TW201602631A - 反射鏡配置、投影透鏡及ｅｕｖ微影裝置 - Google Patents

反射鏡配置、投影透鏡及ｅｕｖ微影裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201602631A
TW201602631A TW104111156A TW104111156A TW201602631A TW 201602631 A TW201602631 A TW 201602631A TW 104111156 A TW104111156 A TW 104111156A TW 104111156 A TW104111156 A TW 104111156A TW 201602631 A TW201602631 A TW 201602631A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
projection lens
substrate
temperature
zero crossing
Prior art date
Application number
TW104111156A
Other languages
English (en)
Inventor
鮑瑞斯 畢特納
諾伯特 瓦伯拉
桑傑 斯坎尼得爾
瑞卡達 斯坎尼得爾
荷爵 斯坎明
Original Assignee
卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 filed Critical 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Publication of TW201602631A publication Critical patent/TW201602631A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
    • G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0025—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration
    • G02B27/0037—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements
    • G02B27/0043—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 for optical correction, e.g. distorsion, aberration with diffracting elements in projection exposure systems, e.g. microlithographic systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G02B7/1815—Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067—Construction details

Abstract

本發明揭示一種反射鏡配置(1)，包含：一反射鏡(2)，其具有一基板(3)以及用於EUV輻射(9)的一反射塗層(4)，其中該基板(3)由具有一溫度相依熱膨脹係數的一材料所形成，其在一第一體積區域(V1)內一第一零穿越溫度(TZC1)上具有一零穿越，以及在至少一第二表面接近體積區域(V2)內與該第一零穿越溫度不同的一第二零穿越溫度(TZC2)上具有一第二零穿越，以及至少一熱致動器(6)，用於熱致動該基板(3)的該第二體積區域(V2)。

Description

反射鏡配置、投射透鏡及EUV微影裝置
本發明係關於具有含一基板和一EUV輻射反射塗層的一反射鏡之一反射鏡配置、用於EUV微影以及一EUV微影裝置的一投影透鏡，以及用於操作像是一EUV微影裝置的一方法。
在習知的微影投影透鏡內使用波前操縱器來修正像差，這種操縱器通常利用機械操縱來產生該波前修正，例如利用改變位置及/或利用產生元件變形當成一操縱器。不過，機械操縱器通常只能修正低階波前誤差，而機械操縱器一般並不足以彌補由於該等光學元件上高熱負載所導致的較高階波前誤差。因此，使用熱致動器修正較高階波前誤差，以便利用目標熱影響改變光學元件的光學特性。
藉由案例，WO 2009/026970 A1揭示用於影響一光學修正裝置內溫度分佈的熱致動器之製備，其利用分別在熱傳輸適用性方面或熱傳導方面不同的至少兩子元件來產生。該光學修正裝置可為一光學元件，例如一透鏡元件或一反射鏡。該等熱致動器可為歐姆加熱元件，以方格配置 方式排列，以便用針對性方式將局部熱量供應給該修正裝置。
針對用於該VUV波長範圍的一投影曝光裝置內一投影系統之成像特性，US 8,111,378 B2揭示藉由一空間波導機構在屬於至少一光學元件一部分的一波長範圍內應用輻射，其中該範圍與該投影曝光裝置的一曝光光束之波長範圍不同。
在用於該EUV波長範圍，即是用於大約5nm與大約35nm之間範圍內波長的微影裝置內，在滿足該反射鏡表面，尤其是該投影透鏡所使用的，對於幾何公差與穩定度的極高要求之下，通常只使用反射光學元件(反射鏡)，其具有在所使用操作溫度範圍內具有非常小膨脹係數(coefficient of thermal expansion，簡稱CTE)的一基板。這種基板材料通常具有兩種構成物，根據溫度具有相對的熱膨脹係數，如此在該EUV微影裝置操作期間，在該等反射鏡的溫度之下，熱膨脹係數幾乎彼此完全互補。
該溫度之下這些材料的熱膨脹係數(長度變化)在相對溫度範圍內大約是拋物線，即是在特定溫度上具有該熱膨脹的極值。根據此範圍內的溫度，有關零膨脹材料的熱膨脹溫度之偏移(即是熱膨脹係數)大體上為線性，並且在該熱膨脹具有極值之溫度上改變符號，這就是為何此溫度稱之為零穿越溫度(zero crossing temperature，簡稱ZCT)的原因。
WO 2013/110518揭示以降低或最小化波前誤差的方式，將一光學配置的反射鏡元件之該操作溫度(或平均溫度)以及該零穿越溫度彼此匹配之實施。在該反射鏡元件光學表面上的空間相依溫度分佈發生於該光學配置操作期間並且與局部照射相關之情況下，該光學元件包含一基板，在該平均溫度小於該光學元件上最小溫度與最大溫度平均值之情況 下，其零穿越溫度大於該反射鏡元件光學表面上的平均溫度。
為了在一EUV反射鏡表面上產生盡可能均勻的溫度分佈，WO 2012/013747 A1揭示借助於一溫度控制裝置，控制該基板內在二或三個空間方向上的該空間相依溫度分佈之實現。該溫度控制裝置可具有歐姆加熱元件、Peltier元件等等，這些都以方格方式排列。另外可準備至少一個輻射源，利用熱輻射(IR輻射)作用在該基板上，以便在其上施加熱影響。
若要使用EUV微影反射鏡當成一熱操縱器，該反射鏡，尤其是在該光學表面上，應該對於溫度變化具有高敏感度。不過，在操作期間有額外EUV輻射照射在EUV微影的反射鏡上，這會將高溫負載導入該反射鏡，並且若該反射鏡對溫度變化的敏感度非常大的話，可能導致該波前內強烈的寄生誤差。
本發明的目的在於提供一種反射鏡配置、具有該反射鏡配置的一投影透鏡和一EUV微影裝置，以及操作一EUV微影裝置的方法，其中改良用來當成熱操縱器修正波前誤差的一反射鏡之光學特性。
根據第一態樣，此目的利用一反射鏡配置來達成，包含：一反射鏡，其具有一基板並且具有一EUV輻射的反射塗層，其中該基板由具有一溫度相依熱膨脹係數的一材料所形成，其在一第一體積區域內一第一零穿越溫度上具有一零穿越，以及在至少一第二表面接近體積區域內與該第一零穿越溫度不同的一第二零穿越溫度上具有一零穿越。該反射鏡配置也包含至少一熱致動器，用於熱致動該基板的該第二體積區域。
根據第二態樣，該目的利用一反射鏡配置來達成，包含：一 反射鏡，其具有一基板並且具有一EUV輻射的反射塗層，其中由熱膨脹係數超過10×10-6/K，較佳超過50×10-6/K的材料所製成之至少一可熱致動層應用於該基板與該反射塗層之間，以及另外至少一熱致動器，用於該可熱致動層的該熱致動。
根據該第二態樣的該反射鏡配置之發展，該基板由具有一溫度相依熱膨脹係數的一材料所形成，其在一第一體積區域內一第一零穿越溫度上具有一零穿越，以及在至少一第二表面接近體積區域內與該第一零穿越溫度不同的一第二零穿越溫度上具有一零穿越。另提供至少一熱致動器，用於熱致動該基板的該第二體積區域。
該反射鏡的該基板可具有一或多個近表面體積區域，相對於佔據該基板體積大部分，即超過大約95%，的第一體積區域情況，其具有較高的溫度變化敏感度。另外或此外，該反射鏡配置的該反射鏡具有一可熱致動層，即是具有較高熱膨脹係數，因此對於溫度變化或對於目標熱影響具有高敏感度。該(等)第二體積區域與該可熱致動層相對較薄或只有小體積，如此當有熱影響時，變形或長度變化相較於該基板的總體積或總厚度相對較小。因此，該反射鏡上藉由該可熱致動第二體積區域或藉由該可熱致動層只能產生相對較小變形，但是這些改變足以修正波前誤差。
在該反射鏡配置的一個具體實施例內，該第二零穿越溫度與該第一零穿越溫度相差超過2K、較佳超過5K、特別超過10K。該第一零穿越溫度通常大體上對應至一光學配置中，尤其是一EUV微影裝置內，該反射鏡操作期間該基板內的該預期(平均)操作溫度，其中預期(平均)操作溫度為在該反射鏡光學表面上來自EUV輻射的該熱負載所引起。在該反射鏡 的該操作溫度受到該零穿越溫度些微影響的情況下，只有些微熱致變形，如此該第一體積區域對於溫度變化的敏感度並不高。
該第二體積區域的該零穿越溫度與該第一體積區域內該零穿越溫度相差至少2K。若該第二體積區域內該溫度對應至該操作溫度，則該第二體積區域的該熱膨脹並不激烈，即是該反射鏡的該操作溫度上之熱膨脹係數在該第二體積區域內大於該第一體積區域。因此，針對目標熱影響，該第二體積區域具有比該第一體積區域還要高的敏感度，其中在該第二體積區域內產生一溫度偏離該操作溫度，因此適用於該反射鏡光學表面的目標熱操縱或變形。
在根據第二態樣的該反射鏡配置之進一步具體實施例內，該可熱致動層的材料選自於包含下列的群組：ZrMo2O8、ZrW2O8、Zr2(MoO4)3、Zr2(WO4)3、Y2W3O12、BiNiO3、Rh、Cu、Mo、Zr、Nb、Y、Si、Ge、Ni、NiSi、Ru、RuO2以及包含這些物質的混合物或化合物。本文提及的材料首先具有高熱膨脹係數，第二在研磨後具有低表面粗糙度，這樣簡化了該反射塗層的應用。
在進一步具體實施例內，在該基板面相該反射塗層的表面上或該基板的橫向表面上，形成該近表面可熱致動體積區域。在該反射塗層凹陷處內提供用於熱致動的該體積區域具有優點，因為藉由該熱致動器產生的該熱分佈或該熱致動器產生的該溫度分佈在該光學表面上具有直接效果，要操縱其表面外型。相較之下，若該近表面體積區域應用在該基板上與該反射塗層相對的表面，則藉由熱致動器導入的該熱或溫度分佈必須傳播通過該基板，其中該熱分佈會因為熱傳導而流失，即是藉由此位置上一 致動器所產生的該熱分佈解析度會較低。
橫向提供該基板上的該第二體積區域，可用目標訂定方式熱影響該光學表面或該基板的邊緣側部分。在此，該第二體積區域尤其是沿著該橫向表面，往該基板厚度方向並且限制在例如10°或更小的相對小角度範圍內之周邊方向，以長條形狀延伸。尤其是，複數個近表面體積區域可沿著該基板的該橫向表面排列，通常大體上以(圓形)圓柱形方式延伸。該等第二體積區域以用目標訂定方式能夠修正特定波前誤差之方法，沿著該基板的周邊排列。藉由範例，利用在該橫向表面上直徑相對點上提供第二體積區域，如此可用目標訂定方式產生該反射鏡光學表面的散光變形。吾人了解，利用合適的其他外型配置，就可達成更複雜的該光學表面變形，因此更複雜的光學效果。
在一個具體實施例內，該近表面體積區域從該基板表面最深延伸至5μm。該近表面體積區域應具有足夠厚度，在該光學表面上產生該波前修正所需的該所要熱導致變形。不過，將該可熱致動第二體積區域延伸過於深入該基板體積時會有缺點。該可熱致動層也具有足夠厚度，來產生所要的光學表面變形。根據所利用的材料，該可熱致動層的厚度可例如超過50nm。結果，該可熱致動層具有小於大約0.5μm的一層厚度。
在進一步具體實施例中，該熱致動器具體化成為一加熱裝置。該加熱裝置可具體實施成不用一加熱元件與該反射鏡接觸，就可產生熱流進入該反射鏡；不過，也可讓該加熱裝置利用接觸熱來產生熱流。吾人了解，也可使用冷卻裝置取代加熱裝置當成熱致動器，該冷卻裝置具有例如Peltier元件形式的冷卻元件。另外也可有具備加熱與冷卻裝置組合的 熱致動器。
在發展當中，該加熱裝置具有複數個歐姆加熱元件，當電流通過時將電能轉換成熱能。該等歐姆加熱元件較佳排列成方格狀或排列在方格內。該等歐姆加熱元件可特別為(薄)加熱線，其沿著一方格的行與欄延伸，並且可獨立供給電流，如此利用該方格排列就可產生具有理想狀態下對應至加熱線之間距離的解析度之熱分佈。方格上該等加熱線之間的該等距離可維持恆等；不過，也可改變該等加熱線之間的該等距離，以便朝向目標在該光學表面的特定表面區域內產生比其他地方還要高的解析度。
在優勢發展當中，該等歐姆加熱元件排列在該基板面對該反射塗層的表面上。該等歐姆加熱元件可直接應用於該基板的上側，例如圓圈的形式，如先前技術引用的WO 2012/013747 A1所揭示。該等歐姆加熱元件可用一絕緣層覆蓋，即是不導電層，可特別具體實施為該可熱致動層。另外或除了該層的熱致動之外，該等歐姆加熱元件也可用來加熱該基板的臨接近表面體積區域。
在進一步發展當中，該加熱裝置具有用於產生熱輻射的至少一個輻射源。該輻射源可具體實施來產生紅外線輻射，例如以IR雷射或IR雷射二極體的形式。該輻射源通常以該加熱輻射以朝向目標方式照射該基板表面區域的方式，該區域具有該可熱致動第二體積區域，或照射該可熱致動層的方式，來定位或對齊。另外可提供一輻射導引裝置，將該熱輻射導引至所要的位置並在該反射鏡上對齊。該輻射導引裝置可具體實施為例如光纖、波導等等形式。
本發明的進一步態樣為關於用於EUV微影的一投影透鏡， 包含：複數個反射鏡，其中該等複數個反射鏡之一者為上述反射鏡排列的一可熱致動反射鏡。一般而言，該投影透鏡的該等反射鏡當中僅僅只有一個可熱致動；不過選擇性，該投影透鏡內也可安排複數個可熱致動反射鏡，如底下進一步說明。該投影透鏡中一個反射鏡當成該可熱致動反射鏡的適用性特別取決於該反射鏡在該投影透鏡光束路徑內之位置，即是並不是該投影透鏡的所有反射鏡都適合在相同範圍內當成可熱致動反射鏡。因此，可熱致動反射鏡或反射鏡排列的最大數量通常為該投影透鏡內反射鏡總數的一半。
在一個具體實施例內，該可熱致動反射鏡排列在該投影透鏡光束路徑內，EUV輻射對該反射鏡施加的熱負載至少超過EUV輻射對該投影透鏡光束路徑內該第一反射鏡所施加的熱負載50%之位置上。一般而言，一EUV反射鏡只反射最多大約入射EUV輻射的70%，剩餘部分由該反射鏡吸收。該EUV輻射的功率以及入射在進一步EUV反射鏡(排在該光束路徑的下游)的該熱負載會下降一對應部分。
為了在該可熱致動反射鏡的情況下首先，實現盡可能對於溫度改變高的敏感度，並且第二，避免該波前內由於用EUV輻射照射情況下過高熱敏感度所引起的非所要寄生誤差，該可熱致動反射鏡應該只能吸收盡可能少的熱負載，即是其應該放置在該EUV輻射光束路徑內，該入射EUV輻射功率相對小的位置上。
在一個具體實施例內，該可熱致動反射鏡排列在該投影透鏡光束路徑內，EUV輻射對該反射鏡施加的熱負載小於EUV輻射對該投影透鏡(所有)反射鏡所施加的熱負載中間值之位置上。如上所例示，這種位置通 常位於該投影透鏡的後半部，即是該EUV輻射光束路徑內一個別反射鏡的熱負載小於該投影透鏡所有反射鏡的熱負載中間值之區域內。
在該投影透鏡內根據其上熱負載強度排列的奇數n反射鏡之情況下，中間值為施加於該投影透鏡的該第(n+1)/2個反射鏡之熱負載。在該投影透鏡內根據所入射熱負載強度排列的偶數n反射鏡之情況下，中間值為施加於該第n/2個和第(n+1)/2個反射鏡的熱負載之平均值。
較佳是，該可熱致動反射鏡為該投影透鏡光束路徑內最後或倒數第二個反射鏡。如上進一步說明，該投影透鏡的該倒數第二以及特別是最後一個反射鏡上該熱負載最低，因此這些反射鏡特別適合當成可熱致動反射鏡。
在進一步具體實施例內，該可熱致動反射鏡具有一光學使用表面區域，其大於該投影透鏡中反射鏡的(所有)光學使用表面區域之中間值。該光學使用表面區域為排列在該EUV輻射光束路徑之內的該光學表面之區域。一般而言，具有大光學使用表面區域的反射鏡也具有大反射鏡直徑，如此對於該光學使用表面區域大小的測量當量為該反射鏡的直徑或該反射塗層提供的面積(或所含面積)。
EUV輻射的反射塗層只設計用於限制溫度範圍，因此局部溫度變化過大對於熱操縱反射鏡並無好處，即是可導入該反射鏡的最大加熱與冷卻功率受限。在已知加熱與冷卻功率的情況下，熱致動所產生的溫度分佈之最大可能空間解析度受到該子孔徑或該反射鏡大小的限制。因此，若要修正該波前內的小結構，則使用大型反射鏡(具有大型子孔徑或光學使用表面區域)當成可熱致動反射鏡具有好處。
在一個發展當中，該可熱致動反射鏡為該投影透鏡的近光瞳反射鏡。在近光瞳反射鏡的情況下，即是在適用於該投影透鏡光瞳平面周圍內的反射鏡情況下，要修正的小結構位於該波前內，特別是排列在該投影透鏡上游的該照明系統關鍵照明設定之情況下。因此，排在該光瞳附近，含一可熱致動大型反射鏡的反射鏡配置特別有好處。
在本申請書之中，吾人了解，其中主射線高度H對邊緣射線高度R的比例小於0.5，較佳小於0.2的反射鏡為一投影透鏡內一近光瞳反射鏡，將據有罪大物體高度的物場成像於一已知孔徑之下一像場上。該主射線高度H和該邊緣射線高度R由具有最大物體高度的物體點測量得出，精確位於與該投影透鏡光瞳平面平行延伸的一已知平面內。
本發明的進一步態樣係關於一EUV微影裝置，其具有如上面進一步說明具體實施的一投影透鏡。除了該投影透鏡，該EUV微影裝置具有一照明系統，其利用該投影透鏡盡可能均勻照明要在一像場上成像的一物場。該EUV微影裝置也具有一EUV輻射源，用於產生該EUV輻射。
在一個具體實施例內，該EUV微影裝置另外包含一溫度控制裝置，用於開路或閉路控制該反射鏡配置的該熱致動器。該熱致動器可由該溫度控制裝置根據要成像的該光罩或該物體之結構、該照明系統的該照明設定等等來致動，以便修正該投影透鏡內的波前誤差。針對提供一或多個感測器來暫存該EUV微影裝置內該可熱致動反射鏡(尤其是該可熱致動反射鏡的該光學表面上)的溫度或溫度分佈之範圍，也可閉路控制該熱致動器來在該光學表面上產生所要的溫度分佈。藉由該熱致動器在該光學表面上產生的該溫度分佈造成該光學表面變形，而該變形係根據以可修正該 投影透鏡波前誤差方式的該投影透鏡光學特性來選擇。
本發明也關於操作這種EUV微影裝置之方法，其中在該EUV微影裝置操作期間利用該溫度控制裝置，以開路或閉路方式來控制該可熱致動反射鏡。
從本發明示範具體實施例的後續描述當中，根據顯示本發明細節的圖式，以及從申請專利範圍當中，可了解本發明的進一步特色與優點。依照本發明的變化，個別特色可分別自行實現或以任何組合一起實現。
1‧‧‧反射鏡配置
2‧‧‧EUV反射鏡
3‧‧‧基板
3a‧‧‧表面
3b‧‧‧周邊橫向表面
4‧‧‧反射塗層
4a‧‧‧光學表面
5‧‧‧可熱致動層
6‧‧‧熱致動器
6a、6b、6c‧‧‧輻射源
7‧‧‧歐姆加熱元件
8‧‧‧電壓源
9‧‧‧EUV輻射
10‧‧‧絕緣層
101‧‧‧EUV微影裝置
102‧‧‧EUV光源
103‧‧‧聚光反射鏡
104‧‧‧照明光束
105‧‧‧投影光束路徑
110‧‧‧照明系統
112-116‧‧‧反射光學元件
120‧‧‧投影透鏡
121-126‧‧‧反射光學元件
130‧‧‧溫度控制裝置
F‧‧‧光學使用表面區域
H1‧‧‧加熱區
H2‧‧‧第二加熱區
IP‧‧‧影像點
M‧‧‧結構物體
OP‧‧‧物體點
V1‧‧‧第一體積區域
V2‧‧‧第二體積區域
W‧‧‧基板
W1-W6‧‧‧熱負載
WS‧‧‧晶圓台
圖式中描述示範具體實施例，並且於下列說明當中解釋。圖式詳述：圖1顯示一反射鏡配置的圖解說明，包含具有一可熱致動層與一熱致動器的一EUV反射鏡；圖2顯示類似圖1的一反射鏡配置之圖解說明，其中該EUV反射鏡具有內含一可熱致動體積區域的一基板；圖3顯示一反射鏡配置的一圖解說明，其中提供複數個可熱致動體積區域以及用於該熱致動的複數個輻射源；圖4顯示一EUV微影裝置的圖解說明，其中該裝置包含一EUV光源，用來產生EUV輻射以及包含內有一可熱致動反射鏡的一投影透鏡；圖5顯示在圖4中該投影透鏡的六個反射鏡上該熱負載之圖式；圖6a和圖6b顯示藉由一熱致動器，在圖4中該投影透鏡的 最後一個反射鏡光學表面上產生之溫度分佈圖；以及圖7a和圖7b顯示藉由一熱致動器，在圖4中該投影透鏡的倒數第二個反射鏡上產生之溫度分佈圖。
在以下圖式說明中，等效或功能等效組件都使用一致的參考符號。
圖1圖解顯示一反射鏡配置1，其具有一EUV反射鏡2，該反射鏡內含一基板3、一反射塗層4以及夾在基板3與反射塗層4之間的一可熱致動層5。反射鏡配置1也包含一熱致動器6，該致動器包含加熱線形式的複數個歐姆加熱元件7，該等元件以方格配置，即是以行與列的矩形配置，貼附至基板3面對反射塗層4的表面3a上。
歐姆加熱元件7致動至少50%、較佳至少90%，與反射塗層4一起提供的基板3之表面3a。熱致動器6具有一電壓源8，其將一電流供應給歐姆加熱元件7，該電流可針對加熱元件7每一者個別調整，如此在反射塗層4的上側上一光學表面4a上產生一局部改變的溫度分佈，而該塗層將撞擊反射鏡2的EUV輻射9反射。
可熱致動層5由具有熱膨脹係數CTE超過10×10-6/K、較佳超過50×10-6/K的材料所構成。在顯示的情況下，其中加熱線7貼附至基板3，可熱致動層5必須由電絕緣材料構成，以便將反射塗層4與熱致動器6的加熱線7電絕緣。在顯示的範例中，可熱致動層5由ZrMo2O8構成，但是也可由不同材料形成，例如ZrW2O8、Zr2(MoO4)3、Zr2(WO4)3、Y2W3O12、 BiNiO3、Rh、Cu、Mo、Zr、Nb、Y、Si、Ge、Ni、NiSi、Ru、RuO2以及包含這些物質的混合物或化合物。吾人了解，在加熱線7未與可熱致動層5接觸的情況下，可熱致動層5也可由導電材料形成，例如BiNiO3。在此情況下，可熱致動層5可貼附至例如石英製成的一絕緣層，其完全覆蓋並電絕緣加熱線7。在顯示的範例中，該可熱致動層5具有小於大約0.5μm並且最大超過50nm的一層厚度。
如圖1內的示範方法所了解，即使在相對小熱流動的情況下，熱致動器6還是能將因為高熱膨脹係數而會擴張至相對大範圍的可熱致動層5加熱。如圖1內可能了解，可熱致動層5的變形會傳遞至反射塗層4或光學表面4a。
如圖1內所示，反射塗層4具有複數個個別層(未更詳細標示)，通常由兩個具有不同折射係數的材料製成之層配對所構成。若使用波長在13.5nm範圍內的EUV輻射，則該等個別層通常由鉬和矽構成。根據使用的波長，也可有其他材料組合，例如鉬與鈹、釕與鈹或鑭與例如銠、鈀、銀這些材料。除了該等個別層，反射塗層4也可包含中間層避免擴散，以及一包覆層或一包覆層系統避免氧化與腐蝕。在可熱致動層5與反射塗層4之間可提供一或其他更多功能層，例如保護基板3隔開EUV輻射9的層。
圖1內顯示的反射鏡2具有由摻雜鈦的石英玻璃製成之一基板3，其中矽酸鹽玻璃比例超過80%。這種市面上可購得的矽酸鹽玻璃名為ULE®(超低膨脹玻璃)。這種玻璃的該零穿越溫度TZC可藉由該石英玻璃材料的TiO2比例，設定成一特定範圍，並且在所顯示的範例中，以基板3具 有所要零穿越溫度TZC的方式來選擇(通常在整個基板體積內盡可能恆等)。使用俗稱的零穿越材料，即是需要其中該熱膨脹係數在大約15℃與最高100℃之間的相對溫度範圍內具有一零穿越之材料，以便符合反射鏡2上高外型公差要求。
除了使用摻雜石英玻璃以外，尤其是TiO2摻雜石英玻璃，也可使用玻璃陶瓷當成零穿越材料，其中結晶相對玻璃相的比例設定成不同相的熱膨脹係數幾乎彼此抵消。藉由範例，這種玻璃陶瓷以商品名稱Zerodur®和Clearceram®提供。
基板3的體積內之該零穿越溫度TZC通常以對應至一光學配置，例如一投影透鏡，操作期間反射鏡2的該(平均)操作溫度TB之方式來選擇。在操作期間設定於反射鏡2上的該靜止操作溫度TB取決於從EUV輻射9入射反射鏡2的該熱負載、基板3體積內的熱傳輸以及排列在基板3的區域內用於消散該熱負載之散熱片。利用模擬可計算或利用實驗決定反射鏡2的該(平均)操作溫度TB。小幅度，尤其是該操作溫度TB與該零穿越溫度TZC的局部偏差，其上基板3的熱膨脹最小，只會導致基板3小幅度變形，即是反射鏡2對於該操作溫度TB四周的小溫度影響並不敏感。
圖2顯示一反射鏡2具有一基板3，該基板具有一第一體積區域V1形成基板2的該主體，以及體積顯著較小的一第二體積區域V2，該區域與基板3面對反射塗層4的表面3a相鄰。該第二體積區域V2具有一第二零穿越溫度TZC2，其與該第一零穿越溫度TZC1偏差超過2K、選擇性超過5K或超過10K之值，即是該第一與第二零穿越溫度之間的差異為|TZC1-TZC2|>2K或|TZC1-TZC2|>5K，尤其是|TZC1-TZC2|>10K。
隨著該第二零穿越溫度TZC2偏離該第一零穿越溫度TZC1，對於該第二體積區域V2的該操作溫度TB四周溫度變化之敏感度相較於該第一體積區域V1增加。類似於圖1，該第一體積區域V1的該零穿越溫度TZC1大體上對應至反射鏡2或基板3的該(平均)操作溫度TB。
如圖2所描述，借助於該熱致動器6，類似於圖1，可用局部或目標訂定方式將熱流導入該第二體積區域V2，該熱流導致該第二體積區域V2局部膨脹，因此造成反射塗層4和光學表面4a變形。在顯示的範例中，該第二體積區域V2的厚度D或該第二體積區域V2與基板3的表面3a之最大距離不超過0.5μm。
在圖2內顯示的範例中，由石英製成的一絕緣層10貼附至加熱線7，以便將反射塗層4與加熱線7電絕緣。吾人了解，在反射鏡2上可一起實現圖1內顯示的可熱致動層5以及圖2內顯示的可熱致動第二體積區域V2。再者，具體實施成一冷卻裝置或形成加熱與冷卻裝置組合的一熱致動器可用來替代具體實施為一加熱裝置的熱致動器6。藉由範例，加熱線7可用內含冷卻媒介的冷卻通道完全或部分取代。吾人了解，另存在實施一熱致動器6的其他可行性，該其他可能性，例如Peltier元件形式，對於可熱致動層5或該第二體積區域V2有冷卻效果。
圖3內描述反射鏡2的基板3之進一步熱致動選項。圖3內省略該反射塗層，即是該圖全都顯示基板3以及該反射塗層上側上的光學表面4a，該上側具有一光學使用表面區域F，其中EUV輻射9入射在光學表面4a上。沿著一周邊橫向表面3b，基板3具有三個第二體積區域V2a、V2b、V2c，其像是圖2內的該第二體積區域V2，具有一零穿越溫度TZC2 偏離於形成績板3主體的該第一體積區域V1之零穿越溫度，顯示在範例中，該零穿越溫度與所有三個第二體積區域V2a、V2b、V2c的都一致。在此有輻射源6a、6b、6c指派給該等第二體積區域V2a至V2c每一者，該輻射源在該IR波長範圍內產生加熱輻射，並且可具體實施為例如一IR雷射或IR二極體。該等輻射源6a至6c的每一者都對齊該等三個第二體積區域V2a至V2c的每一者，以便將加熱輻射導入後者用於熱致動。該等第二體積區域V2a至V2c橫向貼附至帶狀基板3，並分別往周邊方向延伸超過大約2°至15°的角度範圍。
該等三個第二體積區域V2a至V2c以及周邊表面3b背面上的第四個第二體積區域(影像內未顯示)，在該周邊方向內分別排列成彼此相隔90°的角度。該等第二體積區域V2a至V2c之一或多者可由該等輻射源6a、6b、6c的加熱輻射撞擊，以便在基板3的一邊緣區域內產生變形，因此也在光學表面4a上產生變形。藉由範例，藉由該等輻射源6a、6c，利用將一致的熱負載導入直徑彼此相對的兩個第二體積區域V2a、V2c，如此可用目標訂定方式產生光學表面4a的散光變形。借助於個別可致動輻射源6a至6c，利用該等第二體積區域V2a至V2c的其他外型配置，或利用將具有不同功率的加熱輻射導入該等許多體積區域V2a、V2b、V2c，可達成更複雜的光學表面4a變形，因此更複雜的光學效果。
藉由範例，圖1製圖3內描述的該反射鏡配置可用於一EUV微影裝置101，如圖4內所描述。EUV微影裝置101具有一EUV光源102，用於產生一EUV輻射，其在低於50nm的EUV波長範圍內，尤其是在大約5nm與大約15nm之間，具有高能量密度。藉由範例，EUV光源102 可用電漿光源的形式具體實施，用於產生一雷射感應電漿或可具體實施為一同步加速器輻射源。特別是在第一案例中，可使用聚光反射鏡103，如圖1內所示，將來自EUV光源102的該EUV輻射聚焦，如此形成一照明光束104，如此進一步提高該能量密度。照明光束104藉由在本範例中具有五個反射光學元件112至116(反射鏡)的照明系統110，用來照明一結構物體M。
藉由範例，該結構物體M可為一反射光罩，其具有反射與不反射或至少少量強反射區域，用於在該物體M上產生至少一個結構。另外，該結構物體M可為多個微反射鏡，排列在一維度或多為度配置當中，並且選擇性可繞著至少一軸線移動，以便設定該個別反射鏡上EUV輻射104的入射角度。
該結構物體M反射部分照明光束104並塑造一投影光束路徑105，其攜帶有關該結構物體M結構的資訊並輻射進入一投影透鏡120，然後在一基板W上產生該結構物體M或其個別部分的影像。該基板W為例如一晶圓，包含一半導體材料，例如矽，並且放在固定器上，這也稱為晶圓台WS。
在本範例中，投影透鏡120具有六個反射光學元件121至126(反射鏡)，以便在該晶圓W上產生呈現在該結構物體M上的結構影像。投影透鏡120內的反射鏡數量通常介於四與八之間，但是選擇性也可只使用兩個反射鏡。
為了在將該結構物體M的一個別物體點OP成像在該晶圓W上一個別影像點IP之上時達到高成像品質，反射鏡121至126的表面形狀都應該滿足非常高的要求，並且反射鏡121至126彼此之間或關於該物 體M或該晶圓W的該位置或該校準也需要有奈米範圍的精準度。
尤其是，只有若投影透鏡120的該波前像差足夠小時，才能產生有最大可能解析度的一繞射限制影像。為了達成此目的，反射鏡121至126的結構形式設定必須非常精確，並且反射鏡121至126同樣必須定位非常準確。
在投影透鏡120操作期間，投影光束路徑105的一部分輻射，可能高達70%，會由個別反射鏡121至126吸收。圖5顯示該熱負載W1至W6或入射在個別反射鏡121至126上的EUV輻射9之功率。由該光罩M反射並且入射在第一反射鏡121上的該功率W1為100%。入射在投影光束路徑105內第二反射鏡122上的該功率或熱負載W2大約是70%，在第三反射鏡123上的該熱負載W3大約是50%，在第四反射鏡124上的該熱負載W4大約是35%等等。
若一可熱致動反射鏡只暴露在該EUV輻射的少量熱負載W之下，則具有其優勢。因此，若施加於可熱致動反射鏡的該熱負載W小於施加於第一反射鏡121的該熱負載W1之50%，則有其優勢。如圖5所見，顯示投影透鏡120的最後三個反射鏡124至126之該等熱負載W4至W6。在低熱負載之下，投影透鏡120的第五和第六反射鏡125和126特別適合當成可熱致動反射鏡。
再者，由該EUV輻射施加於投影透鏡120的最後三個反射鏡124至126之該等熱負載W4至W6，小於投影透鏡120的所有反射鏡121至126中該等熱負載W1至W6之中間值。在顯示的範例中，其中投影透鏡120具有偶數反射鏡121至126，該中間值為第三反射鏡123的熱負載W3 與第四反射鏡124的熱負載W4之平均值，即是該中間值落在大約½(50%+35%)=42.5%。
在圖4內描述的投影透鏡120中，第六反射鏡126具體實施為一可熱致動反射鏡2，屬於可如上面結合圖1至圖3進一步描述來具體實施的反射鏡配置1之一部分。反射鏡配置1的熱致動器6以信號連接至EUV微影裝置101的一溫度控制裝置130。溫度控制裝置130致動熱致動器6，以便在第六反射鏡126的光學表面4a(參照圖1至圖3)上產生一預定溫度分佈。若在EUV微影裝置101內配置用於暫存反射鏡126或光學表面4a的溫度及/或基板3的溫度之一或多個感測器，則溫度控制裝置130接受熱致動器6產生的該溫度分佈或產生來進行閉路控制的該溫度分佈，如此該溫度分佈對應至一參考溫度分佈，其產生所要的投影透鏡120波前誤差修正。溫度感測器可具體實施於基板3之外，但是也可實施於基板3之內或基板3的體積之內。
在投影透鏡120的最後一個反射鏡126上執行該熱致動，這除了有低發生熱負載W6的優勢以外，還有其他原因：最後一個反射鏡126為一近光瞳反射鏡126，具有相對較大的光學表面4a或一大直徑。針對根據圖4的投影光束路徑105可識別，最後一個反射鏡126為具有最大直徑或具有投影透鏡120內最大光學使用表面區域之反射鏡。該光學使用表面區域F(參照圖3)為光學表面4a暴露在EUV輻射9之下，或排在投影透鏡120的投影光束路徑105內之區域。使用具有光學使用表面區域F大於投影透鏡120中反射鏡121至126上該等光學使用表面區域中間值之反射鏡，經證實有其優勢，因為在這種反射鏡上，可修正該波前內的小結構，如底 下根據圖6a和圖6b以及圖7a和圖7b之說明，描述光學表面4a含來自圖1和圖2中歐姆加熱線7的方格結構之平面圖，這些加熱線以等距離L彼此相隔排列。
圖6a顯示就在一加熱區H1已經由熱致動器6加熱至高於周遭溫度之後，最後一個反射鏡126的光學表面4a之溫度分佈。圖6a內顯示的該加熱區H1包含與相鄰加熱線7相距L的7×7區域，即是該加熱區H1相當大。圖6b顯示後續時間上的該溫度分佈，在此該溫度分佈靜止，並且由於熱傳導，因此擴散到原始距離L的7×7區域還要大的區域。
圖7a和7b顯示類似的溫度分布圖，其中直接在啟用包含1×1距離L的一第二加熱區H2之後，將該第二加熱區H2加熱至與圖6a內相同的溫度。圖7b顯示當維持導入該第二加熱區H2的該加熱功率時，設定在一靜止狀態下的該靜止溫度分佈。吾人可清楚了解，熱傳導主控圖7b內在該靜止狀態下的該溫度分佈，即是原來只有1×1距離L的該加熱區H2擴展至超過5×5距離L的區域。
因為已經預定熱致動器6的峰值加熱與冷卻功率並且無法任意提高，因此不會在反射圖層4上產生負面影響，借助於熱致動器6產生的該溫度分佈之空間解析度無法任意提高。若反射鏡上可用於該熱致動的區域或子孔徑較大，則因為有大量的加熱元件7可用，所以用相對較低空間解析度也可修正該波前的小結構；這緊接在圖6a和圖6b與圖7a和圖7b之間的比較之後，顯示投影透鏡120的最後一個大型反射鏡126上具有16×16加熱線7之該方格配置，以及投影透鏡120的倒數第二個較小反射鏡125上具有10×10加熱線7之該方格配置。
該波前要銷正的小結構發生在尤其是近光瞳反射鏡上，如此大型近光瞳反射鏡適合做為熱操縱器。投影透鏡120中投影光束路徑105內的最後一個反射鏡126為這種近光瞳反射鏡，即是其中主射線高H對邊緣射線高R的比例低於0.5，甚至在顯示情況下低於0.2之反射鏡。
1‧‧‧反射鏡配置
2‧‧‧EUV反射鏡
3‧‧‧基板
3a‧‧‧表面
4‧‧‧反射塗層
4a‧‧‧光學表面
6‧‧‧熱致動器
7‧‧‧歐姆加熱元件
8‧‧‧電壓源
9‧‧‧EUV輻射
10‧‧‧絕緣層

Claims (21)

  1. 一種反射鏡配置(1)，包含：一反射鏡(2)，具有一基板(3)並且具有用於EUV輻射(9)的一反射塗層(4)，其中該基板(3)由具有一溫度相依熱膨脹係數的一材料所形成，在一第一體積區域(V1)內一第一零穿越溫度(TZC1)上具有一零穿越，以及在至少一第二表面接近體積區域(V2、V2a-c)內與該第一零穿越溫度不同的一第二零穿越溫度(TZC2)上具有一第二零穿越，以及至少一熱致動器(6a、6b、6c)，用於熱致動該基板(3)的該第二體積區域(V2、V2a-c)。
  2. 一種反射鏡配置(1)，包含：一反射鏡(2)，具有一基板(3)並且具有用於EUV輻射(9)的一反射塗層(4)，其中由熱膨脹係數超過10×10-6/K的材料所製成之至少一可熱致動層(5)應用於該基板(3)與該反射塗層(4)之間，以及至少一熱致動器(6)，用於該可熱致動層(5)的該熱致動。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之反射鏡配置，其中該基板(3)由具有一溫度相依熱膨脹係數的一材料所形成，其在一第一體積區域(V1)內一第一零穿越溫度(TZC1)上具有一零穿越，以及在至少一第二表面接近體積區域(V2、V2a-c)內與該第一零穿越溫度不同的一第二零穿越溫度(TZC2)上具有一第二零穿越，以及至少一熱致動器(6a、6b、6c)，用於熱致動 該基板(3)的該第二體積區域(V2、V2a-c)。
  4. 如申請專利範圍第1或3項所述之反射鏡配置，其中該第二零穿越溫度(TZC2)與該第一零穿越溫度(TZC1)相差超過2K、較佳超過5K、特別超過10K。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之反射鏡配置，其中該可熱致動層(5)的該材料選自於下列構成的該群組：ZrMo2O8、ZrW2O8、Zr2(MoO4)3、Zr2(WO4)3、Y2W3O12、BiNiO3、Rh、Cu、Mo、Zr、Nb、Y、Si、Ge、Ni、NiSi、Ru、RuO2以及包含這些物質的混合物。
  6. 如申請專利範圍第1、3與4項任一項所述之反射鏡配置，其中在該基板(3)面向該反射塗層(4)的一表面(3a)上或該基板(3)的一橫向表面(3b)上，形成該近表面可熱致動體積區域(V2、V2a-c)。
  7. 如申請專利範圍第1、3、4與6項任一項所述之反射鏡配置，其中該近表面可熱致動體積區域(V2、V2a-c)從該基板(3)的該表面延伸至一最大深度5μm。
  8. 如前述申請專利範圍任一項所述之反射鏡配置，其中該熱致動器具體實施為一加熱裝置(6、6a-c)。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之反射鏡配置，其中該加熱裝置(6)具有複數個歐姆加熱元件(7)。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之反射鏡配置，其中該等歐姆加熱元件(7)以方格方式排列。
  11. 如申請專利範圍第9至10項所述之反射鏡配置，其中該等歐姆加熱元件(7)固定在該基板(3)面對該反射塗層(4)的一表面(3a)上。
  12. 如申請專利範圍第8至11項任一項所述之反射鏡配置，其中該加熱裝置具有用於產生加熱輻射的至少一輻射源(6a-c)。
  13. 一種用於EUV微影的投影透鏡(120)，包含：複數個反射鏡(121至126)，其中該等複數個反射鏡(121至126)之一者為根據前述申請專利範圍任一項的一反射鏡配置(1)之一可熱致動反射鏡(126)。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之投影透鏡，其中該可熱致動反射鏡(126)排列在該投影透鏡(120)的該光束路徑(105)內，EUV輻射(9)對該反射鏡(126)施加的一熱負載(W4至W6)至少超過EUV輻射(9)對該投影透鏡(120)的該光束路徑(105)內一第一反射鏡(121)所施加之一熱負載(W1)的50%之一位置上。
  15. 如申請專利範圍第13和14項所述之投影透鏡，其中該可熱致動反射鏡(126)排列在該投影透鏡(120)的該光束路徑(105)內，EUV輻射(9)對該反射鏡(126)施加的一熱負載(W4至W6)小於EUV輻射(9)對該投影透鏡(121)的該等反射鏡(121至126)所施加之該熱負載(W1至W6)的中間值之一位置上。
  16. 如申請專利範圍第13至15項任一項所述之投影透鏡，其中該可熱致動反射鏡形成該投影透鏡(120)的該光束路徑(105)內倒數第二個或最後 一個反射鏡(125、126)。
  17. 如申請專利範圍第13至16項任一項所述之投影透鏡，其中該可熱致動反射鏡具有一光學使用表面區域(F)，其大於該投影透鏡(120)中該等反射鏡(121至126)的該光學使用表面區域之該中間值。
  18. 如申請專利範圍第13至17項任一項所述之投影透鏡，其中該可熱致動反射鏡(126)為該投影透鏡(120)的一近光瞳反射鏡。
  19. 一種EUV微影裝置(101)，包含如申請專利範圍第13至18項任一項之投影透鏡(120)。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之EUV微影裝置，另包含：一溫度控制裝置(130)，用於開路或閉路控制該反射鏡配置(1)的該熱致動器(6、6a-c)。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之EUV微影裝置，其中在該EUV微影裝置(101)操作期間利用該溫度控制裝置(130)，以開路或閉路方式來控制該可熱致動反射鏡(126)。
TW104111156A 2014-04-08 2015-04-07 反射鏡配置、投影透鏡及ｅｕｖ微影裝置 TW201602631A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014206765.0A DE102014206765A1 (de) 2014-04-08 2014-04-08 Spiegelanordnung, Projektionsobjektiv und EUV-Lithographieanlage

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201602631A true TW201602631A (zh) 2016-01-16

Family

ID=52774250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104111156A TW201602631A (zh) 2014-04-08 2015-04-07 反射鏡配置、投影透鏡及ｅｕｖ微影裝置

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102014206765A1 (zh)
TW (1) TW201602631A (zh)
WO (1) WO2015155061A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015222377B4 (de) 2015-11-13 2017-10-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit einem Manipulatorsystem
DE102015225509A1 (de) * 2015-12-16 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Element
DE102017206256A1 (de) 2017-04-11 2018-10-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Wellenfrontkorrekturelement zur Verwendung in einem optischen System
CN108594427B (zh) * 2018-06-19 2023-12-19 西南科技大学 热驱动变形镜
DE102022211639A1 (de) 2022-11-04 2024-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Adaptiver Spiegel mit mechanischer Vermittlerschicht und mikrolithographische Projektionsbelichtunganlage
DE102022211637A1 (de) 2022-11-04 2023-09-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Thermisch deformierbares Spiegelelement und dessen Verwendung, thermisches Deformationssystem und Lithographiesystem

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1724816A4 (en) 2004-02-13 2007-10-24 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
DE102006045075A1 (de) * 2006-09-21 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Steuerbares optisches Element
JP5579063B2 (ja) 2007-08-24 2014-08-27 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 制御可能な光学素子、熱アクチュエータによる光学素子の操作方法および半導体リソグラフィのための投影露光装置
DE102010028488A1 (de) * 2010-05-03 2011-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Substrate für Spiegel für die EUV-Lithographie und deren Herstellung
TWI501046B (zh) 2010-07-30 2015-09-21 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 超紫外線曝光裝置
DE102011081259A1 (de) * 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Spiegeltemperaturmessung und/oder zur thermischen Aktuierung eines Spiegels in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011005840A1 (de) * 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Mehrfachspiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung sowie Verfahren zum Betreiben einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung
JP6209518B2 (ja) * 2011-09-21 2017-10-04 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーの熱作動用の構成体
DE102012201075A1 (de) 2012-01-25 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, EUV-Lithographieanlage und Verfahren zum Konfigurieren einer optischen Anordnung
DE102012212898A1 (de) * 2012-07-24 2014-01-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben derselben, sowie EUV-Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014206765A1 (de) 2015-10-08
WO2015155061A1 (en) 2015-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201602631A (zh) 反射鏡配置、投影透鏡及ｅｕｖ微影裝置
US10474036B2 (en) Optical element and optical arrangement therewith
JP5941463B2 (ja) Ｅｕｖ露光装置
JP2022023178A (ja) リソグラフィ装置のオブジェクトを保持するためのチャック及びクランプ、並びにリソグラフィ装置のクランプによって保持されるオブジェクトの温度を制御する方法
US8891172B2 (en) Optical element and method
KR101858280B1 (ko) 열광원을 갖는 euv 마이크로리소그래피 투영 노광 장치
TWI464542B (zh) 微影投射曝光裝置的照射系統
TWI626478B (zh) Ｅｕｖ投影曝光裝置及其操作方法與反射鏡安排
JP6399889B2 (ja) 反射光学素子
TWI344066B (en) Cooling apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10261425B2 (en) Projection exposure apparatus with a highly flexible manipulator
US20230384685A1 (en) Field facet system and lithography apparatus
TW200407954A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI813949B (zh) 用於琢面鏡的琢面總成
JP2005308629A (ja) ミラーユニット及びそれの製造方法
TWI437379B (zh) 照明系統及微影裝置
US9915872B2 (en) Optical component
US11029515B2 (en) Optical element, and method for correcting the wavefront effect of an optical element
TW202210953A (zh) 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡
CN101220927B (zh) 用于屏蔽弧光灯的一部分的盖子、弧光灯和光刻设备
JP2023549968A (ja) 視野ファセットシステム及びリソグラフィ装置
JP2023530521A (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー
KR20230145202A (ko) 광학 조립체, 광학 요소를 변형하기 위한 방법 및, 투영 노광 시스템