KR20120047061A - Light emitting device array, and backlight unit and display having the same - Google Patents

Light emitting device array, and backlight unit and display having the same Download PDF

Info

Publication number
KR20120047061A
KR20120047061A KR1020100108722A KR20100108722A KR20120047061A KR 20120047061 A KR20120047061 A KR 20120047061A KR 1020100108722 A KR1020100108722 A KR 1020100108722A KR 20100108722 A KR20100108722 A KR 20100108722A KR 20120047061 A KR20120047061 A KR 20120047061A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
metal layer
substrate
cavity
Prior art date
Application number
KR1020100108722A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101723541B1 (en
Inventor
박준석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100108722A priority Critical patent/KR101723541B1/en
Publication of KR20120047061A publication Critical patent/KR20120047061A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101723541B1 publication Critical patent/KR101723541B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133615—Edge-illuminating devices, i.e. illuminating from the side
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Abstract

PURPOSE: A light emitting device array and a backlight unit and a display device having the same are provided to improve luminous efficiency by increasing the quantity of light reflected to an exit surface by including a third reflecting layer in an inner wall of a cavity. CONSTITUTION: A metal layer(120) is formed on a substrate(110). A cavity formation member(150) is formed on the substrate into a constant height. A plurality of light emitting devices(140) electrically connected to the metal layer is mounted within the cavity. A second reflecting layer(161) is formed on the cavity formation member. A mold material(170) is charged in the cavity to cover the light emitting device.

Description

발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시장치 {Light emitting device array, and backlight unit and display having the same}Light emitting device array, backlight unit and display device including same {Light emitting device array, and backlight unit and display having the same}

본 발명은 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device array, a backlight unit and a display device including the same.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)나 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 같은 발광 소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다. 또한, 발광 소자는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) using semiconductors of Group 3-5 or 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have been developed using thin film growth technology and device materials. Various colors such as green, blue, and ultraviolet light can be realized, and efficient white light rays can be realized by using fluorescent materials or combining colors. In addition, the light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent life, fast response speed, safety, and environmental friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent and incandescent lamps.

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a white light emitting device that can replace a fluorescent light bulb or an incandescent bulb that replaces a Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting a backlight of a transmission module of an optical communication means and a liquid crystal display (LCD) display device. Applications are expanding to diode lighting devices, automotive headlights and traffic lights.

발광 소자가 패키지 몸체에 실장되어 전기적으로 연결된 형태로 된 발광소자 패키지는 표시 장치의 광원으로 많이 사용되고 있다. 특히, COB(Chip on Board)형 발광소자 패키지는 발광 소자, 예를 들어 LED칩을 직접 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, 와이어 본딩에 의해 전기적 연결을 하는 방식으로, 발광 소자가 기판 상에 여러개 배열된 발광소자 어레이 형태로 많이 사용되고 있다. BACKGROUND ART A light emitting device package having a light emitting device mounted on a package body and electrically connected to the light emitting device is widely used as a light source of a display device. In particular, a chip on board (COB) type light emitting device package is a method in which a light emitting device, for example, an LED chip is directly bonded to a substrate by die bonding and electrically connected by wire bonding, so that the light emitting device is formed on the substrate. It is widely used in the form of a plurality of light emitting element array.

실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있는 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시장치를 제공하고자 함에 목적이 있다. Embodiments provide a light emitting device array capable of simplifying a process and reducing a manufacturing cost, and a backlight unit and a display device including the same.

실시예의 발광소자 어레이는, 기판; 상기 기판에 형성된 금속층; 캐비티를 형성하도록 상기 기판 상에 일정한 높이로 형성된 캐비티 형성 부재; 상기 캐비티 내에 실장되고 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자; 상기 캐비티 내에 상기 발광 소자 주위의 제1 반사층; 상기 발광 소자를 덮도록 상기 캐비티 내에 충전되는 몰드재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The light emitting device array of the embodiment includes a substrate; A metal layer formed on the substrate; A cavity forming member formed at a predetermined height on the substrate to form a cavity; A plurality of light emitting devices mounted in the cavity and electrically connected to the metal layer; A first reflective layer around the light emitting element in the cavity; A mold material filled in the cavity to cover the light emitting element; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 한다. In addition, the light emitting device is characterized in that mounted on the substrate in a chip on board (COB) method.

또한, 상기 캐비티 형성 부재 상의 제2 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a second reflective layer on the cavity forming member; It characterized in that it further comprises.

또한, 상기 캐비티의 내벽 상의 제3 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a third reflective layer on the inner wall of the cavity; It characterized in that it further comprises.

또한, 상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)로 형성되는 것을 특징으로 한다. The first reflecting layer or the second reflecting layer may be formed of a photo solder resist (PSR).

또한, 상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate is formed long in the longitudinal direction, characterized in that the plurality of light emitting elements are arranged along the longitudinal direction of the substrate.

또한, 상기 기판은 FR4로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate is characterized in that formed of FR4.

또한, 상기 기판의 상면에 형성된 제2 금속층; 상기 기판의 하면에 형성된 제3 금속층; 상기 금속층과 상기 제2 금속층을 열전도 가능하게 연결하는 열전도부재; 를 더 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 금속층 위에 실장되고, 상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 한다. In addition, a second metal layer formed on the upper surface of the substrate; A third metal layer formed on the bottom surface of the substrate; A thermally conductive member for thermally connecting the metal layer and the second metal layer; Further, wherein the light emitting device is mounted on the metal layer, the second metal layer and the third metal layer is characterized in that the thermally conductive connection.

또한, 상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 상기 기판에 형성된 관통홀을 통해 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 한다. In addition, the second metal layer and the third metal layer is characterized in that the thermally conductive through the through hole formed in the substrate.

또한, 상기 열전도부재는 열전도성 페이스트인 것을 특징으로 한다. In addition, the thermally conductive member is characterized in that the thermally conductive paste.

또한, 상기 몰드재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the mold material is characterized in that it comprises a phosphor.

또한, 상기 발광 소자 위에는 형광필름이 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, a fluorescent film is formed on the light emitting device.

또한, 상기 캐비티는 경사면을 갖는 것을 특징으로 한다. In addition, the cavity is characterized in that it has an inclined surface.

실시예의 발광소자 어레이는, 기판; 상기 기판에 형성된 금속층; 상기 기판 위의 반사층; 캐비티를 형성하도록 상기 반사층 위에 일정한 높이로 형성된 캐비티 형성 부재; 상기 캐비티 내에 실장되고 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자; 상기 발광 소자를 덮도록 상기 캐비티 내에 충전되는 몰드재; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The light emitting device array of the embodiment includes a substrate; A metal layer formed on the substrate; A reflective layer on the substrate; A cavity forming member formed at a predetermined height on the reflective layer to form a cavity; A plurality of light emitting devices mounted in the cavity and electrically connected to the metal layer; A mold material filled in the cavity to cover the light emitting element; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 기판에 실장되는 것을 특징으로 한다. In addition, the light emitting device is characterized in that mounted on the substrate in a chip on board (COB) method.

또한, 상기 캐비티 형성 부재 상의 제2 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a second reflective layer on the cavity forming member; It characterized in that it further comprises.

또한, 상기 캐비티의 내벽 상의 제3 반사층; 을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, a third reflective layer on the inner wall of the cavity; It characterized in that it further comprises.

또한, 상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate is formed long in the longitudinal direction, characterized in that the plurality of light emitting elements are arranged along the longitudinal direction of the substrate.

또한, 상기 기판의 상면에 형성된 제2 금속층; 상기 기판의 하면에 형성된 제3 금속층; 상기 금속층과 상기 제2 금속층을 열전도 가능하게 연결하는 열전도부재; 를 더 포함하고, 상기 발광 소자는 상기 금속층 위에 실장되고, 상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 한다. In addition, a second metal layer formed on the upper surface of the substrate; A third metal layer formed on the bottom surface of the substrate; A thermally conductive member for thermally connecting the metal layer and the second metal layer; Further, wherein the light emitting device is mounted on the metal layer, the second metal layer and the third metal layer is characterized in that the thermally conductive connection.

실시예의 백라이트 유닛은, 상기 발광소자 어레이를 포함하는 광원부; 상기 광원부를 수납하는 수납 장치; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The backlight unit of the embodiment may include a light source unit including the light emitting device array; A storage device accommodating the light source unit; Characterized in that it comprises a.

실시예의 표시 장치는, 화상표시부재; 및 상기 화상표시부재로 광을 조사하는 백라이트 유닛을 포함하며, 상기 백라이트 유닛은, 제1항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 광원부; 상기 광원부를 수납하는 수납 장치; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. The display device of the embodiment includes an image display member; And a backlight unit irradiating light to the image display member, wherein the backlight unit comprises: a light source unit including a light emitting element array according to any one of claims 1 to 20; A storage device accommodating the light source unit; Characterized in that it comprises a.

실시예는 공정을 간단히 하여 제작비용을 절감할 수 있는 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 표시장치를 제공할 수 있다. The embodiment can provide a light emitting device array, a backlight unit, and a display device including the same, which can reduce manufacturing costs by simplifying a process.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 어레이의 단면도이다.
도 2는 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이의 개략적인 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 라인을 따른 단면도를 나타낸다.
도 4는 도 3의 실시예에 따른 발광소자 어레이의 제조방법의 단계를 나타내는 순서도이다.
도 5는 도 3의 실시예를 변형한 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다.
도 6은 도 3의 실시예를 변형한 다른 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다.
도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다.
도 8은 도 7의 실시예를 변형한 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다.
도 9는 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device array according to an embodiment.
2 is a schematic plan view of a light emitting device array according to another exemplary embodiment.
3 is a cross-sectional view along the AA ′ line of FIG. 2.
4 is a flowchart illustrating steps of a method of manufacturing a light emitting device array according to the embodiment of FIG. 3.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device array modified from the embodiment of FIG. 3.
6 is a cross-sectional view of another light emitting device array in which the embodiment of FIG. 3 is modified.
7 is a sectional view showing a light emitting device array according to another embodiment.
FIG. 8 is a sectional view of a light emitting device array modified from the embodiment of FIG.
9 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention that can specifically realize the above object will be described.

상기의 실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.In the description of the above embodiments, each layer (region), region, pattern or structures may be "on" or "under" the substrate, each layer (layer), region, pad or pattern. When described as being formed, "on" and "under" include both being formed "directly" or "indirectly". In addition, the criteria for the top or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1은 실시예에 따른 발광소자 어레이의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a light emitting device array according to an embodiment.

COB(Chip on Board)형 발광소자 패키지는 발광 소자, 예를 들어 LED칩을 직접 기판에 다이 본딩(die bonding)하고, 와이어 본딩에 의해 전기적 연결을 하는 방식을 말한다. 발광소자 어레이는 발광 소자가 기판 상에 복수개 배열된 형태를 말한다. A chip on board (COB) type light emitting device package refers to a method of die bonding a light emitting device, for example, an LED chip, directly to a substrate, and electrically connecting the same by wire bonding. The light emitting device array refers to a form in which a plurality of light emitting devices are arranged on a substrate.

발광소자 어레이(10)는 기판(20)의 상부면에 패턴인쇄되는 금속층(21, 22) 중 어느 하나의 금속층(21)에 발광 소자(1)를 다이 본딩하여 부착하고, 상기 발광 소자(1)를 다른 금속층(22)에 와이어(5)에 의해 와이어 본딩하여 전기적으로 연결한다. The light emitting device array 10 may die-bond the light emitting device 1 to one of the metal layers 21 of the patterned metal layers 21 and 22 on the upper surface of the substrate 20, and attach the light emitting device 1 to the light emitting device 1. ) Is electrically connected to another metal layer 22 by wire bonding.

또한, 기판(20)의 상부면에는 발광 소자(1)를 에워싸도록 솔더페이스트 또는 금속재를 소재로 하여 스크린 인쇄방식으로 일정높이의 측벽(30)을 환고리형으로 형성한다. 다음에, 사전에 설정된 주입량으로 몰드재(35)를 측벽(30)의 내측으로 도포하여, 몰드재(35)가 일정높이를 갖는 돔형상으로 유지하게 된다.In addition, the upper surface of the substrate 20 is formed by using a solder paste or a metal material to surround the light emitting device 1 to form a ring-shaped sidewall 30 of a predetermined height in a screen printing method. Next, the mold material 35 is applied to the inside of the side wall 30 at a predetermined injection amount, so that the mold material 35 is held in a dome shape having a certain height.

그러나, 이러한 몰드재(35)는 기판(20) 위에 실장되는 각각의 발광 소자(1)마다 도포되어야 하므로, 공정이 복잡해지고 지연되는 문제점이 있다. However, since the mold material 35 must be applied to each light emitting device 1 mounted on the substrate 20, the process is complicated and delayed.

도 2는 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이의 개략적인 평면도이다. 도 3은 도 2의 A-A' 라인을 따른 단면도를 나타낸다. 2 is a schematic plan view of a light emitting device array according to another exemplary embodiment. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2.

도 2를 참조하면, 기판(110)은 길이방향으로 길게 형성된다. 발광소자 어레이(100)에는 복수의 발광 소자(140)가 기판(110)의 길이방향으로 배열된다. Referring to FIG. 2, the substrate 110 is formed long in the longitudinal direction. In the light emitting device array 100, a plurality of light emitting devices 140 are arranged in the longitudinal direction of the substrate 110.

본 실시예에서 기판(110) 상에는 캐비티를 형성하기 위해 일정한 높이를 갖는 캐비티 형성 부재(150)가 적층된다. 캐비티 내에는 발광 소자(140)가 COB(Chip on Board) 방식으로 실장되고, 몰드재(170)는 발광 소자(140)를 덮도록 캐비티 내에 충전된다. 이 경우, 캐비티 내를 몰드재(170)로 한번에 충전시킴으로써 복수의 발광 소자(140)는 한꺼번에 몰딩될 수 있어, 공정이 간단해진다. In this embodiment, the cavity forming member 150 having a predetermined height is stacked on the substrate 110 to form a cavity. In the cavity, the light emitting device 140 is mounted in a chip on board (COB) method, and the mold material 170 is filled in the cavity to cover the light emitting device 140. In this case, by filling the cavity with the mold material 170 at once, the plurality of light emitting devices 140 can be molded at once, thereby simplifying the process.

이하에서는, 도 3을 참조하여 본 실시예의 발광소자 어레이(100)의 구조를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the structure of the light emitting device array 100 of the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. 3.

발광소자 어레이(100)는 기판(110), 금속층(120), 캐비티 형성 부재(150), 발광 소자(140), 몰드재(170)를 포함한다. The light emitting device array 100 includes a substrate 110, a metal layer 120, a cavity forming member 150, a light emitting device 140, and a mold material 170.

기판(110)으로는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 방열성능이 우수한 MCPCB(Metal Core PCB)가 사용될 수 있다. 기판(110)의 재질로는 FR4가 사용될 수 있다. A printed circuit board (PCB) may be used as the substrate 110, and more preferably, a metal core PCB (MCPCB) having excellent heat dissipation performance may be used. FR4 may be used as the material of the substrate 110.

기판(110) 위에는 금속층(120)이 형성된다. 금속층(121, 122; 120)은 상호 전기적으로 분리된 두 부분으로 형성될 수 있다. 금속층(120)은 발광 소자(140)와 전기적으로 연결되어, 발광 소자(140)에 전원을 공급하는 역할을 한다. 금속층(120)은 알루미늄, 구리, 금, 은, 니켈, 티타늄 등과 같은 재료를 이용하여 형성될 수 있다. The metal layer 120 is formed on the substrate 110. The metal layers 121, 122 and 120 may be formed of two parts electrically separated from each other. The metal layer 120 is electrically connected to the light emitting device 140, and serves to supply power to the light emitting device 140. The metal layer 120 may be formed using a material such as aluminum, copper, gold, silver, nickel, titanium, or the like.

캐비티 형성 부재(150)는 캐비티(C)를 형성하도록 기판(110) 위에 일정한 높이로 적층된다. 캐비티 형성 부재(150)의 재질로는 예를 들어, FR4를 사용할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 캐비티 형성 부재(150)는 기판 상에 길이방향으로 양측으로 적층될 수 있다. 따라서, 이러한 캐비티 형성 부재(150)에 의해 기판(110)의 가운데에는 길이방향으로 긴 캐비티(C)가 형성된다. 캐비티 형성 부재(150)는 기판(110)에 대해 대체로 수직인 내벽(151)을 형성한다. The cavity forming member 150 is stacked on the substrate 110 at a predetermined height to form the cavity C. For example, FR4 may be used as the material of the cavity forming member 150, but is not limited thereto. The cavity forming member 150 may be stacked on both sides of the substrate in the longitudinal direction. Accordingly, the cavity C extending in the longitudinal direction is formed in the center of the substrate 110 by the cavity forming member 150. The cavity forming member 150 forms an inner wall 151 that is generally perpendicular to the substrate 110.

캐비티(C) 내에는 발광 소자(140)가 실장되어, 금속층(120)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(140)는 도전성 접착제(135)를 통해 금속층(120)에 부착될 수 있다. 와이어(145)는 발광 소자(140)를 금속층(120)과 전기적으로 연결시킨다. 도면에는 수직 구조의 발광 소자(140)가 도시되지만, 수평 구조의 발광 소자가 캐비티(C) 내에 실장될 수도 있다. 발광 소자(140)로부터 출사되는 광은 캐비티(C)의 내벽(151)에 부딪혀 반사되어 발광 소자(140)의 상방향인 출사면으로 집중될 수 있어서 발광 효율이 향상된다. In the cavity C, the light emitting device 140 is mounted and electrically connected to the metal layer 120. The light emitting device 140 may be attached to the metal layer 120 through the conductive adhesive 135. The wire 145 electrically connects the light emitting device 140 with the metal layer 120. Although the light emitting device 140 of the vertical structure is illustrated in the drawing, the light emitting device of the horizontal structure may be mounted in the cavity C. The light emitted from the light emitting device 140 may be reflected by hitting the inner wall 151 of the cavity C and may be concentrated on an exit surface upward of the light emitting device 140, thereby improving light emission efficiency.

캐비티(C) 내의 발광 소자(140) 주위에는 제1 반사층(160)이 적층될 수 있다. 제1 반사층(160)은 발광 소자(140)로부터 대체로 아래 방향으로 발산되는 광을 출사면으로 반사시키는 역할을 한다. 제1 반사층(160)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. The first reflective layer 160 may be stacked around the light emitting device 140 in the cavity C. The first reflective layer 160 serves to reflect light emitted from the light emitting device 140 in the downward direction to the emission surface. The first reflective layer 160 may be formed of a photo solder resist (PSR), in particular, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto.

캐비티(C) 내에는 발광 소자(140)를 덮도록 몰드재(170)가 충전된다. 이때, 몰드재(170)는 기판(110)에 길이방향으로 배열되는 복수의 발광 소자(140)를 전체적으로 덮도록 캐비티(C) 내에 충전될 수 있다. 이렇게 함으로써, 캐비티(C) 내에 실장된 복수의 발광 소자(140)를 한꺼번에 몰딩할 수 있어, 공정이 간단해지고 제작비용도 절감된다. The mold material 170 is filled in the cavity C to cover the light emitting device 140. In this case, the mold material 170 may be filled in the cavity C to cover the plurality of light emitting devices 140 arranged in the longitudinal direction on the substrate 110. By doing so, the plurality of light emitting elements 140 mounted in the cavity C can be molded at once, thereby simplifying the process and reducing the manufacturing cost.

몰드재(170)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. 몰드재(170)의 상면은 오목한 형상, 볼록한 형상, 평판 형상 등 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 몰드재(170)의 형태에 따라 발광 소자(140)에서 방출된 광의 지향각이 변화될 수 있다.The mold member 170 may be a resin material such as epoxy or silicone. The upper surface of the mold material 170 may be formed in various shapes such as concave shape, convex shape, flat plate shape, and the directing angle of the light emitted from the light emitting device 140 may vary according to the shape of the mold material 170. .

발광 소자(140) 위에는 형광체가 포함된 형광필름(142)이 부착될 수 있다. 이와 달리, 발광 소자(140) 위에 형광필름(142)이 부착되지 않고, 몰드재(170)에 형광체가 포함될 수도 있다. 또는, 형광체를 포함하는 형광체층이 발광 소자(140)를 덮도록 발광 소자(140)와 몰드재(170) 사이에 형성될 수도 있다. 이러한 형광체는 발광 소자(140)에서 방출된 광의 색을 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(140)가 청색광을 출력하는 경우, 백색광을 구현하기 위해 형광체는 황색 형광물질을 포함하게 된다. 발광 소자(140)가 출력하는 광의 색상이 청색이 아니라면, 백색광을 구현하기 위해 형광체의 색상 역시 바뀌어야 한다. The fluorescent film 142 including the phosphor may be attached onto the light emitting device 140. On the contrary, the fluorescent film 142 is not attached to the light emitting device 140, and the phosphor may be included in the mold material 170. Alternatively, the phosphor layer including the phosphor may be formed between the light emitting element 140 and the mold material 170 to cover the light emitting element 140. Such a phosphor may convert the color of light emitted from the light emitting device 140. For example, when the light emitting device 140 outputs blue light, the phosphor includes a yellow phosphor to realize white light. If the color of the light emitted from the light emitting device 140 is not blue, the color of the phosphor should also be changed to implement white light.

캐비티 형성 부재(150) 위에는 제2 반사층(161)이 적층될 수 있다. 제2 반사층(161)도 제1 반사층(160)과 마찬가지로 발광 소자(140)로부터 나와서 흩어지는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 제2 반사층(161)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. The second reflective layer 161 may be stacked on the cavity forming member 150. Like the first reflective layer 160, the second reflective layer 161 reflects the light scattered from the light emitting device 140 toward the emission surface. The second reflective layer 161 may be formed of a photo solder resist (PSR), particularly, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto.

제1 반사층(160) 및 제2 반사층(161)은 적층되는 두께가 두꺼워질수록 반사효율도 향상되므로, 1회 이상 도포하여 적절한 두께를 갖도록 할 수 있다. 또한, 제1 반사층(160) 및 제2 반사층(161)은 발광소자 어레이의 구성요소 사이의 계면을 통해 습기가 침투하는 것을 효과적으로 방지하여, 발광소자 어레이의 장기 신뢰성 측면에서 도움을 준다. As the thickness of the first reflective layer 160 and the second reflective layer 161 is increased, the reflection efficiency is also improved. In addition, the first reflective layer 160 and the second reflective layer 161 effectively prevents moisture from penetrating through the interface between the components of the light emitting device array, thereby helping in terms of long-term reliability of the light emitting device array.

한편, 발광 소자(140)는 전기를 공급받아 빛을 내는 과정에서 많은 열을 발산하게 된다. 발광 소자(140)에서 발산되는 열은 형광체로 전달되어, 형광체를 손상시키게 된다. 형광체가 손상되면 발광 소자(140)로부터 발광되는 광의 색좌표 또는 색온도가 바뀌게 되어, 발광 소자(140)로부터 원하는 색상의 광이 발광되지 않게 된다. 따라서, 발광 소자(140)로부터 발산되는 열을 외부로 잘 방출할 수 있도록 방열 특성을 개선하는 것이 중요한 문제가 되고 있다. On the other hand, the light emitting device 140 emits a lot of heat in the process of emitting light by receiving electricity. Heat emitted from the light emitting device 140 is transferred to the phosphor, thereby damaging the phosphor. When the phosphor is damaged, the color coordinate or color temperature of the light emitted from the light emitting element 140 is changed, so that light of a desired color is not emitted from the light emitting element 140. Therefore, it is an important problem to improve heat dissipation characteristics so that heat emitted from the light emitting element 140 can be well discharged to the outside.

이를 위해, 본 실시예에서는 발광 소자(140)로부터 발생되는 열을 외부로 잘 방출하기 위해 제2 금속층(123), 제3 금속층(124), 열전도부재(131)를 포함한다. To this end, the present embodiment includes a second metal layer 123, a third metal layer 124, and a thermally conductive member 131 to dissipate heat generated from the light emitting device 140 to the outside.

제2 금속층(123)은 금속층(120)에 인접하여 기판(110)의 상면에 형성된다. 제3 금속층(124)은 기판(110)의 하면에 형성되어 제2 금속층(123)과 열전도 가능하게 연결된다. 제3 금속층(124)은 기판(110)에 형성된 관통홀(111)을 통해 제2 금속층(123)과 열전도 가능하게 연결될 수 있다. The second metal layer 123 is formed on the upper surface of the substrate 110 adjacent to the metal layer 120. The third metal layer 124 is formed on the bottom surface of the substrate 110 and is connected to the second metal layer 123 so as to be thermally conductive. The third metal layer 124 may be thermally connected to the second metal layer 123 through the through hole 111 formed in the substrate 110.

열전도부재(131)는 금속층(120)과 제2 금속층(123)을 열전도 가능하게 연결한다. 열전도부재(131)는 예를 들어, 열전도성 페이스트(paste)일 수 있다. 이러한 열전도성 페이스트는 금속층(120)과 제2 금속층(123) 사이를 열전도 가능하게 연결하지만 전기적으로는 분리시킨다. 열전도성 페이스트로는 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀수지 및 알키드 수지 등이 있다. 따라서, 발광 소자(140)에서 발산되는 열은 금속층(120), 열전도부재(131), 제2 금속층(123), 제3 금속층(124)을 거쳐 외부로 발산될 수 있어, 방열 특성이 개선된다. The heat conductive member 131 connects the metal layer 120 and the second metal layer 123 to be thermally conductive. The thermally conductive member 131 may be, for example, a thermally conductive paste. The thermally conductive paste is electrically conductively connected between the metal layer 120 and the second metal layer 123 but is electrically separated. Thermally conductive pastes include polyester resins, urethane resins, acrylic resins, epoxy resins, phenolic resins and alkyd resins. Therefore, heat emitted from the light emitting device 140 may be dissipated to the outside through the metal layer 120, the heat conductive member 131, the second metal layer 123, and the third metal layer 124, thereby improving heat dissipation characteristics. .

도 4는 도 3의 실시예에 따른 발광소자 어레이의 제조방법의 단계를 나타내는 순서도이다. 4 is a flowchart illustrating steps of a method of manufacturing a light emitting device array according to the embodiment of FIG. 3.

먼저, 기판(110) 위에 캐비티 형성 부재(150)를 일정 높이로 적층한다(S10). 여기서, 기판(110)은 인쇄회로기판(PCB)이 될 수 있다. 이러한 캐비티 형성 부재(150)에 의해 기판(110) 위에는 길이방향으로 긴 캐비티(C)가 형성된다. First, the cavity forming member 150 is stacked on the substrate 110 at a predetermined height (S10). Here, the substrate 110 may be a printed circuit board (PCB). The cavity C that is elongated in the longitudinal direction is formed on the substrate 110 by the cavity forming member 150.

다음으로, 캐비티(C) 내에 복수의 발광 소자(140)를 실장한다(S20). 복수의 발광 소자(140)는 COB(Chip on Board) 방식으로 기판에 실장되어, 길이방향으로 긴 캐비티(C)를 따라 종방향으로 배열될 수 있다. Next, the plurality of light emitting elements 140 are mounted in the cavity C (S20). The plurality of light emitting devices 140 may be mounted on a substrate in a chip on board (COB) manner, and arranged in the longitudinal direction along the cavity C that is long in the longitudinal direction.

다음으로, 캐비티(C) 내를 몰드재(170)로 충전한다(S30). 이렇게 함으로써, 캐비티(C) 내에 실장된 복수의 발광 소자(140)를 한꺼번에 몰딩할 수 있어, 공정이 간단해지고 제작비용도 절감된다. Next, the inside of the cavity C is filled with the mold material 170 (S30). By doing so, the plurality of light emitting elements 140 mounted in the cavity C can be molded at once, thereby simplifying the process and reducing the manufacturing cost.

다음으로, 캐비티 형성 부재(150) 상에 제2 반사층(또는 반사층)을 적층할 수 있다(S40).Next, a second reflective layer (or reflective layer) may be stacked on the cavity forming member 150 (S40).

도 5는 도 3의 실시예를 변형한 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다. 5 is a cross-sectional view of a light emitting device array modified from the embodiment of FIG. 3.

본 실시예에서 도 3과 동일한 구성요소는 동일한 도면부호로 표시하였다. 여기서, 캐비티 형성 부재(150)는 기판(110)에 대해 경사진 경사면(151')을 형성하도록 기판(110) 위에 일정한 높이로 적층된다. 경사면(151')의 경사각도는 적절히 선택할 수 있다. 캐비티(C)가 경사면을 가짐으로써, 발광 소자(140)로부터 출사되는 광은 경사면(151')을 통해 출사면 쪽으로 더욱 잘 반사될 수 있고, 캐비티(C) 내에 갇히게 되는 광이 줄어들게 되어 발광 효율을 향상시킬 수 있다. In the present embodiment, the same components as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. Here, the cavity forming member 150 is stacked on the substrate 110 at a constant height to form an inclined surface 151 ′ that is inclined with respect to the substrate 110. The inclination angle of the inclined surface 151 'can be appropriately selected. Since the cavity C has an inclined surface, the light emitted from the light emitting element 140 can be more reflected toward the exit surface through the inclined surface 151 ', and the light trapped in the cavity C is reduced, thereby reducing the light emission efficiency. Can improve.

도 6은 도 3의 실시예를 변형한 다른 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다. 6 is a cross-sectional view of another light emitting device array in which the embodiment of FIG. 3 is modified.

본 실시예에서 도 3과 동일한 구성요소는 동일한 도면부호로 표시하였다. 본 실시예에서 캐비티(C)의 내벽(151) 상에는 제3 반사층(162)이 적층된다. 제3 반사층(162)은 발광 소자(140)로부터 측면을 향해 나오는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 제3 반사층(162)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 제3 반사층(162)은 발광소자 어레이의 구성요소 사이의 계면을 통해 습기가 침투하는 것을 방지하는 역할도 한다. In the present embodiment, the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. In the present exemplary embodiment, the third reflective layer 162 is stacked on the inner wall 151 of the cavity C. The third reflective layer 162 serves to reflect light emitted from the light emitting element 140 toward the side toward the emission surface. The third reflective layer 162 may be formed of a photo solder resist (PSR), in particular, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto. The third reflective layer 162 also serves to prevent moisture from penetrating through the interface between the components of the light emitting device array.

본 실시예에서는 캐비티(C)의 내벽(151)에 제3 반사층(162)을 추가로 구비함으로써, 출사면 쪽으로 반사되는 광량을 증가시켜 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있게 된다. In the present embodiment, the third reflective layer 162 is further provided on the inner wall 151 of the cavity C, thereby increasing the amount of light reflected toward the exit surface, thereby further improving the luminous efficiency.

도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다. 7 is a sectional view showing a light emitting device array according to another embodiment.

발광소자 어레이(200)는 기판(210), 금속층(220), 반사층(230), 캐비티 형성 부재(250), 발광 소자(240), 몰드재(270)를 포함한다. The light emitting device array 200 includes a substrate 210, a metal layer 220, a reflective layer 230, a cavity forming member 250, a light emitting device 240, and a mold material 270.

기판(210)으로는 PCB(Printed Circuit Board)를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 방열성능이 우수한 MCPCB(Metal Core PCB)가 사용될 수 있다. 기판(210)의 재질로는 FR4가 사용될 수 있다. A printed circuit board (PCB) may be used as the substrate 210, and more preferably, a MCPCB (Metal Core PCB) having excellent heat dissipation performance may be used. FR4 may be used as a material of the substrate 210.

기판(210) 위에는 금속층(220)이 형성된다. 금속층(221, 222; 220)은 상호 전기적으로 분리된 두 부분으로 형성될 수 있다. 금속층(220)은 발광 소자(240)와 전기적으로 연결되어, 발광 소자(240)에 전원을 공급하는 역할을 한다. The metal layer 220 is formed on the substrate 210. The metal layers 221, 222, and 220 may be formed of two parts electrically separated from each other. The metal layer 220 is electrically connected to the light emitting device 240, and serves to supply power to the light emitting device 240.

기판(210) 위에는 반사층(230)이 적층된다. 반사층(230)은 금속층(220)을 덮도록 적층될 수 있다. 반사층(230)은 캐비티(C) 내에 발광 소자(240)가 실장되었을 때, 발광 소자(240)의 하단부 주위로 위치하게 된다. 따라서, 반사층(230)은 발광 소자(240)로부터 대체로 아래 방향으로 나오는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 반사층(230)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. The reflective layer 230 is stacked on the substrate 210. The reflective layer 230 may be stacked to cover the metal layer 220. The reflective layer 230 is positioned around the lower end of the light emitting device 240 when the light emitting device 240 is mounted in the cavity C. Therefore, the reflective layer 230 serves to reflect light emitted from the light emitting device 240 in a downward direction toward the emission surface. The reflective layer 230 may be formed of a photo solder resist (PSR), in particular, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto.

캐비티 형성 부재(250)는 기판(210) 상에 캐비티(C)를 형성하도록 기판(210) 위에 일정한 높이로 적층된다. 캐비티 형성 부재(250)의 재질로는 예를 들어, FR4를 사용할 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 캐비티 형성 부재(250)에 의해 기판(210)의 가운데에는 길이방향으로 긴 캐비티(C)가 형성된다. 캐비티 형성 부재(250)는 기판(210)에 대해 수직인 내벽(251)을 형성하도록 도시되지만, 이러한 내벽(251)은 경사지게 형성될 수도 있다. The cavity forming member 250 is stacked on the substrate 210 at a predetermined height to form the cavity C on the substrate 210. For example, FR4 may be used as the material of the cavity forming member 250, but is not limited thereto. The cavity C extending in the longitudinal direction is formed in the center of the substrate 210 by the cavity forming member 250. Although the cavity forming member 250 is shown to form an inner wall 251 perpendicular to the substrate 210, this inner wall 251 may be formed to be inclined.

캐비티(C) 내에는 발광 소자(240)가 실장되어, 금속층(220)과 전기적으로 연결된다. 발광 소자(240)는 도전성 접착제(235)를 통해 금속층(220)에 부착될 수 있다. 와이어(245)는 발광 소자(240)를 금속층(220)과 전기적으로 연결시킨다. The light emitting device 240 is mounted in the cavity C and electrically connected to the metal layer 220. The light emitting device 240 may be attached to the metal layer 220 through the conductive adhesive 235. The wire 245 electrically connects the light emitting device 240 to the metal layer 220.

캐비티(C) 내에는 발광 소자(240)를 덮도록 몰드재(270)가 충전된다. 이때, 몰드재(270)는 복수의 발광 소자(240)를 전체적으로 덮도록 캐비티(C) 내에 충전될 수 있다. 이렇게 함으로써, 캐비티(C) 내에 실장된 복수의 발광 소자(240)를 한꺼번에 몰딩할 수 있어, 공정이 간단해지고 제작비용도 절감된다. 몰드재(270)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지물일 수 있다. The mold material 270 is filled in the cavity C to cover the light emitting device 240. In this case, the mold material 270 may be filled in the cavity C to cover the plurality of light emitting devices 240 as a whole. By doing so, the plurality of light emitting elements 240 mounted in the cavity C can be molded at once, thereby simplifying the process and reducing the manufacturing cost. The mold member 270 may be a resin such as epoxy or silicone.

발광 소자(240) 위에는 형광체가 포함된 형광필름(242)이 부착될 수 있다. 이와 달리, 발광 소자(240) 위에 형광필름(242)이 부착되지 않고, 몰드재(270)에 형광체가 포함될 수도 있고, 형광체를 포함하는 형광체층이 발광 소자(240)를 덮도록 발광 소자(240)와 몰드재(270) 사이에 형성될 수도 있다. 이러한 형광체는 발광 소자(240)에서 방출된 광의 색을 변환시킬 수 있다. The fluorescent film 242 including the phosphor may be attached onto the light emitting device 240. Alternatively, the fluorescent film 242 is not attached to the light emitting device 240, the phosphor may be included in the mold material 270, and the light emitting device 240 so that the phosphor layer containing the phosphor covers the light emitting device 240 ) And the mold material 270 may be formed. Such a phosphor may convert the color of light emitted from the light emitting device 240.

캐비티 형성 부재(250) 위에는 제2 반사층(231)이 적층될 수 있다. 제2 반사층(231)은 발광 소자(240)로부터 나와서 흩어지는 광을 출사면 쪽으로 반사시키는 역할을 한다. 제2 반사층(261)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. The second reflective layer 231 may be stacked on the cavity forming member 250. The second reflective layer 231 reflects the light emitted from the light emitting device 240 toward the emission surface. The second reflective layer 261 may be formed of a photo solder resist (PSR), in particular, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto.

한편, 본 실시예에서도 도 3에 도시된 실시예와 마찬가지로 발광 소자(240)로부터 발생되는 열을 외부로 잘 방출하기 위해 서로 열전도 가능하게 연결되는 제2 금속층(223), 열전도부재(231), 제3 금속층(224)을 포함한다.Meanwhile, also in the present embodiment, as in the embodiment shown in FIG. 3, the second metal layer 223, the heat conducting member 231, which are thermally conductively connected to each other in order to dissipate heat generated from the light emitting device 240 to the outside, are also provided. The third metal layer 224 is included.

열전도부재(227)는 금속층(220)과 제2 금속층(223)을 열전도 가능하게 연결한다. 열전도부재(227)는 예를 들어, 열전도성 페이스트(paste)일 수 있다. 이러한 열전도성 페이스트는 금속층(220)과 제2 금속층(223) 사이를 전기적으로는 분리시킨다. 열전도성 페이스트로는 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀수지 및 알키드 수지 등이 있다. 따라서, 발광 소자(240)에서 발산되는 열은 금속층(220), 열전도부재(227), 제2 금속층(223), 제3 금속층(224)을 거쳐 외부로 발산될 수 있어, 방열 특성이 향상된다. The heat conductive member 227 connects the metal layer 220 and the second metal layer 223 to be thermally conductive. The thermally conductive member 227 may be, for example, a thermally conductive paste. The thermally conductive paste electrically separates the metal layer 220 from the second metal layer 223. Thermally conductive pastes include polyester resins, urethane resins, acrylic resins, epoxy resins, phenolic resins and alkyd resins. Accordingly, heat emitted from the light emitting device 240 may be radiated to the outside through the metal layer 220, the heat conductive member 227, the second metal layer 223, and the third metal layer 224, thereby improving heat dissipation characteristics. .

도 8은 도 7의 실시예를 변형한 발광소자 어레이의 단면도를 나타낸다. FIG. 8 is a sectional view of a light emitting device array modified from the embodiment of FIG.

본 실시예에서 도 7과 동일한 구성요소는 동일한 도면부호로 표시하였다. 본 실시예에서 캐비티(C)의 내벽(251) 상에는 제3 반사층(232)이 적층된다. 제3 반사층(232)은 발광 소자(240)로부터 측면을 향해 나오는 광을 출사면 쪽으로 반사시켜 발광 효율을 더욱 향상시킨다. 제3 반사층(132)은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR), 특히 화이트 포토 솔더 레지스트(white PSR)로 형성될 수 있지만, 이에 제한되지는 않는다. 제3 반사층(232)은 발광소자 어레이의 구성요소 사이의 계면을 통해 습기가 침투하는 것을 방지하는 역할도 한다. In the present embodiment, the same components as those in FIG. 7 are denoted by the same reference numerals. In the present exemplary embodiment, the third reflective layer 232 is stacked on the inner wall 251 of the cavity C. The third reflective layer 232 further reflects light emitted from the light emitting device 240 toward the side toward the emission surface to further improve luminous efficiency. The third reflective layer 132 may be formed of a photo solder resist (PSR), in particular, a white photo solder resist (PSR), but is not limited thereto. The third reflective layer 232 also serves to prevent moisture from penetrating through the interface between the components of the light emitting device array.

도 9는 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다. 9 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.

표시 장치(display; 500)는 화상표시부재(590) 및 백라이트 유닛을 포함한다. 여기서, 화상표시부재(590)는 예를 들어, 액정 패널과 같이 광을 받아 화상을 표시할 수 있도록 구성된 부재를 말한다. 이하에서는, 화상표시부재(590)의 실시예로 액정 패널을 예로 들어 설명하기로 한다. The display device 500 includes an image display member 590 and a backlight unit. Here, the image display member 590 refers to a member configured to display an image by receiving light, for example, a liquid crystal panel. Hereinafter, a liquid crystal panel will be described as an example of the image display member 590.

액정 패널(590)은 TFT 기판 및 칼라 필터 기판 사이에 액정층이 주입되어 형성된다. 액정 패널(590)은 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 전극이 형성되어 있는 면이 마주하도록 배치하고, 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현한다. The liquid crystal panel 590 is formed by injecting a liquid crystal layer between the TFT substrate and the color filter substrate. The liquid crystal panel 590 is arranged by placing two substrates on which electrodes are formed so that the surfaces on which the electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying an electric voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules, the image is represented by the transmittance of light that varies accordingly.

백라이트 유닛은 광원부(511), 도광판(520), 광학시트(530) 및 반사시트(540)를 갖는 백라이트 어셈블리(510)와, 프레임(550) 및 하부커버(570)를 갖는 수납 장치를 포함할 수 있다.The backlight unit may include a backlight assembly 510 having a light source 511, a light guide plate 520, an optical sheet 530, and a reflective sheet 540, and a storage device having a frame 550 and a lower cover 570. Can be.

광원부(511)는 LED(light emitting diodes; 발광 다이오드) 또는 CCFL(cold cathode fluorescent lamp; 냉음극 형광 램프) 등의 발광소자가 기판에 실장되어 형성되고, 메인 기판(미도시)과 전기적으로 연결된다. 광원부(511)는 상기 실시예들에 도시된 발광소자 어레이를 포함할 수 있다. 광원부(511)는 도광판(520)의 한쪽 또는 양쪽 에지에 배열될 수 있다. 이와 달리, 광원부(511)는 도광판(520)의 하부에 배열되는 직하형의 면광원으로 구성될 수도 있다. The light source unit 511 is formed by mounting a light emitting device such as a light emitting diode (LED) or a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) on a substrate, and is electrically connected to a main substrate (not shown). . The light source unit 511 may include the light emitting device array shown in the above embodiments. The light source unit 511 may be arranged at one or both edges of the light guide plate 520. Alternatively, the light source unit 511 may be formed of a direct surface light source arranged below the light guide plate 520.

도광판(520)은 광원부(511)로부터 출사되는 광을 전달받아 백라이트의 발광영역 전체에 골고루 분산시킨다. 도광판(520)의 후면에는 광원부(511)로부터 출사된 광을 확산시키기 위한 다수의 반사도트들이 형성될 수 있다. The light guide plate 520 receives the light emitted from the light source unit 511 and distributes the light evenly throughout the light emitting area of the backlight. A plurality of reflective dots may be formed on the rear surface of the light guide plate 520 to diffuse the light emitted from the light source unit 511.

광학시트(530)는 도광판(520) 상에 부착되며, 도광판(520)에서 방출되는 광이 확산, 굴절현상을 거치도록 하여 휘도 및 광 효율을 향상시킨다. 광학시트(530)는 하나 또는 복수로 구성될 수 있다. 예를 들어, 광학시트(530)는 확산 시트(diffusion sheet)와, 프리즘 시트(prism sheet)를 포함할 수도 있고, 확산 시트의 기능과 프리즘 시트의 기능을 구비하는 하나의 광학시트로 구성될 수 있다. 광학시트(530)의 종류와 수는 요구되는 휘도 특성에 따라 다양하게 선택될 수 있다. The optical sheet 530 is attached to the light guide plate 520, and the light emitted from the light guide plate 520 undergoes diffusion and refraction to improve brightness and light efficiency. The optical sheet 530 may be composed of one or a plurality. For example, the optical sheet 530 may include a diffusion sheet and a prism sheet, and may be configured as one optical sheet having a function of a diffusion sheet and a function of a prism sheet. have. The type and number of optical sheets 530 may be variously selected according to required luminance characteristics.

반사시트(540)는 도광판(520)의 하부에 위치되며, 도광판(520)에서 후방으로 누설되는 광을 발광영역 방향으로 반사시켜 준다.The reflective sheet 540 is disposed under the light guide plate 520 and reflects light leaking backward from the light guide plate 520 toward the light emitting area.

이러한 액정 패널(590) 및 백라이트 어셈블리(510)는 수납 및 고정되어야 하며, 이를 위해 프레임(550), 상부커버(560) 및 하부커버(570)가 사용된다.The liquid crystal panel 590 and the backlight assembly 510 need to be accommodated and fixed, and a frame 550, an upper cover 560, and a lower cover 570 are used for this purpose.

프레임(550)과 하부커버(570)는 백라이트 어셈블리(510)를 수납하는 역할을 한다. 백라이트 어셈블리(510)에는 광원부(511)만 포함될 수도 있고, 광원부(511)외에 도광판(520), 광학시트(530) 및 반사시트(540) 중 하나 이상을 추가로 포함할 수 있다. 이와 같이, 백라이트 어셈블리(510)에 포함되는 구성요소의 범위는 당업자에 의해 적절히 선택될 수 있고, 본 발명을 제한하지 않는다. The frame 550 and the lower cover 570 serve to receive the backlight assembly 510. The backlight assembly 510 may include only the light source unit 511, and may further include one or more of the light guide plate 520, the optical sheet 530, and the reflective sheet 540 in addition to the light source unit 511. As such, the range of components included in backlight assembly 510 may be appropriately selected by those skilled in the art and does not limit the present invention.

프레임(550) 위에는 액정 패널(590)이 안착될 수 있다. 액정 패널(590)은 상부커버(560)와 프레임(550) 사이에 지지되어 수납된다. 상기 프레임(550), 상부커버(560) 및 하부커버(570)는 금속 또는 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. The liquid crystal panel 590 may be mounted on the frame 550. The liquid crystal panel 590 is supported and received between the upper cover 560 and the frame 550. The frame 550, the upper cover 560, and the lower cover 570 may be formed of a metal or plastic material.

실시예에 따른 발광소자 어레이는 상기 표시 장치 외에도 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.The light emitting device array according to the embodiment may be implemented as an indicator device or a lighting system in addition to the display device. For example, the lighting system may include a lamp and a street lamp.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the above description has been made with reference to the embodiment, which is merely an example, and is not intended to limit the present invention. Those skilled in the art to which the present invention pertains will be illustrated as above without departing from the essential characteristics of the present embodiment. It will be appreciated that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.

100 : 발광소자 어레이 110 : 기판
111 : 관통홀 120 : 금속층
123 : 제2 금속층 124 : 제3 금속층
131 : 열전달부재 135 : 도전성 접착제
140 : 발광 소자 142 : 형광필름
145 : 와이어 150 : 캐비티 형성 부재
151 : 내벽 160 : 제1 반사층
161 : 제2 반사층 162 : 제3 반사층
170 : 몰드재 500 : 표시 장치
510 : 백라이트 어셈블리 511 : 광원부
520 : 도광판 530 : 광학시트
540 : 반사시트 550 : 프레임
560 : 상부커버 570 : 하부커버
590 : 액정패널 C : 캐비티100: light emitting element array 110: substrate
111 through hole 120 metal layer
123: second metal layer 124: third metal layer
131: heat transfer member 135: conductive adhesive
140: light emitting element 142: fluorescent film
145 wire 150 cavity forming member
151: inner wall 160: first reflective layer
161: second reflective layer 162: third reflective layer
170: mold material 500: display device
510: backlight assembly 511: light source unit
520: light guide plate 530: optical sheet
540: reflective sheet 550: frame
560: upper cover 570: lower cover
590 liquid crystal panel C: cavity

Claims (21)

기판;
상기 기판에 형성된 금속층;
캐비티를 형성하도록 상기 기판 상에 일정한 높이로 형성된 캐비티 형성 부재;
상기 캐비티 내에 실장되고 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자;
상기 캐비티 내에 상기 발광 소자 주위의 제 1 반사층;
상기 발광 소자를 덮도록 상기 캐비티 내에 충전되는 몰드재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.Board;
A metal layer formed on the substrate;
A cavity forming member formed at a predetermined height on the substrate to form a cavity;
A plurality of light emitting devices mounted in the cavity and electrically connected to the metal layer;
A first reflective layer around the light emitting element in the cavity;
A mold material filled in the cavity to cover the light emitting element;
Light emitting device array comprising a. 제1항에 있어서,
상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
The light emitting device is a light emitting device array, characterized in that mounted on the substrate in a chip on board (COB) method. 제1항에 있어서,
상기 캐비티 형성 부재 상의 제2 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
A second reflective layer on the cavity forming member;
Light emitting device array further comprises. 제1항에 있어서,
상기 캐비티의 내벽 상의 제3 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
A third reflective layer on an inner wall of the cavity;
Light emitting device array further comprises. 제3항에 있어서,
상기 제1 반사층 또는 상기 제2 반사층은 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist; PSR)로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 3,
The first reflective layer or the second reflective layer is a light emitting element array, characterized in that formed of Photo Solder Resist (PSR). 제1항에 있어서,
상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
The substrate is formed long in the longitudinal direction, the plurality of light emitting device array, characterized in that arranged along the longitudinal direction of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 기판은 FR4를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
The substrate comprises a light emitting element array, characterized in that FR4. 제1항에 있어서,
상기 기판의 상면에 형성된 제2 금속층;
상기 기판의 하면에 형성된 제3 금속층;
상기 금속층과 상기 제2 금속층을 열전도 가능하게 연결하는 열전도부재;
를 더 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 금속층 위에 실장되고,
상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
A second metal layer formed on an upper surface of the substrate;
A third metal layer formed on the bottom surface of the substrate;
A thermally conductive member for thermally connecting the metal layer and the second metal layer;
Further comprising:
The light emitting device is mounted on the metal layer,
And the second metal layer and the third metal layer are connected to each other in a thermally conductive manner. 제8항에 있어서,
상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 상기 기판에 형성된 관통홀을 통해 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 8,
And the second metal layer and the third metal layer are thermally connected to each other through a through hole formed in the substrate. 제8항에 있어서,
상기 열전도부재는 열전도성 페이스트인 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 8,
And the thermally conductive member is a thermally conductive paste. 제1항에 있어서,
상기 몰드재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
And the mold material comprises a phosphor. 제1항에 있어서,
상기 발광 소자 위에는 형광필름이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
The light emitting device array, characterized in that the fluorescent film is formed on the light emitting device. 제1항에 있어서,
상기 캐비티는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 1,
And the cavity has an inclined surface. 기판;
상기 기판에 형성된 금속층;
상기 기판 위의 반사층;
캐비티를 형성하도록 상기 반사층 위에 일정한 높이로 형성된 캐비티 형성 부재;
상기 캐비티 내에 실장되고 상기 금속층과 전기적으로 연결되는 복수의 발광 소자;
상기 발광 소자를 덮도록 상기 캐비티 내에 충전되는 몰드재;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.Board;
A metal layer formed on the substrate;
A reflective layer on the substrate;
A cavity forming member formed at a predetermined height on the reflective layer to form a cavity;
A plurality of light emitting devices mounted in the cavity and electrically connected to the metal layer;
A mold material filled in the cavity to cover the light emitting element;
Light emitting device array comprising a. 제14항에 있어서,
상기 발광 소자는 COB(Chip On Board) 방식으로 상기 기판에 실장되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 14,
The light emitting device is a light emitting device array, characterized in that mounted on the substrate in a chip on board (COB) method. 제14항에 있어서,
상기 캐비티 형성 부재 상의 제2 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 14,
A second reflective layer on the cavity forming member;
Light emitting device array further comprises. 제14항에 있어서,
상기 캐비티의 내벽 상의 제3 반사층;
을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 14,
A third reflective layer on an inner wall of the cavity;
Light emitting device array further comprises. 제14항에 있어서,
상기 기판은 길이방향으로 길게 형성되고, 상기 복수의 발광 소자는 상기 기판의 길이방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 14,
The substrate is formed long in the longitudinal direction, the plurality of light emitting device array, characterized in that arranged along the longitudinal direction of the substrate. 제14항에 있어서,
상기 기판의 상면에 형성된 제2 금속층;
상기 기판의 하면에 형성된 제3 금속층;
상기 금속층과 상기 제2 금속층을 열전도 가능하게 연결하는 열전도부재;
를 더 포함하고,
상기 발광 소자는 상기 금속층 위에 실장되고,
상기 제2 금속층과 상기 제3 금속층은 열전도 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자 어레이.The method of claim 14,
A second metal layer formed on an upper surface of the substrate;
A third metal layer formed on the bottom surface of the substrate;
A thermally conductive member for thermally connecting the metal layer and the second metal layer;
Further comprising:
The light emitting device is mounted on the metal layer,
And the second metal layer and the third metal layer are connected to each other in a thermally conductive manner. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 광원부;
상기 광원부를 수납하는 수납 장치;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.20. A light source comprising a light emitting device array according to any one of claims 1 to 19;
A storage device accommodating the light source unit;
Backlight unit comprising a. 화상표시부재; 및
상기 화상표시부재로 광을 조사하는 백라이트 유닛을 포함하며,
상기 백라이트 유닛은,
제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 발광소자 어레이를 포함하는 광원부;
상기 광원부를 수납하는 수납 장치;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치. An image display member; And
It includes a backlight unit for irradiating light to the image display member,
The backlight unit,
20. A light source comprising a light emitting device array according to any one of claims 1 to 19;
A storage device accommodating the light source unit;
Display device comprising a.
KR1020100108722A 2010-11-03 2010-11-03 Light emitting device array and display having the same KR101723541B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108722A KR101723541B1 (en) 2010-11-03 2010-11-03 Light emitting device array and display having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100108722A KR101723541B1 (en) 2010-11-03 2010-11-03 Light emitting device array and display having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120047061A true KR20120047061A (en) 2012-05-11
KR101723541B1 KR101723541B1 (en) 2017-04-05

Family

ID=46265945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100108722A KR101723541B1 (en) 2010-11-03 2010-11-03 Light emitting device array and display having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101723541B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082887A (en) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
JP2021090077A (en) * 2018-06-29 2021-06-10 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US11757078B2 (en) 2018-06-29 2023-09-12 Nichia Corporation Light emitting device including first reflecting layer and second reflecting layer
US11908984B2 (en) 2018-01-10 2024-02-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having a reflective member

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023096141A1 (en) * 2021-11-24 2023-06-01 삼성전자주식회사 Display device comprising display module, and method for manufacturing same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006190721A (en) * 2004-12-28 2006-07-20 Citizen Electronics Co Ltd Lcd back light using light emitting diode
KR20070039075A (en) * 2004-08-03 2007-04-11 가부시끼가이샤 도꾸야마 Package for storing light emitting element and method for producing package for storing light emitting element
KR20080062423A (en) * 2006-12-29 2008-07-03 삼성전자주식회사 Light emitting diode unit and backlight unit and liquid crystal display having the same
KR20080070193A (en) * 2007-01-25 2008-07-30 서울반도체 주식회사 Phosphor light emitting diode and method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070039075A (en) * 2004-08-03 2007-04-11 가부시끼가이샤 도꾸야마 Package for storing light emitting element and method for producing package for storing light emitting element
JP2006190721A (en) * 2004-12-28 2006-07-20 Citizen Electronics Co Ltd Lcd back light using light emitting diode
KR20080062423A (en) * 2006-12-29 2008-07-03 삼성전자주식회사 Light emitting diode unit and backlight unit and liquid crystal display having the same
KR20080070193A (en) * 2007-01-25 2008-07-30 서울반도체 주식회사 Phosphor light emitting diode and method for manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082887A (en) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device package
US11908984B2 (en) 2018-01-10 2024-02-20 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having a reflective member
JP2021090077A (en) * 2018-06-29 2021-06-10 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US11757078B2 (en) 2018-06-29 2023-09-12 Nichia Corporation Light emitting device including first reflecting layer and second reflecting layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR101723541B1 (en) 2017-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8568012B2 (en) Lighting unit and display device having the same
TWI708908B (en) Slim linear led lighting device
US20090122514A1 (en) Led module for illumination
CN102484195B (en) Luminescent device and use the light unit of this luminescent device
KR101006357B1 (en) Multi chip LED package
JP2013008941A (en) Light emitting device module
US20070291489A1 (en) Light source device and method of making the device
KR101655463B1 (en) Light emitting device package and light unit having the same
US8476662B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit
KR101723541B1 (en) Light emitting device array and display having the same
KR101055037B1 (en) Light unit and display device having same
KR101850434B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
TW201426966A (en) Light emitting diode light bar
KR20110128693A (en) Light emitting device package and light unit having the same
CN201699012U (en) Packaging structure of multi-layer array type light-emitting diode
US20110121340A1 (en) Light emitting device package
KR20100118457A (en) Backlight unit and method for manufacturing the same
KR101724699B1 (en) Light emitting apparatus and lighting system
KR101813167B1 (en) Light emitting device module and lighting system including the same
JP2016139564A (en) Light emitting structure
KR20120030283A (en) Light emitting device array and backlight unit having the same
KR20120037101A (en) Light emitting device array and backlight unit having the same
KR102110477B1 (en) Light emitting device and lighting system having the same
KR102101367B1 (en) Light emitting device
US20190003689A1 (en) Light source module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200211

Year of fee payment: 4