KR20180000969A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20180000969A KR1020160079364A KR20160079364A KR20180000969A KR 20180000969 A KR20180000969 A KR 20180000969A KR 1020160079364 A KR1020160079364 A KR 1020160079364A KR 20160079364 A KR20160079364 A KR 20160079364A KR 20180000969 A KR20180000969 A KR 20180000969A
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강호재
조현민
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

An embodiment of the present invention relates to a light emitting device package which comprises: a package body having a cavity formed therein; first and second lead frames arranged in the package body; a light emitting device arranged in the second lead frame; a first molding layer surrounding the light emitting device, and arranged in the cavity; a second molding layer arranged in an upper part of the first molding layer; and a lens arranged in an upper surface of the package body and an upper part of the second molding layer. The first molding layer has a first refractive index, and the lens has a second refractive index smaller than the first refractive index. The light emitting device package can realize white and PC-amber colors by installing a phosphor film between a molding material coated on the light emitting device and the lens arranged in an upper part of the molding material.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.

특히, 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.Particularly, a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a semiconductor material of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors can be applied to various devices such as a red, Blue, and ultraviolet rays. By using fluorescent materials or combining colors, it is possible to realize a white light beam with high efficiency. Also, compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps, low power consumption, , Safety, and environmental friendliness.

뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용할 수 있다.In addition, when a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell is manufactured using a semiconductor material of Group 3-5 or Group 2-6 compound semiconductor, development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. It also has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of device materials, so it can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.

따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 Gas나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.Accordingly, the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diodes (LEDs), automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors. In addition, semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.

자동차의 지시등으로 적용되는 반도체 소자의 경우, 반도체 소자 패키지에 반도체 소자를 실장하고, 반도체 소자에 형광체가 혼합된 몰딩재를 도포하여 White 및 PC-amber를 구현하는데, White로 변환시키는 효율이 낮다. 그리고, 반도체 소자에 도포되는 형광체가 혼합된 몰딩재와 반도체 소자 패키지에 배치되는 렌즈에 의해 색좌표의 산포가 큰 문제점이 있다.In the case of a semiconductor device which is applied as a vehicle indicator, a semiconductor device is mounted on a semiconductor device package and a molding material mixed with a fluorescent material is applied to the semiconductor device to implement White and PC-amber. There is a problem in that dispersion of color coordinates is large due to the molding material mixed with the fluorescent material applied to the semiconductor element and the lens arranged in the semiconductor element package.

실시예는 발광 소자에 도포되는 몰딩재와 몰딩재 상부에 배치되는 렌즈 사이에 형광체 필름을 실장하여 White 및 PC-amber 색상을 구현할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of realizing white and PC-amber colors by mounting a phosphor film between a molding material applied to the light emitting device and a lens disposed on the molding material.

실시예에 의한 발광 소자 패키지는 캐비티가 형성된 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임; 상기 제2 리드 프레임에 배치되는 발광 소자; 상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티에 배치되는 제1 몰딩층; 상기 제1 몰딩층 상부에 배치되는 제2 몰딩층; 및 상기 패키지 몸체의 상면과 상기 제2 몰딩층의 상부에 배치되는 렌즈를 포함하고, 상기 제1 몰딩층은 제1 굴절률을 가지고, 상기 렌즈는 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 가질 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes a package body having a cavity formed therein; First and second lead frames disposed in the package body; A light emitting element disposed in the second lead frame; A first molding layer surrounding the light emitting device and disposed in the cavity; A second molding layer disposed above the first molding layer; And a lens disposed on an upper surface of the package body and the second molding layer, wherein the first molding layer has a first refractive index, and the lens has a second refractive index smaller than the first refractive index .

상기 제2 굴절률은 1.41 내지 1.45일 수 있다.The second refractive index may be 1.41 to 1.45.

상기 제1 굴절률은 1.50 내지 1.55일 수 있다.The first refractive index may be 1.50 to 1.55.

상기 제2 몰딩층과 상기 렌즈는 메틸(Methyl) 계열의 실리콘을 포함할 수 있다.The second molding layer and the lens may include methyl-based silicon.

상기 제1 몰딩층은 페닐(Phenyl) 계열의 실리콘을 포함할 수 있다.The first molding layer may include phenyl-based silicon.

상기 제2 몰딩층은 형광체를 포함할 수 있다.The second molding layer may include a phosphor.

상기 제2 몰딩층은 필름 형태일 수 있다.The second molding layer may be in the form of a film.

상기 제2 몰딩층의 하부면의 양 끝단은, 상기 패키지 몸체의 상부면과 접촉할 수 있다.Both ends of the lower surface of the second molding layer may contact the upper surface of the package body.

상기 제1 몰딩층은 상기 캐비티에 삽입되고, 상기 제1 몰딩층의 상부면의 높이는 상기 패키지 몸체의 상부면의 높이와 동일하거나 낮을 수 있다.The first molding layer is inserted into the cavity, and the height of the upper surface of the first molding layer may be equal to or lower than the height of the upper surface of the package body.

상기 제2 몰딩층의 폭은, 상기 발광 소자의 폭의 3배 내지 5배일 수 있다.The width of the second molding layer may be 3 to 5 times the width of the light emitting device.

상기 렌즈의 상부면은 상기 발광 소자와 대응하는 영역에서 함몰부를 가지고, 상기 함몰부의 주변 영역에서 상기 렌즈의 높이가 가장 높을 수 있다.The upper surface of the lens has a depression in a region corresponding to the light emitting element, and the height of the lens in a peripheral region of the depression may be the highest.

상기 렌즈의 높이가 가장 높은 부분으로부터 상기 함몰부까지의 깊이는, 상기 캐비티의 깊이의 1배 내지 1.4배일 수 있다.The depth from the portion having the highest height of the lens to the depression may be 1 to 1.4 times the depth of the cavity.

상기 제2 몰딩층의 폭은, 상기 렌즈의 높이가 가장 높은 부분들 사이의 최대 거리의 1.5배 내지 2.0배일 수 있다.The width of the second molding layer may be 1.5 to 2.0 times the maximum distance between the portions having the highest height of the lens.

실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자에 도포되는 몰딩재와 몰딩재 상부에 배치되는 렌즈 사이에 형광체 필름을 실장하여 White 및 PC-amber 색상을 구현함으로써, White로의 변환 효율을 향상시키고, 발광 소자의 색좌표 산포를 개선시킬 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment improves the conversion efficiency to white by implementing a white and PC-amber color by mounting a phosphor film between a molding material applied to the light emitting device and a lens disposed on the molding material, Can be improved.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a first embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to a second embodiment.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other objects, features and advantages of the present invention will be more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도 1은 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100A)를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting device package 100A according to a first embodiment.

도 1에 도시한 바와 같이, 제1 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100A)는 패키지 몸체(110), 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b), 발광 소자(130), 제1 몰딩층(140), 제2 몰딩층(150A) 및 렌즈(160)를 포함할 수 있다.1, the light emitting device package 100A according to the first embodiment includes a package body 110, first and second lead frames 120a and 120b, a light emitting device 130, a first molding layer A first molding layer 140, a second molding layer 150A, and a lens 160.

패키지 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있고, 발광 소자(130)에서 발생되는 열을 외부로 배출시킬 수 있도록 열전도성 기판으로 구비될 수 있다.The package body 110 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. The package body 110 may be a thermally conductive substrate for discharging heat generated from the light emitting device 130 to the outside.

패키지 몸체(110)에는 캐비티(111)가 형성될 수 있다. 캐비티(111)는 바닥면과 기울기를 가지는 내측면을 포함하고, 바닥면에는 발광 소자(130)가 배치될 수 있다. 그리고, 패키지 몸체(110)에 형성된 캐비티(111)의 내측면 리플렉터로 작용할 수 있으며, 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛을 발광 소자 패키지(100A)의 전면(도 1에서 윗 방향)으로 반사시켜 휘도를 증가시킬 수 있다.A cavity 111 may be formed in the package body 110. The cavity 111 may include an inner surface having a bottom surface and a slope, and a light emitting device 130 may be disposed on the bottom surface. The light emitting device 130 may function as an inner surface reflector of the cavity 111 formed in the package body 110 and may reflect light emitted from the light emitting device 130 to the front surface of the light emitting device package 100A The brightness can be increased.

이러한 작용을 위하여, 캐비티(111)의 바닥면과 내측면에는 반사층(미도시)이 코팅 등의 방법으로 배치될 수 있다. 패키지 몸체(110)에는 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b)이 배치될 수 있고, 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b)은 서로 전기적으로 이격되어 배치될 수 있다.For this purpose, a reflective layer (not shown) may be disposed on the bottom and inner sides of the cavity 111 by coating or the like. The first and second lead frames 120a and 120b may be disposed on the package body 110 and the first and second lead frames 120a and 120b may be electrically spaced from each other.

제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b)은 패키지 몸체(110)의 하부면에 배치되고 있으나 이에 한정하지 않으며, 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b)의 일부분은 캐비티(111)의 바닥면에서 노출될 수 있다.The first and second lead frames 120a and 120b are disposed on the lower surface of the package body 110 but are not limited thereto and a portion of the first and second lead frames 120a and 120b may be formed on the lower surface of the cavity 111 It can be exposed at the bottom.

그리고, 제2 리드 프레임(120b)의 노출된 일부분 상에 발광 소자(130)가 배치될 수 있는데, 도전성 접착제(미도시)를 통하여 고정될 수 있다. 발광소자(130)는 제1 리드 프레임(120a)에는 와이어로 본딩되어 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 130 may be disposed on the exposed portion of the second lead frame 120b, and may be fixed through a conductive adhesive (not shown). The light emitting device 130 may be electrically connected to the first lead frame 120a by bonding the first lead frame 120a with a wire.

와이어 본딩을 위한 발광 소자(130)의 전극패드(미도시)는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 적어도 하나 및 이들의 합금을 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The electrode pad (not shown) of the light emitting device 130 for wire bonding may be formed of at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu) And may be formed into a single layer or a multilayer structure including these alloys.

그리고, 제1 리드 프레임(120a)과 제2 리드 프레임(120b)은 패키지 몸체(110)를 통하여 서로 전기적으로 분리되며, 제1 리드 프레임(120a)과 제2 리드 프레임(120b)에 전기적으로 연결된 발광 소자(130)에 전원을 공급해 준다. 여기서, 제1 리드 프레임(120a)과 제2 리드 프레임(120b)은 발광 소자(130)에서 방출된 빛을 반사시킬 수도 있다.The first lead frame 120a and the second lead frame 120b are electrically separated from each other through the package body 110 and are electrically connected to the first lead frame 120a and the second lead frame 120b And supplies power to the light emitting element 130. Here, the first lead frame 120a and the second lead frame 120b may reflect light emitted from the light emitting device 130. [

제1 리드 프레임(120a)과 제2 리드 프레임(120b)은 구리 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 제1 리드 프레임(120a)과 제2 리드 프레임(120b)의 상하면에 도금층(미도시)이 각각 배치될 수 있다.The first lead frame 120a and the second lead frame 120b may be made of a conductive material such as copper and a plating layer (not shown) may be formed on the upper and lower surfaces of the first lead frame 120a and the second lead frame 120b Respectively.

도 1과 도 2에서 수직형 발광소자가 도시되고 있으나 이에 한정하지 않으며, 수평형 발광소자나 플립 칩 타입의 발광소자가 배치될 수도 있다.Although the vertical type light emitting device is shown in FIGS. 1 and 2, the horizontal type light emitting device or the flip chip type light emitting device may be disposed.

플립 칩 타입의 발광소자의 경우 발광소자(130)가 수평형의 경우와 다르게 거꾸로 배치될 수 있고, 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b) 상에 발광 소자(130)가 연결되어 고정될 수 있도록 발광 소자(130)와 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b) 사이에는 접착 부재가 배치되어 솔더링될 수 있는데, 접착 부재는 발광 소자의 제1 전극패드와 제1 리드 프레임의 사이와, 제2 전극 패드와 제2 리드 프레임의 사이에 각각 배치될 수 있다.In the case of the flip-chip type light emitting device, the light emitting device 130 may be disposed upside down from the horizontal case, and the light emitting device 130 may be connected and fixed on the first and second lead frames 120a and 120b An adhesive member may be disposed and soldered between the light emitting device 130 and the first and second lead frames 120a and 120b so that the adhesive member is positioned between the first electrode pad of the light emitting device and the first lead frame , And between the second electrode pad and the second lead frame, respectively.

여기서, 접착부재는 Au 또는 Sn 그리고 Sn/Ag, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi, Sn/Ag/Cu, Sn/Ag/Bi의 무연 솔더(Lead-free solder) 및 High lead와 eutectic의 유연 솔더(Lead solder) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.Here, the bonding member is a lead-free solder of Au or Sn and Sn / Ag, Sn / Cu, Sn / Zn, Sn / Zn / Bi, Sn / Zn / Bi, Sn / Ag / Cu, free solder and high lead and eutectic lead solder.

패키지 몸체(110)의 캐비티(111)에는 제1 몰딩층(140)이 채워질 수 있다.The cavity 111 of the package body 110 may be filled with the first molding layer 140.

제1 몰딩층(140)은 발광 소자(130)를 보호하도록 발광 소자(130)를 둘러싸며 발광 소자(130)의 둘레에 배치될 수 있도록 캐비티(111)에 배치될 수 있다.The first molding layer 140 may be disposed on the cavity 111 so as to surround the light emitting device 130 and surround the light emitting device 130 to protect the light emitting device 130. [

종래에는 몰딩층 내에 형광체를 포함하고, 발광 소자로부터 방출되는 제1 파장 영역의 빛에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 빛을 방출할 수 있었다.Conventionally, a phosphor is included in the molding layer, and the light of the second wavelength range is excited by the light of the first wavelength range emitted from the light emitting device.

형광체를 포함하는 몰딩층은 몰딩층 내의 형광체의 밀도가 높지 않아서, 몰딩층의 하부 영역에 형광체가 가라앉아서 산포가 고르지 않아서, White conversion 효율이 낮아 White 및 PC(Phosphor Converted)-amber를 구현하는데 한계가 있다. 또한, 형광체를 포함하는 몰딩층에 형광체의 산포가 고르지 않은 경우, 색좌표 산포가 큰 문제점이 있다.Since the density of the phosphor in the molding layer is not high and the phosphor is scattered in the lower region of the molding layer and the scattering is uneven, the molding conversion layer including the phosphor has a low white conversion efficiency and thus imposes limitations on implementing White and PC (Phosphor Converted) . Further, when the scattering of the phosphor is uneven in the molding layer containing the phosphor, there is a problem in that dispersion of the color coordinates is large.

상술한 문제점을 해결하기 위해, 제1 실시예에 의한 발광 소자 패키지(100A)에서 제2 몰딩층(150A)이 제1 몰딩층(140)을 덮도록 제1 몰딩층(140) 상부에 배치될 수 있는데, 제1 몰딩층(140)의 하부면의 양 끝단이, 패키지 몸체(110)의 상부면과 접촉하도록 배치될 수 있다. 그리고, 패키지 몸체(110)의 상부 표면의 높이는 제1 몰딩층(140)의 상부 표면의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.The second molding layer 150A may be disposed on the first molding layer 140 so as to cover the first molding layer 140 in the light emitting device package 100A according to the first embodiment Both ends of the lower surface of the first molding layer 140 may be disposed so as to be in contact with the upper surface of the package body 110. The height of the upper surface of the package body 110 may be substantially the same as the height of the upper surface of the first molding layer 140.

여기서, 발광 소자(130)에서 방출된 광이 제1 몰딩층(140)과 제2 몰딩층(150A) 사이로 방출되는 것을 방지하기 위해 광 방출 차단을 위한 접촉면이 제1 몰딩층(140)과 제2 몰딩층(150A) 사이에 형성될 수 있다. 광 방출 차단을 위한 접촉면의 너비(W4)는 50㎛ 내지 100㎛일 수 있다.Here, in order to prevent the light emitted from the light emitting device 130 from being emitted between the first molding layer 140 and the second molding layer 150A, a contact surface for blocking light emission is formed between the first molding layer 140 and the second molding layer 150A. 2 molding layer 150A. The width W4 of the contact surface for blocking light emission may be 50 탆 to 100 탆.

접촉면의 너비(W4)가 50㎛보다 작으면 캐비티의 가장 자리에서 빛샘이 발생할 수 있고, 100㎛보다 크면 재료비의 증가와 발광소자 패키지(100A)의 중량 증가 등이 예상될 수 있다.If the width W4 of the contact surface is less than 50 mu m, light leakage may occur at the edge of the cavity. If the width W4 is more than 100 mu m, an increase in material cost and an increase in weight of the light emitting device package 100A may be expected.

그리고, 제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)은, 발광 소자(130)의 폭(W1)의 3배 내지 5배일 수 있다. 제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)이 발광 소자(130)의 폭(W1)의 3배보다 작으면 캐비티(111)의 발광소자 패키지의 지향각이 너무 감소할 수 있고, 5배보다 크면 캐비티(111)의 개구부의 폭이 너무 커서 캐비티의 가장자리로 방출되는 광량이 상대적으로 작아서 휘도의 불균일이 발생할 수 있다The width W2 of the second molding layer 150A may be 3 to 5 times the width W1 of the light emitting element 130. [ If the width W2 of the second molding layer 150A is smaller than three times the width W1 of the light emitting device 130, the directivity angle of the light emitting device package of the cavity 111 can be reduced too much, The width of the opening of the cavity 111 is too large and the amount of light emitted to the edge of the cavity is relatively small, resulting in non-uniformity of luminance

예를 들면 제1 실시예에서, 발광 소자(130)의 폭(W1)은 0.5㎜ 내지 1.0㎜일 수 있고, 제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)은 4.3㎜ 내지 4.7㎜일 수 있다.For example, in the first embodiment, the width W1 of the light emitting element 130 may be 0.5 mm to 1.0 mm, and the width W2 of the second molding layer 150A may be 4.3 mm to 4.7 mm .

렌즈(160)는 패키지 몸체(110)의 상부에 배치될 수 있으며, 예를 들어 렌즈(160)는 패키지 몸체(110)의 상면과 제2 몰딩층(150A)의 상부에 배치될 수 있다. 렌즈(160)는 패키지 몸체(110)의 상부에 배치되어 발광 소자(130)로부터 방출되는 빛의 진로를 변경할 수 있다.The lens 160 may be disposed on top of the package body 110 such that the lens 160 may be disposed on the upper surface of the package body 110 and on the upper portion of the second molding layer 150A. The lens 160 may be disposed on the upper portion of the package body 110 to change the course of light emitted from the light emitting device 130.

렌즈(160)의 하부면에는 리세스(recess)가 형성될 수 있는데, 패키지 몸체(110)로부터 돌출된 제2 몰딩층(150A)이 상기의 리세스에 삽입되어 배치될 수 있다.A recess may be formed on the lower surface of the lens 160. A second molding layer 150A protruding from the package body 110 may be inserted into the recess.

렌즈(160)의 상부면은 발광 소자(130)와 수직 방향으로 대응하는 영역에서 함몰부를 가질 수 있고, 함몰부의 주변 영역에서 렌즈의 높이가 가장 높을 수 있다. 즉, 렌즈의 높이가 가장 높은 영역을 상기의 함몰부를 둘러싸고 배치될 수 있다.The upper surface of the lens 160 may have a depression in a region corresponding to the vertical direction of the light emitting device 130, and the height of the lens may be the highest in a peripheral region of the depression. That is, the region having the highest height of the lens may be disposed around the depression.

렌즈(160)는 발광 소자(130)와 대응하는 영역의 일부가 함몰된 돔(dome) 타입으로 이루어지거나, 발광 소자 패키지의 광출사각을 조절하기 위하여 다른 형상으로 배치될 수도 있다. The lens 160 may be a dome type in which a part of a region corresponding to the light emitting device 130 is recessed or may be arranged in a different shape in order to control the light emitting angle of the light emitting device package.

그리고, 렌즈(160)의 높이가 가장 높은 부분으로부터 함몰부까지의 깊이(D2)는, 캐비티(111)의 깊이(D1)의 1배 내지 1.4배일 수 있다. 제1 실시예에서, 캐비티(111)의 깊이(D1)는 0.4㎜ 내지 0.5㎜일 수 있다. 그리고, 렌즈(160)의 높이가 가장 높은 부분으로부터 함몰부까지의 깊이(D2)는 0.4㎜ 내지 0.7㎜일 수 있다. 캐비티(111)에 형광체를 포함하는 제1 몰딩층(140)이 배치될 경우 깊이(D1)가 적어도 0.7 마이크로 미터 이상이어야 하나, 본 실시예는 제2 몰딩층(150A)이 캐비티(111)의 외부에 배치되어 캐비티(111)의 깊이(D1)이 상대적으로 작을 수 있다.The depth D2 from the portion having the highest height of the lens 160 to the depression may be 1 to 1.4 times the depth D1 of the cavity 111. [ In the first embodiment, the depth D1 of the cavity 111 may be 0.4 mm to 0.5 mm. The depth D2 from the portion having the highest height of the lens 160 to the depression may be 0.4 mm to 0.7 mm. The depth D1 must be at least 0.7 micrometer when the first molding layer 140 including the phosphor is disposed in the cavity 111. This embodiment is advantageous in that the second molding layer 150A is formed on the surface of the cavity 111 And the depth D1 of the cavity 111 may be relatively small.

렌즈(160) 상부면의 중앙의 함몰부는 발광소자 패키지(100A)의 지향각을 조절하기 위한 것으로, 렌즈(160)의 높이가 가장 높은 부분으로부터 함몰부까지의 깊이(D2)가 캐비티(111)의 깊이(D1)의 1배보다 작거나 1.4배보다 크면, 지향각이 너무 작거나 커질 수 있다.The depression at the center of the upper surface of the lens 160 is for adjusting the directivity angle of the light emitting device package 100A and the depth D2 from the highest height portion of the lens 160 to the depression is smaller than the depth D2, The directional angle may be too small or too large if the depth D1 is less than or equal to 1.4 times the depth D1 of the substrate.

제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)은 렌즈의 높이가 가장 높은 부분들 사이의 최대 거리(W3)의 1.5 배 내지 2.0배일 수 있다.The width W2 of the second molding layer 150A may be 1.5 to 2.0 times the maximum distance W3 between the portions having the highest height of the lens.

예를 들면, 렌즈(160)의 높이가 가장 높은 부분들 사이의 최대 거리(W3)는 2.5㎜ 내지 3.5㎜일 수 있고, 제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)은 4.3㎜ 내지 4.7㎜일 수 있다. 제2 몰딩층(150A)의 폭(W2)은 렌즈의 높이가 가장 높은 부분들 사이의 최대 거리(W3)의 1.5배 미만이면 렌즈(160)가 함몰된 부분의 폭이 너무 커서 지향각의 커질 수 있고, 2.0배보다 크면 상술한 함몰부가 제2 몰딩층으로부터 전달되는 빛 중 일부분의 지향각만을 조절할 수 있다.For example, the maximum distance W3 between the highest height portions of the lens 160 may be 2.5 mm to 3.5 mm, and the width W2 of the second molding layer 150A may be 4.3 mm to 4.7 mm Lt; / RTI > If the width W2 of the second molding layer 150A is less than 1.5 times the maximum distance W3 between the portions having the highest height of the lens, the width of the recessed portion of the lens 160 is too large, And if it is larger than 2.0 times, the aforementioned depression can control only the directivity angle of a part of light transmitted from the second molding layer.

제1 몰딩층(140)은 실리콘을 포함할 수 있으며, 예를 들면 페닐(Phenyl) 계열의 실리콘을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 몰딩층(150A)과 렌즈(160)는 실리콘을 포함할 수 있으며, 예를 들면 메틸(Methyl) 계열의 실리콘을 포함할 수 있다. 메틸 계열의 실리콘은 가격이 비교적 저렴하고, 열에 대한 내구성이 강하여 렌즈(160)의 크랙을 방지할 수 있다.The first molding layer 140 may include silicon, and may include, for example, a phenyl-based silicone. In addition, the second molding layer 150A and the lens 160 may include silicon, for example, Methyl-based silicon. The methyl-based silicone is relatively inexpensive and has high heat resistance, so that cracking of the lens 160 can be prevented.

제1 실시예에서, 제1 몰딩층(140)의 굴절률은 렌즈(160)의 굴절률보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 몰딩층(140)은 제1 굴절률을 가져서 발광소자(130)에서 방출되는 광의 추출에 유리하고, 렌즈(160)는 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 가질 수 있다.In the first embodiment, the refractive index of the first molding layer 140 may be greater than the refractive index of the lens 160. For example, the first molding layer 140 has a first refractive index and is advantageous for extracting light emitted from the light emitting device 130, and the lens 160 can have a second refractive index smaller than the first refractive index.

제2 몰딩층(150A)의 굴절률은 렌즈(160)의 굴절률과 동일할 수 있다.The refractive index of the second molding layer 150A may be the same as the refractive index of the lens 160. [

그리고, 제2 굴절률은 1.41 내지 1.45일 수 있고, 제1 굴절률은 1.50 내지 1.55일 수 있다.The second refractive index may be 1.41 to 1.45, and the first refractive index may be 1.50 to 1.55.

제1 몰딩층(140)과 제2 몰딩층(150A)은 이종의 재료로 이루어지나 형광체 분말에 의하여 접착력이 향상될 수 있고, 제2 몰딩층(150A)과 렌즈(160)는 동종의 재료이므로 접착력이 우수할 수 있다.Since the first molding layer 140 and the second molding layer 150A are made of different materials, the adhesive force can be improved by the phosphor powder, and the second molding layer 150A and the lens 160 are the same material The adhesive strength can be excellent.

본 실시예는 발광 소자에 도포되는 제1 몰딩층(140)과 제1 몰딩층(140) 상부에 배치되는 렌즈(160) 사이에 제2 몰딩층(150A)이 배치되고, 제2 몰딩층(150A)은 형광체를 포함할 수 있다. 그리고, 제2 몰딩층(150A)은 필름 형태로 제1 몰딩층(140) 상에 배치될 수 있다. 따라서, 캐비티의 높이를 줄일 수 있고 형광체가 캐비티의 바닥면에 침전되지 않아서 White 및 PC-amber를 구현할 수 있다.The second molding layer 150A is disposed between the first molding layer 140 applied to the light emitting device and the lens 160 disposed on the first molding layer 140, 150A) may include a phosphor. The second molding layer 150A may be disposed on the first molding layer 140 in the form of a film. Therefore, the height of the cavity can be reduced, and the phosphor can not be settled on the bottom surface of the cavity, thereby realizing White and PC-amber.

도 2는 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100B)를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package 100B according to the second embodiment.

도 2에 도시한 바와 같이, 제2 실시예에 따른 발광 소자 패키지(100B)는 패키지 몸체(110), 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b), 발광 소자(130), 제1 몰딩층(140), 제2 몰딩층(150B) 및 렌즈(160)를 포함할 수 있다.2, the light emitting device package 100B according to the second embodiment includes a package body 110, first and second lead frames 120a and 120b, a light emitting device 130, a first molding layer A first molding layer 140, a second molding layer 150B, and a lens 160.

제2 실시예의 패키지 몸체(110), 제1 및 제2 리드 프레임(120a, 120b), 발광 소자(130) 및 렌즈(160)에 대한 설명은 제1 실시예와 동일하므로 생략하기로 한다.The description of the package body 110, the first and second lead frames 120a and 120b, the light emitting device 130 and the lens 160 of the second embodiment is the same as that of the first embodiment.

제1 몰딩층(140)은 캐비티(111)에 삽입될 수 있다. 그리고, 제1 몰딩층(140)의 상부면의 높이는 패키지 몸체(110)의 상부면의 높이와 동일하거나 패키지 몸체(110)의 상부면의 높이보다 낮을 수 있다.The first molding layer 140 may be inserted into the cavity 111. The height of the upper surface of the first molding layer 140 may be the same as the height of the upper surface of the package body 110 or lower than the height of the upper surface of the package body 110.

그리고, 제2 몰딩층(150B)의 하부면은 제1 몰딩층(140)의 상부면과 접촉하고, 측면은 캐비티(111)의 내측면과 접촉하며, 상부면은 렌즈(160)와 접촉할 수 있다. 제2 몰딩층(150B)의 측면의 기울기는 캐비티(111)의 내측면의 기울기와 동일할 수 있다.The lower surface of the second molding layer 150B is in contact with the upper surface of the first molding layer 140 and the side surface is in contact with the inner surface of the cavity 111 and the upper surface is in contact with the lens 160 . The inclination of the side surface of the second molding layer 150B may be the same as the inclination of the inner surface of the cavity 111. [

형광체층(150B)의 작용은 제1 실시예의 제2 몰딩층이 제1 몰딩층(140) 상부에 배치되는 경우와 동일할 수 있다. 이때, 발광소자(130)에서 청색 파장 영역의 광을 방출하고, 제2 몰딩층(150B)이 청색 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 PC-amber 파장 영역의 광을 방출하기 위하여 제2 몰딩층(150B) 내에서 형광체 분말의 중량비는 적어도 70% 이상일 수 있다.The function of the phosphor layer 150B may be the same as the case where the second molding layer of the first embodiment is disposed on the first molding layer 140. [ At this time, the second molding layer 150B is excited by the light in the blue wavelength region to emit light in the blue wavelength region in the light emitting device 130, and the second molding layer 150B is excited in order to emit light in the PC- 150B), the weight ratio of the phosphor powder may be at least 70% or more.

본 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 발광 소자에 도포되는 제1 몰딩층과 제1 몰딩층 상부에 배치되는 렌즈 사이에 형광체 필름이나 형광체 분말을 포함하는 제2 몰딩층을 실장하여 형광체가 캐비티의 하부면으로 침전되지 않으므로 White 및 PC-amber를 구현함으로써, White로의 변환 효율을 향상시키고, 발광 소자의 색좌표 산포를 개선시킬 수 있다.The light emitting device package according to the present embodiment includes a first molding layer coated on the light emitting device and a lens disposed on the first molding layer, and a second molding layer including a phosphor film and a phosphor powder is mounted, It is possible to improve the conversion efficiency to white and to improve the dispersion of the color coordinates of the light emitting element by implementing White and PC-amber.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100A, 100B: 발광 소자 패키지 110: 패키지 몸체
111: 캐비티 120a: 제1 리드 프레임
120b: 제2 리드 프레임 130: 발광 소자
140: 제1 몰딩층 150A, 150B: 제2 몰딩층
160: 렌즈100A, 100B: light emitting device package 110: package body
111: cavity 120a: first lead frame
120b: second lead frame 130: light emitting element
140: first molding layer 150A, 150B: second molding layer
160: lens

Claims (13)

캐비티가 형성된 패키지 몸체;
상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 및 제2 리드 프레임;
상기 제2 리드 프레임에 배치되는 발광 소자;
상기 발광 소자를 둘러싸고 상기 캐비티에 배치되는 제1 몰딩층;
상기 제1 몰딩층 상부에 배치되는 제2 몰딩층; 및
상기 패키지 몸체의 상면과 상기 제2 몰딩층의 상부에 배치되는 렌즈를 포함하고,
상기 제1 몰딩층은 제1 굴절률을 가지고, 상기 렌즈는 상기 제1 굴절률보다 작은 제2 굴절률을 가지는 발광 소자 패키지.A package body having a cavity formed therein;
First and second lead frames disposed in the package body;
A light emitting element disposed in the second lead frame;
A first molding layer surrounding the light emitting device and disposed in the cavity;
A second molding layer disposed above the first molding layer; And
And a lens disposed on an upper surface of the package body and an upper portion of the second molding layer,
Wherein the first molding layer has a first refractive index and the lens has a second refractive index smaller than the first refractive index. 제1 항에 있어서,
상기 제2 굴절률은 1.41 내지 1.45인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the second refractive index is 1.41 to 1.45. 제1 항에 있어서,
상기 제1 굴절률은 1.50 내지 1.55인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first refractive index is 1.50 to 1.55. 제1 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층과 상기 렌즈는 메틸(Methyl) 계열의 실리콘을 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the second molding layer and the lens include methyl-based silicon. 제1 항에 있어서,
상기 제1 몰딩층은 페닐(Phenyl) 계열의 실리콘을 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first molding layer comprises Phenyl silicon. 제1 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층은 형광체를 포함하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the second molding layer comprises a phosphor. 제6 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층은 필름 형태인 발광 소자 패키지.The method according to claim 6,
Wherein the second molding layer is in the form of a film. 제1 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층의 하부면의 양 끝단은, 상기 패키지 몸체의 상부면과 접촉하는 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And both ends of a lower surface of the second molding layer are in contact with an upper surface of the package body. 제1 항에 있어서,
상기 제1 몰딩층은 상기 캐비티에 삽입되고, 상기 제1 몰딩층의 상부면의 높이는 상기 패키지 몸체의 상부면의 높이와 동일하거나 낮은 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first molding layer is inserted into the cavity and the height of the upper surface of the first molding layer is equal to or less than the height of the upper surface of the package body. 제1 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층의 폭은, 상기 발광 소자의 폭의 3배 내지 5배인 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
And the width of the second molding layer is 3 to 5 times the width of the light emitting device. 제1 항에 있어서,
상기 렌즈의 상부면은 상기 발광 소자와 대응하는 영역에서 함몰부를 가지고, 상기 함몰부의 주변 영역에서 상기 렌즈의 높이가 가장 높은 발광 소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the lens has a depression in a region corresponding to the light emitting element and the height of the lens in the peripheral region of the depression is highest. 제10 항에 있어서,
상기 렌즈의 높이가 가장 높은 부분으로부터 상기 함몰부까지의 깊이는, 상기 캐비티의 깊이의 1배 내지 1.4배인 발광 소자 패키지.11. The method of claim 10,
Wherein the depth from the highest height portion of the lens to the depression portion is 1 to 1.4 times the depth of the cavity. 제10 항에 있어서,
상기 제2 몰딩층의 폭은, 상기 렌즈의 높이가 가장 높은 부분들 사이의 최대 거리의 1.5배 내지 2.0배인 발광 소자 패키지.11. The method of claim 10,
Wherein the width of the second molding layer is 1.5 to 2.0 times the maximum distance between the portions having the highest height of the lens.
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