KR20170127826A - 정전척의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 33
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 60
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 26
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 22
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 16
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 claims description 16
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 15
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 claims description 10
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical compound B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 abstract 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 108
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910016469 AlC Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- PUIYMUZLKQOUOZ-UHFFFAOYSA-N isoproturon Chemical compound CC(C)C1=CC=C(NC(=O)N(C)C)C=C1 PUIYMUZLKQOUOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제2단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계와, 상기 절연층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층을 형성하는 제5단계와, 상기 제1댐의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하는 제6단계와, 상기 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하는 제7단계와, 상기 유전층 및 제2댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제8단계와, 상기 전극층에 전압를 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제9단계로 이루어진다.
또한, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제10단계와, 상기 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제20단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제30단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제40단계와, 상기 절연층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층을 형성하는 제50단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부에 전극층을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층을 형성함과 아울러 유전층의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제60단계와, 상기 전극층에 전압를 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제70단계로 이루어진다.
또한, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제10단계와, 상기 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제20단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제30단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제40단계와, 상기 절연층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층을 형성하는 제50단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부에 전극층을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층을 형성함과 아울러 유전층의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제60단계와, 상기 전극층에 전압를 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제70단계로 이루어진다.
Description
본 발명은 정전척의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지고, 용사코팅으로 절연층 및 유전층을 형성함으로써 정전척의 제작에 오랜 시간이 소요되던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하고, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하며, 제1댐의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성함으로써, 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체 및 디스플레이패널 등과 같은 제조 공정 기술의 경향인 웨이퍼 또는 유리기판의 대형화, 회로의 고집적화 및 초미세 가공, 그리고 플라즈마 식각 공정 등의 기술동향은 박막증착과 식각공정에서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 등의 방법에 큰 변혁을 요구하고 있다.
상기와 같은 웨이퍼 또는 유리기판을 종래에는 기계적 클램프 또는 진공척을 이용하여 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하여 왔으나, 최근의 차세대 반도체 및 디스플레이패널 공정 장비에는 정전기력을 이용한 정전척이 핵심 부품으로 사용되어 웨이퍼 또는 유리기판를 고정하고 있다.
상기 정전척은 모재(母材)에 통상적으로 2개 이상의 유전층이 형성되고 유전층 사이에 전극이 삽입되어 사용되는 것과, 모재(母材)에 절연층 및 유전층을 형성하고, 절연층 및 유전층 사이에 전극을 삽입하여 사용되는 것 등이 있으며, 전도성을 갖는 전극에 직류전압을 인가하면 유전체의 분극현상에 따라 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판에 반대 극성이 발생됨으로서 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판과 유전체 간에 발생되는 정전기력으로 피처리물인 웨이퍼 또는 유리기판을 고정하는 장치이다.
한편, 상기와 같은 종래의 기술로는 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척에 있어서, 베이스 부재, 상기 베이스 부재의 일면에 조립되고, 각각에 전극이 마련된 복수개의 유전체 플레이트 유닛들이 조합되어 형성된 유전체 플레이트 및 상기 유전체 플레이트를 이루는 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 코팅층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 피흡착물을 정전기력을 이용하여 흡착하기 위한 정전척의 제조방법에 있어서, 세라믹 소결 공정을 실시하여 전극이 삽입된 유전체 플레이트 유닛을 제작하는 단계, 베이스 부재의 일면에 복수개의 상기 유전체 플레이트 유닛을 상호 이격되게 조립하는 단계 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 유전체 플레이트 유닛들 사이의 틈을 충진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기술이 등록특허공보 제10-1109743호에서와 같이 공지된바 있다.
하지만, 상기와 같은 기술은 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정을 실시하여 정전척을 형성하는 것으로서 세라믹 소결 공정 및 플라즈마 스프레이 공정의 특성상 유전체에 기공이 다수 발생되어 아킹 현상이 일어남과 아울러 내전압 특성이 나빠지는 문제점이 있는 것이었다.
따라서, 상기와 같은 종래의 문제점을 해결한 정전척의 제조방법이 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 종래에 대면적 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하고, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하며, 제1댐의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성함으로써, 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 있도록 한 정전척의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 실현하기 위하여, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제1단계와, 상기 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제2단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제3단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계와, 상기 절연층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층을 형성하는 제5단계와, 상기 제1댐의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하는 제6단계와, 상기 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성하는 제7단계와, 상기 유전층 및 제2댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제8단계와, 상기 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제9단계로 이루어지는 정전척의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스가 구비되는 제10단계와, 상기 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하는 제20단계와, 상기 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하는 제30단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제40단계와, 상기 절연층의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층을 형성하는 제50단계와, 상기 절연층 및 제1댐의 상부에 전극층을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층을 형성함과 아울러 유전층의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제60단계와, 상기 전극층에 전압을 공급하는 커넥터를 연결하여 구비하는 제70단계로 이루어지는 정전척의 제조방법을 제공한다.
이와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐을 형성하고, 제1댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제1댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 절연층을 형성하며, 제1댐의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐을 형성하고, 제2댐의 내측에 페이스트수지조성물을 제2댐이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물을 경화시켜 유전층을 형성함으로써, 절연층 또는 유전층에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 이점이 있는 것이다.
도 1은 본 발명의 정전척의 제조방법에 대한 흐름도,
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정전척의 제조방법에 대한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 정전척의 제조방법에 대한 흐름도이다.
이하 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하여 보면 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1)와, 상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제2단계(S2)와, 상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제3단계(S3)와, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계(S4)와, 상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성하는 제5단계(S5)와, 상기 제1댐(12)의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(20)을 형성하는 제6단계(S6)와, 상기 제2댐(20)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(20)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(22)을 형성하는 제7단계(S7)와, 상기 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제8단계(S8)와, 상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비하는 제9단계(S9)로 이루어진다.
먼저, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비된다.(S1단계)
이때, 상기 베이스(10)는 세라믹 소결체로 형성되는 것이며, 베이스(10)의 상부면은 평탄도가 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이다.
한편, 상기 베이스(10)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이 바람직하며, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성한다.(S2단계)
이때, 상기 제1댐(12)은 후술되는 페이스트수지조정물(14)과 동일한 성분으로 형성되는 것이다.
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성한다.(S3단계)
이때, 상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이며, 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화되는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성할 시 보다 내전압 특성이 3~4배 우수할 뿐만 아니라 chucking력이 10배 이상 우수해지며, 중온 경화가 가능함과 아울러 제작 후 조밀도가 우수하여 기계적 및 전기적 특성이 우수하며, 면의 균일도가 뛰어난 이점이 및 효과가 있는 것이다.
또한, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성하였을시 보다 제작기간이 짧고 내전압특성도 우수해지는 효과 또한 있는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 0.3~2㎜의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 페이스트수지조성물(14)의 두께가 0.3㎜ 이하로 형성될 시에는 후술되는 전극층(18)을 베이스(10)와 절연시키는데 체적 저항을 갖더라도 내전압 특성이 나빠져 베이스(10)와 전극층(18) 사이에 절연성이 저하되는 문제점이 있는 것이며, 절연층(16)의 두께가 2㎜ 이상으로 형성될 시에는 페이스트수지조성물(14)이 경화되는데 소요되는 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 필요 이상으로 많은 페이스트수지조성물(14)이 투입됨으로 제작 비용이 올라가는 문제점이 있는 것이다.
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S4단계)
또한, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되는 것이 바람직하며, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
한편, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)은 용사 코팅으로 베이스(10)의 상부면에 형성되는 것이 아니라 페이스트수지조성물(14)로 형성되는 것이므로 종래에 용사 코팅으로 절연층(16)을 형성함으로써 발생되던 기공이 발생되지 않으므로 기공으로 인한 아킹 발생하거나 내전압 특성이 나빠지던 것을 방지하는 이점이 있는 것이다.
상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성한다.(S5단계)
이때, 상기 전극층(18)은 실크스크린 인쇄 방식, 잉크젯 인쇄 방식 또는 용사코팅 방식 중 선택된 어느 하나의 방식으로 형성되는 것이며, 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성할 수 있는 방식이라면 어떠한 방식을 사용하여도 무방한 것이다.
또한, 상기 전극층(18)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이다.
상기 제1댐(12)의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(20)을 형성한다.(S6단계)
이때, 상기 제2댐(20)은 전술된 페이스트수지조정물(14)과 동일한 성분으로 형성되는 것이며, 연장되는 높이는 제1댐(12)과 동일하게 형성되는 것이 바람직한 것이나 상황에 맞게 적절히 조절할 수도 있는 것이다.
상기 제2댐(20)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(20)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(22)을 형성한다.(S7단계)
이때, 상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이며, 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화되는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 유전층(22)을 형성할 시 보다 내전압 특성이 3~4배 우수할 뿐만 아니라 chucking력이 10배 이상 우수해지며, 중온 경화가 가능함과 아울러 제작 후 조밀도가 우수하여 기계적 및 전기적 특성이 우수하며, 면의 균일도가 뛰어난 이점이 및 효과가 있는 것이다.
또한, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 유전층(22)을 형성하였을시 보다 제작기간이 짧고 내전압특성도 우수해지는 효과 또한 있는 것이다.
상기 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S8단계)
이때, 상기 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되는 것이 바람직하며, 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비한다.(S9단계)
이때, 상기 커넥터(24)는 외부로부터 공급되는 고전압을 전극층(18)에 전달하는 역할을 하는 것이며, 한 개 또는 다수개가 구비되어 전극층(18)과 연결되는 것이다.
또한, 상기 커넥터(24)는 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 구리 등의 도전성 재질로 형성되는 것이 바람직한 것이나 도전성 재질이라면 어떠한 것을 사용하여도 무방한 것이다.
한편, 본 발명에 따른 다른 일시예에 의한 정전척의 제조방법을 도 2를 참조하여 하기와 같이 상세하게 설명한다.
도 2를 참조하여 보면 본 발명에 따른 다른 일시예에 의한 정전척의 제조방법은 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제10단계(S10)와, 상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제20단계(S20)와, 상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제30단계(S30)와, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제40단계(S40)와, 상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성하는 제50단계(S50)와, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부에 전극층(18)을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층(30)을 형성함과 아울러 유전층(30)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제60단계(S60)와, 상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비하는 제70단계(S70)로 이루어진다.
먼저, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비된다.(S10단계)
이때, 상기 베이스(10)는 세라믹 소결체로 형성되는 것이며, 베이스(10)의 상부면은 평탄도가 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이다.
한편, 상기 베이스(10)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되어 구비되는 것이 바람직하며, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 베이스(10)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성한다.(S20단계)
이때, 상기 제1댐(12)은 후술되는 페이스트수지조정물(14)과 동일한 성분으로 형성되는 것이다.
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성한다.(S30단계)
이때, 상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이며, 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화되는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성할 시 보다 내전압 특성이 3~4배 우수할 뿐만 아니라 chucking력이 10배 이상 우수해지며, 중온 경화가 가능함과 아울러 제작 후 조밀도가 우수하여 기계적 및 전기적 특성이 우수하며, 면의 균일도가 뛰어난 이점이 및 효과가 있는 것이다.
또한, 상기 페이스트수지조성물(14)은 용사코팅으로 절연층(16)을 형성하였을시 보다 제작기간이 짧고 내전압특성도 우수해지는 효과 또한 있는 것이다.
한편, 상기 페이스트수지조성물(14)은 0.3~2㎜의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 페이스트수지조성물(14)의 두께가 0.3㎜ 이하로 형성될 시에는 후술되는 전극층(18)을 베이스(10)와 절연시키는데 체적 저항을 갖더라도 내전압 특성이 나빠져 베이스(10)와 전극층(18) 사이에 절연성이 저하되는 문제점이 있는 것이며, 절연층(16)의 두께가 2㎜ 이상으로 형성될 시에는 페이스트수지조성물(14)이 경화되는데 소요되는 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 필요 이상으로 많은 페이스트수지조성물(14)이 투입됨으로 제작 비용이 올라가는 문제점이 있는 것이다.
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S40단계)
또한, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도는 5~30㎛ 이내로 가공되는 것이 바람직하며, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5㎛ 이하가 되도록 가공할 경우에는 가공에 따른 비용이 너무 높으면서도 가공 시간이 오래 걸리는 문제점이 있는 것이고, 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 30㎛ 이상으로 가공할 시에는 평탄도가 일정하게 형성되지 못하여 정전척을 각종 평판 패널 등에 사용되는 디스플레이 기판의 산화, 증착 또는 식각 공정 등에 사용할 시에 흡착력이 떨어지는 문제점이 발생 되는 것이다.
한편, 상기 절연층(16) 및 제1댐(12)은 용사 코팅으로 베이스(10)의 상부면에 형성되는 것이 아니라 페이스트수지조성물(14)로 형성되는 것이므로 종래에 용사 코팅으로 절연층(16)을 형성함으로써 발생되던 기공이 발생되지 않으므로 기공으로 인한 아킹 발생하거나 내전압 특성이 나빠지던 것을 방지하는 이점이 있는 것이다.
상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성한다.(S50단계)
이때, 상기 전극층(18)은 실크스크린 인쇄 방식, 잉크젯 인쇄 방식 또는 용사코팅 방식 중 선택된 어느 하나의 방식으로 형성되는 것이며, 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성할 수 있는 방식이라면 어떠한 방식을 사용하여도 무방한 것이다.
또한, 상기 전극층(18)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것이다.
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부에 전극층(18)을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층(30)을 형성함과 아울러 유전층(30)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공한다.(S60단계)
또한, 상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비한다.(S70단계)
이때, 상기 커넥터(24)는 외부로부터 공급되는 고전압을 전극층(18)에 전달하는 역할을 하는 것이며, 한 개 또는 다수개가 구비되어 전극층(18)과 연결되는 것이다.
또한, 상기 커넥터(24)는 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 구리 등의 도전성 재질로 형성되는 것이 바람직한 것이나 도전성 재질이라면 어떠한 것을 사용하여도 무방한 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 의한 정전척의 제조방법은 종래에 디스플레이 등의 흡착물을 흡착하기 위해 사용되는 정전척의 절연층 및 유전층을 용사코팅으로 형성함으로써 기공이 다수 발생하여 아킹이 많이 발생 됨과 아울러 내전압 특성이 나빠지던 것을 정전척의 기공을 없애면서도 흡착력을 높이고 아울러 정전척의 제작이 용이하도록 베이스의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하고, 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하며, 제1댐(12)의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(20)을 형성하고, 제2댐(20)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(20)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(22)을 형성함으로써, 절연층(16) 및 유전층(22)에 기공이 발생 되는 것을 방지하여 아킹을 줄이면서도 내전압 특성이 향상됨과 아울러 정전척의 제작 기간도 줄일 수 이점이 있는 것이다.
10 : 베이스
12 : 제1댐
14 : 페이스트수지조성물 16 : 절연층
18 : 전극층 20 : 제2댐
22 : 유전층 24 : 커넥터
30 : 유전층
14 : 페이스트수지조성물 16 : 절연층
18 : 전극층 20 : 제2댐
22 : 유전층 24 : 커넥터
30 : 유전층
Claims (5)
- SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제1단계(S1);
상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제2단계(S2);
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제3단계(S3);
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제4단계(S4);
상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성하는 제5단계(S5);
상기 제1댐(12)의 상부에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제2댐(20)을 형성하는 제6단계(S6);
상기 제2댐(20)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제2댐(20)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 유전층(22)을 형성하는 제7단계(S7);
상기 유전층(22) 및 제2댐(20)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제8단계(S8);
상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비하는 제9단계(S9)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지며, 상하부가 판형으로 형성되는 베이스(10)가 구비되는 제10단계(S10);
상기 베이스(10)의 상부 외측 테두리에 상부측으로 연장되는 일정한 두께를 갖는 제1댐(12)을 형성하는 제20단계(S20);
상기 제1댐(12)의 내측에 페이스트수지조성물(14)을 제1댐(12)이 상부측으로 연장된 높이만큼 주입함과 아울러 페이스트수지조성물(14)을 경화시켜 절연층(16)을 형성하는 제30단계(S30);
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제40단계(S40);
상기 절연층(16)의 상부면에 설정된 패턴에 따라 돌출된 요철 형상으로 전극층(18)을 형성하는 제50단계(S50);
상기 절연층(16) 및 제1댐(12)의 상부에 전극층(18)을 감싸도록 SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 용사코팅용 분말을 용사 코팅하여 유전층(30)을 형성함과 아울러 유전층(30)의 상부면 평탄도를 5~30㎛ 이내로 가공하는 제60단계(S60);
상기 전극층(18)에 전압을 공급하는 커넥터(24)를 연결하여 구비하는 제70단계(S70)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항 내지 제2항에 있어서,
상기 페이스트수지조성물(14)은 bisphenol epoxy, HN-KJ02H, SiC, B4C, Si3N4, TiB2, AlON, 2MgO, 2Al2O3, 5SiO2, Al2O3, Y2O3, Al2O3/Y2O3, ZrO2, AlC, TiN, AlN, TiC, MgO, CaO, CeO2, TiO2, BxCy, BN, SiO2, SiC, YAG, Mullite, AlF3 및 솔밴트계로 이루어진 군에서 4종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항 내지 제2항에 있어서,
상기 페이스트수지조성물(14)은 50~150℃의 온도로 가열되어 경화됨을 특징으로 하는 정전척의 제조방법. - 제1항 내지 제2항에 있어서,
상기 전극층(18)은 도전성 재질인 텅스텐, 몰리브덴, 티탄, 은, 구리로 이루어진 군에서 1종 또는 2종 이상이 각각 혼합 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전척의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160058526A KR101833318B1 (ko) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 정전척의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160058526A KR101833318B1 (ko) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 정전척의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170127826A true KR20170127826A (ko) | 2017-11-22 |
| KR101833318B1 KR101833318B1 (ko) | 2018-03-02 |
Family
ID=60810121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160058526A KR101833318B1 (ko) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 정전척의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101833318B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190053714A (ko) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 주식회사 아이앤티 | 정전척 제조방법 및 정전척 |
| KR101967424B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2019-08-19 | (주)제니스월드 | 세라믹 페이스트 조성물을 이용한 바이폴라 정전척의 제조방법 |
| KR20190127402A (ko) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | (주)아폴로테크 | 보호 코팅층을 가지는 정전척 |
| TWI753835B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-01-21 | 日商黑崎播磨股份有限公司 | 靜電吸盤用介電質 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102451733B1 (ko) | 2021-12-20 | 2022-10-11 | 김순훈 | 내구성이 향상된 정전척 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324834A (ja) | 2002-04-03 | 2002-11-08 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤 |
| JP5143184B2 (ja) | 2010-05-07 | 2013-02-13 | 日本碍子株式会社 | ウエハー載置装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-05-13 KR KR1020160058526A patent/KR101833318B1/ko active IP Right Grant
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|---|---|---|---|---|
| KR20190053714A (ko) * | 2017-11-10 | 2019-05-20 | 주식회사 아이앤티 | 정전척 제조방법 및 정전척 |
| KR20190127402A (ko) * | 2018-05-04 | 2019-11-13 | (주)아폴로테크 | 보호 코팅층을 가지는 정전척 |
| KR101967424B1 (ko) * | 2018-10-02 | 2019-08-19 | (주)제니스월드 | 세라믹 페이스트 조성물을 이용한 바이폴라 정전척의 제조방법 |
| TWI753835B (zh) * | 2020-05-28 | 2022-01-21 | 日商黑崎播磨股份有限公司 | 靜電吸盤用介電質 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101833318B1 (ko) | 2018-03-02 |
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