KR20170104738A - 전자 소자 모듈 및 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법 - Google Patents

전자 소자 모듈 및 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 제1 면 및 제2 면을 가지고 서로 분리된 제1 및 제2 도전성 부재를 포함하는 기판과, 기판의 제1 면 상에서 소정의 실장 공간을 제공하며 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 금속 하우징과, 기판의 제2 면 상에 배치되어 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 터미널을 포함할 수 있다.

Description

전자 소자 모듈 및 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법{Electric component module and method for measuring shielding therein}
본 발명은 전자 소자 모듈 및 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자 소자 모듈은 전자파 방사의 차폐를 고려하여 설계될 수 있다. 이러한 전자 소자 모듈은 필수적으로 차폐 측정 과정을 거치게 된다.
최근 기술성장에 따라 전자 소자 모듈은 고집적화, 소형화 및 박형화되어 가고 있다. 이에 따라, 전자 소자 모듈에 대한 차폐 측정은 점차 어려워지고 있다. 예를 들어, 최근의 전자 소자 모듈은 차폐 측정 과정에서 손상될 수 있으며, 차폐 측정 정확도에 악영향을 줄 수 있다.
공개특허공보 2007-0080783호
본 발명의 일 실시 예는 전자 소자 모듈 및 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 제1 면 및 제2 면을 가지고, 서로 분리된 제1 및 제2 도전성 부재를 포함하는 기판; 상기 기판의 제1 면 상에서 소정의 실장 공간을 제공하며, 상기 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 금속 하우징; 및 상기 기판의 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 터미널; 을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법은, 제1 면이 차폐(shielding)되는 기판의 제2 면 상의 적어도 하나의 영역에 제1 측정 단자를 접촉하는 단계; 상기 제2 면 상에서 상기 적어도 하나의 영역 이외의 영역에 제2 측정 단자를 접촉하는 단계; 및 상기 제1 측정 단자와 상기 제2 측정 단자의 사이의 전압 및/또는 전류를 측정하는 단계; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 금속 하우징의 손상을 방지하면서 측정 정확도를 향상시킬 수 있는 차폐 측정 환경을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정시 전류를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정시 전류를 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈에 포함된 도전성 부재를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 하면을 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈에 포함된 복수의 터미널을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법을 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법을 나타낸 순서도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭한다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 실시 예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 기판(110) 및 금속 하우징(120)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 제1 도전성 부재(111), 제2 도전성 부재(112) 및 절연성 부재(119)를 포함할 수 있다. 상기 기판(110)은 적어도 하나의 절연성 부재와 적어도 하나의 도전성 부재가 적층된 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(110)은 세라믹 기판, 인쇄 회로 기판 및 유연성 기판 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
금속 하우징(120)은 기판(110)의 일면을 수용할 수 있다. 이에 따라, 기판(110)의 일면은 외부의 물리적/전기적 충격으로부터 보호될 수 있다.
또한, 상기 금속 하우징(120)의 적어도 일부는 금속으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 하우징(120)은 금속 캡에 플라스틱으로 덮인 형태를 가질 수 있으며, 내부면 또는 외부면이 금속으로 도금된 형태를 가질 수 있으며, 전체가 금속으로 이루어질 수도 있다.
이에 따라, 기판(110)의 일면은 외부로부터 유입될 수 있는 전자파를 차폐할 수 있으며, 내부에서 발생한 전자파가 외부로 확산되는 것을 방지할 수 있으며, 내부에서 발생한 열을 효율적으로 분산할 수도 있다. 이러한 차폐 성능은 상기 금속 하우징(120)내의 금속 분포에 따라 달라질 수 있다. 이러한 금속 분포는 도전성 측정에 의해 측정될 수 있다.
상기 금속 하우징(120)은 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112)가 기판(110)의 측면 상으로 노출될 경우, 상기 금속 하우징(120)은 기판(110)의 측면에 접함으로써 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 및 제2 도전성 부재(111, 112) 중 적어도 하나가 그라운드 전압을 제공할 경우, 상기 금속 하우징(120)의 차폐 성능은 향상될 수 있다. 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112) 중 적어도 하나의 전기적 연결 정도는 상기 금속 하우징(120)에 대한 도전성 측정에 의해 측정될 수 있다.
상기 금속 하우징(120)의 도전성은 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112)를 통해 측정될 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 하우징(120)의 도전성은 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112) 각각에 제1 및 제2 측정단자가 접촉한 상태에서 제1 및 제2 측정단자 각각에 특정 전압을 인가하는 방법을 통해 측정될 수 있다.
제1 및 제2 도전성 부재(111, 112)가 기판(110)에 포함되므로, 제1 및 제2 측정단자는 금속 하우징(120)에 직접 접촉되는 대신 기판(110)에 접촉될 수 있다. 이에 따라, 금속 하우징(120)과 측정단자의 직접적인 접촉에 의한 금속 하우징(120)의 손상은 예방될 수 있다. 또한, 금속 하우징(120)의 접촉 지점에 따른 측정 오차가 측정결과에 반영되지 않으므로, 금속 하우징(120)의 도전성 측정 정확도는 향상될 수 있다.
또한, 제1 및 제2 도전성 부재(111, 112) 중 하나만 그라운드 전압을 제공할 경우, 다른 하나는 금속 하우징(120)의 도전성 측정에 효율적으로 설계될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전성 부재(111)가 그라운드 전압을 제공할 경우, 제2 도전성 부재(112)는 금속 하우징(120)의 도전성 측정에 적합한 저항을 가지도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 금속 하우징(120)의 도전성 측정 정밀도는 향상될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 기판(210), 금속 하우징(220), 전자 소자(230), 제1 터미널(241), 제2 터미널(242) 및 제3 터미널(243)을 포함할 수 있다.
기판(210)은 제1, 제2 및 제3 도전성 부재(211, 212, 213) 및 절연성 부재(119)를 포함할 수 있다. 상기 제3 도전성 부재(213)는 금속 하우징(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.
예를 들어, 금속 하우징(220)에서 제2 도전성 부재(212)가 연결되는 면과 제3 도전성 부재(213)가 연결되는 면은 서로 다를 수 있다. 따라서, 제3 도전성 부재(213)는 기판(210)과 금속 하우징(220) 사이의 추가적인 경로를 제공할 수 있다. 상기 경로에 대해 도 3 및 도 4를 참조하여 후술한다.
전자 소자(230)는 기판(210)의 일면 상에 배치되고 금속 하우징(220)에 의해 수용될 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 소자(230)는 제1, 제2 및 제3 터미널(241, 242, 243)을 통해 전압 및 신호를 받아서 무선통신 신호나 전원을 처리하는 동작 등을 수행할 수 있다.
이러한 전자 소자(230)의 동작에 따라 전자파 및 열이 발생할 수 있다. 상기 전자파는 금속 하우징(220)에 의해 차폐될 수 있고, 상기 열은 금속 하우징(220)에 의해 효율적으로 분산될 수 있다.
제1, 제2 및 제3 터미널(241, 242, 243)은 기판(210)의 하면에 배치되어 각각 제1, 제2 및 제3 도전성 부재(211, 212, 213)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1, 제2 및 제3 터미널(241, 242, 243)은 패드 또는 핀으로 구현될 수 있다.
상기 패드는 낙하 및 열충격 등으로부터 전자 소자(230)를 보호할 수 있으므로, 전자 소자(230)에 전기적으로 연결되지 않을 수 있다. 따라서, 그라운드를 제공하는 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 터미널은 핀 형태로 구현되고, 금속 하우징의 도전성 측정에 맞춰서 설게된 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 터미널은 패드 형태로 구현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정시 전류를 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은 제1 터미널(241), 제1 도전성 부재(211), 금속 하우징(220), 제2 도전성 부재(212) 및 제2 터미널(242) 순으로 흐르는 전류(I1)를 통해 금속 하우징(220)의 차폐를 측정할 수 있다.
이에 따라, 금속 하우징(220)의 도전성 및 금속 하우징의 도전성 부재에 대한 연결 저항은 측정될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정시 전류를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은 제3 터미널(243), 제3 도전성 부재(213), 금속 하우징(220), 제2 도전성 부재(212) 및 제2 터미널(242) 순으로 흐르는 전류(I2)를 통해 금속 하우징(220)의 차폐를 측정할 수 있다.
도 3에 도시된 전류(I1)과 도 4에 도시된 전류(I2)의 비교를 통해, 금속 하우징(220)의 도전성과 금속 하우징의 도전성 부재에 대한 연결 저항은 서로 구분될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈에 포함된 도전성 부재를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 도전성 부재는 제1 도전성 부재(311), 제2 도전성 부재(312), 제3 도전성 부재(313), 제4 도전성 부재(314) 및 제5 도전성 부재(315)로 구현될 수 있다.
제1 도전성 부재(311)는 육면체에서 적어도 하나의 영역이 관통된 형태를 가질 수 있다. 상기 적어도 하나의 영역의 위치는 육면체의 꼭지점일 수 있다.
제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)는 상기 적어도 하나의 영역에서 제1 도전성 부재(311)로부터 분리되어 배치될 수 있으며, 제1 도전성 부재(311)의 형태와 다른 형태를 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)는 서로 동일한 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 금속 하우징(320)에 대한 측정시 사용되는 도전성 부재의 선택 자유도는 향상될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)는 금속 하우징(320)에 접하는 면적이 작도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 상기 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)와 금속 하우징(320)간의 접촉 저항은 커질 수 있다. 이에 따라, 금속 하우징(320)에 대한 측정 정밀도는 향상될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 내지 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)는 하기의 수학식 1에 따라 배치될 수 있다. 여기서, 상기 금속 하우징에서 상기 제2 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제3 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d1이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제3 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제4 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d2이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제4 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제5 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d3이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제5 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제2 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d4이다.
Figure pat00001
이에 따라, 금속 하우징(320)에 대한 측정시 사용되는 도전성 부재의 선택 자유도는 향상될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 하면을 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(311, 312, 313, 314, 315), 금속 하우징(320), 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 터미널(341, 342, 343, 344, 345) 및 도체 패턴(350)을 포함할 수 있다.
제1 터미널(341)은 복수의 패드 형태로 구현될 수 있다.
도체 패턴(350)은 제1 도전성 부재(311)과 다른 층에서 전자 소자와 터미널을 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들어, 제2, 제3, 제4 및 제5 터미널(342, 343, 344, 345) 각각은 제1 도전성 부재(311)가 배치된 층과 다른 층에 배치된 도체 패턴(350)에 의해 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(312, 313, 314, 315)에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 도체 패턴(350)은 제1 도전성 부재(311)를 통과하는 다수의 비아를 포함함으로써, 복수의 패드 각각에 독립적으로 연결될 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈에 포함된 복수의 터미널을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 제1 터미널(341)에 포함된 복수의 패드 중 일부는 전자 소자에 그라운드 전압을 제공하는 그라운드 패드(GND)일 수 있고, 나머지는 전자 소자에 신호 경로를 제공하는 신호 패드(SIGNAL)일 수 있다.
또한, 제2, 제3, 제4 및 제5 터미널(342, 343, 344, 345)은 금속 하우징(320)에 대한 측정 후에 전자 소자에 신호 경로를 제공하거나 전원공급 경로를 제공할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 8을 참조하면, 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 터미널(341, 342, 343, 344, 345)은 최하면에 배치될 수 있다. 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(311, 312, 313, 314, 315)는 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 터미널(341, 342, 343, 344, 345) 상에 배치될 수 있다. 절연성 부재(319)는 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(311, 312, 313, 314, 315) 상에 배치될 수 있다. 전자 소자(330)는 절연성 부재(319)상에 배치될 수 있다. 금속 하우징(320)은 전자 소자(330)상에 배치될 수 있다.
설계에 따라, 절연성 부재(319)는 제1, 제2, 제3, 제4 및 제5 도전성 부재(311, 312, 313, 314, 315)의 하면에도 추가로 배치될 수 있다. 또한, 전자 소자(330)와 금속 하우징(320)의 사이에는 에폭시(epoxy), 페놀 수지, 글라스(glass) 재질 등의 재질로 채워질 수 있다. 이에 따라, 전자 소자 모듈의 내구도는 향상될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법을 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈은, 기판(410), 금속 하우징(420), 전자 소자(430), 제1 및 제2 패드(441, 442)를 포함할 수 있다.
제1 및 제2 패드(441, 442)는 제1 측정단자(461)와 제2 측정단자(462)에 각각에 접촉될 수 있다. 상기 제1 및 제2 측정단자(461, 462)는 멀티미터(470)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 멀티미터(470)는 제1 및 제2 측정단자(461, 462)에 서로 다른 전압을 인가하여 제1 및 제2 측정단자(461, 462)를 통해 흐르는 전류를 측정할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 성능은 전자 소자 모듈의 하면에 배치된 제1 및 제2 패드(441, 442)를 통해 측정될 수 있다. 제1 및 제2 패드(441, 442)가 전자 소자 모듈의 동일한 면에 배치되므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 측정 환경은 간소하게 마련될 수 있다.
예를 들어, 뒤집힌 다수의 전자 소자 모듈은 기 설정된 알고리즘에 의해 제어되는 제1 및 제2 측정단자(461, 462)에 의해 일괄적으로 측정될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법은 다수의 전자 소자 모듈에 대한 측정 효율을 향상시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법은, 제1 면이 차폐(shielding)되는 기판의 제2 면 상의 적어도 하나의 영역에 제1 측정 단자를 접촉하는 단계와, 상기 제2 면 상에서 상기 적어도 하나의 영역 이외의 영역에 측정 단자를 접촉하는 제2 측정 단자를 접촉하는 단계와, 상기 제1 측정 단자와 상기 제2 측정 단자의 사이의 전압 및/또는 전류를 측정하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1 터미널과 상기 제2 터미널은 기판의 동일한 면에 배치되고 서로 분리될 수 있다.
이상에서는 본 발명을 실시 예로써 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.
: 기판
111: 제1 도전성 부재
112: 제2 도전성 부재
119: 절연성 부재
120: 금속 하우징
213: 제3 도전성 부재
230: 전자 소자
241: 제1 터미널
242: 제2 터미널
314: 제4 도전성 부재
315: 제5 도전성 부재
350: 도체 패턴
461: 제1 측정단자
462: 제2 측정단자
470: 멀티미터

Claims (13)

  1. 제1 면 및 제2 면을 가지고, 서로 분리된 제1 및 제2 도전성 부재를 포함하는 기판;
    상기 기판의 제1 면 상에서 소정의 실장 공간을 수용하며, 상기 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 금속 하우징; 및
    상기 기판의 제2 면 상에 배치되어 상기 제1 및 제2 도전성 부재에 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 터미널; 을 포함하는 전자 소자 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 제3 면을 가지고,
    상기 제1 및 제2 도전성 부재는 상기 기판의 제3 면으로 노출되고,
    상기 금속 하우징은 상기 제3 면 상에서 상기 제1 및 제2 도전성 부재에 접하는 전자 소자 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 제1 면 상에 배치되고 상기 금속 하우징에 의해 수용되는 전자 소자를 더 포함하고,
    상기 제1 도전성 부재는 상기 전자 소자에 그라운드 전압을 제공하는 전자 소자 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기판의 제2 면상에 배치되는 복수의 제3 터미널을 포함하고,
    상기 복수의 제3 터미널 중 일부는 상기 전자 소자에 그라운드 전압을 제공하고 다른 일부는 상기 전자 소자에 신호 경로를 제공하는 전자 소자 모듈.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1 도전성 부재와 상기 제2 도전성 부재의 사이에 배치되는 절연성 부재를 더 포함하는 전자 소자 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 서로 적층되는 복수의 층을 포함하며,
    상기 제1 도전성 부재와 상기 제2 도전성 부재는 상기 복수의 층 중 적어도 하나에 함께 배치되고,
    상기 절연성 부재는 상기 제1 및 제2 도전성 부재를 둘러싸는 전자 소자 모듈.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판은,
    상기 제1 및 제2 도전성 부재로부터 분리되고, 서로 분리된 제3 내지 제5 도전성 부재를 더 포함하는 전자 소자 모듈.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 내지 제5 도전성 부재는 상기 제1 도전성 부재보다 상기 기판의 제1 면 및 제2 면의 꼭지점에 더 가까이 배치되는 전자 소자 모듈.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제2 내지 제5 도전성 부재는 서로 동일한 형태를 가지고 상기 제1 도전성 부재와 다른 형태를 가지는 전자 소자 모듈.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제2 내지 제5 도전성 부재 각각의 크기는 상기 제1 도전성 부재의 크기보다 작은 전자 소자 모듈.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제2 내지 제5 도전성 부재는 하기의 수학식:
    d1 = d2 = d3 = d4
    에 따라 배치되고,
    여기서, 상기 금속 하우징에서 상기 제2 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제3 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d1이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제3 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제4 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d2이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제4 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제5 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d3이고, 상기 금속 하우징에서 상기 제5 도전성 부재와의 연결 접점과 상기 제2 도전성 부재와의 연결 접점간의 거리는 d4인 전자 소자 모듈.
  12. 제1 면이 차폐(shielding)되는 기판의 제2 면 상의 적어도 하나의 영역에 제1 측정 단자를 접촉하는 단계;
    상기 제2 면 상에서 상기 적어도 하나의 영역 이외의 영역에 제2 측정 단자를 접촉하는 단계; 및
    상기 제1 측정 단자와 상기 제2 측정 단자의 사이의 전압 및/또는 전류를 측정하는 단계; 를 포함하는 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 측정 단자를 접촉하는 단계는 상기 제1 측정 단자를 상기 제2 면 상에 배치된 제1 패드에 접촉하고,
    상기 제2 측정 단자를 접촉하는 단계는 상기 제2 측정 단자를 상기 제2 면 상에 배치된 제2 패드에 접촉하는 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법.
    상기 제1 패드와 상기 제2 패드는 서로 분리되는 전자 소자 모듈의 차폐 측정 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200073363A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 에스케이하이닉스 주식회사 컨택저항 측정용 반도체 패키지 및 이를 이용한 컨택저항 측정방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY191544A (en) * 2016-12-27 2022-06-30 Intel Corp Multi-conductor interconnect structure for a microelectronic device
US11694972B2 (en) * 2020-06-09 2023-07-04 Mediatek Inc. Semiconductor package with heatsink
CN114019251A (zh) * 2021-11-03 2022-02-08 株洲菲斯罗克光电科技股份有限公司 一种磁屏蔽检测仪
CN114325542B (zh) * 2021-11-23 2023-08-22 中国船舶重工集团公司第七0九研究所 集成电路测试系统直流信号校准板、校准装置及校准方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269660A (ja) * 1999-03-15 2000-09-29 Alps Electric Co Ltd 送受信ユニット
KR101144269B1 (ko) 2006-02-08 2012-05-11 삼성전자주식회사 이엠아이 도포층을 위한 저항 측정장치
KR101099663B1 (ko) 2009-09-03 2011-12-29 주식회사 플라즈마트 전기적 특성을 측정하기 위한 센서
EP2451259A4 (en) * 2009-10-01 2013-07-03 Panasonic Corp MODULE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
KR101153536B1 (ko) 2010-06-07 2012-06-11 삼성전기주식회사 고주파 패키지
JP5668627B2 (ja) * 2011-07-19 2015-02-12 株式会社村田製作所 回路モジュール
KR102163707B1 (ko) 2013-11-14 2020-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 전자기간섭 차폐층을 갖는 반도체 패키지 및 테스트 방법
KR20160111262A (ko) * 2015-03-16 2016-09-26 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 반도체 패키지 기판
CN104779213B (zh) * 2015-04-16 2017-12-15 歌尔股份有限公司 集成传感器的封装结构和封装方法
US10109593B2 (en) * 2015-07-23 2018-10-23 Apple Inc. Self shielded system in package (SiP) modules
US20170062352A1 (en) * 2015-08-26 2017-03-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor chip module
US10043761B2 (en) * 2015-10-19 2018-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9721903B2 (en) * 2015-12-21 2017-08-01 Apple Inc. Vertical interconnects for self shielded system in package (SiP) modules
US10163810B2 (en) * 2015-12-26 2018-12-25 Intel Corporation Electromagnetic interference shielding for system-in-package technology
US9824979B2 (en) * 2015-12-29 2017-11-21 Stmicroelectronics, Inc. Electronic package having electromagnetic interference shielding and associated method
US9871005B2 (en) * 2016-01-07 2018-01-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method of manufacturing the same
US10204883B2 (en) * 2016-02-02 2019-02-12 Taiwan Semidonductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200073363A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 에스케이하이닉스 주식회사 컨택저항 측정용 반도체 패키지 및 이를 이용한 컨택저항 측정방법

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