KR20170105509A - 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 유닛용 광학 요소의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 방법은 기판(102)을 제공하는 단계와, 기판에 층 시스템(103)을 인가하는 단계로서, 광학 요소(100)의 광학 유효면(101)이 형성되고 층 시스템은 광학 유효면의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층(104)을 갖는, 층 시스템 도포 단계와, 광학 시스템의 지정된 동작 온도를 초과하여 열변형 가능층을 적어도 영역적으로 가열하면서 광학 요소에 온도장을 생성하는 단계를 포함하고, 온도장을 광학 요소에 생성하기 전에, 열변형 가능층은 온도장을 인가할 때 유도된 변형이 광학 요소가 지정된 동작 온도로 냉각된 후에 적어도 부분적으로 유지되도록 구성된다. 본 발명은 또한 광학 시스템용 광학 요소에 관한 것으로서, 광학 요소(400)는 광학 유효면(401)을 갖고, 기판(402), 및 반사층 시스템(406)을 갖는 기판(402) 상에 위치된 층 시스템(403)을 갖고, 층 시스템은 형상 기억 합금을 더 갖는다. 본 발명에 따르면, 광학 시스템의 동작 중에 발생하는 광학 유효면의 변형은 형상 기억 합금으로의 열에너지의 능동 인가에 의해 적어도 부분적으로 보상될 수 있다.
Description
본 출원은 2015년 1월 13일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2015 200 328.0호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.
발명의 분야
본 발명은 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 시스템의 광학 요소를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.
마이크로리소그래피가 예를 들어, 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조화된 구성요소(microstructured component)를 제조하기 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 소위 투영 노광 장치에서 수행된다. 조명 디바이스를 경유하여 조명되는 마스크(레티클)의 화상은 이 경우에 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영 렌즈에 의해 투영되고, 기판의 감광 코팅에 마스크 구조를 전사하기 위해, 투영 렌즈의 화상 평면 내에 배열된다.
EUV 범위에 대해, 즉 예를 들어 대략 13 nm 또는 대략 7 nm의 파장에서 설계된 투영 렌즈에 있어서, 적합한 투광 굴절성 재료의 이용 가능성의 결여에 기인하여, 미러가 촬상 프로세스를 위한 광학 구성요소로서 사용된다.
실제로 발생하는 일 문제점은 EUV 미러가 이들의 제조 후에 또는 코팅 프로세스가 실행된 후에 이들의 광학 유효면의 제조 관련 기하학적 형상 편차(또한 형상 정확도 에러라 칭함)를 가질 수 있고, 이들 형상 편차는 이들이 보정되지 않으면 광학 시스템의 촬상 특성에 부정적인 영향을 유도할 수 있다는 것이다.
이러한 효과의 보정을 허용하기 위해, 그리고 또한 예를 들어 시스템 내에서 발생하는 수차를 보상하기 위해, 타겟화된 방식으로 미러의 광학 특성을 변경하기 위해, 예를 들어, 열적 작동을 경유하여 광학 시스템의 동작 중에 미러 변형을 제어하는 것이 공지되어 있다. 그러나, 이러한 보정 수단은 빈번히 복잡화될 수 있고, 더욱이 광학 시스템에 설정될 파면(wavefront)의 정확도의 견지에서 증가하는 요구의 경우에 더 이상 충분하지 않은 것으로 입증될 수 있다.
종래 기술과 관련하여, 단지 예로서, WO 2007/033964 A1호, DE 103 60 414 A1호 및 DE 10 2004 051 838 A1호를 참조한다.
본 발명의 목적은 구성의 견지에서 감소된 레이아웃을 갖는 광학 시스템 내의 파면 세트의 증가된 정확성을 허용하는 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
이 목적은 독립 특허 청구항의 특징에 따른 방법을 경유하여 성취된다.
일 양태에서, 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은
- 기판을 제공하는 단계와,
- 기판 상에 층 시스템을 도포하는 단계로서, 광학 요소의 광학 유효면이 형성되고 층 시스템은 광학 유효면의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층을 갖는, 층 시스템 도포 단계와,
- 광학 시스템의 지정된 동작 온도를 초과하여 열변형 가능층을 적어도 영역적으로 가열하면서 광학 요소에 온도장(temperature field)을 인가하는 단계를 포함하고,
온도장이 광학 요소에 인가되기 전에, 열변형 가능층은 온도장이 인가될 때 유도된 변형이 광학 요소가 지정된 동작 온도로 냉각된 후에 적어도 부분적으로 유지되도록 구성된다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층은 상 전이를 갖고, 상 전이는 광학 요소에 온도장을 인가함으로써 성취되는 임의의 능동 변형이 층 두께 변화를 위해 요구되는 관련 온도가 더 이상 만연하지 않더라도 유지되도록 열변형 가능층의 층 두께의 온도 의존성 내의 이력 프로파일을 갖는다.
본 발명은 광학 시스템 내에 장착되기 전에도, 특히 유도된 변형이 광학 요소를 재차 냉각한 후에 또는 그 동작 온도에서 광학 시스템 내의 이후의 동작 중에 적어도 부분적으로 유지되는(즉, 말하자면 "동결(frozen)" 유지됨) 이러한 방식으로, 광학 요소로의 온도장의 인가에 의해 능동적으로 변형되는, 이 보정의 단일 목적으로 광학 요소의 층 시스템 내에 합체된 열변형 가능층을 경유하여 광학 유효면의 제조 관련 기하학적 형상 편차의 (1회) 보정 광학 요소 내에 구현하는 개념에 특히 기초한다.
유도된 변형이 광학 시스템의 동작 중에 유지되는 것을 보장하기 위해, 광학 시스템의 적합한 우선적인 구성은 이상적으로는 어떠한 층 두께 변화도 관련 동작 온도 범위에서 발생하지 않는 것, 즉 특히 층 두께 변화를 위해 책임이 있는 상 전이가 후술되는 바와 같이, 관련 동작 온도 범위에서 발생하지 않는 것을 보장하는 것이다.
본 발명은 여기서 열변형 가능층의 적합한 구성에 의해, 의존성 "층 두께 대 온도"에서 상기 상 전이를 기술하는 이력 프로파일이, 광학 요소에 온도장을 인가함으로써 얻어진 임의의 능동 변형이 층 두께 변화를 위해 필요한 관련 온도가 더 이상 만연하지 않더라도 유지되도록, 이루어진다는 발견으로부터 진행한다. 따라서, 광학 요소의 제조 후에 확인되는 형상 에러 또는 형상 정확도 에러는 타겟화된 방식으로 계산되어 있는 온도장의 단일의 인가를 경유하여 요소가 관련 광학 시스템 내에 장착되기 전에도 보정될 수 있고, 여기서 여기에 설정된 요소의 광학 유효면의 보정된 기하학적 형상은 동작 온도에서 광학 시스템의 이후의 동작 중에도, 이전에 행해졌던 열변형 가능층의 적합한 구성의 결과로서 유지된다.
더욱이, 본 발명은 의존성 "층 두께 대 온도"에서 이력을 경유하여 분간 가능한 상 전이를 이용하면서, 층 시스템에 합체된 열변형 가능층을 경유하여 광학 유효면의 기하학적 형상의 보정의 전술된 개념이 비교적 큰 기판 두께[예를 들어, 수백 마이크로미터(㎛)의]의 경우에도 효과적인 것으로 입증되었고, 여기서 단지 예로서 수 10 nm의 층 두께 변화만이 얻어지는 것이 가능하다는 발견을 이용한다.
일 양태에서, 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소를 제조하기 위한 본 발명에 따른 방법은
- 기판을 제공하는 단계와,
- 기판 상에 층 시스템을 도포하는 단계로서, 광학 요소의 광학 유효면이 형성되고 층 시스템은 광학 유효면의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층을 갖는, 층 시스템 도포 단계와,
- 광학 시스템의 지정된 동작 온도를 초과하여 열변형 가능층을 적어도 영역적으로 가열하면서 광학 요소에 온도장을 인가하는 단계를 포함하고,
열변형 가능층은 상 전이를 갖고, 이 상 전이는 광학 요소에 온도장을 인가함으로써 성취되는 임의의 능동 변형이 층 두께 변화를 위해 요구되는 관련 온도가 더 이상 만연하지 않더라도 유지되도록 열변형 가능층의 층 두께의 온도 의존성 내의 이력 프로파일을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 광학 요소에 인가된 온도장은 국부적으로 변화한다.
다른 실시예에 따르면, 광학 요소에 인가된 온도장은 균질하다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층은 광학 시스템 내의 에러(예를 들어, 전체 시스템의 광학 수차 또는 촬상 에러)가 온도장이 인가될 때 유도되는 변형을 경유하여 적어도 부분적으로 보정되도록 구성된다. 예를 들어, 광학 요소가 제조되기 전에 또는 전체 광학 시스템의 에러가 미리 공지되어 있으면, 열변형 가능층 내로의 대응하는 국부적으로 변화하는 도핑을 작업하거나 또는 층 상에 국부적으로 변화하는 후처리를 수행하는 것(예를 들어, 템퍼링 또는 자기장을 인가함으로써)이 가능한데, 여기서 원하는 보정이 이어서 또한 균질한 온도장을 인가함으로써 얻어질 수 있다. 예를 들어 도핑에 의해 또는 외부 자기장을 경유하여 열변형 가능층을 구성하기 위한 상이한 가능성이 이하에 더 상세히 설명될 것이다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층은 온도에 의존하여, 마르텐사이트상(martensite phase)과 오스테나이트상(austenite phase) 사이의 상 전이를 갖는 재료로 제조된다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층을 구성하는 단계는 마르텐사이트상을 위한 포화 온도 미만으로 열변형 가능층을 능동 냉각하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층은 호이슬러 합금(Heusler alloy)으로부터 제조된다. 호이슬러 합금은 특히 니켈 망간 갈륨 및 니켈 티타늄을 포함하는 그룹으로부터 선택될 수 있다.
층은 예를 들어 100 내지 500 nm의 범위, 특히 100 내지 300 nm의 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 원하는 층 두께 변화는 예를 들어 1% 내지 2%의 범위에 놓일 수 있다.
본 발명은 여기서 더욱이, 예를 들어 온도에 의존하여 호이슬러 합금의 경우에 발생하는 마르텐사이트상과 오스테나이트상 사이의 상 전이를 사용하는, 이하에 더 상세히 설명될 본 발명에 따른 원리가 또한 다결정질 재료로 제조된 열변형 가능층의 형태로 실현될 수 있고, 이는 통상적으로 예를 들어 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 투영 렌즈에 사용된 미러의 경우에, 거기에 사용된 기판 재료가 예를 들어 호이슬러 합금과 같은 단결정질층의 도포를 허용하지 않는 정도로 관련된다는 발견을 이용한다.
본 발명에 따른 열변형 가능층의 구성은 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 특히 적합한 재료 선택, 혼합 및 후처리를 포함할 수 있다. 그 결과, 의존성 "층 두께 대 온도" 내의 이력에 의해 분간 가능한 상 전이에 관련하여 - 특히 비교적 저온에서 발생하는 마르텐사이트상과 비교적 고온에서 발생하는 오스테나이트상 사이의 - 관련 상으로의 전이의 사용 온도 및 포화 온도의 모두는 전술된 수단 및 후술될 수단에 의해 조작될 수 있다는 사실이 이용된다.
예를 들어, 마르텐사이트상 또는 오스테나이트상을 위한 관련 상으로의 각각의 전이를 위한 사용 온도의 그리고 포화 온도의 값의 모두가 -10℃ 내지 10℃ 또는 80℃ 내지 200℃의 범위, 즉 각각의 광학 요소에 의한 광학 시스템의 이후의 동작 중에 통상적으로 더 이상 성취될 수 없는 범위(마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 경우에 그 동작 온도는 예를 들어 대략 50℃일 수 있음)로 설정될 수 있는 것을 보장하는 것이 적합한 구성을 경유하여 가능하다.
일 실시예에 따르면, 방법은 온도장의 인가 전에, 광학 유효면이 지정된 동작 온도에서 지정된 사양을 갖는 기하학적 형상 편차를 확인하는 단계를 포함하고, 형상 편차의 확인 후의 온도장은 이에 의해 유도된 열변형 가능층의 변형이 확인된 형상 편차의 적어도 부분적인 보상을 실행하는 성질을 갖는다.
일 실시예에 따르면, 광학 요소에 온도장을 인가하는 단계는 광학 요소가 제조 관련 형상 편차의 1회 보정을 위해 광학 시스템 내에 장착되기 전에 수행된다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층을 구성하는 단계는 특히, 도핑을 경유하여, 열변형 가능층의 재료 조성의 타겟화된 변화를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층을 구성하는 단계는 외부 자기장을 인가하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층을 구성하는 단계는 템퍼링 프로세스를 수행하는 단계를 포함한다. 템퍼링은 400℃ 내지 700℃의 온도, 특히 대략 500℃의 온도에서 코팅 직후에 특히 실행될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층은 기판 상에 즉시 도포된다.
일 실시예에 따르면, 광학 요소는 미러이다.
일 실시예에 따르면, 광학 요소는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.
본 발명은 더욱이 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소에 관한 것으로서, 광학 요소는 광학 유효면을 갖고,
- 기판과,
- 기판 상에 배치된 층 시스템으로서, 층 시스템은 광학 유효면의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층을 갖고, 광학 요소에 온도장을 인가함으로써, 광학 요소가 지정된 동작 온도를 초과하여 가열됨에 따라 열변형 가능층의 변형이 유도 가능한, 층 시스템을 갖고,
- 열변형 가능층은 이 변형이 지정된 동작 온도로의 광학 요소의 반복 냉각 후에 적어도 부분적으로 유지되도록 구성된다.
요소의 다른 바람직한 구성 또는 장점에 관하여, 본 발명에 따른 방법과 관련하는 상기 진술을 참조한다.
다른 양태에 따르면, 본 발명은 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소에 관한 것으로서, 광학 요소는 광학 유효면을 갖고,
- 기판과,
- 기판 상에 배치되고 반사층 시스템을 갖는 층 시스템을 갖고,
- 층 시스템은 형상 기억 합금을 더 갖는다.
이 양태에 따르면, 본 발명은 예를 들어 광학 요소의 기판 상에 형성된 층 시스템(반사층 시스템을 포함함)에 형상 기억 합금을 부가함으로써 광학 요소의 동작 중에 발생하는 표면 변형(예를 들어 열유도될 수 있거나 또는 예를 들어 장착부에 관련된 기계적 응력의 결과로서 다른 방식으로 유도될 수 있음)을 보상하는 개념을 포함한다. 이 형상 기억 합금의 존재는 형상 기억 합금 내로 열을 도입함으로써 부분적으로 또는 완전히 상기 바람직하지 않은 표면 변형을 반전시키는 것을 가능하게 한다.
이는 형상 기억 합금이 말하자면 그 조기의 주어진 형상(즉, 바람직하지 않은 표면 변형 전의)을 "기억"하여, 그 결과 이상적인 경우에, 본 발명에 따른 형상 기억 합금 내로 상기 열 도입을 경유하여, 표면 변형의 발생에 대한 반작용으로서 능동적으로 유도되는 임의의 잔류 에러를 제외하고는, 형상 기억 합금의 또는 층 시스템 및 따라서 광학 유효면의 원래 형상이, 완전히 복원될 수 있다는 사실을 이용한다.
일 실시예에 따르면, 형상 기억 합금은 티타늄 니켈 합금, 티타늄 니켈 구리 합금 또는 티타늄 니켈 팔라듐 합금을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 형상 기억 합금은 층 시스템 내에 단지 구역 단위 방식으로 형성되는 구조화된 층의 형태로 구성된다.
본 발명은 더욱이 전술된 특징을 갖는 광학 요소를 갖는, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스 또는 투영 렌즈와 같은 광학 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에서, 광학 시스템의 동작 중에 발생하는 광학 요소의 광학 유효면의 변형은 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입에 의해 적어도 부분적으로 보상되는 것이 가능하다.
본 발명의 실시예에서, 광학 시스템 내의 다른 위치에 존재하는 파면 교란은 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입에 의해 적어도 부분적으로 보상되는 것이 가능하다. 본 발명에 따른 형상 기억 합금을 갖는 광학 요소는 따라서 또한 특정 변형의 타겟화된 설정을 경유하여 광학 시스템 내의 다른 위치에 존재하는 파면 교란을 능동적으로 보상하거나 또는 시스템의 총 보정에 기여하기 위해 보정 요소로서 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 광학 요소의 광학 유효면의 변형은 광학 유효면에 관하여 적어도 1 mm2의 측방향 평면에서의 정도를 갖는다(이 개념에서 이는 비교적 장파 변형임).
일 실시예에 따르면, 광학 요소의 광학 유효면의 변형은 광학 유효면에 관하여 수직인 방향에서, (0.01 내지 30) ㎛의 범위의 값 또는 정도를 갖는다.
본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다.
본 발명은 첨부 도면에 도시되어 있는 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.
도면에서:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 요소의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 기초를 이루는 원리를 명료하게 하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 방법 중에 설정되는 광학 요소의 광학 유효면의 예시적인 기하학적 형상의 개략도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 요소의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 5는 도 4의 실시예의 기초를 이루는 원리를 명료하게 하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 6은 EUV 범위에서 동작을 위해 설계된 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 요소의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 2는 본 발명의 기초를 이루는 원리를 명료하게 하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 3은 본 발명에 따른 방법 중에 설정되는 광학 요소의 광학 유효면의 예시적인 기하학적 형상의 개략도를 도시하고 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 요소의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 5는 도 4의 실시예의 기초를 이루는 원리를 명료하게 하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 6은 EUV 범위에서 동작을 위해 설계된 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
더욱이, 먼저 도 1을 참조하면, 미러의 형태의 광학 요소의 일 가능한 구성이 본 발명의 제1 실시예에 의해 설명된다.
도 1의 개략도에 따르면, "101"로 지정되어 있는 광학 유효면을 갖는 EUV 미러의 형태의 광학 요소(100)는 기판(102) 상에, 그 중에서도, 단지 예로서 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si) 층의 연속부로부터 공지의 방식으로 제조될 수 있는 반사층 시스템(106)을 갖는 층 시스템(103)을 갖는다. "105"는 그 중에서도, EUV 광자의 침입에 대항하여 기판(102)을 보호하기 위한 역할을 하는 기판 보호층을 나타내고 있다. 더욱이, 기능층(예를 들어, 접착층, 내응력층 등)이 층 시스템(103) 내에 공지의 방식으로 존재할 수 있다.
층 시스템(103) 내에는, 본 발명에 따르면, 기판(102) 위에 도포된(예를 들어, 마그네트론 스퍼터링에 의해) 열변형 가능층(104)이 합체되어 있고, 여기서 마찬가지로 기판 보호층(105)에 의해 EUV 광자의 침입에 대항하여 보호되어 있다. 층 접착의 이유로, 예를 들어, 다른 접착 촉진층이 열변형 가능층(104)과 기판(102) 사이에 존재할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 열변형 가능층(104)은, 도 2를 참조하여 이하에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 온도에 의존하여, 마르텐사이트상과 오스테나이트상 사이의 상 전이를 갖는 재료로 제조된다.
이 상 전이는 이제, 특히 열변형 가능층(104) 내에서 발생하는 상 전이의 이용에 의해, 국부적으로 변화하고 온도장, 및 따라서 그에 대응하는 광학 유효면(101)의 기하학적 형상의 조작에 의존하는 층 두께 변화를 유발하는 국부적으로 변화하는 온도장을 광학 요소(100)에 인가함으로써, 광학 요소(100)의 제조 후에 그리고 또한 광학 요소(100)가 광학 시스템 내에(예를 들어, 도 4를 참조하여 설명된 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 투영 렌즈 내에) 장착되기 전에 소급적으로(코팅 프로세스에 관하여) 광학 유효면(101)의 제조 관련 형상 편차를 보정하기 위해 본 발명에 따라 사용된다.
온도장은 예를 들어 IR 레이저 장치를 경유하여 적외선 방사선을 도입함으로써 인가될 수 있고, 여기서 관련 온도의 설정은 상이한 온도가 원하는 층 두께 변화에 따라 인가될 광학 요소의 개별 구역 내에서 가능한 한 신속하게 실행되는데, 달리 말하면 상이한 온도로부터 발생하는 온도 구배가 즉시 설정되고, 가능하면 특히 각각의 구역 사이에 발생하는 방열이 상당한 온도 평형을 유도할 수 있는 것보다 더 고속으로 구현된다는 것을 보장하는 것이 조언된다.
온도장이 제거된 후에, 광학 요소(100)가 재차 냉각된 후에, 변형 가능층(104)의 층 두께 변화 또는 광학 유효면(101)의 기하학적 형상은 이제, 정확하게는 - 이하에 설명되는 바와 같이 - 변형 가능층(104)이 이에 따라 미리 구성되기 때문에, 본 발명에 따라 유지된다. 이는 의존성 "층 두께 대 온도" 내의 변형 가능층(104)의 특성인 이력 프로파일이, 광학 시스템 내의(예를 들어, 투영 렌즈 내의) 광학 요소(100)의 구체적으로 예측된 동작 온도를 고려하여, 온도장을 인가함으로써 광학 요소(100) 내에서 능동적으로 얻어진 변형이 추가의 동작 중에 유지되도록, 즉 광학 시스템의 어떠한 상 전이도 동작 온도에서 더 이상 발생하지 않도록 설정되거나 조작된다는 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 기초를 이루는 원리를 명료하게 하기 위한 개략도를 도시하고 있다.
도 2의 도면은 본 발명에 따른 광학 요소(100) 내에 존재하는 예시적인 변형 가능층(104)을 위한 의존성 "층 두께 대 온도"에서의 이력 프로파일을 도시하고 있고, 예시적인 변형 가능층은 마르텐사이트상과 오스테나이트상 사이의 온도에 의존하여 발생하는 상 전이를 갖는 호이슬러 합금으로 이루어지고, 여기서 본 발명에 따라 이 층(104) 내에 생성되는 열유도된 층 두께 편차의 원리 및 본 발명에 따라 이전에 실행되었던 변형 가능층(104)의 적합한 구성의 모두가 이하에 설명될 것이다.
여기서 가정되는 것은, 호이슬러 합금이 변형 가능층(104)을 형성하기 위해, 호이슬러 합금이 오스테나이트상(이력 곡선을 따른 위치 "0")에 있는 비교적 높은 온도에서 기판(102) 상에 배치되는 것이다. 이 상태로부터 시작하여, 광학 요소(100) 또는 층(104)은 마르텐사이트상(이력 곡선을 따른 위치 "1")으로의 층(104)의 재료의 완전한 변환까지, 즉 이를 위해 유효한 포화 온도(도 2에 "Mf"로 나타내고 있고 예시적인 값 Mf=-20℃가 가정됨) 미만으로 냉각된다. 변형 가능층(104)을 형성하는 호이슬러 합금은 필요하다면 여기서 능동적으로 냉각된다.
일단 온도(예에서 RT=20℃)로의 가열이 완료되면, 국부적으로 변화하는 온도장이 광학 요소(100)에 즉시 인가되고, 광학 요소(100)는 이후의 동작 온도(예를 들어, 예를 들어 50℃ 이상일 수 있음)를 적어도 구역적으로 초과하여 가열되고, 그 결과 위치에 따라, 상이한 온도 및 따라서 상이한 국부적 팽창 또는 층 두께 변화가 가열 중에 각각 도달되는 이력 곡선 상의 점(예를 들어, 도 2의 점 "3" 또는 "5")에 따라 얻어진다.
이들 점 "3" 및 "5"는 각각의 경우에 이력 곡선의 증가하는 측면(flank) 상에 위치되고, 그 결과 변형 가능층(104)의 국부적 팽창 또는 층 두께 변화 및 따라서 광학 유효면(101)의 기하학적 형상의 조작은 대응 온도 설정을 경유하여 실질적으로 연속적으로 조정될 수 있다. 도 3은 본 발명에 따른 방법 중에 설정되는 광학 요소(100)의 광학 유효면(101)의 기하학적 형상의 단지 예시적인 변형예의 개략도를 도시하고 있다.
예를 들어 재차 실온으로의 냉각 후에(예를 들어, 점 "2", "4" 또는 "6"이 도 2에서 도달됨), 실질적으로 어떠한 국부적인 층 두께 변화도 더 이상 발생하지 않고, 그 결과 유도된 변형은 적어도 부분적으로 유지되거나 "동결"된다.
도 2에 제공된 온도 및 이력 곡선의 구체적인 프로파일은 단지 예일 뿐이고, 요구되면 이에 따라 적응될 수 있다는 것(예를 들어, 광학 시스템의 더 높은 동작 온도에 대해)이 지적되어야 한다.
본 발명에 따라 이용되는 것은, 광학 요소(100)가 위치되어 있는 광학 시스템의 후속의 동작 중에, 다른 상 전이를 위한 각각의 적용 가능한 전이 온도가 더 이상 도달되지 않고, 그 결과 광학 요소(100)로의 온도장의 인가에 의해 얻어지는 활성도 형태가 광학 시스템의 다른 동작 중에 유지된다는 것이다. 이는 광학 요소(100)가 초기에 각각의 전이 온도가 동작 온도로부터 충분한 거리를 갖도록(예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이) 적합한 방식으로 구성되는 사실을 경유하여 성취된다.
광학 요소(100)를 구성하는 것은 초기에 마르텐사이트상(이력 곡선을 따른 위치 "1")으로의 완전한 변환을 위한 적합한 온도 미만으로의 전술된 냉각, 및 부가적으로 또한 예를 들어 호이슬러 합금의 적합한 재료 선택, 혼합 및 후처리를 포함하고, 그 결과 각각의 전이 온도[즉, 도 2에서 오스테나이트상으로의 또는 마르텐사이트상으로의 상 전이를 위해 적용 가능한 사용 또는 포화 온도(As, Af, Ms, Mf)]는 부가적으로 동작 온도에 따라 적합한 방식으로 조작되거나 설정될 수 있다.
구체적으로, 변형 가능층(104)의 재료는 예를 들어 호이슬러 합금으로서 니켈 티타늄(NiTi)을 가질 수 있는데, 여기서 전술된 사용 또는 포화 온도(As, Af, Ms, Mf)의 더 높은 값으로의 시프트는 플래티늄(Pt) 또는 팔라듐(Pd)으로의 니켈(Ni)의 도핑 또는 부분 대체를 경유하여 성취될 수 있다. 다른 실시예에서, 전술된 사용 또는 포화 온도(As, Af, Ms, Mf)의 이러한 조작은 부가적으로 또는 대안적으로(위치 직후의 층의 조절에 대해) 또한 템퍼링 프로세스를 수행하고 그리고/또는 외부 자기장을 인가함으로써 성취될 수 있다.
더욱이, 상 전이를 기술하는 도 2의 이력 곡선의 형태 및 크기가 조작될 수 있다. 단지 예로서, 변형 가능층(104)의 재료는 호이슬러 합금으로서 니켈 티타늄(NiTi)을 가질 수 있는데, 여기서 이력 곡선의 또는 각각의 상 사이의 전이 영역의 확장은 전술된 사용 또는 포화 온도(As, Af, Ms, Mf) 사이의 층 두께 변화의 구체적인 프로파일을 조작하기 위해 하프늄(Hf)으로 니켈(Ni)의 도핑 또는 부분 대체를 경유하여 성취될 수 있다.
다른 실시예에서, 상 전이를 기술하는 이력 곡선의 형태 및 전술된 사용 또는 포화 온도(As, Af, Ms, Mf)의 모두가 예를 들어 니켈 망간 갈륨(NiMnGa)으로 제조된 호이슬러 합금에 외부 자기장을 인가함으로써 조작될 수 있다는 사실을 이용하는 것이 가능하다.
본 발명은 변형의 1회 설정에 한정되는 것은 아니다. 실시예에서 - 예를 들어, 설정 변형이 원하는 것으로부터 궁극적으로 벗어나면 또는 변형의 수정이 다른 이유로 필요하게 되면 - 먼저 오스테나이트상(도 2에 따른 위치 "0")으로의 그리고 이후에 마르텐사이트상(도 2의 위치 "1")(말하자면, "재설정"으로서)으로의 호이슬러 합금의 다른 전이가 온도장을 재차 인가함으로써 이어서 광학 요소(100)의 수정된 층 두께 변화 또는 능동 변형을 얻기 위해 발생하는 것이 또한 가능하다. 더욱이, 원하는 층 두께 변화의 설정 후에, 필요하다면(그리고 또한 전술된 "재설정" 없이), 예를 들어 광학 시스템으로부터 광학 요소(100)의 일시적인 제거 후에, 광학 요소(100)의 수정된 층 두께 변화 또는 변형의 목적으로 수정된 온도장을 인가하는 것이 또한 가능하다.
본 발명은 더욱이 열변형 가능층에 국부적으로 변화하는 온도장의 인가에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 열변형 가능층은 또한 광학 시스템 내의 에러(예를 들어, 전체 시스템의 광학 수차 또는 촬상 에러)가 온도장이 인가될 때 유도되는 변형을 경유하여 적어도 부분적으로 보정되도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전체 광학 시스템의 에러가 미리 공지되어 있으면, 원하는 보정이 이어서 또한 균질한 온도장을 인가함으로써 얻어질 수 있도록, 열변형 가능층 내로의 대응하는 국부적으로 변화하는 도핑을 작업하거나 또는 층 상에 국부적으로 변화하는 후처리를 수행하는 것(예를 들어, 템퍼링 또는 자기장을 인가함으로써)이 가능하다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 요소의 구성 및 기능이 도 4 및 도 5를 참조하여 설명될 것이다.
도 4에 따르면, 본 발명에 따른 광학 요소(400)(예를 들어, 재차 EUV 미러의 형태의)는 이어서 반사층 시스템(406)을 갖는 층 시스템(403)을 기판(402)(예를 들어, ULE®로 제조될 수 있음) 상에 갖는다. 이 반사층 시스템(406)은 예시적인 실시예에서, TiO2 및 SiO2 층의 층 스택의 형태로 구성되지만, 다른 실시예에서 몰리브덴(Mo) 및 실리콘(Si) 층의 층 스택의 형태로, 또는 또한 예를 들어 단일층[예를 들어, 루테늄(Ru)]으로서 구성될 수 있다.
층 시스템(403)은 더욱이, 도 4에 따르면, 형상 기억 합금의 층(404)을 갖는다. 예시적인 실시예에서, 후자의 형상 기억 합금은 티타늄 니켈 구리 합금이고, 각각의 비율은 적합한 방식으로 적응되거나 변경되는 것이 가능하다. 단지 예로서, 조성 Ti54 . 9Ni32 . 5Cu12 .6이 예시적인 실시예에서 선택된다. 다른 실시예에서, 예를 들어 다른 티타늄 니켈 합금이 단지 예시적인 티타늄 니켈 팔라듐 합금으로서 사용되는 것이 가능하다. 적절하면, 다른 요소가 또한 형상 기억 합금 내에 포함될 수 있다. 층(404)의 층 두께는 단지 예로서 (0.1 내지 80) ㎛의 범위일 수 있고, 이 층 두께는 바람직하게는 최대 ±1%로 일정하다.
층 시스템(403)은 반사층 시스템(406) 및 형상 기억 합금을 갖는 층(404)에 추가하여, 적절하면 다른(기능) 층을 또한 가질 수 있다. 이 경우에, 형상 기억 합금을 갖는 층(404)은 층 시스템(403) 내의 다른 위치에 또한 배열될 수 있다. 더욱이, 층(404)은 전체 영역을 커버하도록 구성될 수 있고 또는 영역 단위 또는 구역 단위 방식으로 구성될 수 있다. 후자의 구역 단위 구성은 예를 들어 층(404)을 도포할 때 마스크를 사용하여 성취될 수 있다. 층(404)을 겹치게하기(plying) 위한 적합한 방법은 특히 마그네트론 스퍼터링이다. 필요하다면, 접착 촉진층[예를 들어, 실리콘 니트라이드(Si3N4)]이 층 사이에[예를 들어, 층(404)과 반사층 시스템(406) 사이에] 존재할 수 있다.
도 4의 광학 시스템(400) 내의 형상 기억 합금의 기능은 도 5의 개략도를 참조하여 이하에 더 상세히 설명될 것이다. 도 5의 도면에서, "510"은 단지 매우 개략적으로 그리고 예로서, 저온상(트윈 구조의 마르텐사이트)의 상태에서 형상 기억 합금의 격자 구조를 나타내고 있다. 광학 시스템의 동작 중에 발생하는 변형은 "520"에 의해 나타낸 격자 구조["디트윈드마르텐사이트(detwinnedmartensite) 구조"]를 야기한다. 관련 변형은 이제 형상 기억 합금 내로의 에너지의 도입 및 연계된 온도 증가를 경유하여 고온상(오스테나이트 구조)으로의 전이를 실시함으로써 본 발명에 따라 보상되거나 반전될 수 있다. 이와 같이 얻어진 고온상(오스테나이트 구조) 내의 대응 격자 구조는 도 5에 "530"으로 나타내고 있고, 개략적으로 지시되어 있는 바와 같이, 원래 형상으로의 반전과 연계되고, 이 형상은 또한 냉각, 즉 격자 구조(510)(마르텐사이트)로의 전이 후에 유지된다.
형상 기억 합금 내로의 에너지의 도입은 따라서 바람직하지 않은 변형(예를 들어, 광학 요소의 또는 이 요소를 갖는 광학 시스템의 동작 중에 열적으로 유도될 수도 있거나 또는 예를 들어 존재하는 임의의 장착부의 결과로서 기계적 응력에 의해 유발될 수도 있음)을 반전하도록 본 발명에 따라 사용될 수도 있다.
형상 기억 합금 또는 층(404) 내로의 에너지의 전술된 도입은 예를 들어, 전류를 인가함으로써(도 4에는 도시되어 있지 않은 전극을 거쳐), 그리고 다른 실시예에서는 열원을 거친 열에너지의 직접 도입을 경유하여 또는 레이저 조사를 경유하여 성취될 수 있다.
실제로, 예를 들어 도 4의 광학 요소(400)의 파면 효과는 광학 시스템의 동작 중에 발생할 수도 있는 광학 요소(400)의 임의의 표면 변형을 결정하도록 분석될 수 있다. 층(404)을 포함하는 층 시스템(403)의 이러한 표면 변형의 발생에 의존하여, 이어서 층(404)의 전술된 "활성화"가 에너지의 대응 도입에 의해 실행되는 것이 가능하여, 전체적으로 그 원래 형상으로 복귀하는 층(404)은 표면 변형을 반전하게 되고, 광학 요소(400)의 표면 형상 및 그 파면 효과는 임의의 잔류 에러를 제외하고는, 재차 바람직하지 않은 표면 변형 전의 이상적인 상태에 대응하게 된다. 실시예에서, 상이하게 형성된 파면 화상(제르니케 다항식 피팅 평가에 기초하여)이 또한 설정될 수 있는데, 여기서 광학 시스템 내의 다른 위치에 존재하는 파면 교란은 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입에 의해 적어도 부분적으로 보상될 수 있다. 본 발명에 따른 형상 기억 합금을 갖는 광학 요소는 따라서 또한 타겟화된 변형의 설정을 경유하여 광학 시스템 내의 다른 위치에 존재하는 파면 교란을 능동적으로 보상하기 위해 보정 요소로서 사용될 수 있다.
실시예에서, 층(404)은 가능하게는 하나 이상의 바람직한 방향을 갖는 특정 변형에 대한 타겟화된 영향이 성취될 수 있도록 시작부터 구성될 수 있다. 미리 전술되어 있는 층(404)의 단지 영역 또는 구역 단위 도포가 이 목적으로 사용되는데, 이 경우에 층(404)은 예를 들어, 변형의 특정 바람직한 방향을 고려하기 위해, 예를 들어 이러한 방향에서 더 높은 굽힘 모멘트를 성취하고 다른 영역에서 가능한 한 작은 기계적 응력을 도입하기 위해 시작부터 적합하게 구조화된다(예를 들어, 스퍼터링법에서 마스크를 사용함으로써).
도 6은 EUV 내의 동작을 위해 설계되고 본 발명에 따른 광학 요소를 포함할 수 있는 예시적인 투영 노광 장치의 개략도를 도시하고 있다. 이 맥락에서, 반사 광학 요소는 특히 조명 디바이스 내에 또는 투영 노광 장치의 투영 렌즈 내에 존재하는 EUV 미러 중 하나일 수 있다.
도 6에 따르면, EUV를 위해 설계된 투영 노광 장치(600) 내의 조명 디바이스는 필드 파셋 미러(603) 및 동공 파셋 미러(604)를 포함한다. 플라즈마 광원(601) 및 집광기 미러(602)를 포함하는 광원 유닛으로부터의 광은 필드 파셋 미러(603) 상에 지향된다. 제1 신축식 미러(605) 및 제2 신축식 미러(606)가 동공 파셋 미러(604)의 하류측에서 광로 내에 배열된다. 편향 미러(607)가 광로 내에서 하류측에 배열되는데, 상기 편향 미러는 그 위에 입사된 복사선을 6개의 미러(651 내지 656)를 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면 내의 대물 필드 상에 지향한다. 대물 필드의 위치에서, 반사 구조체 지지 마스크(621)가 마스크 스테이지(620) 상에 배열되는데, 이 마스크는 투영 렌즈의 보조로 화상 평면 내에 투영되고, 이 화상 평면에는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(661)이 웨이퍼 스테이지(660) 상에 위치되어 있다.
본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환에 의해 통상의 기술자에게 명백하다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 또한 본 발명에 의해 부수적으로 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위 및 이들의 등가물의 의미 내에서만 제한된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.
Claims (30)
- 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소의 제조 방법이며,
a) 기판(102)을 제공하는 단계와,
b) 상기 기판(102) 상에 층 시스템(103)을 도포하는 단계로서, 광학 요소(100)의 광학 유효면(101)이 형성되고 상기 층 시스템(103)은 상기 광학 유효면(101)의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층(104)을 갖는, 층 시스템 도포 단계와,
c) 상기 광학 시스템의 지정된 동작 온도를 초과하여 상기 열변형 가능층(104)을 적어도 영역적으로 가열하면서 상기 광학 요소(100)에 온도장을 인가하는 단계를 포함하고,
상기 온도장이 상기 광학 요소(100)에 인가되기 전에, 상기 열변형 가능층(104)은 상기 단계 c)에서 유도된 변형이 상기 광학 요소(100)가 상기 지정된 동작 온도로 냉각된 후에 적어도 부분적으로 유지되도록 구성되는 광학 요소의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)은 상 전이를 갖고, 상기 상 전이는 상기 광학 요소에 온도장을 인가함으로써 성취되는 임의의 능동 변형이 층 두께 변화를 위해 요구되는 관련 온도가 더 이상 만연하지 않더라도 유지되도록 상기 열변형 가능층(104)의 층 두께의 온도 의존성 내의 이력 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방법은 상기 온도장이 인가되기 전에, 상기 광학 유효면(101)이 지정된 동작 온도에서 지정된 사양을 갖는 기하학적 형상 편차를 확인하는 단계를 포함하고, 상기 형상 편차의 확인 후의 온도장은 이에 의해 유도된 상기 열변형 가능층(104)의 변형이 확인된 형상 편차의 적어도 부분적인 보상을 실행하는 성질을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 요소(100)에 온도장을 인가하는 단계는 상기 광학 요소가 제조 관련 형상 편차의 1회 보정을 위해 상기 광학 시스템 내에 장착되기 전에 수행되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 c)에서 인가된 온도장은 국부적으로 변화하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 c)에서 인가된 온도장은 균질한 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 열변형 가능층(104)은 상기 광학 시스템 내에 존재하는 에러가 온도장이 인가될 때 유도되는 변형에 의해 적어도 부분적으로 보정되도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)은 온도에 의존하여, 마르텐사이트상과 오스테나이트상 사이의 상 전이를 갖는 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)을 구성하는 단계는 오스테나이트상으로부터 마르텐사이트상으로의 전이를 위한 포화 온도 미만으로 상기 열변형 가능층(104)을 능동 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)은 호이슬러 합금으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 호이슬러 합금은 니켈 망간 갈륨 및 니켈 티타늄을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)을 구성하는 단계는 특히, 도핑을 경유하여, 상기 열변형 가능층(104)의 재료 조성의 타겟화된 변화를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)을 구성하는 단계는 외부 자기장을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)을 구성하는 단계는 템퍼링 프로세스를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)은 상기 단계 b)에서 상기 기판(102) 상에 즉시 도포되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 요소(100)는 미러인 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 요소(100)는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소의 제조 방법.
- 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소이며, 상기 광학 요소(100)는 광학 유효면(101)을 갖고,
· 기판(102)과,
· 상기 기판(102) 상에 배치된 층 시스템(103)으로서, 상기 층 시스템(103)은 광학 유효면(101)의 기하학적 형상을 조작하기 위해 열변형 가능한 층(104)을 갖고, 상기 광학 요소(100)에 온도장을 인가함으로써, 상기 광학 요소가 지정된 동작 온도를 초과하여 가열됨에 따라 상기 열변형 가능층(104)의 변형이 유도 가능한, 층 시스템(103)을 갖고,
· 상기 열변형 가능층(104)은 이 변형이 지정된 동작 온도로의 상기 광학 요소(100)의 냉각 후에 적어도 부분적으로 유지되도록 구성되는 광학 요소. - 제18항에 있어서, 상기 열변형 가능층(104)은 상 전이를 갖고, 상기 상 전이는 ,상기 광학 요소에 온도장을 인가함으로써 성취되는 임의의 능동 변형이 층 두께 변화를 위해 요구되는 관련 온도가 더 이상 만연하지 않더라도 유지되도록, 상기 열변형 가능층(104)의 층 두께의 온도 의존성 내의 이력 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 요소.
- 제18항 또는 제19항에 있어서, 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 방법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 광학 요소.
- 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스 또는 투영 렌즈와 같은 광학 시스템에 있어서, 제18항 내지 제20항 중 어느 한 항에 따른 광학 시스템(100)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 시스템.
- 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치용 광학 요소이며, 상기 광학 요소(400)는 광학 유효면(401)을 갖고,
· 기판(402)과,
· 상기 기판(402) 상에 배치되고 반사층 시스템(406)을 갖는 층 시스템(403)을 갖고,
· 상기 층 시스템(403)은 형상 기억 합금을 더 갖는, 광학 요소. - 제22항에 있어서, 상기 형상 기억 합금은 티타늄 니켈 합금, 티타늄 니켈 구리 합금 또는 티타늄 니켈 팔라듐 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 요소.
- 제22항 또는 제23항에 있어서, 상기 형상 기억 합금은 상기 층 시스템(403) 내에 단지 구역 단위 방식으로 구성되는 구조화된 층의 형태인 것을 특징으로 하는, 광학 요소.
- 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 디바이스 또는 투영 렌즈와 같은 광학 시스템에 있어서, 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 광학 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제25항에 있어서, 상기 광학 시스템의 동작 중에 발생하는 광학 요소(400)의 광학 유효면(401)의 변형은 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입에 의해 적어도 부분적으로 보상되는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제25항 또는 제26항에 있어서, 상기 광학 시스템 내의 다른 위치에 존재하는 파면 교란은 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입에 의해 적어도 부분적으로 보상되는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 형상 기억 합금 내로의 열에너지의 능동 도입은 상기 형상 기억 합금에 전류를 인가함으로써, 열원을 거친 가열에 의해 또는 전자기 방사선으로 상기 형상 기억 합금을 조사함으로써 실행되는 것이 가능한 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제26항 내지 제28항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 요소(400)의 광학 유효면(401)의 변형은 상기 광학 유효면에 관하여, 적어도 1 mm2의 측방향 평면에서의 정도를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
- 제26항 내지 제29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광학 요소(400)의 광학 유효면(401)의 변형은 (0.01 내지 30) ㎛의 범위의 상기 광학 유효면에 관하여 수직인 방향에서의 정도를 갖는 것을 특징으로 하는, 광학 시스템.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |