KR20170105042A - 위상차판 및 원편광판 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 위상차판에 있어서, 위상차판 1과 위상차판 2의 적어도 한쪽이 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있고, 위상차판 1 및 위상차판 2의 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)가 특정의 관계에 있는 위상차판, 그 위상차판에 편광판을 적층해서 이루어지는 원편광판, 및 그 원편광판을 포함하는 표시 소자 또는 발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명에 따르면, 넓은 파장역에 걸쳐 1/4 파장의 위상차를 부여하는 위상차판, 넓은 파장역에 걸쳐 반사 방지 성능이 우수한 원편광판, 및 시인성이 우수한 표시 소자 또는 발광 소자를 제공할 수 있기 때문에, 유용하다.
Description
본 발명은, 넓은 파장역에 걸쳐 1/4 파장의 위상차를 부여하는 위상차판, 넓은 파장역에 걸쳐 반사 방지 성능이 우수한 원편광판, 및 시인성이 우수한 표시 소자 또는 발광 소자에 관한 것이다.
종래, 1매의 위상차판으로 이루어지는 1/4 파장판은, 1/4 파장의 위상차를 부여하는 파장이 특정의 파장으로 한정되기 때문에, 디스플레이 등의 표면 반사를 억제하기 위한 반사 방지 필터로서 사용했을 경우, 1/4 파장의 위상차를 부여하는 특정의 파장 부근 이외의 파장에서는 충분한 반사 방지 성능을 얻을 수 없어, 디스플레이 등이 청, 자(紫), 적 등으로 착색해 보이는 시인성의 나쁨이 문제였다.
이 문제에 대해서, 복수의 위상차판을 그들의 광축이 교차하도록 적층해서 이루어지는 위상차판이 제안되어 있다(특허문헌 1∼3). 예를 들면, 특허문헌 2에 의하면, 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비를 사용해서 위상차판의 파장 특성을 정의했을 경우, 한쪽의 위상차판의 위상차비가 1.16이고, 다른 한쪽의 위상차판의 위상차비가 1.025인 2매의 위상차판을 적층한 위상차판에 있어서, 양호한 반사 방지 성능이 얻어진 것이 보고되어 있다. 또한, 특허문헌 3에 의하면, 양쪽의 위상차판의 위상차비가 1.005인 2매의 위상차판을 적층한 위상차판에 있어서, 양호한 반사 방지 성능이 얻어진 것이 보고되어 있다.
그러나, 특허문헌 1∼3의 위상차판은 모두, 1/4 파장의 위상차를 부여하는 파장역의 넓이가 불충분하고, 또한 당해 위상차판에 편광판을 적층해서 원편광판을 작성했을 경우, 우수한 반사 방지 성능을 부여하는 파장역의 넓이도 불충분하므로, 위상차판 또는 원편광판을 포함하는 디스플레이 등의 시인성의 개선은 불충분했다. 구체적으로는, 디스플레이 등을 사선으로부터 관찰한 경우는 방지할 수 없는 근소한 반사광이 반드시 발생하지만, 그 근소한 반사광이 무채색이 아닌 청, 자, 적 등으로 착색해 보여버리는 문제가 있었다. 이 착색은, 관찰자의 주변 환경, 특히, 형광등이나 태양이 디스플레이 등에 청, 자, 적 등으로 착색해서 비쳐 버리는 것을 의미하며, 디스플레이 등의 시인성의 관점에서 극히 심각한 문제이다.
또한, 특허문헌 1∼3 모두, 막두께가 수십 ㎛인 연신 필름을 적층하기 위하여, 적층한 위상차판의 두께는 150∼200㎛로 되어, 항상 박형화가 요구되는 디스플레이 등에 있어서는 위상차판의 두께가 너무 두껍다는 문제가 있었다.
이에 더하여, 특허문헌 1∼3 모두, 지상축(遲相軸)이 연신 방향으로 고정되어 버리는 연신 필름을 사용하고 있기 때문에, 위상차판의 지상축과 편광판의 투과축이 교차하도록 위상차판과 편광판을 적층하는 공정에서, 생산 효율이 나쁜 매엽(枚葉) 방식을 채용해야만 한다는 문제도 있었다.
본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 넓은 파장역에 걸쳐 1/4 파장의 위상차를 부여하는 위상차판, 넓은 파장역에 걸쳐 반사 방지 성능이 우수한 원편광판, 및 시인성이 우수한 표시 소자 또는 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 적층하는 위상차판의 파장 특성에 착목해서 예의 연구를 행한 결과, 본 발명을 제공하는데 이르렀다. 즉 본 발명은, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 위상차판에 있어서, 위상차판 1과 위상차판 2의 적어도 한쪽이 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있고, 위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차가 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차보다 크고, 위상차판 1과 위상차판 2의 적어도 한쪽은 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 0.95 이하이고, 다른 쪽의 위상차판의 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 1.05 이하인 위상차판, 그 위상차판에 편광판을 적층해서 이루어지는 원편광판, 및 그 원편광판을 포함하는 표시 소자 또는 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 위상차판은, 넓은 파장역에 걸쳐 1/4 파장의 위상차를 부여하는 위상차판이고, 본 발명의 위상차판에 편광판을 적층해서 이루어지는 본 발명의 원편광판은, 넓은 파장역에 걸쳐 반사 방지 성능이 우수한 원편광판이고, 본 발명의 위상차판 또는 본 발명의 원편광판을 포함하는 디스플레이 등은, 극히 시인성이 좋고, 사선으로부터 관찰한 경우는 발생하는 근소한 반사광을 무채색으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 위상차층은 두께 1∼50㎛이고, 종래 기술에 비해서 두께를 1∼50%로 박형화할 수 있다. 이에 더하여, 중합성 액정의 지상축은 기재의 배향 처리에 의해 임의의 방향으로 조절할 수 있기 때문에, 위상차판의 지상축과 편광판의 투과축이 교차하도록 위상차판과 편광판을 적층하는 공정에서, 생산 효율이 매우 높은 롤-투-롤 방식을 채용할 수 있다.
본 발명의 위상차판은, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 위상차판으로서, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽이 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있고, 위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차가 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차보다 크고, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽은 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 0.95 이하인 위상차판이고, 다른 쪽의 위상차판의 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 1.05 이하이다.
<위상차판>
본 발명의 위상차판은, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 것이다.
위상차판 1 및 위상차판 2로서는, 연신 필름, 광학 결정, 중합성 액정 조성물의 중합체 등 각종 것을 사용할 수 있지만, 적어도 한쪽은, 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있다.
연신 필름으로서는, 연신 COP(환상 폴리올레핀) 필름, 연신 TAC(트리아세틸셀룰로오스) 필름, 연신 DAC(디아세틸셀룰로오스) 필름, 연신 CAP(셀룰로오스아세테이트프로피오네이트) 필름, 연신 CAB(셀룰로오스아세테이트부티레이트) 필름, 연신 PET(폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름, 연신 PC(폴리카보네이트) 필름, 연신 PP(폴리프로필렌) 필름, 연신 PE(폴리에틸렌) 필름 등을 사용할 수 있다.
광학 결정으로서는, 방해석, 바륨·보레이트 결정, 이트륨·바나데이트 결정, 산화티타늄 단결정 등을 사용할 수 있다.
중합성 액정 조성물의 중합체로서는, 하기의 중합성 액정 조성물을 중합해서 이루어지는 중합체를 사용할 수 있다.
위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽은, 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있지만, 위상차판 1 및 위상차판 2가 함께 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있는 것이 보다 바람직하다.
위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차는 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차보다 크고, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽은 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 0.95 이하이고, 다른 쪽의 위상차판의 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 1.05 이하이다. 바람직하게는, 위상차가 큰 위상차판 1의 위상차비가 0.95 이하이고, 위상차가 작은 위상차판 2의 위상차비가 1.05 이하인 위상차판 1 및 위상차판 2를 사용한다. 보다 바람직하게는, 위상차판 1과 위상차판 2의 양쪽의 위상차판의 위상차비가 0.95 이하인 위상차판 1 및 위상차판 2를 사용한다.
본 발명의 위상차판은, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽의 위상차판의 위상차비가 0.95 이하이고, 다른 쪽의 위상차판의 위상차비가 1.05 이하임에 의해, 넓은 파장역에 걸쳐 1/4 파장의 위상차가 얻어진다.
위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re1(550)은 230∼290㎚인 것이 바람직하고, 250∼270㎚인 것이 보다 바람직하다. 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re2(550)는 115∼145㎚인 것이 바람직하고, 120∼140㎚인 것이 보다 바람직하다.
<중합성 액정 조성물>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 하나 이상의 중합성기를 갖는 액정성 화합물을 함유하는 중합성 액정 조성물을 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, 「액정성 화합물」이란, 메소겐성 골격을 갖는 화합물을 나타내는 것을 의도하는 것이고, 화합물 단독으로는, 액정성을 나타내지 않아도 된다. 또, 중합성 조성물을 자외선 등의 광조사, 또는 가열에 의해서 중합 처리를 행함으로써 폴리머화(필름화)할 수 있다.
상기 하나 이상의 중합성기를 갖는 액정성 화합물은, 그 복굴절성이 가시광 영역에 있어서, 단파장측보다 장파장측에서 큰 특징을 갖는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 하나의 중합성기를 가지며, 또한, 식(I)
Re(450㎚)/Re(550㎚)<1.0 (I)
(식 중, Re(450㎚)는, 상기 하나의 중합성기를 갖는 액정성 화합물을 기판 상에 분자의 장축 방향이 실질적으로 기판에 대해서 수평으로 배향시켰을 때의 450㎚의 파장에 있어서의 면내 위상차, Re(550㎚)는, 상기 하나의 중합성기를 갖는 액정성 화합물을 기판 상에 분자의 장축 방향이 실질적으로 기판에 대해서 수평으로 배향시켰을 때의 550㎚의 파장에 있어서의 면내 위상차를 나타낸다)을 충족시키는 액정성 화합물이 바람직하다. 또, 하나 이상의 중합성기를 갖는 액정성 화합물은, 상기 식(I)을 충족시키고 있으면 되고, 자외선 영역이나 적외선 영역에서는 복굴절성이 단파장측보다 장파장측에서 클 필요는 없다.
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 일반식(1)∼(7) 중 어느 하나의 액정성 화합물을 적어도 하나 함유하는 것이 바람직하다.
(식 중, P11∼P74는 중합성기를 나타내고, S11∼S72는 스페이서기를 또는 단결합을 나타내지만, S11∼S72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고, X11∼X72는 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, X11∼X72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고(단, 각 P-(S-X)- 결합에는 -O-O-를 포함하지 않는다), MG11∼MG71는 각각 독립해서 식(a)을 나타내고,
(식 중, A11, A12는 각각 독립해서 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되지만, A11 및/또는 A12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
Z11 및 Z12는 각각 독립해서 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CH₂CH₂-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, Z11 및/또는 Z12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
M은 하기의 식(M-1) 내지 식(M-11)
에서 선택되는 기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되고,
G는 하기의 식(G-1) 내지 식(G-6)
(식 중, R3은 수소 원자, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고,
W81는 적어도 하나의 방향족기를 갖는, 탄소 원자수 5 내지 30의 기를 나타내지만, 당해 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되고,
W82는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 혹은 W82는 W81와 마찬가지의 의미를 나타내도 되고, W81 및 W82는 서로 연결하여 동일한 환 구조를 형성해도 되고, 또는 W82는 하기의 기
(식 중, PW82는 P11와 같은 의미를 나타내고, SW82는 S11와 같은 의미를 나타내고, XW82는 X11와 같은 의미를 나타내고, nW82은 m11과 같은 의미를 나타낸다)을 나타내고,
W83 및 W84는 각각 독립해서 할로겐 원자, 시아노기, 히드록시기, 니트로기, 카르복시기, 카르바모일옥시기, 아미노기, 설파모일기, 적어도 하나의 방향족기를 갖는 탄소 원자수 5 내지 30의 기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소 원자수 2 내지 20의 아실옥시기, 또는, 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬카르보닐옥시기를 나타내지만, 상기 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알콕시기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 단, 상기 M이 식(M-1)∼식(M-10)에서 선택될 경우 G는 식(G-1)∼식(G-5)에서 선택되고, M이 식(M-11)일 경우 G는 식(G-6)을 나타내고,
L1은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 니트로기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록시기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에서 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되지만, 화합물 내에 L1이 복수 존재할 경우 그들은 동일해도 되며 달라도 되고,
j11은 1 내지 5의 정수, j12는 1∼5의 정수를 나타내지만, j11+j12는 2 내지 5의 정수를 나타낸다), R11 및 R31은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, m11은 0∼8의 정수를 나타내고, m2∼m7, n2∼n7, l4∼l6, k6은 각각 독립해서 0 내지 5의 정수를 나타낸다)
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, 중합성기 P11∼P74는 하기의 식(P-1) 내지 식(P-20)
에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 이들 중합성기는 라디칼 중합, 라디칼 부가 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합에 의해 중합한다. 특히 중합 방법으로서 자외선 중합을 행하는 경우에는, 식(P-1), 식(P-2), 식(P-3), 식(P-4), 식(P-5), 식(P-7), 식(P-11), 식(P-13), 식(P-15) 또는 식(P-18)이 바람직하고, 식(P-1), 식(P-2), 식(P-7), 식(P-11) 또는 식(P-13)이 보다 바람직하고, 식(P-1), 식(P-2) 또는 식(P-3)이 더 바람직하고, 식(P-1) 또는 식(P-2)이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, S11∼S72는 스페이서기 또는 단결합을 나타내지만, S11∼S72가 복수 존재할 경우, 그들은 동일해도 되며 달라도 된다. 또한, 스페이서기로서는, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -COO-, -OCO-, -OCO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 하기의 식(S-1)
으로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬렌기를 나타내는 것이 바람직하다. S는 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고, 각각 독립해서, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -COO-, -OCO-로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립해서 탄소 원자수 1 내지 10의 알킬렌기 또는 단결합을 나타내는 것이 더 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고 각각 독립해서 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬렌기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, X11∼X72는 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, X11∼X72가 복수 존재할 경우 그들은 동일해도 되며 달라도 된다(단, P-(S-X)- 결합에는 -O-O-를 포함하지 않는다). 또한, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고, 각각 독립해서 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립해서 -O-, -OCH₂-, -CH₂O-, -COO-, -OCO-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, 복수 존재하는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고, 각각 독립해서 -O-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, A11 및 A12는 각각 독립해서 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내지만, 이들 기는 무치환이거나 또는 하나 이상의 L에 의해서 치환되어도 되지만, A11 및/또는 A12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 된다. A11 및 A12는 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 각각 독립해서 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기 또는 나프탈렌-2,6-디일을 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립해서 하기의 식(A-1) 내지 식(A-11)
에서 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립해서 식(A-1) 내지 식(A-8)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립해서 식(A-1) 내지 식(A-4)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, Z11 및 Z12는 각각 독립해서 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CH₂CH₂-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -OCO-NH-, -NH-COO-, -NH-CO-NH-, -NH-O-, -O-NH-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, Z11 및/또는 Z12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 된다. Z11 및 Z12는 화합물의 액정성, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 각각 독립해서 단결합, -OCH₂-, -CH₂O-, -COO-, -OCO-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CH₂CH₂-, -CF₂CF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -CH=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는 것이 바람직하고, 각각 독립해서 -OCH₂-, -CH₂O-, -CH₂CH₂-, -COO-, -OCO-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -CH=CH-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내는 것이 보다 바람직하고, 각각 독립해서 -CH₂CH₂-, -COO-, -OCO-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 더 바람직하고, 각각 독립해서 -CH₂CH₂-, -COO-, -OCO- 또는 단결합을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, M은 하기의 식(M-1) 내지 식(M-11)
에서 선택되는 기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 된다. M은 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 각각 독립해서 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 식(M-1) 또는 식(M-2) 혹은 무치환의 식(M-3) 내지 식(M-6)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 식(M-1) 또는 식(M-2)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 무치환의 식(M-1) 또는 식(M-2)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, R11 및 R31은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 된다. R1은 액정성 및 합성의 용이함의 관점에서 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 혹은, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄 또는 분기 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 시아노기, 혹은, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄 알킬기 또는 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄 알킬기 또는 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1) 내지 일반식(7)에 있어서, G는 식(G-1) 내지 식(G-6)에서 선택되는 기를 나타낸다.
식 중, R3은 수소 원자, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고,
W81는 적어도 하나의 방향족기를 갖는, 탄소 원자수 5 내지 30의 기를 나타내지만, 당해 기는 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되고,
W82는, 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 혹은 W82는 W81와 마찬가지의 의미를 나타내도 되고, W81 및 W82는 일체로 되어 환 구조를 형성해도 되고, 또는 W82는 하기의 기
(식 중, PW82는 P11와 같은 의미를 나타내고, SW82는 S11와 같은 의미를 나타내고, XW82는 X11와 같은 의미를 나타내고, nW82은 m11과 같은 의미를 나타낸다)을 나타낸다.
W81에 포함되는 방향족기는 방향족 탄화수소기 또는 방향족 복소기여도 되고, 양쪽을 포함하고 있어도 된다. 이들 방향족기는 단결합 또는 연결기(-OCO-, -COO-, -CO-, -O-)를 개재해서 결합하고 있어도 되고, 축합환을 형성해도 된다. 또한, W81는 방향족기에 더하여 방향족기 이외의 비환식 구조 및/또는 환식 구조를 포함하고 있어도 된다. W81에 포함되는 방향족기는 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-1) 내지 식(W-19)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수(結合手)를 갖고 있어도 되고, 이들 기에서 선택되는 둘 이상의 방향족기를 단결합으로 연결한 기를 형성해도 되고, Q1는 -O-, -S-, -NR5-(식 중, R5은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다) 또는 -CO-를 나타낸다. 이들 방향족기 중의 -CH=는 각각 독립해서 -N=으로 치환되어도 되고, -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -NR⁴-(식 중, R⁴은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다) 또는 -CO-로 치환되어도 되지만, -O-O- 결합을 포함하지 않는다)으로 표시되는 기가 바람직하다. 식(W-1)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L2에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-1-1) 내지 식(W-1-8)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-7)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-7-1) 내지 식(W-7-7)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-10)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-10-1) 내지 식(W-10-8)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-11)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-11-1) 내지 식(W-11-13)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-12)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-12-1) 내지 식(W-12-19)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타내지만, R6이 복수 존재할 경우 각각 동일해도 되며, 달라도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-13)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-13-1) 내지 식(W-13-10)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타내지만, R6이 복수 존재할 경우 각각 동일해도 되며, 달라도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-14)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-14-1) 내지 식(W-14-4)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-15)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-15-1) 내지 식(W-15-18)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-16)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-16-1) 내지 식(W-16-4)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-17)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-17-1) 내지 식(W-17-6)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-18)으로 표시되는 기로서는, 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-18-1) 내지 식(W-18-6)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타내지만, R6이 복수 존재할 경우 각각 동일해도 되며, 달라도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 식(W-19)으로 표시되는 기로서는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-19-1) 내지 식(W-19-9)
(식 중, 이들 기는 임의의 위치에 결합수를 갖고 있어도 되고, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타내지만, R6이 복수 존재할 경우 각각 동일해도 되며, 달라도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하다. W81에 포함되는 방향족기는, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 식(W-1-1), 식(W-7-1), 식(W-7-2), 식(W-7-7), 식(W-8), 식(W-10-6), 식(W-10-7), 식(W-10-8), 식(W-11-8), 식(W-11-9), 식(W-11-10), 식(W-11-11), 식(W-11-12) 또는 식(W-11-13)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 식(W-1-1), 식(W-7-1), 식(W-7-2), 식(W-7-7), 식(W-10-6), 식(W-10-7) 또는 식(W-10-8)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 또한, W81는 하기의 식(W-a-1) 내지 식(W-a-6)
(식 중, r은 0 내지 5의 정수를 나타내고, s는 0 내지 4의 정수를 나타내고, t는 0 내지 3의 정수를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
W82는 수소 원자 또는 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 혹은 W82는 W81와 마찬가지의 의미를 나타내도 되고, W81 및 W82는 일체로 되어 환 구조를 형성해도 되고, 또는 W82는 하기의 기
(식 중, PW82는 P11와 같은 의미를 나타내고, SW82는 S11와 같은 의미를 나타내고, XW82는 X11와 같은 의미를 나타내고, nW82은 m11과 같은 의미를 나타낸다)를 나타낸다.
W82는 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 수소 원자, 혹은, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CH=CH-COO-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는, 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 수소 원자, 혹은, 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 혹은, 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 알킬기를 나타내는 것이 특히 바람직하다. 또한, W82가 W81와 마찬가지의 의미를 나타낼 경우, W82는 W81와 동일해도 되며 달라도 되지만, 바람직한 기는 W81에 대한 기재와 마찬가지이다. 또한, W81 및 W82가 일체로 되어 환 구조를 형성할 경우, -NW81W82로 표시되는 환상기는 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-b-1) 내지 식(W-b-42)
(식 중, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타낸다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 식(W-b-20), 식(W-b-21), 식(W-b-22), 식(W-b-23), 식(W-b-24), 식(W-b-25) 또는 식(W-b-33)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
또한, =CW81W82로 표시되는 환상기는 무치환이거나 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되는 하기의 식(W-c-1) 내지 식(W-c-81)
(식 중, R6은 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 8의 알킬기를 나타내지만, R6이 복수 존재할 경우 각각 동일해도 되며, 달라도 된다)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 바람직하고, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서, 무치환 또는 하나 이상의 L에 의해서 치환되어도 되는 식(W-c-11), 식(W-c-12), 식(W-c-13), 식(W-c-14), 식(W-c-53), 식(W-c-54), 식(W-c-55), 식(W-c-56), 식(W-c-57) 또는 식(W-c-78)에서 선택되는 기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
W82가 하기의 기
를 나타낼 경우, 바람직한 PW82는 P11에 대한 기재와 마찬가지이고, 바람직한 SW82는 S11에 대한 기재와 마찬가지이고, 바람직한 XW82는 X11에 대한 기재와 마찬가지이고, 바람직한 nW82은 m11에 대한 기재와 마찬가지이다.
W81 및 W82에 포함되는 π 전자의 총수는, 파장 분산 특성, 보존안정성, 액정성 및 합성의 용이함의 관점에서 4 내지 24인 것이 바람직하다.
W83, W84는 각각 독립해서 할로겐 원자, 시아노기, 히드록시기, 니트로기, 카르복시기, 카르바모일옥시기, 아미노기, 설파모일기, 적어도 하나의 방향족기를 갖는 탄소 원자수 5 내지 30의 기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소 원자수 2 내지 20의 아실옥시기, 또는, 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬카르보닐옥시기를 나타내지만, 상기 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알콕시기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, W83는 시아노기, 니트로기, 카르복시기, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환된, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기에서 선택되는 기가 보다 바람직하고, 시아노기, 카르복시기, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환된, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기에서 선택되는 기가 특히 바람직하고, W84는 시아노기, 니트로기, 카르복시기, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환된, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기에서 선택되는 기가 보다 바람직하고, 시아노기, 카르복시기, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환된, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 알케닐기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기에서 선택되는 기가 특히 바람직하다.
L1은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 니트로기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록시기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 된다. 액정성, 합성의 용이함의 관점에서, L1은 불소 원자, 염소 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 니트로기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 또는, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -O-CO-O-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에서 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 또는, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -COO- 또는 -OCO-에서 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 또는, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 12의 직쇄상 또는 분기상 알킬기 혹은 알콕시기를 나타내는 것이 더 바람직하고, 불소 원자, 염소 원자, 또는, 탄소 원자수 1 내지 8의 직쇄 알킬기 혹은 직쇄 알콕시기를 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(1)에 있어서, m11은 0 내지 8의 정수를 나타내지만, 액정성, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 0 내지 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 0 내지 2의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 0 또는 1을 나타내는 것이 더 바람직하고, 1을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(2) 내지 일반식(7)에 있어서, m2∼m7은 0 내지 5의 정수를 나타내지만, 액정성, 원료의 입수 용이함 및 합성의 용이함의 관점에서 0 내지 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 0 내지 2의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 0 또는 1을 나타내는 것이 더 바람직하고, 1을 나타내는 것이 특히 바람직하다.
일반식(a)에 있어서, j11 및 j12는 각각 독립해서 1 내지 5의 정수를 나타내지만, j11+j12는 2 내지 5의 정수를 나타낸다. 액정성, 합성의 용이함 및 보존안정성의 관점에서, j11 및 j12는 각각 독립해서 1 내지 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하고, 1 내지 3의 정수를 나타내는 것이 보다 바람직하고, 1 또는 2를 나타내는 것이 특히 바람직하다. j11+j12는 2 내지 4의 정수를 나타내는 것이 바람직하다.
일반식(1)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(1-a-1) 내지 식(1-a-105)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(2)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(2-a-1) 내지 식(2-a-61)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(식 중, n은 1∼10의 정수를 나타낸다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(3)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(3-a-1) 내지 식(3-a-17)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(4)에 있어서는, P43-(S43-X43)l4-로 표시되는 기는, 일반식(a)의 A11 또는 A12에 결합한다.
일반식(4)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(4-a-1) 내지 식(4-a-26)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(식 중, m 및 n은 각각 독립해서 1∼10의 정수를 나타낸다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(5)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(5-a-1) 내지 식(5-a-29)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(식 중, n은 탄소 원자수 1∼10을 나타낸다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(6)에 있어서는, P63-(S63-X63)l6-로 표시되는 기, 및 P64-(S64-X64)k6-로 표시되는 기는, 일반식(a)의 A11 또는 A12에 결합한다.
일반식(6)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(6-a-1) 내지 식(6-a-25)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(식 중, k, l, m 및 n은 각각 독립해서 탄소 원자수 1∼10을 나타낸다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(7)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(7-a-1) 내지 식(7-a-26)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
상기 하나 이상의 중합성기를 갖는 액정성 화합물의 합계 함유량은, 중합성 액정 조성물에 사용하는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 60∼100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 65∼98질량% 함유하는 것이 보다 바람직하고, 70∼95질량% 함유하는 것이 특히 바람직하다.
<개시제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 개시제를 함유할 수 있다. 본 발명의 중합성 액정 조성물에서 사용되는 중합개시제는, 본 발명의 중합성 액정 조성물을 중합시키기 위해서 사용한다. 중합을 광조사에 의해서 행하는 경우에 사용하는 광중합개시제로서는, 특히 한정은 없지만, 일반식(1) 내지 일반식(7)의 액정성 화합물의 배향 상태를 저해하지 않는 정도에서 공지 관용의 것을 사용할 수 있다.
예를 들면 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 「이르가큐어184」, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온 「다로큐어1116」, 2-메틸-1-[(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1 「이르가큐어907」, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 「이르가큐어651」, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온 「이르가큐어369」, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴리노-페닐)부탄-1-온 「이르가큐어379」, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-디페닐포스핀옥사이드 「루시린TPO」, 2,4,6-트리메틸벤조일-페닐-포스핀옥사이드 「이르가큐어819」, 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-,2-(O-벤조일옥심)],에탄온 「이르가큐어OXE01」, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-,1-(O-아세틸옥심) 「이르가큐어OXE02」(이상, BASF주식회사제). 2,4-디에틸티오잔톤(니혼가야쿠샤제 「카야큐어DETX」)과 p-디메틸아미노벤조산에틸(니혼가야쿠샤제 「카야큐어EPA」)과의 혼합물, 이소프로필티오잔톤(워드플레킨솝사제 「칸타큐어-ITX」)과 p-디메틸아미노벤조산에틸과의 혼합물, 「에사큐어 ONE」, 「에사큐어KIP150」, 「에사큐어KIP160」, 「에사큐어1001M」, 「에사큐어A198」, 「에사큐어KIP IT」, 「에사큐어KTO46」, 「에사큐어TZT」(lamberti주식회사제),
LAMBSON사의 「스피드큐어BMS」, 「스피드큐어PBZ」, 「벤조페논」 등을 들 수 있다. 또한, 광양이온개시제로서는, 광산발생제를 사용할 수 있다. 광산발생제로서는 디아조디설폰계 화합물, 트리페닐설포늄계 화합물, 페닐설폰계 화합물, 설포닐피리딘계 화합물, 트리아진계 화합물 및 디페닐요오도늄 화합물 등을 들 수 있다.
광중합개시제의 함유율은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.1∼10질량%가 바람직하고, 1∼6질량%가 특히 바람직하다. 이들은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
또한, 열중합 시에 사용하는 열중합개시제로서는 공지 관용의 것을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 메틸아세토아세테이트퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 메틸에틸케톤퍼옥사이드, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)3,3,5-트리메틸시클로헥산, p-펜타하이드로퍼옥사이드, t-부틸하이드로퍼옥사이드, 디쿠밀퍼옥사이드, 이소부틸퍼옥사이드, 디(3-메틸-3-메톡시부틸)퍼옥시디카보네이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산 등의 유기 과산화물, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조니트릴 화합물, 2,2'-아조비스(2-메틸-N-페닐프로피온-아미딘)디하이드로클로라이드 등의 아조아미딘 화합물, 2,2'-아조비스{2-메틸-N-[1,1-비스(히드록시메틸)-2-히드록시에틸]프로피온아미드} 등의 아조아미드 화합물, 2,2'-아조비스(2,4,4-트리메틸펜탄) 등의 알킬아조 화합물 등을 사용할 수 있다. 열중합개시제의 함유율은 0.1∼10질량%가 바람직하고, 1∼6질량%가 특히 바람직하다. 이들은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
<유기 용제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 유기 용제를 함유할 수 있다. 사용하는 유기 용제로서는 특히 한정은 없지만, 상기 중합성 액정성 화합물이 양호한 용해성을 나타내는 유기 용제가 바람직하고, 100℃ 이하의 온도에서 건조할 수 있는 유기 용제인 것이 바람직하다. 그와 같은 용제로서는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 쿠멘, 메시틸렌 등의 방향족계 탄화수소, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세트산시클로헥실, 아세트산3-부톡시메틸, 젖산에틸 등의 에스테르계 용제, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온, 시클로펜탄온 등의 케톤계 용제, 테트라히드로퓨란, 1,2-디메톡시에탄, 아니솔 등의 에테르계 용제, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, γ-부티로락톤 및 클로로벤젠 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있지만, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제 및 방향족 탄화수소계 용제 중 어느 한 종류 이상을 사용하는 것이 용액안정성의 점으로부터 바람직하다.
사용하는 유기 용제의 함유량은, 본 발명에 사용되는 중합성 액정 조성물이 통상 도포에 의해 행해지므로, 도포한 상태를 현저하게 손상시키지 않는 한 특히 제한은 없지만, 유기 용제를 함유하는 중합성 액정 조성물 중의 액정성 화합물의 합계량의 함유율이 0.1∼99질량%로 되도록 조정하는 것이 바람직하고, 5∼60질량%로 되도록 조정하는 것이 더 바람직하고, 10∼50질량%로 되도록 조정하는 것이 특히 바람직하다.
또한, 유기 용제에 상기 중합성 액정성 화합물을 용해할 때에는, 균일하게 용해시키기 위해서, 가열 교반하는 것이 바람직하다. 가열 교반 시의 가열 온도는, 사용하는 중합성 액정 화합물의 유기 용제에 대한 용해성을 고려해서 적의(適宜) 조절하면 되지만, 생산성의 점으로부터 15℃∼130℃가 바람직하고, 30℃∼110℃가 더 바람직하고, 50℃∼100℃가 특히 바람직하다.
<첨가제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 균일하게 도포하기 위하여, 또는, 각각의 목적에 따라서 범용의 첨가제를 사용할 수도 있다. 예를 들면, 중합금지제, 산화방지제, 자외선 흡수제, 레벨링제, 배향제어제, 연쇄이동제, 적외선 흡수제, 틱소제, 대전방지제, 색소, 필러, 키랄 화합물, 중합성기를 갖는 비액정성 화합물, 그 외 액정 화합물, 배향 재료 등의 첨가제를 액정의 배향성을 현저하게 저하시키지 않을 정도로 첨가할 수 있다.
<중합금지제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 중합금지제를 함유할 수 있다. 사용하는 중합금지제로서는, 특히 한정은 없으며, 공지 관례의 것을 사용할 수 있다.
예를 들면, p-메톡시페놀, 크레졸, t-부틸카테콜, 3,5-디-t-부틸-4-히드록시톨루엔, 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-에틸-6-t-부틸페놀), 4,4'-티오비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 4-메톡시-1-나프톨, 4,4'-디알콕시-2,2'-비-1-나프톨 등의 페놀계 화합물, 히드로퀴논, 메틸히드로퀴논, tert-부틸히드로퀴논, p-벤조퀴논, 메틸-p-벤조퀴논, tert-부틸-p-벤조퀴논, 2,5-디페닐벤조퀴논, 2-히드록시-1,4-나프토퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디클로로-1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논, 디페노퀴논 등의 퀴논계 화합물, p-페닐렌디아민, 4-아미노디페닐아민, N.N'-디페닐-p-페닐렌디아민, N-i-프로필-N'-페닐-p-페닐렌디아민, N-(1.3-디메틸부틸)-N'-페닐-p-페닐렌디아민, N,N'-디-2-나프틸-p-페닐렌디아민, 디페닐아민, N-페닐-β-나프틸아민, 4,4'-디쿠밀-디페닐아민, 4,4'-디옥틸-디페닐아민 등의 아민계 화합물, 페노티아진, 디스테아릴티오디프로피오네이트 등의 티오에테르계 화합물, N-니트로소디페닐아민, N-니트로소페닐나프틸아민, N-니트로소디나프틸아민, p-니트로소페놀, 니트로소벤젠, p-니트로소디페닐아민, α-니트로소-β-나프톨 등, N,N-디메틸p-니트로소아닐린, p-니트로소디페닐아민, p-니트로소디메틸아민, p-니트로소-N,N-디에틸아민, N-니트로소에탄올아민, N-니트로소디-n-부틸아민, N-니트로소-N-n-부틸-4-부탄올아민, N-니트로소-디이소프로판올아민, N-니트로소-N-에틸-4-부탄올아민, 5-니트로소-8-히드록시퀴놀린, N-니트로소모르폴린, N-니트로소-N-페닐히드록시아민암모늄염, 니트로소벤젠, 2,4.6-트리-tert-부틸니트로소벤젠, N-니트로소-N-메틸-p-톨루엔설폰아미드, N-니트로소-N-에틸우레탄, N-니트로소-N-n-프로필우레탄, 1-니트로소-2-나프톨, 2-니트로소-1-나프톨, 1-니트로소-2-나프톨-3,6-설폰산나트륨, 2-니트로소-1-나프톨-4-설폰산나트륨, 2-니트로소-5-메틸아미노페놀염산염, 2-니트로소-5-메틸아미노페놀염산염 등의 니트로소계 화합물을 들 수 있다.
중합금지제의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.01∼1.0질량%인 것이 바람직하고, 0.05∼0.5질량%인 것이 보다 바람직하다.
<산화방지제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 산화방지제 등을 함유할 수 있다. 그와 같은 화합물로서, 히드로퀴논 유도체, 니트로소아민계 중합금지제, 힌더드페놀계 산화방지제 등을 들 수 있으며, 보다 구체적으로는, tert-부틸하이드로퀴논, 와코쥰야쿠고교샤의 「Q-1300」, 「Q-1301」, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 「IRGANOX1010」, 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트] 「IRGANOX1035」, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트 「IRGANOX1076」, 「IRGANOX1135」, 「IRGANOX1330」, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸 「IRGANOX1520L」, 「IRGANOX1726」, 「IRGANOX245」, 「IRGANOX259」, 「IRGANOX3114」, 「IRGANOX3790」, 「IRGANOX5057」, 「IRGANOX565」(이상, BASF주식회사제), 가부시키가이샤ADEKA제의 아데카스타브AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO-80, 스미토모가가쿠가부시키가이샤의 스미라이저BHT, 스미라이저BBM-S, 및 스미라이저GA-80 등등을 들 수 있다.
산화방지제의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.01∼2.0질량%인 것이 바람직하고, 0.05∼1.0질량%인 것이 보다 바람직하다.
<자외선 흡수제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 자외선 흡수제나 광안정제를 함유할 수 있다. 사용하는 자외선 흡수제나 광안정제는 특히 한정은 없지만, 광학 이방체나 광학 필름 등의 내광성을 향상시키는 것이 바람직하다.
상기 자외선 흡수제로서는, 예를 들면, 2-(2-히드록시-5-t-부틸페닐)-2H-벤조트리아졸 「티누빈 PS」, 「티누빈 99-2」, 「티누빈 109」, 「TINUVIN 213」, 「TINUVIN 234」, 「TINUVIN 326」, 「TINUVIN 328」, 「TINUVIN 329」, 「TINUVIN 384-2」, 「TINUVIN 571」, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-비스(1-메틸-1-페닐에틸)페놀 「TINUVIN 900」, 2-(2H-벤조트리아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀 「TINUVIN 928」, 「TINUVIN 1130」, 「TINUVIN 400」, 「TINUVIN 405」, 2,4-비스[2-히드록시-4-부톡시페닐]-6-(2,4-디부톡시페닐)-1,3,5-트리아진 「TINUVIN 460」, 「티누빈 479」, 「TINUVIN 5236」(이상, BASF주식회사제), 「아데카스타브LA-32」, 「아데카스타브LA-34」, 「아데카스타브LA-36」, 「아데카스타브LA-31」, 「아데카스타브1413」, 「아데카스타브LA-51」(이상, 가부시키가이샤ADEKA제) 등을 들 수 있다.
광안정제로서는 예를 들면, 「TINUVIN 111FDL」, 「TINUVIN 123」, 「TINUVIN 144」, 「TINUVIN 152」, 「TINUVIN 292」, 「TINUVIN 622」, 「TINUVIN 770」, 「TINUVIN 765」, 「TINUVIN 780」, 「TINUVIN 905」, 「TINUVIN 5100」, 「TINUVIN 5050」, 「TINUVIN 5060」, 「TINUVIN 5151」, 「CHIMASSORB 119FL」, 「CHIMASSORB 944FL」, 「CHIMASSORB 944LD」(이상, BASF주식회사제), 「아데카스타브LA-52」, 「아데카스타브LA-57」, 「아데카스타브LA-62」, 「아데카스타브LA-67」, 「아데카스타브LA-63P」, 「아데카스타브LA-68LD」, 「아데카스타브LA-77」, 「아데카스타브LA-82」, 「아데카스타브LA-87」(이상, 가부시키가이샤ADEKA제) 등을 들 수 있다.
<레벨링제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 레벨링제를 함유할 수 있다. 사용하는 레벨링제는 특히 한정은 없지만, 광학 이방체나 광학 필름 등의 박막을 형성할 경우에 막두께 불균일을 저감시키기 때문에 바람직하다. 상기 레벨링제로서는, 알킬카르복시산염, 알킬인산염, 알킬설폰산염, 플루오로알킬카르복시산염, 플루오로알킬인산염, 플루오로알킬설폰산염, 폴리옥시에틸렌 유도체, 플루오로알킬에틸렌옥사이드 유도체, 폴리에틸렌글리콜 유도체, 알킬암모늄염, 플루오로알킬암모늄염류 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 「메가팩F-114」, 「메가팩F-251」, 「메가팩F-281」, 「메가팩F-410」, 「메가팩F-430」, 「메가팩F-444」, 「메가팩F-472SF」, 「메가팩F-477」, 「메가팩F-510」, 「메가팩F-511」, 「메가팩F-552」, 「메가팩F-553」, 「메가팩F-554」, 「메가팩F-555」, 「메가팩F-556」, 「메가팩F-557」, 「메가팩F-558」, 「메가팩F-559」, 「메가팩F-560」, 「메가팩F-561」, 「메가팩F-562」, 「메가팩F-563」, 「메가팩F-565」, 「메가팩F-567」, 「메가팩F-568」, 「메가팩F-569」, 「메가팩F-570」, 「메가팩F-571」, 「메가팩R-40」, 「메가팩R-41」, 「메가팩R-43」, 「메가팩R-94」, 「메가팩RS-72-K」, 「메가팩RS-75」, 「메가팩RS-76-E」, 「메가팩RS-76-NS」, 「메가팩RS-90」, 「메가팩EXP.TF-1367」, 「메가팩EXP.TF1437」, 「메가팩EXP.TF1537」, 「메가팩EXP.TF-2066」(이상, DIC가부시키가이샤제),
「후타젠트100」, 「후타젠트100C」, 「후타젠트110」, 「후타젠트150」, 「후타젠트150CH」, 「후타젠트100A-K」, 「후타젠트300」, 「후타젠트310」, 「후타젠트320」, 「후타젠트400SW」, 「후타젠트251」, 「후타젠트215M」, 「후타젠트212M」, 「후타젠트215M」, 「후타젠트250」, 「후타젠트222F」, 「후타젠트212D」, 「FTX-218」, 「후타젠트209F」, 「후타젠트245F」, 「후타젠트208G」, 「후타젠트240G」, 「후타젠트212P」, 「후타젠트220P」, 「후타젠트228P」, 「DFX-18」, 「후타젠트601AD」, 「후타젠트602A」, 「후타젠트650A」, 「후타젠트750FM」, 「FTX-730FM」, 「후타젠트730FL」, 「후타젠트710FS」, 「후타젠트710FM」, 「후타젠트710FL」, 「후타젠트750LL」, 「FTX-730LS」, 「후타젠트730LM」, (이상, 가부시키가이샤네오스제),
「BYK-300」, 「BYK-302」, 「BYK-306」, 「BYK-307」, 「BYK-310」, 「BYK-315」, 「BYK-320」, 「BYK-322」, 「BYK-323」, 「BYK-325」, 「BYK-330」, 「BYK-331」, 「BYK-333」, 「BYK-337」, 「BYK-340」, 「BYK-344」, 「BYK-370」, 「BYK-375」, 「BYK-377」, 「BYK-350」, 「BYK-352」, 「BYK-354」, 「BYK-355」, 「BYK-356」, 「BYK-358N」, 「BYK-361N」, 「BYK-357」, 「BYK-390」, 「BYK-392」, 「BYK-UV3500」, 「BYK-UV3510」, 「BYK-UV3570」, 「BYK-Silclean3700」(이상, BYK주식회사제),
「TEGO Rad2100」, 「TEGO Rad2011」, 「TEGO Rad2200N」, 「TEGO Rad2250」, 「TEGO Rad2300」, 「TEGO Rad2500」, 「TEGO Rad2600」, 「TEGO Rad2650」, 「TEGO Rad2700」, 「TEGO Flow300」, 「TEGO Flow370」, 「TEGO Flow425」, 「TEGO Flow ATF2」, 「TEGO Flow ZFS460」, 「TEGO Glide100」, 「TEGO Glide110」, 「TEGO Glide130」, 「TEGO Glide410」, 「TEGO Glide411」, 「TEGO Glide415」, 「TEGO Glide432」, 「TEGO Glide440」, 「TEGO Glide450」, 「TEGO Glide482」, 「TEGO Glide A115」, 「TEGO Glide B1484」, 「TEGO Glide ZG400」, 「TEGO Twin4000」, 「TEGO Twin4100」, 「TEGO Twin4200」, 「TEGO Wet240」, 「TEGO Wet250」, 「TEGO Wet260」, 「TEGO Wet265」, 「TEGO Wet270」, 「TEGO Wet280」, 「TEGO Wet500」, 「TEGO Wet505」, 「TEGO Wet510」, 「TEGO Wet520」, 「TEGO Wet KL245」, (이상, 에보닉·인더스트리즈주식회사제), 「FC-4430」, 「FC-4432」(이상, 쓰리엠재팬가부시키가이샤제), 「유니다인NS」(이상, 다이킨고교가부시키가이샤제), 「사프론S-241」, 「사프론S-242」, 「사프론S-243」, 「사프론S-420」, 「사프론S-611」, 「사프론S-651」, 「사프론S-386」(이상, AGC세이미케미컬가부시키가이샤제), 「DISPARLON OX-880EF」, 「DISPARLON OX-881」, 「DISPARLON OX-883」, 「DISPARLON OX-77EF」, 「DISPARLON OX-710」, 「DISPARLON 1922」, 「DISPARLON 1927」, 「DISPARLON 1958」, 「DISPARLON P-410EF」, 「DISPARLON P-420」, 「DISPARLON P-425」, 「DISPARLON PD-7」, 「DISPARLON 1970」, 「DISPARLON 230」, 「DISPARLON LF-1980」, 「DISPARLON LF-1982」, 「DISPARLON LF-1983」, 「DISPARLON LF-1084」, 「DISPARLON LF-1985」, 「DISPARLON LHP-90」, 「DISPARLON LHP-91」, 「DISPARLON LHP-95」, 「DISPARLON LHP-96」, 「DISPARLON OX-715」, 「DISPARLON 1930N」, 「DISPARLON 1931」, 「DISPARLON 1933」, 「DISPARLON 1934」, 「DISPARLON 1711EF」, 「DISPARLON 1751N」, 「DISPARLON 1761」, 「DISPARLON LS-009」, 「DISPARLON LS-001」, 「DISPARLON LS-050」(이상, 구스모토가세이가부시키가이샤제), 「PF-151N」, 「PF-636」, 「PF-6320」, 「PF-656」, 「PF-6520」, 「PF-652-NF」, 「PF-3320」(이상, OMNOVA SOLUTIONS사제), 「폴리플로No.7」, 「폴리플로No.50E」, 「폴리플로No.50EHF」, 「폴리플로No.54N」, 「폴리플로No.75」, 「폴리플로No.77」, 「폴리플로No.85」, 「폴리플로No.85HF」, 「폴리플로No.90」, 「폴리플로No.90D-50」, 「폴리플로No.95」, 「폴리플로No.99C」, 「폴리플로KL-400K」, 「폴리플로KL-400HF」, 「폴리플로KL-401」, 「폴리플로KL-402」, 「폴리플로KL-403」, 「폴리플로KL-404」, 「폴리플로KL-100」, 「폴리플로LE-604」, 「폴리플로KL-700」, 「플로렌AC-300」, 「플로렌AC-303」, 「플로렌AC-324」, 「플로렌AC-326F」, 「플로렌AC-530」, 「플로렌AC-903」, 「플로렌AC-903HF」, 「플로렌AC-1160」, 「플로렌AC-1190」, 「플로렌AC-2000」, 「플로렌AC-2300C」, 「플로렌AO-82」, 「플로렌AO-98」, 「플로렌AO-108」(이상, 교에이샤가가쿠가부시키가이샤제), 「L-7001」, 「L-7002」, 「8032ADDITIVE」, 「57ADDTIVE」, 「L-7064」, 「FZ-2110」, 「FZ-2105」, 「67ADDTIVE」, 「8616ADDTIVE」(이상, 도레·다우실리콘가부시키가이샤제) 등의 예를 들 수 있다.
레벨링제의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.01∼2질량%인 것이 바람직하고, 0.05∼0.5질량%인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 레벨링제를 사용함으로써, 본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물을 광학 이방체로 했을 경우, 공기 계면의 틸트각을 효과적으로 감소시킬 수 있는 것도 있다.
<배향제어제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 액정성 화합물의 배향 상태를 제어하기 위하여, 배향제어제를 함유할 수 있다. 사용하는 배향제어제로서는, 액정성 화합물이, 기재에 대해서 실질적으로 수평 배향, 실질적으로 수직 배향, 실질적으로 하이브리드 배향하는 것을 들 수 있다. 또한, 키랄 화합물을 첨가한 경우에는 실질적으로 평면 배향하는 것을 들 수 있다. 상술한 바와 같이, 계면활성제에 의해서, 수평 배향, 평면 배향이 유기되는 경우도 있지만, 각각의 배향 상태가 유기되는 것이면, 특히 한정은 없으며, 공지 관용의 것을 사용할 수 있다.
그와 같은 배향제어제로서는, 예를 들면, 광학 이방체로 했을 경우의 공기 계면의 틸트각을 효과적으로 감소시키는 효과를 갖는, 하기 일반식(8)으로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량이 100 이상 1000000 이하인 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R11, R12, R13 및 R14은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소 원자수 1∼20의 탄화수소기를 나타내고, 당해 탄화수소기 중의 수소 원자는 하나 이상의 할로겐 원자로 치환되어 있어도 된다)
또한, 플루오로알킬기로 변성된 봉상 액정성 화합물, 원반상 액정성 화합물, 분기 구조를 가져도 되는 장쇄 지방족 알킬기를 함유한 중합성 화합물 등도 들 수 있다.
광학 이방체로 했을 경우의 공기 계면의 틸트각을 효과적으로 증가시키는 효과를 갖는 것으로서는, 질산셀룰로오스, 아세트산셀룰로오스, 프로피온산셀룰로오스, 부티르산셀룰로오스, 복소 방향족환염 변성된 봉상 액정성 화합물, 시아노기, 시아노알킬기로 변성된 봉상 액정성 화합물 등을 들 수 있다.
<연쇄이동제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 중합체나 광학 이방체와 기재와의 밀착성을 보다 향상시키기 위해서, 연쇄이동제를 함유할 수 있다. 연쇄이동제로서는, 방향족 탄화수소류, 클로로포름, 사염화탄소, 사브롬화탄소, 브로모트리클로로메탄 등의 할로겐화탄화수소류,
옥틸메르캅탄, n-부틸메르캅탄, n-펜틸메르캅탄, n-헥사데실메르캅탄, n-테트라데실메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-테트라데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄 등의 메르캅탄 화합물, 헥산디티올, 데칸디티올, 1,4-부탄디올비스티오프로피오네이트, 1,4-부탄디올비스티오글리콜레이트, 에틸렌글리콜비스티오글리콜레이트, 에틸렌글리콜비스티오프로피오네이트, 트리메틸올프로판트리스티오글리콜레이트, 트리메틸올프로판트리스티오프로피오네이트, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리트리톨테트라키스티오글리콜레이트, 펜타에리트리톨테트라키스티오프로피오네이트, 트리메르캅토프로피온산트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트, 1,4-디메틸메르캅토벤젠, 2,4,6-트리메르캅토-s-트리아진, 2-(N,N-디부틸아미노)-4,6-디메르캅토-s-트리아진 등의 티올 화합물, 디메틸잔토겐디설피드, 디에틸잔토겐디설피드, 디이소프로필잔토겐디설피드, 테트라메틸티우람디설피드, 테트라에틸티우람디설피드, 테트라부틸티우람디설피드 등의 설피드 화합물, N,N-디메틸아닐린, N,N-디비닐아닐린, 펜타페닐에탄, α-메틸스티렌 다이머, 아크롤레인, 알릴알코올, 테르피놀렌, α-테르피넨, γ-테르피넨, 디펜텐 등을 들 수 있지만, 2,4-디페닐-4-메틸-1-펜텐, 티올 화합물이 보다 바람직하다.
구체적으로는 하기 일반식(9-1)∼(9-12)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
식 중, R95은 탄소 원자수 2∼18의 알킬기를 나타내고, 당해 알킬기는 직쇄여도 되며 분기쇄여도 되고, 당해 알킬기 중의 하나 이상의 메틸렌기는 산소 원자, 및 황 원자가 상호 직접 결합하지 않는 것으로서, 산소 원자, 황 원자, -CO-, -OCO-, -COO-, 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 되고, R96은 탄소 원자수 2∼18의 알킬렌기를 나타내고, 당해 알킬렌기 중의 하나 이상의 메틸렌기는 산소 원자, 및 황 원자가 상호 직접 결합하지 않는 것으로서, 산소 원자, 황 원자, -CO-, -OCO-, -COO-, 또는 -CH=CH-로 치환되어 있어도 된다.
연쇄이동제는, 중합성 액정 화합물을 유기 용제에 혼합하고 가열 교반해서 중합성 용액을 조제하는 공정에서 첨가하는 것이 바람직하지만, 그 후의, 중합성 용액에 중합개시제를 혼합하는 공정에서 첨가해도 되고, 양쪽의 공정에서 첨가해도 된다.
연쇄이동제의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.5∼10질량%인 것이 바람직하고, 1.0∼5.0질량%인 것이 보다 바람직하다.
또한 물성 조정을 위하여, 중합성기를 갖지 않는 액정성 화합물이나 액정성이 없는 중합성 화합물도 필요에 따라서 첨가하는 것도 가능하다. 액정성이 없는 중합성 화합물은, 중합성 화합물을 유기 용제에 혼합하고 가열 교반해서 중합성 용액을 조제하는 공정에서 첨가하는 것이 바람직하지만, 중합성을 갖지 않는 액정성 화합물은, 그 후의, 중합성 용액에 중합개시제를 혼합하는 공정에서 첨가해도 되고, 양쪽의 공정에서 첨가해도 된다. 이들 화합물의 첨가량은 중합성 액정 조성물에 대해서, 20질량% 이하가 바람직하고, 10질량% 이하가 보다 바람직하고, 5질량% 이하가 보다 더 바람직하다.
<적외선 흡수제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 적외선 흡수제를 함유할 수 있다. 사용하는 적외선 흡수제는, 특히 한정은 없으며, 배향성을 흐트러뜨리지 않는 범위에서 공지 관용의 것을 함유할 수 있다.
상기 적외선 흡수제로서는, 시아닌 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 나프토퀴논 화합물, 디티올 화합물, 디임모늄 화합물, 아조 화합물, 알루미늄염 등을 들 수 있다.
구체적으로는, 디임모늄염 타입의 「NIR-IM1」, 알루미늄염 타입의 「NIR-AM1」(이상, 나가세켐텍가부시키가이샤제), 「카렌즈IR-T」, 「카렌즈IR-13F」(이상, 쇼와덴코가부시키가이샤제), 「YKR-2200」, 「YKR-2100」(이상, 야마모토가세이가부시키가이샤제), 「IRA908」, 「IRA931」, 「IRA955」, 「IRA1034」(이상, INDECO주식회사) 등을 들 수 있다.
<대전방지제>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 대전방지제를 함유할 수 있다. 사용하는 대전방지제는, 특히 한정은 없으며, 배향성을 흐트러뜨리지 않는 범위에서 공지 관용의 것을 함유할 수 있다.
그와 같은 대전방지제로서는, 설폰산염기 또는 인산염기를 분자 내에 적어도 1종류 이상 갖는 고분자 화합물, 4급암모늄염을 갖는 화합물, 중합성기를 갖는 계면활성제 등을 들 수 있다.
그 중에서도 중합성기를 갖는 계면활성제가 바람직하며, 예를 들면, 중합성기를 갖는 계면활성제 중, 음이온계의 것으로서, 「안톡스SAD」, 「안톡스MS-2N」(이상, 니혼뉴카자이가부시키가이샤제), 「아크아론KH-05」, 「아크아론KH-10」, 「아크아론KH-20」, 「아크아론KH-0530」, 「아크아론KH-1025」(이상, 다이이찌고교세야쿠가부시키가이샤제), 「아데카리아소프SR-10N」, 「아데카리아소프SR-20N」(이상 가부시키가이샤ADEKA제), 「라테무르PD-104」(가오가부시키가이샤제) 등의 알킬에테르계, 「라테무르S-120」, 「라테무르S-120A」, 「라테무르S-180P」, 「라테무르S-180A」(이상, 가오가부시키가이샤제), 「에레미놀JS-2」(산요가세이가부시키가이샤제) 등의 설포숙신산에스테르계, 「아크아론H-2855A」, 「아크아론H-3855B」, 「아크아론H-3855C」, 「아크아론H-3856」, 「아크아론HS-05」, 「아크아론HS-10」, 「아크아론HS-20」, 「아크아론HS-30」, 「아크아론HS-1025」, 「아크아론BC-05」, 「아크아론BC-10」, 「아크아론BC-20」, 「아크아론BC-1025」, 「아크아론BC-2020」(이상, 다이이찌고교세야쿠가부시키가이샤제), 「아데카리아소프SDX-222」, 「아데카리아소프SDX-223」, 「아데카리아소프SDX-232」, 「아데카리아소프SDX-233」, 「아데카리아소프SDX-259」, 「아데카리아소프SE-10N」, 「아데카리아소프SE-20N」(이상, 가부시키가이샤ADEKA제) 등의 알킬페닐에테르 또는 알킬페닐에스테르계, 「안톡스MS-60」, 「안톡스MS-2N」(이상, 니혼뉴카자이가부시키가이샤제), 「에레미놀RS-30」(산요가세이가부시키가이샤제) 등의 (메타)아크릴레이트황산에스테르계, 「H-3330P」(다이이찌고교세야쿠가부시키가이샤제), 「아데카리아소프PP-70」(가부시키가이샤ADEKA제) 등의 인산에스테르계를 들 수 있다.
한편, 중합성기를 갖는 계면활성제 중, 비이온계의 것으로서, 예를 들면, 「안톡스LMA-20」, 「안톡스LMA-27」, 「안톡스EMH-20」, 「안톡스LMH-20, 「안톡스SMH-20」(이상, 니혼뉴카자이가부시키가이샤제), 「아데카리아소프ER-10」, 「아데카리아소프ER-20」, 「아데카리아소프ER-30」, 「아데카리아소프ER-40」(이상, 가부시키가이샤ADEKA제), 「라테무르PD-420」, 「라테무르PD-430」, 「라테무르PD-450」(이상, 가오가부시키가이샤제) 등의 알킬에테르계, 「아크아론RN-10」, 「아크아론RN-20」, 「아크아론RN-30」, 「아크아론RN-50」, 「아크아론RN-2025」(이상, 다이이찌고교세야쿠가부시키가이샤제), 「아데카리아소프NE-10」, 「아데카리아소프NE-20」, 「아데카리아소프NE-30」, 「아데카리아소프NE-40」(이상, 가부시키가이샤ADEKA제) 등의 알킬페닐에테르계 또는 알킬페닐에스테르계, 「RMA-564」, 「RMA-568」, 「RMA-1114」(이상, 니혼뉴카자이가부시키가이샤제) 등의 (메타)아크릴레이트황산에스테르계를 들 수 있다.
그 밖의 대전방지제로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 프로폭시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, n-부톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, n-펜톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 프로폭시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, n-부톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, n-펜톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리테트라메틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리테트라메틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시테트라에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 헥사에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시헥사에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
상기 대전방지제는, 1종류만으로 사용할 수도 있으며 2종류 이상 조합해서 사용할 수도 있다. 상기 대전방지제의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량에 대하여, 0.001∼10중량%가 바람직하고, 0.01∼5중량%가 보다 바람직하다.
<색소>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 색소를 함유할 수 있다. 사용하는 색소는, 특히 한정은 없으며, 배향성을 흐트러뜨리지 않는 범위에서 공지 관용의 것을 함유할 수 있다.
상기 색소로서는, 예를 들면, 2색성 색소, 형광 색소 등을 들 수 있다. 그와 같은 색소로서는, 예를 들면, 폴리아조 색소, 안트라퀴논 색소, 시아닌 색소, 프탈로시아닌 색소, 페릴렌 색소, 페리논 색소, 스쿠아릴륨 색소 등을 들 수 있지만, 첨가하는 관점에서, 상기 색소는 액정성을 나타내는 색소가 바람직하다.
예를 들면, 미국특허 제2,400,877호 공보, Dreyer J. F., Phys. and Colloid Chem., 1948, 52, 808., "The Fixing of Molecular Orientation", Dreyer J. F., Journal de Physique, 1969, 4, 114., "Light Polarization from Films of Lyotropic Nematic Liquid Crystals", 및, J. Lydon, "Chromonics" in "Handbook of Liquid Crystals Vol.2B : Low Molecular Weight Liquid Crystals II", D. Demus, J. Goodby, G. W. Gray, H. W. Spiessm, V. Vill ed, Willey-VCH, P.981-1007(1998), Dichroic Dyes for Liquid Crystal Display A. V. lvashchenko
CRC Press, 1994년, 및 「기능성 색소 시장의 신전개」, 제1장, 1페이지, 1994년, CMC가부시키가이샤 발행 등에 기재된 색소를 사용할 수 있다.
2색성 색소로서는, 예를 들면, 이하의 식(d-1)∼식(d-8)
을 들 수 있다. 상기 2색성 색소 등의 색소의 첨가량은, 중합성 액정 조성물에 포함되는 액정성 화합물의 총량의 총량에 대하여, 0.001∼10중량%가 바람직하고, 0.01∼5중량%가 보다 바람직하다.
<필러>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 필요에 따라서 필러를 함유할 수 있다. 사용하는 필러는, 특히 한정은 없으며, 얻어진 중합물의 열전도성이 저하하지 않는 범위에서 공지 관용의 것을 함유할 수 있다.
상기 필러로서는, 예를 들면, 알루미나, 티타늄화이트, 수산화알루미늄, 탈크, 클레이, 마이카, 티탄산바륨, 산화아연, 유리 섬유 등의 무기질 충전재, 은분, 동분 등의 금속 분말이나 질화알루미늄, 질화붕소, 질화규소, 질화갈륨, 탄화규소, 마그네시아(산화알루미늄), 알루미나(산화알루미늄), 결정성 실리카(산화규소), 용융 실리카(산화규소) 등등의 열전도성 필러, 은나노 입자 등을 들 수 있다.
<그 밖의 액정성 화합물>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 일반식(1) 내지 일반식(7)의 액정성 화합물 이외에도, 중합성기를 하나 이상 갖는 액정성 화합물을 함유할 수 있다. 그러나, 첨가량이 너무 많으면, 위상차판으로서 사용했을 경우에 위상차비가 커질 우려가 있어, 첨가하는 경우는, 상기 일반식(1) 내지 일반식(7)으로 표시되는 중합성 액정성 화합물의 총량에 대해서 30질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 10질량% 이하가 더 바람직하고, 5질량% 이하가 특히 바람직하다.
그와 같은 액정성 화합물로서, 일반식(1-b) 내지 일반식(7-b)의 화합물을 들 수 있다.
(식 중, P11∼P74는 중합성기를 나타내고, S11∼S72는 스페이서기를 또는 단결합을 나타내지만, S11∼S72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고, X11∼X72는 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, X11∼X72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고(단, 각 P-(S-X)- 결합에는 -O-O-를 포함하지 않는다), MG11∼MG71는 각각 독립해서 식(b)을 나타내고,
(식 중, A83, A84는 각각 독립해서 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L2에 의해서 치환되어도 되지만, A83 및/또는 A84가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
Z83 및 Z84는 각각 독립해서 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CH₂CH₂-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, Z83 및/또는 Z84가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
M81은 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 1,4-시클로헥세닐기, 테트라히드로피란-2,5-디일기, 1,3-디옥산-2,5-디일기, 테트라히드로티오피란-2,5-디일기, 1,4-비시클로(2,2,2)옥틸렌기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 피라진-2,5-디일기, 티오펜-2,5-디일기, 1,2,3,4-테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 나프틸렌-1,4-디일기, 나프틸렌-1,5-디일기, 나프틸렌-1,6-디일기, 나프틸렌-2,6-디일기, 페난트렌-2,7-디일기, 9,10-디히드로페난트렌-2,7-디일기, 1,2,3,4,4a,9,10a-옥타히드로페난트렌-2,7-디일기, 벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디일기, 벤조[1,2-b:4,5-b']디셀레노펜-2,6-디일기, [1]벤조티에노[3,2-b]티오펜-2,7-디일기, [1]벤조셀레노페노[3,2-b]셀레노펜-2,7-디일기, 또는 플루오렌-2,7-디일기에서 선택되는 기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L2에 의해서 치환되어도 되고,
L2은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 니트로기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록시기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에서 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되지만, 화합물 내에 L2이 복수 존재할 경우 그들은 동일해도 되며 달라도 되고, m은 0 내지 8의 정수를 나타내고, j83 및 j84는 각각 독립해서 0 내지 5의 정수를 나타내지만, j83+j84는 1 내지 5의 정수를 나타낸다), R11 및 R31은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, m11은 0∼8의 정수를 나타내고, m2∼m7, n2∼n7, l4∼l6, k6은 각각 독립해서 0 내지 5의 정수를 나타낸다)
일반식(1-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(1-b-1) 내지 식(1-b-39)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, m11, n11은 각각 독립해서 1∼10의 정수를 나타내고, R111 및 R112은, 각각 독립해서 수소 원자, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 또는, 불소 원자를 나타내고, R113은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-가 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되는 탄소 원자수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분기상 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 된다) 이들 액정 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(2-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(2-b-1) 내지 식(2-b-33)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, m 및 n은 각각 독립해서 1∼18의 정수를 나타내고, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 시아노기를 나타낸다. 이들 기가 탄소수 1∼6의 알킬기, 혹은 탄소수 1∼6의 알콕시기일 경우, 전부가 미치환이거나, 혹은 하나 또는 둘 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 된다) 이들 액정 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(3-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(3-b-1) 내지 식(3-b-16)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(4-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(4-b-1) 내지 식(4-b-29)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, m 및 n은 각각 독립해서 1∼10의 정수를 나타낸다. R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 시아노기를 나타낸다. 이들 기가 탄소수 1∼6의 알킬기, 혹은 탄소수 1∼6의 알콕시기일 경우, 전부가 미치환이거나, 혹은 하나 또는 둘 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 된다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(5-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(5-b-1) 내지 식(5-b-26)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, n은 각각 독립해서 1∼10의 정수를 나타낸다. R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 시아노기를 나타낸다. 이들 기가 탄소수 1∼6의 알킬기, 혹은 탄소수 1∼6의 알콕시기일 경우, 전부가 미치환이거나, 혹은 하나 또는 둘 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 된다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(6-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(6-b-1) 내지 식(6-b-23)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, k, l, m 및 n은 각각 독립해서 1∼10의 정수를 나타낸다. R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 시아노기를 나타낸다. 이들 기가 탄소수 1∼6의 알킬기, 혹은 탄소수 1∼6의 알콕시기일 경우, 전부가 미치환이거나, 혹은 하나 또는 둘 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 된다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
일반식(7-b)으로 표시되는 화합물로서 구체적으로는, 하기의 식(7-b-1) 내지 식(7-b-25)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
(식 중, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 시아노기를 나타낸다. 이들 기가 탄소수 1∼6의 알킬기, 혹은 탄소수 1∼6의 알콕시기일 경우, 전부가 미치환이거나, 혹은 하나 또는 둘 이상의 할로겐 원자에 의해 치환되어 있어도 된다) 이들 액정성 화합물은, 단독으로 사용할 수도 있으며, 2종류 이상 혼합해서 사용할 수도 있다.
<배향 재료>
본 발명에 사용하는 중합성 액정 조성물은, 배향성을 향상시키기 위해서 배향성이 향상하는 배향 재료를 함유할 수 있다. 사용하는 배향 재료는, 본 발명의 중합성 조성물에 사용되는, 중합성기를 갖는 액정성 화합물을 용해시킬 수 있는 용제에 가용이면, 공지 관용의 것이면 되지만, 첨가함에 의해 배향성을 현저하게 열화(劣化)시키지 않는 범위에서 첨가할 수 있다. 구체적으로는, 중합성 액정 조성물에 포함되는 중합성 액정 화합물의 총량에 대해서 0.05∼30중량%가 바람직하고, 0.5∼15중량%가 더 바람직하고, 1∼10중량%가 특히 바람직하다.
배향 재료는 구체적으로는, 폴리이미드, 폴리아미드, BCB(벤조시클로부텐 폴리머), 폴리비닐알코올, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리페닐렌에테르, 폴리아릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 에폭시 수지, 에폭시아크릴레이트 수지, 아크릴 수지, 쿠마린 화합물, 칼콘 화합물, 신나메이트 화합물, 풀기드 화합물, 안트라퀴논 화합물, 아조 화합물, 아릴에텐 화합물 등, 광이성화, 또는, 광이량화하는 화합물을 들 수 있지만, 자외선 조사, 가시광 조사에 의해 배향하는 재료(광배향 재료)가 바람직하다.
광배향 재료로서는, 예를 들면, 환상 시클로알칸을 갖는 폴리이미드, 전방향족 폴리아릴레이트, 일본 특개5-232473호 공보에 나타나 있는 바와 같은 폴리비닐신나메이트, 파라메톡시신남산의 폴리비닐에스테르, 일본 특개평6-287453, 일본 특개평6-289374호 공보에 나타나 있는 바와 같은 신나메이트 유도체, 일본 특개2002-265541호 공보에 나타나 있는 바와 같은 말레이미드 유도체 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 이하의 식(12-1)∼식(12-7)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(식 중, R은 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소 원자수 1∼3의 알킬기, 알콕시기, 니트로기, R'는 수소 원자, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 말단의 CH₃는, CF₃, CCl₃, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기로 치환되어도 된다. n은 4∼100000을 나타내고, m은 1∼10의 정수를 나타낸다)
<기재>
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및 위상차판 2를 적층하는 기재는, 액정 표시 소자, 유기 발광 표시 소자, 그 외 표시 소자, 광학 부품, 착색제, 마킹, 인쇄물이나 광학 필름에 통상 사용하는 기재로서, 중합성 액정 조성물의 도포 후의 건조 시에 있어서의 가열에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 재료이면, 특히 제한은 없다. 그와 같은 기재로서는, 유리 기재, 금속 기재, 세라믹스 기재, 플라스틱 기재나 지(紙) 등의 유기 재료를 들 수 있다. 특히 기재가 유기 재료일 경우, 셀룰로오스 유도체, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리아릴레이트, 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 폴리페닐렌설피드, 폴리페닐렌에테르, 나일론 또는 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리에스테르, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 셀룰로오스 유도체, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트 등의 플라스틱 기재가 바람직하다. 기재의 형상으로서는, 평판 외에, 곡면을 갖는 것이어도 된다. 이들 기재는, 필요에 따라서, 일축 연신 또는 이축 연신되어 있어도 되고, 전극층, 반사 방지 기능, 반사 기능을 갖고 있어도 된다.
중합성 액정 조성물의 도포성이나 중합체와의 접착성 향상을 위하여, 이들 기재의 표면 처리를 행해도 된다. 표면 처리로서, 오존 처리, 플라스마 처리, 코로나 처리, 실란커플링 처리 등을 들 수 있다. 또한, 광의 투과율이나 반사율을 조절하기 위하여, 기재 표면에 유기 박막, 무기 산화물 박막이나 금속 박막 등을 증착 등 방법에 의해서 마련하거나, 또는, 광학적인 부가 가치를 붙이기 위해서, 기재가 픽업 렌즈, 로드 렌즈, 광디스크, 위상차 필름, 광확산 필름, 컬러 필터 등이어도 된다. 그 중에서도 부가 가치가 보다 높아지는 픽업 렌즈, 위상차 필름, 광확산 필름, 컬러 필터는 바람직하다.
<배향 처리>
또한, 상기 기재에는, 중합성 액정 조성물을 도포 건조했을 때에 액정성 화합물이 배향하도록, 통상 배향 처리가 실시되어 있거나, 혹은 배향막이 마련되어 있어도 된다. 배향 처리로서는, 연신 처리, 러빙 처리, 편광 자외가시광 조사 처리, 이온빔 처리, 기재에의 SiO₂의 사방(斜方) 증착 처리 등을 들 수 있다. 배향막을 사용할 경우, 배향막은 공지 관용의 것이 사용된다. 그와 같은 배향막으로서는, 폴리이미드, 폴리실록산, 폴리아미드, 폴리비닐알코올, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리페닐렌에테르, 폴리아릴레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 에폭시 수지, 에폭시아크릴레이트 수지, 아크릴 수지, 아조 화합물, 쿠마린 화합물, 칼콘 화합물, 신나메이트 화합물, 풀기드 화합물, 안트라퀴논 화합물, 아조 화합물, 아릴에텐 화합물 등의 화합물, 또는, 상기 화합물의 중합체나 공중합체를 들 수 있다. 러빙에 의해 배향 처리하는 화합물은, 배향 처리, 혹은 배향 처리의 후에 가열 공정을 넣음으로써 재료의 결정화가 촉진되는 것이 바람직하다. 러빙 이외의 배향 처리를 행하는 화합물 중에서는 광배향 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
일반적으로, 배향 기능을 갖는 기판에 액정 조성물을 접촉시켰을 경우, 액정 분자는 기판 부근에서 기판을 배향 처리한 방향을 따라 배향한다. 액정 분자가 기판과 수평으로 배향하는지, 경사 또는 수직해서 배향하는지는, 기판에의 배향 처리 방법에 의한 영향이 크다. 예를 들면, 인플레인 스위칭(IPS) 방식의 액정 표시 소자에 사용하는 프리틸트각이 아주 작은 배향막을 기판 상에 마련하면, 거의 수평으로 배향한 중합성 액정층이 얻어진다.
또한, TN형 액정 표시 소자에 사용하는 배향막을 기판 상에 마련한 경우는, 조금 배향이 경사진 중합성 액정층이 얻어지고, STN 방식의 액정 표시 소자에 사용하는 배향막을 사용하면, 크게 배향이 경사진 중합성 액정층이 얻어진다.
<도포>
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및 위상차판 2를 형성하는 중합성 액정 조성물의 도포법으로서는, 애플리케이터법, 바 코팅법, 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 다이렉트 그라비어 코팅법, 리버스 그라비어 코팅법, 플렉소 코팅법, 잉크젯법, 다이 코팅법, 캡 코팅법, 딥 코팅법, 슬릿 코팅법, 스프레이 코팅법 등, 공지 관용의 방법을 행할 수 있다. 중합성 액정 조성물을 도포 후, 건조시킨다.
도포 후, 중합성 액정 조성물의 액정 분자를 스멕틱상, 혹은 네마틱상을 유지한 상태에서 균일하게 배향시키는 것이 바람직하다. 그 방법의 하나로서, 열처리법을 들 수 있다. 구체적으로는, 본 발명의 중합성 액정 조성물을 기판 상에 도포 후, 당해 액정 조성물의 N(네마틱상)-I(등방성 액체상) 전이 온도(이하, N-I 전이 온도로 약기한다) 이상으로 가열해서, 당해 액정 조성물을 등방상 액체 상태로 한다. 거기에서, 필요에 따라 서냉(徐冷)해서 네마틱상을 발현시킨다. 이때, 일단 액정상을 나타내는 온도로 유지하고, 액정상 도메인을 충분히 성장시켜서 모노 도메인으로 하는 것이 바람직하다. 또는, 본 발명의 중합성 액정 조성물을 기판 상에 도포 후, 중합성 액정의 네마틱상이 발현하는 온도 범위 내에서 온도를 일정 시간 유지하는 가열 처리를 실시해도 된다.
가열 온도가 너무 높으면 중합성 액정이 바람직하지 않은 중합 반응을 일으켜서 열화할 우려가 있다. 또한, 너무 냉각하면, 중합성 액정이 상분리를 일으켜, 결정의 석출, 스멕틱상과 같은 고차 액정상을 발현하여, 배향 처리가 불가능하게 되는 경우가 있다.
이와 같은 열처리를 함으로써, 단순히 도포하는 것만의 도공 방법과 비교해서, 배향 결함이 적은 균질의 광학 이방체를 제작할 수 있다.
또한, 이와 같이 해서 균질의 배향 처리를 행한 후, 액정상이 상분리를 일으키지 않는 최저의 온도, 즉 과냉각 상태로 될 때까지 냉각하고, 당해 온도에 있어서 액정상을 배향시킨 상태에서 중합하면, 보다 배향 질서가 높고, 투명성이 우수한 위상차판을 얻을 수 있다.
<중합 공정>
건조한 중합성 액정 조성물의 중합 처리는, 균일하게 배향한 상태에서 일반적으로 가시자외선 등의 광조사, 또는 가열에 의해서 행해진다. 중합을 광조사로 행하는 경우는, 구체적으로는 420㎚ 이하의 가시자외광을 조사하는 것이 바람직하고, 250∼370㎚의 파장의 자외광을 조사하는 것이 가장 바람직하다. 단, 420㎚ 이하의 가시자외광에 의해 중합성 액정이 분해 등을 일으키는 경우는, 420㎚ 이상의 가시자외광으로 중합 처리를 행하는 편이 바람직한 경우도 있다.
<중합 방법>
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및 위상차판 2를 형성하는 중합성 액정 조성물을 중합시키는 방법으로서는, 활성 에너지선을 조사하는 방법이나 열중합법 등을 들 수 있지만, 가열을 필요로 하지 않고, 실온에서 반응이 진행하므로 활성 에너지선을 조사하는 방법이 바람직하고, 그 중에서도, 조작이 간편하므로, 자외선 등의 광을 조사하는 방법이 바람직하다. 조사 시의 온도는, 중합성 액정 조성물이 액정상을 유지할 수 있는 온도로 하고, 중합성 액정의 열중합의 유기를 피하기 위하여, 가능한 한 30℃ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또, 중합성 액정 조성물은, 통상적으로, 승온 과정에 있어서, C(고상(固相))-N(네마틱) 전이 온도(이하, C-N 전이 온도로 약기한다)부터, N-I 전이 온도 범위 내에서 액정상을 나타낸다. 한편, 강온 과정에 있어서는, 열역학적으로 비평형 상태를 취하기 때문에, C-N 전이 온도 이하에서도 응고하지 않고 액정 상태를 유지하는 경우가 있다. 이 상태를 과냉각 상태라 한다. 본 발명에 있어서는, 과냉각 상태에 있는 액정 조성물도 액정상을 유지하고 있는 상태에 포함하는 것으로 한다. 구체적으로는 390㎚ 이하의 자외광을 조사하는 것이 바람직하고, 250∼370㎚의 파장의 광을 조사하는 것이 가장 바람직하다. 단, 390㎚ 이하의 자외광에 의해 중합성 액정이 분해 등을 일으키는 경우는, 390㎚ 이상의 자외광으로 중합 처리를 행하는 편이 바람직한 경우도 있다. 이 광은, 확산광이며, 또한 편광하여 있지 않은 광인 것이 바람직하다. 자외선 조사 강도는, 0.05kW/㎡∼10kW/㎡의 범위가 바람직하다. 특히, 0.2kW/㎡∼2kW/㎡의 범위가 바람직하다. 자외선 강도가 0.05kW/㎡ 미만일 경우, 중합을 완료시키는데 다대한 시간이 걸린다. 한편, 2kW/㎡를 초과하는 강도에서는, 중합성 액정 조성물 중의 액정 분자가 광분해하는 경향이 있는 것이나, 중합열이 많이 발생해서 중합 중의 온도가 상승하여, 중합성 액정 조성물의 오더 파라미터가 변화해서, 중합 후의 위상차판의 위상차에 차질이 발생할 가능성이 있다.
마스크를 사용해서 특정의 부분만을 자외선 조사로 중합시킨 후, 당해 미중합 부분의 배향 상태를, 전장, 자장 또는 온도 등을 가해서 변화시키고, 그 후 당해 미중합 부분을 중합시키면, 서로 다른 배향 방향을 가진 복수의 영역을 갖는 위상차판을 얻을 수도 있다.
또한, 마스크를 사용해서 특정의 부분만을 자외선 조사로 중합시킬 때에, 미리 미중합 상태의 중합성 액정 조성물에 전장, 자장 또는 온도 등을 가해서 배향을 규제하고, 그 상태를 유지한 그대로 마스크 위로부터 광을 조사해서 중합시킴에 의해서도, 서로 다른 배향 방향을 가진 복수의 영역을 갖는 위상차판을 얻을 수 있다.
본 발명의 중합성 액정 조성물을 중합시켜서 얻어지는 광학 이방체는, 기판으로부터 박리해서 단체(單體)로 광학 이방체로서 사용할 수도 있으며, 기판으로부터 박리하지 않고 그대로 광학 이방체로서 사용할 수도 있다. 특히, 다른 부재를 오염하기 어려우므로, 피적층 기판으로서 사용하거나, 다른 기판에 첩합해서 사용하거나 할 때에 유용하다.
<적층 방법>
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및 위상차판 2의 적층 공정은 다음과 같다. 즉, 기재에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 2를 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합하고, 형성한 위상차판 2에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 1을 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합한다. 또는, 기재에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 1을 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합하고, 형성한 위상차판 1에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 2를 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합한다. 혹은, 기재에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 1을 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합하고, 기재의 위상차판 2와 반대측에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하여, 위상차판 2를 형성하는 중합성 액정 조성물을 도포 건조한 후에 중합한다. 적층한 위상차판 1 및 위상차판 2를 편광판, 도광판, 휘도 향상 필름, 컬러 필터, 표시 소자 기판, 보호 필름, 안티 글레어 필름, 안티 리플렉션 필름, 발광 소자 기판 등에 전사하고, 기재로부터 박리한 상태에서 위상차판을 사용해도 된다. 특히, 다른 부재를 오염하기 어려우므로, 피적층 기판으로서 사용하거나, 다른 기판에 첩합해서 사용하거나 할 때에 유용하다.
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및/또는 위상차판 2는 중합성 액정 조성물에 의해 형성되어 있기 때문에, 기재로부터 박리한 상태의 위상차판은 1∼5㎛이고, 기재 및 위상차를 포함한 두께는 20∼50㎛이고, 종래 기술에 비해서 두께를 1∼50%로 박형화할 수 있다.
본 발명에 사용하는 위상차판 1 및 위상차판 2의 적층 공정은, 광배향막을 적층한 배향 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 광배향막을 적층한 배향 처리에서는, 배향막을 형성하는 재료를 도포 건조한 후에 조사하는 편광 가시자외선광의 편광 진동 방향을 제어함에 의해, 위상차판 1의 지상축 및 위상차판 2의 지상축을 임의의 방향으로 조절할 수 있다.
따라서, 편광판의 투과축에 대해서 적절한 각도로 되도록 위상차판 1의 지상축 및 위상차판 2의 지상축을 미리 조절함에 의해, 편광판의 투과축과 위상차판의 지상축이 교차하도록 위상차판과 편광판을 적층하는 공정에서, 생산 효율이 매우 높은 롤-투-롤 방식을 채용할 수 있다.
<포지티브C 플레이트>
본 발명의 위상차판은, 위상차판 1 및 위상차판 2 외에, 포지티브C 플레이트를 적층해도 된다. 적층하는 장소는, 기재, 위상차판 1 및 위상차판 2의 어떠한 것의 사이여도 되며 외측이어도 된다. 바람직하게는, 위상차판 1 및 위상차판 2의 사이에 적층한다. 또는, 편광판과 위상차판 1의 사이에 적층한다. 적층하는 방법은, 접착제나 점착제 등으로 첩합해도 된다. 또한, 기재, 위상차판 1, 또는 위상차판 2 상에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리 등, 또는 수지로 이루어지는 중간층을 마련함에 의해, 포지티브C 플레이트를 직접 적층해도 된다. 혹은, 포지티브C 플레이트 상에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리 등, 또는 수지로 이루어지는 중간층을 마련함에 의해, 위상차판 1을 직접 적층해도 된다.
<원편광판>
본 발명의 원편광판은, 본 발명의 위상차판에 편광판을 적층해서 이루어진다. 당해 편광판은 본 발명의 위상차판의 위상차판 1측에 적층해서 이루어지지만, 위상차판 1과 반대측에 포지티브C 플레이트가 적층되어 있는 경우는, 포지티브C 플레이트 상이며, 위상차판 1과 반대측에 편광판을 적층해서 이루어진다. 적층하는 방법은, 접착제나 점착제 등으로 첩합해도 된다. 또한, 편광판 상에 러빙 처리나 광배향막을 적층한 배향 처리 등, 또는 수지로 이루어지는 중간층을 마련함에 의해, 위상차판을 직접 적층해도 된다. 이때 사용하는 편광판은, 색소를 도프한 필름 형태의 것이어도 되며, 와이어 그리드와 같은 금속상의 것이어도 된다.
본 발명의 위상차판과 편광판을 적층할 경우, 편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 위상차판 1의 지상축이 5∼25°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 65∼85°의 각도이고, 위상차판 1의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 위상차판 2의 지상축과의 사이로 되도록 적층한다. 바람직하게는, 위상차판 1의 지상축이 10∼20°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 70∼80°의 각도로 되도록 적층한다.
또는, 편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 위상차판 1의 지상축이 35∼55°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 125∼145°의 각도이고, 위상차판 1의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 위상차판 2의 지상축과의 사이로 되도록 적층한다. 바람직하게는, 위상차판 1의 지상축이 40∼50°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 130∼140°의 각도로 되도록 적층한다.
또는, 편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 위상차판 1의 지상축이 65∼85°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 5∼25°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 위상차판 1의 지상축과의 사이로 되도록 적층한다. 바람직하게는, 위상차판 1의 지상축이 70∼80°의 각도이고, 위상차판 2의 지상축이 10∼20°의 각도로 되도록 적층한다.
<표시 소자>
본 발명의 위상차판 또는 원편광판은 표시 소자에 사용할 수 있다. 사용 형태로서는, 광학 보상 필름, 액정 입체 표시 소자의 패턴화된 위상차 필름, 컬러 필터의 위상차 보정층, 오버 코트층, 액정 매체용의 배향막, 반사 방지 필름 등을 들 수 있다. 표시 소자는, 적어도 두 기재에 액정 매체층, TFT 구동 회로, 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층, 스페이서, 액정 매체층에 상응의 전극 회로가 최저한 협지(挾持)되어 있고, 경우에 따라서는, 광학 보상층, 컬러 필터의 오버 코트층, 편광판층, 터치패널용의 전극층이 두 기재 내에 협지되어도 된다.
<발광 소자>
본 발명의 위상차판 또는 원편광판은 발광 소자에 사용할 수 있다. 사용 형태로서는, 광학 보상 필름, 컬러 필터의 위상차 보정층, 오버 코트층, 반사 방지 필름 등을 들 수 있다. 발광 소자는, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층을 적층해서 이루어지고, 양단으로부터 전압을 가함에 의해 발광층 내에서 전자와 정공이 결합하고, 그 에너지가 발광 물질을 여기(勵起)시켜 발광한다. 이 발광 물질은 유기 화합물이어도 되며, 무기 화합물이어도 된다.
(실시예)
이하에 본 발명을 합성예, 실시예, 및, 비교예에 의해서 설명하지만, 본래 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다. 또, 특히 한정하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 질량 기준이다. 또한, 이하에 있어서, 본 발명의 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 위상차판을 적층 위상차판으로 표기한다.
[중합성 액정 조성물의 조정]
[중합성 액정 조성물(1)의 조제]
식(1-a-5)으로 표시되는 화합물 55부, 식(1-a-6)으로 표시되는 화합물 25부, 식(2-a-1)으로 표시되며, n=6인 화합물 10부, 식(2-a-1)으로 표시되며, n=3인 화합물 10부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(1)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(2)의 조제]
식(2-b-1)으로 표시되며, m=3인 화합물 50부, 식(2-b-1)으로 표시되며, m=4인 화합물 50부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(2)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(3)의 조제]
중합성 액정 조성물(1) 65부, 중합성 액정 조성물(2) 35부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(3)을 얻었다.
[위상차판 (1)∼(3)의 제작]
배향막용 폴리이미드 용액을, 실온에서, 두께 0.7㎜의 유리 기판에 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 100℃에서 10분 건조한 후, 200℃에서 60분 소성함에 의해 도막을 얻고, 얻어진 도막을 러빙 처리해서 기재를 얻었다. 조제한 중합성 액정 조성물(1)∼(3)을, 당해 기재에 스핀 코터로 도포한 후, 80℃에서 2분 건조했다. 그 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사하고 중합시켜, 위상차판 (1)∼(3)을 제작했다.
[위상차판 (1)∼(3)의 파장 분산의 평가]
위상차판 (1)∼(3)의 파장 400∼1000㎚에 있어서의 위상차를 분광 엘립소미터(J.A.Woollam사제 M-2000)를 사용해서 측정했다. 측정한 위상차로부터 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로서 위상차비를 산출했다. 얻어진 위상차비를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
표 1로부터, 중합성 액정 조성물(1)에 의해 형성된 위상차판(1)의 위상차비는 0.95 이하이고, 중합성 액정 조성물(2)에 의해 형성된 위상차판(2)의 위상차비는 1.05 초과이고, 중합성 액정 조성물(3)에 의해 형성된 위상차판(3)의 위상차비는 0.95 이상 1.05 이하인 것을 알 수 있다.
[연신 COP(환상 폴리올레핀) 필름(1)∼(2)의 제작]
두께 100㎛의 COP 필름(JSR사제 ARTON)을 175℃에서 25% 연신해서, 연신 COP 필름(1)을 얻었다. 마찬가지로 해서, 두께 100㎛의 COP 필름(JSR사제 ARTON)을 175℃에서 50% 연신해서, 연신 COP 필름(2)을 얻었다.
[연신 COP(환상 폴리올레핀) 필름(1)∼(2)의 파장 분산의 평가]
연신 COP 필름(1)∼(2)의 위상차비를, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 위상차비를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
표 2로부터, 연신 COP 필름(1)∼(2)의 위상차비는 0.95 이상 1.05 이하인 것을 알 수 있다.
(실시예 1∼3, 비교예 1∼6) 적층 위상차판(1)∼(9)의 제작
표 3에 나타낸 상층(위상차판 1)의 중합성 액정 조성물과 하층(위상차판 2)의 중합성 액정 조성물의 조합인 적층 위상차판(1)∼(9)을 다음의 수순으로 제작했다. 우선, 위상차가 없는 두께 0.50㎛의 TAC(트리아세틸셀룰로오스) 필름에, 광배향제 용액을 실온에서 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 100mJ/㎠이고, TAC 필름의 MD 방향을 기준으로 해서 편광 진동 방향이 75°로 되도록 세팅해서 편광 UV광을 조사했다. 다음으로, 위상차가 135㎚로 되도록 회전수를 조정해서 하층의 중합성 액정 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사해서 중합시켰다. 또한, 광배향제 용액을 실온에서 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 100mJ/㎠이고, TAC 필름의 MD 방향을 기준으로 해서 편광 진동 방향이 15°로 되도록 세팅해서 편광 UV광을 조사했다. 마지막으로, 위상차가 270㎚로 되도록 회전수를 조정해서 상층의 중합성 액정 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사해서 중합시켰다.
[표 3]
[적층 위상차판(1)∼(9)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(1)∼(9)의 반사 방지 성능의 평가를 다음의 수순으로 평가했다. 우선, 적층 위상차판(1)∼(9)에 대해서, TAC 필름의 MD 방향과 편광판의 투과축이 일치하도록 상층측에 편광판을 첩합하고, 그 반대측에 발광 소자인 OLED 패널을 첩합하여, 발광 소자를 얻었다. 다음으로, 분광 엘립소미터(J.A.Woollam사제 M-2000)를 사용해서, 입사광의 앙각(仰角)이 45°, 입사광의 방위각이 편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서 0°, 30°, 60°, 90°, 120°, 150°에 있어서의 각 발광 소자의 분광 반사율을 측정했다. 그 후, 측정한 각 분광 반사율에 대해서 D65 광원, 2도 시야의 측색 조건에 있어서의 삼자극값 X, Y, Z를 JIS Z 8722에 의거해서 산출하고, 산출한 각 삼자극값 X, Y, Z에 대해서 CIELAB 색공간에 있어서의 채도 C*를 JIS Z 8781에 의거해서 산출했다. 마지막으로, 각 발광 소자에 있어서 모든 입사광 방위각에 대한 채도 C*의 평균값을 산출했다. 반사 방지 성능의 평가 결과로서 얻어진 평균 채도를 표 4에 나타낸다.
[표 4]
표 4로부터, 실시예 1∼3의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 1∼6의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 높고, 반사광은 착색하여 있는 것을 알 수 있다.
(비교예 7) 적층 위상차판(10)의 제작
연신 COP 필름(1)을, 지상축이 기준으로 되는 일변에 대해서 75°로 되도록 5㎝각의 정방형으로 잘라내고, 마찬가지로 연신 COP 필름(2)을, 지상축이 기준으로 되는 일변에 대해서 15°로 되도록 5㎝각의 정방형으로 잘라내고, 잘라낸 연신 COP 필름(1)∼(2)을 기준으로 되는 일변이 겹치도록 점착제로 첩합하여, 적층 위상차판(10)을 작성했다.
[표 5]
[적층 위상차판(10)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(10)의 반사 방지 성능을, 연신 COP 필름의 기준으로 되는 일변과 편광판의 투과축이 일치하도록 편광판을 첩합한 것을 제외하고, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 6에 나타낸다.
[표 6]
표 6으로부터, 비교예 7의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 높고, 반사광은 착색하여 있는 것을 알 수 있다.
[중합성 액정 조성물(4)의 조제]
식(1-a-5)으로 표시되는 화합물 10부, 식(1-a-6)으로 표시되는 화합물 20부, 식(1-a-82)으로 표시되는 화합물 15부, 식(2-a-44)으로 표시되며, n=6인 화합물 40부, 식(2-a-45)으로 표시되며, n=6인 화합물 15부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(4)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(5)의 조제]
식(1-a-1)으로 표시되는 화합물 60부, 식(1-a-82)으로 표시되는 화합물 20부, 식(2-a-45)으로 표시되며, n=6인 화합물 20부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(5)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(6)의 조제]
식(1-a-2)으로 표시되는 화합물 50부, 식(1-a-83)으로 표시되는 화합물 30부, 식(2-a-44)으로 표시되며, n=6인 화합물 20부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(6)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(7)의 조제]
식(2-a-42)으로 표시되며, n=6인 화합물 90부, 식(2-a-41)으로 표시되며, n=6인 화합물 10부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(7)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(8)의 조제]
식(1-a-6)으로 표시되는 화합물 30부, 식(1-a-1)으로 표시되는 화합물 20부, 식(1-a-3)으로 표시되는 화합물 10부, 식(1-a-84)으로 표시되는 화합물 20부, 식(2-a-1)으로 표시되며, n=3인 화합물 20부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(8)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(9)의 조제]
중합성 액정 조성물(4) 65부, 중합성 액정 조성물(2) 35부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 교반 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(9)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(10)의 조제]
중합성 액정 조성물(5) 65부, 중합성 액정 조성물(2) 35부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 교반 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(10)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(11)의 조제]
중합성 액정 조성물(6) 65부, 중합성 액정 조성물(2) 35부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 교반 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(11)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(12)의 조제]
중합성 액정 조성물(7) 70부, 중합성 액정 조성물(2) 30부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 교반 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(12)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(13)의 조제]
중합성 액정 조성물(8) 70부, 중합성 액정 조성물(2) 30부를, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 교반 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반해서 중합성 액정 조성물(13)을 얻었다.
[위상차판(4)∼(13)의 제작]
중합성 액정 조성물(4)∼(13)을 사용하여, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 위상차판(4)∼(13)을 제작했다.
[위상차판(4)∼(13)의 파장 분산의 평가]
위상차판(4)∼(13)의 위상차비를, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 위상차비를 표 7에 나타낸다.
[표 7]
표 7로부터, 위상차판(4)∼(8)의 위상차비는 0.95 이하이고, 중합성 액정 위상차판(9)∼(13)의 위상차비는 0.95 이상 1.05 이하인 것을 알 수 있다.
(실시예 4∼18) 적층 위상차판(11)∼(25)의 제작
표 8에 나타낸 상층(위상차판 1)의 중합성 액정 조성물과 하층(위상차판 2)의 중합성 액정 조성물의 조합인 적층 위상차판(11)∼(25)을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 제작했다.
[표 8]
[적층 위상차판(11)∼(25)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(11)∼(25)의 반사 방지 성능을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 9에 나타낸다.
[표 9]
표 9로부터, 실시예 4∼18의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다.
[중합성 액정 조성물(14)의 조제]
식(2-a-43)으로 표시되며, n=6인 화합물 85부, 식(1-a-83)으로 표시되는 화합물 15부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 톨루엔 400부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(14)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(15)의 조제]
식(2-a-42)으로 표시되며, n=6인 화합물 50부, 식(2-a-42)으로 표시되며, n=3인 화합물 50부, 이르가큐어907(Irg907 : BASF재팬가부시키가이샤제) 3부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 메틸에틸케톤 200부, 톨루엔 200부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(15)을 얻었다.
[위상차판(14)∼(15)의 제작]
중합성 액정 조성물(14)∼(15)을 사용하여, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 위상차판(14)∼(15)을 제작했다.
[위상차판(14)∼(15)의 파장 분산의 평가]
위상차판(14)∼(15)의 위상차비를, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 위상차비를 표 10에 나타낸다.
[표 9]
표 10으로부터, 위상차판(14)의 위상차비는 0.95 이상 1.05 이하, 위상차판(15)의 위상차비는 0.95 이하인 것을 알 수 있다.
(실시예 19∼33) 적층 위상차판(26)∼(40)의 제작
표 11에 나타낸 상층(위상차판 1)의 중합성 액정 조성물과 하층(위상차판 2)의 중합성 액정 조성물의 조합인 적층 위상차판(26)∼(40)을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 제작했다.
[표 10]
[적층 위상차판(26)∼(40)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(26)∼(40)의 반사 방지 성능을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 12에 나타낸다.
[표 11]
표 12로부터, 실시예 19∼33의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다.
(실시예 34∼39) 적층 위상차판(41)∼(46)의 제작
표 13에 나타낸 상층(위상차판 1)의 중합성 액정 조성물과 하층(위상차판 2)의 연신 COP 필름의 조합인 적층 위상차판(41)∼(46)을 다음의 수순으로 제작했다. 우선, 연신 COP 필름을, 지상축이 기준으로 되는 일변에 대해서 75°로 되도록 5㎝각의 정방형으로 잘라냈다. 다음으로, 잘라낸 연신 COP 필름에, 광배향제 용액을 실온에서 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 100mJ/㎠이고, 연신 COP 필름의 기준으로 되는 일변에 대해서 편광 진동 방향이 15°로 되도록 세팅해서 편광 UV광을 조사했다. 마지막으로, 위상차가 270㎚로 되도록 회전수를 조정해서 상층의 중합성 액정 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사해서 중합시켰다.
[표 12]
[적층 위상차판(41)∼(46)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(41)∼(46)의 반사 방지 성능을, 연신 COP 필름의 기준으로 되는 일변과 편광판의 투과축이 일치하도록 편광판을 첩합한 것을 제외하고, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 14에 나타낸다.
[표 13]
표 14로부터, 실시예 34∼39의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다.
(실시예 40∼45) 적층 위상차판(47)∼(52)의 제작
표 15에 나타낸 상층(위상차판 1)의 연신 COP 필름과 하층(위상차판 2)의 중합성 액정 조성물의 조합인 적층 위상차판(47)∼(52)을 다음의 수순으로 제작했다. 우선, 연신 COP 필름을, 지상축이 기준으로 되는 일변에 대해서 15°로 되도록 5㎝각의 정방형으로 잘라냈다. 다음으로, 잘라낸 연신 COP 필름에, 광배향제 용액을 실온에서 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 100mJ/㎠이고, 연신 COP 필름의 기준으로 되는 일변에 대해서 편광 진동 방향이 75°로 되도록 세팅해서 편광 UV광을 조사했다. 마지막으로, 위상차가 135㎚로 되도록 회전수를 조정해서 하층의 중합성 액정 조성물을 스핀 코터로 도포하고, 80℃에서 2분 건조한 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사해서 중합시켰다.
[표 14]
[적층 위상차판(47)∼(52)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(47)∼(52)의 반사 방지 성능을, 연신 COP 필름의 기준으로 되는 일변과 편광판의 투과축이 일치하도록 편광판을 첩합한 것을 제외하고, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 16에 나타낸다.
[표 15]
표 16으로부터, 실시예 40∼45의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다.
[중합성 액정 조성물(16)의 조제]
식(2-a-59)으로 표시되며, n=6인 화합물 70부, 식(2-a-60)으로 표시되며, n=6인 화합물 30부, 이르가큐어OXE01(Irg.OXE01 : BASF재팬가부시키가이샤제) 5부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 메틸에틸케톤 200부, 톨루엔 200부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(16)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(17)의 조제]
식(1-a-102)으로 표시되는 화합물 20부, 식(2-a-59)으로 표시되며, n=6인 화합물 60부, 식(2-a-60)으로 표시되며, n=6인 화합물 20부, 이르가큐어OXE01(Irg.OXE01 : BASF재팬가부시키가이샤제) 5부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 메틸에틸케톤 200부, 톨루엔 200부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(17)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(18)의 조제]
식(1-a-105)으로 표시되는 화합물 30부, 식(2-a-59)으로 표시되며, n=6인 화합물 40부, 식(2-a-60)으로 표시되며, n=6인 화합물 30부, 이르가큐어OXE01(Irg.OXE01 : BASF재팬가부시키가이샤제) 5부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 메틸에틸케톤 200부, 톨루엔 200부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(18)을 얻었다.
[중합성 액정 조성물(19)의 조제]
식(1-a-102)으로 표시되는 화합물 20부, 식(1-a-105)으로 표시되는 화합물 10부, 식(2-a-59)으로 표시되며, n=6인 화합물 40부, 식(2-a-60)으로 표시되며, n=6인 화합물 30부, 이르가큐어OXE01(Irg.OXE01 : BASF재팬가부시키가이샤제) 5부, 및 메가팩F-554(F-554 : DIC가부시키가이샤제) 0.2부를 유기 용매인 메틸에틸케톤 200부, 톨루엔 200부에, 교반 프로펠러를 갖는 교반 장치를 사용해서, 교반 속도가 500rpm, 용액 온도가 60℃인 조건 하에서 1시간 교반 후, 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 중합성 액정 조성물(19)을 얻었다.
[위상차판(16)∼(19)의 제작]
배향막용 폴리이미드 용액을, 실온에서, 두께 0.7㎜의 유리 기판에 스핀 코트법을 사용해서 도포하고, 100℃에서 10분 건조한 후, 200℃에서 60분 소성함에 의해 도막을 얻고, 얻어진 도막을 러빙 처리해서 기재를 얻었다. 조제한 중합성 액정 조성물(16)∼(19)을, 당해 기재에 스핀 코터로 도포한 후, 90℃에서 2분 건조했다. 그 후, 적산 광량이 600mJ/㎠로 되도록 세팅해서 UV광을 조사해서 중합시켜, 위상차판(16)∼(19)을 제작했다.
[위상차판(16)∼(19)의 파장 분산의 평가]
위상차판(16)∼(19)의 위상차비를, 위상차판 (1)∼(3)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 위상차비를 표 17에 나타낸다.
[표 16]
표 17로부터, 위상차판(16)∼(19)의 위상차비는 0.95 이하인 것을 알 수 있다.
(실시예 46∼57) 적층 위상차판(53)∼(64)의 제작
표 18에 나타낸 상층(위상차판 1)의 중합성 액정 조성물과 하층(위상차판 2)의 중합성 액정 조성물의 조합인 적층 위상차판(53)∼(64)을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 제작했다.
[표 17]
[적층 위상차판(53)∼(64)의 반사 방지 성능의 평가]
적층 위상차판(53)∼(64)의 반사 방지 성능을, 적층 위상차판(1)∼(9)의 경우와 마찬가지로 해서 구했다. 얻어진 반사 방지 성능을 표 19에 나타낸다.
[표 18]
표 19로부터, 실시예 19∼33의 적층 위상차판을 사용한 발광 소자에서는 경사 45°로부터 입사한 광에 대한 반사광의 채도가 낮고, 반사광은 착색이 없는 무채색인 것을 알 수 있다.
Claims (13)
- 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 두 위상차판을 적층해서 이루어지는 위상차판으로서, 위상차판 1 및 위상차판 2의 적어도 한쪽이 중합성 액정 조성물의 중합체에 의해 형성되어 있고, 위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차가 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차보다 크고, 위상차판 1 및 위상차판 2 중 한쪽의 위상차판의 파장 450㎚에 있어서의 위상차 Re(450)와 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re(550)의 비 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 0.95 이하이고, 다른 쪽의 위상차판의 Re(450)/Re(550)로 표시되는 위상차비가 1.05 이하인 위상차판.
- 제1항에 있어서,
상기 위상차판 1 및 상기 위상차판 2의 양쪽의 위상차판의 위상차비가 0.95 이하인 위상차판. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 중합성 액정 조성물이 일반식(1)∼(7) 중 어느 하나의 액정성 화합물을 적어도 하나 함유하는 위상차판.
(식 중, P11∼P74는 중합성기를 나타내고,
S11∼S72는 스페이서기를 또는 단결합을 나타내지만, S11∼S72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
X11∼X72는 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, X11∼X72가 복수 존재할 경우 그들은 각각 동일해도 되며 달라도 되고(단, 각 P-(S-X)- 결합에는 -O-O-를 포함하지 않는다),
MG11∼MG71는 각각 독립해서 식(a)을 나타내고,
(식 중,
A11, A12는 각각 독립해서 1,4-페닐렌기, 1,4-시클로헥실렌기, 피리딘-2,5-디일기, 피리미딘-2,5-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 테트라히드로나프탈렌-2,6-디일기, 데카히드로나프탈렌-2,6-디일기 또는 1,3-디옥산-2,5-디일기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되지만, A11 및/또는 A12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
Z11 및 Z12는 각각 독립해서 -O-, -S-, -OCH₂-, -CH₂O-, -CH₂CH₂-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -SCH₂-, -CH₂S-, -CF₂O-, -OCF₂-, -CF₂S-, -SCF₂-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -COO-CH₂CH₂-, -OCO-CH₂CH₂-, -CH₂CH₂-COO-, -CH₂CH₂-OCO-, -COO-CH₂-, -OCO-CH₂-, -CH₂-COO-, -CH₂-OCO-, -CH=CH-, -N=N-, -CH=N-, -N=CH-, -CH=N-N=CH-, -CF=CF-, -C≡C- 또는 단결합을 나타내지만, Z11 및/또는 Z12가 복수 나타나는 경우는 각각 동일해도 되며 달라도 되고,
M은 하기의 식(M-1) 내지 식(M-11)
에서 선택되는 기를 나타내지만, 이들 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되고,
G는 하기의 식(G-1) 내지 식(G-6)
(식 중, R3은 수소 원자, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고,
W81는 적어도 하나의 방향족기를 갖는, 탄소 원자수 5 내지 30의 기를 나타내지만, 당해 기는 무치환 또는 하나 이상의 L1에 의해서 치환되어도 되고,
W82는 수소 원자 또는 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 혹은 W82는 W81와 마찬가지의 의미를 나타내도 되고, W81 및 W82는 서로 연결하여 동일한 환 구조를 형성해도 되고, 또는 W82는 하기의 기
(식 중, PW82는 P11와 같은 의미를 나타내고, SW82는 S11와 같은 의미를 나타내고, XW82는 X11와 같은 의미를 나타내고, nW82은 m11과 같은 의미를 나타낸다)을 나타내고, W83 및 W84는 각각 독립해서 할로겐 원자, 시아노기, 히드록시기, 니트로기, 카르복시기, 카르바모일옥시기, 아미노기, 설파모일기, 적어도 하나의 방향족기를 갖는 탄소 원자수 5 내지 30의 기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소 원자수 3 내지 20의 시클로알케닐기, 탄소 원자수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소 원자수 2 내지 20의 아실옥시기, 또는, 탄소 원자수 2 내지 20의 알킬카르보닐옥시기를 나타내지만, 상기 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알콕시기, 아실옥시기, 알킬카르보닐옥시기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, 단, 상기 M이 식(M-1)∼식(M-10)에서 선택될 경우 G는 식(G-1)∼식(G-5)에서 선택되고, M이 식(M-11)일 경우 G는 식(G-6)을 나타내고,
L1은 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 니트로기, 이소시아노기, 아미노기, 히드록시기, 메르캅토기, 메틸아미노기, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디이소프로필아미노기, 트리메틸실릴기, 디메틸실릴기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO-, -CH=CH-COO-, -CH=CH-OCO-, -COO-CH=CH-, -OCO-CH=CH-, -CH=CH-, -CF=CF- 또는 -C≡C-에서 선택되는 기에 의해서 치환되어도 되지만, 화합물 내에 L1이 복수 존재할 경우 그들은 동일해도 되며 달라도 되고,
j11은 1 내지 5의 정수, j12는 1∼5의 정수를 나타내지만, j11+j12는 2 내지 5의 정수를 나타낸다), R11 및 R31은 수소 원자, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 펜타플루오로설퓨라닐기, 시아노기, 니트로기, 이소시아노기, 티오이소시아노기, 또는, 탄소 원자수 1 내지 20의 알킬기를 나타내지만, 당해 알킬기는 직쇄상이어도 되며 분기상이어도 되고, 당해 알킬기 중의 임의의 수소 원자는 불소 원자로 치환되어도 되고, 당해 알킬기 중의 1개의 -CH₂- 또는 인접하고 있지 않은 2개 이상의 -CH₂-는 각각 독립해서 -O-, -S-, -CO-, -COO-, -OCO-, -CO-S-, -S-CO-, -O-CO-O-, -CO-NH-, -NH-CO- 또는 -C≡C-에 의해서 치환되어도 되고, m11은 0∼8의 정수를 나타내고, m2∼m7, n2∼n7, l4∼l6, k6은 각각 독립해서 0 내지 5의 정수를 나타낸다) - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 위상차판 1의 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re1(550)이 230∼290㎚이고, 상기 위상차판 2의 파장 550㎚에 있어서의 위상차 Re2(550)가 115∼145㎚인 위상차판. - 제1항 내지 제4항에 기재된 위상차판에 포지티브C 플레이트를 적층해서 이루어지는 위상차판.
- 제1항 내지 제5항에 기재된 위상차판에 편광판을 적층해서 이루어지는 원편광판.
- 제6항에 있어서,
편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 상기 위상차판 1의 지상축이 5∼25°의 각도이고, 상기 위상차판 2의 지상축이 65∼85°의 각도이고, 상기 위상차판 1의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 상기 위상차판 2의 지상축과의 사이에 있는 원편광판. - 제6항에 있어서,
편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 상기 위상차판 1의 지상축이 35∼55°의 각도이고, 상기 위상차판 2의 지상축이 125∼145°의 각도이고, 상기 위상차판 1의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 상기 위상차판 2의 지상축과의 사이에 있는 원편광판. - 제6항에 있어서,
편광판의 투과축 방향을 기준으로 해서, 상기 위상차판 1의 지상축이 65∼85°의 각도이고, 상기 위상차판 2의 지상축이 5∼25°의 각도이고, 상기 위상차판 2의 지상축이 편광판의 투과축 방향과 상기 위상차판 1의 지상축과의 사이에 있는 원편광판. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 위상차판을 포함하는 표시 소자.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 위상차판을 포함하는 발광 소자.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 원편광판을 포함하는 표시 소자.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 원편광판을 포함하는 발광 소자.
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