KR20170069722A - Vapor deposition apparatus for flat display - Google Patents

Vapor deposition apparatus for flat display Download PDF

Info

Publication number
KR20170069722A
KR20170069722A KR1020150177300A KR20150177300A KR20170069722A KR 20170069722 A KR20170069722 A KR 20170069722A KR 1020150177300 A KR1020150177300 A KR 1020150177300A KR 20150177300 A KR20150177300 A KR 20150177300A KR 20170069722 A KR20170069722 A KR 20170069722A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
deposition
chamber
space
Prior art date
Application number
KR1020150177300A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102448256B1 (en
Inventor
정선호
황두섭
이영진
이정훈
전창엽
박무민
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020150177300A priority Critical patent/KR102448256B1/en
Publication of KR20170069722A publication Critical patent/KR20170069722A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102448256B1 publication Critical patent/KR102448256B1/en

Links

Images

Classifications

    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/205—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H01L51/001—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 평면 디스플레이용 증착 장치는, 기판에 대한 증착공정이 진행되는 증착 공간 및 기판의 입출을 위한 승강 공간이 구비되는 챔버; 상기 기판이 지지되고, 상기 챔버에 대해 증착 공간과 증착 공간 사이에서 승강되며, 기판이 지지되는 기판 지지부; 및 상기 챔버의 내벽면과 기판 지지부의 외주면 사이에 구비되어, 상기 증착 공간과 승강 공간 사이를 분리하는 분리부재;를 포함함으로써, 가스에 대한 유로저항을 낮춰 증착 공정에 소요되는 시간을 단축하고, 해당 기판의 전 영역에 대한 증착 균일도를 높이며, 증착 공간의 높이를 낮춰 공급되는 가스의 반응률을 높이고, 가스가 증착 공간 이외의 공간으로 유동하는 것을 차단하여 증착 효율을 높이며, 가스가 원활하게 배출되어 챔버의 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.A deposition apparatus for a flat panel display according to the present invention includes: a chamber having a deposition space in which a deposition process is performed on a substrate; A substrate support on which the substrate is supported and which is raised and lowered between the deposition space and the deposition space with respect to the chamber, the substrate being supported; And a separating member provided between the inner wall surface of the chamber and the outer circumferential surface of the substrate supporting part and separating the deposition space from the elevating space, thereby reducing the passage resistance to gas, shortening the time required for the deposition process, It is possible to increase the deposition uniformity over the entire area of the substrate, to lower the height of the deposition space, to increase the reaction rate of the supplied gas, to prevent the gas from flowing into the space other than the deposition space to increase the deposition efficiency, The inside of the chamber can be prevented from being contaminated.

Figure P1020150177300
Figure P1020150177300

Description

평면 디스플레이용 증착 장치{VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR FLAT DISPLAY}[0001] VAPOR DEPOSITION APPARATUS FOR FLAT DISPLAY [0002]

본 발명은 증착 장치에 관한 것으로, 특히 대면적 기판을 증착하는 평면 디스플레이용 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus, and more particularly, to a deposition apparatus for a flat panel display which deposits a large-area substrate.

평판디스플레이(FPD)기술은 크게 외부 빛이 있어야 동작하는 수광형과 자체적으로 빛을 내는 발광형으로 분류된다. 보편적으로 사용되는 TFT-LCD가 가장 대표적인 수광형 디스플레이 제품이고, 전광판 등에 많이 사용되는 발광다이오드(LED)가 발광형 제품이다.Flat panel display (FPD) technology is largely classified into a light receiving type that requires external light and a light emitting type that emits light by itself. TFT-LCDs, which are commonly used, are the most typical light-receiving display products, and light-emitting diodes (LEDs) that are widely used in electric signboards are light-emitting products.

발광다이오드는 발광층의 형성 물질에 따라 유기 발광다이오드(OLEDs)와 무기 발광다이오드((HyLEDs)로 구분될 수 있다. 그 중에서 유기 발광다이오드는 무기 발광다이오드에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가진다.The light emitting diodes can be classified into organic light emitting diodes (OLEDs) and inorganic light emitting diodes (HyLEDs) according to the material of the light emitting layer. Among them, organic light emitting diodes have superior luminance, And it has the advantage that it can be multi-colored.

유기 발광다이오드는 발광소자가 구비된 기판, 발광소자의 상부에 증착되는 봉지부를 포함한다. 봉지부는 수많은 공정 중의 하나인 화학 기상 증착공정(Chemical Vapor Deposition Process)에 의해 형성된다. 증착공정은 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion)이 전극을 통해 증착 공간으로 분출되어 기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은 화학 기상 증착공정을 수행하는 진공 챔버 내에서 이루어진다.The organic light emitting diode includes a substrate provided with a light emitting device, and an encapsulating material deposited on the light emitting device. The encapsulation part is formed by a chemical vapor deposition process (Chemical Vapor Deposition Process) which is one of many processes. The deposition process is a process in which plasma is generated by an external high frequency power source, and silicon compound ions having high energy are injected into the deposition space through the electrodes and deposited on the substrate. This process is performed in a vacuum chamber that performs a chemical vapor deposition process.

종래의 진공 챔버는 내부에 기판이 놓이고, 진공 챔버의 상면에는 가스주입부가 설치되며, 진공 챔버의 측면에는 증착 공정을 마친 가스가 증착 공간에서 배출되는 가스배기부가 설치되어 있다. 따라서, 가스주입부로부터 공급되는 가스가 기판의 상면에 형성되는 증착 공간을 거쳐 가스배기부를 통해 진공 챔버의 외부로 배출된다. In the conventional vacuum chamber, a substrate is placed therein, a gas injection unit is provided on the upper surface of the vacuum chamber, and a gas exhaust unit is provided on the side surface of the vacuum chamber, through which the gas after the deposition process is discharged from the deposition space. Therefore, the gas supplied from the gas injection unit is discharged to the outside of the vacuum chamber through the gas exhaust unit through the deposition space formed on the upper surface of the substrate.

여기서, 기판은 하부 전극에 안착된 상태로 승강되면서 증착 위치와 반송 위치로 이동을 하게 되는데, 진공 챔버의 하측에는 기판이 하부 전극과 승강되도록 승강 공간이 형성되어 있다. 승강 공간은 증착 공간과 서로 연통되어 있다.Here, the substrate is moved to the deposition position and the transporting position while being raised and lowered while being seated on the lower electrode, and a lift space is formed on the lower side of the vacuum chamber so that the substrate is lifted and lowered with the lower electrode. The elevating space communicates with the deposition space.

그러나, 상기와 같은 종래의 평면 디스플레이용 증착 장치는, 가스주입부가 진공 챔버의 상측에 형성됨에 따라 그 가스주입부로부터 공급되는 가스가 기판의 중앙부를 향해 분사되었다가 가장자리 방향으로 확산되는 가스 유동로를 가지게 된다. 이는 가스 직각으로 꺾여 흐르게 되므로 그만큼 가스에 대한 유로저항이 증가하게 되어 증착 공정이 지연되는 문제점이 있었다. However, since the gas injecting unit is formed on the upper side of the vacuum chamber, the gas supplied from the gas injecting unit is injected toward the center of the substrate and then diffused in the edge direction, . Which is bent at a right angle to the gas, thereby increasing the resistance of the flow path to the gas, thereby delaying the deposition process.

또, 가스분배판이 설치되더라도 가스배기부가 측면에 위치함에 따라 기판의 중앙부로 분사되는 가스는 가장자리 방향으로 확산되고, 이로 인해 기판의 중앙부에 비해 가장자리부에서의 증착율이 높아지게 되면서 그만큼 증착 균일도가 낮아지게 되는 문제점도 있었다.In addition, even if the gas distribution plate is provided, the gas injected to the central portion of the substrate diffuses toward the edge as the gas exhaust portion is positioned on the side surface. As a result, the deposition rate at the edge portion is higher than that at the central portion of the substrate, There was also a problem.

또, 증착 공간에서의 가스유로가 복잡하게 되므로 그만큼 가스가 원활하게 흐를 수 있도록 하기 위해서는 비교적 넓은 증착 공간이 필요하게 되나, 이는 가스의 유동 높이가 높아 상층으로 흐르는 가스와 기판 사이의 거리가 멀어져 증착율이 저하되는 문제점도 있었다. Further, since the gas flow path in the deposition space is complicated, a relatively large deposition space is required to allow the gas to flow smoothly. However, since the height of the gas flow is high, the distance between the gas flowing to the upper layer and the substrate becomes large, There is a problem in that it is lowered.

또, 종래의 평면 디스플레이용 증착 장치는, 기판의 상측인 증착 공간과 기판의 하측인 승강 공간이 서로 연통되는 구조이나, 이는 증착 공간으로 공급되는 가스의 일부가 증착 공간을 거치지 않고 곧바로 승강 공간으로 흘러 배출될 수 있고, 이로 인해 가스 공급량 대비 증착율이 저하되는 문제점도 있었다.The conventional vapor deposition apparatus for a flat panel display has a structure in which the vapor deposition space on the upper side of the substrate and the vapor rising space on the lower side of the substrate are in communication with each other. This is because a part of the gas supplied to the vapor deposition space is directly passed through the vapor deposition space There is a problem that the deposition rate relative to the gas supply amount is lowered.

또, 승강 공간으로 유입되는 가스는 퍼지 공정으로도 충분히 배출되지 못하여 챔버의 내부공간에 잔류하게 되고, 이 가스가 챔버의 내부공간을 오염시키는 것은 물론 오염된 상태로 증착공정에서 증착 공간으로 이동하여 기판에 증착되면서 증착 순도(純度)를 저하시키는 문제점도 있었다.In addition, the gas flowing into the up-and-down space can not be sufficiently discharged by the purging process and remains in the inner space of the chamber. This gas contaminates the inner space of the chamber and moves to the deposition space in a contaminated state There is a problem that the purity of the deposition is lowered while being deposited on the substrate.

본 발명의 목적은, 증착 공간에서의 가스 유동 궤적을 단순화하여 유로저항을 낮춤으로써 증착 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있는 평면 디스플레이용 증착 장치를 제공하려는데 있다.It is an object of the present invention to provide a deposition apparatus for a flat display which can shorten a time required for a deposition process by simplifying a gas flow locus in a deposition space and reducing a flow path resistance.

본 발명의 다른 목적은, 증착 공정에서의 가스의 유동 유로를 선형화하여 증착 균일도를 높일 수 있는 평면 디스플레이용 증착 장치를 제공하려는데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus for a flat panel display capable of increasing the uniformity of deposition by linearizing the flow path of the gas in the deposition process.

본 발명의 다른 목적은, 증착 공간의 높이를 낮춰 공급되는 가스의 반응률을 높일 수 있는 평면 디스플레이용 증착 장치를 제공하려는데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus for a flat panel display capable of raising the reaction rate of supplied gas by lowering the height of the deposition space.

본 발명의 다른 목적은, 증착 공간으로 공급되는 가스가 증착 공간 이외의 공간으로 유동하는 것을 차단할 수 있는 평면 디스플레이용 증착 장치를 제공하려는데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus for a flat panel display capable of preventing gas supplied to a deposition space from flowing into a space other than the deposition space.

또, 본 발명의 다른 목적은, 공급되는 가스 또는 증착 공정을 마친 가스가 원활하게 배출될 수 있도록 하여 챔버의 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있는 평면 디스플레이용 증착 장치를 제공하려는데 있다.It is another object of the present invention to provide a deposition apparatus for a flat panel display capable of smoothly discharging a supplied gas or a gas having undergone the deposition process so that the inside of the chamber can be prevented from being contaminated.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 챔버의 내부공간을 상부 영역과 하부 영역으로 구획하는 분리판이 설치되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치가 제공될 수 있다. In order to achieve the object of the present invention, there is provided a deposition apparatus for a flat panel display, which is provided with a separation plate for dividing an inner space of a chamber into an upper region and a lower region.

이를 위해, 상기 분리판은 상기 챔버의 내벽면과 그 챔버의 내부공간에서 기판을 지지하는 하부 전극 사이에 설치될 수 있다. To this end, the separation plate may be installed between the inner wall surface of the chamber and the lower electrode supporting the substrate in the inner space of the chamber.

또, 상기 챔버에는 가스가 상부 영역으로 안내되는 가스 입구와, 상기 상부 영역에서 가스가 배출되는 가스 출구가 더 구비되며, 상기 가스 입구와 가스 출구는 상기 챔버의 양쪽 측벽면에 서로 대면되게 각각 형성될 수 있다. The chamber may further include a gas inlet through which the gas is guided to the upper region and a gas outlet through which the gas is discharged from the upper region. The gas inlet and the gas outlet are formed on both side walls of the chamber, .

또, 상기 분리판의 상면 높이는 상기 가스 입구의 도출단 높이와 가스 출구의 도입단 높이보다 높지 않게 형성될 수 있다. 더 바람직하게는 상기 분리판의 상면 높이는 상기 가스 입구의 도출단 높이와 가스 출구의 도입단 높이와 같게 형성될 수 있다. The height of the upper surface of the separator may be set to be not higher than the height of the inlet end of the gas inlet and the inlet end of the gas outlet. More preferably, the height of the top surface of the separator may be the same as the height of the inlet end of the gas inlet and the height of the inlet end of the gas outlet.

또, 상기 가스 입구와 가스 출구는 공급관 및 배기관과 각각 연결되고, 상기 공급관과 배기관은 상기 가스 입구 및 가스 출구와 동일 방향으로 연결될 수 있다.The gas inlet and the gas outlet are connected to a supply pipe and an exhaust pipe, respectively, and the supply pipe and the exhaust pipe may be connected to the gas inlet and the gas outlet in the same direction.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 기판에 대한 증착공정이 진행되는 증착 공간 및 기판의 입출을 위한 승강 공간이 구비되는 챔버; 상기 기판이 지지되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 증착 공간과 승강 공간 사이에서 승강 가능하게 설치되는 기판 지지부; 및 상기 챔버의 내벽면과 기판 지지부의 외주면 사이에 구비되어, 상기 증착 공간과 승강 공간 사이를 분리하는 분리부재;를 포함하는 평면 디스플레이용 증착 장치가 제공될 수 있다.In order to accomplish the object of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a chamber having a deposition space in which a deposition process is performed on a substrate; A substrate supporter supporting the substrate and being installed inside the chamber so as to be able to move up and down between the deposition space and the uprising space; And a separating member provided between the inner wall surface of the chamber and the outer circumferential surface of the substrate support for separating the deposition space from the lift space.

여기서, 상기 분리부재는 상기 챔버의 내벽면에서 상기 기판 지지부를 향해 돌출 형성되고, 상기 분리부재와 상기 기판 지지부 사이에는 실링부재가 구비될 수 있다.Here, the separating member may protrude from the inner wall surface of the chamber toward the substrate supporting portion, and a sealing member may be provided between the separating member and the substrate supporting portion.

그리고, 상기 분리부재는 상기 챔버의 내벽면에 체결되고, 상기 분리부재와 챔버 사이에는 실링부재가 더 구비되며, 상기 분리부재와 기판 지지부 사이의 실링부재가 상기 분리부재와 챔버 사이의 실링부재에 비해 승강방향으로 더 돌출되도록 형성될 수 있다.The separating member is coupled to the inner wall surface of the chamber, and a sealing member is further provided between the separating member and the chamber, and a sealing member between the separating member and the substrate supporting portion is provided between the separating member and the sealing member It can be formed so as to protrude further in the lifting direction.

그리고, 상기 챔버에는 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 각각 형성되고, 상기 가스 입구와 가스 출구는 서로 대면되는 면에 각각 형성될 수 있다.The chamber may have a gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space, respectively, and the gas inlet and the gas outlet may be formed on the surfaces facing each other.

그리고, 상기 가스 입구의 도출단 높이 또는 상기 가스 출구의 도입단 높이는 상기 분리부재의 외측면 상단 높이와 동일하게 형성될 수 있다.The height of the introduction end of the gas inlet or the height of the introduction end of the gas outlet may be the same as the height of the top end of the outer side of the separation member.

그리고, 상기 분리부재의 내측면 상단높이는 상기 기판 지지부의 상면에 안착된 기판 또는 기판을 감싸는 마스크의 높이와 동일하게 형성될 수 있다.The height of the top of the inner side surface of the separating member may be the same as the height of the substrate placed on the top surface of the substrate supporting unit or the mask surrounding the substrate.

그리고, 상기 기판 지지부의 상면에는 상기 기판의 가장자리에 배치되는 마스크가 구비되고, 상기 분리부재에는 그 분리부재와 상기 마스크 사이의 절연을 위한 절연부재가 구비될 수 있다.In addition, a mask disposed on the edge of the substrate is provided on the upper surface of the substrate supporting portion, and the separating member may be provided with an insulating member for insulation between the separating member and the mask.

그리고, 상기 가스 입구의 도입단에는 가스주입부를 이루는 공급 튜브가 연결되고, 상기 공급 튜브에는 가스공급을 안내하는 공급관이 연결되며, 상기 가스 출구의 도출단에는 가스배기부를 이루는 배기 튜브가 연결되고, 상기 배기 튜브에는 가스배출을 안내하는 배기관이 연결되며, 상기 공급관과 배기관 중에서 적어도 어느 한 쪽은 해당 튜브와 연결되는 부위가 상기 가스 입구 또는 가스 출구와 일직선상으로 연결될 수 있다.A supply tube is connected to the introduction end of the gas inlet. The supply tube is connected to the supply tube. The exhaust tube is connected to a lead-out end of the gas outlet, An exhaust pipe for guiding gas discharge is connected to the exhaust tube, and at least one of the supply pipe and the exhaust pipe may be connected to the gas inlet or the gas outlet in a straight line.

그리고, 상기 기판 지지부는 그라운드 역할을 하는 하부 전극을 이루고, 상기 하부 전극의 상측에는 고주파 인가 장치와 연결되는 상부 전극이 설치되며, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 상기 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 위치하도록 형성될 수 있다.In addition, the substrate supporter may be a lower electrode serving as a ground, an upper electrode connected to a high-frequency applying device may be provided on the lower electrode, a gas inlet communicating with the deposition space may be provided between the lower electrode and the upper electrode, The gas outlet may be positioned.

본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 기판에 대한 증착공정이 진행되는 증착 공간, 상기 증착 공간에 연통되는 가스 입구 및 가스 출구, 상기 기판이 안착되는 하부 전극, 및 상기 하부 전극의 상측에 배치되어 그 하부 전극과 함께 플라즈마를 형성하는 상부 전극을 가지는 챔버; 상기 가스 입구에 연결되어 상기 증착 공간에 가스를 공급하는 가스주입부; 및 상기 가스 출구에 연결되어 상기 증착 공간의 가스를 배출하는 가스 배기부;를 포함하고, 상기 가스 입구와 가스 출구는 상기 챔버의 좌우 양측 벽면에 관통 형성되며, 상기 가스 입구와 가스 출구에 연결되는 부위의 가스주입부와 가스배기부는 상기 가스 입구와 가스 출구에 일직선으로 연결되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치가 제공될 수 있다.In order to accomplish the object of the present invention, there is provided a plasma display panel including a deposition space in which a deposition process is performed on a substrate, a gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space, a lower electrode on which the substrate is seated, A chamber having an upper electrode forming a plasma with the lower electrode; A gas injection unit connected to the gas inlet to supply gas to the deposition space; And a gas outlet connected to the gas outlet for discharging the gas in the deposition space, wherein the gas inlet and the gas outlet are formed through both right and left side walls of the chamber, and are connected to the gas inlet and the gas outlet And the gas inlet and the gas outlet are linearly connected to the gas inlet and the gas outlet.

여기서, 상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 상기 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 위치하도록 형성되고, 상기 챔버의 내벽면과 상기 하부 전극의 외주면 사이에는 상기 증착 공간을 상기 하부 전극의 증착 위치로 정의하기 위한 분리부재가 더 구비될 수 있다. Here, a gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space are formed between the lower electrode and the upper electrode, and between the inner wall surface of the chamber and the outer peripheral surface of the lower electrode, As shown in Fig.

본 발명에 의한 평면 디스플레이용 증착 장치는, 가스 입구와 가스 출구를 챔버의 양쪽 측면에 각각 형성하여 증착 공간에서의 가스 유동 궤적을 직선화함으로써, 가스에 대한 유로저항을 낮춰 증착 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있고, 해당 기판의 전 영역에 대한 증착 균일도를 높일 수 있으며, 증착 공간의 높이를 낮춰 공급되는 가스의 반응률을 높일 수 있다.The deposition apparatus for a flat panel display according to the present invention is characterized in that the gas inlet and the gas outlet are formed on both sides of the chamber to linearize the gas flow locus in the deposition space to lower the flow path resistance to the gas, The uniformity of the deposition on the entire region of the substrate can be increased and the height of the deposition space can be reduced to increase the reaction rate of the supplied gas.

또, 가스 입구와 가스 출구에 연결되는 가스주입부와 가스배기부가 가스 입구 및 가스 출구와 동일방향으로 연결되도록 함으로써, 가스의 유동저항을 더욱 낮출 수 있다.Further, by making the gas inlet connected to the gas inlet and the gas outlet connected to the gas inlet and the gas outlet in the same direction, the flow resistance of the gas can be further reduced.

또, 챔버의 내부공간에 형성되는 증착 공간과 승강 공간을 분리함으로써, 증착 공간으로 공급되는 가스가 증착 공간 이외의 공간으로 유동하는 것을 차단할 수 있고, 이를 통해 공급되는 가스량 대비 증착 효율을 높일 수 있다. Also, by separating the deposition space formed in the inner space of the chamber from the elevation space, the gas supplied to the deposition space can be prevented from flowing into the space other than the deposition space, and the deposition efficiency compared to the amount of the supplied gas can be increased .

또, 챔버의 내부공간으로 공급되는 가스 또는 증착 공정을 마친 가스가 원활하게 배출될 수 있도록 하여 챔버의 내부가 오염되는 것을 방지할 수 있다.Also, the gas supplied to the inner space of the chamber or the gas after the deposition process can be smoothly discharged, thereby preventing the inside of the chamber from being contaminated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 증착장치를 정면에서 보인 단면도이고,
도 2는 도 1에 따른 챔버에서 기판의 안착위치로 하강한 상태를, 도 3은 기판의 증착위치로 부상한 상태를 보인 종단면도,
도 4는 도 1에 따른 증착장치에서 분리판을 보인 사시도,
도 5는 도 4에 따른 분리판이 설치된 상태를 보인 종단면도,
도 6은 도 5에서 하부 전극의 처짐이 발생한 상태를 설명하기 위해 보인 종단면도,
도 7은 본 실시예에 의한 평면 디스플레이용 증착 장치에서 가스 주입부와 가스 배기부를 보인 계통도,
도 8은 도 7의 "Ⅳ-Ⅳ"선단면도,
도 9는 도 7의 "Ⅴ-Ⅴ"선단면도.1 is a cross-sectional view of a deposition apparatus for a flat panel display according to an embodiment of the present invention,
FIG. 3 is a vertical sectional view showing a state in which the substrate is lifted to a deposition position; FIG.
FIG. 4 is a perspective view showing a separation plate in the deposition apparatus according to FIG. 1,
5 is a vertical sectional view showing a state in which the separator according to FIG. 4 is installed,
FIG. 6 is a longitudinal sectional view for explaining a state where deflection of the lower electrode occurs in FIG. 5,
FIG. 7 is a systematic view showing a gas injection unit and a gas exhaust unit in the deposition apparatus for a flat panel display according to the present embodiment,
8 is a sectional view taken along the line "IV-IV" in Fig. 7,
9 is a sectional view taken along the line "V-V" in Fig.

이하, 본 발명에 의한 평면 디스플레이용 증착 장치를 첨부도면에 도시된 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다. Hereinafter, a deposition apparatus for a flat panel display according to the present invention will be described in detail with reference to an embodiment shown in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평면디스플레이용 증착장치를 정면에서 보인 단면도이고, 도 2는 도 1에 따른 챔버에서 기판의 안착위치로 하강한 상태를, 도 3은 기판의 증착위치로 부상한 상태를 보인 종단면도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a deposition apparatus for a flat panel display according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a state in which the substrate is lowered from a chamber according to FIG. 1 to a substrate mounting position, Fig. 6 is a longitudinal sectional view showing a floating state.

이들 도면을 참조하면, 본 실시예에 따른 평면디스플레이용 증착장치(1)는 지지부(2)의 상면에 챔버(110)가 안착되어 고정된다. 지지부(2)에는 후술할 승 강유닛(3)이 설치된다.Referring to these figures, in the deposition apparatus 1 for a flat panel display according to the present embodiment, the chamber 110 is seated and fixed on the upper surface of the supporting unit 2. [ The supporting unit 2 is provided with a lifting unit 3 to be described later.

챔버(110)는 그 내부에 형성되는 증착 공간(111)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 외벽이 외부와 차폐될 수 있다. The outer wall of the chamber 110 may be shielded from the outside so that the deposition space 111 formed therein may be maintained in a vacuum atmosphere.

챔버(110)의 내부공간은 후술할 하부 전극(130)을 중심으로 상부 영역에는 증착 공정이 진행되는 증착 공간(111)이, 하부 영역에는 하부 전극(130)이 승강할 수 있는 공간인 승강 공간(112)이 형성될 수 있다.The inner space of the chamber 110 is divided into an evaporation space 111 in which an evaporation process is performed in an upper region around a lower electrode 130 to be described later and an evaporation space 111 in which a lower electrode 130 is movable up and down. (112) may be formed.

증착 공간(111)과 승강 공간(112)은 서로 연통될 수도 있지만, 가스가 원활하게 유동할 수 있도록 하기 위해서는 증착 공간(111)과 승강 공간(112)은 분리되는 것이 바람직할 수 있다.The deposition space 111 and the elevation space 112 may communicate with each other. However, in order to smoothly flow the gas, the deposition space 111 and the elevation space 112 may be separated from each other.

증착 공간(111)의 일측에는 후술할 가스 주입부(150)가 연통되는 가스 입구(115)가, 타측에는 후술할 가스 배기부(160)가 연통되는 가스 출구(116)가 각각 형성된다. 가스 입구(115)와 가스 출구(116)는 증착 높이를 최소한으로 줄이면서도 가스가 원활하게 주입 및 배출될 수 있도록 횡방향으로 긴 장방형으로 형성될 수 있다. A gas inlet 115 communicating with the gas injection unit 150 to be described later is formed at one side of the deposition space 111 and a gas outlet 116 communicating with the gas exhaust unit 160 to be described later is formed at the other side. The gas inlet 115 and the gas outlet 116 may be formed in a long rectangular shape in the transverse direction so that the gas can be smoothly injected and discharged while reducing the deposition height to a minimum.

또, 챔버(110) 내 증착 공간(111)의 상부 영역에는 증착 대상인 기판(G)을 향해 소정의 실리콘계 화합물 이온(ion)을 방출하는 상부 전극(120)이 구비되고, 상부 전극(20)의 하측에는 기판(G)이 안착(Loading)되는 하부 전극(130)이 구비될 수 있다.An upper electrode 120 for discharging predetermined silicon compound ions toward the substrate G to be deposited is provided in an upper region of the deposition space 111 in the chamber 110, And a lower electrode 130 on which the substrate G is placed may be provided on the lower side.

상부 전극(120)은 챔버(110)의 상부 영역, 보다 구체적으로는 챔버(110) 상벽에 결합될 수 있다. 여기서, 챔버(110)의 상벽과 상부 전극(120) 사이에는 상부 전극(120)이 챔버(110) 상벽에 직접 접촉하여 통전되는 것을 저지하는 절연체(미부호)가 더 구비될 수 있다. 절연체는 테프론 등으로 제작될 수 있다.The upper electrode 120 may be coupled to the upper region of the chamber 110, and more specifically to the upper wall of the chamber 110. Here, an insulator (not shown) may be further provided between the upper wall of the chamber 110 and the upper electrode 120 to prevent the upper electrode 120 from directly contacting the upper wall of the chamber 110 to be energized. The insulator may be made of Teflon or the like.

상부 전극(120)은 고주파 전원부(RF Power)(4)에 전기적으로 연결되고, 그 고주파 전원부(4)에서 인가된 소정의 고주파(RF, Radio Frequency) 전력에 기초한 중공 캐소드 방전(Hollow Cathode Discharge)에 의해 챔버(110)의 내부로 주입되는 공정가스를 플라즈마로 변화시키는 역할을 한다.The upper electrode 120 is electrically connected to a RF power source 4 and is connected to a Hollow Cathode Discharge based on a predetermined radio frequency (RF) power applied from the RF power supply 4. [ Which is injected into the chamber 110, into plasma.

상부 전극(120)으로 인가되는 고주파 전력은 고주파 전원부(4)에서 공급될 수 있다. 즉, 고주파 전원부(4)는 전극인가 블록(41)에 의해 상부 전극(120)의 상면에 연결되어 증착 공정 시, 소정의 고주파 전력을 상부 전극(120)으로 직접 인가한다.The high-frequency power applied to the upper electrode 120 may be supplied from the high-frequency power supply unit 4. That is, the RF power supply unit 4 is connected to the upper surface of the upper electrode 120 by the electrode application block 41, and directly applies a predetermined RF power to the upper electrode 120 during the deposition process.

하부 전극(130)은 챔버(110) 내 증착 공간(111)에서 횡방향으로 배치되어 기판(G)을 지지하는 기판 지지부(131)와, 상단은 기판 지지부(131)의 중앙부에 고정되고 하단은 챔버(110)의 바닥을 관통하여 승강 유닛(3)에 연결되는 기판 승강부(132)로 이루어질 수 있다.The lower electrode 130 is disposed in the deposition space 111 in the chamber 110 to horizontally support the substrate G and supports the substrate G. The upper end of the lower electrode 130 is fixed to the center of the substrate support 131, And a substrate elevating part 132 which penetrates the bottom of the chamber 110 and is connected to the elevating unit 3.

기판 지지부(131)의 상면은 기판(G)이 정밀하게 수평상태로 안착될 수 있도록 거의 정반으로 형성될 수 있다. 또, 기판 지지부(131)의 내부에는 히터(미도시)가 장착되어, 기판 지지부(131)를 소정의 증착온도인 대략 400 ℃로 가열한다.The upper surface of the substrate support 131 may be formed in a substantially flat shape so that the substrate G can be accurately and horizontally seated. A heater (not shown) is mounted inside the substrate support 131 to heat the substrate support 131 to a predetermined deposition temperature of approximately 400 캜.

기판 승강부(132)는 기판 지지부(131)의 중앙부 하면에 결합되고, 봉 또는 x통 형상으로 형성되어 기판 지지부(131)와 일체로 형성되거나, 또는 별개로 제작되어 기판 지지부(131)에 조립될 수 있다. The substrate lifting portion 132 is coupled to the lower surface of the central portion of the substrate supporting portion 131 and is integrally formed with the substrate supporting portion 131 or formed separately from the substrate supporting portion 131 .

기판 승강부(132)는 하단이 챔버(110)의 하부에 구비되는 승강 유닛(3)에 결합될 수 있다.The substrate lifting unit 132 may be coupled to the lifting unit 3 having a lower end provided at a lower portion of the chamber 110.

한편, 하부 전극(130)의 상면에는 증착범위를 제한하는 마스크(5)가 안착되고, 마스크(51)의 하면에는 일정 간격을 두고 구비되어 마스크(5)를 지지하는 복수 개의 마스크 샤프트(51)가 결합되며, 마스크 샤프트(51)의 하단에는 마스크(5)를 승강시키는 마스크 승강부(52)가 설치될 수 있다. On the upper surface of the lower electrode 130 is mounted a mask 5 for limiting the deposition range and a plurality of mask shafts 51 are provided on the lower surface of the mask 51 at regular intervals to support the mask 5, And a mask lift unit 52 for moving the mask 5 up and down can be installed at the lower end of the mask shaft 51. [

마스크(5)는 제품에 따라 다양한 형상으로 형성되며, 통상 기판(G)의 테두리면을 따라 띠 모양으로 형성될 수 있다. 마스크(5)는 기판(G)의 상면에서 특정부위만 가리면 되므로 최대한 얇게 형성되는 것이 후술할 분리판(140)의 두께를 최소화할 수 있고, 이를 통해 가스의 유동 저항을 최소화할 수 있어 바람직할 수 있다.The mask 5 is formed in various shapes depending on the product, and may be formed in a band shape along the edge surface of the substrate G. [ Since the mask 5 covers only a specific area on the upper surface of the substrate G, it is possible to minimize the thickness of the separator 140, which will be described later, by minimizing the flow resistance of the gas, .

상기와 같은 본 실시예에 의한 평면 디스플레이용 증착장치에서 증착 동작은 다음과 같다. The deposition operation in the deposition apparatus for a flat panel display according to the present embodiment is as follows.

우선, 도 2와 같이, 승강 유닛(3)에 의해 하부 전극(130)이 챔버(110)의 승강 공간(112)의 하부 영역으로 하강되고, 이 상태에서 로봇아암(미도시)에 의해 이송된 증착 대상인 기판(G)이 하부 전극(130)의 기판 지지부(131) 상면에 안착된다.First, as shown in FIG. 2, the lower electrode 130 is lowered to a lower region of the elevation space 112 of the chamber 110 by the elevation unit 3, and the lower electrode 130 is moved by the robot arm (not shown) The substrate G to be deposited is seated on the upper surface of the substrate support 131 of the lower electrode 130.

다음, 하부 전극(130)에 기판(G)을 안착된 후, 로봇아암이 취출된다. 그러면 챔버(110)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 가스 주입부(150)를 통해 증착에 필요한 불활성 기체(He, Ar)가 충전된다.Next, after the substrate G is placed on the lower electrode 130, the robot arm is taken out. Then, the inside of the chamber 110 is maintained in a vacuum atmosphere, and the inert gas (He, Ar) necessary for deposition is filled through the gas injection unit 150.

다음, 도 3과 같이, 증착공정의 진행을 위해, 승강 유닛(3)이 동작하여 하부 전극(130)을 부상시킨다. 그러면 기판(G)은 기판 지지부(131)의 상면에 밀착된 상태로 하부 전극(130)과 함께 대략 도 과 같은 위치로 부상하게 된다. 그러면 승강 유닛(3)의 동작이 정지되고 기판(G)은 상부 전극(120)의 직하방에 위치하게 된다. 이때, 하부 전극(130)은 대략 400 ℃ 정도로 가열된다.Next, as shown in FIG. 3, the elevation unit 3 operates to float the lower electrode 130 for the progress of the deposition process. The substrate G is lifted up to a position substantially coincident with the lower electrode 130 in a state of being in close contact with the upper surface of the substrate support 131. Then, the operation of the lifting unit 3 is stopped and the substrate G is positioned directly below the upper electrode 120. [ At this time, the lower electrode 130 is heated to about 400 캜.

다음, 증착에 필요한 가스가 가스 입구(115)를 통해 증착 공간(111)으로 유입된다. 이때, 상부 전극(120)을 통해 전원이 인가된다. 그러면 기판(G)의 상면에 플라즈마가 형성되면서 실리콘 옥사이드가 기판(G)의 상면에 증착된다. Next, a gas necessary for deposition is introduced into the deposition space 111 through the gas inlet 115. At this time, power is applied through the upper electrode 120. Then, a plasma is formed on the upper surface of the substrate G, and silicon oxide is deposited on the upper surface of the substrate G.

다음, 증착을 마친 가스는 가스 출구(116)를 통해 챔버(110)의 외부로 배출된다.Next, the deposited gas is discharged to the outside of the chamber 110 through the gas outlet 116.

다음, 챔버(110)의 내부를 정화하기 위해 퍼지 가스가 공급되어 챔버(110)에 남아 있는 증착 가스는 물론 오염 물질을 배출시킨다. Next, a purge gas is supplied to purge the interior of the chamber 110 to exhaust the contaminants as well as the deposition gas remaining in the chamber 110.

다음, 새로운 증착을 위해 다른 증착 가스가 공급되어 배출되는 일련의 과정을 반복하면서 기판에 다수의 층을 층착시켜 소자 위에 봉지부를 형성하게 된다.Next, a plurality of layers are deposited on the substrate while repeating a series of processes in which another deposition gas is supplied and discharged for new deposition, thereby forming an encapsulation portion on the device.

한편, 하부 전극(130)은 챔버(110)에 대해 승강되어야 하므로, 하부 전극(130)의 외주면, 즉 기판 지지부(131)의 외주면은 챔버(110)의 내벽면과의 사이에 이격공간(113)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 증착 공간(111)과 승강 공간(112)은 기판 지지부(131)의 외주면과 이에 대향되는 챔버(110)의 내벽면 사이에 형성되는 이격공간(113)을 통해 서로 연통될 수 있다. The outer circumferential surface of the lower electrode 130 or the outer circumferential surface of the substrate supporter 131 is spaced apart from the inner wall surface of the chamber 110 by a distance 113 May be formed. The deposition space 111 and the elevation space 112 can communicate with each other through the spacing space 113 formed between the outer peripheral surface of the substrate support 131 and the inner wall surface of the chamber 110 opposed thereto.

하지만, 본 실시예는 후술할 분리판(140)에 의해 하부 전극(130)의 외주면과 챔버(110)의 내벽면 사이의 이격공간(113)이 차단되어, 결국 증착 공간(111)과 승강 공간(112)은 분리될 수 있다. In the present embodiment, however, the separation plate 140, which will be described later, blocks the spacing space 113 between the outer circumferential surface of the lower electrode 130 and the inner wall surface of the chamber 110, Lt; RTI ID = 0.0 > 112 < / RTI >

도 4는 도 1에 따른 증착장치에서 분리판을 보인 사시도이고, 도 5는 도 4에 따른 분리판이 설치된 상태를 보인 종단면도이며, 도 6은 도 5에서 하부 전극의 처짐이 발생한 상태를 설명하기 위해 보인 종단면도이다.FIG. 4 is a perspective view showing a separation plate in the vapor deposition apparatus according to FIG. 1, FIG. 5 is a vertical sectional view showing a state in which a separation plate according to FIG. 4 is installed, and FIG. 6 is a cross- FIG.

이들 도면을 참고하면, 챔버(110)의 내벽면에는 분리판(140)을 고정하는 분리판 고정면(이하, 고정면)(117)이 단차지게 형성되고, 고정면(117)에는 분리판의 가장자리가 볼트(B1)로 결합될 수 있다. Referring to these drawings, a separation plate fixing surface (hereinafter referred to as a fixing surface) 117 for fixing the separation plate 140 is stepped on the inner wall surface of the chamber 110, And the edge can be joined to the bolt B1.

고정면(117)은 분리판(140)의 두께를 고려하여 가스 입구(115) 및 가스 출구(116)에 인접한 위치에 형성되는 것이 그 가스 입구(115) 및 가스 출구(116)와 분리판(140)과의 사이가 단차지지 않도록 하여 바람직할 수 있다. 이는, 가스 입구(115)와 분리판(140)의 사이, 또는 가스 출구(116)와 분리판(140)의 사이에 단차면이 형성되면 가스 입구(115)를 통해 공급되는 가스 또는 가스 출구(116)를 통해 배출되는 가스가 각각의 단차면에서 와류를 발생시키게 되고, 이로 인해 가스에 대한 유동저항이 증가하면서 증착 효율이 저하될 수 있기 때문이다. The fixing surface 117 is formed at a position adjacent to the gas inlet 115 and the gas outlet 116 in consideration of the thickness of the separator plate 140 and the gas inlet 115 and the gas outlet 116, 140 in a stepwise manner. This is because when a stepped surface is formed between the gas inlet 115 and the separator plate 140 or between the gas outlet 116 and the separator plate 140, the gas or gas outlet 116 may generate vortexes at the respective stepped surfaces, which may result in an increase in the flow resistance to the gas, which may reduce the deposition efficiency.

분리판(140)은 도 4에서와 같이 대략 4각 띠 모양으로 형성될 수 있다.The separation plate 140 may be formed in a substantially quadrangular band shape as shown in FIG.

또, 분리판(140)은 그 외측부는 챔버(110)의 내벽면에 구비된 고정면(117)에 볼트로 체결되는 반면, 내측부는 하부 전극(130)의 승강 동작에 따라 그 하부 전극(130)의 기판 지지부(131) 상면 가장자리에 착탈될 수 있다. The outer side of the separation plate 140 is bolted to the fixing surface 117 provided on the inner wall surface of the chamber 110 while the inner side is connected to the lower electrode 130 The substrate support 131 can be detached from the upper surface of the substrate support 131.

또, 분리판(140)의 하면(141)은 챔버(110)의 고정면(117) 및 기판 지지부(131)의 상면(131a)에 실링 결합되어야 하므로 편평하게 형성되지만, 상면(142)은 가스 입구(115)와 가스 출구(116)의 위치나 형상, 마스크(5)의 유무 및 두께 등에 따라 다양하게 형성될 수 있다. The lower surface 141 of the separator plate 140 is formed to be flat so as to be sealed to the fixing surface 117 of the chamber 110 and the upper surface 131a of the substrate supporting portion 131, The position and shape of the inlet 115 and the gas outlet 116, the presence or the thickness of the mask 5, and the like.

예를 들어, 도 5에서와 같이 가스 입구(115)의 하단 높이가 마스크(3)의 높이보다 소정의 높이차(h1)만큼 낮게 형성되는 경우에는, 분리판(140)의 외측 상면(142a)은 가스 입구(115)의 최저점(115a)과 동일한 높이에 위치할 수 있도록 낮게 형성되는 반면, 분리판(140)의 내측 상면(142b)은 마스크(5)의 상면(5a)과 동일한 높이에 위치할 수 있도록 외측 상면(142a)보다 높게 형성될 수 있다. 5, when the lower end height of the gas inlet 115 is formed to be lower than the height of the mask 3 by a predetermined height difference h1, the outer upper surface 142a of the separation plate 140, The inner upper surface 142b of the separation plate 140 is positioned at the same height as the upper surface 5a of the mask 5 while the inner upper surface 142b of the separation plate 140 is positioned at the same height as the top surface 5a of the mask 5, The upper surface 142a may be formed to be higher than the upper surface 142a.

이 경우, 분리판(140)의 상면(142)은 외측에서 내측으로 갈수록 점차 높아지는 경사면(143)을 형성하게 되고, 이로 인해 가스 입구(115)를 통해 유입되는 가스는 분리판(140)의 경사면(143)을 따라 원활하게 마스크(5)의 안쪽으로 이동하여 증착공정이 이루어지게 된다.In this case, the upper surface 142 of the separator plate 140 forms an inclined surface 143 which gradually increases from the outside toward the inside, whereby the gas introduced through the gas inlet 115 flows into the inclined surface 143 of the separator plate 140, The mask 5 is moved smoothly along the mask 143 to perform the deposition process.

여기서, 마스크(5)는 본 실시예에서 필수구성요소는 아니며, 경우에 따라서는 마스크와 그에 따른 마스크 샤프트와 마스크 승강부가 배제될 수도 있다. Here, the mask 5 is not an essential component in the present embodiment, and in some cases, the mask, the mask shaft and the mask lifting portion may be omitted.

다만, 마스크(5)가 구비되는 경우에는 후술하는 분리판(140)이 절연재로 형성되거나 또는 마스크(5)와의 사이에 놓이도록 별도의 절연부재가 분리판(140)에 설치되는 것이 바람직할 수 있다. However, when the mask 5 is provided, it is preferable that the separating plate 140, which will be described later, is formed of an insulating material or another insulating member is provided on the separating plate 140 so that the separating plate 140 is placed between the separating plate 140 and the mask 5. have.

도 4는 분리판(140)의 내측 상면 모서리에 절연부재 안착면(144)이 형성되고, 그 절연부재 안착면(144)에 제1 절연부재(171)가 안착되어 볼트로 조립되는 예를 보인 도면이다. 이 경우, 제1 절연부재(171)는 그 내측면(171a)이 마스크(5)의 외측면(5a)과 면접촉되며, 하부 전극(130)의 상면(131a)에 구비되는 제2 절연부재(172)의 상면(172a)에 면접촉하도로 배치된다. 이에 따라, 플라즈마 형성시 상부 전극(120)과 하부 전극(130)에서만 방전이 유도되어 증착 효율이 더욱 향상될 수 있다.4 shows an example in which the insulating member seating surface 144 is formed on the inner upper surface corner of the separator plate 140 and the first insulating member 171 is seated on the insulating member seating surface 144 and assembled with bolts FIG. In this case, the first insulating member 171 is in contact with the outer surface 5a of the mask 5, and the inner surface 171a of the first insulating member 171 is in contact with the outer surface 5a of the mask 5, Is in surface contact with the upper surface (172a) of the base plate (172). Accordingly, the discharge is induced only in the upper electrode 120 and the lower electrode 130 during the plasma formation, and the deposition efficiency can be further improved.

한편, 분리판(140)의 외측 하면(141a)과 이에 대응하는 챔버(110)의 고정면(117) 사이에는 제1 실링부재(181)가 구비되고, 분리판(140)의 내측 하면(141b)과 이에 대응하는 하부 전극(130)의 상면(131a) 사이에는 제2 실링부재(182)가 구비될 수 있다. 이로써, 분리판(140)과 고정면(117) 사이 또는 분리판(140)과 하부 전극(130) 사이에 가공오차로 인한 틈새가 발생되더라도 챔버(110)의 상부 영역인 증착 공간(111)과 하부 영역인 승강 공간(112) 사이를 확실하게 분리할 수 있다.A first sealing member 181 is provided between the outer lower surface 141a of the separator plate 140 and the fixing surface 117 of the chamber 110 corresponding to the lower surface 141a of the separator plate 140, And a second sealing member 182 may be provided between the upper surface 131a and the upper surface 131a of the lower electrode 130 corresponding thereto. Even if a gap is created between the separation plate 140 and the fixing surface 117 or between the separation plate 140 and the lower electrode 130 due to processing errors, the deposition space 111, which is the upper region of the chamber 110, It is possible to reliably separate the space between the up and down spaces 112 as the lower region.

제1 실링부재(181)와 제2 실링부재(182)는 모두 오-링으로 형성되거나 가스켓으로 형성될 수도 있다. 하지만, 제2 실링부재(182)는 하부 전극(130)이 움직이는 가변 부재이므로 제1 실링부재(181)에 비해 탄력을 가지는 더 가지는 재질로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.Both the first sealing member 181 and the second sealing member 182 may be formed of an O-ring or a gasket. However, since the second sealing member 182 is a deformable member that moves the lower electrode 130, it may be preferable that the second sealing member 182 is made of a more elastic material than the first sealing member 181.

그리고, 제1 실링부재(181)와 제2 실링부재(182)는 동일한 단면적을 가지거나 동일한 직경을 가지도록 형성될 수도 있지만, 도 6에서와 같이 하부 전극(130)의 가장자리가 처지는 것을 고려하면 제1 실링부재(181)의 단면적 또는 직경보다는 제2 실링부재(182)의 단면적 또는 직경이 더 크게 형성되는 것이 바람직할 수 있다.The first sealing member 181 and the second sealing member 182 may be formed to have the same cross-sectional area or the same diameter, but considering that the edge of the lower electrode 130 is sagged as shown in FIG. 6 It may be desirable that the cross-sectional area or diameter of the second sealing member 182 is formed to be larger than the cross-sectional area or diameter of the first sealing member 181.

예를 들어, 하부 전극(130)은 그 기판 지지부(131)의 중앙에 기판 승강부(132)가 결합됨에 따라 가로와 세로가 1800mm × 1000mm인 대면적 기판(G)을 증착하는 경우 기판 지지부(131)의 가장자리에서 처짐이 발생될 수 있다. For example, when the substrate lift part 132 is coupled to the center of the substrate support part 131, when the large area substrate G having a width of 1800 mm x 1000 mm is deposited, Lt; RTI ID = 0.0 > 131 < / RTI >

그러면 하부 전극(130)의 상면 높이가 고정면(117)의 높이와 동일한 높이로 형성되더라도 결국 하부 전극(130)의 가장자리 높이는 고정면(117)의 높이에 비해 소정의 높이차(h2)만큼 낮아지게 되므로, 이 하부 전극(130)이 처지는 만큼 제2 실링부재(182)가 보상을 해주어야 한다. 따라서, 제2 실링부재(182)는 제1 실링부재(181)에 비해 처짐량 만큼 보상할 수 있는 정도의 높이, 즉 단면적 또는 직경을 가지도록 형성되는 것이 바람직할 수 있다.Even if the height of the upper surface of the lower electrode 130 is equal to the height of the fixing surface 117, the height of the edge of the lower electrode 130 is lower than the height of the fixing surface 117 by a predetermined height difference h2 Therefore, the second sealing member 182 must compensate the lower electrode 130 for sagging. Therefore, it is preferable that the second sealing member 182 is formed to have a height, that is, a cross-sectional area or a diameter, sufficient to compensate for the deflection amount as compared with the first sealing member 181.

또, 도 4 및 도 5에서와 같이 분리판(140)의 하면(141)에는 제1 실링부재(181)와 제2 실링부재(182)가 각각 삽입되어 고정될 수 있도록 제1 고정홈(145a)과 제2 고정홈(145b)이 외측과 내측에 각각 형성될 수 있다. 각각의 고정홈(145a)(145b)은 제1 실링부재(181)와 제2 실링부재(182)가 삽입된 상태를 유지할 수 있도록 단면적이 깊이방향으로 확장되게 형성되는 것이 바람직하다.4 and 5, the first and second sealing members 181 and 182 are inserted into and fixed to the lower surface 141 of the separator plate 140, respectively, And the second fixing groove 145b may be formed on the outer side and the inner side, respectively. Each of the fixing grooves 145a and 145b may be formed to extend in the depth direction so that the first sealing member 181 and the second sealing member 182 may be inserted.

상기와 같이, 챔버(110)의 내벽면과 상부 전극(120)의 외주면 사이를 분리하는 분리판(140)이 설치됨에 따라, 가스 입구(115)를 통해 주입되는 가스는 분리판(140)에 의해 챔버(110)의 하부 영역인 승강 공간(112)으로 흘러나가지 못하고 상부 영역인 증착 공간(111)으로만 유동하게 된다. As described above, since the separator plate 140 separating the inner wall surface of the chamber 110 and the outer peripheral surface of the upper electrode 120 is provided, the gas injected through the gas inlet 115 flows into the separator plate 140 The gas can not flow into the elevating space 112, which is the lower region of the chamber 110, but flows only into the deposition space 111 which is the upper region.

이로써, 공정 가스가 증착 공정과 관련없는 승강 공간(112)으로 누설되는 것을 방지하여 가스의 공급량 대비 증착효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 챔버(110)가 오염되는 것을 억제할 수 있다. Thus, it is possible to prevent the process gas from leaking into the lift-up space 112, which is not related to the deposition process, so that the deposition efficiency relative to the supply amount of the gas can be increased, and the contamination of the chamber 110 can be suppressed.

한편, 증착 작업을 위해 가스가 가스 입구로 유입되는 과정과 증착 작업을 마친 가스가 가스 출구를 통해 배출되는 과정에서도 가스에 대한 유동저항을 최소한으로 줄이는 것이 전체적인 증착 효율을 높이는데 바람직할 수 있다.On the other hand, minimizing the flow resistance to the gas during the process of introducing the gas into the gas inlet for the deposition operation and discharging the gas after the deposition through the gas outlet may be desirable to enhance the overall deposition efficiency.

도 7은 본 실시예에 의한 평면 디스플레이용 증착 장치에서 가스 주입부와 가스 배기부를 보인 계통도이고, 도 8은 도 7의 "Ⅳ-Ⅳ"선단면도이며, 도 9는 도 7의 "Ⅴ-Ⅴ"선단면도이다.7 is a schematic view showing a gas injection unit and a gas exhaust unit in a deposition apparatus for a flat panel display according to the present embodiment, FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 7, and FIG. 9 is a cross- Quot;

이에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 의한 증착 장치는, 챔버(110)의 가스 입구(115)에 연결되어 증착 공간(111)에 증착가스를 공급하는 가스 주입부(150)와, 챔버(110)의 가스 출구(116)에 연결되어 증착 공간(111)에서 증착공정을 마친 가스를 배기시키는 가스 배기부(160)를 포함한다.The deposition apparatus according to the present embodiment includes a gas injection unit 150 connected to the gas inlet 115 of the chamber 110 to supply a deposition gas to the deposition chamber 111, And a gas discharge unit 160 connected to the gas outlet 116 of the deposition chamber 111 to discharge the gas after the deposition process.

여기서, 챔버(110)의 가스 입구(115)와 가스 출구(116)는 전체 단면적이 서로 동일하게 형성되고, 서로 동일한 높이(h3)에서 일직선상에 형성되는 것이 증착 공간(111)에서의 가스흐름을 신속하게 할 수 있어 바람직할 수 있다. The gas inlet 115 and the gas outlet 116 of the chamber 110 are formed to have the same total cross sectional area and are formed in a straight line at the same height h3, So that it can be preferable.

또, 가스 입구(115)는 그 도입단(115b)의 단면적에 비해 도출단(115c)의 단면적이 크게 형성되는 것이 가스의 유동저항을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 도출단(115c)에서의 와류발생을 억제할 수 있어 바람직할 수 있다. The gas inlet 115 is formed such that the sectional area of the leading end 115c is larger than the sectional area of the leading end 115b of the gas inlet 115. This not only reduces the flow resistance of the gas but also causes the vortex Can be suppressed.

또, 가스 입구(115)의 도출단(115c)은 후술할 분리판(140)과 접하는 부위에서 단차가 발생하지 않도록 하는 것이 가스의 유동저항을 줄일 수 있어 바람직할 수 있다. 이를 위해, 가스 입구(115)의 도출단(115c) 높이와 분리판(140)의 상면 높이는 전술한 바와 같이 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. In addition, it is preferable that the leading end 115c of the gas inlet 115 does not have a step at a portion in contact with the separating plate 140, which will be described later, because the flow resistance of the gas can be reduced. For this, the height of the leading end 115c of the gas inlet 115 and the height of the top surface of the separator plate 140 are preferably the same as described above.

또, 가스 출구(116)는 가스 입구(115)와 반대 모양으로 형성되는 것이 유로저항을 줄일 수 있다. 즉, 가스 출구(116)의 도입단(116b) 단면적에 비해 도출단(116c)의 단면적이 더 넓게 형성될 수 있다.In addition, the gas outlet 116 is formed opposite to the gas inlet 115, so that the flow resistance can be reduced. That is, the cross-sectional area of the leading end 116c can be made wider than the cross-sectional area of the leading end 116b of the gas outlet 116. [

한편, 가스 주입부(150)는 공급 탱크(미도시)와, 공급 탱크의 출구에 연결되는 공급관(151)으로 이루어질 수 있다. The gas injection unit 150 may include a supply tank (not shown) and a supply pipe 151 connected to the outlet of the supply tank.

공급관(151)은 공급 탱크의 출구에 연결되는 메인 공급관(155)과, 메인 공급관(155)에서 분관되는 복수 개의 서브 공급관(156)과, 일측은 서브 공급관(156)에 연통되고 타측은 각각의 가스 입구(115)에 연결되는 공급 튜브(157)로 이루어질 수 있다. The supply pipe 151 has a main supply pipe 155 connected to the outlet of the supply tank and a plurality of sub supply pipes 156 branched from the main supply pipe 155. The supply pipe 151 is connected to the sub supply pipe 156, And a supply tube 157 connected to the gas inlet 115.

도 8에서와 같이, 서브 공급관(156)은 공급 튜브(157)의 횡방향 측면, 즉 가스 입구(115)와 일직선상을 이루는 측면에 연결되는 것이 공급되는 가스의 유동저항을 최소화할 수 있어 바람직할 수 있다. 물론 메인 공급관(155) 역시 서브 공급관(156)과 같이 가스 입구(115)와 일직선상으로 연결되는 것이 바람직할 수 있다.As shown in FIG. 8, the sub-supply pipe 156 is connected to the lateral side of the supply tube 157, that is, the side that is in line with the gas inlet 115, so that the flow resistance of the supplied gas can be minimized, can do. Of course, it may also be desirable that the main supply pipe 155 is also connected in a straight line with the gas inlet 115 like the sub supply pipe 156.

공급 튜브(157)는 가스 입구(115)와 동일한 형상, 즉 횡방향으로 긴 장방형으로 원통 모양으로 형성되는 것이 바람직하다. The supply tube 157 is preferably formed in the same shape as the gas inlet 115, that is, in the shape of a cylinder having a long rectangular shape in the transverse direction.

한편, 가스 배기부(160)는 배기 펌프(161)와, 배기 펌프(161)의 입구에 연결되는 배기관(162)으로 이루어질 수 있다. The gas exhaust unit 160 may include an exhaust pump 161 and an exhaust pipe 162 connected to an inlet of the exhaust pump 161.

배기관(162)은 배기 펌프(161)의 입구에 연결되는 메인 배기관(165)과, 메인 배기관(165)에서 분관되는 복수 개의 서브 배기관(166)과, 일측은 서브 배기관(166)에 연통되고 타측은 각각의 가스 출구(116)에 연결되는 배기 튜브(167)로 이루어질 수 있다. The exhaust pipe 162 has a main exhaust pipe 165 connected to the inlet of the exhaust pump 161 and a plurality of sub exhaust pipes 166 branched from the main exhaust pipe 165. One end of the exhaust pipe 162 is communicated with the sub exhaust pipe 166, And an exhaust tube 167 connected to each gas outlet 116.

서브 배기관(166)은 배기 튜브(167)의 횡방향 측면, 즉 가스 출구(116)와 일직선상을 이루는 측면에 연결되는 것이 공급되는 가스의 유동저항을 최소화할 수 있어 바람직할 수 있다.The sub-exhaust pipe 166 may be connected to the lateral side of the exhaust tube 167, that is, the side that is in line with the gas outlet 116, so that the flow resistance of the supplied gas can be minimized.

배기 튜브(167)는 가스 출구(116)와 동일한 형상, 즉 횡방향으로 긴 장방형으로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.The exhaust tube 167 may preferably be formed in the same shape as the gas outlet 116, that is, in a long rectangular shape in the transverse direction.

상기와 같이, 공급관(151)과 배기관(162)이 각각 가스 입구(115) 및 가스 출구(116)의 개구방향과 일치하는 방향으로 일직선상에 연결됨에 따라, 증착 공간(111)으로 공급되는 가스 또는 증착 공간(111)에서 배출되는 가스에 대한 유동저항을 최소한으로 줄여 증착 공정이 신속하게 진행될 수 있다. As described above, since the supply pipe 151 and the exhaust pipe 162 are connected in a straight line in the direction coinciding with the opening direction of the gas inlet 115 and the gas outlet 116, the gas supplied to the vaporizing space 111 Or the flow resistance to the gas discharged from the deposition space 111 can be minimized and the deposition process can proceed quickly.

또, 가스 입구(115)와 가스 출구(116)는 가스가 챔버(110)의 내부에서 와류를 형성하지 않도록 형성됨에 따라, 가스에 대한 유동저항을 더욱 줄여 가스가 신속하게 유동하면서 증착 공정 시간을 더욱 단축할 수 있다.Since the gas inlet 115 and the gas outlet 116 are formed so that the gas does not form a vortex inside the chamber 110, the flow resistance against the gas is further reduced, Can be further shortened.

이상에서 설명한 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.

3 : 승강 유닛 5 : 마스크
52 : 마스크 승강부 110 : 챔버
111 : 증착 공간 112 : 승강 공간
113 : 이격 공간 115 : 가스 입구
116 : 가스 출구 117 : 분리판 고정면
120 : 상부 전극 130 : 하부 전극
140 : 분리판 143 : 경사면
144 : 절연부재 안착면 150 : 가스 주입부
151 : 공급관 160 : 가스 배기부
161 : 배기 펌프 162 : 배기관3: lift unit 5: mask
52: mask lifting part 110: chamber
111: deposition space 112: lift-up space
113: separation space 115: gas inlet
116: gas outlet 117: separator plate fixing surface
120: upper electrode 130: lower electrode
140: separating plate 143: inclined surface
144: insulating member seating surface 150: gas injection part
151: Supply pipe 160: Gas exhaust part
161: exhaust pump 162: exhaust pipe

Claims (11)

기판에 대한 증착공정이 진행되는 증착 공간 및 기판의 입출을 위한 승강 공간이 구비되는 챔버;
상기 기판이 지지되고, 상기 챔버의 내부에서 상기 증착 공간과 승강 공간 사이에서 승강 가능하게 설치되는 기판 지지부; 및
상기 챔버의 내벽면과 기판 지지부의 외주면 사이에 구비되어, 상기 증착 공간과 승강 공간 사이를 분리하는 분리부재;를 포함하는 평면 디스플레이용 증착 장치.A chamber in which a deposition space in which a deposition process is performed on a substrate and an elevation space for entry and exit of the substrate are provided;
A substrate supporter supporting the substrate and being installed inside the chamber so as to be able to move up and down between the deposition space and the uprising space; And
And a separating member provided between the inner wall surface of the chamber and the outer peripheral surface of the substrate supporting portion and separating the deposition space from the elevating space. 제1항에 있어서,
상기 분리부재는 상기 챔버의 내벽면에서 상기 기판 지지부를 향해 돌출 형성되고,
상기 분리부재와 상기 기판 지지부 사이에는 실링부재가 구비되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein the separation member is protruded from the inner wall surface of the chamber toward the substrate support,
And a sealing member is provided between the separating member and the substrate supporting portion. 제2항에 있어서,
상기 분리부재는 상기 챔버의 내벽면에 체결되고, 상기 분리부재와 챔버 사이에는 실링부재가 더 구비되며,
상기 분리부재와 기판 지지부 사이의 실링부재가 상기 분리부재와 챔버 사이의 실링부재에 비해 승강방향으로 더 돌출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the separating member is fastened to the inner wall surface of the chamber, further comprising a sealing member between the separating member and the chamber,
Wherein a sealing member between the separating member and the substrate supporting portion is formed so as to protrude further in the lifting direction than a sealing member between the separating member and the chamber. 제1항에 있어서,
상기 챔버에는 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 각각 형성되고,
상기 가스 입구와 가스 출구는 서로 대면되는 면에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.The method according to claim 1,
A gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space are formed in the chamber, respectively,
Wherein the gas inlet and the gas outlet are formed on the surfaces facing each other. 제4항에 있어서,
상기 가스 입구의 도출단 높이 또는 상기 가스 출구의 도입단 높이는 상기 분리부재의 외측면 상단 높이와 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the height of the introduction end of the gas inlet or the height of the introduction end of the gas outlet is the same as the height of the top end of the outer side of the separation member. 제4항에 있어서,
상기 분리부재의 내측면 상단높이는 상기 기판 지지부의 상면에 안착된 기판 또는 기판을 감싸는 마스크의 높이와 동일하게 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.5. The method of claim 4,
Wherein the height of the top of the inner side surface of the separating member is the same as the height of the substrate placed on the top surface of the substrate support or the mask surrounding the substrate. 제6항에 있어서,
상기 기판 지지부의 상면에는 상기 기판의 가장자리에 배치되는 마스크가 구비되고,
상기 분리부재에는 그 분리부재와 상기 마스크 사이의 절연을 위한 절연부재가 구비되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.The method according to claim 6,
A mask disposed on an edge of the substrate is provided on an upper surface of the substrate support,
Wherein the separating member is provided with an insulating member for insulating between the separating member and the mask. 제4항에 있어서,
상기 가스 입구의 도입단에는 가스 주입부를 이루는 공급 튜브가 연결되고, 상기 공급 튜브에는 가스공급을 안내하는 공급관이 연결되며,
상기 가스 출구의 도출단에는 가스 배기부를 이루는 배기 튜브가 연결되고, 상기 배기 튜브에는 가스배출을 안내하는 배기관이 연결되며,
상기 공급관과 배기관 중에서 적어도 어느 한 쪽은 해당 튜브와 연결되는 부위가 상기 가스 입구 또는 가스 출구와 일직선상으로 연결되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.5. The method of claim 4,
A supply tube constituting a gas injection unit is connected to the introduction end of the gas inlet, a supply pipe for guiding gas supply is connected to the supply tube,
An exhaust tube constituting a gas exhaust portion is connected to a leading end of the gas outlet, an exhaust pipe for guiding exhaust of gas is connected to the exhaust tube,
Wherein at least one of the supply pipe and the exhaust pipe is connected to the gas inlet or the gas outlet in a straight line. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판 지지부는 그라운드 역할을 하는 하부 전극을 이루고, 상기 하부 전극의 상측에는 고주파 인가 장치와 연결되는 상부 전극이 설치되며,
상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 상기 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.9. The method according to any one of claims 1 to 8,
The substrate supporting unit may include a lower electrode serving as a ground, and an upper electrode connected to a high frequency applying unit may be provided on the lower electrode.
And a gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space are formed between the lower electrode and the upper electrode. 기판에 대한 증착공정이 진행되는 증착 공간, 상기 증착 공간에 연통되는 가스 입구 및 가스 출구, 상기 기판이 안착되는 하부 전극, 및 상기 하부 전극의 상측에 배치되어 그 하부 전극과 함께 플라즈마를 형성하는 상부 전극을 가지는 챔버;
상기 가스 입구에 연결되어 상기 증착 공간에 가스를 공급하는 가스 주입부; 및
상기 가스 출구에 연결되어 상기 증착 공간의 가스를 배출하는 가스 배기부;를 포함하고,
상기 가스 입구와 가스 출구는 상기 챔버의 좌우 양측 벽면에 관통 형성되며, 상기 가스 입구와 가스 출구에 연결되는 부위의 가스 주입부와 가스 배기부는 상기 가스 입구와 가스 출구에 일직선으로 연결되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치.A gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space, a lower electrode on which the substrate is mounted, and a lower electrode disposed on the upper electrode and forming a plasma together with the lower electrode, A chamber having an electrode;
A gas injection unit connected to the gas inlet to supply gas to the deposition space; And
And a gas discharging portion connected to the gas outlet for discharging the gas in the deposition space,
The gas inlet and the gas outlet are formed through both side walls of the chamber. The gas inlet and the gas outlet of the gas inlet and the gas outlet are connected to the gas inlet and the gas outlet, respectively. Wherein the deposition apparatus is a deposition apparatus for a flat display. 제10항에 있어서,
상기 하부 전극과 상부 전극 사이에 상기 증착 공간과 연통되는 가스 입구와 가스 출구가 위치하도록 형성되고,
상기 챔버의 내벽면과 상기 하부 전극의 외주면 사이에는 상기 증착 공간을 상기 하부 전극의 증착 위치로 정의하기 위한 분리부재가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 증착 장치. 11. The method of claim 10,
A gas inlet and a gas outlet communicating with the deposition space are formed between the lower electrode and the upper electrode,
And a separation member for defining the deposition space as the deposition position of the lower electrode is further provided between the inner wall surface of the chamber and the outer peripheral surface of the lower electrode.
KR1020150177300A 2015-12-11 2015-12-11 Vapor deposition apparatus for flat display KR102448256B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150177300A KR102448256B1 (en) 2015-12-11 2015-12-11 Vapor deposition apparatus for flat display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150177300A KR102448256B1 (en) 2015-12-11 2015-12-11 Vapor deposition apparatus for flat display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170069722A true KR20170069722A (en) 2017-06-21
KR102448256B1 KR102448256B1 (en) 2022-09-28

Family

ID=59281713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150177300A KR102448256B1 (en) 2015-12-11 2015-12-11 Vapor deposition apparatus for flat display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102448256B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100916931B1 (en) * 2008-05-14 2009-09-15 주식회사 테스 Apparatus for cleaning substrate
KR20100106614A (en) * 2008-02-18 2010-10-01 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 Atomic deposition apparatus and atomic layer deposition method
KR101499467B1 (en) * 2013-11-05 2015-03-06 주식회사 엔씨디 The horizontal type apparatus for depositing a atomic layer on the large substrate
KR20150102564A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 하이디스 테크놀로지 주식회사 Sputtering apparatus having insulator for preventing deposition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100106614A (en) * 2008-02-18 2010-10-01 미쯔이 죠센 가부시키가이샤 Atomic deposition apparatus and atomic layer deposition method
KR100916931B1 (en) * 2008-05-14 2009-09-15 주식회사 테스 Apparatus for cleaning substrate
KR101499467B1 (en) * 2013-11-05 2015-03-06 주식회사 엔씨디 The horizontal type apparatus for depositing a atomic layer on the large substrate
KR20150102564A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 하이디스 테크놀로지 주식회사 Sputtering apparatus having insulator for preventing deposition

Also Published As

Publication number Publication date
KR102448256B1 (en) 2022-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8459923B2 (en) Apparatus for substrate alignment, apparatus for substrate processing having the same, and substrate alignment method
KR101944895B1 (en) Symmetric plasma process chamber
KR102142557B1 (en) RF return strap shield cover
US8840725B2 (en) Chamber with uniform flow and plasma distribution
KR20150101785A (en) Substrate process apparatus
KR101568735B1 (en) Susceptor and substrate processing apparatus having the same
KR20120079961A (en) Liner assembly and wafer treatment equipment having the same
KR101798373B1 (en) Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus
KR20170069722A (en) Vapor deposition apparatus for flat display
KR20100117924A (en) Substrate processing apparatus
KR101769844B1 (en) Arc chamber for ion implanter
KR101798384B1 (en) RF antenna structure for inductively coupled plasma processing apparatus
KR101798374B1 (en) Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus
JP7383096B2 (en) Substrate processing equipment
JP7441908B2 (en) Substrate processing equipment
KR101364196B1 (en) Batch type ald apparatus and cluster type ald apparatus comprising the same
CN109119321B (en) Plasma processing apparatus
US20220064799A1 (en) Vacuum processing apparatus
KR20150065401A (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR101798376B1 (en) Dielectric window supporting structure for inductively coupled plasma processing apparatus
KR20150088211A (en) Susceptor and substrate processing apparatus having the same
KR102324032B1 (en) Substrate supporting module and substrate processing apparatus having the same
KR20150065402A (en) Chemical vapor deposition apparatus for flat display
KR20220082748A (en) Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device
CN112740387A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right