KR20170129188A - 불화란탄 단결정 및 광학 부품 - Google Patents

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KR20170129188A
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스미토 이시즈
겐타로 후쿠다
겐타로 마츠오
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가부시끼가이샤 도꾸야마
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Abstract

알칼리토류 금속이 첨가되어 있고, 파장 9.3㎛의 광의 내부 투과율이 85%/㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 불화란탄 단결정으로 하고, 적외선 영역에서 높은 투과성을 갖고, 레이저용 위상판, 및, 레이저 가공기, 가스 검지기, 불꽃 검지기, 적외선 카메라 등의 렌즈, 광학 창재 등에 호적하게 사용할 수 있는 불화란탄 단결정 및 광학 부품을 제공한다.

Description

불화란탄 단결정 및 광학 부품
본 발명은, 레이저용 위상판, 및, 레이저 가공기, 가스 검지기, 불꽃 검지기, 적외선 카메라 등의 렌즈, 광학 창재 등에 호적하게 사용할 수 있는 불화란탄 단결정에 관한 것이다.
적외선 창재는, 첨단 기술을 지지하는 재료이며, 최근에는, 보다 장파장의 적외광을 투과하는 창재의 개발이 진행되고 있다.
특히 탄산가스 레이저 등의 적외 레이저는 대기 중에서의 감쇠가 적다는 특성에 의해, 자동차 부품이나 철강의 가공 등에 이용되고 있다. 현상황의 레이저 가공기에 사용되고 있는 탄산가스 레이저에서는, p 편광과 s 편광과의 차이에 의해, 절단 가공 시에 영향이 나타난다.
레이저 빔의 편광도를 제어하기 위해서, 적외선을 반사하는 반사판이 사용된다. 그러나, 반사판을 사용하는 방법에서는, 레이저 가공기가 대형화하는데다, 광축 조정이 곤란하거나, 빔경이 악화하거나 하는 등의 문제가 있어, 대체될 방법이나 재료가 요구되고 있었다.
일본 특개평 9-315894호 공보 일본 특표 2005-509583호 공보 일본 특개 2008-202977호 공보
불화란탄 단결정은, 삼방정의 결정이며, 레이저용 위상판이나 광학 창재 등의 광학 부품으로서 이용할 수 있다(특허문헌 1∼3). 그러나, 불화란탄 단결정은 제조에 있어서 백탁에 의한 투과성의 저하가 발생하기 쉬워, 백탁한 불화란탄 단결정은 상기 레이저용 위상판이나 광학 창재 등의 광학 부품으로서의 사용에 견딜 수 없다는 문제가 있었다. 또한 특허문헌 1∼3에 기재되어 있는 재료는, 특히 엑시머 레이저 등의 자외선 영역의 광을 투과시키는 용도에 사용하는 것이 상정되어 있고, 적외선 영역의 광에 대한 투과성에 대해서는 하등 검토되어 있지 않다.
본 발명은, 적외선 영역에서 높은 투과성을 갖고, 레이저용 위상판, 및, 레이저 가공기, 가스 검지기, 불꽃 검지기, 적외선 카메라 등의 렌즈, 광학 창재 등에 호적하게 사용할 수 있는 불화란탄 단결정 및 광학 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자 등은 백탁이 없어, 적외선 영역에서 높은 투과성을 갖는 불화란탄 단결정에 대하여 각종 검토한 결과, 불화란탄 단결정에 알칼리토류 금속을 첨가함에 의해서, 적외선 영역에서 높은 투과성을 갖는 불화란탄 단결정이 얻어지는 것, 및 이러한 불화란탄 단결정을 광학 부품으로서 호적하게 사용할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하는데 이르렀다.
즉, 본 발명의 제1 태양은, 알칼리토류 금속이 첨가되어 있고, 파장 9.3㎛의 광의 내부 투과율이 85%/㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 불화란탄 단결정이다.
본 발명에 있어서, 「내부 투과율」이란, 상기 불화란탄 단결정에 광을 투과시켰을 때에 상기 불화란탄 단결정의 입사측 및 출사측의 표면에서 발생하는 표면 반사 손실을 제외한 투과율로서, 광로 길이 1㎜당의 값으로 나타낸다. 당해 광로 길이 1㎜당의 내부 투과율(τ1)은, 두께가 서로 다른 한 쌍의 상기 불화란탄 단결정에 대해서, 각각의 표면 반사 손실을 포함하는 투과율을 측정하고, 이하의 식(1)에 대입함에 의해서 구할 수 있다.
log(τ1)= {log(T2)-log(T1)}/ (d2-d1) (1)
(식 중, d1 및 d2는, 한 쌍의 상기 불화란탄 단결정의 ㎜ 단위의 두께를 나타내며, d2>d1이다. 또한 T1 및 T2는, 각각 두께가 d1 및 d2의 불화란탄 단결정의 표면 반사 손실을 포함하는 투과율을 나타낸다)
본 발명의 제2 태양은, 상기 본 발명의 제1 태양에 따른 불화란탄 단결정으로 이루어지는 광학 부품이다.
본 발명의 제2 태양에 따른 광학 부품은, 표면에 반사 방지막을 구비하고 있어도 된다.
본 발명의 제2 태양에 따른 광학 부품은, 적외 레이저를 투과시키는 용도에 바람직하게 사용된다.
본 발명의, 알칼리토류 금속을 포함하는 불화란탄 단결정에 의하면, 높은 적외선 투과성을 가지며, 백탁이 없는 결정을 얻을 수 있다. 이러한 불화란탄 단결정은, 레이저용 위상판, 및, 레이저 가공기, 가스 검지기, 불꽃 검지기, 적외선 카메라, 광학 창재 등의 광학 부품에 호적하게 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 불화란탄 단결정을 제조하기 위한 장치의 일례.
본 발명의 제1 태양은, 알칼리토류 금속이 첨가되어 있고, 파장 9.3㎛의 광의 내부 투과율이 85%/㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 불화란탄 단결정이다.
본 발명에 있어서의 알칼리토류 금속으로서는, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 등을 자유롭게 사용할 수 있다. 모결정인 란탄과의 이온 반경의 차가 작기 때문에, 사용하는 알칼리토류 금속은 스트론튬, 바륨을 사용하는 것이 바람직하다. 사용하는 알칼리토류 금속이 바륨일 경우, 모결정인 란탄과의 이온 반경의 차가 가장 작아져, 더 바람직하다.
본 발명에 있어서 알칼리토류 금속의 첨가량은, 란탄과의 합계 100mol% 중 0.1∼30mol%인 것이 바람직하고, 1∼20mol%이 보다 바람직하고, 3∼10mol%이 더 바람직하다. 알칼리토류 금속의 첨가량이 너무 적으면 육성에 있어서의 백탁 억제의 효과가 보여지지 않는다. 또한 알칼리토류 금속의 첨가량이 많아, 약 30∼50mol%인 경우에는, 불화란탄과 불화바륨과의 공정체(共晶體)로 된다. 즉, 결정이 불화란탄 단결정이 아니게 된다. 당해 공정체로 되면 결정 전체가 백색으로 되기 때문에, 광의 투과성이 현저하게 저하한다. 또한, 알칼리토류 금속의 첨가량이 더 많고, 약 50mol%를 초과하는 경우에는, 불화바륨형의 결정 구조를 갖는 고용체로 된다. 당해 고용체는, 등방성이기 때문에, 레이저용의 위상판으로서의 사용에는 적합하지 않다.
본 발명에 있어서의 투과율의 측정에는, 기지의 장치를 제한 없이 사용할 수 있다. 장파장 영역에서의 투과율 측정이기 때문에, Ar, 질소 등의 적외선 영역에 흡수를 갖지 않는 가스를 사용해서 측정할 수 있는 장치인 것이 바람직하다.
본 발명의 불화란탄 단결정은 파장 9.3㎛의 광의 내부 투과율이 85%/㎜ 이상이다. 바람직하게는 90%/㎜ 이상, 특히 바람직하게는 94%/㎜ 이상이다. 탄산가스 레이저는 9.3㎛, 10.6㎛에 발광 파장을 갖고, 9.3㎛의 투과율이 높은 본 결정은 이와 같은 레이저용의 위상판으로서 유용하다.
불화란탄 단결정은, 무색 투명한 결정이며, 삼방정계 결정에 속한다. 당해 결정은 양호한 화학안정성을 갖고 있어, 통상의 사용에 있어서는 단기간에서의 성능의 열화(劣化)는 확인되지 않는다. 기계 강도 및 가공성도 양호하여, 원하는 형상으로 가공해서 사용할 수 있다.
본 발명의 제2 태양은, 상기 본 발명의 제1 태양에 따른 불화란탄 단결정으로 이루어지는 광학 부품이다.
본 발명의 제1 태양에 따른 불화란탄 단결정은 다양한 광학 부품에 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명의 제2 태양에 따른 광학 부품으로서는, 구체적으로, 레이저용 위상판, 및, 레이저 가공기, 가스 검지기, 불꽃 검지기, 적외선 카메라 등의 렌즈, 광학 창재 등을 들 수 있다. 특히, 파장 9.3㎛의 광의 투과율이 양호한 것을 이용해서, 적외 레이저를 투과시키는 용도에 사용되는 광학 부품에 호적하게 사용할 수 있다. 예를 들면, 적외 레이저용 위상판, 적외 레이저를 투과시키는 광학 창재 등에 호적하게 사용할 수 있다.
적외 레이저로서는 반도체 레이저, YAG 레이저, YVO4 레이저, 탄산가스 레이저 등, 기지의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 그 중에서도, 탄산가스 레이저는 9.3㎛의 발광 파장을 중심으로 한 효율이 좋은 레이저이며, 본 발명의 불화란탄 단결정의 용도로서 호적하다.
본 발명의 광학 부품은, 표면에 반사 방지막을 구비하고 있어도 된다. 여기에서, 반사 방지막의 재료로서는, 불화마그네슘, 불화바륨, 불화알루미늄, 불화이트륨, 불화란탄, 불화이테르븀, 불화지르코늄, 불화하프늄, 산화알루미늄, 산화이트륨, 이산화규소, 산화탄탈, 황화아연, 게르마늄, 불소 수지 등을 바람직하게 사용할 수 있고, 당해 재료로 이루어지는 막을 조합시킨 다층막을 반사 방지막으로 하는 것이 바람직하다. 불화란탄 단결정의 표면에 반사 방지막을 형성하는 방법은 특히 한정되지 않으며, 진공 증착법, 스퍼터법, CVD법 등의 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 표면에 반사 방지막을 구비함에 의해, 본 발명의 광학 부품의 표면 반사 손실을 낮게 하여, 실효적인 투과율을 높일 수 있다.
본 발명의 알칼리토류 금속이 첨가된 불화란탄 단결정을 육성하는 방법으로서는, 기지의 결정 육성 방법을 제한 없이 적용할 수 있다.
구체적으로는, 원하는 비율로 불화란탄 원료와 불화 알칼리토류 금속 원료를 혼합, 용융시킨 후, 단결정으로 고화(固化)시킴에 의해 제조하는 것이 가능하다.
용융 고화의 구체적인 방법을 예시하면, 도가니 중의 결정 제조 원료의 융액을, 도가니째로 서서히 하강시키면서 냉각함에 의해 도가니 내에 결정을 육성시키는 도가니 강하법, 도가니 중의 결정 제조 원료의 융액 계면에 목적으로 하는 결정으로 이루어지는 종결정(種結晶)을 접촉시키고, 다음으로 그 종결정을 도가니의 가열 영역으로부터 서서히 인상해서 냉각함에 의해 당해 종결정의 하방에 결정을 육성하는 용융 인상법, 또는 도가니 저부에 마련한 구멍으로부터 융액을 삼출(渗出)시키고, 이 삼출한 융액을 인하해서 결정을 육성하는 마이크로 용융 인하법 등의 방법을 들 수 있다.
그 중에서도, 용융 인상법에서는, 마이크로 용융 인하법에 비해서 대형의 결정을 육성할 수 있고, 도가니 강하법과 비교해서 결정의 변형의 영향을 억제하면서 결정 육성 가능하므로 본 발명에 호적하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 불화란탄 단결정의 제조 방법에 대해서, 용융 인상법의 경우를 예로 들어서 설명한다.
용융 인상법이란, 도 1에 나타내는 바와 같은 장치를 사용해서, 도가니(1)에 원료를 충전하고, 시드 인상 봉(2)에 장착한 시드(3)로부터 결정을 인상하는 제조 방법이다. 사용하는 히터(4), 단열재(5), 천판(6), 수용대(7)의 재질은, 통상, 흑연, 유리상 흑연, 탄화규소 증착 흑연 등이 사용되지만, 이 이외의 재질이어도 문제없이 사용할 수 있다.
우선, 소정량의 원료를 도가니(1)에 충전한다. 도가니의 형상은, 특히 한정되지 않는다. 단일 도가니, 이중 도가니의 어느 쪽에 있어서도 본 발명의 불화란탄 단결정을 육성할 수 있다. 원료의 순도는 특히 한정되지 않지만, 순도가 각각 99.99vol.% 이상인 금속 불화물을 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 금속 불화물을 충전한 도가니(1), 히터(4), 단열재(5), 천판(6), 및 수용대(7)를 도 1 에 나타나 있는 바와 같이 세팅한다. 진공 배기 장치를 사용해서 로 내부의 진공 배기를 행한다. 동시에 고주파 코일(8)을 사용해서, 도가니 내부의 온도가 350∼1000K로 될 때까지 가열을 행하는 것이 바람직하다. 이것은, 로, 카본 부재, 금속 불화물에 부착되어 있는 수분을 제거하기 위해서이다. 도달 압력이, 1.0-3Pa 이하에 달할 때까지 진공 배기를 행하는 것이 바람직하다.
진공 배기 조작에 의해서도 제거할 수 없는 산소, 수분에 의한 영향을 피하기 위해서, 고체 스캐빈저 또는 기체 스캐빈저를 사용하는 것이 바람직하다. 고체 스캐빈저로서는 불화아연, 불화납 등의 기지의 고체 스캐빈저를 제한 없이 사용할 수 있다. 기체 스캐빈저로서는, 사불화메탄, 불화카르보닐 등을 사용할 수 있다. 스캐빈저의 잔류에 의한 결정의 품질 저하를 피하기 위해서, 기체 스캐빈저를 사용하는 것이 바람직하다. 고체 스캐빈저를 사용하는 경우는, 진공 배기 전에 미리 로 내에 설치하고, 사용하는 것이 바람직하다. 기체 스캐빈저를 사용하는 경우는, 진공 배기 후에 로 내에 단체(單體), 또는 고순도 아르곤 등의 불활성 가스와 혼합해서 로 내부에 도입한다. 스캐빈저를 활성으로 하기 위해서, 고주파 코일(8)을 사용해서, 도가니 내부의 온도가 400K∼1800K로 될 때까지 가열을 행하는 것이 바람직하다. 이 공정에서, 금속 불화물에 포함되는 산소 및 수분을 제거할 수 있다. 또한, 금속 불화물을 가열 처리하는 장치 내에 잔류한 산소, 수분도 제거할 수 있다.
결정 육성 시의 로 내 분위기로서는, 고순도 아르곤 등의 불활성 가스, 또는 불화카르보닐, 사불화메탄 등의 기체 스캐빈저를 단독으로, 혹은 이들을 임의의 비율로 혼합해서 사용할 수 있다.
일정한 인상 속도로 연속적으로 인상함에 의해, 목적의 불화란탄 단결정을 얻을 수 있다. 상기 인상 속도는, 특히 한정되지 않지만, 0.5∼10㎜/hr의 범위로 하는 것이 바람직하다.
얻어진 불화란탄 단결정은, 양호한 가공성을 갖고 있어, 원하는 형상으로 가공해서 사용하는 것이 용이하다. 가공에 있어서는, 공지의 블레이드 소우, 와이어 소우 등의 절단기, 연삭기, 또는 연마반을 하등 제한 없이 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서의 불화란탄 단결정은, 모든 형상과 모든 배향의 광학 부품을 제조하는데 적합하다. 그 중에서도 c면을 따라 가공을 행할 때, 크랙의 발생을 억제하면서 가공을 행할 수 있어, 제조 코스트의 삭감에 유효하고, 광학 창재나 렌즈의 제조에 유효하다.
얻어진 불화란탄 단결정은, 원하는 형상으로 가공해서, 레이저용 위상판, 가스 검지, 불꽃 검지, 적외선 카메라, 광학 창재 등, 임의의 용도에 사용할 수 있다. 광학 부품으로서 사용하는 경우에는, 표면 산란의 영향을 작게 하기 위해서, 표면 거칠기가 RMS로 10.0㎚ 이하, 더 바람직하게는 1㎚ 이하 정도로 될 때 까지 공지의 방법으로 연마하는 것이 바람직하다.
레이저용의 위상판으로서 사용할 경우, 삼방정계 결정이 갖는 복굴절의 효과를 최대로 이용하기 위해서, 입사광에 대하여 c축이 수직이도록 가공을 행하는 것이 바람직하다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 들어서 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 실시예 중에서 설명되어 있는 특징의 조합 모두가 본 발명의 해결 수단에 필수인 것이라고는 할 수 없다.
실시예 1
(육성 준비)
도 1에 나타내는 결정 제조 장치를 사용해서, 알칼리토류 금속이 첨가된 불화란탄 단결정을 육성했다. 원료로서는, 순도가 99.99vol.%인 불화바륨, 및 불화란탄을 사용했다. 도가니(1), 시드 인상 봉(2), 히터(4), 단열재(5), 천판(6) 및 수용대(7)는, 고순도 카본제의 것을 사용했다.
우선, 불화바륨 94g, 및 불화란탄 2000g을 각각 칭량하고, 잘 혼합한 후에 도가니(1)에 충전했다. 원료를 충전한 도가니(1), 시드 인상 봉(2), 히터(4), 단열재(5), 천판(6) 및 수용대(7)를 도 1에 나타내는 바와 같이 설치했다.
(장치 내부의 가열 건조 처리)
다음으로, 기름 회전 펌프 및 기름 확산 펌프로 이루어지는 진공 배기 장치를 사용해서, 로 내를 5.0×10-4Pa까지 진공 배기를 행했다. 동시에, 진공 배기 시의 도가니(1) 내부의 온도는 570K로 되도록, 고주파 코일(8)을 사용해서 가열을 행했다.
(금속 불화물을 사불화메탄 공존 하에서 가열하는 공정)
아르곤 95vol.%-사불화메탄 5vol.% 혼합 가스를 로 내에 도입하고, 고주파 코일(8)을 사용해서 가열 온도가 1270K로 되도록 고주파 가열 코일(8)의 출력을 조정했다. 혼합 가스 치환 후의 로 내의 압력은 대기압으로 하고, 이 상태에서 2시간 가열을 계속했다.
(사불화메탄의 배기와 결정 육성 분위기 가스의 도입)
그 다음에, 고주파 가열 코일(8)에 의한 과열을 계속한 채, 진공 배기를 행하고, 추가로 로 내에 아르곤 가스를 도입해서 가스 치환을 행했다. 아르곤 가스 치환 후의 로 내의 압력은 대기압으로 했다.
(결정 육성 공정)
고주파 가열 코일(8)을 사용해서, 원료를 불화란탄의 융점까지 가열해서 용융시키고, 고주파의 출력을 조정해서 원료 융액의 온도를 변화시키면서, 시드(3)를 인하해서, 융액과 접촉시켰다. 고주파의 출력을 조정하면서, 인상을 개시해서 결정화를 개시했다. 3㎜/hr의 속도로 연속적으로 24시간 인상하여, 최종적으로 직동(直胴)의 직경 55㎜, 길이 72㎜의 결정을 얻었다. 얻어진 결정에 대해서, SEM/EDS 분석을 행하여, 이 결정 중에 바륨이 5.08mol% 포함되어 있는 것을 확인했다.
(광학 부품의 투과율 특성의 평가)
얻어진 결정을, 다이아몬드 절단 지석(砥石)을 구비한 블레이드 소우에 의해 약 15㎜의 길이로 절단하고, 측면을 연삭해서 길이 15㎜, 폭 2㎜, 두께(d1) 1㎜의 형상, 및, 길이 15㎜, 폭 2㎜, 두께(d2) 5㎜의 형상으로 가공하여, 각각 길이 15㎜, 폭 2㎜의 두 면을 적외광의 투과면으로 하고, 당해 적외광 투과면에 광학 연마를 실시하여, 이들을 스펙트럼 측정용 시료로 했다. 푸리에 변환 적외 분광 광도계(니혼덴시제, 형식 JIR-7000)를 사용해서, 질소 분위기 하에서 파장 9.3㎛의 광에 대한 투과율 측정을 행하여, 두께 d1, d2의 각 시료에 대해서, 표면 반사 손실을 포함하는 투과율 T1, T2를 측정했다. 두께 d1, d2 및 투과율 T1, T2를 상기 식(1)에 대입함에 의해 상기 광로 길이 1㎜당의 내부 투과율(τ1)을 산출했다(표 1).
실시예 2
육성 준비의 공정에 있어서, 불화바륨 18g, 및 불화란탄 1982g을 각각 칭량한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 결정 육성을 행하여, 스펙트럼 측정용 시료를 제작하고, 9.3㎛의 투과율 측정을 행했다(표 1). 얻어진 결정에 대해서, SEM/EDS 분석을 행하여, 이 결정 중에 바륨이 2.23mol% 포함되어 있는 것을 확인했다.
실시예 3
육성 준비의 공정에 있어서, 불화바륨 181g, 및 불화란탄 1819g을 각각 칭량한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 결정 육성을 행하여, 스펙트럼 측정용 시료를 제작하고, 9.3㎛의 투과율 측정을 행했다(표 1). 얻어진 결정에 대해서, SEM/EDS 분석을 행하여, 이 결정 중에 바륨이 8.54mol% 포함되어 있는 것을 확인했다.
실시예 4
육성 준비의 공정에 있어서, 불화바륨 273g, 및 불화란탄 1727g을 각각 칭량한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 결정 육성을 행하여, 스펙트럼 측정용 시료를 제작하고, 9.3㎛의 투과율 측정을 행했다(표 1). 얻어진 결정에 대해서, SEM/EDS 분석을 행하여, 이 결정 중에 바륨이 11.65mol% 포함되어 있는 것을 확인했다.
실시예 5
육성 준비의 공정에 있어서, 불화바륨 366g, 및 불화란탄 1634g을 각각 칭량한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 결정 육성을 행하여, 스펙트럼 측정용 시료를 제작하고, 9.3㎛의 투과율 측정을 행했다(표 1). 얻어진 결정에 대해서, SEM/EDS 분석을 행하여, 이 결정 중에 바륨이 16.22mol% 포함되어 있는 것을 확인했다.
비교예 1
육성 준비의 공정에 있어서, 불화란탄 2000g만을 칭량한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 해서 결정 육성을 행하여, 스펙트럼 측정용 시료를 제작하고, 9.3㎛의 투과율 측정을 행했다(표 1).
실시예 1∼5와 비교예 1을 비교하면, 불화바륨이 포함되지 않는 비교예 1에서는 산란의 영향에 의해, 투과율이 저하해 있는 것에 대해서, 불화바륨을 첨가한 실시예 1∼5에서는 투과율이 향상해 있는 상태를 알 수 있다.
[표 1]
Figure pct00001
1 : 도가니 2 : 시드 인상 봉
3 : 시드 4 : 히터
5 : 단열재 6 : 천판
7 : 수용대 8 : 고주파 코일

Claims (4)

  1. 알칼리토류 금속이 첨가되어 있고, 파장 9.3㎛의 광의 내부 투과율이 85%/㎜ 이상인 것을 특징으로 하는 불화란탄 단결정.
  2. 제1항에 기재된 불화란탄 단결정으로 이루어지는 광학 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    표면에 반사 방지막을 구비하는, 광학 부품.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    적외 레이저를 투과시키는 용도에 사용되는, 광학 부품.
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