KR102558584B1 - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것으로서, 기판; 기판 상에 서로 전기적으로 이격되어 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 상하면에 각각 배치된 도금층; 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하고, 도금층은 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 배치되고, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층; 제1 도금층 상에 배치되고, 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층; 및 제2 도금층과 연결되고, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층을 포함한다.The embodiment relates to a light emitting device package, comprising: a substrate; A first lead frame and a second lead frame disposed electrically spaced apart from each other on a substrate; plating layers respectively disposed on the upper and lower surfaces of the first lead frame and the second lead frame; A light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; and a molding portion surrounding the light emitting device, wherein the plating layer is disposed on the first lead frame and the second lead frame, and includes a first plating layer containing nickel (Ni); a second plating layer disposed on the first plating layer and containing palladium (Pd); and a third plating layer connected to the second plating layer and containing gold (Au).

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}Light emitting device package {LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색, 백색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 갖는다.Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) or laser diodes (LDs) using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials can implement various colors such as red, green, blue, white, and ultraviolet through the development of thin film growth technology and device materials. It has the advantage of affinity.

따라서, 발광 다이오드는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, the application of light emitting diodes is expanding to transmission modules of optical communication means, light emitting diode backlights that replace Cold Cathode Fluorescence Lamps (CCFLs) constituting the backlight of liquid crystal display (LCD) display devices, white light emitting diode lighting devices that can replace fluorescent lights or incandescent bulbs, automobile headlights, and traffic lights.

발광소자는 사파이어 등으로 이루어진 기판 위에 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물이 형성되고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 제1 전극과 제2 전극이 배치된다.In the light emitting device, a light emitting structure including a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer is formed on a substrate made of sapphire or the like, and a first electrode and a second electrode are disposed on the first conductivity type semiconductor layer and the second conductivity type semiconductor layer, respectively.

발광소자 패키지는 패키지 몸체에 제1 전극과 제2 전극이 배치되고, 패키지 몸체의 바닥 면에 발광소자가 배치되며 제1 전극 및 제2 전극과 전기적으로 연결된다.In the light emitting device package, a first electrode and a second electrode are disposed on a package body, and a light emitting device is disposed on a bottom surface of the package body and electrically connected to the first electrode and the second electrode.

발광소자 패키지는 리드 프레임 상에 금속의 도금층이 배치되고, 도금층에 발광소자를 접착시키기 위한 접착제가 도포된다. 상기 접착제는 일정 시간이 경과하면 접착력이 떨어져 발광소자가 리드 프레임 상으로부터 들뜨게 됨으로써 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성이 크게 저하되는 문제점이 있다.In the light emitting device package, a metal plating layer is disposed on a lead frame, and an adhesive for bonding the light emitting device is applied to the plating layer. The adhesive has a problem in that the durability and reliability of the light emitting device package are greatly reduced as the adhesive strength decreases after a certain time elapses and the light emitting device is lifted from the lead frame.

실시예는 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시키고자 한다.Embodiments are intended to improve durability and reliability of a light emitting device package.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실시예는 기판; 상기 기판 상에 서로 전기적으로 이격되어 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 상하면에 각각 배치된 도금층; 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자; 및 상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부를 포함하고, 상기 도금층은 상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 배치되고, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층; 상기 제1 도금층 상에 배치되고, 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층; 및 상기 제2 도금층과 연결되고, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층을 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, the embodiment is a substrate; a first lead frame and a second lead frame disposed electrically spaced apart from each other on the substrate; plating layers respectively disposed on upper and lower surfaces of the first lead frame and the second lead frame; a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame; and a molding portion surrounding the light emitting device, wherein the plating layer is disposed on the first lead frame and the second lead frame, and includes a first plating layer containing nickel (Ni); a second plating layer disposed on the first plating layer and containing palladium (Pd); and a third plating layer connected to the second plating layer and containing gold (Au).

예를 들어, 상기 발광소자와 상기 도금층 사이에 배치된 접착부재를 더 포함할 수 있다.For example, an adhesive member disposed between the light emitting element and the plating layer may be further included.

예를 들어, 상기 제1 도금층의 두께는 0.8㎛ 내지 0.9㎛이고, 상기 제2 도금층의 두께는 0.05㎛ 내지 0.15㎛이며, 상기 제3 도금층의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.For example, the thickness of the first plating layer may be 0.8 μm to 0.9 μm, the thickness of the second plating layer may be 0.05 μm to 0.15 μm, and the thickness of the third plating layer may be 0.01 μm to 0.03 μm.

예를 들어, 상기 제1 도금층의 두께는 1.4㎛ 내지 1.6㎛이고, 상기 제2 도금층의 두께는 0.03㎛ 내지 0.06㎛이며, 상기 제3 도금층의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.For example, the thickness of the first plating layer may be 1.4 μm to 1.6 μm, the thickness of the second plating layer may be 0.03 μm to 0.06 μm, and the thickness of the third plating layer may be 0.01 μm to 0.03 μm.

예를 들어, 상기 제1 도금층의 두께는 0.8㎛ 내지 0.9㎛이고, 상기 제2 도금층의 두께는 0.03㎛ 내지 0.06㎛이며, 상기 제3 도금층의 두께는 0.003㎛ 내지 0.005㎛일 수 있다.For example, the thickness of the first plating layer may be 0.8 μm to 0.9 μm, the thickness of the second plating layer may be 0.03 μm to 0.06 μm, and the thickness of the third plating layer may be 0.003 μm to 0.005 μm.

예를 들어, 상기 발광소자는 제1 전선 및 제2 전선을 통해 상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임과 각각 연결될 수 있다.For example, the light emitting element may be respectively connected to the first lead frame and the second lead frame through a first wire and a second wire.

예를 들어, 상기 발광소자와 상기 몰딩부 사이에 제1 절연막; 및 상기 도금층과 상기 몰딩부 사이에 배치된 제2 절연막을 더 포함할 수 있다.For example, a first insulating film between the light emitting element and the molding part; and a second insulating film disposed between the plating layer and the molding part.

예를 들어, 상기 상기 제1 전선 및 제2 전선을 감싸는 제3 절연막을 더 포함할 수 있다.For example, a third insulating film surrounding the first wire and the second wire may be further included.

예를 들어, 상기 제1 및 제2 리드프레임의 상부에 배치된 상기 도금층과 함께 캐비티를 형성하는 리플렉터를 더 포함하고, 상기 발광소자는 상기 캐비티 내에 배치될 수 있다.For example, a reflector forming a cavity together with the plating layer disposed on the first and second lead frames may be further included, and the light emitting device may be disposed in the cavity.

예를 들어, 상기 리플렉터와 상기 몰딩부 사이에 배치된 제4 절연막을 더 포함할 수 있다.For example, a fourth insulating layer disposed between the reflector and the molding unit may be further included.

실시 예에 따른 발광소자 패키지는 도금층과 접착부재에 의해 접착된 발광소자가 접착부재가 경화되는 열처리 과정에서 도금층으로부터 박리되는 것을 방지함으로써, 개선된 내구성과 신뢰성을 갖는다.The light emitting device package according to the embodiment has improved durability and reliability by preventing the light emitting device bonded to the plating layer and the adhesive member from being separated from the plating layer during a heat treatment process in which the adhesive member is cured.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 발광소자 패키지에서 실시예에 따른 도금층의 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 5a와 도 5b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 6a와 도 6b는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 7a와 도 7b는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 영상표시장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.1 is a plan view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a AA′ cross-sectional view of FIG. 1 .
FIG. 3 is a view showing the structure of a plating layer according to an embodiment in the light emitting device package shown in FIG. 2 .
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
5A and 5B are graphs showing the luminous flux change rate over time of the light emitting device package to which the plating layer of the light emitting device package according to the embodiment is applied.
6A and 6B are graphs showing a rate of change in luminous flux over time of a light emitting device package to which a plating layer of a light emitting device package according to another embodiment is applied.
7A and 7B are graphs showing the luminous flux change rate over time of a light emitting device package to which a plating layer of a light emitting device package according to another embodiment is applied.
8 is an exploded perspective view illustrating an example of an image display device including a light emitting device package according to an embodiment.
9 is an exploded perspective view illustrating an exemplary embodiment of a lighting device in which a light emitting device package according to the exemplary embodiment is disposed.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention that can specifically realize the above object will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed “on or under” of each element, “on or under” includes both elements formed in direct contact with each other or one or more other elements disposed between the two elements (indirectly). In addition, if it is expressed as “on or under”, it may include the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 패키지(100A)를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A' 단면도이다.FIG. 1 is a plan view illustrating a light emitting device package 100A according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 1 .

본 실시예에 따른 발광소자 패키지(100A)는 기판(110), 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122), 도금층(130), 발광소자(150), 몰딩부(160)를 포함한다.The light emitting device package 100A according to the present embodiment includes a substrate 110, a first lead frame 121 and a second lead frame 122, a plating layer 130, a light emitting device 150, and a molding part 160.

실시예에서 기판(110)은 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있고 패키지 몸체로 작용할 수 있으며, 발광소자(150)에서 발생되는 열을 외부로 배출시킬 수 있도록 열전도성 기판으로 구비될 수 있다.In an embodiment, the substrate 110 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, may act as a package body, and may be provided as a thermal conductive substrate to discharge heat generated from the light emitting element 150 to the outside.

또한, 기판(110) 상에는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)이 서로 전기적으로 이격되어 배치되는데, 후술할 발광소자(150)에 형성되는 제1 전극패드 및 제2 전극패드(미도시)와 각각 대응되도록 형성되어 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, on the substrate 110, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 are disposed electrically spaced apart from each other, and the first electrode pad and the second electrode pad (not shown) formed on the light emitting element 150 to be described later are formed to correspond to each other and can be electrically connected.

제1 전극패드(미도시)와 제2 전극패드(미도시)는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 금(Au) 중 적어도 하나 및 이들의 합금을 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode pad (not shown) and the second electrode pad (not shown) may include at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), nickel (Ni), copper (Cu), or gold (Au) and an alloy thereof, and may be formed in a single layer or multilayer structure.

그리고, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)은 서로 전기적으로 분리되며, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)에 전기적으로 연결된 발광소자(150)에 전원을 공급해 준다. 여기서, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)은 발광소자(150)에서 방출된 빛을 반사시킬 수도 있다.In addition, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 are electrically separated from each other, and power is supplied to the light emitting device 150 electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 122. Here, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 may reflect light emitted from the light emitting device 150 .

제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)은 구리 등의 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)의 상하면에 도금층(130)이 각각 배치될 수 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 122 may be made of a conductive material such as copper, and plating layers 130 may be disposed on upper and lower surfaces of the first lead frame 121 and the second lead frame 122, respectively.

도 3은 도 2에 도시된 발광소자 패키지(100A)에서 실시예에 따른 도금층의 구조를 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a view showing the structure of a plating layer according to an embodiment in the light emitting device package 100A shown in FIG. 2 .

도 3에 도시된 바와 같이, 발광소자 패키지의 리드 프레임을 중심으로 상하 대칭으로 배치되는 도금층(130)은 제1 내지 제3 도금층(131 내지 133)을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 도금층(131)은 제1 리드 프레임(121)과 제2 리드 프레임(122)에 배치된다. 제2 도금층(132)은 제1 도금층(131) 상에 배치되고, 제3 도금층(133)은 제2 도금층(132)과 연결되어 배치된다.As shown in FIG. 3 , the plating layer 130 symmetrically disposed around the lead frame of the light emitting device package may include first to third plating layers 131 to 133 . Here, the first plating layer 131 is disposed on the first lead frame 121 and the second lead frame 122 . The second plating layer 132 is disposed on the first plating layer 131 , and the third plating layer 133 is disposed to be connected to the second plating layer 132 .

그리고, 제1 도금층(131)은 니켈(Ni)을 포함할 수 있으며, 제2 도금층(132)은 팔라듐(Pd)을 포함할 수 있고, 제3 도금층(133)은 금(Au)을 포함할 수 있다.Also, the first plating layer 131 may include nickel (Ni), the second plating layer 132 may include palladium (Pd), and the third plating layer 133 may include gold (Au).

제1 도금층(131)은 제2 도금층(132)보다 두껍게 형성될 수 있고, 제2 도금층(132)은 제3 도금층(133)보다 두껍게 형성될 수 있다.The first plating layer 131 may be formed thicker than the second plating layer 132 , and the second plating layer 132 may be formed thicker than the third plating layer 133 .

일 실시예에 의하면 도금층에서 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층의 두께를 보다 얇게 형성한 것으로, 제1 도금층(131)의 두께는 0.8㎛ 내지 0.9㎛이고, 제2 도금층(132)의 두께는 0.05㎛ 내지 0.15㎛이며, 제3 도금층(133)의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the first plating layer containing nickel (Ni) in the plating layer is formed thinner, the thickness of the first plating layer 131 is 0.8 μm to 0.9 μm, the thickness of the second plating layer 132 is 0.05 μm to 0.15 μm, and the thickness of the third plating layer 133 may be 0.01 μm to 0.03 μm.

도금층에서 제1 도금층의 두께는 1.5㎛로 형성되었으나 제1 도금층(131)의 두께를 0.8㎛ 내지 0.9㎛로 줄임으로써 도금층을 제작하는데 비용을 줄일 수 있다. 여기서, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층(131)의 두께가 0.8㎛보다 얇게 형성되면, 도금층의 강도가 약해질 수 있으므로 도금층의 강도와 내식성을 고려하여, 제1 도금층의 두께가 결정될 수 있다.In the plating layer, the thickness of the first plating layer is formed to be 1.5 μm, but the cost of manufacturing the plating layer can be reduced by reducing the thickness of the first plating layer 131 to 0.8 μm to 0.9 μm. Here, if the thickness of the first plating layer 131 containing nickel (Ni) is formed to be smaller than 0.8 μm, the strength of the plating layer may be weakened, so the thickness of the first plating layer 131 may be determined in consideration of the strength and corrosion resistance of the plating layer.

다른 실시예는 도금층에서 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층의 두께를 보다 얇게 형성한 것으로, 제1 도금층(131)의 두께는 1.4㎛ 내지 1.6㎛이고, 제2 도금층(132)의 두께는 0.03㎛ 내지 0.06㎛이며, 제3 도금층(133)의 두께는 0.01㎛ 내지 0.03㎛일 수 있다.In another embodiment, the thickness of the second plating layer containing palladium (Pd) is formed thinner in the plating layer, the thickness of the first plating layer 131 is 1.4 μm to 1.6 μm, the thickness of the second plating layer 132 is 0.03 μm to 0.06 μm, and the thickness of the third plating layer 133 may be 0.01 μm to 0.03 μm.

도금층에서 제2 도금층의 두께는 0.1㎛로 형성되었으나 제2 도금층(132)의 두께를 0.03㎛ 내지 0.06㎛로 줄임으로써 도금층을 제작하는데 비용을 줄일 수 있다.In the plating layer, the second plating layer has a thickness of 0.1 μm, but by reducing the thickness of the second plating layer 132 to 0.03 μm to 0.06 μm, costs for manufacturing the plating layer can be reduced.

또 다른 실시예는 종래의 도금층에서 제1 도금층, 제2 도금층, 제3 도금층의 두께를 보다 얇게 형성한 것으로, 제1 도금층(131)의 두께는 0.8㎛ 내지 0.9㎛이고, 제2 도금층(132)의 두께는 0.03㎛ 내지 0.06㎛이며, 제3 도금층(133)의 두께는 0.003㎛ 내지 0.005㎛일 수 있다.Another embodiment is to form the thickness of the first plating layer, the second plating layer, and the third plating layer thinner than the conventional plating layer, the thickness of the first plating layer 131 is 0.8 μm to 0.9 μm, the thickness of the second plating layer 132 is 0.03 μm to 0.06 μm, and the thickness of the third plating layer 133 may be 0.003 μm to 0.005 μm.

실시예에 의하면, 제1 도금층, 제2 도금층, 제3 도금층의 두께를 두껍게 형성하지 않고, 이들의 두께를 모두 줄임으로써 도금층을 제작하는 비용을 가장 크게 줄일 수 있다. 특히, 제3 도금층(133)의 두께가 현저히 줄어들었는데, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층(133)은 도금층의 최외곽에 배치되어 황부식을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층(133)의 두께가 0.003㎛보다 얇으면 황부식을 방지하는데 한계가 있으므로 제3 도금층(133)의 두께는 황부식을 방지할 수 있으면서, 패키지의 제작비용을 절감할 수 있는 최소한의 두께로 형성될 수 있다.According to the embodiment, the first plating layer, the second plating layer, and the third plating layer are not formed thickly, but all of them are reduced in thickness, thereby reducing the cost of manufacturing the plating layer the most. In particular, the thickness of the third plating layer 133 is remarkably reduced, and the third plating layer 133 containing gold (Au) is disposed at the outermost portion of the plating layer and serves to prevent yellow corrosion. Therefore, if the thickness of the third plating layer 133 containing gold (Au) is thinner than 0.003 μm, there is a limit to preventing yellow corrosion, so the thickness of the third plating layer 133 can prevent yellow corrosion and reduce the manufacturing cost of the package. It can be formed with a minimum thickness.

실시예들은 상술한 바와 같이, 제1 도금층(131), 제2 도금층(132) 및 제3 도금층(133)의 각 두께는 도금층의 강도와 내식성, 패키지 제작비용 등을 고려하여 결정될 수 있다. 그리고, 실시예들에 의하면, 도금층에 접착부재에 의해 접착된 발광소자가 접착부재가 경화되는 과정에서 접착력이 떨어져 도금층으로부터 발광소자가 들뜨는 것을 방지함으로써 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above in the embodiments, the thickness of each of the first plating layer 131, the second plating layer 132, and the third plating layer 133 may be determined in consideration of strength and corrosion resistance of the plating layer, package manufacturing cost, and the like. And, according to the embodiments, the durability and reliability of the light emitting device package can be improved by preventing the light emitting device attached to the plating layer by the adhesive member from being lifted from the plating layer due to a drop in adhesive strength in the process of curing the adhesive member.

도 4는 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지(100B)를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a light emitting device package 100B according to another embodiment.

도 2와 도 4를 참조하면, 발광소자 패키지(100B)는 발광소자(150)와 도금층(130) 사이에 배치된 접착부재(155)를 더 포함할 수 있다. 그리고, 도전층 상에 발광소자가 연결되어 고정될 수 있도록 발광소자(150)와 도금층(130) 사이에는 접착부재(155)가 배치되어 솔더링될 수 있는데, 발광소자(150)의 제1 전극패드와 제1 리드 프레임의 사이와, 제2 전극 패드와 제2 리드 프레임의 사이에 각각 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 4 , the light emitting device package 100B may further include an adhesive member 155 disposed between the light emitting device 150 and the plating layer 130 . In addition, an adhesive member 155 may be disposed and soldered between the light emitting element 150 and the plating layer 130 so that the light emitting element may be connected and fixed on the conductive layer, and may be disposed between the first electrode pad and the first lead frame and between the second electrode pad and the second lead frame, respectively.

여기서, 접착부재(155)는 Au 또는 Sn 그리고 Sn/Ag, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi, Sn/Ag/Cu, Sn/Ag/Bi의 무연 솔더(Lead-free solder) 및 High lead 와 eutectic의 유연 솔더(Lead solder) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.Here, the adhesive member 155 may be formed of any one of lead-free solder of Au or Sn, Sn/Ag, Sn/Cu, Sn/Zn, Sn/Zn/Bi, Sn/Zn/Bi, Sn/Ag/Cu, and Sn/Ag/Bi, and high lead and eutectic lead solder.

그리고, 접착부재(155)의 두께(BLT: Bonding Layer Thickness)가 너무 얇으면 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 발광소자(150) 간을 접착해 줌과 동시에 버퍼층(Buffer Layer)의 역할을 해 줄 수 없고, 접착부재(155)의 두께가 두껍게 구비되면 접착력이 불안정하게 된다.In addition, if the thickness (BLT: Bonding Layer Thickness) of the adhesive member 155 is too thin, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 and the light emitting device 150 are bonded together. At the same time, it cannot serve as a buffer layer, and when the thickness of the adhesive member 155 is provided thickly, the adhesive strength becomes unstable.

따라서, 접착부재(155)의 두께는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 발광소자(150) 간을 접착해 줌과 동시에 버퍼층(Buffer Layer)의 역할을 해 줄 수 있도록 형성될 수 있다.Therefore, the thickness of the adhesive member 155 can be formed to adhere between the first lead frame 121 and the second lead frame 122 and the light emitting device 150 and to serve as a buffer layer.

한편, 발광소자 패키지(100B)는 제1 및 제2 리드 프레임(121, 122)의 상부에 배치된 도금층(130)과 함께 캐비티를 형성하는 리플렉터(115)를 더 포함하고, 발광소자(150)가 캐비티 내에 배치될 수 있다. 여기서, 리플렉터(115)는 발광소자(150)로부터 방출되는 빛을 발광소자 패키지(100B)의 전면(도 2와 도 4에서 윗 방향)으로 반사시켜 휘도를 증가시킬 수 있다.Meanwhile, the light emitting device package 100B further includes a reflector 115 forming a cavity together with the plating layer 130 disposed on the first and second lead frames 121 and 122, and the light emitting device 150 may be disposed in the cavity. Here, the reflector 115 may increase luminance by reflecting light emitted from the light emitting device 150 to the front surface of the light emitting device package 100B (upward direction in FIGS. 2 and 4 ).

그리고, 몰딩부(160)는 발광소자(150)를 보호하도록 발광소자를 둘러싸 발광소자(150)의 둘레에 배치될 수 있고, 발광소자(150)로부터 방출되는 빛의 진로를 변경하여 렌즈로 작용할 수 있다. 몰딩부(160) 내에는 형광체가 포함되어 발광소자(150)로부터 방출되는 제1 파장 영역의 빛에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 빛을 방출할 수도 있다.In addition, the molding unit 160 may surround the light emitting device 150 to protect the light emitting device 150 and may be disposed around the light emitting device 150, and may act as a lens by changing a path of light emitted from the light emitting device 150. The molding part 160 may contain a phosphor and be excited by the light of the first wavelength region emitted from the light emitting device 150 to emit light of the second wavelength region.

또한, 몰딩부(160)는 도시된 바와 같이 발광소자(150)와 대응하는 영역의 일부가 함몰된 돔(dome) 타입으로 이루어지거나, 발광소자 패키지의 광출사각을 조절하기 위하여 다른 형상으로 배치될 수도 있다.In addition, as shown, the molding unit 160 may be formed in a dome type in which a portion of the region corresponding to the light emitting device 150 is recessed, or may be disposed in another shape to adjust the light emission angle of the light emitting device package.

도시되지는 않았으나, 발광소자(150) 위에는 형광체층이 위치할 수 있으며, 형광체층은 컨포멀 코팅(conformal coating) 방식의 일정한 두께로 배치되어 일정한 두께로 배치될 수 있으며, 형광체층의 작용은 상술한 몰딩부(160) 내에 형광체가 배치되는 경우와 동일할 수 있다.Although not shown, a phosphor layer may be positioned on the light emitting element 150, and the phosphor layer may be disposed at a constant thickness in a conformal coating method to have a constant thickness.

발광소자(150)는 플립 칩(Flip Chip)으로 구비될 수 있으며, 기판의 상부에 수직으로 플립칩 본딩되어 배치될 수 있다.The light emitting device 150 may be provided as a flip chip, and may be vertically flip-chip bonded and disposed on an upper surface of a substrate.

또한, 발광소자 패키지에 안착되는 발광소자(150)는 수직형 발광소자나 수평형 발광소자로 배치될 수도 있다. 본 실시예에서는, 발광소자(150)의 제1 전극패드 및 제2 전극패드(미도시)가 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)에 각각 제1 전선(151)과 제2 전선(152)으로 전기적으로 연결될 수 있다.In addition, the light emitting device 150 mounted on the light emitting device package may be arranged as a vertical light emitting device or a horizontal light emitting device. In this embodiment, the first electrode pad and the second electrode pad (not shown) of the light emitting element 150 are first and second wires 151 and 152, respectively, to the first lead frame 121 and the second lead frame 122. It can be electrically connected to the wire 152.

제1 전선(151) 및 제2 전선(152)은 도전성 물질로 이루어질 수 있으며, 지름 0.8 내지 1.6 밀리미터 정도의 금(Au)으로 이루어질 수 있다. 전선의 두께가 너무 얇으면 외력에 의하여 절단될 수 있으며, 너무 두꺼우면 재료비가 증가하고 발광소자에서 방출되는 빛이 진행에 장애물이 될 수 있다.The first wire 151 and the second wire 152 may be made of a conductive material and may be made of gold (Au) having a diameter of about 0.8 to 1.6 millimeters. If the thickness of the wire is too thin, it may be cut by an external force, and if the thickness is too thick, material costs increase and light emitted from the light emitting device may become an obstacle to progress.

한편, 도금층과 발광소자 사이에 배치되는 접착부재가 경화할 때, 도금층의 제3 도금층이 접착부재의 경화를 저해하게 됨으로써 접착부재의 접착력이 크게 저하되는 문제점이 있다.On the other hand, when the adhesive member disposed between the plating layer and the light emitting element is cured, the third plating layer of the plating layer inhibits the curing of the adhesive member, thereby greatly reducing the adhesive strength of the adhesive member.

이를 방지하기 위하여, 도 2와 도 4에 굵은 실선으로 표시된 바와 같이, 절연막(140)이 배치될 수 있고 절연막(140)은 실리콘 산화막을 포함할 수 있다.In order to prevent this, as indicated by thick solid lines in FIGS. 2 and 4 , an insulating film 140 may be disposed and the insulating film 140 may include a silicon oxide film.

그리고, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100B)는 발광소자(150)와 몰딩부(160) 사이에 배치된 제1 절연막(140a)과, 도금층(130)과 몰딩부(160) 사이에 배치된 제2 절연막(140b)을 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 전선(151)과 제2 전선(152)을 감싸는 제3 절연막(140c)을 더 포함할 수 있고, 리플렉터(115)와 몰딩부(160) 사이에 배치되는 제4 절연막(140d)을 더 포함할 수 있다.Further, the light emitting device package 100B according to the embodiment may further include a first insulating layer 140a disposed between the light emitting device 150 and the molding portion 160, and a second insulating layer 140b disposed between the plating layer 130 and the molding portion 160. In addition, a third insulating film 140c surrounding the first electric wire 151 and the second electric wire 152 may be further included, and a fourth insulating film disposed between the reflector 115 and the molding part 160 may further include a 140d.

여기서, 제3 절연막(140c)은 제1 전선(151)과 제2 전선(152)의 부식을 방지할 수도 있다.Here, the third insulating layer 140c may prevent corrosion of the first wire 151 and the second wire 152 .

이와 같이 제1 내지 제4 절연막(140a 내지 140d)이 도금층과, 도금층에 배치된 발광소자와, 리플렉터에 배치됨으로써, 도금층에 접착부재에 의해 접착된 발광소자가 접착부재가 경화되는 과정에서 접착력이 떨어져 발광소자가 도금층으로부터 들뜨는 것을 방지할 수 있고, 발광소자에서 발생하는 열로 인해 리플렉터와 몰딩부 사이가 들뜨는 것을 방지할 수 있어 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As such, since the first to fourth insulating films 140a to 140d are disposed on the plating layer, the light emitting element disposed on the plating layer, and the reflector, the light emitting element adhered to the plating layer by means of an adhesive member may prevent the light emitting element from being lifted from the plating layer due to a decrease in adhesive strength in the process of curing the adhesive member, and the light emitting element may be prevented from being lifted between the reflector and the molding part due to heat generated from the light emitting element, thereby improving durability and reliability of the light emitting device package. there is

도 5a와 도 5b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.5A and 5B are graphs showing the luminous flux change rate over time of the light emitting device package to which the plating layer of the light emitting device package according to the embodiment is applied.

발광소자 패키지의 사용 중 시간에 따른 광속 변화율은 일정 범위 내에서 유지되어야 발광소자 패키지의 신뢰성을 확보할 수 있는데, 종래의 도금층이 적용된 발광소자 패키지의 광속 변화율은 특정 시간동안에만 일정 범위보다 크게 나타난다.During use of the light emitting device package, the luminous flux change rate with time must be maintained within a certain range to ensure reliability of the light emitting device package.

도 5a와 도 5b를 참고하면, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층의 두께를 0.8㎛ 내지 0.9㎛로 줄였을 때, 1,000시간 동안 시간에 따른 발광소자 패키지의 광속 변화율은 98.81% 내지 124.08%로 측정된다. 그리고, 표준편차(STDEV)는 600시간이 경과했을 때 7.43%가 최대치이며, 600시간 동안에는 광속 변화율이 크지 않음을 알 수 있다.5A and 5B, when the thickness of the first plating layer containing nickel (Ni) is reduced to 0.8 μm to 0.9 μm, the luminous flux change rate of the light emitting device package over time for 1,000 hours is 98.81% to 124.08%. In addition, the standard deviation (STDEV) has a maximum value of 7.43% when 600 hours have elapsed, and it can be seen that the luminous flux change rate is not large during 600 hours.

도 6a와 도 6b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.6A and 6B are graphs showing the luminous flux change rate over time of the light emitting device package to which the plating layer of the light emitting device package according to the embodiment is applied.

도 6a와 도 6b를 참고하면, 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층의 두께를 0.03㎛ 내지 0.06㎛로 줄였을 때, 1,000시간 동안 시간에 따른 발광소자 패키지의 광속 변화율은 95.29% 내지 122.88%로 측정된다. 그리고, 표준편차(STDEV)는 600시간이 경과했을 때 6.39%가 최대치이며, 600시간 동안에는 광속 변화율이 크지 않음을 알 수 있다.Referring to FIGS. 6A and 6B, when the thickness of the second plating layer containing palladium (Pd) is reduced to 0.03 μm to 0.06 μm, the luminous flux change rate of the light emitting device package over time for 1,000 hours is 95.29% to 122.88%. In addition, the standard deviation (STDEV) is 6.39% at the maximum when 600 hours have elapsed, and it can be seen that the luminous flux change rate is not large during 600 hours.

도 7a와 도 7b는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율을 나타낸 그래프이다.7A and 7B are graphs showing the luminous flux change rate over time of the light emitting device package to which the plating layer of the light emitting device package according to the embodiment is applied.

도 7a와 도 7b를 참고하면, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층의 두께를 0.8㎛ 내지 0.9㎛로 줄이고, 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층의 두께를 0.03㎛ 내지 0.06㎛로 줄이고, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층의 두께를 0.003㎛ 내지 0.005㎛으로 줄였을 때, 1,000시간 동안 시간에 따른 발광소자 패키지의 광속 변화율은 79.80% 내지 123.80%로 측정된다. 그리고, 표준편차(STDEV)는 600시간이 경과했을 때 7.95%로 측정되며, 600시간 동안에는 광속 변화율이 크지 않음을 알 수 있다.Referring to FIGS. 7A and 7B , when the thickness of the first plating layer containing nickel (Ni) is reduced to 0.8 μm to 0.9 μm, the thickness of the second plating layer containing palladium (Pd) is reduced to 0.03 μm to 0.06 μm, and the thickness of the third plating layer containing gold (Au) is reduced to 0.003 μm to 0.005 μm, light emission over time for 1,000 hours. The luminous flux change rate of the device package is measured to be 79.80% to 123.80%. In addition, the standard deviation (STDEV) is measured as 7.95% when 600 hours have elapsed, and it can be seen that the luminous flux change rate is not large during 600 hours.

발광소자의 수명이 초기 광속 변화율과 관련되는데, 실시예들에 따른 발광소자 패키지의 광속 변화율이 600시간 동안 크지 않고 안정적임을 알 수 있다.The lifetime of the light emitting device is related to the initial luminous flux change rate, and it can be seen that the luminous flux change rate of the light emitting device package according to the embodiments is not large and stable for 600 hours.

따라서, 본 실시예들에 따른 도금층을 적용한 발광소자 패키지의 시간에 따른 광속 변화율이 적게 측정되고 이로 인해 발광소자 패키지의 내구성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the rate of change in luminous flux over time of the light emitting device package to which the plating layer according to the present embodiments is applied is measured less, thereby improving durability and reliability of the light emitting device package.

또한, 본 실시예에 따른 발광소자 패키지에 의하면 도금층을 제작하는데 드는 비용을 절감할 수 있다.In addition, according to the light emitting device package according to the present embodiment, the cost required for manufacturing the plating layer can be reduced.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.A plurality of light emitting device packages according to the embodiment are arrayed on a substrate, and optical members such as a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, and the like may be disposed on a light path of the light emitting device package. The light emitting device package, substrate, and optical member may function as a light unit. Another embodiment may be implemented as a display device, an indicating device, and a lighting system including the semiconductor light emitting device or light emitting device package described in the above embodiments. For example, the lighting system may include a lamp and a street light.

이하에서는 상술한 발광소자 또는 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 백라이트 유닛과 조명 장치를 설명한다.Hereinafter, a backlight unit and a lighting device will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device or light emitting device package is disposed.

도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.8 is an exploded perspective view illustrating an example of an image display device including a light emitting device package according to an embodiment.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 영상표시장치(900)는 광원 모듈과, 바텀 커버(910) 상의 반사판(920)과, 상기 반사판(920)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 영상표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(940)과, 상기 도광판(940)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(950)와 제2 프리즘시트(960)와, 상기 제2 프리즘시트(960)의 전방에 배치되는 패널(970)과 상기 패널(970)의 전반에 배치되는 컬러필터(980)를 포함하여 이루어진다.As shown in FIG. 8, the image display device 900 according to the present embodiment includes a light source module, a reflector 920 on the bottom cover 910, a light guide plate 940 disposed in front of the reflector 920 and guiding light emitted from the light source module to the front of the image display device, a first prism sheet 950 and a second prism sheet 960 disposed in front of the light guide plate 940, 2 It includes a panel 970 disposed in front of the prism sheet 960 and a color filter 980 disposed in the first half of the panel 970.

광원 모듈은 회로 기판(930) 상의 발광소자 패키지(935)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(930)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(935)는 상술한 바와 같다.The light source module includes the light emitting device package 935 on the circuit board 930 . Here, a PCB or the like may be used as the circuit board 930, and the light emitting device package 935 is as described above.

영상표시장치는 도 5에 도시된 에지(edge) 타입의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 직하 타입의 백라이트 유닛이 사용될 수도 있다.The image display device may use a direct type backlight unit as well as the edge type backlight unit shown in FIG. 5 .

상술한 영상표시장치에 사용되는 발광소자 패키지는, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 표면 등에 실리콘 산화막이 형성되어 외부로부터 수분이나 공기의 침투가 방지되어 내구성과 신뢰성이 향상될 수 있다.In the light emitting device package used in the above-described image display device, a silicon oxide film is formed on the surfaces of the first lead frame and the second lead frame to prevent penetration of moisture or air from the outside, thereby improving durability and reliability.

도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 조명 장치의 일실시예를 나타낸 분해사시도이다.9 is an exploded perspective view illustrating one embodiment of a lighting device in which a light emitting device package according to the embodiment is disposed.

본 실시예에 따른 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있고, 광원 모듈(1200)은 상술한 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.The lighting device according to the present embodiment may include a cover 1100 , a light source module 1200 , a radiator 1400 , a power supply unit 1600 , an inner case 1700 , and a socket 1800 . In addition, the lighting device according to the embodiment may further include any one or more of the member 1300 and the holder 1500, and the light source module 1200 may include the light emitting device package according to the above-described embodiments.

커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 상기 커버(1100)는 상기 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기 시킬 수 있다. 상기 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(1100)는 상기 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.The cover 1100 may have a bulb or hemisphere shape, be hollow, and may be provided in a shape in which one part is open. The cover 1100 may be optically coupled to the light source module 1200 . For example, the cover 1100 can diffuse, scatter, or excite the light provided from the light source module 1200 . The cover 1100 may be a kind of optical member. The cover 1100 may be combined with the heat dissipation body 1400 . The cover 1100 may have a coupling portion coupled to the heat dissipation body 1400 .

커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 상기 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 상기 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.The inner surface of the cover 1100 may be coated with milky white paint. The milky white paint may include a diffusion material that diffuses light. The surface roughness of the inner surface of the cover 1100 may be greater than that of the outer surface of the cover 1100 . This is to sufficiently scatter and diffuse the light from the light source module 1200 and emit it to the outside.

커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(1100)는 외부에서 상기 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.The material of the cover 1100 may be glass, plastic, polypropylene (PP), polyethylene (PE), or polycarbonate (PC). Here, polycarbonate is excellent in light resistance, heat resistance, and strength. The cover 1100 may be transparent or opaque so that the light source module 1200 can be seen from the outside. The cover 1100 may be formed through blow molding.

광원 모듈(1200)은 상기 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 광원 모듈(1200)로부터의 열은 상기 방열체(1400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(1200)은 발광소자 패키지(1210), 연결 플레이트(1230), 커넥터(1250)를 포함할 수 있다. 발광소자 패키지(1210)는 상술한 실시예들에 도시된 바와 같으며, 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 표면 등에 실리콘 산화막이 형성되어 외부로부터 수분이나 공기의 침투가 방지되어 내구성과 신뢰성이 향상될 수 있다.The light source module 1200 may be disposed on one surface of the heat dissipation body 1400 . Thus, heat from the light source module 1200 is conducted to the heat dissipation body 1400 . The light source module 1200 may include a light emitting device package 1210 , a connection plate 1230 , and a connector 1250 . The light emitting device package 1210 is as shown in the above-described embodiments, and a silicon oxide film is formed on the surfaces of the first lead frame and the second lead frame to prevent penetration of moisture or air from the outside, thereby improving durability and reliability.

부재(1300)는 상기 방열체(1400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 발광소자 패키지(1210)들과 커넥터(1250)이 삽입되는 가이드홈(1310)들을 갖는다. 가이드홈(1310)은 상기 발광소자 패키지(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응된다.The member 1300 is disposed on the upper surface of the heat sink 1400 and has guide grooves 1310 into which a plurality of light emitting device packages 1210 and a connector 1250 are inserted. The guide groove 1310 corresponds to the board of the light emitting device package 1210 and the connector 1250 .

부재(1300)의 표면은 빛 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(1300)는 상기 커버(1100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(1200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(1100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.The surface of the member 1300 may be applied or coated with a light reflecting material. For example, the surface of the member 1300 may be coated or coated with a white paint. The member 1300 reflects the light reflected on the inner surface of the cover 1100 and returned to the light source module 1200 toward the cover 1100 again. Accordingly, light efficiency of the lighting device according to the embodiment may be improved.

부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(1400)와 상기 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(1230)와 상기 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(1400)는 상기 광원 모듈(1200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.The member 1300 may be made of an insulating material, for example. The connection plate 1230 of the light source module 1200 may include an electrically conductive material. Thus, electrical contact may be made between the radiator 1400 and the connection plate 1230 . The member 1300 is made of an insulating material to block an electrical short between the connection plate 1230 and the radiator 1400 . The radiator 1400 receives heat from the light source module 1200 and heat from the power supply unit 1600 and dissipates the heat.

홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(1700)의 상기 절연부(1710)에 수납되는 상기 전원 제공부(1600)는 밀폐된다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 갖는다. 가이드 돌출부(1510)는 상기 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 갖는다.The holder 1500 blocks the receiving groove 1719 of the insulating part 1710 of the inner case 1700 . Thus, the power supply unit 1600 accommodated in the insulation unit 1710 of the inner case 1700 is sealed. The holder 1500 has a guide protrusion 1510 . The guide protrusion 1510 has a hole through which the protrusion 1610 of the power supply unit 1600 passes.

전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 상기 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납되고, 상기 홀더(1500)에 의해 상기 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐된다. 상기 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.The power supply unit 1600 processes or converts an electrical signal received from the outside and provides it to the light source module 1200 . The power supply unit 1600 is accommodated in the receiving groove 1719 of the inner case 1700, and is sealed inside the inner case 1700 by the holder 1500. The power supply unit 1600 may include a protrusion 1610, a guide unit 1630, a base 1650, and an extension unit 1670.

상기 가이드부(1630)는 상기 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(1630)는 상기 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(1650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 상기 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide part 1630 has a shape protruding outward from one side of the base 1650 . The guide part 1630 may be inserted into the holder 1500 . A plurality of components may be disposed on one surface of the base 1650 . The plurality of parts may include, for example, a DC converter for converting AC power supplied from an external power source into DC power, a driving chip for controlling driving of the light source module 1200, and an ESD (ElectroStatic Discharge) protection device for protecting the light source module 1200, but are not limited thereto.

상기 연장부(1670)는 상기 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(1670)는 상기 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결되고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.The extension part 1670 has a shape protruding outward from the other side of the base 1650 . The extension part 1670 is inserted into the connection part 1750 of the inner case 1700 and receives an electrical signal from the outside. For example, the width of the extension part 1670 may be equal to or smaller than the width of the connection part 1750 of the inner case 1700 . Each end of the “+ wire” and the “− wire” may be electrically connected to the extension 1670, and the other ends of the “+ wire” and the “− wire” may be electrically connected to the socket 1800.

내부 케이스(1700)는 내부에 상기 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(1600)가 상기 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.The inner case 1700 may include a molding part together with the power supply part 1600 therein. The molding part is a part where the molding liquid is hardened, and allows the power supply part 1600 to be fixed inside the inner case 1700 .

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above has been described with reference to the embodiments, but these are merely examples and do not limit the present invention, and those skilled in the art to which the present invention belongs will be able to know that various modifications and applications not exemplified above are possible without departing from the essential characteristics of the present embodiment. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified and implemented. And differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the appended claims.

100A, 100B : 발광소자 패키지 110 : 기판
115 : 리플렉터 121 : 제1 리드 프레임
122 : 제2 리드 프레임 130 : 도금층
131 : 제1 도금층 132 : 제2 도금층
133 : 제3 도금층 140a : 제1 절연막
140b : 제2 절연막 140c : 제3 절연막
140d : 제4 절연막 150 : 발광소자
151 : 제1 전선 152 : 제2 전선
155 : 접착부재 160 : 몰딩부100A, 100B: light emitting device package 110: substrate
115: reflector 121: first lead frame
122: second lead frame 130: plating layer
131: first plating layer 132: second plating layer
133: third plating layer 140a: first insulating film
140b: second insulating film 140c: third insulating film
140d: fourth insulating film 150: light emitting element
151: first wire 152: second wire
155: adhesive member 160: molding part

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 서로 전기적으로 이격되어 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임;
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임의 상하면에 각각 배치된 도금층;
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 발광소자;
상기 발광소자와 상기 도금층 사이에 배치된 접착부재;
상기 발광소자를 둘러싸는 몰딩부; 및
상기 몰딩부의 측면을 전체적으로 둘러싸도록 배치되어 상기 발광소자로부터 방출되는 빛을 반사하는 리플렉터;를 포함하고,
상기 도금층은,
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임에 배치되고, 니켈(Ni)을 포함하는 제1 도금층;
상기 제1 도금층 상에 배치되고, 팔라듐(Pd)을 포함하는 제2 도금층; 및
상기 제2 도금층 상에 배치되고, 금(Au)을 포함하는 제3 도금층;을 포함하고,
상기 제1 도금층의 두께는 상기 제2 도금층보다 두껍고, 상기 제2 도금층의 두께는 상기 제3 도금층보다 두껍고,
상기 발광소자는 상기 접착부재에 의하여 상기 제3 도금층상에 직접 접착되는 발광소자 패키지.Board;
a first lead frame and a second lead frame disposed electrically spaced apart from each other on the substrate;
plating layers respectively disposed on upper and lower surfaces of the first lead frame and the second lead frame;
a light emitting element electrically connected to the first lead frame and the second lead frame;
an adhesive member disposed between the light emitting element and the plating layer;
a molding part surrounding the light emitting element; and
A reflector disposed to entirely surround a side surface of the molding unit to reflect light emitted from the light emitting device;
The plating layer is
a first plating layer disposed on the first lead frame and the second lead frame and containing nickel (Ni);
a second plating layer disposed on the first plating layer and containing palladium (Pd); and
A third plating layer disposed on the second plating layer and containing gold (Au); includes,
The thickness of the first plating layer is thicker than the second plating layer, the thickness of the second plating layer is thicker than the third plating layer,
The light emitting device is directly adhered to the third plating layer by the adhesive member. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 제1 도금층의 두께는 0.8㎛ 이상이고, 상기 제3 도금층의 두께는 0.003㎛ 이상인 발광소자 패키지.According to claim 1,
A thickness of the first plating layer is 0.8 μm or more, and a thickness of the third plating layer is 0.003 μm or more. 제1 항에 있어서,
상기 발광소자와 상기 몰딩부 사이에 제1 절연막; 및
상기 도금층과 상기 몰딩부 사이에 배치된 제2 절연막;을 더 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
a first insulating film between the light emitting element and the molding part; and
A light emitting device package further comprising a second insulating film disposed between the plating layer and the molding part. 제1 항에 있어서,
상기 제1 리드 프레임 및 상기 제2 리드 프레임을 각각 상기 발광소자와 연결하는 제1 전선 및 제2 전선을 감싸는 제3 절연막을 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
A light emitting device package comprising a third insulating film surrounding a first wire and a second wire connecting the first lead frame and the second lead frame to the light emitting device, respectively. 제1 항에 있어서,
상기 리플렉터는 상기 제1 및 제2 리드프레임의 상부에 배치된 상기 도금층과 함께 캐비티를 형성하고,
상기 리플렉터와 상기 몰딩부 사이에 배치된 제4 절연막;을 더 포함하는 발광소자 패키지.According to claim 1,
The reflector forms a cavity together with the plating layer disposed on the first and second lead frames,
A light emitting device package further comprising a fourth insulating film disposed between the reflector and the molding part. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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