KR20170106918A - Auxiliary exposure device - Google Patents
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Abstract
Description
개시하는 실시형태는 보조 노광 장치에 관한 것이다.The disclosed embodiment relates to a secondary exposure apparatus.
종래, 피처리 기판 상에 도포된 레지스트막에 대해, 예컨대 마스크의 패턴을 전사하는 통상의 노광 장치와는 별도로, 국소적인 노광 처리를 행하는 보조 노광 장치가 알려져 있다. 이러한 보조 노광 장치에 의하면, 광리소그래피에 있어서의 현상 처리 후의 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 균일성을 향상시킬 수 있다. 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a secondary exposure apparatus that performs local exposure processing separately from a conventional exposure apparatus that transfers a pattern of a mask to a resist film applied on a substrate to be processed. With this auxiliary exposure apparatus, it is possible to improve the uniformity of the film thickness and the line width of the resist pattern after the development processing in the optical lithography.
예컨대, 특허문헌 1에는, 복수의 LED(Light Emitting Diode) 소자를 라인형으로 배열하여 이루어지는 광원 유닛을 구비한 보조 노광 장치가 개시되어 있다. For example, Patent Document 1 discloses an auxiliary exposure apparatus having a light source unit in which a plurality of LED (Light Emitting Diode) elements are arranged in a line shape.
그러나, LED 소자를 이용한 경우의 노광 분해능은, LED 소자 본체의 사이즈(예컨대 5 ㎜ 정도)에 의한 제약을 받는다. 이 때문에, 전술한 종래 기술에는, 노광 분해능을 높인다고 하는 점에서 한층더 개선의 여지가 있다.However, the exposure resolution in the case of using an LED element is limited by the size (for example, about 5 mm) of the LED element main body. For this reason, there is a room for further improvement in that the above-described conventional technique is improved in exposure resolution.
실시형태의 일 양태는, 노광 분해능을 높일 수 있는 보조 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of one embodiment of the present invention to provide an auxiliary exposure apparatus capable of increasing the exposure resolution.
실시형태의 일 양태에 따른 보조 노광 장치는, 피처리 기판에 대해 노광 처리를 행하는 노광 장치의 전단측 또는 후단측에 배치되고, 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 행하는 보조 노광 장치로서, 반송부와, 광원 유닛을 구비한다. 반송부는, 피처리 기판을 주사 방향으로 반송한다. 광원 유닛은, 주사 방향으로 반송되는 피처리 기판에 대해, 주사 방향과 교차하는 방향을 길이 방향으로 하는 라인형의 광을 조사한다. 또한, 광원 유닛은, 복수의 가동식 마이크로 미러를 배열한 디지털 마이크로 미러 디바이스를 포함하여 구성된다.A secondary exposure apparatus according to an embodiment of the present invention is a secondary exposure apparatus that is disposed on the front end side or the rear end side of an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate to be processed and performs local exposure processing on the substrate to be processed, A transport section, and a light source unit. The carry section conveys the substrate to be processed in the scanning direction. The light source unit irradiates, on the substrate to be processed, which is transported in the scanning direction, a line-shaped light whose longitudinal direction is a direction intersecting the scanning direction. Further, the light source unit includes a digital micromirror device in which a plurality of movable micromirrors are arranged.
실시형태의 일 양태에 의하면, 노광 분해능을 높일 수 있다.According to an aspect of the embodiment, it is possible to enhance the exposure resolution.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 기판 처리 시스템에 있어서의 1장의 유리 기판에 대한 전공정의 처리 순서를 도시한 흐름도이다.
도 3a는 실시형태에 있어서 유리 기판 상의 제품 영역을 매트릭스형으로 구획하는 포맷을 도시한 도면이다.
도 3b는 유리 기판 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 측정값을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다.
도 3c는 유리 기판 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 보정 노광량을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다.
도 3d는 유리 기판 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 조도의 목표값을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다.
도 4는 실시형태에 따른 보조 노광 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 5는 광원 유닛으로부터 조사되는 자외선의 조사 영역을 도시한 도면이다.
도 6은 광원 유닛의 구성을 도시한 도면이다.1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
Fig. 2 is a flowchart showing the main definition processing procedure for one glass substrate in the substrate processing system.
3A is a diagram showing a format for partitioning a product area on a glass substrate into a matrix form in the embodiment.
FIG. 3B is a diagram showing a structure for calculating and mapping the measured values of the film thickness and the line width of the resist pattern for each unit area of the matrix section on the glass substrate.
3C is a diagram showing a structure for calculating and mapping the correction exposure dose for each unit area of the matrix partition on the glass substrate.
FIG. 3D is a diagram showing a structure for calculating and mapping a target value of roughness for each unit area of a matrix partition on a glass substrate.
4 is a diagram showing a configuration of a secondary exposure apparatus according to the embodiment.
5 is a diagram showing an irradiation area of ultraviolet rays irradiated from a light source unit.
6 is a diagram showing a configuration of the light source unit.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 보조 노광 장치의 실시형태를 상세히 설명한다. 한편, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the auxiliary exposure apparatus disclosed by the present application will be described in detail. On the other hand, the present invention is not limited to the embodiments described below.
[기판 처리 시스템의 구성][Configuration of substrate processing system]
도 1에 도시된 기판 처리 시스템(100)은, 클린룸 내에 설치되고, 예컨대 LCD(Liquid Crystal Display)용의 유리 기판(G)을 피처리 기판으로 하여, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피 공정 중의 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상 및 포스트 베이크 등의 일련의 처리를 행한다. 노광 처리는, 기판 처리 시스템(100)에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(20)(EXP)에 의해 행해진다.The
기판 처리 시스템(100)은, 카세트 스테이션(1)과, 반입부(2)(IN PASS)와, 세정 장치(3)(SCR)와, 제1 건조부(4)(DR)와, 제1 냉각부(5)(COL)와, 도포 장치(6)(COT)와, 제2 건조부(7)(DR)와, 프리 베이크부(8)(PRE BAKE)와, 제2 냉각부(9)(COL)와, 인터페이스 스테이션(10)을 구비한다. 또한, 기판 처리 시스템(100)은, 보조 노광 장치(11)(AE)와, 현상 장치(12)(DEV)와, 포스트 베이크부(13)(POST BAKE)와, 제3 냉각부(14)(COL)와, 검사부(15)(IP)와, 반출부(16)(OUT PASS)와, 제어부(17)를 구비한다. The
카세트 스테이션(1)과 인터페이스 스테이션(10) 사이에는, 유리 기판(G)을 카세트 스테이션(1)으로부터 인터페이스 스테이션(10)에 반송하는 반송 왕로(往路)가 형성되어 있고, 이러한 반송 왕로 상에, 반입부(2), 세정 장치(3), 제1 건조부(4), 제1 냉각부(5), 도포 장치(6), 제2 건조부(7), 프리 베이크부(8) 및 제2 냉각부(9)가, 카세트 스테이션(1)으로부터 인터페이스 스테이션(10)을 향해 이 순서로 설치된다.Between the cassette station 1 and the
또한, 카세트 스테이션(1)과 인터페이스 스테이션(10) 사이에는, 유리 기판(G)을 인터페이스 스테이션(10)으로부터 카세트 스테이션(1)에 반송하기 위한 반송 귀로가 형성되어 있고, 이러한 반송 귀로 상에, 보조 노광 장치(11), 현상 장치(12), 포스트 베이크부(13), 제3 냉각부(14), 검사부(15) 및 반출부(16)가, 인터페이스 스테이션(10)으로부터 카세트 스테이션(1)을 향해 이 순서로 배치되어 있다. 한편, 반송 왕로 및 반송 귀로는, 예컨대 롤러 반송로 등에 의해 구성된다.A conveyor return path for conveying the glass substrate G from the
카세트 스테이션(1)은, 유리 기판(G)을 다단으로 겹쳐 쌓도록 하여 복수 매 수용한 카세트(C)를 반입 및 반출하는 포트이다. 카세트 스테이션(1)은, 수평인 일방향(Y축 방향)으로 예컨대 4개 나란히 배치 가능한 카세트 스테이지(1a)와, 카세트 스테이지(1a) 상의 카세트(C)에 대해 유리 기판(G)의 출납을 행하는 반송 장치(1b)를 구비한다. 반송 장치(1b)는, 유리 기판(G)을 유지하는 반송 아암을 가지며, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하고, 인접하는 카세트 스테이지(1a), 반입부(2) 및 반출부(16)와의 사이에서 유리 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. The cassette station 1 is a port for loading and unloading a plurality of cassettes C accommodating a plurality of glass substrates G in a stacked manner. The cassette station 1 includes a
인터페이스 스테이션(10)은, 반송 장치(10a)를 구비한다. 반송 장치(10a)는, 유리 기판(G)을 유지하는 반송 아암을 갖고, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작 가능하며, 인접하는 제2 냉각부(9), 보조 노광 장치(11) 및 노광 장치(20)와의 사이에서 유리 기판(G)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 한편, 인터페이스 스테이션(10)에는, 반송 장치(10a) 외에, 예컨대, 주변 노광 장치나 타이틀러 등의 장치가 배치되어 있어도 좋다. 주변 노광 장치는, 유리 기판(G)의 주변부에 부착되는 레지스트를 현상 시에 제거하기 위한 노광 처리를 행한다. 타이틀러는, 유리 기판(G) 상의 미리 정해진 부위에 미리 정해진 정보를 기록한다. The
제어부(17)는, 예컨대 CPU(Central Processing Unit)이며, 도시하지 않은 기억부에 기억된 도시하지 않은 프로그램을 읽어내어 실행함으로써, 기판 처리 시스템(100) 전체를 제어한다. 제어부(17)는, 프로그램을 이용하지 않고 하드웨어만으로 구성되어도 좋다. The
도 2는 기판 처리 시스템(100)에 있어서의 1장의 유리 기판(G)에 대한 전공정의 처리 순서를 도시한 흐름도이다. 먼저, 카세트 스테이션(1)에 있어서, 반송 장치(1b)가, 카세트 스테이지(1a) 상의 어느 하나의 카세트(C)로부터 유리 기판(G)을 꺼내고, 꺼낸 유리 기판(G)을 반입부(2)에 반입한다(단계 S101). Fig. 2 is a flowchart showing the main definition processing procedure for one glass substrate G in the
반입부(2)에 반입된 유리 기판(G)은, 반송 왕로 상에서 반송되어 세정 장치(3)에 반입되어 세정 처리가 실시된다(단계 S102). 여기서, 세정 장치(3)는, 반송 왕로 상을 수평으로 이동하는 유리 기판(G)에 대해, 브러싱 세정이나 블로우 세정을 실시함으로써 기판 표면으로부터 입자형의 오물을 제거하고, 그 후에 린스 처리를 실시한다. 세정 장치(3)에서의 일련의 세정 처리를 끝내면, 유리 기판(G)은 제1 건조부(4)에 반입된다. The glass substrate G carried in the carrying-in
계속해서, 유리 기판(G)은, 제1 건조부(4)에 있어서 미리 정해진 건조 처리가 실시된 후(단계 S103), 제1 냉각부(5)에 반입되어 미리 정해진 온도까지 냉각된다(단계 S104). 그 후, 유리 기판(G)은, 도포 장치(6)에 반입된다.Subsequently, the glass substrate G is brought into the
도포 장치(6)에 있어서, 유리 기판(G)은, 예컨대 슬릿 노즐을 이용한 스핀리스법에 의해 기판 상면(피처리면)에 레지스트액이 도포된다(단계 S105). 그 후, 유리 기판(G)은, 제2 건조부(7)에 반입되고, 예컨대 감압에 의한 상온의 건조 처리를 받는다(단계 S106).In the coating device 6, the glass substrate G is coated with a resist solution on the upper surface (the surface to be treated) of the substrate by a spinless method using, for example, a slit nozzle (step S105). Thereafter, the glass substrate G is carried into the second drying section 7 and subjected to drying treatment at room temperature by, for example, decompression (step S106).
제2 건조부(7)로부터 반출된 유리 기판(G)은, 프리 베이크부(8)에 반입되고, 프리 베이크부(8)에 있어서 미리 정해진 온도에서 가열된다(단계 S107). 이 처리에 의해, 유리 기판(G) 상의 레지스트막 중에 잔류하고 있던 용제가 증발되어 제거되고, 유리 기판(G)에 대한 레지스트막의 밀착성이 강화된다.The glass substrate G taken out from the second drying section 7 is carried into the
계속해서, 유리 기판(G)은, 제2 냉각부(9)에 반입되고, 제2 냉각부(9)에 있어서 미리 정해진 온도까지 냉각된다(단계 S108). 그 후, 유리 기판(G)은, 인터페이스 스테이션(10)의 반송 장치(10a)에 의해 노광 장치(20)에 반입된다. 한편, 유리 기판(G)은, 노광 장치(20)에 반입되기 전에 도시하지 않은 주변 노광 장치에 반입되어도 좋다. Subsequently, the glass substrate G is carried into the second cooling section 9 and cooled to a predetermined temperature in the second cooling section 9 (step S108). Thereafter, the glass substrate G is brought into the
노광 장치(20)에서는, 유리 기판(G) 상의 레지스트에 미리 정해진 회로 패턴이 노광된다(단계 S109). 그리고, 패턴 노광을 끝낸 유리 기판(G)은, 인터페이스 스테이션(10)의 반송 장치(10a)에 의해 노광 장치(20)로부터 반출되어 보조 노광 장치(11)에 반입된다. 한편, 유리 기판(G)은, 보조 노광 장치(11)에 반입되기 전에 도시하지 않은 타이틀러에 반입되어도 좋다. In the
보조 노광 장치(11)에서는, 노광 처리 후의 유리 기판(G)에 대해, 현상 처리 후에 얻어지는 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 균일성을 향상시키기 위한 후술하는 바와 같은 특수한 보조 노광 처리가 행해진다(단계 S110). 보조 노광 처리를 끝낸 유리 기판(G)은, 현상 장치(12)에 반입되고, 현상 장치(12)에 있어서 현상, 린스 및 건조의 일련의 현상 처리가 실시된다(단계 S111). In the
현상 처리를 끝낸 유리 기판(G)은, 포스트 베이크부(13)에 반입되고, 포스트 베이크부(13)에 있어서 현상 처리 후의 열처리가 실시된다(단계 S112). 이에 의해, 유리 기판(G)의 레지스트막에 잔존하고 있던 현상액이나 세정액이 증발되어 제거되고, 기판에 대한 레지스트 패턴의 밀착성이 강화된다. 그 후, 유리 기판(G)은, 제3 냉각부(14)에 반입되고, 제3 냉각부(14)에 있어서 미리 정해진 온도까지 냉각된다(단계 S113). The developed glass substrate G is carried into the
계속해서, 유리 기판(G)은, 검사부(15)에 반입된다. 검사부(15)에서는, 유리 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉의 선폭 검사나 막질·막 두께 검사 등이 행해진다(단계 S114). 검사부(15)에서의 검사 결과는, 제어부(17)에 출력되고, 제어부(17)에 의해 도시하지 않은 기억부에 기억된다. Subsequently, the glass substrate G is brought into the
반출부(16)는, 검사를 끝낸 유리 기판(G)을 검사부(15)로부터 수취하여, 카세트 스테이션(1)의 반송 장치(1b)에 건네준다. 반송 장치(1b)는, 반출부(16)로부터 수취한 처리가 끝난 유리 기판(G)을 카세트(C)에 수용한다(단계 S115). 이상에 의해, 1장의 유리 기판(G)에 대한 기판 처리의 전공정이 종료된다.The take-out
보조 노광 장치(11)는, 노광 처리 후의 유리 기판(G)에 대해, 막 두께나 선폭이 원하는 막 두께나 선폭으로부터 어긋나 있는 부위에 대한 국소적인 노광 처리를 행함으로써, 현상 처리 후에 얻어지는 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 균일성을 향상시킨다. 이러한 보조 노광 장치(11)의 동작은, 제어부(17)에 의해 제어된다. The
제어부(17)는, 검사부(15)로부터 취득한 검사 결과에 기초하여 보조 노광 장치(11)의 동작을 제어한다. 여기서, 검사부(15)의 검사 결과로부터 보조 노광 장치(11)의 제어 데이터를 생성하는 방법의 일례에 대해 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 설명한다. The
도 3a는 실시형태에 있어서 유리 기판(G) 상의 제품 영역을 매트릭스형으로 구획하는 포맷을 도시한 도면이다. 도 3b는 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 측정값을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다. 도 3c는 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 보정 노광량을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다. 도 3d는 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역마다 조도의 목표값을 연산하여 매핑하는 구조를 도시한 도면이다. 3A is a diagram showing a format for partitioning a product area on a glass substrate G into a matrix form in the embodiment. Fig. 3B is a diagram showing a structure for calculating and mapping the measured values of the film thickness and the line width of the resist pattern for each unit area of the matrix section on the glass substrate G. Fig. FIG. 3C is a diagram showing a structure for calculating and mapping the correction exposure dose for each unit area of the matrix section on the glass substrate G. FIG. FIG. 3D is a diagram showing a structure for calculating and mapping a target value of illuminance for each unit area of the matrix section on the glass substrate G. FIG.
검사부(15)는, 포스트 베이크 후의 유리 기판(G) 상에 얻어진 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭을 예컨대 유리 기판(G) 상의 몇 개(예컨대 수십 군데)의 대표점에서 측정한다. 또한, 제어부(17)는, 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭에 대해, 검사부(15)에 의해 취득된 유리 기판(G) 상의 대표점에 있어서의 측정값을 기초로, 미리 정해진 보간 처리에 의해 유리 기판(G) 상의 다른 위치 또는 영역에 있어서의 측정값(정확하게는 추측값)을 연산한다.The
예컨대, 제어부(17)는, 도 3a에 도시된 바와 같이 유리 기판(G) 상의 제품 영역(PA)을 매트릭스형으로 구획하고, 매트릭스 구획의 각 단위 영역 (i,j)마다 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭의 측정값(또는 보간 처리로 얻어진 추정값) Ai,j를 연산하며, 메모리 내에 구축되는 테이블 상에서 도 3b에 도시된 바와 같이 매핑한다. 한편, 도면에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 매트릭스 구획을 9열(j=1∼9)로 나타내고 있다. 실제로는, 매트릭스 구획의 행수 및 열수 모두, 적어도 수십 이상 있으며, FPD용의 대형 기판에서는 백 이상 있다.3A, the
계속해서, 제어부(17)는, 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역 (i,j)마다 보정 노광량 Bi,j를 연산하고, 예컨대 메모리 내에 구축되는 테이블 상에서 도 3c에 도시된 바와 같이 매핑한다. 여기서, 보정 노광량 Bi,j는, 각 단위 영역 (i,j) 내의 레지스트 패턴의 막 두께나 선폭에 대해 측정값과 설정값의 차분(오차)을 영에 가까이하기 위한 노광량이다. Subsequently, the
계속해서, 제어부(17)는, 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역 (i,j)마다 조도의 목표값 Ci,j를 연산하고, 예컨대 메모리 내에 구축되는 테이블 상에서 도 3d에 도시된 바와 같이 매핑한다. 여기서, 보조 노광 장치(11)에 있어서 매트릭스 구획의 각 단위 영역 (i,j)당의 자외선 조사 시간을 tS라고 하면, Ci,j= Bi,j/tS이다. Subsequently, the
[보조 노광 장치의 구성][Configuration of auxiliary exposure apparatus]
다음으로, 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)의 구성에 대해 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한다. 도 4는 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)의 구성을 도시한 도면이다. 또한, 도 5는 광원 유닛(32)으로부터 조사되는 자외선의 조사 영역을 도시한 도면이다. Next, the configuration of the
도 4에 도시된 바와 같이, 보조 노광 장치(11)는, 유리 기판(G)을 주사 방향(X축 부방향)으로 반송하는 평류(平流) 반송부(30)와, 이 평류 반송부(30)에 의해 반송되는 유리 기판(G) 상의 레지스트에 광, 구체적으로는 미리 정해진 파장의 자외선(UV)을 조사하는 광원 유닛(32)을 구비한다. 또한, 보조 노광 장치(11)는, 광원 유닛(32)에 의해 조사되는 광의 조도를 측정하는 조도 측정부(38)와, 장치 내의 각부를 제어하기 위한 제어부(17)와, 제어부(17)에서 이용하는 각종 프로그램 및 데이터를 축적 또는 보존하는 메모리(42)를 구비한다. 4, the
평류 반송부(30)는, 예컨대 다수의 롤러(44)를 반송 방향으로 부설하여 이루어지는 롤러 반송로(46)와, 이 롤러 반송로(46) 상에서 유리 기판(G)을 반송하기 위해서 각 롤러(44)를 예컨대 벨트나 기어 등을 갖는 전동 기구(48)를 통해 회전 구동하는 주사 구동부(50)를 갖고 있다. 롤러 반송로(46)는, 도 1에 도시된 기판 처리 시스템(100)에 있어서, 인터페이스 스테이션(10)으로부터 카세트 스테이션(1)에의 반송 귀로의 일부를 구성한다. The flat conveying
평류 반송부(30)는, 노광 처리 후의 유리 기판(G)을 평류로 보조 노광 장치(11) 내에 반입하고, 보조 노광 장치(11) 내에서 보조 노광 처리의 주사를 위해서 유리 기판(G)을 평류로 반송하며, 보조 노광 처리를 끝낸 유리 기판(G)을 평류로 현상 장치(12)에 반출한다. 한편, 제어부(17)는, 롤러 반송로(46)의 여기저기에 배치되어 있는 위치 센서(도시하지 않음)를 통해 유리 기판(G)의 현재의 위치를 검출 내지 파악할 수 있도록 되어 있다.The flat conveying
광원 유닛(32)은, 롤러 반송로(46)의 상방에 배치되며, 도시하지 않은 지지부재에 의해 지지된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 광원 유닛(32)은, 주사 방향과 교차하는 방향(Y축 방향)에 있어서의 폭이 유리 기판(G)보다 짧고, 이 방향(Y축 방향)에 있어서의 유리 기판(G)의[바꿔 말하면 롤러 반송로(46)의] 중앙부에 배치된다. 이러한 광원 유닛(32)은, 주사 방향(X축 부방향)으로 반송되는 유리 기판(G)에 대해, 주사 방향과 교차하는 방향(Y축 방향)을 길이 방향으로 하는 라인형의 광을 조사한다.The
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 광원 유닛(32)은, 디지털 마이크로 미러 디바이스(이하, DMD라고 기재함)(325)를 포함하여 구성된다.As shown in Fig. 4, the
DMD(325)는, 다수의 가동식 마이크로 미러(이하, 미러라고 기재함)를 갖는 공간 광변조기이다. 하나의 미러의 경면 사이즈는, 예컨대 10수 ㎛이고, DMD(325)에는, 이러한 미러가 수10∼수100만개 매트릭스형으로 배열된다. The
각 미러는, 유리 기판(G) 상을 향해 광을 반사시키는 온 각도와, 유리 기판(G) 이외의 장소를 향해 광을 반사시키는 오프 각도 사이에서 변위 가능하다.Each mirror is displaceable between a warming angle at which light is reflected toward the glass substrate G and an angle at which the light is reflected toward a place other than the glass substrate G. [
제어부(17)는, DMD(325)의 각 미러의 동작을 제어하여, 온 각도 및 오프 각도의 시간 비율을 미러마다 조정함으로써, 각 미러에 대응하는 유리 기판(G) 상의 단위 영역마다, 상기 단위 영역에 조사되는 광의 조도를 조정한다.The
구체적으로는, 제어부(17)는, 광원 유닛(32)을 통과하는 유리 기판(G) 상의 단위 영역 (i,j)에 대해, 각 단위 영역 (i,j)의 조도가 목표값 Ci,j가 되도록, 각 미러마다 온 각도 및 오프 각도의 시간 비율을 조정한다. 제어부(17)는, 롤러 반송로(46)에 의한 유리 기판(G)의 주사 방향으로의 이동에 동기시켜, 주사 방향에 교차하는 방향으로 늘어선 단위 영역의 열마다 상기 처리를 행함으로써, 1장의 유리 기판(G)에 있어서의 전체 단위 영역에 대해 보조 노광 처리를 행한다.More specifically, the
이러한 DMD(325)에서는, 극소의 미러 하나하나를 유리 기판(G) 상의 단위 영역에 대응시킬 수 있다. 바꿔 말하면, DMD(325)를 이용함으로써, 유리 기판(G) 상에 설정되는 단위 영역의 사이즈를 미러의 사이즈에 따라 작게 할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)에 의하면, LED 소자 본체의 사이즈(5 ㎜ 정도)에 의한 제약을 받는 종래의 보조 노광 장치와 비교하여, 노광 분해능을 높일 수 있다.In this
[광원 유닛의 구성][Configuration of light source unit]
다음으로, 전술한 DMD(325)를 구비하는 광원 유닛(32)의 구성의 일례에 대해 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 광원 유닛(32)의 구성을 도시한 도면이다. 한편, 광원 유닛(32)의 구성은, 도 6에 도시된 구성에 한정되지 않는다.Next, an example of the configuration of the
도 6에 도시된 바와 같이, 광원 유닛(32)은, 광원(321)과, 제1 렌즈(322)와, 반사경(323)과, 제2 렌즈(324)와, DMD(325)와, 투사 렌즈(326)와, 라이트 트랩(327)을 구비한다. 6, the
광원(321)은, 자외선(UV)을 출사한다. 광원(321)으로서는, 예컨대 LED나 레이저 빔 발생기 등을 이용할 수 있다. 제1 렌즈(322)는, 광원(321) 및 DMD(325) 사이의 광로 상에 배치되고, 광원(321)으로부터 출사된 광을 확대시킨다. 반사경(323)은, 제1 렌즈(322) 및 DMD(325) 사이의 광로 상에 배치되고, 제1 렌즈(322)에 의해 확대된 광을 DMD(325)를 향해 반사시킨다. 한편, 이 반사경(323)의 각도는, 고정이다. The
제2 렌즈(324)는, 반사경(323) 및 DMD(325) 사이의 광로 상에 배치되고, 반사경(323)에 의해 반사된 광의 분포를 균일화시킨다. DMD(325)는, 직사각형 형상의 미러(M)를 다수 가지며, 제어부(17)의 제어에 따라 각 미러(M)를 구동시킴으로써, 유리 기판(G) 상에 조사되는 광의 조도를 단위 영역마다 조정한다.The
투사 렌즈(326)는, DMD(325) 및 유리 기판(G) 사이의 광로 상에 배치되고, DMD(325)에 의해 유리 기판(G)을 향해 반사된 광을 유리 기판(G)에 대해 라인형으로 확대하여 투사한다. 라이트 트랩(327)은, 오프 각도의 미러(M)에 의해 반사되는 광의 광로 상에 배치되고, 이러한 광을 흡수한다.The
이와 같이, 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)는, 단일의 광원(321)을 갖는 단일의 광원 유닛(32)을 구비한다. 따라서, 복수의 LED 소자를 광원으로서 이용하는 종래의 보조 노광 장치와 비교하여, 예컨대, 다른 광원으로부터 조사된 광끼리의 겹침을 고려하여 각 광원의 조도를 조정한다고 하는 번잡한 처리가 불필요해진다. As described above, the
한편, 보조 노광 장치(11)는, 복수의 광원 유닛(32)을 구비하고 있어도 좋다. 이러한 경우라도, 광원 유닛(32)이 구비하는 DMD(325)는, 직사각형 형상의 미러(M)에 의해 광을 직사각형 형상으로 반사할 수 있기 때문에, 예컨대 광을 원형으로 조사하는 LED 소자를 갖는 종래의 보조 노광 장치와 비교하여, 다른 광원 유닛(32)으로부터 조사된 광끼리가 겹쳐지기 어렵다. 따라서, 광끼리의 겹침을 고려하여 각 광원의 조도를 조정한다고 하는 번잡한 처리가 불필요하다. On the other hand, the
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)는, 노광 장치(20)의 후단측이며 또한 현상 장치(12)의 전단에 배치된다. 즉, 만일, 노광 처리의 정밀도가 높았다고 해도, 그 후에 행해지는 현상 처리의 정밀도가 낮은 경우에는, 막 두께나 선폭에 어긋남이 발생할 우려가 있다. 따라서, 막 두께나 선폭의 어긋남을 적절히 보정하기 위해서는, 본 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)와 같이, 현상 처리 전의 모든 공정을 끝낸 후, 즉, 현상 장치(12) 바로 앞에 보조 노광 장치(11)를 배치하는 것이 바람직하다. 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(100)에 의하면, 현상 처리 후의 유리 기판(G)의 막 두께나 선폭을 검사부(15)에 의해 검사하고, 그 검사 결과를 현상 처리 직전의 보조 노광 처리에 피드백함으로써, 막 두께나 선폭을 적절히 보정할 수 있다.1, the
한편, 보조 노광 장치(11)의 배치는 상기한 예에 한정되지 않고, 도포 장치(6)의 후단측이며 또한 현상 장치(12)의 전단측이면 임의의 위치에 배치할 수 있다.On the other hand, the arrangement of the
[조도 분포 조정 처리][Illumination distribution adjustment processing]
그런데, DMD(325)의 반사광을 유리 기판(G)의 폭까지 확대한 경우, 조도 분포가 불균일화하는 것이 염려된다. 구체적으로는, 광원 유닛(32)으로부터 조사되는 라인형의 광 중, DMD(325)로부터 먼 단부측의 조도가 DMD(325)에 가까운 중앙부의 조도와 비교해서 저하될 우려가 있다. 특히, 본 실시형태에 따른 보조 노광 장치(11)와 같이, 단일의 광원 유닛(32)을 이용하는 경우에는, 상기와 같은 조도 분포의 불균일화가 발생하기 쉽다.However, when the reflected light of the
그래서, 보조 노광 장치(11)에서는, 조도 측정부(38)를 구비하고, 이러한 조도 측정부(38)를 이용하여 광원 유닛(32)으로부터 조사되는 라인형의 광의 조사 분포를 측정하는 처리를 사전에 행하며, 그 결과를 가미하여 보조 노광 처리에 있어서의 광원 유닛(32)에의 지령값을 결정하도록 해도 좋다. Thus, in the
조도 측정부(38)는, 예컨대, 자외선의 조도를 측정하기 위한 조도계와, 이 조도계를 광원 유닛(32) 바로 아래에서 조사 라인 방향(Y축 방향)으로 이동시키기 위한 이동 기구를 구비하고 있다. 조도계는, 그 정상부 부근에 광전 변환 소자 예컨대 포토 다이오드를 갖고 있고, 그 수광면에 입사한 자외선의 광 강도에 대응한 전기 신호(조도 측정 신호)를 생성하도록 되어 있다. 조도계로부터 출력되는 조도 측정 신호는, 예컨대, 아날로그 디지털 변환기를 통해 제어부(17)에 보내진다. The
이동 기구는, 조도계의 수광부가 롤러 반송로(46) 상을 이동할 때의 유리 기판(G)의 표면과 동일한 높이가 되도록 조도계를 캐리지에 탑재하고, 광원 유닛(32)과 평행(Y축 방향)하게 연장되는 레일 상에서 예컨대 리니어 모터에 의해 캐리지 및 조도계를 양방향으로 임의로 이동시키며, 레일 상의 임의의 위치에 조도계를 정지(停止) 또는 정지(靜止)할 수 있도록 되어 있다. The moving mechanism is mounted on the carriage so that the light receiving unit of the illuminance meter is flush with the surface of the glass substrate G when the light receiving unit is moved on the
제어부(17)는, DMD(325)를 제어하여, 각 미러(M)를 동일한 시간 비율(예컨대, 온 각도:오프 각도=1:1)로 구동시키고, 조도 측정부(38)를 제어하여, 조도계를 조사 라인 방향(Y축 방향)으로 이동시키면서 각 위치의 조도를 측정시킨다. 이에 의해, 광원 유닛(32)에 의해 조사되는 라인형의 광의 조도 분포가 취득된다. 제어부(17)는, 취득한 조도 분포를 메모리(42)에 저장한다.The
제어부(17)는, 보조 노광 처리에 앞서, 도 3d에 도시된 바와 같은 조사맵과 메모리(42)의 테이블에 저장한 조도 분포를 참조하여, 유리 기판(G) 상의 매트릭스 구획의 각 단위 영역 (i,j)마다 지령값 Vi,j를 연산하고, 예컨대 메모리(42) 내에 구축되는 테이블 상에서 매핑한다. The
그리고, 제어부(17)는, 광원 유닛(32) 및 롤러 반송로(46)를 제어하여, 보조 노광 처리를 위한 유리 기판(G)과 광원 유닛(32) 사이의 주사를 행하게 한다. 이 주사에서는, 유리 기판(G) 위의 매트릭스 구획의 제i 행의 단위 영역 (i,1)∼(i,9)가 광원 유닛(32) 바로 아래를 통과할 때에, 광원 유닛(32)에 대해 제i 행분의 각 지령값 Vi,1∼Vi,9를 부여한다. 이에 의해, 제i 행의 단위 영역 (i,1)∼(i,9)에 대해, 광원 유닛(32)으로부터 라인형의 광이 단위 영역마다 독립된 조도로 일정 시간조사된다. The
이렇게 해서, 유리 기판(G)이 광원 유닛(32) 바로 아래를 통과할 때에, 조사 라인(매트릭스 구획의 각 행) 상에서 단위 영역 (i,j)마다 독립된 조도 또는 노광량의 보조적 노광이 행해진다. Thus, when the glass substrate G passes directly under the
이와 같이, 보조 노광 장치(11)의 제어부(17)는, 현상 처리 후의 유리 기판(G)에 있어서의 막 두께 및 선폭 중 적어도 하나의 측정 결과와, 복수의 미러(M)를 균일하게 제어한 경우에 있어서 광원 유닛(32)으로부터 조사되는 라인형의 광의 조도 분포에 기초하여, 각 미러(M)의 동작을 제어해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 조도 분포의 불균일에 의해 발생하는 보조 노광 처리의 정밀도 저하를 억제할 수 있다. As described above, the
한편, 전술한 실시형태에서는, 하나의 단위 영역에 대해 하나의 미러(M)를 대응시키는 경우의 예에 대해 설명하였으나, 대응시키는 미러(M)의 수를 단위 영역마다 다르게 해도 좋다.On the other hand, in the above-described embodiment, an example is described in which one mirror M is associated with one unit area. However, the number of mirrors M to be corresponded may be different for each unit area.
예컨대, 보조 노광 장치(11)가 단일의 광원 유닛(32)을 구비하는 경우, 광학계의 구성에 따라서는, 하나의 미러(M)로부터 라인 방향에 있어서의 유리 기판(G)의 단부에 조사되는 광의 조사 범위가, 하나의 미러(M)로부터 라인 방향에 있어서의 유리 기판(G)의 중앙[즉 광원 유닛(32) 바로 아래]에 조사되는 광의 조사 범위와 비교해서 커질 가능성이 있다.For example, in the case where the
그래서, 보조 노광 장치(11)는, 라인 방향 단부측의 단위 영역에 대해 1 또는 복수의 미러(M)를 대응시키고, 라인 방향 중앙부측의 단위 영역에 대해, 라인 방향 단부측의 단위 영역보다 많은 미러(M)를 대응시키도록 해도 좋다. 즉, 만일, 하나의 미러(M)로부터 라인 방향 단부측에 조사되는 광의 조사 범위가, 하나의 미러(M)로부터 라인 방향 중앙부측에 조사되는 광의 조사 범위의 2배의 크기가 되는 경우에는, 라인 방향 단부측의 단위 영역에 대해 하나의 미러(M)를 대응시키고, 라인 방향 중앙부측의 단위 영역에 대해 2개의 미러(M)를 대응시키도록 해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 조사 범위의 차에 의한 보조 노광 처리의 정밀도 저하를 억제할 수 있다.Thus, the
또한, DMD(325)는, 열에 의해 반사 특성이 변화될 우려가 있다. 그래서, 보조 노광 장치(11)는, DMD(325)의 온도를 조정하는 온도 조정부를 구비하고 있어도 좋다. 온도 조정부로서는, 예컨대 히트 싱크나 펠티에 모듈 등을 이용할 수 있다. Further, the
또한, 전술한 실시형태에서는, 유리 기판(G)을 평류로 반송하는 평류 반송부(30)를 구비하고, 광원 유닛(32)을 주사 방향에서 일정 위치에 고정하였다. 그러나, 유리 기판(G)을 예컨대 스테이지에 고정하고, 스테이지 상에서 광원 유닛(32)을 주사 방향으로 이동시키는 주사 방식이나, 유리 기판(G)과 광원 유닛(32)의 양방을 이동시키는 주사 방식도 가능하다.In the above-described embodiment, the
또한, 전술한 실시형태에서는, 피처리 기판이 FPD용의 유리 기판인 것으로 하였으나, 이것에 한하지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체 웨이퍼, 유기 EL, 태양 전지용의 각종 기판, CD 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등이어도 좋다.Although the substrate to be processed is a glass substrate for FPD in the above-described embodiments, the present invention is not limited to this, and other substrate for a flat panel display, a semiconductor wafer, an organic EL, various substrates for a solar cell, A mask, a printed board, or the like.
전술해 온 바와 같이, 실시형태에 따른 보조 노광 장치는, 피처리 기판에 대해 노광 처리를 행하는 노광 장치의 전단측 또는 후단측에 배치되고, 피처리 기판에 대해 국소적으로 노광 처리를 행하는 보조 노광 장치로서, 반송부와, 광원 유닛을 구비한다. 반송부는, 피처리 기판을 주사 방향으로 반송한다. 광원 유닛은, 주사 방향으로 반송되는 피처리 기판에 대해, 주사 방향과 교차하는 방향을 길이 방향으로 하는 라인형의 광을 조사한다. 또한, 광원 유닛은, 복수의 가동식 마이크로 미러를 배열한 디지털 마이크로 미러 디바이스를 포함하여 구성된다. 따라서, 실시형태에 따른 보조 노광 장치에 의하면, 노광 분해능을 높일 수 있다. As described above, the auxiliary exposure apparatus according to the embodiment is an auxiliary exposure apparatus that is disposed on the front end side or the rear end side of an exposure apparatus that performs exposure processing on a substrate to be processed, and performs auxiliary exposure As the apparatus, there is provided a carrying unit and a light source unit. The carry section conveys the substrate to be processed in the scanning direction. The light source unit irradiates, on the substrate to be processed, which is transported in the scanning direction, a line-shaped light whose longitudinal direction is a direction intersecting the scanning direction. Further, the light source unit includes a digital micromirror device in which a plurality of movable micromirrors are arranged. Therefore, with the auxiliary exposure apparatus according to the embodiment, the exposure resolution can be enhanced.
한층 더한 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것이 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 여러 가지 변경이 가능하다. Further effects and modifications can be easily obtained by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments described and shown above. Accordingly, various changes may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.
11: 보조 노광 장치
12: 현상 장치
17: 제어부
20: 노광 장치
30: 평류 반송부
32: 광원 유닛
38: 조도 측정부
46: 롤러 반송로
100: 기판 처리 시스템
325: DMD11: auxiliary exposure device 12: developing device
17: Control section 20: Exposure device
30: a parallel conveying unit 32: a light source unit
38: illuminance measuring unit 46: roller conveying path
100: substrate processing system 325: DMD
Claims (5)
상기 피처리 기판을 주사 방향으로 반송하는 반송부와,
상기 주사 방향으로 반송되는 상기 피처리 기판에 대해, 상기 주사 방향과 교차하는 방향을 길이 방향으로 하는 라인형의 광을 조사하는 광원 유닛
을 구비하고,
상기 광원 유닛은,
복수의 가동식 마이크로 미러를 배열한 디지털 마이크로 미러 디바이스를 포함하여 구성되는 것
을 특징으로 하는 보조 노광 장치. An auxiliary exposure apparatus arranged on a front end side or a rear end side of an exposure apparatus for performing exposure processing on a substrate to be processed and performing local exposure processing on the substrate to be processed,
A transfer section for transferring the substrate to be processed in a scanning direction,
A light source unit for irradiating the substrate to be processed, which is transported in the scanning direction, with a line-shaped light having a longitudinal direction intersecting with the scanning direction,
And,
The light source unit includes:
Comprising a digital micromirror device in which a plurality of movable micromirrors are arranged
And the auxiliary exposure unit.
상기 디지털 마이크로 미러 디바이스 및 상기 피처리 기판 사이의 광로 상에 배치되고, 상기 디지털 마이크로 미러 디바이스에 의해 반사된 광을 상기 피처리 기판에 대해 상기 라인형으로 확대하여 투사하는 투사 렌즈
를 구비하는 것을 특징으로 하는 보조 노광 장치. The light source unit according to claim 1,
A projection lens disposed on an optical path between the digital micromirror device and the substrate to be processed to project the light reflected by the digital micromirror device in the form of a line with respect to the substrate to be processed,
Wherein the auxiliary exposure apparatus further comprises:
을 특징으로 하는 보조 노광 장치. The image forming apparatus according to any one of claims 1 to 4, further comprising: a developing unit for performing a developing process on the post-exposure side of the exposed substrate,
And the auxiliary exposure unit.
를 구비하는 것을 특징으로 하는 보조 노광 장치.5. The method according to claim 4, further comprising: measuring at least one of a film thickness and a line width in the substrate to be processed after development processing, and a light distribution distribution of the line type light in the case where the plurality of movable micromirrors are uniformly controlled A control unit for controlling the operation of the movable micromirror,
Wherein the auxiliary exposure apparatus further comprises:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210152511A KR102456281B1 (en) | 2016-03-14 | 2021-11-08 | Auxiliary exposure device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016049110A JP6523194B2 (en) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | Auxiliary exposure device |
JPJP-P-2016-049110 | 2016-03-14 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210152511A Division KR102456281B1 (en) | 2016-03-14 | 2021-11-08 | Auxiliary exposure device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170106918A true KR20170106918A (en) | 2017-09-22 |
KR102327108B1 KR102327108B1 (en) | 2021-11-15 |
Family
ID=59871660
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170028728A KR102327108B1 (en) | 2016-03-14 | 2017-03-07 | Auxiliary exposure device |
KR1020210152511A KR102456281B1 (en) | 2016-03-14 | 2021-11-08 | Auxiliary exposure device |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020210152511A KR102456281B1 (en) | 2016-03-14 | 2021-11-08 | Auxiliary exposure device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6523194B2 (en) |
KR (2) | KR102327108B1 (en) |
CN (1) | CN107193185B (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007033882A (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Exposure device and exposure method, and manufacturing method for wiring board |
JP2011059716A (en) * | 2004-11-08 | 2011-03-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2011123383A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and method of manufacturing panel substrate for display |
JP2013186191A (en) | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | Auxiliary exposing device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63109417A (en) * | 1986-10-27 | 1988-05-14 | Canon Inc | Light source device |
JP2007078764A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | Exposure device and exposure method |
JP5165731B2 (en) * | 2010-06-30 | 2013-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | Local exposure apparatus and local exposure method |
DE102012224005B4 (en) * | 2012-12-20 | 2015-07-23 | Heraeus Kulzer Gmbh | Process for producing a homogeneous light distribution |
CN105319856A (en) * | 2014-06-27 | 2016-02-10 | 东捷科技股份有限公司 | Exposure system being adjustable in exposure intensity |
CN104111592B (en) * | 2014-08-06 | 2016-06-08 | 中国科学院光电技术研究所 | A kind of method realizing variable free illumination iris based on micro reflector array |
-
2016
- 2016-03-14 JP JP2016049110A patent/JP6523194B2/en active Active
-
2017
- 2017-03-07 KR KR1020170028728A patent/KR102327108B1/en active IP Right Grant
- 2017-03-14 CN CN201710149843.1A patent/CN107193185B/en active Active
-
2021
- 2021-11-08 KR KR1020210152511A patent/KR102456281B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011059716A (en) * | 2004-11-08 | 2011-03-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007033882A (en) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi Via Mechanics Ltd | Exposure device and exposure method, and manufacturing method for wiring board |
JP2011123383A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Hitachi High-Technologies Corp | Exposure device, exposure method, and method of manufacturing panel substrate for display |
JP2013186191A (en) | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Tokyo Electron Ltd | Auxiliary exposing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6523194B2 (en) | 2019-05-29 |
KR102327108B1 (en) | 2021-11-15 |
JP2017167174A (en) | 2017-09-21 |
CN107193185A (en) | 2017-09-22 |
CN107193185B (en) | 2021-01-12 |
KR102456281B1 (en) | 2022-10-18 |
KR20210135974A (en) | 2021-11-16 |
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