turns on the third switch TFT T3, the high potential voltage VDD is applied to the drain node of the driver TFT DT. Further, the gate voltage of the driving TFT DT is rapidly increased by the coupling of the double capacitor of the third capacitor C3 and the parasitic capacitor Cpara.

또한, 제2 노드(N2)의 전압은 제1 노드(N1)의 전압에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압이 될 수 있다. 제2 노드(N2)의 전압은 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(이하, Ids라고 함)에 의해 빠르게 상승한다.The voltage of the second node N2 may be a voltage obtained by subtracting the threshold voltage Vth from the voltage of the first node N1. The voltage of the second node N2 rises rapidly by the drain-source current (hereinafter Ids) of the driving TFT DT.

그 결과, 구동 TFT(DT)의 Vgs에 의해 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)가 조절되고, Ioled에 의해 유기 발광 소자가 발광하는 화소 구동회로(300)에 있어서, 제3 커패시터(C3) 및 기생 커패시터(Cpara)의 이중 커패시터 커플링에 의해 Ioled의 크기도 보다 신속하게 증가할 수 있다.As a result, in the pixel driving circuit 300 in which the current Ioled flowing through the organic light emitting element is controlled by Vgs of the driving TFT DT and the organic light emitting element emits light by Ioled, the third capacitors C3 and C3, The coupling of the parasitic capacitors (Cpara) doubles the capacitance of the Ioled more quickly.

또한, 커패시터 커플링에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 노드에 걸리는 전압의 빠른 증가는 Ioled가 상승하는 시간의 딜레이도 현저하게 감소 시킬 수 있다.In addition, the rapid increase of the voltage applied to the gate node of the driving TFT DT by the capacitor coupling can significantly reduce the delay of time during which the Ioled rises.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서의 Ioled 변화를 보여주는 그래프이다. 또, 도 5는 비교예 및 실시예로 도시하여 Ioled 변화를 보여준다.5 is a graph showing changes in Ioled in an OLED display according to another embodiment of the present invention. 5 shows the Ioled change as a comparative example and an example.

여기서, 실시예 1은 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서의 Ioled이고, 실시예 2는 도 4에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서의 Ioled이다. Here, the first embodiment is Ioled in the organic light emitting display according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 2, and the second embodiment is the same as the Ioled in the organic light emitting display according to another embodiment of the present invention shown in FIG. Ioled.

여기서, 도 5는 시간에 따른 Ioled의 변화를 나타내는 그래프로서, 도 5에서의 시간은 발광 제어 신호(EM)가 화소 구동회로에 공급된 순간부터의 시간을 의미한다.Here, FIG. 5 is a graph showing the change of Ioled with time, and the time in FIG. 5 means the time from the moment when the emission control signal EM is supplied to the pixel driving circuit.

도 5를 참조하면, 비교예에서는 Ioled의 딜레이가 약 350μs정도이고, Ioled의 최대 크기도 약 1nA정도이다. 반면, 실시예 1에서 Ioled의 딜레이가 약 35μs이고, Ioled의 최대 크기는 약 5nA정도이고, 실시예 2에서 Ioled의 딜레이가 약 25μs이고, Ioled의 최대 크기는 약 10nA정도이다. Referring to FIG. 5, in the comparative example, the delay of Ioled is about 350 μs, and the maximum size of Ioled is about 1 nA. On the other hand, in Example 1, the delay of Ioled is about 35 μs, the maximum size of Ioled is about 5 nA, the delay of Ioled in Example 2 is about 25 μs, and the maximum size of Ioled is about 10 nA.

즉, 실시예마다 Ioled의 최대값은 서로 다르더라도, Ioled의 딜레이는 본 발명의 실시예 각각에 따라 비교예에 비하여 현저하게 감소될 수 있다.That is, although the maximum value of Ioled differs from embodiment to example, the delay of Ioled can be remarkably reduced in comparison with the comparative example according to each embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따라 커플링 커패시터인 제3 커패시터(C3) 및 기생 커패시터(Cpara)에 의해 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 전압이 빠르게 증가하고, 이로 인해 발광 구간(t4)이 시작하는 시점에서 Ioled가 신속하게 증가하여 Ioled의 딜레이가 현저하게 감소될 수 있다.The gate node voltage of the driving TFT DT is rapidly increased by the third capacitor C3 and the parasitic capacitor Cpara which are coupling capacitors according to the embodiment of the present invention, The Ioled may increase rapidly and the delay of the Ioled may be significantly reduced.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 커플링 커패시터를 이용하여 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 딜레이를 저감 시키는 화소 구동회로를 구비하는 유기 발광 표시 장치의 다양한 특징들에 대해 설명한다.Hereinafter, various features of the organic light emitting diode display including the pixel driving circuit for reducing the delay of the current flowing through the organic light emitting diode using the coupling capacitor according to one embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드인 제1 노드(N1)는 커플링 커패시터의 일 전극과 연결된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the first node (N1), which is the gate node of the driving TFT (DT), is connected to one electrode of the coupling capacitor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드는 제1 스위칭 TFT(T1)의 소스 노드에 연결되어, 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 공급 받는 것을 특징으로 한다.The gate node of the driving TFT DT is connected to the source node of the first switching TFT T1 and is supplied with the data voltage Vdata or the reference voltage Vref .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 소스 노드인 제2 노드(N2)는 제2 스위칭 TFT(T2) 에 연결되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the second node N2, which is the source node of the driving TFT DT, is connected to the second switching TFT T2.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 소스 노드는 제2 스위칭 TFT(T2)의 소스 노드에 연결되고, 유기 발광 소자의 애노드와 연결되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the source node of the driving TFT DT is connected to the source node of the second switching TFT (T2), and is connected to the anode of the organic light emitting element.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 노드(N2)는 제1 저장 커패시터(C1)에 샘플링 전압을 유지하도록, 제1 노드(N1)의 전압 상승에 대응하여 상승된 전압이 공급되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the second node N2 is characterized in that a raised voltage is supplied in correspondence with the voltage rise of the first node N1 so as to maintain the sampling voltage in the first storage capacitor Cl .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 드레인 노드는 제3 스위칭 TFT(T3)의 소스 노드에 연결되어 고전위 전압(VDD)을 공급받는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the drain node of the driving TFT (DT) is connected to the source node of the third switching TFT (T3) and is supplied with the high-potential voltage (VDD).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 커플링 커패시터에 의한 제1 노드(N1)의 전압 상승은 유기 발광 소자에 흐르는 전류(Ioled)의 딜레이를 저감 시키는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the voltage increase of the first node N1 by the coupling capacitor reduces the delay of the current Ioled flowing in the organic light emitting element.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스위칭 TFT(T1)의 게이트 노드는 제1 스캔 신호 라인에 연결되어, 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the gate node of the first switching TFT (T1) is connected to the first scan signal line and is turned on or off by the first scan signal (SCAN1) .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스위칭 TFT(T1)는 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the first switching TFT (T1) supplies the data voltage (Vdata) or the reference voltage (Vref) to the first node (N1).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스위칭 TFT(T2)의 게이트 노드는 제2 스캔 신호 라인에 연결되어, 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 한다. According to another aspect of the present invention, the gate node of the second switching TFT (T2) is connected to the second scan signal line and is turned on or off by the second scan signal (SCAN2) do.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제2 스위칭 TFT(T2)는 초기화 전압(Vinit)을 제2 노드(N2)에 공급하는 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the second switching TFT (T2) is characterized by supplying the initializing voltage (Vinit) to the second node (N2).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 노드는 제3 노드(N3) 이며, 발광 제어 신호 라인에 연결되어 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the gate node of the third switching TFT T3 is a third node N3, and is connected to the emission control signal line and is turned on or off by the emission control signal EM. .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 스위칭 TFT(T3)는 고전위 전압(VDD)을 구동 TFT(DT)의 드레인 노드에 공급하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the third switching TFT (T3) is characterized by supplying the high potential voltage (VDD) to the drain node of the driving TFT (DT).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 커플링 커패시터는 제3 스위칭 TFT(T3)의 게이트 노드인 제3 노드(N3)와 구동 TFT(DT)의 드레인 노드인 제4 노드(N4) 사이에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the coupling capacitor is electrically connected between the third node N3, which is the gate node of the third switching TFT T3, and the fourth node N4, which is the drain node of the driving TFT DT Respectively.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제4 노드(N4)에 걸리는 전압은 커플링 커패시터에 의해 부트스트랩핑 되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the voltage across the fourth node N4 is characterized by being bootstrapped by a coupling capacitor.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드 인 제1 노드(N1)와 구동 TFT(DT)의 드레인 노드 인 제4 노드(N4) 사이에는 제1 커패시터(C1)와 커플링 하는 기생 커패시터(Cpara)가 배치되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a first capacitor C1 and a pair of first and second capacitors C1 and C2 are connected between a first node N1, which is a gate node of the drive TFT DT, and a fourth node N4, And a parasitic capacitor (Cpara) for ringing is disposed.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 커플링 커패시터와 기생 커패시터(Cpara)는 순차적으로 커플링 동작하여 제1 노드(N1)의 전압을 부스트트랩핑 시키는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the coupling capacitor and the parasitic capacitor (Cpara) are sequentially coupled to perform a boost trapping of the voltage of the first node (N1).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 구동 TFT(DT)는 LTPS TFT 인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the driving TFT (DT) is an LTPS TFT.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 내지 제3 스위칭 TFT(T1~T3)는 Oxide 반도체 TFT인 것을 특징으로 한다.According to still another aspect of the present invention, the first to third switching TFTs T1 to T3 are oxide semiconductor TFTs.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 커플링 커패시터 및 구동 TFT(DT)의 기생 커패시터(Cpara)를 이용하여 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 딜레이를 저감 시키는 화소 구동회로를 구비하는 OLED 표시장치의 다양한 특징들에 대해 설명한다.Hereinafter, an OLED display device having a pixel driving circuit for reducing a delay of a current flowing through an organic light emitting element using a coupling capacitor according to an embodiment of the present invention and a parasitic capacitor Cpara of a driving TFT DT Various features will be described.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 초기화 기간(t1)에 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 온되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the first switching TFT (T1) and the second switching TFT (T2) are turned on and the third switching TFT (T3) is turned off in the initialization period (t1).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 샘플링 기간(t2)에 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, in the sampling period t2, the first switching TFT T1 and the third switching TFT T3 are turned on and the second switching TFT T2 is turned off .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제3 스위칭 TFT(T3)의 턴-온에 의하여 제1 저장 커패시터(C1)와 커플링 커패시터의 커플링이 발생하며, 제1 노드(N1)에 인가되는 전압이 부트스트랩핑 되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, the coupling of the coupling capacitor with the first storage capacitor (C1) is caused by the turn-on of the third switching TFT (T3), and the voltage applied to the first node Is bootstrapped.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 프로그래밍 기간(t3)에 제1 스위칭 TFT(T1)는 턴 온되고, 제2 스위칭 TFT(T2) 및 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 오프되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, in the programming period t3, the first switching TFT (T1) is turned on and the second switching TFT (T2) and the third switching TFT (T3) are turned off .

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 제1 스위칭 TFT(T1)의 턴 온에 의하여 제1 노드(N1)의 전압이 변동되고, 제2 노드(N2)는 샘플링 구간(t2)에서 결정된 전압과 제1 노드(N1)의 변동된 전압이 제1 저장 커패시터(C1) 및 제2 저장 커패시터(C2) 사이의 전압 분배에 의해 변동된 전압으로 충전되는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, the voltage of the first node (N1) is varied by the turn-on of the first switching TFT (T1), and the voltage determined at the sampling period (t2) The fluctuated voltage of one node N1 is charged to a voltage which is varied by the voltage distribution between the first storage capacitor C1 and the second storage capacitor C2.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 발광 기간(t4)에 제1 스위칭 TFT(T1) 및 제2 스위칭 TFT(T2)는 턴 오프되고, 제3 스위칭 TFT(T3)는 턴 온되는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, the first switching TFT (T1) and the second switching TFT (T2) are turned off and the third switching TFT (T3) is turned on in the light emission period (t4) .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100: 유기 발광 표시 장치
110: 표시 패널
120: 타이밍 컨트롤러
130: 게이트 드라이버
140: 데이터 드라이버
200, 300: 화소 구동회로100: organic light emitting display
110: Display panel
120: Timing controller
130: gate driver
140: Data driver
200, 300: a pixel driving circuit

Claims (27)

화소 구동회로를 각각 포함하는 복수의 화소를 구비하고,
상기 복수의 화소는,
유기 발광 소자;
상기 유기 발광 소자의 구동을 제어하고, 제1 노드인 게이트 노드, 제2 노드인 소스 노드 및 드레인 노드를 구비한 구동 TFT;
상기 구동 TFT와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 스위칭 TFT;
상기 구동 TFT에 인가되는 전압을 저장하는 제1 및 제2 저장 커패시터; 및
상기 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드에 연결되어 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 인가되는 전압을 상승시키는 커플링 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.A plurality of pixels each including a pixel driving circuit,
Wherein the plurality of pixels include:
An organic light emitting element;
A driving TFT controlling the driving of the organic light emitting element and having a gate node as a first node, a source node and a drain node as a second node;
First to third switching TFTs electrically connected to the driving TFTs;
First and second storage capacitors for storing voltages applied to the driving TFTs; And
And a coupling capacitor connected to a gate node of the third switching TFT to increase a voltage applied to a gate node of the driving TFT. 제1항에 있어서,
상기 구동 TFT의 게이트 노드인 상기 제1 노드는 상기 커플링 커패시터의 일 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first node, which is a gate node of the driving TFT, is connected to one electrode of the coupling capacitor. 제2항에 있어서,
상기 구동 TFT의 게이트 노드는 상기 제1 스위칭 TFT의 소스 노드에 연결되어, 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 공급 받는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.3. The method of claim 2,
And a gate node of the driving TFT is connected to a source node of the first switching TFT, and receives a data voltage (Vdata) or a reference voltage (Vref). 제1 항에 있어서,
상기 구동 TFT의 소스 노드인 상기 제2 노드는 상기 제2 스위칭 TFT 에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the second node which is a source node of the driving TFT is connected to the second switching TFT. 제4 항에 있어서,
상기 구동 TFT의 소스 노드는 상기 제2 스위칭 TFT의 소스 노드에 연결되고, 상기 유기 발광 소자의 애노드와 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.5. The method of claim 4,
Wherein a source node of the driving TFT is connected to a source node of the second switching TFT and is connected to an anode of the organic light emitting element. 제1 항에 있어서,
상기 제2 노드는 상기 제1 저장 커패시터에 샘플링 전압을 유지하도록, 상기 제1 노드의 전압 상승에 대응하여 상승된 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the second node is supplied with an increased voltage corresponding to a voltage rise of the first node so as to maintain a sampling voltage at the first storage capacitor. 제1 항에 있어서,
상기 구동 TFT의 드레인 노드는 상기 제3 스위칭 TFT의 소스 노드에 연결되어 고전위 전압(VDD)을 공급받는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And a drain node of the driving TFT is connected to a source node of the third switching TFT to receive a high potential voltage (VDD). 제1 항에 있어서,
상기 커플링 커패시터에 의한 상기 제1 노드의 전압 상승은 상기 유기 발광 소자에 흐르는 전류의 딜레이를 저감시키는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein a voltage rise of the first node by the coupling capacitor reduces a delay of a current flowing to the organic light emitting element. 제1 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 TFT의 게이트 노드는 제1 스캔 신호 라인에 연결되어, 제1 스캔 신호(SCAN1)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gate node of the first switching TFT is connected to the first scan signal line and is turned on or off by the first scan signal SCAN1. 제1 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 TFT는 데이터 전압(Vdata) 또는 기준 전압(Vref)을 상기 제1 노드에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first switching TFT supplies a data voltage (Vdata) or a reference voltage (Vref) to the first node. 제1 항에 있어서,
상기 제2 스위칭 TFT의 게이트 노드는 제2 스캔 신호 라인에 연결되어, 제2 스캔 신호(SCAN2)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the gate node of the second switching TFT is connected to the second scan signal line and is turned on or off by the second scan signal SCAN2. 제1 항에 있어서,
상기 제2 스위칭 TFT는 초기화 전압(Vinit)을 상기 제2 노드에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the second switching TFT supplies an initialization voltage Vinit to the second node. 제1 항에 있어서,
상기 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드는 상기 제3 노드 이며, 발광 제어 신호 라인에 연결되어 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온 또는 턴-오프 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gate node of the third switching TFT is the third node and is connected to the emission control signal line and is turned on or off by the emission control signal EM. 제1 항에 있어서,
상기 제3 스위칭 TFT는 고전위 전압(VDD)을 상기 구동 TFT의 드레인 노드에 공급하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
And the third switching TFT supplies a high potential voltage (VDD) to a drain node of the driving TFT. 제1항에 있어서,
상기 커플링 커패시터는 상기 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드인 상기 제3 노드와 상기 구동 TFT의 드레인 노드인 제4 노드 사이에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the coupling capacitor is electrically connected between the third node, which is a gate node of the third switching TFT, and a fourth node that is a drain node of the driving TFT. 제15 항에 있어서,
상기 제4 노드의 전압은 상기 커플링 커패시터에 의해 부트스트랩핑 되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.16. The method of claim 15,
And the voltage of the fourth node is bootstrapped by the coupling capacitor. 제15 항에 있어서,
상기 구동 TFT의 게이트 노드 인 상기 제1 노드와 상기 구동 TFT의 드레인 노드 인 상기 제4 노드 사이에는 상기 제1 커패시터와 커플링하는 기생 커패시터(Cpara)가 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.16. The method of claim 15,
Wherein a parasitic capacitor (Cpara) coupling with the first capacitor is disposed between the first node, which is a gate node of the driving TFT, and the fourth node, which is a drain node of the driving TFT. 제17 항에 있어서,
상기 커플링 커패시터와 상기 기생 커패시터(Cpara)는 순차적으로 커플링 동작하여 상기 제1 노드의 전압을 부스트트랩핑 시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.18. The method of claim 17,
Wherein the coupling capacitor and the parasitic capacitor (Cpara) sequentially operate in a coupling manner to boost and trap the voltage of the first node. 제1 항에 있어서,
상기 구동 TFT는 LTPS TFT 인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the driving TFT is an LTPS TFT. 제1 항에 있어서,
상기 제1 내지 제3 스위칭 TFT는 Oxide 반도체 TFT인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.The method according to claim 1,
Wherein the first to third switching TFTs are oxide semiconductor TFTs. 복수의 화소 각각이 유기 발광 소자와, 상기 유기 발광 소자를 구동하는 화소 구동 회로를 구비하고,
상기 화소 구동 회로는
상기 유기 발광 소자의 구동을 제어하고, 제1 노드인 게이트 노드, 제2 노드인 소스 노드 및 드레인 노드를 구비한 구동 TFT;
상기 구동 TFT와 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 스위칭 TFT;
상기 구동 TFT에 인가되는 전압을 저장하는 제1 및 제2 저장 커패시터; 및
상기 제3 스위칭 TFT의 게이트 노드인 제3 노드와 상기 구동 TFT의 게이트 노드인 상기 제1 노드에 연결되는 커플링 커패시터를 포함하고,
상기 화소 구동 회로는
상기 제1 노드에 기준 전압(Vref)을 공급하고, 상기 제2 노드에 초기화 전압(Vinit)을 공급하는 초기화 기간;
상기 커플링 커패시터에 의해 상기 제1 노드에 상기 기준 전압(Vref) 보다 큰 전압이 공급되고, 상기 제2 노드에 상기 기준 전압(Vref) 보다 큰 전압에서 문턱전압(Vth)을 뺀 전압이 공급되는 샘플링 기간;
상기 제1 노드에 데이터 전압(Vdata)이 공급되고, 상기 데이터 전압(Vdata)에 의해 상기 제2 노드의 전압이 변경되는 프로그래밍 기간; 및
상기 구동 TFT(DT)의 소스 노드에 부트스트랩핑된 전압에 의해 상기 유기 발광 소자의 발광에 관여하는 전류의 딜레이를 최소화 하는 발광 기간으로 구분하여 동작하도록 구성된 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.Each of the plurality of pixels includes an organic light emitting element and a pixel driving circuit for driving the organic light emitting element,
The pixel driving circuit
A driving TFT controlling the driving of the organic light emitting element and having a gate node as a first node, a source node and a drain node as a second node;
First to third switching TFTs electrically connected to the driving TFTs;
First and second storage capacitors for storing voltages applied to the driving TFTs; And
And a coupling capacitor connected to a third node which is a gate node of the third switching TFT and to the first node which is a gate node of the driving TFT,
The pixel driving circuit
An initialization period for supplying a reference voltage Vref to the first node and supplying an initialization voltage Vinit to the second node;
A voltage higher than the reference voltage Vref is supplied to the first node by the coupling capacitor and a voltage obtained by subtracting the threshold voltage Vth from a voltage higher than the reference voltage Vref is supplied to the second node Sampling period;
A programming period in which a data voltage (Vdata) is supplied to the first node and a voltage of the second node is changed by the data voltage (Vdata); And
And a light emission period for minimizing a delay of a current involved in light emission of the organic light emitting element by a voltage bootstrapped to a source node of the driving TFT (DT). 제21 항에 있어서,
상기 초기화 기간에 상기 제1 스위칭 TFT 및 제2 스위칭 TFT는 턴 온되고, 상기 제3 스위칭 TFT는 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.22. The method of claim 21,
Wherein the first switching TFT and the second switching TFT are turned on and the third switching TFT is turned off in the initialization period. 제21 항에 있어서,
상기 샘플링 기간에 상기 제1 스위칭 TFT 및 제3 스위칭 TFT는 턴 온되고, 상기 제2 스위칭 TFT는 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.22. The method of claim 21,
Wherein the first switching TFT and the third switching TFT are turned on and the second switching TFT is turned off during the sampling period. 제23 항에 있어서,
상기 제3 스위칭 TFT의 턴-온에 의하여 상기 제1 저장 커패시터와 상기 커플링 커패시터의 커플링이 발생하며, 상기 제1 노드에 인가되는 전압이 부트스트랩핑되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.24. The method of claim 23,
Coupling of the first storage capacitor and the coupling capacitor occurs due to the turn-on of the third switching TFT, and the voltage applied to the first node is bootstrapped. 제21 항에 있어서,
상기 프로그래밍 기간에 상기 제1 스위칭 TFT는 턴 온되고, 상기 제2 스위칭 TFT 및 제3 스위칭 TFT는 턴 오프되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.22. The method of claim 21,
Wherein the first switching TFT is turned on and the second switching TFT and the third switching TFT are turned off in the programming period. 제25 항에 있어서,
상기 제1 스위칭 TFT의 턴 온에 의하여 제1 노드의 전압이 변동되고, 상기 제2 노드는 상기 샘플링 구간에서 결정된 전압과 상기 제1 노드의 변동된 전압이 상기 제1 저장 커패시터 및 상기 제2 저장 커패시터 사이의 전압 분배에 의해 변동된 전압으로 충전되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.26. The method of claim 25,
Wherein the voltage of the first node is varied by turning on the first switching TFT and the second node is turned on when the voltage determined in the sampling period and the fluctuated voltage of the first node are supplied to the first storage capacitor and the second storage And is charged with a voltage varied by a voltage distribution between the capacitors. 제21 항에 있어서,
상기 발광 기간에 상기 제1 스위칭 TFT 및 제2 스위칭 TFT는 턴 오프되고, 상기 제3 스위칭 TFT는 턴 온되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시장치.22. The method of claim 21,
Wherein the first switching TFT and the second switching TFT are turned off and the third switching TFT is turned on in the light emission period.
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