KR20180000936U - 플라즈마 저감 장치 - Google Patents

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윤 수 최
찬 규 고
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Abstract

플라즈마 토치 저감 장치 및 제조 방법이 개시되어 있다. 플라즈마 토치 저감 장치는 유출하는 흐름을 갖는 공정 공구로부터 유출하는 흐름을 처리하기 위한 것으로서, 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름을 수용하기 위한 반응 챔버 벽에 의해 형성되는 반응 챔버를 포함하고, 반응 챔버 벽은 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름과 대면하는 부동태화 층을 갖는 복합재 구조물을 포함하고, 부동태화 층은 부동태화 재료로 형성되고, 복합재 구조물은 부동태화 층을 둘러싸는 기재 재료로 형성된 기재 층을 갖고, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 더 낮은 화학적 반응성을 갖는다. 이러한 방식으로, 기재 층과 부동태화 층의 모두에 의해 제공되는 유리한 특성을 갖는 복합재 또는 다중층 반응 챔버가 제공되며, 부동태화 층은 유출하는 흐름 및 유출하는 흐름에 대해 더 큰 내성을 가지며, 이로써 반응 챔버의 수명을 향상시킨다.

Description

플라즈마 저감 장치{PLASMA ABATEMENT}
본 고안은 플라즈마 저감 장치에 관한 것이다.
열 플라즈마 토치는 공지되어 있으며, 예를 들면, 반도체 또는 평판 디스플레이 제조 산업에서 사용되는 제조 공정 공구로부터의 유출 가스 흐름을 처리하기 위해 전형적으로 사용된다. 이러한 제조 중에, 잔류 플루오르화 또는 퍼플루오르화 화합물(PFC) 및 기타 화합물이 공정 공구로부터 펌핑된 유출 가스 흐름 내에 존재한다. 이들 화합물은 유출 가스 흐름으로부터 제거하기가 어렵고, 이것이 환경 내로 방출되는 것은 비교적 높은 온실 활성 또는 독성을 가지는 것으로 알려져 있으므로 바람직하지 않다.
유출 가스 흐름으로부터 PFC 및 기타 화합물을 제거하기 위한 하나의 접근법은, 예를 들면, 유럽 특허 제 EP 1 773 474 호에 기술된 바와 같은 방사 버너(radiant burner)를 사용하는 것이다. 그러나, 연소에 의한 저감을 위해 통상적으로 사용되는 연료 가스가 바람직하지 않거나 쉽게 이용가능하지 않는 경우, 플라즈마 토치 저감 장치를 사용하는 것이 또한 공지되어 있다. 플라즈마 저감 장치에 의해 생성된 플라즈마는 유출 가스 흐름 내의 원하지 않는 화합물을 파괴 또는 저감시키기 위해 사용된다.
기존의 플라즈마 저감 장치들은 각각 그 고유의 단점을 갖는다. 따라서, 개선된 플라즈마 저감 장치를 제공하는 것이 바람직하다.
제 1 양태에 따르면, 유출하는 흐름을 갖는 공정 공구로부터 유출하는 흐름을 처리하기 위한 플라즈마 토치 저감 장치로서, 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름을 수용하기 위한 반응 챔버 벽에 의해 형성되는 반응 챔버를 포함하고, 반응 챔버 벽은 유출하는 흐름 및 유출하는 흐름에 대면하는 부동태화 층을 갖는 복합재 구조물을 포함하고, 부동태화 층은 부동태화 재료로 형성되고, 복합재 구조물은 부동태화 층을 둘러싸는 고알루미나 캐스터블 시멘트를 포함하는 기재 재료로 형성되는 기재 층을 갖고, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 낮은 화학적 반응성을 갖는 플라즈마 토치 저감 장치가 제공된다.
제 1 양태는 반응 챔버가 장점(예를 들면, 더 간단한 설치, 연료 가스의 불필요로 인한 향상된 안전성)을 가지고 있음에도 불구하고, 플라즈마 저감 장치는 버너와 다른 일련의 문제에 직면해 있으며, 현재 자체의 단점을 가지고 있음을 인식한다. 특히, 기존의 반응 챔버는 반응 챔버 내에서의 강한 화학적 환경으로 인해 수명이 충분하지 않을 수 있다. 열 플라즈마 토치에 의해 생성되는 고온은 PFC 화학 결합을 파괴하는데 유용한 강렬한 화학 반응을 유발할 수 있다. 그러나, 이러한 고온은 또한 반응 챔버와 같은 하류의 부품을 급속하게 열화시킬 수 있다. 또한 열 에너지는 냉각제에 비효율적으로 손실되어 DRE(Destruction and Removal Efficiency)를 저해할 수 있다. 따라서, 플라즈마 토치 저감 장치용 반응 챔버가 제공될 수 있다. 플라즈마 토치 저감 장치는 공정 공구로부터 유출하는 흐름을 처리하기 위한 것일 수 있다. 유출하는 흐름의 처리는 플라즈마 흐름에 의한 것일 수 있다. 반응 챔버는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름을 수용할 수 있다. 반응 챔버는 반응 챔버 벽을 포함하거나 이것에 의해 형성될 수 있다. 반응 챔버 벽은 복합재 구조물을 가질 수 있다. 복합재 구조물은 부동태화 층 및 기재 층을 가질 수 있다. 부동태화 층은 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대면하거나, 이들 흐름에 인접하거나, 또는 이들 흐름과 접촉할 수 있다. 부동태화 층은 부동태화 재료로 형성되거나, 이 재료를 포함할 수 있다. 기재 층은 기재 재료로 형성되거나, 이 재료를 포함할 수 있다. 기재 층은 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름을 둘러싸거나, 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름으로부터 먼 방향으로 부동태화 층에 인접하여 제공될 수 있다. 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 낮은 화학적 반응성을 가질 수 있다. 이러한 방식으로, 기재 층과 부동태화 층의 모두에 의해 제공되는 유리한 특성을 갖는 복합재 또는 다중층 반응 챔버가 제공되며, 부동태화 층은 유출하는 흐름 및 유출하는 흐름에 대해 더 큰 내성을 가지며, 벌크(bulk) 재료는 여전히 열-기계적 응력을 처리할 수 있고, 약간의 열을 냉각제에 전달할 수 있다. 이러한 특징은 반응 챔버의 수명을 향상시킬 수 있다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 화학적 내성이 더 크다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대한 화학적 불활성이 기재 재료보다 더 크다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름 내의 할로겐 라디칼에 대해 기재 재료보다 더 낮은 화학적 반응성을 갖는다.
하나의 실시형태에서, 기재 층은 열 파괴에 대해 부동태화 층보다 큰 내성을 갖는다. 열 파괴에 대해 더 큰 내성을 갖는 기재 층을 제공하면 급속한 열 사이클 중에 반응 챔버의 벌크 특성이 향상된다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층보다 얇다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 기재 재료보다 높은 순도를 갖는다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 알루미나, 알루미나 멀라이트, 지르코니아, 이트리아-안정화된 지르코니아, 지르코니아 강화된 알루미나, 용융 석영, 이트리아, 하프니아, 알루미노실리케이트 및 란타넘 헥사보라이드 중 적어도 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층 상에 도장된 층, 물리증착된 층, 화학증착된 층 및 분사된 층 중 적어도 하나이다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층 상에 고정된 슬리브 및 타일 중 적어도 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 세라믹 및 고체 중 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 시멘트를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 고알루미나 캐스터블 시멘트를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 Al2O3을 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 90% 이상의 순도를 갖는 Al2O3을 포함한다.
제 2 양태에 따르면, 유출하는 흐름을 갖는 공정 공구로부터 유출하는 흐름을 처리하기 위한 플라즈마 토치 저감 장치의 반응 챔버를 제조하는 방법으로서, 부동태화 재료로 형성된 부동태화 층 및 기재 재료로 형성된 기재 층을 갖는 복합재 구조물로 반응 챔버 벽을 형성하는 단계를 포함하고, 부동태화 층은 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대면하고, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 낮은 화학적 반응성을 갖는, 플라즈마 토치 저감 장치의 반응 챔버를 제조하는 방법이 제공된다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대해 기재 재료보다 화학적 내성이 더 크다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름에 대한 화학적 불활성이 기재 재료보다 더 크다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름 내의 할로겐 라디칼에 대해 기재 재료보다 낮은 화학적 반응성을 갖는다.
하나의 실시형태에서, 기재 층은 열 파괴에 대해 부동태화 층보다 큰 내성을 갖는다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층보다 얇다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 기재 재료보다 높은 순도를 갖는다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 재료는 알루미나, 알루미나 멀라이트, 지르코니아, 이트리아-안정화된 지르코니아, 지르코니아 강화된 알루미나, 용융 석영, 이트리아, 하프니아, 알루미노실리케이트 및 란타넘 헥사보라이드 중 하나 이상을 포함한다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층 상에 도장된 층, 물리증착된 층, 화학증착된 층 및 분사된 층 중 적어도 하나이다.
하나의 실시형태에서, 부동태화 층은 기재 층 상에 고정된 슬리브 및 타일 중 적어도 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 세라믹 및 고체 중 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 시멘트를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 고알루미나 캐스터블 시멘트를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 Al2O3을 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 재료는 90% 이상의 순도를 갖는 Al2O3을 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 층은 세라믹 혼합물을 포함하고, 본 방법은 세라믹 혼합물 상에 적어도 1 회의 어닐링 단계를 수행하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 기재 층은 세라믹 혼합물을 포함하고, 본 방법은 세라믹 혼합물 상에 복수의 어닐링 단계를 수행하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 어닐링 단계는 세라믹 혼합물의 온도를 더 높은 온도까지 상승시킨다.
하나의 실시형태에서, 어닐링 단계는 세라믹 혼합물의 온도를 주위 온도로부터 더 높은 온도까지 상승시킨다.
하나의 실시형태에서, 어닐링 단계는 세라믹 혼합물의 온도를 연속적 및 불연속적 중 하나로 주위 온도로부터 더 높은 온도까지 상승시킨다.
하나의 실시형태에서, 각각의 어닐링 단계는 세라믹 혼합물의 온도를 제 1 기간 동안 상승된 온도까지 상승시키고, 제 2 기간 동안 이 상승된 온도를 유지한다.
하나의 실시형태에서, 제 2 기간은 제 1 기간보다 길다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 복수의 어닐링 단계 후에 세라믹 혼합물의 냉각을 제어하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 세라믹 혼합물의 냉각을 제어하는 단계는 어닐링 단계를 역전시키는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 냉각을 제어하는 단계는 복수의 어닐링 단계가 세라믹 혼합물을 가열하는 것보다 느리게 세라믹 혼합물을 냉각시킨다.
하나의 실시형태에서, 세라믹 혼합물을 냉각시키기 위해 걸리는 시간은 세라믹 혼합물을 가열하기 위해 걸리는 시간보다 길다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 세라믹을 유체와 혼합하여 세라믹 혼합물을 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 유체는 물을 포함한다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 주형 내에서 세라믹 혼합물을 주조하여 반응 챔버를 형성하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 주형 내에서 세라믹 혼합물을 교반하여 세라믹 혼합물을 균질화하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 주형 내의 세라믹 혼합물을 교반하여 세라믹 혼합물 내의 기포를 제거하는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 이 교반하는 단계는 진동 및 회전 중 하나를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 주형 내에서 세라믹 혼합물을 응결시키는 단계를 포함한다.
하나의 실시형태에서, 본 방법은 복수의 어닐링 단계를 수행하기 전에 주형으로부터 세라믹 혼합물을 제거하는 단계를 포함한다.
추가의 특정한 그리고 바람직한 양태는 첨부한 독립 청구항 및 종속 청구항에 기재되어 있다. 종속 청구항의 특징은 청구항에 명시적으로 기재된 것 이외의 조합으로 필요에 따라 독립 청구항의 특징과 조합될 수 있다.
장치의 특징이 어떤 기능을 제공하도록 작동가능한 것으로 기술되어 있는 경우, 이는 그 기능을 제공하는 장치의 특징을 포함하거나, 또는 그 기능을 제공하도록 적합되거나 구성된 장치를 포함하는 것으로 이해될 것이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 실시형태를 더 설명한다.
도 1 및 도 2는 하나의 실시형태에 따른 플라즈마 토치 저감 장치의 구성요소의 단면도를 도시하고;
도 3은 명확화를 향상시키기 위해 애노드 및 캐소드를 생략한 도 1 및 도 2의 플라즈마 토치 저감 장치의 구성요소의 사시도를 도시하고;
도 4는 하나의 실시형태에 따른 반응 챔버의 단면도를 도시한다.
실시형태를 더 상세히 설명하기 전에, 먼저 개요를 설명한다. 실시형태는 다중 재료의 반응 챔버를 제공한다. 반응 챔버는 전형적으로 튜브형 구조물이다. 튜브형 구조물의 내부 체적은 플라즈마 저감을 발생시키는 공간을 형성한다. 반응 챔버 벽의 벌크를 형성하는 기재가 제공된다. 부동태화 재료의 층은 반응 챔버의 내면 상에서 기재 재료의 상면에 제공된다. 부동태화 재료는 반응 챔버 내의 반응물에 대해 큰 화학적 내성을 제공한다. 기재 층에 비교하여 비교적 더 얇은 부동태화 층을 제공하면 보다 비용 효과적이고, 또한 열 사이클 중에 손상되기 쉬운 경향을 갖는 부동태화 재료만으로 형성된 것보다 개선된 열 특성을 갖는 반응 챔버가 제공된다. 물리 증착법 또는 화학 증착법, 열 베이킹(baking), 부동태화 재료 및 기재 재료의 모두의 경화 또는 어닐링 단계, 별도의 부동태화 층을 제공하는 것 및 이것을 기재 층과 함께 피팅하는 것과 같은 다양한 상이한 기술이 다중 재료의 구조물을 생성하기 위해 채용될 수 있다. 이러한 구성은 반응 챔버의 수명을 향상시키는데 도움을 준다.
플라즈마 토치 저감 장치
도 1 및 도 2는 하나의 물리적 피복된에 따른 플라즈마 토치 저감 장치(전체적으로 10)의 구성요소를 단면도로 도시하고 있다. 도 3은 플라즈마 토치 저감 장치(10)의 구성요소를 사시도로 도시하고 있다. 플라즈마 토치 저감 장치(10)는 대체로 튜브형인 애노드(14)의 개구의 상류에 캐소드(12)를 포함한다. 캐소드(12)와 애노드(14) 사이에는 공간이 제공되며, 이 공간을 통해 플라즈마 소스 가스(16)(아르곤 또는 질소와 같은, 그러나 이들에 제한되지 않는 중성의 불활성 가스)가 흐를 수 있다. 캐소드(12)와 애노드(14)는 이 캐소드(12)와 애노드(14) 사이에 직류를 인가하도록, 또는 이 캐소드(12)와 애노드(14)의 어느 하나에 또는 양자 모두에 교류를 인가하도록 구성된 전원(미도시)에 전기적으로 접속되어 있다. 요구되는 전류의 크기 및 주파수는 유출하는 흐름 또는 플라즈마 소스 가스 종 및 유동 속도, 캐소드-애노드의 간격, 가스 온도 등과 같은 일반적으로 다른 공정 파라미터를 참조하여 결정 및 선택된다. 플라즈마 방전의 전압 크기는 이들 파라미터에 의해 직접적으로 영향을 받는다. 어떤 경우에도, 적절한 초기의 고전압 상태로 인해 플라즈마 소스 가스(16)는 이온화되고, 이로써 플라즈마를 형성한다(브레이크다운(breakdown)으로 공지된 공정).
전형적으로 캐소드(12)는 구리와 같은 높은-전도율 금속으로 제조된다. 캐소드(12)의 하류측 단부는 캐소드(12)의 주 본체 보다 이 부분에 대해 상이한 재료를 선택함으로써 달성되는 우선 방전 부위를 제공할 수 있으며, 즉 전형적으로 캐소드(12)의 주 본체는 하류측 부분의 열이온 재료의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 전도성 재료로 형성된다. 예를 들면, 구리 캐소드 본체 및 하프늄 또는 토리에이티드(thoriated) 텅스텐 하류측 부분을 사용하는 것이 전형적이다. 다음에 애노드(14)는 캐소드(12)의 주 본체와 유사한 재료, 예를 들면, 구리로 형성될 수 있다. 따라서 플라즈마 흐름(18)은 캐소드(12)의 바로 아래의 작은 영역에서 핵생성되고, 애노드(14)의 절두 원추형 부분에 의해 안내되어 애노드(14)로부터 제트로서 배출된다.
플라즈마를 생성하기 위해, 플라즈마 소스 가스(16)(질소 또는 아르곤과 같은 전형적으로 적당히 불활성인 이온화가능한 가스)가 캐소드(12)와 애노드(14) 사이의 영역으로 운반된다. 플라즈마를 개시 또는 출발시키기 위해, 먼저 캐소드(12)와 애노드(14) 사이에서 브레이크다운이 발생되어야 한다. 전형적으로 이는 전원(미도시)과 관련된 발전기에 의해 제공될 수 있는 고주파 고전압 신호에 의해 달성된다. 캐소드(12)의 주 본체와 하류측 부분 사이의 열전도율의 차이는 캐소드 온도가 더 높을 것이고, 바람직하게 전자가 하류측 부분으로부터 방출된다는 것을 의미한다. 그러므로, 캐소드(12)와 애노드(14) 사이에 이 신호가 제공되면, 아크 방전이 플라즈마 소스 가스(16)에 유도된다. 이 아크는 애노드(14)와 캐소드(12) 사이에 전류 경로를 형성하고, 플라즈마는 애노드(14)와 캐소드(12) 사이의 제어된 직류에 의해 유지된다. 플라즈마 소스 가스(16)는 이온화된 플라즈마 소스 가스(16)의 높은 운동량의 플라즈마 흐름(18)을 생성한다.
벤츄리 콘
애노드(14)의 하류에는 벤츄리 콘(20)이 있다. 이 벤츄리 콘(20)은 실질적으로 평행한 면을 갖는 스로트(throat) 부분에 이르는 내향 테이퍼의 절두 원추형 부분을 포함한다. 애노드(14)와 벤츄리 콘(20) 사이에 환형 공간이 제공되고, 이를 통해 처리될 유출 가스 흐름(22) 및 이차 가스 흐름(24)이 제공된다. 이차 가스 흐름(24)은 압축된 건조 공기 또는 기타 가스일 수 있고, 전형적으로 하류 반응을 돕기 위한 시약으로서 사용된다. 벤츄리 콘(20)의 기하학적 형상의 효과는 유입 가스를 가속 및 압축하여 애노드(14)의 하류 영역에 상대적으로 고속의 상대적으로 압축된 가스의 영역을 생성하여 유출 가스 흐름(22) 및 이차 가스(24)를 흡인하는 것을 돕고, 플라즈마 흐름(18)과 혼합하는 것을 용이하게 한다. 벤츄리 콘(20)으로부터 배출되는 고속의 가스는 난류를 촉진하여 플라즈마 흐름(18), 유출 가스 흐름(22) 및 이차 가스 흐름(24)의 혼합을 향상시킬 수 있다.
반응 챔버
벤츄리 콘(20)의 하류에는 반응 챔버(26)가 제공되어 있다. 반응 챔버는 유출 가스 흐름(22) 및 이차 가스 흐름(24)과 혼합된 플라즈마 흐름(18)을 수용한다. 반응 챔버(26)는 캐소드(12), 애노드(14) 및 벤츄리 콘(20)과 동축으로 정렬된 원통형 튜브이다.
반응 챔버(26)는 플라즈마 흐름(18), 유출 가스 흐름(22) 및 이차 가스 흐름(24)을 수용하는 원통형 공간을 형성하는 내면(26A)을 갖는다. 알 수 있는 바와 같이, 강렬한 열이 플라즈마 흐름(18)에 의해 생성되며, 이 열은 이차 가스 흐름(24) 내의 시약과 함께 유출 가스 흐름(22) 내의 화합물을 분해하는 것을 도와준다. 반응 챔버(26)의 축방향 길이는 이 반응 챔버(26) 내에서의 유출 가스 흐름(22)의 체류 시간을 증가시키는 것을 돕고, 자체의 DRE를 향상시킨다. 에너지의 대부분은 반응 챔버(26)의 내부 체적 내에 구속된다.
워터 재킷(28)은 반응 챔버(26)를 동심으로 둘러싸고 있다. 에어 갭(30)은 반응 챔버(26)로부터 워터 재킷(28)의 내벽(28A)을 분리시킨다. 외벽(28B)은 내벽(28A)을 동심으로 둘러싸고 있으며, 물과 같은 냉각제를 수용하는 튜브형 공간(28C)을 형성한다. 반응 챔버(26)는 에어 갭(30)을 가로질러 복사 열전달을 통해 냉각제에 의해 간접적으로 냉각되고, 반응 챔버(26)의 양 단부에서의 열접촉에 의해 직접적으로 냉각된다. 플라즈마 흐름(18)에 의해 생성되는 에너지의 대부분은 반응 챔버의 내부 체적 내에 구속된다.
전형적으로, 반응 챔버(26)는 고알루미나 캐스터블(HAC) 시멘트와 같은 시멘트로 형성된다. 이러한 시멘트는 플라즈마 흐름(18)에 의해 생성되는 고온에 견딜 수 있어야 하며, 플라즈마 흐름(18)의 온 및 오프 절환에 유발되는 열충격에 견딜 수 있어야 하며, 상이한 가스 흐름의 효과를 처리할 수 있어야 한다.
반응 튜브 캐스팅
실시형태는 고장이 적어 수명이 긴 반응 챔버(26)를 제공한다. 표 1은 반응 챔버(26)를 제조하기 위한 주요 단계를 보여준다.
단계 공정 설명
S1 시멘트 준비 HACT180S(93% Al2O3)
물의 준비 물 320 그램
외부 주형 준비 스테인리스강 316L
내부 주형 준비 스테인리스강
주형 지지체 강
세라믹 분말을 볼(bowl) 내로 HACT-180S 2100 그램
세라믹 분말을 혼합 1 분, 수동
물을 볼 내로 물 320 그램
세라믹 분말과 물을 혼합 5 분, 수동
S2 물과 혼합된 세라믹 분말을 주형 내로 셰이커를 이용하여 기포를 제거
S3 주형을 구비한 반응 튜브의 상면을 보호 강
볼트로 내부 주형을 고정
S4 완성된 튜브+캐스트 어셈블리를 건조 24 시간
S5 내부 주형을 제거 프레스
S6 오븐 내에서 반응 튜브를 베이킹(baking) 표 2/3 참조
S7 반응 튜브를 냉각 최소 1 일
단계 S1에서, 세라믹 분말 시멘트가 물과 같은 혼합용 유체와 함께 기계적 혼합에 의해 일정 기간 동안 볼 내에서 혼합된다.
단계 S2에서, 혼합된 시멘트와 유체는 반응 챔버(26)를 형성하기 위해 내부 주형 및 외부 주형에 의해 형성된 공간 내로 주입된다. 이 주형을 교반하여 시멘트와 유체의 혼합물 내에 임의의 기포나 공동의 존재를 감소시킨다. 이 주형은 또한 시멘트와 유체 혼합물의 균질성을 증가시키기 위해 교반될 수 있다.
단계 S3에서, 주형은 폐쇄되고, 내부 주형은 볼트로 고정된다.
단계 S4에서, 시멘트와 유체 혼합물을 주형 내에서 경화시킨다.
단계 S5에서, 프레스를 이용하여 내부 주형을 제거하고, 외부 주형이 제거된다.
단계 S6에서, 반응 튜브(26)가 주형으로부터 제거되고, 하나 이상의 일련의 어닐링 단계를 수행하는 온도 프로파일을 따르는 오븐 내에서 베이킹된다. 이 온도 프로파일은 경사 단계로 반응 챔버(26)의 온도를 증가시키고, 그 온도를 반복적 어닐링을 수행하기 위해 일정 기간 동안 유지한다. 가장 높은 어닐링 온도는 반응 챔버(26)의 작동 온도를 초과하도록 설정된다. 하나의 실시형태는 표 2에 표시된 온도 프로파일을 따른다.
단계 온도 범위 지속시간
1 주위온도-180 ℃ 램프(ramp) 60 분
2 180-360 ℃ 램프 60 분
3 360-540 ℃ 램프 60 분
4 540-720 ℃ 램프 60 분
5 720-900 ℃ 램프 60 분
6 900 ℃ 일정한 안정기 60 분
총 시간: 6 시간
다른 실시형태는 표 3에 표시된 온도 프로파일을 따른다.
단계 온도 범위 지속시간
1 실온-500 ℃ 60 분(점진적 증가)
2 500 ℃ 10 분의 유지
3 500-900 ℃ 60 분(점진적 증가)
4 900 ℃ 180 분의 유지
단계 S7에서, 반응 튜브는 제어된 냉각을 거친다. 전형적으로, 이는 반응 챔버가 오븐 내부에서 주위온도까지 냉각되는 것을 포함한다. 하나의 실시형태에서, 반응 챔버는 어닐링 단계의 온도 프로파일을 역순으로 따라 냉각된다.
부동태화 층
하나의 실시형태에서, 반응 챔버(26)는 도 4에 도시된 바와 같은 부동태화 층을 갖는다. 부동태화 층은 플라즈마 저감 단계 중에 생성되는 할로겐 라디칼과의 접촉 시에 반응 챔버(26)의 내면(26A)의 화학적 불활성을 향상시킨다. 부동태화 층은 고온에서 할로겐(예를 들면, 플루오린) 내성인 하나 이상의 재료에 의해 형성된다. 적절한 재료는 AL=알루미나, AM=알루미나 멀라이트(커런덤), ZR=지르코니아, YSZ=이트리아-안정화된 지르코니아(완전히 안정화된), ZTA=지르코니아 강화된 알루미나, FQ=용융 석영(실리카), YR=이트리아, HF=하프니아, AS=알루미노실리케이트(실리마나이트) 및/또는 LaB6=란타넘 헥사보라이드를 포함한다.
전형적으로 부동태화 층(26B)은 반응 챔버(26)의 적어도 내면(26A) 상에 침착된 층으로서 제공된다. 부동태화 층은 반응 챔버(26)의 환형 단부들 중 하나 이상까지 연장되도록 침착될 수 있다.
반응 챔버(26)의 두께에 비해 비교적 얇은 부동태화 층(26B)을 제공하면, 플라즈마 흐름(18)이 시작 및 중단되는 경우에, 부동태화 층(26B)이 받는 열충격이 감소되지만, 여전히 반응 챔버(26)의 하부 구조물에 대한 화학적 보호를 제공한다.
반응 챔버(26) 상에 부동태화 층(26B)을 침착시키기 위해 다양한 상이한 기법이 채용될 수 있다. 이들 기법은 표 4에 나타나 있다:
주요 기법 이용가능한 재료 추가의 공정
AL AM ZR YSZ SC ZTA FQ YR HF AS LaB6
내화 페인트 X X X X X 추가의 베이킹 단계로 페인트를 경화시키는 단계
스퍼터 코팅(sputter coating) X X X X X X X X 기재를 가열시키고, 코팅을 어닐링하는 단계
슬리브/타일 삽입 X X X X X X X X X X 신선 시멘트 상에 타일 또는 슬리브를 삽입
(표 1의 단계 S2 이후)
물리적 증착 및 화학 증착과 같은 추가의 기법이 또한 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
따라서, 실시형태는 플라즈마 저감 시스템에서 사용되는 세라믹 반응 튜브의 수명을 증가시킨다. 실시형태는 플라즈마 저감 단계 중에 생성되는 할로겐 라디칼와의 접촉 시 그 내부 벽의 화학적 불활성을 향상시키기 위해 부동태화 층을 생성한다.
실시형태는 플라즈마 시스템의 소위 반응 섹션에서 "세라믹 반응 튜브"라고 부르는 중공 실린더를 사용한다. 이 튜브에 의해 포위되는 내부 체적은 주요 반응이 발생되는 영역이다. 여기에서 "벤츄리 콘"이라고 불리는 콘형 오리피스를 각각 횡단함으로써 혼합된 후에 DC-아크 토치에 의해 생성되는 열 플라즈마, 공정 가스 및 시약이 수렴된다.
HF, HCl과 같은 산으로부터 부식되지 않을 수 있는 건조 반응으로 복귀시키는 시약으로서 전형적으로 압축된 건조 공기(CDA)가 사용된다. 반응 튜브는 에어 갭을 가로지르는 복사 열전달을 통해 냉각수(PCW)에 의해 간접적으로, 그리고 반응 섹션의 저면에의 열접촉에 의해 직접적으로 냉각된다. 토치 에너지의 대부분은 튜브의 내부 체적의 내부에 구속되어야 한다(따라서, 튜브를 위한 냉각 설계 및 절연성 세라믹 재료의 선택). 튜브는 처리될 유출 가스의 체류 시간을 증가시키기 위해 기다란 형상일 수 있다. 이들 특징의 모두는 시스템의 DRE를 향상시킨다.
실시형태에서, 튜브는 내부 주형과 외부 셸(적절한 치수의 스테인리스강 튜브) 사이에 "고알루미나 캐스터블(HAC)" 시멘트를 사용하여 형성된다. 튜브를 제조하기 위한 방법은 위에 기술되어 있다. 튜브 수명은 HAC 시멘트의 침식 속도의 함수이다. 고온은 Al2O3의 화학적 상태를 변화시켜 할로겐에 의해 침식될 수 있게 한다. 실험을 통해 허용가능한 부품 수명을 위해 90%를 초과하는 Al2O3 함량 및 900 ℃ 이항의 베이킹/어닐링 온도를 갖는 HAC 시멘트가 요구된다는 것이 밝혀졌다.
튜브 수명을 향상시키기 위한 기타 핵심적인 요인은 벤츄리 콘의 개구 및 튜브 보어 자체를 모두 증가시키는 것이다. 두가지 모두 튜브와 플라즈마 사이의 공간을 증가시키지만 DRE에 영향을 미친다.
전술한 튜브의 제조는 결함(불균일한 밀도, 포획된 기포 등)이 없는 튜브 시멘트를 준비하는 기법을 다룬다. 언급된 온도 프로파일은 입자의 부분적 소결을 허용하기 위해 HAC 시멘트를 어닐링하는 단계를 상세히 설명한다. 이로 인해 튜브는 침식에 대해 침투성이 낮아진다.
HAC 반응 튜브는 탁월한 열기계(T-M) 특성으로 인해 목적에 부합한다. 실험 데이터는 재료의 손실 없이 몇 주 동안 "고온" 플라즈마 플룸(plume) 하에 놓여있는 HAC 튜브를 보여주지만, 순수한 알루미나로 제조된 유사한 튜브를 이용한 시험은 T-M 응력으로 인해 수분 내에 균열을 생성한다.
실시형태는 개선된 화학적 내성을 갖는 보다 순수한 재료로 튜브 내부 벽을 부동태화시킨다. 이러한 층은 벌크 재료(HAC 시멘트)의 T-M 특성이 유지되도록 얇게 형성된다. 또한 부품 비용을 최소화하면서 이 층에 소량의 외래 재료를 사용할 수 있다. 이 층 고순도 알루미나(AL), 알루미나 멀라이트(커런덤-AM), 지르코니아(ZR), 이트리아-안정화된 지르코니아(완전히 안정화된 YSZ), 지르코니아 강화된 알루미나(ZTA), 용융 석영(실리카 ZTA FQ), 이트리아(YR), 하프니아(HF), 알루미노실리케이트(실리마나이트-AS)로 제조될 수 있다. 이 부동태화 층을 제조하기 위한 기법에 관련하여 다음을 사용할 수 있다.
a) 일부의 재료는 내화 페인트로서 사용할 수 있고, 이것은 브러시로 층에 도포된 다음에 추가의 열 단계에서 오븐 내에서 경화될 수 있다.
b) 열 플라즈마 분사 코팅; 이 기법은 탁월한 품질의 층이 튜브 벽 상에 증착되도록 한다.
c) 타일 또는 슬리브 삽입; HAC 시멘트가 아직 젖어있는 동안에 전형적으로 슬리브 또는 일부의 타일이 내부 벽에 부착되며, 이들 타일(또는 슬리브)은 시멘트의 응집력에 기인되어 튜브 내부 벽에 부착된 상태로 유지된다.
첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 예시적인 실시형태가 상세히 개시되었으나, 본 고안은 이 정확한 실시형태에 제한되지 않으며, 첨부된 청구항 및 그 균등물에 의해 정의되는 본 고안의 범위로부터 벗어나지 않는 한 당업자에 의해 다양한 변화 및 개조가 실시될 수 있음을 이해할 것이다.
10: 플라즈마 토치 저감 장치 12: 캐소드
14: 애노드 16: 플라즈마 소스 가스
18: 플라즈마 흐름 20: 벤츄리 콘
22: 유출 가스 흐름 24: 이차 가스 흐름
26: 반응 챔버 26A: 내면
26B: 부동태화 층 28: 워터 재킷
28A: 내벽 28B: 외벽
28C: 튜브형 공간 30: 에어 갭

Claims (6)

  1. 플라즈마 흐름을 갖는 공정 공구로부터 유출하는 흐름을 처리하기 위한 플라즈마 토치 저감 장치로서,
    상기 유출하는 흐름 및 플라즈마 흐름을 수용하기 위한 반응 챔버 벽에 의해 형성되는 반응 챔버를 포함하고, 상기 반응 챔버 벽은 상기 유출하는 흐름 및 상기 플라즈마 흐름과 대면하는 부동태화 층을 갖는 복합재 구조물을 포함하고, 상기 부동태화 층은 부동태화 재료로 형성되고, 상기 복합재 구조물은 상기 부동태화 층을 둘러싸는 고알루미나 캐스터블 시멘트를 포함하는 기재 재료로 형성된 기재 층을 갖고, 상기 부동태화 재료는 상기 유출하는 흐름 및 상기 플라즈마 흐름에 대해 상기 기재 재료보다 더 낮은 화학적 반응성을 갖는
    플라즈마 토치 저감 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재 층은 열 파괴에 대해 상기 부동태화 층보다 더 큰 내성을 갖는
    플라즈마 토치 저감 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 부동태화 층은 상기 기재 층보다 얇은
    플라즈마 토치 저감 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부동태화 재료는 알루미나, 알루미나 멀라이트, 지르코니아, 이트리아-안정화된 지르코니아, 지르코니아 강화된 알루미나, 용융 석영, 이트리아, 하프니아, 알루미노실리케이트 및 란타넘 헥사보라이드 중 적어도 하나를 포함하는
    플라즈마 토치 저감 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부동태화 층은 상기 기재 층 상에 도장된 층, 물리증착된 층, 화학증착된 층 및 분사된 층 중 적어도 하나인
    플라즈마 토치 저감 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부동태화 층은 상기 기재 층 상에 고정된 슬리브 및 타일 중 적어도 하나를 포함하는
    플라즈마 토치 저감 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE452255B (sv) * 1984-10-23 1987-11-23 Skf Steel Eng Ab Sett for rening av avgaser fran giftiga klorforeningar och/eller tyngre kolveten samt anordning for genomforande av settet
JPH06287095A (ja) * 1993-04-02 1994-10-11 Toshiba Corp 耐熱セラミックスおよびその製造方法
JP4172938B2 (ja) * 2002-02-14 2008-10-29 昭和電工株式会社 排ガスの処理方法および処理装置
KR100636853B1 (ko) * 2002-05-08 2006-10-19 로우 에드먼드 킨 온 유해 폐기물 처리 방법 및 장치
CN1644992A (zh) * 2005-01-24 2005-07-27 真一(上海)集成电路设备有限公司 废气处理系统燃烧室结构
KR100822048B1 (ko) * 2006-06-07 2008-04-15 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 플라즈마 토치를 이용한 폐가스 처리장치
KR101373196B1 (ko) * 2011-08-30 2014-03-18 주식회사 아이지티 플라즈마를 이용한 폐가스 처리기
KR101475663B1 (ko) * 2013-02-21 2014-12-23 주식회사 지앤비에스엔지니어링 가연성 폐가스 처리 장치
CN204063061U (zh) * 2014-08-29 2014-12-31 河南中易环保科技有限公司 一种用于处理生活垃圾焚烧炉烟气的等离子体炉

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