KR20170101056A - 픽셀 모듈 및 이를 구비한 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 픽셀 모듈 및 이를 갖는 표시 장치가 개시된다. 실시 예에 개시된 픽셀 모듈은, 회로 기판 상에 복수의 발광 다이오드들을 갖는 픽셀 영역을 포함하며, 상기 픽셀 영역은 상기 회로 기판 상에 복수개가 행열로 배열되며, 상기 각 픽셀 영역의 발광 다이오드는 적어도 삼색을 발광한다.
Description
본 발명은 픽셀 모듈 및 이를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
일반적인 액정표시장치는 발광 다이오드로부터 방출된 광과 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다. 최근에는 HD 이상의 고화질 및 대 화면의 표시장치가 요구되고 있으나, 일반적으로 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치 및 유기전계 표시장치는 수율 및 비용에 의해 고화질의 대화면 표시장치를 구현하기에 어려움이 있었다.
실시 예는 새로운 픽셀 타입의 모듈을 제공한다.
실시 예는 하나의 회로 기판 상에 복수의 단위 픽셀을 갖는 픽셀 모듈을 제공한다.
실시 예는 회로 기판 상에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 단위 픽셀을 갖는 픽셀 모듈을 제공한다.
실시 예는 회로 기판의 각 단위 픽셀에 복수의 발광 다이오드 또는 적어도 삼색의 발광 다이오드를 갖는 픽셀 모듈을 제공한다.
실시 예는 복수의 픽셀 모듈을 갖는 표시 장치를 제공한다.
실시 예는 복수의 회로 기판 각각의 위에 복수의 단위 픽셀을 갖는 표시 장치를 제공한다.
실시 예에 따른 픽셀 모듈은, 회로 기판; 및 상기 회로 기판 상에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역을 포함하며, 상기 각 픽셀 영역에는 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 다이오드가 배치되며, 상기 회로 기판의 가로 및 세로 길이의 비율은 1:R 또는 R:1(R≥1)이며, 상기 각 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며, 상기 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)이다.
실시 예에 따른 픽셀 모듈은, 회로 기판; 및 상기 회로 기판 각각의 위에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 서브 픽셀 영역을 포함하며, 상기 각 서브 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며, 상기 회로 기판의 가로 및 세로 길이의 비율은 1:R 또는 R:1(R≥1)이며, 상기 회로 기판 상에 서로 다른 픽셀 영역에 배치된 상기 복수의 발광 다이오드는 애노드 또는 캐소드가 공통으로 연결되며, 상기 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)이다.
실시 예에 따른 표시 장치는, 복수의 회로 기판; 상기 복수의 회로 기판 각각의 위에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역을 포함하며, 상기 각 픽셀 영역에 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 다이오드가 배치되며, 상기 각 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며, 상기 기 픽셀 영역 중 적어도 한 픽셀 영역에 배치된 발광 다이오드들은 애노드 또는 캐소드 단자가 공통으로 연결되며, 상기 회로 기판 각각의 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)이다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드를 갖는 멀티 픽셀을 갖는 모듈을 제공한다.
실시 예는 픽셀 영역의 사이즈를 줄여줄 수 있어, 픽셀 모듈 및 표시 장치를 소형화할 수 있다.
실시 예는 픽셀 모듈 내에서 캐소드 전극이나 블랙매트릭스(BM)의 면적을 공용화할 수 있다.
실시 예는 명암 대비 율을 개선한 픽셀 모듈을 제공할 수 있다.
실시 예는 명암 대비 율이 높은 표시장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 복수의 픽셀 모듈을 조합하여 대화면의 표시 장치을 구현할 수 있다.
실시 예는 복수의 픽셀 모듈을 갖는 고화질의 표시장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 픽셀 모듈 및 이를 구비한 표시 장치의 신뢰성이 개선될 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 픽셀 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 픽셀 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 3의 (A)(B)은 도 1의 픽셀 모듈의 B-B측 및 C-C측 단면도이다.
도 4는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 제1예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 실시 예에 다른 픽셀 모듈의 제2예를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 픽셀 모듈이 배열된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 7 내지 도 12는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 다른 예로서, 복수의 픽셀 영역이 배열된 예를 나타낸 개략도이다.
도 13 내지 도 15는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 다른 형태를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 발광 다이오드의 연결 형태의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 17 및 도 18은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 패드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19 및 도 20은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역 및 전극 패드 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21 내지 도 26은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 전극 패드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 27 내지 도 29는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 회로 기판의 리드 전극을 나타낸 도면이다.
도 30 내지 도 33은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 발광 다이오드의 배열 형태를 나타낸 도면이다.
도 34는 실시 예에 따른 픽셀 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 35는 실시 예에 따른 픽셀 모듈이 복수의 구동 기판 상에 배치된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 픽셀 모듈의 A-A측 단면도이다.
도 3의 (A)(B)은 도 1의 픽셀 모듈의 B-B측 및 C-C측 단면도이다.
도 4는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 제1예를 나타낸 사시도이다.
도 5는 실시 예에 다른 픽셀 모듈의 제2예를 나타낸 사시도이다.
도 6은 도 5의 픽셀 모듈이 배열된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 7 내지 도 12는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 다른 예로서, 복수의 픽셀 영역이 배열된 예를 나타낸 개략도이다.
도 13 내지 도 15는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 다른 형태를 나타낸 도면이다.
도 16은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 발광 다이오드의 연결 형태의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 17 및 도 18은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 패드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 19 및 도 20은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역 및 전극 패드 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21 내지 도 26은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 전극 패드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 27 내지 도 29는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 회로 기판의 리드 전극을 나타낸 도면이다.
도 30 내지 도 33은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 발광 다이오드의 배열 형태를 나타낸 도면이다.
도 34는 실시 예에 따른 픽셀 모듈을 갖는 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 35는 실시 예에 따른 픽셀 모듈이 복수의 구동 기판 상에 배치된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 언급된 발광 다이오드(LED)는 단일 피크 파장을 발광하거나, 복수의 피크 파장을 발광할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 LED 칩으로 이루어지거나, LED 칩 상에 형광체층을 구비하거나, LED 칩이 패키징된 발광 다이오드 패키지를 선택적으로 이용할 수 있다. 상기 형광체층은 LED 칩으로부터 방출된 하나 이상의 피크 파장을 발광할 수 있다. 실시 예에 따른 발광 다이오드는 발광 칩, 발광 다이오드는 반도체 적층 구조에 의해 구현될 수 있는 소자 예컨대, 제너 다이오드 또는 FET와 같은 소자를 포함할 수 있다. 본 발명의 다양한 실시 예를 용이하게 설명하도록 LED 및 이에 부가되는 구성을 갖는 발광 다이오드로 설명하여 설명하기로 한다.
이하에서는 도면을 참고하여 본 발명의 실시 예에 따른 멀티픽셀 모듈 및 이를 구비한 표시 장치에 대해 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 픽셀 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1의 픽셀 모듈의 A-A측 단면도이며, 도 3은 도 1의 픽셀 모듈의 B-B측 단면도이고, 도 4는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 제1예를 나타낸 사시도이며, 도 5는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 제2예를 나타낸 사시도이고, 도 6은 도 5의 픽셀 모듈이 배열된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 1 내지 도 4을 참조하면, 실시 예에 따른 픽셀 모듈(100)은 복수의 픽셀 영역(51,52)을 포함한다. 상기 픽셀 모듈(100)은 회로 기판(110) 및 상기 회로 기판(110) 상에 배치된 복수의 픽셀 영역(51,52)을 포함할 수 있다. 상기 픽셀 모듈(100)은 회로 기판(110) 상에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역(51,52)을 포함할 수 있다. 상기 픽셀 모듈(100)은 예컨대, 2의 배수, 3의 배수 또는 4의 배수의 픽셀 영역(51,52)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 픽셀 영역(51,52) 각각은 복수의 서브 픽셀(sub-pixel)을 갖는 단위 픽셀(Pixel)일 수 있다. 상기 픽셀 모듈(100)은 복수의 단위 픽셀 즉, 픽셀 영역(51,52)을 갖는 멀티 픽셀 모듈 또는 멀티 픽셀 패키지로 정의될 수 있다.
상기 회로 기판(110)은 상면 면적이 상기 각 픽셀 영역(51,52)이 차지하는 상면 면적의 2배 이상으로 배치되어, 복수의 픽셀 영역(51,52)을 전기적 및 열적으로 보호할 수 있다.
상기 픽셀 모듈(100)에서 인접한 픽셀 영역(51,52)들은 일정한 간격을 갖고 배열될 수 있다. 예컨대, 상기 복수의 픽셀 영역(51,52)이 회로 기판(110) 상에 행 방향(X축 방향)으로 배열되거나, 열 방향(Y축 방향)으로 배열되거나, 행 방향과 열 방향으로 배열될 수 있다. 상기 복수의 픽셀 영역(51,52)은 회로 기판(110) 상에 2개 이상이 배치될 수 있으며, 정사각형 형상 또는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 실시 예는 픽셀 모듈(100)의 외 형상이 다각형 형상으로 도시하였으나, 절곡된 형상이거나 다각 링 형상을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된, 픽셀 모듈(100)은 2개의 픽셀 영역(51,52)이 하나의 행으로 배치된 형태이며, 도 4에 도시된 픽셀 모듈(100A)은 3개의 픽셀 영역(51,52,53)이 하나의 행으로 배치된 예이다. 도 5에 도시된 픽셀 모듈(100B)은 적어도 6개의 픽셀 영역(51)이 2행3열로 배치된 예이다. 이와 같이, 실시 예는 하나의 픽셀 모듈(100,100A,100B)은 M행ⅹN열을 갖는 픽셀 영역을 가질 수 있으며, 여기서 M은 1이상이며, N은 1이상이며, M+N은 2이상일 수 있다. 상기 하나의 픽셀 모듈(100,100A,100B)은 예컨대, 적어도 3ⅹQ(Q≥ 2) 개의 서브 픽셀을 가질 수 있다. 상기 픽셀 모듈(100,100A,100B) 각각의 서브 픽셀은 하나의 회로 기판 상에서 예컨대, 적어도 3ⅹQ(Q≥ 2) 개를 가질 수 있다. 즉, 하나의 픽셀 모듈(100,100A,100B) 내의 서브 픽셀의 개수가 상기 범위보다 작을 경우 픽셀 모듈의 개수가 많아지고 제조 및 조립 공정이 증가하는 문제가 있다.
도 1을 참조하면, 픽셀 모듈(100)의 픽셀 영역(51,52) 각각에는, 복수의 서브 픽셀 예컨대, 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 다이오드(11,12,13)가 배치될 수 있다. 상기 각 픽셀 영역(51,52)에는 적어도 삼색 컬러를 발광하는 발광 다이오드(11,12,13)가 배치될 수 있다. 이러한 각 픽셀 영역(51,52)은 단위 픽셀로서, 청색, 녹색, 적색의 광이 방출될 수 있다.
상기 픽셀 영역(51,52)에 배치된 복수의 발광 다이오드(11,12,13)는 적어도 3개 또는 그 이상이 배치될 수 있다. 상기 각 픽셀 영역(51,52)을 이루는 복수의 발광 다이오드(11,12,13)는 예컨대, 제1내지 제3발광 다이오드(11,12,13)를 포함하며, 상기 제1내지 제3발광 다이오드(11,12,13)는 서로 이격되며, 서로 다른 컬러를 발광할 수 있다. 예컨대, 상기 제1발광 다이오드(11)는 청색 광을 발광하며, 상기 제2발광 다이오드(12)는 녹색 광을 발광하며, 상기 제3발광 다이오드(13)는 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 제1내지 제3발광 다이오드(11,12,13)는 픽셀 영역(51,52) 내에서 행 또는/및 열 방향으로 1개 이상이 배치될 수 있다. 상기 청색, 녹색, 및 적색의 발광 다이오드는 각 픽셀에서 각각의 서브 픽셀로 배치될 수 있다. 상기 각 발광 다이오드(11,12,13)은 LED 칩으로 구현될 수 있어, 픽셀 피치를 최소화할 수 있다.
상기 회로 기판(110)은 복수의 발광 다이오드(11,12,13)을 지지하는 지지 부재일 수 있다. 상기 회로 기판(110)은 리지드(rigid) 기판이거나 연성 기판일 수 있다. 상기 회로 기판(110)은 예컨대, 수지 계열의 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코어(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB, FR-4 기판을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(110)은 전극 패턴을 갖는 필름을 포함할 수 있으며, 예컨대 PI(폴리 이미드) 필름, PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트) 필름, EVA(에틸렌비닐아세테이트)필름, PEN(폴리에틸렌나프탈레이트) 필름, TAC(트라아세틸셀룰로오스)필름, PAI(폴리아마이드-이미드), PEEK(폴리에테리-에테르-케톤), 퍼플루오로알콕시(PFA), 폴리페닐렌 설파이드(PPS), 수지 필름(PE, PP, PET) 등을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3과 같이, 상기 회로 기판(110)은 각 픽셀 영역(51,52)에 복수의 상부 패드(41,42,43,45)가 배치되며, 상기 복수의 상부 패드(41,42,43,45)는 상기 각 픽셀 영역(51,52) 내에서 각 발광 다이오드(11,12,13)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 상부 패드(41,42,43,45)는 복수의 패드(41,42,43)과 전극 패드(45)를 포함할 수 있다. 상기 복수의 패드(41,42,43) 각각의 위에는 발광 다이오드(11,12,13)가 배치될 수 있고, 상기 발광 다이오드(11,12,13)는 접착제로 패드(41,42,43)에 접착될 수 있다. 상기 접착제는 전도성 접착제 또는 절연성 접착제를 포함할 수 있으며, 실시 예는 상기 발광 다이오드(11,12,13)와 패드(41,42,43) 간의 전기적인 연결을 위해 전도성 접착제로 설명하기로 한다. 상기 전도성 접착제는 솔더 재질을 포함할 수 있다. 상기 복수의 패드(41,42,43)는 각 발광 다이오드(11,12,13)의 단자 예컨대, 애노드 단자에 전원을 공급하게 되며, 상기 각 발광 다이오드(11,12,13)로부터 발생된 열을 방열하게 된다.
상기 전극 패드(45)는 상기 각 패드(41,42,43)의 면적보다 큰 면적을 가질 수 있으며, 예컨대, 전극 패드(45)의 상면 면적은 각 패드(41,42,43)의 상면 면적보다 클 수 있다. 상기 전극 패드(45)는 적어도 하나 또는 복수의 발광 다이오드(11,12,13)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극 패드(45)는 예컨대, 연결 부재(25)에 의해 복수의 발광 다이오드(11,12,13)와 연결될 수 있다.
상기 상부 패드(41,42,43,45)는 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 텅스텐(W) 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 패드(41,42,43,45)는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 상부 패드(41,42,43,45)는 두께가 1㎛ 이상 예컨대, 1㎛ 내지 100㎛ 범위일 수 있으며, 상기 두께가 상기 범위 미만인 경우 저항이 증가하여 동작 전압 증가 및 발열 문제가 발생될 수 있으며, 상기 범위보다 두꺼우면 제조 비용이 증가될 수 있다.
상기 회로 기판(110) 상에 배치된 상기 복수의 상부 패드(41,42,43,45)의 면적은 상기 회로 기판(110)의 상면 면적의 50% 미만으로 형성됨으로써, 상기 회로 기판(110)의 상면에서의 광 반사율을 낮추어줄 수 있다. 상기 각 픽셀 영역(51,52)에서 상부 패드(41,42,43,45)의 개수는 상기 발광 다이오드(11,12,13)의 개수와 같거나 더 많을 수 있다.
상기 회로 기판(110) 상에는 블랙 매트릭스(BM: Black matrix)층(113)을 포함할 수 있으며, 상기 블랙 매트릭스층(113)은 상기 투광층(130)과 회로기판(110)의 사이에 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 서로 다른 픽셀 영역(52,52) 상에 배치된 상부 패드(41,42,43,45) 사이에 배치될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM: Black matrix)층(113)은 상기 복수의 상부 패드(41,42,43,45) 각각의 둘레에 배치될 수 있다. 이러한 블랙 매트릭스층(113)에 의해 회로 기판(110) 상에서의 명암 대비 율은 개선될 줄 수 있다.
상기 블랙 매트릭스층(113)은 절연성 재질 예컨대, 흑색 수지로 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 카본 블랙(carbon black), 그라파이트(Graphite) 또는 폴리 피롤(poly pyrrole)로 구현될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 크롬(Cr)을 이용하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 수지 조성물 내에 카본 입자를 첨가하여 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 광 흡수층일 수 있으며, 상기 상부 패드(41,42,43,45)의 반사율보다 낮은 재질로 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)은 상기 상부 패드(41,42,43,45) 보다 높은 광 흡수율을 가질 수 있다.
상기 블랙 매트릭스층(113)의 두께는 상기 발광 다이오드(41,42,43,45) 중 적어도 하나 또는 모두의 두께보다 얇을 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)의 두께는 100㎛ 이하 예컨대, 5㎛ 내지 100㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 상기 두께가 상기 범위 미만인 경우 흑채 복사를 할 수 없고 균일한 두께의 확보가 어려운 문제가 있다. 즉, 상기 블랙 매트릭스층(113)의 안료가 파우더(powder) 형태로 제공되기 때문에 파우더들끼리 뭉치려는 습성으로 인해 두께가 상기 범위 미만인 경우 균일한 도포가 어려운 문제가 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)의 두께가 상기 범위보다 두꺼운 경우 회로 기판(110)의 방열 특성이 저하되는 문제가 있으며, 발광 다이오드(11,12,13)의 측면을 통해 방출된 광의 광속에 영향을 줄 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)의 두께는 상기 상부 패드(41,42,43,45)의 두께와 동일하거나 더 두껍게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 블랙 매트릭스층(113)의 두께가 상기 상부 패드(41,42,43,45)의 두께보다 두꺼운 경우, 인접한 발광 다이오드(11,12,13)으로부터 방출된 광 간의 간섭을 줄여줄 수 있다. 상기 블랙 매트릭스층(113)의 표면에는 요철 패턴과 같은 러프니스(roughness)가 형성되어, 광의 확산성을 제어할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스층(113)의 외측 면은 상기 회로 기판(110)의 각 측면과 동일한 수직 평면 상에 배치될 수 있다. 즉, 상기 블랙 매트릭스층(113)의 외측 영역은 상기 회로 기판(110)의 상면 에지(edge)까지 연장되어, 상부 패드(41,42,43,45)의 표면이 노출되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라 회로 기판(110)의 에지 영역에서의 명암 대비율을 개선시켜 줄 수 있다. 다른 예로서, 상기 상부 패드(41,42,43,45) 중 적어도 하나 또는 모두는 상기 회로 기판(110)의 외측 표면으로 노출될 수 있다. 예컨대, 전극 패드(45)가 회로 기판(110)의 측면에 노출될 경우, 다른 픽셀 모듈의 전극 패드와 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
다른 예로서, 상기 회로 기판(110)은 블랙 매트릭스층(113)이 아닌 절연층을 포함할 수 있다. 상기 절연층은 예컨대, SiO2층, Si3N4층, TiO2층, Al2O3층, 및 MgO층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 상기 회로 기판(110)은 복수의 상부 패드(41,42,43,45)의 아래에 절연층을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 회로 기판(110)의 내부 또는 외측 표면에는 복수의 비아 전극(47)이 배치될 수 있으며, 실시 예의 비아 전극(47)은 회로 기판(110) 내에 배치된 구조로 설명하기로 한다. 상기 복수의 비아 전극(47)은 상기 복수의 상부 패드(41,42,43,45)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 회로 기판(110)의 바닥 면에는 복수의 리드 전극(61,62,63,65)이 배치될 수 있다. 상기 복수의 리드 전극(61,62,63,65)은 상기 비아 전극(47) 각각에 연결되고 상기 상부 패드(41,42,43,45) 각각에 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 상기 리드 전극(61,62,63,65) 중에서 전극 패드(45)에 연결된 리드 전극(65)는 다른 리드 전극보다 더 큰 면적을 가질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 리드전극(61,62,63,65)은 금속으로 형성될 수 있으며, 예컨대 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 텅스텐(W) 중 적어도 하나 또는 합금으로 형성될 수 있다. 상기 리드 전극은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
실시 예에 따른 회로 기판(110)은 상부 패드(41,42,43,45), 비아 전극(47) 및 리드 전극(61,62,63,65)을 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(110)은 블랙 매트릭스층(113)을 포함할 수 있다.
상기 픽셀 모듈(100)은 상기 회로 기판(110) 상에 배치된 투광층(130)을 포함한다. 상기 투광층(130)은 상기 발광 다이오드(11,12,13)로부터 방출된 광을 투과시켜 줄 수 있다. 상기 투광층(130)은 적어도 5면으로 광을 방출할 수 있으며, 예컨대 상면으로 대부분의 광이 방출될 수 있다. 상기 투광층(130)의 광 추출을 위해 측면에 반사 부재 예컨대, 수지물 내에 금속 화합물이 첨가된 반사 부재가 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광층(130)은 픽셀 영역(51,52) 사이의 경계 영역에 블랙 매트릭스를 갖는 장벽이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 투광층(130)에는 확산제와 같은 불순물이 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 투광층(130)은 수지 재질 예컨대, 실리콘 또는 에폭시와 같은 투명한 재질을 포함할 수 있다. 상기 투광층(130)은 투명한 필름으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 투광층(130)은 복수의 픽셀 영역(51,52)을 커버하는 크기로 배치될 수 있다. 상기 투광층(130)의 상면 면적은 상기 회로 기판(110)의 바닥 면적과 동일하거나 작을 수 있다. 상기 투광층(130)은 상기 회로 기판(110)의 상면에 접촉되어, 습기 침투를 방지할 수 있다.
상기 투광층(130)은 상기 상부 패드(41,42,43,45), 상기 발광 다이오드(11,12,13) 및 상기 블랙 매트릭스층(113)을 덮게 된다. 상기 투광층(130)의 상면은 상기 연결 부재(25)의 고점 높이보다 더 높은 위치에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 연결 부재(25)는 와이어를 포함한다. 상기 연결 부재(25)는 픽셀 모듈(100) 내에 배치될 수 있고, 배치되지 않을 수 있으며, 발광 다이오드(11,12,13)에 선택적으로 연결될 수 있는 와이어를 포함한다. 상기 투광층(130)의 표면은 요철 패턴과 같은 러프니스를 포함할 수 있으며, 상기 러프니스는 외부 난반사를 줄여줄 수 있다. 상기 투광층(130)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 회로 기판(110)의 두께는 100㎛ 이상 예컨대, 100㎛ 내지 500㎛ 범위 예컨대, 100㎛ 내지 400㎛ 범위로 형성될 수 있다. 상기 회로 기판(110)의 두께가 상기 범위보다 두꺼우면 비아 전극(161)의 가공시 어려움이 존재하며, 상기 범위보다 얇은 경우 핸들링(handling)하는데 어려움이 있고 크랙(crack)이나 스크래치(scratch) 문제가 발생될 수 있다. 이러한 회로 기판(110)이 상기한 두께로 제공됨으로써, 상기 발광 다이오드(11,12,13)를 지지하며 방열 효율의 저하를 방지할 수 있다.
상기 각 픽셀 영역(51,52)의 크기를 보면, 가로 및 세로의 길이가 1mm 미만일 수 있으며, 예컨대 0.6mm 내지 0.9mm의 범위에 배치될 수 있다. 상기 가로 및 세로의 길이가 1mm 미만으로 배치됨으로써, 표시 장치에서의 동일한 해상도를 갖는 화면과 비교하여 사이즈를 줄여주거나, 픽셀 밀도를 높여줄 수 있다. 실시 예는 소정 크기의 회로 기판(110) 상에 멀티 픽셀 영역(51,52)을 배치한 픽셀 모듈(100)을 제공함으로써, 회로 기판(110)을 탑재하는 시간이나 탑재 공정이 줄어들 수 있고, 픽셀 모듈(100) 간의 배열을 보다 용이하게 할 수 있다. 실시 예에 따른 픽셀 모듈(100)은 3mmⅹ3mm 이내에 12개 이상 예컨대, 15개 이상의 픽셀 영역을 포함하는 모듈로 구현될 수 있다. 상기 픽셀 간의 피치는 1mm 미만 예컨대, 0.6mm 내지 0.9mm의 범위를 갖도록 하여, 픽셀 밀도 및 해상도를 개선시켜 줄 수 있다.
여기서, 상기 회로 기판(110)의 사이즈를 보면, 도 7과 같이 제1변의 길이(A1)는 한 픽셀 영역의 길이ⅹ픽셀 영역의 개수의 값이거나 그 이상일 수 있으며, 제2변의 길이(B1)는 한 픽셀 영역의 길이ⅹ픽셀 영역의 개수의 값이거나 그 이상일 수 있다. 상기 회로 기판(110)의 한 변의 길이(A1,B1)는 픽셀 영역의 길이의 정수 배이거나 그 이상일 수 있다. 상기 픽셀 영역(51,52)들 사이에는 블랙 매트릭스(BM: Black Matrix)를 위한 폭을 마련할 수 있다. 이에 따라 회로 기판(110)의 한 변의 길이(A1)는 픽셀 영역들의 길이에 블랙 매트릭스 영역의 폭을 더 포함하거나, 각 픽셀 영역(51,52)에 블랙 매트릭스 영역이 부분 할당된 경우 픽셀 영역(51,52)들의 길이의 합일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 영역의 폭이 예컨대, 0.2mm±0.05mm인 경우 각 픽셀 영역(51,52)은 상기 블랙 매트릭스 폭의 1/2을 더 포함할 수 있다. 상기 회로 기판(110)의 가로 길이(A1)와 세로 길이(B1)의 비율을 보면, 픽셀 영역의 개수 및 배열 형태에 따라 상이할 수 있으며, 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 예컨대 1:R 또는 R:1(R≥1)를 포함할 수 있다.
도 6은 실시 예에 따른 복수의 픽셀 모듈이 배열된 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 6과 같이, 표시 장치(1000)는 복수의 픽셀 모듈(100) 예컨대, O행ⅹP열(O≥0, P≥0, O+P≥1) 개 이상일 수 있다. 상기 표시 장치(1000) 내의 픽셀 모듈(100)들은 2의 배수 또는 3의 배수로 배치될 수 있다. 상기 표시 장치(1000)의 픽셀 모듈(100)들은 서로 접촉될 수 있으며, 블랙 매트릭스의 폭 이하의 갭(Gap)을 가질 수 있다. 상기 표시 장치(1000) 내에는 동일한 사이즈의 픽셀 모듈(100)이 배열될 수 있으며, 이 경우 픽셀 모듈(100)의 배열이 편리할 수 있다. 여기서, 상기 표시 장치(1000)에 배열된 픽셀 모듈(100) 각각은 단위 픽셀 모듈로 정의될 수 있다.
상기 표시장치(1000) 내에는 배열된 픽셀 모듈(100) 중 적어도 하나는 다른 사이즈를 가질 수 있다. 이에 따라 표시 장치(1000)의 디자인 자유도를 개선시켜 줄 수 있으며, 다양한 사이즈를 갖는 픽셀 모듈(100)을 조합할 수 있다.
상기 표시장치(1000) 내에는 배열된 픽셀 모듈(100) 중 적어도 하나는 다른 형태 예컨대, 정사각형 형태이거나, 직사각형 형태이거나, 다각형 형태이거나, 절곡된 형태, 또는 다각 링 형태일 수 있다. 이에 따라 표시 장치(1000)를 특정 어플리케이션용으로 제공할 수 있다.
상기 표시 장치(1000) 상에는 블랙 매트릭스(미도시)가 배치될 수 있으며, 상기 블랙 매트릭스는 상기 픽셀 모듈(100)의 픽셀 영역(51)이 오픈된 개구부를 각각 포함할 수 있다. 상기 표시 장치(1000)의 아래에는 구동 기판이 배치될 수 있다.
상기 표시 장치(1000)에는 복수의 회로 기판(110)이 배치되며, 상기 복수의 회로 기판(110)의 개수는 상기 각 회로 기판(110)의 픽셀 영역(51)의 개수보다 많거나 적을 수 있다. 이는 각 회로 기판(110)의 단위 면적당 픽셀(pixel per inch)의 개수를 고려하여 표시 장치(1000)의 픽셀 모듈(100)의 개수를 계산할 수 있다.
도 7 내지 도 12는 단위 픽셀 모듈들이 배열된 형태를 나타낸 예들이다.
도 7을 참조하면, 픽셀 모듈(103)의 각 픽셀 영역(51,52)에는 복수의 발광 다이오드(11,12,13)가 배치되며, 상기 발광 다이오드(11,12,13)는 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)를 포함한다. 상기 제1발광 다이오드(11)는 청색 광을 발광하며, 상기 제2발광 다이오드(12)는 녹색 광을 발광하며, 제3발광 다이오드(13)는 적색 광을 발광할 수 있다. 상기 각 픽셀 모듈(103)의 픽셀 영역(51,52)은 1행2열로 배열될 수 있다.
상기 각 픽셀 영역(51,52)에서 각 발광 다이오드(11,12,13)는 서로 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 따라서, 인접한 픽셀 영역(51,52) 간의 동일한 발광 다이오드(11,12,13) 간의 간격은 동일할 수 있다. 상기 픽셀 모듈(103)의 제1변의 길이(A1)는 제2변의 길이(B1)보다 클 수 있으며, 예컨대 2배 이상일 수 있다. 상기 각 픽셀 모듈(100)의 회로 기판(110)의 길이(A1,B1)는 상기 픽셀 모듈(100)의 길이 및 너비와 동일할 수 있다. 상기 픽셀 모듈(100) 간의 간격(G1,G2)은 블랙 매트릭스의 폭보다 작을 수 있으며, 예컨대 0.2mm 이하일 수 있다.
상기 제1 내지 제3발광 다이오드(11,12,13)는 한 변의 길이가 0.3mm 이하일 수 있으며, 예컨대 0.1mm 내지 0.3mm 범위로 배치될 수 있으며, 서로 동일하거나 적어도 하나가 다른 사이즈를 가질 수 있다. 상기 제1내지 제3발광 다이오드(11,12,13)의 한 변의 길이가 상기 범위를 초과하게 되면, 픽셀 영역(51,52)의 사이즈가 커질 수 있으며 상기 범위보다 작은 경우 픽셀 영역(51,52)에 비해 칩 사이즈가 작거나 광도가 낮아지는 문제가 있다.
도 8에 도시된, 픽셀 모듈(104)은 2행 1열의 픽셀 영역(51,52)을 갖고, 복수개가 배열될 수 있다. 도 9에 도시된, 픽셀 모듈(104A)은 1행3열의 픽셀 영역(51,52,53)을 갖고, 복수개가 배열될 수 있다. 도 10에 도시된, 픽셀 모듈(104B)이 3행 1열의 픽셀 영역(51,52,53)을 갖고, 복수개가 배열될 수 있다. 도 8 내지 도 10에 도시된, 각 픽셀 모듈(100)의 사이즈는 서로 동일하거나 적어도 하나가 다를 수 있다. 도 11에 도시된, 픽셀 모듈(101)은 2행 2열의 픽셀 영역(51,52,53,54)을 가지고, 복수개가 배열될 수 있다. 도 12에 도시된, 픽셀 모듈(102)이 3행 3열의 픽셀 영역(51,52,53,54,55,56,57,58,59)을 가지고, 복수개가 배열될 수 있다. 도 11 및 도 12에 도시된, 픽셀 모듈(101,102)은 사이즈가 서로 동일하거나 적어도 하나가 다를 수 있다.
도 13을 참조하면, 픽셀 모듈은 인접한 두 픽셀 영역(51,52)의 발광 다이오드(11,12,13)의 배치가 다른 형태이다. 예컨대, 제1픽셀 영역(51)은 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)의 중심이 정 삼각형 형태로 배열되며, 제2픽셀 영역(52)은 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)의 중심이 정 삼각형 형태로 배열되며 제1픽셀 영역(51)의 배치와 다른 역 삼각형 형태이다. 상기 픽셀 모듈(100)은 제1행(L1)으로 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)가 배치되면, 제2행(L2)으로 제3,1,2발광 다이오드(11,12,13)가 배치될 수 있다.
도 14를 참조하면, 픽셀 모듈은 인접한 두 픽셀 영역(51,52)의 발광 다이오드(11,12,13)의 배치가 다른 형태이다. 예컨대, 제1픽셀 영역(51)과 제2픽셀 영역(52)은 픽셀 경계를 중심으로 대칭된 형태이다. 예컨대, 제1픽셀 영역(51)의 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)의 중심이 직각 삼각형 형태로 배열되며, 제2픽셀 영역(52)은 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)의 중심이 직각 삼각형 형태로 제1픽셀 영역(51)과 선대칭된 구조이다. 상기 픽셀 모듈은 제1행으로 제1,2,1,2발광 다이오드(11,12)의 순서로 배치되면, 제2행으로 제3,3발광 다이오드(13)의 순서로 배열될 수 있다. 여기서, 제1,2픽셀 영역(51,52)의 제3발광 다이오드(13) 간의 간격(A2)은 제1,2픽셀 영역(51,52)의 제1발광 다이오드(11) 간의 간격(B2) 또는 제2발광 다이오드 간의 간격보다 클 수 있다. 이 경우, 인접한 픽셀 영역(51,52)의 제3발광 다이오드 사이의 영역(40)은 공통 전극패드(도 3의 45) 영역이 될 수 있다. 즉, 상기 회로 기판(110)의 영역(40)은 복수의 픽셀 영역(51,52)이 서로 공유할 수 있다.
도 15를 참조하면, 픽셀 모듈은 적어도 4개의 픽셀 영역(51,52,53,54)이 배치되며, 복수의 발광 다이오드(11,12,13)가 회로 기판(110)의 에지(Edge)를 따라 배열될 수 있다. 이 경우 상기 회로 기판(110)의 에지를 따라 배열되는 발광 다이오드(11,12,13)는 시계 방향으로 서로 다른 발광 다이오드(11,12,13)가 오도록 배열되거나, 적어도 같은 발광 다이오드가 연속하여 올 수 있다. 상기 픽셀 영역(51,52)의 외측으로 발광 다이오드(11,12,13)가 배치됨으로써, 회로 기판(110)의 센터 영역(40A)에는 공통 전극패드(도 2의 45)가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 즉, 상기 회로 기판(110)의 센터 영역(40A)은 4개 이상의 픽셀 영역(51,52,53,54)이 서로 공유할 수 있다.
도 16은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 발광 다이오드의 연결 형태의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 16을 참조하면, 픽셀 모듈(100)은 회로 기판(110) 상에 상부 패드(41,42,43,45)가 배치된 예이다. 상기 상부 패드(41,42,43,45) 중 복수의 패드(41,42,43)는 상기 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치된다. 상기 복수의 패드(41,42,43)는 각 발광 다이오드(11,12,13)의 하면 면적보다 더 큰 면적을 가지고, 각 발광 다이오드(11,12,13)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 상부 패드(41,42,43,45) 중 전극 패드(45)는 상기 각 픽셀 영역(51,52)에 배치된 복수의 발광 다이오드(11,12,13)와 연결 부재(25)에 의해 연결될 수 있다. 상기 전극 패드(45)는 공통 캐소드 단자 또는 애노드 단자일 수 있으며, 예컨대 공통 캐소드 단자일 수 있다. 상기 발광 다이오드(11,12,13)는 두 전극이 상/하로 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 다이오드(11,12,13) 중 적어도 하나 또는 모두는 화합물 반도체를 갖는 LED 칩을 포함할 수 있다. 상기 발광 칩은 II족-VI족 화합물 반도체 및 III족-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩은 청색, 녹색, 청색, UV의 광 중 적어도 하나를 발광할 수 있다. 상기 발광 칩은 서로 다른 피크 파장의 광을 발광할 수 있다. 상기 발광 다이오드(11,12,13) 중 적어도 하나 또는 모두는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층의 적층 구조를 갖는 n-p접합, p-n접합, n-p-n 접합, p-n-p 접합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 다이오드(11,12,13) 각각은 하나 또는 복수의 와이어로 연결되거나, 와이어 없이 배치될 수 있다. 상기 발광 다이오드는 애노드 및 캐소드 전극이 수평한 수평형 칩 구조이거나 애노드 및 캐소드 전극이 서로 수직하게 배열된 수직형 칩 구조일 수 있다.
도 17에 도시된, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 다른 형태의 상부 패드(41,42,43,45)가 배치된 예이다. 상기 상부 패드(41,42,43,45)는 복수의 패드(41,42,43) 및 전극 패드(45)를 포함하며, 상기 복수의 패드(41,42,43)는 상기 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치되며, 상기 발광 다이오드(11,12,13)와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 제1발광 다이오드(11)는 제1패드(11)와 전극 패드(45) 상에 배치되며, 제2발광 다이오드(12)는 제2패드(12)와 전극 패드(45) 상에 배치되며, 제3발광 다이오드(13)는 제3패드(13) 상에 배치되며 연결 부재(25)에 의해 전극 패드(45)에 연결될 수 있다. 상기 제1,2발광 다이오드(11,12)는 플립 칩 방식으로 탑재되며, 제3발광 다이오드(13)는 수직형 칩일 수 있다. 상기 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13)는 전극 패드(45)에 공통으로 연결될 수 있다. 상기 제1,2발광 다이오드(11,12)는 청색, 녹색 광을 발광하며, 제3발광 다이오드(13)는 적색 광을 발광할 수 있다. 다른 예로서, 전극 패드(35)는 하나의 픽셀 영역(51) 내에서 발광 다이오드(11,12,13)에 연결된 예로 설명하였으나, 다른 픽셀 영역 예컨대, 행 방향 또는 열 방향으로 연장되어, 다른 픽셀 영역의 발광 다이오드에 연결될 수 있다.
도 18에 도시된, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 복수의 발광 다이오드(11,12,13)가 플립 칩 방식으로 탑재될 수 있다. 픽셀 모듈(100)의 각 픽셀 영역(51,52,53,54)에는 복수의 패드(41,42,43) 및 전극 패드(45)가 배치된다. 상기 복수의 패드(41,42,33) 및 전극 패드(45)는 각 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치될 수 있다. 여기서, 전극 패드(45)는 서로 다른 픽셀 영역(51,52)으로 연장되며, 예컨대, 제1픽셀 영역(51)부터 제2픽셀 영역(52)까지 연장되어, 제1,2픽셀 영역(51,52)의 제1,2,3발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치되고 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 전극 패드(45)는 서로 다른 픽셀 영역(51,52)(53,54)까지 연장됨으로써, 전극 패드(45)를 서로 다른 픽셀 영역(51,52)(53,54)에서 공유할 수 있어, 전극 패드(45)의 개수를 줄여줄 수 있고 작업 공정도 줄여줄 수 있다. 또한 회로 기판(110)의 바닥에서 상기 전극 패드(45)에 연결되는 리드 전극의 개수도 줄여줄 수 있다. 또한 리드 전극의 개수가 줄어들 경우, 다른 리드 전극의 면적은 더 넓게 제공할 수 있다.
도 19에 도시된 픽셀 모듈(105)은, 픽셀 영역(51)을 복수개 포함하며, 예컨대 4개 이상을 포함할 수 있다. 각 픽셀 영역(51) 내의 발광 다이오드(11,12,13)들이 회로 기판(110)의 에지를 따라 배열될 수 있다. 이에 따라 상기 복수의 발광 다이오드(11,12,13)는 하부에 배치된 복수의 패드(41,42,43)에 각각 연결되고, 픽셀 모듈(105)의 센터 영역에 배치된 전극 패드(45)에 연결 부재(25)로 연결될 수 있다. 이러한 픽셀 모듈(100)은 복수의 픽셀 영역(51)이 하나의 전극 패드(45)를 공유함으로써, 전극 패드(45)의 개수를 줄여줄 수 있고, 작업 공정을 줄일 수 있다. 또한 회로 기판(110)의 바닥에서 상기 전극 패드(45)에 연결되는 리드 전극의 개수도 줄여줄 수 있다. 또한 리드 전극의 개수가 줄어들 경우, 다른 리드 전극의 면적은 더 넓게 제공할 수 있다.
도 20에 도시된 픽셀 모듈(106)은, 적어도 2개의 픽셀 영역(51,52)을 가지며, 각 픽셀 영역(51,52)들 사이의 영역에 전극 패드(45)를 배치할 수 있다. 각 픽셀 영역(51,52) 내의 발광 다이오드(11,12,13)들이 연결 부재(25)로 연결될 수 있다. 실시 예에 다른 픽셀 모듈(106)은 2개 이상의 픽셀 영역(51,52)에 하나의 전극 패드(45)를 공용화하여 전극 패드(45)의 개수, 및 리드 전극의 개수를 줄여줄 수 있다.
도 21 내지 도 26은 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역에서 전극 패드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 21에 도시된 픽셀 모듈은, 복수의 픽셀 영역(51,52,53)이 행 방향으로 배열될 경우, 전극 패드(45)를 각 픽셀 영역(51,52,53) 사이에 배치하여, 인접한 발광 다이오드(11,12,13)와 연결 부재(25)를 이용한 연결이 용이할 수 있다. 상기 픽셀 모듈 내에서 전극 패드(45)의 개수는 픽셀 영역(51,52)의 개수 보다 1개 이상 작을 수 있다. 여기서, 발광 다이오드(11,12,13)의 배치는 각 픽셀 영역(51,52,53)에서 삼각형 형태로 배열할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 22에 도시된 픽셀 모듈은, 각 픽셀 영역(51,52,53) 사이의 블랙 매트릭스 영역(A4)에 전극 패드(45)를 배치하여, 발광 다이오드(11,12,13)들과 연결 부재(25)로 연결할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 영역(A4)은 픽셀 모듈 내에서 인접한 픽셀들 사이의 영역일 수 있다. 상기 전극 패드(45)의 폭은 연결 부재(25) 예컨대, 와이어가 본딩될 수 있는 너비 예컨대, 0.1mm 이상일 수 있으며, 길이는 상기 픽셀 영역(51,52,53)의 길이와 동일하거나 작을 수 있다. 상기 전극 패드(45)의 길이가 길게 되면, 상기 픽셀 모듈의 외측에 노출될 수 있다.
도 23을 참조하면, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 2개 이상의 픽셀 영역(51,52)을 포함하며, 각 픽셀 영역(51,52) 내에 배치된 발광 다이오드(11,12,13)는 회로 기판(110)의 상면에 부착될 수 있다. 여기서, 상기 발광 다이오드(11,12,13)은 회로 기판(110) 상에 배치된 블랙 매트릭스층에 부착될 수 있다. 상기 각 픽셀 영역(51,52)의 발광 다이오드(11,12,13)은 하나의 직선 라인 형태 또는 하나의 행으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 다이오드(11,12,13)는 제1내지 제3패드(11,12,13)과 전극 패드(35)에 연결 부재(25)로 연결될 수 있다. 상기 전극 패드(35)는 인접한 다른 픽셀 영역(51,52)에 연장되어 배치되어, 공용으로 사용될 수 있다.
실시 예의 발광 다이오드(11,12,13)는 패드(41,42,43)와 수직 방향으로 오버랩되지 않도록 배치하였으나, 적어도 하나 예컨대, 적색 LED는 수직 방향으로 오버랩될 수 있다.
도 24를 참조하면, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 2개 이상의 픽셀 영역(51,52)을 포함하며, 각 픽셀 영역(51,52)에서 복수의 패드(41,42,43)는 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치될 수 있다. 여기서 제1픽셀 영역(51)의 패드(41,42,43) 및 발광 다이오드(11,12,13)는 수평한 중심선을 기준으로 상부에 배치되며, 제2픽셀 영역(52)의 패드(41,42,43) 및 발광 다이오드(11,12,13)은 수평한 중심선을 기준으로 하부에 배치될 수 있다. 전극 패드(45)는 서로 다른 픽셀 영역(51,52)의 발광 다이오드(11,12,13)에 연결 부재(25)로 공통으로 연결될 수 있다.
상기 전극 패드(45)는 제1픽셀 영역(51)에 배치된 제1영역(P1), 제2픽셀 영역(52)에 배치된 제2영역(P2)과, 제1,2픽셀 영역(51,52) 사이에 배치되어 제1,2영역(P1,P2)을 연결해 주는 제3영역(P3)을 포함한다. 상기 제1영역(P1)과 제2영역(P2)은 수평한 중심 선을 기준으로 서로 다른 영역에 배치될 수 있다. 이에 따라 각 픽셀 영역(51,52)에서 복수의 패드(41,42,43) 및 발광 다이오드(11,12,13)의 위치를 다르게 제공할 수 있고, 공용의 전극 패드(45)의 면적을 크게 제공할 수 있다.
도 25를 참조하면, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 3개 이상의 픽셀 영역(51,52,53)을 포함하며, 각 픽셀 영역(51,52,53)에서 복수의 패드(41,42,43)는 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치될 수 있다. 복수의 상부 패드(41,42,43,45) 중 전극 패드(45)는 서로 다른 픽셀 영역(51,52,53)의 발광 다이오드(11,12,13)에 연결 부재(25)로 공통으로 연결될 수 있다.
상기 전극 패드(45)는 제1픽셀 영역(51)에 배치된 제1영역(P5), 제2픽셀 영역(52)에 배치된 제2영역(P6)과, 제1,2픽셀 영역(51,52) 사이에 배치되어 제1,2영역(P4,P5)을 연결해 주는 제3영역(P5)을 포함한다. 상기 제1영역(P4)과 제2영역(P6)은 연결 부재(25)가 배치되는 영역이며, 제3영역(P5)은 바이 패스 경로를 제공할 수 있다. 상기 제3영역(P5)은 제2픽셀 영역(52)의 제3발광 다이오드(13)이 수납되는 수납 홈을 가질 수 있다. 이러한 전극 패드(45)는 서로 다른 3개의 픽셀 영역(51,52,53)에 공용으로 사용될 수 있어, 전극 패드(45)의 개수 및 본딩 공정을 줄여줄 수 있다.
도 26를 참조하면, 픽셀 모듈은 회로 기판(110) 상에 3개 이상의 픽셀 영역(51,52,53)을 포함하며, 각 픽셀 영역(51,52,53)에서 복수의 패드(41,42,43)는 발광 다이오드(11,12,13) 아래에 배치될 수 있다. 복수의 상부 패드(41,42,43,45) 중 전극 패드(45)는 서로 다른 픽셀 영역(51,52,53)의 발광 다이오드(11,12,13)에 연결 부재(25)로 공통으로 연결될 수 있다.
상기 전극 패드(45)는 상기 회로 기판(110)의 상면의 에지 영역을 따라 배치될 수 있으며, 각 모서리에 배치된 본딩 영역(C1,C2,C3,C4)의 면적을 크게 하여, 서로 다른 픽셀 영역(51,52,53)에 배치된 발광 다이오드(11,12,13)들 중 적어도 하나 이상 연결 부재(25)로 연결될 수 있다. 또한 상기 전극 패드(45)는 인접한 픽셀 영역(51,52,53)의 제3발광 다이오드(13) 사이로 돌출된 본딩 영역(C5,C6)을 포함하며, 상기 본딩 영역(C5,C6)에 적어도 하나의 발광 다이오드가 연결될 수 있다. 이러한 전극 패드(45)는 서로 다른 3개의 픽셀 영역(51,52,53)에 공용으로 사용될 수 있어, 전극 패드(45)의 개수 및 본딩 공정을 줄여줄 수 있다. 또한 전극 패드(45)의 면적이 증가되고 외부에 노출될 수 있어, 방열 효율이 개선될 수 있다.
도 27 내지 도 29는 실시 예에 따른 픽셀 모듈의 회로 기판의 리드 전극을 나타낸 도면이다.
도 27은 실시 예에 따른 회로 기판(110)의 바닥 면(112)을 나타낸 도면으로서, 복수의 리드 전극(61,62,63,65)을 나타낸 도면이다.
상기 회로 기판(110)의 바닥 면에 배치된 복수의 리드 전극(61,62,63,65)은 비아 전극(47)을 통해 도 16과 같은 각 픽셀 영역(51,52) 내의 발광 다이오드(11,12,13)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 리드 전극(6162,63,65)은 도 16과 같은 각 픽셀 영역(51,52)의 패드(41,42,43) 및 전극 패드(45)에 대응되게 배치될 수 있다.
도 28을 참조하면, 회로 기판(110)의 바닥 면(112)에 배치된 복수의 리드 전극(61,62,63,65)은 비아 전극(47)을 통해 도 20과 같은 각 픽셀 영역(51,52) 내의 발광 다이오드(11,12,13)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 리드 전극들(61,62,63,65)은 도 20과 같은 각 픽셀 영역(51,52)의 패드 및 전극 패드(45)에 대응되도록 배치될 수 있다. 이러한 회로 기판(110)의 바닥 면(112)은 회로 기판(110)의 상면에 배치된 패드(41,42,43) 및 전극 패드(45)의 위치에 따라 위치가 변경될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 리드 전극(61,62,63,65) 중 전극 패드(45)에 대응되는 리드 전극(65)는 다른 리드 전극의 면적보다 더 크게 배치될 수 있고, 또는 인접한 두 픽셀 영역(51,52) 아래에 공용으로 사용될 수 있다.
도 29를 참조하면, 회로 기판(110)의 바닥 면(112)에 배치된 복수의 리드 전극(61,62,63,65)은 비아 전극(47)을 통해 도 19의 각 픽셀 영역(51) 내의 발광 다이오드(11,12,13)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 리드 전극들(61,62,63,65)은 예컨대, 도 19와 같은 각 픽셀 영역(51,52)의 패드(41,42,43) 및 전극 패드(45)에 대응되도록 위치할 수 있다.
도 30은 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역(51A)의 발광 다이오드의 예로서, 각 픽셀 영역(51A)에 3개의 발광 다이오드(B,G,R)가 배열되며, 제1발광 다이오드(B)는 청색(Blue) 발광 다이오드이고, 제2발광 다이오드(G)는 녹색(Green) 발광 다이오드이고, 제3발광 다이오드(R)는 적색(Red) 발광 다이오드로 구현될 수 있다. 각 픽셀 영역(51A)에는 발광 다이오드들이 시계 방향으로 Blue/Green/Red LED의 순서로 배열될 수 있다. 이러한 멀티 픽셀 영역 각각이 LED를 배치함으로써, 별도의 컬러 필터를 이용하지 않고 원하는 크기의 픽셀 모듈을 제공할 수 있다.
도 31은 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역(51B)의 발광 다이오드의 다른 예로서, 각 픽셀 영역(51B)에 4개의 발광 다이오드가 배열되며, 제1발광 다이오드(B)는 청색(Blue) 발광 다이오드이고, 제2발광 다이오드(G)는 녹색(Green) 발광 다이오드이고, 제3발광 다이오드(R)는 적색(Red) 발광 다이오드, 제4발광 다이오드(W)는 백색(White)으로 구현될 수 있다. 각 픽셀 영역(51B)에는 발광 다이오드들이 시계 방향으로 Blue/Green/White/Red LED의 순서로 배열될 수 있다. 실시 예는 적어도 하나의 픽셀 영역(51B)에 백색 LED를 추가해 주어, 고 색 재현을 개선시켜 줄 수 있다. 이러한 픽셀 모듈은 개별 픽셀 모듈을 이용하여 고 선명의 화소 영역을 제공할 수 있다.
도 32은 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역(51C,51D,51E,51F)발광 다이오드의 다른 예로서, 각 픽셀 영역(51C,51D,51E,51F)에 3개의 발광 다이오드가 서로 다른 컬러를 갖고 배열될 수 있다. 예컨대, 제1픽셀 영역(51C)과 제2픽셀 영역(51D)은 적어도 2개의 발광 다이오드는 동일한 컬러를 발광하며, 적어도 하나의 발광 다이오드는 다른 컬러를 발광할 수 있다. 또는 제3픽셀 영역(51E)과 제4픽셀 영역(51F)은 적어도 2개의 발광 다이오드는 동일한 컬러를 발광하며, 적어도 하나의 발광 다이오드는 다른 컬러를 발광할 수 있다.
상기 제1픽셀 영역(51C)에는 발광 다이오드들이 시계 방향으로, Red/Blue/Green LED의 순서로 배열될 수 있고, 제2픽셀 영역(51D)에는 White/Green/Blue LED의 순서로 배열될 수 있고, 제3픽셀 영역(51E)은 Red/White/Blue LED의 순서로 배열될 수 있고, 제4픽셀 영역(51F)은 Red/Green/Blue LED의 순서로 배열될 수 있다. 실시 예의 픽셀 모듈은 인접한 픽셀 영역의 발광 다이오드들의 배치가 서로 다른 예이다. 실시 예는 적어도 하나의 픽셀 영역에 백색 LED를 추가해 주어, 고 색 재현을 개선시켜 줄 수 있다.
다른 예로서, 하나의 픽셀 영역에는 4개 이상의 발광 다이오드를 포함하되, 적어도 2개는 서로 동일한 컬러를 발광하는 발광 다이오드로 배치될 수 있다. 이러한 픽셀 모듈은 개별 픽셀 모듈을 이용하여 고 선명의 화소 영역을 제공할 수 있다.
도 33을 참조하면, 픽셀 모듈의 각 픽셀 영역(71,72,73,74)에 3개의 발광 다이오드가 서로 다른 컬러를 갖고 배열될 수 있다. 예컨대, 제1픽셀 영역(71)과 제2픽셀 영역(72)은 적어도 2개의 발광 다이오드는 동일한 컬러를 발광하며, 적어도 하나의 발광 다이오드는 다른 컬러를 발광할 수 있다. 또는 제3픽셀 영역(73)과 제4픽셀 영역(74)은 적어도 2개의 발광 다이오드는 서로 다른 컬러를 발광하며, 적어도 하나의 발광 다이오드는 동일한 컬러를 발광할 수 있다.
상기 제1픽셀 영역(71)에는 발광 다이오드들이 시계 방향으로, Red/Blue/Green LED의 순서로 배열될 수 있고, 제2픽셀 영역(72)에는 White/Red/Green LED의 순서로 배열될 수 있고, 제3픽셀 영역(73)은 Blue/White/Red LED의 순서로 배열될 수 있고, 제4픽셀 영역(74)은 Green/Red/White LED의 순서로 배열될 수 있다. 실시 예의 픽셀 모듈은 인접한 픽셀 영역의 발광 다이오드들의 배치가 서로 다른 예이다. 실시 예는 적어도 하나의 픽셀 영역에 백색 LED를 추가해 주어, 고 색 재현을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예에 따른 발광 다이오드 중 적어도 하나는 자외선 LED로 구현될 수 있으며, 이 경우 원하는 파장대로 발광하는 형광체를 배치하거나 필터를 더 추가할 수 있다.
.
도 34에 도시된, 표시 장치(1000)는 구동 기판(1100) 상에 복수의 픽셀 모듈(100)이 매트릭스 형태 또는 격자 형태로 조립되어 배열될 수 있다. 상기 구동 기판(1100)은 복수의 픽셀 모듈(100)과 전기적으로 연결되며, 상기 복수의 픽셀 모듈(100)의 발광 다이오드들을 온/오프를 제어할 수 있다. 이러한 구동 기판(1100)에는 구동 회로를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
예를 들면, 상기 표시 장치(1000)를 SD(Standard Definition)급 해상도(760ⅹ480), HD(High definition)급 해상도(1180ⅹ720), FHD(Full HD)급 해상도(1920ⅹ1080), UH(Ultra HD)급 해상도(3480ⅹ2160), 또는 UHD급 이상의 해상도(예: 4K(K=1000), 8K(K=1000) 등)으로 구현할 경우, 실시 예에 따른 픽셀 모듈(100)들은 구동 기판(1100) 상에 배열되고 연결될 수 있다. 또는 표시 장치(1000)의 대각선 크기가 100인치 이상의 전광판을 LED를 갖는 픽셀 모듈로 구현할 수 있다.
도 35와 같이, 구동 기판(1100)은 표시 장치(1000) 내에 복수로 배치되어, 원하는 화면 크기를 구성할 수 있고, 상기 복수의 구동 기판(1100) 각각은 각 구동 기판(1100) 위에 복수의 회로 기판 예컨대, 상기 복수의 픽셀 모듈(100)의 회로 기판과 본딩되어 연결될 수 있다. 실시 예에 따른 각 구동 기판(1100)은 상기 픽셀 모듈(100)의 회로 기판을 통해 픽셀 모듈(100) 내의 발광 다이오드들의 구동을 제어할 수 있다. 상기 복수의 구동 기판(1100) 각각에 복수의 픽셀 모듈(100)이 배치되고, 각각의 픽셀 모듈(100) 위에 복수의 픽셀이 배열될 경우, 상기 표시 장치(1000) 내에서 구동 기판(1100) 간의 제어를 통해 배선 및 복잡성을 줄여줄 수 있다.
상기 픽셀 모듈(100)들은 2차원 형상 또는 3차원 형상으로 배열될 수 있다. 이러한 발광 다이오드를 갖는 픽셀 모듈(100)이 배열된 표시 장치(1000)는 전력 소비가 낮아지며 낮은 유지 비용으로 긴 수명으로 제공될 수 있고, 고 휘도의 자발광 디스플레이로 제공될 수 있다.
도 34 및 도 35에 도시된, 상기 구동 기판(1100)은 수지 재질의 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수 도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예에 따른 표시 장치(1000)는, OLED나 액정 패널을 이용하지 않고 발광 다이오드(LED)를 이용한 고화질의 표시 장치이거나, 픽셀 모듈의 조합을 이용한 대화면 표시 장치로 구현될 수 있다. 상기 표시 장치(1000) 내의 픽셀 모듈(100)들은 일정 간격으로 가로 및 세로 방향으로 배열되어, 각 픽셀 영역(51) 내의 서브 픽셀의 선택적인 온/오프에 의해 문자 및 화상을 표시할 수 있다. 상기 각 픽셀 영역(51)은 다색 컬러 또는 풀(Full) 컬러를 발광하는 적어도 삼색 발광 다이오드로 구현될 수 있다.
이러한 표시 장치(1000)는 각 종 표시 장치 예컨대, TV와 옥외 전광판용 표시 장치에 적용될 수 있으며, 옥외에 설치된 경우, 방습을 위해 하우징을 설치하거나 빛 차단을 위해 차광막이 설치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
11,12,13,R,G,B,W: 발광 다이오드
41,42,43: 패드
45: 전극 패드
47: 비아 전극
51,52,53,54,55,56,57,58,59,51A,51B,51C,51D,51E,51F,71,72,73,74: 픽셀 영역
61,62,64,65: 리드 전극
110: 회로 기판
113: 블랙 매트릭스층
130: 투광성 수지층
1000: 표시 장치
1100: 구동 기판
41,42,43: 패드
45: 전극 패드
47: 비아 전극
51,52,53,54,55,56,57,58,59,51A,51B,51C,51D,51E,51F,71,72,73,74: 픽셀 영역
61,62,64,65: 리드 전극
110: 회로 기판
113: 블랙 매트릭스층
130: 투광성 수지층
1000: 표시 장치
1100: 구동 기판
Claims (19)
- 회로 기판; 및
상기 회로 기판 상에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역을 포함하며,
상기 각 픽셀 영역에는 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 다이오드가 배치되며,
상기 각 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며,
상기 회로 기판의 가로 및 세로 길이의 비율은 1:R 또는 R:1(R≥1)이며,
상기 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)인 픽셀 모듈. - 회로 기판; 및
상기 회로 기판 각각의 위에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역을 포함하며,
상기 각 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며,
상기 회로 기판의 가로 및 세로 길이의 비율은 1:R 또는 R:1(R≥1)이며,
상기 회로 기판 상에 서로 다른 픽셀 영역에 배치된 상기 복수의 발광 다이오드는 애노드 또는 캐소드가 공통으로 연결되며,
상기 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)인 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 픽셀 영역들은 서로 동일한 사이즈를 갖는 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 회로 기판의 상면 면적은 상기 각 픽셀 영역이 차지하는 상면 면적의 2배 이상인 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 회로 기판에는 상기 각 픽셀 영역에 배치된 각 발광 다이오드 아래에 복수의 패드를 포함하는 픽셀 모듈. - 제5항에 있어서,
상기 회로 기판 상의 픽셀 영역은 3개 이상이 배열되며,
상기 회로 기판에는 상기 픽셀 영역들 중 적어도 2개의 픽셀 영역에 배치된 발광 다이오드들에 공통으로 연결된 전극 패드를 포함하는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 회로 기판의 바닥 면에 상기 복수의 패드 및 전극 패드에 연결된 복수의 리드 전극을 포함하는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 전극 패드는 서로 다른 픽셀 영역으로 연장되거나, 상기 복수의 픽셀 영역의 센터 영역에 배치되는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 전극 패드는 인접한 픽셀 영역들의 경계 영역에 각각 배치되는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 전극 패드는 상기 회로 기판의 에지를 따라 배치되는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 각 픽셀 영역에 배치된 발광 다이오드들 중 적어도 하나는 상기 복수의 패드 및 전극 패드에 플립 칩 방식으로 배치되는 픽셀 모듈. - 제6항에 있어서,
상기 회로 기판의 상면에 블랙 매트릭스층을 포함하는 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 회로 기판 상에 투광층을 포함하며,
상기 투광층은 상기 픽셀 영역에 배치된 복수의 발광 다이오드를 덮는 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 투광층은 실리콘 또는 에폭시로 형성되는 픽셀 모듈. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 발광 다이오드는 발광 다이오드 칩을 포함하는 픽셀 모듈. - 구동 기판;
상기 구동 기판의 위에 복수의 회로 기판;
상기 복수의 회로 기판 각각의 위에 M행ⅹN열(M≥1, N≥1, M+N≥2) 개의 픽셀 영역을 포함하며,
상기 픽셀 영역에는 서로 다른 컬러를 발광하는 복수의 발광 다이오드가 배치되며,
상기 각 픽셀 영역에는 청색, 녹색, 적색의 발광 다이오드가 각각의 서브 픽셀로 배치되며,
상기 픽셀 영역 중 적어도 한 픽셀 영역에 배치된 발광 다이오드들은 애노드 또는 캐소드가 공통으로 연결되며,
상기 회로 기판 각각의 서브 픽셀의 개수는 3ⅹQ(Q≥2)인 표시 장치. - 제16항에 있어서,
상기 회로 기판의 사이즈는 서로 동일하거나 서로 다르며,
상기 구동 기판은 복수개 배치되며,
상기 복수의 구동 기판 각각의 위에 상기 복수의 픽셀 모듈이 연결되는 표시 장치. - 제16항 또는 제17항에 있어서,
상기 회로 기판은, 상면에 상기 발광 다이오드 아래에 배치된 복수의 패드 및 상기 각 픽셀 영역에 배치된 발광 다이오드가 공통으로 연결된 전극 패드, 상기 회로 기판의 바닥면에는 상기 패드 및 전극 패드에 연결된 복수의 리드 전극, 및 내부에 상기 복수의 패드 및 전극 패드를 상기 리드 전극에 연결해 주는 복수의 비아 전극을 포함하는 표시 장치. - 복수의 구동 기판; 및
상기 복수의 구동 기판 각각 위에 복수의 픽셀 모듈이 배치되며,
상기 픽셀 모듈은 제1항 또는 제2항의 픽셀 모듈을 포함하는 표시 장치.
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